Đề tài:

MẠCH ĐiỀU TẦN TRỰC TiẾP DÙNG VARICAP

1
 Lời mở đầu
• Trong truyền dẫn vô tuyến ,để đưa tín hiệu có
tần số thấp như âm thanh tiếng nói đi xa cần có
những kỹ thuật điều chế để đưa lên tần số cao,ở
nơi thu sẽ giải điều chế để thu được tín hiệu âm
tần mong muốn,gồm điều chế tương tự và điều
chế số.Phương pháp điều chế tương tự gồm
điều biên (AM) và điều chế góc (PM và FM).Mỗi
phương pháp có ưu , nhược điểm riêng và được
dùng tùy vào ứng dụng cụ thể.

2
Hệ thống thu phát đổi tần được dùng rộng rãi trong
phát thanh radio FM dãy tần 88-108Mhz , truyền
hình audio, ứng dụng quảng bá …. do ưu điểm về
khả năng chống nhiễu cao ,hiệu quả sử dụng công
suất và chất lượng thu tốt hơn AM.Tuy nhiên mạch
phát , thu FM cũng phức tạp hơn AM và do đó giá
thành cũng cao hơn.
Ứng dụng FM dân dụng được dùng phổ biến trong
các Micro không dây.

3
• Đề tài mạch FM này ,mạch phát ở một tần
số trong dãy tần radio FM để tận dụng
máy thu radio sẵn có.
• Rất mong nhận được sự đóng góp ý kiến
của các thầy cô để bài báo cáo được
hoàn chỉnh hơn.

4
 Nội dung báo cáo:
• Cơ sở lý thuyết FM
• Nguyên lý mạch dao động
• Phân tích mạch dao động
• Phân tích thiết kế mạch
• Mô phỏng bằng phần mềm Pspice
• Thực hiện mạch in Layout
• Báo cáo kết quả và tổng kết
• Hướng phát triển
5
6
 I.1.SO SÁNH AM VÀ FM:
Điều chế biên độ AM:
• Công suất sóng mang không tải tin lớn ,vô ích.
• Công suất cao tần tải tin nhỏ của hai biên như nhau và phụ thuộc
hệ số điều chế mA
• Hiệu suất kém (P1 biên/Ptotal)
• Tính chống nhiễu kém do thông tin nằm ở biên độ và nhiễu trắng
tác động lên biên độ
• Dễ thực hiện AM và máy thu giải điều chế đơn giản ,rẻ tiền
• AM dùng trong phát thanh quảng bá MW-SW.Phát ở tần số tương
đối thấp (vài trăm KHz) do ở tần số cao nhiễu cao tần xuất hiện
nhiều.
• BW nhỏ do chỉ có 2 thành phần sideband fc –fm và fc + fm
• Dạng đặc biệt của đổi tần.

7
 I.2.ĐIỀU CHẾ TẦN SỐ:

Sơ đồ khối hệ thống thu phát:

8
• Điều chế tần số tạo ra số lượng lớn sideband ở 2 phía
của sóng mang cao tần
• Tín hiệu FM , hệ số điều chế và băng thông đều phụ
thuộc vào biên độ và tần số của tín hiệu điều chế m(t).
• So sánh với AM , FM có hệ số điều chế lớn hơn , BW
lớn hơn và khả năng loại nhiễu tốt hơn.

9
 Biểu thức
• Giả sử tín hiệu điều chế m ( t ) = Vm .sin ( w m t)

• Sóng mang có dạng vc ( t ) = Vc .sin ( w c t)

• Tín hiệu FM có dạng:

VFM = E c .sin w c t + m f .sin ( w m t ) 

trong đó Ec:biên độ sóng mang

wc:tần số sóng mang
wm:tần số tín hiệu điều chế
mf:hệ số điều chế
mf = ∆f/fm
m f = k f .vm / w m = ∆w / wm
10
• Pha đầy đủ : θ ( )t = c w (t + w∆) / mw .sinmw t

• Tần số tức thời : w ( )t = θ (d ) t / d tc w= wm

• Sóng mang dạng sine được điều chế bởi tín hiệu điều
chế m(t) dạng sine , biên độ m(t) tại mỗi thời điểm đã
làm thay đổi tần số tín hiệu ngõ ra so với sóng mang ban
đầu , trong khi biên độ không đổi.

11
• Tín hiệu FM được phân tích hàm Bessel:

vFM t( ) 0c + (
=c J.{sin wt
E )
sin w( w
J1 
 ) w
c +tm sin –   c w( t–m + )
sin w( c w
J2 
 +2tm + ) w
sin c w – (2+
tm )
sin w(
J3 
 c +3tm −
w ) w
sin c w (+
–3 tm )
sin w(c
J4 
 sin) wc 
+m t +
4w – 4w( m+t )
…
………..}

• Các hệ số Bessel Jn trong khoảng 0,0 đến +1,0/-1,0 tại mỗi

tần .Hai dải bên lẻ ngược pha nhau , hai dải bên chẵn đồng pha.

12
13
 Băng thông FM:
• Công suất tín hiệu FM giới hạn ở các hệ số Bessel
chiếm xấp xỉ 98% công suất FM.Các vạch phổ bậc cao
hơn có biên độ rất nhỏ có thể bỏ qua.

BW = 2( ∆ f + fm )
= 2( mf .fm + fm )

14
 I.3.DÃY TẦN SỐ FM THƯỜNG DÙNG:

• Ứng dụng FM :
• Phát thanh quảng bá phi thương mại 88-90Mhz
• Phát thanh thương mại 90-108Mhz
• Truyền hình audio(WFM)
• Các dịch vụ thông tin công cộng (cảnh sát , cứu hỏa ,…)
30-50Mhz,450-470Mhz , 800Mhz(NBFM)
• Các ứng dụng khác

15
16
 II.1.ĐẶC TÍNH MẠCH DAO ĐỘNG:

• Mạch dao động thường dùng ở tần số cao, không dùng

ở tần số thấp. Hầu hết đều sử dụng cuộn dây , do đó
nếu dùng ở tần số thấp kích thước cuộn dây rất lớn
không có tính kinh tế.

17
II.2.CÁC THÀNH PHẦN CƠ BẢN CỦA BỘ
DAO ĐỘNG:

18
Điều kiện dao động tối thiểu ,tiêu chuẩn
Barkhausen:

Tín hiệu hồi tiếp ngõ vào phải có cùng pha với tín hiệu
ngõ vào ban đầu (hồi tiếp dương ) và phải có biên độ
nhất định .

19
• Để có tín hiệu hồi tiếp đến ngõ vào cùng pha với tín hiệu
vào ban đầu.Mạng L-C phải tạo ra một độ lệch pha 180
độ . Bản thân transistor nếu lấy ngõ ra từ cực C tạo ra
độ lệch pha 180 độ so với tín hiệu vào , cần phải tạo
lệch pha 180 độ từ cực C . Mạng L-C sẽ làm điều này và
kết quả là tạo thành hồi tiếp dương.

20
 II.3.SỰ TRÔI TẦN SỐ BỘ DAO ĐỘNG :
• Sự trôi tần số do bản thân Transistor
• Sự trôi do mạng L-C :

Để hạn chế sự dịch tần này ( dù rất nhỏ ):

• Cẩn thận trong thiết kế mạch L-C.
• Bao bọc phần mạch dao động để ổn định nhiệt độ.
• Điều chỉnh nhiệt độ của phần dao động.
• Bổ chính nhiệt ( có thể dùng diod, bán dẫn,… ).
• Gắn chặt các kinh kiện để ngăn sự di chuyển của
linh kiện do va chạm hay rung động .

21
 II.4.CÁC DẠNG MẠCH DAO ĐỘNG:

• II.4.1.Dao động ghép biến áp :

22
 II.4.1.Dao động ghép biến áp :
• Transistor tạo một độ dịch pha 180 độ ở ngõ ra ,
do đó yêu cầu mạch hồi tiếp phải tạo được độ
dịch pha 180 độ .Trong dạng mạch này mạch hồi
tiếp được dùng là biến áp .Cuộn dây sơ cấp của
biến áp và tụ C sẽ quyết định tần số dao động
của mạch.
• Tín hiệu hồi tiếp được điều khiển bởi tỉ số k của
biến áp.
1
Fosc =
2π LC

23
II.4.2.Mạch dao động Colpitts:

24
 II.4.2.Mạch dao động Colpitts:

• Tín hiệu hồi tiếp về cực B điều khiển bởi tỉ số 2

tụ C1 và C2
• Đỉnh biên độ dao động đạt được tại điểm mà
mạng tạo ra độ dịch pha 1800 , tại đó dao động
xảy ra.
• Cuộn cảm hay tụ điện có thể thay đổi.Tụ C2
thường có giá trị nhỏ hơn C1,và thường là tụ có
thể thay đổi trị số được.
1
Fosc ≈
2π LCequiv
25
II.4.3. Mạch dao động Hartley:

R L L 2 L 1

0 0

26
 II.4.3. Mạch dao động Hartley:

• Tín hiệu hồi tiếp về cực B của transistor điều khiển bởi
tỉ sồ L1:L2 .Tỉ số này ,cùng với trở kháng vào của
transistor sẽ xác định trở kháng vào của mạch cộng
hưởng .Bên cạnh đó ,tỉ số trở kháng này và tải quyết
định độ lợi tối thiểu cần thiết cho dao động.Thông
thường thì L1 nhỏ hơn L2 .

1
Fosc ≈
2π ( L1 + L2 )C

27
 II.4.4.Dao động thạch anh:
• Tần số cao ,độ ổn định cao
• Mạch điện tương đương thạch anh gồm nhiều
nhánh.Tương đương tụ điện hay cuộn dây.Có tần số cộng
hưởng nối tiếp gần bằng tần số cộng hưởng song song.
• QTA=XLT/rT rất lớn cỡ .Giá trị LT,CT phụ thuộc kích
5 6
cỡ,chiều cắt thạch anh. 10 ,10

28
 II.5.ĐỘ ỔN ĐỊNH TẦN SỐ BỘ DAO
ĐỘNG:
• Độ ổn định tần số tương đối :

f − f
ε= 0 = ∆ω
f
0
ω0

Có hai loại bất ổn định tần số :

• Thời gian dài : thay đổi tần số từ từ do bất ổn nhiệt độ , áp suất , độ
ẩm , rung cơ học , nguồn ….
• Thời gian ngắn : thay đổi tần số trong thời gian ngắn - một hay vài
chu kỳ tín hiệu do nhiễu nhiệt , nhiễu shot.
• Độ bất ổn thời gian ngắn giảm khi hệ số phẩm chất Q mạch cộng
hưởng tăng (Q lớn –băng thông hẹp ,độ chọn lọc tần số cao hơn).
• Tần số dao động mạch cộng hưởng f0 . Dưới tác động các yếu tố gây
sái dạng thông số L,C một lượng .

29
30
III.1.BIỂU THỨC TOÁN:

*
* Vo
Độ lợi khuếch đại điện áp không hồi tiếp: Av = *
Vi
*

Hệ số truyền đạt mạch hồi tiếp : * Vf

B =*
Vo
31
Xét hồi tiếp dương:
* * * * * * * * * * * * *
Vo = Vi Av = (Vs V+ f )v A (Vs = foB V+ )vA Av V s 0 vA= fB
* * *
Để có tự dao động thì Vs =0 ⇒ Av B f = 1
* *
Điều kiện Av B f = 1 còn gọi là tiêu chuẩn Barkhausen.
* *
Av B f ≥ 1tức là mạch khuếch đại bù được suy hao của mạch hồi tiếp .
* *
Av B f < 1 mạch không dao động.

32
III.2.CÁC MẠCH DAO ĐỘNG L-C:

C 1 C 1
L 1 L 1
Z L Z L

C 2 C 2

Hình III. 4 Mạch dao động Colpitts dùng BJT hay FET
1 1
ω0 L3 − − = 0
ω0 C1 ω 0 C2
1
⇒ ω0=
CC
L3 . 1 2
C1 +C2

33
III.2.CÁC MẠCH DAO ĐỘNG L-C:

L 1 L 1

Z L Z L
C 3 C 3

L 2
L 2

Hình III. 5 Mạch dao động Harley (ba điểm điện cảm )

1
ω0 L1 + ω0 L2 − =0
ω0 C3
1
⇒ ω0 =
C3 .( L1 + L2 )
34
 III.2.CÁC MẠCH DAO ĐỘNG L-C:

