Bài tập bổ sung chương BJT (phần 1)

D2.1 Tính biên độ dao động của điện áp ra đỉnh -đỉnh cho mạch ở hình 2.17, khi có R1 = 2k, R2 =
15k, RE = 200, RC = 2k, RL = 2k,  = 200, VBE =
0,7V, và VCC = 15V.
ĐS: 6,3Vpp.
D2.2 Dựa theo bài tập D2.1, hãy thiết kế mạch khuyếch đại
để cho độ dao động đối xứng lớn nhất. Tính các trị số của R1
và R2.
ĐS: R1 = 4,5k, R2 = 36k.
D2.3 Biên độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất l à
bao nhiêu đối với cấu hình cho ở bài tập D2.2 ?
ĐS: 8,8Vpp.
D2.4 Mức công suất ra của mạch khuyếch đại ở bài tập D2.2 là bao nhiêu ? Công suất của nguồn cung
cấp cho mạch khuyếch đại l à bao nhiêu ?
ĐS: 4,9mW; 71,7mW.
D2.5 Thiết kế mạch khuyếch đại emitter -chung ổn định phân
cực sử dụng mạch như ở hình 2.22, để nhận được điện áp ra tĩnh
bằng 0. Cho biết  = 150, VBE = 0,7V, RE = 100, và RC = 1k.
ĐS: R1 = 1,71k; R2 = 12k.
D2.6 Sử dụng mạch khuyếch đại cho ở b ài tập D2.1, hãy thiết
kế mạch khuyếch đại để cho tín hiệu ra khi d òng collector nhỏ
nhất khi  = 0,2.
ĐS: R1 = 4,34k; R2 = 51,2k.
D2.7 Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất
đối với mạch khuyếch đại ở h ình 2.23, nếu trong mạch có VCC
= 15V, R1 = 8k, R2 = 2k, RE = 1k, RL = 1k, VBE = 0,7V,
và  = 80.
ĐS: 7,8Vpp.
D2.8 Ở bài tập D2.7, hãy thiết kế lại mạch khuyếch đại để có
độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất. Các trị số mới
của R1, R2, và Vo là bao nhiêu ?
ĐS: 36,4k; 10,3k; 10Vpp.
D2.9 Hệ số chuyển đổi của mạch khuyếch đại thiết kế ở b ài tập D2.8 là bao nhiêu ?
ĐS: 8,4%.

2.1 Hãy xác định trị số của R1 và R2 cần thiết để đặt điểm-Q
của mạch hình P2.1a, ở trung tâm của đường tải dc. Cho VCC =
- 25V, RC = 2k, RE = 1k, và  có các giá trị sau
a)  = 150; b)  = 100; c)  = 50.
2.2 Xác định độ biên độ dao động đỉnh-đỉnh lớn nhất của iC
trong mạch của hình P2.1b. Cho biết rằng, VCC = 24V, RC =
2k, RE = 400, và  = 100. Vẽ đường tải dc khi:
a) R1 = 1k; R2 = 7k
b) R1 = 1k; R2 = 35k
c) R1 = 1k; R2 = 3k
2.3 Hãy xác định các thông số sau cho mạch khuyếch đại ở h ình P2.2:
a) Các trị số của R1 và R2 để nhận được ICQ = 10mA.
b) Độ dao động của điện áp ra đối xứng theo các điện trở ở phần (a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Vẽ các dạng sóng của iC và vCE.

1
2.4 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.2,
a) Tính các trị số của R1 và R2 để nhận được độ dao động đối xứng lớn nhất.
b) Xác định trị số của độ dao động đối xứng lớn nhất nhận đ ược từ phần (a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Vẽ các dạng sóng của iC và vCE.

2.5 Xác định độ dao động của iC đối xứng đỉnh-đỉnh ở tín hiệu ra cho mạch trong hình P2.3, khi R1 =
5k, R2 = 50k, VCC = 12V, VBE = 0,7V, RE = 300,  = 200, RC = RL = 5k.
2.6 Đối với mạch cho ở bài tập 2.4, tính các trị số của R1 và R2 để có độ dao động của iC đỉnh-đỉnh
đối xứng có thể có lớn nhất. Vẽ các đ ường tải.
2.7 Đối với mạch khuyếch đại cho ở b ài tập 2.5, tính các trị số sau:
a) Công suất được cung cấp bởi nguồn pin
b) Công suất tiêu tán trên R1, R2, RE, và RC.
c) Công suất tiêu tán ở tiếp giáp collector.

