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DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS
Introduccin Este apunte es una introduccin general y elemental a diversos dispositivos opto-electrnicos. Esta clase de dispositivos permiten convertir seales pticas en seales electrnicas, o viceversa. Sus aplicaciones son muy extensas y variadas, pero fundamentalmente se aplican en circuitos de comunicaciones, sistemas de sealizacin, productos de consumo masivo, tecnologa espacial y fsica de partculas. Los dispositivos que sern analizados son los siguientes:

Fotodetectores:

Fotodiodo Fotodiodo PIN Fotodiodo de Avalancha Fototransistor Fotoacoplador Fotoresistencia (LDR)

Sensores de Imagen: Sensor CCD Sensor CMOS Celda Fotoelctrica o Fotovoltaica Dispositivos generadores de Luz: Diodo emisor de Luz (LED) Diodo lser

Displays LCD

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Fotodiodo Un fotodiodo es un diodo PN construido de modo tal que la luz pueda alcanzar la juntura PN y generar portadores debido al efecto fotoelctrico. De este modo, se producir una corriente elctrica proporcional a la intensidad de la luz incidente. El smbolo del fotodiodo se ilustra en la figura de la derecha . El funcionamiento del fotodiodo radica en la separacin de los pares electrn-hueco generados por la radiacin que atraviesa la zona desierta de la juntura PN. El campo elctrico de presente en la juntura es el que inhibe una rpida recombinacin de los pares generados que son arrastrados hasta las regiones cuasi-neutrales generando as una corriente elctrica neta.

Esquema de funcionamiento de un fotodiodo

Al polarizar inversamente el fotodiodo la corriente generada pticamente puede ser fcilmente detectada, ya que su magnitud es superior a la corriente de fuga inversa del diodo. En este contexto, la corriente de fuga inversa del diodo, que est presente an en ausencia de luz, se denomina corriente de oscuridad. El material empleado en la fabricacin del fotodiodo define sus propiedades de absorcin de luz, segn se aprecia en la siguiente Tabla: Material Silicio Germanio Indio galio arsnico (InGaAs) sulfuro de plomo Longitud de onda (nm) 1901100 8001700 8002600 1000-3500 2

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Diodo PIN Un diodo PIN es un diodo con una regin ancha de semiconductor intrnseco entre las zonas tipo P y tipo N. El diodo PIN obedece la ecuacin del diodo de juntura PN solamente para seales muy lentas. A altas frecuencias el diodo PIN se asemeja a un resistor casi ideal. En un diodo PIN la regin de vaciamiento se extiende casi exclusivamente dentro de la regin intrnseca debido al efecto de juntura asimtrica. Esta zona de vaciamiento es adems mucho ms grande que en un diodo PN y bsicamente constante en tamao, independientemente de la polarizacin aplicada al diodo. Esto implica que el diodo PIN tiene una mayor rea en la cual se pueden generar los pares electrn hueco debido al efecto fotoelctrico. Por esta razn, y debido a su alta velocidad de respuesta, muchas veces se utilizan fotodetectores PIN para aplicaciones optoelectrnicas.

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Fotodiodo de avalancha Los fotodiodos de avalancha (APD, Avalanche Photodiode) son fotodetectores especialmente diseados para medir luz de muy baja intensidad. En los APD la luz externa incide en una zona intrnseca, generando portadores libres, al igual que en un fotodiodo PIN. Pero estos portadores son luego acelerados por un campo elctrico muy intenso, provocando un efecto de avalancha debido al cual cada portador original es acelerado y al chocar con la red provoca la creacin de nuevos portadores. El voltaje de polarizacin inversa es tpicamente de 100-200 V y la ganancia por efecto de avalancha es del orden 100 veces. Algunos APD de silicio emplean un dopaje alternativo y otras tcnicas que permiten aplicar un voltaje mayor (>1500V) antes de alcanzar el efecto de avalancha y, por tanto, una ganancia mayor (>1000). En general, cuanto mayor es el voltaje en inversa, mayor es la ganancia. Si se requiere una ganancia muy alta (de 10 5 a 106) algunos APDs pueden operar con una tensin en inversa por encima de la tensin de ruptura. En este caso, el APD necesita tener la corriente limitada y disminuida rpidamente. Los APD que operan en este rgimen de ganancia estn en modo Geiger. Este modo es particularmente til para la deteccin de fotones aislados suponiendo que la corriente de oscuridad sea lo suficientemente baja; literalmente, esto implica contar fotones. Debido a su alta sensibilidad (mucho mayor al fotodiodo PIN) y a su elevada velocidad de respuesta, algunas aplicaciones tpicas de los APD son el telmetro laser, la telecomunicacin de larga distancia por fibra ptica. Sin embargo, el alto costo de los fotodiodos APD es un factor limitante en su uso.

