Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 1

Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
2
Mụ c lụ c
Lờ i nói đầ u
v
Chư ơ ng 1. Nhậ p môn vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 1
1.1. Giớ i thiệ u chung 1
1.1.1. Phư ơ ng pháp l ắ ng đọ ng pha hơ i hoá họ c
(CVD)
2
1.1.2. Phư ơ ng pháp hoá, hoá l ý kế t hợ p 3
1.2. Phư ơ ng pháp bay hơ i vậ t lý (PVD) 3
1.2.1. Các khái niệ m và đạ i lư ợ ng cơ bả n 3
1.2.2. Kỹ thuậ t chân không và công nghệ màng mỏ ng 15
1.2.3. Phún xạ 19
Chư ơ ng 2. Độ ng họ c chấ t khí 23
2.1. Ý nghĩa vậ t lý củ a áp suấ t và nhiệ t độ chấ t khí 23
2.2. Các hàm phân bố củ a phân tử 25
2.3. Tầ n số va chạ m củ a phân tử vớ i bề mặ t 29
2.4. Quãng đư ờ ng tự do củ a phân tử khí 32
2.5. Mộ t số tính chấ t 35
2.5.1. Nhiệ t dung củ a hệ khí hai nguyên tử 35
2.5.2. Khuế ch tán 37
2.5.3. Độ nhớ t 38
2.5.4. Độ dẫ n nhiệ t 42
2.6. Dòng khí 43
2.6.1. Chế độ dòng khí 43
2.6.2. Dòng khí trong chế độ nhớ t 44
2.6.3. Dòng khí trong chế độ Kudsen- Dòng phân tử 45
2.6.4. Độ dẫ n củ a cấ u trúc dẫ n khí 47
Chư ơ ng 3. Hấ p phụ và ngư ng tụ 49
3.1. Hấ p phụ khí 51
3.1.1. Vì sao khí hấ p phụ ? 51
3.1.2. Thờ i gian lư u trú 53
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 3
3.1.3. Đẳ ng nhiệ t hấ p phụ Langmuir 54
3.1.4. Epitaxy lớ p nguyên tử 57
3.2. Áp suấ t hơ i 62
3.2.1.Áp suấ t hơ i hoạ t tính nhiệ t 62
3.2.2.Áp suấ t hơ i củ a các nguyên tố 63
3.2.3. Áp suấ t hơ i củ a hợ p kim và hợ p chấ t 68
3.3. Ngư ng tụ từ pha hơ i 71
3.3.1. Ngư ng tụ từ pha hơ i đơ n nhấ t 71
3.3.2. Ngư ng tụ các hợ p chấ t bả o toàn hợ p thứ c 73
3.3.3. Hoá hơ i nhanh các hợ p chấ t dễ phân ly 74
3.3.4. Đồ ng bay hơ i – phư ơ ng pháp “Ba nhi ệ t độ ” 75
3.3.5. Bố c bay phả n ứ ng 77
Chư ơ ng 4. Vậ t lý và kỹ thuậ t chân không cao 79
4.1. Mộ t số loạ i bơ m chân không 79
4.1.1. Bơ m cơ họ c 80
4.1.2. Bơ m khuế ch tán 86
4.2. Nguyên lý chân không 89
4.2.1. Tố c độ bơ m 89
4.2.2. Dòng hút khí 93
4.2.3. Độ dẫ n củ a hệ chân không 95
4.3. Đặ c tính chung củ a hệ chân không 96
4.3.1. Các khái niệ m độ ng họ c cơ bả n 96
4.3.2. Các hiệ n tư ợ ng khử hấ p phụ , nhả khí
và thẩ m thấ u 101
4.3.3. Đo chân không và đơ n vị áp suấ t 102
Chư ơ ng 5. Lý thuyế t bố c bay chân không 107
5.1. Tố c độ bố c bay 107
5.1.1. Phư ơ ng trình Hertz-Knudsen 107
5.1.2. Bố c bay tự do - sự thoát phân tử 109
5.1.3. Các cơ chế bố c bay 111
5.2. Phân bố phân tử bố c hơ i theo các hư ớ ng 116
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
4
5.2.1. Định luậ t phân bố côsin 116
5.2.2. Phân bố phân tử bố c bay từ nguồ n điể m 120
5.3. Phân bố màng mỏ ng theo chiề u dày 122
5.3.1. Nguồ n diệ n tích nhỏ và nguồ n điể m 122
5.3.2. Nguồ n hình tròn và nguồ n đĩa 124
Chư ơ ng 6. Chế tạ o màng mỏ ng bằ ng kỹ thuậ t chân không
131
6.1. Bố c bay nhiệ t 131
6.1.1. Giớ i thiệ u chung 131
6.1.2. Nguồ n bố c bay bằ ng dây và lá kim loạ i 134
6.1.3. Nguồ n bố c bay cho vậ t liệ u thăng hoa 138
6.1.4. Chén bố c bay và vậ t liệ u chén 139
6.2. Bố c bay chùm tia điệ n tử 144
6.2.1. Ư u đỉể m củ a phư ơ ng pháp 145
6.2.2. Cấ u hình súng điệ n tử và vậ t liệ u bố c bay
tư ơ ng ứ ng 145
6.3. Bố c bay bằ ng laser xung 158
6.3.1. Nguyên lý hoạ t độ ng và quá trình vậ t lý 158
6.3.2. Chế tạ o màng mỏ ng đúng hợ p thứ c 160
6.4. Epitaxy chùm phân t ử (MBE) 161
6.4.1. Mô tả thiế t bị 161
6.4.2. Chế tạ o màng mỏ ng tinh thể chấ t l ư ợ ng cao 164
Chư ơ ng 7. Phư ơ ng pháp phún xạ 167
7.1. Lý thuyế t về phóng điệ n phún xạ 167
7.1.1. Thiế t bị và các phư ơ ng pháp phún xạ 167
7.1.2. Mậ t độ dòng và điệ n thế trong phún xạ 172
7.1.3. Phóng điệ n phún xạ 184
7.2. Chế tạ o màng mỏ ng bằ ng phư ơ ng pháp phún xạ 194
7.2.1. Ư u điể m và như ợ c điể m củ a phư ơ ng pháp
phún xạ 195
7.2.2. Cơ chế phún xạ 195
7.2.3. Hiệ u suấ t phún xạ 197
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 5
7.2.4. Các yế u tố ả nh hư ở ng lên tố c độ lắ ng đọ ng 200
7.2.5. Các loạ i bia phún xạ 203
Chư ơ ng 8. Các phư ơ ng pháp phân tích đ ặ c trư ng
màng mỏ ng
205
8.1. Giớ i thiệ u các phư ơ ng pháp phân tích đặ c trư ng
màng mỏ ng 205
8.2. Các phư ơ ng pháp xác định chiề u dày màng mỏ ng 208
8.2.1. Phư ơ ng pháp đo biên dạ ng bằ ng đầ u dò hình
kim
208
8.2.2. Phư ơ ng pháp đo dao độ ng thạ ch anh 208
8.2.3. Phư ơ ng pháp hi ể n vi giao thoa 210
8.2.4. Màng mỏ ng quang họ c đa lớ p 211
8.3. Phân tích cấ u trúc bề mặ t bằ ng hiể n vi
đi ệ n tử quét và lự c nguyên tử 217
8.4. Phân tích cấ u trúc tinh thể 218
8.4.1. Phư ơ ng pháp nhi ễ u xạ tia X 218
8.4.2. Phư ơ ng pháp phổ kế quang điệ n tử tia X (XPS) 221
8.4.3. Vậ t liệ u và linh kiệ n điệ n sắ c 222
8.5. Phư ơ ng pháp nghiên cứ u tính chấ t quang 226
8.5.1. Phổ truyề n qua và phả n xạ 226
8.5.2. Ellipsomet 227
8.5.3. Màng mỏ ng nhiệ t sắ c và chuyể n mạ ch
nhi ệ t – quang 228
8.6. Phư ơ ng pháp nghiên cứ u tính chấ t điệ n 232
8.6.1. Phư ơ ng pháp đo đi ệ n trở vuông 232
8.6.2. Phư ơ ng pháp bố n mũ i dò 234
8.6.3. Điot phát quang hữ u cơ 235
Tài liệ u tham khả o 239
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
6
Lờ i nói đầ u
“Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng” là môn họ c cơ sở củ a ngành Vậ t lý kỹ thuậ t
thuộ c Trư ờ ng Đạ i họ c Công nghệ , Đạ i họ c Quố c gia Hà Nộ i. Giáo trình
“Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng” đư ợ c biên soạ n nhằ m phụ c vụ giả ng dạ y và
họ c tậ p trong Khoa Vậ t lý kỹ thuậ t và Công nghệ nanô, Trư ờ ng Đạ i họ c
Công nghệ . Giáo trình giúp sinh viên củ ng cố và nắ m vữ ng các kiế n thứ c cơ
bả n về kỹ thuậ t chân không, công nghệ chế tạ o màng mỏ ng và các phư ơ ng
pháp phân tích đặ c trư ng củ a màng mỏ ng. Giáo trình gồ m tám chư ơ ng:
Chư ơ ng 1. Nhậ p môn vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
Chư ơ ng 2. Độ ng họ c chấ t khí
Chư ơ ng 3. Hấ p phụ và ngư ng tụ
Chư ơ ng 4.Vậ t lý và kỹ thuậ t chân không cao
Chư ơ ng 5. Lý thuyế t bố c bay chân không
Chư ơ ng 6. Chế tạ o màng mỏ ng bằ ng kỹ thuậ t chân không
Chư ơ ng 7. Phư ơ ng pháp phún xạ
Chư ơ ng 8. Các phư ơ ng pháp phân tích đ ặ c trư ng màng mỏ ng
Giáo trình còn nhằ m mụ c đích phụ c vụ các đố i t ư ợ ng họ c tậ p và nghiên cứ u
về vậ t lý chân không và công nghệ vậ t liệ u trong các ngành kỹ thuậ t thuộ c
các trư ờ ng đạ i họ c thuộ c khoa họ c tự nhiên, bách khoa, công nghệ củ a cả
nư ớ c. Trong giáo trình có nhiề u dữ liệ u tin cậ y, cậ p nhậ t có thể l àm tài liệ u
tra cứ u, tham khả o cho các họ c vi ên cao họ c, nghiên cứ u sinh hay các kỹ sư ,
kỹ thuậ t viên làm việ c tạ i các cơ sở sả n xuấ t công nghiệ p có li ên quan đế n
kỹ thuậ t chân không và công nghệ nói chung, đặ c biệ t l à công nghệ vậ t liệ u
và linh kiệ n dư ớ i dạ ng màng mỏ ng.
Mặ c dù sách và tài liệ u tham khả o về vậ t lý và công nghệ màng mỏ ng trên
thế giớ i là vô cùng phong phú cả về số lư ợ ng và chấ t lư ợ ng, ở nư ớ c ta tài
liệ u bằ ng tiế ng Việ t về lĩnh vự c này còn rấ t hạ n chế . Giáo trình này đư ợ c
biên soạ n trên cơ sở đúc kế t kinh nghiệ m nghi ên cứ u khoa họ c và giả ng dạ y
về vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng củ a bả n thân tác giả . Hy vọ ng rằ ng nó sẽ có
tác dụ ng hữ u ích, góp phầ n thự c hiệ n chủ trư ơ ng xây dự ng Trư ờ ng Đạ i họ c
Công nghệ trở thành mộ t trư ờ ng đạ i họ c nghiên cứ u đặ c trư ng công nghệ ở
nư ớ c ta.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 7
Trong quá trình biên soạ n, tác giả không tránh khỏ i nhữ ng thiế u sót hoặ c
khiế m khuyế t. Tác giả sẽ rấ t biế t ơ n tấ t cả độ c giả về nhữ ng đóng góp ý kiế n
nhậ n xét, để giáo trình “Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng” vừ a đáp ứ ng yêu cầ u
về chấ t lư ợ ng vừ a có hiệ u quả sử dụ ng cao trong các tr ư ờ ng đạ i họ c khoa
họ c tự nhiên, đạ i họ c kỹ thuậ t và công nghệ , trong công tác nghi ên cứ u cũ ng
như ứ ng dụ ng sả n xuấ t ...
Hà Nộ i, tháng 8 năm 2005
Tác giả
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
8
Chư ơ ng 1
Nhậ p môn vậ t lý
và kỹ thuậ t màng mỏ ng
1.1. Giớ i thiệ u chung
Khác vớ i khái niệ m về màng mỏ ng dân dụ ng, trong khoa họ c kỹ thuậ t, màng
mỏ ng đư ợ c hiể u là lớ p chấ t rắ n phủ lên bề mặ t củ a vậ t rắ n khác (vậ t rắ n này
gọ i là đế ) vớ i chiề u dày tớ i hạ n khi mà các hiệ u ứ ng vậ t lý và tính chấ t củ a
nó thể hiệ n không giố ng như trong vậ t liệ u khố i. Nhìn chung, chiề u dày củ a
màng mỏ ng đư ợ c đề cậ p trong các công nghệ vậ t liệ u v à linh kiệ n điệ n tử ,
quang điệ n tử ,… nằ m trong khoả ng 10 1000nm. ÷ Ngày nay, công nghệ chế
tạ o màng mỏ ng là vô cùng đa dạ ng và phong phú, bao gồ m nhiề u
phư ơ ng pháp khác nhau, t ừ đơ n giả n đế n phứ c tạ p. Phụ thuộ c v ào cách
chế tạ o màng mỏ ng, ngư ờ i ta chia các phư ơ ng pháp đó ra thành ba
nhóm chính:
i) Phư ơ ng pháp lắ ng đọ ng pha hơ i hóa họ c
(Chemical vapor deposition - CVD)
ii) Phư ơ ng pháp lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý
(Physical vapor deposition - PVD)
iii) Phư ơ ng pháp hóa và hóa l ý kế t hợ p.
Chúng ta cầ n hiể u sự phân chia này cũ ng chỉ là tư ơ ng đố i. Trong sách này,
chúng tôi đề cậ p đế n vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng chế tạ o bằ ng phư ơ ng
pháp pha hơ i vậ t lý. Để phân biệ t các phư ơ ng pháp vậ t lý vớ i hai nhóm
phư ơ ng pháp khác, dư ớ i đây chúng ta xem xét mộ t cách khái quát ph ư ơ ng
pháp CVD và phư ơ ng pháp hóa l ý kế t hợ p.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 9
1.1.1. Phư ơ ng pháp lắ ng đọ ng pha hơ i hóa họ c (CVD)
Trong phư ơ ng pháp CVD, pha hơ i đư ợ c tạ o ra bằ ng phư ơ ng pháp hóa họ c.
Việ c phủ lớ p màng mỏ ng đư ợ c thự c hiệ n nhờ quá tr ình lắ ng đọ ng các cụ m
nguyên tử , phân tử hay ion thông qua các phả n ứ ng hóa họ c.
Phư ơ ng pháp CVD có nhữ ng ư u điể m chính sau đây:
- Hệ thiế t bị đơ n giả n.
- Tố c độ lắ ng đọ ng cao (đế n 1um/phút).
- Dễ khố ng chế hợ p thứ c hóa họ c củ a hợ p chấ t và dễ dàng pha tạ p chấ t.
- Có khả năng lắ ng đọ ng hợ p kim nhiề u thành phầ n.
- Có thể tạ o màng cấ u trúc hoàn thiệ n, độ sạ ch cao.
- Đế đư ợ c xử lý ngay trư ớ c khi lắ ng đọ ng bằ ng quá trình ăn mòn hóa họ c.
- Có thể lắ ng đọ ng lên đế có cấ u hình đa dạ ng, phứ c tạ p.
Như ợ c điể m chính củ a phư ơ ng pháp này là:
- Cơ chế phả n ứ ng phứ c tạ p.
- Đòi hỏ i nhiệ t độ đế cao hơ n trong các phư ơ ng pháp khác.
- Đế và các dụ ng cụ thiế t bị có thể bị ăn mòn bở i các dòng hơ i.
- Khó tạ o hình linh kiệ n màng mỏ ng thông qua kỹ thuậ t mặ t nạ .
Đặ c trư ng củ a phư ơ ng pháp CVD đư ợ c phân biệ t bở i các phả n ứ ng hóa họ c
trong quá trình lắ ng đọ ng. Có bố n loạ i phả n ứ ng chính, đó l à:
1. Phả n ứ ng phân hủ y:
AB (khí) ÷ A (rắ n) + B (khí),
thí dụ :
2. Phả n ứ ng khử :
Có thể đư ợ c xem như phả n ứ ng phân hủ y có sự tác độ ng củ a chấ t khí khác,
thí dụ :
Trong nhiề u trư ờ ng hợ p chấ t khử có thể l à hơ i kim loạ i, như Zn chẳ ng hạ n.
3. Vậ n chuyể n hóa họ c:
o
800 1300 C
2 4
SiH Si 2H
.
÷
+ ÷÷÷÷÷
4 2
SiCl 2H Si 4HCl. + ÷ +
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
10
Phư ơ ng pháp này thư ờ ng áp dụ ng để chế tạ o các vậ t liệ u khó tạ o ra pha h ơ i,
thí dụ :
trong đó:
(r-tt) là ký hiệ u trạ ng thái rắ n-tinh thể ;
k là ký hiệ u trạ ng thái khí;
(r-m) là ký hiệ u rắ n ở dạ ng màng mỏ ng.
4. Phả n ứ ng trùng hợ p (polymerization):
Quá trình trùng hợ p thư ờ ng đư ợ c thự c hiệ n nhờ :
- Bắ n phá điệ n tử hoặ c ion.
- Chiế u xạ quang, tia X, tia ¸.
- Phóng điệ n.
- Xúc tác bề mặ t.
Phư ơ ng pháp CVD đư ợ c dùng để chế tạ o màng mỏ ng các chấ t bán dẫ n như
Si, A
II
B
VI
, A
III
B
V
, các màng mỏ ng ôxít dẫ n điệ n trong suố t như SnO
2
,
In
2
O
3
:Sn (ITO), các màng mỏ ng điệ n môi như SiO
2
, Si
3
N
4
, BN, Al
2
O
3
, … và
các màng mỏ ng kim loạ i.
1.1.2. Phư ơ ng pháp hóa, hóa l ý kế t hợ p
Đó là các phư ơ ng pháp l ắ ng đọ ng dung dịch pha lỏ ng, phư ơ ng pháp sol-gel,
phư ơ ng pháp phun dung dịch,…Nhóm phư ơ ng pháp này cũ ng rấ t phong
phú, độ c giả quan tâm có thể tham khả o từ các t ài liệ u hay giáo trình có ở
trong nư ớ c hay ở nư ớ c ngoài.
1.2. Phư ơ ng pháp bay hơ i vậ t lý (PVD)
1.2.1. Các khái niệ m và đạ i lư ợ ng cơ bả n
Lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý là sả n phẩ m củ a pha hơ i ngư ng tụ tạ o ra bằ ng
phư ơ ng pháp vậ t lý, sau đó hơ i này lắ ng đọ ng lên trên đế tạ o thành màng
o
o
o
1100 C
2 4
1100 C
2 4
900 C
2 4
Si(r tt) 2I (k) SiI (k)
Si(r) SiI (r) 2SiI (k)
2SiI (k) Si(r m) SiI (k).
÷ +
+
÷ +
÷÷÷÷
÷÷÷÷
÷÷÷÷
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 11
Hình 1.1.
Ả nh mộ t số kiể u nguồ n bố c bay
làm từ kim loạ i khó nóng chả y
mỏ ng. Cách “vậ t lý” đầ u tiên tạ o ra pha hơ i là đố t nóng vậ t liệ u cầ n bố c bay
(hay còn gọ i là vậ t liệ u gố c) bằ ng thuyề n điệ n trở hay chén bố c bay, như
mô tả trên hình 1.1. Chúng
đư ợ c gọ i là “nguồ n nhiệ t” hay
nguồ n bố c bay. Các kiể u nguồ n
có dạ ng đặ c biệ t hơ n có thể là
bình thoát hơ i chính xác (hình
1.2.) hay chùm tia đi ệ n tử hộ i tụ
(súng điệ n tử , hình 1.3). Ngày
nay đã có nhiề u cách hoá hơ i vậ t
lý khác như hoá hơ i bằ ng laze
cộ ng hư ở ng vớ i chùm photon
mạ nh (lắ ng đọ ng laze xung;
hình 1.4), bắ n phá bia bằ ng
nguồ n ion có năng l ư ợ ng cao
(phún xạ , hình 1.5). Các kỹ
thuậ t trên đề u đư ợ c thự c hiệ n
trong chân cao (10
-
6
-10
-
4
Torr)
hoặ c siêu cao (10
-
9
Torr). Phún xạ đư ợ c thự c hiệ n trong áp suấ t khí ứ ng vớ i
chân không thấ p hơ n (cỡ 10
-
3
-10
-
1
Torr), như ng trư ớ c khi đư a khí vào
buồ ng phún xạ , buồ ng này cũ ng đã đư ợ c hút chân không cao.
Hình 1.2. Ả nh thuyề n và chén làm nguồ n bố c bay
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
12
Hình 1.4. Bố c bay bằ ng laser.
Hình 1.3. Ả nh nguồ n bố c bay bằ ng chùm tia điệ n
tử vớ i các cấ u hình khác nhau.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 13
Để làm quen vớ i các khái niệ m và đạ i lư ợ ng cơ bả n trong kỹ thuậ t chân
không và công nghệ màng mỏ ng, chúng ta cầ n thố ng nhấ t t ên gọ i các thuậ t
ngữ chuyên môn. Trên hình 1.6 trình bày sơ đồ củ a mộ t hệ chân không vớ i
các ký hiệ u tư ơ ng ứ ng củ a các đạ i lư ợ ng:
1. Nguồ n hoá hơ i là nơ i cung cấ p nhiệ t cho vậ t liệ u gố c để tạ o ra các
phân tử hơ i (phân tử đư ợ c gọ i chung cho cả nguyên tử , cụ m nguyên
tử );
source
T là nhiệ t độ nguồ n hóa hơ i.
2. Áp suấ t hơ i cân bằ ng nhiệ t ( )
eq
P củ a vậ t liệ u gố c trong bình.
3. Tầ n suấ t va chạ m củ a phân tử hơ i ) (z là số lầ n phân tử va chạ m vớ i
mặ t trong củ a thành bình trên đơ n vị diệ n tích trong mộ t giây, nó tỷ lệ
thuậ n vớ i .
eq
P
4. Cư ờ ng độ chùm tia củ a nguồ n ) (
O
J là số phân tử phát xạ trên mộ t đơ n
vị góc khố i trong 1 giây, l à đạ i lư ợ ng đặ c trư ng cho nguồ n hoá hơ i.
Nế u kích thư ớ c lỗ hổ ng ) ( A o rấ t nhỏ so vớ i khoả ng cách từ nguồ n
Hình 1.5. Phún xạ catố t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
14
Hình 1.6. Các đạ i lư ợ ng cơ bả n trong bố c bay chân không.
đế n đế thì phân bố góc phát xạ phân tử đư ợ c coi là phân bố theo định
luậ t cosin lý tư ở ng. Phân bố lý tư ở ng này phụ thuộ c vào các yế u tố
khác kể cả khi các phân tử phát xạ trả i qua va chạ m tr ên đư ờ ng tớ i đế .
5. Quãng đư ờ ng tự do (ì) củ a phân tử vậ t liệ u bay hơ i trong va chạ m vớ i
phân tử khí còn lạ i trong chuông (khí dư ) phụ thuộ c vào mứ c độ chân
không trong chuông. Để bố c bay, quãng đư ờ ng tự do phả i lớ n hơ n rấ t
nhiề u khoả ng cách từ nguồ n đế n đế (sau n ày gọ i tắ t là khoả ng cách
nguồ n-đế ).
6. Dòng tớ i ) (
i
j là mậ t độ dòng phân tử bay tớ i bề mặ t củ a đế hay l à số
phân tử va chạ m trên mộ t đơ n vị diệ n tích bề mặ t củ a đế trong thờ i
gian mộ t giây, nó là hàm củ a góc phát xạ 0, khoả ng cách R và góc
lắ ng đọ ng þ (góc tạ o bở i đư ờ ng bay củ a phân tử vớ i pháp tuyế n
mặ t phẳ ng đế ).
7. Dòng ngư ng tụ ) (
c
j tỷ lệ thuậ n vớ i
i
j , ngoài ra nó còn phụ thuộ c vào
hệ số lắ ng đọ ng củ a màng và dòng tái hoá hơ i liên quan đế n nhiệ t
độ đế .
8. Tố c độ lắ ng đọ ng màng ) (
n
v là độ dày củ a màng đư ợ c tăng thêm
theo hư ớ ng pháp tuyế n vớ i bề mặ t trong mộ t giây. Nó đ ư ợ c xác định
bở i lư ợ ng vậ t chấ t lắ ng đọ ng tr ên màng trong khoả ng thờ i gian đó.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 15
Chúng ta sẽ đề cậ p đế n các nguyên lý và lý thuyế t cơ bả n để tính toán hoặ c
mô hình hoá từ ng bư ớ c trong công nghệ màng mỏ ng. Cũ ng cầ n nhấ n mạ nh
rằ ng lý thuyế t về lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý là rấ t rộ ng, nó bao gồ m nhiề u lĩnh
vự c khác nhau trong khoa họ c vậ t liệ u nói chung.
Hiể u biế t tố t về thuyế t độ ng họ c chấ t khí (ch ư ơ ng 2) cho phép chúng ta nắ m
vữ ng và dự báo hành vi củ a chấ t khí và hơ i. Đố i vớ i lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t
lý, mộ t trong các khái niệ m quan trọ ng nhấ t l à tầ n suấ t va chạ m. Đó là số
lầ n va chạ m trên đơ n vị diệ n tích trong 1 giây mà chấ t khí đã tác độ ng lên bề
mặ t vậ t rắ n, như thành chuông hay đế . Tầ n suấ t va chạ m đư ợ c tính từ thuyế t
độ ng họ c, nó tỷ lệ thuậ n vớ i áp suấ t:
. )
1/ 2
P
z ,
2 .mkT
=
t
(1.1)
trong đó:
P là áp suấ t khí,
m là khố i lư ợ ng phân tử va chạ m,
k là hằ ng số Boltzmann,
T là nhiệ t độ K.
Ứ ng dụ ng. Tính tầ n suấ t va chạ m củ a phầ n tử khí c òn lạ i trong chuông chân
không 10
-
6
Torr.
Cho rằ ng, chấ t khí dư trong chuông chủ yế u là phân tử nitơ . Trư ớ c hế t, cầ n
đổ i đơ n vị áp suấ t từ Torr sang Pa:
10
-
6
Torr = 133 x 10
-
6
Pa = 1,33 x 10
-
4
Pa..
Lấ y nhiệ t độ phòng là 300 K, tầ n suấ t va chạ m củ a phân tử nit ơ (28 đơ n vị
khố i lư ợ ng nguyên tử ) đư ợ c tính theo công thứ c 1.1., chúng ta có:
. )
4
1/ 2
27 23
18 2 1
1, 33 10 Torr
z
2 28 1, 66 10 kg 1, 38 10 J / K 300K
3, 8 10 m s .
÷
÷ ÷
÷ ÷
×
=
t× × × × × ×
= ×
Từ khái niệ m về tầ n suấ t va chạ m, chúng ta có thể đặ t câu hỏ i rằ ng “Mộ t đế
sạ ch đặ t ở trong chuông chân không sẽ c òn giữ sạ ch đư ợ c bao lâu?”. Vớ i sự
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
16
có mặ t củ a phân tử khí còn sót lạ i trong chuông, thờ i gian hấ p phụ đ ơ n lớ p
có thể tính theo công thứ c:
s
rg
rg
N
t
.z
=
o
(1.2),
trong đó:
c
N là mậ t độ bề mặ t củ a các vị trí hấ p phụ ,
o là xác suấ t bẫ y đố i vớ i phân tử khí va chạ m (ch ư ơ ng 3).
Ứ ng dụ ng. Cho rằ ng đế silic đã đư ợ c xử lý sạ ch đặ t trong chuông chân
không có khí dư là nitơ , áp suấ t trong chuông bằ ng 10
-
6
Torr. Xác định thờ i
gian để ngư ờ i thự c hành phả i bố c bay trư ớ c khi bề mặ t silíc bị hấ p phụ hoàn
toàn bở i nguyên tử khí nitơ .
Mậ t độ nguyên tử trong silíc tinh thể là Mặ c dù mậ t độ
chính xác nút mạ ng trên bề mặ t tinh thể phụ thuộ c vào định hư ớ ng củ a mạ ng
tinh thể silíc, mộ t cách gầ n đúng có thể cho rằ ng mậ t độ vị trí hấ p phụ (nút
mạ ng) bề mặ t
3 / 2
sub s
n N = , cho nên
2 19
10 4 , 1
÷
× ~ m N
s
. Chúng ta giả thiế t
rằ ng, mỗ i mộ t vị trí này có thể hấ p phụ mộ t nguyên tử khí nitơ dư trong
chuông và cho rằ ng xác suấ t bẫ y bằ ng 1.Do đó thờ i gian h ình thành mộ t lớ p
mỏ ng củ a khí hấ p phụ sẽ l à (chúng ta đư a thêm số 2 vào biể u thứ c tính
rg
t là
có tính đế n độ phân ly củ a phân tử N
2
):
Đây là khoả ng thờ i gian để bề mặ t sạ ch củ a đế không bị nhiễ m bẩ n khí nit ơ .
Điề u này cho thấ y, trong chân không cao như trên mà chúng ta vẫ n còn thấ y
khả năng nhiễ m bẩ n do hấ p phụ khí dư . Thuyế t độ ng họ c đư ợ c áp dụ ng để
tính toán cho nhiề u mô hình khác đố i vớ i các tính chấ t và hiệ n tư ợ ng xả y ra
trong lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý.

Hấ p phụ và ngư ng tụ . Trong công nghệ màng mỏ ng, hiệ n tư ợ ng hấ p phụ và
ngư ng tụ (chư ơ ng 3) là sự tích tụ màng mỏ ng trên đế (nhiề u tác giả gọ i l à
mọ c màng). Khoa họ c cơ bả n về sự lắ ng đọ ng bao gồ m tính toán áp suấ t hơ i
cân bằ ng nhiệ t củ a vậ t chấ t và xác định điề u kiệ n quá bão hoà trên đế .
28 3
sub
n 5 10 m .
÷
= ×
19 2
s
rg
18 2 1
rg
N
1, 4 10 m
t 1, 8s.
2z
2 3, 8 10 m s
÷
÷ ÷
×
= = =
× ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 17
Áp suấ t hơ i cân bằ ng nhiệ t củ a mộ t chấ t A đư ợ c tính bằ ng công thứ c:
0 0
vap vap A A
0
Aeq
S H
,
P P exp exp
R RT
|
A A
|
' ¹
= (1.3)
trong đó:
0
P
là áp suấ t chuẩ n (10
5
Pa),
là entropi chuẩ n củ a pha hơ i,
là enthalpi chuẩ n củ a pha hơ i,
R là hằ ng số khí,
T là nhiệ t độ tuyệ t đố i.
Dư ớ i đây là mộ t thí dụ ứ ng dụ ng công thứ c (1.3). Chúng ta phân tích công
trình củ a Esposto và cộ ng sự , họ cho rằ ng nắ p vỏ bia lon có thể d ùng làm
nguồ n bố c bay Mg mộ t cách rấ t hiệ u quả . Theo phân tích hóa họ c, nắ p tr ên
củ a lon bia đư ợ c làm từ hợ p kim nhôm chứ a 1% Mg và 1,3% Mn. Câu hỏ i
đặ t ra là dòng hơ i củ a chấ t nào trên thự c tế có thể nhậ n đư ợ c từ hợ p kim
nhôm khi đặ t nó vào trong bình hóa hơ i? Có thể là Mg sạ ch không? Trong
dòng hơ i đó có chứ a nhiề u Mn hơ n Mg không? để trả lờ i các câu hỏ i này
chúng ta cầ n hai công thứ c từ chư ơ ng 5.
Cư ờ ng độ chùm phân tử củ a mộ t bình thoát lý tư ở ng (bình Knudsen) đư ợ c
tính bằ ng công thứ c:
z Acos
,
J
O
o 0
=
t
(1.4)
trong đó A o là diệ n tích lỗ hổ ng củ a bình thoát và 0 là góc phát xạ .
Dòng phân tử bay tớ i đế (dòng tớ i):
2 i
J cos
.
j
R
O
þ
= (1.5)
Sự liên quan này cho ta dòng phân t ử trên mộ t điể m củ a bề mặ t đế , tr ên mộ t
đơ n vị diệ n tích và đơ n vị thờ i gian. Ở đây, þ là góc lắ ng đọ ng (hình 1.6)
và R là khoả ng cách từ nguồ n tớ i mộ t điể m đang xét tr ên đế .
0
vap
A
S A
0
vap
A
H A
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
18
Ứ ng dụ ng. Tính cư ờ ng độ chùm phân tử khi mộ t hợ p kim đư ợ c mô tả như
trên đặ t trong bình thoát (hình 1.6). Di ệ n tích lỗ hổ ng là 1 cm
2
và khoả ng
cách tớ i đế là 10 cm. Bình đư ợ c cấ p nhiệ t ổ n định tạ i 900 K. Giả thiế t rằ ng
điể m đang xét ở trên đế thẳ ng góc vớ i lỗ hổ ng ( 0 = 0
o
).
Trư ớ c hế t, chúng ta tính áp suấ t hơ i cân bằ ng nhiệ t củ a ba thành phầ n củ a
hợ p kim đặ t trong bình. Cho rằ ng dung dịch lỏ ng l à lý tư ở ng, áp suấ t hơ i củ a
mộ t thành phầ n bấ t kỳ đư ợ c coi như là áp suấ t hơ i củ a vậ t liệ u sạ ch nhân vớ i
hệ số nguyên tử trong hợ p kim đó: . ) . )
source Aep A source A
T P X T P = . Các đạ i
lư ợ ng entropi và enthapi phân tử chuẩ n củ a pha hơ i 3 thành phầ n (từ
chư ơ ng 3) và hàm lư ợ ng nguyên tử tư ơ ng ứ ng đư ợ c liệ t kê trong bả ng
dư ớ i đây:
0
vap
A
S (J / K) A
0
vap
A
H (kJ) A X
Magiê (Mg) 99 134 0,01
Mangan (Mn) 106 247 0,013
Nhôm (Al) 118 314 0,977
Áp suấ t hơ i củ a Mg là:
5
Mg
99J / K 134kJ
P (900K) 0, 01 10 Pa exp exp 2, 47Pa.
8,31J / K 8,31J / K 900K
÷ | |
= × × × =
| |
×
' ¹ ' ¹
Tư ơ ng tự :
6
Mn
P (900K) 2, 05 10 Pa,
÷
= ×
8
Al
P (900K) 8, 38 10 Pa.
÷
= ×
Thấ y rằ ng dù cho nồ ng độ củ a Mg và Mn gầ n giố ng
nhau và nhỏ hơ n rấ t nhiề u nồ ng độ Al trong nguồ n bố c bay. Do vậ y khi sử
dụ ng hợ p kim hay hợ p chấ t chứ a Mg l àm nguồ n bố c bay, chúng ta cầ n
lư u ý đế n điề u này.
Các áp suấ t hơ i này ứ ng vớ i tầ n suấ t va chạ m nhấ t định ở b ên trong bình
thoát. Đố i vớ i pha hơ i Mg chúng ta có:
A l M g M n
P P P ,
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 19
Mg
1/2
27 23
22 2 1 4 2 1
2, 47Pa
z (900K)
2 24, 31 1, 66 10 kg 1, 38 10 J/K 900K
4, 4 10 m s 4, 4 10 (nm) .s .
[ ( ) ]
÷ ÷
÷ ÷ ÷ ÷
=
t× × × × ×
= × = ×
×
Bằ ng cách tư ơ ng tự , nhậ n đư ợ c:
.
2 2 1
M n
z ( 9 0 0 K ) 2 , 4 3 1 0 ( n m ) s .
÷ ÷ ÷
= ×
3 2 1
A l
z ( 9 0 0 K ) 1 , 4 2 1 0 ( n m ) .s .
÷ ÷ ÷
= ×
Các tầ n suấ t va chạ m này quyế t định dòng phân tử riêng phầ n cho từ ng chấ t
trong bình thoát Knudsen. Do đó, ở ngay trên bề mặ t lỗ hổ ng, chúng ta
sẽ có:
o 4 2 1 2
M g
1 8 1
o
J ( 0 ) 4 , 4 1 0 ( n m ) .s c o s ( 0 ) 1 c m /
1 , 4 1 0 s .
÷
÷
÷
O
= × × × t
= ×
1 1 1 o
M n
J ( 0 ) 7 , 7 2 1 0 s .
÷
O
= ×
o 1 0 1
A l
J ( 0 ) 4 , 5 1 1 0 s .
÷
O
= ×
Vì thế , cư ờ ng độ dòng phân tử tớ i củ a Mg lớ n gấ p hơ n 6 bậ c so vớ i cư ờ ng
độ dòng củ a 2 thành phầ n còn lạ i. Thí dụ tiế p theo sẽ xét tớ i độ lớ n củ a d òng
tớ i trên bề mặ t đế hình thành từ dòng phân tử .
Ứ ng dụ ng. Tính dòng phân tử trên đế tư ơ ng ứ ng vớ i dòng phân tử trong thí
dụ trên. Cho rằ ng vị trí đang xét trên đế nằ m thẳ ng góc trên mặ t phẳ ng lỗ
thoát ( 0 ) . þ =
Sử dụ ng các giá trị cư ờ ng độ dòng đã biế t, dòng các phân tử lắ ng đọ ng trên
vị trí củ a đế :
. )
1 8
1
2 2 1
i M g 2
o
1 , 4 1 0 s c o s ( 0 )
j 1 , 4 1 0 ( n m ) . s .
1 0 c m
÷
÷ ÷
×
= ×
5 2 1
i M n
j 7 , 7 2 1 0 ( n m ) .s .
÷ ÷ ÷
= ×
6 2 1
i A l
j 4 , 5 1 1 0 ( n m ) s . .
÷ ÷ ÷
= ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
20
Dòng lắ ng đọ ng củ a Mg cũ ng lớ n gấ p hơ n 6 bậ c so vớ i dòng lắ ng đọ ng củ a
hai thành phầ n còn lạ i. Như vậ y chúng ta có sự phân bố mớ i củ a các th ành
phầ n trong màng. Mộ t cách gầ n đúng có thể thấ y mangan v à nhấ t là nhôm
lạ i trở thành tạ p chấ t trong màng mỏ ng magiê vớ i hàm lư ợ ng rấ t thấ p, tư ơ ng
ứ ng là
7
5 , 5 1 0
÷
× và
8
. 3 , 2 1 0
÷
× Mộ t điề u lý thú là vớ i hàm lư ợ ng
nhôm và mangan trong màng t ạ o thành quá nhỏ như vậ y, nắ p vỏ lon bia
hoàn toàn có thể đư ợ c sử dụ ng làm mộ t nguồ n “sạ ch” để bố c bay Mg. Tuy
nhiên cũ ng cầ n lư u ý là nế u nguồ n vậ t liệ u gố c không đủ để quá tr ình bố c
bay dừ ng trư ớ c khi Mg đã bay hế t thì trên bề mặ t màng chủ yế u sẽ lạ i là Mn
và Al. Vì vậ y, trong thự c tiễ n bố c bay màng Mg, ngư ờ i ta vẫ n chỉ dùng
nguồ n kim loạ i Mg tinh khiế t để bả o đả m bố c bay màng chấ t lư ợ ng cao.

Nế u mộ t lớ p màng Mg đư ợ c mọ c trên đế , dòng phân tử Mg sẽ bị quá bão
hoà, lúc đó sẽ xả y ra hiệ n tư ợ ng khuế ch tán ngư ợ c củ a phân tử Mg. Thự c tế
này có thể rút ra từ phư ơ ng trình Hertz-Knudsen-Langmuir (hình 1.7), chúng
ta sẽ xem xét ở chư ơ ng 5.
Phư ơ ng trình Hertz-Knudsen-Langmuir mô tả dòng ngư ng tụ trên đế tỷ lệ
thuậ n vớ i hiệ u số giữ a dòng phân tử do va chạ m từ nguồ n bố c bay và dòng
tái hoá hơ i từ đế (dòng khuế ch tán ngư ợ c):
eq c sub c i
j j z T , = o ÷ ×
|
|
' ¹
(1.6)
trong đó
c
e là hệ số ngư ng tụ cho biế t tỷ phầ n củ a các phân tử va chạ m v à
ngư ng tụ .
Độ quá bão hoà và điề u kiệ n mọ c màng (chư ơ ng 3) đư ợ c mô tả bở i
phư ơ ng trình:
i
s u b e q
j
S 1 0 .
z T
÷ ÷ :
×
(1.7)
Bấ t đẳ ng thứ c này có nghĩa là
i
j cầ n phả i lớ n hơ n tầ n suấ t va chạ m tạ i nhiệ t
độ đế mà màng mỏ ng ngư ng tụ trên đế đó. Điề u này không có nghĩa đơ n
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 21
giả n là chỉ cầ n nhiệ t độ đế thấ p hơ n nhiệ t độ nguồ n l à đủ để cho màng
phát triể n.Mặ c dù trên thự c tế nhiệ t độ đế thư ờ ng thấ p hơ n hẳ n nhiệ t
độ nguồ n bố c bay.
Ứ ng dụ ng. Cho rằ ng đố i vớ i thí dụ trên khi dùng nắ p vỏ lon bia làm nguồ n
Mg, đế đư ợ c giữ ở nhiệ t độ 580K. Câu hỏ i đặ t ra l à liệ u chúng ta có nhậ n
đư ợ c lớ p màng mỏ ng Mg trên đế đố t nóng đó không?
Như tính tóan ở phầ n trên, chúng ta đã nhậ n đư ợ c giá trị dòng phân tử magiê
đư ợ c bố c bay trên bề mặ t đế . Dòng này có giá trị là:
2 2 1
i M g 1 , 4 1 0 n m
j
s .
÷ ÷
= ×
Bây giờ cầ n phả i so sánh giá trị này vớ i tầ n suấ t va chạ m cân bằ ng nhiệ t củ a
Mg tạ i nhiệ t độ đế . Trư ớ c hế t, tính áp suấ t hơ i cân bằ ng nhiệ t củ a Mg tạ i
nhiệ t độ đó:
5
e q M g s u b
2
9 9 J / K 1 3 4 k J
P T 1 0 P a e x p e x p
8 , 3 1 J / K 8 , 3 1 J / K 5 8 0 K
1 , 2 6 1 0 P a .
÷
÷ | |
|
= × ×
| | |
× ' ¹
' ¹ ' ¹
= ×
Hình 1.7. Dòng ngư ng tụ trên đế và dòng tái hoá hơ i.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
22
Tiế p theo, chúng ta tính tầ n suấ t va chạ m:
. )
. )
2
e q M g s u b
2 7 1 / 2
1 / 2
2 3
2 1
1 , 2 6 1 0
z T
2 2 4 , 3 1 1 , 6 6 1 0 k g
1
1 , 3 8 1 0 J / K 5 8 0 K
2 7 9 n m . s .
÷
÷
÷
÷ ÷
×
|
= ×
|
' ¹
t × × ×
×
× ×
=
Độ quá bão hoà tính đư ợ c:
2 1
2 1
1 4 0 n m .s
1 0 , 5 0 , .
2 7 9 n m .s
÷ ÷
÷ ÷
÷ ~ ÷ .
Như vậ y, màng Mg đã không đư ợ c hình thành trên đế , tuy nhiệ t độ đế thấ p
hơ n nhiệ t độ nguồ n rấ t nhiề u. Khi chúng ta hạ nhiệ t độ đế xuố ng, sẽ nhậ n
đư ợ c lớ p màng mỏ ng Mg. Vớ i sự tính toán t ư ơ ng tự , để thỏ a mãn điề u
kiệ n , 0 : S chúng ta sẽ nhậ n đư ợ c giá trị củ a nhiệ t độ đế t ư ơ ng ứ ng, thấ p
hơ n 570K.

1.2.2. Kỹ thuậ t chân không và công nghệ màng mỏ ng
Để có thể nhậ n đư ợ c màng mỏ ng tinh khiế t như mong muố n, thì bố c bay
chân không hay lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý nói chung cầ n đư ợ c thự c hiệ n trong
điề u kiệ n chân không cao. Trong thí dụ tr ư ớ c, tầ n suấ t va chạ m củ a khí nit ơ
tạ i áp suấ t này tính đư ợ c bằ ng
1 8 2 1
3 , 8 1 0 m s .
÷ ÷
× Nế u dòng va chạ m củ a
phân tử hóa hơ i trên đế cũ ng có giá trị vào khoả ng này thì màng mỏ ng hình
thành có thể bị nhiễ m tạ p chấ t từ phân tử khí dư vớ i mộ t lư ợ ng phân tử
chiế m khoả ng 50% số phân tử khí c òn lạ i ở trong chuông.
Cho rằ ng, việ c lắ ng đọ ng màng mỏ ng đư ợ c thự c hiệ n trong mộ t chuông chân
không có khe hở rấ t nhỏ (hình 1.6). Coi khe hở này có cấ u trúc hình ố ng bán
kính 1,5 um, dài 50 um. Tuy kích thư ớ c này rấ t nhỏ , tác hạ i củ a nó đố i vớ i
chân không là không thể bỏ qua. Qua khe hở này, các phân tử khí từ môi
trư ờ ng (ngoài chuông) có thể xâm nhậ p vào chuông như thế nào? Để phân
tích tình trạ ng này, chúng ta cầ n đế n mộ t số kế t quả tính toán củ a chư ơ ng 2.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 23
Công thứ c Poisseuille cho biế t tố c độ dòng phân tử chả y qua ố ng hình trụ
như sau:
4
av
a P
J .P ,
8 kT
L
|
t A |
|
=
|
n |
' ¹
' ¹
(1.8)
trong đó:
a là bán kính củ a ố ng,
n là độ nhớ t củ a khí,
av
P là áp suấ t trung bình trong ố ng,
P A là chênh lệ ch áp suấ t ở hai đầ u ố ng.
Từ thuyế t độ ng họ c chấ t khí, độ nhớ t đ ư ợ c tính bằ ng phư ơ ng trình:
av
nv m
,
4
ì
n = (1.9)
trong đó:
n là mậ t độ khí,
av
v là tố c độ trung bình củ a phân tử ,
m là khố i lư ợ ng củ a phân tử khí và ì là quãng đư ờ ng tự do.
Các đạ i lư ợ ng này đư ợ c mô tả bở i các phư ơ ng trình sau:
1/ 2
av
8kT
,
v
.m
|
=
|
t
' ¹
(1.10)
P
,
n
kT
= (1.11)

2
1
,
2 .d n
ì =
t
(1.12)
vớ i d là đư ờ ng kính hiệ u dụ ng củ a phân tử .
Ứ ng dụ ng. Tính dòng tổ ng củ a phân tử chả y qua khe hở có cấ u trúc ố ng nh ư
trên, cho rằ ng dòng phân tử trong ố ng là loạ i dòng đa lớ p (mỗ i lớ p có tố c độ
riêng: ở trung tâm ố ng tố c độ lớ n nhấ t, ở sát thành ố ng, tố c độ bằ ng 0) và
cũ ng giả thiế t rằ ng ở nhiệ t độ phòng (298K) khí ở đây chỉ gồ m mộ t loạ i khí
nitơ sạ ch.
Tố c độ trung bình củ a phân tử là:
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
24
1/ 2 23
av
27
8kT 8 1, 38 10 J / K 298K
v 475m/ s.
.m
28 1, 66 10 kg
÷
÷
|
× × × |
|
= = =
|
| t
' ¹
t× × ×
' ¹
Mậ t độ phân tử trong khí đư ợ c tính theo định luậ t khí l ý tư ở ng:
5
25 3
23
1, 01 10 Pa
n 2, 46 10 m .
1, 38 10 J / K 298K
÷
÷
×
= = ×
× ×
Chúng ta lấ y giá trị đư ờ ng kính hiệ u dụ ng củ a phân tử nit ơ là 0, 375nm
(xem chư ơ ng 1), quãng đư ờ ng tự do sẽ là:
. )
8
2 2
10 25 3
1 1
6, 5 10 m.
2 d n
2 3, 75 10 m 2, 46 10 m
÷
÷ ÷
ì = = = ×
t
t × × ×
Vì giá trị này nhỏ hơ n rấ t nhiề u kích thư ớ c củ a lỗ thủ ng, cho nên giả thiế t
củ a chúng ta về dòng khí đa lớ p là thự c tế .
Độ nhớ t khi đó tính đư ợ c, như sau:
8
25 3 27
2
4
2, 46 10 m 475m/ s 28 1, 66 10 kg 6, 5 10 m 5
8
2 d n
1, 73 10 poise(P).
÷
÷ ÷
÷
× × × × × × × t
n = ×
t
= ×
Dòng phân tử tính đư ợ c bằ ng:
. )
4
6
4
23
15 1
6
1, 5 10 m
J
8 1, 73 10 P 1, 38 10 J / K 298K
760Torr 760Torr
2,87 10 s .
2
50 10 m
÷
÷
÷
÷
÷
]
|
]
t× ×
|
] ' ¹
=
]
× × × × ×
]
]
]
|
× × = ×
|
' ¹
×

Vớ i sự tồ n tạ i khe hở nhỏ như trên thì áp suấ t trong chuông sẽ bị ả nh hư ở ng
như thế nào? Trư ớ c khi phân tích điề u này, chúng ta cầ n đế n các kế t quả củ a
chư ơ ng 4. Mặ c dù đã biế t khi có khe hở thì sẽ có mộ t lư ợ ng khí nhấ t định bị
hút vào trong chuông, vi ệ c phân tích mộ t cách định l ư ợ ng ả nh hư ở ng củ a nó
lên chân không cầ n áp dụ ng mô hình độ ng họ c bơ m chân không đố i vớ i lỗ
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 25
hổ ng (đư ợ c coi như mộ t cấ u trúc dẫ n khí). Vì thế , khe hở đó cũ ng đư ợ c đặ c
trư ng bở i dòng hút nhấ t định, đó là:
L
L
Q kTJ , ÷ (1.13)
trong đó:
L
J là tố c độ dòng phân tử đi qua khe hở ,
L
Q là độ hút tư ơ ng ứ ng.
Áp suấ t tớ i hạ n củ a chuông chân không khi tồ n tạ i mộ t cấ u trúc dẫ n khí (do
khe hở tạ o ra) sẽ là:
L
ult
Q
P ,
S
= (1.14)
trong đó: S là tố c độ bơ m củ a máy bơ m chân không, (ở đây chúng ta thấ y
điề u lý thú là kích thư ớ c củ a chuông không ả nh hư ở ng gì đế n áp suấ t
tớ i hạ n củ a nó).
Ứ ng dụ ng. Cho rằ ng mộ t bơ m chân không có t ố c độ bơ m 2500 lít/giây (viế t
tắ t: l/s) đư ợ c sử dụ ng để hút chân không trong chuông vớ i khe hở có cấ u
trúc lỗ hổ ng như mô tả ở trên. Câu hỏ i đặ t ra l à: áp suấ t tớ i hạ n củ a
chuông chân không s ẽ là bao nhiêu?
Chúng ta tính dòng hút củ a lỗ hổ ng theo công thứ c (1.13) và nhậ n đư ợ c:
Khi đó, áp suấ t tớ i hạ n trong chuông bằ ng:
. )
. )
8
5
ult
P 8,85 10 Torr.l / 2500l 3, 54 10 Torr. /s /s
÷
÷
= × = ×
Như vậ y, dù là rấ t nhỏ , khe hở cũ ng sẽ ả nh hư ở ng đế n độ sạ ch củ a màng
mỏ ng khi bố c bay trong chuông. Đó cũ ng l à nguyên nhân vì sao các màng
mỏ ng đư ợ c chế tạ o ở chân không dư ớ i 10
-
6
Torr thư ờ ng vẫ n còn tạ p chấ t
khí, trong đó phân t ử cac-bon có nhiề u hơ n cả . Điề u này đư ợ c phát hiệ n
bằ ng việ c phân tích li ên kế t điệ n tử trong cấ u trúc chấ t rắ n bằ ng phư ơ ng
pháp phổ quang-điệ n tử tia X (X-ray photoelectron spectroscopy).

. )
23 15 1
5
Q 1, 38 10 J / K 298K 2,87 10 s
8,85 10 Torr.l/s .
÷ ÷
÷
= × × × ×
= ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
26
1.2.3. Phún xạ
Sơ đồ mô tả cơ chế phún xạ do va chạ m đư ợ c trình bày trên hình 1.8a, trong
đó ion có năng lư ợ ng đủ lớ n bắ n phá bề mặ t củ a bia phún xạ . Sự va chạ m
mạ nh giữ a ion và nguyên tử củ a bia khiế n nguyên tử có thể thoát ra khỏ i bề
mặ t bia. Các nguyên tử thoát khỏ i bia tạ o ra dòng hơ i. Mộ t phầ n dòng hơ i
này sẽ lắ ng đọ ng lên đế tạ o thành màng mỏ ng. Trong phún xạ cao áp mộ t
chiề u, ion bắ n ra từ plasma khố i, mà trạ ng thái plasma này đư ợ c hình thành
bở i nguồ n cao áp mộ t chiề u (hình 1.8b). Chuông chân không để phún xạ
thư ờ ng chỉ cầ n áp suấ t cỡ 0,01 đế n 1 Torr (tuy nhi ên chuông chân không cầ n
đư ợ c hút đế n mứ c cao nhấ t có thể , tr ư ớ c khi đư a khí argon vào). Chúng t a sẽ
thấ y ở chư ơ ng 7, rằ ng dòng ion tăng cư ờ ng trong lớ p vỏ plasma ở vùng catố t
có thể tính bằ ng công thứ c:
. )
ion
k T T
j qn ,
m
+ ÷
÷
+
+
= (1.15)
trong đó:
q là điệ n tích củ a điệ n tử ,
÷
n là mậ t độ điệ n tử trong plasma,
+
T là nhiệ t độ củ a ion,
÷
T là nhiệ t độ củ a điệ n tử ,
+
m là khố i lư ợ ng củ a ion bắ n phá.
Mậ t độ dòng ion này thư ờ ng có giá trị dư ớ i
2
1mA/cm .
Ion đư ợ c nhậ n thêm năng lư ợ ng khi nó chuyể n độ ng trong lớ p vỏ catố t -
vùng điệ n tích không gian ngăn cách bia (catố t phún xạ ) vớ i khố i plasma
(anố t trong phún xạ trên hình 1.8 cũ ng chính là đế ). Độ ng năng củ a ion bắ n
vào bia quyế t định hiệ u suấ t bắ n phá - số nguyên tử thoát ra khỏ i bia trên
mộ t ion bắ n phá (ion tớ i). Giá trị độ ng năng lớ n nhấ t củ a mộ t ion có đ ư ợ c
phụ thuộ c vào điệ n thế rơ i trên catố t, mà trong kỹ thuậ t phóng điệ n phún xạ
điệ n thế này còn lớ n hơ n cả điệ n áp mộ t chiề u do nguồ n cao áp cung cấ p
(điề u này đư ợ c minh họ a trên hình 1.8b).
Trong thự c tế , độ ng năng củ a các ion va chạ m bị giả m bở i quá tr ình tư ơ ng
tác trao đổ i điệ n tích giữ a ion và nguyên tử ở trong lớ p vỏ catố t (hình 1.8c).
Khi chuyể n độ ng va chạ m, ion có thể bị trung h òa điệ n tích. Do đó, nó chỉ
còn lạ i mộ t phầ n độ ng năng lớ n nhấ t mà nó có đư ợ c lúc đầ u. Thế như ng,
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 27
tư ơ ng tác trao đổ i điệ n tích ấ y lạ i dẫ n đế n mộ t ion mớ i đ ư ợ c hình thành, ion
này đư ợ c gia tố c hư ớ ng về catố t. Kế t quả cuố i cùng là, trong tư ơ ng tác trao
đổ i điệ n tích thì năng lư ợ ng bắ n phá củ a mộ t hạ t giả m đi, c òn tổ ng số hạ t
bắ n phá lạ i tăng lên (chúng ta dùng t ừ “hạ t” để chỉ khái niệ m chung cho cả
ion và nguyên tử ). Hình 1.8c mô tả hiệ n tư ợ ng này: mộ t ion đi vào vỏ catố t
đã chuyể n thành ba hạ t bắ n phá, tứ c là mộ t ion và hai hạ t trung tính. Trong
trư ờ ng hợ p này mỗ i mộ t hạ t sẽ bắ n phá catố t vớ i mộ t độ ng năng bằ ng
khoả ng 1/3 giá trị độ ng năng lớ n nhấ t ban đầ u. Bả n chấ t củ a quá tr ình này
và nhiề u quá trình khác xả y ra trong phóng điệ n phún xạ đư ợ c xem xét kỹ
trong chư ơ ng 7. Trong chư ơ ng này chúng ta c òn đề cậ p đế n quá trình phún
xạ thự c tế mà nó đư ợ c xác định bở i các thông số như hiệ u suấ t bắ n phá, xác
suấ t lắ ng đọ ng, tố c độ lắ ng đọ ng, các yế u tố ả nh hư ở ng lên tố c độ lắ ng đọ ng …
Chư ơ ng 8 đề cậ p đế n mộ t số phư ơ ng pháp đư ợ c sử dụ ng để phân tích và đặ c
trư ng tính chấ t củ a màng mỏ ng. Mộ t số loạ i màng mỏ ng chế tạ o bằ ng
phư ơ ng pháp lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý, như bố c bay nhiệ t, chùm tia điệ n tử ,
phún xạ magnetron đư ợ c đư a ra để minh họ a. Qua đó, có thể nhìn nhậ n khả
năng ứ ng dụ ng vào thự c tiễ n củ a các loạ i màng mỏ ng này. Thí dụ , bằ ng
phư ơ ng pháp bố c bay nhiệ t, hệ màng mỏ ng gồ m trên 19 lớ p xen kẽ giữ a hai
chấ t MgF
2
và ZnO đã đư ợ c chế tạ o. Hệ màng này có khả năng chọ n lự a
bư ớ c sóng củ a ánh sáng trong vùng nhìn thấ y như mộ t “phin lọ c” ánh sáng.
Nhờ đó, có thể “cả n” bứ c xạ hồ ng ngoạ i (bứ c xạ nóng) và chỉ cho ánh sáng
“lạ nh” đi qua. Khi phủ hệ màng này lên trên gư ơ ng cầ u, sẽ có mộ t gư ơ ng
cầ u lạ nh, nế u phủ lên kính làm cử a sổ sẽ có các tấ m kính phả n xạ nhiệ t, hạ n
chế tăng nhiệ t độ trong phòng vào mùa hè. Nế u lắ p mặ t kính có lớ p phủ vào
phía trong, vào mùa đông sẽ không bị mấ t nhiệ t ra ngoài. Mộ t loạ i điệ n cự c
trong suố t (màng mỏ ng vừ a dẫ n điệ n vừ a cho ánh sáng đi qua) tr ên cơ sở
ôxyt inđi pha tạ p thiế c (ITO) đư ợ c chế tạ o bằ ng phư ơ ng pháp chùm tia đi ệ n
tử . Từ ôxít không dẫ n điệ n pha tạ p th iế c vớ i mộ t hàm lư ợ ng tố i ư u (10%
nguyên tử ) sẽ có đư ợ c lớ p màng trong suố t dẫ n điệ n tố t gầ n như màng kim
loạ i đồ ng. Cả m biế n nhiệ t -điệ n hay chuyể n mạ ch nhiệ t quang đ ư ợ c chế tạ o
trên cơ sở màng mỏ ng nhiệ t sắ c VO
2
(bố c bay chùm tia điệ n tử hoặ c phún xạ
magnetron từ hai bia).
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
28
Hình 1.8. Phư ơ ng pháp phún xạ :
a) Cơ chế phún xạ va chạ m,
b) Phân bố điệ n thế trong phún xạ cao áp mộ t chiề u,
c) Quá trình trao đổ i điệ n tích trong vỏ catố t – plasma.
Nguyên lý hoạ t độ ng củ a loạ i linh kiệ n này dự a trên hiệ u ứ ng chuyể n pha
bán dẫ n - kim loạ i xả y ra trong màng VO
2
khi nó bị đố t nóng đế n nhiệ t độ
chuyể n pha . ).
c
t Hệ màng mỏ ng WO
3
/ITO chế tạ o bằ ng phư ơ ng pháp chùm
tia điệ n tử có khả năng điề u khiể n ánh sáng truyề n qua bằ ng nguồ n điệ n củ a
mộ t pin tiể u (1,5V). Từ trạ ng thái trong suố t, hệ màng này chuyể n sang xanh
nhạ t hoặ c xanh xẫ m, khi chúng đ ư ợ c đặ t điệ n thế từ
. 1500 300 mV mV ÷ ÷ ÷ Đó là linh kiệ n điệ n sắ c, mộ t loạ i hiể n thị mớ i,
khác vớ i hiể n thị tinh thể lỏ ng ở chỗ hình ả nh không bị lóa, dù nhìn dư ớ i góc
độ nào. Mộ t khi có đư ợ c chấ t điệ n ly rắ n, thí dụ như màng mỏ ng Ta
2
O
5
chúng ta có thể thiế t kế , chế tạ o linh kiệ n hiể n thị to àn rắ n. Cuố i cùng là linh
kiệ n điệ n huỳ nh quang hữ u cơ , đư ợ c thiế t kế chế tạ o từ nhiề u lớ p màng
mỏ ng hữ u cơ như PVK, PPV, Alq3… Chúng đề u đư ợ c bố c bay bằ ng
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 29
phư ơ ng pháp chân không hay phủ ly tâm, công nghệ đơ n giả n hơ n rấ t nhiề u
so vớ i công nghệ chế tạ o LED vô cơ phả i sử dụ ng các kỹ thuât nuôi đơ n tinh
thể , epitaxy. Linh kiệ n này còn có ư u điể m vư ợ t trộ i so vớ i điố t phát quang
vô cơ , vì diệ n tích làm việ c có thể trả i rộ ng đế n mứ c có thể sử dụ ng l àm hiể n
thị cho điệ n thoạ i di độ ng hoặ c tiế n tớ i l àm màn hình phẳ ng cho máy vô
tuyế n truyề n hình.
Câu hỏ i kiể m tra đánh giá
1. Phân biệ t kỹ thuậ t chế tạ o màng mỏ ng bằ ng lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý
(PVD) vớ i lắ ng đọ ng pha hơ i hoá họ c (CVD)?
2. Nêu các phư ơ ng pháp chính trong PVD?
3. Phún xạ cao áp mộ t chiề u và cao tầ n dùng để chế tạ o màng mỏ ng
loạ i gì?
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
30
Chư ơ ng 2
Độ ng họ c chấ t khí
Lý thuyế t về quá trình bố c bay, mộ t cách gầ n đúng có thể xem xét tr ên cơ sở
thuyế t độ ng họ c chấ t khí. Trong thuyế t n ày, chấ t khí đư ợ c coi là mộ t hệ gồ m
nhiề u nguyên tử và phân tử (về sau chúng đư ợ c gọ i chung là phân tử ), chúng
có cùng khố i lư ợ ng và kích thư ớ c (bỏ qua đặ c điể m về hình dạ ng và cấ u tạ o
bên trong củ a chúng). Các phân tử đư ợ c coi như nhữ ng quả cầ u rắ n va chạ m
mộ t cách đàn hồ i, đư ờ ng kính như nhau và rấ t bé so vớ i khoả ng cách giữ a
chúng. Đồ ng thờ i hệ này cũ ng đư ợ c coi là gồ m các phân tử chuyể n độ ng hỗ n
loạ n không ngừ ng, luôn va chạ m nhau v à va chạ m vớ i thành bình chứ a
chúng. Hơ n nữ a, ngoạ i trừ lúc va chạ m nhau, không có lự c t ư ơ ng tác nào
giữ a chúng. Do vậ y, áp suấ t củ a chấ t khí l ên thành bình thự c chấ t là xung
lư ợ ng mà các phân tử truyề n cho thành bình khi chúng va chạ m.
2.1. Ý nghĩa vậ t lý củ a áp suấ t và nhiệ t độ chấ t khí
Cho hệ tọ a độ vuông góc vớ i ba trụ c x, y và z biể u diễ n thành phầ n củ a tố c
độ chuyể n độ ng ) (v củ a các phân tử trong hệ khí, chúng ta ký hiệ u các tố c độ
thành phầ n là . , ,
z y x
v v v Vì tố c độ củ a các phân tử không như nhau, cho nên
chúng ta cầ n đư a vào khái niệ m căn bậ c hai củ a đạ i l ư ợ ng tố c độ bình
phư ơ ng trung bình theo mộ t hư ớ ng nhấ t định (gọ i tắ t l à tố c độ căn quân
phư ơ ng, kí hiệ u
r ms
v ), ví dụ theo hư ớ ng x là (
2
x
v
), vớ i:
2 2
x x
v v / N, = ¯ (2.1)
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 31
trong đó N là số phân tử trong hệ khí.
Đạ i lư ợ ng đặ c trư ng trung bình củ a bình phư ơ ng tố c độ sẽ là:
2 2 2 2 2
x y z
.
v v / N v v v = = + + ¯ (2.2)
Các đạ i lư ợ ng này phả n ánh trạ ng thái củ a mộ t hệ khí gồ m N phân tử .
Biế t rằ ng, các phân tử có tố c độ thành phầ n
x
v thì tạ o nên thành bình vuông
góc vớ i hư ớ ng tố c độ củ a chuyể n độ ng này mộ t áp suấ t P vớ i giá trị tính
theo tố c độ là:
. )
2
x
P N/ V mv . . =
(2.3)
Do phân bố củ a tố c độ là đẳ ng hư ớ ng theo ba trụ c tọ a độ , cho nên:
2 2 2
x y z
v v v , = = do đó:
2 2
x
1
v v .
3
=
(2.4)
Thay vào phư ơ ng trình (1.3), chúng ta có:
2
1 N
P .m v .
3 V
=
|
|
' ¹
(2.5)
Đây là biể u thứ c về áp suấ t, hay còn gọ i là lự c riêng mà khi va chạ m phân tử
đã tác độ ng lên thành bình.
Mặ t khác, như đã biế t công thứ c tổ ng quát về định luậ t chấ t khí l à,
trong đó
A
N là số phân tử gam. Theo định luậ t Avogadro,
trong mộ t phân tử gam củ a chấ t khí bấ t kỳ đề u chứ a c ùng mộ t số phân tử
0
N (số Avogadro). Dễ nhậ n thấ y
0
.
A
N N N = × Hơ n nữ a vì
(hằ ng số Boltzmann), cho nên chúng ta có bi ể u thứ c áp suấ t li ên quan đế n
nhiệ t độ là:
. ) P N/ V .kT nkT, = = (2.6)
trong đó n là mậ t độ phân tử (số phân tử khí trong mộ t mét khố i). Sử dụ ng
công thứ c (2.6) có thể tính số phân tử trong
3
1 c m khí tạ i các áp suấ t và
nhiệ t độ khác nhau. Nế u lấ y đơ n vị áp suấ t là Torr thì mậ t độ phân tử sẽ là:
/
A
P N R T V =
0
/ R N k =
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
32
So sánh (2.5) và
(2.6), ta có:
Do đó, tố c độ căn quân phư ơ ng bằ ng:
1/2
r ms
3kT
.
v
m
|
=
|
' ¹
(2.7)
Như vậ y, nhiệ t độ củ a chấ t khí tỷ l ệ thuậ n vớ i độ ng năng trung bình củ a
phân tử khí.
Vì tố c độ bình phư ơ ng trung bình bao gồ m ba thành phầ n bình đẳ ng (là
2 2 2
u , v , w ), công thứ c trên còn cho thấ y tổ ng năng lư ợ ng củ a các phân tử
đư ợ c phân bố đề u theo ba hư ớ ng vuông góc nhau và trên mỗ i bậ c tự do củ a
chuyể n độ ng tịnh tiế n có năng l ư ợ ng trung bình bằ ng 1/2 kT.
2.2. Các hàm phân bố củ a phân tử
Trong mộ t hệ khí, ngoài các đạ i lư ợ ng đặ c trư ng cho tố c độ củ a phân tử , thì
khái niệ m về phân bố các giá trị tố c độ và các phân tử có tố c độ tư ơ ng ứ ng
đóng vai trò quan trọ ng. Cho rằ ng số phân tử có tố c độ trong khoả ng v và
v dv + đư ợ c xác định chỉ bở i độ ng năng củ a phân tử , do đó h àm phân bố sẽ
là hàm phụ thuộ c vào
2 2 2 2
x y z
v v v v . = + + Số mũ bậ c 2 cho thấ y số phân tử
có cùng tố c độ (về độ lớ n) như ng chuyể n độ ng ngư ợ c chiề u thì bằ ng nhau.
Giả sử điề u này không đúng thì sẽ xả y ra trư ờ ng hợ p mà khi đó ở mộ t vị trí
nào đó củ a thành bình sẽ có nhiề u phân tử va chạ m hơ n, dẫ n đế n áp suấ t nơ i
đó lớ n hơ n. Điề u này trái vớ i kế t quả nhậ n đư ợ c trong thự c nghiệ m thự c
nghiệ m, đó là áp suấ t khí ở bấ t kỳ nơ i nào củ a thành bình đề u như nhau.
2
mv 3kT
,
2 2
=
18 3
P
n 9, 565 10 cm
T
.
÷
= ×
|
|
' ¹
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 33
Hơ n nữ a, hàm phân bố tố c độ tổ ng hợ p cũ ng phả i chứ a ba biế n số độ c lậ p,
chúng xác định hàm phân bố theo tố c độ thành phầ n
x y
v , v và
z
v , quyế t
định hư ớ ng và độ lớ n củ a tố c độ v. Vì vậ y chúng ta có:
. )
. )
2
x x
x
2
y y
y
2
z z
z
v
v
v
v dv dN
/ N
dN
/ N v dv
dN / N v dv
,
,
.
= o
= o
= o
|
|
' ¹
(2.8)
Và:
2 2 2
x z y z y x
y x z
2 2 2
z x y y z x
dN v v v dv dv dv / N
v v v
, ,
v v v dv dv dv .
|
= + + +
|
' ¹
|
| |
= o o o
| | |
' ¹ ' ¹
' ¹
Ở đây l à tỷ phầ n củ a các phân tử có tố c độ th ành phầ n
x
v nằ m
trong khoả ng
x
v và
x x
v dv , + là hàm phân bố củ a các phân tử theo
tố c độ thành phầ n
x
v . Các ký hiệ u đố i vớ i
y
v và
z
v cũ ng có ý nghĩa tư ơ ng
tự . Còn là tỷ phầ n củ a các phân tử có tố c độ th ành phầ n
nằ m giữ a
x
v và
x x
v dv + ;
y
v và
y y
v dv + ;
z
v và
z z
v dv . + + là hàm phân
bố tư ơ ng ứ ng.
Lờ i giả i củ a phư ơ ng trình vi phân (2.8) có dạ ng dư ớ i đây, trong đó có hai hệ
số Avà
p
v (sẽ đư ợ c xác định sau):
hoàn toàn tư ơ ng tự có thể viế t biể u thứ c như trên đố i vớ i . )
2
y
v o và . ).
2
z
v o
Do đó:
V
x
d N / N
2
x
v
|
o
|
' ¹
y x z
d N / N
v , v , v
2 2 2
x x p
v Aexp v / v ,
|
|
o = ÷
| |
' ¹
' ¹
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
34
2 2 2 3 2
x y p z
v v v A e x p v / v .
| |
+ + + = ÷
| |
' ¹ ' ¹
Hệ số A đư ợ c xác định từ điề u kiệ n:
2 2
x x p
x
N dN N.Aexp v / v dv .
v
+· +·
÷· ÷·
|
= ÷
|
' ¹
=
¦ ¦
Từ đó chúng ta tìm đư ợ c:
Thay vào các biể u thứ c chứ a A, nhậ n đư ợ c các hàm phân bố có dạ ng:
Hàm cho biế t tỷ phầ n các phân tử có tố c độ theo h ư ớ ng
nhấ t định chiế m trong hệ khí. Tuy nhi ên, có các phân
tử khác cũ ng có tố c độ tổ ng hợ p bằ ng v như ng là từ các tố c độ thành phầ n
khác nhau tạ o nên, do đó chúng chuyể n độ ng theo hư ớ ng khác. Vì vậ y
chúng ta cầ n có mộ t hàm phân bố khác mà nó đặ c trư ng cho các phân t ử có
cùng tố c độ v, như ng không phụ thuộ c vào hư ớ ng củ a tố c độ , hàm đó ký
hiệ u là
Để nhậ n biể u thứ c củ a hàm này chúng ta cầ n tư ở ng tư ợ ng mộ t không gian
ba chiề u xen giữ a hai hình cầ u có bán kính v và v+dv và, thể tích củ a không
gian này bằ ng , khi đó hàm phân bố có dạ ng:
2 2 2
z y x
v v v
|
+ + +
|
' ¹
1/2
2 2 2
z y x
v v v v
|
= + +
|
' ¹
1/ 2
2 2 2 2
p y x p
v .v exp v / v ,
÷
| | |
o = t ÷
| | |
' ¹ ' ¹ ' ¹
3/2
2 2 2 2 2 2
p p z x y
v v v .v exp v / v .
÷
| | |
+ + + = t ÷
| | |
' ¹ ' ¹ ' ¹
. )
2
v . u
dv v
2
. 4t
. )
1/2
2
p
.
A .v
÷
= t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 35
. )
2 2 2 2 2
x y z
dN
v
v dv 4 .v
N
v v v . = u t +
|
|
' ¹
= + + (2.9)
Thay giá trị củ a biể u thứ c ở tr ên, chúng ta
nhậ n đư ợ c:
. )
2 2 2 2
p
3
p
4
v v exp v / v .
v
|
u = × ÷
|
' ¹
t
(2.10)
Từ (2.10) dễ nhậ n thấ y hàm phân bố này có cự c đạ i tạ i giá trị nào đó củ a
Bằ ng cách lấ y đạ o hàm
. )
2
v u theo v và cho nó bằ ng 0, chúng ta sẽ
tìm đư ợ c giá trị củ a Biể u thứ c li ên hệ giữ a và
2
v nhậ n đư ợ c bằ ng
cách biể u diễ n
2
v thông qua tích phân thay vì phép tính trung bình c ộ ng:
2
2 2 2
v v
v 1
v v dN v dN / N .
N N
+· +·
÷· ÷·
¯
= = =
¦ ¦
(2.11)
Thay từ (2.9) và (2.10) vào (2.11) rồ i thự c hiệ n phép tích phân,
chúng ta sẽ nhậ n đư ợ c:

