SCD seminarul 3 Circuite logice cu elemente discrete Familii de circuite logice: DL logic cu diode Ii Circuit Logic MOS logic

gic cu tranzistor MOS Caracteristici statice de funcionare i parametrii statici specifici: caracteristica de transfer uo =uo(ui): VIL, VIH nivele de tensiune acceptate la intrare VOH -1 VOL, VOH nivele de tensiune oferite la Vo = Vi iesire MZL, MZH margini de zgomot (acestea se pot defini ca fiind nivelul maxim al perturbaiilor sub form de tensiuni admise pe intrarea circuitului -1 logic fr modificarea strii logice la VOL ieirea lui ui MZL = VILmin VOLmax VIL VPL VIH MZH = VOHmin VIHmax VPL valoarea de prag logic (valoarea tensiunii de la intrare pentru care se consider c se face trecerea dintr-o stare n alta.

Io uo

DCTL logic cu transiztoare cuplate direct RTL logic rezisten tranzistor DTL logic diod tranzistor TTL logic tranzistor tranzistor ECL logic cu cuplaj pe emitor

uo

Caracteristica ideala de tip inversor uo VOH =Vcc MZL MZH VOL=0 VIL=0 VPL
V 0

Caracteristica ideala de tip neinversor uo VOH =Vcc MZL ui VOL VIL=0 VPL
V 0

MZH ui

VIH =Vcc

VIH =Vcc

Pentru determinarea caracteristicii de transfer pentru un circuit de tip I, respectiv SAU, se pun toate intrarile la 1 logic, respectiv la 0 logic, cu exceptia unei intrari care variaz de la 0 la Vcc , urmarindu-se variaia tensiunii la ieire. caracteristica de intrare ii = ii(ui): IIL , IIH curenii de intrare n cele dou stri logice

caracteristica de iesire io = io(uo): IOL , IOH curenii pe care circuitul este capabil sa-i dea n sarcin (sau s-i absoarb din sarcin) n cele dou stri logice.

Din caracteristicile de intrare i de ieire, n corelaie i cu marginile de zgomot statice acceptate n cele dou stri, se deduce capacitatea de ncrcare static maxim a circuitului, Nmax (fan-out): Nmax = min{N0max, N1max} I N O max = OL max = numarul maxim de pori logice identice ce pot fi conectate la I IL max ieirea unei pori astfel ca starea sa (0 logic) sa nu fie afectat I N i max = OH max = numrul maxim de pori logice identice ce pot fi conectate la I IH max ieirea unei pori astfel ca starea sa (1 logic) sa nu fie afectat Comportarea in regim dinamic
tp =

1 (t pLH + t pHL ) timp mediu de propagare 2 tpLH, tpHL timpi de propagare (ntrzieri pe poart): intervalul de timp dintre trecerea intrrii prin valoarea VPL la comutarea direct, respectiv invers, i momentul n care rspunsul la ieire trece prin aceeai valoare tfLH, tfHL duratele fronturilor impulsurilor (timpii de cretere i respectiv de descretere) i sunt definite ca fiind intervalele de timp necesare tensiunii la ieire s evolueze intre 0,1 i 0,9 (respectiv 0,9 i 0,1) din valoarea totala a excursiei de tensiune V = VOH VOL. marginea de zgomot n impulsuri: este dat de amplitudinea minim a unui impuls ezg de durat precizat tzg , care poate provoca schimbarea strii logice a circuitului la ieire.

