DCE 1 Curs 1 Mecanismul conduciei n mediile conductoare mecanismul conduciei poate fi explicat prin deplasarea sarcinilor electrice n acele

e medii. Mediile conductoare: - metale - semiconductoare n mediile semiconductoare mecanismul conduciei la nivel microscopic poate fi explicat prin cele dou tipuri de micri proprii pentru e din structura materialului respectiv. !ceste micri sunt distincte i independente. "a nivel macroscopic le putem asocia existena a dou tipuri de sarcini electrice: - o sarcin ne#ativ$ corespun%toare e - o sarcin po%itiv$ corespun%toare unor re#iuni din structura cristalin$ &ote%ate #oluri n ca%ul metalelor conducia electric este datorat e . Din punct de vedere #rosier atomul unui metal$ semiconductor sau i%olator poate fi considerat ca fiind format dintr o structur central denumit nucleu$ n care avem particule cu sarcin po%itiv p' i particule neutre n($ precum i dintr o structur exterioar nucleului n care particulele cu sarcin ne#ativ e $ #ravitea% pe or&ite distincte. e din imediata apropriere a nucleului sunt mai str)ns le#aie de acesta$ pe c)nd cei din nveliul extern sunt sla& le#ai de nucleu$ e de valen i dictea% comportarea atomului respectiv n raport cu atomii altor elemente. e din nveliul unui atom pot a&sor&i sau emite cuante de ener#ie i ca urmare ei pot trece de pe o or&it pe alta$ fie datorit unui c)mp electric extern$ fie datorit a#itaiei termice. *nitatea de msur pentru ener#ia unui e este electronvoltul 1e+,1$-.1( 1/ 0. !tunci c)nd materialul respectiv pre%int o structur cristalin e respectivi nu mai pre%int nivele ener#etice discrete ci ei se #sesc pe nivele cuprinse ntre anumite &en%i de ener#ie. De re#ul ocup nivele de ener#ie minim din &anda ocupat$ numit &and de valen. Datorit a#itaiei termice e respectivi pot trece din &anda ocupat ntr o &and$ &ote%at &and de conducie sau &and li&er$ devenind astfel e de conducie.

&and li&er1conducie2

3and de valen1ocupat2

DE
ME4!"E

567"!47!8E 1

DE

<EM5C7BD*C478

"a i%olatoare DE,91(e+$ la semiconductori$ pentru :e DE,($;-e+$ pentru <i DE,1$1=e+. n ca%ul metalelor cele dou &en%i se ntreptrund$ ca urmare e de valen c>iar su& influena unor c)mpuri electrice sla&e sau prin ncl%ire uoar pot prsi aceast &and devenind e li&eri n &anda de conducie$ e capt o micare ordonat n sens contrar sensului c)mpului electric aplicat. ?rin ncl%ire la temperatura corespun%toare e pot prsi suprafaa metalului respectiv$ fenomenul purt)nd denumirea de emisiune termo electronic. n ca%ul materialelor i%olatoare cele dou &en%i permise sunt separate de o &and inter%is cu limea de 91(e+$ un numr relativ redus de e $ c>iar su& influena unor c)mpuri electrice puternice vor putea trece n &anda de conducie. n ca%ul materialelor semiconductoare$ structura acestora este asemntoare cu cea nt)lnit la i%olatoare$ cu deose&irea c limea &en%ii inter%ise este de numai ($;-e+ la :e i 1$1=e+ la <i. n plus plecarea unui e din &anda de valen las n urma sa o re#iune po%itiv de sarcin spaial e#al n valoare a&solut cu sarcina e $ cu numele de #ol. ?lecarea unui e din &anda de valen n &anda de conducie conduce la #enerarea unui e de conducie$ n urma acestuia rm)n)nd o sarcin po%itiv$ le#at de re#iunea de unde e a plecat$ purt)nd numele de #ol. <e #enerea% astfel purttori de sarcin distinci. 4recerea unui e din &anda de conducie n &anda de valen face ca un e de conducie s dispar$ fenomen nsoit i de dispariia unui #ol. n acest ca% vor&im i de recom&inarea purttorilor de sarcin. Materialele semiconductoare sunt elemente din #rupa a 5+ a a ta&elului i ca urmare re%ult c acestea au @ e de valen. Cum aceste materiale au o structur cristalin nseamn c e de valen se pun n comun = c)te = form)nd le#turi covalente. Aiecare atom din structura cristalin are @ le#turi covalente cu @ atomi vecini acestuia.

#ol

Datorit a#itaie termice la tC( #rade Delvin$ un e poate prsi le#tura covalent devenind e li&er n reeaua cristalin. ?lecarea e din le#tura covalent respectiv las n urm o sarcin po%itiv denumit #ol. Datorit a#itaiei termice un e vecin va veni s complete%e le#tura covalent nesatisfcut$ i ca urmare are loc o deplasare n sens invers a sarcinii po%itive$ respectiv a #olului. Materialele semiconductoare la care nu avem elemente impurificatoare poart numele de materiale semiconductoare intrinsec$ i dac notm cu n concentraia e $ cu p concentraia #olurilor la aceste materiale n,p,ni. ni concentraia intrinsec
E 2 =. k .t

ni = A . T . exp1

! numrul lui !vo#adro 4 temperatura a&solut n #rade Delvin E limea &en%ii inter%ise E constanta lui 3olt%mann n ca%ul materialelor n care toi e de valen sunt le#ai prin le#turi covalente conducia e nu este posi&il deoarece nu exist purttori de sarcin li&eri care s se deplase%e. n acest ca% materialele respective se comport asemenea unui i%olator$ de exemplu: diamantul variant a C. n #eneral se consider c un material este semiconductor dac un atom din 1( miliarde are o le#tur covalent deteriorat. Dei concentraia atomilor cu le#turi convalente deteriorate este foarte mic$ proprietile fi%ice i electrice ale materialelor respective sunt diferite. e nu sunt meninui n re#iunea le#turilor ci sunt li&eri s se deplase%e. *n material este considerat semiconductor dac are un numr de 1(F le#turi covalente deteriorate pe cmG. ?roprietile fi%ice i electrice ale semiconductorilor sunt puternic afectate dac reali%m impurificarea structurii acestora cu elemente penta sau tri valente. Exemplu: o impurificare cu <&$ ?$ 3i$ !s1pentavalente2.
e

ion '

n acest ca% doar @ dintre e de valen ai atomului impurificator vor forma cu e de valen ai atomilor vecini le#turi covalente. Cel de al 9 lea e de valen devine e li&er n reeaua cristalin$ iar prsirea acestui atom de ctre e respectiv nu nseamn c va apare un #ol$ ci va rm)ne un ion po%itiv$ fix n reeaua cristalin. Materialul semiconductor este un material de tip n$ iar elementul impurificator este un element donor. "a acest tip de material e sunt purttorii maHoritari$ iar #olurile sunt purttorii minoritari. 8eali%m o impurificare cu elemente trivalente ca 5n$ !l$ :a.
+ n n = Nn = ND (=

= i n n

ion

Elementul impurificator utili%at are doar G e de valen$ ca urmare doar G dintre cele @ le#turi covalente vecine atomului respectiv vor fi satisfcute. Datorit a#itaiei termice un e vecin va veni s satisfac le#tura covalent deteriorat. 5 a natere astfel un ion ne#ativ fix n reeaua cristalin. Materialul semiconductor astfel o&inut este unul de tip p$ la care concentraia #olurilor este mult mai mare dec)t concentraia e . Dac notm cu B! concentraia atomilor impurificatori atunci:

p =N =N p A A
Concentraia #olurilor.
= n= i p p

!cest #en de materiale semiconductoare se numesc materiale semiconductoare extrinseci$ apelea% la elemente impurificatoare$ lu)nd astfel natere semiconductoare de tip n iIsau p.

DCE Curs = Jonciunea p-n la echilibru termic. n practic se utili%ea% numeroase dispo%itive electronice o&inute prin alturarea de re#iuni semiconductoare de polaritate complementar. 8e#iunea de tip p poate fi considerat simplist ca fiind format din ioni acceptori1 2 $ fici n reeaua cristalin i #olurile drept purttori maHoritari. 8e#iunea de tip n poate fi considerat ca fiind format din ioni donori1'2$ fici n reeaua cristalin i e drept purttori maHoritari. Dac considerm dou asemenea re#iuni semiconductoare unite printr o structur cristalin continu$ suprafaa de separaie dintre cele dou re#iuni poart numele de Honciune p n. n re#iunea p #olurile n concentraie:
p p ( =N A

sunt purttorii maHoritari$ iar e n concentraie:

n= i N A

constitue purttorii minoritari. n re#iunea n e n concentraie:

n n ( =N D

sunt purttorii maHoritari$ iar #olurile n concentraie:

n= i N D

constitue purttorii minoritari. Datorit concentraiei diferite n cele dou re#iuni #olurile maHoritare n re#iunea p i minoritari n re#iunea n$ respectiv e maHoritari n n i minoritari n p se tinde spre o stare de ec>ili&ru i ca urmare purttorii maHoritari dintr o re#iune vor difu%a spre cealalt re#iune parial$ unde ei constitue purttorii minoritari. Ca urmare n vecintatea suprafeei de separaie dintre cele dou semiconductoare apare o re#iune de trecere$ de lun#ime l$ de ordinul m$ unde n spaiul situat n re#iunea p pleac #oluri i sosesc e $ iar n spaiul re#iunii n pleac e i sosesc #oluri. Ca urmare$ n re#iunea p apare o sarcin spaial po%itiv. !pariia acestei distri&uii pentru sarcina spaial sta&ilete un c)mp electric intern$ orientat de la re#iunea n spre re#iunea p. 7dat sta&ilit acest c)mp are loc un transport de #oluri din re#iunea n spre re#iunea p i de e din re#iunea p spre re#iunea n. <ensurile acestor deplasri fiind opuse fluxurilor de difu%ie sta&ilite n fa%a iniial. Din acest moment putem spune c o stare de ec>ili&ru a fost atins$ iar la capetele re#iunilor respective se sta&ilete o &arier de potenial de valoare +(. Jonciunea p-n n regim staionar. *n semiconductor etero#en$ prev%ut cu dou contacte o>mice astfel nc)t s poat fi intercalat ntr un circuit electric.

+!

'

5nm 5nM 5pM 5pm

'+ 9

+! +(

?resupunem c dispo%itivul astfel o&inut l conectm n circuit astfel nc)t re#iunea p este le#at la
l = =1V +V 21 n ( A n qn n p ( ( ( +p p 2 ( l = =V 1 n ( n p +p 2 p ( ( qn p n p ( (

&orna 1 2 a sursei de tensiune electromotoare ce furni%ea% +! iar re#iunea n la &orna 1'2 a aceleiai surse. <punem n acest ca% c Honciune p n este polari%at invers. "un#imea %onei de trecere:
l =l 1 + V A V (

"a polari%area invers a Honciunii limea Honciunii de trecere este maHorat. n acest ca% se constat apariia unor cureni datorai purttorilor maHoritari i minoritari: 5nM curent datorat purttorilor maHoritari de sarcin 5nm curent datorat purttorilor minoritari de sarcin n acest ca% se constat c practic curenii datorai purttorilor minoritari sunt mai mari dec)t cei datorai purttorilor maHoritari. Cum concentraia purttorilor minoritari este mic n comparaie cu concentraia purttorilor maHoritari$ re%ult c curentul sta&ilit prin circuit este mic. "a o valoare suficient de mare a tensiunii electromotoare$ curenii datorai purttorilor maHoritari tind spre ( iar cei datorai purttorilor minoritari tind spre valoarea de saturaie: 5s,5pm'5nm.
n

+!

' '+

+(

+!

5pM 5pm 5nM 5nm Considerm re#iunea etero#en respectiv$ conectat ntr un circuit electric. 8e#iunea p la &orna 1'2 a sursei$ re#iunea n la &orna 1 2 a sursei. <punem despre Honciune c este polari%at direct$ iar curenii sta&ilii sunt n principal datorai purttorilor maHoritari.
l = =1V V 21n +p 2 ( A n p ( ( qn p n p ( (

l =l

A V (

l < l

n extrem curenii datorai purttorilor minoritari tind la (. 5!,5pM'5nM 15pm'5nm2 3ariera de potenial n acest ca% este diminuat cu valoarea tensiunii electromotoare. Dac se ridic caracteristica +oltamper n acest ca%:
5d

+i +st

+d

%on direct %on strpuns %on invers

5i

n %ona de conducie direct curentul crete relativ repede$ n raport cu tensiunea la &ornele Honciunii. n %ona de conducie invers curentul este mic i aproximativ constant$ ntr o plaH lar# de tensiune invers aplicat. ?entru tensiunii inverse de strpun#ere n dispo%itiv au loc topiri i recristali%ri locale care deteriorea% Honciunea$ iar curentul crete mult$ dispo%itivul av)nd capacitatea de a menine tensiunea constant la &orne. Caracteristica static a jonciunii p-n n regim staionar. +om considera n aceast a&ordare c)teva ipote%e simplificatoare. <e consider nivelul de inHecie ca fiind mic.

p p( n p(
ne

n n( p n(

pe

lp

ln

"p

"n

pp( concentraia purttorilor maHoritari$ #olurile n p nn( concentraia purttorilor maHoritari$ e n n l limea re#iunii de trecere l,lp'ln np( concentraia purttorilor minoritari$ e n re#iunea neutr p la ec>ili&ru pn( concentraia purttorilor minoritari$ #olurile$ n re#iunea neutr n la ec>ili&ru
F

ne e n exces la %ona de separaie dintre re#iunea de trecere i re#iunea neutr neJnn( pe #olurile n exces la %ona de separaie dintre re#iunea de trecere i re#iunea neutr "p$"n lun#imile de difu%ie a e $ respectiv #olurilor n condiiile ipote%ei fcute$ e vor difu%a din re#iunea n spre re#iunea p i #olurile vor difu%a dinspre p spre n. "a mar#inile %onei de trecere aceti purttori atin# valorile n exces ne$pe. Ca urmare a procesului de difu%ie purttorii n exces n %onele neutre se recom&in cu purttorii maHoritari din aceste re#iuni dup o le#e
L n = D n n
L p = D p p

exponenial$ put)ndu se considera c procesul de recom&inare este nc>eiat dac ducem t# la cur& n punctul respectiv. Dn$Dp constante de difu%ie n$p timpii de via a #olurilor$ respectiv e Determinarea limii reduse a %onei de trecere putem considera densitile de cureni n aceste %one ca fiind constante. n %ona de trecere distri&uia purttorilor de sarcin urmea% o le#e exponenial:
p1 x2 = p V 1 x 2 V A2 exp1 p V ( T

+4,=9 m+1=F #rade Celsius2 Concentraia n exces a #olurilor:

p e = p 1l 2 = p n p V V V V A2 =p exp1 ( exp1 ( 2 exp1 A 2 p V V V ( ( T T T

V exp1 ( 2 = p p n V ( ( T V exp1 ( 2 = n p V ( ( T

=p

V exp1 A 2 n V ( T V exp1 A 2 V ( T

n =n e p

<e poate calcula curentul ce se sta&ilete prin Honciune pornind de la densitile de cureni$ de #oluri$ respectiv e . Hp densitatea de curent corespun%toare #olurilor n re#iunea ln a %onei de trecere. Expresia Hp funcie de constanta de difu%ie i sarcina elementar:
qD j p 1l n 2 = L p 1p p e p 2 n (

Hn densitatea de curent corespun%toare e n re#iunea lp a %onei de trecere

qD n j 1 l 2 = 1n n 2 n p e p L ( n

5!
I = A L j 1l 2 + j 1l 2K A j p n n p
I =qA 1 A j

p L

( +

D n n p L n

( 21exp

A 12 V T

D I = qA 1 S j

( +

II

D n n p L n

( 2

=I

V Lexp1 A 2 1K S V T

+! /

III

IV

n cadranul I +!CC+4
exp V A > >1 V T I A =I S exp V A V T

n cadranul II +!J(
V A < <1 V T
= I

exp

Comportarea jonciunii p-n la tensiuni inverse mari.

5! 5inv +!

+inv

n ca%ul polari%rii inverse a Honciunii p n c)mpul intern care este de acelai sens cu c)mpul extern aplicat acesta este ntrit foarte mult. ?re%ena unui asemenea c)mp smul#e e din structurile lor i n drumul lor se ciocnesc cu alte particule. ?entru anumite valori ale c)mpului aplicat procesul se desfoar n avalan$ curentul invers crete dei tensiunea rm)ne constant. 4ensiunea de la care se produce tensiune de strpun#ere. +inv,+str. Curentul poate crete nelimitat de mult i dispo%itivul poate fi deteriorat.
I inv = MI s

M =

1 V 1 1 inv 2 n V str

Dac se reali%ea% o dopare foarte puternic a Honciunii semiconductorului limea %onei de trecere se n#ustea% foarte mult. "imea de difu%ie a purttorilor de sarcin devine mai mare dec)t lun#imea %onei de trecere. ?urttorii de sarcin nu vor mai ciocni alte particule Efectul 6enner. <trpun#erea care are loc nu mai este una distructiv. C)mpul electric este foarte mare$ astfel nc)t smul#e e $ contri&uind la creterea curentului invers. n acest ca% nu mai avem multiplicare n avalan deoarece purttorii respectivi de sarcin nu mai nt)lnesc alte particule n %ona de trecere.

1(

DCE G *n amplificator ideal este amplificatorul care nu depinde de parametrii externi. +om discuta asupra

sc>emei urmtoare: n fi#ura 11a2 avem repre%entat un amplificator folosind elementele de cuadripol 6< impedan de ieire i este e#al cu: 1IM<N 6s,1IM<. n punctele 1 i 1O amplificatorul poate fi atacat fie n curent$ folosind n acest scop 5# din fi#ura 11&2 cu admitan M# intern$ fie n tensiune folosind #eneratorul de tensiune u# cu re%istena intern 8# din 11c2. 5eirea poate fi n tensiune$ av)nd ca sarcin impedana 6< sau o re%isten 8< sau n curent$ c)nd avem o admitan M<. !mplificatorul este caracteri%at de o amplificare proprie$ notat cu !u sau !5 sau !P sau !%. n funcie de parametrii externi ai amplificatorului vom putea scrie:
u Au = = N u1 u Au = = N g ug I AI = = N I1 AI I = = g Ig

!mplificarea transadmitan !M,5=I*1N !mplificarea transimpedan proprie !M#,5=Iu#N !mplificarea transimpedan !6,u=I51N !6#,u=I5# Aolosind 11c2 i consider)nd c la intrare avem atac n tensiune: u=, 5=6=N !P,5=Iu#,u=I16<u#2N !u,u=Iu#, 6#!M# !cest exemplu demonstrea% posi&ilitatea de a transforma un amplificator transadmitan ntr un amplificator de tensiune$ vala&il numai n ca%ul amplificatorului ideal. n ca%ul amplificatoarelor reale intervin ca factori pertur&atori re%istena #eneratorului i admitana de sarcin.

11

?entru a sta&ili influena acestor parametrii vom folosi sc>ema din fi#ura = care utili%ea% parametrii > sau >i&ri%i de cuadripol.

Ca%ul pre%entat n fi#ura = este un amplificator real despre care putem spune c nu amplific unilateral. Circuitul de intrare este influenat de circuitul de ieire$ parametrul >1=u=$ identic circuitul de intrare influenea% parametrul >=151. !mplificatoarele ideale sunt unilaterale$ amplificarea se face ntr un sin#ur sens dinspre intrare spre ieire. !nali%a amplificatorului se poate face cu parametrii >i&ri%i >$ parametrii :iacolleto #$ sau folosind parametrii de semnal mic ai dispo%itivului activ. Deci amplificatorul din fi#ura = repre%int sc>ema interna a unui tran%istor de semnal mic. +om considera dou amplificatoare atacate n tensiune i dispuse ca n fi#ura G.

?rivind circuitul dinspre ieirea primului amplificator spre intrare putem scrie:
u1$= u1$= u1$= Zin A = = Au 11 = u u u Z g 1 g g + Zin

5dentic putem scrie: scopul urmrit fiind acela de a factori%a toi parametrii astfel nc)t funcia de transfer #lo&al s ne permit determinarea cu preci%ie a rdcinilor polinoamelor de la numitor i numrtor. Auncia de transfer este foarte utili%at n ca%ul amplificrii$ n ca%ul unui etaH real$ impedana de intrare a primului etaH depinde de sarcina de ieire adic de impedana de intrare a etaHului =. n acest scop pentru a elimina eventualele nepotriviri de impedan se utili%ea% etaHe adaptoare de impedan. n ca%ul etaHelor ideale nu apar astfel de pro&leme deoarece etaHul este unilateral. Considerm un amplificator unilateral de tensiune ideal cu sc>ema din fi#ura @.

?? 6<,8<N
Aug = u= ug Rin RS =Au R g +Ri RS +Ries Aug =Aug 1 Au $ RS $ Rin 2

Condiiile de existen pentru un amplificator ideal de tensiune sunt: 8in Q i 8< (. n ca%ul unui amplificator real 8in CC8# iar 8<CC8ies. Caracteristicile 8ies , f1*ies2 sunt date de fi#ura 9.

1=

n practic aceste caracteristici nu exist. n fi#ura - este repre%entat dispo%itivul care reali%ea% aceste caracteristici.

Conform circuitului din fi#ura ; putem calcula influena intrrii asupra ieirii atunci c)nd n circuit apare un element de reacie$ n ca%ul nostru condensatorul C1.

Datorit acestui condensator apare urmtoarea relaie:

d i1 = C1 1u1 u= 2N dt du i1 = C111 + Au 2 1 N dt Ce = C 11 + Au 2 1;2

8elaia 1;2 poart numele de efect Miller sau efect de feed&acE. Considerm nc un amplificator atacat n curent cu ieirea n curent$ fi#ura F.

1G

Aacem convenia: 6#,1IM#,8#: 6<,1IM<,8< aceast convenie ne permite calcularea mai facil a amplificrii.
AI = I= Ig = AIo Rg Ries Ries +RS R g +R in 1F2

*nde: !5o repre%int factor de amplificare n curent pentru 8<,( sau ieirea n scurtcircuit. Condiie ca amplificatorul s fie ideal este: 8in ( 8ies Q. ntr un amplificator ideal de curent vom condiiile: 8inJJ8# i 8iesCC8s. Caracteristicile ideale sunt date n fi#ura /. ?ractic aceste caracteristici nu exist. *n eventual dispo%itiv care poate reali%a acest lucru este dat n fi#ura

1(.

Dac avem un amplificator atacat la intrare n tensiune i cu ieirea n curent acest amplificator va purta numele de amplificator transadmitan. !cest amplificator este pre%entat n fi#ura 11.

1@

AG =

I= ug

= AGu

Rin Ries Rin + R g Ries + RS

Condiia ca un amplificator s fie amplificator transadmitan ideal este: 8in Q i 8ies Q. Ca%ul real al unui amplificator transadmitan: 8inCC8# i 8iesCC8<. *n dispo%itiv ideal care ar putea ndeplini aceste condiii este dat n fi#ura 1=.

*n amplificator atacat n curent i cu ieirea n tensiune este repre%entat n fi#ura 1G. !cest amplificator se numete amplificator transimpedan sau transre%isten.
AZ = u= Ig = AZo Rg RS RS + Ries R g + Rin

!6o repre%int amplificarea etaHului n ca%ul n care 8<Q. ?entru ca montaHul s fie ideal tre&uie satisfcute urmtoarele condiii: 8in( i 8ies(.

Curs @

19

Tranzistorul Dispo%itivul electronic format dintr un monocristal semiconductor care are trei re#iuni al cror tip de conducie alternea% form)nd dou Honciuni foarte apropiate se numete tran%istor. 8e#iunile extreme$ cu acelai tip de conducie se numesc emitor$ E i respectiv colector C$ iar re#iunea median se numete &a%. Conducie i sim&olurile pentru cele dou tipuri posi&ile1p n p$ respectiv n p n2 sunt pre%entate n fi#ura 1:
?entru funcionare normal$ Honciunea &a% emitor se polari%ea% direct$ iar Honciune &a% colector se polari%ea% invers. !stfel la un tran%istor de tip p n p acest lucru se poate reali%a prin conectarea unei surse de tensiune ntre &a% i emitor cu plusul pe emitor i a altei surse ntre colector i &a% cu minusul pe colector$ fi#ura =.

+om explica n continuare fenomenul fundamental care se petrece n acest dispo%itiv: intensitatea curentului n colector este aproape tot at)t de mare c)t i cea din emitor i relativ independent de tensiunea &a% colector$ fi#ura G. De asemenea$ intensitatea acestor doi cureni este practic proporional cu intensitatea curentului n &a%. n Honciunea &a% emitor$ polari%at direct$ trece un curent important de purttori maHoritari$ 5E. !stfel$ #olurile$ maHoritare n re#iunea emitorului trec prin Honciune n &a%$ form)nd curentul 53p$ electronii maHoritari n &a% trec n emitor$ o parte din ei recom&in)ndu se cu #olurile$ form)nd curentul 5En. n &a% ptrunde deci curentul de #oluri din emitor cu intensitatea 53p,5E 5En. ?ractic prin construcia tran%istorilor re#iunea emitorului este dopat mult mai puternic dec)t cea a &a%ei$ deci 5EpCC53n$ iar aceasta mai puternic dec)t colectorul. Concentraia purttorilor maHoritari din &a% care dau componenta 5En$ fiind mult mai mic dec)t concentraia purttorilor maHoritari din emitor re%ult 5EnJJ5Ep i deci
I p I E 1 I Ep 2

7 parte din #olurile inHectate n &a% de emitor ncep s se recom&ine cu electronii din &a% care formea% curentul1de e 2 53n. !ici intervine ns fenomenul esenial n tran%istor. 0onciunea &a% colector polari%at invers pre%int un c)mp intern puternic Ei1 de la &a% la colector care mpin#e imediat #olurile n foarte mare proporie spre colector. ntr adevr$ #olurile fiind purttori minoritari n &a% sunt antrenate prin Honciunea &a% colector de c)mpul intern Ei spre colector$ d)nd natere curentului 5Cp$ De asemenea$ purttorii minoritari din colector$ e $ sunt antrenai de acelai c)mp Ei prin Honciune$ n &a%$ unde se recom&in cu #oluri$ form)nd curentul cu intensitatea 5Cn. Deoarece concentraia purttorilor minoritari n colector este foarte mic i intensitatea curentului 5Cn este foarte mic$ principalul curent de colector fiind un curent de #oluri cu intensitatea 5Cp. Din anali%a de mai sus$ se vede c ntr un tran%istor p n p principalul curent este un curent de #oluri $ creat de fluxul de #oluri inHectate din emitor n &a%$ de unde sunt preluate$ aproape n ntre#ime de c)mpul Ei spre
n conclu%ie$ fc)nd &ilanul curenilor prin cele dou Honciuni$ re%ult c: I Ep = I En + I
n + I Cn + I Cp

colector. Este evident c ntr un tran%istor n p n curentul principal prin dispo%itiv va fi un curent de e 1inHectai din emitor n &a%2.
1-

+om introduce notaiile: 5Ep,5E 5En'53n,53 Cu aceste notaii vom putea scrie:
I E IC

5Cn'5Cp,5C 5E,53'5C. !ceast ecuaie repre%int ecuaia fundamental a tran%istorului

cu Honciuni. Deoarece 5EnJJ5E i 53nJJ5E$ re%ult 53JJ5E$ deci sau 5C,R5E. Constanta de proporionalitate R se numete factor de amplificare n curent i are valori apropiate de unitate$ fiind cuprinse$ n #eneral ntre ($/- i ($//F. Caracteristicile statice ale tran%istorului n aceast confi#uraie $ 3C1&a%a comun at)t pentru circuitul de intrare$ c)t i pentru cel de ieire sunt pre%entate n fi#ura @.

n cadranul 5 s a fi#urat caracteristica de ieire 5C,f1EC32S5E,constant. Dup cum s a artat curentul de colector este foarte apropriat de cel din emitor i ncep)nd de la o anumit valoare suficient a tensiunii EC31care s antrene%e cea mai mare parte a #olurilor din &a% spre colector$ nu depinde de aceast tensiune. n cadranul 555 s a fi#urat caracteristica de intrare 5E,f1EE32SEC3,constant. 0onciune de intrare$ E 3 fiind polari%at direct$ se o&serv dependena exponenial a curentului de emitor de tensiunea dintre emitor i &a%1ca la o Honciune p n2. 4otui$ datorit imediatei vecinti a Honciunii colector &a%$ tensiunea la &ornele acesteia va influena i ea$ sla&$ curentul de emitor$ astfel nc)t i caracteristica de intrare devine o familie de cur&e cu parametrul EC3. n cadranul 55 s a fi#urat caracteristica de transfer direct 5C,f15E2SEC3,constant. <e o&serv o dependen liniar$ de pant R apropiat de unitate$ dup cum re%ult din relaia fundamental 5C,R5E. Exist totui$ cum s a artat o foarte sla& dependen a curentului de colector i de tensiunea colector &a%$ prin intermediul factorului R din relaia precedent. n cadranul 5+ s a fi#urat caracteristica de transfer invers1 de la colector la emitor2$ adic E3E,f1EC32S 5E,constant. Datorit apropierii fi%ice a celor dou Honciuni$ tensiunea de polari%are a Honciunii &a% colector influenea% foarte sla& cderea de tensiune pe Honciunea emitor &a%. ?anta dreptelor care exprim aceast dependen este foarte mic i de cele mai multe ori acest efect se ne#liHea%. Existena relaiei de proporionalitate ntre curentul de emitor i cel de colector determin proporionalitate ntre curentul de &a% i cel de colector. ntr adevr din relaiile: 5C,R5E i 5E,5C'53 re%ult c 5C,R15C'532 5C11 R2,R53
IC =

I 1

= I

Aactorul de proporionalitate T pentru R cuprins ntre ($/- i ($//F ia valori ntre =9 i 9((. 8e%ult c 5C este direct proporional cu 53 fiind de %eci sau sute de ori mai mare. !stfel$ dac se introduce un semnal su& form
1;

de curent n &a%$ el apare n circuitul de colector amplificat de T ori. Emitorul va fi n acest ca% comun at)t circuitului de intrare1&a% emitor2 c)t i celui de ieire1&a% colector2$ de aceea factorul T se mai numete factor de amplificare n curent$ n confi#uraia EC$ emitor comun. 7 sc>em posi&il de polari%area tran%istorului n aceast confi#uraie este pre%entat n fi#ura 9.
Condiia de funcionare normal este ca ECECCE3E$ deoarece cu polari%area din fi#ura colectorul va fi ne#ativ n raport cu &a%a Honciunea &a% colector va fi polari%at invers. De asemenea Honciune &a% emitor direct$ deci sunt ndeplinite condiiile de polari%are normal a tran%istorului.

n afar de amplificarea n curent existent la confi#uraia cu emitorul comun$ la am&ele confi#uraii se poate o&ine i o amplificare n tensiune. ?entru aceasta se nseria% cu colectorul o re%isten numit re%isten de sarcin$ fi#ura 9$ la &ornele creia se va cule#e semnalul de ieire su& forma unor variaii de tensiune. !ceast re%isten reduce tensiunea de polari%are a colectorului$ dar at)ta timp c)t acesta rm)ne ne#ativ fa de &a% curentul din colector practic nu este influenat. ?entru tensiuni de colector u%uale de 9 =9+ i cureni de colector de ordinul m!$ re%istena de sarcin poate lua valori ntre 1 i =( EU.
<ursa de tensiune de semnal cu amplitudinea variaiilor V*i se nseria% n circuitul emitorului$ duc)nd la variaia V5E a intensitii curentului de emitor V5E,V*iI6i$ unde 6i este impedana de intrare a tran%istorului19( =((U 3C2

5mpedana de intrare este impedana Honciunii polari%ate direct emitor &a%. Evident$ conform 5C,R5E$ vor aprea variaii ale intensitii curentului de colector.
I C = I E = ! i Zi

+ariaia intensitii curentului n colector i deci i rin re%istena de sarcin provoac variaii ale cderii de tensiune la &ornele acesteia: V*o,8<V5C
! i ! o = RS Zi

Definim amplificarea n tensiune ca raportul dintre variaia tensiunii la ieire i variaia tensiunii la intrare$ re%ult:
! o R A! = = S ! i Zi

Deoarece 8<CC6i$ re%ult c !*CC1. *%ual !* este cuprins ntre 1( i =((. n #eneral se poate scrie:
R A! = Ai S Zi

unde !i este amplificarea n curent a circuitului electronic. ntr adevr$ un calcul similar arat c$ pentru confi#uraia cu emitorul comun$ amplificarea n tensiune este:
R A! = S Zi

fiind cuprins u%ual ntre 1( i =((.

1F

Curs 6 8e#imul termic al tran%istorului &ipolar ?arte din puterea preluat de dispo%itiv de la surs este de#aHat su& form de cldur n mediul am&iant. !ceast putere este transformat n cldur$ cu efect de cretere a temperaturii Honciunii semiconductorului. !proape ntrea#a cldur este locali%at la nivelul re#iunii de tran%iie a Honciunii respective. n ca%ul tran%istorului &ipolar avem dou Honciuni i aproape ntrea#a tensiune aplicat Honciunii cade pe re#iunea de tran%iie. ?rocesele de ncl%ire sunt locali%ate n aceste re#iuni. Dac vom considera Honciunile polari%ate cu tensiunile +E3$ +C3 curenii fiind e#ali$ puterea consumat este:
"D = iE vE + iC vC iC vC

Deoarece vE3JJvC3 Este important ca aceast putere disipat s nu depeasc puterea maxim admis$ specificat pentru ca temperatura Honciunii s nu creasc dincolo de temperatura maxim admis 4Hmax$ pentru :e 4Hmax , F9 #rade Celsius$ pentru <i 4Hmax , 19( #rade Celsius. <e poate calcula puterea disipat de un dispo%itiv cu o relaie de tipul:
T j max T # "D max = R t $ j #

4a temperatura mediului am&iant 8t>Ha re%istena termic Honciune mediu am&iant L8t>HaK,#rad CelsiusIWatt i este de 1((....9(( #rade CelsiusIWatt pentru dispo%itive de mic putere. n ca%ul dispo%itivelor de putere re%istena este de dou tipuri: 8t> Honciune capsul 8t> capsul mediu am&iant 8t> Hc , = #rade CelsiusIWatt 8t> ca , @( #rade CelsiusIWatt n aceste condiii dispo%itivele semiconductoare de mic putere sunt de p)n la = W pentru :e i 9 W pentru <i. 4emperatura maxim admisi&il 4Hmax N i 8t> sunt utile pentru calculul radiatorului N un element din !l cu o suprafa de radiere c)t mai mare pentru a prelua o cantitate de putere su& form de cldur pentru ca ?D s nu fie mai mare dec)t ?max admisi&il n calcule 4a , =9 #rade Celsius.

Consideraii privind alegerea PS -ului unui tran!istor bipolar. ?entru ca un tran%istor s funcione%e n scopul dorit tre&uie s utili%m un circuit electric exterior lui care s asi#ure polari%area tran%istorului astfel nc)t ?<A ul su s se #seasc n re#iunea activ normal.

1/

! fost fi#urat n planul caracteristicilor de ieire domeniul corespun%tor re#iunii active normale. !ceast %on este delimitat de o >iper&ol de disipaie$ 4Dmax , iC . vCE$ este delimitat la dreapta de verticala corespun%toare +CEmax. <ituarea ?<A ului dincolo de >iper&ola de disipaie atra#e dup sine distru#erea dispo%itivului iar n ca%ul n care ?<A ul este la dreapta lui +CEmax avem o multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin$ re%ult c dispo%itivul se deteriorea%. 6ona activ normal este limitat superior de ori%ontala corespun%toare lui iCmax. ?lasarea ?<A ului mai sus dec)t ori%ontala corespun%toare lui iCmax nu atra#e o&li#atoriu dup sine deteriorarea dispo%itivului ci cel mai adesea are loc o reducere a performanelor reali%ate de dispo%itivul respectiv. <e mai o&serv c n domeniul curenilor mici 6!B este delimitat de %ona de tiere sau &locare. n domeniul tensiunilor mici delimitarea este produs de %ona de separaie. Circuite polari!ate utili!"nd dou surse de alimentare.

&a% comun

=(

emitor comun

EE = E = C
VC

E V RE I E I E = E E RE RL IC + V C V C = EC + RL IC
EC R I R V > % L 11 E 2 + L C ( EE RE E EE E EE

5C,RA5E'5C3(
R = EC + % L 1 E E VE 2 + RL I C ( RE

+E3 %ecimi de + 5C3( X! n practic

EC R > % L EE RE

Circuitul simplu pentru polari%area tran%istorului &ipolar n montaH emitor comun.

=1

EC,8353'rD1TA'1253'+(
EC V( R + 1 % + 12rD

I R

= =

IC =

% 1 EC V( 2 1 % + 12 rd IC

% 1 EC V(2 R + 1 % + 12rD

Expresia curentului din colectorul tran%istorului scoate n eviden c sunt prea puine modaliti pentru a aHusta circuitul astfel nc)t performanele s fie crescute. 8e%istorul 8"$ tensiunea de alimentare EC$ curentul 5C se determin din proprietile de semnal mic dorite pentru circuitul respectiv. !mplitudinea semnalului de ieire$ lr#imea de &and repre%int prea puine posi&iliti care s asi#ure sta&ilitatea ?<A ului cu variaia semnalului de lucru pentru tran%istor.

==

112 EC,8353'+3EY8353 1=2 EC,8"5C'+3C 112 ?utem #si ?<A ul n planul caracteristicilor de intrare la intersecia ntre caracteristica corespun%toare lui +CE$ impus i treapta de pant 1I83$ aceast treapt este aproximativ ori%ontal i cum aceste caracteristici acoper un evantai n#ust$ re%ult c putem considera cu suficient preci%ie caracteristica corespun%toare lui +CE impus ca fiind cea dat de condiia +CE,ECI= c)nd amplitudinea semnalului de la ieire este de valoare maxim. 1=2 Ecuaia dreptei de sarcin a circuitului 1$ corespunde 1 corespunde lui 1($ECI8"2$ 1EC$(2. ?<A ul n planul caracteristicilor de ieire se va #si la intersecia acestei drepte cu caracteristica av)nd drept parametru circuitul n &a% anterior determinat. Dei acest circuit nu asi#ur o sta&ilitate a ?<A ului ntr o plaH de temperatur real el este util atunci c)nd 4a nu sufer modificri $ iar ?D sunt mici. ?entru asi#urarea sta&ilitii ?<A ului se procedea% la a utili%a fie elemente liniare$ fie elemente neliniare. n ca%ul elementelor liniare circuitul o&ine cvasista&ilitatea ?<A ului at)t n raport cu variaia de temperatur c)t i n raport cu dispersia de fa&ricaie a elementelor active$ tran%istoare. n ca%ul elementelor neliniare$ diode$ termistoare circuitul o&ine un cu real sta&ilitatea ?<A ului n raport cu dispersia de fa&ricaie$ n sc>im& solicit precauii suplimentare pentru mperec>erea corespun%toare a elementelor de circuit. Circuit practic pentru polari!area tran!istorului bipolar n montaj emitor comun. Circuitul simplu anterior pre%entat asi#ur curentul continuu DC$ necesar polari%rii prin intermediul unui re%istor conectat n &a%a tran%istorului$ &ote%at re%istor de polari%are. "ucrurile se ameliorea% simitor dac asi#urm DC necesar n &a% prin intermediul unui re%istor divi%iv i n plus dispunem n emitorul tran%istorului un re%istor care s asi#ure reacia ne#ativ de curent necesar sta&ili%rii ?<A ului. <c>ema devine.

=G

n sc>ema ec>ivalent divi%orul re%istiv de la intrare a fost modelat prin sursa de tensiune 4>evenin. E3,EC8=I 181'8=2. Zi re%istorul ec>ivalent 83,81SS8=. 8e%istorul din emitor 8E are dispus n paralel un condensator CE care constitue o cale de impedan minim pentru eventualele semnale mici pre%ente n emitorul tran%istorului1aceste semnale sunt scurtcircuitate la mas2. n DC condensatorul respectiv apare ca un ntreruptor desc>is1nu intervine n discuie2. Circuitul ec>ivalent repre%int similitudinea cu cel nt)lnit la circuitul simplu de polari%are. 8e%ult c putem scrie curentul prin colector printr o relaie:
IC =

% 1 E V (2 R + 1 % + 121rd + RE 2

?utem dimensiona 83,TA1E3 +(2I5C 1TA'121rd'8E2. Expresia circuitului din colector conine = parametri ai tran%istorului care depind de temperatur TA i +(. !m putea elimina TA dac am ale#e 83 suficient de mic i 8E suficient de mare astfel nc)t 1TA'121rd'8E2 s domine numitorul. De unde re%ult c TA s ar simplifica. De asemenea E3 poate fi ales suficient de mare astfel
=@

nc)t variaiile lui +( cu temperatura s fie ne#liHa&ile. n realitate 8E nu poate fi ales oric)t de mare deoarece un 8E mare reali%ea% o reducere a tensiunii disponi&ile pentru re%istena de sarcin$ adic influenea% drastic amplitudinea semnalului de la ieire. 83 nu poate fi ales suficient de mic deoarece untea% la mas semnalul mic util din &a%a tran%istorului. E3 nu poate fi fcut oric)t de mare deoarece are o limit superioar pe care nu o poate depi i anume EC. Din aceste considerente n practic pentru dimensionarea circuitului se parcur# urmtoarele etape: 112 se adopt pentru cderea de tensiune pe 8E o valoare de G @ + i din aceast condiie se dimensionea% re%istorul 8E .
RE I E RE I C = 1G...@2V RE = G...@LV K I C L &AK RE L kK

1=2 pentru o a doua etap se adopt pentru re%istena n &a% o valoare de aproximativ 83,Y1(.8E. ?entru tran%istorul TA,1(( ale#erea acestei valori are ca efect c eventualele variaii sunt reprimate de 1( ori fa de situaia n care am fi ales un circuit cu 8E,(. E3,83.53'1TA'121rd'8E2'+( N 1G2 Dac nu avem toate elementele necesare de calcul 53,5CITAN +(,Y($-+ pentru tran%istorul cu <i 1@2 ?ornind de la ecuaiile 1 i = putem #si valoarea re%istenei 81,83.8CIE3 8=,81.83I181 832 Cursul ; Polari!area tran!istoarelor cu #e. "a tran%istorului cu :e apare un al treilea parametru puternic dependent de temperatur :curentul re%idual de colector. TA$ respectiv +( au o dependen aproximativ liniar cu temperatura$ curentul re%idual de colector 5C3( are o dependen exponenial cu temperatura. Exemplu: 5C3(,1X! la =9 #rade Celsius$ aHun#)nd la -(X! la F9 #rade Celsius. Din aceast cau% modelul utili%at pentru tran%istori cu :e tre&uie s in seama de curentul re%idual de colector.

?entru curentul din colector: 5C,TA.53 1TA'125C3( 7 soluie de polari%are care menine curentul din &a%a tran%istorului constant se dovedete a fi neopera&il deoarece curentul din colector este puternic afectat de dependena exponenial cu temperatura a 5C3(. <oluia de polari%are pentru aceste tran%istoare este cu divi%or re%istiv la intrarea tran%istorului i reacii serie de curent n emitorul acestuia.
=9

<c>ema pentru anali%a n curent continuu devine:

!le#)nd un sens de parcur#ere n oc>iul de la intrare: E3,8353'1TA'121rd'8E253 1TA'121rd'8E25C3('+( rdJJ8E ,C E3,L83'1TA'128EK53 1TA'128E5C3('+(
I = E V( + 1 % + 12 RE IC ( R + 1 % + 12 RE IC = % I 1 % + 12 IC ( IC =

% 1 E V( 2 + % 1 % + 12 RE I C ( 1 % + 12 I C ( R + 1 % + 12 RE

5C,LTA1E3 +(2'TA1TA'12835C3( 1TA'12835C3( TA1TA'128E5C3( 1TA'128E5C3(KIL83'1TA'128EK

IC =

% 1 E

V( 2 1 % + 121 RE + R 2 IC ( R + 1 % + 12 RE

Procedee neliniare pentru stabili!area PS -ului Cele mai frecvent utili%ate metode apelea% la o diod polari%at invers$ dispus n &a%a tran%istorului sau la un termistor.

=-

n ca%ul circuitului care nu utili%ea% dioda dispus n &a%a tran%istorului$ 5C3( este diriHat spre masa montaHului prin Honciunea emitorului deoarece re%istena pre%entat de aceast Honciune este mult mai mic dec)t re%istena ce apare n &a%a tran%istorului. Dac utili%m o diod polari%at invers i dispus n &a%a tran%istorului se poate o&serva c curentul invers al acesteia se nc>ide prin Honciunea emitorului n sens invers 5C3( i dac ale#em n mod corespun%tor dioda astfel nc)t curentul invers al diodei s fie e#al cu 5C3( putem reali%a o compensare a acestuia. De o&servat cum 5C3( influenea% puternic curentul din colector n lipsa unui semnal n &a%a tran%istorului: 83,Q$ 5C,1TA'125C3( Dac dioda este selectat corespun%tor 5C3(,5inv al diodei$ atunci 5C3( se va nc>ide la masa montaHului nu prin Honciunea colectorului ci prin diod. 8e%istorul 8E din emitorul tran%istorului are rolul de a sta&ili%a factorul de c)ti# direct n curent TA cu modificarea de temperatur i n plus$ pentru ale#erea lui 8E corespun%tor se o&ine un potenial ridicat n &a%a tran%istorului$ astfel nc)t dioda respectiv s fie polari%at invers. ! doua soluie apelea% la termistoare.

n sc>em divi%orul 8= este nlocuit cu un termistor 841Bi7$M#7$ ?a72 au proprietatea c i reduc re%istena cu creterea de temperatur. n lipsa lui 84 o modificare a temperaturii atra#e dup sine creterea 5C3( i deci nu mai este asi#urat sta&ilitatea ?<A ului$ n pre%ena 84$ la modificarea temperaturii$ re%istena acesteia se reduce$ re%ult c potenialul aplicat n &a%a tran%istorului se reduce$ re%ult c scade curentul din &a%a tran%istorului i implicit scade i curentul din colectorul tran%istorului. <e asi#ur astfel sta&ilitatea ?<A ului. ?entru 8E din emitor se ale#e o valoare mai mic dec)t n ca%ul circuitului la care sta&ili%area se asi#ur numai prin reacia serie de curent. !ceast metod asi#ur sta&ilitatea numai n raport cu dispersia te>nolo#ic a tran%istorului$ i n acelai timp ale#)nd o valoare mai mare pentru 8E putem ale#e un termistor cu o re%isten mai ridicat n raport cu re%istena de intrare a tran%istorului.
=;

Cerine de polari!are pentru tran!istoarele bipolare n montaj colector comun$ respectiv ba! comun. n colector comun$ colectorul este comun at)t pentru circuitul de intrare c)t i pentru cel de ieire.

8e%istorul de sarcin este dispus n emitorul tran%istorului$ semnalul de intrare aplic)ndu se n &a%a acestuia$ iar cel de ieire n se cule#e din emitorul acestuia. o cretere a curentului din &a%a tran%istorului determin o cretere a curentului n emitorul acestuia$ i cum tensiunea de ieire este produsul dintre 8" i curentul din emitor$ re%ult c tensiunea de ieire este n fa% cu tensiunea de intrare. Cerinele de polari%are pentru ca tran%istorul s funcione%e n re#iunea activ normal impun ca Honciunea emitorului s fie polari%at direct$ iar a colectorului invers. <oluia cea mai simpl:

=F

ntre cureni avem o relaie: 5E,1TA'1253$ aplic)nd teorema 55 a lui DirEoff pentru oc>iul din colectorul tran%istorului$ avem EC,+CE'8"5E ?entru oc>iul din &a% avem EC,8353'*3Esat'8"5E
I E = 1 % + 12 I EC VCD IC I = EC V Es#t R + 1 % + 12 RL

Din expresia teoremei 55 a lui DirEoff pentru oc>iul colectorului

RL =

!tunci c)nd se dorete a se o&ine pentru semnalul de la ieire o amplitudine maxim tensiunea colector emitor este e#al cu Humtate din tensiunea de alimentare a montaHului. +CE,+CE[,ECI=. 8",ECI=.5C. ?entru dimensionarea re%istenei din &a%a tran%istorului putem utili%a expresia dat de teorema a doua a lui DirEoff pentru oc>iul &a%ei:
R = EC RL I E V Es#t N I

n aceleai condiii de amplitudine maxim a semnalului de ieire.

E RL I E = C =
de unde re%ult

EC V Es#t R = = I

n ca%ul montaHului &a% comun semnalul de intrare este aplicat n emitorul tran%istorului i cel de ieire cules n colectorul acestuia.

?olari%area &a%ei este asi#urat prin 83$ condensatorul C31cale de impedan minim pentru eventualele semnale de !C pre%ente n &a%a tran%istorului2. "a o cretere a curentului prin emitor re%ult o cretere a curentului n colector$ de unde re%ult c semnalul de la ieire este n fa% cu cel de la intrare. 7 sc>em simpl de polari%are: Conform teoremei 55 a lui DirEoff avem: EC,8".5C'+CE'8E.5E$ TACC1$ 5E,Y5C de unde re%ult c EC,5C18"'8E2'+CE .
=/

!plic)nd teorema 55 a lui DirEoff pentru oc>iul din &a%a tran%istorului o&inem: EC,83.53'+3Esat'8E.5E$ 5E,1TA'1253N EC,8353'+3Esat'8E1TA'1253$ de unde re%ult
I = EC V Es#t R + 1 % + 12 RE

Circuite echivalente de cuadripol. Dac variaiile de semnal la terminalele unui tran%istor sunt relativ mici astfel nc)t caracteristicile tran%istorului n Hurul ?<A ului se pot aproxima prin linii drepte atunci tran%istorul poate fi modelat pentru anali%a n curent alternativ printr un cuadripol liniar activ cu o &orn comun at)t circuitului de intrare c)t i celui de ieire.

"a &ornele cuadripolului avem @ mrimi$ c)te un curent i o tensiune at)t pentru circuitul de intrare c)t i pentru cel de ieire. Cele @ varia&ile pot fi msurate i definite matematic$ fiecare dintre ele$ funcie de celelalte$ +in,f15in$+out2$ 5out,f15in$+out2. <unt suficiente aceste dou funcii pentru a o&ine un circuit$ circuitul >i&rid. Exist n fapt - modaliti de a ale#e varia&ilele independente. 8e%ult - sisteme de ecuaii$ fiecare este caracteri%at de @ parametrii$ numii parametrii de cuadripol$ cel mai frecvent utili%at fiind sistemul >i&rid: +in,f115in$+out2$ 5out,f=15in$+out2. ?entru a nele#e comportarea circuitului n curent alternativ$ respectiv a 3lacE 3ox ului$ tre&uie s difereniem aceste ecuaii.
' '1 dVin = 1 dIin + dVout I in Vout dI out = I in ' = dIin + Vout ' = dVout

d+in,V+in,vin d+in,V5in,iin

d+out,V+out,vout d5out,V5out,iout

'1 ' iin + 1 vout vin = Iin Vout i = '= i + '= v out I in V out in out
Derivatele pariale care apar drept coeficieni au urmtoarele semnificaii:
' I in '1 Vin I in Vin

#re dim ensiune# unei re)istente

Vin

Vout I in ' = ' = =

Vout

este # dim ension#l este # dim ension#l

Iin

= $11 = $=1

Vin = $1= Vout I out Vout = $==

I out I in I out

I out Iin

Vout

Vout

#re dim ensiune# unei (ondun( tan te Sie&ens

G(

>11 re%istena de intrare a tran%istorului >1= tensiunea de reacie invers >=1 c)ti# direct n curent >== conductan de ieire vin,>11iin'>1=vout iout,>=1iin'>==vout

Cursul F

vin = $11 iin + $1= vout iout = $=1iin + $==vout

Circuitul de intrare se comport asemenea unei surse de tensiune 4>evenin. Circuitul de ieire este o surs de curent Borton. ?arametrii >i&ri%i poi fi msurai prin msurtori. ?entru vout,($ >11,vinIiin$ >=1,ioutIiin. ?entru iin,($ >1=,vinIvout$ >==,ioutIvout. !cest #en de circuit definete comportarea tran%istorului &ipolar n raport cu tensiunile i curenii alternativi. Modelul de circuit cu sarcin. ?entru o anali% complet a tran%istorului n curent alternativ tre&uie s lum n considerare existena unei surse de semnal la intrarea circuitului$ precum i a unei re%istene de sarcin pe care acesta de&itea%.

G1

v v iout = out N out = $=1iin + $==vout N RL RL RLiout 11 + $== RL 2 = $=1RLiin i $=1 Ai = out = iin $== RL +1

vout $==vout = $=1iin N RL

vout 11 + $== RL 2 = RL $=1iin

iout $==vout = $=1iin N vin =

i $==vout iin = out = $=1

v out $==vout RL N $=1

v out $==vout RL vin = $11 + $1=vout $=1

$ 11 $11$== RL + $1=$=1RL v out N $=1RL

v Av = out vin $=1RL Av = N $11 + $ $ 11 == RL $ 1=$=1RL $=1RL Av = $11 + $RL Rg + $ v v $RL + $ 11 11 N R Rin = in = = out = N out = $11i$ + $ v 1 1 2 viniin + R + 1 i $ + $ == 1=Lout out == RL in "g = Av Ai i = $ $ = $11$== $ 1=$=1.

i + $ v 1 =2 out =1 in == out v = V R i 1G2 g g in in v = R i 1@2 L out out

vin,+# 8#iin vout, 8"iout 4ensiunea culeas pe 8" este de polaritate ne#ativ datorit sensului curentului prin acest re%istor. <e poate determina din 112$ 1=2$ 1G2 i 1@2 urmtoarele: !i $ 1amplificare n curent2!v$ 1amplificare n tensiune2 8in$1re%isten de intrare2 8out$1re%isten de ieire2 ?# .1amplificare n putere2. ?arametrii >i&ri%i ai dispo%itivului din interiorul cutiei ne#re nu se modific prin modificarea re%istenei de sarcin sau a sursei de semnal de la intrare. 8e%ult c modificri ale !i$ !v$ respectiv 8i$ 8out$ nu nseamn c se modific valorile numerice ale parametrilor >i&ri%i >. n practic parametrii >i&ri%i utili%ea% o alt sim&olistic n care semnificaia indicilor este: i re%isten de intrare$ r factor de transfer n tensiune invers$ f factor de c)ti# n curent direct$ o conductan de ieire$ iar al doilea indice repre%int: e montaH emitor comun$ & montaH &a% comun$ c montaH colector comun. n montaH emitor comun:

G=

v3E,>iei3'>revCEN iC,>fei3'>oevCE n situaiile practice cu c)t un tran%istor se apropie de condiia ideal factorul de reacie n tensiune invers este nul$ iar re%istena de ieire a tran%istorului este infinit$ circuitul ec>ivalent de cuadripol devine:

v C = $iei i = $ i C 'e
n condiia tran%istorului ideal !i,>fe$ !v, 1>fe.8"2I>ie$ 8in,>ie$ 8out,Q. Modelul % hibrid. ?entru frecvene de lucru inferioare la c)teva sute de D\%$ pentru frecvene superioare modelul tre&uie modificat cu considerarea c factorul de transfer n tensiune invers este (.

8in 1>ic2 este nlocuit cu re%istena r& care apare scurtcircuitat la mas prin paralelul dintre capacitoarele C&e i C i re%istorul r&e$ deasemenea #eneratorul de curent controlat >fe.vce este nlocuit cu #eneratorul #m.vce. C&e capacitatea de difu%ie proprie Honciunilor polari%ate direct. Este determinat de timpii de nt)r%iere necesar propa#rii purttorilor de sarcin printr o Honciune polari%at direct. C&c capacitate de epui%are determinat de suprafeele de epui%are care apar ntr o Honciune polari%at invers$ n ca%ul montaHului EC capacitatea C este C,C&c11 !v2. !vem o &ifurcare a curentului de la intrare pe dou ramuri: 12 prin re%istorul r&e =2 prin capacitoarele C&e i C 8e%ult 6in,r&eSS1C&e'C2
Zin = r*e 1 + jr*e 1C*e + C 2

<e definete n ca%ul acestor tran%istoare punctul de Gd3 ca cel corespun%tor situaie n care curenii prin cele dou ramuri sunt e#ali. <e poate determina frecvena la care este ndeplinit aceast condiie ca: fT,1I L=.]r&e1C&e'C2K. r&e,^1C&e'C2. De unde re%ult fT,1IL=.]r&e1C&e'C2K. n cataloa#e se mai #sete frecven produs lr#ime &and 1f42$ corespunde situaiei n care c)ti#ul n curent direct este e#al cu unitatea. f4,>fe.fT &bservaii privind determinarea parametrilor circuitului echivalent.
GG

?anta tran%istorului #m se determin dintr o relaie de tipul:

+T +T VT = = =9&V l# =9 gr#de Celsius q g & = @( . I C g& = qI C L &A K V

<e poate determina re%istena r&e$ r&e,>feI#m r&,>ie r&e r& apare ca diferen ntre dou mrimi relativ mari$ imprecis de determinat$ valoarea ei depinde de frecven i poate fi ne#liHat atunci c)nd tran%istorul lucrea% la frecvene Hoase. 'eterminarea parametrilor C&c (i C&e. C&c poate fi determinat prin msurarea capacitii ntre electro%ii &a% i colector ai tran%istorului$ cu emitorul n #ol n curent alternativ$ la o anumit pulsaie. ?ractic se msoar capacitatea de ieire a tran%istorului n conexiune 3C$ put)ndu se o&serva c aceast capacitate apare nseriat cu re%istena r& care poate fi ne#liHat dac ^ la care se efectuea% msurarea este suficient de Hoas astfel nc)t 1I1^C&c2CCr&. <e poate determina capacitatea C&e.
g C*e = & C*( ='T

Circuitul echivalent al tran!istorului bipolar )uncion"nd la semnale mici$ #iacoletto. 7&inem curentul n colectorul acestuia prin procesul de difu%ie a purttorilor maHoritari din emitorul su. Dac tran%istorul este de tip ?B?$ nseamn c el este datorat #olurilor ce prsesc emitorul$ iar curentul de difu%ie ce apare n colectorul su depinde fundamental de distri&uia purttorilor minoritari n &a%a tran%istorului$ acetia sunt #oluri la tran%istoarele ?B? i electroni la tran%istoarele B?B.

G@

npE1x2 concentraia purttorilor minoritari 1electroni2 n re#iunea neutr a emitorului 1?B?2 ?n1x2 concentraia purttorilor maHoritari$ #olurile n re#iunea neutr a &a%ei tran%istorului npC1x2 concentraia purttorilor minoritari$ electroni n re#iunea neutr a colectorului 5C curent de difu%ie. Curentul din colector ic,!H.H?d !H aria seciunii transversale H?d densitatea de curent de suprafa iC,!HL [D?3d?n1x2IdxK, !H[D?3d?n1x2Idx D?3 constant de difu%ie a #olurilor ?n1x2 concentraia purttorilor din &a% la ad)ncimea x ^ lr#imea re#iunii neutre a &a%ei ?On1x2 surplusul de purttori de sarcin n exces n re#iunea neutr a &a%ei n raport cu concentraia acestor purttori de la ec>ili&ru ?On1x2,?n1x2 ?n(. Distri&uia acestor purttori de sarcin n exces n re#iunea neutr a &a%ei este de tip triun#>iular de unde re%ult c pentru o ptrundere x ?On1x2, ?On(11 xIW2.
qV 1(2 = " (Lexp1 E 2 1K "n n +T

8e%ult iC, !H[D?3

1 x2 d"n dx = qA j D"

iC = qA j D"

1(2 "n , "n ( qV Lexp1 E 2 1K , +T

*cuaiile *bers-Moll ce modelea! tran!istorul bipolar )uncion"nd n +C. Curentul din colector
qV qV iC = % I ES Lexp1 E 2 1K I CS Lexp1 E 2 1K +T +T

_in)nd cont c tran%istorul funcionea% n re#iunea activ normal$ pentru: +E3C($ +C3J($S+C3SCCD4I[

G9

qV iC % I ES Lexp1 E 2 1KN % 1 +T qVE iC I ES Lexp1 2 1KN +T I ES = qA- D" "n ( ,

Cursul / 8e%istena de intrare a acestui amplificator este practic 8# av)nd n vedere c aceasta apare n paralel cu re%istena unei Honciuni poart canal de valoare foarte mare i paralelul dintre acestea este practic o re%isten apropiat ca valoare de re%istena cea mai mic. Considerm o confi#uraie a amplificatorului cu divi%or re%istiv pe poart:

8e%istena de intrare a amplificatorului este practic paralelul dintre 81 i 8=$ capacitorul C< pune la mas semnalele de !C pre%ente n sursa tran%istorului i se menionea% din condiia ca re%istena pentru frecvene Hoase s repre%inte o %ecime din re%istena c>imic a 8<1re%istena din surs2. n circuitul ec>ivalent #eneratorul de curent este &ote%at #m.v#s care de&itea% pe re%istena de ieire a rds i re%istena 8". !mplificarea n tensiune: !v,voutIvin $ vin,v#s$ vout, io8"N
G-

g &v gs rds g &v gs rds RL g & rds RL g R io = Av = Av = Av = & L rds >> RL R rds + RL 1rds + RL 2v gs rds + RL 1+ L rds Av g & RL

vout este defa%at cu 1F( de #rade n raport cu vin. Circuit dren comun de joas )recven vout este cules pe re%istorul dispus n sursa tran%istorului. 8e%istena de intrare a circuitului poate fi considerat c>iar re%istena dispus pe poarta tran%istorului$ 8in,8: se o&serv deasemenea c ntrea#a tensiune de pe circuit este adus napoi la intrare$ de unde re%ult c Tv,1 1factor de reacie2. 8e%istena de ieire a circuitului este paralelul dintre re%istena de ieire a tran%istorului$ rds i re%istorul de surs 8< .
Ro Rv' = 1 + v Av Rv Av g & RS Rv' = 1 + g & RS

!mplificarea n tensiune n pre%ena reaciei:

Av g & RS Av' = = 1 + v Av 1 + g & RS

Modelarea rspunsului la semnal mic pe ba!a )enomenelor din regiunile neutre. <e consider ca asupra fluxurilor de polari%are ale celor dou Honciuni se aplic pertur&aiile VvE3 i VvC3 i s evideniem influena lor asupra curenilor din colector$ emitor. !nali%m nite pertur&aii de tipul ViC i ViE. Considerm variaiile tensiunilor suficient de mici pentru a putea liniari%a dependena puternic neliniar dintre curent i tensiune de tip exponenial n ca%ul unei Honciuni desc>ise. Be interesea% acest comportament n ca%ul tran%istorului aflat n 8!B$ adic acolo unde
G;

tran%istorul reali%ea% amplificarea. ?entru nceput considerm teorema superpo%iiei astfel nc)t tensiunea re%ultant: vE3,+E3'VvE3 112. n re#iunea neutr a &a%ei tran%istorului distri&uia purttorilor de sarcin minoritari n exces este de tip triun#>iular i prin urmare putem considera concentraia purttorilor minoritari n exces n &a% la o ad)ncime de ptrundere x:
. 1 x2 = " 1(211 2 , regiune neutr# # *#)ei "n n , qV 1(2 = " (Lexp1 E 2 1K "n n +T qV + vE qV qvE qvE q 1(2 = " (Lexp1 E "n 2 1K = "n (Lexp1 E 2 exp1 2 1K exp1 2 1+ vE n +T +T +T +T +T qV qvE qVE qVE q 1(2 = " (Lexp1 E 211 + "n 2 1 K = " ( Lexp1 2 1 K + " ( exp1 2 vE n n n +T +T +T +T +T qV qV q 1(2 1(2 = " (Lexp1 E 2 1K + " 1(2 "n ( exp1 E 2 vE = "n "n n n +T +T +T qV q q 1(2 = " ( exp1 E 2 1(2 "n vE "n vE n +T +T +T

Efectul maHorrii concentraiei de purttori minoritari n exces n &a%a neutr a tran%istorului la mar#inea dinspre emitor a acestuia$ const ntr o maHorare a curentului din colector. ViC,#mVvE3. n sc>ema ec>ivalent acesta se repre%int printr un #enerator de curent. <e mai o&serv c are loc i o cretere a sarcinii electrice stocate n re#iunea neutr a &a%ei$ sarcin proporional cu aria triun#>iului >aurat. V[3,CdEVvE3. Ca urmare curentul n &a% este maHorat cu o cantitate dat de aceast sarcin suplimentar:
d d i / = 1q 2 = 1CdE d E 2 dT dt d 1vE 2 i / = CdE dt

CdE repre%int capacitatea de difu%ie a Honciunii emitorului i este asociat ncrcrii &a%ei prin proces de difu%ie$ proces determinat de purttorii maHoritari ce prsesc Honciunea emitorului. Mai are loc o maHorare a curentului din &a% cu o cantitate Vi38 . Vi38,`] VvE3 N `] repre%int conductana

GF

?arametrii care intervin: #m$ CdE$ `]$ pot fi determinai pe &a%a distri&uiei triun#>iulare a purttorilor minoritari n exces n &a%a neutr a tran%istorului.
1 (2 qA j D" "n , 1 (2 qA j D" "n iC = , q 1 (2 = " 1 (2 "n vE n +T 1 (2 q qA j D" "n iC = vE , +T q iC = I C vE = g & vE +T I q g & = IC = C g & = @( I C +T VT IC = q q = CdE vE N = q

1 1(2K = qA j L ,"n =

= qA j

1 q 1 (2 ,"n vE = +T

1 (2 1 , = q qA j D" "n vE , = D" +T = q 1 , q = I C vE +T = D" = = 1 , 1 , q = g & = % = D" vE = D" g CdE = g & % N si&il#r g = & %

5nfluenele exercitate de pertur&aiile suprapuse tensiunii de polari%are a tran%istorului se pot exprima asupra curenilor din tran%istor prin relaii de tipul: ViC,#mVvE3$ Vi3,Vi3a'Vi38
i = g vE + CdE d 1vE 2 dt

Comportarea circuitului ec>ivalent la semnal mic tre&uie s in cont de capacitile de &arier a celor dou Honciuni: C3E$ C3C.
G/

4ensiunile aplicate din exterior nu cad n ntre#ime e re#iunile de sarcin spaial. !pare o cdere suplimentar de *$ datorat n principal cur#erii transversale a curentului de &a%. Ea poate fi asimilat unei re%istene distri&uite pe lun#imea activ a &a%ei tran%istorului. ?olari%area direct a Honciunii emitorului s fie mai pronun la mar#inea dinspre &a% a emitorului$ re%ult o concentrare a curentului la mar#inea emitorului. !cest fenomen nu poate fi modelat cu un model
@(

unidimensional. Ca urmare se apelea% la o re%isten intern 8&O& considernd c avem n plus o &a% intern a. Comportarea circuitului ec>ivalent de semnal mic$ in)nd cont de efectul EarlP. VvE3 VvC3 modificarea #rosimii &a%ei$ dependena este o funcie de forma W,f1VvC32 nu este semnificativ W,f1VvE32 nu este semnificativ deoarece vE3 este aproximativ constant.

" 1(2 , 2 , , 1, 2 " 1(2 " "n , +T , 1, , = = vC N " 2, = n v n 1, , << = n n C , VC , + , q , 1(2 VC, + , "n , , +T 1 , q 1, 2 = " (221 "n " 2 v n11( q , VC +T C 1, 2 = n "n , , 9 G +T 1 , q 1, 2 = " 1(2 = "n v = 1( 1( n q , VC +T C

Efectul pertur&aiei VvC3 se materiali%ea% printr o maHorare a #rosimii re#iunii neutre a &a%ei$ se poate considera c nu am avea o modificarea a #rosimii re#iunii neutre ci doar o modificare a concentraiei n purttori minoritari n &a%a tran%istorului la ad)ncimea de ptrundere WE cu o cantitate VW. ?utem calcula VW prin difereniere. ?utem afla dependena W,f1VvC32 prin tan#ent.

b factor de modulare a #rosimii &a%ei. Efectul pertur&aiei VvC3 este similar cu cel datorat pertur&aiei VvE3 mult mai redus datorit b valori foarte mici. Efectul cumulat al celor dou pertur&aii VvE3$ VvC3 se poate exprima printr o relaie de tipul: ViC,#mVvE3 b#mVvC3. b o#lindete faptul c panta distri&uiei triun#>iulare a purttorilor minoritari n exces n &a%a neutr este mai mic ca urmare a pertur&aiei VvC3.
i = g vE + CdE d 1vE 2 dt + g vE + CdE d 1 vC 2 dt

<c>ema ec>ivalent care ine cont de toi aceti parametrii este:

1 1 g = g*( = = r1 r 1 1 1 g*( = g = *(= = g g = = = g & r r*( C = C*e (e = CdE ro + C*E r(e CdE

@1
C = C*( = C*( +CdE C*(

Curs 1( ,ran!istoare M&S cu canal iniial <unt dispo%itive electronice la care conducia curentului are loc la suprafaa semiconductorului respectiv.

!cest dispo%itiv este prev%ut cu dou puuri unite ntre ele printr un canal conductiv de tip n. Bu mai avem Honciuni ca la 40<. Cel de al doilea electrod$ poarta tran%istorului este i%olat fa de canal printr un strat de oxid$ ca urmare re%istena de intrare este foarte mare$ motiv pentru care este posi&il s se acumule%e sarcin electrostatic care depind o valoare poate duce la strpun#ere. ?roductorii favori%ea% dispo%itivele cu terminalele conectate printr o foi metalic care este scoas numai dup plantarea dispo%itivului pe circuitul imprimat. *nii productori prefer dispo%itivele cu o diod 6enner ntre poart i mas$ care intr n conducie dup ce tensiunea acumulat depete valoarea tensiunii 6enner a diodei respective. n practic se utili%ea% scule conectate la mas. Dac e poarta tran%istorului se aplic un potenial mai po%itiv n raport cu sursa acesteia n canalul conductiv apare o cantitate suplimentar de e i ca urmare curentul prin dispo%itiv crete. n acest ca% tran%istorul lucrea% n re#im de m&o#ire. Dac potenialul aplicat pe poarta tran%istorului este mai ne#ativ n raport cu cel la care se #sete sursa are loc o srcire n purttori de sarcin pre%eni n canalul conductiv al dispo%itivului i ca urmare curentul prin dispo%itiv scade ceea ce nseamn c tran%istorul lucrea% n re#im de srcire. Caracteristica de ie(ire a tran!istorului. 'ependena dintre curentul de dren (i tensiunea dren-surs av"nd ca parametru tensiunea poart-surs.

,ran!istorul M&S cu canal iniial indus. <tructura este asemntoare cu cea al 4EC M7< cu canal iniial indus cu deose&irea c nu mai avem canalul fi%ic ntre cele dou puuri. De ndat ce tensiunea aplicat ntre poart i surs depete valoarea de tiere$ n %ona imediat vecin porii tran%istorului apare un canal indus conductiv$ poarta i su&stratul tran%istorului comport)ndu se asemenea unui capacitor. Canalul respectiv se m&o#ete i poate conduce numai dac potenialul aplicat e poart este suficient de mare. <im&olul:

@=

Caracteristica de ieire:

Ca i la tran%istorul cu canal iniial distin#em la caracteristica de ieire o %on liniar corespun%toare pentru valori mici ale tensiunii dren surs unde curentul ce se sta&ilete prin dispo%itiv este proporional cu tensiunea aplicat$ pentru valori mai mari ale lui +D< se intr n %ona de saturaie$ curentul prin dispo%itiv put)ndu se exprima printr o relaie de tipul: iD,#+D<N Conductana tran%istorului$ # poate fi exprimat printr o relaie de tipul: #,T1+:< +?2. T panta LTK,L<iemensI+oltK iD,T1+:< +?2+D<. Polari!area tran!istorului ,*C-M&S cu canal iniial.

112

1=2
@G

Dou soluii de polari%are 112 autopolari%are 1=2 circuit universal de polari%are cu divi%or re%istiv pe poart. 112 tensiunea necesar polari%rii tran%istorului este culeas pe re%istena 8<$ fiind produs de curentul propriu al tran%istorului. iDN 5<,5DCC5:. n ca%ul circuitului cu divi%or re%istiv$ tensiunea de polari%are necesar:
R= VGS = VDD RS I D R1 + R=

n ircuitul din soluia cu autopolari%are tensiunea de polari%are fiind cea culeas pe 8< cu 1'2 n surs i la mas pentru ca potenialul porii s fie acelai cu al masei montaHului este necesar s avem pe 8: o cdere de tensiune ne#liHa&il. 8:$ re%istorul de sarcin pentru semnalul util aplicat n poarta tran%istorului. !r fi de dorit ca 8: s fie de valori c)t mai ridicate. Compromisul dintre cele dou cerine$ 5: nano!mperi$ re%ult c vom ale#e pentru 8: valori de ordinul MU. +:<, 8<5D ecuaia dreptei de ne#ativare ?entru oc>iul de la ieire avem: +DD,8"5D'+D<'8<5DN C< impedan de valoare redus pentru semnale alternative din surs$ n DC funcionea% ca un ntreruptor desc>is +DD,+D<'18"'8<25D ecuaia dreptei statice de sarcin n !C 8< este untat de C<$ sursa de alimentare +DD lucrea% ca un scurtcircuit (,vD<'8"iD vD<, 8"iD ecuaia dreptei dinamice de sarcin. n planul caracteristicii de transfer se determin punctul static de funcionare la intersecia caracteristicii respective cu dreapta de ne#ativare$ acest punct proiectat pe dreapta static de sarcin determin punctul static de funcionare n planul caracteristicii de ieire$ unde poate fi dus
@@

i dreapta dinamic de sarcin. Arecvent se pune pro&lema proiectrii unui circuit care s asi#ure un anumit ?<A pentru tran%istor$ caracteri%at de iD$ v:<$ punct situat n re#iunea de saturaie$ punct situat n re#iunea de saturaie. ?entru determinarea ?<A ului de la parametrii tran%istorului$ 5D$+? precum i de la tensiunea de alimentare +DD. Polari!area tran!istorului cu canal indus.

112
VGS = VDD R= R1 + R= VDD = RL I D + VDS I D = I DSS 11 VGS = 2 V"

<oluia 1=2 este utili%at atunci c)nd se cere pentru intrarea tran%istorului o re%isten de valoare foarte mare$ atunci 81$8= se ale# de valoare mare$ 8G de valoare identic cu cea impus$ fiind dispus ntre divi%or i poarta tran%istorului. <emnalul este aplicat pe poarta tran%istorului.

!u fost trasate caracteristicile de ieire corespun%toare pentru temperaturile de lucru nt)lnite. !re loc deplasarea ?<A ului cu modificarea de temperatur. <e poate reali%a o sta&ili%are prin introducerea unui re%istor 8< n sursa tran%istorului. !ceast 8< are rol sta&ili%ator. ,ran!istorul unijonciune.

@9

!ceste tran%istoare sunt reali%ate dintr o &ar de semiconductor de tip n$ la capetele fiind reali%ate dou contacte o>mice c&a%ed: 31$3=. n %ona median prin difu%ie este creat o re#iune semiconductoare de tip p i ca urmare o Honciune p n ia natere$ la re#iunea p este dispus cel de al treilea terminal$ &ote%at emitorul tran%istorului$ c)nd ntre 31 i 3= se aplic 1(+$ ca urmare dac ntre emitor i 31 avem o tensiune aplicat J9+$ ntre emitor 31 are loc o inHecie de #oluri i deci curentul care apare ia valori reduse de ordinul X!. C)nd tensiunea aplicat n emitor C9+ n semiconductorul n apar purttori de sarcin e $ dispo%itivul se comport ca o re%isten ne#ativ$ curentul crete$ iar tensiunea culeas pe dispo%itiv scade. Dup punctul + dispo%itivul se comport asemenea unei diode semiconductoare aflat n conducia direct. ?entru aceste dispo%itive sunt specificate n cataloa#e$ curentul i tensiunile punctelor: M$+. ,iristorul. Const din @ re#iuni semiconductoare$ c)te dou de polaritate complementar$ dispuse alternant. Din punct de vedere al profilului de dopare$ re#iunile extreme sunt puternic dopate$ re#iunile mediane sunt sla& dopate. Dispo%itivul are G terminale$ dou fiind !$ D$ la re#iunile extreme$ cel de al treilea$ poarta$ la re#iunea median p.

?resupunem dispo%itivul intercalat ntr un circuit$ conin)nd sursele <1$ <= i ntreruptoarele E1$ E=$ presupunem c avem intercalate n serie un ampermetru. E1 nc>is$ <1 cu polaritatea fi#urat n acest ca% Honciunile extreme ale dispo%itivului sunt polari%ate direct$ Honciunea median polari%at invers. !proape ntrea#a tensiune de la &ornele sursei <1 cade de Honciunea median polari%at invers$ re%ult c curentul ce se sta&ilete prin dispo%itiv este de valoare redus. Considerm c inversm polaritatea sursei <1$ E= desc>is$ cu aceast nou polaritate Honciunile extreme sunt polari%ate invers$ Honciunea median polari%at direct. Curentul ce se sta&ilete este i mai mic n raport cu cel pre%ent n situaia anterioar. < considerm c revenim la polaritatea anterioar a sursei <1 i n plus nc>idem E=. ?entru a nele#e fenomenul care permite aprinderea tiristorului$ considerm dispo%itivul ca fiind reali%at prin Huxtapunerea a dou tran%istoare &ipolare de polaritate complementar.

@-

E1$ E= nc>ise$ Honciunea emitorului tran%istorului 41 este polari%at direct re%ult c e maHoritari n E1 vor difu%a spre &a%a 31 unde doar puini dintre ei se vor recom&ina cu #olurile maHoritare aici$ maHoritatea e vor fi antrenai n colectorul C1 al tran%istorului 41$ re%ult c 41 trece n stare de conducie i potenialul ne#ativ este transferat n &a%a 3= a tran%istorului 4=.Cum n emitorul lui 4= se aplic un potenial po%itiv 1'2$ re%ult c Honciunea emitorului tran%istorului 4= este polari%at direct$ ca urmare$ #olurile maHoritare n E= vor fi antrenate prin difu%ie n &a%a 3= $ maHoritatea lor fiind captate de colectorul C= al tran%istorul 4=. 4= este n stare de conducie i ca urmare potenialul po%itiv din anodul tran%istorului este transmis prin &a%a 31 a lui 41 reacia de curent intervine$ i dup acest moment dispo%itivul rm)ne n stare de conducie c>iar dac E= este desc>is. <tin#erea dispo%itivului poate avea loc doar dac tensiunea aplicat este redus la ($ sau dac curentul scade su& o anumit valoare$ numit curent de meninere 5\1\7"D2. Circuitul de poart pentru tiristor poate fi dimensional fie pentru funcionare n 112 re#im permanent$ fie 1=2 re#im de funcionare n impulsuri de scurt durat. 112 amorsarea se face n DC 1=2 pentru curent de comand care circul un timp scurt <tin#erea tiristorului poate avea loc c>iar la valoarea 5\ a curentului numai dac scderea respectiv de curent este suficient de lent pentru a permite recom&inarea purttorilor de sarcin. "a vite%e mai mari de scdere a curentului stin#erea poate avea loc la valori mai mici ca 5\ sau c>iar pentru valori ne#ative 12 ale curentului.

Curs 11 -eacia n ampli)icatoare. n practic nu exist amplificatoare ideal$ capa&ile s asi#ure la ieire un semnal identic cu semnalul aplicat la intrare$ multiplicat doar printr un anumit factor constant. C>iar dac amplificatorul este suficient de liniar pentru o anumit plaH a tensiunii de la intrare$ amplificarea n tensiune se modific fie datorit variaiilor de tensiune ale sursei$ fie din cau%e am&ientale$ re%ult)nd modificarea caracteristicilor tran%istorului cu ?<A ul. !ceste efecte pot fi minimi%ate dac se apelea% la reacia ne#ativ.

@;

<c>em de fluen a semnalului a unui amplificator &loc reacie$ precum i sc>ema electric. ?e l)n# amplificatorul de &a% sunt pre%ente un comparator i un atenuator de preci%ie. 7&inem comparatorul prin modul de conectare al semnalului de intrare +1$ respectiv semnalul de reacie +@. !tenuatorul de preci%ie$ factorul de atenuare f este reali%at cu elemente pasive$ mult mai insensi&ile la variaii ale tensiunilor de alimentare sau ale temperaturii. Aunciile de transfer sunt independente de frecven. <e poate ne#liHa ncrcarea pe care o reali%ea% atenuatorul de preci%ie pentru amplificatorul de &a%. ?utem considera amplificatorul de &a% cu 8in Q iar 8out,(. <emnalul de reacie +@,+G semnalul de la ieire

multiplicat cu factorul f. +@,f+GN +G,a+=N +=,+1 +@. !vf repre%int amplificarea n tensiune cu reacie.
VG VG #V= #V= Av' = = = = V1 V= +V@ V= + ' VG V= + '#V= VG # Av' = = V1 1 + #' # >>1N 1 Av' '

n pre%ena reacie amplificarea a amplificatorului de &a% a fost eliminat i ca urmare !vf depinde numai de f$ poate fi controlat cu mai mult preci%ie deoarece atenuatorul de preci%ie este construit cu elemente mai puin sensi&ile la variaia de temperatur. !vf este independent de a atunci c)nd aCC1. Deoarece += care l produce pe +G este diferen ntre dou tensiuni mult mai mari i ca urmare dac a scade de dou ori este suficient o mic variaie a +G pentru a avea asi#urat du&larea lui += i prin urmare compensarea pierderii de amplificare. Dei ne am referit doar la amplificarea de tensiune scopul este altul$ o simpl amplificare de tensiune put)nd fi o&inut i cu un transformator. Ceea ce ne interesea% este amplificarea puterii astfel nc)t s putem aplica sarcinii o putere su&stanial$ funcie de necesitile impuse de aceast sarcin.
dAv' = 1 11 + #' 2 = d#

dAv' 1 d# = Av' 11 + #' 2 #

atenuat factorul
Av' 1 = # 1 + #'

variaie #lo&ale. acelai prin variaia &a%. 7

7 variaie a amplificrii amplificatorului de &a% este pentru amplificatorul cu reacie prin 1I11'af2. Dac presupunem c af,// c o variaie de 1(e a amplificrii amplificatorului de &a% este concreti%at pentru ieirea amplificatorului cu reacie printr o de doar ($(1e a amplificrii !plicarea reacie are ca efect reducerea amplificrii o&inute prin factor 1I11'af2. !mplificarea #lo&al este redus acelai factor prin care este redus amplificrii amplificatorului de reducere de 1(( de ori a variaie amplificrii de &a%$ antrenea% o
@F

reducere tot de 1(( de ori a amplificrii #lo&ale !vf. n sc>im& o amplificare nesta&ili%at se o&ine cu uurin prin adu#area de mai multe etaHe c)nd aducerea amplificrii nesta&ili%ate la sta&ilitate nu este o limitarea serioas c)nd asemenea etaHe sunt dispuse n partea circuitului unde semnalele sunt de tensiuni Hoase i c)nd pierderea pe care o avem n partea circuitului care ve>iculea% puteri mari poate fi uor compensat. *%ual spunem c reacia este ne#ativ dac a i f au acelai semn. n practic putem considera reacia ca fiind ne#ativ dac o modificare a lui f antrenea% o scdere a lui !vf. !mplificatoarele nu sunt liniare nsemn)nd c nu asi#ur aceeai amplificare pe ntrea#a plaH de variaie a semnalului de la intrare. Considerm un amplificator cu urmtoarea caracteristic de transfer: <e o&serv c distin#em mai multe poriuni liniare i ca urmare putem anali%a separat fiecare poriune. Dac introducem o reacie ne#ativ$ caracteristica de transfer o&inut va fi mai liniar deoarece reacia ne#ativ are rolul de a elimina neliniaritile amplificatorului de &a%. Considerm pentru tensiunea de la ieire +G variind ntre 1 i '1+ panta caracteristicii este 1((($ iar pentru plaHa ntre 1 i G$9$ respectiv 1 i G$9+ panta este de 1((. Datorit neliniaritii circuitului anali%a nu mai poate fi efectuat n domeniul frecven ci n domeniul timp. vG1t2,av=1t2 v@1t2,fvG1t2 v=1t2,v11t2 v@1t2 a,($1
1((( vG 1t 2 = v 1t 2N 1 + 1((( (.1 1 v # Av' = G = v1 1 + #' vG 1t 2 = (./ v11t 2 1(( vG 1t 2 = v 1t 2 1 + 1(( (.1 1 vG 1t 2 = /.1 v11t 2

!plicarea reaciei ne#ative reduce variaia amplificrii amplificatorului de &a% printr un raport de 1(:1. !dic sc>im&area intervalului n amplificare este de la /$/ la /$1 dei plaHa de variaie a semnalului de intrare a rmas aceeai. ?reul pltit pentru acest avantaH este reducerea amplificrii cu acelai factor. ?ierderea n amplificare poate fi refcut adu#)nd un nou amplificator la intrarea amplificatorului de reacie$ acesta put)nd fi proiectat s nu introduc nici o distorsiune. ?rin aceast aciune se reduce amplificarea prii din

sistem care comand semnale mari pentru a m&unti fidelitatea la semnale mari$ i se transfer aceast sarcin prii care amplific semnalele mici i deci ale cror distorsiuni sunt mici. Caracteristica de transfer n pre%ena reaciei: Evident pre%ena reacie nu poate elimina n totalitate toate neliniaritile n caracteristica de transfer$ exist o anumit limit pentru care a ( i !vf (. n situaiile extreme ale tran%istorului &locat$ saturat reacia nu poate s mai intervin.
@/

*)ectul reaciei asupra semnalelor para!ite. <emnale para%ite: a2 datorate surselor de alimentare &2 %#omotul datorat a#itaiei termice c2 diafonie atunci c)nd n vecintatea amplificatorului respectiv sunt i alte amplificatoare 4oate acestea conduc la reducerea performanelor amplificatorului respectiv. 8educerea efectelor acestor %#omote se poate face prin reacia ne#ativ. ?resupunem c %#omotul este pre%ent la intrarea amplificatorului de &a%$ n acest ca%$ sc>ema &loc electric:

# # VG = V1 + V 1 + #' 1 + #' n

V S = 1 N Vn

ntr o asemenea situaie$ practic pre%ena reaciei nu are nici o influen$ ca i cum nu ar exista.

8eacia n aceast situaie nu m&untete raportul semnalI%#omot$ re%ult c putem renuna la reacie dac %#omotul se aplic n acelai punct cu semnalul util. ?resupunem c %#omotul se aplic n alt punct.

#1#= #= VG = V1 + V 1 + #1#= ' 1 + #1#= ' n

#V S = 11 N Vn

9(

8aportul semnalInoise este maHorat de a1 ori fa de situaia anterioar. Deci dac este posi&il s se construiasc un amplificator a1 care nu este afectat de %#omot asemenea lui a= atunci este posi&il s m&untim raportul semnalI%#omot al amplificatorului a= cu aHutorul reaciei. 8e%ult c %#omotul +n nu poate fi un %#omot de a#itaie termic$ deoarece acesta afectea% n aceeai msur i pe a1 i pe a=. El poate fi un %#omot de reea al sursei de intrare$ c)nd intensitatea curentului de colector fiind de ordinul amperilor este dificil pentru sursa de alimentare respectiv s asi#ure un filtraH corespun%tor. Cum ns etaHele precedente funcionea% cu o amplificare mai mic pentru acestea putem asi#ura filtrarea sursei de alimentare$ re%ult c este mai raional s repre%entm amplificatorul de ieire de putere prin &locul a= i s considerm &locul +n ca fiind %#omotul sursei de alimentare. !mplificatorul a1 este a l doilea amplificator care funcionea% la nivele de semnal mult mai mici i deci poate fi alimentat de la o surs &ine filtrat. ?resupunem c a= are o amplificare unitar de tensiune dar un c)ti# mare de putere i c %#omotul sursei de alimentare de 1(( \% are amplificarea de 1+. "ocul exact unde intervine %#omotul +n nu este impus n aceast discuie. ?resupunem c este aplicat la intrarea lui a=$ dar c semnalul activ de la +1 are 1+ re%ult c)nd a= funcionea% sin#ur avem <IB,1. Dac presupunem a1 are amplificarea e#al cu 1(( i n plus funcionea% fr %#omot$ iar reeaua de reacie are f,1$ re%ult c tensiunea de ieire va conine un semnal util de aproximativ 1+ aplicat la intrarea comparatorului$ %#omotul va fi redus de 1(1 ori. ?utem utili%a reacia pentru reducerea %#omotului numai dac putem reali%a un al doilea amplificator care s asi#ure o amplificare su&stanial i un raport <IB
V 1 Av' = o N Vin ' V' = RE V RE + R% o ' = RE R E + R% R 1 G1 =1+ % =1+ ' RE =.;

su&stanial mai &un ca raportul amplificatorului de &a%. <e pot minimi%a %#omotele n etaHul de amplificare unde nu intervine o&iectivul unei amplificri mari de putere sau a unei puteri mari de ieire.

91

9=