2
v 3kT/ m = , cho nên:
Đó là biể u thứ c củ a tố c độ có xác suấ t cao nhấ t. Do đó
p
v đư ợ c gọ i là tố c độ
xác suấ t cao nhấ t. Thay giá trị củ a
p
v vào các biể u thứ c trên, chúng ta nhậ n
đư ợ c biể u thứ c đố i vớ i số phân tử có tố c độ theo hư ớ ng nhấ t định nằ m trong
khoả ng v và dv v + , như sau:
2 2 2
y x z
v v v
|
+ + +
|
' ¹
p
v .
p
v .
p
v
v
dN / N
1 / 2
p
2kT
.
v
m
|
=
|
' ¹
2 2
p
2
v v ,
3
=
. )
. )
. )
2
x x
x
1 / 2 2
x x
v
d N / N v d v
m / 2 k T e x p m v / 2 k T d v .
= o
= t ÷
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
36
(2.12)
Tư ơ ng tự , có thể viế t:
. )
. )
. )
2
v
3 / 2 2
dN / N v dv
4 m / 2 kT exp mv / 2 kT dv.
= u
= t t ÷
(2.13)
Mộ t đạ i lư ợ ng hay đư ợ c đề cậ p đế n nữ a l à tố c độ trung bình cộ ng
av
( v ) ,
như ng ở đây chúng ta cũ ng tính tố c độ này theo tích phân:
0
a v v
1
d
N
.
v v N
·
=
¦
(2.14)
Thay giá trị củ a
v
dN /N từ biể u thứ c (2.13) rồ i thự c hiệ n phép tích phân,
nhậ n đư ợ c:
1/ 2
av
8kT
v
m
|
=
|
t
' ¹
= 14,551
1/ 2
T
M
|
|
' ¹
(cm/s), (2.15)
trong đó M là phân tử gam.Đế n đây chúng ta đã có ba biể u thứ c củ a ba đạ i
lư ợ ng đặ c trư ng tố c độ củ a phân tử :
- Tố c độ xác suấ t cao nhấ t,
- Tố c độ căn quân phư ơ ng,
- Tố c độ trung bình,
Hệ thứ c so sánh độ lớ n củ a ba đạ i l ư ợ ng kể trên là:
Như vậ y:
1/ 2
p
2kT
,
v
m
|
=
|
' ¹
2
rms
v v 3kT/m , = =
1/ 2
av
8kT
.
v
m
|
=
|
t
' ¹
av p
r ms
3/2 : 4 / : 1 1, 23 : 1,13 : 1. v : v : v t = =
p a v r m s
v v v . . .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 37
2.3. Tầ n suấ t va chạ m củ a phân tử vớ i bề mặ t
Tầ n suấ t va chạ m đư ợ c định nghĩa là số va chạ m củ a phân tử khí trong mộ t
hệ tĩnh vớ i mộ t đơ n vị diệ n tích bề mặ t trong mộ t đơ n vị thờ i gian. Khái
niệ m bề mặ t ở đây đư ợ c hiể u theo nghĩa t ư ơ ng đố i, như là bề mặ t tư ở ng
tư ợ ng ngăn khố i khí trong hệ , nó có thể ở ngay trong l òng chấ t khí. Mở rộ ng
bề mặ t này đế n thành chuông chân không hay bình chứ a chấ t khí, thì lúc ấ y
bề mặ t mà chúng ta nói đế n chính là thành bình. Tầ n suấ t va chạ m thư ờ ng
đư ợ c nhắ c đế n khi nghiên cứ u các hiệ n tư ợ ng vi mô xả y ra trong chấ t khí.
Để nhậ n biể u thứ c mô tả đạ i l ư ợ ng này chúng ta xem xét t ố c độ củ a các
phân tử chuyể n độ ng theo phư ơ ng pháp tuyế n vớ i bề mặ t.
Cho rằ ng trong thể tích V có N phân tử , số phân tử có tố c độ v đư ợ c biể u thị
bằ ng công thứ c đã biế t (2.12):
Trong khoả ng thờ i gian dt chỉ có mộ t phầ n nào đó trong số phân tử kể trên
có thể va chạ m vớ i bề mặ t. Đó là nhữ ng phân tử ở trong khoả ng cách
x
v dt tính từ bề mặ t. Gọ i
W
A là diệ n tích bề mặ t mà các phân tử va chạ m,
thì là phầ n thể tích chứ a các phân tử va chạ m vớ i bề mặ t. Do
vậ y có thể viế t biể u thứ c cho số phân tử có tố c độ trong khoả ng
x
v và
x x
v dv + mà chúng va chạ m vớ i bề mặ t trong thờ i gian dt , như sau:
. ) . )
2 2
w x x x
x
v
d N N / V A v v dv dt . = u
(2.16)
Vì tố c độ củ a phân tử có các giá trị từ 0 đế n · cho nên trong (2.16) có phầ n
liên quan đế n tố c độ cầ n đư ợ c lấ y tích phân theo tấ t cả các giá trị đó. Gọ i
phầ n đó là N
-
, chúng ta có:
Khi đó công thứ c (2.16) trở thành:
. ) w
x
V vdt.A /
. ) . )
2
1/ 2
2 x
x x x x x 2
0 0
p
*
dv exp kT/ 2 m
v
N v v A v dv
v
. .
· ·
u t
¦
= = ÷ =
¦
|
|
' ¹
. )
2
x x
x
v
d N N v d v . = o
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
38
1/2
i
NA
kT
w
, dt dN
V 2 .m
|
=
|
t
' ¹
ở đây là tổ ng số phân tử tham gia va chạ m trong khoả ng thờ i gian dt .
Ký hiệ u tầ n suấ t va chạ m l à z , theo định nghĩa về tầ n suấ t va chạ m,
chúng ta có:
Thay giá trị
av
v từ biể u thứ c đã biế t, nhậ n đư ợ c:
av
1 N
z v
4 V
= (đơ n vị tính là
2 1
m s .
÷ ÷
).
Thay N / V bằ ng P / kT ta có biể u thứ c liên hệ giữ a tầ n suấ t va chạ m và áp
suấ t khí, như sau:
. )
1
2 z P. 2 .mkT
÷
= t . (2.17)
Nế u đơ n vị áp suấ t là Torr thì
. )
1/2 22
,
z 3, 543 10 MT
÷
= × vớ i M là phân tử gam.
Thay n là mậ t độ phân tử vào biể u thứ c trên, tầ n suấ t va chạ m đư ợ c tính
bằ ng công thứ c đơ n giả n là:
av
nv
.
z
4
= (2.18)
Nế u trong mộ t hệ khí có hai hay nhiề u nhóm phân tử khí khác nhau về th ành
phầ n hóa họ c (khố i l ư ợ ng và mậ t độ ) thì các tích phân ở trên cầ n tách ra
thành hai hay nhiề u tích phân độ c lậ p củ a từ ng loạ i nhóm khí. Khi đó biể u
thứ c củ a tầ n suấ t va chạ m củ a mỗ i loạ i phân tử có mậ t độ ,... ,
2 1
n n cũ ng
1/2
i
w
dN N kT
.
z
A dt V 2 .m
|
= =
|
t
' ¹
i
dN
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 39
Hình 2.1. Phân bố phân tử H
2
và nhôm theo tố c độ .
nhậ n đư ợ c giố ng như (2.18) thay kí hi ệ u n bằ ng các kí hiệ u tư ơ ng ứ ng
,... ,
2 1
n n Tầ n suấ t va chạ m tổ ng hợ p trong trư ờ ng hợ p này chính là tổ ng củ a
tấ t cả các tầ n suấ t va chạ m ri êng biệ t. Điề u này phù hợ p vớ i cơ sở củ a định
luậ t Dalton vớ i thuyế t độ ng họ c: “Áp suấ t củ a hệ khí gồ m hai hay nhiề u chấ t
khí khác nhau đơ n gi ả n chỉ là tổ ng áp suấ t mà mỗ i chấ t khí có đư ợ c khi
chúng cùng chiế m mộ t thể tích như nhau”.
Trên hình 2.1 là đồ thị phân bố các giá trị tuyệ t đố i củ a tố c độ các phân tử
hơ i nhôm tạ i 1200
o
C (áp suấ t 10
-2
Torr) và phân tử khí hyđro tạ i 25
o
C và
1200
o
C. Hình này cho thấ y tố c độ phân tử có giá trị trong khoả ng 10
5
m/s.
Hơ n nữ a vì phân tử khí H
2
nhẹ hơ n nguyên tử hơ i nhôm cho nên chúng có
tố c độ cao nhiề u hơ n và khi nhi ệ t độ tăng thì số phân tử có tố c độ cao
cũ ng tăng lên.
2.4. Quãng đư ờ ng tự do củ a phân tử khí
Mặ c dù phân tử khí có tố c độ chuyể n độ ng rấ t lớ n, song vì do va chạ m liên
tụ c làm lệ ch hư ớ ng chuyể n độ ng, cho nên chúng không thể vư ợ t đư ợ c quãng
đư ờ ng lớ n. Khi xét hiệ n tư ợ ng truyề n khố i lư ợ ng trong trạ ng thái khí, chúng
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
40
ta cầ n biế t quãng đư ờ ng mà các phân tử vư ợ t qua giữ a các lầ n va chạ m. Sự
va chạ m là ngẫ u nhiên, cho nên “quãng đư ờ ng” ấ y cũ ng có nhữ ng giá trị rấ t
khác nhau và mang tính thố ng kê. Để đánh giá đạ i lư ợ ng này, ngư ờ i ta đư a
vào đạ i lư ợ ng quãng đư ờ ng tự do trung bình (ì), gọ i tắ t là quãng đư ờ ng tự
do (QĐTD) mà phân t ử khí thự c hiệ n đư ợ c giữ a hai lầ n va chạ m li ên tiế p.
Để dễ tính toán, trư ớ c hế t, cho rằ ng tấ t cả các phân tử đứ ng y ên, ngoạ i trừ
phân tử đang xem xét. Giả sử phân tử này có tố c độ trung bình là
av
v , thì
sau khoả ng thờ i gian dt nó sẽ đi đư ợ c quãng đư ờ ng
av
v dt. Cũ ng cho rằ ng
các phân tử có cùng mộ t đư ờ ng kính d , khi đó phân tử chuyể n độ ng sẽ va
chạ m vớ i tấ t cả các phân tử trong tiế t diệ n
2
d t trên quãng đư ờ ng
(hình 2.2). Thể tích khí mà trong đó có chứ a các va chạ m l à
2
av
d v dt t .
Trong thể tích này có
2
av
d nv dt t phân tử . Phân tử chuyể n độ ng sẽ va chạ m
vớ i tấ t cả số phân tử này. Cho rằ ng số va chạ m này chia tổ ng quãng đư ờ ng
av (v dt) mà phân tử đi qua ra các khoả ng cách bằ ng nhau, mỗ i khoả ng cách
đó đư ợ c gọ i là QĐTD (trung bình) củ a phân tử , bằ ng:
av
2 2
av
v
dt
1
.
d n d nv dt
ì = =
t t
Nế u tính đế n sự chuyể n độ ng củ a tấ t cả các phân tử trong thể tích tr ên, thì
vậ n tố c tư ơ ng đố i củ a các phân tử (theo thuyế t độ ng họ c) có giá trị là
av
v 2 , do đó, mộ t cách chính xác hơ n, chúng ta có:
2
1
.
2 d n
ì =
t
(2.19)
Hình 2.2. Diệ n tích xả y ra va chạ m bằ ng
2
. . t d
av
v dt.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 41
Biể u thứ c trên cho thấ y, quãng đư ờ ng tự do phụ thuộ c vào kích thư ớ c củ a
phân tử và số phân tử trong đơ n vị thể tích. Tuy trong biể u thứ c không
chứ a áp suấ t và nhiệ t độ , như ng quãng đư ờ ng tự do phụ thuộ c rấ t mạ nh vào
áp suấ t và nhiệ t độ - các đạ i lư ợ ng nằ m trong biể u thứ c tính . n
Trên thự c tế , ngư ờ i ta tính QĐTD từ việ c xác định độ nhớ t củ a chấ t khí. Giá
trị QĐTD và độ nhớ t củ a chấ t khí có ý nghĩa thự c tiễ n trong việ c xác định
phân bố hơ i ở vùng gầ n nguồ n bố c bay. Trong kỹ thuậ t chân không v à màng
mỏ ng chúng còn đóng nhiề u vai trò quan trọ ng khác. QĐTD phụ thuộ c vào
áp suấ t củ a mộ t số chấ t khí đư ợ c trình bày trên hình 2. 3.
Bây giờ cho rằ ng trong mộ t chấ t khí có tạ p chấ t khí khác về kích th ư ớ c, vớ i
mậ t độ xác định
2
n rấ t thấ p so vớ i
1
n (
1
n là mậ t độ chấ t khí chủ ). Khi đó có
thể coi tố c độ tư ơ ng đố i
rel
v củ a khí tạ p (2) đố i vớ i khí chủ (1) l à:
(2.20)
Chúng va chạ m trên tiế t diệ n
2
21
d t vớ i
2 1
21
2
d d
,
d
+
= (2.21)
do đó, QĐTD củ a khí tạ p
2
i trong hệ khí đư ợ c tính bằ ng công thứ c:
2
1av
2
2
2
21 2av
d
1 v 1
.
v
i
t
+
= (2.22)
Ứ ng dụ ng. Tính quãng đư ờ ng tự do trong khí nit ơ dư ớ i áp suấ t khí quyể n tạ i
nhiệ t độ phòng.
Mậ t độ củ a các phân tử khí nit ơ theo thuyế t độ ng họ c chấ t khí lý
tư ở ng là:
. ) . )
2 2
rel 2av 1av
v v v . = +
5
25 3
23
1, 01 10 Pa
n 2, 46 10 m .
1, 38 10 J / K 298K
÷
÷
×
= = ×
× ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
42
Vì đư ờ ng kính củ a phân tử khí nit ơ là 0,375 nm = 3,75 x 10
-
10
m, quãng
đư ờ ng tự do là:

2.5. Mộ t số tính chấ t
2.5.1. Nhiệ t dung củ a hệ khí hai nguyên tử
Theo thuyế t độ ng họ c áp dụ ng cho hệ khí đơ n nguyên tử thì nhiệ t dung tạ i
áp suấ t cố định củ a mộ t hệ khí là 2 / 5R . Nhiệ t dung củ a chấ t khí mà
nó gồ m các phân tử cấ u tạ o từ hai hay ba nguy ên tử có giá trị lớ n hơ n. Trư ớ c
hế t chúng ta xem xét hệ khí nguyên tử đơ n.
Vì độ ng năng trung bình củ a mộ t nguyên tử là , 2 / 3kT độ ng năng trung
bình củ a mộ t phân tử gam (mol) sẽ l à:
av
3RT
.
E
2
= (2.23)
p
(c )
Hình 2.3. Quãng đư ờ ng tự do phụ thuộ c vào
áp suấ t khí hê-li và hơ i nư ớ c
. )
9
2
10 2 25 3
1
65 10 m 65nm
2 3, 75 (10 ) 2, 46 10 m
÷
÷ ÷
ì = = × =
t× × × ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 43
Đây cũ ng chính là nộ i năng trung bình củ a mộ t mol. Nhiệ t dung đẳ ng áp
suấ t đư ợ c xác định bở i:
(2.24)
Sử dụ ng định luậ t thứ nhấ t trong nhiệ t -độ ng họ c (dU Q dW, = o ÷ trong
đó dU là giá trị thay đổ i nộ i năng trên mộ t mol và Q o là nhiệ t lư ợ ng) và
cho rằ ng
av
E U = chỉ khi PV (công sinh ra) bằ ng dW , chúng ta có:
p
p p
U P V 3R 5R
.
c R
T T 2 2
c c
= + = + =
c c
(2.25)
Tùy thuộ c vào nhiệ t độ , nhiệ t dung c
p
củ a mộ t khí nguyên t ử kép, thí
dụ H
2
có giá trị lớ n hơ n từ 1,5 đế n 2 lầ n giá trị trong công thứ c (2.25) .
Nguyên nhân chính là do phân t ử (cấ u tạ o từ 2 nguyên tử ) có bậ c tự do khác
nguyên tử đơ n. Các nguyên tử dao độ ng dọ c theo trụ c củ a phân tử v à có thể
quay quanh hai trụ c khác.Ngoài ra, điệ n tử cũ ng có đóng góp nhấ t định trong
nhiệ t dung củ a hệ khí này, tuy nhiên đóng góp đó vào nộ i năng thì không
đáng kể , nhấ t là đố i vớ i hệ khí có nhiệ t độ cao hoặ c trong từ tr ư ờ ng lớ n, khi
mà đóng góp củ a phân tử khí càng trở nên quyế t định.
Nguyên lý bả o toàn năng lư ợ ng cho thấ y mỗ i bậ c tự do đóng góp v ào U mộ t
độ ng năng trung bình là RT/2. Vì thế ở hệ có ba bậ c tự do (thuộ c chuyể n
độ ng tịnh tiế n) sẽ đóng góp 3RT/2, hai bậ c tự do (chuyể n độ ng quay) khác
đóng góp thêm RT, vì thế đố i vớ i hệ nguyên tử kép chúng ta có nhiệ t dung
riêng bằ ng 5RT/2. Còn mộ t bậ c tự do dao độ ng trong hệ khí hai nguy ên tử
đóng góp làm thay đổ i giá trị E
av
.
Điề u này là do dao độ ng đồ ng thờ i chứ a cả thế năng và độ ng năng, mà khi
nhiệ t độ tăng, phầ n đóng góp củ a độ ng năng tăng nhanh.Giá trị đóng góp
này nằ m trong khoả ng từ 0 đế n RT , ứ ng vớ i nhiệ t độ từ thấ p đế n cao.
Tóm lạ i,
av
E củ a mộ t hệ khí nguyên tử kép thay đổ i theo nhiệ t độ từ
5RT/2 tạ i nhiệ t độ thấ p đế n 7RT/2 tạ i nhiệ t độ cao. Từ đó nhiệ t dung ri êng
p
p
Q
.
c
T
o
÷
o
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
44
củ a hệ khí này thay đổ i từ 7R/2 (tứ c
1 1
29,100J.mol .K
÷ ÷
) đế n 9R/2 (tứ c
1 1
37, 415J.mol .K
÷ ÷
) tùy theo vùng nhiệ t độ . Các giá trị này đư ợ c tính cho mộ t
hệ khí lý tư ở ng, tuy nhiên trên thự c tế đố i vớ i mộ t hệ khí thự c chúng ta cũ ng
nhậ n đư ợ c giá trị tư ơ ng tự . Thí dụ , thự c nghiệ m đo nhiệ t dung ri êng củ a khí
H
2
đã cho kế t quả là tạ i nhiệ t độ phòng nhiệ t dung riêng có giá trị bằ ng
1 1
28, 836J.mol .K ,
÷ ÷
tạ i 3000 K - bằ ng
1 1
37, 086J.mol .K .
÷ ÷
2.5.2. Khuế ch tán
Để xem xét tính chấ t khuế ch tán củ a mộ t hệ khí, t ư ở ng tư ợ ng rằ ng chúng ta
đư a vào mộ t chấ t khí đang xem xét (khí chủ ) mộ t loạ i phân tử (hạ t) m à khố i
lư ợ ng và kích thư ớ c củ a chúng hoàn toàn giố ng như củ a khí chủ . Vì có
gradient nồ ng độ , cho nên sẽ xả y ra sự chuyể n dịch củ a phân tử khí (khí tạ p)
đư a vào trong hệ khí chủ . Theo quan điể m củ a thuyế t độ ng họ c chấ t khí, quá
trình dịch chuyể n củ a các phân tử khí có c ùng khố i lư ợ ng và kích thư ớ c vớ i
phân tử khí chủ (về thự c chấ t chúng cũ ng l à phân tử khí chủ ) đư ợ c gọ i là
quá trình tự khuế ch tán. Độ lớ n củ a dòng khuế ch tán ) ( j rõ ràng là tỷ lệ
thuậ n vớ i gradient nồ ng độ , do đó có thể viế t:
. )
i
j D n = ÷ V

(2.26)
trong đó D là hệ số tự khuế ch tán,
i
n - nồ ng độ phân tử khuế ch tán. Để đơ n
giả n, khi xác định D chúng ta xét hiệ n t ư ợ ng khuế ch tán theo tọ a độ mộ t
chiề u. Trư ớ c hế t, tính sự dịch chuyể n củ a các phân tử khuế ch tán dọ c mặ t
phẳ ng y như trên hình 2.4.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 45
Có thể thấ y, số va chạ m trên thiế t diệ n y từ phía trái là . )
t av
n y v / 4 . Số va
chạ m trên thiế t diệ n dy y + từ phía phả i là . )
t av
n y dy v / 4 + , vì thế dòng
khuế ch tán tổ ng hợ p đi qua lớ p có bề dày dy sẽ là:
. ) . ) . ) | ¦ y n dy y n n
t t y
÷ + ÷ . 4 / . Cho rằ ng nồ ng độ củ a phân tử khuế ch tán
trong phạ m vi không gian mà kích thư ớ c củ a nó nhỏ hơ n QĐTD là đạ i lư ợ ng
không thay đổ i. Biể u thứ c toán họ c mô tả điề u n ày là i << dy .Do đó, sự
thay đổ i nồ ng độ . ) . ) y n dy y n
t t
÷ + không nên hiể u là . )dy dy dn
t
/ , mà
đúng hơ n cầ n hiể u là . )i dy dn
t
/ . Như vậ y, chúng ta sẽ có
. ). )i v dy dn j
t av y
/ 4 / ÷ = .Từ đó:
(2.27)
Đố i vớ i mộ t hệ khí loãng - trư ờ ng hợ p thư ờ ng gặ p trên thự c tế củ a kỹ thuậ t
chân không, thì:
av
2
v
,
D
4
ì
= (2.28)
hay mộ t cách chính xác hơ n:
. )
1
3
2
2
kT/ m
3
.
D
2d n 4 2
t
t
=
Hình 2.4. Dòng phân tử khuế ch tán trong lớ p giữ a y và dy y +
. )
1
3
2
av
2
kT/ m
v
.
D
4
2d n
t
ì
= =
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
46
2.5.3. Độ nhớ t
Nế u như chúng ta có dòng khí chả y qua mộ t bình ố ng hẹ p (do bị hút chân
không) thì thành bình là tác nhân ả nh hư ở ng đế n tố c độ chuyể n độ ng củ a
chấ t khí. Dễ nhậ n thấ y rằ ng, lớ p khí sát vớ i th ành bình chuyể n độ ng chậ m
nhấ t, tiế p theo là tố c độ củ a các lớ p bên cạ nh cũ ng bị giả m. Phân tử ở chính
giữ a ố ng có tố c độ lớ n nhấ t. Hình 2.5 mô tả hiệ n tư ợ ng này.
Do chuyể n độ ng như trên, trong bình xuấ t hiệ n gradient tố c độ , cho nên xuấ t
hiệ n lự c tác độ ng lên hư ớ ng chuyể n độ ng củ a dòng khí (thành phầ n vuông
góc). Lự c này tính trên đơ n vị diệ n tích (giố ng như áp suấ t) xuấ t hiệ n là do
sự trao đổ i xung lư ợ ng và đư ợ c truyề n đi do va chạ m củ a các phân tử khí từ
các lớ p khí lân cậ n. Nế u kí hiệ u lự c này là
tg
F , chúng ta sẽ có:
tg
dv
,
F
dx
= n (2.29)
trong đó n là hệ số nhớ t hay là độ nhớ t củ a chấ t khí. Nó đặ c trư ng tính chấ t
ma sát nộ i củ a khí chuyể n độ ng. n là đạ i lư ợ ng đặ c trư ng cho từ ng chấ t khí, đơ n
vị củ a nó là P (poise).
1P là độ nhớ t có đư ợ c ứ ng vớ i trư ờ ng hợ p gradient tố c độ khí
1 1
1cm.s cm
÷ ÷
sinh ra mộ t lự c vuông góc
2
1din.cm
÷
.
Đơ n vị này là rấ t lớ n, trên thự c tế độ nhớ t củ a các chấ t khí chỉ vào
khoả ng
4
10 P.
÷
Để tính độ nhớ t chúng ta cầ n xem xét đạ i l ư ợ ng đặ c trư ng tố c độ truyề n
xung lư ợ ng theo hư ớ ng chả y củ a dòng khí, xuyên qua l ớ p y (hình 2.5). Tố c
độ truyề n xung lư ợ ng qua tiế t diệ n y từ phía trái chính l à tầ n suấ t va chạ m
nhân vớ i xung lư ợ ng củ a phân tử , nghĩa l à bằ ng . ) . )
av
nv / 4 mu y . Tư ơ ng tự ,
tố c độ truyề n xung l ư ợ ng qua thiế t diệ n dy y + từ phía phả i là
. ) . )
av
nv / 4 mu y dy + . Do đó, tố c độ tổ ng hợ p truyề n xung l ư ợ ng (chính là
tg
F ) sẽ bằ ng hiệ u số củ a hai tố c độ này:
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 47
. ) . ) | ¦
tg
av
4
nv
F m u y dy u y . = + ÷
Cũ ng sử dụ ng khái niệ m về hiệ u số củ a hai tố c độ trong t ư ơ ng quan vớ i
QĐTD giố ng như trư ờ ng hợ p xét quá trình khuế ch tán ở trên, chúng ta có:
do đó:
Vì thế :
. )
1/2
3
2
2
mKT/
.
d
t
n = (2.30)
Vì QĐTD tỷ lệ nghịch vớ i nồ ng độ , cho nên độ nhớ t không còn phụ thuộ c
vào cả nồ ng độ và áp suấ t. Kế t quả tính toán này đã đư ợ c thự c nghiệ m kiể m
chứ ng là hoàn toàn đúng, tuy nhiên khi tính t oán chúng ta đã bỏ qua hệ số
5t/8, do đó công thứ c cuố i cùng cầ n hiệ u chỉnh là:
. )
1/2
3
2
mKT/
5
8
2d
t
t
n = × .
Ứ ng dụ ng. Tính độ nhớ t củ a khí nitơ tạ i nhiệ t độ phòng.
Hình 2.5. Mô tả chuyể n độ ng củ a khí trong
ố ng dài để tính độ nhớ t.
. ) . ) . ) u y d y u y d u / d y , ] + ÷ = ì
]
. )
1/2
3
av
2
tg
mkT/
n m du du
.
F
4 dy dy 2d
t
v ì
= × = ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
48
Coi nhiệ t độ bằ ng 298 K, áp dụ ng công thứ c trên, chúng ta có:
. )
. )
. )
27 23
2
5 4
28 1, 66 10 kg 1, 38 10 J / K 298K
5
8
2 0, 375nm
1, 73 10 kg / m.s 1, 73 10 poise(P).
÷ ÷
÷ ÷
]
× × × × ×
t
]
n = ×
×
= × = ×

Trong biể u thứ c (2.30) không có áp suấ t và chỉ có T là thay đổ i. Nghĩa là, độ
nhớ t củ a chấ t khí không phụ thuộ c vào áp suấ t và tăng khi nhiệ t độ tăng.
Từ thự c nghiệ m đo đạ c các đạ i l ư ợ ng vĩ mô khác, độ nhớ t hoàn toàn có thể
xác định đư ợ c, do đó đư ờ ng kính hiệ u dụ ng củ a các phân tử khí cũ ng đư ợ c
xác định.. Giá trị d củ a các chấ t khí ti êu biể u đư ợ c liệ t kê trong Bả ng 2.1.
Bả ng 2.1. Đư ờ ng kính hiệ u dụ ng củ a các phân tử khí.
Phân tử ,
nguyên tử
Đư ờ ng kính (nm)
He
H
2
O
2
Ar
Không khí
N
2
CO
2
H
2
O
0,218
0,274
0,361
0,364
0,372
0,375
0,459
0,460
Đư ờ ng kính hiệ u dụ ng củ a các phân tử khí cũ ng nằ m trong khoả ng kích
thư ớ c đư ờ ng kính củ a các nguyên tử . Chúng có giá trị phổ biế n từ 0,2 đế n
0,5 nm (Bả ng 2).
Bả ng 2. Kích thư ớ c củ a mộ t số nguyên tử phổ biế n.
Nguyên tố
Đư ờ ng kính
nguyên tử (nm)
Nguyên tố
Đư ờ ng kính
nguyên tử (nm)
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 49
Na
Mg
Al
Si
P
S
Ca
Ti
V
Cr
Mn
Fe
Co
Ni
Cu
Zn
Ga
Ge
As
Se
Br
Sr
Ru
Rh
Pd
Ag
0,372
0,320
0,285
0,232
0,216
0,211
0,392
0,296
0,268
0,252
0,254
0,252
0,252
0,248
0,254
0,271
0,270
0,276
0,241
0,229
0,234
0,421
0,264
0,269
0,274
0,285
Te
I
Xe
Cs
Ba
La
Ce
Pr
Nd
Eu
Gd
Tb
Ho
Er
Yb
Lu
Ta
W
Pt
Au
Hg
Bi
Cd
In
Sn
Ru
0,279
0,271
0,426
0,525
0,442
0,375
0,365
0,363
0,361
0,408
0,348
0,354
0,351
0,350
0,387
0,343
0,289
0,276
0,275
0,288
0,305
0,378
0,300
0,308
0,312
0,264
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
50
2.5.4. Độ dẫ n nhiệ t
Việ c tính toán độ dẫ n nhiệ t có thể thự c hiệ n ho àn toàn tư ơ ng tự vớ i việ c tính
độ nhớ t. Dòng nhiệ t (
h
j ) tỷ lệ thuậ n vớ i gradient nhiệ t độ :
h
j k ' T = ÷ V

, (2.31)
trong đó
'
k là hệ số dẫ n nhiệ t hay là độ dẫ n nhiệ t. Dòng nhiệ t truyề n qua
mộ t thiế t diệ n đư ợ c hiể u là tích củ a tầ n suấ t va chạ m vớ i năng l ư ợ ng củ a
phân tử . Trong tọ a độ mộ t chiề u, tố c độ truyề n năng l ư ợ ng qua mặ t vuông
góc vớ i gradient nhiệ t độ l à:
| ¦ . )
. ) . )
r r l l p 0 r l
p 0
3
j z E z E z(c / N ). . T T
5
3
z c / N . . dT/ dy ,
5
= ÷ ÷ ~ ÷ ÷
= ÷ ì
trong đó các ký hiệ u “r ” và “ l ” tư ơ ng ứ ng vớ i phía “phả i” và “trái” củ a
năng lư ợ ng và nhiệ t độ so vớ i mặ t phẳ ng kể tr ên.
Vì thế độ dẫ n nhiệ t bằ ng:
3
3 2
0
p
c
3 k T 3
.
k' z
m
5 N 4d
= × × ì = ×
t
(2.32)
Kế t quả này đúng cho hệ khí nguyên tử đơ n. Hệ khí hai nguyên tử hoặ c
nhiề u nguyên tử có nhiệ t dung riêng lớ n hơ n, cho nên độ dẫ n nhiệ t cũ ng lớ n
hơ n. Trong trư ờ ng hợ p này, chúng ta cầ n bổ sung thêm hệ số 25t/16 vào vế
phả i củ a (2.32), nghĩa là:
Ứ ng dụ ng. Tính độ dẫ n nhiệ t củ a không khí tạ i nhiệ t độ phòng.
Không khí là mộ t hệ khí gồ m nhiề u nguyên tử và phân tử . Tuy nhiên, nitơ
trong không khí chiế m trên 70%, cho nên mộ t cách gầ n đúng, chúng ta áp
dụ ng công thứ c tính độ dẫ n nhiệ t cho hệ đa nguy ên tử , trong đó kích thư ớ c
3
3 2
25 k T 3
.
k '
16 m 4d
= × ×
t
t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 51
trung bình củ a các phân tử đư ợ c lấ y giá trị (d = 0,372 nm), gầ n bằ ng kích
thư ớ c củ a phân tử khí nit ơ (d = 0,375 nm). Chúng ta có:
. )
. )
3
3 2
1/ 2
23
2 3 27
2 1 1
25 k T 3
.
k'
16
m 4d
1, 38x10 J / K
25 3
16
x28x1, 66x10 kg
4x 0, 372nm
1, 9 10 W.m K .
÷
÷
÷ ÷ ÷
= ×
~ × ×
~ ×
t
t
t
t

2.6. Dòng khí
2.6.1. Chế độ dòng khí
Dòng khí chả y qua ố ng tròn hình trụ (gọ i tắ t là ố ng) hoặ c lỗ hổ ng (chiề u dày
củ a lỗ hổ ng đư ợ c bỏ qua) thay đổ i theo kích t hư ớ c tư ơ ng đố i củ a cấ u trúc
ố ng so vớ i quãng đư ờ ng tự do và tố c độ dòng khí. Đạ i lư ợ ng đặ c trư ng cho
chế độ dòng khí là hệ số Knudsen. Hệ số này là tỷ số giữ a quãng đư ờ ng tự
do và đư ờ ng kính ) (l củ a dòng khí (kích thư ớ c này quyế t định bở i cấ u
trúc củ a ố ng, nó bằ ng đư ờ ng kính trong củ a ố ng).
n
K
l
ì
÷ . (2.33)
Chúng ta phân biệ t hai trư ờ ng hợ p chính củ a chế độ dòng:
- , 1 ..
v
K đây là trư ờ ng hợ p áp suấ t khí còn tư ơ ng đố i cao (nghĩa
là chân không còn thấ p), cho nên quãng đư ờ ng tự do nhỏ , tố c độ
củ a dòng khí cũ ng nhỏ . Chuyể n độ ng củ a dòng khí ứ ng vớ i chế độ
dòng nhớ t. Lúc này va chạ m giữ a các phân tử khí quyế t định độ
lớ n củ a dòng.
- , 1
v
K đây là trư ờ ng hợ p chân không cao, cho nên quang
đư ờ ng tự do lớ n hơ n rấ t nhiề u kích thư ớ c củ a chuông chân không.
Trư ờ ng hợ p này gọ i là chế độ dòng phân tử hay còn gọ i là chế
độ Knudsen. Lúc này va chạ m giữ a các phân tử hầ u nh ư không
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
52
còn nữ a, dòng khí bị kiể m soát bở i va chạ m củ a phân tử khí vớ i
thành bình.
2.6.2. Dòng khí trong chế độ nhớ t
Xét trư ờ ng hợ p dòng khí chả y qua mộ t ố ng dài, cấ u trúc mặ t cắ t đư ợ c mô tả
trên hình 2.6. Tố c độ dòng khí u (r) là hàm củ a mộ t biế n số ) (r - khoả ng
cách tính từ tâm củ a ố ng. Tố c độ này rõ ràng lớ n nhấ t là ở tâm và giả m dầ n
đế n 0 ở thành ố ng ). ( a r = Giả sử , có mộ t thể tích khí hình đĩa (do dòng khí
chả y tạ o ra) vớ i bề dày rấ t nhỏ . dz Trong điề u kiệ n cân bằ ng độ ng, lự c tổ ng
hợ p tác dụ ng lên đĩa này sẽ bằ ng 0. Đĩa chuyể n độ ng hư ớ ng về phía nơ i có
áp suấ t thấ p hơ n (chuyể n độ ng củ a khí là do chênh lệ ch áp suấ t giữ a hai đầ u
củ a ố ng).
Lự c do chênh lệ ch áp suấ t gây nên có độ lớ n:
2
d P
.r d z.
d z
t ×
Tác độ ng ngư ợ c chiề u vớ i lự c trên là lự c ma sát củ a chấ t khí vớ i độ nhớ t n
có độ lớ n là:
Hình 2.6. Minh họ a dòng đa lớ p để diễ n giả i công
thứ c Poisseuille trong trư ờ ng hợ p ố ng dài
đư ờ ng kính a
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 53
du
. .
2 .rdz.
dr
n t
Ở trạ ng thái cân bằ ng, chúng ta có:
. ) . )
2
. du / dr 2 .rdz .r dP/ dz dz 0, n t + t =
do đó:
Vì phân bố tố c độ u trong ố ng có dạ ng parabôn, cho nên hàm u phụ thuộ c
r cầ n phả i thỏ a mãn điề u kiệ n biên:
Như vậ y, dòng tổ ng (J) củ a các phân tử tr ên mộ t giây sẽ là:
. )
. )
a a
2 2
0 0
4 4
n dP
J nu r 2 .rdr a r rdr
2 dz
n a dP a dP
P
8 dz 8 kT dz
t
t
n
t t
n n
= = × ÷
¦ ¦
= × = × ×
(2.34
Vì J không phụ thuộ c vào tọ a độ z , cho nên nế u như ố ng có độ dài L và
chênh lệ ch áp suấ t giữ a hai đầ u ố ng l à nhỏ thì chúng ta có thể lấ y gầ n
đúng như sau:
av
P dP
P P
dz
L
|
A
= ×
|
' ¹
Khi đó:
4
av
.a
P
.
J P
L 8 kT
t
A
= × ×
n
(2.35)
Biể u thứ c (2.35) chính là công thứ c Poiseuille, nó mô tả độ lớ n củ a d òng khí
chả y qua ố ng dài ở chế độ dòng nhớ t.
. ) . )
2 2
dP
.
u r a r / 4
dz
]
= ÷ n ×
]
. )
dP
.
du / dr r / 2
dz
n = ÷ ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
54
2.6.3. Dòng khí trong chế độ Knudsen - Dòng phân tử
Như đã nêu ở trên, chế độ dòng phân tử (hay dòng Knudsen) xả y ra khi
. 1
a
K Do lư ợ ng khí còn lạ i trong ố ng là rấ t ít, các phân tử còn lạ i hầ u như
không va chạ m nhau. Chúng chỉ còn va chạ m vớ i thành ố ng. Trong va chạ m
này phân tử khí có thể “nghỉ” trên bề mặ t củ a thành ố ng vớ i mộ t khoả ng thờ i
gian nhấ t định. Khi chúng tái phát xạ (bị “kéo” ra khỏ i thành ố ng) sẽ có
phân bố xác suấ t theo hư ớ ng chuyể n độ ng mớ i củ a chúng tuân theo phân bố
cosin. Vì vậ y, sự va chạ m vớ i thành ố ng giố ng hiệ n tư ợ ng khuế ch tán hơ n là
va chạ m đàn hồ i giữ a các phân tử .
Để thiế t lậ p biể u thứ c cho dòng khí trong chế độ Knudsen, chúng ta cầ n
phân tích dòng tổ ng hợ p chả y qua tiế t diệ n củ a ố ng (như mô tả trên hình 2.7).
Trong trư ờ ng hợ p trên, chúng ta có gradient mậ t độ dòng khí theo hư ớ ng tọ a
độ y. Dòng tái phát xạ củ a phân tử khí đi qua mộ t diệ n tích nhỏ
,
dA trên
tiế t diệ n cầ n đư ợ c tính đố i vớ i các diệ n tích dA từ hai phía củ a tiế t diệ n.
Chúng ta không diễ n giả i cách tính toán khá phứ c tạ p n ày mà chỉ viế t ra kế t
quả cuố i cùng:
. ) . )
2
av
J .a 2v a / 3 dn / dy . = ÷ × × t
Cũ ng coi d n / d y n / L , = A khi đó dòng tổ ng hợ p là:
2
8 z.a
,
J .a
3L
t
A
= ÷ × (2.36)
trong đó z A là chênh lệ ch tầ n suấ t va chạ m ở hai đầ u ố ng.
Hình 2.7. Dòng phân tử trong ố ng dài bán kính bằ ng a.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 55
Đố i vớ i dòng khí chả y qua lỗ hổ ng ở chế độ Knudsen, việ c tính toán trở n ên
đơ n giả n. Lúc này, dòng khí J chính bằ ng tích củ a độ chênh lệ ch tầ n suấ t vớ i
diệ n tích A củ a thiế t diệ n ố ng:
. )
1/2
J A. z A 2 mkT P .
÷
= A = t A (2.37)
Biể u thứ c này chính là phư ơ ng trình Hertz-Knudsen.
2.6.4. Độ dẫ n củ a cấ u trúc dẫ n khí
Các vậ t dùng để chứ a và dẫ n khí bây giờ gọ i ngắ n gọ n l à cấ u trúc dẫ n khí.
Độ dẫ n khí củ a mộ t cấ u trúc đư ợ c định nghĩa là tỷ số củ a dòng tổ ng đi qua
thiế t diệ n và độ chênh lệ ch áp suấ t giữ a hai đầ u củ a cấ u trúc đó:
J
.
C
p
=
A
Giố ng như định luậ t trong điệ n độ ng họ c, ở đây áp suấ t đóng vai tr ò như
hiệ u điệ n thế , dòng khí giố ng như dòng điệ n, còn độ dẫ n khí đóng vai trò độ
dẫ n điệ n.
Về ý nghĩa vậ t lý, độ dẫ n khí có thể hiể u l à dòng tổ ng đi qua mộ t cấ u trúc
chia cho độ chênh lệ ch mậ t độ khí mà độ chênh lệ ch này do dòng khí tạ o
nên. Chúng ta có hai trư ờ ng hợ p:
- Đố i vớ i dòng nhớ t trong ố ng dài, độ dẫ n
v,tub
C đư ợ c xác định từ
phư ơ ng trình Poisseuille và bằ ng:
4
av
v,tube
.
n
C
a kT
8 L
=
t
×
n
(2.38)
Biể u thứ c này cho thấ y, độ dẫ n trong dòng nhớ t tăng không giớ i hạ n, mộ t
khi mậ t độ khí trung bình trong ố ng tăng. Về ý nghĩa vậ t lý trong thự c tiễ n
mà nói, thì độ dẫ n cũ ng không thể vư ợ t quá mộ t giá trị tớ i hạ n nhấ t định, đó
là giá trị củ a độ dẫ n qua lỗ hổ ng vớ i c ùng mộ t tiế t diệ n ta
2
trong chế độ
dòng nhớ t. Giá trị ấ y đư ợ c biể u thị bở i phư ơ ng trình sau:
1/ 2
1/ 2 1/ 2
l o l o 4
hi hi
1 /
v,orif
P P
2 kT
C .a 1
1 m P P
|
|
' ¹
¸ ÷ ¸
]
|
| ¸ |
]
= t × × × ÷ |
| |
| ]
¸ ÷
' ¹ ' ¹
' ¹
]
]
(2.39)
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
56
trong đó ¸ là hệ số phụ thuộ c cấ u trúc lỗ hổ ng,
lo
P và
hi
P tư ơ ng ứ ng là áp
suấ t thấ p và áp suấ t cao ở hai mặ t bên củ a lỗ hổ ng.
- Trong chế độ Knudsen, công thứ c tính độ dẫ n củ a cấ u trúc h ình ố ng
có độ dài L như sau:
3
4 av av
v,tube
2 a 2 a
.
C a
3L 3L
v t v
= t × = (2.40)
và công thứ c tính độ dẫ n củ a cấ u trúc lỗ hổ ng trong chế độ phân tử l à:
av
v,oriff
A.v
.
C
4
= (2.41)
Ứ ng dụ ng. So sánh độ dẫ n củ a lỗ hổ ng và củ a ố ng trong chế độ dòng phân
tử tạ i nhiệ t độ phòng. Bán kính củ a cả hai đề u là 0,5 cm, chiề u dài củ a ố ng
là 10 cm. Cho rằ ng, chấ t khí chủ yế u là nitơ .
Tố c độ trung bình củ a phân tử khí nit ơ là 475m/s. Do vậ y độ dẫ n củ a lỗ
hổ ng là:
và độ dẫ n củ a ố ng là:
Như vậ y, độ dẫ n củ a ố ng nhỏ hơ n đáng kể so vớ i độ dẫ n củ a lỗ hổ ng có
cùng bán kính.

Câu hỏ i kiể m tra đánh giá
1. Diễ n giả i cách nhậ n công thứ c tính tầ n suấ t va chạ m (z) và quãng
đư ờ ng tự do (ì), nêu mố i quan hệ giữ a chúng liên quan đế n bậ c
chân không?
2. Các tính chấ t cơ bả n củ a chấ t khí khi ở áp suấ t thấ p?
3. Dòng phân tử lag gì, ứ ng dụ ng dòng phân tử trong kỹ thuậ t chân
không cao?
. )
. ) 2
3 3
m,orif
475m/s
C 0, 5cm 9, 32 10 m / s 9, 32l/s .
4
÷
= t × × = × =
. ) . )
2
m, tub
0, 5cm 2 475m/s 0, 5cm
C 1, 24l/s.
3 10cm
t × × × ×
= =
×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 57
Chư ơ ng 3
Hấ p phụ và ngư ng tụ
Trong lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý có hai nhân tố đóng vai tr ò chủ chố t là hơ i và
khí. Thậ t vậ y, như đã biế t việ c đầ u tiên khi thự c hiệ n công nghệ lắ ng đọ ng l à
phả i tạ o ra nguồ n cung cấ p pha hơ i từ vậ t liệ u gố c (tứ c l à vậ t liệ u ban đầ u,
có thể là dây hay viên kim loạ i, bộ t ôxyt, viên gố m, bia phún xạ ,…). Hơ i đó
sẽ ngư ng tụ trên bề mặ t đế . Trư ớ c hay trong quá trình ngư ng tụ , hấ p phụ
phân tử củ a chấ t khí còn lạ i trong chuông (gọ i l à khí dư ) có thể gây nhiễ m
bẩ n bề mặ t đế . Hấ p phụ trong trư ờ ng hợ p này là không mong muố n. Mặ t
khác, hấ p phụ tích cự c chính l à cơ chế mọ c màng củ a kỹ thuậ t lắ ng đọ ng pha
hơ i vậ t lý, ví dụ epitaxy lớ p nguyên tử . Hơ n nữ a, cả hấ p phụ và ngư ng tụ
đề u là các yế u tố quan trọ ng cầ n đư ợ c xem xét trong kỹ thuậ t chế tạ o các
bơ m chân không, nhấ t là bơ m chân không cao c ấ p.
Chúng ta cầ n phân biệ t hai trạ ng thái hơ i và khí, không ít ngư ờ i coi chúng là
mộ t. Thự c ra giữ a chúng có sự khác biệ t rấ t c ơ bả n và cố t yế u, đó là áp suấ t
củ a chúng. Áp suấ t củ a hơ i đư ợ c cố định tạ i giá trị củ a áp suấ t pha hơ i cân
bằ ng nhiệ t bở i sự hiệ n diệ n củ a pha ng ư ng tụ - mộ t trạ ng thái tồ n tạ i để pha
hơ i cân bằ ng. Thự c tế mà nói, chỉ có mộ t đạ i lư ợ ng độ c lậ p có khả năng thay
đổ i đố i vớ i hơ i là nhiệ t độ xuấ t xứ củ a nó. Còn áp suấ t củ a khí thì không cố
định, hơ i tồ n tạ i trong trạ ng thái cân bằ ng vớ i pha ng ư ng tụ , còn khí thì vẫ n
là khí.
Trên hình 3.1. là gi ả n đồ pha củ a các trạ ng thái, cho thấ y chế độ áp suấ t -
nhiệ t độ trong đó “các khí” và “các hơ i” tồ n tạ i. Do áp suấ t hơ i có đặ c trư ng
hoạ t tính nhiệ t, nhờ đó mà hình thành ra “ranh giớ i” củ a các trạ ng thái. Vì
thế , để mô tả liên hệ giữ a các trạ ng thái mộ t cách dễ d àng hơ n, chúng ta sử
dụ ng đồ thị Arrhenius. Như mộ t quy luậ t chung, áp suấ t củ a vậ t chấ t khi tồ n
tạ i ở dạ ng khí luôn nhỏ hơ n
e q P
, khi ở dạ ng hơ i thì bằ ng
e q P
.Ngoài ra còn
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
58
có trạ ng thái quá bão hòa củ a hơ i. Trong trạ ng thái này, áp suấ t hơ i lớ n hơ n
e q P
(áp suấ t cân bằ ng nhiệ t). Thí dụ , pha hơ i sinh ra từ bình thoát lý tư ở ng
(nguồ n hơ i) là mộ t trạ ng thái giả bề n đố i vớ i vậ t liệ u gố c trong b ình thoát
(quasiequilibrium) - mộ t trạ ng thái rấ t gầ n vớ i cân bằ ng.Thế nh ư ng, nó lạ i là
quá bão hòa so vớ i đế , nơ i có nhiệ t độ thấ p hơ n nhiệ t độ củ a bình thoát và là
nơ i sẽ xả y ra ngư ng tụ .
Mộ t kiể u cân bằ ng nhấ t định cũ ng tồ n tạ i đố i vớ i khí, đó l à trạ ng thái cân
bằ ng vớ i các phân tử hấ p phụ mà các phân tử này có thể che phủ đế n mộ t
lư ợ ng lớ n nhấ t trong lớ p đơ n trên bề mặ t vậ t rắ n. Ở đây có sự tư ơ ng ứ ng
“mộ t-trên-mộ t” giữ a áp suấ t khí và độ phủ mở rộ ng; mố i liên hệ tạ i nhiệ t độ
này gọ i là đẳ ng nhiệ t hấ p phụ .
Sự hình thành hơ i, nế u như nguồ n tạ o ra nó là pha lỏ ng, đư ợ c gọ i là bay hơ i,
nế u như nguồ n ấ y là chấ t rắ n (tinh thể ), thì gọ i là thăng hoa. Cả hai quá
trình đề u là sự hóa hơ i, còn quá trình ngư ợ c lạ i gọ i là ngư ng tụ (kể cả trư ờ ng
hợ p tinh thể hóa). Như vậ y, đố i vớ i khí, chúng ta gặ p mộ t trạ ng thái đặ c biệ t,
đó là trạ ng thái hấ p phụ khí - tổ hợ p củ a các phân tử bị hấ p phụ tr ên bề mặ t.
Trạ ng thái tồ n tạ i củ a vậ t chấ t này khác hẳ n ba trạ ng thái là rắ n, lỏ ng và khí.
Cho nên, có thể gọ i nó là trạ ng thái thứ năm củ a vậ t chấ t (plasma đ ư ợ c gọ i
là trạ ng thái thứ tư ). Các phân tử bị hấ p phụ gọ i là tắ t adatom, mà không gọ i
là admolecula.
Hình 3.1. Giả n đồ pha trong lý thuyế t đẳ ng nhiệ t Langmuir
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 59
3.1. Hấ p phụ khí
3.1.1.Vì sao khí hấ p phụ ?
Nói mộ t cách đơ n giả n, phân tử (hay nguyên tử ) khí hấ p phụ , bở i vì trên bề
mặ t vậ t rắ n có nhữ ng vị trí t ư ơ ng ứ ng vớ i hố thế năng để cho chúng “ở lạ i”
(xem đồ thị thế năng trên hình 3.2).
Trư ờ ng hợ p đơ n giả n nhấ t đư ợ c nêu ra trên hình này là hấ p phụ củ a phân tử
hai nguyên tử mà chúng không bị phân ly. Năng l ư ợ ng hấ p phụ
là độ sâu củ a hố thế năng so vớ i năng l ư ợ ng củ a phân tử ở khoả ng cách vô
hạ n tính từ bề mặ t. Đư ờ ng cong thế năng củ a
2
A khi nó tiệ m cậ n mặ t phẳ ng
cũ ng như đư ờ ng cong đố i vớ i A 2 đã nhậ n đư ợ c nhờ phép tích phân thế
Lennard-Jones. Nó đư ợ c diễ n giả i từ thế nguyên tử nộ i Lennard-Jones
“6-12” là:
Bằ ng cách tích phân bán vô hạ n theo thể tích củ a nguy ên tử ở dư ớ i bề mặ t,
hàm thế năng nhậ n đư ợ c có dạ ng như sau:
(3.1)
trong đó:
n là mậ t độ nguyên tử trong chấ t rắ n,
0
r là thông số chiề u dài (ví dụ , vị trí xả y ra cự c tiể u củ a đư ờ ng cong
thế năng tư ơ ng ứ ng vớ i 1,16
0
r ),
x là khoả ng cách từ bề mặ t và
d
E là độ sâu củ a cự c tiể u đó.
Nế u eV E
d
4 , 0 . (tư ơ ng đư ơ ng 10 kcal/mol) mà xả y ra hấ p phụ thì hấ p phụ
bao gồ m phân tử hai nguyên tử hay các nguyên tử đơ n đư ợ c gọ i là hấ p phụ
vậ t lý. Đó là năng lư ợ ng đặ c trư ng củ a liên kế t Van-de-Walls. Các chấ t khí
quý hiế m có thể hấ p phụ vậ t lý tr ên tấ t cả các bề mặ t. Bở i vì các chấ t khí này
không bao giờ bị phân ly. Còn đố i vớ i mộ t số phân tử , điề u kiệ n để mộ t phân
tử có thể hấ p phụ vậ t lý là khi hấ p phụ nó không bị phân ly.
Nế u eV E
d
0 , 1 hấ p phụ phân tử gọ i l à hấ p phụ hóa họ c. Đó l à năng lư ợ ng
đặ c trư ng củ a liên kế t hóa họ c mạ nh. Các đơ n nguyên tử ôxy hấ p phụ hóa
. ) . )
1 2 6
0 0 d
. 4 E r / x r / x
|
]
|
]
|
]
' ¹
÷
9 3
3 0 0
0 d
r r 1 1
,
E(x) 4 E nr
45 x 6 x
| |
= t × × ÷ ×
| |
' ¹ ' ¹
dA
2
E
( )
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
60
trên tấ t cả bề mặ t chấ t rắ n; enthalpy tr ên mộ t nguyên tử ôxy để hình thành
SiO
2
tinh thể vào khoả ng 4 eV.
Ôxy là mộ t trư ờ ng hợ p lý thú, bở i vì khí ôxy tồ n tạ i trư ớ c hế t như mộ t phân
tử hai nguyên tử , mà không phả i là các nguyên tử đơ n> Như ng ôxy hấ p phụ
thư ờ ng lạ i là nguyên tử đơ n lẻ và ứ ng vớ i hấ p phụ hóa họ c mạ nh. Chính
điề u này đã giả i thích vì sao trong tự nhiên, trên hầ u hế t các bề mặ t kim loạ i
(ví dụ Al, Cu, Fe,…) đề u hình thành mộ t lớ p ôxít mỏ ng, giố ng như kế t quả
củ a quá trình xử lý nhiệ t trong ôxy. Khi phân ly xả y ra đồ ng bộ vớ i hấ p phụ ,
làm thế nào để có thể dự ng giả n đồ thế năng cho mộ t phân tử ôxy tiệ m cậ n
vớ i bề mặ t? Như minh họ a trên hình 3.2, nế u hai monomer ôxy đư ợ c hình
thành trong pha khí bằ ng cách phân ly mộ t phân tử O
2
, thì chúng có thế năng
cao hơ n so vớ i thế năng củ a phân tử ấ y.
Sự chênh lệ ch về thế năng này đư ợ c ký hiệ u là D. Nế u chúng ta đư a phân tử
bị tách đôi vào sát bề mặ t (tứ c là mỗ i mộ t nguyên tử đã tách riêng, như ng
chúng tiệ m cậ n bề mặ t thì vẫ n giố ng như mộ t phân tử ), lúc ấ y thế năng củ a
chúng đư ợ c minh họ a giố ng như đư ờ ng cong 2A ở trên hình vẽ . Bị tách ra,
hai nguyên tử ôxy có thế năng trên bề mặ t thấ p hẳ n so vớ i O
2
hấ p phụ đơ n
(năng lư ợ ng đòi hỏ i để khử hấ p phụ monomer ri êng biệ t sẽ là )
dA
E .
a) b)
Hình 3.2. a) Sơ đồ minh họ a năng lư ợ ng hấ p phụ củ a các phân tử là
hai monomer và mộ t dimer
b) Hấ p phụ phân ly.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 61
Quá trình hấ p phụ đòi hỏ i sự tích tụ mộ t lư ợ ng nhiệ t nhấ t định – mộ t đạ i
lư ợ ng tư ơ ng ứ ng sự tổ n hao độ ng năng củ a phân tử khí hấ p phụ . V ì thế , các
phân tử hấ p phụ đư ợ c coi như bị “bẫ y” ở trong hố thế năng, phầ n độ ng năng
dư sẽ tiêu tán do dao độ ng củ a mạ ng tinh thể .
3.1.2. Thờ i gian lư u trú
Mộ t phân tử hấ p phụ sẽ “ở lạ i” trạ ng thái hấ p phụ bao lâu? Thờ i gian ở lạ i
đó đư ợ c gọ i là thờ i gian lư u trú. Để xác định khoả ng thờ i gian này, chúng ta
có thể tính ngư ợ c lạ i từ tố c độ khử hấ p phụ củ a chính phân tử đó:
. )
d
1
,
.exp E / kT
t =
¸ ÷
(3.2)
trong đó ¸ là tầ n số dao độ ng vuông góc vớ i bề mặ t, giá trị củ a nó trong hầ u
hế t các trư ờ ng hợ p khử hấ p phụ đề u vào khoả ng:
13
10 Hz. ~ ¸ (3.3)
Giá trị này có nguồ n gố c từ công thứ c h kT / đố i vớ i tầ n số củ a mộ t dao
dộ ng điề u hòa, h là hằ ng số Plank (tạ i nhiệ t độ ph òng
). 10 6 , 1 /
12
Hz h kT × = Hàm số mũ là hệ số Boltzmann, cho ta biế t xác suấ t
mà phân tử dao độ ng có đủ năng l ư ợ ng để thoát khỏ i hố thế năng mà nhờ đó
nó đã “lư u trú” trên bề mặ t.
Ứ ng dụ ng. Mộ t hạ t hấ p phụ vậ t lý tạ i nhiệ t độ phòng có năng lư ợ ng khử hấ p
phụ bằ ng 0,4 eV. Tính thờ i gian l ư u trú củ a hạ t ấ y.
Áp dụ ng công thứ c (3.2), ta có:
. )

13 5
1
0, 58 s.
10 Hz exp 0, 4eV/ 8, 62 10 eV/ K 298K
÷
t = = u
]
× ÷ × ×
]
Nế u năng lư ợ ng khử hấ p phụ bằ ng 1,2 eV sẽ cho ta thờ i gian l ư u trú tạ i
nhiệ t độ phòng cao đế n
7
1, 9 10 s. × t = Như ng tạ i 500 K đạ i lư ợ ng t giả m
xuố ng chỉ còn 0,12 giây! Do đó, đố i vớ i mộ t hệ chân không cao, nhấ t l à
chân không siêu cao thì chuông và các linh phụ kiệ n bên trong chuông cầ n
đư ợ c xử lý nhiệ t đế n mứ c có thể để khử hấ p phụ hoàn toàn.

Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
62
3.1.3. Đẳ ng nhiệ t hấ p phụ Langmuir
Mộ t bề mặ t chấ t rắ n tiế p xúc vớ i chấ t khí bấ t kỳ sẽ nhanh chóng bị phủ từ ng
phầ n bở i mộ t lớ p các phân tử khí hấ p phụ . Nế u áp suấ t nhỏ h ơ n
eq
P , thì sự
phủ ấ y ở trạ ng thái chư a kế t thúc, do đó không có pha nào cả rắ n hay lỏ ng
đư ợ c hình thành. Tuy nhiên, sự cân bằ ng giữ a pha khí và lớ p hấ p phụ đó vẫ n
đả m bả o. Điề u này đư ợ c mô tả bở i đư ờ ng đẳ ng nhiệ t hấ p phụ (phư ơ ng trình
đặ c trư ng cho lư ợ ng khí hấ p phụ như mộ t hàm phụ thuộ c vào áp suấ t tạ i
nhiệ t độ xác định).
Trong lý thuyế t nhiệ t độ ng họ c phân tử thì đẳ ng nhiệ t hấ p phụ Langmuir l à
mộ t trong các đư ờ ng đẳ ng nhiệ t cơ sở . Độ phủ bề mặ t trong mô hình
Langmuir đư ợ c xem xét bằ ng việ c sử dụ ng các thông số sau:
s
N : Mậ t độ bề mặ t củ a các nút hấ p phụ ,
: N Mậ t độ bề mặ t củ a adatom,
: /
s
N N ÷ 0 Độ phủ tư ơ ng đố i.
Hệ thứ c đẳ ng nhiệ t nhậ n đư ợ c bằ ng cách cân bằ ng tố c độ hấ p phụ vớ i tố c độ
khử hấ p phụ . Vế trái củ a phư ơ ng trình dư ớ i đây cho ta tố c độ hấ p phụ , vế
phả i là khử hấ p phụ :
z 1
N
. .( ) , o 0
t
÷ = (3.4)
trong đó:
o là xác suấ t bẫ y,
z là tầ n suấ t va chạ m củ a phân tử khí,
o biể u thị xác suấ t mà các phân tử va chạ m nhậ n đủ độ ng năng để
rơ i vào trong hố thế năng củ a bề mặ t.
Cầ n thấ y rằ ng, các phân tử va chạ m không phả i lúc n ào cũ ng tích đủ nhiệ t
lư ợ ng, chúng có thể phả n xạ lạ i rấ t nhanh tr ư ớ c khi bị bẫ y mà chư a hề mấ t
đi năng lư ợ ng cầ n thiế t. Giá trị củ a o đã đư ợ c xác định bằ ng thự c nghiệ m,
giá trị này nằ m trong khoả ng từ 0,001 đế n 0,09 đố i vớ i hầ u hế t các chấ t khí
trên các loạ i vậ t liệ u đế .
Trong mô hình Langmuir còn có mộ t đạ i lư ợ ng nữ a đư ợ c đư a vào để biể u
thị xác suấ t mà phân tử va chạ m như ng không đúng vào nơ i mà nó hư ớ ng tớ i
đạ i lư ợ ng đó có thể coi l à xác suấ t mà phân tử va chạ m bị lao vào nút khuyế t
củ a bề mặ t chấ t rắ n, đư ợ c xác định bở i:
. )
s
1 . ÷ ÷ e o 0 (3.5)
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 63
Hình 3.3. Đẳ ng nhiệ t hấ p thụ Langmuir
tạ i nhiệ t độ cố định.
Sau mộ t số biế n đổ i từ các công thứ c đã biế t, phư ơ ng trình (3.4) có dạ ng:
. )
1/ 2
d
s
E
.(1 ).P 2 mkT N .v.exp .
kT
÷
÷
o ÷ 0 t = 0
|
|
' ¹
(3.6)
Phư ơ ng trình trên có thể sắ p xế p lạ i thành:
1
QP
QP
=
+
0 , (3.7)
trong đó Q là tham số xác định bở i:
. )
. )
1/ 2
d s
2 mkT
.
Q
N vexp E / kT
÷
o t
=
÷
(3.8)
Như minh họ a trên hình 3.3, độ phủ bề mặ t lý thuyế t tăng tuyế n tính t rong
vùng Q P / 1 .. và bão hòa tạ i giá trị bằ ng 1 trong giớ i hạ n rấ t cao củ a áp
suấ t. Tuy nhiên, khi P đạ t giá
trị củ a eq P thì đẳ ng nhiệ t sẽ
không diễ n ra nữ a và độ phủ
đạ t giá trị bằ ng 100% (phủ kín
bề mặ t), ứ ng vớ i trư ờ ng hợ p
hình thành các pha ngư ng tụ .
Tạ i áp suấ t cố định, độ phủ
giả m khi nhiệ t độ tăng, tố c độ
khử hấ p phụ tăng theo nhiệ t
độ , yế u tố quan trọ ng trong
thự c tiễ n khi cầ n khử khí hấ p
phụ để có chân không cao.
Ứ ng dụ ng. Sử dụ ng máy bơ m hấ p phụ dùng bẫ y nitơ lỏ ng để hút chân không
trong chuông 5 lít và chấ t hấ p phụ củ a bơ m là vậ t liệ u lọ c phân tử có diệ n
tích bằ ng 300 acres (1 acres = 4047 m
2
); 300 acres là đạ i lư ợ ng đặ c trư ng
củ a máy bơ m thư ơ ng mạ i hiệ n nay. Hỏ i độ phủ bề mặ t củ a chấ t hấ p ph ụ đó
là bao nhiêu khi cho chạ y máy bơ m? Áp suấ t ở trong chuông l à bao nhiêu
khi chuông chân không đư ợ c hút? Cho rằ ng, mặ t phẳ ng hấ p phụ sạ ch v à tấ t
cả phân tử khí đề u đư ợ c hấ p phụ , mậ t độ nút hấ p phụ củ a chấ t n ày là
10
19
m
-
2
.
Số phân tử khí đư ợ c hút ra khỏ i chuông tính theo định luậ t khí lý
tư ở ng sẽ là:
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
64
. 10 23 , 1 10 5
298 / 10 38 , 1
10 01 , 1
23 3 3
23
5
× = × ×
]
]
]

× ×
×
= A
÷
÷
m
K K J
Pa
N
Độ phủ củ a chấ t hấ p phụ l à:
. 010 , 0
/ 4047 300 10
10 23 , 1
300
2 2 19
23
=
× ×
×
=
×
A
= A
÷
acres m acres m acres N
N
s
0
Chúng ta lạ i giả thiế t xác suấ t bẫ y bằ ng 1, năng l ư ợ ng khử hấ p phụ bằ ng
eV 01 , 0 và khố i lư ợ ng trung bình củ a phân tử khí là 28 đvnt. Trư ớ c hế t
chúng ta tính giá trị củ a tham số Q:
. )
. )
1 / 2
2 7 2 3
1 9 2 1 3 5
1
1
Q
2 2 8 1, 6 6 1 0 k g 1, 3 8 1 0 J / K
1
1 0 m 1 0 H z e x p 0 , 1e V / 8, 6 2 1 0 e V / K 7 7 K
0 , 2 6 2 T o r r .
÷ ÷
÷ ÷
÷
=
]
t × × × × ×
]
]
×
]
× × ÷ × ×
]
]
=
Vì đư ờ ng đẳ ng nhiệ t nằ m trong vùng thay đổ i tuyế n tính, cho nên mộ t cách
gầ n đúng, áp suấ t trong chuông có thể tính bằ ng công thứ c:

Bây giờ chúng ta xem xét đẳ ng nhiệ t Langmuir cho trư ờ ng hợ p hấ p phụ
phân ly. Để diễ n giả i công thứ c đẳ ng nhiệ t, chúng ta cầ n đ ư a ra hai giả thiế t.
Thứ nhấ t, nế u mộ t dimer (các hạ t đúp) chuyể n độ ng va chạ m m à lao vào mộ t
nút khuyế t trên bề mặ t thì cũ ng có nút khuyế t bên cạ nh bị tác độ ng làm phân
ly dimer. Cho rằ ng bề mặ t tinh thể l à mặ t phẳ ng củ a các nguyên tử xế p chặ t,
điề u này có nghĩa là sẽ có 6 nút lân cậ n có khả năng hấ p phụ . Do đó tố c độ
hấ p phụ là .z.(1 ).6(1 ). o ÷ 0 ÷ 0 Thứ hai, cho rằ ng mộ t adatom (nguyên tử bị
hấ p phụ ) có mộ t nút bị chiế m chỗ liề n kề nó, vì thế nó có thể khử hấ p phụ
như mộ t dimer. Do đó tố c độ khử hấ p phụ l à
s
N . .6 / . 0 0 t Sau mộ t số phép
tính đạ i số đơ n thuầ n, chúng ta nhậ n đư ợ c giá trị đẳ ng nhiệ t trong hấ p phụ
phân ly như sau:
1 2
P 0, 010 / 0, 262Torr 3, 9 10 Torr.
Q
÷ ÷
A0
~ = = ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 65
QP
,
1 QP
0 =
+
(3.9)
trong đó z là tầ n suấ t va chạ m củ a dimer và t là thờ i gian lư u trú củ a cặ p
adatom đư ợ c tính bở i năng lư ợ ng khử hấ p phụ
dA
E 2 từ hình 3.2. Cho nên Q
trong trư ờ ng hợ p này là:
. )
. )
1/ 2
dA s
2 .mkT
.
Q
N vexp E / kT
÷
o t
=
÷
(3.10)
Trong thự c hành chân không cao, chúng ta bi ế t rấ t rõ tác hạ i củ a hấ p phụ hơ i
nư ớ c trên bề mặ t bên trong chuông khi nó bị tiế p xúc vớ i khí quyể n (lúc xả
khí vào chuông để lấ y mẫ u). Quá trình hấ p phụ hơ i nư ớ c đó xả y ra ở mứ c độ
đáng kể mặ c dù áp suấ t riêng phầ n củ a hơ i nư ớ c nhỏ hơ n áp suấ t
eq
P đố i vớ i
nư ớ c. Khắ c phụ c điề u này rấ t khó khăn kể cả khi chuông đư ợ c hút chân
không cao trở lạ i. Ngoài hơ i nư ớ c còn có các phân tử khí khác cũ ng có thể
hấ p phụ trên bề mặ t thành chuông và đế , đó là N
2
, CO, CO
2
và O
2
. Để đẩ y
các phân tử hơ i nư ớ c và khí ra (tứ c là khử hấ p phụ ) chúng ta cầ n sấ y nóng
thành chuông và đố t đế đế n 200
o
C trong chân không.
3.1.4. Epitaxy lớ p nguyên tử
Từ “epitaxy” có nguồ n gố c từ tiế ng Hy -lạ p, nghĩa đen là trả i. Trong công
nghệ vậ t liệ u linh kiệ n bán dẫ n, epitaxy l à phư ơ ng pháp mọ c màng từ ng lớ p.
Chúng ta đã quen vớ i khái niệ m này, thí dụ khi chế tạ o điố t phát quang
(LED) vô cơ GaP, GaAs, các l ớ p giàu hạ t tả i loạ i n hay p đư ợ c mọ c bằ ng
phư ơ ng pháp epitaxy. Đó là kỹ thuậ t epitaxy từ pha lỏ ng, mỗ i mộ t lầ n “trả i”,
chiề u dày có thể tăng lên đế n vài hoặ c vài chụ c micro-mét. Trong kỹ thuậ t
lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý, epitaxy cũ ng có nghĩa l à mọ c màng, như ng quá
trình mọ c đư ợ c khố ng chế chính xác đế n từ ng lớ p nguy ên tử . Vì vậ y chúng
ta có kỹ thuậ t epitaxy lớ p nguyên tử (Atomic Layer Epitaxy, viế t tắ t l à
ALE). Kỹ thuậ t ALE dùng để chế tạ o màng mỏ ng hợ p chấ t. Kỹ thuậ t này lầ n
đầ u tiên xuấ t hiệ n trong mộ t phát minh củ a ngư ờ i Phầ n-Lan vớ i việ c chế tạ o
các lớ p mỏ ng ZnS và ứ ng dụ ng công nghệ này để sả n xuấ t màng hiể n thị
điệ n huỳ nh quang sử dụ ng chấ t bán dẫ n. Nộ i dung củ a kỹ thuậ t ALE để chế
tạ o ZnS đư ợ c mô tả như sau:
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
66
“Bằ ng kỹ thuậ t chân không, hơ i kẽ m (Zn) đư ợ c hình thành, nó va chạ m trên
đế thủ y tinh nóng. Nế u bề mặ t củ a đế có nhiệ t độ đủ cao chúng ta sẽ nhậ n
đư ợ c điề u kiệ n mà trong đó chỉ có lớ p hấ p phụ hóa họ c còn dính lạ i trên đế .
Bố c bay tạ m dừ ng, nế u Zn hấ p phụ vậ t lý cũ ng h ình thành do dòng va chạ m
thì nó sẽ tái hóa hơ i (từ đế bay ra). Quá trình tư ơ ng tự này đư ợ c lặ p lạ i cho
lư u huỳ nh (S), lớ p S đầ u tiên hấ p phụ hóa họ c lên lớ p Zn trư ớ c đó, các phân
tử S hấ p phụ vậ t lý cũ ng bị tái hóa h ơ i khi dừ ng bố c bay. Như vậ y, trên đế
chỉ còn hai lớ p nguyên tử (lớ p kép): mộ t củ a Zn và mộ t củ a S, chúng tạ o
thành ZnS ”.
Công nghệ này đư ợ c minh họ a trên hình 3.4. Phư ơ ng pháp ALE đư ợ c ứ ng
dụ ng chủ yế u để mọ c màng tinh thể bán dẫ n hợ p chấ t A
2
B
6
. Ngoài ra, kỹ
thuậ t ALE lắ ng đọ ng phả n ứ ng còn đư ợ c áp dụ ng để chế tạ o ZnSe, ZnTe,
CdS, CdSe và CdTe.
Tuy nhiên, công nghệ ALE có thể giả i thích mộ t cách tố t h ơ n nế u chúng ta
dự a trên sự khác biệ t giữ a hấ p phụ hóa họ c và ngư ng tụ . Nhìn chung, có thể
đư a ra nguyên lý sau đây: ALE có thể áp dụ ng để chế tạ o hợ p chấ t AB nế u
thỏ a mãn điề u kiệ n là A trên B và B trên A là hấ p phụ hóa họ c, còn khi hơ i
A trên rắ n A và hơ i B trên rắ n B là dư ớ i bão hòa. Hơ n nữ a, nhiệ t độ đế cầ n
phả i chọ n sao cho thờ i gian l ư u trú củ a các lớ p hấ p phụ hóa họ c , 1 s để
ngư ờ i thự c hành kịp thao tác đóng mở nguồ n bố c bay mộ t cách hợ p lý đố i
vớ i các giai đoạ n bố c bay cho từ ng chấ t.
Như vậ y, chúng ta có quy trình chế tạ o màng mỏ ng bằ ng kỹ thuậ t ALE
như sau:
1. Sử dụ ng hai bộ che nguồ n bố c bay (gọ i tắ t l à “che thuyề n”) cho phép
các dòng hơ i bay đế n đế tư ơ ng ứ ng vớ i từ ng thành phầ n A và B.
2. Đặ t khoả ng thờ i gian hợ p lý trong khi mở che thuyề n, sao cho mỗ i lầ n
vừ a kịp hoàn thành mộ t lớ p hấ p phụ hóa họ c.
3. Sau khi đóng mộ t che thuyề n và trư ớ c khi mở cái khác, đặ t khoả ng
thờ i gian cầ n thiế t để các phân tử hấ p phụ vậ t lý bị khử ho àn toàn,
như ng cũ ng cầ n mở che thuyề n tr ư ớ c khi lớ p hấ p phụ hóa họ c bị khử .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 67
a)
b)
Hình 3.4. Mô hình lắ ng đọ ng màng bằ ng ALE (a) và
“cử a sổ ” nhiệ t độ đế cho phép lắ ng đọ ng
màng (b).
Tố c độ mọ c đư ợ c điề u chỉnh chính xác sao cho chỉ mộ t lớ p kép (AB) h ình
thành trong chu kỳ kể trên. Nhiệ t độ đế cũ ng cầ n đư ợ c khố ng chế phù hợ p.
Nế u nhiệ t độ đế quá thấ p, quá tr ình khử hấ p phụ vậ t lý sẽ không xả y ra mà
lạ i có ngư ng tụ ; nế u nhiệ t độ đế quá cao sẽ không giữ đ ư ợ c lớ p hấ p phụ hóa
họ c. Dư ớ i đây là mộ t thí dụ về công nghệ ALE. Như vậ y, chúng ta có quy
trình chế tạ o màng mỏ ng bằ ng kỹ thuậ t ALE như sau:
Sử dụ ng hai bộ che nguồ n bố c bay (gọ i tắ t l à “che thuyề n”) cho phép các
dòng hơ i bay đế n đế tư ơ ng ứ ng vớ i từ ng thành phầ n A và B.
Đặ t khoả ng thờ i gian hợ p lý trong khi mở che thuyề n, sao cho mỗ i lầ n vừ a
kịp hoàn thành mộ t lớ p hấ p phụ hóa họ c.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
68
Sau khi đóng mộ t che thuyề n và trư ớ c khi mở cái khác, đặ t khoả ng thờ i gian
cầ n thiế t để các phân tử hấ p phụ vậ t lý bị khử ho àn toàn, như ng cũ ng cầ n
mở che thuyề n tr ư ớ c khi lớ p hấ p phụ hóa họ c bị khử .
Tố c độ mọ c đư ợ c điề u chỉnh chính xác sao cho chỉ mộ t lớ p kép (AB) hình
thành trong chu kỳ kể trên. Nhiệ t độ đế cũ ng cầ n đư ợ c khố ng chế phù hợ p.
Nế u nhiệ t độ đế quá thấ p, quá tr ình khử hấ p phụ vậ t lý sẽ không xả y ra mà
lạ i có ngư ng tụ ; nế u nhiệ t độ đế quá cao sẽ không giữ đ ư ợ c lớ p hấ p phụ hóa
họ c. Dư ớ i đây là mộ t thí dụ về công nghệ ALE.
Xác định nhiệ t độ đế để chế tạ o ZnS bằ ng ph ư ơ ng pháp ALE khi bình thoát
tạ o ra hơ i cầ n thiế t trên đế (hơ i lư u huỳ nh chứ a nguyên tử kép S
2
), có hấ p
phụ phân ly
5
2
S Zn
P P 10 Torr
÷
= = (bình thoát tạ o ra dòng tớ i
i
j trên đế ). Cho
rằ ng o=1 và năng lư ợ ng khử hấ p phụ đố i vớ i các chấ t nh ư sau:
Zn trên bề bặ t S củ a ZnS
dZn
E 2, 27eV =
S trên bề mặ t Zn củ a ZnS
dS
2E 3, 31eV =
Cho rằ ng mậ t độ nút hấ p phụ bề mặ t bằ ng
19 2
10 cm
÷
.
1.Chúng ta nhắ c lạ i các điề u kiệ n mà nhiệ t độ đế phả i thỏ a mãn: (1) độ
phủ cân bằ ng củ a Zn trên ZnS và S trên ZnS phả i là 100%; (2) Hơ i
kẽ m và lư u huỳ nh phả i ở trạ ng thái dư ớ i bão hòa so vớ i kẽ m và lư u
huỳ nh tinh khiế t; (3) Thờ i gian hình thành đơ n lớ p cho mỗ i loạ i hơ i là
0,1s tạ i áp suấ t nêu trên. Do đó thờ i gian lư u trú củ a ZnS có giá trị vài
giây, điề u này cho phép thao tác đóng mở che thuyề n mộ t cách hợ p lý.
Giả sử nhiệ t độ đế đư ợ c chọ n là 550K (~280
o
C). Trư ớ c hế t, chúng ta
tính tham số Q trong đẳ ng nhiệ t Langmuir đố i v ớ i hơ i Zn và S
trên ZnS:
. )
. )
1/2
27 23
19 2 13 5
13 1
Zn
1
Q
2 65, 4 1, 66 10 kg 1, 38 10 J / K 550K
1
10 m 10 Hz exp 2, 27eV/ 8, 62 10 eV/ K 550K
1,15 10 Torr .
÷ ÷
÷ ÷
÷
=
]
t× × × × × ×
]
]
×
]
× × ÷ × ×
]
]
= ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 69
. )
. )
1/2
27 23
19 2 13 5
22 1
S
2
1
Q
2 2 32,1 1, 66 10 kg 1, 38 10 J / K 550K
1
10 m 10 Hz exp 3, 31eV/ 8, 62 10 eV/ K 550K
3, 91 10 Torr .
÷ ÷
÷ ÷
÷
=
]
t× ± × × × × ×
]
]
×
]
× × ÷ × ×
]
]
= ×
Độ phủ củ a monomer Zn và S trên ZnS tạ i áp suấ t và nhiệ t độ trên là:
13 5
23 5
1
Zn
1
1,15 10 Torr 10 Torr
0, 9999...
1 1,15 10 Torr 10 Torr
÷
÷
÷
÷
× ×
0 = =
+ × ×
. )
. )
1/ 2
22 1 5
22 1 5
S
3, 91 10 Torr 10 Torr
0, 9999...
1 3, 91 10 Torr 10 Torr
÷ ÷
÷ ÷
× ×
0 = =
+ × ×
Như vậ y độ phủ ở trạ ng thái tĩnh đạ t ~ 100% (tứ c l à phủ kín).
2.Áp suấ t hơ i cân bằ ng nhiệ t củ a Zn và S tạ i nhiệ t độ đế kể trên là
4
Zn
P 5,8 10 Torr
÷
= × và (các số liệ u từ thự c
nghiệ m đã biế t). Tạ i áp suấ t này sẽ không xả y ra ngư ng tụ đơ n chấ t
kẽ m và lư u huỳ nh. Thờ i gian lư u trú củ a Zn trên ZnS tạ i nhiệ t độ đế :
. )
3 5
7
Zn
1
10 Hz exp 2, 27eV/ 8, 62 10 eV/ K 550K
6, 20 10 s.
÷
t =
]
× ÷ × ×
]
]
= ×
Cho rằ ng adatom củ a lư u huỳ nh sẽ khử hấ p phụ như dimer, thờ i gian lư u trú
củ a S trên ZnS là:
. )
3 5
17
S
2
1
10 Hz exp 3, 31eV/ 8, 62 10 eV/ K 550K
2, 09 10 s.
÷
t =
]
× ÷ × ×
]
]
= ×
Như vậ y, có thể tránh đư ợ c hiệ n tư ợ ng khử hấ p phụ trong khoả ng vài
giây mở che thuyề n.