2
2.8 Cho mạch khuyếch đại như ở bài tập 2.6, tính các trị số sau:
a) Công suất được cung cấp bởi nguồn pin
b) Công suất tiêu tán trên R1, R2, RE, và RC.
c) Công suất tiêu tán ở tiếp giáp collector.
So sánh các đáp số các kết quả đã tính được với kết quả của
bài tập 2.7.
2.9 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.3, trong đó có R1
= 3k, R2 = 20k, RC = RL = 1k, RE = 200,  = 100, và
VCC = 20V, xác định vị trí điểm-Q. Transistor được thay thế
bằng transistor có  khác. Hãy xác định trị số yêu cầu nhỏ
nhất của  để có ICQ không thay đổi quá 10%.
2.10 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.4.
a) Hãy xác định các trị số của R1 và R2 để có ICQ = 8mA.
b) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng theo các trị
số ở câu a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Xác định mức công suất tiêu tán bởi transistor và công suất
tiêu tán bởi RL.
2.11 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.4.
a) Tính các trị số của R1 và R2 để có ICQ = 4mA.
b) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng theo các trị
số ở câu a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Xác định mức công suất tiêu tán bởi transistor và công suất
tiêu tán bởi RL.
2.12 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.4.
a) Tính các trị số của R1 và R2 cần thiết để nhận được độ dao động đối xứng lớn nhất.
b) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng theo các giá trị ở câu (a).
c) Vẽ các đường tải ac và dc.
d) Xác định mức công suất tiêu tán bởi transistor và công suất tiêu tán bởi RL.
2.13 Hãy xác định trị số của RC để có độ dao động đối xứng lớn nhất cho mạch ở h ình P2.5. Cho biết
transistor sử dụng là loại pnp. Vẽ đường tải dc và ac. Giá trị đỉnh-đỉnh của điện áp ra đối xứng lớn nhất
là bao nhiêu?
2.14 Tính chọn ICQ và VCEQ để có độ dao động điện áp ra đối xứng lớn nhất cho mạch h ình P2.6.
a) Xác định các trị số của R1 và R2 để có điểm làm việc trên.
b) Tính biên độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất.
c) Xác định mức công suất tiêu tán bởi transistor và công suất tiêu tán
bởi điện trở tải.
2.15 Cho mạch khuyếch đại như ở hình P2.7.
a) Tính ICQ và VCEQ.
b) Xác định xem mạch khuyếch đại có ổn định hay không k hi có beta
thay đổi lớn. Có thể giả thiết rằng beta thay đổi trong khoảng 150 < <
250.
c) Vẽ các đường tải.
d) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng.
2.16 Đặt trực tiếp nguồn điện áp ac v ào base của transistor npn như ở
hình P2.8. Điện trở nội của nguồn điện áp ac là Ri. Hãy xác định ICQ,
VCEQ và Vo khi tín hiệu vào bằng 0. (cho biết  = 100 và VBE = 0,7V).
2.17 Theo bài tập 2.16, trị số điện trở cần phải đ ược bổ sung vào điện
trở nội của nguồn tín hiệu để tạo ra tín hiệu ra của mạch l ên mức 3V là
bao nhiêu khi vi = 0 ?

3
2.18 Phân tích mạch ở hình P2.9, và xác định các thông số sau (sử dụng VBE = 0,7V và  = 100):
a) ICQ và VCEQ.
b) Độ dao động của điện áp ra đối xứng.
c) Công suất cung cấp từ nguồn pin
d) Công suất ac phát ra.
e) Các đường tải của mạch khuyếch đại.