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Fototransistor Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente. Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar fotodetectores PIN. Optoacoplador Un optoacoplador, es un dispositivo de emisin y recepcin de luz que funciona como un interruptor excitado mediante la luz. La luz es emitida por un diodo LED que satura a un fototransistor. De este modo se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y un fotorreceptor cuya conexin entre ambos es ptica. Estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Se suelen utilizar como medio de proteccin para dispositivos muy sensibles. En la se muestra muestra un optoacoplador 4N35 formado por un LED y un fototransistor. La tensin de la fuente de la izquierda y la resistencia en serie establecen una corriente en el LED emisor cuando se cierra el interruptor S1. Si dicha corriente proporciona un nivel de luz adecuado, al incidir sobre el fototransistor lo saturar, generando una corriente en R2. De este modo la tensin de salida ser igual a cero con S1 cerrado y a V2 con S1 abierto. Si la tensin de entrada vara, la cantidad de luz tambin lo har, lo que significa que la tensin de salida cambia de acuerdo con la tensin de entrada. De este modo el dispositivo puede acoplar una seal de entrada con el circuito de salida. La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento elctrico entre los circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el nico contacto entre ambos circuitos es un haz de luz. Esto se traduce en una resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden de miles de M. Estos aislamientos son tiles en aplicaciones de alta tensin en las que los potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de voltios.

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Fotoresistencia Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede tambin ser llamado fotorresistor, fotoconductor, clula fotoelctrica o resistor dependiente de la luz, cuya siglas (LDR) se originan de su nombre en ingls light-dependent resistor. Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energa para saltar la banda de conduccin. El electrn libre que resulta (y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Un dispositivo fotoelctrico puede ser intrnseco o extrnseco. En dispositivos intrnsecos el fotn debe tener bastante energa (longitud de onda corta) para excitar a los electrones. Los dispositivos extrnsecos tienen impurezas agregadas, que permiten que fotones con menor energa (es decir, de mayor longitud de onda) provoquen variaciones en la resistencia del dispositivo. Se fabrican de diversos tipos. Se pueden encontrar clulas baratas de sulfuro del cadmio en muchos artculos de consumo, por ejemplo cmara fotogrfica, medidores de luz, relojes con radio, alarmas de seguridad y sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles en funcin de la luz ambiente.

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Celda Fotoelctrica, Fotovoltaica o Solar La celda fotoelctrica se utiliza generalmente como parte constitutiva de un panel solar, o como un componente central del circuito de recarga de las bateras para equipos porttiles o que operan en regiones sin acceso a la red elctrica. Por lo tanto el campo de aplicacin de las celdas fotoelctricas es inmenso: desde relojes y calculadores hasta dispositivos de sealizacin, comunicacin y satlites.

Esquema de la celda fotoelctrica elemental

Curvas I-V de una celda fotoelctrica

La eficiencia de conversin media obtenida por las celdas disponibles comercialmente (producidas a partir de silicio monocristalino) est alrededor del 11-12%, pero segn la tecnologa utilizada vara desde el 6% de las clulas de silicio amorfo hasta el 14-19% de las clulas de silicio policristalino. Tambin existen Las clulas multicapa, normalmente de Arseniuro de Galio, que alcanzan eficiencias del 30%. En laboratorio se ha superado el 42% con nuevos paneles experimentales. La vida til media a mximo rendimiento se sita en torno a los 25 aos, perodo a partir del cual la potencia entregada disminuye. 8

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Al grupo de clulas fotoelctricas para energa solar se le conoce como panel fotovoltaico. Los paneles fotovoltaicos consisten en una red de celdas solares conectadas como circuito en serie para aumentar la tensin de salida hasta el valor deseado (usualmente se utilizan 12V 24V) a la vez que se conectan varias redes como circuito paralelo para aumentar la corriente elctrica que es capaz de proporcionar el dispositivo. El tipo de corriente elctrica que proporcionan es corriente continua, por lo que si fuese necesaria corriente alterna o aumentar su tensin, debe recurrirse a la utilizacin de convertidores de potencia elctrica.