2
2
6, 4 10 Torr
S
P
÷
= ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
70
Trong kỹ thuậ t màng mỏ ng có phư ơ ng pháp ALE khác mà trong đó s ử dụ ng
dòng xung củ a khí nguồ n để lắ ng đọ ng pha hơ i hóa họ c (gọ i là ALE-CVD).
Cơ chế củ a phư ơ ng pháp này phứ c tạ p hơ n vì nó đòi hỏ i có phả n ứ ng trao
đổ i thay vì phả n ứ ng kế t hợ p đơ n thuầ n trong ALE chân không (ALE-PVD).
Để dễ so sánh hai cơ chế khác nhau củ a các phư ơ ng pháp này, chúng ta
tham khả o các quá trình xả y ra trong phư ơ ng pháp ALE-CVD:
- Hấ p phụ đơ n lớ p củ a phân tử thứ nhấ t, ví dụ AB.
- Hấ p phụ phân tử thứ hai (ví dụ CD) và các phả n ứ ng trao đổ i liên
tiế p trên bề mặ t.
AB (hấ p phụ ) + CD (hấ p phụ ) ÷ AD (tinh thể ) + BC (khí).
Trong phư ơ ng pháp này, t ố c độ mọ c màng cũ ng tư ơ ng ứ ng vớ i độ dày củ a
lớ p đơ n hình thành trong mộ t chu kỳ . Phư ơ ng pháp ALE-CVD đư ợ c sử dụ ng
để chế tạ o các màng mỏ ng chấ t l ư ợ ng cao như ôxít, nitrua, hợ p chấ t
A
3
-B
5
, A
2
-B
6
.
3.2. Áp suấ t hơ i
Trong mụ c này chúng ta sẽ đánh giá áp suấ t hơ i cân bằ ng nhiệ t từ các số liệ u
hóa nhiệ t trong bả ng tra cứ u quố c tế (thí dụ tr ên bả ng 3.1 và 3.2). Việ c tính
toán cụ thể sẽ đư ợ c thự c hiệ n đố i vớ i tr ư ờ ng hợ p Si, cuố i cùng là mô hình lý
thuyế t áp suấ t hơ i cho hợ p kim, hợ p chấ t và áp dụ ng mô hình này cho
trư ờ ng hợ p thự c tế bố c bay GaAs.
3.2.1. Áp suấ t hơ i hoạ t tính nhiệ t
Chúng ta xét sự bố c bay củ a nguyên tố A:
v l
A A ÷ . Trong cân bằ ng, vì
năng lư ợ ng tự do Gibbs củ a pha lỏ ng ) (l và pha hơ i ) (v bằ ng nhau, cho nên:
0 0
0
Aeq
f l fv v
P
G G RTln ,
P
|
A = A +
|
' ¹
(3.11)
trong đó
0
f
G A – năng lư ợ ng tự do Gibbs (chuẩ n phân tử ) củ a sự h ình thành
pha hơ i hay pha lỏ ng . Chúng ta chuyể n phư ơ ng trình trên về dạ ng cầ n tính
áp suấ t, sẽ nhậ n đư ợ c áp suấ t hơ i A trong cân bằ ng vớ i pha ngư ng tụ là hàm
phụ thuộ c vào đạ i lư ợ ng thay đổ i củ a năng l ư ợ ng tự do Gibbs chuẩ n:
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 71
0
0 evap A
Aeq
G
,
P P exp
RT
÷A
= (3.12)
trong đó:
0 0 0
evap A f A,v f A,l
G G G . A = A ÷ A (3.13)
Đạ i lư ợ ng thay đổ i năng l ư ợ ng tự do này đư ợ c gọ i là năng lư ợ ng tự do
Gibbs chuẩ n củ a sự hóa hơ i. Bây giờ chúng ta triể n khai công thứ c (3.12)
dư ớ i dạ ng enthalpy và entropy hóa hơ i:
. )
0 0
0
0 0
0
evap A evap A
Aeq
evap A evap A
H T S
P P exp
RT
S H
.
P exp exp
R RT
÷A + A
=
A ÷A
=
(3.14)
Như vậ y, phư ơ ng trình trên chứ ng tỏ
Aeq
P là đạ i lư ợ ng hoạ t tính nhiệ t. Năng
lư ợ ng kích hoạ t nhiệ t chính l à enthalpi chuẩ n củ a sự bố c bay và hệ số đứ ng
trư ớ c hàm mũ là
. )
0 0
A evap
P exp S / R . A
Đố i vớ i nhiề u chấ t, hàm
Aeq
logP ~1/ T là đư ờ ng thẳ ng trong dả i nhiệ t độ
khá rộ ng, phụ thuộ c tuyế n tính này đư ợ c tiế p tụ c khi vư ợ t qua nhiệ t độ nóng
chả y. Tuy nhiên, hệ số tuyế n tính trong đồ thị Arrhenius thay đổ i l à do sự
khác biệ t giữ a các đạ i lư ợ ng enthalpi củ a trạ ng thái bố c bay và thăng hoa.
3.2.2. Áp suấ t hơ i củ a các nguyên tố
Từ số liệ u về áp suấ t hơ i cân bằ ng củ a Si phụ thuộ c nhiệ t độ , có thể dự ng đồ
thị Arrhenius (hình 3.5). Từ thự c nghiệ m cho thấ y, mặ c dù pha hơ i củ a silic
là đơ n nguyên tử , trong trạ ng thái cân bằ ng chúng ta vẫ n thấ y mộ t lư ợ ng
đáng kể các phân tử Si gồ m hai hoặ c ba nguy ên tử (Si
2
, Si
3
).
Bả ng 3.1. Các đạ i lư ợ ng nhiệ t hóa củ a Silic từ bả ng tra cứ u .
Hình 3.5. Áp suấ t cân bằ ng nhiệ t phụ thuộ c vào
nhiệ t độ củ a hơ i silic.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
72
Pha lỏ ng Pha hơ i mộ t nguyên tử T(K)
0
A
f
H
0
A
f
G
f
K log
0
A
f
H
0
A
f
G log
f
K
1500 50.51 5.53 -0.193 444.8 228.8 -7.97
1600 50.35 2.53 -0.083 444.0 214.5 -7.01
1685 Tinh thể
||
Lỏ ng
1700 0 0 393.1 200.6 -6.16
1800 0 0 392.5 189.3 -5.49
Bả ng 3.2. Các đạ i lư ợ ng enthalpy chuẩ n và entropi hóa hơ i củ a nguyên tố .
Nguyên tố
Điể m
nóng chả y
. ) 298
o
vap
H A
. )
m
o
vap
T
H A
. ) 298
o
vap
S A
. )
m
vap
T
S
0
A
Li 454 159 158 109.8 97.6
Be 1560 324 303 126.9 111.4
Bo 2350 560 500 147.6 122.3
C - 717 - 152.4 -
Na 371 107 104 148.0 93.3
Mg 923 147 134 115.9 98.8
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 73
Al 933 330 314 136.2 117.8
Si 1685 450 393 149.2 113.2
P
2
317 144 142 135.9 129.5
S
2
388 129 123 164.0 147.5
K 336 89 86 95.6 86.4
Ca 1115 178 158 113.3 90.6
Ti 1939 474 438 149.5 124.6
V 2190 516 477 153.4 131.5
Cl 2130 398 349 150.7 118.8
Mn 1519 283 247 141.7 106.2
Fe 1809 416 377 153.2 123.4
Co 1768 427 395 149.4 125.8
Ni 1728 430 401 152.3 129.2
Cu 1358 338 317 133.2 113.9
Zn 693 130 120 119.3 103.3
Ga 303 272 266 128.2 109.7
Ru 313 81 78 93.3 85..2
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
74
Nb 2750 733 693 157.7 135.4
Mo 2896 659 589 153.4 119.7
Ba 1000 179 166 107.7 78.8
Ta 3258 782 744 143.7 129.1
W 3680 851 807 141.3 129.7
Hg 234 61 62 99.0 99.0
Pb 601 195 188 110.6 97.6
Ứ ng dụ ng. Từ số liệ u tra cứ u, lậ p các biể u thứ c để tính áp suấ t phụ thuộ c
nhiệ t độ , mà từ biể u thứ c đó ngư ờ i ta đã dự ng đư ợ c đồ thị trên hình 3.5.
Chúng ta sẽ phả i lậ p hai biể u thứ c cho hai trạ ng thái: mộ t cho thăng hoa v à
mộ t cho bố c bay. Đố i vớ i thăng hoa, chúng ta cầ n l ấ y số liệ u nhiệ t hóa tạ i
nhiệ t độ thấ p hơ n nhiệ t độ nóng chả y củ a Si (1685K), cho rằ ng đạ i l ư ợ ng
này không thay đổ i trong khoả ng nhiệ t độ đó.
0
S
0
A
sub
S
0
H
sub
A
crystal Si
1
1 1
. . 204
÷ ÷
K mol J
1 1
142 . .
÷ ÷
J mol K
1
. 444
÷
mol kJ
Thay vào công thứ c (3.14) chúng ta có:
1 1
5
1 1 1 1
sub
142J.mol .K 444kJ / mol
.
P (T) 10 Pa exp exp
8, 31J.mol K 8, 31.T.J.mol K
÷ ÷
÷ ÷ ÷ ÷
÷
= × ×
Đố i vớ i bố c bay, chúng ta lấ y số liệ u ở tr ên nhiệ t độ nóng chả y và cũ ng cho
rằ ng đạ i lư ợ ng đó không phụ thuộ c nhiệ t độ :
0
S
0
S
evap
A
0
H
evap
A
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 75
liquid Si
1
1 1
205J.mol .K
÷ ÷ 1 1
113J.mol .K
÷ ÷
1
. 393
÷
mol kJ
Trong trư ờ ng hợ p pha hơ i gồ m các phân tử nhiề u nguyên tử thì khi tính
enthalpi củ a nó, chúng ta cầ n l ư u ý đế n chữ số chỉ số nguyên tử củ a mộ t
phân tử , ví dụ đố i vớ i Si
3
:

Hệ số cân bằ ng tạ i áp suấ t cố định đố i vớ i phả n ứ ng h ình thành pha hơ i
đư ợ c biể u thị bằ ng áp suấ t h ơ i cân bằ ng nhiệ t chuẩ n hóa theo áp
suấ t chuẩ n:
0
Aeq
p
P
K
P
= . (3.15)
Trong các bả ng tra cứ u, hệ số này đư ợ c đư a vào mộ t cộ t dư ớ i dạ ng

f
log K ”. Thí dụ trong bả ng 3.1 có 4 giá trị củ a
f
log K ở gầ n nhiệ t độ
nóng chả y củ a Si (hai giá trị ở dư ớ i và hai giá trị ở trên).
Trong tài liệ u tra cứ u hiệ n nay, chúng ta có các biể u thứ c bán thự c nghiệ m
đố i vớ i áp suấ t hơ i củ a 65 nguyên tố kim loạ i. Phư ơ ng trình bán thự c
nghiệ m đó có dạ ng:
eq
3
B D
.
log P (Pa) 5, 006 A ClogT
T
T
] = + + + +
]
(3.16)
Ứ ng dụ ng. Tính áp suấ t hơ i nhôm tạ i 1500K, sử dụ ng hệ số cân bằ ng trong
bả ng tra cứ u quố c tế và công thứ c trên.
Từ bả ng tra cứ u ta có
f
logK 4,872 = ÷ (củ a nhôm) nhậ n đư ợ c:
Tính theo phư ơ ng trình (3.16), vớ i các hệ số là:
chúng ta có:
5, 006 5, 911 16211 / 1500
Al
(1500 K ) 1, 287 P 10 P a P a .
+ ÷
= =
. ) p
K
A 5, 911, B 16211, C 0, D 0 = = ÷ = =
0 3 0
3
.
3 A = ÷
vap
vap liq
S S S
S
i
1 1
5
evap
1 1 1 1
113J.mol .K 393kJ/mol
.
P (T) 10 Pa exp exp
8, 31J.mol K 8, 31.T.J.mol K
÷ ÷
÷ ÷ ÷ ÷
÷
= × ×
Al
4,872 5
P (1500K) 10 At 1, 343 10 At 1, 361Pa.
÷ ÷
= = × =
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
76
Hai giá trị nhậ n đư ợ c chênh nhau 0,074 Pa (khoả ng 5.10
-
4
Torr).

3.2.3. Áp suấ t hơ i củ a hợ p kim và hợ p chấ t
Áp suấ t hơ i cân bằ ng củ a mộ t nguyên tố mà pha ngư ng tụ là hợ p kim hay
hợ p chấ t khác vớ i áp suấ t hơ i cân bằ ng nhiệ t củ a các hệ nêu trên (trong đó
pha ngư ng tụ là đơ n chấ t). Nhìn chung, áp suấ t bị giả m vì hàm lư ợ ng củ a
các nguyên tố có ở trong pha ngư ng tụ thấ p hơ n. Ví dụ minh họ a là trư ờ ng
hợ p áp suấ t hơ i Si và Ge trên pha ngư ng t ụ hợ p kim Si-Ge. Thế như ng, trong
nhiề u trư ờ ng hợ p, nế u liên kế t hóa họ c giữ a các nguyên tử trong pha ngư ng
tụ rấ t yế u thì áp suấ t hơ i lạ i tăng lên. Chúng ta xét mộ t ví dụ , trư ờ ng hợ p áp
suấ t hơ i Ga và As trên GaAs. Trư ớ c hế t cho rằ ng hợ p chấ t AB (hợ p chấ t hai
thành phầ n) là mộ t dung dịch lý tư ở ng, tác độ ng củ a thành phầ n A đư ợ c thể
hiệ n qua hàm lư ợ ng nguyên tử (%n.t.) củ a nó ở trong dung dịch. Năng lư ợ ng
tự do Gibbs củ a thành phầ n ấ y trong dung dịch lý t ư ở ng sẽ giả m đi so vớ i
giá trị năng lư ợ ng tự do chuẩ n củ a nó (vì 1 .
A
X , nên 0 ln .
A
X ):
0
A A A,ideal
G G RTln X . = + (3.17)
Áp suấ t hơ i củ a thành phầ n A đư ợ c hình thành trên dung dịch lý tư ở ng
tư ơ ng ứ ng vớ i phư ơ ng trình cân bằ ng sau:
A(hợ p kim) : A(hơ i),
trong đó vế trái là . )
A A
X P P / /
0
, vế phả i là hằ ng số cân bằ ng
. )
0
vap
exp G / RT ÷A .
Từ đó chúng ta nhậ n đư ợ c:
0
vap 0
A A Aeq A,ideal
G
P (T) X P exp X P ,
RT
÷A
= = (3.18)
nó bị giả m đi hệ số
A
X so vớ i áp suấ t cân bằ ng
Aeq
P .
Vì thành phầ n củ a pha hơ i cân bằ ng nhiệ t
. ) eq eq A A B B
X P / X P
nói chung là
không bằ ng thành phầ n củ a pha hơ i ngư ng tụ . )
A B
X / X , cho nên chúng ta
có thể sử dụ ng mặ t lợ i thế này để làm sạ ch hợ p kim hoặ c l àm giàu thành
phầ n loãng nào đó trong hợ p kim, tùy thuộ c vào áp suấ t bố c bay tư ơ ng ứ ng
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 77
củ a chúng. Mặ t khác, quá tr ình bố c bay không cạ nh tranh nhiề u khi lạ i l à rấ t
bấ t lợ i cho công nghệ chế tạ o màng. Khi bố c bay hợ p thứ c hóa họ c thư ờ ng
bị phá hủ y rấ t nhanh, cho nên rấ t khó hình thành màng vớ i hợ p thứ c hóa họ c
mong muố n. Thí dụ , khi thăng hoa GaAs, hơ i As có áp suấ t thấ p hơ n cho
nên nó bố c bay trư ớ c và nhanh hơ n Ga, dẫ n đế n kế t quả là trên đế GaAs có
rấ t nhiề u giọ t Ga ngư ng tụ (hình 3.6).
Nế u chúng ta có hợ p chấ t thể hiệ n h ành vi củ a mộ t “dung dịch” không lý
tư ở ng thì trong mô hình tính toán, thay vì tác độ ng đơ n thuầ n củ a hàm lư ợ ng
thành phầ n cầ n đư a vào hàm phụ thuộ c nồ ng độ củ a nó:
A Aeq A,nonideal
P (T) a P , ÷ (3.19)
trong đó hệ số
A
a là hàm
A A
a (X ). GaAs là mộ t chấ t bán dẫ n mà khi hóa hơ i
đã thể hiệ n hành vi củ a mộ t “dung dịch” không lý tư ở ng. Thự c nghiệ m cho
thấ y pha hơ i Ga nói chung đề u gồ m các nguyên tử đơ n Ga, trong khi đó hơ i
As bao gồ m cả As
2
và As
4
.
Vì thế áp suấ t hơ i củ a Ga trên GaAs tăng hơ n so vớ i hơ i củ a Ga trên Ga
lỏ ng đơ n chấ t (hình 3.7). Ngư ợ c lạ i, áp suấ t hơ i củ a As
2
và As
4
trên GaAs
lạ i giả m đế n vài bậ c so vớ i trư ờ ng hợ p chúng ở trên As rắ n đơ n chấ t. Điề u
này là do sự khác biệ t giữ a các độ dài liên kế t trong GaAs và trong các đơ n
chấ t. Từ đó cho chúng ta thấ y rằ ng, để chế tạ o màng mỏ ng đúng hợ p thứ c
hóa họ c, thí dụ GaAs hay các hợ p chấ t bán dẫ n nhiề u thành phầ n khác như
Hình 3.6. Ả nh SEM củ a màng mỏ ng GaAs
nhậ n đư ợ c bằ ng cách bố c bay
(thăng hoa) tinh thể khố i GaAs
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
78
GaP, InP, CdTe, ... chúng ta không thể áp dụ ng phư ơ ng pháp bố c bay chân
không mà sử dụ ng vậ t liệ u gố c chính l à các tinh thể tư ơ ng ứ ng. Trong
trư ờ ng hợ p này, phư ơ ng pháp bố c bay chân không cũ ng có thể áp dụ ng,
như ng đó là phư ơ ng pháp bố c bay từ hai nguồ n bố c bay có nhiệ t độ hóa hơ i
cho từ ng thành phầ n (đồ ng bố c bay) vớ i sự khố ng chế chính xác nhiệ t độ
củ a từ ng nguồ n. Thí dụ , để nhậ n màng GaAs, chúng ta sử dụ ng hai thuyề n
lá, mỗ i thuyề n là mộ t nguồ n bố c bay Ga và As đơ n chấ t. Chi tiế t hơ n về
công nghệ này sẽ đề cậ p ở phầ n sau.
3.3. Ngư ng tụ từ pha hơ i
Muố n chế tạ o màng mỏ ng chấ t lư ợ ng cao, chúng ta cầ n nắ m chắ c các
nguyên lý điề u khiể n quá trình ngư ng tụ . Điề u này mang tính quyế t định đế n
quá trình lắ ng đọ ng, để có thể hình thành màng mỏ ng từ pha hơ i. Phụ thuộ c
vào bả n chấ t liên kế t hóa họ c trong các chấ t, chúng ta sẽ gặ p các tr ư ờ ng hợ p
chính sau đây: pha hơ i đơ n chấ t, pha hơ i từ hợ p chấ t luôn đúng hợ p thứ c,
pha hơ i từ hợ p chấ t dễ phân hủ y.
3.3.1. Ngư ng tụ từ pha hơ i đơ n chấ t
Màng mỏ ng sẽ ngư ng tụ trên đế khi tồ n tạ i pha hơ i quá bão hòa trên đế đó.
Trên hình 3.8 minh họ a trư ờ ng hợ p ngư ng tụ lý tư ở ng, có hai khái niệ m:
dòng ngư ng tụ và dòng tớ i. Dòng ngư ng tụ (đạ i lư ợ ng thự c tế đư ợ c ngư ng tụ
trên đế ) là hàm phụ thuộ c dòng tớ i (dòng mà đơ n thuầ n có tác độ ng lên đế ).
Có hai nguyên lý đư ợ c minh họ a như sau:
- Tạ i nhiệ t độ đế xác định, dòng tớ i có mộ t giá trị giớ i hạ n gọ i l à dòng
giớ i hạ n. Khi dòng tớ i lớ n hơ n dòng giớ i hạ n thì màng đư ợ c hình
thành và nhỏ hơ n nó thì không nhậ n đư ợ c lắ ng đọ ng.
- Nhiệ t độ đế càng cao thì dòng giớ i hạ n càng lớ n.
Hình 3.7. Áp suấ t hơ i cân bằ ng nhiệ t củ a Ga và
As trên GaAs và trên đơ n chấ t Ga, As.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 79
Dòng ngư ng tụ đư ợ c tính bằ ng công thứ c:
eq sub
c c i v
sub
P (T )
j j ,
2 .mkT
= o ÷ o
t
(3.20)
Nế u không tính đế n độ chính xác thì phư ơ ng trình này gầ n trùng vớ i phư ơ ng
trình Hertz-Knudsen, trong đó
i
j
là dòng tớ i củ a các phân tử hơ i va chạ m
lên đế .
Trong (3.20)
c
e là hệ số ngư ng tụ , nó cho biế t tỷ phầ n củ a dòng phân tử
bay tớ i đế đư ợ c ngư ng tụ thự c sự . Hệ số này chịu ả nh hư ở ng củ a các yế u tố
như độ phả n xạ ) (o củ a phân tử (khuế ch tán ngư ợ c) và độ khử hấ p phụ củ a
các adatom đơ n lẻ trư ớ c khi chúng đư ợ c “đính” vào cấ u trúc ổ n định. Để trở
thành mộ t bộ phậ n củ a màng đang mọ c, nguyên tử củ a dòng tớ i trên bề mặ t
màng trư ớ c hế t phả i đư ợ c hấ p phụ , sau đó nó đi qua bề mặ t hấ p phụ v à liên
kế t vớ i nguyên tử hay mộ t nhóm nguyên tử trong màng. Trong khi khuế ch
tán qua bề mặ t, nó có thể bị khử hấ p phụ (xác suấ t khử hấ p phụ đ ư ợ c tính từ
các đạ i lư ợ ng thờ i gian khuế ch tán trung bình cầ n thiế t và thờ i gian lư u trú
trung bình củ a adatom). Hệ số ngư ng tụ trong hầ u hế t các tr ư ờ ng hợ p đơ n
chấ t đề u có giá trị gầ n bằ ng đơ n vị.
Tố c độ ngư ng tụ hiệ u dụ ng thư ờ ng nhỏ hơ n
i c
j e bở i vì trên thự c tế luôn
tồ n tạ i sự hóa hơ i củ a các phân tử ngư ng tụ . Theo thuyế t độ ng họ c thì đế
nóng có thể coi là mộ t nguồ n nhiệ t, tầ n suấ t va chạ m củ a các p hân tử trên đế
Hình 3.8. Nhiệ t độ đế và sự thay đổ i tư ơ ng quan giữ a
dòng ngư ng tụ và dòng tớ i.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
80
là ) (
sub
T z , do đó tố c độ tái bố c bay sẽ l à ) (
sub v
T z e , trong đó
v
e là hệ số
chênh lệ ch giữ a tố c độ hóa hơ i thự c tế và giá trị tính theo lý thuyế t Glang.
Vậ t liệ u có
v
e thấ p đư ợ c gọ i là vậ t liệ u “bố c bay trễ ”.
Đố i vớ i bề mặ t ở trong trạ ng thái cân bằ ng vớ i h ơ i thì
c v
e e = . Tuy nhiên
hai hệ số này luôn khác nhau vì độ linh độ ng củ a nguyên tử trong pha ngư ng
tụ và trong pha hơ i là không đồ ng nhấ t.
Mộ t điề u dễ hiể u là để mọ c màng thì cầ n phả i có trạ ng thái quá bão hòa củ a
pha hơ i. Đó là trạ ng thái mà trong đó áp suấ t hơ i lớ n hơ n áp suấ t cân bằ ng
nhiệ t tạ i nhiệ t độ đế . Độ quá bão hòa đư ợ c biể u thị qua tỷ số dòng tớ i và
dòng tái bố c bay (đư ợ c trừ đi 1):
c i
v sub
j
S 1.
z(T )
o
÷ ÷
o
(3.21)
Phư ơ ng trình Hertz-Knudsen cho thấ y lắ ng đọ ng màng chỉ xả y ra khi có quá
bão hòa, nghĩa là khi . 0 S
3.3.2. Ngư ng tụ các hợ p chấ t bả o toàn hợ p thứ c
Trong các hợ p chấ t hai thành phầ n hoặ c tinh thể phân tử có nhữ ng chấ t mà
hơ i củ a chúng luôn bao gồ m các phân tử đúng hợ p thứ c hóa họ c nh ư trong
pha rắ n. Khi đó, thành phầ n hợ p chấ t củ a màng mỏ ng nhậ n đư ợ c bằ ng
phư ơ ng pháp bố c bay chân không thư ờ ng là đúng hợ p thứ c hóa họ c. Do vậ y,
chúng đư ợ c bố c bay trự c tiế p từ vậ t liệ u gố c l àm từ hợ p chấ t đó, vớ i sự điề u
chỉnh chế độ công nghệ để loạ i trừ các yế u tố gây nhiễ m bẩ n hoặ c khuyế t tậ t
trong vi cấ u trúc. Trên thự c tế , công nghệ bố c bay đã áp dụ ng để chế tạ o mộ t
số màng mỏ ng từ các chấ t đó vớ i độ hợ p thứ c hóa họ c cao v à cấ u trúc tinh
thể hoàn hả o. Đó là màng mỏ ng thuộ c các nhóm hợ p chấ t:
- Ôxít (kể cả SiO
2
, MoO
3
, WO
3
).
- Sunfua (ZnS, PbS).
- Tinh thể muố i (NaCl, KCl, AgCl, MgF
2
, CaF
2
).
Trong các hợ p chấ t nêu trên, phân tử hơ i củ a chúng gồ m các nguyên tử liên
kế t mạ nh. Biể u thứ c về tố c độ ngư ng tụ có thể nhậ n đư ợ c từ số liệ u tra cứ u
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 81
trong bả ng. Kế t quả nhậ n đư ợ c phù hợ p vớ i kế t quả trong t rư ờ ng hợ p ngư ng
tụ đơ n chấ t.
Từ bả n chấ t bố c bay các hợ p chấ t bả o to àn hợ p thứ c kể trên, chúng ta có thể
nả y ra ý tư ở ng áp dụ ng điề u này trong công nghệ chế tạ o GaAs đúng hợ p
thứ c bằ ng bố c bay chân không. Điề u n ày có thể nhậ n thấ y từ hình 3.7. Tạ i
nhiệ t độ 900K, thành phầ n pha hơ i trên GaAs có tỷ lệ đúng hợ p thứ c (tứ c là
Ga/As = 1,0). Đó là nhi ệ t độ mà tạ i đó có thể xả y ra bố c bay cạ nh tranh. Tuy
nhiên, điề u này chỉ có ý nghĩa khoa họ c mà không có ý nghĩa thự c tiễ n trong
việ c sử dụ ng vậ t liệ u gố c l à GaAs để bố c bay chân không. Bở i vì sự khố ng
chế thậ t chính xác nhiệ t độ củ a nguồ n bố c bay cho đúng 900K l à điề u
khó thự c hiệ n.
Pha hơ i đúng hợ p thứ c cũ ng có thể nhậ n đư ợ c từ phư ơ ng pháp phún xạ trên
mộ t số loạ i vậ t liệ u mà các phân tử thoát ra khỏ i bia cũ ng l à phân tử đúng
hợ p thứ c hóa họ c. Vậ t liệ u đó lạ i l à các ôxít, tinh thể phân tử và mộ t số loạ i
vậ t liệ u hữ u cơ hay polymer.
3.3.3. Hóa hơ i nhanh các chấ t dễ phân ly
Từ các chấ t mà phân tử củ a chúng dễ phân ly có thể lắ ng đọ ng màng đúng
hợ p thứ c bằ ng phư ơ ng pháp bố c bay gián đoạ n hay còn gọ i là bố c bay “chớ p
nhoáng”, mộ t kỹ thuậ t hóa hơ i cự c nhanh. Thí dụ , sử dụ ng phư ơ ng pháp
“rót” bộ t hay hạ t tinh thể củ a vậ t liệ u gố c lên trên bề mặ t (thuyề n lá) đang
nóng sẵ n (hình 3.9a) hoặ c bố c bay không cân bằ ng dùng chùm tia điệ n tử
hộ i tụ (hình 3.9b) . Hơ i hình thành đư ợ c ngư ng tụ lên trên đế nguộ i hơ n. Cả
hai phư ơ ng pháp này t ạ o ra màng có hợ p thứ c hóa họ c gầ n vớ i hợ p thứ c củ a
vậ t liệ u gố c. Mặ c dù vậ y, phư ơ ng pháp bố c bay gián đoạ n không đư ợ c áp
dụ ng để chế tạ o màng mỏ ng bán dẫ n chấ t l ư ợ ng cao. Bở i vì bả n thân việ c
cung cấ p nguồ n hơ i bị gián đoạ n, cho nên quá trình ngư ng tụ cũ ng là quá
trình gián đoạ n. Vì thế , kỹ thuậ t này tạ o ra nhiề u lỗ hổ ng cũ ng như các
khuyế t tậ t cấ u trúc khác ở trong màng. Hơ n nữ a, do nhiệ t độ đế thấ p, cho
nên màng thư ờ ng không kịp kế t tinh hế t. Chỉ gầ n đây khi có kỹ thuậ t laze
xung phát triể n mạ nh, việ c hóa hơ i cự c nhanh đư ợ c thự c hiệ n bằ ng nguồ n
laze xung vớ i mậ t độ công suấ t lớ n mớ i đem lạ i kế t quả tố t khi chế tạ o m àng
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
82
hợ p chấ t nhiề u thành phầ n, như màng siêu dẫ n nhiệ t độ cao (vấ n đề này
đư ợ c đề cậ p kỹ hơ n ở chư ơ ng sau).
Hình 3.9. Lắ ng đọ ng màng hợ p kim và hợ p chấ t:
a) Bố c bay gián đoạ n,
b) Bố c bay không cân bằ ng dùng chùm tia điệ n tử
3.3.4. Đồ ng bay hơ i - phư ơ ng pháp “Ba nhi ệ t độ ”
Phư ơ ng pháp Ba nhiệ t độ là mộ t kỹ thuậ t rấ t hữ u hiệ u đư ợ c áp dụ ng để lắ ng
đọ ng màng bán dẫ n hợ p chấ t mà pha hơ i củ a chúng có áp suấ t ri êng phầ n rấ t
khác nhau. Hình 3.10 minh họ a tính chấ t này. Đó là các đư ờ ng Arrhenuis
. ) T P / 1 ~ log củ a các nguyên tố trong hợ p chấ t hai thành phầ n. Đồ thị này
phả n ánh năng lư ợ ng tự do Gibbs chuẩ n củ a phả n ứ ng phân ly AB lớ n h ơ n
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 83
khi hóa hơ i thành phầ n B là đơ n chấ t. Điề u này tạ o ra mộ t dả i nhiệ t độ rộ ng
trong đó pha hơ i B đư ợ c quá bão hòa đố i vớ i AB, như ng lạ i là dư ớ i bão hòa
đố i vớ i B đơ n chấ t. Kỹ thuậ t ba nhiệ t độ đư ợ c áp dụ ng là để giả i quyế t các
vấ n đề sau:
Chọ n áp suấ t hơ i trên đế tư ơ ng ứ ng vớ i dòng lắ ng đọ ng khả dĩ củ a thành
phẩ n khó hóa hơ i hơ n, ví dụ là A. Điề u này sẽ quyế t định tố c độ lắ ng đọ ng
hợ p chấ t AB.
Chọ n áp suấ t hơ i trên đế sao cho dòng lắ ng đọ ng củ a thành phầ n dễ hóa hơ i
(ví dụ là B) lớ n hơ n ~10% so vớ i giá trị mà ứ ng vớ i nó chúng ta có tỷ số hợ p
thứ c. Tỷ số các dòng hơ i kể trên không cầ n phả i khố ng chế quá chính xác,
như ng phả i có điề u kiệ n là B dư để đả m bả o A đư ợ c phả n ứ ng hế t. Trong
trư ờ ng hợ p này, cấ u tạ o củ a hai nguồ n bố c bay A và B hoàn toàn tư ơ ng t ự
như hai bình thoát lý tư ở ng (bình Knudsen). Vì vậ y, việ c chọ n hai đạ i lư ợ ng
áp suấ t hơ i trên đế thự c chấ t là chọ n nhiệ t độ củ a hai bình thoát. Chúng ta đã
có hai trong ba nhi ệ t độ (trong phư ơ ng pháp ba nhiệ t độ ). Việ c còn lạ i là
chọ n nhiệ t độ thứ ba, tứ c l à nhiệ t độ đế .
Nhiệ t độ đế cầ n phả i chọ n bên trong dả i nhiệ t độ , gọ i là “cử a sổ ngư ng tụ ”,
,
sub
T A như minh họ a trên hình 3.10. Giớ i hạ n trên củ a cử a sổ ứ ng vớ i áp
suấ t hơ i củ a B trên AB. Nế u nhiệ t độ chọ n cao hơ n thì B sẽ không ngư ng tụ ,
do đó không có mọ c màng. Giớ i hạ n dư ớ i ứ ng vớ i áp suấ t B tr ên B tinh
khiế t, nế u chọ n nhiệ t độ thấ p hơ n B sẽ lắ ng đọ ng thành B đơ n chấ t, do đó
trong màng hình thành hai pha l ẫ n lộ n gồ m cả hợ p chấ t AB và đơ n chấ t B.
Hệ số lắ ng đọ ng đố i vớ i B đư ợ c tính bằ ng công thứ c:
cA
cB
cB
j
.
j
= e (3.22)
Khố i lư ợ ng chấ t B lắ ng đọ ng đư ợ c quyế t định bở i khố i l ư ợ ng chấ t A lắ ng
đọ ng, còn phầ n B dư sẽ bị loạ i bở i khử hấ p phụ . Dư ớ i đây là bài thự c hành
áp dụ ng kỹ thuậ t ba nhiệ t độ để chế tạ o màng GaAs đúng hợ p thứ c.
Điề u trư ớ c tiên là phả i chọ n dòng tớ i khả dĩ củ a Ga, ví dụ giá trị dòng đó là
15 2 1
cm 10 s
÷ ÷
(giá trị này tư ơ ng đư ơ ng tố c độ hình thành lớ p đơ n trong 1
giây). Nó tư ơ ng ứ ng vớ i áp suấ t hơ i trên đế khoả ng
6
10 Torr.
÷
Hình 3.7 cho
chúng ta thấ y Ga tinh khiế t có áp suấ t này tạ i nhiệ t độ ứ ng vớ i
1000 / T 1, 06, = tứ c là T = 943K. Nhiệ t độ đế chắ c chắ n không cao như thế ,
cho nên Ga sẽ ngư ng tụ trên đế .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
84
Tiế p theo, cho rằ ng hơ i củ a acxen chỉ gồ m As
4
là chính, như vậ y tỷ số dòng
hợ p thứ c sẽ là As
4
/Ga = 1/4. Chọ n dòng tớ i củ a acxen dư 10% (tứ c là 0,1),
chúng ta có áp suấ t hơ i acxen khả dĩ trên đế là:
Đố i vớ i As
4
trên As tinh khiế t, để có áp suấ t này sẽ chỉ cầ n nhiệ t độ cỡ 430
K - nhiệ t độ thấ p hơ n giớ i hạ n dư ớ i củ a “cử a sổ ngư ng tụ ”. Cho nên nhiệ t độ
đế cầ n phả i chọ n cao hơ n nhiệ t độ này để tránh lắ ng đọ ng As đơ n chấ t.
Từ áp suấ t hơ i As
4
trên GaAs là
5
2,8 10 Pa
÷
× , tìm đư ợ c nhiệ t độ tư ơ ng ứ ng
là 1020 K (hình 3.7). Nhi ệ t độ đế chắ c chắ n thấ p hơ n nhiệ t độ này, như ng
giớ i hạ n trên củ a cử a sổ ngư ng tụ cầ n đư ợ c chọ n theo Ga, mà không phả i
theo As. Bở i vậ y nhiệ t độ đế đư ợ c chọ n trong khoả ng
s u b
4 2 0 9 4 3 T . . để
đáp ứ ng yêu cầ u củ a phư ơ ng pháp ba nhiệ t độ . Còn hai nhiệ t độ nữ a, tứ c là
nhiệ t độ củ a hai nguồ n bố c bay Ga và As (bình thoát) đư ợ c tính tính toán từ
các phư ơ ng trình đã biế t sao cho chúng tạ o ra dòng tớ i củ a các phân tử vớ i
các giá trị như đã nêu ở trên.
3.3.5.Bố c bay phả n ứ ng
Bố c bay hay lắ ng đọ ng phả n ứ ng l à phư ơ ng pháp bay hơ i vậ t liệ u trong môi
trư ờ ng khí oxy hoặ c các khí l àm việ c khác. Thí dụ , để tạ o màng SiO
2
chúng
ta có thể bố c bay nhiệ t hay chùm tia điệ n tử từ vậ t liệ u gố c l à SiO trong
chuông chân không vớ i áp suấ t khí oxy trong khoả ng 10
-3
đế n 10
-5
Torr.
Hình 3.10. Bố c bay hợ p chấ t hai thành phầ n đúng hợ p
thứ c, sử dụ ng “cử a số ” ngư ng đọ ng.
4 5
As4
1,1
P 10 Pa 2,8 10 Pa.
4
÷ ÷
~ × = ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 85
Nhìn chung, hầ u hế t các vậ t liệ u oxyt hay florit khi bố c bay đề u thiế u hụ t O
2
hay F. Cho nên, để chế tạ o màng mỏ ng oxit đúng hợ p thứ c, chúng ta cầ n đư a
thêm mộ t lư ợ ng oxy hoặ c flor khí cầ n thiế t vào chuông trong quá trình l ắ ng
đọ ng màng. Các phân tử hơ i củ a vậ t liệ u gố c bay l ên từ thuyề n / chén, trên
đư ờ ng đế n đế tác dụ ng vớ i oxy hoặ c flor tạ o ra phả n ứ ng oxy hóa, rồ i lắ ng
đọ ng lên đế .
Mộ t trong các thí dụ về kỹ thuậ t bố c bay phả n ứ ng tạ o ra sả n phẩ m m àng
mỏ ng chấ t lư ợ ng cao là công nghệ chế tạ o màng nitrua titan (TiN). Màng
TiN có màu vàng hoàn toàn gi ố ng như vàng trang sứ c, như ng độ cứ ng và độ
bề n hóa họ c củ a màng TiN thì cao hơ n hẳ n so vớ i màng vàng. Để có màng
TiN đúng hợ p thứ c, chúng ta cầ n chọ n áp suấ t nit ơ và tố c độ bay hơ i titan
thích hợ p, sao cho trong qua tr ình bay hơ i tầ n suấ t va chạ m củ a N
2
lớ n hơ n
hoặ c bằ ng nử a giá trị dòng tớ i củ a hơ i titan. Mộ t cách chính xác hơ n, điề u
kiệ n công nghệ trên đư ợ c mô tả bở i hệ thứ c sau:
Thự c chấ t, đồ ng bay hơ i cũ ng là bố c bay phả n ứ ng, trong đó các hơ i củ a vậ t
liệ u gố c đóng vai trò các tác nhân tham gia phả n ứ ng. Trong thự c tế , tấ t cả
các quá trình bay hơ i hay phún xạ , dù muố n hay không cũ ng đề u là lắ ng
đọ ng phả n ứ ng. Bở i vì, trong chuông lắ ng đọ ng luôn tồ n tạ i mộ t l ư ợ ng khí
dư nhấ t định. Hàm lư ợ ng tạ p chấ t bẩ n (f) trong màng gây nên bở i khí dư
đư ợ c xác định bở i công thứ c:
(3.23)
Để hạ n chế tố i đa hoặ c loạ i trừ hiệ n t ư ợ ng lắ ng đọ ng phả n ứ ng không mong
muố n, chúng ta cầ n phả i tạ o ra chân không cao hoặ c si êu cao, sao cho tầ n
suấ t va chạ m củ a khí dư là rấ t bé so vớ i dòng hơ i phân tử .
Câu hỏ i kiể m tra đánh giá
1. Phân biệ t hấ p phụ vậ t lý và hoá họ c; khi nào thì xả y ra hấ p phụ hoá
họ c?
2. Nguyên lý và các bư ớ c xả y ra trong phư ơ ng pháp chế tạ o màng đơ n
tinh thể bằ ng epitaxy lớ p nguyên tử ?
3. Phư ơ ng pháp ba nhiệ t độ và đồ ng bay hơ i có ư u điể m gì, ứ ng dụ ng
củ a chúng trong kỹ thuậ t tạ o màng mỏ ng nhiề u thành phầ n?
2
N
s c iTi
z j /2 . o o
s
s c i
z
.
f
z j
o ×
=
o +o
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
86
Chư ơ ng 4
Vậ t lý và kỹ thuậ t chân không cao
Trong chư ơ ng này, trư ớ c hế t chúng ta làm quen vớ i mộ t số loạ i máy bơ m
chân không đang đư ợ c sử dụ ng phổ biế n. Đó l à:
1) Bơ m chân không sơ cấ p, hay còn gọ i là bơ m cơ họ c, mứ c độ cao nhấ t
củ a chân không đạ t đư ợ c là 10
-3
Torr,
2) Bơ m chân không cao cấ p, mứ c độ chân không đạ t đư ợ c đế n 10
-6
Torr
(chân không cao) hoặ c cao hơ n 10
-7
Torr, thậ m chí đế n 10
-11
Torr
(chân không siêu cao).
Tiế p theo, chúng ta đề cậ p đế n nguyên lý bơ m (hay hút) chân không và các
tính chấ t củ a khí trong hệ chân không khi có các máy b ơ m hoạ t độ ng. Sự
liên hệ giữ a các đạ i lư ợ ng trong hệ bơ m chân không, như dòng phân tử tổ ng
hợ p, dòng hút, độ dẫ n khí, chênh lệ ch áp suấ t đư ợ c thể hiệ n giố ng như các
đạ i lư ợ ng vậ t lý trong mạ ch điệ n, như điệ n lư ợ ng, dòng điệ n, độ dẫ n điệ n và
hiệ u điệ n thế . Phầ n cuố i mô tả quá trình hút khí củ a mộ t hệ chân không thự c
tế và các hiệ n tư ợ ng ả nh hư ở ng đế n áp suấ t trong chuông chân không. Cuố i
cùng là nguyên lý hoạ t độ ng củ a đầ u đo chân không.
4.1. Mộ t số loạ i bơ m chân không
Để hạ áp suấ t trong chuông chân không có thể sử dụ ng các phư ơ ng pháp
bơ m theo hai nguyên l ý khác nhau. Theo nguyên lý thứ nhấ t, khí ở trong
chuông đư ợ c đẩ y ra ngoài chuông bằ ng phư ơ ng pháp vậ t lý. Nguyên lý thứ
hai mang tính hoá họ c: phân tử khí trong chuông đư ợ c ngư ng tụ (hoặ c bị hấ p
thụ ) trên mộ t phầ n bề mặ t củ a chuông mà không bị đẩ y ra ngoài. Trong
khuôn khổ giáo trình này chúng ta sẽ đề cậ p đế n các loạ i bơ m thuộ c nhóm
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 87
Hình 4.1. Mặ t cắ t củ a bơ m cơ họ c
hay bơ m sơ cấ p.
thứ nhấ t. Đạ i lư ợ ng đặ c trư ng cho dòng hút củ a máy bơ m kí hiệ u là
p
Q , đơ n
vị tính là Torr.l/s. Đó là lư ợ ng khí thoát ra khỏ i chuông qua cổ bơ m trong
mộ t đơ n vị thờ i gian (1 giây) tạ i nhiệ t độ phòng,
p
Q phụ thuộ c vào áp suấ t.
Thông số đặ c trư ng cho khả năng bơ m nhanh hay chậ m củ a mộ t máy bơ m
gọ i là tố c độ bơ m ) (S , nó đư ợ c xác định bở i dòng hút trên mộ t đơ n vị
áp suấ t:
p S Q / P, = (4.1)
đơ n vị củ a tố c độ bơ m là lít/giây. Hầ u hế t các loạ i bơ m đề u có tố c độ bơ m
cố định trong khoả ng mộ t vài bậ c củ a áp suấ t. Dư ớ i hoặ c trên khoả ng áp
suấ t này, tố c độ bơ m đề u không đạ t đư ợ c giá trị danh định.
4.1.1. Bơ m cơ họ c
Hút chân không bằ ng bơ m cơ họ c (còn đư ợ c gọ i là bơ m sơ cấ p) thự c hiệ n
theo nguyên lý khí đư ợ c hút từ trong chuông, qua bơ m rồ i đẩ y ra ngoài nhờ
quá trình vậ n hành mộ t cách tuầ n hoàn củ a hệ roto và stato. Vậ n chuyể n khí
như thế có thể thự c hiệ n bằ ng nhiề u cách khác nhau. Vớ i mụ c đích tạ o ra
chân không để chế tạ o màng mỏ ng vậ t rắ n, chúng ta đề cậ p đế n ba loạ i b ơ m
cơ họ c: bơ m quay khít dầ u; bơ m roto đúp (còn gọ i là bơ m Roots) và bơ m
tuố c-bô phân tử .
a) Bơ m quay khít dầ u
Loạ i bơ m này thư ờ ng dùng để bơ m
chân không sơ cấ p trư ớ c khi vậ n
hành bơ m chân không cao cấ p. Các
loạ i bơ m thiế t kế khác nhau đư ợ c
phân biệ t qua cách vậ n chuyể n khí
bằ ng cách quay các roto trụ c chính
và cơ chế trư ợ t để hút khí vào bơ m
và đẩ y khí ra khỏ i bơ m. Trên hình
4.1 là thí dụ về mộ t loạ i bơ m quay
khít dầ u điể n hình. Đó là bơ m kiể u
roto-phiế n. Roto trong bơ m này đư ợ c
thiế t kế lệ ch tâm vớ i stato, sao cho
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
88
Hình 4.2. Tố c độ bơ m củ a bơ m cơ họ c phụ
thuộ c vào áp suấ t trong chuông.
phầ n trên củ a roto kín khít vớ i thành stato. Hai phiế n gắ n lò xo có thể trư ợ t
tự do theo phư ơ ng đư ờ ng kính củ a roto, luôn ép chặ t khít vào thành trong
củ a stato. Lớ p mỏ ng dầ u chân không có tác dụ ng giả m thiể u ma -sát củ a
thành stato vớ i roto và hai phiế n trư ợ t. Ố ng thoát lồ i đư ợ c đóng kín nhờ áp
suấ t củ a van trong bơ m. Khi roto quay, các phím l ò xo và van làm việ c mộ t
cách đồ ng bộ , kế t quả là khí đư ợ c hút từ trong chuông đẩ y ra ngoài qua cổ
bơ m.Tố c độ hút củ a máy bơ m quay khít dầ u mộ t tầ ng giả m đáng kể khi áp
suấ t trong chuông thấ p hơ n 1 Torr. Do đó, để tăng hiệ u quả bơ m ngư ờ i ta
lắ p hai máy bơ m liên tiế p nhau.
Trên hình 4.2 là đồ thị biể u diễ n sự phụ thuộ c vào áp suấ t củ a tố c độ hút đố i
vớ i hệ bơ m lắ p liên tiế p. Hai đư ờ ng cong trên đồ thị là hai đư ờ ng phụ thuộ c
áp suấ t củ a tố c độ bơ m đặ c trư ng cho hai loạ i bơ m có tố c độ 2,5 lít/giây và 7
lít/giây. Hiệ u quả bơ m cao nhấ t nằ m trong khoả ng áp suấ t lớ n hơ n 10
-3
Torr,
áp suấ t tớ i hạ n củ a hệ bơ m này đạ t đư ợ c vào khoả ng 10
-4
Torr. Các loạ i
bơ m quay khít dầ u thông
dụ ng thư ờ ng có tố c độ
nằ m trong khoả ng từ 20
lít/phút đế n vài nghìn
lít/phút. Mộ t loạ i bơ m
trung bình, tố c độ 2,5
lít/giây như mô t ả trên
hình 4.1, có khả năng duy
trì chân không trong vùng
trung chuyể n từ chuông
đế n cổ bơ m khuế ch tán
đư ờ ng kính 150 mm. Để
hút chân không củ a chuông vớ i dung tích 100 lít đư ờ ng kính 460 mm, cầ n sử
dụ ng loạ i bơ m công suấ t lớ n hơ n.
Thờ i gian bơ m (t), tính theo giây, cầ n thiế t để hạ áp suấ t trong thể tích V
(tính theo lít) từ áp suấ t
0
P xuố ng áp suấ t P đư ợ c tính bằ ng công thứ c:
(4.2)
trong đó S
0
và S là tố c độ bơ m (tính theo lít/giây) ứ ng vớ i áp suấ t đầ u và áp
suấ t cuố i.
o
o
P
4, 6.V
,
t log
S S P
=
+
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 89
Vớ i hệ chân không dung tích cỡ 100 lít sử dụ ng máy b ơ m công suấ t
7 lít/giây, muố n đạ t chân không cỡ 10
-2
Torr thì phả i hút trong 5 phút. Để
tính thờ i gian bơ m trong các điề u kiệ n áp suấ t thấ p hơ n, áp dụ ng công thứ c
trên không còn đúng nữ a. Bở i vì để nhậ n công thứ c này, ta đã bỏ qua hiệ u
ứ ng nhả khí từ thành chuông. Bình thư ờ ng, đố i vớ i các bơ m quay trong dầ u
ngư ờ i ta thư ờ ng sử dụ ng loạ i dầ u có áp suấ t hóa h ơ i tư ơ ng đố i cao (từ 10
-3
đế n 10
-5
Torr tạ i 50
o
C). Tuy nhiên, đố i vớ i hệ chân không thì cầ n phả i sử
dụ ng loạ i dầ u vớ i áp suấ t hơ i thấ p hơ n để tránh hiệ n tư ợ ng hơ i dầ u khuế ch
tán vào trong chuông gây nhi ễ m bẩ n chuông và các chi tiế t trong chuông.
Loạ i dầ u chân không sơ cấ p hiệ n nay đang đư ợ c sử dụ ng có nhãn hiệ u
BM1, BM2 (do các hãng CHLB Nga sả n xuấ t) hay VO302, VO304 ( do
các hãng Nhậ t Bả n sả n xuấ t), …
Để khắ c phụ c hiệ n t ư ợ ng hơ i dầ u khuế ch tán ngư ợ c vào trong chuông, ngư ờ i
ta phả i sử dụ ng bẫ y dầ u lắ p đặ t tr ên đoạ n trung chuyể n từ bơ m sơ cấ p đế n
bơ m khuế ch tán và từ bơ m khuế ch tán đế n chuông. Có hai loạ i bẫ y làm việ c
theo hai cơ chế khác nhau. Mộ t l à, lắ ng đọ ng hơ i dầ u trên thành ố ng làm
lạ nh bở i nitơ lỏ ng. Hai là, hấ p phụ hơ i dầ u bở i các hạ t xố p nhỏ củ a vậ t liệ u
hoạ t tính. Loạ i bẫ y này cầ n đư ợ c sấ y theo chu kỳ để khôi phụ c chứ c năng
hoạ t tính củ a vậ t liệ u hấ p phụ . Thự c nghiệ m đã chứ ng minh khi không có
bẫ y dầ u thì tố c độ khuế ch tán ngư ợ c củ a hơ i dầ u là khá lớ n, vào
khoả ng 10
-3
g.cm
-2
.s
-
1
. Bẫ y dầ u bằ ng nit ơ lỏ ng làm giả m tố c độ
khuế ch tán hơ i dầ u 0,1% so vớ i không có bẫ y . Bẫ y dầ u bằ ng chấ t hoạ t
tính AlO
3
tố t hơ n rấ t nhiề u so vớ i hoạ t tính xeolit hoặ c than hoạ t tính.
Hoạ t tính AlO
3
làm giả m dòng khuế ch tán ngư ợ c đế n 99%, tuy nhi ên
tố c độ bơ m cũ ng giả m 10-20%. Trong mộ t hệ chân không sử dụ ng b ơ m
sơ cấ p và bơ m khuế ch tán thì hơ i dầ u từ bơ m khuế ch tán cũ ng có thể
khuế ch tán ngư ợ c vào chuông. Dùng bẫ y nitơ lỏ ng lắ p đặ t ngay trên cổ
bơ m khuế ch tán sẽ loạ i trừ hiệ n t ư ợ ng khuế ch tán ngư ợ c, trong trư ờ ng
hợ p này, không cầ n phả i sử dụ ng bẫ y dầ u ở sau b ơ m sơ cấ p nữ a.
b) Bơ m roto đúp (bơ m Roots)
Khác vớ i bơ m quay khít dầ u, bơ m roto đúp (hay còn gọ i là bơ m Roots)
không cầ n dầ u chân không.Cấ u tạ o củ a loạ i b ơ m Roots đư ợ c trình bày trên
hình 4.3. Đặ c trư ng cơ bả n trong cấ u tạ o củ a bơ m Roots là hệ roto gồ m hai
roto có mặ t cắ t hình số tám, đư ợ c lắ p ráp sao cho khi quay chúng luôn kín
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
90
Hình 4.3. Sơ đồ nguyên lý làm việ c
củ a bơ m Roots.
khít nhau và tạ o ra khoả ng hút và nén khí. Chu trình hoạ t độ ng củ a bơ m
Roots có thể chia thành bố n giai đoạ n ứ ng vớ i bố n vị trí quay củ a b ơ m, như
mô tả trên hình vẽ . Ở giai đoạ n đầ u (vị trí thứ nhấ t), từ cổ bơ m thứ nhấ t khí
đư ợ c dồ n vào, sau đó mộ t phầ n củ a nó bị hút bở i roto dư ớ i, ứ ng vớ i vị trí
thứ hai. Trong hai vị trí sau (vị trí ba và bố n), lư ợ ng khí này đư ợ c đẩ y ra
khỏ i cổ thứ hai củ a bơ m. Rõ ràng là ứ ng vớ i vị trí này, roto trên đã chiế m vị
trí mớ i vớ i lư ợ ng khí sẽ đư ợ c đẩ y ra ngoài trong vị trí thứ tư . Hai roto quay
ngư ợ c chiề u nhau và đồ ng bộ chính xác, chúng l àm việ c không cầ n đế n dầ u
hay mỡ bôi trơ n. Hệ số nén khí bị giớ i hạ n bở i l ư u lư ợ ng khí ngư ợ c chiề u,
do đó giớ i hạ n củ a chân không phụ thuộ c rấ t nhiề u vào áp suấ t tạ i đầ u vào.
Có thể hút trự c tiế p từ khí quyể n, song trong tr ư ờ ng hợ p này, để giả m thiể u
nhiệ t lư ợ ng do ma sát gây nên cầ n phả i áp dụ ng hệ l àm nguộ i cư ỡ ng
bứ c cho bơ m.
Vấ n đề trên trở nên phứ c tạ p và kém hiệ u quả , do đó ngư ờ i ta thư ờ ng lắ p
bơ m quay khít dầ u vào cổ thứ nhấ t củ a bơ m Roots, khi đó t ỷ số tố c độ hút
củ a bơ m quay dầ u và roto đúp thư ờ ng đư ợ c chọ n là 1:10. Do đó bơ m roto
đúp cầ n phả i có tố c độ hút
cao, trong khoả ng 10
2
đế n 10
4
lít/giây. Trong tổ hợ p bơ m
quay mộ t tầ ng khít dầ u dả i áp
suấ t làm việ c củ a bơ m Roots
nằ m trong khoả ng 1 đế n 10
-3
Torr, đố i vớ i loạ i bơ m quay
hai tầ ng, dả i áp suấ t đó nằ m
trong khoả ng 10
-3
đế n 10
-5
Torr. Mặ c dù trong bơ m
Roots không có dầ u, như ng vì
trong hệ chân không sử dụ ng
cách lắ p liên kế t vớ i bơ m
quay khít dầ u cho nên vẫ n có
hiệ n tư ợ ng khuế ch tán ngư ợ c
củ a hơ i dầ u. Dư ớ i áp suấ t
chuông cỡ 10
-4
Torr vẫ n còn mộ t lư ợ ng nhỏ các thành phầ n khí sinh ra từ
hơ i dầ u tồ n tạ i trong chuông, như CO và C; thậ m chí có mộ t lư ợ ng nhỏ hơ n
là H
2
O và H
2
. Ư u điể m nổ i bậ t nhấ t củ a bơ m Roots là trong dả i áp suấ t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 91
kể trên hiệ u suấ t làm việ c củ a chúng cao hơ n hẳ n bơ m quay khít dầ u
và bơ m khuế ch tán. Bơ m Roots không đư ợ c sử dụ ng rộ ng rãi trong các
thiế t bị chân không cao.Tuy nhi ên, trên quan đi ể m kinh tế loạ i bơ m
này có ư u đi ể m khi cầ n hệ chân không công nghiệ p l àm việ c trong điề u
kiệ n áp suấ t từ 10 đế n 10
-2
Torr.
c) Bơ m tuố c-bô phân tử
Bơ m tuố c-bô phân tử làm việ c theo nguyên lý sau đây: các đĩa kim loạ i đư ợ c
quay vớ i tố c độ cự c nhanh (tố c độ đạ t tr ên 27.000 vòng/phút), truyề n cho
phân tử khí bị va chạ m vớ i bề mặ t củ a đĩa mộ t xung l ư ợ ng chuyể n độ ng
thẳ ng tạ o nên dòng khí văng ra khỏ i cổ bơ m tuố c-bô đế n phầ n hút củ a bơ m
sơ cấ p. Trong điề u kiệ n áp suấ t gầ n vớ i áp suấ t khí quyể n, các phân tử khí
va chạ m vớ i bề mặ t đĩa kim loạ i có thành phầ n tố c độ theo hư ớ ng quay tăng
lên. Khi va chạ m, chúng truyề n xung l ư ợ ng này cho các phầ n tử khác, do đó
độ lớ n củ a dòng khí tạ o thành tỷ lệ thuậ n vớ i độ nhớ t củ a khí. Dư ớ i áp suấ t
thấ p, toàn bộ dòng khí trở thành dòng phân tử và hầ u hế t số phân tử này đề u
tham gia vào quá trình va chạ m vớ i bề mặ t quay củ a bơ m. Kế t quả là hiệ u
suấ t bơ m tăng lên và hệ số nén không còn phụ thuộ c vào áp suấ t từ phía cổ
bơ m. Hệ số này càng cao khi khe hở giữ a mặ t phẳ ng quay và thành chuông
để khí đi qua càng hẹ p. Về lý thuyế t, hệ số áp suấ t (hệ số nén) khi khe hở vô
cùng bé có thể đạ t tỷ số 1:10
4
. Các bơ m tuố c-bô phân tử thế hệ đầ u tiên đã
có khe hở đủ nhỏ , đế n cỡ 30 um. Tuy nhiên, khe nhỏ như thế dễ dẫ n đế n sự
cố hỏ ng bơ m do dãn nở nhiệ t củ a các đĩa quay hay do các hạ t kích th ư ớ c lớ n
lọ t vào trong bơ m. Do vậ y, thiế t kế bơ m tuố c-bô khe nhỏ như vậ y là không
thự c tiễ n. Để khắ c phụ c như ợ c điể m này, Becker đã thiế t kế loạ i bơ m phân
tử gồ m các đĩa quay li ên tiế p nhau, khe hở rộ ng đế n 1 mm (hình 4.4). Mặ c
dù áp suấ t chênh lệ ch giữ a hai đĩa kề nhau là không lớ n, do có nhiề u tầ ng
đĩa liên tiế p đã tạ o ra hệ số nén tổ ng hợ p đạ t giá trị cao. Thí dụ , vớ i mộ t
bơ m có tố c độ quay 16.000 vòng/phút, hệ số nén khí hyđrô bằ ng 250, không
khí bằ ng 10
6
. Đố i vớ i các chấ t khí có trọ ng lư ợ ng phân tử lớ n hơ n thì hệ số nén
còn cao hơ n nữ a.
Hiệ n nay, có các loạ i bơ m tuố c-bô kích thư ớ c khác nhau vớ i tố c độ bơ m
phân tử không khí đạ t từ 260 đế n 4000 lít/giây. Tuy nhi ên, khi áp suấ t trong
chuông lớ n hơ n 10
-2
Torr, công suấ t bơ m giả m độ t ngộ t và đố i vớ i áp suấ t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
92
khí bằ ng 1 Torr thì giá trị công suấ t chỉ đạ t vài phầ n trăm giá trị củ a mứ c
danh định. Do vậ y, bơ m tuố c-bô phân tử chỉ nên vậ n hành khi áp suấ t
thấ p hơ n 10
-2
Torr, nghĩa là bơ m tuố c-bô cầ n đư ợ c lắ p đặ t tiế p theo bơ m
sơ cấ p và chỉ vậ n hành khi bơ m tuố c-bô đã đư ợ c hút chân không đế n 10
-3
Torr. Giớ i hạ n thấ p nhấ t củ a áp suấ t đạ t đ ư ợ c đố i vớ i bơ m tuố c-bô khó có
thể đánh giá đầ y đủ và chính xác. Từ hệ số nén khí củ a loạ i bơ m này có thể
suy ra chân không tớ i hạ n đạ t đư ợ c không kém hơ n 10
-10
Torr. Mặ c dù vậ y,
cho đế n nay áp suấ t phổ biế n nhậ n đư ợ c trong chuông chân không chỉ vào
khoả ng từ 10
-8
đế n 10
-9
Torr.
Trong thành phầ n khí đọ ng lạ i trong chuông chân không cao có các khí phân
tử lư ợ ng nhỏ như H
2
hoặ c He. Mặ c dù trong bơ m tuố c-bô không có dầ u bôi
trơ n, hơ i dầ u vẫ n không thể loạ i trừ tuyệ t đố i vì khả năng khuế ch tán ngư ợ c
củ a hơ i dầ u từ bơ m sơ cấ p hay từ các loạ i van và các chi tiế t khác vẫ n tồ n
tạ i. Trong mộ t giây, l ư ợ ng hơ i dầ u lọ t qua khe hở vào chuông tớ i 10
-10
phân
tử từ dầ u chân không. Vớ i các hệ máy b ơ m hiệ n đạ i dùng roto từ tính có thể
loạ i trừ hiệ n tư ợ ng nhiễ m hơ i dầ u và chân không có thể nâng cao trên 10
-10
Torr. Tuy nhiên, loạ i bơ m này rấ t hiế m vì giá thành chế tạ o vô cùng lớ n.
Chúng chỉ đư ợ c sử dụ ng trong các cơ sở nghiên cứ u mạ nh và vớ i các mụ c
đích rấ t đặ c biệ t.
Hình 4.4. Sơ đồ mặ t cắ t củ a bơ m
tuố c-bô phân tử
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 93
Hình 4.5. Sơ đồ cấ u tạ o
bơ m khuế ch tán
4.1.2. Bơ m khuế ch tán
a) Nguyên lý hoạ t độ ng
Trên hình 4.5 là sơ đồ cấ u tạ o củ a bơ m khuế ch tán. Nhờ đố t bằ ng bế p điệ n,
nhiệ t độ củ a chấ t lỏ ng (dầ u chân không cao cấ p) tăng l ên đế n nhiệ t độ sôi,
hơ i nóng bay lên đư ờ ng dẫ n hơ i, qua phễ u kim loạ i, phụ t mạ nh ra khỏ i vùng
chân không cao. Chuyể n từ vùng áp suấ t cao hơ n xuố ng vùng áp suấ t thấ p
hơ n, hơ i nóng nở ra. Trong trư ờ ng hợ p này, phân bố tố c độ củ a phân tử thay
đổ i: tăng thành phầ n trong hư ớ ng giãn nở , hơ n nữ a về giá trị nhiệ t l ư ợ ng, tố c
độ bị đổ i hư ớ ng và trở nên lớ n hơ n so vớ i tố c độ củ a hệ khí tĩnh. Vì thế , tạ i
nhiệ t độ này, tia hơ i nóng phụ t ra
có thể đạ t tố c độ củ a si êu âm.
Điề u này có ý nghĩa rấ t lớ n. Bở i
vì bình thư ờ ng các phân tử
khuế ch tán ra từ phân bố chuẩ n
củ a tố c độ không tạ o nên hiệ u
ứ ng hút khí. Các phân tử khí từ
vùng chân không cao khuế ch tán
vào trong bơ m qua l ố i vào, và khi
va chạ m vớ i các phân tử củ a dầ u
chân không tạ o nên thành phầ n
tố c độ hư ớ ng về vùng chân không
sơ cấ p (cổ bơ m cơ họ c). Kế t quả
là ở lân cậ n phễ u kim loạ i xuấ t
hiệ n vùng áp suấ t khí bị giả m
mạ nh, hư ớ ng theo vùng này quá
trình khuế ch tán khí từ vùng chân
không cao cũ ng đư ợ c tăng cư ờ ng.
Vì tia hơ i nóng truyề n ra càng xa
phễ u kim loạ i thì mậ t độ củ a nó càng bé đi, do sự va chạ m mà khả năng đổ i
hư ớ ng củ a chuyể n độ ng bị hao đi mộ t phầ n. Do đó phầ n dư ớ i (đáy) củ a bơ m
khuế ch tán đư ợ c hình thành vùng áp suấ t tăng, từ đó mà khí tích tụ bị bơ m
sơ cấ p hút ra ngoài. Để ngư ng tụ hơ i dầ u và nhậ n đư ợ c lớ p biên đậ m đặ c
hơ n, bơ m khuế ch tán đư ợ c làm nguộ i bằ ng nư ớ c lạ nh chả y vòng quanh trong
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
94
các ố ng đồ ng dẫ n nư ớ c, mà ố ng đồ ng này đư ợ c hàn liề n vớ i thành ngoài củ a
bơ m. Để tăng hiệ u suấ t bơ m (tứ c là tăng cả hư ớ ng và giá trị vậ n tố c củ a
luồ ng hơ i), các bơ m khuế ch tán thư ờ ng đư ợ c thiế t kế cấ u tạ o từ nhiề u tầ ng
phễ u kim loạ i (phổ biế n là ba tầ ng) làm việ c nố i tiế p nhau.
Để tránh hiệ n tư ợ ng phun hơ i dầ u và tạ p chấ t củ a chúng vào trong vùng
chân không cao (trong chuông), dầ u chân không cao cấ p cầ n thoả mãn các
yêu cầ u sau:
- Không bị phân hủ y nhiệ t và không bị ôxy hóa tạ i nhiệ t độ làm việ c;
- Có áp suấ t hơ i rấ t thấ p tạ i nhiệ t độ phòng. Điề u kiệ n này để đả m bả o
khi bơ m không làm vi ệ c hơ i dầ u không có khả năng khuế ch tán vào
các bộ phậ n khác trong hệ chân không.
Trư ớ c đây, khi chư a có nề n công nghiệ p dầ u khí thì chỉ có chấ t lỏ ng như
thuỷ ngân mớ i đáp ứ ng các yêu cầ u trên. Về sau và nhấ t là gầ n đây, vớ i việ c
giả i quyế t đư ợ c các kỹ thuậ t chế biế n, tách sả n phẩ m dầ u nhiệ t độ cao,
ngư ờ i ta đã chế tạ o đư ợ c nhiề u chấ t lỏ ng thích hợ p cho mụ c đích sử dụ ng
làm dầ u chân không khuế ch tán. Tr ên bả ng 4.1 trình bày mộ t số loạ i dầ u
chân không cao cấ p và các thông số hoá lý cơ bả n củ a chúng. Vớ i mộ t số
loạ i dầ u cao cấ p chấ t l ư ợ ng cao cùng vớ i việ c thiế t kế hoàn hả o củ a bơ m
khuế ch tán và bơ m cơ họ c, áp suấ t trong mộ t hệ chân không có thể đạ t đ ư ợ c
giá trị rấ t cao, trong khoả ng 10
-7
-10
-10
Torr.
b) Dòng hơ i dầ u ngư ợ c
Từ bả ng 4.1, chúng ta nhậ n thấ y rằ ng, mứ c độ chân không cao cấ p đạ t đ ư ợ c
bằ ng bơ m khuế ch tán có giớ i hạ n áp suấ t c òn thấ p hơ n áp suấ t hơ i dầ u tạ i
nhiệ t độ tư ơ ng ứ ng. Thự c nghiệ m cho thấ y, tạ i vùng áp suấ t 10
-7
-10
-8
Torr
bơ m khuế ch tán đã “nhả ” mộ t lư ợ ng khí phân tử (hơ i tạ p chấ t) tư ơ ng đư ơ ng
vớ i lư ợ ng khí mà chúng bơ m đư ợ c. Thậ m chí, nế u như hơ i tạ p chấ t chư a bão
hoà ở nhiệ t độ củ a chuông chân không th ì tạ i áp suấ t 10
-7
Torr chỉ trong vài
giây cũ ng đã phát hiệ n lớ p đơ n củ a chấ t hấ p phụ hình thành.Trong thự c
nghiệ m chân không cao, việ c tồ n tạ i dòng hơ i dầ u ngư ợ c (hơ i dầ u từ bơ m
khuế ch tán) lọ t vào trong chuông là vấ n đề rấ t nghiêm trọ ng. Bở i vì phân tử
củ a hơ i dầ u chính là tạ p chấ t rấ t có hạ i mộ t khi chúng xâm nhậ p vào trong
sả n phẩ m màng mỏ ng. Ngoài ra, lớ p mỏ ng hơ i dầ u ngư ng tụ trên bề mặ t đế
trư ớ c khi tạ o màng chính là nguyên nhân làm gi ả m chấ t lư ợ ng củ a màng,
như mậ t độ mầ m khuyế t tậ t tăng và độ bám dính củ a màng trên đế
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 95
giả m,…Do đó, cầ n phả i có giả i pháp kỹ thuậ t để khắ c phụ c dòng hơ i dầ u
khuế ch tán ngư ợ c ngay trong lòng bơ m khuế ch tán.
Bả ng 4.1. Tính chấ t vậ t lý củ a mộ t số dầ u khuế ch tán .
Ký mã hiệ u
Phân tử gam
trung bình
(g/mol)
Áp suấ t hơ i
tạ i 25
o
C,
(Torr)
Nhiệ t độ
sôi tạ i
0,5Torr
(
o
C)
Khố i lư ợ ng
riêng
(g/cm
3
)
Octoil 391
2.10
-
7
183 0,983
Octoil-S 427
5.10
-
8
199 0,912
Conwoil-20 400
8.10
-
6
190 0,86
Conwalecs-10 454
2.10
-
9
275 1,2
Cantowak-5 446
1.10
-
9
260 -
Cantowak-6 538
1.10
-
9
300 -
DC-702 530
5.10
-
7
180 1,071
DC-704 484
2.10
-
8
215 1,066
DC-705 546
3.10
-
10
245 1,095
Thí dụ , hiệ n tư ợ ng hơ i dầ u bay lên do đỉnh phễ u kim loạ i quá nóng có thể
khắ c phụ c bằ ng cách tăng cư ờ ng làm nguộ i ở phía trên. Hiệ n tư ợ ng các tia
phụ t ra từ phễ u bị gián đoạ n hoặ c xé th ành các hạ t (trên hình 4.5 là các tia
đứ t và các dấ u chấ m nằ m trên phễ u) cũ ng tạ o ra dòng khuế ch tán ngư ợ c khá
lớ n. Hiệ n tư ợ ng này đư ợ c khắ c phụ c bằ ng cách lắ p đặ t thêm đư ờ ng ố ng
nư ớ c làm nguộ i bao quanh vùng biên củ a phễ u. Tuy nhiên, để khắ c phụ c
hiệ n tư ợ ng khuế ch tán ngư ợ c củ a các phân tử bị tách ra khỏ i dầ u khuế ch tán
thì cầ n phả i lắ p đặ t thêm các loạ i bẫ y khác nhau gi ữ a bơ m khuế ch tán và
chuông chân không, trong đó có b ẫ y nitơ lỏ ng.
Ngày nay bơ m khuế ch tán công suấ t lớ n th ư ờ ng đư ợ c sử dụ ng trong
các nhà máy xí nghi ệ p sả n xuấ t hàng tiêu dùng mà liên quan đế n kỹ
thuậ t chân không. Trong khoa họ c kỹ thuậ t, nhấ t l à trong lĩnh vự c
nghiên cứ u vậ t liệ u mớ i, thay vì sử dụ ng bơ m khuế ch tán, để hút chân
không cao cấ p cầ n sử dụ ng bơ m tuôc-bô phân tử hay bơ m cryo.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
96
4.2. Nguyên lý chân không
4.2.1. Tố c độ bơ m
Như trên đã giớ i thiệ u về các loạ i máy bơ m chân không. Xem xét t ố c độ
bơ m chân không từ lý thuyế t độ ng họ c chấ t khí, có thể nhậ n thấ y rằ ng
chuông (thư ờ ng đư ợ c làm bằ ng thủ y tinh hay thép không gỉ) đư ợ c hút chân
không là nhờ sự chênh lệ ch áp suấ t tạ o ra bở i máy bơ m chân không. Nhờ đó
các phân tử khí đư ợ c hút qua cổ bơ m vớ i tố c độ bằ ng tích củ a tầ n suấ t va
chạ m tổ ng hợ p . )
in out
z z ÷ và diệ n tích thiế t diệ n cổ bơ m ). ( A Trên hình 4.6
là sơ đồ hệ chân không đơ n giả n nhấ t, nó chỉ gồ m máy bơ m và chuông. Để
dễ theo dõi khi phân tích, bên cạ nh hình vẽ đó là minh họ a sơ đồ mộ t mạ ch
điệ n tư ơ ng đư ơ ng (chúng ta coi s ự dẫ n khí trong hệ chân không giố ng nh ư
dẫ n điệ n trong mạ ch điệ n).Do đó dòng khí - dòng củ a các phân tử - J đư ợ c
biể u thị bở i biể u thứ c sau:
(4.3)
Dòng khí có giá trị dư ơ ng khi khí đư ợ c xả vào chuông. Dòng phân t ử khí ra
khỏ i chuông đạ t giá trị lớ n nhấ t khi 0 =
in
z , sử dụ ng biể u thứ c đã biế t về
tầ n suấ t va chạ m ở chư ơ ng 2:
(4.4)
trong đó:
N là tổ ng số phân tử trong chuông,
t là thờ i gian,
av
v là tố c độ trung bình củ a phân tử va chạ m.
Khả năng bơ m củ a mộ t hệ còn đư ợ c đặ c trư ng bở i tố c độ bơ m ), (S tố c độ
dòng khố i, đơ n vị tính là m
3
/h hoặ c l/s. Dòng phân tử khí ra khỏ i chuông
chính là tích củ a tố c độ bơ m và mậ t độ phân tử trong chuông. Vì thế S liên
hệ vớ i dòng tổ ng J bằ ng biể u thứ c đơ n giả n là:
(4.5)
in out
dN
A J
dt
. z z ÷ = ÷ ÷
|
|
' ¹
av out
max
J z A n A/4 . . . ÷ ÷ v = =
J
.
S
n
÷ ÷
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 97
Hình 4.6. a)Hệ chân không đơ n giả n,
b)Mô tả nguyên lý dòng hút khí bơ m chân không,
c) S o sánh vớ i mạ ch điệ n tư ơ ng đư ơ ng.
Hình 2.2. Diệ n tích xả y ra va chạ m bằ ng .
Hình 2.4. Dòng phân tử khuế ch tán trong lớ p giữ a và
Hình 2.5. Mô tả chuyể n độ ng củ a khí trong ố ng d ài để tính
độ nhớ t.
Tư ơ ng tự , tố c độ hút đạ t giá trị lớ n nhấ t khi
max
J J = , bằ ng:
(4.6)
Trên thự c tế cầ n phả i lự a chọ n mộ t cách thích hợ p giữ a khả năng b ơ m củ a
máy và đư ờ ng kính cổ bơ m. Có hai khả năng xả y ra, nế u lự a chọ n sai:
- Tố c độ bơ m lớ n như ng cổ bơ m lạ i nhỏ . Trư ờ ng hợ p này dẫ n đế n quá trình
bơ m không hiệ u quả , tổ n hao nhiề u năng lư ợ ng, máy bơ m dễ bị nóng;
- Tố c độ bơ m thấ p như ng diệ n tích cổ bơ m lớ n. Trong trư ờ ng hợ p này,
máy bơ m phả i làm việ c lâu mà hệ chân không vẫ n không đạ t đư ợ c
chân không cao cầ n thiế t.
Công thứ c (4.6) là ứ ng vớ i điề u kiệ n lý t ư ở ng, thự c tế tố c độ bơ m không đạ t
đư ợ c giá trị lớ n như thế , mà thư ờ ng là nhỏ hơ n nhiề u. Nguyên nhân chính là
do kỹ thuậ t cơ khí chính xác chư a đả m bả o để dòng khí ngư ợ c không
quay trở lạ i bơ m.
Nói chung, trong kỹ thuậ t chân không và công nghệ màng mỏ ng thì đơ n vị
củ a S đư ợ c lấ y theo l /s. Điề u này phù hợ p vớ i thói quen củ a ngư ờ i sử dụ ng
các loạ i bơ m trong thự c tiễ n, nhấ t là khi làm việ c vớ i các thiế t bị bơ m cơ
họ c kiể u roto (quay) hay piston (nén). Mộ t khi máy b ơ m kiể u roto bắ t đầ u
hoạ t độ ng và van đư ợ c mở thì khí sẽ đư ợ c hút từ chuông vào bơ m cho đế n
khi hệ chân không đạ t đư ợ c trạ ng thái cân bằ ng. Tố c độ bơ m trong trư ờ ng
hợ p này đư ợ c hiể u là tích củ a thể tích khí (mà máy bơ m hút đư ợ c trong mộ t
av
S v .A / 4. ÷
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
98
vòng quay) vớ i tố c độ quay củ a roto. Khái niệ m n ày cũ ng đư ợ c sử dụ ng cho
máy bơ m piston (Mặ c dù loạ i bơ m này cho đế n nay hầ u như không còn sả n
xuấ t), và các loạ i máy bơ m khác. Nói theo cách khác, máy bơ m chân không
đã hút tấ t cả các loạ i phân tử khí ra khỏ i chuông (hay b ình) chân không vớ i
tố c độ S lít/giây. Vì áp suấ t trong chuông sẽ giả m sau mộ t khoả ng thờ i gian
bơ m, cho nên dòng phân tử khí bị hút ra khỏ i chuông cũ ng giả m, Mặ c d ù tố c
độ bơ m củ a máy bơ m không thay đổ i.
Ứ ng dụ ng. Mộ t bơ m khuế ch tán thư ơ ng mạ i có tố c độ bơ m (đố i vớ i không
khí bình thư ờ ng) là 5600 l/s. Đư ờ ng kính củ a cổ bơ m là 31 cm. So sánh t ố c
độ bơ m thự c tế vớ i tố c độ bơ m theo lý thuyế t.
Để đơ n giả n chúng ta coi trong không khí chỉ có khí nitơ vớ i khố i lư ợ ng 28
đvnt. Khi đó chúng ta có:
Diệ n tích củ a cổ bơ m là:
do đó:
Như vậ y giá trị củ a tố c độ bơ m thự c tế củ a máy bơ m thấ p hơ n nhiề u so vớ i
giá trị tính đư ợ c từ lý thuyế t. Điề u này phả n ánh kỹ thuậ t chế tạ o bơ m chân
không vẫ n còn khoả ng cách lớ n để đạ t đư ợ c mộ t máy bơ m lý tư ở ng.

