Khuếch đại sử dụng BJT

Nguyễn Quốc Cường – 3I

1
 Phân cực cho BJT
• Để cho BJT có thể hoạt động ở chế độ khuếch đại, thì
cần: Thiết lập các phân cực 
– VBE  phân cực thuận
– VBC phân cực ngược
• Các tín hiệu ac sẽ được khuếch đại trên nền tín hiệu dc

2
 Nhắc lại mô hình Ebers‐Moll

Mô hình Ebers‐Moll của npn transistor

3
Ta rút ra quan hệ:

với

4
 Chế độ tích cực thuận
• Trong chế độ tích cực thuận, vBE dương trong khoảng 0.6 
đến 0.8V còn vBC âm. Ta có thể bỏ qua thành phần 
• Ta có

Thường các thành 
phần IS có thể bỏ
qua, ta sẽ có

5
Bảng tổng kết quan hệ dòng điện trong chế độ tích 
cực thuận

6
npn pnp

7
 Phân cực sử dụng nguồn cung cấp 
đơn dấu

Kiểu phân cực đơn giản sử dụng một nguồn đơn dấu: (a) mạch; (b) mạch tương
đương sử dụng định lý Thevenin

8
• Ta có

• Để cho dòng điện IE ít chịu ảnh hưởng của sự thay 
đổi của nhiệt độ (dẫn đến sự thay đổi của VBE )và
của hệ số β thì ta chọn

Câu hỏi:
1. Cần chọn VBB trong nào ?
2. Nếu chọn RB nhỏ thì sẽ có ảnh hưởng gì đến trở kháng vào của mạch 
khuếch đại ?

9
• VBB: cho điện áp nguồn cung cấp là VCC
– VBB sẽ lớn nhất = VCC và nhỏ nhất là bằng VCC‐ICRC‐VCB
– Chúng ta cũng muốn ICRC là lớn để khoảng thay đổi tín hiệu của VC là
lớn trước khi mà BJT chuyển qua trạng thái cutoff
– Chúng ta cũng muốn VCB (cũng có nghĩa là VCE)  lớn để khoảng thay 
đổi tín hiệu của VC là lớn trước khi BJT chuyển qua trạng thái bão hòa.
–  Hai điều kiện sau sẽ hạn chế chọn VBB lớn.
– Có thể chọn VBB = VCB = ICRC = 1/3VCC 
• RB:
– Nếu chọn RB nhỏ sẽ dẫn đến trở kháng vào của mạch khuếch đại nhỏ. 
Điều này không mong muốn khi mà một bộ khuếch đại cần trở kháng 
vào lớn, trở kháng ra nhỏ  (để dễ ghép tầng các bộ khuếch đại).

10
Phân cực sử dụng điện trở phản 
hồi từ C đến B

(a)mạch phân cực sử dụng điện trở phản hồi

(b)mạch phân tích

11
 • Có

Để cho dòng IE ít chịu ảnh hưởng của nhiệt độ và của sự thay 

đổi của β cần chọn

Việc chọn giá trị của R_B phụ thuộc vào điều kiện khoảng 

điện áp thay đổi của V_C

12
Phân cực sử dụng nguồn dòng

(a) mạch phân cực sử dụng nguồn dòng

Ưu điểm:  dòng IE không phụ thuộc RB và β 

do đó điện trở RB có thể lớn để tăng trở
kháng vào của mạch mà không ảnh hưởng 
đến tính ổn định của mạch

13
 (b) mạch ứng dụng thực tế

Giả thiết Q1 và Q2 có các đặc tính giống 

nhau.

Q1 và Q2 có cùng điện áp VBE do đó IC1 = IC2

Nếu hệ số β lớn ta có thể bỏ qua dòng IB do đó
I = IC1 = IC2 ≈ IREF

Mạch Q1 và Q2 được biết như là mạch gương dòng 

(current mirror)
14
 Mô hình với tín hiệu nhỏ

(a) mạch nguyên lý mô tả hoạt động của BJT trong chế độ khuếch đại tín hiệu nhỏ.