Panel solar

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Sensores de Imagen Los sensores de imagen se utilizan como parte de las cmaras de fotos digitales, para astronoma, etc. Su velocidad de respuesta es mucho menor a la de los fotodiodos, pero sus caractersticas permiten su fcil y econmica integracin en detectores de muchos pixeles. Segn la aplicacin se emplean sensores CCD o sensores CMOS. Sensores CCD Un CCD (Charge-Coupled Device, dispositivo de cargas interconectadas) es un capacitor MOS que almacena carga elctrica generada a partir del efecto fotoelctrico.

Esquema de un sistema CCD

El capacitor MOS se construye con una ventana ptica sobre el poli-silicio, de modo tal que la luz incidente atraviesa el poli-silicio y el SiO 2, alcanzando al Silicio del sustrato. Al alcanzar el sustrato cada fotn incidente genera un electrn debido al efecto fotoelctrico. Durante el tiempo de exposicin el capacitor MOS se polariza de modo tal de crear un pozo de potencial debajo del SiO 2, tal que atrape a estos electrones pticamente generados e impida su recombinacin. Superado el tiempo de exposicin, se pasa a la etapa de lectura, donde se modifica la polarizacin con el fin de que los electrones acumulados en el pozo de potencial conformen una corriente elctrica que ser leda por un conversor AD externo, y que cuya integral ser directamente proporcional a la cantidad total de luz recibida durante el tiempo de exposicin.

Corte lateral de un sistema CCD

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Para obtener una imagen completa se emplean gran cantidad de estos capacitores MOS. Para realizar la lectura la carga de cada capacitor es necesario poder transportar la carga hasta el conversor. En la siguiente figura se muestra una posible arquitectura que permite realizar la lectura de cada capacitor. La conversin de la carga cumulada en cada celda o pxel, se realiza mediante un nico conversor. Por este motivo es necesario implementar un sistema de traspaso de la carga acumulada de una celda a la siguiente, hasta alcanzar al conversor, lo cual se logra aplicando determinadas combinaciones de potenciales a las distintas celdas CMOS. De este modo el conversor va leyendo sucesivamente la informacin correspondiente a la cantidad de luz recibida por cada celda durante el tiempo de exposicin.

Posible arquitectura para la lectura de las celdas CCD

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Mecanismo de transporte la carga entre celdas contiguas

Debe observase que el principio fotoelctrico de acumulacin de carga en el pozo de potencial suele ser sensible a todo el rango de luz visible. Por este motivo, para obtener imgenes a color, la mayora de cmaras CCD utilizan una mscara de Bayer que proporciona una trama para cada conjunto de cuatro pxeles de forma que un pixel registra luz roja, otro luz azul y dos pxeles se reservan para la luz verde (el ojo humano es ms sensible a la luz verde que a los colores rojo o azul).

Mscara de Bayer

La sensibilidad del detector CCD depende de: La eficiencia cuntica del chip (eficiencia de conversin de fotones a electrones) La cantidad de fotones que deben incidir sobre el detector para producir una dada corriente elctrica (determinada por la conversin E-V y A-D). El ruido electrnico/trmico, que se debe a que durante el tiempo de exposicin se generan electrones en el pozo de potencial, y cuya influencia aumenta fuertemente con la temperatura (suele doblarse cada 6 u 8C). Una gran ventaja de los CCD es su alta sensibilidad: mientras que un CCD tpico puede alcanzar hasta un 70% de eficiencia en la recoleccin de luz, la 12

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eficiencia de una pelcula fotogrfica es de aproximadamente 2%. Por esta razn, y por la facilidad con la que la imagen de un CCD puede corregirse informticamente, la fotografa digital sustituy rpidamente a la fotografa convencional en casi todos los campos de la astronoma. En aplicaciones astronmicas, donde se requiere detectar muy poca luz, y en consecuencia los tiempos de exposicin pueden ser del orden de minutos u horas, suelen utilizarse CCD refrigerados a -50C, con el objeto de disminuir el ruido trmico. Sensores CMOS Los llamados sensores de imagen CMOS son sensores en los cules la conversin de carga a voltaje se realiza en cada pixel y adems se integran un mayor nmero de funciones al chip. En consecuencia se obtiene un sensor de menor sensibilidad, pero que en general es ms conveniente para la mayora de las aplicaciones comerciales. La estructura de la celda CMOS elemental es la siguiente:

El fotodiodo se implementa mediante una difusin N+ y el sustrato P. El transistor Mrst permite cargar este fotodiodo con una tensin en inversa, lo que implica una determinada acumulacin de carga. Cuando M rst se desactiva el fotodiodo se empieza a descargar muy lentamente por efectos de las corrientes parsitas. Pero si es iluminado se empieza a descargar mucho ms rpidamente, porque aparecen foto-corrientes. La velocidad de descarga depende entonces de la intensidad de la iluminacin. De este modo, si se define un tiempo de exposicin fijo, el valor de la tensin final en el fotodiodo depender de la intensidad de luz promedio recibida. El transistor Msf acta como un buffer (seguidor de emisor) que permite leer el voltaje en el pxel, pero sin quitarle carga. El transistor M sel permiteseleccionar de a un pxel por vez, lo cual es necesario en un sistema de mltiples pxeles, como se ve en la siguiente figura.

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Los sensores CMOS ofrecen mayor integracin de funciones, menor disipacin de potencia, y mayor rea de exposicin. Pero tambin tienen menor calidad de imagen y flexibilidad de uso. Se utilizan en general en aplicaciones de alto volumen, con poco espacio disponible y con bajos requisitos de calidad, como ser cmaras de vigilancia, celulares, scanner de barras, etc. Los sensores CCD se utilizan para aplicaciones de alta performance, como fotografa digital, y aplicaciones cientficas y mdicas. Para ms informacin sobre sensores CCD y CMOS se recomienda la lectura de la Ref. [3].

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Ejemplos de sensores de imagen comerciales

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Diodo LED El diodo emisor de luz, tambin conocido como LED (acrnimo del ingls de Light-Emitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz cuando se polariza de forma directa. El color (longitud de onda) depende del material semiconductor empleado en la construccin del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin reciben el nombre de UV-LED (UltraViolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode). El funcionamiento fsico se basa en que al recombinarse un electrn con un hueco se libera energa. Esta energa se puede manifestar en forma de calor, pero tambin se puede manifestar mediante la emisin de un fotn, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El que esta energa perdida se manifieste como un fotn desprendido o como otra forma de energa (calor por ejemplo) depende principalmente del tipo de material semiconductor. Por razones cunticas estas emisiones son mucho ms probables en algunos semiconductores (como el Nitruro de Galio) que en otros (como el Silicio). Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED. Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un LED corriente estn comprendidos entre los 10 y los 40 mA, aunque existen LEDs de potencia de hasta 1 Amper. Compuesto Arseniuro de Galio (GaAs) Arseniuro de Galio y Aluminio (AlGaAs) Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) Fosfuro de Galio (GaP) Nitruro de galio (GaN) Seleniuro de zinc (ZnSe) Nitruro de galio e indio (InGaN) Carburo de silicio (SiC) Diamante (C) Color Infrarrojo Rojo e infrarrojo Rojo, naranja amarillo Verde Verde Azul Azul Azul Ultravioleta Long. de onda 940 nm 890 nm y 630 nm 525 nm 450 nm 480 nm Tensin tpica de operacin 1.8 a 2.2 V 2.1 a 2.4V 2.0 a 3.5V 3.5 a 3.8V 3.5 a 3.8V

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Diodo Lser El diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser (luz muy monocromtica y coherente). En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco de un LED pueden coexistir un breve tiempo, del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada, es decir, al producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que el primer fotn. En trminos coloquiales, un fotn le contagia a otro sus caractersticas, de modo que los dos fotones resultan idnticos. En los diodos lser, para favorecer la emisin estimulada y generacin de luz lser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lmina delgada con un lado totalmente reflectante (100%) y otro slo reflectacte de forma parcial (98%), logrndose as una unin PN de grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente paralelas y reflectantes. En ella, los fotones emitidos en la direccin adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la otra slo parcialmente), lo que ayuda a su vez a la emisin de ms fotones estimulados dentro del material semiconductor y consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el bombeo derivado de la circulacin de corriente por el diodo). Parte de estos fotones saldr del diodo lser a travs de la cara parcialmente transparente. Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor parte (debido a la emisin estimulada), posee una gran pureza espectral (una longitud de onda muy bien determinada). Por tanto, como la luz emitida por este tipo de diodos es de tipo lser, a estos diodos se los conoce por el mismo nombre. Algunas ventajas de los diodos lser son las siguientes: La eficiencia de conversin de energa a luz lser es mucho mayor que en otros tipos de lseres; son muy durables; son econmicos; se puede modular la luz emitida hasta velocidades de 1GHz; son pequeos y livianos; su consumo de energa es reducido. Algunas de sus aplicaciones son: Comunicaciones de datos por fibra ptica; Lectores de CDs y DVDs; Interconexiones pticas entre circuitos integrados; Impresoras lser; Escneres; Sensores.

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Displays LCD Una pantalla de cristal lquido o LCD (Liquid crystal display) es una pantalla delgada y plana formada por un nmero de pxeles en color o monocromos colocados delante de una fuente de luz o reflectora. A menudo se utiliza en dispositivos electrnicos de pilas, ya que utiliza cantidades muy pequeas de energa elctrica. Cada pxel de un LCD tpicamente consiste de una capa de molculas de un cristal lquido especial colocadas entre dos electrodos de vidrio y dos filtros de polarizacin. Los filtros polarizadores se colocan con sus ejes perpendiculares entre s. Sin cristal lquido entre el filtro polarizador, la luz que pasa por el primer filtro sera completamente bloqueada por el segundo polarizador, ya que este se haya con su eje ptico rotado 90 respecto al primero. Antes de la aplicacin de un campo elctrico sobre los electrodos de vidro, la orientacin de las molculas de cristal lquido est determinada por unas micro-muescas que se hacen en las superficies de los vidrios. Tpicamente las direcciones de alineacin de la superficie de los dos electrodos son perpendiculares entre s, y as se organizan las molculas en una estructura helicoidal, o retorcida. Debido a que el cristal lquido es birefringente, la luz que pasa a travs del primer filtro polarizador va cambiando su polarizacin de acuerdo con la hlice de cristal lquido, y de este modo logra pasar a pasar por el segundo filtro polarizador. Cuando se aplica un voltaje a travs de los electrodos, una fuerza de giro orienta las molculas de cristal lquido paralelas al campo elctrico. Es decir, se distorsiona la estructura helicoidal. De este modo se reduce la rotacin de la polarizacin de la luz incidente, y la luz ya no logra atravesar el segundo polarizador. Si la tensin aplicada es lo suficientemente grande, las molculas de cristal lquido en el centro de la capa son casi completamente desenrolladas y la polarizacin de la luz incidente no es rotada por el cristal lquido. Esta luz ser bloqueada por el segundo filtro polarizador y el pixel aparecer negro. Por el control de la tensin aplicada a travs de la capa de cristal lquido en cada pxel, la luz se puede permitir pasar a travs de distintas cantidades, constituyndose los diferentes tonos de gris. En las pantallas LCD de color cada pxel individual se divide en tres clulas, o subpxeles, de color rojo, verde y azul, donde cada subpxel puede controlarse independientemente para producir millones de posibles colores para cada pxel.

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Bibliografa 1. Sze Physics of Semiconductor Devices 2. Wikipedia 3. CCD vs. CMOS: Facts and fiction, by Dave Litwiller http://www.dalsa.com/shared/content/Photonics_Spectra_CCDvsCMOS_Litwill er.pdf 4. Pin Diode, http://www.answers.com/topic/pin-diode 5. http://sales.hamamatsu.com/assets/applications/SSD/photodiode_technical_in formation.pdf

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