Trong hầ u hế t các thiế t bị chân không, thí dụ như mô tả trên hình 4.6 thì cổ
bơ m có cấ u trúc hình ố ng. Cấ u trúc này có độ dẫ n khí nhấ t định, gọ i là C ,
nó liên hệ độ lớ n củ a dòng phân tử qua cổ bơ m vớ i độ chênh lệ ch củ a mậ t
độ khí giữ a hai đầ u cổ bơ m, như đã đư ợ c nói đế n ở phầ n trên. Biể u thứ c
miêu tả liên hệ này là phư ơ ng trình tính độ dẫ n:
(4.7)
. )
1/ 2
23
av
27
8 1, 38 10 J / K 298K
v 475m / s.
28 1, 66 10 kg
÷
÷
]
× × ×
]
= =
] t × × ×
]
. )
2 2
max
475m / s 7, 55 10 m
S 8956 l /s.
4
÷
× ×
= =
2
2 2
0, 31m
7, 55 10 m ,
2
÷
|
t× = ×
|
' ¹
J
.
C
n
÷ ÷
A
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 99
Từ biể u thứ c này thấ y rằ ng, độ dẫ n củ a cổ bơ m bằ ng tố c độ bơ m lý tư ở ng, vì
khi không có dòng khí ngư ợ c, thì n n = A , do đó:
Tấ t cả các cấ u trúc khác như ố ng nố i, van chu trình, van xả khí hay các khe
hở không mong muố n trong hệ chân không đề u có độ dẫ n đặ c tr ư ng.
Các biể u thứ c củ a S cho chúng ta tố c độ bơ m tố i đa (về lý thuyế t) củ a mộ t
máy bơ m đố i vớ i mộ t hệ khí và tạ i nhiệ t độ xác định. Vì vậ y, mộ t máy bơ m
có tố c độ bơ m lớ n nhấ t có thể cũ ng chỉ bằ ng giá trị củ a độ dẫ n củ a cổ b ơ m.
Tuy nhiên, cũ ng có nhữ ng bơ m, thí dụ bơ m khuế ch tán, có thể đạ t đư ợ c tố c
độ bơ m gầ n vớ i tố c độ bơ m lý thuyế t.
Bây giờ chúng ta xem, khi máy bơ m làm việ c thì áp suấ t trong bơ m giả m
theo thờ i gian như thế nào. Sử dụ ng định luậ t khí lý t ư ở ng, ta có:
Lờ i giả i củ a phư ơ ng trình trên là:
(4.8)
Như vậ y, áp suấ t tr ong chuông gi ả m theo hàm số mũ củ a thờ i gian và
tỷ số . / V S
Điề u gì xả y ra khi chuông chân không có khe hở nhỏ ? Trong tr ư ờ ng hợ p này
khe hở đư ợ c coi là mộ t cấ u trúc dẫ n khí giố ng như ố ng hẹ p, do đó nó có độ
dẫ n khí nhấ t định, ký hiệ u .
L
C Nế u như áp suấ t củ a chuông chân không rấ t
nhỏ so vớ i áp suấ t môi tr ư ờ ng (1 atmosphe), thì tố c độ mà các phân tử khí
lọ t vào chuông qua khe hở sẽ là đạ i lư ợ ng cố định,
L L
dN/ dt C n = , vì
n n ÷ A (mậ t độ khí ở ngoài chuông, trong môi trư ờ ng). Sau mộ t thờ i gian
bơ m, áp suấ t trong chuông cũ ng sẽ đạ t đ ư ợ c giá trị nhỏ nhấ t và bão
hòa.. Trong trạ ng thái này, cả dt dP / và dt dN / đề u bằ ng 0. Lúc này ta có:
Trong điề u kiệ n bão hòa
ult
P P ÷ (áp suấ t tớ i hạ n), do đó:
(dN/ dt) kT
dP/dt nS kT/ V SP/ V.
V
×
= = ÷ × = ÷
. )
St
P P 0 .exp .
V
|
= ÷
|
' ¹
ult
L L
dN/ dt dN/ dt nS dN/ dt P S/ kT 0. = ÷ = ÷ =
J
.
C
n
÷ ÷
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
100
(4.9)
Ứ ng dụ ng. Cho rằ ng, chuông chân không có mộ t khe hở nhỏ vớ i độ dẫ n là
10
-4
l/s. Hỏ i dòng các phân tử khí lọ t vào trong bơ m có độ lớ n là bao nhiêu?
Mậ t độ khí tạ i nhiệ t độ phòng và áp suấ t khí quyể n là:
Khi đó:
Giả sử dùng bơ m chân không kể trên, hỏ i khi có khe hở như vậ y thì áp suấ t
tớ i hạ n củ a hệ chân không đạ t đư ợ c là bao nhiêu?
Áp dụ ng công thứ c (4.9), ta có:

4.2.2. Dòng hút khí
Khái niệ m hút khí đư ợ c sử dụ ng cùng vớ i các biể u thứ c củ a t ố c độ bơ m và
độ dẫ n khí để tính dòng khí và để mô hình hóa độ ng họ c bơ m và các hệ chân
không. Nhìn chung, khái ni ệ m hút khí là rấ t phổ biế n, như ng việ c giả i thích
ý nghĩa và sự đóng góp củ a nó vào các biể u thứ c trong độ ng họ c chấ t khí,
thậ m chí trong cả kỹ thuậ t chân không thì vẫ n còn rấ t hạ n chế .
Dễ nhậ n thấ y rằ ng, tố c độ thay đổ i củ a số l ư ợ ng các phân tử khí trong
chuông có liên quan vớ i áp suấ t củ a chuông. Để l àm rõ vấ n đề này, chúng ta
sử dụ ng các định luậ t khí lý t ư ở ng cho hệ chân không, vớ i giả thiế t chúng ta
đang có mộ t hệ cân bằ ng (áp suấ t và nhiệ t độ đồ ng nhấ t, ngay cả gầ n khu
vự c cổ bơ m và lỗ hổ ng). Trong trư ờ ng hợ p này, chúng ta có:
. )
L
ult
kT dN / dt
.
p
S
=
. )
25 3
23
760Torr
n 2, 46 10 m .
1, 38 10 J / K 298K
÷
÷
= = ×
× ×
4 25 3 18 1
dN
10 l / s 2, 46 10 m 2.46 10 s .
dt
÷ ÷ ÷ |
= × × = ×
|
' ¹
23 18 1
5
ult
1, 38 10 J / K 298K 2, 46 10 s
P 1, 36 10 Torr.
5600l /s
÷ ÷
÷
× × × ×
= = ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 101
(4.10)
Vì thể tích củ a chuông và nhiệ t độ là không thay đổ i, ta có:
(4.11)
Vế bên trái củ a biể u thứ c trên miêu tả dòng hút khí củ a hệ chân không, khi
áp suấ t tăng đạ i lư ợ ng này có giá trị dư ơ ng:
(4.12)
Theo quy định củ a Hộ i Chân không Hoa Kỳ (American Vacuum Society) th ì
dòng hút khí đư ợ c định nghĩa “là mộ t lư ợ ng khí trong hệ đặ c trư ng bở i thể
tích - áp suấ t đi qua mộ t thiế t diệ n mở nào đó trong mộ t đơ n vị thờ i gian, tạ i
nhiệ t độ nhấ t định”. Như vậ y, dòng hút khí cũ ng chính là tích củ a dòng phân
tử ) / ( dt dN và . kT Biể u thứ c bên phả i củ a (4.11) tư ơ ng ứ ng vớ i dòng hút
khí có giá trị dư ơ ng trong trư ờ ng hợ p phân tử khí từ bên ngoài lọ t vào chuông:
(4.13)
Chúng ta thấ y, dòng các phân tử khí lọ t vào trong chuông qua khe hở
L
(J ) đặ c trư ng cho khe hở ấ y, như ng dòng hút khí củ a khe hở lạ i chính l à giá
trị củ a dòng này nhân vớ i . kT
Từ đây chúng ta cũ ng có thể áp dụ ng khái niệ m d òng hút khí cho mộ t máy
bơ m trong hệ chân không. Dòng hút thoát ra từ hệ chân không nhờ máy bơ m
đư ợ c xác định bở i biể u thứ c:
(4.14)
Ở đây nhậ n giá trị dư ơ ng trong trư ờ ng hợ p các phân tử khí bị hút vào
bơ m (cũ ng có thể xả y ra điề u ngư ợ c lạ i, khi các phân tử khí bị hút ngư ợ c lạ i
vào chuông, do van chu trình hoạ t độ ng sai quy trình đóng mở hệ chân
không. Trong trư ờ ng hợ p này vì trong bơ m cơ họ c hoặ c khuế ch tán đang có
sẵ n dầ u chân không, cho nên dầ u bị hút vào chuông. Hiệ n tư ợ ng này gọ i là
. ) . ) d PV d NkT
.
dt dt
=
dP dN
V kT kTJ.
dt dt
= =
c
dP
.
Q V
dt
=
p p
Q kTJ SP. ÷ =
p
Q
L L
Q kTJ . ÷
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
102
“sụ c dầ u”, sự cố sụ c dầ u thư ờ ng không xả y ra đố i vớ i các hệ chân không
hiệ n đạ i, trong đó các van chu tr ình đư ợ c thiế t kế hoạ t độ ng tự độ ng theo
đúng quy trình đóng và mở hệ chân không, kể cả khi có sự cố mấ t điệ n
độ t ngộ t.
Cuố i cùng, dòng hút khí qua các cấ u trúc như ố ng, mà đạ i lư ợ ng đặ c trư ng
củ a nó là độ dẫ n
t
C , đư ợ c biể u diễ n bằ ng công thứ c:
t t t
Q kTJ kTC n C p. ÷ = A = A (4.15)
Biể u thứ c (4.15) hoàn toàn tư ơ ng t ự biể u thứ c về định luậ t ôm trong mạ ch
điệ n. Các đạ i lư ợ ng đặ c trư ng cho mộ t cấ u trúc dẫ n khí như dòng hút khí,
chênh lệ ch áp suấ t và độ dẫ n khí có thể so sánh t ư ơ ng tự vớ i các đạ i lư ợ ng
vậ t lý trong mộ t mạ ch điệ n nh ư dòng điệ n, hiệ u điệ n thế và độ dẫ n củ a
điệ n trở .
Ứ ng dụ ng. Tính dòng hút củ a khe hở trong thí dụ trên.
Áp dụ ng công thứ c (4.15), ta có:

Từ công thứ c (4.15) chúng ta nhậ n thấ y d òng hút củ a mộ t vế t rò hay lỗ hổ ng
nói chung thay đổ i theo nhiệ t độ , Mặ c dù số lư ợ ng các phân tử lọ t vào
chuông không thay đổ i.
4.2.3. Độ dẫ n củ a hệ chân không
Chúng ta biế t rằ ng, mộ t hệ chân không bao giờ cũ ng bao gồ m các bộ phậ n từ
máy bơ m đế n chuông chân không, các hệ thố ng van chu tr ình, các đầ u và cổ
nố i, van xả khí, ... Chúng li ên kế t vớ i nhau thành mộ t hệ kín để khi vậ n hành
đạ t đư ợ c môi trư ờ ng trong chuông có áp suấ t thấ p nhấ t (tứ c l à chân không
cao nhấ t có thể ). Như vậ y, độ dẫ n củ a hệ chân không phả i l à độ dẫ n hiệ u
dụ ng, tứ c là độ dẫ n tổ ng từ các độ dẫ n củ a từ ng cấ u trúc chi tiế t, thí dụ cá c
van nố i tiế p nhau hay các ố ng nố i song song. Giố ng nh ư trong kỹ thuậ t điệ n,
các điệ n trở đư ợ c mắ c nố i tiế p hay song song sẽ có điệ n trở tổ ng hợ p củ a
. )
23 18
2
L
Q 1, 38 10 J / K 298K 2, 46 10 /s
7, 6 10 Torr.l /s.
÷
÷
= × × × ×
= ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 103
toàn mạ ch. Tuy nhiên, vấ n đề lậ p biể u thứ c về độ dẫ n cho to àn hệ chân
không là không thể , bở i vì chúng ta không có đủ dữ kiệ n cầ n thiế t đố i vớ i
từ ng cấ u trúc củ a các bộ phậ n dẫ n khí. Để hiể u mộ t cách khái quát, d ư ớ i đây
chúng ta xem xét thí dụ cụ thể .
Như trong chư ơ ng 2, chúng ta đã nhậ n đư ợ c biể u thứ c về độ dẫ n cho hai cấ u
trúc cơ bả n là ố ng dẫ n và lỗ hổ ng ở hai chế độ dòng khí là chế độ nhớ t và
chế độ phân tử (Knudsen). Thí dụ , độ dẫ n củ a mộ t ố ng d ài, tư ơ ng ứ ng ở chế
độ nhớ t và chế độ Knudsen l à
. )
2
m,tube av
C .a 2 a /3L = t v và
. )
4
v,tube av
C .a / 8 kTL P = t n . Rõ ràng, khi độ dài củ a ố ng bằ ng 0 thì biể u thứ c
đầ u không còn có ý nghĩa. Điề u này trên thự c tiễ n là không đúng. Khắ c phụ c
khó khăn này chúng ta cầ n đư a vào khái niệ m độ dẫ n tổ ng hợ p củ a mộ t hệ
có cấ u trúc dẫ n khí, mà ít nhấ t trong đó có cả ố ng và lỗ hổ ng, điề u mà trên
thự c tế bao giờ cũ ng xả y ra. Khi đó chúng ta có b iể u thứ c về độ dẫ n tổ ng
hợ p trong cấ u trúc mắ c nố i tiế p l à:
total tube oriff
1/ C 1/ C 1/ C . = + (4.16)
Công thứ c trên đã đư ợ c kiể m chứ ng, đúng cho hai tr ư ờ ng hợ p đặ c biệ t l à
ố ng rấ t dài hoặ c rấ t ngắ n. Còn trong trư ờ ng hợ p trung gian thì nó không còn
đúng về định lư ợ ng. Đã có nhiề u tác giả cố gắ ng giả i quyế t vấ n đề n ày mộ t
cách triệ t để , như ng kế t quả nhậ n đư ợ c cũ ng chỉ phù hợ p cho từ ng cấ u trúc
dẫ n khí cụ thể . Điề u đó chứ ng tỏ tính phứ c tạ p củ a độ ng họ c chấ t khí trong
các hệ chân không thự c, mà dư ớ i đây chúng ta sẽ xem xét các đặ c tính độ ng
họ c cơ bả n củ a nó.
4.3. Đặ c tính chung củ a hệ chân không
4.3.1. Các khái niệ m độ ng họ c cơ bả n
Mộ t mô hình gầ n thự c tế củ a mộ t hệ chân không đ ư ợ c mô tả trên hình 4.7.
Để thuậ n tiệ n theo dõi, trong sơ đồ này chúng ta coi tấ t cả các khe hở nhỏ
không mong muố n có tác dụ ng như mộ t van thông vớ i không khí, gọ i tắ t l à
“van thông”. Dòng hút củ a van thông đư ợ c ký hiệ u là
L
Q , đạ i lư ợ ng này hầ u
như không đổ i, chừ ng nào áp suấ t trong chuông
3
P 1 a t . . . Trong hệ còn có
bẫ y (nư ớ c hoặ c nitơ lỏ ng) và vách ngăn bơ m khuế ch tán vớ i chuông. Chúng
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
104
đặ c trư ng bở i độ dẫ n tư ơ ng ứ ng là
b
C và .
v
C Máy bơ m có tố c độ bơ m thự c
là S, như ng đố i vớ i cả hệ chân không, sẽ có tố c độ b ơ m hiệ u dụ ng. Bở i vì,
ngoài cổ bơ m còn phả i tính đế n cả bẫ y và van vách ngăn, do đó S
eff
< S.
Bơ m này có áp suấ t tớ i hạ n là
ult
P , giá trị củ a áp suấ t này sẽ thấ p hơ n khi
đóng các van thông.
Tiế p theo, chúng ta sẽ thấ y hiệ n t ư ợ ng khử hấ p phụ từ các chi tiế t trong
chuông và từ thành trong củ a chuông. Hiệ n tư ợ ng khử hấ p phụ là quá trình
ngư ợ c củ a hiệ u ứ ng hấ p phụ trên bề mặ t củ a thành chuông. Các đạ i lư ợ ng
khác đư ợ c ghi trên sơ đồ hệ chân không. Để dễ theo dõi khi phân tích
nguyên lý làm việ c củ a hệ chân không vớ i các khái niệ m về chênh lệ ch áp
suấ t, dòng khí, độ dẫ n khí, chúng ta để bên cạ nh mộ t sơ đồ tư ơ ng đư ơ ng củ a
mộ t mạ ch điệ n đặ c trư ng bở i hiệ u điệ n thế , dòng điệ n và độ dẫ n. Cầ n lư u ý,
đây không phả i là sơ đồ mắ c điệ n cho mạ ch điề u khiể n hệ chân không này.
Dòng hút củ a “van thông” là không đổ i, trong khi quá trình khử hấ p phụ cho
ta dòng hút thay đổ i theo thờ i gian phụ thuộ c vào lịch sử hấ p phụ củ a hệ
chân không. Trên hình 4.7 quá trình nh ả khí không miêu tả bằ ng mộ t ký
hiệ u nào, trên thự c tế dòng hút củ a quá trình này là rấ t bé, coi như
bằ ng 0.
So sánh vớ i mạ ch điệ n tư ơ ng đư ơ ng, thờ i điể m đóng công tắ c điệ n ( t = 0)
là tư ơ ng ứ ng vớ i thờ i điể m mở vách ngăn (bơ m khuế ch tán vớ i chuông) để
Hình 4.7. Mô hình củ a mộ t hệ chân không (phả i) và sơ đồ
mạ ch điệ n tư ơ ng đư ơ ng (trái)
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 105
bắ t đầ u hút chân không cao trong chuông (cho rằ ng lúc n ày chuông đã đư ợ c
hút chân không sơ cấ p đế n mứ c cầ n thiế t).
Có bố n đạ i lư ợ ng đặ c trư ng trong hệ này là
3 2 1
, , P P P và Q. Các phư ơ ng
trình tư ơ ng ứ ng mô tả quá trình bơ m là:
(4.17)
. ),
2 3
P P C Q
v
÷ = (4.18)
. )
b 2 1
Q C P P = ÷ (4.19)
và:
(4.20)
N
a
(t) là tổ ng số các phân tử bị hấ p phụ bên trong chuông. Vì thế , chúng cho
đóng góp vào dòng hút củ a quá trình khử hấ p phụ là / ÷
a
kTdN dt . Từ lý
thuyế t hấ p phụ và khử hấ p phụ , có thể thấ y tố c độ khử hấ p phụ đư ợ c tính
bằ ng thư ơ ng củ a tố c độ hấ p phụ trên thờ i gian lư u trú (t) củ a phân tử bị hấ p
phụ . Dễ nhậ n thấ y, khử hấ p phụ l à mộ t quá trình hoạ t tính nhiệ t. Thờ i gian
lư u trú là khoả ng thờ i gian trung bình mà các phân tử hấ p phụ ở lạ i trên bề
mặ t cho đế n khi chúng tích đủ năng lư ợ ng để thoát khỏ i bề mặ t ấ y (khử hấ p
phụ ). Vì thế , khi bỏ qua hấ p phụ đồ ng thờ i thì tố c độ khử hấ p phụ sẽ l à:
(4.21)
(Chính xác hơ n, vế phả i củ a biể u thứ c này còn có thêm đạ i lư ợ ng nhỏ là tích
c s
zA e ÷ , như ng vì tích này cũ ng rấ t nhỏ , cho nên có thể bỏ qua). Vì thế , số
phân tử hấ p phụ giả m theo hàm mũ :
(4.22)
Cuố i cùng,
a
N cũ ng sớ m trở nên quá bé và do đó có thể bỏ qua đư ợ c.
Sau khoả ng thờ i gian hút chân không bằ ng b ơ m khế ch tán (hay bơ m tuố c-bô)
thì áp suấ t ở đầ u cổ bơ m (gầ n van ngăn) cân bằ ng vớ i áp suấ t tớ i hạ n củ a
3
L
a
dP
dN
V kT Q Q,
dt dt
= ÷ + ÷
ult
1 1
1
max
P
Q SP S 1 P .
P
|
|
= = ÷
|
|
' ¹
a a
dN
N
,
dt
÷
=
t
a a
t
,
N (t) N (0) exp
÷ |
=
|
t
' ¹
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
106
bơ m
ult
(P ) do đó dòng hút Q ÷ 0 (xem phư ơ ng trình (4.20)). Trong trư ờ ng
hợ p này trên thự c tế dòng hút
ult
SP vẫ n tồ n tạ i để duy trì trạ ng thái cân bằ ng
áp suấ t trong chuông. Lúc này dòng khí đư ợ c hút có thể xem như dòng điệ n
ult
i trong sơ đồ mạ ch điệ n tư ơ ng đư ơ ng (dòng đi qua
g
p
cũ ng bé đế n mứ c
gầ n bằ ng 0).
Dư ớ i đây chúng ta đề cậ p đế n tố c độ b ơ m hiệ u dụ ng S
eff
. Trư ớ c hế t, chúng ta
thiế t lậ p biể u thứ c cho độ dẫ n hiệ u dụ ng (C
eff
) củ a cấ u trúc tổ hợ p bẫ y – van
ngăn. Tổ hợ p này giố ng như các điệ n trở trong mạ ch điệ n, và như vậ y, độ
dẫ n hiệ u dụ ng củ a cấ u trúc này, giố ng như trong trư ờ ng hợ p mạ ch điệ n mắ c
hai điệ n trở nố i tiế p, sẽ l à tổ ng hợ p củ a hai độ dẫ n có từ van ngăn v à bẫ y, cụ
thể là:
(4.23)
hay:
(4.24)
Bây giờ chúng ta tính tố c độ bơ m hiệ u dụ ng trư ớ c thờ i điể m
1
P đạ t giá trị
bằ ng
ult
.
P Có thể thấ y rằ ng, dòng hút củ a tổ hợ p bẫ y - van ngăn phả i bằ ng
dòng hút củ a bơ m, nghĩa là . ) eff
1
3 1
ult
C P P S(P P ). ÷ = ÷
Lúc này
ult
P là rấ t bé
so vớ i
3
P và do đó tỉ số
3
/ P P
ult
coi như không đáng kể và có thể viế t:
eff eff
1 3
P / P C /(S C ). = +
Tố c độ bơ m hiệ u dụ ng củ a cấ u trúc gồ m tổ hợ p từ bơ m đế n cổ bơ m, bẫ y và
van ngăn đư ợ c xác định từ phư ơ ng trình:
eff 3 1
S P SP , ÷ (4.25)
vì thế :
(4.26)
Nói cách khác, tố c độ bơ m hiệ u dụ ng củ a mộ t hệ bằ ng tố c độ b ơ m củ a tổ
hợ p bơ m và tấ t cả các cấ u trúc dẫ n khí cầ n thiế t đư ợ c gắ n từ bơ m đế n
chuông chân không.
1 1 1
,
C C C
eff v b
= +
C C
b v
.
C
eff
C C
v
b
×
=
+
.
SC
eff
.
S
eff
S C
eff
=
+
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 107
Công thứ c tính tố c độ bơ m củ a hầ u hế t các máy bơ m chân không cao
cấ p, thí dụ bơ m tuố c-bô phân tử tạ i vùng áp suấ t gầ n đạ t áp suấ t tớ i
hạ n có dạ ng:
(4.27)
trong đó p
P lá áp suấ t hơ i cân bằ ng nhiệ t tạ i nhiệ t độ l àm việ c củ a bơ m.
Điề u này đư ợ c minh họ a trên hình 4.8. Khi áp suấ t đạ t giá trị tớ i hạ n thì tố c
độ bơ m giả m xuố ng bằ ng 0.
Áp suấ t tớ i hạ n
, 3 ult
P củ a chuông bị ả nh hư ở ng bở i các khe hở hay lỗ r ò khí,
nế u như
L
Q là đủ lớ n so vớ i
ult
SP . Để tính giá trị củ a đạ i l ư ợ ng áp suấ t này,
chúng ta giả thiế t rằ ng hệ hút chân không đang ở trạ ng thái tĩnh. D òng hút
củ a lỗ rò cân bằ ng vớ i dòng hút củ a bơ m, nghĩa là
eff L ult
Q S P . = Vì thế :
(4.28)
Mặ c dù thể tích củ a chuông chân không đóng mộ t vai tr ò nhấ t định trong
quá trình bơ m chân không, nó không ả nh hư ở ng đế n đạ i lư ợ ng áp suấ t tớ i
hạ n như vừ a nhậ n đư ợ c. Trong trư ờ ng hợ p áp suấ t trong chuông
3
(P ) rấ t thấ p
thì Q
L
hầ u như không phụ thuộ c vào áp suấ t này, và vì thế có thể thấ y
L L
Q C 1at. = × Cũ ng cầ n nhấ n mạ nh rằ ng C
L
chính là độ dẫ n khí củ a mộ t cấ u
trúc đư ợ c tính theo chế độ Knudsen hay d òng nhớ t là tùy thuộ c vào diệ n tích
củ a bề mặ t lỗ rò (kích thư ớ c củ a lỗ hổ ng).
Hình 4.8. Tố c độ bơ m phụ thuộ c áp suấ t củ a
hệ chân không
ult
max
p
P
S S 1 ,
P
|
|
= ÷
|
|
' ¹
L
Q
.
P
S
3ult
eff
=
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
108
4.3.2. Các hiệ n tư ợ ng khử hấ p phụ , nhả khí và thẩ m thấ u
Trong hầ u hế t các hệ chân không cao, đề u quan sát thấ y quá tr ình hút chân
không bị hạ n chế do khử hấ p phụ . Điề u này xả y ra chỉ sau vài giây kể từ khi
mở van ngăn và có thể tiế p diễ n trong vài giờ , thậ m chí trong vài tuầ n lễ . Sự
thay đổ i áp suấ t trong chuông theo thờ i gian phụ thuộ c rấ t nhiề u v ào quá
trình khử hấ p phụ từ bề mặ t thành chuông hay các chi ti ế t cơ khí khác trong
chuông. Hành vi khử hấ p phụ có thể mô tả qua phư ơ ng trình liên hệ giữ a
dòng hút do khử hấ p phụ và dòng do bơ m chân không. Gọ i
a
N là tổ ng số
phân tử hấ p phụ , ta có:
(4.29)
Vì thế :
(4.30)
Vớ i mộ t thể tích chuông và tố c độ bơ m cho trư ớ c thì quá trình khử hấ p phụ
thư ờ ng làm cho thờ i gian bơ m chân không tăng lên r ấ t nhiề u, thậ m chí hơ n
cả thờ i gian dự kiế n đư ợ c tính toán từ các dữ kiệ n thự c nghiệ m.
Giá trị ban đầ u củ a
a
N (tạ i thờ i điể m bắ t đầ u bơ m) phụ thuộ c vào nguồ n
gố c trạ ng thái môi trư ờ ng củ a hệ chân không (tứ c l à việ c chuông chân không
có đư ợ c hút sơ cấ p liên tụ c, để sẵ n chân không cao hay để thông vớ i môi
trư ờ ng bên ngoài, ...). Ngư ờ i ta thư ờ ng dùng khí nitơ khô để thổ i vào trong
chuông, điề u này có tác dụ ng thúc đẩ y quá trình khử hấ p phụ diễ n ra nhanh
hơ n, giả m thờ i gian lư u trú củ a các phân tử hấ p phụ . Trong số phân tử hấ p
phụ thì hơ i nư ớ c có thờ i gian lư u trú (t) trên bề mặ t củ a thành chuông dài
nhấ t. (Vì vậ y nhiề u hệ chân không mớ i đã đư ợ c thiế t kế hai buồ ng: mộ t
buồ ng chính để bố c bay, mộ t buồ ng phụ để thao tác đ ư a mẫ u vào và lấ y mẫ u
ra. Như thế sẽ tránh đư ợ c hiệ n tư ợ ng hơ i nư ớ c hoặ c các tạ p chấ t khí khác từ
không khí lọ t vào chuông). Khử hấ p phụ là mộ t quá trình hoạ t tính nhiệ t,
cho nên quá trình hút chân không có th ể tăng tố c mộ t khi thành chuông đư ợ c
sấ y nóng. Có thể thự c hiệ n điề u đó bằ ng cách sử dụ ng đ ư ờ ng ố ng làm nguộ i
3
dN
a
kT S P .
eff
dt
÷ =
. )
3
dN N 0
kT kT t a a
P exp .
S dt S
eff eff
| |
÷ ÷ |
| |
= × =
|
| |
t t
' ¹ |
' ¹ ' ¹
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 109
chuông để cấ p nư ớ c nóng vào quanh chuông trong khi hút chân không
sơ cấ p.
Còn có các quá trình vậ t lý khác cũ ng đóng vai tr ò quan trọ ng ả nh hư ở ng lên
hệ chân không thự c. Thứ nhấ t, đó l à hiệ n tư ợ ng nhả khí. Nhả khí là quá trình
khuế ch tán mộ t số khí từ trong vậ t liệ u d ùng để chế tạ o chuông và các chi
tiế t khác ra khỏ i bề mặ t để rồ i chúng lạ i trả i qua quá tr ình khử hấ p phụ . Khí
nhả thư ờ ng thấ y đố i vớ i chuông đ ã làm sạ ch (tứ c l à đã loạ i trừ hơ i
nư ớ c) là H
2
, CH
4
, CO và CO
2
. Các doăng chân không hay các v ậ t liệ u
cao su thư ờ ng nhả khí CH. Thứ hai, đó l à hiệ n tư ợ ng thẩ m thấ u - hiệ n
tư ợ ng thư ờ ng thấ y đố i vớ i mộ t hệ chân không cao, đặ c biệ t l à siêu cao
(áp suấ t dư ớ i 10
-8
Torr). Thẩ m thấ u là quá trình xuyên thủ ng vậ t rắ n củ a
mộ t số chấ t khí đặ c biệ t, thí dụ hiệ n t ư ợ ng He xuyên thủ ng thủ y tinh hay
thủ y tinh hữ u cơ đã quan sát thấ y thư ờ ng xuyên. Vớ i khả năng ấ y thẩ m thấ u
đã tạ o ra “lỗ hổ ng” có kích thư ớ c vi mô (đư ờ ng kính lỗ hổ ng gầ n bằ ng
khoả ng cách giữ a các nguyên tử ), lỗ hổ ng này cũ ng có độ dẫ n khí nhấ t định.
Vì kích thư ớ c củ a nó rấ t nhỏ , cho nên dòng hút khí củ a các lỗ hổ ng này có
thể coi là đạ i lư ợ ng không đổ i.
4.3.3. Đo chân không và đơ n vị áp suấ t
a) Đầ u đo chân không
Để theo dõi quá trình hút chân không (đo áp suấ t trong hệ chân không)
ngư ờ i ta sử dụ ng các đầ u đo chân không. Kích th ư ớ c (đư ờ ng kính ngoài) củ a
các đầ u đo này đư ợ c chế tạ o phù hợ p vớ i kích thư ớ c (đư ờ ng kính trong) củ a
ố ng thông ra ngoài trên các bộ phậ n củ a hệ chân không, thí dụ cổ nố i b ơ m
sơ cấ p vớ i bơ m khuế ch tán, nố i khuế ch tán vớ i chuông và ở ngay trên thành
chuông. Giữ a đầ u đo và ố ng thông còn có rãnh hình xuyế n đồ ng trụ c để đặ t
doăng chân không, bằ ng cách vặ n ố c hãm doăng cao xu hay doăng đồ ng
đư ợ c ép chặ t đế n mứ c độ kín củ a chuông đạ t mứ c độ chân không cao hoặ c
siêu cao. (Ngày nay trong hệ chân không siêu cao ngư ờ i ta chỉ dùng doăng
làm bằ ng đồ ng đỏ , sử dụ ng mộ t lầ n để tránh hiệ n t ư ợ ng nhả khí hoặ c thẩ m
thấ u như đã nói ở phầ n trên).
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
110
Hiệ n nay có hai loạ i đầ u đo chân không thông dụ ng nh ấ t vẫ n đư ợ c sử dụ ng
là đầ u đo nhiệ t và đầ u đo ion. Đầ u đo nhiệ t l àm việ c theo nguyên lý sau. Độ
dẫ n nhiệ t củ a khí còn lạ i trong chuông phụ thuộ c vào áp suấ t củ a chuông.
Đầ u đo nhiệ t có cấ u tạ o khá đơ n giả n, nó gồ m bố n chân kim loạ i kín chân
không. Các đầ u phía ngoài đư ợ c đấ u vào nguồ n dòng và mạ ch điề u khiể n.
Hai trong bố n đầ u bên trong đư ợ c gắ n sợ i đố t làm bằ ng volfram hoặ c platin,
hai đầ u còn lạ i có cấ u tạ o như mộ t can nhiệ t, nơ i xả y ra hiệ u ứ ng nhiệ t điệ n
(hình 4.9a). Nhiệ t củ a sợ i đố t truyề n sang cho đầ u can nhiệ t, chúng ta nhậ n
đư ợ c sứ c điệ n độ ng t ư ơ ng ứ ng vớ i sự chênh lệ ch nhiệ t độ giữ a đầ u nóng củ a
can nhiệ t vớ i đầ u lạ nh là nhiệ t độ phòng.
Từ thuyế t độ ng họ c chấ t khí, chúng ta đ ã thấ y dòng nhiệ t truyề n qua mộ t
mặ t phẳ ng đư ợ c tính bằ ng công thứ c:
Khi áp suấ t trong chuông giả m từ 760 Torr xuố ng 50 Torr độ dẫ n nhiệ t củ a
khí giả m mạ nh. Dư ớ i áp suấ t thấ p hơ n nữ a, khi mà quãng đư ờ ng tự do củ a
chấ t khí lớ n hơ n rấ t nhiề u khoả ng cách giữ a hai thành ố ng đố i diệ n củ a đầ u
đo ) (L thì phư ơ ng trình củ a dòng nhiệ t truyề n đi trong chế độ dòng phân tử
sẽ có dạ ng:
(4.31)
Như vậ y, dòng nhiệ t chỉ còn phụ thuộ c vào áp suấ t thể hiệ n trong công thứ c
củ a tầ n suấ t va chạ m . )
1/ 2
z P/ 2 mkT . = t Dó đó, khi áp suấ t giả m, dòng
nhiệ t cũ ng giả m làm cho nhiệ t độ củ a can nhiệ t, nghĩa l à sứ c điệ n độ ng củ a
nó cũ ng giả m theo. Trên vỏ củ a các đầ u đo nhiệ t đề u có ghi giá trị d òng đố t
cầ n thiế t (thí dụ , vớ i đầ u đo do CHLB Nga sả n xuấ t mà vỏ làm bằ ng kim
loạ i, dòng đố t cầ n đặ t là 128 mA, đố i vớ i đầ u đo có vỏ bằ ng thủ y tinh, dòng
đố t là 110 mA). Bán kèm theo đầ u đo nhiệ t là bả ng hoặ c đư ờ ng cong chuẩ n
cho biế t giá trị sứ c điệ n độ ng (mV) ứ ng vớ i áp suấ t đạ t đư ợ c. Độ chính xác
củ a đầ u đo này chỉ đạ t yêu cầ u vớ i dả i áp suấ t cầ n đo trong khoả ng từ 10
-3
-
1,0 Torr. Khi áp suấ t giả m hơ n nữ a thì độ dẫ n nhiệ t củ a chấ t khí dư đạ t trạ ng
thái bão hòa, không còn phụ thuộ c vào áp suấ t.
. ) j z C / N dT/ dy L.
p o i
|
= ÷
|
' ¹
. )
. ) j z C /N dT/dy .
p o
i
= ÷ ì
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 111
Để đo áp suấ t thấ p hơ n 10
-3
Torr, ngư ờ i ta sử dụ ng đầ u đo ion. Sơ đồ cấ u
tạ o củ a đầ u đo ion đư ợ c trình bày trên hình 4.9b. Nguyên lý hoạ t độ ng củ a
đầ u đo ion cũ ng dự a trên bả n chấ t va chạ m củ a chấ t khí c òn dư trong
chuông. Các nguyên t ử va chạ m nhau cùng vớ i sự tác độ ng củ a điệ n tử phát
ra từ emitter củ a đầ u đo l àm cho mộ t phầ n nguyên tử bị ion hóa. Dòng ion
đo đư ợ c phả n ánh mậ t độ ion sinh ra trong chu ông chân không mà mậ t độ
này tỷ lệ vớ i mậ t độ khí dư trong chuông. Mậ t độ khí lạ i tỷ lệ vớ i áp suấ t.
Do đó áp suấ t càng giả m thì dòng ion càng thấ p. Tạ i áp suấ t còn khá cao thì
tầ n suấ t va chạ m củ a các nguyên tử còn rấ t lớ n, do đó dễ làm cháy cự c góp.
Cho nên khi chạ y máy chân không, trư ớ c khi bậ t đầ u đo ion chúng ta cầ n
kiể m tra mứ c độ chân không đạ t đế n giớ i hạ n cuố i c ùng củ a đầ u đo nhiệ t.
Kế t hợ p cả hai đầ u đo nhiệ t và ion mộ t dả i rộ ng củ a áp suấ t trong hệ chân
không có thể đo là từ 1 đế n 10
-11
Torr.
b) Đơ n vị áp suấ t
Trong hệ đơ n vị đo lư ờ ng quố c tế (hệ SI) đơ n vị áp suấ t đư ợ c gọ i là pascal (tứ c là 1
N/m
2
): “Pascal bằ ng mộ t áp suấ t sinh ra từ lự c 1N tác độ ng đề u tr ên diệ n tích mộ t
mét vuông”. Tuy nhiên trong thự c tiễ n, ngư ờ i ta còn sử dụ ng các đơ n vị áp suấ t
khác nhau do thói quen củ a từ ng nơ i và từ ng công việ c, thí dụ trong đờ i số ng dân
Hình 4.9. Đầ u đo chân không từ sơ cấ p
đế n cao cấ p:
a) Đầ u đo nhiệ t
b) Đầ u đo ion
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
112
dụ ng, áp suấ t hay đư ợ c nói đế n là atmotphe (At), trong khoa họ c kỹ thuậ t thì dùng
đơ n vị là bar, milimét cộ t thủ y ngân, trong kỹ thuậ t chân không hay sử dụ ng Torr,...
Trên bả ng 4.2, các đơ n vị đo áp suấ t đư ợ c chuyể n đổ i sang pascal.
Bả ng 4.2. Đơ n vị đo áp suấ t tính theo pascal.
Ứ ng dụ ng: Trong
thự c tiễ n ngư ờ i
ta cầ n bố c bay màng nhôm lên đế thủ y tinh để làm gư ơ ng phả n xạ cao (độ phả n xạ
tạ i bư ớ c sóng sử dụ ng không dư ớ i 99,5%), ứ ng dụ ng trong hệ dẫ n sóng laser.
Màng nhôm cầ n đư ợ c bố c bay trong điề u kiệ n áp suấ t tố i đa 1x10
- 6
Torr. Cho biế t,
bậ c chân không lúc bố c bay và áp suấ t tư ơ ng ứ ng tính theo đơ n vị pascal.
Áp suấ t cỡ 1x10
-6
Torr nằ m trong dả i chân không từ 10
-5
đế n 10
-9
Torr, vì thế đư ợ c
gọ i là chân không cao. Đổ i ra đơ n vị pascal, ta có:
1x10
-6
Torr x 133 Pa /Torr = 1,33 x 10
-4
Pa..

Câu hỏ i kiể m tra đánh giá
1.Môi trư ờ ng chân không là gì, làm thế nào để có chân không cao 10
-5
Torr,
10
-7
Torr và 10
-12
Torr
2.Liên hệ tính tư ơ ng đồ ng củ a độ dẫ n củ a ldây dẫ n và độ dẫ n củ a cấ u kiệ n
chân không; nguyên lý mạ ch hút chân không?
3. Giả i thích cách đo chân không sơ cấ p và cao cấ p dự a trên lý thuyế t về
dòng khí?
4. Nêu cấ u tạ o củ a mộ t hệ chân không cao, nhữ ng yêu cầ u bắ t buộ c khi thiế t
kế và chế tạ o hệ chân không cao đế n 10
-10
Torr?
Đơ n vị áp suấ t Tính theo Pascal (Pa)
1 Atmosphe (at) 1,01 x 10
5
1 Torr 133
1 mmHg 133
1 Bar 10
5
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 113
Chư ơ ng 5
Lý thuyế t bố c bay chân không
Sử dụ ng thuyế t độ ng họ c chấ t khí để giả i thích hiệ n t ư ợ ng bố c bay cho phép
hình thành lý thuyế t bố c bay chân không. Mộ t trong nhữ ng khái niệ m quan
trọ ng trong lý thuyế t này là tố c độ bố c bay. Nhữ ng ngư ờ i đầ u tiên đã đánh
giá mộ t cách bán định l ư ợ ng tố c độ bố c bay l à Hertz, Knudsen và Langmuir,
họ nêu ra định nghĩa về tố c độ bố c bay như sau: tố c độ bố c bay là lư ợ ng vậ t
chấ t mà mộ t vậ t ở trạ ng thái rắ n chuyể n sang trạ ng thái h ơ i trong đơ n vị thờ i
gian (1giây). Lý thuyế t bố c bay đề cậ p đế n các phầ n chính l à độ ng họ c phả n
ứ ng, nhiệ t độ ng họ c và vậ t lý chấ t rắ n. Các vấ n đề liên quan đế n hư ớ ng
chuyể n độ ng củ a phân tử (nguyên tử ) bố c bay đư ợ c giả i thích thông qua lý
thuyế t về xác suấ t củ a các hiệ u ứ ng trong độ ng họ c chấ t khí v à lý thuyế t
hấ p phụ .
5.1. Tố c độ bố c bay
5.1.1. Phư ơ ng trình Hertz-Knudsen
Thí nghiệ m đầ u tiên để xác định tố c độ bố c bay trong chân không đ ư ợ c
Hertz tiế n hành vào năm 1882. Ông đã chư ng cấ t thủ y ngân và xác định độ
tổ n hao trọ ng lư ợ ng, đồ ng thờ i đo áp suấ t hơ i trên bề mặ t bố c bay. Ông nhậ n
thấ y tố c độ bố c bay bị giớ i hạ n mộ t khi không cung cấ p đủ nhiệ t độ trên bề
mặ t. Trong nhiề u thí nghiệ m, ông đã phát hiệ n tố c độ bố c bay củ a thủ y ngân
luôn tỷ lệ thuậ n vớ i độ chênh lệ ch giữ a áp suấ t cân bằ ng nhiệ t ( )
e q
P tạ i
nhiệ t độ bề mặ t và áp suấ t hơ i ) ( P trên chính bề mặ t ấ y. Từ các thự c
nghiệ m củ a mình, Hertz đã kế t luậ n: các chấ t lỏ ng kể cả các chấ t nóng chả y
có khả năng đặ c biệ t là bố c bay, hơ n nữ a tố c độ bố c bay củ a mộ t chấ t lỏ ng
tạ i nhiệ t độ bố c bay không thể vư ợ t quá giá trị tố i đa nhấ t định. Mặ c dù
nhiệ t vẫ n đư ợ c cung cấ p không giớ i hạ n. Hơ n nữ a, tố c độ tố i thiể u, về lý
thuyế t, chỉ có thể đạ t đư ợ c trong trư ờ ng hợ p mà từ bề mặ t mộ t lư ợ ng phân
tử bố c bay đủ để tạ o ra áp suấ t cân bằ ng
e q
P trên bề mặ t đó, và vớ i điề u
kiệ n không có phân tử nào trong số đó quay ngư ợ c lạ i bề mặ t bố c bay. Điề u
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
114
này có nghĩa là cầ n phả i tạ o ra điề u kiệ n lý t ư ở ng để áp suấ t hơ i P dầ n về 0.
Trên cơ sở lý thuyế t và thự c nghiệ m như trên, có thể nhậ n thấ y số phân tử
e
dN bố c bay từ mộ t đơ n vị diệ n tích củ a bề mặ t A
e
trong mộ t đơ n vị thờ i
gian bằ ng hiệ u số giữ a số phân tử va chạ m vớ i bề mặ t ấ y trong mộ t đ ơ n vị
thờ i gian (1s) tạ i áp suấ t
eq
P và số phân tử củ a pha hơ i quay ngư ợ c lạ i tạ i áp
suấ t hơ i P :
vớ i đơ n vị tính là cm
-
2
s
-
1
. (5.1)
Hertz là ngư ờ i đầ u tiên đư a ra phư ơ ng trình trên. Giá trị củ a tố c độ bố c bay
xác định từ thự c nghiệ m có sai số hơ n 10%. Để giả i thích nguyên nhân củ a
hiệ n tư ợ ng này Knudsen cho rằ ng có nhữ ng phân tử khi va chạ m vớ i bề mặ t
hóa hơ i đã quay ngư ợ c trở lạ i (pha rắ n) mà không hòa nhậ p vào pha lỏ ng.
Do đó, có mộ t phầ n các phân tử mà chúng đã đóng góp vào áp suấ t hơ i (củ a
vậ t chấ t bị hóa hơ i), như ng lạ i không tham gia vào nhóm các phân tử chuyể n
từ pha lỏ ng sang pha hơ i. Do đó trong công thứ c (5.1), vế phả i cầ n đư ợ c bổ
sung hệ số o
v
. Hệ số này xác định tỷ số giữ a tố c độ bố c bay trong chân
không nhậ n đư ợ c trên thự c tế và tố c độ tính toán bằ ng lý thuyế t dự a
trên công thứ c này. Vì thế , phư ơ ng trình mô tả tố c độ bố c bay có dạ ng
chính xác hơ n là:
Phư ơ ng trình này đư ợ c gọ i là phư ơ ng trình Hertz-Knudsen. Trong thí
nghiệ m quan sát thủ y ngân bố c bay, Knudsen cũ ng đ ã phát hiệ n rằ ng độ lớ n
củ a hệ số bố c bay phụ thuộ c rấ t mạ nh v ào độ sạ ch củ a bề mặ t thủ y ngân.
Trong trư ờ ng hợ p bề mặ t chấ t bố c bay luôn đ ư ợ c giữ sạ ch tinh khiế t (không
có tạ p chấ t củ a pha hơ i) thì dòng phân tử ngư ợ c có thể coi bằ ng 0, do đó
chúng ta nhậ n đư ợ c tố c độ bố c bay lớ n nhấ t, như sau:
(5.2)
5.1.2. Bố c bay tự do - sự thoát phân tử
Langmuir là ngư ờ i đầ u tiên chứ ng tỏ phư ơ ng trình Hertz-Knudsen áp dụ ng
có hiệ u quả cho trư ờ ng hợ p các phân tử bố c bay từ mặ t phẳ ng tự do củ a vậ t
. )
1 / 2
dN
e
2 mkT P P ,
eq
A dt
e
÷
÷
|
= t
|
' ¹
. )
1 / 2
dN
e
2 .mkT P P .
v eq
A dt
e
÷
|
= o t ÷
|
' ¹
. )
1
/ 2
dN
e
2 mkT P .
eq
A dt
e
÷
= t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 115
rắ n. ông thự c hiệ n thí nghiệ m trong đó sợ i dây volfram đ ư ợ c bố c bay trong
bình thủ y tinh hút chân không. Ông phát hiệ n ra rằ ng, d ư ớ i áp suấ t thấ p hơ n
1 Torr, tố c độ bố c bay củ a volfram đạ t đư ợ c giá trị đúng bằ ng giá trị nhậ n
đư ợ c trong trư ờ ng hợ p bề mặ t bố c bay nằ m trong trạ ng thái cân bằ ng vớ i
pha hơ i củ a volfram. Trong quá tr ình bố c bay từ trạ ng thái rắ n đã không
quan sát thấ y hiệ n tư ợ ng ngư ng tụ ngư ợ c lạ i củ a các phân tử hơ i như trong
quá trình bố c bay từ pha lỏ ng. Vì vậ y, ông đã nhậ n đư ợ c giá trị củ a tố c độ
bố c bay hoàn toàn trùng vớ i kế t quả tính toán từ phư ơ ng trình (5.2). Khi biế t
độ tổ n hao trọ ng lư ợ ng củ a dây volfram có thể tính ra tố c độ bố c bay, v à từ
đó, xác định đư ợ c áp suấ t củ a hơ i volfram trong quá tr ình bố c bay tạ i nhiệ t
độ hóa hơ i. Dễ nhậ n thấ y rằ ng, độ tổ n hao trọ ng l ư ợ ng củ a dây volfram
trong khoả ng thờ i gian bố c bay dt chính là tố c độ bố c bay tính theo khố i
lư ợ ng. Tố c độ này bằ ng tích củ a dòng phân tử hóa hơ i (tứ c là tầ n suấ t va
chạ m) và khố i lư ợ ng củ a phân tử . Do vậ y, chúng ta có ph ư ơ ng trình biể u thị
tố c độ bố c bay theo khố i l ư ợ ng phụ thuộ c vào áp suấ t như sau:
(5.3)
Nế u đơ n vị áp suấ t tính theo Torr, chúng ta có:
vớ i đơ n vị tính: g.cm
-2
.s
-1
.
Gọ i toàn bộ khố i lư ợ ng vậ t chấ t bố c bay trong khoả ng thờ i gian cho tr ư ớ c là
,
e
M chúng ta có:
(5.4)
Nế u có thể giữ cho tố c độ bố c bay không đổ i trong suố t quá tr ình bố c bay và
cho rằ ng tố c độ bố c bay l à đồ ng nhấ t trên toàn bộ bề mặ t, chúng ta có thể
xác định tố c độ bố c bay từ thự c nghiệ m. Sử dung công thứ c (5.3), có thể tính
áp suấ t hơ i củ a vậ t liệ u bố c bay. Thự c nghiệ m cho thấ y, tạ i áp suấ t
2
eq
P 10 Torr,
÷
=
tố c độ bố c bay củ a hầ u hế t các nguyên tố (đơ n chấ t) thư ờ ng
có giá trị cỡ
4 2 1
10 g.cm s .
÷ ÷ ÷
Quá trình chuyể n pha kiể u bố c bay từ bề mặ t tự
do như trên đư ợ c gọ i là chuyể n pha Langmuir hay còn gọ i là bố c bay tự do.
Nói chung, điề u kiệ n thự c nghiệ m để thỏ a mãn o
v
= 1 (tố c độ bố c bay đạ t
1/ 2
dN
m
e
P m z m .
eq
A dt 2 kT
e
|
I = = × =
|
t
' ¹
1 /2
2
M
5,834 10 P ,
eq
T
÷
|
I = ×
|
' ¹
e
t A
e
e
M .
d A d t
=
I ¦ ¦
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
116
Hình 5.1. Sơ đồ cấ u tạ o bình thoát
phân tử (bình Knudsen)
giá trị tố i đa) là rấ t khó thự c hiệ n. Knudsen l à ngư ờ i đư a ra phư ơ ng pháp
bố c bay trong điề u kiệ n đặ c biệ t để hệ số n ày đạ t giá trị gầ n bằ ng đơ n vị.
Trong phư ơ ng pháp Knudsen, s ự bố c bay xả y ra giố ng quá tr ình thoát phân
tử từ lỗ hổ ng củ a mộ t thể tích đẳ ng nhiệ t. Thể tích nh ư thế đư ợ c giớ i hạ n
trong mộ t hộ p hình trụ để hở mộ t lỗ hổ ng nhỏ ở nắ p tr ên, hộ p này trong kỹ
thuậ t chân không gọ i là bình Knudsen. Cấ u tạ o củ a bình Knudsen (hình 5.1)
phả i thỏ a mãn các điề u kiệ n sau:
1. Trong bình chứ a pha lỏ ng và hơ i ở trạ ng thái cân bằ ng.
2. Quãng đư ờ ng tự do trong bình lớ n hơ n rấ t nhiề u bán kính lỗ hổ ng.
3. Bề mặ t lỗ hổ ng là mặ t phẳ ng.
4. Đư ờ ng kính lỗ hổ ng phả i rấ t nhỏ so vớ i khoả ng cách từ b ình đế n đế
(nơ i các phân tử lắ ng đọ ng thành màng).
5. Bề dày mặ t trên củ a bình phả i nhỏ hơ n rấ t nhiề u đư ờ ng kính lỗ hổ ng
(tứ c là bề dày củ a thành lỗ hổ ng coi như vô cùng nhỏ ).
Chúng ta phân tích các đi ề u kiệ n trên. Điề u kiệ n thứ nhấ t là để đả m bả o các
phân tử hơ i trong bình có phân bố tố c độ Maxwell-Boltzmann vớ i nhiệ t độ
đặ c trư ng bằ ng nhiệ t độ củ a pha ngư ng tụ và tạ o ra trạ ng thái cân bằ ng áp
suấ t trong bình. Điề u kiệ n thứ hai đả m bả o dòng các phân tử thoát ra khỏ i
bình tuân theo chế độ Knudsen. Điề u kiệ n thứ ba tạ o ra nguồ n bố c bay có
cấ u hình phẳ ng, không phả i hình trụ hay hình cầ u. Điề u kiệ n thứ t ư đả m bả o
việ c các phân tử va chạ m nhau trên mặ t củ a đế là đi từ mộ t nguồ n duy nhấ t.
Cuố i cùng, điề u kiệ n thứ năm cho thấ y sẽ không có hiệ n t ư ợ ng phả n xạ hay
phát xạ củ a các phân tử từ thành củ a lỗ hổ ng. Vớ i bình Knudsen, chúng ta
có thể nhậ n đư ợ c các chùm phân tử bố c bay thẳ ng từ nguồ n bố c bay đế n đế
mà hầ u như không va chạ m nhau trên quãng đư ờ ng bay. Bình này cũ ng đả m
bả o sự bố c bay tự do, trong điề u kiệ n gầ n lý t ư ở ng và do đó tố c độ bố c bay
có thể đạ t giá trị lớ n nhấ t. Khi đó 1 =
v
e và nế u như diệ n tích lỗ hổ ng
bằ ng A
e
thì tổ ng số phân tử thoát ra từ bình Knudsen trong 1 giây sẽ là:
Trên đây đã mô tả cấ u tạ o củ a bình Knudsen lý tư ở ng. Trên thự c tế , vấ n đề
nả y sinh ở chỗ , các bình bố c bay không thể đáp ứ ng các điề u kiệ n củ a b ình
lý tư ở ng. Mộ t trong các điề u
kiệ n khó khăn nhấ t là làm thế
. )
1/ 2
eq
e
A (2 .mkT) P P .
÷
t ÷
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 117
nào để có thành bình mỏ ng đế n mứ c hầ u như không có bề dày (nói cách
khác là bề dày củ a bình phả i cùng thứ bậ c vớ i khoả ng cách giữ a các phân tử
bố c bay). Do vậ y, đố i vớ i các bình có bề dày nhấ t định thì phư ơ ng trình mô
tả quá trình thoát phân tử cầ n đư ợ c bổ sung thêm hệ số hiệ u chỉnh. Để có
đư ợ c hệ số này cầ n phả i sử dụ ng các phư ơ ng trình liên quan đế n độ dẫ n củ a
các cấ u trúc dẫ n khí tổ hợ p bao gồ m cả lỗ hổ ng v à ố ng. Ngay như đố i vớ i
các lỗ hổ ng không có hình dạ ng chuẩ n thì giả i bài toán về độ dẫ n khí cũ ng
đã rấ t phứ c tạ p, điề u này đòi hỏ i áp dụ ng các chư ơ ng trình tính toán bằ ng
máy tính vớ i việ c mô hình hóa và mô phỏ ng các cấ u trúc dẫ n khí sát vớ i
thự c tế nhấ t.
5.1.3. Các cơ chế bố c bay
Như trên chúng ta đã biế t, hệ số
v
e đư ợ c đư a vào phư ơ ng trình Hertz-
Knudsen để chính xác hóa biể u thứ c về tố c độ bố c bay cho ph ù hợ p vớ i thự c
tế ,
v
e là hệ số phả n ánh xác suấ t phả n xạ củ a các phân tử h ơ i từ bề mặ t nơ i
xả y ra quá trình bố c bay. Trong nhiề u tr ư ờ ng hợ p cụ thể , hệ số này có thể
đư ợ c gọ i là hệ số ngư ng tụ ), (
c
e nó xác định tỷ số giữ a các phân tử ngư ng
tụ trên bề mặ t và tổ ng số phân tử va chạ m vớ i bề mặ t. Quá tr ình bố c bay từ
pha lỏ ng và pha rắ n có nhữ ng đặ c điể m khác nhau. Dư ớ i đây trình bày
nhữ ng nét cơ bả n về cơ chế bố c bay trong hai quá tr ình này.
a) Bay hơ i từ pha lỏ ng
Trong mô hình đơ n giả n áp dụ ng cho quá tr ình bố c bay thì pha ngư ng tụ
đư ợ c xem như mộ t hệ dao độ ng mà trong đó các phân t ử bề mặ t củ a nó đư ợ c
liên kế t bở i năng lư ợ ng bố c bay nhấ t định ). (
v
E Cho rằ ng quá trình pha
lỏ ng chuyể n thành pha hơ i bắ t đầ u từ thờ i điể m mà năng lư ợ ng dao độ ng củ a
phân tử trên bề mặ t đạ t và vư ợ t đạ i lư ợ ng .
v
E Ngoài ra, giả thiế t rằ ng tấ t cả
các nguyên tử bề mặ t có cùng mộ t năng lư ợ ng liên kế t và xác suấ t bố c bay.
Trên cơ sở mô hình này Polanyi và Wigner đã đánh giá đạ i lư ợ ng xác suấ t
bố c bay (p) là:
(5.5)
v v
2E E
,
p exp
kT kT
|
|
= × × ÷
|
' ¹
¸
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
118
trong đó ¸ là tầ n số dao độ ng củ a phân tử tr ên bề mặ t. Mộ t cách chính xác
hơ n, khi mô tả trạ ng thái phân tử tr ên bề mặ t có thể sử dụ ng phân bố
Maxwell theo năng lư ợ ng và phân bố không gian liên quan đế n dao độ ng
quanh vị trí cân bằ ng củ a phân tử . Quá tr ình bố c bay sẽ xả y ra khi mà các
phân tử dao độ ng lệ ch khỏ i vị trí cân bằ ng vớ i thế năng bằ ng hoặ c lớ n h ơ n
năng lư ợ ng bố c bay. Sử dụ ng mô hình này cho phép nhậ n xác suấ t bố c bay
từ mộ t đơ n vị diệ n tích và thờ i gian 1giây là:
(5.6)
trong đó
v
Q và
c
Q tư ơ ng ứ ng là các hàm thố ng kê củ a pha hơ i và pha
ngư ng tụ . Phư ơ ng trình (5.6) hoàn toàn có thể nhậ n đư ợ c từ thuyế t độ ng họ c
chấ t khí, bằ ng cách thay xác suấ t bố c bay bằ ng tố c độ bố c bay
e e
dN /A dt và thay bằ ng . )
1 / 2
k T / 2 m t từ công thứ c tính
av
v (2.15), hơ n nữ a cũ ng đã chứ ng minh đư ợ c:
Do vậ y phư ơ ng trình (5.6) đư ợ c coi là tư ơ ng đư ơ ng vớ i phư ơ ng trình Hertz-
Knudsen khi mà tố c độ bố c bay đạ t giá trị lớ n nhấ t (xem ph ư ơ ng trình (5.2)).
Thự c nghiệ m cho thấ y cơ chế bố c bay ứ ng vớ i mô hình hệ phân tử dao độ ng
chỉ phù hợ p cho pha lỏ ng trong đó quá tr ình bố c bay xả y ra do sự trao đổ i
các nguyên tử riêng biệ t vớ i pha hơ i đơ n phân tử . Hầ u hế t kim loạ i nóng
chả y đáp ứ ng vớ i mô hình mô tả ở trên. Hệ số 1 =
v
e cũ ng đư ợ c thự c
nghiệ m kiể m chứ ng, thí dụ khi bố c bay thủ y ngân, kali hay beri nóng chả y.
Tư ơ ng tự , điề u đó cũ ng đã nhậ n đư ợ c đố i vớ i các chấ t lỏ ng hữ u c ơ mà phân
tử củ a chúng có đố i xứ ng hình cầ u và đạ i lư ợ ng entropi hóa hơ i nhỏ . Thí dụ
CCl
4
. Để giả i thích các hiệ n tư ợ ng bố c bay mà trong đó , 1 .
v
e chúng ta cầ n
xem xét sự thay đổ i trạ ng thái năng l ư ợ ng củ a phân tử . Đố i vớ i các chấ t
chứ a các phân tử mà bậ c tự do củ a chúng ở trạ ng thái ngư ng tụ và hóa hơ i
khác nhau, thì khi bố c bay không nhữ ng năng lư ợ ng chuyể n độ ng tịnh tiế n
thay đổ i mà nộ i năng củ a phân tử cũ ng thay đổ i theo. Biể u thứ c toán họ c mô
tả quá trình bố c bay mà trong đó xả y ra sự thay đổ i năng l ư ợ ng có thể nhậ n
đư ợ c khi chúng ta sử dụ ng lý thuyế t tố c độ tuyệ t đố i củ a các phả n ứ ng. Thí
1/ 2
v
v
c
Q
E kT
p exp ,
2 m Q kT
|
|
|
= × ÷
|
| t
' ¹
' ¹
Q E
N
v v
.
e x p
Q k T V
c
|
|
÷ =
|
' ¹
a v 4 /
v
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 119
dụ , có thể xem xét trư ờ ng hợ p mà bậ c tự do trong trạ ng thái lỏ ng l à có giớ i
hạ n, còn trong trạ ng thái hơ i là vô hạ n. Trên cơ sở lý thuyế t tố c độ phả n ứ ng
ngư ờ i ta đã thiế t lậ p đư ợ c phư ơ ng trình Hertz-Knudsen, có dạ ng:
trong đó: và tư ơ ng ứ ng là hàm thố ng kê củ a chuyể n độ ng
đố i vớ i trạ ng thái lỏ ng kích thích v à củ a trạ ng thái hơ i. Như vậ y hệ số
bố c bay
v
e trong trư ờ ng hợ p này có thể coi là tỷ số củ a hai hàm thố ng
kê đó. Theo l ý thuyế t trên thì sự hạ n chế bố c bay ) 1 ( .
v
e xả y ra là do
bậ c tự do củ a hệ đã giả m đi mộ t đơ n vị, điề u này làm giả m số trạ ng
thái khả dĩ củ a các phân tử trong pha lỏ ng. Chuyể n pha hạ n chế nh ư
thế gọ i là chuyể n pha hạ n chế entropi.
Quá trình bố c bay còn bị hạ n chế bở i sự nhiễ m bẩ n bề mặ t bố c b ay, như đã
đề cậ p ở trên khi diễ n giả i phư ơ ng trình Knudsen. Tuy nhiên, để giả i thích vì
sao quá trình bố c bay xả y ra khó khăn hơ n khi bề mặ t không còn tinh khiế t
cũ ng chỉ có thể đư a ra các cơ chế định tính. Thí dụ , có nhiề u tác giả cho
rằ ng khi bề mặ t bị nhiễ m tạ p chấ t thì các phân tử tạ p đã tác dụ ng vớ i bề mặ t
làm cho năng lư ợ ng kích hoạ t bố c bay tăng l ên. Có cách giả i thích khác nữ a
là khi bề mặ t nhiễ m bẩ n tạ p chấ t, tr ên nó xuấ t hiệ n mộ t lớ p màng siêu mỏ ng,
lớ p này cả n trở quá trình khuế ch tán ra khỏ i bề mặ t củ a các phân tử đã bị
hóa hơ i. Đó là nhữ ng vấ n đề còn tồ n tạ i trong lý thuyế t bố c bay. Tuy nhi ên,
trong thự c nghiệ m ngày nay thì việ c loạ i trừ bề mặ t bẩ n không phả i l à vấ n đề
quá khó khăn. Thí dụ , khi chế tạ o gư ơ ng phả n xạ toàn phầ n bằ ng bố c bay
màng nhôm (để làm gư ơ ng dẫ n sóng laser hay gư ơ ng phả n xạ trong mộ t số
thiế t bị quang họ c) ngư ờ i ta dùng che thuyề n (che nguồ n bố c bay) để loạ i bỏ
phầ n bố c bay nhôm ở giai đoạ n đầ u, lúc mà bề mặ t chấ t lỏ ng nhôm có thể bị
nhiễ m bẩ n. Sau đó khi bề mặ t đã trở nên sạ ch tinh khiế t che thuyề n đư ợ c mở
ra để hơ i nhôm bố c bay lên đế thủ y tinh.
b) Bay hơ i từ vậ t liệ u tinh thể
Mô hình lý thuyế t bố c bay nói trên đã dự a trên giả thiế t cho rằ ng năng l ư ợ ng
liên kế t củ a tấ t cả các phân tử tr ên bề mặ t củ a vậ t chấ t l à như nhau. Mô hình
. )
. )
*
R
1 e / 2
e q
R e
v
Q
d N
2 m k T P P ,
A d t Q
÷
|
|
= t ÷
|
|
' ¹
R
Q
-
R v
Q ,
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
120
Hình 5.2. Sơ đồ cấ u tạ o mặ t tinh thể :
Các nguyên tử A thoát lên bề mặ t,
nguyên tử S nằ m dư ớ i mạ ng tinh thể nên
khó bay hơ i nhấ t.
này phù hợ p để áp dụ ng cho quá tr ình bố c bay từ pha lỏ ng. Như ng đố i vớ i
trư ờ ng hợ p bố c bay vậ t rắ n có cấ u trúc tinh thể th ì việ c áp dụ ng mô hình trên
không còn đúng nữ a. Dễ nhậ n thấ y rằ ng, tr ên bề mặ t tinh thể các nguyên tử
chiế m chỗ ở các vị trí khác nhau có lự c liên kế t khác nhau. Do đó, năng
lư ợ ng cầ n thiế t để bố c bay chúng cũ ng khác nhau.
Hình 5.2 minh họ a cấ u trúc bề mặ t củ a mộ t vậ t rắ n có cấ u trúc tinh thể . Đố i
vớ i các nguyên tử kiể u S nằ m dư ớ i bề mặ t hay nguyên tử kiể u L’ nằ m ở bậ c
trên mặ t phẳ ng thì số nguyên tử lân cậ n lớ n hơ n số nguyên tử liề n kề trung
bình. Do đó, để hóa hơ i các nguyên tử này đòi hỏ i cung cấ p năng lư ợ ng cao
hơ n năng lư ợ ng củ a mạ ng tinh thể . Ngư ợ c lạ i, đố i vớ i các nguyên tử nằ m
hẳ n trên mặ t phẳ ng tự do (A và L), thì số nguyên tử lân cậ n ít hơ n giá trị
trung bình, cho nên chúng có thể thoát ra khỏ i mạ ng khi bị tác độ ng bở i
năng lư ợ ng tư ơ ng đố i thấ p. Riêng các nguyên tử kiể u K nằ m ở vị trí đặ c biệ t
là đúng nút mạ ng củ a cấ u trúc tinh thể . Chúng có năng l ư ợ ng liên kế t đúng
bằ ng năng lư ợ ng hình thành mạ ng. Vì thế , quá trình cạ nh tranh giữ a bố c bay
và tinh thể hóa có thể xả y ra. Quá tr ình này đư ợ c quyế t định bở i trạ ng thái
cân bằ ng củ a bố c bay hay mọ c tinh thể tr ên bề mặ t. Cho nên việ c “tách” ra
hay “nhậ p” vào mạ ng củ a các nguyên tử nút mạ ng là mộ t quá trình
thuậ n nghịch.
Dùng biể u thứ c về năng lư ợ ng liên kế t để tính xác suấ t các nguyên tử trự c
tiế p chuyể n từ vị trí nút mạ ng sang pha h ơ i nhậ n đư ợ c giá trị rấ t thấ p so vớ i
tố c độ bố c bay trên thự c tế . Theo mô hình củ a Volmer, quá trình bố c bay
tinh thể xả y ra trong trạ ng thái cân bằ ng tuân theo trậ t tự dịch chuyể n củ a
các nguyên tử từ vị trí nút mạ ng sang vị trí bi ên. Sự dịch chuyể n ấ y đư ợ c mô
tả bằ ng các mũ i tên trên hình 5.2. Như vậ y, nguyên tử nằ m hẳ n trên bề mặ t
tinh thể ở vị trí biên có hành vi giố ng như trong trư ờ ng hợ p các phân tử hấ p
phụ trên bề mặ t chuông (như đã nói đế n ở chư ơ ng 3). Để xả y ra khử hấ p phụ
(tứ c là để các nguyên tử thoát hẳ n ra khỏ i mặ t tinh thể ) nguy ên tử này cầ n
đư ợ c cung cấ p mộ t năng l ư ợ ng thự c hiệ n quá trình dịch chuyể n tịnh tiế n dọ c
theo mặ t bề mặ t củ a adatom (nguyên tử hấ p phụ ). Mộ t cách định tính, có thể
thấ y rằ ng, quá trình bố c bay tinh thể đư ợ c quyế t định bở i sự hình thành và
dịch chuyể n các “ bậ c thang ” mớ i ra ngoài biên trên bề mặ t tinh thể và sự
khuế ch tán củ a các adatom dọ c theo bề mặ t. Đố i vớ i các cấ u trúc tinh thể m à
khi bố c bay pha hơ i củ a nó cấ u
tạ o bở i các cụ m nhiề u phân tử ,
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 121
thì
v
e có giá trị tư ơ ng đố i nhỏ , chỉ vào khoả ng 1/3. Còn đố i vớ i các tinh thể
mà trên bề mặ t củ a chúng luôn hình thành nhi ề u bậ c thang khác nhau thì quá
trình bố c bay xả y ra thuậ n lợ i hơ n và . 1 ÷
v
e điề u này khiế n chúng ta liên
tư ở ng đế n cơ chế mọ c tinh thể : khi mầ m tinh thể không có nhiề u bậ c thang
thì đòi hỏ i năng lư ợ ng kế t tinh cao hơ n, khi mầ m tinh thể đã có sẵ n các bậ c
và lớ p thì các nguyên tử gầ n đó dễ dàng “bị bắ t” và ở lạ i đó để tạ o ra các bậ c
thang mớ i. Do đó năng lư ợ ng kế t tinh nhỏ hơ n. Như vậ y, đố i vớ i mộ t vậ t
liệ u tinh thể nhấ t định, từ việ c xem xét c ơ chế bố c bay, phầ n nào có thể suy
ra cơ chế kế t tinh chúng.
5.2. Phân bố phân tử bố c bay theo các hư ớ ng
Khi đề cậ p đế n cơ chế bố c bay, chúng ta đã quan tâm đế n tổ ng số phân tử
thoát ra khỏ i bề mặ t bố c bay. Giả thiế t rằ ng, t ư ơ ng tác giữ a bề mặ t pha
ngư ng tụ vớ i phân tử hóa hơ i (lý tư ở ng) quyế t định hư ớ ng thoát ra khỏ i bề
mặ t mà theo đó các phân t ử bố c bay. Để giả i đáp vấ n đề về phân bố củ a các
phân tử trong quá trình bố c bay, chúng ta cầ n xem xét trạ ng thái năng l ư ợ ng
củ a phân tử ở đúng vào thờ i điể m hóa hơ i. Dự a trên phân bố theo độ ng năng
trong pha hơ i củ a các phân tử , như đã biế t, có thể thiế t lậ p phân bố phân tử
trong không gian củ a chuông chân không. Để bài toán đỡ phứ c tạ p chúng ta
xem xét trư ờ ng hợ p bố c bay từ bình Knudsen lý tư ở ng.
5.2.1. Định luậ t phân bố cosin
Trên hình 5.3 là sơ đồ củ a bình Knudsen lý tư ở ng, trong đó có lớ p đẳ ng
nhiệ t và mặ t trên dày không đáng kể chứ a lỗ hổ ng vớ i diệ n tích rấ t nhỏ l à
e
dA . Cho rằ ng trong lớ p này có N phân tử mà tố c độ củ a chúng đư ợ c phân
bố theo định luậ t Maxwell. Hầ u hế t các phân tử này va chạ m vớ i thành bình
và phả n xạ lạ i như ng đặ c trư ng phân bố củ a chúng thì không thay đổ i. Tuy
nhiên, các phân tử chuyể n độ ng đế n lỗ hổ ng thì thoát ra khỏ i bình vớ i hư ớ ng
và tố c độ như chúng đã có trư ớ c khi thoát. Cũ ng cho rằ ng, trong quá trình
bố c bay hai trạ ng thái ngư ng tụ và hóa hơ i nằ m ở điề u kiệ n cân bằ ng. Do đó,
số phân tử hơ i củ a lớ p đẳ ng nhiệ t l à không đổ i. Khi đó phân bố tố c độ củ a
các phân tử trong cụ m pha hơ i đư ợ c xác định bở i phân bố củ a các phân tử
theo tố c độ ở trong bình và có thể mô tả bở i biể u thứ c đố i vớ i số phân tử ở
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
122
trong góc không gian nhỏ dO theo hư ớ ng chuyể n độ ng cho tr ư ớ c. Ký hiệ u
0 là góc giữ a hư ớ ng chuyể n độ ng củ a tố c độ vớ i pháp tuyế n củ a mặ t phẳ ng
e
dA . Trư ớ c hế t, xem xét số phân tử có tố c độ chuyể n độ ng l à v . Tổ ng số
các phân tử này có trong bình, như đã biế t là
. )
2
dN N d . = u v v
v
Sau thờ i
gian d t chỉ có nhữ ng phân tử có trong hình trụ nghiêng (độ dài d t , mặ t
đáy xiên
e
dA ) mớ i có thể đi đế n bề mặ t
e
dA và thoát ra khỏ i bình theo
hư ớ ng 0 (phầ n đánh dấ u trên hình 5.3). Như vậ y, số phân tử này đư ợ c tính
bằ ng
e
dt cos .dA /V. v 0 Cũ ng cầ n nhớ rằ ng, không phả i tấ t cả số phân tử này
đề u có thể đi qua thiế t diệ n lỗ hổ ng. Nh ư ng vì tố c độ củ a chúng phân bố mộ t
cách đẳ ng hư ớ ng, cho nên chúng ta dễ nhậ n thấ y sẽ có mộ t phầ n d /4 O t
trong số đó là chuyể n độ ng hư ớ ng tớ i bề mặ t lỗ hổ ng .
e
dA Vì vậ y, số phân
tử có tố c độ v thoát ra khỏ i bình theo hư ớ ng 0 có thể biể u diễ n bở i công
thứ c sau đây:
Tích phân theo tấ t cả tố c độ chúng ta sẽ nhậ n đư ợ c tổ ng số phân tử nằ m
trong góc dO :
(5.7)
ở đây chúng ta đã sử dụ ng kế t quả tích phân:
Khố i lư ợ ng củ a tổ ng số phân tử tr ên là:
mặ t khác,
cho nên:
(5.8)
. )
4 2
e
e , v
d
.
d N n . v ( v ) d v d A d t c o s
4
O
0 = u 0
t
. )
3
e e
a v
1 d
,
d N n . v d A d t c o s
4
O
0 = 0
t
. )
2
a v
0
v . v d v v .
·
u =
¦
a v
n v
m ,
4
× = I
. )
3
e e
d
.
d M d A d t c o s
O
0 = I 0
t
. ) . )
3 3
e e
d M m d N , 0 0 =
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 123
Sau khi thay đạ i lư ợ ng biể u thị tổ ng khố i l ư ợ ng vậ t chấ t bố c bay trong
khoả ng thờ i gian nhấ t định vào công thứ c trên (xem công thứ c (4.4)), chúng
ta có:
(5.9)
Hai phư ơ ng trình (5.8) và (5.9) mô t ả định luậ t phân bố cosin theo khố i
lư ợ ng bố c bay trong chân không, biể u thứ c n ày hoàn toàn tư ơ ng t ự vớ i định
luậ t Lambert trong quang họ c. Theo định luậ t phân bố cosin, vậ t liệ u bố c
bay ra khỏ i nguồ n đư ợ c phân bố không đồ ng đề u cho các h ư ớ ng, trong đó
hư ớ ng vuông góc vớ i thiế t diệ n bề mặ t bố c bay ( c o s 1 ) 0 = có mậ t độ vậ t
chấ t bố c bay cao nhấ t.
Định luậ t phân bố cosin còn đư ợ c biể u thị dư ớ i dạ ng phân bố củ a dòng phân
tử va chạ m vớ i thành bình Knudsen ( j
O
). Biể u thứ c củ a phân bố này cũ ng
dễ nhậ n đư ợ c từ công thứ c (5.7) nế u nó đư ợ c viế t dư ớ i dạ ng:
Vì như đã biế t, (tầ n suấ t va chạ m), vế trái củ a phư ơ ng trình
trên chính là do đó chúng ta có:
(5.10)
Hình 5.3. Phân bố phân tử từ bình thoát Knudsen
. ) . )
e e
d
.
d M M c o s
O
0 = 0 0
t
. )
3
e
a v
e
d N n v
c o s
,
d A d t d 4
0
0
= ×
O t
a v
4
n v z / =
z . c o s
.
j
O
0
=
t
, j
O
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
124
Hình 5.4. Sơ đồ bố c bay từ nguồ n diệ n tích
nhỏ trên đế hình cầ u. Trong
trư ờ ng hợ p này, chiề u dày củ a
màng đồ ng nhấ t.
Khi đó cư ờ ng độ chùm phân tử J
O
bố c bay từ diệ n tích A o củ a lỗ hổ ng sẽ
bằ ng j A ,
O
× o hay là bằ ng:
(5.11)
Như vậ y cũ ng dễ hiể u rằ ng l ư ợ ng vậ t chấ t lắ ng đọ ng tr ên bề mặ t đế đặ t đố i
diệ n vớ i nguồ n bố c bay (trong tr ư ờ ng hợ p này là bình Knudsen) cũ ng phụ
thuộ c vào khoả ng cách từ vị trí trên đế tớ i nguồ n. Từ hình 5.4 có thể thấ y
lư ợ ng vậ t chấ t bay ra trong phạ m vi góc d O sẽ lắ ng đọ ng trên diệ n tích mà
độ lớ n củ a diệ n tích này tăng theo cả khoả ng cách đế n nguồ n và góc lắ ng
đọ ng þ (góc tớ i). Diệ n tích đó tính theo d O , R và þ là:
2
r
d A R d / c o s . = O þ
Do đó khố i lư ợ ng vậ t chấ t lắ ng đọ ng tr ên đơ n vị diệ n tích bề mặ t bằ ng:
(5.12)
Định luậ t phân bố cosin có ý
nghĩa rấ t quan trọ ng trong
thự c tiễ n công nghệ chân
không và màng mỏ ng. Trên
thự c tế , định luậ t này cũ ng
đã đư ợ c nhiề u tác giả chứ ng
minh bằ ng các thí nghiệ m
củ a mình. Định luậ t phân bố
cosin không nhữ ng đúng
cho trư ờ ng hợ p bố c bay từ
pha lỏ ng mà còn đúng cho
cả trư ờ ng hợ p bố c bay từ
pha rắ n, mộ t khi bố c bay
thỏ a mãn điề u kiệ n phân bố
tố c độ theo hàm Maxcell.
Về mặ t lý thuyế t, điề u kiệ n này tư ơ ng ứ ng vớ i trư ờ ng hợ p bố c bay tự do, tứ c
là hệ số bố c bay o
v
= 1. Trong trư ờ ng hợ p này theo định luậ t hai nhiệ t độ ng
họ c thì các phân bố năng lư ợ ng và phân bố góc củ a các phân tử bay ra từ bề
mặ t phả i trùng vớ i các phân bố củ a các phân tử đi tớ i bề mặ t từ h ơ i cân
bằ ng. Như ng nế u quá trình bố c bay bị cả n trở bở i entropi thì sẽ xả y ra sai
lệ ch khỏ i định luậ t phân bố cosin. Thự c tế đã chứ ng tỏ rằ ng, trong đa số các
z . A . c o s
.
j
O
o 0
=
t
e r
2
r
M d M
c o s c o s .
d A
R
= 0 þ
t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 125
Hình 5.5. Góc khố i phân bố
dòng tớ i trên đế
thự c nghiệ m, bố c bay đố i vớ i vậ t liệ u hoá h ơ i từ pha lỏ ng hay mộ t số tinh
thể thăng hoa (từ nguồ n điể m) thì các kế t quả nhậ n đư ợ c đề u thỏ a mãn định
luậ t phân bố cosin. Nế u chúng ta đặ t trong chuông châ n không nguồ n bố c
bay và đế sao cho trên bấ t cứ điể m nào củ a bề mặ t đế đề u thỏ a mãn điề u
kiệ n
0
2 / cos cos R R = = b 0 (hình 5.4), thì bề mặ t củ a đế (lúc này là
mộ t phầ n hình cầ u) sẽ đư ợ c phủ mộ t lớ p vậ t chấ t có bề dày đồ ng nhấ t. Kế t
luậ n này có ý nghĩa thự c tiễ n khi chúng ta cầ n chế tạ o gư ơ ng cầ u chấ t lư ợ ng
cao.
5.2.2. Phân bố phân tử bố c bay từ nguồ n điể m
Trong phầ n trên, chúng ta đã đề cậ p đế n sự phân bố củ a các phân tử bố c bay
từ nguồ n bố c bay có diệ n tích nhỏ , phân bố đó phụ thuộ c v ào các góc đặ c
trư ng. Bây giờ chúng ta cho rằ ng nguồ n
bố c bay hình cầ u có thể tích rấ t nhỏ ,
nguồ n bố c bay như thế gọ i là nguồ n
điể m. Tổ ng diệ n tích củ a nguồ n điể m l à
dA
e
. Và cho rằ ng tố c độ củ a các phân
tử vào thờ i điể m bố c bay cũ ng đư ợ c
phân bố theo định luậ t Maxwell. Khi
đó, từ nguồ n điể m các phân tử sẽ
chuyể n độ ng theo tấ t cả các hư ớ ng vớ i
xác suấ t như nhau. Trư ờ ng hợ p này
đư ợ c mô tả trên hình 5.5. Tố c độ bố c
bay theo khố i lư ợ ng không còn phụ
thuộ c vào hư ớ ng, cho nên biể u thứ c về
khố i lư ợ ng vậ t chấ t trong mộ t góc
không gian nhỏ dO có dạ ng:
(5.13)
Vì chính là toàn bộ khố i lư ợ ng vậ t chấ t bố c bay, cho nên:
(5.14)
Chúng ta cũ ng có thể diễ n giả công thứ c tính d òng phân tử mà trên thự c tế
bề mặ t củ a đế nhậ n đư ợ c, gọ i là dòng tớ i
i
j
. (Nên nhớ
j
O
gọ i là phân bố
3
e e
d
.
d M d A d t
4
O
= I
t
e e
d
.
d M M
4
O
=
t
e
t A
e
d A d t I ¦ ¦
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
126
dòng tớ i, để tránh nhầ m lẫ n vớ i khái niệ m d òng tớ i). Từ hình hình 5.5 chúng
ta thấ y:
(5.15)
trong đó
s
d A là diệ n tích củ a thiế t diệ n mà mặ t phẳ ng đế và góc khố i cắ t
nhau. Cùng nhân hai vế củ a (5.15) vớ i J
O
, rồ i chuyể n
s
dA sang bên trái,
chúng ta có:
(5.16)
Vế trái chính là dòng tớ i
i
j ,
và góc giữ a R

và n

là góc lắ ng đọ ng þ, do đó
phư ơ ng trình (5.16) có dạ ng:
(5.17)
Về thự c chấ t, hai công thứ c (5.12) v à (5.17) có cùng ý nghĩa vậ t lý như
nhau, tuy nhiên trong t ừ ng trư ờ ng hợ p cầ n lý giả i cụ thể sử dụ ng công thứ c
này có nhữ ng thuậ n lợ i hơ n so vớ i sử dụ ng công thứ c kia.
Đố i vớ i mộ t diệ n tích nhỏ tr ên đế
r
d A nằ m trong không gian củ a góc
d O thì trong trư ờ ng hợ p nguồ n điể m phụ thuộ c củ a đạ i l ư ợ ng này vào
khoả ng cách nguồ n-đế và vào hư ớ ng bố c bay cũ ng giố ng như trong trư ờ ng
hợ p nguồ n bố c bay diệ n tích nhỏ . Vì
2
r
d A R d / c o s = O þ , từ công thứ c
(5.14) dễ nhậ n đư ợ c biể u thứ c về khố i l ư ợ ng vậ t chấ t lắ ng đọ ng tr ên đế từ
nguồ n điể m, như sau:
(5.18)
Như vậ y, để bố c bay trên đế vớ i bề dày đồ ng nhấ t thì trư ớ c hế t đế phả i có
dạ ng hình cầ u và nguồ n bố c bay (điể m) cầ n phả i đặ t vào tâm củ a hình cầ u
đó, trong trư ờ ng hợ p này chúng ta có R const = và cos 1. þ =
Tuy nhiên, trong thự c tế chúng ta ít khi dùng nguồ n điể m để bố c bay, bở i vì:
- Nguồ n này không chứ a đư ợ c nhiề u vậ t liệ u gố c (vậ t liệ u dùng
để bố c bay).
s
3
( ) n d A R
.
d
R
× ×
O =
 
3
s
J d J ( R .n )
.
d A
R
O O
O
=
 
2
J . c o s
.
j
i R
O
þ
=
2
e r
r
M d M
c o s .
d A
4 .R
= þ
t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 127
- Đế dùng để bố c bay đa phầ n có hình phẳ ng hoặ c các hình phứ c tạ p
khác, ngoạ i trừ trư ờ ng hợ p gư ơ ng cầ u. Ngư ờ i ta thư ờ ng dùng nguồ n
bố c bay hình lá, dây, rỏ , hay cố c,… Tuy nhiên, công thứ c (5.13) vẫ n
có thể áp dụ ng để tính chiề u dày màng mỏ ng vớ i điề u kiệ n chúng ta
coi nguồ n bố c bay là tậ p hợ p củ a nhiề u nguồ n điể m.
5.3. Phân bố màng mỏ ng theo chiề u dày
Phân bố vậ t chấ t bố c bay phụ thuộ c vào góc tớ i và khoả ng cách nguồ n-đế
đư ợ c miêu tả bằ ng hai phư ơ ng trình đã biế t ở mụ c trên (5.12) và (5.18). Từ
các phư ơ ng trình này, có thể thiế t lậ p kiể u dạ ng phân bố màng mỏ ng theo
chiề u dày cho mọ i hình dạ ng diệ n tích đế và ở vị trí bấ t kỳ trên mặ t đế trong
tư ơ ng quan vớ i cấ u trúc nguồ n bố c bay. Tuy nhi ên trên thự c tế đế phẳ ng hay
đư ợ c sử dụ ng hơ n cả . Khi bố c bay, chúng cũ ng thư ờ ng đư ợ c đặ t song song
vớ i mặ t phẳ ng bố c bay hiệ u dụ ng. Vì thế , dư ớ i đây chúng ta chỉ xem xét
phân bố màng mỏ ng theo chiề u dày phụ thuộ c vào cấ u trúc củ a nguồ n bố c
bay đố i vớ i đế phẳ ng đặ t theo chiề u kể trên.
5.3.1. Nguồ n diệ n tích nhỏ và nguồ n điể m
Khố i lư ợ ng vậ t chấ t bố c bay đế n mộ t điể m có tọ a độ R, 0 và þ đư ợ c biể u thị
bằ ng phư ơ ng trình (5.12) và (5.18). Đạ i lư ợ ng này liên quan đế n chiề u dày
củ a màng ) (d nhậ n đư ợ c trong khoả ng thờ i gian bố c bay nhấ t định thông qua
khố i lư ợ ng riêng củ a màng (p). Có thể thấ y thể tích mà khố i lư ợ ng
r
dM
chiế m trên đế bằ ng
r
dA d, × do vậ y chúng ta có:
(5.19)
Đố i vớ i đế phẳ ng đặ t song song vớ i mặ t phẳ ng củ a nguồ n bố c bay v à cách
nguồ n mộ t khoả ng , h thì góc tớ i þ sẽ bằ ng góc bay 0 và do đó
c o s c o s h / R þ = 0 = . Sơ đồ hệ nguồ n-đế cho trư ờ ng hợ p này đư ợ c
minh họ a trên hình 5.6. Khoả ng cách (R) từ nguồ n đế n vị trí đang xem xét
r
d A trong trư ờ ng hợ p mặ t phẳ ng đế song song giữ nguyên khoả ng cách h
thì chỉ thay đổ i trong khoả ng l (khoả ng cách từ tâm củ a đế đế n điể m
r
r
d M 1
d .
d A
= ×
p
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
128
r
d A ). Sự thay đổ i đó luôn tuân theo định luậ t Pitago: .
2 2 2
l h R + = Thay
biể u thứ c này vào phư ơ ng trình (5.12) và (5.18) chúng ta nhậ n đư ợ c, tư ơ ng ứ ng:
- Đố i vớ i nguồ n diệ n tích nhỏ :
- Đố i vớ i nguồ n điể m:
Khi diễ n giả i để nhậ n các phư ơ ng trình trên, chúng ta đã cho rằ ng cả hai
loạ i nguồ n bố c bay đề u rấ t nhỏ , vì thế vậ t liệ u đặ t trong nguồ n để bố c bay
(vậ t liệ u gố c) cũ ng rấ t ít. Do đó
e
M và d đề u là các đạ i lư ợ ng rấ t bé. Nế u
chúng ta gọ i
0
d là chiề u dày củ a màng tạ i tâm củ a đế , ứ ng vớ i tr ư ờ ng hợ p
, 0 = l hai phư ơ ng trình trên có thể đư a về biể u thứ c mi êu tả phân bố củ a
chiề u dày tư ơ ng đố i:
- Đố i vớ i nguồ n diệ n tích nhỏ :
(5.20)
Hình 5.6. Bố c bay lên đế đặ t song song vớ i nguồ n
. )
e
2
2 2
M
d ,
h 1 l / h
=
]
t p +
]
]
. )
e
3 / 2
2 2
M
.
d
4 h 1 l / h
=
]
t p +
]
]
. )
2
2
0
d / d 1 l / h .
÷
]
= +
]
]
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 129
Hình 5.7. Phân bố màng mỏ ng theo chiề u dày: Bố c bay
từ nguồ n diệ n tích nhỏ (s), nguồ n điể m (p) v à
nguồ n là đĩa tròn (các đư ờ ng liề n).
- Đố i vớ i nguồ n điể m:
(5.21)
Trên hình 5.7 là đồ thị phân bố chiề u dày tư ơ ng đố i (theo %) nhậ n đư ợ c từ
(5.20) và (5.21). Do số mũ ở phư ơ ng trình (5.21) có giá trị tuyệ t đố i nhỏ hơ n
số mũ ở phư ơ ng trình (5.20), cho nên chi ề u dày củ a màng bố c bay từ nguồ n
điể m giả m chậ m hơ n chiề u dày củ a củ a màng bố c bay từ nguồ n diệ n tích nhỏ .
5.3.2. Nguồ n hình tròn và nguồ n đĩa
Trên thự c tế , việ c bố c bay luôn đư ợ c thự c hiệ n từ nguồ n vớ i diệ n tích bề mặ t
củ a chúng không phả i l à quá nhỏ mà có thể bỏ qua như nguồ n diệ n tích nhỏ
và nguồ n điể m. Do vậ y, khi sử dụ ng nguồ n có diệ n tích bề mặ t nhấ t định th ì
phân bố màng theo chiề u dày cầ n diễ n giả i bằ ng cách tích phân các ph ư ơ ng
trình (5.8) và (5.9). Điề u này đư ợ c hiể u như việ c thự c hiệ n phép cộ ng chiề u
dày tạ i mộ t điể m trên đế nhậ n đư ợ c khi bố c bay từ tấ t cả nguồ n diệ n tích
nhỏ
e
dA , cho rằ ng tố c độ bố c bay từ tấ t cả các đi ể m trên nguồ n đề u
như nhau.
Trư ớ c hế t, chúng ta xem xét tr ư ờ ng hợ p nguồ n bố c bay có cấ u trúc nh ư mộ t
cái đĩa tròn bán kính s . Bề mặ t đĩa (tứ c bề mặ t bố c bay) đặ t song song vớ i
mặ t đế . Vì vậ y, ta có thể thấ y phân bố vậ t chấ t bố c bay tr ên đế có đố i xứ ng
. )
3 / 2
2
0
d / d 1 l / h .
÷
= +
]
]
]
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
130
Hình 5.8. Sơ đồ tư ơ ng quan các khoả ng cách
trong bố c bay từ nguồ n vòng tròn
dA
e
lên điể m dA
r
ở trên đế song
song vớ i nguồ n
tâm, nó đư ợ c biể u thị qua mộ t biế n số l ÷ khoả ng cách tớ i tâm củ a đế . Sơ đồ
hệ nguồ n-đế củ a trư ờ ng hợ p này đư ợ c minh họ a trên hình 5.8. Yế u tố vi
phân bề mặ t nguồ n lúc này có hình vòng tròn siêu mỏ ng vớ i diệ n tích
e
dA

e
dA s d ds = × o × , trong đó o là góc tạ o bở i l và hình chiế u củ a s trên
mặ t phẳ ng đế . Vì mặ t phẳ ng đế song song vớ i mặ t phẳ ng nguồ n, n ên
c o s c o s h / R . 0 þ = = Thay các giá trị này vào phư ơ ng trình (5.13) và
(5.9) đố i vớ i nguồ n diệ n tích nhỏ chúng ta sẽ nhậ n đ ư ợ c biể u thứ c phân bố
chiề u dày khi bố c bay từ nguồ n đĩa, như sau:
Trong công thứ c trên, tích phân bậ c ba xuấ t hiệ n là do chúng ta đã xét tổ ng
khố i lư ợ ng bố c bay
e
M từ tấ t cả các nguồ n bố c bay nhỏ
e
dA và sự phụ
thuộ c vào thờ i gian củ a đạ i lư ợ ng này, xem phư ơ ng trình (5.3). Sau khi thay
giá trị R bằ ng các đạ i l ư ợ ng đặ c trư ng cho vị trí củ a diệ n tích trên đế đang
xét trong tư ơ ng quan vớ i nguồ n bố c bay, e cos . 2
2 2 2 2
ls s l h R ÷ + + =
(hình 5.8), tích phân l ấ y theo o từ 0 đế n 2t, kế t quả nhậ n đư ợ c là:
(5.22)
2
4
t s
.
s d d s h
d d t
R
o
I o
=
t p
×
¦ ¦ ¦
. )
. )
2 2 2
2
3 / 2
2
ts
2 2 2
h l s
2 h
d s.ds.dt.
h l s 2l h ÷ +
+ +
I
= × ×
p
]
+ ×
]
]
¦¦
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 131
Vì là khố i lư ợ ng củ a vậ t chấ t bố c bay từ nguồ n vòng tròn
siêu mỏ ng. Cho nên biể u thứ c dư ớ i đây sẽ là phân bố màng theo chiề u dày
d trong trư ờ ng hợ p nguồ n là vòng tròn diệ n tích nhỏ .
(5.23)
Từ đó, độ đồ ng nhấ t theo chiề u dày củ a màng nhậ n đư ợ c khi bố c bay từ
nguồ n vòng tròn rộ ng và mỏ ng cũ ng dễ dàng đánh giá, trư ớ c hế t chúng ta sử
dụ ng chiề u dày củ a màng tạ i tâm củ a đế (l = 0) là :
0
d
(5.24)
Trong trư ờ ng hợ p này, thông số để đánh giá độ đồ ng nhấ t củ a màng cũ ng là
tỷ số . /
0
d d Tỷ số này càng gầ n đơ n vị thì độ đồ ng nhấ t theo chiề u dày củ a
màng càng cao. Ngoài đạ i lư ợ ng khoả ng cách tư ơ ng đố i h l / , trong biể u
thứ c (5.23) và (5.24) còn chứ a đạ i lư ợ ng bán kính tư ơ ng đố i củ a nguồ n so
vớ i khoả ng cách nguồ n-đế ). / ( h s Trên hình 5.9 là kế t quả tính bằ ng máy
tính về sự phân bố màng theo chiề u dày đố i vớ i nguồ n bố c bay hình tròn có
giá trị h s / tư ơ ng đố i lớ n. Nế u như bán kính củ a nguồ n vòng tròn rấ t bé so
vớ i khoả ng cách nguồ n-đế (s 0,1h), s thì phân bố từ nguồ n này sẽ hầ u như
trùng vớ i phân bố từ nguồ n diệ n t ích nhỏ . Điề u này có thể thấ y từ cách nhìn
nhậ n biể u thứ c toán họ c, khi thay
. )
2
s / h 1 < < vào phư ơ ng trình (5.23).
Như vậ y, có thể nhậ n thấ y rằ ng, hoàn toàn có thể bố c bay lên đế phẳ ng các
lớ p màng mỏ ng đồ ng nhấ t theo chiề u dày, nế u trong thự c nghiệ m chúng ta
dùng thuyề n bố c bay là mộ t vòng tròn bán kính đủ lớ n so vớ i khoả ng cách
nguồ n-đế . Thự c nghiệ m cho thấ y khi bán kính t ư ơ ng đố i củ a nguồ n
) / ( h s có giá trị trong khoả ng từ 0,7 đế n 0,8 thì màng nhậ n đư ợ c có độ
đồ ng nhấ t tố t hơ n cả .
Bây giờ chúng ta xem xét tr ư ờ ng hợ p nguồ n là mộ t đĩa tròn. Phư ơ ng trình
(5.22) sẽ phả i tích phân theo bán kính ) (s củ a đĩa. Sau khi thự c hiệ n phép
tích phân này chúng ta nhậ n đư ợ c:
t
e
2 sds dt M t I =
¦
. ) . )
. ) . ) . )

2 2
e
2
3 / 2 2
2 2 2
1 l / h s / h M
.
d
h
1 l / h s / h 4 l / h
+ +
= ×
t p !
]
÷ + +

]
]
!
. )
e
0
2 2
2
M 1
.
d
h
1 s / h
= ×
t p
]
+
]
]
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
132
(5.25)
Tổ ng khố i lư ợ ng bố c bay có thể biể u thị bằ ng tích phân:
Cho nên phư ơ ng trình biể u thị phân bố chiề u dày trong trư ờ ng hợ p bố c bay
từ nguồ n đĩa tròn có dạ ng:
(5.26)
và:
Chúng ta trở lạ i hình 5.7. Trên hình này các đư ờ ng cong liề n là đồ thị tính
bằ ng máy tính đố i vớ i phân bố theo chi ề u dày khi bố c bay từ nguồ n đĩa tròn
kích thư ớ c tư ơ ng đố i lớ n. Có mộ t điề u thú vị l à khi nguồ n bố c bay có kích
thư ớ c và khoả ng cách nguồ n-đế thỏ a mãn tỷ số 5 , 0 ) / = h s thì phân bố
chiề u dày hầ u như trùng vớ i phân bố trong trư ờ ng hợ p bố c bay từ nguồ n
điể m. Tăng tỷ số lên cao hơ n chúng ta cũ ng nhậ n đư ợ c phân bố đề u hơ n, tuy
nhiên điề u này là không hiệ u quả bằ ng sử dụ ng nguồ n hình vòng tròn bán
kính lớ n.
Đố i vớ i nguồ n đĩa bán kính giớ i hạ n trong khoả ng 1 , 0 / s h s vế phả i củ a
phư ơ ng trình (5.26) cầ n phân tích thành dãy, kế t quả gầ n đúng cho công
thứ c phân bố chiề u dày tư ơ ng đố i có dạ ng như sau:
. )
. )
2 2 2
2
2 2 2 2
2
h l s
. d 1 d t
t
h l s 2 l s
I
p
]
]
+ ÷
= ÷ ]
]
] ÷ + +
]
¦
2
e
t
M s d t . I = t
¦
. ) . )
. ) . ) . )
2 2
e
2
2
2 2 2
1 l / h s / h M
d 1 .
s
1 l / h s / h 4 l / h
!
!
!
!
+ ÷ !
!
= ÷
`
t p
! !
]
÷ + +
! !
]
]
!
!
. )
. )
2
e
0 2 2
M 2 s / h
.
d
2 .s
1 s / h
= ×
tp
+
. )
. ) . ) . )
2
0
2
2 2
1 s / h
.
d/d
1 l / h 1 l / h s / h
+
=
]
] + + ÷
]
]
]
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 133
Phư ơ ng trình (5.26) xét về thự c tiễ n có thể sử dụ ng để tính phân bố theo
chiề u dày từ nguồ n bố c bay là hình tròn vớ i kích thư ớ c chiề u rộ ng củ a bề
mặ t bố c bay không quá nhỏ . Điề u này thự c hiệ n bằ ng cách lấ y khố i l ư ợ ng
bố c bay từ cả nguồ n đĩa trừ đi khố i l ư ợ ng bố c bay từ nguồ n đĩa nhỏ (nằ m
trong đĩa lớ n). Trên hình 5.9 trình bày đồ thị phân bố theo chiề u dày từ
nguồ n vòng tròn “thự c” này vớ i kích thư ớ c tố i ư u ) / ( h s trong khoả ng 0,7
đế n 0,8. Mặ c dù bề rộ ng củ a nguồ n vành khuyên này là tư ơ ng đố i lớ n,
như ng kế t quả tính toán cho thấ y phân bố theo chiề u d ày trong trư ờ ng hợ p
này hoàn toàn trùng vớ i phân bố từ nguồ n vòng tròn siêu mỏ ng vớ i
. 75 , 0 / = h s
Cuố i cùng, cũ ng cầ n nhấ n mạ nh rằ ng mặ c dù nguồ n bố c bay hình đĩa hay
vành khuyên vớ i bề rộ ng không nhỏ như ng trong trư ờ ng hợ p khoả ng cách
nguồ n-đế đủ lớ n thì phân bố theo chiề u dày nhậ n đư ợ c cũ ng giố ng như
trư ờ ng hợ p nguồ n diệ n tí ch nhỏ hay vòng tròn siêu mỏ ng. Trong thự c tiễ n
củ a kỹ thuậ t màng mỏ ng thì nguồ n có bề mặ t bố c bay lớ n còn có ư u điể m là
trong cùng mộ t áp suấ t thì tố c độ bố c bay lớ n hơ n rấ t nhiề u nguồ n có diệ n
tích bố c bay nhỏ , nhờ đó hạ n chế đáng kể tác dụ ng củ a phả n ứ n g hóa họ c
xả y ra giữ a nguồ n bố c bay (thuyề n hoặ c chén) v à vậ t liệ u gố c. Thí dụ , khi
chế tạ o màng kim loạ i nhôm khố i lư ợ ng lớ n (để làm gư ơ ng dân dụ ng) ngư ờ i
ta dùng nhiề u thuyề n rỏ volfram để bố c bay vừ a nhanh (đỡ hạ i thuyề n do
hợ p kim nhôm và volfram hình thành trong quá trình bố c bay chậ m) lạ i vừ a
giả m đư ợ c thờ i gian hút chân không do không cầ n đế n chân không quá
cao. Ngư ợ c lạ i khi bố c bay vàng để tạ o tiế p xúc ômic thì chúng ta
dùng thuyề n lá volfram ở giữ a có hố nhỏ vừ a đủ đặ t “gọ t” kim loạ i
vàng để tránh lãng phí. Trong tr ư ờ ng hợ p này để nhậ n đư ợ c độ đồ ng
đề u về chiề u dày chúng ta cầ n sử dụ ng bộ gá đế có khả năng vừ a quay
vừ a chuyể n độ ng tịnh tiế n theo hai ph ư ơ ng nằ m ngang.
Câu hỏ i kiể m tra đánh giá
1. Quá trình thoát phân tử là gí, ý nghĩa củ a quá trình này trong kỹ
thuậ t màng mỏ ng?
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
134
2. Nêu cấ u tạ o củ a bình Khudsen, ứ ng dụ ng củ a bình này trong kỹ
thuậ t tạ o màng mỏ ng chấ t lư ợ ng cao?
3. Phân bố chiề u dày màng mỏ ng trong trư ờ ng hợ p nguồ n bố c bay nhỏ
và hình đĩa; ứ ng dụ ng củ a phư ơ ng trình phân bố chiề u dày màng?
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 135
Chư ơ ng 6
Chế tạ o màng mỏ ng bằ ng
kỹ thuậ t chân không
Chế tạ o màng mỏ ng bằ ng việ c sử dụ ng kỹ thuậ t chân không l à công nghệ
lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý, bở i vì trong công nghệ này, các phầ n tử hóa hơ i
(như phân tử , nguyên tử , cụ m nguyên tử ) nhậ n đư ợ c bằ ng phư ơ ng pháp vậ t
lý. Trong các chư ơ ng trên, chúng ta đã nghiên cứ u độ ng họ c chấ t khí và lý
thuyế t bố c bay chân không, đó l à nhữ ng kiế n thứ c cầ n thiế t để tiế n hành các
thự c nghiệ m về kỹ thuậ t chân không và công nghệ chế tạ o màng mỏ ng. Dư ớ i
đây chúng ta sẽ đề cậ p mộ t cách chi tiế t hơ n từ các phư ơ ng pháp công nghệ
chế tạ o màng mỏ ng trong chân không từ đơ n chấ t (như nhôm, vàng, bạ c,
kẽ m,…) đế n hợ p kim hay các ôxyt và hợ p chấ t nhiề u thành phầ n. Tuỳ thuộ c
vào nguồ n hóa hơ i trong chân không, vào các kỹ thuậ t tạ o ra nguồ n bố c bay
khác nhau, chúng ta có các phư ơ ng pháp ch ế tạ o màng mỏ ng như sau:
-Bố c bay nhiệ t truyề n thố ng (bố c bay nhiệ t);
-Bố c bay bằ ng chùm tia điệ n tử (bố c bay chùm tia điệ n tử );
-Bố c bay bằ ng laze xung (bố c bay laze);
-Epitaxy chùm phân t ử .
6.1. Bố c bay nhiệ t
6.1.1. Giớ i thiệ u chung
Phư ơ ng pháp bố c bay trong chân không dùng thuyề n điệ n trở làm nguồ n
cung cấ p nhiệ t là phư ơ ng pháp bố c bay nhiệ t truyề n thố ng. Phư ơ ng pháp này
đơ n giả n, dễ thự c hiệ n và hiệ u quả cao. Để thự c hiệ n quá tr ình bố c bay
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
136
chúng ta cầ n có nguồ n bố c bay để chứ a vậ t liệ u cầ n bố c bay v à để cung cấ p
nhiệ t tạ o ra áp suấ t hơ i cầ n thiế t và duy trì quá trình bố c bay vậ t liệ u. Trong
phư ơ ng pháp này, t ố c độ lắ ng đọ ng màng có thể nằ m trong khoả ng rộ ng từ
o
1 A /s
đế n
o
/ s 1 0 0 0 A
. Hơ n nữ a, vậ t liệ u khác nhau có nhiệ t độ bố c bay
rấ t khác nhau. Nhiệ t độ bố c bay củ a vậ t liệ u phụ thuộ c rấ t mạ nh v ào áp suấ t,
nó giả m theo chiề u giả m củ a áp suấ t trong chuông chân không. Nói cách
khác là chân không càng cao thì nhi ệ t độ bố c bay càng giả m.
Bố c bay trong chân không thấ p đòi hỏ i nhiệ t độ nguồ n bố c bay cao hơ n,
điề u này thúc đẩ y các phả n ứ ng hóa họ c giữ a nguồ n bố c bay v à vậ t liệ u cầ n
bố c bay (vậ t liệ u gố c). Thí dụ , khi bố c bay nhôm d ùng thuyề n điệ n trở W dễ
nhậ n đư ợ c hợ p kim Al-W, nhiệ t độ nóng chả y củ a hợ p kim này thấ p hơ n hẳ n
so vớ i nhiệ t độ nóng chả y củ a W, do đó dẫ n đế n đứ t thuyề n khi chấ t nóng
chả y nhôm còn chư a hóa hơ i. Để khắ c phụ c các hiệ n t ư ợ ng phả n ứ ng hóa
họ c giữ a nguồ n và vậ t liệ u gố c, trong nhiề u tr ư ờ ng hợ p, ngư ờ i ta sử dụ ng
chén đự ng vậ t liệ u (chén đư ợ c đặ t trong thuyề n). Các loạ i chén đ ư ợ c chế tạ o
từ vậ t liệ u có nhiệ t độ nóng chả y rấ t cao, nh ư oxit nhôm hay oxit bery,
thory, zircony,... Chúng đư ợ c gọ i chung là vậ t liệ u khó nóng chả y.
Trên bả ng 6.1 liệ t kê mộ t số nguyên tố điể n hình đư ợ c bố c bay trong chân không,
bả ng này cho chúng ta biế t các thông số cầ n thiế t khi bố c bay chân không, như
nhiệ t độ , áp suấ t, vậ t liệ u gố c và các loạ i thuyề n và chén có thể sử dụ ng.
Bả ng 6.1. Thông số bố c bay nhiệ t củ a các nguyên tố
Vậ t liệ u bố c bay
và hơ i
củ a chúng
Điể m
nóng
chả y
Nhiệ t độ
bố c bay
(
o
C) tạ i
10
-2
Torr
Thuyề n
dây / lá
Chén Chú thích
Nhôm (Al) 659 1220 W
C,BN,
TiB
2
-BN
Tạ o hợ p kim
vớ i W, phả n
ứ ng vớ i C
Antimon
(Sb
4
; Sb
2
)
630 530
Mo,Ta,
Ni
Corun,
BN, C
Hơ i gồ m nhiề u
nguyên tử ,
hiệ u suấ t bố c
bay thấ p
Acxen
(As
4
, As
2
)
820 300 - Ôxít, C
Độ c hạ i, thăng
hoa, hơ i lẫ n
các phân tử 2
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 137
và 4 nguyên tử
Bả ng 6.1 (tiế p theo)
Vậ t liệ u bố c bay
và hơ i
củ a chúng
Điể m
nóng
chả y
Nhiệ t độ
bố c bay
(
o
C) tạ i
10
-2
Torr
Thuyề n
dây / lá
Chén Chú thích
Bari (Ba) 710 610
W, Mo
Ta, Ni
Kim loạ i
Không tư ơ ng
tác vớ i thuyề n
Bismut
(Bi, Bi
2
)
271 670
W,Mo,
Ta, Ni
Ôxít, C,
Kim loạ i
Hơ i độ c hạ i
Coban (Co) 1495 1520 W
Al
2
O
3
,
BeO
Hợ p kim hóa,
bay hơ i 30%
Đồ ng (Cu) 1084 1260
W,Mo,
Ta
Mo,C,
Al
2
O
3
Không hợ p
kim hóa
Gali (Ga)
30 1130 -
BeO,
Al
2
O
3
Hợ p kim hóa
Gecmani (Ge) 940 1400
W,Mo,
Ta
W,C,
Al
2
O
3
Dính thuyề n W
Vàng (Au) 1063 1400 W, Mo Mo, C
Hợ p kim hóa
vớ i Ta, dính
thuyề n W, Mo
Inđi (In)
156 950 W, Mo
Mo, C
Nên dùng Mo
Mangan (Mn) 650 940
W,Mo,
Ta
Al
2
O
3
Hợ p kim hóa
Niken (Ni) 1450 1530
W, lá W
phủ
Al
2
O
3
Ôxít khó
nóng
chả y
Hợ p kim hóa
Palađi (Pd) 1550 1460
W, lá W
phủ Al
2
O
3
Al
2
O
3
Thăng hoa
chậ m, kợ p
kim hóa
Platin (Pt) 1770 2100 W
ThO
2
,
ZrO
2
Hợ p kim
hóa; Nên
dùng chùm
tia đi ệ n tử
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
138
Silíc (Si) 1410 1350 -
BeO, C,
ZrO
2
Hình thành
SiO t ừ chén
Bạ c (Ag) 961 1130 Mo, Ta Mo, C
Thuyề n Mo tố t
nhấ t
Tantan (Ta) 3000 3060 - -
Dùng chùm tia
điệ n tử
Bả ng 6.1 (tiế p theo)
Vậ t liệ u bố c bay
và hơ i
củ a chúng
Điể m
nóng
chả y
Nhiệ t độ
bố c bay
(
o
C) tạ i
10
-2
Torr
Thuyề n
dây / lá
Chén Chú thích
Thiế c (Sn) 232 1250 W. Ta C, Al
2
O
3
Phá hủ y
thuyề n Mo
Titan (Ti) 1700 1750 W, Ta ThO
2
, C
Hợ p kim hóa;
dùng chùm tia
điệ n tử
Volfram (W) 3380 3230 - -
Dùng chùm tia
điệ n tử
Vanađi (V) 1920 1850 Mo, W Mo
Thăng hoa
chậ m
Molipden (Mo) 2620 2530 - -
Dùng chùm tia
điệ n tử
Kẽ m (Zn) 420 2400 W,Ta, Ni
Fe, C
Al
2
O
3
,
Thăng hoa
nhanh, khuế ch
tán mạ nh
6.1.2. Nguồ n bố c bay bằ ng dây và lá kim loạ i
Các nguồ n bố c bay đư ợ c làm bằ ng dây hay lá kim loạ i chịu nhiệ t độ cao
(nhiệ t độ nóng chả y củ a chúng thư ờ ng là rấ t cao). Nguồ n này cung cấ p nhiệ t
bố c bay theo định luậ t Jun-Lenxơ . Các nguồ n kiể u này đư ợ c gọ i chung là
thuyề n điệ n trở , mặ c dầ u không phả i tấ t cả chúng đề u có h ình dạ ng như cái
Hình 6.1. Các loạ i thuyề n điệ n trở bằ ng kim loạ i: dây (a-d) và lá (e-g).
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 139
“thuyề n” (hình 6.1).
Tăng nhiệ t độ củ a thuyề n đư ợ c thự c hiệ n bằ ng cách tăng dòng điệ n chạ y qua
thuyề n. Tùy từ ng loạ i vậ t liệ u cầ n bố c bay mà có thể dùng thuyề n khác nhau
cả về hình dạ ng và chấ t liệ u. Các kim loạ i nóng chả y nhiệ t độ cao thư ờ ng
dùng để làm thuyề n điệ n trở là dây hoặ c lá W, Mo, Ta. Đố i vớ i vậ t l iệ u bố c
bay ở nhiệ t độ thấ p hơ n 800
o
C có thể dùng thuyề n Pt hay Ni. Trên Bả ng 6.2
là tính chấ t vậ t lý cơ bả n củ a các vậ t liệ u dùng làm thuyề n. Bả ng này cũ ng
cho thấ y số vậ t liệ u dùng làm thuyề n không nhiề u, thư ờ ng chỉ có ba loạ i (W,
Mo và Ta) là đáp ứ ng yêu cầ u trong kỹ thuậ t màng mỏ ng.
Cũ ng cầ n biế t rằ ng, ở nhiệ t độ cao volfram v à molipđen dễ dàng tác dụ ng
vớ i hơ i nư ớ c hoặ c ôxy tan trong hơ i nư ớ c còn sót lạ i trong chuông tạ o
thành tạ p chấ t bẩ n, tạ p chấ t này cũ ng bay lên cùng các phân t ử củ a vậ t
liệ u cầ n bố c bay, do đó chấ t l ư ợ ng củ a màng sẽ bị giả m đáng kể . Các
loạ i thuyề n xoắ n (hình 6.1) thư ờ ng đư ợ c làm bằ ng dây volfram đư ờ ng
kính từ 0,5 đế n 1,5 mm. Sau khi bố c bay, nhấ t l à trong trư ờ ng hợ p
dùng lạ i thuyề n nhiề u lầ n, thuyề n và vậ t liệ u bố c bay tư ơ ng tác vớ i nhau
tạ o thành hợ p kim. Lớ p hợ p kim này bám chặ t vào thành thuyề n nhờ sứ c
căng bề mặ t củ a chúng, lớ p này rấ t khó tẩ y sạ ch. Để khắ c phụ c hiệ n t ư ợ ng
hợ p kim hóa khi bố c bay, chúng ta cầ n rả i đề u vậ t liệ u bố c bay l ên trên dây
điệ n trở để làm tăng diệ n tích tiế p xúc củ a thuyề n và vậ t liệ u gố c, như thế
thờ i gian bố c bay giả m mà phân bố màng theo chiề u dày cũ ng đồ ng đề u hơ n.
Có các cách sau đây để phân bố đồ ng đề u vậ t liệ u gố c tr ên thuyề n: treo các
đoạ n dây vậ t liệ u bố c bay (vàng, niken) lên mỗ i vòng xoắ n củ a thuyề n, phủ
điệ n hóa vậ t liệ u gố c l ên thuyề n (nế u vậ t liệ u bố c bay thích hợ p cho ph ư ơ ng
pháp này), đặ t toàn bộ thuyề n vào chén để vậ t liệ u gố c có thể tiế p xúc trự c
tiế p vớ i tấ t cả các vòng xoắ n củ a thuyề n), …
Bằ ng cách cuố n thuyề n xoắ n từ dây volfram có t hể tạ o ra nguồ n bố c bay để
chế tạ o màng mỏ ng kim loạ i như nhôm, niken, sắ t và platin. Thông thư ờ ng
các màng này vẫ n nhiễ m tạ p chấ t từ thuyề n. Để tránh hiệ n t ư ợ ng nhiễ m bẩ n
này, cầ n thiế t kế thuyề n có diệ n tích bố c bay lớ n v à dùng vậ t liệ u gố c vớ i
khố i lư ợ ng không quá nhiề u và thự c hiệ n bố c bay trong chân không cao. Trong
nhiề u trư ờ ng hợ p cầ n có thuyề n lớ n hơ n và có khả năng tậ p rung nhiệ t, tăng
nhiệ t độ nhanh hơ n, loạ i thuyề n xoắ n đư ợ c cuố n thành hình dạ ng như cái
giỏ , cho nên loạ i thuyề n này đư ợ c gọ i là thuyề n giỏ .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
140
Bả ng 6.2. Tính chấ t củ a kim loạ i khó nóng chả y.
Tính chấ t Volfram Molipđen Tantan
Nhiệ t độ nóng chả y,
o
C 3380 2610 3000
T,
o
C tạ i P =10
-
6
Torr
2410 1820 2240
Điệ n trở suấ t, 10
-
6
O.cm
tạ i: 20
o
C
1000
o
C
2000
o
C
5,5
33
66
5,7
32
62
13,5
54
87
Độ giãn nở nhiệ t, %
Từ 0 -1000
o
C
Từ 0 - 2000
o
C
0,5
1,1
0,5
1,2
0,7
1,5
Có hai cách cuố n thuyề n giỏ . Cách thứ nhấ t l à dùng dây đơ n để cuố n, cách
thứ hai là dùng dây đúp (sau khi hai dây đơ n đ ã đư ợ c xoắ n vớ i nhau, rồ i mớ i
cuố n thành giỏ ) trong cách thứ hai thì loạ i giỏ có hai tai ở hai phía tr ên cùng
củ a thuyề n (hình 6.1d ) có tác dụ ng tố t hơ n kiể u mộ t tai trên mộ t tai dư ớ i
(6.1 c). Từ thự c tế cho thấ y, loạ i thuyề n giỏ n ày có ư u điể m vư ợ t trộ i là tạ o
ra màng chấ t lư ợ ng cao và kéo dài thờ i gian sử dụ ng thuyề n, nhấ t là khi bố c
bay kim loạ i vớ i mộ t lư ợ ng lớ n. Điề u này đư ợ c giả i thích l à do:
(i) khi hai dây W đư ợ c xoắ n lạ i vớ i nhau, chúng tạ o ra các r ãnh, làm
tăng diệ n tích bố c bay. Các r ãnh này giố ng như nhữ ng “khe” chứ a
kim loạ i nóng chả y khỏ i bị rơ i khỏ i thuyề n,
(ii) loạ i thuyề n hai tai như trên có đáy nhỏ , cùng vớ i đáy này các vòng
cuố n phía trên tạ o ra các nguồ n bố c bay giố ng kiể u nguồ n h ình tròn,
như đã xét ở chư ơ ng 5.
Khi dòng đố t tăng lên đế n mứ c nhiệ t độ thuyề n đạ t điể m nóng chả y củ a kim
loạ i, chấ t lỏ ng này xoáy theo chiề u củ a vòng cuố n và bay lên vớ i tố c độ lớ n
như mong muố n, do đó có thể bố c bay hế t vậ t liệ u gố c.
Các thuyề n lá volfram, molipden và tantan thư ờ ng đư ợ c chế tạ o từ lá kim
loạ i tư ơ ng ứ ng có bề dày từ 0,13 đế n 0,38 mm. Phầ n ở giữ a thuyề n th ư ờ ng
đư ợ c dát mỏ ng hơ n để tăng điệ n trở ở trung tâm, do đó nhiệ t tậ p trung tố t
hơ n ở chỗ để vậ t liệ u gố c. Trong nhiề u tr ư ờ ng hợ p, ngư ờ i ta tạ o mộ t hố nhỏ ,
ngoài tác dụ ng tậ p trung nhiệ t như trên, hố này còn cho phép tiế t kiệ m vậ t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 141
liệ u quý hiế m khi bố c bay. Trong kỹ thuậ t chế tạ o thuyề n lá, để tránh hiệ n
tư ợ ng hợ p kim hóa giữ a thuyề n và vậ t liệ u gố c ngư ờ i ta phủ lên phầ n giữ a
thuyề n mộ t lớ p mỏ ng các oxit kim loạ i khó nóng chả y như Al
2
O
3
, ThO
2
.
Còn hai tai thuyề n đư ợ c giữ nguyên để không ả nh hư ở ng đế n tiế p xúc vớ i bộ
gá điệ n cự c. Loạ i thuyề n này có bề dày quãng 0,25 mm, l ớ p phủ cũ ng dày
tư ơ ng tự . Vì lớ p phủ cách điệ n tố t, độ truyề n nhiệ t giả m, cho n ên sử dụ ng
thuyề n loạ i này đòi hỏ i công suấ t bố c bay tăng l ên từ 20% đế n 30% so vớ i
trư ờ ng hợ p thuyề n không đư ợ c phủ . Khi dùng thuyề n lá phủ oxit để bố c bay
chúng ta sẽ thấ y hiệ n tư ợ ng các giọ t hình cầ u hình thành trên thuyề n, chúng
nhỏ dầ n khi bố c bay. Hiệ n tư ợ ng này là do bề mặ t tinh thể oxit rấ t mịn cho
nên chấ t lỏ ng củ a vậ t liệ u gố c không có khả năng bám dính v ào thuyề n
giố ng như trư ờ ng hợ p không phủ . Sử dụ ng thuyề n phủ oxit tránh đư ợ c hiệ n
tư ợ ng hợ p kim hóa củ a nguồ n bố c bay và vậ t liệ u gố c, tuy nhi ên trong nhiề u
trư ờ ng hợ p vẫ n xuấ t hiệ n các oxit nhẹ (ví dụ SiO khi bố c bay Si ). Điề u này
là do nguyên tử kim loạ i củ a vậ t liệ u bố c bay t ư ơ ng tác vớ i lớ p phủ oxit.
Dùng thuyề n lá phủ oxit có thể bố c bay hầ u hế t các nguyên tố kim loạ i.
Màng mỏ ng nhậ n đư ợ c có chấ t lư ợ ng cao, bở i vì trong chân không cao nhi ệ t
độ bố c bay củ a chúng thấ p, do đó hạ n chế phả n ứ ng củ a thuyề n vớ i vậ t liệ u
gố c. Trong mộ t số trư ờ ng hợ p, các oxit khó nóng chả y cũ ng có thể bố c bay
từ thuyề n phủ oxit, tuy nhiên lớ p phủ phả i có nhiệ t độ hóa hơ i cao hơ n đáng
kể so vớ i vậ t liệ u gố c. Mặ c dầ u vậ y, chấ t l ư ợ ng củ a màng oxit khó nóng
chả y sẽ tố t hơ n nhiề u nế u chúng ta sử dụ ng nguồ n bố c bay l à chùm tia điệ n
tử hộ i tụ hay laze xung. Các phư ơ ng pháp này sẽ đư ợ c đề cậ p ở phầ n sau.
Các loạ i thuyề n kể trên đề u có điệ n trở rấ t nhỏ , cho nên nhiệ t cung cấ p cho
thuyề n chỉ cầ n điệ n thế nhỏ (<10 V), như ng đòi hỏ i dòng rấ t cao (thư ờ ng là
từ 100 đế n 300 A, nguồ n điệ n xoay chiề u). Cho n ên khi đố t thuyề n cầ n phả i
tăng dòng vớ i tố c độ chậ m, tránh để dòng tăng độ t ngộ t. Vì điệ n thế không
lớ n cho nên điệ n trở tiế p xúc ở các điể m kẹ p thuyề n - điệ n cự c nố i ra ngoài
chuông - là nhân tố quan trọ ng trong thiế t kế bộ gá nguồ n bố c bay. Khi nhiệ t
độ tăng, sự giãn nở nhiệ t có thể làm cho các chố t gắ n thuyề n trở nên lỏ ng
lẻ o. Để khắ c phụ c điề u này cầ n thiế t kế hệ làm nguộ i bằ ng nư ớ c cho các
điệ n cự c nố i vớ i nguồ n bố c bay. Nhìn chung, các nguồ n bố c bay nhiệ t l àm
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
142
việ c ở điệ n thế thấ p và gầ n điệ n thế củ a dây trung hòa. Nế u phả i nâng điệ n
thế nguồ n lên cao hơ n thì cầ n phả i dùng bộ biế n dòng cách điệ n tố t để gắ n
vào nguồ n bố c bay.
6.1.3. Nguồ n bố c bay cho vậ t liệ u thăng hoa
Có nhữ ng vậ t liệ u như Cr, Mo, Pd, V, Fe và Si mà nhi ệ t độ bay hơ i củ a
chúng tạ i áp suấ t cỡ 10
-2
Torr nhỏ hơ n hoặ c gầ n vớ i nhiệ t độ nóng chả y.
Trong trư ờ ng hợ p này sử dụ ng thuyề n trơ (về hóa họ c) đố i vớ i vậ t liệ u bố c
bay là không cầ n thiế t.
Trong chân không đủ cao, các vậ t liệ u có tính chấ t tr ên sẽ thăng hoa, trư ớ c
khi chúng nóng chả y. Vì vậ y có thể thiế t kế nguồ n bố c bay sử dụ ng dây hoặ c
lá kim loạ i khó nóng chả y làm thuyề n điệ n trở . Như ng trong trư ờ ng hợ p này,
cấ u trúc củ a thuyề n hoàn toàn khác, bở i vì vậ t liệ u gố c luôn ở trạ ng thái rắ n,
cho nên không cầ n đặ t chúng tiế p xúc trự c tiế p vớ i thuyề n. Tr ên hình 6.2 mô
tả sơ đồ củ a mộ t kiể u nguồ n để thăng hoa mộ t số vậ t liệ u nh ư Si.
Trên thự c tế , có thể sử dụ ng thuyề n phủ oxit để bố c bay Si, tuy n hiên Si lạ i
là chấ t dễ tư ơ ng tác vớ i các oxit để tạ o thành SiO và do đó thuyề n cũ ng
nhanh bị phá hủ y. Do vậ y, ngoạ i trừ phư ơ ng pháp chùm tia đi ệ n tử thì dùng
thuyề n cung cấ p nhiệ t độ bằ ng bứ c xạ nhiệ t để thăng hoa các vậ t liệ u tr ên là
phư ơ ng pháp hữ u hiệ u và cho màng chấ t lư ợ ng tố t.
Các vậ t liệ u như Ni, Rh và Ti cũ ng đư ợ c bố c bay bằ ng phư ơ ng pháp
này. Màng mỏ ng titan phủ l ên thủ y tinh để l àm kính phả n quang, ngoài
tác dụ ng phả n xạ bứ c xạ nóng, chúng c òn có khả năng hấ p thụ các chấ t
Hình 6.2. Nguồ n bố c bay sử dung để thăng
hoa lư ợ ng lớ n vậ t liệ u bán dẫ n
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 143
khí gây phả n ứ ng hóa họ c mạ nh. Trong đờ i số ng, kính râm sử dụ ng để
bả o vệ mắ t chế tạ o từ màng mỏ ng titan đư ợ c đánh giá cao về chấ t l ư ợ ng,
do đó chúng rấ t đư ợ c ư a chuộ ng
6.1.4. Chén bố c bay và vậ t liệ u chén
a) Kim loạ i khó nóng chả y
Khi bố c bay mộ t lư ợ ng nhỏ (thư òng là dư ớ i 1 gam) chúng ta có thể dùng các
loạ i thuyề n kể trên, như ng nế u cầ n bố c bay mộ t l ư ợ ng lớ n hơ n vài hoặ c chụ c
gam thì không có cấ u trúc thuyề n nào có thể đáp ứ ng đư ợ c. Để khắ c phụ c
điề u này, ngư ờ i ta đã thiế t kế nguồ n bố c bay lớ n hơ n và có hình dạ ng củ a
mộ t cái chén, do đó chúng đư ợ c gọ i là chén bố c bay. Vì quá trình bố c bay
vậ t liệ u vớ i khố i lư ợ ng lớ n xả y ra trong khoả ng thờ i gian t ư ơ ng đố i dài cho
nên việ c lự a chọ n chén sao cho chúng vừ a bề n nhiệ t vừ a “tr ơ ” vớ i vậ t liệ u
bố c bay là điề u rấ t cầ n thiế t. Tính chấ t phả n ứ ng tư ơ ng tác củ a vậ t liệ u bố c
bay vớ i vậ t liệ u gố c có thể tra cứ u từ giả n đồ pha củ a hai vậ t liệ u, trong đó
có các điể m nhiệ t độ và áp suấ t tư ơ ng ứ ng vớ i các điề u kiệ n “hòa tan” củ a
chúng. Vậ t liệ u dùng làm chén cầ n đáp ứ ng yêu cầ u không hòa tan vào vậ t
liệ u gố c và cũ ng không để vậ t liệ u bố c bay hòa tan vào chúng. Khi điề u kiệ n
này đáp ứ ng thì loạ i chén làm bằ ng vậ t liệ u kim loạ i khó nóng chả y có ư u
điể m vư ợ t trộ i so vớ i loạ i chén l àm bằ ng oxit. Bở i vì chén kim loạ i dễ gia
công theo các cấ u hình mong muố n, chúng có độ dẫ n nhiệ t cao hơ n và chịu
đư ợ c thay đổ i nhiệ t độ độ t ngộ t tố t hơ n so vớ i chén oxit. Từ bả ng 6.1, chúng
ta cũ ng nhậ n thấ y rằ ng hoàn toàn có thể sử dụ ng chén molipđen để bố c bay
mộ t số kim loạ i. Trong ba loạ i vậ t liệ u có thể d ùng làm chén (W, Mo, Ta) thì
molipđen vừ a rẻ hơ n lạ i vừ a mề m hơ n, dễ gia công hơ n volfram. Trên hình
6.3 là sơ đồ và hình vẽ mặ t cắ t củ a chén kim loạ i dùng để bố c bay Cu, Ag và
Au. Độ hòa tan củ a ba kim loạ i này trong molipđen và ngư ợ c lạ i củ a Mo
trong chúng là rấ t nhỏ .Ngư ờ i ta đã bố c bay Cu trên 50 lầ n bằ ng chén
molipđen mà chén không bị hỏ ng, sau khoả ng 10 lầ n bố c bay th ì phát hiệ n
có đồ ng khuế ch tán vào trong thuyề n, tuy trong màng đồ ng vẫ n không phát
hiệ n tạ p Mo. Trong trư ờ ng hợ p dùng chén molipđen để bố c bay thì nguồ n
đố t chén là điệ n cự c làm bằ ng tantan (phầ n bên trái củ a hình 6.3). Nó đư ợ c
làm từ phiế n tantan dày 5 mm gia công thành hình ố ng, dó đó tạ o ra điệ n trở
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
144
Hình 6.3. Thuyề n tantan và cấ u tạ o nguồ n đố t sử dụ ng chén
là kim loạ i khó nóng chả y, đự ng trong thuyề n tantan
và độ bứ c xạ nhiệ t lớ n hơ n, đồ ng thờ i nó cũ ng phả n xạ nhiệ t cao h ơ n hẳ n
loạ i thuyề n dây điệ n trở . Dùng thêm các lá chắ n nhiệ t xung quanh chén
chúng ta có đư ợ c nguồ n bố c bay ổ n định về nhiệ t độ , cho phép bố c bay vớ i
tố c độ không đổ i. Loạ i chén này dùng để bố c bay lư ợ ng lớ n kim loạ i Cu và
Ag. Thự c nghiệ m cho thấ y thuyề n cũ ng rấ t bề n v à năng suấ t bố c bay cao,
chấ t lư ợ ng màng đả m bả o. Hơ n nữ a vớ i bộ nguồ n này có thể bố c bay tự
độ ng hóa, điề u khiể n bằ ng chư ơ ng trình vi tính vớ i sự trợ giúp củ a các đầ u
đo điệ n trở suấ t hoặ c bộ cộ ng hư ở ng thạ ch anh theo dõi chiề u dày củ a màng.
b) Ôxít khó nóng chả y
Các chén oxit khó nóng chả y thư ờ ng đư ợ c chế tạ o tạ i các nhà máy chuyên
dụ ng, bở i vì gia công chén (giố ng như đồ sứ ) là mộ t việ c không đơ n giả n.
Tính chấ t vậ t lý củ a vậ t liệ u oxit khó nóng chả y đ ư ợ c trình bày trên bả ng
6.3. Trong quá trình gia nhi ệ t để tạ o thành chén như ép thủ y nhiệ t, thiêu kế t,
nung ủ ,… tính chấ t củ a chúng có bị thay đổ i, nh ư ng vẫ n giữ đư ợ c các đặ c
trư ng cơ bả n. Thông thư ờ ng các vậ t liệ u si êu sạ ch sẽ có độ bề n nhiệ t và độ
cứ ng cơ họ c tố t hơ n. Các chén sứ sử dụ ng làm nguồ n bố c bay thư ờ ng đư ợ c
chế tạ o từ bộ t tư ơ ng ứ ng vớ i độ sạ ch không dư ớ i 99,9% và độ xố p thấ p. Bề
dày củ a chén vào khoả ng 1-3 mm, vì thế cầ n phả i sử dụ ng loạ i vậ t liệ u có độ
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 145
Hình 6.4. Chén ôxít kim loạ i khó
nóng chả y dùng nguồ n đố t
là dây điệ n trở kim loạ i W.
dẫ n nhiệ t cao đủ để dẫ n nhiệ t tố t đồ ng thờ i tránh đ ư ợ c tác độ ng mạ nh củ a
thăng giáng nhiệ t độ .
Mộ t trong các tính chấ t quan trọ ng củ a oxit sử dụ ng l àm chén là độ ổ n nhiệ t
độ ng họ c cầ n phả i cao.
Bả ng 6.3. Tính chấ t củ a oxit khó nóng chả y
Oxit
(dạ ng chén)
Độ xố p
(%)
Điể m nóng
chả y (
o
C)
Nhiệ t độ
làm việ c
cao nhấ t
Độ dẫ n
nhiệ t
riêng
Khả năng
chịu tác
độ ng nhiệ t
ThO
2
3-7 3050 2500 0,007 Kém
BeO 3-7 2570 1900 0,046 Rấ t tố t
ZrO
2
3-10 2550 2200 0,005 Tố t
Al
2
O
3
3-7 2030 1900 0,014 Tố t
MgO 3-7 2800 1900 0,016 Rấ t kém
SiO
2
0 1710 1100 0,012 Tố t
TiO
2
3-7 1840 1600 0,008 Kém
Trên hình 6.4 là nguồ n bố c bay
làm bằ ng chén ôxyt khó nỏ ng
chả y đư ợ c cuố n quanh dây điệ n
trở kim loạ i (W, Mo, hay Ta).
Bả ng 6.4 trình bày tính chấ t ổ n nhiệ t
độ ng họ c củ a 8 loạ i oxit khó nóng
chả y.
Trong số vậ t liệ u trên chỉ có năm
loạ i (từ trên xuố ng) đáp ứ ng yêu
cầ u, bở i vì năng lư ợ ng phân hủ y
ôxy củ a chúng tạ i 2000
o
C vớ i áp
suấ t hơ i cỡ 10
-12
Torr có giá trị
cao. Hai loạ i oxit cuố i không đáp
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
146
ứ ng yêu cầ u sử dụ ng làm chén bố c bay là do năng lư ợ ng phân hủ y ôxy củ a
chúng quá thấ p.
SiO
2
tuy có tính ổ n nhiệ t độ ng họ c chấ p nhậ n đư ợ c, như ng chúng lạ i dễ
như ờ ng ôxy cho kim loạ i khác (thí dụ Th, Zr, Be) tạ o thành vậ t liệ u bề n hơ n.
Khi tiế p xúc vớ i kim loạ i Al và Mg, SiO
2
dễ dàng như ờ ng ôxy, thậ m chí ở
nhiệ t độ quãng 1000
o
C. Các kim loạ i khác như Ag, Au và Pt tuy có tính chấ t
trơ vớ i SiO
2
như ng nhiệ t độ bố c bay củ a chúng lạ i gầ n hoặ c cao bằ ng nhiệ t
độ hóa mề m củ a thủ y tinh SiO
2
(thạ ch anh).
Bả ng 6.4. Độ bề n nhiệ t củ a mộ t số oxit khó nóng chả y
Quá trình phân hủ y
Năng lư ợ ng tự do
(kcal/gam.nguyên tử ôxy)
1/2 ThO
2
(rắ n) = 1/2Th(rắ n) + 1/2O
2
(khí) +111
BeO(rắ n) = Be(lỏ ng) + 1/2O
2
(khí) +100
1/2 ZrO
2
(rắ n) = 1/2Zr(rắ n) + 1/2O
2
(khí) +84
1/2 Al
2
O
3
(rắ n) = 2/3Al(lỏ ng) + 1/2O
2
(khí) +82
MgO(rắ n) = Mg(khí) + 1/2O
2
(khí) +53
SiO
2
(rắ n) = Si(lỏ ng) + O
2
(khí) +49
3TiO
2
(rắ n) = Ti
3
O
5
(rắ n) + 1/2O
2
(khí) +18
NiO(rắ n) = Ni(lỏ ng) + 1/2O
2
(khí) +13
Như vậ y, trên thự c tế chúng ta chỉ có 5 loạ i vậ t liệ u có thể sử dụ ng l àm chén
bố c bay. Riêng chén Al
2
O
3
còn có tên thông dụ ng là corun. Do giá thành củ a
từ ng loạ i chén rấ t khác nhau, đắ t nhấ t l à chén ThO
2
, cho nên việ c lự a chọ n
loạ i chén nào cho phù hợ p để bố c bay còn tùy thuộ c vào vậ t liệ u bố c
bay và môi trư ờ ng chân không cao hay thấ p. Khi bố c bay ở chân không
cao, chúng ta có l ợ i thế về tố c độ bố c bay và độ sạ ch củ a môi tr ư ờ ng,
quãng đư ờ ng tự do lớ n,… Như ng cũ ng có như ợ c điể m kèm theo là sự
thăng hoa vậ t liệ u chén lạ i dễ xả y ra h ơ n. Thí dụ tạ i dư ớ i áp suấ t cỡ
10
-6
Torr MgO thăng hoa rõ rệ t tạ i 1600-1900
o
C, Al
2
O
3
-1900
o
C và
BeO - trong khoả ng 1900-2100
o
C.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 147
Thự c nghiệ m cho thấ y, sử dụ ng chén l àm nguồ n bố c bay chỉ có thể chế tạ o
các loạ i màng từ vậ t liệ u có độ hòa tan vào oxit rấ t thấ p hoặ c nhiệ t độ bố c
bay củ a chúng dư ớ i 1000
o
C. Thí dụ các vậ t liệ u tư ơ ng ứ ng đó là Co, Fe, Pd,
Pt, Rh (nhiệ t độ bố c bay 1500 – 2100
o
C, không hòa tan vào ThO
2
) và As,
Sb, Bi, Te, Ca, Mn (nhi ệ t độ bố c bay dư ớ i 1000
o
C).
c) Thuyề n graphit
Về tính chấ t cơ họ c thì vậ t liệ u graphít có nhiề u nét giố ng oxit khó nóng
chả y, cho nên việ c gia công nguồ n bố c bay từ graphít không dễ nh ư thuyề n
lá kim loạ i. Vì độ dẫ n điệ n củ a graphít rấ t cao, cho n ên có thể sử dụ ng trự c
tiế p làm nguồ n đố t như ở các trư ờ ng hợ p thuyề n lá. Loạ i thuyề n này có thể
cung cấ p nhiệ t độ rấ t cao, l ên trên 2000oC tạ i áp suấ t 10-5 Torr. Các tính
chấ t cơ bả n liên quan đế n kỹ thuậ t chân không củ a graphít đ ư ợ c trình bày
trên bả ng 6.5.
Bả ng 6.5. Tính chấ t củ a graphít
Graphit công
nghiệ p thư ờ ng
là mề m và có
nhiề u lỗ hổ ng,
còn graphit
Áp suấ t hơ i (Torr) tạ i:
1900
o
C
2500
o
C
10
-
6
10
-
2
Khố i lư ợ ng riêng lý thuyế t (g/cm
3
)
Graphít công nghi ệ p
Các bon thủ y tinh
Graphít tổ ng hợ p
2,265
1,6 - 1,8
1,3 -1,5
đế n 2,26
Điệ n trở suấ t, 10
-3
O.cm
Graphít công nghi ệ p
Các bon thủ y tinh
Graphít tổ ng hợ p
0,5 - 2,5
1 - 5
0,5 - 500
Hệ số giãn nở nhiệ t, 10
-6
cm
-1
Graphít công nghi ệ p
Các bon thủ y tinh
Graphít tổ ng hợ p
2 - 6
2 - 4
<1 -10
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
148
tổ ng hợ p là vậ t liệ u vừ a đặ c lạ i vừ a rắ n hơ n. Gầ n đây còn có loạ i thủ y tinh
các-bon– vậ t liệ u tổ ng hợ p từ polymer. Đây l à vậ t liệ u dùng để làm nguồ n
nóng chả y hợ p chấ t bán dẫ n A3-B5, MgF
2
và các teluarit. Tuy nhiên, vậ t
liệ u này chư a đáp ứ ng yêu cầ u để chế tạ o thuyề n bố c bay do nó dễ phân hủ y
các-bon tạ i nhiệ t độ cao và áp suấ t thấ p. Do vậ y, thuyề n graphít hiệ n nay
chủ yế u đư ợ c chế tạ o từ vậ t liệ u graphit tổ ng hợ p. Bên cạ nh ư u điể m về
nhiệ t độ cao, độ bề n nhiệ t, thuyề n graphít n ào cũ ng có như ợ c điể m là dễ
phân hủ y các-bon, cho nên bố c bay từ chúng dễ nhậ n đư ợ c thành phầ n
nhiễ m tạ p cácbon. Vì thế , sử dụ ng thuyề n graphít để bố c bay cũ ng c òn
hạ n chế , chỉ nên dùng trong các trư ờ ng hợ p vậ t liệ u bố c bay có chứ a
thành phầ n cac-bon, như các chấ t các-bit.
Gầ n đây, vớ i mụ c đích l àm sạ ch các kim loạ i trong vậ t liệ u cấ u trúc nanô, tạ i
Phòng thí nghiệ m liên kế t củ a Trư ờ ng đạ i họ c Công nghệ (ĐHQG Hà Nộ i)
và Việ n Khoa họ c Vậ t liệ u (Việ n KH&CN Việ t Nam) đ ã sử dụ ng thuyề n
graphít làm nguồ n đố t nhiệ t độ cao. Khi đặ t điệ n áp xoay chiề u l ên thuyề n từ
5 -7 V dòng đố t đạ t giá trị cao đế n hơ n 200 A và nhiệ t độ ở vùng trung tâm
củ a thuyề n đạ t trên 1900
o
C. Kế t quả cho thấ y, sau thờ i gian ủ 8 giờ trong
chân không 10
-5
Torr tạ i nhiệ t độ này thì hầ u hế t các kim loạ i tạ p chấ t như
Fe, Ni, Cu trong cấ u trúc ố ng nanô cácbon đã bố c bay hế t.
6.2. Bố c bay chùm tia điệ n tử
Như trên, chúng ta đã nhậ n thấ y rằ ng tấ t cả các nguồ n bố c bay nhiệ t từ
thuyề n xoắ n, thuyề n lá, thuyề n graphít, chén kim loạ i v à chén sứ nhiệ t độ
cao, v.v… cũ ng chỉ sử đư ợ c trong mộ t số trư ờ ng hợ p nhấ t định, vớ i thờ i
gian sử dụ ng không cao . Mộ t trong các nguyên nhân làm cho các nguồ n bố c
bay như thuyề n hay chén kể trên có hạ n chế là sự tư ơ ng tác giữ a thuyề n
hoặ c chén vớ i vậ t liệ u gố c. Như vậ y, muố n tránh hiệ n t ư ợ ng này cầ n sử
dụ ng nguồ n nhiệ t, trong đó không có tiế p xúc trự c tiế p nào giữ a chén hay
thuyề n vớ i vậ t liệ u gố c. Chùm tia điệ n tử hộ i tụ trong chân không l à nguồ n
nhiệ t lý tư ở ng đáp ứ ng yêu cầ u trên. Dư ớ i đây sẽ trình bày nhữ ng nét cơ bả n
về nguyên lý hoạ t độ ng củ a chùm tia điệ n tử và ứ ng dụ ng chúng vào kỹ
thuậ t chế tạ o vậ t liệ u màng mỏ ng. Đó là phư ơ ng pháp lắ ng đọ ng màng mỏ ng
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 149
trong chân không dùng chùm tia đi ệ n tử hộ i tụ làm nguồ n bố c bay. Phư ơ ng
pháp này đư ợ c gọ i tắ t là bố c bay chùm tia điệ n tử .
6.2.1. Ư u điể m củ a phư ơ ng pháp
Đặ c điể m nổ i bậ t củ a phư ơ ng pháp chùm tia đi ệ n tử khác vớ i các phư ơ ng
pháp bố c bay nhiệ t hay phún xạ catôt l à sử dụ ng năng lư ợ ng củ a chùm điệ n
tử đư ợ c hộ i tụ trự c tiế p l ên vậ t liệ u. Khi chùm tia điệ n tử năng lư ợ ng cao
bắ n lên vậ t liệ u gố c, do bị dừ ng độ t ngộ t to àn bộ độ ng năng củ a chùm điệ n
tử đư ợ c chuyể n thành nhiệ t năng làm hóa hơ i vậ t liệ u này. Do đó có thể
nhậ n thấ y nhữ ng ư u điể m chính củ a phư ơ ng pháp này là:
- Môi trư ờ ng chế tạ o mẫ u sạ ch, nhờ có chân không cao;
- Hợ p thứ c hóa họ c và độ tinh khiế t củ a màng so vớ i vậ t liệ u gố c đư ợ c
đả m bả o do chùm tia điệ n tử cấ p nhiệ t trự c tiế p cho vậ t liệ u gố c và các
phầ n tử hóa hơ i xả y ra tứ c thì dư ớ i tác dụ ng nhanh củ a nhiệ t;
- Bố c bay đư ợ c hầ u hế t các loạ i vậ t liệ u khó nóng chả y v ì chùm tia điệ n
tử hộ i tụ có năng lư ợ ng rấ t lớ n;
- Dễ điề u chỉnh áp suấ t, thành phầ n khí và nhiệ t độ và dễ theo dõi quá
trình lắ ng đọ ng;
- Có thể sử dụ ng rấ t ít vậ t liệ u gố c (đế n 10 mg hoặ c ít hơ n), cho nên
trong các trư ờ ng hợ p cầ n tiế n hành nhiề u thự c nghiệ m để t ìm kiế m
chế độ công nghệ mớ i sẽ tiế t kiệ m đáng kể nguồ n vậ t liệ u, nhấ t l à vậ t
liệ u quý hiế m.
6.2.2. Cấ u hình súng điệ n tử và vậ t liệ u bố c bay tư ơ ng ứ ng
a) Súng điệ n tử sử dụ ng anố t l à vậ t liệ u bố c bay
Trong phư ơ ng pháp bố c bay bằ ng súng điệ n tử mà anôt chính là vậ t liệ u cầ n
bố c bay, cấ u tạ o củ a súng điệ n tử có đặ c điể m l à: catôt (sợ i phát xạ điệ n tử )
có cấ u trúc hình tròn đặ t rấ t gầ n vớ i vậ t liệ u gố c (đồ ng thờ i l à anôt). Các
điệ n tử chuyể n độ ng theo quỹ đạ o thẳ ng từ catôt hộ i tụ v ào đúng đầ u trên
củ a anôt (hình 6.5a). Như vậ y, trong trư ờ ng hợ p này, anôt phả i là kim loạ i
và đư ợ c thiế t kế sao cho có thể dịch chuyể n tịnh tiế n vớ i tố c độ đồ ng bộ vớ i
vậ n tố c bố c bay chính nó. Anôt thư ờ ng đư ợ c làm bằ ng thanh hoặ c sợ i kim
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
150
Hình 6.5. Sơ đồ các cấ u hình súng điệ n tử
loạ i, đư ợ c đặ t vào chính giữ a vòng catôt. Bố c bay xả y ra ngay trên đầ u củ a
thanh kim loạ i, đế thư ờ ng đư ợ c đặ t ở phía trên củ a catôt. Giọ t pha lỏ ng giữ
đư ợ c trên đầ u củ a anôt là nhờ sứ c căng bề mặ t củ a nó. Do vậ y, trong ph ư ơ ng
pháp này, khố ng chế năng lư ợ ng chùm tia điệ n tử cầ n thậ t chính xác. Nế u
như chùm tia điệ n tử cung cấ p nhiệ t độ cao hơ n nhiệ t độ nóng chả y củ a kim
loạ i cầ n bố c bay thì giọ t đó sẽ bị rơ i xuố ng thành chuông. Như vậ y, vớ i súng
điệ n tử kiể u này, chỉ có thể bố c bay các vậ t liệ u kim loạ i mà pha lỏ ng củ a
chúng có sứ c căng lớ n và áp suấ t hơ i trên bề mặ t lớ n hơ n 10
-3
Torr tạ i nhiệ t
độ nóng chả y. Các kim loạ i có thể bố c bay bằ ng ph ư ơ ng pháp này là Fe, W,
Ni, Ta, Ag, Mo, Pt. Tố c độ bố c bay củ a chúng thư ờ ng đư ợ c khố ng chế thấ p
hơ n giá trị tính toán từ lý thuyế t. Ti và Zr cũ ng có thể bố c bay bằ ng cách này
như ng tố c độ bố c bay cầ n đư ợ c khố ng chế thấ p hơ n nữ a.
Ngoài hạ n chế về tố c độ bố c bay, phư ơ ng pháp “giọ t anôt” củ a súng điệ n tử
còn có nhữ ng hạ n chế khác. Mộ t trong các khó khăn củ a công nghệ l à thiế t
kế cấ u hình súng điệ n tử rấ t khó phù hợ p vớ i độ chính xác củ a tố c độ dịch
chuyể n anôt, hơ n nữ a anôt còn phả i đư ợ c làm nguộ i bằ ng đư ờ ng ố ng dẫ n
nư ớ c chạ y vòng quanh. Thêm vào đó là catôt để trầ n trong hơ i kim loạ i,
chúng dễ dàng tác dụ ng vớ i nhau, nhấ t l à khi nhiệ t độ bố c bay tư ơ ng đố i
cao, tạ o ra các hơ i củ a hợ p chấ t không mong muố n bay l ên làm nhiễ m bẩ n
màng trên đế . Đồ ng thờ i catôt cũ ng nhanh bị ăn mòn bở i các phả n ứ ng vớ i
hơ i củ a vậ t liệ u bố c bay, do đó cat ôt rấ t nhanh bị phá hủ y. Để khắ c phụ c
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 151
Hình 6.6. Cấ u hình súng điệ n tử vớ i anôt độ c lậ p
a) Anôt đĩa
b) Anôt có thấ u kính từ
như ợ c điể m này, ngư ờ i ta đã lắ p thêm các bộ che chắ n bả o vệ catôt
(hình 6.5b và 6.5c)
b) Súng điệ n tử vớ i anôt độ c lậ p
Súng điệ n tử trong trư ờ ng hợ p này đư ợ c chế tạ o gầ n giố ng như ố ng phát tia
X. Trong súng có nguồ n phát xạ điệ n tử là giây volfram hình may-xo hoặ c
hình chữ V vớ i đầ u nhọ n hư ớ ng về phía anôt. Hộ i tụ chùm tia điệ n tử thự c
hiệ n nhờ điệ n cự c l ư ớ i củ a hệ tĩnh điệ n l à hình trụ bên trong chứ a catôt và
điệ n áp củ a anôt hình đĩa (hình 6.6a). Vùng giữ a anôt và chén đự ng vậ t liệ u
gố c là vùng đẳ ng thế . Do khoả ng cách catôt - anôt không lớ n, cho nên áp
suấ t tăng nhờ quá trình phân hủ y khí sẽ dẫ n đế n hiệ n t ư ợ ng ion hóa các chấ t
khí còn lạ i trong chuông, điề u này làm cho hộ i tụ chùm tia điệ n tử bị kém
hẳ n đi. Để có chùm tia đi xa và hộ i tụ tố t hơ n, ngư ờ i ta đặ t thêm vào súng
điệ n tử mộ t thấ u kính từ tr ư ờ ng.
Sơ đồ củ a súng loạ i này mô tả trên hình 6.6b. Chùm tia điệ n tử đư ợ c hộ i tụ
nhờ việ c điề u chỉnh điệ n thế âm củ a l ư ớ i và anôt hình côn, đồ ng thờ i thay
đổ i độ lớ n củ a từ trư ờ ng lăng kính. Vớ i cấ u trúc này, chúng ta có vế t hộ i tụ
củ a chùm tia đư ờ ng kính vào cỡ vài milimét. Súng đi ệ n tử kiể u này có khả
năng hộ i tụ chùm tia vớ i mậ t độ điệ n tử rấ t cao, cho nên nó có thể bố c bay
các vậ t liệ u khó nóng chả y, thí dụ như BN hoăc Ta, nhi ệ t độ bố c bay cao
hơ n 3000
o
C. Như ợ c điể m củ a súng điệ n tử vớ i anôt độ c lậ p l à ở chỗ , điệ n
thế cao áp mộ t chiề u thư ờ ng lớ n hơ n 10 kV, trong khi súng đi ệ n tử dùng vậ t
liệ u làm anôt chỉ cầ n điệ n áp vài kV. Giố ng như ố ng phát tia X, khi đi ệ n thế
cao trên 10 kV chùm tia đi ệ n tử bị hãm trên đư ờ ng đi củ a chúng sẽ gây ra
phát xạ tia X từ hệ chân không. Theo các số liệ u đ ã biế t thì thép không rỉ chỉ
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
152
có thể hấ p thụ mộ t phầ n nào đó bứ c xạ tia X phát ra khi chùm tia điệ n tử
năng lư ợ ng cao hơ n 10 keV bị hãm trên thành chuông. Vì vậ y, đố i vớ i hệ
chân không này, chuông cầ n đư ợ c che chắ n bằ ng các tấ m thủ y tinh hữ u cơ
chứ a hàm lư ợ ng chì tư ơ ng đố i lớ n để hấ p thụ toàn bộ bứ c xạ tia X.
c) Súng có chùm tia đi ệ n tử quỹ đạ o cong
Trong các súng điệ n tử nêu ở trên thì chùm tia điệ n tử đề u chuyể n độ ng theo
quỹ đạ o thẳ ng, do đó, hoặ c l à súng hoặ c là đế phả i nằ m ở vị trí đố i diệ n vớ i
nguồ n bố c bay. Như ợ c điể m này có thể khắ c phụ c bằ ng cách “bẻ ” cong quỹ
đạ o củ a chùm tia điệ n tử nhờ việ c đư a vào chuông mộ t nam châm điệ n, mà
độ lớ n củ a từ trư ờ ng điề u khiể n đư ợ c bằ ng dòng điệ n.
Trên hình 6.7 (phầ n trên) mô tả sơ đồ nguồ n bố c bay chùm tia điệ n tử , đó là
súng điệ n tử có chùm tia hộ i tụ 270
o
trong từ trư ờ ng, điệ n tử đư ợ c gia tố c
bở i điệ n thế cao áp mộ t chiề u. Nguyên lý hoạ t độ ng củ a súng điệ n tử trong
trư ờ ng hợ p này hoàn toàn giố ng như mộ t đèn điệ n tử ba cự c (triôt): catôt l à
sợ i volfram có điệ n áp cao tớ i 10 kV, độ phân cự c củ a điệ n áp so vớ i catôt
trên điệ n cự c lư ớ i đư ợ c điề u khiể n để chọ n lọ c các điệ n tử có c ùng tố c độ và
hư ớ ng bắ n ra từ catôt (điệ n thế l ư ớ i đóng vai trò hộ i tụ chùm tia điệ n tử ).
Anôt là toàn bộ thành chuông thép không r ỉ, thư ờ ng đư ợ c nố i đấ t. Khác vớ i
triố t là trong thiế t bị chân không còn có nam châm điệ n tạ o ra đư ờ ng sứ c củ a
từ trư ờ ng có hư ớ ng song song vớ i sợ i catôt (vuông góc vớ i hư ớ ng bay ra củ a
điệ n tử ). Bằ ng cách thay đổ i độ lớ n củ a từ tr ư ờ ng, có thay đổ i quỹ đạ o
chuyể n độ ng củ a chùm tia điệ n tử , và do đó, điề u chỉnh đư ợ c vị trí hộ i tụ
củ a chùm tia lên bề mặ t củ a vậ t liệ u bố c bay. Quỹ đạ o bay củ a c hùm điệ n tử
đư ợ c quyế t định bở i hai yế u tố quan trọ ng l à vậ n tố c ban đầ u thoát ra khỏ i
catôt và độ lớ n củ a từ trư ờ ng, theo định luậ t Lorentz:
(6.1)
Mậ t độ dòng điệ n tử
e
( j ) sinh ra do phát xạ nhiệ t bở i đố t nóng sợ i catôt
đư ợ c thể hiệ n bằ ng phư ơ ng trình Richardson:
. )
2
e
j A T e x p q / k T . ] = ÷ u
]
(6.2)
trong đó:
A là hằ ng số Richardson,
q là điệ n tích củ a điệ n tử ,
q
. F B
v × ÷ =
 

Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 153
Hình 6.7. Sơ đồ quỹ đạ o chuyể n độ ng
270
o
củ a điệ n tử trong
súng điệ n tử quỹ đạ o cong.
u là công thoát,
T là nhiệ t độ sợ i đố t (K).
Khi nguồ n phát xạ đư ợ c hoạ t độ ng tạ i mứ c bão hòa thì dòng catôt cự c đạ i
đư ợ c điề u khiể n bằ ng việ c lự a chọ n d òng đố t. Dư ớ i mứ c bão hoà, mậ t độ
dòng phụ thuộ c vào thế gia tố c. Độ ng năng ban đầ u củ a điệ n tử phát xạ bằ ng
k T / 2 và sau đó tăng lên giá tr ị từ 7 1 0 k e V , ÷ tư ơ ng ứ ng vớ i hiệ u điệ n
thế trên catôt 7 1 0 k V . ÷
Từ súng điệ n tử , chùm tia điệ n tử bắ n ra và hộ i tụ chính xác vào vậ t liệ u nhờ
việ c điề u khiể n độ lớ n củ a dòng điệ n qua nam châm. Quỹ đạ o chuyể n độ ng
củ a chùm tia điệ n tử trong mộ t số trư ờ ng hợ p có dạ ng cung tr òn lớ n (3/4
đư ờ ng tròn), kế t quả đư ợ c minh họ a trên hình 6.7 (phầ n dư ớ i) ứ ng vớ i
trư ờ ng hợ p điệ n tử phát ra từ phía d ư ớ i củ a sợ i catôt. Tuỳ thuộ c vào vị trí
ban đầ u củ a điệ n tử đố i vớ i sợ i phát xạ (sợ i catôt) trong điệ n trư ờ ng và từ
trư ờ ng, chúng đư ợ c hộ i tụ và bắ n
chính xác vào vậ t liệ u trong
chén. Thự c tế cho thấ y, nhữ ng
điệ n tử xuấ t phát từ bên phả i sợ i
phát xạ đư ợ c điề u khiể n và hộ i tụ
chính xác vào chén, còn đố i vớ i
các điệ n tử nằ m ở trên sợ i phát
xạ hộ i tụ có phầ n kém chính xác
hơ n. Đố i vớ i vị trí bên trái sợ i
phát xạ , các điệ n tử chuyể n độ ng
theo quỹ đạ o không ổ n định, cuố i
cùng là tiêu tán. Vì vậ y, khe hở
cho chùm tia cầ n đư ợ c cấ u tạ o
sao cho thu đư ợ c nhữ ng điệ n tử
bắ n vào bia vậ t liệ u đạ t hiệ u quả
cao nhấ t.
Chùm tia điệ n tử đư ợ c gia tố c trong điệ n tr ư ờ ng có năng lư ợ ng cao và hộ i tụ
vào bia vậ t liệ u nhờ tác dụ ng củ a điệ n áp l ư ớ i và độ lớ n củ a từ trư ờ ng điề u
khiể n. Vậ t liệ u trong chén trự c tiế p nhậ n năng l ư ợ ng củ a chùm tia điệ n tử và
hóa hơ i, rồ i lắ ng đọ ng lên đế . Đây là phư ơ ng pháp chế tạ o màng mỏ ng đả m
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
154
bả o hợ p thứ c và độ tinh khiế t cao. Trên bả ng 6.6 liệ t kê mộ t số loạ i vậ t liệ u
bố c bay bằ ng phư ơ ng pháp chùm tia điệ n tử cho chấ t lư ợ ng tố t.
Bả ng 6.6. Màng mỏ ng các chấ t bố c bay bằ ng chùm tia điệ n tử
Nhiệ t độ bay hơ i
tạ i P (Torr)
Vậ t liệ u
Nhiệ t
độ nóng
chả y
(
o
C)
10
-6
10
-5
10
-4
Nét đặ c trư ng;
chiế t suấ t (n)
Al 660 677 821 1010 Nóng chả y
Al
2
C
3
1400 - - ~800 n = 2.7
AlN - - - ~1750 Thăng hoa, phân huỷ
Al
2
O
3
2045 - - 1550 n = 1.66
Au 1062 807 947 1132
Màng mề m, bám dính
không tố t lắ m
Sb
2
O
3
656 - - ~ 300
Thăng hoa
n = 2.05
Sb
2
S
3
550 - - ~ 200 Không phân huỷ , n = 3.01
As
2
S
3
300 - - ~ 400 n = 2.8
Ba
710 545 627 735
Hợ p kim vớ i chén, nên ép
viên, không đặ t trong
chén.
BaF
2
1280 - - ~ 700
Thăng hoa
n = 1.29
Be 1278 710 878 1000 Dễ bay hơ i
BeF
2
800 - - ~ 200 Thăng hoa, độ c hạ i
Bi
2
Se
3
710 - - ~ 650 Phún xạ
B 2100 1278 1548 1797
Thăng hoa, vậ t liệ u nổ khi
lạ nh độ t ngộ t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 155
B
4
C 2350 2500 2580 2650 Tư ơ ng tự crôm, bám dính tố t
B
2
O
3
460 - - ~ 1400 n = 1.46
CdSe 1264 - - 540
Thăng hoa, dễ bay hơ i,
n = 2.4
CdS 1750 - - 550
Thăng hoa,
n = 2.4
CaF
2
1360 - - ~ 1100 n = 1.2 – 1.4
CaO-
SiO
2
1540 - - - n = 1.61
CaWO
4
1620 - - - n = 1.92
C - 1657 1867 2137
Thăng hoa,
n = 1.47
Ce 795 970 1150 1380 Màng dễ bị ôxy hoá
CeO
2
2600 1890 2000 2310
Thăng hoa,
n = 2.2 – 2.4
CeF
3
1418 - - ~ 900 n = 1.63
Ce
2
O
3
1692 - - - n = 1.95
Cr 1890 837 977 1157
Thăng hoa, bám dính t ố t,
tố c độ bố c bay, khá cao
Cr
3
C
2
1890 - - ~ 2000 -
Cr
2
O
3
2435 - - ~ 2000 n = 2.4
Co 1495 850 990 1200 Hợ p kim vớ i chén
Cu 1083 727 857 1017 Kém bám dính đế
Cu
2
O 1235 - - ~ 600 Thăng hoa, n = 2.7
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
156
Na
3
AlF
6
1000 1020 1260 1480 n = 2.34
Er 1497 650 775 930 Thăng hoa
Eu 822 280 360 480 Thăng hoa, độ hoà tan thấ p
Eu
2
O
3
2056 - - ~ 1600 Màng sạ ch và rắ n, mấ t ôxy
Gd 1312 760 900 1175
Gd
2
O
3
2310 - - - n = 1.8
Ga 30 619 742 907 Hợ p kim vớ i chén
GaAs 1238 - - - n = 5.64
Ge 937 812 957 1167 n = 4.01
GeO
2
1086 - - ~ 625
Tư ơ ng tự SiO hợ p thứ c
gầ n GeO
Hf 2230 2160 2250 3090 -
HfO
2
2812 - - ~ 2500 n = 2.0
Ho 1470 650 770 950 Thăng hoa
Ho 1470 650 770 950 Thăng hoa
Ni/Cr 1425 - - - Bố c bay chậ m
In 157 487 597 742
In
2
O
3
1565 - - ~ 1200
Thăng hoa, có tính dẫ n
điệ n trong suố t
Ir 2459 1850 2080 2380 -
Fe 1535 858 998 1180 Màng mịn và cứ ng
FeO 1425 - - -
Phân huỷ , phún xạ cho
chấ t lư ợ ng cao
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 157
Fe
2
O
3
1565 - - - n = 3.0
La 920 990 1212 1388 Dễ bị cháy khi ở dạ ng bộ t
LaB
6
2210 - - - -
LaF
3
1490 - - 900
Thăng hoa,
n = 1.59
La
2
O
3
2250 - - 1400 n = 1.9
Pb 328 342 427 497
Độ c. Cầ n cẩ n thậ n khi
khố ng chế
Li 179 227 307 407 Dễ bị ôxy hoá
LiF 870 875 1020 1180 n = 1.36
Li
2
O 1427 - - 850 n = 1.64
Lu 1652 - - 1300 -
Mg 651 185 247 327 Thăng hoa, tố c độ bố c
bay cao
MgAl
2
O
4
2135 - - - Khoáng chấ t tự nhiên
MgF
2
1266 - - 1000 n = 1.38
MgO 2800 - - 1300 n = 1.7
Mn 1244 507 572 647 Thăng hoa
Mo 2610 1592 1822 2117 Màng mịn, cấ u trúc rắ n
Mo
2
C 2687 - - - -
Nd 1024 731 871 1062 Không tư ơ ng tác vớ i Ta
NdF
3
1410 - - ~ 900 n = 1.61
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
158
Nd
2
O
3
2272 - - ~ 1400 n = 1.79
Ni/Cr 1395 847 987 1217 Hợ p kim vớ i chén
Ni 1453 927 1072 1262 Bám dính tố t
Nb 2468 1728 1977 2287 Tác dụ ng vớ i W
NbC 3800 - - - -
Nb
3
Sn - - - - Đồ ng bố c bay Nb và Sn
Pd 1550 842 992 1192 Bố c bay nhanh
PdO 870 - - 575 Phân huỷ
Pr 931 800 950 1150 -
Pr
2
O
3
2125 - - 1400 n = 2.0
Rh 1966 1277 1472 1707
Sm 1072 373 460 573 -
Sm
2
O
3
2350 - - - Thiế u ôxy, màng mề m
và sạ ch
Sm
2
S
3
1900 - - -
Sc 1539 714 837 1002
Sc
2
O
3
2300 - - ~ 400 n = 1.88
Se 217 89 125 170 Độ c
Si 1410 992 1147 1337 n = 3.42
SiO
2
1610 -
1710
- - ~ 1025 n = 1.47
SiO 1702 - - 850
Thăng hoa,
n = 1.6
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 159
Ag 961 847 958 1105 Dễ bố c bay
NaCl 801 - - 530 n = 1.54
NaF 988 - - ~ 700 n = 1.3
Ni/Fe/
Mo
1410 - - - Bố c bay từ hai nguồ n
Ta 2996 1960 2240 2590 Dễ tạ o màng
Ta
2
O
5
1800 1550 1780 1920 n = 2.0
Tb 1357 800 950 1150 -
Th 1875 1430 1660 1925 Độ c, phóng xạ
ThO
2
3050 - - ~ 2100 n = 1.86
ThF
4
1110 - - ~ 750 n = 1.52
Tm 1545 461 554 680 Thăng hoa
Sn 232 682 807 997
SnO
2
1127 - - ~ 1000
Thăng hoa,
n = 2.0
SnSe 861 - - ~ 400
Ti 1675 1067 1235 1453
TiO
2
1640 - - ~ 1300 n = 2.4
TiO 1750 - - ~ 1500 n = 2.2
TiN 2930 - - - Phân huỷ ở nhiệ t độ cao
Ti
2
O
3
2130 - - - Phân huỷ
W 3410 2117 2407 2757
Màng rắ n bám dính tố t,
cầ n chân không cao.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
160
W
2
C 2860 1480 1720 2120 -
WO
3
1473 - - 980
Thăng hoa, phân hủ y oxy.
Nên bố c bay phả n ứ ng
trong oxy.
n = 1.68
V 1890 1162 1332 1547 Màng dễ bố c bay
VO
2
1967 - - ~ 575 Thăng hoa, khó nhậ n hợ p
thứ c. Nên bố c bay
phả n ứ ng trong oxy.
Yb 824 520 590 690 Thăng hoa
Y 1509 830 973 1157
Y
2
O
3
2680 - - ~ 2000
Thăng hoa,
n = 1.79
Zn 419 127 177 250 Bố c bay rấ t
dễ dàng
ZnO 1975 - - ~ 1800 n = 2.0
ZnS 1830 - - ~ 800 Thăng hoa, n = 2.3
Zr 1852 1477 1702 1987 Màng dễ bị ôxy hoá
ZrB
2
3040 - - - -
ZrO
2
2700 - - ~ 2200 n =2.05
6.3. Bố c bay bằ ng laze xung
6.3.1. Nguyên lý hoạ t độ ng và quá trình vậ t lý
Bố c bay bằ ng laze xung (gọ i tắ t l à bố c bay laze) là mộ t phư ơ ng pháp bố c
bay gián đoạ n. Khi có chùm tia laze công suấ t lớ n bắ n lên bia (vậ t liệ u cầ n
bố c bay) thì pha hơ i củ a vậ t liệ u đư ợ c hình thành bố c bay mộ t vùng mỏ ng
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 161
củ a bề mặ t bia. Vùng hóa hơ i củ a bia chỉ sâu khoả ng vài trăm đế n 1000 A
o
.
Khi ấ y trên bề mặ t hình thành mộ t đố m sáng hình khố i ellip củ a pha hơ i.
Tố c độ đặ c trư ng củ a các phầ n tử bố c bay (bao gồ m cả ion v à phân tử trung
hòa điệ n tích) đạ t giá trị vào khoả ng
5
3 1 0 c m / s , × tư ơ ng ứ ng vớ i độ ng
năng 3 eV. Tố c độ này phụ thuộ c vào khố i lư ợ ng củ a phân tử hóa hơ i. Tố c
độ lắ ng đọ ng màng đạ t giá trị vào khoả ng 8 nm/s.
Trên hình 6.8a và 6.8b, minh họ a nguyên lý củ a phư ơ ng pháp bố c bay laze.
Hình ả nh đố m sáng đư ợ c nêu trên hình 6.8c. Mộ t trong các laze đư ợ c sử
dụ ng để bố c bay phổ biế n nhấ t hiệ n nay l à laze excimer KrF, hoạ t độ ng tạ i
bư ớ c sóng 248 nm. Dư ớ i đây là các thông số chính củ a laze này:
-Độ dài xung: 25 ns (ot).
-Mậ t độ công suấ t: j ~ 2,4 x 10
8
W/cm
2
.
-Vùng diệ n tích chiế u rọ i l ên bia (oA) ~ 0,1 cm
2
.
-Tầ n số lặ p lạ i (f): 50 Hz.
Như vậ y, mậ t độ năng lư ợ ng củ a laze (j.ot) vào khoả ng 6J/cm
2
. Năng lư ợ ng
trên mộ t xung là 0,6 J. Công suấ t liên tụ c đạ t giá trị 2,4 x 10
7
W và công
suấ t trung bình là 30 W.
Có thể mô tả bứ c tranh vậ t lý củ a quá t rình bố c bay laze như sau. Khi bắ n
mộ t xung laze lên bề mặ t bia (vậ t liệ u cầ n bố c bay), mộ t phầ n năng l ư ợ ng
củ a nó bị phả n xạ ngư ợ c lạ i, mộ t phầ n đư ợ c bia hấ p thụ . Trong khoả ng thờ i
gian củ a độ dài xung, nhiệ t đư ợ c truyề n từ bề mặ t vào sâu trong bia, độ sâu
đư ợ c quyế t định bở i chiề u dài khuế ch tán nhiệ t
t
L . Ngoạ i trừ các bia hấ p
thụ yế u, chiề u dài hấ p thụ ánh sáng tia laze l à mộ t đạ i lư ợ ng đặ c trư ng,
thư ờ ng nhỏ hơ n độ dài khuế ch tán. Vì vậ y, thể tích đư ợ c cấ p nhiệ t trên bề
mặ t bia, khi mà năng lư ợ ng củ a tia laze bắ n vào bia có hiệ u suấ t cao nhấ t, có
hình dạ ng củ a mộ t hình khố i ellip. Diệ n tích thiế t diệ n củ a nó bằ ng diệ n tích
hình chiế u ( A ) o củ a chùm tia laze và bề dày củ a nó là
t
L (hình 6.8). Bên
trong thể tích đó, nhiệ t độ cao hơ n nhiệ t độ nóng chả y củ a chấ t bố c bay, cho
nên vùng này bị hóa lỏ ng.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
162
Nế u như năng lư ợ ng vẫ n đư ợ c duy trì thì hiệ n tư ợ ng bố c sẽ xả y ra, vì mộ t
phầ n các nguyên tử bên trong thể tích đó đã nhậ n đư ợ c nhiệ t lư ợ ng bố c bay.
Do xuấ t hiệ n gradient áp suấ t rấ t lớ n, lớ p Knudsen đ ư ợ c mở rộ ng ra thành
mộ t hố nông, hư ớ ng theo phư ơ ng vuông góc vớ i mặ t bia. Nhiệ t độ ban đầ u
củ a lớ p Knudsen là điể m nóng chả y củ a bia; pha hơ i nguộ i dầ n trong quá
trình giãn nở đoạ n nhiệ t, trong khi cũ ng tạ i thờ i điể m đó xả y ra sự tích tụ
dòng chả y lớ n dầ n theo hư ớ ng vuông góc vớ i bề mặ t.
Xung laze có thể gây ra hiệ u ứ ng quang-phát xạ điệ n tử từ bề mặ t bia, đồ ng
thờ i cũ ng gây ra hiệ u ứ ng quang-ion hóa trong khố i ellip giãn nở trư ớ c khi
xung laze kế t thúc, để hình thành trạ ng thái plasma. Khi mậ t độ củ a đố m pha
hơ i giả m nhiề u thì sự giãn nở đoạ n nhiệ t cũ ng dừ ng tạ i tố c độ d òng hơ i thoát
ra. Các phân tử khi đó tiế p tụ c lắ ng đọ ng tr ên đế theo cơ chế dòng phân tử tự
do. Trong kỹ thuậ t laze, sự bắ n phá hay bóc (ablation ) bia đòi hỏ i mậ t độ
năng lư ợ ng củ a chùm tia laze phả i đạ t đư ơ c giá trị ngư ỡ ng nhấ t định. Giá trị
ngư ỡ ng này là mộ t hàm phụ thuộ c mậ t độ năng l ư ợ ng toàn phầ n. Khi chùm
tia có năng lư ợ ng vư ợ t ngư ỡ ng thì lư ợ ng vậ t chấ t bố c bay sau đó phụ thuộ c
gầ n như tuyế n tính vào năng lư ợ ng laze và đạ t đế n giá trị bão hoà, không
Hình 6.8. Nguyên lý bố c bay bằ ng laze xung
(bố c bay laze)
a) Sơ đồ hệ bố c bay;
b) Dạ ng xung laze;
c) Hình thành đố m sáng ellip và
xuyên sâu vào bia củ a chùm tia laze.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 163
Hình 6.9. Hàm phụ thuộ c năng lư ợ ng laze củ a
mộ t số vậ t liệ u bố c bay từ bia: tr ên
cùng loạ i bia (thạ ch anh) bề mặ t bóng
hấ p thụ năng lư ợ ng laze kém hơ n.
tăng thêm nữ a, mặ c dù năng lư ợ ng củ a laze vẫ n tăng. Đó l à trạ ng thái bão
hòa củ a quá trình bố c bay. Hình 6.9 là đồ thị mô tả hiệ n t ư ợ ng này nhậ n
đư ợ c từ thự c nghiệ m chế tạ o màng mỏ ng siêu dẫ n nhiệ t độ cao. Cho đế n
nay, có hai loạ i vậ t liệ u đư ợ c chế tạ o bằ ng phư ơ ng pháp bố c bay laze
nhiề u nhấ t là màng
mỏ ng siêu dẫ n nhiệ t độ
cao YBCO và màng
hữ u cơ hydroxyapatite
canxi, mô phỏ ng cấ u
trúc sinh họ c .
6.3.2. Chế tạ o màng
mỏ ng đúng
hợ p thứ c
Phư ơ ng pháp bố c bay
laze có ư u điể m vư ợ t
trộ i so vớ i các phư ơ ng
pháp khác là vậ t liệ u để
làm bia rấ t đa dạ ng và
cấ u trúc củ a bia thì lạ i
rấ t đơ n giả n: vậ t liệ u bia
có thể là đơ n chấ t hoặ c hợ p chấ t, mộ t hoặ c nhiề u th ành phầ n; bia có thể là
vậ t liệ u bộ t, vậ t liệ u đa hoặ c đơ n tinh thể , viên ép sau khi đã tổ ng hợ p thiêu
kế t, thậ m chí “bia” có thể l à chấ t lỏ ng. Năng suấ t bố c bay (số nguyên tử lắ ng
đọ ng trên mộ t photon) là đạ i lư ợ ng rấ t nhạ y vớ i hình thái họ c bề mặ t bia, cái
mà luôn thay đổ i theo thờ i gian sử dụ ng. Bề mặ t bia mà thô, xố p thì hạ n chế
phả n xạ tia laze, do đó hấ p thụ năng l ư ợ ng laze tố t hơ n bề mặ t nhẵ n (như
đơ n tinh thể chẳ ng hạ n). Nhiề u công tr ình nghiên cứ u đã chứ ng tỏ vậ t liệ u
làm bia tố t nhấ t cho phư ơ ng pháp bố c bay laze là vậ t liệ u cách nhiệ t tố t, vớ i
độ khuế ch tán nhiệ t thấ p hơ n 10
-3
cm
2
/s và vậ t liệ u có khả năng hấ p thụ ánh
sáng mạ nh vớ i hệ số hấ p thụ tr ên 10
5
cm
-1
. Sử dụ ng chùm tia laze có mậ t độ
dòng càng thấ p thì chứ ng tỏ phư ơ ng pháp càng ư u vi ệ t. Mộ t trong nhữ ng lợ i
thế nổ i bậ t củ a phư ơ ng pháp bố c bay laze thể hiệ n ở chỗ , nó tỏ ra có hiệ u
quả nhấ t khi chúng ta cầ n tái hình thành trên màng mỏ ng các cấ u trúc và
thành phầ n hợ p thứ c củ a vậ t liệ u gố c. Bở i vì, vớ i kỹ thuậ t laze xung công
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
164
suấ t lớ n thì quá trình bố c bay xả y ra rấ t nhanh, nhanh đế n mứ c sự phân hủ y
thành phầ n hóa họ c củ a vậ t liệ u “không có” thờ i gian để xả y ra. Tuy nhi ên,
trong mộ t số trư ờ ng hợ p, khi mà các hợ p chấ t chứ a phân tử ôxy hay các khí
nhẹ khác thì hợ p thứ c hóa họ c củ a cấ u trúc màng cũ ng cầ n đư ợ c cả i thiệ n.
Khi đó, chúng ta sẽ thự c hiệ n bố c bay laze trong đi ề u kiệ n duy trì áp suấ t
riêng phầ n củ a khí phả n ứ ng (thí dụ ôxy, nit ơ , …). Phư ơ ng pháp bố c bay
phả n ứ ng dùng laze xung cũ ng đã đư ợ c ứ ng dụ ng thành công để chế tạ o màng
mỏ ng siêu cứ ng, chấ t lư ợ ng cao như TiN và BN.
Do khả năng truyề n xa và kích thư ớ c củ a chùm tia laze rấ t bé cho nên
phư ơ ng pháp bố c bay laze còn có thể áp dụ ng để “mạ ” các chi tiế t c ơ khí
tinh vi, thí dụ các thành bên trong ố ng hay hộ p rấ t nhỏ , hoặ c bề mặ t củ a các
cấ u trúc phứ c tạ p mà bằ ng các phư ơ ng pháp khác không thể nào thự c hiệ n đư ợ c.
Gầ n đây xuấ t hiệ n mộ t số laze công suấ t lớ n nh ư laze YAG và ArF vớ i các
thông số tư ơ ng ứ ng là (20 nm, 5Hz, 1J/xung) và (20 nm, 50Hz, 300 nJ/xung)
Vớ i mậ t độ năng lư ợ ng cao đế n
2
5 1 0 1 0 W ( / c m ) × ngư ờ i ta đã chế tạ o
đư ợ c vậ t liệ u các-bon giả kim cư ơ ng sạ ch, không còn tạ p chấ t hyđrô. Vì tia
laze truyề n qua mộ t số vậ t liệ u trong suố t mà không giả m năng lư ợ ng, cho
nên sử dụ ng kỹ thuậ t laze xung còn có thể làm hóa hơ i vậ t liệ u lớ p phủ trên
đế trong suố t. Đó là kỹ thuậ t bố c bay ngư ợ c. Tia laze đư ợ c chiế u qua mộ t
mặ t củ a đế , năng lư ợ ng đư ợ c tậ p trung trên lớ p phủ củ a mặ t kia và làm bố c
bay lớ p phủ này, rồ i lạ i lắ ng đọ ng lên trên đế khác đặ t đố i diệ n vớ i lớ p phủ .
6.4. Epitaxy chùm phân tử (MBE)
6.4.1. Mô tả thiế t bị
MBE (viế t tắ t từ tiế ng Anh: Molecular Beam Epitaxy) d ùng để chỉ phư ơ ng
pháp mọ c màng bằ ng chùm phân tử . MBE cho đế n nay cũ ng đã trở thành
khái niệ m rấ t quen thuộ c không nhữ ng trong ng ành vậ t lý mà cả trong các
lĩnh vự c công nghệ khác. Thự c chấ t MBE cũ ng là phư ơ ng pháp lắ ng đọ ng
pha hơ i vậ t lý, bở i vì để tạ o các phầ n tử ở trạ ng thái hơ i chúng ta cũ ng dùng
phư ơ ng pháp vậ t lý. Sau này ngư ờ i ta phát triể n phư ơ ng pháp MBE thành
AL-MBE (MBE lớ p nguyên tử ) để chế tạ o vậ t liệ u cấ u trúc si êu mạ ng, vậ t
liệ u quang tử cấ u trúc nanô.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 165
Hình 6.10. Ả nh chụ p mộ t hệ thự c nghiệ m
MBE củ a Nhậ t Bả n.
Hình 6.10 là ả nh mộ t hệ thự c nghiệ m MBE, s ơ đồ đư ợ c vẽ trên hình 6.11.
Hệ này bao gồ m hai chuông và hệ van đóng mở . Mộ t chuông để mọ c màng
(gọ i là chuông mọ c màng) và mộ t chuông phụ (các thế hệ đầ u không có
chuông phụ ). Cả hai chuông đề u đư ợ c gắ n vớ i hệ bơ m chân không. Nhờ các
van chu trình, có thể đư a vào hoặ c lấ y ra các mẫ u mà hầ u như không làm
ả nh hư ở ng đế n chân không trong chuông mọ c màng.
Chuông phụ có chứ a các công cụ để phân tích bề mặ t, mà chúng không để
đư ợ c trong chuông mọ c, thiế t bị lắ ng đọ ng bổ trợ hay các thiế t bị công nghệ
khác. Sơ đồ chuông mọ c màng đư ợ c vẽ tách riêng trên hình 6.12. Các bộ
phậ n chính củ a nó bao gồ m nguồ n cấ p ch ùm phân tử , bộ đố t đế , bộ quay và
dịch chuyể n mẫ u, bộ che chắ n chùm tia, đầ u đo áp suấ t và mậ t độ củ a chùm
tia, súng nhiễ u xạ điệ n tử phả n xạ (RHEED) và màn hình theo dõi, máy
phân tích khố i lư ợ ng các hạ t (phân tử , nguyên tử , ion, …) và thành phầ n hóa
họ c củ a chùm tia. Chuông phụ có thể coi là tổ hợ p củ a các phư ơ ng pháp
phân tích như phổ kế điệ n tử Auger, khố i phổ kế ion thứ cấ p (SIMS), phổ kế
điệ n tử để phân tích hóa họ c (ESCA), phổ kế điệ n tử - quang tia X (XPS).
Hình 6.12.S ơ đồ chuông mọ c củ a hệ MBE.
Hình 6.11. Sơ đồ hệ thự c nghiệ m MBE.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
166
Chuông phụ có chứ a các công cụ để phân tích bề mặ t, mà chúng không để
đư ợ c trong chuông mọ c, thiế t bị lắ ng đọ ng bổ trợ hay các thiế t bị công nghệ
khác. Sơ đồ chuông mọ c màng đư ợ c vẽ tách riêng trên hình 6.12. Các bộ
phậ n chính củ a nó bao gồ m nguồ n cấ p ch ùm phân tử , bộ đố t đế , bộ quay và
dịch chuyể n mẫ u, bộ che chắ n chùm tia, đầ u đo áp suấ t và mậ t độ củ a chùm
tia, súng nhiễ u xạ điệ n tử phả n xạ (RHEED) và màn hình theo dõi, máy
phân tích khố i lư ợ ng các hạ t (phân tử , nguyên tử , ion, …) và thành phầ n hóa
họ c củ a chùm tia. Chuông phụ có thể coi là tổ hợ p củ a các phư ơ ng pháp
phân tích như phổ kế điệ n tử Auger, khố i phổ kế ion thứ cấ p (SIMS), phổ kế
điệ n tử để phân tích hóa họ c (ESCA), phổ kế điệ n tử - quang tia X (XPS).
Ngoài ra, còn có các bộ phậ n ủ mẫ u và súng ion để xử lý bề mặ t liên quan,
thiế t bị còn có các nguồ n để lắ ng đọ ng hoặ c ăn mòn bằ ng chùm tia ion. Nhờ
có bộ che chắ n và khố ng chế chính xác nhiệ t độ nguồ n, liên quan đế n việ c
phả i định lư ợ ng dòng hơ i nguyên tử hoặ c phân tử hư ớ ng lên đế là đơ n tinh
thể (có nhiệ t độ đố t nóng mộ t cách thích hợ p), quá tr ình mọ c màng bằ ng
MBE có thể thự c hiệ n theo đúng nguyên lý trả i từ ng lớ p nguyên tử . Khí làm
việ c trong hệ thự c nghiệ m MBE phả i có độ tinh khiế t rấ t cao, chân không
cũ ng cầ n đạ t mứ c si êu cao, đế n 10
-
11
Torr. Trong chân không này quãng
đư ờ ng tự do củ a phân tử trong chuông cũ ng nh ư trong bả n thân chùm tia
phân tử có giá trị rấ t lớ n, gấ p vài bậ c lũ y thừ a khoả ng cách từ nguồ n tớ i đế
(thí dụ khoả ng cách nguồ n-đế là 20 cm, quãng đư ờ ng tự do có giá trị lớ n
trong khoả ng từ 200 m đế n 20 km!).
6.4.2. Chế tạ o màng mỏ ng tinh thể chấ t lư ợ ng cao
Để có thể so sánh các phư ơ ng pháp hiệ n đạ i dùng để chế tạ o màng mỏ ng
tinh thể GaAs chấ t lư ợ ng cao, chúng ta xem xét các thông số kỹ thuậ t củ a
chúng trong bả ng 6.7.
Trong phư ơ ng pháp MBE, t ố c độ mọ c màng có thể khố ng chế rấ t chính xác,
vì thế đạ t giá trị nhỏ đế n 0,6 um/giờ (nhỏ hơ n 2A
o
/s). Việ c khố ng chế quá
trình mọ c đư ợ c thự c hiệ n chính xác đế n từ ng lớ p nguy ên tử . Vì thế , bằ ng
phư ơ ng pháp MBE có thể chế tạ o màng mỏ ng đơ n tinh thể , trong khi các
phư ơ ng pháp khác chỉ có thể chế tạ o màng vớ i sự kiể m soát bề dày chính
xác, còn cấ u trúc củ a vậ t liệ u thì thư ờ ng là vô định hình hoặ c đa tinh thể vớ i
nhiề u biên hạ t.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 167
Hầ u hế t các vậ t liệ u si êu mạ ng từ các nguyên tố nhóm III và V (ví dụ Al, Ga,
In, As , P và Sb), hay vớ i Si, Ge, các hợ p chấ t nhóm II -VI, nhóm phụ IV-VI
và nhiề u kim loạ i khác đã đư ợ c thự c hiệ n bằ ng phư ơ ng pháp MBE. Cũ ng
bằ ng phư ơ ng pháp MBE, ngư ờ i ta đã chế tạ o thành công các linh ki ệ n tinh
vi dùng trong kỹ thuậ t vi sóng, thông tin quang điệ n tử , linh kiệ n t ư ơ ng tự và
số hoạ t độ ng vớ i tố c độ cao, các vi mạ ch mậ t độ lớ n, … Có thể thấ y trên
bả ng 6.8 số lư ợ ng các hợ p chấ t cấ u trúc tinh thể đ ư ợ c chế tạ o bằ ng phư ơ ng
pháp MBE là rấ t lớ n. Nó bao gồ m hầ u hế t các cấ u trúc từ kim loạ i, bán dẫ n,
chấ t cách điệ n đế n hợ p chấ t hai, ba th ành phầ n, sử dụ ng các loạ i đế khác
nhau.
Hầ u hế t các vậ t liệ u si êu mạ ng từ các nguyên tố nhóm III và V (ví dụ Al,
Ga, In, As , P và Sb), hay vớ i Si, Ge, các hợ p chấ t nhóm II -VI, nhóm
phụ IV-VI và nhiề u kim loạ i khác đã đư ợ c thự c hiệ n bằ ng phư ơ ng pháp
MBE. Cũ ng bằ ng phư ơ ng pháp MBE, ngư ờ i ta đã chế tạ o thành công các
linh kiệ n tinh vi dùng trong kỹ thuậ t vi sóng, thông tin quang điệ n tử ,
linh kiệ n tư ơ ng tự và số hoạ t độ ng vớ i tố c độ cao, các vi mạ ch mậ t độ
lớ n, … Có thể thấ y tr ên bả ng 6.8 số lư ợ ng các hợ p chấ t cấ u trúc tinh thể
đư ợ c chế tạ o bằ ng phư ơ ng pháp MBE là r ấ t lớ n. Nó bao gồ m hầ u hế t các
cấ u trúc từ kim loạ i, bán dẫ n, chấ t cách điệ n đế n hợ p chấ t hai, ba th ành
phầ n, sử dụ ng các loạ i đế khác nhau.
Bả ng 6.7. So sánh thông số công nghệ trong các phư ơ ng pháp epitaxy.
Epitaxy pha hơ i Epitaxy
pha lỏ ng
(LPE)
CVD MO-
CVD
Epitaxy
chùm
phân tử
(MBE)
Tố c độ mọ c (um/phút) ~ 1 ~ 0.1 ~ 0.1 ~ 0.01
Nhiệ t độ mọ c (°C) 850 750 750 550
Khố ng chế bề dày (A
o
) 500 250 25 5
Độ rộ ng biên phân cách
(A
o
)
: 50 ~ 65 < 10 <5
Mậ t độ tạ p chấ t (cm
-
3
)
10
13
-10
19
10
13
-10
19
10
14
-10
19
10
14
-10
19
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
168
Độ linh độ ng (77K)
10
5
(cm
2
/Vs)
(GaAs loạ i n)
1,5 -2,0 1,5 - 2,0 1,4 1,6
Bả ng 6.8. Các loạ i màng mỏ ng tinh thể chế tạ o bằ ng phư ơ ng pháp MBE
III-V (Màng : đế )
AlGaAs: GaAs
AlGaAs: GaAs, Si
AlGaSb: GaAs
AlSb: GaSb
GaAs: GaAs, Ge, Si
GaAsSb:GaAs,InP, InAs, GaSb
GaP: Si, GaP
GaSb: GaAs, GaSb
InAlAs: InP
InAlP: InGaP
InAs: GaAs, GaSb
InAsSb: GaSb, InSb, GaAs
InGaAlAs: InP
InGaAlP: GaAs
InGaAsP: InP
InGaAsSb: GaSb, GaAs
InGaP: InAlP
InP: InP
InSb: GaAs
IV (Màng : đế )
Si: Si
Ge: Si
GeSi: Si
II–VI (Màng : đế )
CdMnTe: CdTe, GaAs
CdS: InP
CdTe: GaAs, InP, InSb
CdZnS: GaAs
CdZnTe: GaAs
HgMnTe: GaAs
HgTe: CdTe
HgZnTe: GaAs
ZnMnSe: ZnSe, GaAs
ZnS: GaP
ZnSe: GaAs, InP, Si
ZnSeTe: GaAs
ZnTe: InP
Cách điệ n (Màng: đế )
BN: Si
BaF
2
: InP, CdTe
CaF
2
: Si, GaAs, InP
CaSrF
2
: GaAs
LaF3: Si
SrBaF
2
: InAs,InP
SrF
2
: GaAs
Metals (Màng : đế )
Al: GaAs, InP
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 169
IV-VI (Màng : đế )
PbEuSeTe: PbTe
PbSnSe: BaF
2
, PbSe, CaF
2
PbS: BaF
2
, PbSe
PbSe: BaF
2
, PbSe
PbTe: BaF
2
PbYbSnTe: BaF
2
, PbTe
Ag: InP
Au: GaAs
CoSi
2
: Si
Fe: GaAs
Mo: GaAs
NiSi
2
: Si
Sn: GaAs
Ngày nay, công nghệ MBE đư ợ c phát triể n rấ t nhanh để đáp ứ ng nhu cầ u
chế tạ o các linh kiệ n, mạ ch tổ hợ p IC, các hệ thố ng điề u khiể n, m à trong đó
vậ t liệ u đề u có kích thư ớ c nhỏ từ vài đế n vài chụ c nanômét. Công nghệ như
vậ y gọ i là MINATECH (công nghệ micro-nanô).
Câu hỏ i kiể m tra đánh giá
1. Phân biệ t các phư ơ ng pháp chế tạ o màng mỏ ng bằ ng kỹ thuậ t chân
không:, như bố c bay nhiệ t dùng thuyề n điệ n trở và dùng chùm tia
điệ n tử , phún xạ cao áp mộ t chiề u và cao tầ n, bóc tách laser, epitaxy
chùm phân tử .
2. Nguyên lý hoạ t độ ng củ a chùm tia điệ n tử quỹ đạ o cong, thiế t kế và
chế tạ o súng điệ n tử có quỹ đạ o 270
o
: Ư u điể m củ a súng này và ứ ng
dụ ng để chế tạ o màng mỏ ng quang họ c?
3. Sơ đồ cấ u tạ o củ a hệ MBE. Vì sao trong phư ơ ng pháp MBE các
bình knudsen đóng vai trò rấ t quan trong, công nghệ MBE sử dụ ng
để chế tạ o các vậ t liệ u và hệ màng mỏ ng nao?
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
170
Chư ơ ng 7
Phư ơ ng pháp phún xạ
“Phún xạ ” trong tiế ng tiế ng Anh l à “sputtering”. Phún xạ cũ ng thuộ c
phư ơ ng pháp lắ ng đọ ng pha hơ i vậ t lý, bở i vì các nguyên tử , cụ m nguyên tử
hay phân tử đư ợ c tạ o ra bằ ng cách bắ n phá ion – mộ t phư ơ ng pháp vậ t lý.
Trong phún xạ điố t (phún xạ hai điệ n cự c), nhờ sự phóng điệ n từ trạ ng thái
plasma, các ion năng lư ợ ng cao (thí dụ như ion Ar
+
) bắ n phá lên bia (vậ t liệ u
cầ n phún xạ ). Trong trư ờ ng hợ p này, bia là catôt, dư ớ i tác dụ ng bắ n phá củ a
ion, các nguyên tử bị bậ t ra khỏ i bia, lắ ng đọ ng l ên bề mặ t đế và hình thành
lớ p màng mỏ ng (đế đồ ng thờ i cũ ng l à anôt). Khi cầ n tẩ y sạ ch bề mặ t thì mẫ u
đư ợ c gắ n lên catôt đóng vai trò bia, chùm ion năng lư ợ ng cao bắ n phá lên bề
mặ t củ a mẫ u làm cho các lớ p nguyên tử củ a tạ p chấ t và mộ t phầ n nguyên tử
ngoài cùng củ a mẫ u bị tẩ y, quá trình này gọ i là ăn mòn phún xạ . Ngày nay,
cả hai quá trình lắ ng đọ ng và ăn mòn phún xạ đề u đư ợ c ứ ng dụ ng rấ t rộ ng
rãi trong khoa họ c kỹ thuậ t cũ ng như trong đờ i số ng dân sinh. Trong chư ơ ng
này, sẽ đề cậ p đế n các vấ n đề về nguyên lý phóng điệ n phún xạ và phư ơ ng
pháp chế tạ o màng mỏ ng bằ ng kỹ thuậ t phún xạ cao áp mộ t chiề u, cao
tầ n và magnetron.
7.1. Lý thuyế t về phóng điệ n phún xạ
7.1.1. Thiế t bị và các phư ơ ng pháp phún xạ
a) Phún xạ cao áp mộ t chiề u
Trong phún xạ cao áp mộ t chiề u, ngư ờ i ta sử dụ ng hệ chỉnh l ư u điệ n thế cao
áp (đế n vài kV) làm nguồ n cấ p điệ n áp mộ t chiề u đặ t tr ên hai điệ n cự c trong
chuông chân không (hình 7.1). Bia phún x ạ chính là catôt phóng đi ệ n, tuỳ
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 171
Hình 7.1. Sơ đồ hệ phóng điệ n cao
áp mộ t chiề u (DC-sputter)
thuộ c vào thiế t bị mà diệ n tích củ a bia nằ m trong khoả ng từ 10 đế n v ài trăm
cen-ti-met vuông. Anôt có thể là đế và/hoặ c toàn bộ thành chuông chân
không. Khoả ng cách catôt-anôt
ngắ n hơ n rấ t nhiề u khoả ng cách
nguồ n-đế trong bố c bay chân
không và thư ờ ng là dư ớ i 10 cm.
Trong các khí trơ , argon đư ợ c sử
dụ ng để phún xạ nhiề u hơ n cả , áp
suấ t củ a nó đư ợ c duy trì trong
chuông cỡ 1 Torr. Plasma trong
trư ờ ng hợ p này đư ợ c hình thành
và duy trì nhờ nguồ n điệ n cao áp
mộ t chiề u. Cơ chế hình thành
plasma giố ng cơ chế phóng điệ n
lạ nh trong khí kém. Điệ n tử thứ
cấ p phát xạ từ catôt đư ợ c gia tố c
trong điệ n trư ờ ng cao áp, chúng
ion-hóa các nguyên tử khí, do đó tạ o ra lớ p plasma (đó l à trạ ng thái trung
hòa điệ n tích củ a vậ t chấ t mà trong đó phầ n lớ n là các ion dư ơ ng và đi ệ n tử ).
Các ion khí Ar
+
bị hút về catôt, bắ n phá l ên vậ t liệ u làm bậ t các nguyên tử ra
khỏ i bề mặ t catôt. Tuy nhi ên, hiệ u suấ t phún xạ trong tr ư ờ ng hợ p này là rấ t
thấ p. Ngày nay phư ơ ng pháp phún xạ cao áp mộ t chiề u mà không sử dụ ng
magnetron hầ u như không đư ợ c sử dụ ng trong công nghệ chế tạ o màng.
b) Phún xạ cao tầ n
Thự c ra, trong tiế ng Anh thuậ t ngữ n ày là Radio-Frequency sputtering,
nghĩa là phún xạ tầ n số radio, mộ t dả i tầ n số cao, cho n ên chúng ta quen
dùng từ cao tầ n để nói về phư ơ ng pháp “phún xạ tầ n số radio”. Điệ n áp đặ t
trên điệ n cự c củ a hệ chân không l à nguồ n xoay chiề u tầ n số từ 0,1 MHz trở
lên, biên độ trong khoả ng 0,5 đế n 1 kV. Tr ên hình 7.2 là sơ đồ hệ thiế t bị
phún xạ cao tầ n có tụ điệ n l àm việ c theo cơ chế phóng điệ n trên đĩa song
song. Phổ biế n nhấ t ngày nay là nguồ n cao tầ n có tầ n số 13,56 MHz. Mậ t độ
dòng ion tổ ng hợ p tớ i bia trong khoả ng 1 mA/cm
2
, trong khi biên độ củ a
dòng cao tầ n tổ ng hợ p cao hơ n rấ t nhiề u (có khi lớ n gấ p mộ t bậ c hoặ c h ơ n
nữ a). Máy phát cao tầ n đư ợ c thiế t kế chuyên dụ ng để nâng cao hiệ u quả
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
172
Hình 7.2. Sơ đồ hệ phóng điệ n cao tầ n
có tụ chặ n làm tăng hiệ u suấ t
bắ n phá ion.
phún xạ : mộ t tụ điệ n đư ợ c ghép nố i tiế p nhằ m phún xạ đư ợ c tấ t cả các loạ i
bia (trong đó có cả bia kim loạ i). Mạ ch điệ n đư ợ c thiế t kế tự bù trừ mộ t cách
hợ p lý để quá trình truyề n năng lư ợ ng từ nguồ n công suấ t cao tầ n sang
plasma đạ t hiệ u suấ t cao.
Kích thư ớ c củ a chuông sử
dụ ng trong phư ơ ng pháp này
hoàn toàn giố ng như trong
phún xạ cao áp mộ t chiề u
(trong nhiề u trư ờ ng hợ p,
ngư ờ i ta thiế t kế hệ phún xạ
gồ m cả hai chứ c năng phún xạ
cao tầ n và cao áp mộ t chiề u
để có thể thự c hiệ n đồ ng phún
xạ từ hai nguồ n bia có thành
phầ n cấ u tạ o khác nhau,
trong tiế ng Anh gọ i l à “co-
sputtering”).
Phún xạ cao tầ n có nhiề u ư u điể m hơ n so vớ i phún xạ cao áp mộ t chiề u, thí
dụ điệ n áp thấ p, phún xạ trong áp suấ t khí thấ p h ơ n, tố c độ phún xạ lớ n hơ n
và đặ c biệ t phún xạ đư ợ c tấ t cả các loạ i vậ t liệ u từ kim loạ i đế n oxit hay chấ t
cách điệ n. Plasma trong phún xạ cao tầ n đ ư ợ c hình thành và duy trì nhờ
nguồ n cao tầ n, cũ ng giố ng như quá trình ion hóa xả y ra trong phún xạ cao
áp. Tuy nhiên, ngày nay phún xạ cao tầ n riêng biệ t cũ ng không còn đư ợ c sử
dụ ng bở i hiệ u suấ t phún xạ vẫ n c òn chư a cao. Ngư ờ i ta sử dụ ng magnetron
để khắ c phụ c như ợ c điể m này.
c) Magnetron
Magnetron là hệ thiế t bị tạ o ra phóng điệ n trong điệ n tr ư ờ ng có sử dụ ng nam
châm. Ngay từ nhữ ng năm 70 magnetron đã đư ợ c thiế t kế sử dụ ng trong các
hệ phún xạ cao áp và cao tầ n để tăng tố c độ phún xạ . Magnetron l à sự phóng
điệ n tăng cư ờ ng nhờ từ trư ờ ng củ a các nam châm vĩnh cử u (hoặ c nam châm
điệ n) đặ t cố định dư ớ i bia/catôt (hình 7.3). Như đã mô tả ở phầ n trên, vớ i
cấ u hình củ a điệ n cự c trong cả hai phư ơ ng pháp phún xạ đề u có điệ n trư ờ ng
vuông góc vớ i bề mặ t bia. Như ng vớ i magnetron chúng ta còn thấ y từ trư ờ ng
củ a các nam châm tạ o ra đư ờ ng sứ c vuông góc vớ i điệ n tr ư ờ ng (có nghĩa là
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 173
song song vớ i mặ t phẳ ng củ a bia). Vì thế , từ trư ờ ng đư ợ c tậ p trung và tăng
cư ờ ng plasma ở vùng gầ n bia. Magnetron áp dụ ng vào trong cả hai trư ờ ng
hợ p phún xạ đề u có tác dụ ng nâng cao hiệ u suấ t bắ n phá ion, v à do đó, tố c
độ phún xạ đư ợ c cả i thiệ n rấ t nhiề u. Nói chung, sự phóng điệ n magnetron
vớ i việ c kích thích bằ ng cao áp mộ t chiề u hay cao tầ n có hiệ u suấ t cao h ơ n
hẳ n so vớ i trư ờ ng hợ p phóng điệ n không dùng bẫ y điệ n tử (nhờ từ trư ờ ng
củ a các nam châm).
Bây giờ chúng ta xem bẫ y điệ n tử l àm việ c như thế nào? Cấ u hình như mô tả
trên hình 7.3 (a, b) t ạ o ra hiệ u ứ ng cuố n điệ n tử trong h ư ớ ng Chúng
ta có mộ t “hiệ u ứ ng Hall”, chồ ng l ên dòng cuố n này và có hư ớ ng chuyể n
độ ng quanh bia như nhữ ng “con quay” (hình 7.3c). Bán kính quỹ đạ o
) (p củ a con quay đư ợ c xác định bằ ng công thứ c:
(7.1)
trong đó:
÷
m là khố i lư ợ ng củ a điệ n tử ,
±
v là thành phầ n vuông góc củ a tố c độ điệ n tử đố i vớ i đ ư ờ ng sứ c,
B là cả m ứ ng từ .
Nhìn chung, trong các hệ phún xạ thự c, bán kính quỹ đạ o có giá trị nhỏ , chỉ
khoả ng mộ t đế n vài milimét. Vì vậ y, sự giam hãm điệ n tử gầ n bề mặ t bia l à
rấ t hiệ u quả . Các điệ n tử chuyể n độ ng quanh đ ư ờ ng sứ c cho đế n khi chúng
Hình 7.3. Sơ đồ nguyên lý bẫ y điệ n tử bằ ng từ
trư ờ ng trong hệ phún xạ magnetron.
,
m v
qB
p
÷
±
=
B E . ÷ ×
 
B E ÷ ×
 
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
174
bị tán xạ bở i nguyên tử . Trên thự c tế , magnetron còn tồ n tạ i mộ t khoả ng thờ i
gian ngắ n sau khi lự c không còn, vì các điệ n tử vẫ n còn bị bẫ y sau
mộ t số lư ợ t chuyể n độ ng vòng quanh. Để hiể u tố t hơ n vấ n đề magnetron,
chúng ta xem xét ví dụ dư ớ i đây.
Ứ ng dụ ng. Mộ t magnetron phẳ ng trong phún xạ cao áp có điệ n thế trên catôt
là 600 V. Tính giá trị củ a mậ t độ từ trư ờ ng cầ n thiế t để bẫ y điệ n tử thứ cấ p
trong 1 cm bề mặ t catôt.
Chúng ta sẽ thấ y (xem tiế p ở phầ n sau) điệ n thế hiệ u dụ ng (
p cat
V ÷ v ), vớ i
p
V là điệ n thế củ a plasma,
cat
v là điệ n thế catôt, chính l à đạ i lư ợ ng sinh ra
độ ng năng lớ n nhấ t mà ion có thể có khi va chạ m vớ i catôt, nó cũ ng t ư ơ ng
ứ ng vớ i độ ng năng củ a điệ n tử thứ cấ p trong điề u kiệ n bỏ qua va chạ m khi
xuyên qua lớ p vỏ (vùng không gian điệ n tích trên bề mặ t catôt) để đi vào
trong plasma. Tố c độ củ a điệ n tử tính đư ợ c từ công thứ c:
do đó:
Trong hầ u hế t các trư ờ ng hợ p plasma (sử dụ ng phún xạ cao áp hoặ c cao tầ n)
thì bề dày củ a lớ p vỏ đề u nhỏ hơ n 1 cm, cho nên có thể lấ y giá trị trung bình
củ a bán kính con quay là 0,5 cm (0,005 m). Vậ y chúng ta có:
. )
2
/ 2 ,
÷
±
= ÷
p cat
m v q V v
1/ 2
19
7
31
2 1, 6 10 600
1, 45 10 / .
9,11 10
÷
±
÷
|
× × ×
= = ×
|
|
×
' ¹
C V
v m s
kg
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 175
Giá trị này phù hợ p vớ i thự c tiễ n. Để đạ t hiệ u suấ t giam giữ điệ n tử tố t nhấ t,
ngư ờ i ta đã sử dụ ng các nam châm có cả m ứ ng từ cỡ 200 ÷500 G.

Magnetron phẳ ng trong phún xạ cao áp thư ờ ng làm việ c trong áp suấ t khí
argon 0,5 đế n 30 mTorr và điệ n thế từ 300-700 V, mậ t độ dòng ion trên catôt
đạ t 4 đế n 60 mA/cm
2
. Nế u không dùng magnetron điệ n thế phả i nâng cao
lên đế n 5-7 kV (gấ p 10 lầ n) mà tố c độ phún xạ vẫ n chư a đạ t giá trị như trong
phư ơ ng pháp magnet ron.
Magnetron phẳ ng trong cao tầ n làm việ c ở điệ n thế thấ p hơ n (thư ờ ng là đế n
500 V) so vớ i phún xạ cao tầ n khi không sử dụ ng bẫ y điệ n tử . Mặ c d ù
magnetron cao tầ n chỉ cho hiệ u suấ t bằ ng nử a hiệ u suấ t củ a magnetron cao
áp mộ t chiề u, như ng nó rấ t cầ n thiế t để phún xạ các vậ t liệ u cách điệ n.
d) Các cấ u hình phún xạ khác
Ngoài ba kiể u phún xạ nêu trên, trong thự c tiễ n ngư ờ i ta còn chế tạ o các
thiế t bị phún xạ vớ i cấ u hình khác (các bộ phậ n chính vẫ n dự a tr ên cấ u hình
củ a hai loạ i trư ớ c). Trong đó có loạ i cấ u hình sử dụ ng đế n phân thế tr ên đế
để kích thích bắ n phá ion và quá trình phủ màng, có loạ i phóng điệ n bằ ng hỗ
trợ ion nhiệ t, trong đó điệ n tử thứ cấ p đ ư ợ c tăng cư ờ ng từ sợ i vonfram
đố t nóng.
Phún xạ chùm ion cũ ng là mộ t cấ u hình tỏ ra hữ u hiệ u trong công nghệ chế
tạ o màng mỏ ng. Trong cấ u hình này, nguồ n ion đư ợ c thiế t kế tách hẳ n ra
khỏ i catôt, làm việ c vớ i điệ n thế phóng điệ n thấ p h ơ n. Từ nguồ n này chùm
ion bắ n thẳ ng vào bia vớ i độ ng năng lớ n nhấ t đạ t đư ợ c tư ơ ng đư ơ ng năng
lư ợ ng trong cao áp mộ t chiề u.
7.1.2. Mậ t độ dòng và điệ n thế trong phún xạ
Trong phầ n này, chúng ta sẽ xem xét trạ ng thái plasma trong các hệ phún xạ
đư ợ c sử dụ ng để chế tạ o màng mỏ ng. Để đo các đạ i l ư ợ ng đặ c trư ng củ a
plasma như nhiệ t độ , mậ t độ dòng củ a ion và điệ n tử chúng ta sử dụ ng đầ u
dò Langmuir. Vùng điệ n tích không gian củ a lớ p vỏ plasma h ình thành giữ a
31 7
19
9,11 10 1, 45 10 /
165 .
1, 6 10 0, 005
÷ ÷
±
÷
× × ×
= = =
× ×
p
m v kg m s
B G
q
C m
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
176
đầ u dò và plasma khố i cũ ng như lớ p vỏ củ a plasma vớ i thành chuông, catôt
và anôt cũ ng đư ợ c xem xét.
a) Trạ ng thái plasma trong hệ phún xạ thự c nghiệ m
Giả thiế t rằ ng áp suấ t khí argon để phún xạ là 1 Torr. Tạ i nhiệ t độ phòng,
dư ớ i áp suấ t này, khí có mậ t độ nguyên tử cỡ
16 3
3 10 cm
÷
× . Mậ t độ điệ n tử
và ion khi đó lấ y gầ n đúng là
10 3
10 cm
÷
, tư ơ ng ứ ng trư ờ ng hợ p hệ số ion hóa
bằ ng
7
3 10
÷
× , còn mộ t phầ n nhỏ khác sinh ra trạ ng thái “plasma ion hóa
kém”. Như vậ y, trong chuông chân không có ba loạ i hạ t vớ i mậ t độ đặ c
trư ng bở i nhiệ t độ củ a chúng, đó l à các ion, điệ n tử và phầ n tử trung hòa
điệ n tích (nguyên tử chư a bị ion hóa). Bình thư ờ ng các hạ t trung hòa có
nhiệ t độ gầ n nhiệ t độ môi tr ư ờ ng (hay nhiệ t độ phòng -300 K). Chúng có
phân bố năng lư ợ ng theo hàm Maxcell-Boltzmann. Đố i vớ i các phầ n tử tích
điệ n, nhiệ t độ đặ c trư ng củ a chúng cao hơ n nhiệ t độ môi trư ờ ng - điề u này
phả n ánh độ ng năng củ a điệ n tử và ion cao hơ n củ a nguyên tử . Trong thự c tế
kỹ thuậ t phún xạ plasma các nhiệ t độ đặ c tr ư ng là T 500K
+
= (nhiệ t độ củ a
ion dư ơ ng) và T 23000K
÷
= (nhiệ t độ củ a điệ n tử ). Khố i l ư ợ ng củ a điệ n tử
nhỏ hơ n rấ t nhiề u khố i lư ợ ng củ a ion (cụ thể là khố i lư ợ ng củ a điệ n tử chỉ
bằ ng 1/73000 khố i l ư ợ ng củ a Ar
+
), cho nên chúng rấ t linh độ ng. Vì điệ n tử
linh độ ng hơ n, cho nên, trong khoả ng thờ i gian giữ a các va chạ m chúng có
khả năng nhậ n độ ng năng từ điệ n tr ư ờ ng đặ t trên hai điệ n cự c tố t hơ n so vớ i
ion. Độ ng năng trung bình cao hơ n, khiế n chúng có nhiệ t độ cao hơ n. Dư ớ i
đây là mộ t thí dụ về trạ ng thái plasma trong mộ t hệ phún xạ vớ i các tính chấ t
đặ c trư ng cơ bả n:
÷ Khí Argon (trọ ng lư ợ ng nguyên tử 39,948 đvnt).
÷ Các hạ t điệ n tích là Ar
+
và điệ n tử (khố i lư ợ ng e
-
: 5,49 x 10
-
4
đvnt).
÷ Mậ t độ tư ơ ng ứ ng:
.
÷ Áp suấ t: 0,93 Torr (~ 1 Torr).
÷ Sử dụ ng đư ờ ng kính củ a nguyên tử argon (thay vì ion) là 3,83 A
o
,
quãng đư ờ ng tự do tính đư ợ c bằ ng 0,051 mm.
10 3
10 ,
÷ + ÷
= = n n cm
16 3
3 10 .
÷
= × n cm
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 177
÷ Các nhiệ t độ đặ c trư ng:

÷ Tầ n suấ t va chạ m:
÷ Mậ t độ dòng tư ơ ng ứ ng:
÷ Trạ ng thái plasma: plasma khố i (trong l òng plasma tổ ng điệ n tích
dư ơ ng luôn bằ ng tổ ng điệ n tích âm) có vùng điệ n tích không gian
(lớ p vỏ ) cách bề mặ t các điệ n cự c, các vậ t đặ t trong chuông v à thành
chuông.
÷ Plasma khố i có độ dẫ n điệ n tố t.
Để hiể u các thông số trên, chúng ta xem xét ví dụ dư ớ i đây.
Ứ ng dụ ng.Giả sử có mộ t ion argon trong từ tr ư ờ ng tầ n số radio bi ên độ
5V/cm tạ i 13,56 MHz.
1. Tính gia tố c, vậ n tố c và biên độ dao độ ng củ a ion, cho rằ ng không có
va chạ m vớ i các hạ t khác.
Vì các đạ i lư ợ ng này đề u có dạ ng hình sin, chúng ta tính biên độ củ a chúng.
Sử dụ ng định luậ t II Niut ơ n, gia tố c bằ ng lự c chia cho khố i l ư ợ ng, biên độ
gia tố c củ a ion đó là:
Tích phân đạ i lư ợ ng gia tố c theo tầ n số chúng ta nhậ n đ ư ợ c biên độ
củ a vậ n tố c:
Tiế p theo, tích phân lầ n nữ a chúng ta sẽ nhậ n đ ư ợ c biên độ dao độ ng:
300 , = T K 23000 .
÷
= K T 500
+
= K T
14 2 1
1, 28 10
+ ÷ ÷
= × z cm s
17 2 1
2, 35 10
÷ ÷ ÷
= × z cm s
5 2
2, 05 10 . .
+ ÷ ÷
+ = × qz A cm
2 2
3, 76 10 . .
÷ ÷ ÷
÷ = × qz A cm
19
9 2 0
0
27
1, 6 10 500 /
1, 2 10 / .
40 1, 66 10
÷
+
+ ÷
× ×
= = = ×
× ×
qE C V m
a m s
m kg
9 2
0
0
1, 2 10 /
14 / .
2 13, 56
+
+
×
= = =
× e t
a m s
v m s
MHz
7 0
0
14 /
1, 7 10 .
2 13, 56
+
+ ÷
= = = ×
× e t
v m s
x m
MHz
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
178
2. Trong điề u kiệ n áp suấ t 10
-2
Torr thì giả thiế t không có va chạ m có
hợ p lý không?
Từ chư ơ ng 2, quãng đư ờ ng tự do củ a ion argon tạ i áp suấ t tr ên tính đư ợ c là
0,8 cm, giá trị này lớ n gấ p nhiề u lầ n bi ên độ dao độ ng (cụ thể l à 4700 lầ n),
do đó giả thiế t trên hoàn toàn hợ p lý và có ý nghĩa thự c tế .
3. Nhiệ t độ củ a bộ phậ n ion có bão hòa bở i điệ n trư ờ ng này không?
Nhiệ t độ đo bằ ng năng l ư ợ ng trung bình củ a các hạ t, chúng ta tính tố c độ
căn quân phư ơ ng củ a ion argon:
Trong khi đó, tố c độ trung bình củ a argon trung hòa tạ i nhiệ t độ phòng là
. )
2 / 1
/ 8 m kT t bằ ng 400 m/s. Như vậ y điệ n trư ờ ng có hiệ u ứ ng không lớ n
lắ m đố i vớ i nhiệ t độ củ a các ion.
4. Tính tố c độ củ a điệ n tử và nhiệ t độ hiệ u dụ ng củ a “khí” điệ n tử .
Biên độ vậ n tố c căn quân phư ơ ng ) (
rms
v củ a điệ n tử lớ n hơ n gấ p 73000 lầ n
so vớ i biên độ vậ n tố c ấ y củ a Ar
+
, cho nên:
Để tính nhiệ t độ củ a khí điệ n tử , chúng ta t ìm năng lư ợ ng trung bình
củ a chúng:
Sử dụ ng công thứ c đã biế t,
rms
3kT / 2 E
÷
= , chúng ta có:
(Chúng ta đã bỏ qua sự sai khác không đáng kể về các tố c độ trong độ ng họ c
chấ t khí).

0
10 / .
2
+
=
v
m s
5 0
7, 3 10 / .
2
÷
= == ×
rms
v
v m s
6
0
73000 14 / 10 / ,
÷
= × = v m s m s
. )
2
19
2, 4 10
2
÷ ÷
÷
= = ×
rms
rms
m v
E J
19
23
2 2 1, 2 10
11600
3
3 1, 38 10 /
÷
÷
÷
× ×
= = =
× ×
rms
E J
T K
k
J K
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 179
Hình 7.4. Đo các thông số củ a plasma bằ ng đầ u
dò Langmuir trong hệ phóng điệ n cao
áp mộ t chiề u.
b) Đầ u dò Langmuir lý thuyế t
Mậ t độ và nhiệ t độ củ a ion và điệ n tử về nguyên tắ c có thể đo đư ợ c bằ ng
đầ u dò Langmuir. Sơ đồ hệ đo đư ợ c vẽ trên hình 7.4. Đầ u dò làm bằ ng kim
loạ i đư ợ c đư a vào trong lòng plasma trong trư ờ ng hợ p phún xạ cao áp mộ t
chiề u và đặ t phân thế so vớ i đấ t theo như mong muố n. Nói chung, trong hệ
phún xạ thì cả thành chuông và anôt đề u nố i đấ t. Dùng đầ u dò phẳ ng để có
diệ n tích hiệ u dụ ng không đổ i. (đố i vớ i đầ u d ò hình trụ diệ n tích hiệ u dụ ng
củ a nó có thể thay đổ i phụ thuộ c vào điệ n trư ờ ng áp đặ t). Trong vậ t lý
plasma, việ c hiể u đặ c
trư ng dòng-thế (von-
ampe) củ a đầ u dò mang
tính cố t yế u. Bở i vì, để
xác định các thông số
củ a plasma chúng ta
cầ n hiể u rõ quá trình
tư ơ ng tác củ a plasma
vớ i tấ t cả các vậ t thể
đặ t trong và tiế p xúc
vớ i plasma, kể cả catôt
và anôt.
Khi có ion dư ơ ng va
chạ m vớ i đầ u dò thì
dòng điệ n dư ơ ng sẽ đi
qua nó, ngư ợ c lạ i khi
có điệ n tử bay tớ i thì
có dòng điệ n âm đi qua. Trong trư ờ ng hợ p có mộ t ion va chạ m, ngay lậ p tứ c
nó bị trung hòa điệ n tích bở i mộ t điệ n tử củ a kim loạ i, để phụ c hồ i thành
nguyên tử . Hiệ u ứ ng này nhậ n biế t đư ợ c bở i sự xuấ t hiệ n dòng dư ơ ng trên
đầ u dò. Mặ t khác, trong trư ờ ng hợ p điệ n tử bay tớ i đầ u dò, chúng có thể vào
sâu trong kim loạ i để chuyể n độ ng tiế p ra mạ ch ngoài. Hiệ u ứ ng này đư ợ c thể
hiệ n ở dòng âmđi qua đầ u dò.
Mậ t độ dòng lý thuyế t củ a đầ u dò phụ thuộ c vào điệ n áp đư ợ c trình bày trên
hình 7.5. Các đạ i lư ợ ng cơ bả n là điệ n thế đặ t trên đầ u dò (
a
v ) và điệ n thế
củ a plasma (
p
V ). Khi đặ t đầ u dò như thế sẽ xuấ t hiệ n dòng âm tổ ng hợ p đi
. )
1/ 2
8 /
av
v kT m t =
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
180
Hình 7.5. Dòng bão hòa điệ n tử và ion
trong đầ u dò Langmuir
qua đầ u dò về đấ t. Điề u này rấ t quan trọ ng, nó l àm cơ sở để hiể u biế t hành
vi củ a trạ ng thái plasma trong kỹ thuậ t phún xạ . Chúng ta lạ i thấ y rằ ng, tầ n
suấ t va chạ m củ a ion và củ a điệ n tử rấ t khác nhau: tầ n suấ t va chạ m củ a ion
là 4 /
+ +
av
n v và củ a điệ n tử là 4 /
÷ ÷
av
n v vớ i
tư ơ ng ứ ng cho từ ng loạ i
hạ t (như đã biế t trong lý
thuyế t độ ng họ c chấ t khí).
Cho dù điệ n tử và ion có
cùng nhiệ t độ , như ng vì
khố i lư ợ ng củ a điệ n tử
nhỏ hơ n rấ t nhiề u củ a ion,
cho nên chúng ta có
av av
v v
÷ +
>> , nế u tính đế n
khác biệ t về nhiệ t độ nữ a
thì bấ t đẳ ng thứ c này càng
đúng hơ n. Trong trư ờ ng
hợ p plasma nêu trên thì
tầ n suấ t va chạ m củ a điệ n
tử (
÷
z ) là
17 2 1
2, 35 10
÷ ÷
× cm s và củ a ion (
+
z ) là
14 2 1
1, 28 10
÷ ÷
× cm s .
Có mộ t tính chấ t quan trọ ng nữ a l à biên phân cách đầ u dò/plasma có tính
chỉnh lư u điệ n, tính chấ t này xả y ra bở i vì
a
v khác p V không nhiề u. Phụ
thuộ c vào giá trị khác nhau ấ y, mộ t trong hai loạ i hạ t tả i sẽ bị đẩ y khỏ i đầ u
dò. Nế u
p
a
v V , ion dư ơ ng sẽ bị đẩ y. Khi đó dòng ion qua đầ u dò bị giả m
bở i hệ số Boltzmann, . )
exp /
]
÷ v ÷
]
p
a
q V kT , mặ t khác dòng điệ n tử
cũ ng không tăng, mà lạ i giữ nguyên tạ i tầ n suấ t va chạ m
÷
z . Trư ờ ng hợ p
ngư ợ c lạ i (
p a
V v . ) cũ ng có hiệ u ứ ng dòng điệ n tử qua đầ u dò giả m, mà
dòng ion cũ ng không tăng. Hai mậ t độ dòng lý tư ở ng đạ t bão hòa khi đặ t
điệ n thế phân cự c âm và dư ơ ng vớ i giá trị lớ n. Mậ t độ dòng bão hòa sẽ
tư ơ ng ứ ng bằ ng các dòng điệ n tử hoặ c ion riêng biệ t (nhân vớ i q ± ).
Đầ u dò trong trư ờ ng hợ p không có dòng đi qua gọ i là đầ u dò nổ i, lúc này
xuấ t hiệ n mộ t điệ n thế nổ i p
f
V V . . Cơ chế củ a hiệ u ứ ng này như sau. Vì có
va chạ m điệ n tử dư , đầ u dò trở nên tích điệ n âm, làm giả m điệ n thế tĩnh trên
nó. Điề u này làm trễ các va chạ m điệ n tử tiế p theo và trong điề u kiệ n dòng
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 181
tổ ng qua đầ u dò dầ n về 0 thì đầ u dò đư ợ c đư a lên trạ ng thái đỉnh điể m (trạ ng
thái dừ ng). Có hai trư ờ ng hợ p:
÷Khi
a p f
V v V . . đầ u dò ở trong chế độ trễ điệ n tử . Cho l à chúng tuân
theo phân bố năng lư ợ ng Maxcell, thì mậ t độ đi qua đầ u dò giả m theo
hàm mũ , . )
exp /
÷
]
÷ ÷v
]
p
a
V q kT . Kể cả đóng góp củ a ion, chúng
ta có mậ t độ dòng lý tư ở ng
,
( )
.
lt
j khi điệ n thế áp đặ t nhỏ hơ n
p
V là:
(7.2)
Công thứ c này có thể áp dụ ng để tính nhiệ t độ củ a điệ n tử (xem ở phầ n sau).
Có thể nhậ n đư ợ c biể u thứ c phân bố năng lư ợ ng củ a điệ n tử bằ ng cách vi
phân biể u thứ c . )
a
J v . theo
a
v . Từ công thứ c (7.2) nhậ n đư ơ c mậ t độ
dòng lý tư ở ng trong chế độ bão hòa ion bằ ng
+
qz (tứ c là bằ ng
2 5
/ 10 05 , 2 cm A
÷
× ).
÷ Khi
a p f
v V V . . , tư ơ ng tự chúng ta có:
(7.3)
Mậ t độ dòng lý tư ở ng trong chế độ bão hòa điệ n tử bằ ng
÷
÷qz (tứ c là bằ ng
2 2
3, 76 10 / A cm
÷
÷ × ).
Như vậ y, từ hai phư ơ ng trình (7.2) và (7.3) có thể vẽ đư ờ ng đặ c trư ng
a
v j ÷ lý thuyế t. Kế t quả đư ợ c trình bày trên hình 7.5. Trong cùng mộ t hệ
trụ c tọ a độ thì đư ờ ng cong theo phư ơ ng trình (7.3) ứ ng vớ i trư ờ ng hợ p
p a
V v không thể hiệ n rõ sự thay đổ i trư ớ c trạ ng thái bão hòa củ a điệ n tử
như trư ờ ng hợ p củ a ion.
Tóm lạ i, trong phầ n này chúng ta có ba kế t luậ n chính là:
- Đầ u dò Langmuir có tính chỉnh lư u điệ n.
- Mậ t độ dòng đi qua đầ u dò đư ợ c xác định bở i sự chênh lệ ch điệ n thế
đặ t trên đầ u dò (
a
v ) và điệ n thế củ a plasma (
p
V ).
- Đặ c trư ng von-ampe lý thuyế t có ba chế độ : bão hòa ion tạ i các giá
trị điệ n thế phân cự c âm so vớ i p V ; bão hòa điệ n tử tạ i giá trị điệ n
thế phân cự c dư ơ ng so vớ i p V ; và chế độ trễ điệ n tử tách khỏ i bão
hòa ion ( 0 =
p
V ).
. )
.
e x p
+ ÷
.
÷
÷ ÷
= ÷
p a
l t
q V v
j q z q z
k T
. )
.
e x p
÷ +
+

÷ ÷
= ÷ +
a p
l t
q v V
j q z q z
k T
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
182
Chế độ trễ ion thự c tế có tồ n tạ i khi p
a
v V như ng vì hiệ u ứ ng này rấ t yế u,
cho nên không phát hi ệ n đư ợ c trên đồ thị cả lý thuyế t lẫ n thự c nghiệ m.
Cũ ng cầ n nhấ n mạ nh mộ t điề u quan trọ ng nữ a l à nhữ ng quá trình vậ n
chuyể n dòng (ion và điệ n tử ) mà chúng ta vừ a nghiên cứ u cho trư ờ ng hợ p
đầ u dò Langmuir lý tư ở ng cũ ng đư ợ c áp dụ ng đố i vớ i các vậ t khác đặ t trong
chuông như bia phún xạ , đế , catôt, anôt và thành chuông, ngoạ i từ khái niệ m
mớ i về mậ t độ dòng tăng cư ờ ng mà chúng ta sẽ xem xét dư ớ i đây. Trong
mụ c 7.1.3, chúng ta sẽ sử dụ ng kiế n t hứ c về đầ u dò Langmuir để phân tích
phân bố điệ n thế phóng điệ n mộ t chiề u và suy rộ ng ra cho trư ờ ng hợ p phóng
điệ n cao tầ n ghép tụ điệ n.
c) Đặ c trư ng củ a đầ u dò Langmuir thự c nghiệ m
Từ thự c nghiệ m về phóng điệ n lạ nh mộ t chiề u đ ã nhậ n đư ợ c đặ c trư ng von-
ampe củ a đầ u dò Langmuir (hình 7.6). Đầ u dò đư ợ c phân thế so vớ i anôt nố i
đấ t. Các kế t quả nhìn chung là giố ng vớ i lý thuyế t. Tuy nhi ên, cả hai dòng
bão hòa đề u thay đổ i không nhiề u khi phân thế đầ u d ò thay đổ i. Dòng bão
hòa điệ n tử đạ t khoả ng mA 5 ÷ đố i vớ i diệ n tích đầ u dò
2
0,18cm , tứ c là
ứ ng vớ i mậ t độ dòng điệ n tử
2
28 / ~ mA cm - mộ t giá trị khá phù hợ p vớ i mậ t
độ dòng điệ n tử trong đầ u dò lý thuyế t (
2
/ 38 cm mA ~ ). Trong khi đó,
dòng bão hòa ion đạ t đư ợ c giá trị A u 50 ~ tư ơ ng ứ ng vớ i mậ t độ dòng là
2
0, 28 / . ~ mA cm Giá trị này rấ t lớ n, gấ p 14 lầ n giá trị mậ t độ dòng bão hòa
ion trong đầ u dò lý thuyế t. Mậ t độ dòng bão hòa ion tăng mạ nh như vậ y là
rấ t quan trọ ng đố i vớ i thự c tiễ n phún xạ , điề u này sẽ đư ợ c đề cậ p kỹ hơ n ở
phầ n dư ớ i đây.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 183
d) Mậ t độ dòng ion tăng cư ờ ng
Trong công nghệ chế tạ o màng mỏ ng bằ ng kỹ thuậ t phóng điệ n phún xạ , mộ t
trong các thông số quan trọ ng và có ý nghĩa thự c tiễ n nhấ t l à khả năng bắ n
phá catôt (bia) củ a các ion. Trên thự c tế , mậ t độ dòng ion qua catôt nhậ n
đư ợ c từ thự c nghiệ m đạ t giá trị xấ p xỉ
2
1mA/ cm , chứ không phả i nhỏ như
giá trị lý thuyế t tính từ
+
qz đố i vớ i đầ u dò Langmuir lý tư ở ng
2
20, 5 / ~ umA cm . Hiệ n tư ợ ng tăng mậ t độ dòng cũ ng nhậ n đư ợ c đố i vớ i
đầ u dò Langmuir thự c nghiệ m, nó thể hiệ n như mậ t độ dòng ion bão hòa.
Điề u này đư ợ c giả i thích là do các ion bị đẩ y khỏ i điệ n cự c có điệ n thế thấ p
hơ n điệ n thế củ a plasma. Lự c hấ p dẫ n tr ên các ion đã sinh ra mậ t độ dòng
ion “thu gom” đạ t giá trị cao hẳ n l ên so vớ i dòng sinh ra bở i va chạ m đơ n
thuầ n
+
qz . Các kế t quả thự c nghiệ m đã chứ ng minh biể u thứ c củ a mậ t độ
dòng ion tăng cư ờ ng có dạ ng dư ớ i đây:
Hình 7.6. Đư ờ ng cong thự c nghiệ m nhậ n đư ợ c khi đo dòng
điệ n tử và ion trên đầ u dò Langmuir.
. )
.
+ ÷
÷
+
+
=
i o n
k T T
j q n
m
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
184
(7.4)
Phư ơ ng trình trên chỉ đúng khi vậ n tố c ion tiệ m cậ n lớ p vỏ plasma (vớ i điệ n
cự c) đạ t giá trị tố i thiể u nhấ t định.
Áp dụ ng công thứ c (6.4) cho tr ư ờ ng hợ p trạ ng thái plasma thự c, từ các
đạ i lư ợ ng:
Chúng ta có thể tính đư ợ c giá trị củ a mậ t độ dòng ion,
2
0, 35 / ~ j mA cm - giá trị mậ t độ dòng phù hợ p vớ i kế t quả thự c nghiệ m.
Vì vậ y, đố i vớ i plasma trong thự c tế phún xạ catôt cao áp, trong các biể u
thứ c về mậ t độ dòng qua đầ u dò hay các điệ n cự c khác hệ số
+
qz sẽ đư ợ c
thay bằ ng
ion
j :
(7.5)

(7.6)
Lúc này điệ n thế nổ i đư ợ c xác định khi dòng tổ ng qua đầ u dò bằ ng 0. Điề u
này có thể thự c hiệ n bằ ng cách cho giá trị mậ t độ d òng điệ n tử (sau khi đã
bỏ bớ t hệ số Boltzmann) bằ ng mậ t độ d òng ion tăng cư ờ ng. Chúng ta có:
(7.7)
Thí dụ , tính điệ n thế nổ i đố i vớ i plasma thự c tế vớ i mậ t độ d òng tăng cư ờ ng
như trên. Áp dụ ng công thứ c (7.7):
Như vậ y, giá trị
f
V thấ p hơ n
p
V là 9,3V.
. )
,
e x p
÷
÷ .
÷ ÷
= ÷
p
a
i o n
q V v
j j q z
k T
. )
.
e x p
÷

+
÷ ÷
= ÷ +
p a
i o n
q v V
j q z j
k T
.
ln
÷ ÷
|
÷ = ×
|
|
' ¹
p f
ion
kT qz
V V
q j
23
19
1, 38 10 23000 37, 6
.
ln 9, 3
0, 35
1, 6 10
÷
÷
× × |
÷ = =
|
× ' ¹
p
f
V V V
;
; ;
19 10 3
27
1, 6 10 ; 10
300 23000 40 1, 66 10 .
÷ ÷ ÷
+ ÷ + ÷
= × =
= = = × ×
q C n cm
T K T K m kg
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 185
Bây giờ chúng ta xác định điệ n thế củ a plasma. Trong đặ c tr ư ng von-ampe
củ a đầ u dò lý thuyế t, điể m gãy khúc củ a đư ờ ng cong xả y ra tạ i =
p a
v V .
Điệ n thế plasma không đơ n giả n chỉ tính từ các thông số củ a trạ ng thái ion
và điệ n tử bão hòa, mà nó cầ n phả i đư ợ c xác định từ giá trị dòng và thế đòi
hỏ i để duy trì plasma. Trong mụ c 7.1.3, chúng ta sẽ xem xét điề u n ày xả y ra
như thế nào đố i vớ i phóng điệ n trong phún xạ cao áp mộ t chiề u.
Ứ ng dụ ng. Dự a trên số liệ u thự c nghiệ m trên hình 7.6, xác định các thông
số , như điệ n thế plasma, điệ n thế nổ i , nhiệ t độ điệ n tử và plasma, mậ t độ
điệ n tử và nhiệ t độ củ a chúng.
Mặ c dù điể m gãy củ a đư ờ ng cong ở phầ n điệ n thế dư ơ ng không đư ợ c rõ như
lý thuyế t, từ điể m có điệ n thế bằ ng 10 V chúng ta thấ y d òng bắ t đầ u tăng từ
trạ ng thái bão hòa. Do vậ y có thể coi điệ n thế plasma bằ ng +10 V. Điệ n thế
nổ i bằ ng -36V so vớ i anôt nố i đấ t (tạ i điể m có dòng bão hòa bằ ng 0). Sử
dụ ng lý thuyế t đầ u dò Langmuir trong, nhi ệ t độ củ a điệ n tử đư ợ c xác định từ
đư ờ ng củ a phụ thuộ c
ln
ion
j j
.
] ÷
]
vào ) ( ÷
p a
v V ở chế độ trễ điệ n tử , phụ
thuộ c này là hàm tuyế n tính. Do đó tính đư ợ c nhiệ t độ điệ n tử ,
Mậ t độ điệ n tử đư ợ c tính từ biể u thứ c mậ t độ dòng bão hòa điệ n tử tạ i nhiệ t
độ trên:
.
Xác định nhiệ t độ củ a ion trự c tiế p từ biể u thứ c củ a lý thuyế t đầ u d ò
Langmuir là không thể . Tuy nhiên, vớ i giả thiế t n
+
= n
-
(Điề u này phù hợ p
thự c tiễ n) chúng ta có thể tính nhiệ t độ ion từ ph ư ơ ng trình (6.4):

e) Lớ p vỏ đầ u dò
Như trên đã định nghĩa lớ p vỏ plasma l à vùng điệ n tích không gian (trong đó
mậ t độ điệ n tích khác không) bao quanh cá c vậ t dẫ n điệ n đặ t trong plasma
| ¦
47840 .
ln( ) /
÷
= =
q
T K
k d j dv
. )
1 / 2
9 3
/ 2 5 , 1 1 0
÷ ÷ ÷ ÷ ÷
÷ = ÷ = × t q z q n k T m c m
2
ion
j m
T T 8813K.
k
qn
+
+ ÷
÷
| |
= × ÷ =
| |
| |
÷
' ¹ ' ¹
2
0
,
V
÷p
V =
c
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
186
và ngăn plasma khỏ i thành chuông chân không (xem mô hình trên hình 7.4).
Chúng ta xác định bề dày củ a lớ p vỏ đầ u dò. Muố n vậ y, cầ n giả i phư ơ ng
trình vi phân Poisson. Phư ơ ng trình này mô tả sự biế n thiên củ a điệ n thế tĩnh
điệ n bên trong l ớ p vỏ dư ớ i ả nh hư ở ng củ a mậ t độ điệ n tích cụ c bộ , nó
có dạ ng:
(7.8)
trong đó:
0
c là hằ ng số điệ n môi củ a chân không ,
2
V là toán tử Laplace.
Trong trư ờ ng hợ p điệ n thế đầ u dò rấ t gầ n vớ i
p
V thì chiề u dài Debye có thể
đặ c trư ng cho bề dày củ a lớ p vỏ plasma-đầ u dò. Điề u này nhậ n đư ợ c từ lờ i
giả i gầ n đúng củ a phư ơ ng trình Poisson, trong đó chúng ta cho rằ ng sự khác
biệ t về điệ n thế theo chiề u dày lớ p vỏ là rấ t nhỏ so vớ i
+
kT (và do đó càng
rấ t nhỏ so vớ i
÷
kT ). Khi điệ n thế cụ c bộ nhỏ hơ n
p
V , thì mậ t độ ion đư ợ c
tăng cư ờ ng và mậ t độ điệ n tử bị giả m, chúng đư ợ c tính từ hệ số Boltzmann:
(7.9)

(7.10)
trong đó : x là khoả ng cách tính từ đầ u dò (xem hình 7.4).
Mậ t độ điệ n tích khi đó đư ợ c tính bằ ng tích × A q n :
(7.11)
Chiề u dài Debye nhậ n đư ợ c từ lờ i giả i gầ n đúng củ a phư ơ ng trình Poisson,
sử dụ ng x x + =1 ) exp( , ta có:
(7.12)
trong đó:
,
/( )
+ ÷ + ÷
= + T T T T T và cho rằ ng mậ t độ ion và mậ t độ điệ n tử
trong lòng plasma bằ ng nhau.
Thay vào phư ơ ng trình (7.8) chúng ta có phư ơ ng trình Poisson theo mộ t
biế n số x, như sau:
(7.13)
. )
p
q V V( x)
,
n ( x) n exp
kT
+ +
+
÷
=
. )
p
q V V( x )
,
n ( x ) n exp
kT
÷ ÷
÷
÷ ÷
=
p p
q(V V) q(V V)
.
(x) q n exp n exp
kT kT
+ ÷
÷ ÷
÷ ÷ ÷ ]
p = ÷
]
]
. )
2
p
p p
,
q n V V
q(V V) q(V V)
,
(x) qn
kT kT kT
+
+
+ ÷
÷
÷ ÷ ]
p = + =
]
]
. )
2
2
p p x
2 , 2
0 d
V V q n V (V )
d V(x)
,
dx kT L
] ÷ ÷ ÷
]
= ÷
c
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 187
vớ i
d
L là chiề u dài Debye, tính bằ ng công thứ c:
(7.14)
Đố i vớ i thự c nghiệ m tr ên, chiề u dài Debye xác định từ công thứ c (7.14)
bằ ng 15,4 um. Giả i phư ơ ng trình (7.13) vớ i các điề u kiệ n bi ên: (i) =
p
V V
tạ i x = · (vì kích thư ớ c plasma vào khoả ng vài centimét, cho nên chi ề u dài
Debye là quá bé so vớ i kích thư ớ c này); (ii) =
a
V v khi x =0, chúng ta tìm
đư ợ c hàm số củ a điệ n thế trong lớ p vỏ plasma phụ thuộ c khoả ng cách từ đầ u
dò, như sau:
(7.15)
7.1.3. Phóng điệ n phún xạ
Trong phầ n này, chúng ta sẽ đề cậ p đế n hai vấ n đề chính:
i) Giả i thích điệ n thế tĩnh điệ n củ a phóng điệ n phún xạ mộ t chiề u
(hình 7.7),
ii) Áp dụ ng kế t quả đố i vớ i phóng điệ n mộ t chiề u v ào trư ờ ng hợ p phún xạ
cao tầ n.
Qua đó, chúng ta xác định chiề u dày lớ p vỏ trong cả hai trư ờ ng hợ p.
1 / 2
,
0
d
2
kT
.
L
q n
+
|
c
= |
|
' ¹
. ) ( ) 1 exp .
|
÷
=v + ÷v ÷
|
' ¹
p a a
d
x
V x V
L
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
188
a) Mô hình phóng điệ n mộ t chiề u
Như đã biế t, biên phân cách plasma-đầ u dò Langmuir có tính chấ t chỉnh lư u
điệ n thế , giố ng như mộ t điố t. Do đó, đố i vớ i mạ ch điệ n trong đó có catôt,
anôt và plasma, chúng ta có thể vẽ mạ ch tư ơ ng đư ơ ng như trên hình 7.8a.
Catôt là điệ n cự c thu hút cation (ion dư ơ ng) từ plasma, trong khi đó anôt thu
hút anion (điệ n tử ). Chúng ta thấ y rằ ng anôt nhậ n đư ợ c mộ t dòng âm, có
điệ n thế lớ p vỏ thấ p và bả n thân lớ p vỏ hẹ p. Trong khi đó, catôt nhậ n đư ợ c
dòng dư ơ ng, có điệ n thế lớ p vỏ cao hơ n và lớ p vỏ rộ ng hơ n.
Xem xét sơ đồ trên hình 7.7, đố i vớ i phóng điệ n thự c tế thì giá trị mậ t độ
dòng qua catôt sẽ có cùng thứ bậ c vớ i mậ t độ dòng ion tăng cư ờ ng (
ion
j ), có
thể do sự phát xạ điệ n tử thứ cấ p, và để bù trừ , mậ t độ dòng qua anôt sẽ
bằ ng giá trị âm củ a đạ i l ư ợ ng này:
an cat
j j . = ÷ (7.16)
Hình 7.7. Sơ đồ plasma khố i và các lớ p vỏ trong phóng điệ n mộ t
chiề u (a) và phân bố điệ n thế trong các lớ p vỏ : điệ n
thế trong lớ p vỏ catố t phân cự c mạ nh, c òn trong lớ p vỏ
anôt gầ n như bằ ng 0.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 189
Để nhậ n đẳ ng thứ c trên chúng ta cầ n có điề u kiệ n:
cat DC f
v V V . = . . (7.17)
Như ng:
f an p
V v V . . . (7.18)
Điề u này có nghĩa là điệ n thế plasma là “dư ơ ng nhấ t” trong mạ ch dòng
phóng điệ n chính. Sử dụ ng biể u thứ c mậ t độ d òng trong trư ờ ng hợ p .
p a
v V :
Chúng ta tìm đư ợ c biể u thứ c liên hệ điệ n thế plasma vớ i điệ n thế anôt:
(7.19)
Khi anôt nố i đấ t như trên hình 7.7 thì 0 =
an
v . Để đơ n giả n trong tính toán,
chúng ta đã cho diệ n tích củ a anôt và catôt bằ ng nhau. Trên thự c tế , anôt có
diệ n tích lớ n hơ n có khi lớ n hơ n rấ t nhiề u diệ n tích catôt (thí dụ tr ư ờ ng hợ p
chuông chân không làm bằ ng kim loạ i).
Vì thế điệ n thế plasma trong thự c tế có giá trị dư ơ ng hơ n so vớ i giá trị
nhậ n đư ợ c từ biể u thứ c tr ên, và vào khoả ng 10V-15V.
Như vậ y, điệ n thế rơ i trên catôt sẽ là tổ ng củ a điệ n thế mộ t chiề u và điệ n thế
plasma:
Điệ n thế trên catôt = +
p DC
V V . (7.20)
Theo định luậ t Kirchhoff, chúng ta có mậ t độ công suấ t phún xạ cao áp mộ t
chiề u sẽ là:
. )
DC p ion ion
p j . V V . = + (7.21)
Trong mô hình phóng điệ n thì thự c tế plasma đư ợ c hình thành và duy trì như
thế nào? Cơ chế củ a quá trình này có thể mô tả như sau. Khi các ion (vớ i
độ ng năng đủ lớ n) bắ n l ên bề mặ t củ a catôt thì nhờ hiệ u ứ ng phát xạ điệ n tử
thứ cấ p mà trên bề mặ t catôt xuấ t hiệ n các điệ n tử tự do (mậ t độ lớ n). Tiế p
theo chúng đư ợ c gia tố c bở i điệ n tr ư ờ ng, rồ i xuyên qua lớ p vỏ củ a catôt và
vào trong lòng plasma. Các điệ n tử này lạ i bắ n phá lên nguyên tử khí để hình
thành cặ p điệ n tử -ion-mộ t trạ ng thái trung hòa về điệ n như ng lạ i dẫ n
điệ n tố t, đó l à plasma.
Hình 7.8. Sơ đồ mạ ch điệ n trong phóng điệ n phún xạ cao áp
mộ t chiề u (a) và cao tầ n (b). Lớ p vỏ anố t trong cao
tầ n có tụ chặ n không có vai tr ò trong phóng điệ n
. )
.
e x p
÷
÷
÷ ÷
= ÷
p a n
a n i o n
q V v
j j q z
k T
.
ln
÷
÷
]
÷ ÷
÷ =
]
÷
]
an ion
p an
j j kT
V v
q
qz
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
190
b) Lớ p vỏ catôt và anôt
Thự c nghiệ m đã cho thấ y, khi có dòng phún xạ đi qua catôt thì chiề u dày
củ a lớ p vỏ plasma ở vùng catôt lớ n hơ n nhiề u so vớ i chiề u dài Debye. Vớ i
chế độ dòng thự c tế , mậ t độ điệ n tích bên trong lớ p vỏ đư ợ c hình thành bở i
các ion, nhữ ng hạ t tả i tiêm vào từ plasma. Hành vi củ a sự phóng điệ n như
thế đư ợ c gọ i là dòng “giớ i hạ n điệ n tích không gian” (GHĐTKG). Về ý
nghĩa vậ t lý mà nói thì đó chính là sự điề u khiể n điệ n tích không gian.
Đố i vớ i lớ p vỏ ở vùng catôt trong phóng điệ n mộ t chiề u (hình 7.7a), chúng
ta sẽ giả i phư ơ ng trình Poisson và tính chi ề u dày củ a lớ p vỏ khi có dòng
GHĐTKG đi qua, vớ i các giả thiế t sau đây:
1. Có sự bù trừ dòng qua lớ p vỏ .
2. Mậ t độ điệ n tích chủ yế u l à do các ion chuyể n độ ng tư ơ ng đố i chậ m
(so vớ i điệ n tử ) đi vào lớ p vỏ , vì rấ t linh độ ng nên điệ n tử bị đẩ y
ngay ra khỏ i lớ p vỏ bở i điệ n trư ờ ng lớ n ở đó.
3. Các ion chuyể n độ ng trong lớ p vỏ đư ợ c coi là không có va chạ m,
cho nên lớ p vỏ đư ợ c gọ i là vỏ không va chạ m.
Khi đó mậ t độ ion đi qua catôt đư ợ c tính bằ ng phư ơ ng trình:
), ( ) ( x v x j
x ion
p ÷ = (7.22)
trong đó:
x
v là thành phầ n tố c độ vuông góc vớ i bề mặ t củ a catôt,
x là khoả ng cách từ catôt.
Trong trư ờ ng hợ p không có va chạ m thì tố c độ củ a ion đư ợ c tính từ độ ng
năng mà nó nhậ n đư ợ c từ năng lư ợ ng củ a điệ n trư ờ ng:
(7.23)
Vì vậ y, mậ t độ điệ n tích :
(7.24)
và phư ơ ng trình Poisson trong tọ a độ mộ t chiề u sẽ l à:
| ¦
. )
2
( )
( ) .
2
+
= ÷
x
p
m v x
q V V x
2
,
( )
2 ( )
+ ! !
! !
= ÷
`
] ÷
! !
] ! !
p
ion
p
m
x j
q V V x

1 / 2
2
2
0
/ 2 ( )
( )
,
+ !
] ÷ ÷

] ] ÷
] !
=
c
i o n p
p
j m q V V x
d V V x
d x
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 191
(7.25)
vớ i các điề u kiệ n bi ên:
- Tạ i
sc
x L = (chiề u dày lớ p vỏ ), =
p
V V
- Tạ i 0 = x , ÷ =
DC
V V .
Lờ i giả i củ a phư ơ ng trình trên cho ta hàm điệ n thế phụ thuộ c t ọ a độ x (vị
trí) trong lớ p vỏ , có dạ ng:
(7.26)
Cho 0 = x , ta có
DC
V V x V ÷ = =
0
) ( .
Biể u thứ c củ a chiề u dày lớ p vỏ trong trư ờ ng hợ p không có va chạ m
( , sc cols
L ) sẽ là:
(7.27)
Như vậ y, , sc cols L phụ thuộ c vào ba đạ i lư ợ ng là ,
DC p
V V và .
ion
j Trong thự c
tế , các đạ i lư ợ ng này liên quan đế n nhau và tác độ ng lẫ n nhau. Tuy nhi ên,
vai trò củ a
DC
V là quyế t định, còn p
V và
ion
j không nhữ ng phụ thuộ c vào
cấ u hình củ a thiế t bị phún xạ mà còn phụ thuộ c vào bả n chấ t ion, áp
suấ t khí,...
Khi quãng đư ờ ng tự do có cùng thứ bậ c vớ i chiề u dày lớ p vỏ thì không thể
bỏ qua sự va chạ m củ a các ion. Trong tr ư ờ ng hợ p này, tố c độ củ a ion cầ n
đư ợ c xác định từ các biể u thứ c về vậ n tố c cuố n, mà không phả i từ đẳ ng thứ c
về năng lư ợ ng như trên. Diễ n giả i cách tính chiề u dày lớ p vỏ mà trong đó có
va chạ m củ a ion ,
( )
sc col
L là rấ t dài và phứ c tạ p. Ở đây, chúng ta chỉ sử dụ ng
kế t quả cuố i cùng để thả o luậ n:
(7.28)
trong đó
i
i là quãng đư ờ ng tự do củ a ion.
Giá trị , sc col
L từ phư ơ ng trình (7.28) trên thự c tế phún xạ nhậ n đư ợ c vào
khoả ng 2 mm, còn giá trị tính toán lý thuyế t l à 3,7 mm ứ ng vớ i quãng đư ờ ng
tự do
0, 051 .
i
mm
i
=
Chiề u dày lớ p vỏ vùng anôt nhỏ hơ n rấ t nhiề u so vớ i
. )
1/4 1/ 2
3/4
0
4 3
( ) .
4 2
+
| |
] ÷ = × × ÷
| |
] |
' ¹ ' ¹
c
ion
p sc
j m
V V x L x
q
. )
1/2
1/4
3/4
0
,
4 2
.
9
+
|
|
= × × +
|
|
' ¹
' ¹
c
sc cols p DC
ion
q
L V V
j
m
. )
2/5
1 3 /5 /5
3/5
0
,
2 2 5
,
3 3
+
|
| |
= × × × +
|
| |
' ¹ ' ¹
' ¹
c
t
i
i
sc col p DC
ion
q
L V V
j
m
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
192
chiề u dày vùng catôt. Lớ p vỏ vùng anôt không có ý nghĩa thự c tiễ n trong
quá trình lắ ng đọ ng màng mỏ ng, như ng là yế u tố gây nhiễ m tạ p chấ t trong
quá trình phún xạ .
c) Mô hình phóng điệ n cao tầ n
Chúng ta đã xem xét phóng điệ n cao áp mộ t chiề u, trong đó bia l à chấ t dẫ n
điệ n tố t đư ợ c gắ n liề n vớ i catôt. Khi đặ t chấ t cách điệ n l ên catôt mà vẫ n sử
dụ ng hệ phún xạ mộ t chiề u thì quá trình phóng điệ n không xả y ra đư ợ c, đó
là vì chấ t cách điệ n không cho dòng điệ n đi qua. Điệ n cự c ( catôt) bị nghẽ n
do hiệ u ứ ng che chắ n củ a bia l àm bằ ng chấ t điệ n môi. Để có thể phún xạ từ
bia cách điệ n ngư ờ i ta đã thay nguồ n cao áp mộ t chiề u bằ ng nguồ n cao áp
xoay chiề u cao tầ n. Trong hệ phún xạ cao tầ n, dòng tổ ng hợ p qua điệ n cự c
bằ ng không, tuy nhiên quá trình phún xạ vẫ n đư ợ c tiế p diễ n nhờ có sự bắ n
phá ion lên trên bia. Nhờ tính chấ t chỉnh l ư u củ a hai lớ p vỏ plasma ở vùng
catôt và anôt mà có sự tự phân thế mộ t chiề u củ a điệ n cự c ngh ẽ n. Điề u này
làm cho quá trình bắ n phá ion lên bia cách điệ n không bị dừ ng. Trên hình
7.2 là sơ đồ củ a nguồ n cao tầ n gắ n nố i tiế p mộ t tụ . Trong hệ thiế t bị phún xạ
cao tầ n, ở mạ ch ngoài, phía trư ớ c củ a điệ n cự c chuông, còn mắ c mộ t cuộ n
cả m điệ n trở vào khoả ng 50 O làm phố i hợ p trở kháng để tăng công suấ t
phún xạ .
Để hiể u cơ chế phóng điệ n cao tầ n, chúng ta phân tích mạ ch t ư ơ ng đư ơ ng
củ a cả hệ , sơ đồ đư ợ c trình bày trên hình 7.8b. Mạ ch điệ n gồ m nguồ n cao
tầ n
RF
v , tụ chặ n C – nơ i sẽ xả y ra tự phân thế mộ t chiề u, hai đoạ n mạ ch
mắ c song song (sơ đồ tư ơ ng đư ơ ng củ a hai lớ p vỏ plasma - anôt, plasma -
catôt) và plasma khố i (như mộ t vậ t dẫ n) cùng vớ i dây dẫ n không có điệ n trở
thuầ n (ở đây không vẽ cuộ n cả m) l à toàn bộ thân chuông chân không đư ợ c
nố i đấ t. Mỗ i mộ t lớ p vỏ đề u có điệ n dung nộ i bở i v ì nó chứ a vùng chân
không tách hai vậ t dẫ n. Trong phóng điệ n mộ t chiề u, hai tụ n ày không đư ợ c
hình thành do nguồ n sử dụ ng là điệ n áp mộ t chiề u và bia kim loạ i dẫ n điệ n
tố t. Trong các hệ phún xạ cao tầ n nói chung, bia có diệ n tích rấ t nhỏ so vớ i
toàn bộ diệ n tích bề mặ t củ a chuông (đóng vai tr ò như anôt trong phóng
điệ n), cho nên điệ n thế rơ i trên lớ p vỏ anôt có thể bỏ qua. Chúng ta cũ ng bỏ
qua ả nh hư ở ng củ a dòng xoay chiề u sinh ra do điệ n dung củ a lớ p vỏ catôt.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 193
Như vậ y, dòng củ a toàn mạ ch chỉ là do các ion và đi ệ n tử chạ y qua lớ p vỏ
catôt, gọ i là dòng dẫ n.
Dạ ng sóng cao tầ n mô tả tr ên hình 7.9a có dạ ng:
RF RF
v (t) V sin t. = e (7.29)
Giả sử biên độ củ a điệ n thế máy phát cao tầ n 500 =
RF
V V , giá trị này cao
hơ n hẳ n ÷
p
f
V V trong plasma. Trên 7.9b là hình vẽ mô tả mậ t độ dòng đi qua
bia khi không có tụ chặ n trong mạ ch. Từ hình này cho thấ y, dòng hữ u ích
cho phún xạ rấ t bé so vớ i dòng không tham gia vào phún xạ . Vì thế , tố c độ
phún xạ nhỏ . Chúng ta xem xét tr ư ờ ng hợ p có tụ chặ n. Mặ c dầ u trong
trư ờ ng hợ p này
+

ion
j qz , sự khác biệ t lớ n giữ a dòng âm và dư ơ ng vẫ n tồ n
tạ i. Do có sự tích tụ hạ t tả i âm (điệ n tử ) v à do dòng tổ ng hợ p trong mộ t chu
kỳ dao độ ng luôn bằ ng 0, đã dẫ n đế n hiệ n tư ợ ng tự phân thế mộ t chiề u tr ên
tụ chặ n C (hình 7.8b). Vớ i hiệ u ứ ng tự phân thế này, chúng ta có đư ợ c
nguồ n điệ n xoay chiề u (cao tầ n) không đố i xứ ng: phầ n lớ n thờ i gian điệ n thế
củ a nó có giá trị âm. Sơ đồ nguồ n điệ n như vậ y đư ợ c trình bày trên hình
7.9c. Thự c chấ t đó là điệ n thế trên catôt đư ợ c trừ đi điệ n thế plasma:
cat RF DC
v (t) v (t) V . = ÷ (7.30)
Hình 7.9.Hiệ n tư ợ ng “tự phân áp” mộ t chiề u trong kỹ thuậ t
cao tầ n: điệ n thế và dòng củ a nguồ n cao tầ n khi
không sử dụ ng tụ chặ n (a,b) và khi có tụ chặ n (c,d)
cho thấ y dòng qua bia cao hơ n hẳ n.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
194
Như vậ y, trong hầ u hế t thờ i gian, điệ n thế củ a bia thấ p h ơ n điệ n thế plasma.
Để dòng tổ ng trong mộ t chu kỳ cao tầ n đạ t giá trị bằ ng 0, trong hầ u hế t th ờ i
gian đó, điệ n thế củ a catôt phả i thấ p hơ n
f
V . Vì thế , giá trị tự phân thế không
ngừ ng tăng lên (là do sự tích tụ điệ n tử trên bả n tụ điệ n, phía phả i):
RF DC
V V ÷ . (7.31)
Đó chính là biên độ củ a điệ n thế cao tầ n. Tư ơ ng tự , chúng ta cũ ng có phân
bố dòng qua catôt theo thờ i gian như trên hình 7.9d. Hình này cho thấ y dòng
tổ ng trong mộ t chu kỳ cao tầ n cũ ng vẫ n bằ ng 0, nh ư ng giá trị dòng dư ơ ng
(ứ ng vớ i quá trình phóng điệ n trên catôt) đã đư ợ c tăng lên đáng kể , đồ ng
thờ i, dòng âm cũ ng đư ợ c hạ n chế .
Vấ n đề đặ t ra là phả i chọ n giá trị củ a tụ chặ n như thế nào để đáp ứ ng yêu
cầ u trong thự c tiễ n phún xạ cao tầ n. Chúng ta thấ y, tụ điệ n n ày phả i có đủ ít
nhấ t ba điề u kiệ n:
1. Thờ i gian nạ p trong quá tr ình bắ n phá điệ n tử phả i lớ n hơ n rấ t nhiề u
so vớ i mộ t chu kỳ cao tầ n. Điề u n ày đả m bả o quá tr ình tự phân
thế tăng nhanh.
2. Thờ i gian phóng trong quá tr ình bắ n phá ion cầ n lớ n hơ n chu kỳ cao
tầ n. Điề u này để hạ n chế quá trình trung hòa điệ n tích trên catôt.
3. Phầ n lớ n điệ n thế cao tầ n đư ợ c rơ i trên lớ p vỏ plasma vùng catôt
hơ n là trên tụ chặ n. Nế u không giá trị điệ n áp trên catôt sẽ không đủ lớ n.
Đáp ứ ng các điề u kiệ n trên là các tụ điệ n vớ i điệ n dung từ 100 đế n 1000pF.
Sự phóng điệ n cao tầ n duy tr ì như thế nào? đó cũ ng là quá trình ion hóa các
phầ n tử trung hóa nhờ các điệ n tử bắ n phá. Phát xạ điệ n tử thứ cấ p xả y ra
đư ợ c là nhờ ion bắ n phá lên bia tự phân thế .
d) Các lớ p vỏ plasma trong phún xạ cao tầ n
Các lớ p vỏ plasma trong phún xạ cao tầ n đ ư ợ c hình thành theo cơ chế khác
vớ i phún xạ cao áp mộ t chiề u. Nguyên lý điề u khiể n lớ p vỏ này không phả i
là do dòng GHĐTKG (như trong phóng đi ệ n mộ t chiề u) mà là do chuyể n
độ ng qua lạ i rấ t nhanh (kiể u dao dộ ng ký) củ a các điệ n tử tự do, sinh ra d òng
xoay chiề u ngay bên trong lớ p vỏ .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 195
Hình 7.10. Mô hình minh họ a sự hình thành các
lớ p vỏ ở trên hai điệ n cự c trong phóng
điệ n phún xạ cao tầ n.
Trên hình 7.10 là sơ đồ phóng điệ n cao tầ n và cấ u trúc củ a lớ p vỏ ở hai điệ n
cự c. Các điệ n tử dao độ ng rấ t nhanh giữ a hai điệ n cự c, trong khi đó các ion
chuyể n độ ng chậ m hơ n. Chiề u dày củ a “đám mây” ion d trùng vớ i khoả ng
cách giữ a hai điệ n cự c. Còn chiề u dày củ a đám mây điệ n tử nhỏ hơ n d, bở i
vì hễ có điệ n tử nào đế n đư ợ c điệ n cự c thì liề n bị bắ t ngay. Vì mậ t độ điệ n
tử và ion trong giớ i hạ n củ a đám mây điệ n tử l à bằ ng nhau, trong khi ngoài
vùng đó không có đi ệ n tử , cuố i cùng là trong quá trình phóng điệ n khố i
plasma trong chuông tích điệ n tích dư ơ ng cao hơ n. Giả thiế t rằ ng mậ t độ
dòng tổ ng khi phóng điệ n l à
RF
j sin( t). e
Chiề u dày củ a mỗ i lớ p vỏ sẽ có
dạ ng (hai lớ p vỏ trái và phả i có pha đố i nhau):
RF RF RF
L (t) L L cos t. = ÷ e (7.32)
Mỗ i mộ t bề dày trên sẽ dao độ ng vớ i chu kỳ củ a dòng cao tầ n và trong mỗ i
chu kỳ đề u nhậ n giá trị 0 mộ t lầ n. Nói mộ t cách khác, lớ p vỏ plasma “biế n
mấ t” để cho điệ n tử có thể truyề n vào điệ n cự c và trung hòa điệ n tích vớ i ion
mà chúng tích lũ y trong quá trình liên tụ c bắ n phá ion). Chiề u dày củ a đám
mây điệ n tử vì thế sẽ bằ ng .
RF
L d ÷
Dễ thấ y, biên độ củ a chiề u dày lớ p vỏ bằ ng:
.
+
=
e
RF
RF
j
L
qn
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
196
(7.33)
Ứ ng dụ ng. Tính chiề u dày lớ n nhấ t củ a lớ p vỏ plasma trong kỹ thuậ t phún
xạ trong thự c tiễ n nói tr ên.
Trong kỹ thuậ t phún xạ , thự c tế mậ t độ dòng tổ ng vào khoả ng 15mA/cm
2
, do
vậ y chúng ta có:
Điề u này chứ ng tỏ lớ p vỏ plasma trong phún xạ cao tầ n mỏ ng h ơ n lớ p vỏ
trong phún xạ cao áp mộ t chiề u.

7.2. Chế tạ o màng mỏ ng bằ ng phư ơ ng pháp phún xạ
Phún xạ là phư ơ ng pháp sử dụ ng ion trong phóng điệ n cao áp mộ t chiề u hay
cao tầ n để thự c hiệ n việ c “đánh bậ t” các nguy ên tử từ vậ t rắ n (bia) ra khỏ i
bề mặ t củ a nó. Tiế p theo l à quá trình lắ ng đọ ng các nguyên tử ấ y trên bề mặ t
củ a vậ t rắ n khác (tứ c l à đế ). Do vậ y, chế tạ o vậ t liệ u bằ ng ph ư ơ ng pháp
phún xạ là quá trình chuyể n các nguyên tử củ a vậ t rắ n ở dạ ng khố i củ a bia
sang dạ ng màng mỏ ng trên đế . Nhìn chung, phún xạ là quá trình công nghệ
xả y ra trong trạ ng thái plasma, thể hiệ n hế t sứ c phứ c tạ p. Để dễ hiể u chúng
ta có thể chia quá trình phún xạ ra thành ba giai đoạ n:
1. Gia tố c ion trong lớ p vỏ plasma ở vùng catôt.
2. Ion bắ n phá vào bia, các nguyên tử trong bia chuyể n độ ng va chạ m nhau.
3. Các nguyên tử thoát ra khỏ i bia và lắ ng đọ ng lên đế .
Trên hình 7.11 mô t ả quá trình lắ ng đọ ng màng bằ ng phư ơ ng pháp phún xạ
vớ i ba giai đoạ n chính nêu trên. Dư ớ i đây là các vấ n đề liên quan đế n thự c
nghiệ m phún xạ áp dụ ng để chế tạ o vậ t liệ u màng mỏ ng.
7.2.1. Ư u điể m và như ợ c điể m củ a phư ơ ng pháp phún xạ
a) Ư u điể m:
- Tấ t cả các loạ i vậ t liệ u đề u có thể phún xạ , nghĩa l à từ nguyên tố ,
hợ p kim hay hợ p chấ t.
2
19 10 3
15 /
0,11 1,1 .
1, 6 10 10 2 13, 56
÷ ÷
= = =
× × × × t
RF
mA cm
L cm nm
C cm MHz
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 197
- Bia để phún xạ thư ờ ng dùng đư ợ c lâu, bở i vì lớ p phún xạ rấ t mỏ ng.
- Có thể đặ t bia theo nhiề u hư ớ ng, trong nhiề u trư ờ ng hợ p có thể dùng
bia diệ n tích lớ n, do đó bia l à nguồ n “bố c bay ” rấ t lớ n.
- Trong magnetron có thể chế tạ o màng mỏ ng từ bia có cấ u hình đa
dạ ng, phụ thuộ c vào cách lắ p đặ t nam châm, bia có thể thiế t kế theo
hình dạ ng củ a bề mặ t đế (hình côn hoặ c hình cầ u).
- Quy trình phún xạ ổ n định, dễ lặ p lạ i và dễ tự độ ng hóa.
- Độ bám dính củ a màng vớ i đế rấ t tố t.
b) Như ợ c điể m
- Phầ n lớ n năng lư ợ ng phún xạ tậ p trung l ên bia, làm nóng bia, cho
nên phả i có bộ làm lạ nh bia.
- Tố c độ phún xạ nhỏ hơ n nhiề u so vớ i tố c độ bố c bay chân không.
- Hiệ u suấ t về năng l ư ợ ng thấ p, cho nên phún xạ không phả i là
phư ơ ng pháp tiế t kiệ m năng lư ợ ng.
- Bia thư ờ ng là rấ t khó chế tạ o và đắ t tiề n.
- Hiệ u suấ t sử dụ ng bia thấ p (không sử dụ ng đ ư ợ c hế t, nhiề u khi do
bia giòn, cho nên dễ bị nứ t dẫ n đế n hỏ ng sau số lầ n phún xạ chư a nhiề u.
- Trong nhiề u trư ờ ng hợ p, không cầ n đế n nhiệ t độ đế , nh ư ng nó luôn
bị đố t nóng.
- Các tạ p chấ t nhiễ m từ thành chuông, trong chuông hay t ừ anôt có
thể bị lẫ n vào trong màng.
7.2.2. Cơ chế phún xạ
Chúng ta xem xét hình 7.11, mô hình này đư ợ c gọ i là phún xạ do va chạ m.
Nó có thể là phún xạ ngư ợ c hoặ c xuôi chiề u. Phún xạ ngư ợ c là khi các
nguyên tử bậ t khỏ i bia bay ra theo hư ớ ng ngư ợ c vớ i hư ớ ng tớ i củ a ion bắ n
phá. Trư ờ ng hợ p này thư ờ ng gặ p trong thự c tế . Còn phún xạ xuôi chiề u xả y
ra khi nguyên tử bay ra theo hư ớ ng bắ n củ a ion, trư ờ ng hợ p này chỉ gặ p khi
bia là các lá kim loạ i rấ t mỏ ng. Sigmund mô tả cơ chế phún xạ va chạ m như
sau: Khi các ion có độ ng năng đủ lớ n bắ n l ên bề mặ t củ a bia (catôt), trong
các lớ p nguyên tử sẽ xả y ra quá trình va chạ m củ a các nguyên tử dư ớ i sự
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
198
“bắ n phá” củ a các ion ấ y. Chúng tiế p tụ c va chạ m hỗ n loạ n đế n khi có năng
lư ợ ng bằ ng hoặ c lớ n hơ n năng lư ợ ng liên kế t mạ ng tinh thể thì thoát ra khỏ i
bề mặ t củ a bia.
Cơ chế trên có thể coi là mộ t định nghĩa tổ ng quát cho quá tr ình phún xạ đố i
vớ i tấ t cả các vậ t rắ n tạ i năng l ư ợ ng ion thích hợ p. Tuy nhi ên, đặ c trư ng củ a
quá trình va chạ m xả y ra trong vậ t rắ n phụ thuộ c vào độ lớ n củ a năng lư ợ ng
ion. Có thể chia năng lư ợ ng ion ra ba mứ c: thấ p, trung bình và cao.
Trên hình 7.12 là sơ đồ mô tả quá trình phún xạ theo ba cơ chế tư ơ ng ứ ng
vớ i ba mứ c năng lư ợ ng củ a ion.
Năng lư ợ ng thấ p: Mứ c năng lư ợ ng này xấ p xỉ hoặ c lớ n hơ n năng lư ợ ng
ngư ỡ ng phún xạ củ a mộ t chấ t. Cơ chế phún xạ trong trư ờ ng hợ p này đư ợ c
gọ i là cơ chế “bóc mộ t nguyên tử ”. Hiệ u suấ t bắ n phá (xem định nghĩa ở
phầ n sau) tỷ lệ thuậ n vớ i mậ t độ năng l ư ợ ng củ a nguyên tử trên bề mặ t. Sự
va chạ m trong cơ chế này thư ờ ng là chỉ ở trong lớ p nguyên tử trên cùng, do
đó tạ o ra chuyể n độ ng mộ t cách hài hòa củ a từ ng nguyên tử và thoát ra khỏ i bia
vớ i tố c độ trung bình (hình 7.12a).
Năng lư ợ ng trung bình: Năng lư ợ ng ion bắ n phá đã lớ n hơ n năng lư ợ ng
liên kế t củ a các nguyên tử , cho nên các nguyên t ử ở cùng mộ t lớ p đã có
thể dao độ ng mạ nh và thoát ra ngoài bia. Va chạ m củ a các nguyên tử
Hình 7.11. Hiệ n tư ợ ng bắ n phá bia trong phóng điệ n phún xạ :
Ion đư ợ c gia tố c trong lớ p vỏ catố t, va chạ m vớ i nguy ên tử
trong bia và làm bậ t nguyên tử khỏ i bia.Trong đó n là góc
bắ n phá (góc tớ i), 0 - góc phát xạ củ a nguyên tử .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 199
Hình 7.12. Sơ đồ mô tả các cơ chế
phún xạ .
bên trong bia vẫ n chư a xả y ra mộ t nhiề u. Đó là cơ chế “bóc lớ p nguyên
tử ” (hình 7.12b).
Năng lư ợ ng cao: Khái niệ m
năng lư ợ ng cao mang tính t ư ơ ng
đố i và thư ờ ng có nghĩa khi phún
xạ loạ i vậ t liệ u có li ên kế t yế u.
Trong trư ờ ng hợ p này, hiệ u suấ t
bắ n phá có thể cao hơ n 1, thậ m
chí bằ ng hoặ c lớ n hơ n 10. Đó là
cơ chế “bóc cụ m” hay l à phún
xạ nhiệ t, bở i vì tố c độ phún xạ
đạ t giá trị cao như tố c độ bố c
bay nhiệ t (hình 7.12c).
Sự phân chia các cơ chế phún xạ
này cũ ng chỉ mang tính t ư ơ ng
đố i, bở i vì chúng ta không kiể m
soát đư ợ c mộ t cách chính xác
các đạ i lư ợ ng liên quan trong
quá trình phóng điệ n. Tuy nhiên,
đố i vớ i từ ng loạ i vậ t liệ u khác nhau, có thể lự a chọ n năng l ư ợ ng ion thích
hợ p để có đư ợ c quá trình phún xạ như mong muố n.
7.2.3. Hiệ u suấ t phún xạ
Trong phư ơ ng pháp chế tạ o màng mỏ ng bằ ng phún xạ , có hai đạ i l ư ợ ng đặ c
trư ng cơ bả n là hiệ u suấ t bắ n phá ion và xác suấ t lắ ng đọ ng. Về cơ bả n, cả
hai đạ i lư ợ ng này có nhữ ng đặ c trư ng riêng cho phư ơ ng pháp phún x ạ , tuy
nhiên, chúng còn phụ thuộ c nhiề u vào cấ u hình củ a từ ng thiế t bị phún xạ .
Dư ớ i đây chúng ta xem xét mộ t số kế t quả thự c nghiệ m ti êu biể u, mà các tác
giả đã công bố khi họ tiế n hành khả o sát trên hệ thiế t bị củ a mình.
a) Hiệ u suấ t bắ n phá ion
Hiệ u suấ t bắ n phá đư ợ c định nghĩa là tỷ số củ a số nguyên tử đư ợ c thoát ra
khỏ i bia trên mộ t ion bắ n phá lên bia đó. Nó phụ thuộ c vào liên kế t hóa họ c
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
200
và năng lư ợ ng đư ợ c truyề n đi nhờ va chạ m trong bia. Hiệ u suấ t bắ n phá củ a
các vậ t liệ u khác nhau và đư ợ c bắ n phá bở i các ion có khố i l ư ợ ng và năng
lư ợ ng khác nhau đã đư ợ c xác định bằ ng thự c nghiệ m và tính toán từ các
nguyên lý sử dụ ng kỹ thuậ t Monte Carlo.Tr ên bả ng 7.1 cho thấ y hiệ u suấ t
bắ n phá củ a mộ t số ion khí tr ơ có cùng năng lư ợ ng (500 eV) đố i vớ i các bia
kim loạ i.
Còn trên hình 7.13 là đồ thị về sự phụ thuộ c vào năng lư ợ ng ion củ a hiệ u
suấ t bắ n phá đố i vớ i mộ t số nguyên tố . Có thể nhậ n thấ y rằ ng, mặ c dù năng
lư ợ ng bắ n phá củ a các ion cao đế n vài trăm eV, như ng hi ệ u suấ t bắ n phá
cũ ng vẫ n nhỏ . Điề u này cho thấ y để đánh bậ t mộ t nguyên tử ra khỏ i bia đòi
hỏ i năng lư ợ ng tư ơ ng đố i lớ n. Do đó, về năng l ư ợ ng mà nói, thì phún xạ là
phư ơ ng pháp kém hi ệ u quả hơ n nhiề u so vớ i bố c bay chân không, hơ n nữ a
tố c độ bố c bay bằ ng phún xạ cũ ng thấ p h ơ n tố c độ bố c bay nhiệ t.
Bả ng 7.1. Hiệ u suấ t bắ n phá magnetron cao áp mộ t chiề u
bằ ng ion năng lư ợ ng 500 eV đố i vớ i bia kim loạ i
Be
(9)
Al
(27)
Si
(28)
Cu
(64)
Ag
(106)
W
(184)
Au
(197)
He
+
(4 đvnt)
0.24 0.16 0.13 0.24 0.2 0.01 0.07
Ne
+
(20 đvnt)
0.42 0.73 0.48 1.8 1.7 0.28 1.08
Ar
+
(40 đvnt)
0.51 1.05 0.50 2.35 2.4- 0.57 2.4
Kr
+
(84 đvnt)
0.48 0.96 0.50 2.35 3.1 0.9 3.06
Xe
+
(131 đvnt)
0.35 0.82 0.42 2.05 3.3 1.0 3.01
Năng lư ợ ng ngư ỡ ng phún xạ là năng lư ợ ng thấ p nhấ t củ a ion bắ n phá mà có
thể gây ra phún xạ . Nhìn chung, đố i vớ i trư ờ ng hợ p phún xạ bia kim loạ i thì
năng lư ợ ng ngư ỡ ng không thấ p hơ n 25 eV. Đó là năng lư ợ ng cầ n thiế t để
nguyên tử dao độ ng mạ nh đế n mứ c có thể thoát ra khỏ i mạ ng tinh thể củ a
chấ t rắ n.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 201
Hiệ u suấ t bắ n phá còn phụ
thuộ c vào góc bắ n phá củ a
ion trên bề mặ t bia. Khi
góc bắ n phá bằ ng 90
o
(chùm tia ion vuông góc
vớ i bề mặ t bia) hiệ u suấ t
bắ n phá đạ t giá trị cao
nhấ t. Trong phún xạ
nghiêng (đố i vớ i ion argon)
thì tia tớ i có góc 70
o
cho
hiệ u suấ t bắ n phá đạ t giá
trị tố i ư u.
b) Xác suấ t lắ ng đọ ng
Xác suấ t lắ ng đọ ng đư ợ c
định nghĩa là tỷ số các nguyên tử mà thự c tế đã lắ ng đọ ng lên đế trên số
nguyên tử thoát (phát xạ ) ra khỏ i bia. Mộ t cách g ầ n đúng, có thể coi số
nguyên tử phát xạ bằ ng tích củ a ba đạ i l ư ợ ng là dòng phóng điệ n, hiệ u suấ t
bắ n phá và thờ i gian lắ ng đọ ng.
Xác suấ t lắ ng đọ ng nhậ n đư ợ c trên hệ phún xạ magnetron phẳ ng vớ i bia có
bán kính gầ n 20 cm đư ợ c liệ t kê trên bả ng 7.2. Xác suấ t lắ ng đọ ng củ a mỗ i
hệ cũ ng khác nhau bở i vì chúng có cấ u hình khác nhau (về kích thư ớ c bia,
độ che chắ n nguồ n phún xạ , kích thư ớ c chuông chân không, …). Từ bả ng
này có thể nhậ n thấ y rằ ng, xác suấ t lắ ng đọ ng cao nhấ t khi áp suấ t thấ p,
khoả ng cách từ bia đế n đế nhỏ , nguyên tử khí sử dụ ng nhẹ hơ n nguyên tử
cầ n phún xạ . Thí dụ , mặ c dù hiệ u suấ t bắ n phá củ a ion nặ ng như K
+
có cao
hơ n các ion khác, như ng xác suấ t lắ ng đọ ng lạ i giả m đáng kể . Điề u này cho
thấ y, phún xạ tố i ư u cầ n đư ợ c xem xét cho từ ng tr ư ờ ng hợ p cụ thể .
Bả ng 7.2 Xác suấ t lắ ng đọ ng củ a mộ t số hệ phún xạ
Khoả ng cách bia-đế (cm) Áp suấ t (mTorr) Xác suấ t lắ ng đọ ng
Ar, phún xạ bia Cu
5 cm 5, 20, 30 0.63, 0.49, 0.54
Hình 7.13. Hiệ u suấ t bắ n phá ion đố i vớ i
mộ t số bia đơ n chấ t phụ thuộ c
vào năng lư ợ ng củ a ion trong
phún xạ magnetron.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
202
9.5 cm
14.5 cm
5, 20, 30
5, 20, 30
0.48, 0.47, 0.45
0.39, 0.35, 0.31
Ne, phún xạ bia Al
5 cm
9.5 cm
5, 20, 30
5, 20, 30
0.80, 0.56, 0.52
0.40, 0.42, 0.40
Ar, phún xạ bia Al
5 cm
9.5 cm
5, 20, 30
5, 20, 30
0.60, 0.46, 0.42
0.44, 0.45, 0.35
Kr, phún xạ bia Al
5 cm
9.5 cm
5, 20, 30
5, 20, 30
0.52, 0.45, 0.38
0.35, 0.27, 0.22
Nói chung, hiệ u suấ t phún xạ quyế t định quá tr ình lắ ng đọ ng màng. Tuy
nhiên, trong thự c tế phún xạ điề u quan tâm nhiề u h ơ n cả là tố c độ lắ ng đọ ng
màng trên đế và chấ t lư ợ ng củ a chúng. Có nhiề u yế u tố ả nh h ư ở ng lên tố c độ
lắ ng đọ ng. Dư ớ i đây chúng ta xem xét mộ t số yế u tố quan trọ ng nhấ t.
7.2.4. Các yế u tố ả nh hư ở ng lên tố c độ lắ ng đọ ng màng
a) Dòng và thế
Trong hầ u hế t các trư ờ ng hợ p phún xạ thì việ c tăng công suấ t phún xạ cũ ng
không ả nh hư ở ng nhiề u đế n tố c độ lắ ng đọ ng. Mặ t khác như chúng ta đã
thấ y số ion bắ n lên catôt tỷ lệ thuậ n vớ i mậ t độ dòng. Cho nên, yế u tố ả nh
hư ở ng lớ n lên tố c độ lắ ng đọ ng chính l à dòng, hơ n là điệ n thế đặ t trên catôt.
Trên hình 7.14 là số liệ u thự c nghiệ m nhậ n đư ợ c về sự phụ thuộ c chiề u dày
màng mỏ ng vào điệ n thế catôt vớ i thờ i gian phún xạ l à 1 giờ , bia sử dụ ng là
tantan đư ờ ng kính 76 mm. Chúng ta thấ y sau giá trị 1500 V, điệ n thế có tiế p
tụ c tăng hơ n nữ a thì tố c độ lắ ng đọ ng cũ ng chỉ tăng không đáng kể (chiề u
dày củ a màng nhậ n đư ợ c không tăng). Như vậ y trong trư ờ ng hợ p công suấ t
củ a thiế t bị hạ n chế thì chúng ta nên tăng dòng phún xạ và giả m điệ n thế trên
catôt. Việ c tăng dòng phún xạ có thể thự c hiệ n đư ợ c bằ ng cách giả m áp suấ t,
tăng phát xạ điệ n tử , dùng từ trư ờ ng (magnetron), hay tăng diệ n tích bia,
giả m kích thư ớ c bia-đế , …
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 203
Hình 7.15. Tố c độ lắ ng đọ ng màng
phụ thuộ c vào áp suấ t khí
trong phún xạ magnetron
b) Áp suấ t
Chúng ta cũ ng đã biế t, trong kỹ
thuậ t phóng điệ n phún xạ thì khi
tăng áp suấ t, mậ t độ ion tứ c l à mậ t độ dòng sẽ tăng lên. Khi công suấ t phún
xạ đư ợ c giữ không đổ i thì tố c độ lắ ng đọ ng cũ ng tăng theo mậ t độ d òng, có
nghĩa là tăng theo áp suấ t phún xạ .
Trong khoả ng áp suấ t không lớ n lắ m, tố c độ lắ ng đọ ng tăng tuyế n tính theo
áp suấ t. Trên hình 7.15 trình bày kế t quả thự c nghiệ m khả o sát sự phụ thuộ c
vào áp suấ t củ a tố c độ lắ ng đọ ng màng mỏ ng molipđen. Trên hình còn có cả
đư ờ ng phụ thuộ c vào áp suấ t củ a dòng phún xạ . Cả hai đư ờ ng phụ thuộ c đề u
là tuyế n tính, như ng dòng tăng vớ i tố c độ nhanh hơ n tố c độ lắ ng đọ ng.
Điề u này cũ ng chứ ng tỏ số lư ợ ng ion / nguyên tử đư ợ c thoát ra khỏ i bia mà
có thể quay trở lạ i catôt do hiệ u ứ ng khuế ch tán ngư ợ c cũ ng đư ợ c giả m. Tuy
nhiên, hiệ u ứ ng khuế ch tán ngư ợ c chỉ quan sát thấ y khi áp suấ t vư ợ t mộ t giá
trị ngư ỡ ng nhấ t định. Thự c nghiệ m cho thấ y, d òng catôt và tố c độ lắ ng đọ ng
màng không còn tăng theo áp suấ t khi chân không giả m xuố ng, áp suấ t vư ợ t
giá trị
1
1, 3 10 .
÷
× Torr Tố c độ lắ ng đọ ng tố i ư u trong trư ờ ng hợ p phún xạ
bằ ng khí argon nhậ n đư ợ c khi áp suấ t phún xạ bằ ng
2
. 5 6 10
÷
÷ × Torr
Hình 7.14. Tố c độ lắ ng đọ ng phụ thuộ c vào dòng
nhiề u hơ n là vào điệ n thế trên bia trong
phún xạ magnetron.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
204
c) Nhiệ t độ đế
Khác vớ i áp suấ t, nhiệ t độ đế l à yế u tố phứ c tạ p, trong mộ t số tr ư ờ ng hợ p,
tố c độ lắ ng đọ ng phụ thuộ c rấ t mạ nh vào nhiệ t độ đế . Thí dụ , khi hợ p phún
xạ SiO
2
, AsGa, Ge tạ i nhiệ t độ đế thấ p, tố c độ lắ ng đọ ng nhỏ . Còn đa số các
trư ờ ng hợ p khác thì tố c độ lắ ng đọ ng tăng đáng kể khi nhiệ t độ đế giả m từ
cao xuố ng thấ p. Trên hình 7.16 là đồ thị phụ thuộ c vào nhiệ t độ đế củ a tố c
độ lắ ng đọ ng đố i vớ i mộ t số giá trị phân áp tr ên đế .
7.2.5. Các loạ i bia phún xạ
a) Bia kim loạ i
Có thể nói trong các loạ i vậ t liệ u để phún xạ th ì vậ t liệ u kim loạ i đơ n chấ t là
dễ gia công bia hơ n cả . Thí dụ , bia vàng, đồ ng, tantan, platin, v.v... có thể
chế tạ o bằ ng cách đổ khuôn đúng kích th ư ớ c củ a catôt. Do kim loạ i dẫ n điệ n
và dẫ n nhiệ t rấ t tố t cho nên dùng magnetron cao áp mộ t chiề u để phún xạ
các loạ i bia kim loạ i này sẽ cho hiệ u suấ t phún xạ cao. Thí dụ , trong phư ơ ng
pháp hiể n vi điệ n tử (SEM và TEM) ngư ờ i ta thư ờ ng phủ lớ p vàng hay
platin rấ t mỏ ng lên bề mặ t mẫ u cách điệ n (để dẫ n điệ n tử xuố ng catôt). Lớ p
vàng này đư ợ c lắ ng đọ ng trong buồ ng phún xạ mà chân không đư ợ c hút
Hình 7.16. Vai trò củ a nhiệ t độ đế đố i vớ i
tố c độ lắ ng đọ ng thể hiệ n không
rõ rệ t trong phún xạ .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 205
bằ ng hệ bơ m củ a thiế t bị kính hiể n vi. Các bia vàng hay platin sử dụ ng đư ợ c
rấ t lâu, bở i vì mỗ i lầ n phún xạ chúng chỉ bị tẩ y đi mộ t lớ p d ày vài chụ c
nanômét. Màng mỏ ng kim loạ i vàng còn đư ợ c phủ lên đế thủ y tinh để làm
gư ơ ng bán phả n xạ sử dụ ng trong các thiế t bị quang họ c v à laze. Màng
platin hay palađi phân tán bằ ng phún xạ tạ o ra lớ p hoạ t hóa tr ên bề mặ t các
vậ t liệ u silic xố p hay SnO
2
cấ u trúc nanô tinh thể . Nhờ đó mà độ nhạ y củ a
các sensơ khí chế tạ o từ vậ t liệ u kể trên tăng lên đáng kể .
b) Bia hợ p kim
Các vậ t liệ u hợ p kim như CoCrTa, CoNiCrTa, CoCrPt, CoFeTb và
CoCrNiPt (ở đây không đư a các chỉ số thành phầ n vào trong công thứ c)
cũ ng đư ợ c phún xạ . Do màng mỏ ng củ a các hợ p kim đòi hỏ i khắ t khe về
thành phầ n, hơ n nữ a, chúng có từ tính l àm ả nh hư ở ng đế n hiệ u suấ t
magnetron, cho nên vi ệ c gia công bề mặ t bia cầ n phả i đáp ứ ng: (i) độ đồ ng
nhấ t cao về thành phầ n, (ii) độ hợ p thứ c trong cấ u tạ o củ a bia cầ n đ ư ợ c tính
đế n khả năng hóa hơ i khác nhau củ a các thành phầ n sao cho khi phún xạ có
thể nhậ n đư ợ c màng đúng hợ p thứ c mong muố n.
c) Bia hợ p chấ t chứ a ôxy
Các loạ i màng có cấ u trúc nhiề u thành phầ n như màng sắ t từ BaTiO
3
,
LiNbO
3
, SrTiO
3
hay màng siêu dẫ n nhiệ t độ cao YBa
2
Cu
3
O
7
cũ ng đư ợ c chế
tạ o bằ ng phún xạ magnetron. Việ c gia công bia cho các vậ t liệ u tr ên quyế t
định sự thành công củ a công nghệ . Có thể chế tạ o bia gồ m đủ các thành
phầ n cấ u tạ o kể trên, như ng hàm lư ợ ng củ a từ ng nguyên tố thì cầ n điề u
chỉnh sao cho hợ p thứ c trong màng phù hợ p vớ i cấ u trúc củ a từ ng chấ t.
Cách thứ hai là chế tạ o hai hoặ c ba bia l à các oxit, sử dụ ng phư ơ ng pháp
đồ ng phún xạ từ hai hoặ c ba bia đó để nhậ n màng có hợ p thứ c và cấ u trúc
mong muố n.
Cuố i cùng, có thể nhậ n thấ y rằ ng, phư ơ ng pháp phún xạ magnetron còn
đư ợ c ứ ng dụ ng để chế tạ o nhiề u chủ ng loạ i vậ t liệ u khác m à phư ơ ng pháp
bố c bay không thự c hiệ n đư ợ c. Các vậ t liệ u màng mỏ ng oxit hay nitrua đư ợ c
chế tạ o dễ dàng bằ ng cách phún xạ kim loạ i t ư ơ ng ứ ng trong khí argon trộ n
ôxy hoặ c nitơ - gọ i là phún xạ phả n ứ ng. Thiế t bị phún xạ hiệ n đạ i đ ư ợ c tự
độ ng hóa cao, cho nên quá trình lắ ng đọ ng màng mỏ ng có thể khố ng chế
chính xác hơ n. Hầ u hế t các thiế t bị đề u có từ hai đế n ba nguồ n phún xạ (hai
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
206
đế n ba bia), nhờ đó có thể thự c hiệ n phún xạ đồ ng thờ i nhiề u loạ i vậ t liệ u
khác nhau, tạ o ra các màng mỏ ng hợ p chấ t, vậ t liệ u pha tạ p, vậ t liệ u cấ u trúc
nanô phứ c tạ p khác, ... Ở Việ t Nam hiệ n nay cũ ng đã có nhiề u cơ sở nghiên
cứ u và đào tạ o đư ợ c trang bị các thiế t bị phún xạ hiệ n đạ i có đủ các chứ c
năng kể trên.
Câu hỏ i kiể m tra đánh giá
4. Môi trư ờ ng plasma: đặ c trư ng tính chấ t và cách nhậ n plasma trong
điề u kiệ n thự c tế ?
5. Nguyên lý phún xạ cao áp mộ t chiề u và cao tầ n, so sánh ư u và
như ợ c điể m củ a hai loạ i phún xạ trên?
6. Vì sao sử dụ ng magnetron trong phún xạ cao áp mộ t chiề u và cao
tầ n lạ i nâng cao hiệ u suấ t phún xạ , khả năng phún xạ . Nêu lĩnh vự c
ứ ng dụ ng củ a phún xạ magnetron?
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 207
Chư ơ ng 8
Các phư ơ ng pháp phân tích
đặ c trư ng màng mỏ ng
Các mẫ u màng mỏ ng chế tạ o dư ớ i dạ ng đơ n lớ p hoặ c đa lớ p vậ t liệ u khác
nhau gọ i là hệ màng mỏ ng. Như vậ y, linh kiệ n dư ớ i dạ ng màng mỏ ng cũ ng
có thể coi là mộ t hệ màng mỏ ng. Chư ơ ng này đề cậ p đế n các phư ơ ng pháp
phân tích đặ c trư ng màng mỏ ng và bài thự c hành minh họ a kèm theo, qua đó
tìm hiể u khả năng ứ ng dụ ng vào thự c tiễ n củ a mộ t số hệ /linh kiệ n màng
mỏ ng. Màng đơ n lớ p đã là mộ t cấ u trúc phứ c tạ p, hệ màng mỏ ng lạ i càng
phứ c tạ p hơ n. Cho nên để phân tích các hệ màng mỏ ng và các hiệ n tư ợ ng
xả y ra khi có tác dụ ng củ a tr ư ờ ng ngoài áp đặ t (như nhiệ t, điệ n và ánh sáng),
cầ n tiế n hành nhiề u phư ơ ng pháp phân tích khác nhau.
8.1. Giớ i thiệ u các phư ơ ng pháp phân tích màng mỏ ng
Để phân tích màng mỏ ng hay hệ màng mỏ ng hiệ n nay có rấ t nhiề u phư ơ ng
pháp áp dụ ng cho từ ng mụ c đích khác nhau. Nhìn chung, đa số các phư ơ ng
pháp phân tích vậ t liệ u khố i có thể áp dụ ng để phân tích màng mỏ ng. Tuy
nhiên, do màng mỏ ng là vậ t liệ u vớ i đặ c trư ng củ a mộ t hệ hai chiề u, cho nên
khi phân tích các đặ c trư ng củ a chúng, trong nhiề u thiế t bị cầ n gá lắ p th êm
các bộ phậ n phụ trợ chuyên dụ ng, hay khi phân tích đòi hỏ i nhữ ng thao tác
hợ p lý. Bằ ng cách đó sẽ loạ i trừ các tín hiệ u, thông tin phả n ánh sai vớ i thự c
chấ t cấ u tạ o cũ ng như cấ u trúc vậ t liệ u màng. Để thuậ n tiệ n theo dõi, trên
bả ng 8.1 liệ t kê các phư ơ ng pháp phân tích thư ờ ng áp dụ ng, trong đó cộ t thứ
nhấ t là nhữ ng vấ n đề cầ n đư ợ c phân tích đố i vớ i màng mỏ ng, cộ t thứ hai là
các phư ơ ng pháp thích hợ p nhấ t đư ợ c sử dụ ng.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
208
Bả ng 8.1. Các phư ơ ng pháp phân tích
Đố i tư ợ ng nghiên cứ u Phư ơ ng pháp-thiế t bị
Ở mứ c:
- Vĩ mô
- Vi mô
- Mứ c độ nguyên tử
- Hiể n vi quang họ c
- Hiể n vi điệ n tử quét (SEM)
- Hiể n vi điệ n tử truyề n qua (TEM)
- Hiể n vi lự c nguyên tử (AFM)
Cấ u trúc:
- Cấ u trúc bên trong
- Mậ t độ
- Mứ c độ vi mô và nguyên tử
- Nhiễ u xạ tia X (XRD)
- Đo độ dày bằ ng đo bậ c thang
- Dao độ ng cộ ng hư ở ng thạ ch anh
- Ellipsomet
- Nhiễ u xạ điệ n tử năng lư ợ ng thấ p (LEED)
- Nhiễ u xạ điệ n tử năng lư ợ ng cao phả n xạ
(RHEED)
Thành phầ n hóa họ c, cấ u trúc
điệ n tử :
- Thành phầ n nguyên tố
- Tạ p chấ t
- Trạ ng thái liên kế t hóa họ c
- Phổ kế điệ n tử Auger (AES)
- Phân tích tiêu tán năng lư ợ ng tia X
- Phổ kế quang-điệ n tử tia X (X-ray)
- Photo-electron Spectroscope - XPS)
- Tán xạ ngư ợ c Rutherford (RBS)
Tính chấ t quang:
- Phổ truyề n qua, phả n xạ , hấ p thụ
- Chiế t suấ t phụ thuộ c bư ớ c sóng
- Hằ ng số điệ n môi
- Quang phổ kế
- Ellipsometry
Tính chấ t điệ n:
- Tính chấ t thể hiệ n dư ớ i dạ ng
linh kiệ n
- Tính chấ t vậ t liệ u
- Điệ n trở /độ dẫ n điệ n,
điệ n dung
- Phư ơ ng pháp bố n mũ i dò
- Phư ơ ng pháp tụ điệ n
- Phổ tổ ng trở
Tính chấ t từ :
- Vòng từ trễ (hysteresis)
- Hiệ u ứ ng Kerr quang-từ
- Cộ ng hư ở ng thuậ n từ
(Ferro-Magnetic Resonance - FMR)
Tính chấ t cơ họ c:
- Sứ c căng nộ i trong biên phân
cách màng-đế
- Độ bám dính, độ ma sát
- Đo độ cong ứ ng suấ t
- Thử độ bám dính
- Thử lự c ma sát trên đĩa quay
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 209
Trên bả ng 8.2 minh họ a nguyên lý cơ bả n trong mộ t số phư ơ ng pháp kể trên
về sự tư ơ ng tác củ a các chùm tia điệ n tử , ion và bứ c xạ (ánh sáng) trên mẫ u,
cách thu nhậ n tín hiệ u và phư ơ ng pháp phân tích tư ơ ng ứ ng.
Bả ng 8.2. Nguyên lý cơ bả n củ a các phư ơ ng pháp phân tích
Chùm tia
kích thích
Mô hình
Chùm tia
đư ợ c thu
Kỹ thuậ t
tư ơ ng ứ ng
Điệ n tử năng
lư ợ ng cao
(30 keV)
Điệ n tử tán xạ
ngư ợ c và điệ n tử
thứ cấ p
Hiể n vi điệ n tử
quét (SEM)
Điệ n tử năng
lư ợ ng trung bình
(5 keV)
Điệ n tử thứ cấ p
Phổ kế điệ n tử
Auger (AES)
Bứ c xạ tia X
(1 keV)
Điệ n tử thứ cấ p
Phổ kế quang-
điệ n tử tia X
(XPS)
Điệ n tử năng
lư ợ ng thấ p
(100 eV)
Điệ n tử nhiễ u xạ
Nhiễ u xạ điệ n tử
năng lư ợ ng thấ p
(LEED)
Điệ n tử năng
lư ợ ng tư ơ ng đố i
thấ p (5 keV)
Điệ n tử nhiễ u xạ
Nhiễ u xạ điệ n tử
năng lư ợ ng cao
phả n xạ
(RHEED)
Ion năng lư ợ ng
tư ơ ng đố i cao
(2-30 keV)
Ion thứ cấ p
Phổ kế khố i
lư ợ ng ion thứ
cấ p (SIMS)
Ánh sáng phân
cự c (2 eV)
Ánh sáng
phân cự c
Ellipsometry
Dư ớ i đây, sẽ giớ i thiệ u mộ t số phư ơ ng pháp chính để phân tích và khả o sát
tính chấ t củ a màng mỏ ng, như các phư ơ ng pháp xác định chiề u dày, hiể n vi
điệ n tử quét (SEM), hiể n vi lự c nguyên tử (AFM), nhiễ u xạ tia X (XRD),
phổ điệ n tử -quang tia X (XPS), phổ truyề n qua và phả n xạ , ellipsomet, và
các phép đo điệ n trở .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
210
Hình 8.1. Sơ đồ đầ u dò trong phư ơ ng pháp đo
biên dạ ng
8.2. Các phư ơ ng pháp xác định chiề u dày màng mỏ ng
8.2.1. Phư ơ ng pháp đo biên dạ ng bằ ng đầ u dò hình kim
Mô hình cấ u tạ o củ a thiế t bị xác định chiề u d ày và độ ghồ ghề theo nguyên
lý cả m biế n điệ n trư ờ ng đư ợ c mô tả trên hình 8.1.
Cả m biế n này ghi nhậ n các tín hiệ u điệ n-từ trư ờ ng thay đổ i theo phư ơ ng
thẳ ng đứ ng (suy ra độ dày củ a màng) trong khi kim dò chuyể n dịch theo
phư ơ ng nằ m ngang, từ đó xác định độ ghề củ a màng. Độ phân giả i theo
phư ơ ng thẳ ng đứ ng là 10A
o
, bư ớ c dịch chuyể n từ 200 A
o
đế n 65 um. Phân
giả i theo phư ơ ng nằ m ngang phụ thuộ c vào bán kính củ a đầ u kim dò.
8.2.2. Phư ơ ng pháp dao độ ng thạ ch anh
Để theo dõi qua trình bố c bay (tố c độ bố c bay) trong chân không, bộ cộ ng
hư ở ng dao độ ng thạ ch anh vẫ n đư ợ c sử dụ ng nhiề u hơ n cả . Nguyên lý cơ
bả n củ a phư ơ ng pháp dao độ ng thạ ch anh là dự a vào sự phụ thuộ c củ a tầ n số
cộ ng hư ở ng và khố i lư ợ ng củ a phiế n thạ ch. Khố i l ư ợ ng củ a phiế n thạ ch anh
sẽ tăng lên khi nó bị phủ mộ t lớ p màng mỏ ng. Cấ u tạ o củ a đầ u thu l à mộ t
phiế n thạ ch anh mỏ ng, đư ợ c mài song phẳ ng hai mặ t. Trên các mặ t ấ y tạ o
tiế p xúc nố i vớ i nguồ n phát tầ n số và đặ t chế độ cộ ng hư ở ng. Phiế n thạ ch
anh đư ợ c cắ t từ thỏ i đơ n tinh thể (có trong tự nhiên) theo mặ t tinh thể họ c
nhấ t định. Theo hư ớ ng củ a mặ t đó, tầ n số cộ ng hư ở ng dao độ ng thạ ch anh
phụ thuộ c vào chiề u dày củ a phiế n là:
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 211
q
o
f N d
,
/ =
(8.1)
trong đó:
o
f là tầ n số cộ ng hư ở ng,
6
N 1, 67 10 Hz.mm = × ,
q d là chiề u dày củ a phiế n thạ ch anh.
Khi bề mặ t phiế n thạ ch anh đư ợ c phủ mộ t lớ p màng mỏ ng, chiề u dày củ a
phiế n tăng lên làm cho tầ n số cộ ng hư ở ng bị dịch chuyể n về phía tầ n số nhỏ
hơ n. Độ dịch củ a tầ n số ( f ) A đư ợ c tính bằ ng công t hứ c sau:
(8.2)
trong đó:
K là hệ số gầ n bằ ng đơ n vị,
M A là khố i lư ợ ng chấ t bố c bay tính theo g/cm
2
,
q
p là khố i lư ợ ng riêng củ a thạ ch anh (g/cm
3
),
m
A là diệ n tích điệ n cự c phủ trên bề mặ t phiế n thạ ch anh.
Mộ t cách gầ n đúng, cho rằ ng khố i l ư ợ ng riêng củ a màng mỏ ng
m
( ) p bằ ng
khố i lư ợ ng riêng củ a vậ t liệ u gố c, và trong trư ờ ng hợ p diệ n tích
2
m
A 1cm , = chúng ta có
m m m
M V d A A = p × = p × × . Công thứ c (8.2) cho
thấ y sự phụ thuộ c củ a độ lệ ch tầ n số cộ ng h ư ở ng theo độ dày củ a màng
mỏ ng có dạ ng:
(8.3)
Dao độ ng cộ ng hư ở ng củ a thạ ch anh rấ t nhạ y vớ i sự thay đổ i củ a khố i l ư ợ ng
(tứ c bề dày vậ t chấ t trên phiế n dao độ ng), cho nên bộ cộ ng hư ở ng thạ ch anh
cho phép theo dõi quá trình bố c bay trong chân không vớ i độ chính xác cao.
Độ thay đổ i bề dày củ a màng có thể phát hiệ n đư ợ c đế n 1Å. Tuy nhiên, tác
độ ng nhiệ t rấ t dễ làm cho phép đo bị nhiễ u loạ n, do đó ngư ờ i ta phả i đặ t
phiế n cộ ng hư ở ng trong bộ gá đư ợ c làm lạ nh. Chiề u dày tố i đa củ a lớ p phủ
trên phiế n dao độ ng quyế t định bở i độ lệ ch tầ n số cộ ng h ư ở ng. Vớ i phiế n
dao độ ng có tầ n số cộ ng hư ở ng 5 MHz thì độ lệ ch tầ n số đư ợ c phép
trong khoả ng từ 50 ÷ 100 kHz. Do đó, khố i lư ợ ng bố c bay lớ n nhấ t có thể

2
max
M 1 2mg/cm, A = ÷ chiề u dày lớ n nhấ t tư ơ ng ứ ng sẽ là 500÷5000 nm
2
q q m
K.N. M
f ,
d A
A
A = ÷
p
2
m
q q
f K.N. .d.
.d
|
|
A = ÷
|
' ¹
p
p
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
212
hay 0, 5 m 5 m. u ÷ u Bình thư ờ ng sau nhiề u lầ n bố c bay ngư ờ i ta phả i thay
phiế n cộ ng hư ở ng thạ ch anh. Việ c tẩ y lớ p phủ tr ên phiế n thạ ch anh cũ ng
cho phép dùng lạ i mộ t hai lầ n phiế n thạ ch anh đó, tuy nhi ên kế t quả đo
không còn đư ợ c chính xác như nhữ ng lầ n đầ u.
8.2.3. Phư ơ ng pháp hi ể n vi giao thoa
Kính hiể n vi giao thoa đư ợ c chế tạ o để khả o sát cấ u trúc h ình thái họ c bề
mặ t củ a vậ t rắ n, đồ ng thờ i quan sát độ gồ ghề củ a bề mặ t mẫ u. V ì thế , chiề u
dày củ a màng cũ ng có thể xác định bằ ng phư ơ ng pháp này mộ t cách khá
chính xác. Đặ c điể m chính củ a hiể n vi giao thoa l à từ mộ t nguồ n chiế u sáng,
có thể tạ o ra hai tia sáng nhờ các lăng kính bán trong suố t. Do đó m à hiệ n
tư ợ ng giao thoa xả y ra khi sử dụ ng chứ c năng chiế u sáng đồ ng thờ i hai
chùm tia có quãng đư ờ ng quang họ c khác nhau. Đo độ dịch chuyể n củ a vân
giao thoa nhậ n đư ợ c trên biên phân cách màng và đế sẽ xác định đư ợ c chiề u
dày củ a màng. Để có kế t quả đo chính xác, trong mẫ u đo cầ n tạ o ra ranh giớ i
rõ rệ t phân chia đế và màng.
Khi chiế u ánh sáng đơ n sắ c (thí dụ ánh sáng qua phin lọ c vớ i ì=546,1 nm)
lên bề mặ t mẫ u chứ a ranh giớ i tr ên, chúng ta quan sát thấ y hai hệ vân đen và
vân xanh, sơ đồ ả nh giao thoa đư ợ c trình bày trên hình 8.2. Độ dịch chuyể n
củ a vân giao thoa (mà giá tr ị củ a nó gọ i l à l) tỷ lệ vớ i chiề u dày củ a
màng, theo công thứ c sau:
(8.4)
trong đó:
L là khoả ng cách giữ a các vân giao thoa,
ì là bư ớ c sóng đơ n sắ c củ a ánh sáng sử dụ ng trong kính hiể n vi.
Độ chính xác củ a phư ơ ng pháp này tư ơ ng đố i cao. Vớ i kính hiể n vi giao
thoa hiệ n đạ i như ngày nay, tỷ số L l / có thể đọ c đư ợ c trên thang chia độ
chính xác t ớ i 0,05. Do đó chiề u dày nhỏ nhấ t có thể xác đị nh đ ư ợ c
vào khoả ng:
l
,
d
2 L
= ×
i
546,1 0, 05
. nm d 0, 05 14 ( )
2 2
×
= × = ~
i
Hình 8.2. Sơ đồ các vân giao thoa nhậ n đư ợ c
trên kính HVGT tạ i biên phân cách
giữ a màng và đế .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 213
8.2.4. Màng mỏ ng quang họ c đa lớ p
Các lớ p màng mỏ ng đư ợ c coi là các lớ p song phẳ ng kéo dài vô tậ n mà chiề u
dày mỗ i lớ p xấ p xỉ bư ớ c sóng ánh sáng. Tính chấ t quang củ a các lớ p n ày
đư ợ c quyế t định bở i chiế t suấ t (n), hệ số hấ p thụ ( o) và chiề u dày (d) củ a
mỗ i lớ p.
Mố i liên hệ giữ a hệ số hấ p thụ vớ i cư ờ ng độ ánh sáng tớ i I
o
(ì) và cư ờ ng độ
ánh sáng truyề n qua I
T
(ì) khi đi qua mẫ u tuân theo định luậ t Bougver-
Lamber:
. )
d
T 0
I I e .
÷ o
ì = (8.5)
Để thiế t lậ p mố i liên hệ giữ a hệ số hấ p thụ o vớ i hệ số phả n xạ R và truyề n
qua T, chúng ta tính cư ờ ng độ ánh sáng đi qua mẫ u I
T
(ì), tính đế n cả hiệ n
tư ợ ng phả n xạ bên trong mẫ u ở trên hai bề mặ t và góc khúc xạ thoả mãn
điề u kiệ n sin0 << 1.
(8.6)
Từ đó hệ số truyề n qua:
(8.7)
Suy ra:
(8.8)
. ) . ) . ) . )
. ) . )
. )
. )
2 2 2
3 5 2 4
d d d
T 0 0 0
2 2
3 2
d d
0 0
2
2 2
d d
0
I 1 R I e R 1 R I e R 1 R I e ...
1 R I e R 1 R I e
1 R I e / 1 R e .
÷o ÷ o ÷ o
÷o ÷ o
÷o ÷ o
ì = ÷ + ÷ + ÷ +
~ ÷ + ÷
~ ÷ ÷
. ) . )
. )
. )
. )
2 2
2 2
2
2
d d
T 0
d d
T I / I 1 R e / 1 R e
1 R e / e R .
÷ o ÷ o
o o ]
]
]
= ì = ÷ ÷
= ÷ × ÷
2 4
2
2
d
1
ln
d
(1 R) (1 R)
.
R
2T
4T
]
÷ ÷
] o = + +
]
]
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
214
Hình 8.3. Hệ màng quang họ c đa lớ p trên
đế có chiế t suấ t n
1
. Xen kẽ các
lớ p màng có chiề u dày quang
họ c h
2
và h
3
vớ i n
2
> n
3
.
Khi chiế u phổ ánh sáng l ên màng mỏ ng chúng ta sẽ nhậ n đư ợ c các phổ
quang họ c đặ c trư ng là truyề n qua (T, %), phả n xạ (R, %) và hấ p thụ (A, %),
thoả mãn điề u kiệ n T + R + A = 1. Trong trư ờ ng hợ p có mộ t lớ p màng
mỏ ng, hệ số phả n xạ
12
R củ a màng đư ợ c xác định bằ ng công thứ c Frenken:
(8.9)
Trong đó chỉ số 1 và 2 trong hệ số phả n xạ ký hiệ u ranh giớ i giữ a không khí
(chân không) và màng.
Khi
2 2
n o (tứ c là khi thì:
(8.10)
Đố i vớ i mộ t hệ màng cấ u tạ o từ các lớ p có chiế t suấ t khác nhau, phả n xạ
nhiề u lầ n xả y ra trong màng dẫ n đế n hệ số phả n xạ tổ ng hợ p phụ thuộ c v ào
đặ c điể m cấ u hình củ a hệ màng, như trình tự xen kẽ giữ a lớ p có chiế t suấ t
lớ n và bé cũ ng như chiề u dày củ a các lớ p tư ơ ng ứ ng. Bài toán về hệ màng
đa lớ p đã đư ợ c nhiề u tác giả nghi ên cứ u và thiế t lậ p các chư ơ ng trình tính
toán thích hợ p để nhậ n hệ màng khử phả n xạ (tứ c là truyề n qua cao), hệ
màng phả n xạ cao (truyề n qua thấ p) và hệ màng bán phả n xạ hay các "phin
lọ c" ánh sáng.
Trong hệ màng đa lớ p (hình
8.3) chiề u dày quang họ c (A)
là các giá trị ứ ng vớ i mì/4 (m
= 2n + 1, n là các số nguyên)
quyế t định hệ số phả n xạ cự c
đạ i (hay cự c tiể u) phụ thuộ c
vào hệ số chiế t suấ t củ a màng
lớ n hơ n (hay nhỏ hơ n) hệ số
chiế t suấ t củ a môi trư ờ ng.
Khi h bằ ng mì/2 (m là các số
nguyên) chúng ta sẽ có
trư ờ ng hợ p ngư ợ c lạ i. Bằ ng
. )
. )
2
2
12
2
2
n 1
.
R
n 1
÷ + o
=
+ + o
g
g
h
E
c
) ì ì =
2
12
n 1
.
R
n 1
| ÷
=
|
+
' ¹
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 215
công nghệ bố c bay chân không, có thể chế tạ o các hệ màng mỏ ng quang họ c
có tính chấ t quang theo ý muố n. Dư ớ i đây là mộ t thí dụ về công nghệ chế tạ o
gư ơ ng lạ nh mà nguyên lý hoạ t độ ng như mộ t phin lọ c ánh sáng.
Thiế t kế . Chế tạ o hệ màng mỏ ng đa lớ p hai thành phầ n vớ i chiề u dày quang
họ c X và Y tư ơ ng ứ ng có chiế t suấ t thấ p (L) và chiế t suấ t cao (H). Chúng ta
ký hiệ u hệ màng này bằ ng các ký tự :
ứ ng vớ i trư ờ ng hợ p cụ thể là
. )
m
1 1 1 i 1 m 1
S0, 5X L 0, 5X LYH0, 5X L 0, 5X L
+ +
hoặ c bằ ng các ký tự :
1 1 1 1 m 1
SYHX L...YHX L...Y L
+
và cụ thể là
. )
m
1 1 1 i 1 m 1
S0, 5X L 0, 5X LYH0, 5X L 0, 5X L,
+ +
trong đó:
S là đế có chiế t suấ t n
a
,
H, L là các lớ p điệ n môi dày ì/4 vớ i chiế t suấ t tư ơ ng ứ ng cao và thấ p.
X
1
, Y
1
là hệ số đặ c trư ng cho chiề u dày quang họ c củ a lớ p màng,
m là tham số củ a nhóm các lớ p mà số tổ ng quát củ a nó l à N = 2m+1,
i là các số nguyên 1,2,3,...
Tính chấ t quang họ c củ a mộ t hệ màng đư ợ c xác định bở i cấ u trúc cơ sở
. ) L X H LY X
i 1 1 1
5 , 0 5 , 0
+
hoặ c . ) H Y L HX Y
i 1 1 1
5 , 0 5 , 0
+
và phụ thuộ c vào bậ c q,
hay:
Cấ u trúc đơ n giả n nhấ t củ a mộ t gư ơ ng lạ nh có dạ ng H HL S
m
) ( hoặ c
L LH S
m
) ( . Chiề u dày quang họ c củ a các lớ p trong hệ nêu trên bằ ng 1/4
bư ớ c sóng ánh sáng lự a chọ n (ứ ng vớ i tr ư ờ ng hợ p phả n xạ cự c đạ i), có
nghĩa là . 1
1 1
= = Y X
Phổ phả n xạ củ a hệ màng mỏ ng gồ m các lớ p có chiề u dày quang họ c như
nhau đặ c trư ng bở i cấ u trúc cơ sở và có hệ số phả n xạ cao ở vùng bư ớ c
sóng dài,
. )
1 1 i 1
1
q 0, 5X Y 0, 5X H
2
+
= + +
. )
1 1 i 1
1
q 0,5Y X 0,5Y
2
+
= + +
1 1 1 1 m 1
SX LYH...X LYH...X H
+
0
k
,
2k 1
ì
ì =
+
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
216
0
0
H L , 500nm.
4
ì
A = A = ì =
vớ i k = 0, 1, 2, ...
Độ rộ ng củ a vạ ch phả n xạ cao xác định bằ ng biể u thứ c:
(8.11)
Có thể chế tạ o hệ màng điệ n môi nhiề u lớ p vớ i chiề u dày quang họ c ì/4 cho
hệ số phả n xạ mong muố n và hệ số hấ p thụ thấ p đế n mứ c có thể bỏ qua. Để
có hệ màng điệ n môi phả n xạ làm việ c ở vùng tử ngoạ i và khả kiế n thì giá trị
củ a q A vào khoả ng 0,2 ÷0,4, tư ơ ng ứ ng 500nm. ì = độ rộ ng vạ ch phả n xạ
nhậ n đư ợ c trong khoả ng 100÷180 nm.
Thự c nghiệ m chế tạ o. Căn cứ vào tính chấ t quang, độ bề n cơ họ c và điề u
kiệ n công nhệ có thể chọ n hai loạ i vậ t liệ u trong suố t có chiế t suấ t cao v à
thấ p tư ơ ng ứ ng ZnS (n = 2,35) và MgF
2
(n=1,38). Vớ i hai loạ i vậ t liệ u này
tạ i ì
0
= 550 nm độ rộ ng củ a phổ tính theo công thứ c (8.11) l à 180 nm. Để
nhậ n dư ợ c R cao hơ n 90% hệ màng ì/4 phả i có tố i thiể u 9 lớ p, trong đó lớ p
trong cùng và ngoài cùng đề u là lớ p vậ t liệ u chiế t suấ t cao. Như vậ y cấ u trúc
củ a hệ màng mỏ ng có dạ ng:
Đế / . ) / /
4
H HL không khí.
Độ dày mỗ i lớ p bằ ng:
Tư ơ ng tự , cấ u trúc hệ màng 19 lớ p có dạ ng:
Đế . ) . ) / 2 2 /
2 2
4
2 2 1 1
4
1 1 1
L H L H L H L H L không khí.
Phổ phả n xạ nhậ n đư ợ c từ thự c nghiệ m trên hệ màng này có dạ ng như trên
hình 8.4. Phổ này cho thấ y, hệ màng mỏ ng đa lớ p có tác dụ ng như mộ t phin
lọ c ánh sáng. Nó chỉ phả n xạ ánh sáng có b ư ớ c sóng từ 400 nn đế n 730 nm,
đó là vùng khả kiế n.
h 1
h 1
1
1
n /n
4
.
arcsin
n /n
÷
Am =
t
+
Hình 8.4. Phổ phả n xạ củ a hệ màng mỏ ng quang
chế tạ o từ 19 lớ p xen kẽ ZnS và MgF
2
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 217
Màng đa lớ p phủ trên gư ơ ng cầ u sẽ không phả n xạ bứ c xạ vùng cự c tím và
hồ ng ngoạ i. Loạ i gư ơ ng cầ u này vì thế đư ợ c gọ i là ‘gư ơ ng lạ nh’. Số liệ u
thự c nghiệ m để chế tạ o hệ màng 19 lớ p bằ ng phư ơ ng pháp bố c bay trong
chân không trình bày trong bả ng 8.4.
Bả ng 8.3. S ố liệ u thự c nghiệ m chế tạ o gư ơ ng lạ nh 19 lớ p
Số TT Vậ t liệ u Chiế t suấ t
Chiề u dày
màng (nm)
Chiề u dày
quang họ c
nA (nm)
Thuỷ tinh
BK7
1,52 Đế
1 MgF
2
1,38 85 118
2 ZnS 2,35 50 118
3 MgF
2
1,38 85 118
4 ZnS 2,35 50 118
5 MgF
2
1,38 85 118
6 ZnS 2,35 50 118
7 MgF
2
1,38 85 118
8 ZnS 2,35 50 118
9 MgF
2
1,38 94 129
10 ZnS 2,35 59 139
11 MgF
2
1,38 107 148
12 ZnS 2,35 63 148
13 MgF
2
1,38 107 148
14 ZnS 2,35 63 148
15 MgF
2
1,38 107 148
16 ZnS 2,35 63 148
17 MgF
2
1,38 107 148
18 ZnS 2,35 63 148
19 MgF
2
1,38 107 148
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
218
8.3. Phân tích cấ u trúc bề mặ t bằ ng hiể n vi
điệ n tử quét và lự c nguyên tử
Hiể n vi điệ n tử quét (SEM) là mộ t trong các phư ơ ng pháp chụ p ả nh bề mặ t
củ a mẫ u. Nói về độ phân giả i củ a SEM, chúng ta có thể so sánh, thí dụ đố i
vớ i mắ t ngư ờ i bình thư ờ ng giớ i hạ n củ a độ phân giả i l à 700.000 Å (70 um).
Phân giả i cao hơ n mắ t thư ờ ng là kính hiể n vi quang họ c, độ phân giả i bằ ng
300 nm. Độ phân giả i củ a SEM hiệ n nay đạ t 30 Å. Còn hiể n vi điệ n tử
truyề n qua (TEM) có độ phân giả i cao h ơ n, đạ t 1 Å. Độ phân giả i nằ m trong
khoả ng từ 1 đế n 100 Å là củ a hiể n vi ion trư ờ ng (FIM) và hiể n vi đầ u dò
quét trư ờ ng gầ n (NFSPM).
Kích thư ớ c nhỏ nhấ t củ a mẫ u có thể l à 0,1 mm, kích thư ớ c lớ n nhấ t phụ
thuộ c vào thiế t bị SEM cụ thể , thư ờ ng thì các mẫ u có kích thư ớ c lớ n bằ ng
bộ gá mẫ u, khoả ng 50 mm. Sơ đồ củ a mộ t kính hiể n vi điệ n tử quét đ ư ợ c
trình bày trên hình 8.5. Chùm tia điệ n tử hộ i tụ lên mẫ u tạ o ra vùng tư ơ ng
tác có đư ờ ng kính và chiề u sâu khoả ng 1um.
Tuy nhiên ả nh SEM chỉ tạ o thành từ các điệ n tử thứ cấ p đi từ độ sâu d ư ớ i
100 A
o
(Hình 8.6). Cho nên đố i vớ i các màng quá mỏ ng không nên sử dụ ng
Hình 8.5. Sơ đồ cấ u tạ o củ a mộ t kính hiể n vi điệ n tử .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 219
Hình 8.7. Sơ đồ đầ u dò trong hiể n
vi lự c nguyên tử (AFM).
Hình 8.6. Vùng tư ơ ng tác củ a chùm tia
điệ n tử vớ i bề mặ t vậ t rắ n.
SEM để khả o sát cấ u trúc bề mặ t, vì kế t quả nhậ n đư ợ c có thể bị ả nh
hư ở ng củ a bề mặ t đế .
Phư ơ ng pháp AFM có thể áp dụ ng để khả o sát mẫ u rấ t mỏ ng, bở i v ì ả nh tạ o
bở i phư ơ ng pháp này là do l ự c nguyên tử củ a lớ p ngoài cùng là chính. Bán
kính củ a mũ i dò thư ờ ng nhỏ hơ n 400 Å (hình 8.7).
Qua ả nh củ a hai phư ơ ng pháp SEM và AFM đề u có thể tính kích thư ớ c hạ t
tinh thể và độ ghồ ghề củ a
màng mỏ ng. Tuy nhiên,
phư ơ ng pháp AFM cho kế t
quả về độ ghồ ghề chính xác
hơ n, còn SEM cho thông tin
về cấ u trúc hình thái họ c bề
mặ t tố t hơ n. Trong nhiề u
thiế t bị SEM có gắ n hệ vi
phân tích tia X bằ ng dò điệ n
tử (Electron Probe X-ray
Microanalysis - EPMA).
Bằ ng thiế t bị này, có thể khả o
sát phân bố thành phầ n cấ u
tạ o củ a màng mỏ ng bằ ng
cách quan sát và chụ p ả nh bề
mặ t củ a mẫ u bằ ng SEM, sau
đó phân tích thành phầ n cấ u
tạ o bằ ng EPMA.
8.4. Phân tích cấ u trúc tinh thể
8.4.1. Phư ơ ng pháp nhi ễ u xạ tia X
Bư ớ c sóng đặ c trư ng củ a tia X trong khoả ng 1 Å (thí dụ , củ a đồ ng là 1,5406 Å).
Kích thư ớ c này nhỏ hơ n hoặ c cùng thứ bậ c vớ i khoả ng cách giữ a các mặ t
mạ ng tinh thể , cho nên khi chiế u tia X lên chấ t rắ n chúng ta sẽ nhậ n đư ợ c
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
220
hình ả nh nhiễ u xạ củ a tia X vớ i mặ t mạ ng tinh thể . Ph ư ơ ng pháp này có khả
năng xác định hằ ng số mạ ng củ a ô cơ sở , phân tích pha cấ u trúc trong mẫ u
(vớ i độ phân giả i khoả ng 3% khố i l ư ợ ng) hoặ c nghiên cứ u khuyế t tậ t trong
tinh thể . Các mẫ u để phân tích thư ờ ng đã kế t tinh, nế u không phả i l à tinh thể
thì nhiễ u xạ tia X không xả y ra. Các máy nhiễ u xạ hiệ n đạ i có thể phân tích
cấ u trúc củ a mẫ u vớ i khố i l ư ợ ng thấ p đế n 1 mg. Độ xuyên sâu củ a tia X vào
trong chấ t rắ n đạ t 10 đế n 100 um.
Công thứ c cơ bả n sử dụ ng trong phân tích nhiễ u xạ tia X l à phư ơ ng trình
Bragg mô tả định luậ t nhiễ u xạ tia X, đó l à:
hkl
2d sin , 0 ì = (8.12)
trong đó:
hkl
d là khoả ng cách giữ a hai mặ t mạ ng liề n kề (vớ i chỉ số Miller
(hkl) - đặ c trư ng cho đố i xứ ng củ a mạ ng),
0 là góc nhiễ u xạ ,
i là bư ớ c sóng tia X sử dụ ng.
Trong trư ờ ng hợ p này, chúng ta chỉ dùng đế n nhiễ u xạ bậ c 1, cho nên vế
phả i không có hệ số n. Trên hình 8.8a minh họ a hiệ n tư ợ ng nhiễ u xạ tia X
trên mặ t phẳ ng mạ ng tinh thể , qua đó có thể chứ ng minh công thứ c Bragg.
Trong phư ơ ng pháp đa tinh thể , từ thự c nghiệ m ghi giả n đồ nhiễ u xạ tia X
vớ i bư ớ c sóng i (bư ớ c sóng củ a ố ng phát tia X đư ợ c sử dụ ng), chúng ta xác
Hình 8.8. a) Hiệ n tư ợ ng nhiễ u xạ tia X trên
mặ t mạ ng tinh thể
b) S ơ đồ nguyên lý củ a máy nhiễ u xạ tia X .
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 221
định đư ợ c góc nhiễ u xạ , do đó tính ra khoả ng cách mặ t mạ ng
hkl
d . Hằ ng số
mạ ng a, b, c xác định từ ,
100
d
010
d và
001
d . Bả ng tậ p hợ p các
hkl
d cùng vớ i
cư ờ ng độ nhiễ u xạ có trong các tệ p dữ liệ u về cấ u trúc tinh thể (hiệ n nay
trong phầ n mề m củ a thiế t bị đã có sẵ n các tệ p tra cứ u này), do đó chúng ta
có thể so sánh đố i chiế u các tậ p hợ p
hkl
d nhậ n đư ợ c từ thự c nghiệ m phù
hợ p vớ i cấ u trúc đã biế t. Trong màng mỏ ng chứ a nhiề u pha cấ u trúc khác
nhau (thí dụ trong oxit vanađi có VO
2
, V
2
O
5
, V
2
O
3
, …) thì trên giả n đồ
nhiễ u xạ cũ ng sẽ có các đỉnh đặ c tr ư ng cho từ ng pha cấ u trúc đó. Do vậ y về
ý nghĩa thự c tiễ n thì phư ơ ng pháp ghi giả n đồ nhiễ u xạ tia X chỉ l à phư ơ ng
pháp khả o sát các cấ u trúc củ a màng trên cơ sở đã biế t các cấ u trúc đó.
Muố n nghiên cứ u cấ u trúc củ a mộ t tinh thể mớ i th ì phả i sử dụ ng phư ơ ng
pháp đơ n tinh thể .
Hiệ n nay vớ i việ c phát triể n kỹ thuậ t nhiễ u xạ tia X, ngư ờ i ta đã chứ ng minh
đư ợ c phư ơ ng pháp ghi giả n đồ nhiễ u xạ hoàn toàn có thể áp dụ ng để xác
định kích thư ớ c hạ t tinh thể trong màng mỏ ng (hay trong vậ t liệ u nói chung).
Đó là công thứ c Sherrer:
(8.13)
trong đó:
là kích thư ớ c hạ t tinh thể ,
þ là độ rộ ng (tính theo radian) củ a đỉnh nhiễ u xạ tạ i 1/2 chiề u cao củ a
đỉnh (độ rộ ng bán đỉnh),
0 là góc nhiễ u xạ ,
ì
là bư ớ c sóng tia X sử dụ ng.
Từ công thứ c trên chúng ta nhậ n thấ y đố i vớ i tinh thể khố i có cấ u trúc ho àn
hả o (không có hạ t nanô tinh thể ) th ì tấ t cả các đỉnh đề u nhọ n, không có độ
rộ ng bán đỉnh 0 ( ÷ b thì
).
g
÷ · t
Nhiễ u xạ tia X củ a màng mỏ ng thư ờ ng
cho các đỉnh không sắ c nhọ n như trong trư ờ ng hợ p tinh thể khố i, còn màng
mỏ ng cấ u trúc nanô cho các đỉnh t ư ơ ng đố i tù vớ i cư ờ ng độ nhiễ u xạ
không lớ n.
Ứ ng dụ ng. Trên mộ t giả n đồ nhiễ u xạ tia X củ a mộ t màng mỏ ng cấ u trúc
nanô tạ i góc nhiễ u xạ
0
42 2 = 0 có đỉnh nhiễ u xạ vớ i độ rộ ng bán đỉnh đo
đư ợ c là
0
3 , 0 . Tính kích thư ớ c củ a hạ t tinh thể .
g
0, 9
,
cos
ì
t =
þ 0
g
t
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
222
Trư ớ c hế t chúng ta phả i đư a số liệ u đo đư ợ c về góc 10 : Góc nhiễ u xạ
0 0
21 2 / 42 = = 0 , độ bán rộ ng bằ ng , 15 , 0 2 / 3 , 0
0 0
= đổ i ra radian:
Áp dụ ng công thứ c (8.13), ta có:

8.4.2. Phư ơ ng pháp phổ kế quang-điệ n tử tia X (XPS)
Nguyên lý hoạ t độ ng củ a phư ơ ng pháp này là dùng chùm tia X có năng
lư ợ ng ¸ h (cỡ 1 keV) bắ n lên mẫ u /màng mỏ ng. Dư ớ i tác dụ ng củ a năng
lư ợ ng này điệ n tử củ a nguyên tử trong vậ t liệ u cầ n phân tích bị kích thích v à
thoát ra khỏ i bề mặ t củ a vậ t liệ u đó. Trung bình các điệ n tử thuộ c nguyên tử
/ phân tử nằ m dư ớ i bề mặ t khoả ng 30 Å có thể bị bứ t ra khỏ i nguyên tử .
Độ ng năng củ a các điệ n tử thoát ra khỏ i vậ t liệ u đúng bằ ng năng l ư ợ ng
¸ h mà chúng nhậ n đư ợ c và chính là năng lư ợ ng liên kế t củ a điệ n tử . Như
vậ y trong phư ơ ng pháp XPS, chúng ta s ẽ nhậ n đư ợ c các đỉnh (nơ i xả y ra
thoát điệ n tử ) trong dả i quét năng l ư ợ ng tia X . Vì vậ y trên đồ thị XPS, trụ c
hoành là năng lư ợ ng tia X đư ợ c quét, như ng đư ợ c gọ i là trụ c “năng lư ợ ng
liên kế t”. Điề u này giúp chúng ta dễ phân tích: các đỉnh củ a phổ năng l ư ợ ng
phả n ánh giá trị củ a năng l ư ợ ng liên kế t củ a điệ n tử trong nguyên tử hoặ c
phân tử . Trụ c tung là cư ờ ng độ lấ y theo đơ n vị tư ơ ng đố i. Trên hình 8.9 là
sơ đồ nguyên lý củ a phư ơ ng pháp XPS. Do năng lư ợ ng liên kế t các nguyên
tử đơ n khác vớ i năng lư ợ ng liên kế t củ a nguyên tử đó trong phân tử (thí dụ
Si trong đơ n tinh thể khác vớ i Si trong SiO
2
, C-C khác vớ i C-O-C, v.v…)
cho nên XPS là phư ơ ng pháp phân tích đư ợ c cấ u trúc điệ n tử trong li ên kế t,
từ đó xác định thành phầ n nguyên tố và các thông tin về trạ ng thái hóa họ c
khác. Tấ t cả các mẫ u rắ n đề u phân tích đ ư ợ c, ngoạ i trừ các chấ t có áp suấ t
hơ i tư ơ ng đố i cao. Tuy nhiên mẫ u để phân tích bằ ng phư ơ ng pháp XPS đòi
hỏ i rấ t khắ t khe về độ sạ ch bề mặ t , bở i vì các liên kế t trên bề mặ t mẫ u cũ ng
cho các đỉnh phổ XPS. Đặ c biệ t là, thự c hiệ n các phép đo phổ XPS đòi hỏ i
0,15
0, 0026.
180
t ×
þ = =
. )
g
0
0, 9 0, 1 5 4 0 6 n m 0, 9 0, 1 5 4 0 6 n m
6 0 n m.
0, 0 0 2 6 0, 9 2 6
0, 0 0 2 6 co s 2 1
× ×
t = = ~
×
×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 223
tiế n hành trong chân không rấ t cao, hoặ c chân không siêu cao (tư ơ ng ứ ng áp
suấ t dư ớ i 10
-9
Torr).
Trong trư ờ ng hợ p màng quá mỏ ng, chúng ta cầ n sử dụ ng phư ơ ng pháp gá
mẫ u nghiêng vớ i góc lớ n để tăng cư ờ ng độ củ a các đỉnh phổ phát ra từ mẫ u
cầ n phân tích (hình 8.9).
8.4.3. Vậ t liệ u và linh kiệ n điệ n sắ c
a) Hiệ u ứ ng điệ n sắ c
Hiệ u ứ ng điệ n sắ c (Electrochromism) l à hiệ n tư ợ ng vậ t lý xả y ra trong màng
mỏ ng chấ t rắ n (có thể l à vô cơ hoặ c hữ u cơ ), mà trong đó tính chấ t quang
củ a màng mỏ ng thay đổ i thuậ n nghịch dư ớ i tác dụ ng củ a điệ n tr ư ờ ng phân
cự c. Vậ t liệ u có tính chấ t điệ n sắ c điể n hình là oxit volfram (WO
3
). Vậ t liệ u
điệ n sắ c catôt là loạ i vậ t liệ u nhuộ m màu khi nó là catôt, vậ t liệ u điệ n sắ c
anôt – nhuộ m màu khi nó là anôt. Trên hình 8.10 minh h ọ a cấ u trúc củ a oxit
volfram vớ i đặ c trư ng sắ p xế p các khố i bát diệ n (W ở tâm) chung cạ nh và
chung đỉnh trong mạ ng tinh thể . Sắ p xế p n ày dẫ n đế n sai hỏ ng trong mạ ng
Hình 8.9. Sơ đồ nguyên lý củ a phư ơ ng pháp XPS.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
224
và tạ o ra các “kênh” khuyế t tậ t vớ i kích thư ớ c lớ n hơ n bán kính củ a proton
(H
+
) và Li
+
.
Khi có điệ n trư ờ ng phân cự c âm, các ion dư ơ ng xâm nhậ p vào mạ ng WO
3
theo các kênh trên, tư ơ ng tác vớ i các ion W
6+
, ion này trở về W
5+
, do đó
WO
3
hấ p thụ mạ nh ánh sáng vùng nhìn thấ y và màng mỏ ng WO
3
từ trạ ng
thái trong suố t trở nên xanh nhạ t hoặ c xanh xẫ m, t ùy thuộ c mứ c độ trao đổ i
ion củ a chấ t điệ n ly và thờ i gian phân cự c củ a điệ n trư ờ ng. Để giả i thích
hiệ n tư ợ ng điệ n sắ c, chúng ta sử dụ ng mô h ình cấ u trúc điệ n tử trong oxit
kim loạ i chuyể n tiế p, trong đó số các trạ ng thái chứ a các điệ n tử ở mỗ i dả i l à
cố định.
Thí dụ - tính cho mộ t đơ n vị công thứ c MeO
3
- dả i
2g
t có khả năng chứ a 6
điệ n tử (tính đế n cả suy biế n spin), và dả i p
t
có khả năng chứ a 12 điệ n tử .
Đố i vớ i WO
3
và þ-MoO
3
số điệ n tử này là 24, vì vậ y mứ c Fermi nằ m ở giữ a
khe tạ o bở i các dả i
2g
t và
. p
t
độ rộ ng củ a khe năng l ư ợ ng vào khoả ng
3, 2 3, 6eV ÷ , cho nên loạ i vậ t liệ u này trong suố t trong vùng nhìn thấ y. Khi
các ion và điệ n tử đư ợ c tiêm vào trong màng, mứ c Fermi sẽ dịch chuyể n l ên
trên. Trong trư ờ ng hợ p củ a WO
3
và þ-MoO
3
, các điệ n tử thêm vào sẽ điề n
vào mứ c
2g
t , vậ t liệ u chuyể n từ trạ ng thái trong suố t sang trạ ng thái hấ p thụ
hoặ c phả n xạ phụ thuộ c vào việ c điệ n tử chiế m các trạ ng thái định xử hay tự
do. Khi các cặ p ion và điệ n tử thoát ra vậ t liệ u trở lạ i trạ ng thái trong suố t
ban đầ u.
Hình 8.10. S ơ đồ sắ p xế p các khố i bát diệ n chung cạ nh
và chung đỉnh trong tinh thể oxit WO
3
.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 225
b) Công nghệ chế tạ o
Chế tạ o màng mỏ ng WO
3
bằ ng phư ơ ng pháp bố c bay chân không, sử dụ ng
thuyề n rỏ W hoặ c chùm tia điệ n tử sử dụ ng chén corrund. Trong cả hai
trư ờ ng hợ p bộ t tinh khiế t (99,99%) WO
3
đề u đư ợ c ép thành viên. Dư ớ i áp
suấ t 10
-5
Torr WO
3
thăng hoa ở dư ớ i 900
o
C. Độ truyề n qua củ a màng WO
3
bố c bay chùm tia điệ n trử cao hơ n củ a màng bố c bay nhiệ t, chứ ng tỏ hợ p
thứ c củ a màng bố c bay chùm tia điệ n tử tố t hơ n. Đó là bở i vì khi bố c bay
nhiệ t phả i duy trì trong chân không cao hơ n để tránh hiệ n tư ợ ng thuyề n W
phả n ứ ng vớ i WO
3
, còn bố c bay chùm tia điệ n tử đư ợ c thự c hiệ n trong ôxy
áp suấ t thấ p. Cho nên để nhậ n hợ p thứ c cao hơ n, sau khi bố c bay màng đư ợ c
tái kế t tinh trong thờ i gian đố i vớ i hai ph ư ơ ng pháp cũ ng khác nhau. Trong
bả ng 8.5 trình bày các thông số công nghệ củ a hai phư ơ ng pháp này.
Bả ng 8.4. So sánh chế độ công nghệ chế tạ o màng WO
3
trong phư ơ ng
pháp bố c bay chùm tia điệ n tử và bố c bay nhiệ t.
Bố c bay nhiệ t Chùm tia điệ n tử
Chân không (Torr) 10
-5
3x10
-5
(oxy)
Đế (30O/ ) ITO ITO
Nhiệ t độ đế (
o
C) 200
o
C 200
o
C
Công suấ t (VA) 375 VA 300 VA
Tố c độ trung bình (nm/s) 0,5 1,0
Chiề u dày trung bình (nm) 250 300
Nhiệ t độ / Thờ i gian ủ (
o
C) / (giờ ) 450 / 2 450 / 1
c) Phân tích kế t quả
Hiệ u ứ ng điệ n sắ c củ a màng bố c bay nhiệ t thể hiệ n kém hơ n so vớ i màng
chùm tia điệ n tử . Trên hình 8.11 là phổ truyề n qua củ a hệ màng WO
3
/ITO
(chùm tia điệ n tử ) nhúng trong dung dịch 0,1M LiClO
3
+PC (propylene
cacbonat) nhậ n đư ợ c trong điệ n trư ờ ng phân cự c từ -1,0 - 0,5 V. Phép đo
phổ truyề n qua tứ c thì đư ợ c thự c hiệ n trên hệ đo OMA gắ n vớ i máy điệ n hóa
Potentiostat -PGS30.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
226
Hình 8.11. Phổ truyề n qua củ a linh kiệ n hiể n thị
điệ n sắ c phụ thuộ c vào điệ n thế đặ t trên
điệ n cự c ITO. Các số 1 đế n 9 trên hình
tư ơ ng ứ ng vớ i điệ n thế phân cự c dư ơ ng
dầ n từ + 1 V đế n + 5 V.
Kế t hợ p vớ i phép đo phổ điệ n thế quét v òng và phân tích cấ u trúc (XRD)
cho thấ y, ứ ng vớ i trạ ng thái nhuộ m màu (phổ truyề n qua giả m) l à lúc điệ n
cự c làm việ c phân cự c âm. Cation Li đã xâm nhậ p vào trong màng và hình
thành cấ u trúc giả bề n
x 3
Li WO , vớ i . 1 0 . . x điề u này cho phép chúng ta
mô tả phư ơ ng trình củ a hiệ u ứ ng điệ n sắ c như sau:
WO
3
(trong suố t) + xLi
+
+ xe
-
: Li
x
WO
3
(xanh xẫ m) (8.14).
Mũ i tên hai chiề u trong phư ơ ng trình cho thấ y hiệ u ứ ng xả y ra mộ t cách
thuậ n nghịch. Sự thay đổ i màu như trên hoàn toàn gi ố ng vớ i quá trình hiể n
thị củ a tinh thể lỏ ng. Chu kỳ hiể n thị l à thờ i gian thự c hiệ n hiệ u ứ ng “trong
suố t ÷ nhuộ m màu ÷ trong suố t”. Hệ màng mỏ ng cấ u trúc đa lớ p
ITO/LiClO3+PC/WO3/ITO gọ i là linh kiệ n hiể n thị điệ n sắ c (ECD). Linh
kiệ n ECD bị già hóa là lúc nó không còn khả năng thay đổ i độ truyề n qua
dư ớ i tác dụ ng củ a điệ n tr ư ờ ng. Số lầ n tố i đa các chu kỳ hiể n thị củ a linh
kiệ n ECD là thông số đặ c trư ng cơ bả n củ a linh kiệ n này. Ngày nay, ngư ờ i
ta đã chế tạ o linh kiệ n ECD có số chu kỳ hiể n thị rấ t cao, nó ho àn toàn
tư ơ ng đư ơ ng vớ i số chu kỳ hiể n thị củ a tinh thể lỏ ng.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 227
Hình 8.12. Sơ đồ hệ đo phổ truyề n qua và phả n xạ
8.5. Phư ơ ng pháp nghiên cứ u tính chấ t quang
8.5.1. Phổ truyề n qua và phả n xạ
Hình 8.12 là sơ đồ nguyên lý đo phổ truyề n qua và phổ phả n xạ củ a quang
phổ kế vùng nhìn thấ y / hồ ng ngoạ i gầ n (UV/ VIS). Tuỳ thuộ c v ùng phổ
khả o sát, mộ t trong hai nguồ n sáng đư ợ c dùng là đèn có phổ liên tụ c vớ i
bư ớ c sóng trong vùng khả kiế n hay trong vùng hồ ng ngoạ i.
Chùm sáng vớ i phổ liên tụ c từ đèn đư ợ c phả n xạ trên gư ơ ng M tớ i thiế t bị
lọ c sắ c. Sau khi qua thiế t bị lọ c sắ c ch ùm sáng đi tớ i cách tử . Thiế t bị lọ c sắ c
F và cách tử G tạ o ra tia vớ i độ đơ n sắ c nhấ t định. Tia này phả n xạ tớ i
gư ơ ng bán mạ , mộ t phầ n truyề n qua gư ơ ng, phầ n phả n xạ còn lạ i đư ợ c đư a
đế n mẫ u chuẩ n R và mẫ u đo S. Trong phép đo độ truyề n qua, mộ t tia truyề n
qua mẫ u rồ i tớ i detector, chùm kia truyề n qua mẫ u chuẩ n (đế thuỷ tinh chư a
có màng) rồ i tớ i detector. Trong phép đo độ phả n xạ , các ch ùm tia đư ợ c
phả n xạ tư ơ ng ứ ng trên mẫ u và trên mẫ u chuẩ n. Trong trư ờ ng hợ p này mẫ u
chuẩ n thư ờ ng là gư ơ ng có độ phả n xạ cao (gư ơ ng nhôm hoặ c vàng). Các tín
hiệ u quang từ hai chùm tia đư ợ c biế n đổ i thành tín hiệ u điệ n và đư ợ c so
sánh để có độ truyề n qua hoặ c độ phả n xạ t ư ơ ng ứ ng vớ i phép đo tạ i mỗ i
bư ớ c sóng trong vùng phổ khả o sát.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
228
Hình 8.13. Sơ đồ hệ máy ellipsomet
8.5.2. Ellipsomet
Đo phân cự c ellipsometry là mộ t phư ơ ng pháp đo quang rấ t nhạ y dùng để
xác định các đạ i lư ợ ng quang họ c như : chiế t suấ t (n), độ hấ p thụ (k), hằ ng số
điệ n môi (c), chiề u dày (d) củ a màng mỏ ng. Trạ ng thái phân cự c củ a ánh
sáng sau khi phả n xạ trên bề mặ t củ a vậ t liệ u sẽ bị thay đổ i tuỳ theo tính chấ t
quang củ a từ ng vậ t liệ u hoặ c
đố i vớ i cùng mộ t vậ t liệ u có
chiề u dày khác nhau. Do vậ y,
chiề u dày d củ a màng mỏ ng
có thể xác định đư ợ c khi biế t
sự thay đổ i trạ ng thái phân cự c
củ a ánh sáng phả n xạ . Hình
8.13 là sơ đồ nguyên lý hệ đo
phân cự c triệ t tiêu ánh sáng
củ a ellipsometer. Nguồ n laser
L phát ra ánh sáng đơ n sắ c
đư ợ c chuẩ n trự c sau khi qua
bộ phân cự c P (Polarizer) và
bộ bù C (Compensater) chi ế u lên mẫ u S (Sample) dư ớ i góc tớ i m. Sau khi
phả n xạ trên mẫ u S vớ i cùng góc m, tớ i bộ phân tích A (Analyzer) và qua
thiế t bị lọ c sắ c F (Filter) đế n cả m biế n quang điệ n D (Detecter). Các bộ phân
cự c P và bộ phân tích A quay sao cho ánh sáng tớ i cả m biế n D bị triệ t ti êu.
Lúc này các thông số phân cự c + (góc biên độ ), A (góc pha) đư ợ c xác định
qua các góc phư ơ ng vị củ a các bộ phân cự c P và bộ phân tích A. Kính hiể n
vi M (Microscoper) đư ợ c dùng để kiể m tra việ c điề u chỉnh tố i ư u vị trí mẫ u
S. Cấ u hình củ a hệ đo trong trư ờ ng hợ p này đư ợ c gọ i là cấ u hình PCSA, lầ n
lư ợ t theo chiề u truyề n củ a chùm sáng gồ m: bộ phân cự c P, bộ bù C, mẫ u S,
bộ phân tích A. Góc tớ i có t hể thay đổ i đư ợ c vớ i các giá trị 60
o
, 70
o
và 80
o
.
Bộ phân cự c P và bộ phân tích A đư ợ c quay bở i các độ ng cơ theo chư ơ ng
trình đã thiế t lậ p.
Từ các thông số phân cự c + và A (mô tả trạ ng thái phân cự c củ a ánh sáng
phả n xạ bở i hàm phân cự c . )
p s
r / r tg exp i v = × A củ a màng mỏ ng và các
hệ số n, k, có thể xác định chiề u dày củ a các màng sử dụ ng chư ơ ng trình
DAFIBM bán kèm theo hệ thiế t bị.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 229
8.5.3. Màng mỏ ng nhiệ t sắ c và chuyể n mạ ch nhiệ t-quang
Khái niệ m “nhiệ t sắ c” đư ợ c dịch từ tiế ng anh l à “thermochromism”. Hi ệ u
ứ ng nhiệ t sắ c là hiệ n tư ợ ng vậ t lý xả y ra khi có nhiệ t độ tác độ ng l ên màng
mỏ ng làm chúng thay đổ i độ truyề n qua, phả n xạ hay hấ p thụ . Khi hạ nhiệ t
độ , tính chấ t quang ban đầ u củ a chúng lạ i đ ư ợ c thiế t lậ p lạ i, nghĩa l à sự biế n
đổ i nhiệ t - quang xả y ra mộ t cách thuậ n nghịch. Vậ t liệ u có tính chấ t n ày
đư ợ c gọ i là vậ t liệ u nhiệ t sắ c. Hiệ n nay đi -oxit vanađi (VO
2
) hoặ c VO
2
pha
tạ p chấ t W là vậ t liệ u nhiệ t sắ c có triể n vọ ng ứ ng dụ ng nhiề u nhấ t. Nhiệ t độ
chuyể n pha bán dẫ n kim loạ i (BDKL) củ a VO
2
(t
c
) nằ m trong khoả ng
67
o
C±1
o
C. Gọ i nhiệ t độ củ a màng VO
2
là , T khi
c
T t . màng mỏ ng VO
2
trong suố t đố i vớ i cả ánh sáng vùng nhìn thấ y và hồ ng ngoạ i. Khi
c
T t màng vẫ n trong suố t trong vùng nhìn thấ y, như ng phả n xạ hầ u hế t
bứ c xạ hồ ng ngoạ i. Đó l à bả n chấ t vậ t lý củ a hiệ u ứ ng nhiệ t sắ c xả y ra tr ên
màng VO
2
. Nhiệ t độ chuyể n pha BDKL củ a VO
2
có thể hạ thấ p xuố ng đế n
35-45
o
C nhờ kỹ thuậ t pha tạ p nguyên tử volfram vào mạ ng tinh thể VO
2
). (
2 1
O W V
x x ÷
a) Công nghệ chế tạ o
Màng mỏ ng đi-oxit vanađi trên đế thuỷ tinh đư ợ c chế tạ o bằ ng hai phư ơ ng
pháp khác nhau:
i) Màng VO
2
bố c bay bằ ng chùm tia điệ n tử sử dụ ng bộ t tinh thể V
2
O
5
;
ii) Màng pha tạ p
1 x x 2
V W O
÷
đư ợ c chế tạ o bằ ng phư ơ ng pháp phún xạ
magnetron hai chùm tia (sử dụ ng hai bia phún xạ ).
Trong trư ờ ng hợ p bố c bay bằ ng chùm tia điệ n tử , vậ t liệ u gố c đư ợ c chọ n là
V
2
O
5
- trong oxit này vanađi có hóa tr ị 3
+
, cho nên trong mộ t phân tử lư ợ ng
oxy có ít hơ n so vớ i đi-oxit vanađi. Khi thăng hoa, oxy bị phân ly, màng
mỏ ng dễ hình thành dư ớ i dạ ng VO
2
hơ n. Bộ t V
2
O
5
đư ợ c ép thành viên
đư ờ ng kính 7 mm, dày 10 mm, đặ t trong chén corund (tứ c l à chén làm từ
oxit nhôm và đư ợ c thiêu kế t ở nhiệ t độ cao). Chén này đặ t trong hố c đồ ng
làm nguộ i bằ ng nư ớ c. Sau khi hút chân không cao đế n 10
-5
Torr, mở van
kim điề u chỉnh lư ư lư ợ ng khí oxy sạ ch vào chuông (để thự c hiệ n bố c bay
phả n ứ ng). Chùm tia điệ n tử hộ i tụ vào chén, cung cấ p nhiệ t trự c tiế p l ên
vậ t liệ u. Quá trình thăng hoa oxit phụ thuộ c vào độ lớ n củ a dòng đố t catố t
và điệ n thế cao áp mộ t chiề u.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
230
Trong trư ờ ng hợ p phún xạ hai chùm tia, bia thứ nhấ t là VO
2
có đư ờ ng kính
75 mm, dày 5 mm đư ợ c đặ t vào bộ gá bia gắ n magnetron củ a nguồ n cao tầ n,
còn bia thứ hai là đĩa kim loạ i W cũ ng có kích thư ớ c tư ơ ng tự gắ n vào catôt
củ a nguồ n cao áp mộ t chiề u. Tố c độ phún xạ từ hai bia phụ thuộ c v ào áp
suấ t hỗ n hợ p khí Ar/O
2
và công suấ t củ a từ ng nguồ n. Hàm lư ợ ng tạ p chấ t W
trong VO
2
có thể điề u chỉnh nhờ khố ng chế t ư ơ ng quan công suấ t phún xạ
củ a hai nguồ n.
Trên bả ng 8.6 trình bày các thông số công nghệ áp dụ ng để chế tạ o màng
mỏ ng nhiệ t sắ c bằ ng hai phư ơ ng pháp kể trên.
Bả ng 8.5. Các điề u kiệ n công nghệ chế tạ o màng mỏ ng nhiệ t sắ c.
Chùm tia điệ n tử
2
( V O )
Phún xạ magnetron
1 x x 2
( V W O )
÷
Chân không (Torr)
5x10
-
5
(oxy)
Chân không (Torr)
3x10
-
2
(Ar / O
2
)
Hai bia (Dc/Rf) W/ VO
2
Đế Thủ y tinh Đế Thủ y tinh
Nhiệ t độ đế (
o
C) 200
o
C Nhiệ t độ đế (
o
C) 400
o
C
Tỷ lệ khí phún xạ
(O
2
/Ar)
5%
Công suấ t
7,5 kVx60
mA (450
VA)
Công suấ t: Dc-/Rf-
magnetron
500 W /350W
Tố c độ trung bình
(nm/s)
0,7
Tố c độ trung bình
(nm/s),
0,01÷0,1
Nhiệ t độ ủ / Thờ i
gian ủ (
o
C) / (giờ )
450 / 4
Nhiệ t độ ủ / Thờ i
gian ủ (
o
C) / (giờ )
450 / 1
Chiề u dày trung bình
180 nm tăng
đế n 200 nm
Chiề u dày
trung bình (nm)
200 nm
(không tăng)
b) Phân tích kế t quả
Bằ ng phư ơ ng pháp chụ p ả nh mặ t cắ t vuông góc tr ên kính hiể n vi điệ n tử
quét (SEM) đã xác định chiề u dày củ a màng. Màng mỏ ng oxit vanađi ngay
sau khi bố c bay là 180 nm, sau khi màng đư ợ c ủ tạ i nhiệ t độ 450
o
C trong 4
giờ dư ớ i áp suấ t ôxy thấ p, chiề u dày củ a màng tăng lên cỡ 200 nm. Điề u này
chứ ng tỏ khi ủ trong màng đã xả y ra hai quá trình là ôxy hoá và tái kế t tinh.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 231
Màng VO
2
trở nên xố p hơ n. Đặ c biệ t là vớ i quá trình ủ thích hợ p đã nhậ n
đư ợ c màng có cấ u trúc hạ t khích thư ớ c dư ớ i 100 nm (hình 8.14).
Kế t hợ p vớ i phư ơ ng pháp phân tích nhi ễ u xạ tia X, phư ơ ng pháp nhiễ u xạ
điệ n tử và hiể n vi điệ n tử truyề n qua đã đư ợ c sử dụ ng để quan sát quá tr ình
hình thành cấ u trúc tinh thể VO
2
. Nhiễ u xạ điệ n tử cũ ng cho thấ y, đố i vớ i
mẫ u trư ớ c khi ủ , ả nh nhiễ u xạ điệ n tử có d ạ ng vành khuyên thể hiệ n cấ u trúc
vô định hình giàu kim loạ i vanađi và sau khi ủ có vế t nhiễ u xạ biể u hiệ n cho
cấ u trúc tinh thể .
Ả nh hiể n vi điệ n tử truyề n qua (TEM) cho thấ y, màng VO
2
cấ u trúc nanô
vớ i kích thư ớ c hạ t trung bình ~ 120 nm. Từ giả n đồ nhiễ u xạ tia X ghi trên
máy SIMENS-5000 và 5005 cũ ng cho kế t quả tư ơ ng tự . Đố i vớ i màng chư a
ủ thì chư a có đỉnh nhiễ u xạ (cấ u trúc vô định hình), sau khi ủ màng có các
đỉnh phù hợ p vớ i cấ u trúc VO
2
. Hơ n nữ a, áp dụ ng công thứ c (8.13) để tính
kích thư ớ c hạ t tinh thể cũ ng như đo trự c tiế p trên SEM đã cho kế t quả phù
hợ p (hình 8.15).
Điệ n trở suấ t đư ợ c xác định bằ ng phư ơ ng pháp đo điệ n trở vuông (xem công
thứ c 8.16 ở phầ n sau) vớ i chiề u dày và điệ n trở vuông trên thự c tế đo đư ợ c
tư ơ ng ứ ng là 230 nm và 300 kO/ . Chiề u dày trong trư ờ ng hợ p này cũ ng
đư ợ c kiể m tra bằ ng ả nh SEM (hình 8.16).
a) b)
Hình 8.14. Ả nh SEM chụ p trên mặ t cắ t vuông góc
củ a mẫ u oxit vanađi bố c bay chùm tia
điệ n tử trư ớ c (a) và sau khi ủ nhiệ t (b).
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
232
Điệ n trở suấ t phụ thuộ c nhiệ t độ củ a màng VO
2
đư ợ c trình bày trên hình
8.17. Điệ n trở hạ độ t ngộ t khi nhiệ t độ vư ợ t qua vùng 65-67
o
C cho thấ y
màng VO
2
đã chuyể n pha từ bán dẫ n sang kim loạ i.
Trên hình 8.18 là phổ truyề n qua phụ thuộ c vào nhiệ t độ củ a VO
2
trong
vùng nhìn thấ y và hồ ng ngoạ i gầ n. Nhiệ t độ củ a mẫ u đư ợ c tăng từ nhiệ t độ
phòng đế n 90
o
C, qua nhiệ t độ chuyể n pha. Trong khoả ng d ư ớ i 67
o
C, độ
truyề n qua gầ n như không thay đổ i và đạ t cỡ 65%. Điề u này đư ợ c giả i thích
là do ở nhiệ t độ thấ p hơ n t
c
, VO
2
thuộ c pha bán dẫ n vớ i độ rộ ng vùng cấ m
rộ ng trên 3 eV. Khi nhiệ t độ tăng lên cao hơ n 67
o
C, độ truyề n qua giả m độ t
ngộ t do màng VO
2
chuyể n sang pha kim loạ i, mậ t độ điệ n tử tự do trong pha
này tăng lên. Độ truyề n qua giả m xuố ng thấ p còn 15 %. độ truyề n qua giả m
phả n ánh độ phả n xạ tăng (vì độ hấ p thụ củ a màng mỏ ng VO
2
hầ u như bằ ng
Hình 8.15. Giả n đồ nhiễ u xạ tia X chụ p trên mẫ u VO
2
: A – tạ i NĐP, B –
tạ i 90
o
C và C - để nguộ i về NĐP. Giả n đồ A và C ứ ng vớ i cấ u
trúc hệ mạ ng đơ n tà, giả n đồ B – hệ mạ ng tứ giác củ a VO
2
.
Hình 8.16.
Ả nh SEM củ a mặ t cắ t vuông góc
củ a màng mỏ ng VO
2
, chiề u dày
đo đư ợ c vào khoả ng 230 nm
Hình 8.17.
Đư ờ ng trễ nhiệ t nhậ n đư ợ c
trên màng mỏ ng VO
2
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 233
Hình 8.18.
Phổ truyề n qua củ a màng mỏ ng VO
2
tạ i
nhiệ t độ 27
o
C (< t
c
) và 90
o
C (> t
c
).
không). Vớ i tính chấ t phả n xạ cao trong vùng hồ ng ngoạ i, màng mỏ ng VO
2
đã thể hiệ n tính chấ t củ a pha kim loạ i. Để mẫ u nguộ i về nhiệ t độ ph òng, quá
trình xả y ra ngư ợ c lạ i (hình 8.18). Như vậ y, giố ng như tính chấ t cấ u trúc ở
trên, tính chấ t biế n đổ i nhiệ t - quang củ a màng mỏ ng VO
2
cũ ng mang tính
thuậ n nghịch. Vớ i tính chấ t này, VO
2
đư ợ c ứ ng dụ ng để chế tạ o kính phả n
xạ nhiệ t và cả m biế n nhiệ t quang.
8.6. Phư ơ ng pháp nghiên cứ u tính chấ t điệ n
8.6.1. Phư ơ ng pháp đo đi ệ n trở vuông
Vớ i màng mỏ ng dẫ n điệ n có chiề u dày không lớ n lắ m, thí dụ
d 3 0 0 n m , . chúng ta có thể dùng phư ơ ng pháp đo điệ n trở vuông để tính
điệ n trở suấ t củ a màng. Điệ n trở vuông là điệ n trở đo đư ợ c từ hai dả i điệ n
cự c tạ o trên bề mặ t mẫ u mộ t diệ n tích hình vuông (hình 8.19). Điệ n cự c kim
loạ i (Au, Ag hay Al) đư ợ c chế tạ o bằ ng phư ơ ng pháp bố c bay chân không.
Như đã biế t, công thứ c tính điệ n trở củ a vậ t dẫ n điệ n nh ư sau:
(8.15)
trong đó:
p là điệ n trở suấ t,
l là chiề u dài củ a mẫ u,
l
,
R
S
= p ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
234
S là diệ n tích củ a tiế t diệ n cho điệ n dòng điệ n đi qua.
Trong trư ờ ng hợ p mẫ u đo có diệ n tích hình vuông như trên hình 8.19. thì tiế t
diệ n đó có diệ n tích bằ ng . d l S × = Vì vậ y chúng ta có điệ n trở bề mặ t
(điệ n trở “vuông”) bằ ng:
Do đó:
(8.16)
Công thứ c (8.16) cho thấ y,
khi đã biế t giá trị chiề u dày
củ a màng mỏ ng chúng ta có
thể xác định điệ n trở suấ t từ
giá trị thự c nghiệ m đo điệ n
trở vuông. Điệ n trở vuông
còn đư ợ c ký hiệ u là
R (O/ ), ô vuông ở dư ớ i
đơ n vị điệ n trở cho biế t giá
trị điệ n trở đã nhậ n đư ợ c từ
mẫ u đo có diệ n tích bề mặ t
là hình vuông. Từ thự c
nghiệ m cho thấ y đố i vớ i
mẫ u càng mỏ ng thì phép đo
càng chính xác, trong trư ờ ng hợ p này giá trị củ a sai số trong phép đo điệ n
trở vuông (để tính ra điệ n trở suấ t) có c ùng thứ bậ c so vớ i sai số trong phép
đo bằ ng bố n mũ i dò.
8.6.2. Phư ơ ng pháp bố n mũ i dò
Phư ơ ng pháp này có thể áp dụ ng để đo tấ t cả các loạ i mẫ u d ày hay mỏ ng.
Hình 8.20 là sơ đồ mạ ch điệ n đo bằ ng bố n mũ i dò. Gia công mũ i dò cầ n thỏ a
mãn các điề u kiệ n sao cho khoả ng cách ( l) giữ a hai mũ i dò liên tiế p hoàn
toàn như nhau và khoả ng cách từ mũ i dò gầ n nhấ t đế n biên ngoài củ a
mẫ u đo phả i lớ n hơ n 3l. Trong kỹ thuậ t vậ t lý bán dẫ n, để đo điệ n trở suấ t
củ a chấ t bán dẫ n, thí dụ Si hay Ge, bố n mũ i d ò thư ờ ng đư ợ c làm bằ ng thanh
l
.
R
l.d d
p
= p × =
R d. p = ×
Hình 8.19. Mẫ u màng mỏ ng để
đo điệ n trở vuông.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 235
Hình 8.20. Sơ đồ thự c nghiệ m điệ n trở suấ t
bằ ng phư ơ ng pháp bố n mũ i dò.
kim loạ i vonfram đư ờ ng kính nhỏ , đầ u nhọ n đặ t l ên mẫ u. Để đả m bả o tiế p
xúc tố t, đầ u dò đư ợ c ép xuố ng mặ t mẫ u bở i bố n l ò xo.
Công thứ c tính điệ n trở suấ t khi đó sẽ l à:
(8.17)
trong đó:
l là khoả ng cách giữ a hai mũ i dò,
U là hiệ u điệ n thế giữ a hai mũ i dò trong,
I là dòng đi qua mẫ u từ hai mũ i dò ngoài.
Công thứ c trên đúng cho trư ờ ng hợ p màng dày hơ n 3l. Trong trư ờ ng hợ p bề
dày củ a màng mỏ ng nhỏ hơ n 3l, công thứ c tính điệ n trở suấ t sẽ l à:
(8.18)
trong đó: d là chiề u dày củ a màng, F(d/l) là hệ số hiệ u chỉnh nằ m trong
khoả ng từ 1,025 đế n 20 t ư ơ ng ứ ng vớ i giá trị củ a tỷ số d/l giả m từ 3 đế n
0,02. Như vậ y nế u màng có chiề u dày nhỏ hơ n 1 um thì khoả ng cách giữ a
các mũ i dò liên tiế p chỉ đư ợ c phép bằ ng 0,33 um. Các mũ i dò kim loạ i (thí
dụ W) cầ n có đư ờ ng kính vào khoả ng 0,3 um. Điề u này khiế n việ c gia công
U
,
2 .l
I
p = t
. )
U 1
,
2 l
I F d / l
p = t × ×
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
236
các mũ i dò sẽ rấ t khó khăn. Do đó phư ơ ng pháp bố n mũ i dò để đo điệ n trở
suấ t củ a màng mỏ ng thư ờ ng ít đư ợ c sử dụ ng.
Để hiể u biế t tố t các tính chấ t củ a màng mỏ ng chúng ta cầ n kế t hợ p nhiề u
phư ơ ng pháp nghiên cứ u khác nhau đư ợ c tiế n hành trên cùng mộ t mẫ u, thí
dụ phân tích cấ u trúc tinh thể , hình thái họ c bề mặ t, tính chấ t điệ n và quang.
Trong nhiề u trư ờ ng hợ p việ c phân tích màng mỏ ng đơ n hay mộ t hệ /linh kiệ n
màng mỏ ng nói chung cầ n thự c hiệ n tứ c th ì (các phép đo in situ) trong lúc
mẫ u đư ợ c đặ t trong trư ờ ng ngoạ i như điệ n từ trư ờ ng, ánh sáng, nhiệ t độ ,
dòng ion,… Ngoài ra, các phép đo kể trên cũ ng cầ n đư ợ c kế t hợ p vớ i nhiề u
phư ơ ng pháp khác nữ a như phổ điệ n thế quét vòng, phổ tổ ng trở điệ n hóa.
Có như vậ y chúng ta mớ i l àm sáng tỏ các cơ chế củ a hiệ u ứ ng hay hiệ n
tư ợ ng vậ t lý xả y ra trong hệ màng mỏ ng.
8.6.3. Điố t phát quang hữ u cơ (OLED)
a) Nhữ ng nét chung về OLED
Trong khoả ng 10 năm lạ i đây, ngư ờ i ta phát hiệ n ra các chấ t polyme dẫ n
điệ n (gọ i tắ t là polyme dẫ n) hay cao phân tử có khả năng phát quang ánh
sáng ở vùng nhìn thấ y vớ i dả i bư ớ c sóng rộ ng, trong đó có cả ba màu cơ bả n
là xanh, vàng và đỏ . Từ đó việ c nghi ên cứ u về linh kiệ n điệ n huỳ nh quang
hữ u cơ và điố t phát quang hữ u cơ (Organic Light Emitting Diode - OLED)
ngày càng trở nên hấ p dẫ n. Có thể nói OLED là mộ t trong nhữ ng phát minh
quan trọ ng trong lĩnh vự c quang điệ n tử và quang tử . Các chấ t polyme dẫ n
cũ ng có cấ u trúc vùng năng lư ợ ng tư ơ ng tự chấ t bán dẫ n vô cơ . Độ rộ ng
vùng cấ m g (E ) củ a chúng đư ợ c xác định bở i sự khác biệ t về năng l ư ợ ng củ a
hai mứ c HOMO và LUMO (Highest occupied molecular orbital - quỹ đạ o
phân tử điề n đầ y cao nhấ t và Lowest unoccupied molecular orbital - quỹ đạ o
phân tử chư a điề n đầ y thấ p nhấ t), t ư ơ ng ứ ng vớ i vùng hóa trị và vùng dẫ n
trong bán dẫ n vô cơ . Do khả năng pha tạ p phong phú hơ n bán dẫ n vô cơ cho
nên về nguyên tắ c, có thể tạ o ra g E như mong muố n. Vớ i trình độ công
nghệ ngày nay, ngư ờ i ta đã chế tạ o đư ợ c các chấ t phát quang (emitter) cho
nhiề u màu sắ c, chúng đư ợ c trộ n vớ i nhau trong cùng mộ t lớ p. Do đó, đã
nhậ n đư ợ c điôt ánh sáng trắ ng, điề u mà đố i vớ i điố t vô cơ không thể thự c
hiệ n đư ợ c. Diode phát quang hữ u c ơ đa lớ p có cấ u trúc kiể u
ITO/HTL/Emitter/ETL/Al. Trong đó ITO là Indium-Tin-Oxide, lớ p màng
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 237
mỏ ng dẫ n điệ n trong suố t phủ tr ên thuỷ tinh dùng làm anôt; HTL là l ớ p
truyề n lỗ trố ng, có thể dùng PVK, viế t tắ t củ a poly(N-vinylcarbazole);
Emitter là lớ p phát quang, có thể l à các chấ t polymer dẫ n như poly(P-
paraphenylenevinylene) (PPV), MEH-PPV hay Alq3; ETL là l ớ p truyề n
điệ n tử , có thể dùng PEDOT, LiF và catôt (Al, Ag hay hợ p kim AlMn). Mô
hình củ a mộ t OLED đa lớ p (vớ i khả năng ứ ng dụ ng v ào thự c tiễ n trong thờ i
gian tớ i) đư ợ c trình bày ở mụ c cuố i cùng củ a chư ơ ng này. Bằ ng phư ơ ng
pháp chân không có thể chế tạ o toàn bộ các lớ p kể trên.
b) Bố c bay liên tiế p
Các màng mỏ ng (trừ ITO) như PVK, Alq3, LiF và Al đề u đư ợ c bố c bay
bằ ng phư ơ ng pháp chân không sử dụ ng thuyề n, tư ơ ng ứ ng là Ta, W, Ta và
Mo dư ớ i áp suấ t 10
-5
Torr. Ngoạ i trừ Al, các chấ t còn lạ i đề u thăng hoa ở
nhiệ t độ tư ơ ng đố i thấ p, thí dụ , đố i vớ i PVK là 250
o
C, Alq3 là 280
o
C, LiF
cao hơ n mộ t chút, khoả ng 350
o
C. Bố c bay đư ợ c thự c hiệ n liên tiế p bằ ng
cách dùng 3 thuyề n lá và mộ t thuyề n giỏ (cho Al). Trình tự bố c bay như sau:
đầ u tiên là PVK trên ITO (PVK/ITO), ti ế p theo là Alq3 (Alq3/PVK/ITO),
tiế p theo là lớ p mỏ ng LiF (LiF/Alq3/PVK/ITO) và cuố i cùng là lớ p nhôm
(Al/LiF/Alq3/PVK/ITO). Chi ề u dày củ a các lớ p là ~70 nm (PVK), ~50 nm
(Alq3), ~1 ÷10 nm (LiF) và 100 nm (Al). Cùng vớ i lớ p ITO dày 200 nm,
tổ ng chiề u dày củ a mộ t OLED (không tính đế n độ dày củ a đế thủ y tinh)
chỉ vào khoả ng 450 nm .
c) Phân tích kế t quả
Lớ p siêu mỏ ng LiF (1-10 nm) tạ o ra tiế p xúc “nông” Al/LiFAlq3 thay v ì tiế p
xúc AlAlq3, lớ p tiế p xúc này có tác dụ ng tăng cư ờ ng khả năng truyề n điệ n
tử , hiệ u suấ t truyề n điệ n tử tăng l ên là nhờ liên kế t LiF-Al trong lớ p này đã
cả i thiệ n quá trình tiêm điệ n tử từ catôt công thoát cao vào l ớ p phát quang
Alq3 và tăng khả năng dịch chuyể n điệ n tử từ lớ p vậ t liệ u ái lự c điệ n tử cao
đế n lớ p vậ t liệ u ái lự c điệ n tử thấ p. Kế t quả về hiệ u ứ ng phát quang củ a linh
kiệ n đa lớ p cấ u trúc Al/LiF/Alq3/PVK/ITO đ ư ợ c trình bày trên hình 8.21.
Điệ n trư ờ ng thế ngư ỡ ng phát có giá trị t ư ơ ng đố i thấ p (trên hình 8.21a, hiệ u
điệ n thế ngư ỡ ng phát có giá trị dư ớ i 7 V, tư ơ ng ứ ng vớ i điệ n trư ờ ng
khoả ng 5 MV/m).
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
238
Trong phạ m vi đo đạ c, mậ t độ dòng phát củ a OLED còn chư a cao. Mặ c dù
vậ y, tính chấ t phát quang củ a linh kiệ n đ ã thể hiệ n rấ t rõ: Khi nâng điệ n thế
đế n giá trị cao hơ n ngư ỡ ng phát, dòng điệ n huỳ nh quang tăng nhanh, đạ t giá
trị gầ n 6 nA/cm
2
(Hình 8.21b). Mậ t độ dòng điệ n huỳ nh quang chư a cao
chứ ng tỏ , quá trình “bơ m” exciton củ a linh kiệ n chư a đạ t mứ c tố i ư u, đã xả y
ra tái hợ p không phát xạ điệ n tử - lỗ trố ng, hoặ c điệ n tử đã bị bẫ y bở i các
khuyế t tậ t trong cấ u trúc vậ t liệ u polymer, ...
Câu hỏ i kiể m tra đánh giá
1. Các phư ơ ng pháp phân tích màng mỏ ng có gì khác vớ i phân tích vậ t
liệ u khố i?
2. Nguyên lý và cách đo chiề u dày bằ ng hiể n vi giao thoa, cách khố ng
chế chiề u dày bằ ng cộ ng hư ở ng thạ ch anh trong quá trình lắ ng đọ ng
màng?
3. Phư ong pháp xác định điệ n trở suấ t thông quan xác định điệ n trở bề
mặ t (hay điệ n trở vuông), ư u điể m và giớ i hạ n độ chính xác so vớ i
phư ơ ng pháp bố n mũ i dò?
4. Trình bày các hiệ u ứ ng quang điệ n tử trên mộ t số hệ màng mỏ ng?
Hình 8.21.Đặ c trư ng IV (a) và PL(b) củ a OLED
cấ u trúc đa lớ p
Al/LiF/Alq3/PVK/ITO.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng 239
Tài liệ u tham khả o
1. Smith D., Thin-films deposition: Principles and practice , McGraw-
Hill, New York, 616 p, 1995.
2. Mahan J., Physical vapor deposition of thin films , John Wiley &
Sons, New York, 312 p, 2000.
3. Ohring M, The materials science of thin films , Academic Press, San
Diego, 783p, 2002.
4. Handbook of thin film technology , Eds. Leon Maissel and Reinhard
Glang, Part I: Deposition of thin films, McGraw-Hill, New York,
653p,1970.
5. Thin film processes, Eds. John Wossen and Werner Kern, Academic
Press, London, 857 p ,1991.
6. Handbook of physical vapor deposition (PVD) processing , Ed.
Donald M. Mattox, Noyes Publications, New Jersey, 663p,1998.
7. Handbook of thin film deposition processes and techniques , Ed.
Krishna Seshan, Noyes Publications/William Andrew Publishing,
New York, 461p, 2002.
8. Chapman B., Glow Discharge Processes, John Wiley and Sons, New
York, 579p, 1980.
9. Graper, E. G., “Electron Beam Evaporation”, In: Handbook of Thin
Film Process Technology, (D. B. Glocker and S. I. Shah, eds.), Sec.
A1.2, Institute of Physics Publishing, 19 95.
10. Schiller S., Neumann M., and Kirchoff V., “Progress in High-Rate
Electron Beam Evaporation of Oxides for Web Coating” Proceedings
of the 36
th
Annual Technical Conference, Society of Vacuum
Coaters, p. 278 , 1993.
11. Schiller S.H. and Panzer S., Electron Beam Technology, John Wiley
and sons, New York, 457 p, 1982.
Vậ t lý và kỹ thuậ t màng mỏ ng
240
12. Graper E. B., “Evaporation Characteristics of Materials from an
Electron Beam Gun: II,” J. Vac. Sci. Technol., Vol. A 5/4 (1987)
p.2718.
13. Bunshah R. F., and Juntz R. S., “The Influence of Ion Bombar dment
on the Microstructure of Thick Deposits Produced by High Rate
Physical Vapor Deposition Processes”, J. Vac. Sci. Technol. , 9
(1972) p.1404.
14. Class W. H., Thin Solid Films, Vol.107 (1983) p.279.
15. Rossnagel S. M., In: Handbook of Vacuum Science and Tec hnology,
(Eds.: D.M. Hoffman, B. Singh, and J. H. Thomas, III,), Academic
Press, San Diego - 1998.
16. Rossnagel S. M., Mikalsen D., Kinoshita H., and Cuomo J., J. Vac.
Sci.Technol., Vol A9 (1991) p.261.
17. Ngan K., Xu Z. and Raaijmakers I., Proc. VMIC Conf. ( 1994)
p.452.
18. Rossnagel S. M., Thin Solid Films, Vol. 263 (1995) p.1.
19. Dinh N.N., V.T.Bich, N.H.Hoang, V.N.Quynh, N.V.Chanh, Phys.
Stat. Sol.(a), Vol.106 (1988) K.147.
20. Dinh N.N., V.T.Bich, N.H.Hoang and L.Q.Minh, Phys. Stat. Sol.(a),
Vol. 108 (1988) K.157.
21. Erlandsson O., J.Lindvall, N.N.Toan, N.V.Hung, V.T.Bich and
N.N.Dinh, Phys. Stat. Sol. (a), Vol.139 (1993) p. 451.
22. Nguyen Nang Dinh, Vu Thi Bich, P.V. Ashrit, G.Barder, Tran Quang
Trung and Vo-Van Truong, In: "The mordern problems in Optics
and Spectroscopy" (Vietnamese), Eds Nguyen Van Hieu, Vol. 1,
Ha Noi, (1996) p. 302.
23. Thanh D.H., P.D.Long, V.T.Bich and N.N.Dinh, Communications in
Physics, Vol. 8 (1998) p. 152.
24. Nguyen T. P., P. Le Rendu, N. N. Dinh, M. Fourmigué, C. Mézière,
Synthetic Metals, Vol.138 (2003) N1/2 p. 229.
25. Dinh N.N, D.V.Thanh, P.D.Long, T.Q.Trung ,Proc. of International
Workshop on Photonics and Application – IWPA-2004, 5-8 April,
Hanoi, Vietnam - 2004.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful