Professional Documents
Culture Documents
dqvinh@dng.vnn.vn
0903 586 586
CHƯƠNG 1
MỞ ĐẦU – CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
IB
• Thời điểm
• Công suất
Transistor điều khiển: Khuyếch đại
IC
R
UCE = UCE1 B
iC U
R
b a
C U
iB UCE = U - RIC IB2 > IB1
uCE A
B A IB1 > 0
E IB = 0
uBE iE
IB2 UCE1 U
IB UBE < 0 UCE
i
i b
c a
điều khiển
u
d
u
Đối tượng nghiên cứu của điện tử công suất
Nghịch lưu
1. 2. Các linh kiện điện tử công suất
1.2.1 Chất bán dẫn - Lớp tiếp giáp P - N
Chất bán dẫn:
Ở nhiệt độ bình thường có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện
Loại P: phần tử mang điện là lỗ trống – mang điện tích dương
Loại N: phần tử mang điện là các electron – mang điện tích âm
J
+ + + + - - - -
P + + + + - - - - N
+ + + + - - - -
+ + + - - -
P + + + - - - N
+ + + - - -
Miền bão hòa
- Cách điện
Phân cực ngược
P N
+ + + - - -
- + + + - - -
+
+ + + - - -
Miền bão hòa
- Cách điện
P N
+ -
- + -
+
+ -
P N
+ + + - - -
+
+ + + - - -
-
+ + + - - -
Miền bão hòa
- Cách điện
+ -
i
1.2.2 Diode
uF
iF
Hướng thuận
Anode Katode
P N A K
A K iR
Hướng ngược
uR
R: reverse – ngược
F: forward – thuận
Đặc tính V – A
i
Diode lý tưởng Nhánh thuận – mở
Nhánh ngược u
– đóng
Diode thực tế 100
Nhánh thuận – mở
50
Nhánh ngược
– đóng o UTO: điện áp rơi trên diode
dU R T = 160 C 20
rR = j
o
dU F
rF =
T = 30 C
dI R j
URRM
30
Qr = ∫ irr dt
Ðóng S
: điện tích chuyển mạch
0 iF
iF
iF = I
trr
0,1 irrM
O t
irr
Quá áp trong iR
irrM
iR
irr Qr
uF
t
O Uk uR = Uk
uR uRM
Bảo vệ chống quá áp trong
V
Mở Đóng
R C
t
O
iRC
uR
V L
irr iRC
iL O t
Uk
irr
Uk
- + i L = irr + i RC u = U − L diL
R k
dt
Các thông số chính của diode
IF [A]
Điện áp:
100
• Giá trị điện áp đánh thủng UBR
• Giá trị cực đại điện áp ngược lập lại: Nhánh thuận – mở
URRM 50
• Giá trị cực đại điện áp ngược không lập U[BR] UR [V] UF [V]
Nhánh ngược
Dòng điện - nhiệt độ làm việc – đóng o
T = 160 C 20
j
• Giá trị trung bình cực đại dòng điện o
T = 30 C
j 30
URRM
thuận: IF(AV)M
IR [mA]
• Giá trị cực đại dòng điện thuận không URSM
P
N
B
B N
P
P
N
E
E R R
iC iC
U C U
iB C iB
uCE uEC
B B
E E
iE uEB iE
uBE
Đặc tính Volt – Ampe
IC
UCE = UCE1
U B Mở
R
b a
IB = 0
Đóng
IB2 UCE1 U
IB UBE < 0 UCE
Miền đóng bão hòa
ICE a)
IB = 0 UBR(CE0)
ICE0 UBR(CER)
ICER UBR(CES)
ICES UBR(CEU)
ICEU
O UCE0 UCES UCE
UCER UCEU
b) c)
RB RB
ICEU
+ - +
-IB UBE -IB UBE
- + -
• 0 … Hở mạch B – E (IB = 0)
• R … Mạch B – E theo hình b)
• S … Ngắn mạch B – E (RB →0)
• U … Mạch B – E theo hình c)
Quá trình quá độ của transistor
iB
IB
0.1IB 0.9IB
O t
td tr
ts tf
iC
uCE
0.1IC 0.9IC IC 0.1IC
O
ton toff
Mạch trợ giúp đóng mở Các thông số chính
Điện áp:
D D
N iD N
P P
N N
S S G OXID
G OXID
uGS
D
D iD
G uDS G
uGS
S
S
Đặc tính động
CGD D R
iD +
RG
on G
CDS
+ -
CGS uGS S uDS
off U
UG -
GS
0.9UG
UG
UGS(th)
0.1UG
t
uDS
0.9U iD 0.9U
U
0.1U
tr tf
td(on) td(off)
ton toff
MOSFET thực tế - 19MT050XF – International Rectifier
1.2.5 Transistor lưỡng cực cổng cách ly - IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor
C
C
G
G
E
E
iC
Đặc tính động R
C
on RG U
G
E
off
uCE
UG uGE
UG 0.9UG
uGE UGE(th)
0.1UCM
t
uCE iC
U 0.9ICM ICT
0.1ICM ICM
0.1ICM
tr tf
td(on) td(off)
ton toff
IGBT thực tế
1MB-30-060 – Fuji Electric
1.2.6 Thyristor
Cấu tạo – Hoạt động
A A A
i i1
P P
J1 u
N G N N R
G J2 G i2
P P P
J3
N N iG uAK
K K K
Trạng thái:
• Mở
• Đóng
uR
• Khóa iR
Hướng ngược iG
Ký hiệu • T: Thuận
uG • D: Khóa
A K
• R: Ngược
iT
iD Hướng thuận
uT
uD
Điều kiện để mở Thyristor
• UAK > 0
• Xung điều khiển đưa vào cực điều khiển.