(b) mạch (a) với nguồn vbe được loại bỏ để phân tích dc

Tiếp giáp BE phân cực thuận nhờ nguồn VBE
Tiếp giáp CE phân cực ngược nhờ nguồn VCC nối qua điện trở RC
Điện áp cần khuếch đại vbe là xếp chồng với VBE
15
 Dòng collector
• Chế độ phân cực, vbe = 0, khi đó

• Khi thiết lập vbe, thì điện thế vBE bằng

• Như vậy dòng collector sẽ bằng

• Nếu vbe << vT thì chúng ta có thể tính gần đúng

xấp xỉ tín hiệu nhỏ
16
(để xấp xỉ chính xác giá trị vbe không vượt quá 10mV)
Ta có thể viết

dòng iC có 2 thành phần:
• dòng dc, IC
• dòng ic

hỗ dẫn 
Một cách chính xác  

17
 chỉ đúng với điều kiện tín 
hiệu nhỏ

Hoạt động tuyến tính của transistor dưới điều kiện tín hiệu nhỏ: Một tín hiệu nhỏ vbe với dạng 

sóng tam giác được xếp chồng trên điện áp dc VBE. Điều này cũng dẫn đến một dòng ic thay đổi 
theo dạng sóng tam giác xếp chồng lên dòng dc IC. Ở đây, ic = gm vbe với gm là độ dốc của 
đường iC‐vBE tại điểm phân cực Q

18
 Dòng base và điện trở vào tại base
Có:

Ta có thể viết:

với

Thay biểu thức gm ta có

Ta có điện trở base‐emitter nhìn từ cực base, rπ

hay

19
 Dòng và điện trở vào emitter 
Dòng emitter iE

Ta có thể viết

với 

Điện trở vào đối với tín hiệu nhỏ tại emitter, r_e , được tính

thay giá trị ie ta có

20
Ta có quan hệ giữa re và rπ

Hay

21
 Hệ số khuếch đại điện áp
Chúng ta có

có thể coi như mạch nguồn dòng điều khiển bằng điện áp
Để có đầu ra điện áp, dòng iC được chạy qua một điện trở RC
Ta có
với VC là điện áp phân 
cực dc

Ta có Hệ số khuếch đại

22
 Phân tách tín hiệu và các thành phần dc
• Như đã chỉ ra điện áp và dòng điện trong BJT là tổng 
hợp của hai thành phần

Thành phần dc được xác định từ chế độ phân cực.

Như vậy để xem xét hoạt động của tín hiệu (thành 
phần tín hiệu nhỏ) trong BJT, ta có thể áp dụng quy 
tắc:
1) Các nguồn áp dc sẽ được coi là ngắn mạch
2) Các nguồn dòng dc sẽ coi như hở mạch

23
Chú ý, việc thay thế này chỉ áp dụng để xem xét sự thay 
đổi của các dòng điện và điện áp tín hiêu qua BJT. Nó
không phải là một mạch khuếch đại thực (tức là mạch 
không thể hoạt động nếu không có mạch phân cực dc)
24
 Mô hình hybrid‐π

Hai mô hình khác nhau của mô hình hybrid‐\pi cho hoạt động tín hiệu nhỏ của BJT.
Mạch tương đương (a) thể hiện BJT như là một nguồn dòng được điều khiển bằng điện áp
Mạch tương đương (b) thể hiện BJT như một nguồn dòng điều khiển bằng dòng điện

25
• Mô hình (a): • Mô hình (b)

Chú ý: Các tham số của các mô hình trên được đưa ra tại một 

điểm phân cực. Thể hiện là cá giá trị gm, rπ phụ thuộc vào 
dòng điện IC phân cực

26
 Mô hình T

Hai kiểu khác nhau của mô hình T của BJT.
(a) Mô hình nguồn dòng điều khiển bằng điện áp.
(b) Mô hình nguồn dòng điều khiển bằng dòng điện.
Hai mô hình này thể hiện thông qua điện trở re hơn là điện trở rπ như trong 
mô hình hybrid‐π

27
Mô hình (a) Mô hình (b)

28
Các bước tiến hành phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ
sử dụng BJT
1. Xác định điểm làm việc tĩnh của BJT bao gồm dòng điện 
phân cực IC
2. Tính các giá trị các tham số của mô hình tín hiệu nhỏ: 
gm = IC/VT, rπ = β/gm và re=VT/IE ≅ 1/gm
3. Loại bỏ các nguồn dc: nguồn áp thì ngắn mạch còn 
nguồn dòng thì hở mạch.
4. Thay thế BJT với một trong các mô hình tương đương 
tính hiệu nhỏ. Tùy thuộc vào các mạch cụ thể việc sử
dụng các mạch tương đương phù hợp sẽ thuận tiện cho 
việc phân tích mạch.
5. Phân tích mạch và tính các giá trị yêu cầu (hệ số khuếch 
đại điện áp, điện trở vào) 

29
 Ví dụ
• Xác định hệ số khuếch đại điện áp của mạch BJT cho 
trên hình vẽ, giả thiết \beta = 100

30
VC > VB (¼ 0.7V) Æ BJT hoạt động ở
chế độ tích cực thuận

31
 Điện áp đầu ra

Hệ số khuếch đại điện áp

32
Mô hình tín hiệu nhỏ của BJT có tính đến hiệu ứng 
Early
• Hiệu ứng Early: giá trị dòng điện iC phụ thuộc không chỉ
vào điện ap vBE mà còn phụ thuộc vào điện áp vCE.
• Để tính đến ảnh hưởng của hiệu ứng Early, một điện trở 
đầu ra,ro, được thêm vào nguồn dòng có điều khiển. 

Với VA là điện áp Early, IC là dòng phân cực collector

33
Mô hình tín hiệu nhỏ hybrid π của BJT có tính đến hiệu ứng Early.
Chú ý, ở đây chúng ta thay rbe bằng rπ để cho phù hợp với một số ký hiệu 
thường được sử dụng trong các sách.

34
Mô hình tín hiệu nhỏ T của BJT có tính đến hiệu ứng Early.

35
 Khuếch đại sử dụng BJT
• Trước khi xem xét các mạch khuếch đại một tầng sử
dụng BJT, chúng ta sẽ định nghĩa các thông đặc trưng 
của một mạch khuếch đại thực

36
Các thông số

37
38
39
40
 Các mạch tương đương
• Với các thông số định nghĩa như trên, một mạch khuếch 
đại có thể biễu diễn dưới dạng các mạch tương đương 
sau:

41
42
Các quan hệ

43
 Mạch khuếch đại E chung
• Mạch CE (Common‐Emitter) là mạch sử dụng nhiều 
nhất trong tất cả các mạch khuếch đại sử dụng BJT

44
• Mạch CE sử dụng nguồn dòng để phân cực.
• Để tạo một điểm đất cho tín hiệu tai E, một tụ CE được sử dụng giả
thiết là ngắn mạch đối với các tần số tín hiệu, và hở mạch với tín 
hiệu dc. Tụ CE được gọi là tụ bypass. (thường được chọn từ vài µF 
đến vài chục µF).
• Để ngăn cách thành phần dc giữa mạch khuếch đại và nguồn tín 
hiệu, tụ CC1 được sử dụng. Tụ CC1 sẽ chỉ cho tín hiệu xoay chiều của 
nguồn đi qua, và chặn tín hiệu dc. Tụ CC1 được gọi là tụ coupling, tụ
ghép tầng đầu vào.
• Tín hiệu tại collector được với tải RL thông qua tụ CC2. Tụ này có tác 
dụng ngăn thành phần dc và chỉ cho thành phần tín hiệu đi qua. 
Như vậy điện áp vc = vo.

45
 Mạch tương đương

Tại đầu vào
với rib là điện trở vào của base
Khi mà E nối đất (qua tụ bypass) thì

Nếu chúng ta chọn RB >> rπ thì

46
 hệ số khuếch đại áp
Điện áp đặt vào đầu input của bộ khuếch đại là

Với 
Ta có
hệ số khuếch đại từ base đến collector

Nếu hở tải RL = 1 thì

Hiệu ứng Early, r_o, làm giảm hệ số khuếch đại của mạch.
Nếu r_o >> R_C thì
47
Điện trở ra của mạch: để xác định điện trở ra, ngắn mạch nguồn tín 
hiệu vsig, Æ vπ = 0. Khi đó

Nếu ro >> RC thì ta có Rout = RC

Hệ số khuếch đại điện áp từ nguồn đến tải, Gv là

Nếu RB >> rπ thì

48
• Nếu Rsig >> rπ thì hệ số khuếch đại phụ thuộc nhiều vào 
β, điều này là đặc tính không mong muốn khi mà hệ số β
của BJT thay đổi trong một phạm vi lớn giữa các BJT 
cùng loại. 
• Nếu Rsig << rπ thì ta có

49
 hệ số khuếch đại dòng ngắn mạch
Khi ngắn mạch đầu ra, RL = 0, thì dòng điện ra

Mà ta lại có

Ta có Rin= RB || rπ. Nếu RB >> rπ thì Ais = β

50
 khuếch đại CE
• Mạch khuếch đại CE có các đặc tính:
– Có thể cung cấp hệ số khuếch đại dòng, và khuếch đại áp lớn.
– Điện trở vào nhỏ, điện trở ra lớn (các đặc tính này thường không 
mong muốn cho một mạch khuếch đại)

51
Khuếch đại base chung

Tín hiệu input đặt vào tại cực E.
Tín hiệu output lấy ra tại cực C.
Các tụ CC1 và CC2 là các tụ coupling

52
Mạch tương đương

Ở đây chúng ta sử dụng mô hình tương 
đương tín hiệu nhỏ kiểu T.
Để cho đơn giản trong phân tích hoạt 
động của mạch khuếch đại B chung, mô 
hình T sử dụng ở đây không có ro (trong 
thực tế mạch B chung sử dụng các phần 
tử rời thì ảnh hưởng của ro là không đáng 
kể).

53
 hệ số khuếch đại áp, dòng
Điện trở vào:

Điện áp ra vo

Với dòng điện ie
Hệ số kđ

Hệ số kđ hở mạch, RL = 1

Điện trở ra của mạch

54
 hệ số khuếch đại dòng
Điện áp đặt vào kđ

Hệ số kđ từ nguồn đến tải

Hệ số kđ dòng ngắn mạch

55
 Khuếch đại CB
• Mạch CB có đặc tính:
1. Điện trở vào thấp (re cỡ vài ohm đến vài chục ohm), 
điện trở ra lớn (RC)
2. Hệ số khuếch đại dòng ngắn mạch gần 1 (bằng α).
3. Hệ số kđ điện áp hở mạch bằng gmRC (tương tự mạch 
CE)
Mạch CB thường được sử dụng làm mạch đệm dòng 
(current buffer): dòng tín hiệu tại đầu vào với điện trở
thấp được chuyển thành dòng điện có điện trở ra cao tại 
collector.

56
 Mạch C chung

Tín hiệu input đặt vào B
Tín hiệu output lấy ra tại E
Có các tụ coupling CC1 và CC2

57
Mạch tương đương tín hiệu nhỏ

Sử dụng mô hình tương đương tín hiệu nhỏ T với ro ( Ở đây việc có 

điện trở ro không làm phức tạp mạch vì ro được nối song song với 
tải)
(b) sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ
(c) sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ được vẽ lại với ro || RL
58
 hệ số kđ, điện trở in‐out
Điện trở vào từ base: R vào phụ
thuộc vào RL
Điện trở vào
Hệ số kđ áp từ nguồn đến tải

hệ số nhỏ hơn 1.

Nếu và

thì hệ số Gv ¼ 1. Như vậy điện áp ra tại emitter gần bằng điện áp vào Æ
chính vì thế mạch có tên lặp emitter, emitter follower

Hệ số kđ không tải, RL = 1

59
Điện trở ra của mạch kđ

Thường thì điện trở r_o lớn, do đó

60
Sơ đồ tương đương sử dụng để tính Gv và vo khi có tải RL

61
 khuếch đại CC
Mạch kđ C chung có một số tính chất sau:
1. Điện trở vào lớn, điện trở ra nhỏ. Tính chất này được sử
dụng để làm các mạch đệm đầu ra.
2. Hệ số khuếch đại áp gần 1
3. Hệ số khuếch đại dòng lớn
4. Vì điện áp giữa output và input chỉ sai khác bởi thành 
phần điện áp trên B và E, do đó mạch cho phép làm 
việc với một giải rộng biên độ tín hiệu đầu vào. 

62