Câu 4:

Bán dẫn nội tại là bán dẫn mà có số lỗ trống bằng với số điện tử .
EG

n  B1.T .e
2
i
3 K .T
hay
Nồng độ hạt dẫn nội tại được tính bằng công thức: 3 E
 G
ni  B .T 2 .e 2. K .T

Trong đó B và B1 la các hằng số.

Câu 5:
Mức Fermi là mức năng lượng mà ở đó xác suất có mặt của điện tử là 0.5
Với hàm Fermi là :
1
f  E  EE f

1  e KT
Khi nhiệt độ tăng thì e càng linh động nên khả dễ bức lên mức năng lượng cao hơn
Vì vậy có thể nói mức năng lượng Fermi cũng tăng.
Câu 6:
Ở chất cách điện mức Fermi nằm ở dải hóa trị
Ở chất dẫn điện (kim loại) mức Fermi nằm ở dải dẫn
Ở chất bán điện mức Fermi nằm ở dải cấm.
Câu 8:
Ta có công thức tính nồng độ hạt dẫn nội tại theo nồng độ hạt là:
EG

ni  nv .nc .e 2. K .T với nv , nc là các hằng số . Theo công thức trên khi T tăng thì ni
tăng theo.hay có thể giải thích nôm na là khi nhiệt độ tăng thì sẽ sinh ra nhiều điện
tử linh động hơn vì vậy nồng độ hạt dẫn tự do cũng tăng.
Câu 9:
Donor là các nguyên tử được cấy vào trong bán dẫn mà làm sinh ra cac điện
tử(thường là các nguyen tử thuộc nhóm 5). Và ngược lại đối với Acceptor.Mức năng
lượng Donnor nằm ở gần dải Dẫn trong dải năng lượng vì nó có nhiều điện tử.Còn
mức năng lượng acceptor nằm ở gần dải hóa trị vì nó có nhiều lỗ trống.
Câu 10:
Hạt dẫn đa số là hạt dẫn mà ta mong muốn có nhiều trong bán dẫn mà ta chế tạo.Ví
dụ ĐIỆN TỬ đối với DONNOR và ngược lại đối với hạt dẫn thiểu số.
Với công thức tính nồng độ hạt dẫn và nồng độ lỗ như sau
ND  N A
2 ni2
 ND  N A  n po 
n no      ni
2
 no  n
 po  2  2   no po 
Câu 11.
ni 2
Khi nD ? ni thì nno  nD còn n po 
ND
Tương tự với câu 12