Caracteristica de alimentare si putere disipata Parametrii: VCC, VEE sau VDD tensiunea de alimentare ICCL, ICCH (IDDL, IDDH) curenii absorbii de la sursa de alimentare n cele dou stri logice PCCL, PCCH (respectiv PDDL, PDDH) puterile absorbite n cele dou stri logice Pmed puterea medie disipat sau absorbit 1 1 Pmed = (PCCL + PCCH ) = VCC (I CCL + I CCH ) 2 2 M = Pmed t p factor de merit caracterizeaz global o structur dat de circuit

Exemple de circuite logice 1 DL AND uim ui1 Vcc 3 ui1 R1 4 DTL - NAND R Dm uim ui1 Di RB -VBB D D RC T DCTL NAND T1 Tm u0 uim Rm Vcc ui1 u0 Ri uim DCTL NOR Rm Vcc DL - OR ui1 uim u0 -VEE u0 uim ui1 Ri Rb -Vbb Vcc Rc Tm T1 u0 2 RTL NOR Rm Vcc Rc T

Problema 1 Fie circuitul RTL cu M = 3 intrri Ri = R1 = R2 = R3 =20K, 0 = 100 UBE0 = UBE = UBEsat = 0,7V UCEsat 0 Vcc=20V Se cere: R3 a) caracteristica de transfer u0(ui) pentru N = u Rc=2K i3 0 si N = 5 R2 b) MZL, MZH u0 T c) Caracteristica de intrare ii (ui) ui2 d) Nmax ui1 e) Formele de und la ieire pentru N = 0 R1 cnd la intrare este aplicat un impuls RB fereastr ui(t) = Vg fT(t), cu Vg = 20 V, de 10K durat suficient de mare (regimul tranzitoriu al porii) Rezolvare: a) Pentru determinarea caracteristicii de transfer pentru circuitul NICI se pun dou intrri la 0 logic i se variaz lent intrarea liber ntre 0 i VCC.

Vcc Rc R1 ui RB uo VOH =Vcc MZL 0 V1 V2

V 0

VB

u0

MZH ui VIH =Vcc

Tensiunea de 0 logic cu care se comand intrarea este U CEsat 0 . Cnd ui = 0, tranzistorul T este blocat, potenialul n baz VB = 0. = R2 || R3 || RB = 5 K RB Scriind metoda potenialelor la noduri n baza tranzistorului avem: 1 M ui U + (M 1) CEsat = VB R + R R1 Ri i B de unde: VB =

RB u i R1 + RB

R1 R1 sau: u i = VB VB = 1 + R M + R B B n aceast situaie ieirea uo = VOH = VCC. Ieirea rmne la aceast valoare ct timp tranzistorul este blocat. Pentru ui = V1 n baz se atinge tensiunea de deschidere a tranzistorului VB = UBE0. Se determin: V1 = 5UBE = 3,5V VOH = VCC este determinat evident pentru N = 0. n cazul n care poarta noastr comand alte 5 pori identice (N = 5), atunci ieirea arat:
Vcc Rc VOH(N) UBE Ri Pori comandate Ri UBE

1 U N V VOH ( N ) + = CC + N BE Ri RC Ri RC de unde: Ri NRC VOH ( N ) = VCC + U BE Ri + NRC Ri + NRC

2 1 VOH (5) = VCC + U BE 13,5V < VOH (0 ) 3 3 Pentru u i [0,V1 ] tranzistorul fiind blocat, curentul n baza lui e 0. Cnd

u i V1 tranzistorul se deschide n RAN. Curentul din baza lui este:

I B = I1 I = I B (u i ) =

u i U BE U BE R1 RB

M 1 1 + ui U BE R1 Ri RB Cnd ui = V2 tranzistorul intr n saturaie i IB(V2) = IBSI(N) Pentru N = 0 1 (VCC U CEsat ) = VCC I BSI (0) = VCC I Csat = RC RC 0 RC Pentru N = 5 porile comandate pot avea tranzistoarele blocate sau saturate. Vom considera cazul n care tranzistoarele comandate sunt blocate.

