Transistor lưỡng cực

Bipolar Junction Transistor

Nguyễn Quốc Cường

Bộ môn 3I – ĐHBK HN

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Giới thiệu
• BJT được phát minh vào năm 1948 tại Bell Telephone Lab
• MOSFET được biết đến trước BJT tuy nhiên chỉ được sử
dụng nhiều trong công nghệ chế tạo IC từ năm 1980s
• BJT ngày nay được sử dụng
– chế tại linh kiện rời công suất lớn
– chế tạo IC hoạt động ở tần số cao
• Các ứng dụng
– các thiết bị điện tử trong automotive
– các thiết bị truyền tin không dây

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Cấu trúc đơn giản của BJT kiểu npn

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Cấu trúc đơn giản của BJT kiểu pnp

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
• BJT là thiết bị 3 cực
– Emitter (E)
– Base (B)
– Collector (C)
• BJT có 2 tiếp giáp pn
– Tiếp giáp emitter-base (EBJ)
– Tiếp giáp collector-base (CBJ)
• Tùy thuộc vào các chế độ phân cực khác nhau cho 2 tiếp
giáp này BJT có các chế độ hoạt động khác nhau

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Chế độ hoạt động của BJT

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Chế độ tích cực

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
dòng điện
• EBJ phân cực thuận:
– điện tử khuếch tán từ E Æ B
– lỗ trống khuếch tán từ B Æ E
– tại B, một số ít e sẽ tái hợp với một số lỗ trống, còn phần lớn
sẽ di chuyển đến gần tiếp giáp CBJ
• CBJ phân cực ngược
– các e trong vùng B sẽ được đẩy qua CBJ do tác dụng của điện
trường
– một số ít lỗ trống từ C sẽ được đẩy qua CBJ vào vùng B

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
• Nếu nhìn từ các cực E,B,C ta có 3 dòng điện tương ứng là iE, iB và
iC

iC = β iB
iE = iB + iC = (1 + β )iB
β
α =
β +1
iC = α iE

– β: hệ số khuếch đại dòng emitter chung

– α: hế số khuếch đại dòng base chung
– Thường các hệ số β được chế tạo lớn (~ α gần 1)

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Mô hình Ebers-Moll (EM)

Mô hình EM cho phép xác định tất cả

các chế độ hoạt động của BJT.
Biểu thức Ebers-Moll
iE = iDE − α RiDC
iC = −iDC + α F iDE
⎡ ⎛ VBE ⎞ ⎤
iDE = iSE ⎢ exp ⎜ ⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ VT ⎠ ⎦
⎡ ⎛ VBC ⎞ ⎤
iDC = iSC ⎢exp ⎜ ⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ VT ⎠ ⎦
Mô hình EM của npn
α F iSE = α RiSC
10

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Transistor pnp
• Hoạt động của pnp tương tự như npn, chỉ có điểm khác biệt
là dòng điện chủ yếu được tạo lên bởi các lỗ trống từ E đến
B

11

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Ký hiệu

12

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Đặc tính dòng điện – điện áp
• Họ đường cong đặc tính I-V
– iC-vCB với iE = const
– iC-vCE với iB = const

13

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Đặc tính iC-vCB

14

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
• Để đo đặc tính iC-vCB: Với mỗi giá trị iE thay đổi vCB để đo
được dòng iC
• Trong vùng tích cực thuận
– Dòng iC tăng ít khi vCB tăng, mặc dù iE giữ cố định Æ hiệu ứng
Early
– Ứng với vCB lớn, dòng iC tăng rất nhanh Æ hiện tượng
breakdown
– Hệ số alpha : có 2 kiểu định nghĩa (thực tế 2 hệ số này sai
khác không nhiều)
iC
α ≡ được gọi là hệ số α tổng hay hệ số α tín hiệu lớn
iE
∆i được gọi là hệ số tín hiệu nhỏ
α ≡ C
∆iE vCB = const
15

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
• Trong vùng bão hòa
– Điện áp vCB < -0.4 V
– Thường chênh áp vBE = 0.7V Æ vCE bão hòa = 0.1V đến 0.3V

16

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Hiệu ứng Early
• Trong vùng tích cực thuận
– Lý tưởng: iC = αiE Æ đặc tính iC-vCB là đường nằm ngang
– Thực tế: khi vCB tăng Æ iC tăng Æ hiệu ứng Early
• Mắc mạch emitter chung (như hình vẽ), ứng với mỗi vBE
thay đổi vCE ta thu được các giá trị iC khác nhau
– Theo mô hinhf Ebers-Moll khi vBE = const thì iC phụ thuộc rất ít
vào vCE (do vBC < 0)
– Thực tế iC có thể phụ thuộc nhiều vào vCE (hay vBC)
– Nếu kéo dài các đương iC-vCE trong vùng tích cực thuận sẽ gặp
nhau tại điểm VA gọi là điện áp Early (cỡ 50V đến 100V)

17

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
 18

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Đặc tính iC-vCE

19

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Miền tích cực
iC
β F ≡ β dc ≡ Hệ số khuếch đại dòng dc
iB
∆iC
β ac = Hệ số khuếch đại dòng ac
∆iB vCE = const

• Hệ số khuếch đại dòng dc và ac trong thực tế thường sai

khác từ 10% đến 20%
• Hệ số βdc phụ thuộc vào điểm làm việc
• Trong phân tích gần đúng thường giả thiết hệ số βdc là
không đổi

20

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường
Miền bão hòa

• Xem xét điểm X trong

miền bão hòa

iCsat < βFiB

iCsat
β forced ≡
iB
β forced < βF

21

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường