P. 1
Bai giang Dien tu cong suat Phan 01

Bai giang Dien tu cong suat Phan 01

4.67

|Views: 14,152|Likes:
Được xuất bản bởibaohuy_pla

More info:

Published by: baohuy_pla on Feb 25, 2009
Bản quyền:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

07/10/2013

pdf

text

original

ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

Tài liệu tham khảo
• Điện tử công suất – Lê Văn Doanh • Giáo trình điện tử công suất – Nguyễn Văn Nhờ • Điện tử công suất – Nguyễn Bính dqvinh@dng.vnn.vn 0903 586 586

CHƯƠNG 1 MỞ ĐẦU – CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
1.1 Khái niệm chung

Điện tử Công suất lớn

Các linh kiện điện tử công suất được sử dụng trong các mạch động lực – công suất lớn

Sự khác nhau giữa các linh kiện điện tử ứng dụng (điện tử điều khiển) và điện tử công suất • Công suất: nhỏ – lớn • Chức năng: điều khiển – đóng cắt dòng điện công suất lớn Các linh kiện điện tử công suất chỉ làm chức năng đóng cắt dòng điện – các van

Điều khiển

Động lực IC

IB • Thời điểm • Công suất

Transistor điều khiển: Khuyếch đại

IC

R iC iB B uBE E C uCE iE
IB2 UCE1 U UCE = UCE1
U R

B

U

b

a

UCE = U - RIC A A

IB2 > IB1 IB1 > 0 IB = 0

IB

UBE < 0

UCE

Transistor công suất: đóng cắt dòng điện

Đặc tính Volt – Ampe của van công suất lý tưởng
i i b

điều khiển

c

a u d

u

Đối tượng nghiên cứu của điện tử công suất
• Các bộ biến đổi công suất • Các bộ khóa điện tử công suất lớn Chỉnh lưu

• BBĐ điện áp xoay chiều (BĐAX) • Biến tần

BBĐ điện áp một chiều (BĐXA)

Nghịch lưu

1. 2. Các linh kiện điện tử công suất
1.2.1 Chất bán dẫn - Lớp tiếp giáp P - N
Chất bán dẫn: Ở nhiệt độ bình thường có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện Loại P: phần tử mang điện là lỗ trống – mang điện tích dương Loại N: phần tử mang điện là các electron – mang điện tích âm J + + + + P + + + P + + + + + + + + + + + +
Miền bão hòa - Cách điện

+ +

-

-

-

-

N

N

Phân cực ngược

P

N + + +
Miền bão hòa - Cách điện

-

+ + +

+ + +

-

-

-

+

P

N Miền bão hòa - Cách điện

-

+ + +

+

Phân cực thuận

P

N + + +
Miền bão hòa - Cách điện

+

+ + +

+ + +

-

-

-

-

+
i

-

1.2.2 Diode
Cấu tạo, hoạt động
uF iF

Anode A

Katode P N K

Hướng thuận
K iR uR

A

Hướng ngược

R: reverse – ngược F: forward – thuận

Đặc tính V – A Diode lý tưởng Hai trạng thái: mở – đóng I Diode thực tế
F

i

Nhánh thuận – mở

[A]

100

Nhánh ngược – đóng

u

Nhánh thuận – mở
50 U[BR] UR [V] 800 400 0 UF [V] 1 1,5

dU R rR = dI R điện trở ngược trong diode
UBR: điện áp đánh thủng

Nhánh ngược – đóng

T = 160 C j o T = 30 C j

o

20 URRM URSM 30 IR [mA]

UTO: điện áp rơi trên diode

dU F dI F điện trở thuận trong diode rF =

Đặc tính động của diode
I

• UK: Điện áp chuyển mạch • trr: Thời gian phục hồi khả năng đóng • irr: Dòng điện chuyển mạch – phục hồi

L UK S

Qr = ∫ irr dt
0

t rr

Ðóng S

+

: điện tích chuyển mạch
iF iF = I

iF

trr

0,1 irrM t

O
iR irrM

Quá áp trong

irr iR irr uF

Qr t

O

Uk

uR = Uk

uR

uRM

Bảo vệ chống quá áp trong

R
uR

C
iRC
O

Mở

V

Đóng

t

V

L
irr iRC t Uk

iL irr Uk

O

-

+

i L = irr + i RC u = U − L diL R k dt

Các thông số chính của diode
IF [A]

Điện áp: • Giá trị điện áp đánh thủng UBR • Giá trị cực đại điện áp ngược lập lại: URRM • Giá trị cực đại điện áp ngược không lập lại: URSM Dòng điện - nhiệt độ làm việc • Giá trị trung bình cực đại dòng điện thuận: IF(AV)M • Giá trị cực đại dòng điện thuận không lập lại: IFSM

100

Nhánh thuận – mở
50 U[BR] UR [V] 800 400 0 UF [V] 1 1,5

Nhánh ngược – đóng

T = 160 C j o T = 30 C j

o

20 URRM URSM 30 IR [mA]

Diode thực tế: IDB30E60 – Infineon Technologies

1.2.3 Transistor lưỡng cực (BT)
(Bipolar Transistor) Cấu tạo, hoạt động
C N B P N E E
R iC iB B uBE E C uCE iE
uEB

C P B N P

R iC

U

iB B

C uEC E iE

U

Đặc tính Volt – Ampe

Miền mở bão hòa
IC UCE = UCE1
b a

U R

B

Mở

• Đặc tính ngoài IC = f(UCE) • Đặc tính điều khiển IC = f(IB)

UCE = U - RIC A A

IB2 > IB1 IB1 > 0

Đóng
IB2 UCE1 U

IB = 0

IB

UBE < 0

UCE

Miền đóng bão hòa

ICE IB = 0 ICE0 ICER ICES ICEU O b) RB UBR(CE0)

a)

UBR(CER) UBR(CES) UBR(CEU) UCES UCE0 UCER UCEU RB UCE c) ICEU

+
-IB UBE

-IB

+
UBE

-

+

-

• 0 … Hở mạch B – E (IB = 0) • R … Mạch B – E theo hình b) • S … Ngắn mạch B – E (RB →0) • U … Mạch B – E theo hình c)

Quá trình quá độ của transistor

iB IB 0.1IB O td tr iC uCE ts tf 0.9IB t

0.1IC

0.9IC

IC toff

0.1IC

O

ton

Mạch trợ giúp đóng mở

Các thông số chính Điện áp: • Giá trị cực đại điện áp colector – emitor UCE0M khi IB = 0 • Giá trị cực đại điện áp emitor – bazơ UEB0M khi IC =0 Dòng điện: Giá trị cực đại của các dòng điện IC, IB, IE

(Điện tử công suất – Nguyễn Bính)

Transistor thực tế - MJW3281A (NPN) – ON Semiconductor

1.2.4 Transistor trường MOSFET
(Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor)
D N P N iD
P N D N

S

uGS

G

OXID

S

G

OXID

D
D G uGS S iD uDS

G S

Đặc tính động
CGD RG

D iD

R +

on + off

G uGS S

CDS uDS

U

CGS

UG -

GS

0.9UG UG 0.1UG 0.9U U 0.1U tr td(on) ton td(off) toff tf UGS(th) uDS t 0.9U

iD

MOSFET thực tế - 19MT050XF – International Rectifier

1.2.5 Transistor lưỡng cực cổng cách ly - IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

C

C

G
G

E
E

Đặc tính động
on off UG RG G

iC C

R

U E uCE uGE

UG uGE 0.1UCM uCE U 0.1ICM tr td(on) ton td(off) ICM UGE(th)

0.9UG

t iC 0.9ICM ICT 0.1ICM tf

toff

IGBT thực tế 1MB-30-060 – Fuji Electric

1.2.6 Thyristor
Cấu tạo – Hoạt động

A P N P N K J1 J2 J3

A P G N P N K N P G iG

A i i1 i2 uAK K u R

G

Trạng thái: • Mở • Đóng • Khóa Ký hiệu
Hướng ngược

uR iR iG uG A K iT iD Hướng thuận uT uD

• T: Thuận • D: Khóa • R: Ngược

Điều kiện để mở Thyristor

• UAK > 0 • Xung điều khiển đưa vào cực điều khiển. Điều kiện để đóng Thyristor Đặt điện áp ngược lên A – K

Đặc tính Volt - Ampe Thyristor lý tưởng Ba trạng thái: đóng – mở – khóa Thyristor thực tế UBR: điện áp ngược đánh thủng UBO: điện áp tự mở của thyristor UTO: điện áp rơi trên Thyristor IH: Dòng duy trì (holding) IL: Latching Các thông số chính Tương tự như diode. URRM = UDRM
10 3 U[BR] IL IN UR [V] 10 10
2 -3

i

Nhánh thuận – mở

Nhánh ngược – đóng
2

Nhánh khóa – khóa

u

[A] IT ID

10

10 1 10 10
-1

Nhánh thuận – mở Nhánh khóa – khóa
IG = 0 IG = 25 mA U[BR] 1 10 UT 10
2

-2

10

1
-3

IG = 0 10 IG = 25 mA 10 10

10 3

U[TD]
-2

UD [V]

-1

Nhánh ngược – đóng

IR [A]

Đặc tính điều khiển của thyristor:
iG
Ψ

iG R U uG

40 UG[V] 30 20

IG 2π
ωt

(PGM)Ψ=π/12 (PGM)Ψ=π/6 UG=U-RIG

iG

UGT O

-400C IGT 1 IG[A] 2

0

t

Đặc tính động

Tổn thất công suất khi mở thyristor

Mở thyristor

Khóa thyristor

A + P N G P N iC K J1 J2 J3 C iC

uD

O

t

uD
iC

O

t

Đóng thyristor

toff

• Bảo vệ quá áp trong • Thời gian đóng thyristor – Góc an toàn

Thyristor thực tế - 22RIA SERIES – International Rectifier

1.2.7 GTO
Gate Turn Off Thyristor
A P N P

A

J1 J2 J3 G iRG

iFG iRG
K

G uFG uRG K ir (iD) ur (uD)