1 (VCC U CEsat ) N U CEsat RC Ri + RB 1 Curentul de saturaie incipient din baz: I BSI ( N ) = I Csat ( N ) i este datorat 0 diferenei V = V2 V1 = Ri I BS , de unde V2 = V1 + RiIBS

I Csat ( N ) =

b) MZL = VILmin VOLmax = V1 VOL = V1 MZH = VOHmin - VIHmax = VOH V2 = VCC V2 ui , pentru ui [0,V1 ] R1 + RB c) I i (ui ) = u U BE i , pentru ui [V1 ,VCC ] R1

ii

ui V1 VIH

c) Numrul maxim de circuite comandate (identice) se determin astfel: n starea 0 tranzistorul de comand trebuie s rmn saturat, deci: IB > IBSI V U BE U BE U U CEsat I B min = OH (M 1) BE , R1 RB Ri caz defavorabil, cu toate cele (M 1) intrri la 0 logic. 1 1 (VCC U CEsat ) + N 0 (U BE U CEsat ) I BS Im ax = I Csat max = 0 0 RC 0 Ri Valoarea VOH a fost calculat tot pentru N0, adic Ri N 0 RC VOH = VCC + U BE Ri + N 0 RC Ri + N 0 RC nlocuind n inegalitatea de mai sus rezult N0. n starea logic 1: Curentul distribuit fiecrei ci va fi Vcc 1 VCC U BE Ii = Rc R N1 Ii RC + i N1 Porile comandate trebuiesc s poat fi saturate: N1Ii

1 VCC U CEsat U BE U U CEsat , I BSI = (M 1) BE 0 RC RB Ri Din condiia I B I BSI N 1 . Se alege N max = min{N 0 , N1 }
I Bi = I i

e) Vg ui T t0 u0 Vg t0 La momentul t0 are loc comutarea direct. Tranzistorul era blocat iar poarta se gsea n 1 logic la ieire. Comutarea direct presupune dou fenomene: - ntrzierea la deblocarea tranzistorului, de durat t1 (neglijabil): v (0 ) vB ( ) t1 = 1 ln B U BE vB ( ) unde vB (0) = 0 , v B ( ) = Vg , t t1 t2 t3 t4
Ri M Dup deblocare se intr n RAN.

1 = C be RB ||

- ntrzierea datorat parcurgerii RAN ic (t ) = 0 I B1 [1 exp( t n )] Cp - capacitatea parazit n >> = RC C p u 0 (t ) = VCC RC iC (t ) Durata t2 rezult din condiia saturrii tranzistorului, deci: u 0 (t 2 ) = U CEsat 0
t 2 = n ln

VCC RC

0IB
Cp

u 0 (t )

0 I B1 RC

0 I B1 RC VCC i acest timp este neglijabil dac pe ieirea porii nu se gsete o capacitate de sarcin CS semnificativ. ) tranzistorul este gsit n SAT. Pentru a-l La comutarea invers (momentul t 0 comuta din SAT n BL mai nti se elimin sarcina stocat suplimentar n tranzistorul saturat (ntrzierea t3), dup care se blocheaz, capacitile aflate n sarcin se ncarc la valoarea VOH. I + I B1 , unde Timpul de stocare t 3 = t S = S ln B 2 I B 2 + I BS
I B1 = I B2 = V g U BE R1 U BE R1 +

(M 1)

U BE U CEsat Ri Ri +

U BE RB

U BE RB =

V g U BE R1

U BE RB

(M 1) U BE U CEsat
= VCC 0 RC

U BE R RB || i M

I BS

1 VCC U CEsat 0 RC

Timpul de cretere t4:

VCC RC u0 Cp
u 0 (0 ) = 0 u 0 ( ) = VCC u 0 (t ) = VCC [1 exp( t )] = RC C p u 0 (t 4 ) = 0,9VCC t 4 = 2,3

Rezult: timpul de comutare direct t cd = t1 + t 2 t 2 timpul de comutare invers t ci = t S + t 4 t 4

Problema 2

Fie circuitul DTL din figur, pentru care: 0 = 100, UBE0 = 0,5V, UD = UBEsat = 0,7V, UCEsat 0, rCsat = R1 10, RC = 1K, R1 = 4K, R2 = 10K, VCC = 10V. Di D D B ui Se cere: A a) caracteristica de transfer u 0 (u i ) i parametrii R2 acesteia b) caracteristica de intrare ii (u i ) i gradul de saturaie nT al tranzistorului c) capacitatea maxim de ncrcare Nmax d) puterea medie disipat e) regimul tranzitoriu pentru o capacitate de sarcin CS = 100nF. Rezolvare: a)

RC

VCC

u0 T

Poarta DTL este o poart logic de tip INU (NAND), n concluzie pentru a trasa VOH caracteristica de transfer conectm toate intrrile la 1 logic cu excepia unei MZH MZL singure intrri pe care aplicm o variaie u i lent ntre 0 i VCC. Diodele Di care vor fi 0 conectate la 1 logic vor fi blocate. V1 V2 VPL V3 ViH Cnd ui = 0, dioda Di este deschis prin Caracteristica de transfer calea de curent asigurat de la VCC prin R1. Tensiunea n punctul A va fi v A (0) = U D = 0,7V , tensiune insuficient pentru a deschide diodele D i D (nseriate). Acestea vor fi deschise pe calea de curent Vcc R1 A mas n momentul
u0

n care v A (u i ) = 2U D u i = V1 = V A U D = U D = 0,7V . n domeniul u i [0,V1 ] tranzistorul este blocat i tensiunea la ieire este vOH = VCC = 10V . Tranzistorul se deschide (n RAN) n momentul n care n baz avem potenialul v B (u i ) = UBE0 = 0,5V adic pentru o tensiune la intrare ui = V2 = -UDi + UD + UD + UBE0 adic V2 = UD + UBE0 = 1,2V n momentul n care la intrare avem ui = V3 = UD + UBEsat, tranzistorul se gsete n zona de saturaie cu condiia ca I B I BS . Deci V3 = 1,4V. La ieire pentru u i V3 vom avea u O = VOL = U CEsat 0 . Valoarea lui VOL este dependent de gradul de ncarcare N. Dac scriem MPN (metoda potenialelor la noduri)
VCC VCC RC V0L rCsat ECEsat NIi Ii Di R1
diode blocate

VOL (N ) = U CEsat + rCsat I Csat (N ) = = U CEsat + rCsat [I Csat (0) + NI i ]

1 N VCC U CEsat V U D 1 V0 L + N CC R +r + R = R + r R1 1 C Csat C Csat V Pentru N = 0 se poate aproxima V0 L rCsat CC RC Imunitatea la zgomot: MZL = V2 0 = V2 MZH = VCC V3
b) Pentru ui [0,V1 ] avem I i (u i ) = sau I i1 (u i ) =

VCC V A (u i ) VCC U Di u i = R1 R1

VCC V A (u i ) VB (u i ) sau R1 R2 V U Di V (u ) 2U D u i U D 1 I R1 (u i ) = u i + CC = i I R 2 (u i ) = A i deci R1 R1 R2 R2 V U Di U D 1 + I i 2 (u i ) = u i + CC (se schimb panta). R1 || R2 R1 R2

Pentru u i [V1 ,V2 ] avem I i (u i ) = I R1 I R 2 =

V U Di 1 u i + CC = I R1 (u i ) . R1 R1

I2 Caracteristica Pentru u i [V1 ,V3 ] curentul scade i de intrare I1 mai mult, pna la 0. Pentru ui V3 ncepe i blocarea diodei de la intrare, o dat cu IiL saturarea tranzistorului. IiL = 0. Cnd tranzistorul este saturat, curentul din baza sa este: V V AH U BEsat unde VAH = 2UD + UBEsat i VAL = V A (0) = UD. Se determin I B = CC R1 R2 IB = 1,975 + 0, 07 = 1,9 mA Curentul de saturaie incipient: 1 VCC I BSI = 0,1 mA << I B T saturat 0 RC Gradul de saturaie: I nT = B 1 = 18 I BSI c) Capacitatea maxim de ncarcare: N max = min{N 0 , N1 } n starea 0 la ieire: Cu ct N0 este mai mare crete curentul de saturaie, deci crete IBSI al tranzistorului de comand. Condiia care se impune este: I B I BSI ( N 0 ) (tranzistorul de comand s rmn sat.) i V0 L ( N ) < U D + U BE 0 = V2 (porile comandate s rmn blocate) 1 1 unde I BSI ( N 0 ) = I Csat ( N 0 ) = [I Csat (0) + NI i ] 0 0 n starea 1 la ieire: Indiferent cte pori comandm cu 1 logic, diodele de la intrarea porilor comandate fiind blocate, VOH nu se modific i deci N1 = (neglijm curenii reziduali prin diode). Rezult Nmax = N0
1 d) Puterea medie disipat Pmed = VCC [I CCL + I CCH ] 2 ICCL curentul absorbit de la sursa de alimentare cnd ieirea este n 0 logic: V V AH VCC + I CCL = I R1 + I RC VO =VOL = CC R1 RC ICCH curentul absorbit de la sursa de alimentare cnd ieirea este n 1 logic:

V U D I IL = I i1 (0 ) = CC R1 V 2U D I1 = I i1 (V1 ) = I i 2 (V1 ) = CC R1 I 2 = I i 2 (V2 )

IiH

ii (u i ) V1

V2 V3

ViH

ui

I CCH = I R1 + I RC
f) Regimul tranzitoriu

VO =VOH

VCC V AL V UD + 0 = CC R1 R1
ui VCC t0
T mare

Comutarea direct: u i :"0" "1" Neglijnd timpii de deblocare, atunci durata cnd ieirea trece din BL n SAT, este dat de durata parcurgerii RAN.
VCC RC

t0

uO VOH
0,9VCC

0IB
CS

u0

VOL
t f
+ tS t f

u 0 (0) = VOH = VCC u 0 ( ) = VCC 0 I B RC u 0 (t ) = VCC 0 I B RC + 0 I B RC exp( t C ) C = RC C S Condiia de intrare n saturaie u0 t f = U CEsat 0 , rezult

( )

t cd = t f = c ln
Comutarea invers: u i :"1" "0"

0 I B RC 0 I B RC VCC

I B 2 + I B1 , IB1 = IB i IBSI au I B 2 + I BSI U fost calculai. Diodele D i D se blocheaz i deci I B 2 = BEsat R2

Timpul de stocare (poate fi neglijat): t S = S ln Timpul de cretere t + f Tranzistorul este blocat i circuitul este:
VCC RC u0 CS
+ Condiia u O t + f = 0,9VOH t f = 2,3 C

u 0 (0 ) = U CEsat = 0 u 0 ( ) = VOH = VCC u 0 (t ) = VCC [1 exp( t C )] = C = RC C S

( )

Rezult t ci = t S + t t + f

+ f

Probleme propuse: UD = UBE = 0,8V, UCEsat = 0, 0 = 100

1
Di ui

VCC 10V R1 40K D1 T1 R2 4K D2 RC 1K u0 T2

VCC 10V R1 4K D RC1 1K T1 T2 VCC 10V R2 8K RC2 1K u0

ui

Di

3
Di ui

R1 40K T1 R2 1K D

RC 1K u0 T2

VCC 10V

4
Di

R1 4K

RC1 1K T1 D R2 8K

RC2 1K u0 T2

5
R1 4K Di ui D1 D2 D3 R2 8K RC 1K u0 T

VCC 5V

6
ui Di

R1 1K R2 10K T1 D R3 4K

VCC 10V RC 1K u0 T2

R1 4K T1

R2 2K D T3

VCC 5V

Di

T2 T4 VCC 5V R1 4K D ui T1 R2 8K T2 T3 R3 4K R3 4K

u0

RC 1K u0