2.19 Thiết kế mạch khuyếch đại emitter-chung như mạch ở hình P2.10, để nhận được độ dao động
của điện áp ra đối xứng lớn nhất. Thiết kế có độ ổn định phân cực dc (sử dụng VBE = - 0,6V và  =
200):
a) ICQ và VCEQ.
b) R1 và R2.
c) Độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất.
d) Công suất định mức cần thiết của transistor
e) Công suất ac phát ra của mạch khuyếch đại.
2.20 Thiết kế mạch khuyếch đại emitter -chung ổn định phân cực dc như mạch ở hình P2.11, để nhận
được độ dao động của điện áp ra là 1V đỉnh. (sử dụng VBE = 0,7V và  = 200). Mạch khuyếch đại sẽ
sử dụng công suất nhỏ nhất từ nguồn pin. H ãy xác định:
a) ICQ và VCEQ.
b) R1 và R2.

2.21 Cho mạch như ở hình P2.12:

a) Tính các trị số của R1 và R2 nếu ICQ = 6mA.
b) Vẽ các đường tải ac và dc.
c) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng.

4
d) Tính mức công suất tiêu tán bởi transistor và mức công suất được phân bố đến tải.
2.22 Cho mạch như ở hình P2.12:
a) Tính các trị số của R1 và R2 nếu ICQ = 10mA.
b) Vẽ các đường tải ac và dc.
c) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng.
d) Tính mức công suất tiêu tán bởi transistor và mức công
suất được phân bố đến tải.
2.23 Cho mạch như ở hình P2.12:
a) Tính các trị số của R1 và R2 cần thiết để nhận được tín
hiệu đối xứng có thể lớn nhất.
b) Vẽ các đường tải ac và dc.
c) Xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất.
d) Tính mức công suất tiêu tán bởi transistor và mức công suất được phân bố đến tải.
2.24 Cho mạch khuyếch đại lặp-emitter như ở hình
P2.13:
a) Xác định trị số của VCEQ và ICQ.
b) Tính độ dao động của điện áp ra đối xứng.
c) Tính mức công suất được phân bố đến tải và công suất
định mức cần thiết cho transistor.
2.25 Cho mạch khuyếch đại lặp-emitter như ở hình
P2.14:
a) Xác định trị số của VCEQ và ICQ.
b) Vẽ các đường tải ac và dc.
c) Xác định trị số biên độ dao động của điện áp ra đối
xứng.
c) Điện trở 1k được rẽ mạch bằng tụ. Giải thích các thay đổi xảy ra trong hoạt động của mạch.
2.26 Hãy xác định biên độ dao động của điện áp ra đối xứng l ớn nhất cho mạch như ở hình P2.14,
bằng cách chọn các trị số khác c ho R1 (thể hiện trong mạch là 3k) và R2 (thể hiện trong mạch là
12k). Vậy trị số của điện trở R1 và R2 là bao nhiêu ? Vẽ các đường tải tương ứng.
2.27 Điện trở collector RC (thể hiện trong mạch là 1k), được rẽ mạch bằng tụ trong mạch nh ư ở hình
P2.14. Hãy xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn nhất bằng cách chọn trị số mới cho R1
(thể hiện trong mạch là 3k) và R2 (thể hiện trong mạch là 12k). Trị số của các điện trở đó là bao
nhiêu ? Tính mức công suất được phân bố đến tải và công suất định mức cần thiết của transistor.
2.28 Bằng cách chọn trị số mới cho R1 và R2, hãy xác định độ dao động của điện áp ra đối xứng lớn
nhất cho mạch như ở hình P2.12, nếu điện trở tải là 500. Tính mức công suất được phân bố đến tải và
công suất định mức cần thiết của transistor.
2.29 Hãy thiết kế mạch khuyếch đại lặp -emitter sử
dụng transistor npn để có độ dao động của tín hiệu
ra lớn nhất với các thông số sau:
RB = 250, VCC = 12V, RE = RL = 8, VBE = 0,7V
và  = 200. Ngoài ra, tính Po(ac), mức công suất
được cung cấp từ nguồn pin, v à mức công suất cần
thiết được tiêu tán bởi transistor.
2.30 Phân tích mạch như ở hình P2.15, và xác
định các thông số sau khi  = 200 và VBE = 0,7V:
a) ICQ và VCEQ.
b) Độ dao động của điện áp ra đối xứng.
c) Công suất cung cấp từ nguồn pin
d) Công suất ac phát ra.
e) Mức công suất định mức của transistor cần phải có.