N

Đặc tính động Mở GTO
tgd uD tgr ir

UD

0.9UD 0.1UD t

O

tgt iFG IFG÷10Α 0.2IFG

O

Đóng GTO
iT tgs tgf uD

IT=I

Mạch trợ giúp
UDP
iD I L uD

ITQ

0.9IT

O tgq ttq

t

iT iRG

O iRG uRG iRG QGQ uRG IRG

uRG

GTO thực tế - FG3000FX-90DA – Misubishi Electric

1.2.8 Triac

Hướng ngược

Điện áp thuận Điện áp khóa Dòng điện thuận Dòng điện khóa Dòng điện và điện áp cực điều khiển

Dòng điện thuận Dòng điện khóa Điện áp thuận Điện áp khóa

Hướng thuận

Đặc tính Volt - Ampe Nhánh mở UG > 0; IG > 0 UD > 0 UG < 0; IG < 0 Nhánh khóa

UG > 0; IG > 0 UDR > 0 UG < 0; IG < 0 Nhánh khóa Nhánh mở

Triac thực tế - 2N6344 - ON Semiconductor

CHƯƠNG 2: MỘT SỐ KHÁI NIỆM CƠ BẢN TRONG ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

2.1 Năng lượng tích lũy vào cuộn kháng và giải phóng từ cuộn kháng

t0

t0
t1

t0

∫ uL dt = QL (t0 , t1 ); uL =
Ψ L ( t1 ) Ψ L ( t0 )

dΨL di =L L dt dt
iL ( t1 )

QL (t0 , t1 ) =

dΨL = L

iL ( t0 )

diL = Ψ L (t1 ) − Ψ L (t0 ) = L [iL (t1 ) − iL (t0 ) ]

2.2 Nhịp và sự chuyển mạch
Nhánh chính – Nhánh phụ Linh kiện ĐTCS chính – Linh kiện ĐTCS phụ Nhịp là khoảng thời gian giữa hai lần liên tiếp thay đổi trạng thái của linh kiện điện tử công suất trong mạch. Tên của nhịp là tên của linh kiện đang dẫn điện.

Chuyển mạch là trạng thái điện từ xảy ra trong mạch bộ biến đổi, được đặc trưng bằng việc dòng điện trong một nhánh chuyển sang một nhánh khác trong khi dòng điện tổng chảy ra từ nút giữa hai nhánh vấn không đổi.

Nhánh chính

• Điện áp chuyển mạch • Chuyển mạch ngoài – Chuyển mạch tự nhiên • Chuyển mạch trong • Chuyển mạch trực tiếp • Chuyển mạch gián tiếp • Chuyển mạch nhiều tầng • Thời gian chuyển mạch – Góc chuyển mạch • Chuyển mạch tức thời

Nhánh phụ

Nhánh chính Nhánh chính

2.3 Các đường đặc tính
Đặc tính ngoài (Đặc tính tải): Mối quan hệ giữa điện áp đầu ra và dòng điện đầu ra của bộ biến đổi Đặc tính điều khiển: Mối quan hệ giữa điện áp đầu ra và đại lượng điều khiển của bộ biến đổi

2.4 Hệ số công suất của bộ biến đổi

P λ= S
P: Công suất hữu công S: Công suất biểu kiến

… Hệ số công suất PF (Power Factor)

P = mUI(1)cosϕ(1) m: số pha U: Giá trị hiệu dụng điện áp điều hòa của pha I(1): Giá trị hiệu dụng của thành phần bậc 1 dòng điện pha ϕ(1): Góc chậm pha của thành phần bậc 1 dòng điện pha so với điện áp S = mUI I: Giá trị hiệu dụng dòng điện pha
∞ ∞

I 2 = ∑ I (2n )
n =1 ∞

2 S 2 = m 2U 2 ∑ I (2n ) = m 2U 2 I (1) + m 2U 2 ∑ I (2n ) n =1 n=2

2 2 2 2 2 S(1) = m 2U 2 I (1) = m 2U 2 I (1) cos 2 ϕ(1) + m 2U 2 I (1) sin 2 ϕ(1) = P 2 + Q(1)

mUI(1): Công suất biểu kiến của thành phần bậc 1 Q(1): Công suất phản kháng của thành phần bậc 1

2 S 2 = P 2 + Q(1) + D 2

D = mU

I (2n ) ∑
n=2

D: Công suất phản kháng biến dạng

λ= υ=

P P +Q + D
2 2 (1) 2

= υ cos ϕ(1) … Hệ số công suất PF (Power Factor)

I (1) I

… Hệ số méo dạng DF (Distortion Factor)

THDI =

I (2n ) ∑
n=2

… Độ méo dạng tổng THD (Total Harmonic Distortion)

I (1)

You're Reading a Free Preview

Tải về
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->