iG Ψ
40
iG IG
UG[V]
2π ωt
R 30
U uG
(PGM)Ψ=π/12
20
(PGM)Ψ=π/6
UG=U-RIG
iG -400C
UGT
O 1 2
IGT IG[A]
0 t
Đặc tính động
Tổn thất
công suất khi mở
thyristor
Mở thyristor
Khóa thyristor
A uD
+
P
J1
N O t
G J2 C uD
P
J3 iC
N iC
-
iC O t
K
Đóng thyristor
toff
P
J1
N iFG G
J2
J3 P
N ur
G iRG uFG ir (uD)
(iD)
iRG K uRG
K
Đặc tính động
Mở GTO
tgd
tgr
uD
ir
UD 0.9UD
0.1UD
t
O tgt
IFG÷10Α
iFG
0.2IFG
O
Đóng GTO
tgs
iT tgf
uD
IT=I
iD
O t
uD
I tgq
ttq
L
iT
iRG O
iRG
uRG
IRG
uRG iRG uRG
QGQ
GTO thực tế - FG3000FX-90DA – Misubishi Electric
1.2.8 Triac
Điện áp thuận
Điện áp khóa
Dòng điện thuận
Hướng ngược
Dòng điện khóa
Dòng điện và điện áp
cực điều khiển
UG > 0; IG > 0
UD > 0 Nhánh khóa
UG < 0; IG < 0
UG > 0; IG > 0
UDR > 0
UG < 0; IG < 0
Nhánh khóa
Nhánh mở
Triac thực tế - 2N6344 - ON Semiconductor
CHƯƠNG 2: MỘT SỐ KHÁI NIỆM CƠ BẢN
TRONG ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
2.1 Năng lượng tích lũy vào cuộn kháng
và giải phóng từ cuộn kháng
t0
t0
dΨL
t1
di
∫ uL dt = QL (t0 , t1 ); uL =
t0
dt
=L L
dt
Ψ L ( t1 ) iL ( t1 )
Nhịp là khoảng thời gian giữa hai lần liên tiếp thay đổi trạng thái của
linh kiện điện tử công suất trong mạch. Tên của nhịp là tên của linh
kiện đang dẫn điện.
Đặc tính điều khiển: Mối quan hệ giữa điện áp đầu ra và đại lượng
điều khiển của bộ biến đổi
P
λ= … Hệ số công suất PF (Power Factor)
S
m: số pha
U: Giá trị hiệu dụng điện áp điều hòa của pha
I(1): Giá trị hiệu dụng của thành phần bậc 1 dòng điện pha
ϕ(1): Góc chậm pha của thành phần bậc 1 dòng điện pha so với điện áp
S = mUI
∞
I: Giá trị hiệu dụng dòng điện pha I 2 = ∑ I (2n )
n =1
∞ ∞
S 2 = m 2U 2 ∑ I (2n ) = m 2U 2 I (1)
2
+ m 2U 2 ∑ I (2n )
n =1 n=2
2
S(1) = m 2U 2 I (1)
2
= m 2U 2 I (1)
2
cos 2 ϕ(1) + m 2U 2 I (1)
2
sin 2 ϕ(1) = P 2 + Q(1)
2
I (1)
υ= … Hệ số méo dạng DF (Distortion Factor)
I
∞
∑ (n)
I
n=2
2