L 3 L 3
C 1 Z L C 1 Z L

C 3 C 3
C 2 C 2

Hình III. 6 Mạch dao động Clapp

1 1 1
ω0 L3 − − − = 0 C3 = C1 àv C2
ω0 C1 ω0 C2 ω 0 C3

1
⇒ω
− 3=
0L 0
ω0C3

1
⇒ω
=0
LC
3 3
35
 III.2.CÁC MẠCH DAO ĐỘNG L-C:

• So sánh giữa các loại mạch dao động thì

Clapp cho độ ổn định cao.Do mạch dao động
Clapp chỉ phụ thuộc vào 2 phần tử ,giảm
được ảnh hưởng tụ ký sinh tần số cao. Thứ
đến Colpitt rồi Harley.
• Mạch dao động L-C đòi hỏi các linh kiện cần
có chất lượng tốt, sai số nhỏ ,nhiễu thấp.

36
III.3.MẠCH VCO (voltage-controlled
oscillator):

37
38
 IV.1.SƠ ĐỒ KHỐI:
• Phương pháp điều chế tần số trực tiếp đơn giản
nhất là làm thay đổi tần số dao động.Có thể dùng
một micro điện dung thay đổi theo điện áp đưa
vào ,dùng diode biến dung , sử dụng vi mạch
VCO,hoặc điều tần dựa trên tụ điện ký sinh ở tiếp
xúc transistor thay đổi theo điện áp phân cực…..
• Phương pháp điều chế FM ở đây được thực hiên
dựa trên nguyên tắc điều chế FM trực tiếp dùng
varicap làm thay đổi tần số dao động (tương tự
VCO) , và tần số ngõ ra nằm trong dãy tần FM
radio.

39
Phân tích sơ đồ khối:

40
 Một số dạng mạch điều chế FM
trực tiếp:
• Mạch phát FM sử dụng 2 Transistor
• Mạch dùng Op-amp để khuếch đại âm tần
• Mạch trên điều chế FM bằng Varicap
• Mạch kết hợp L-C thạch anh cho độ ổn
định cao
• Điều chế điện kháng trên cơ sở khuếch
đại CE lớp A

41
IV.2.SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ:
L 3 V C C

L 1 R 6
C 7 L 2
0
R 2
C 6 R 4 Q 2

Q 1
C 1 C 3 R 5 C 8 R 7

C 1 5 1 0
B C 5 4 7 C R 1 5
L 4
R 1 C 5 R 3 C 2
B B Y31

0 0
R 1 4

R 1 1 R 1 3
R 9 L 5

C 1 0
Q 3
M K 1
2 Q 2 S C 1 8 1 5
1
R 1 0
M I C R O P H O N E
R 1 2 C 1 1

42
0
 IV.3.TÍNH TOÁN TẦNG DAO ĐỘNG:
Ze 1
C 2 L 1
R e q Req = = Z e .
p2  C1 
2

 
Z e C 1
C
 1 + C2 

L 1
V C C

R 2
C 4
1 0 k 0
Q 1 1 u
C 1 C 3

B C 5 4 7 C
R 1
C 5R 3 C 2 V a r i c a p
1 n 1 . 5 k
1 0 k

0
Hình IV.7 Mạch dao động Colpitts 43
• R1 = 10k
• R2 = 10k
• R3 = 1k
• VCC = 12V
• Transistor Q1: Các tụ C1 = 68pF ,C2 = 2nF ,C3 =
47pF
• Cho điện áp phân cực ngược của varicap là 5V nên
Cv = 8pF
• Tụ C4 đóng vai trò tụ liên lạc nối với tần sau có điện
dung lớn.

44
 Chế độ DC:
Rbb = R1 / / R2 = 5k
R1
Vbb = VCC. = 6 (V )
R1 + R2
Vbb − Vγ
I CQ = = 5.12 ( mA)
Rbb
+ Re
hfe
VCEQ = VCC − ICQ * Re = 6.88(V )
⇒ Q1(5.12 mA ;6.88 V )

45
 Sơ đồ tương đương:

25hfe
hie = = 0.73k
I CQ
rb ' e = hie = 0.73k

46
Hệ số truyền đạt mạch
hồi tiếp:
Vf X C2 C1
Bf = = =
Vo X C12 C1 + C2

=0.033
Độ lợi khuếch đại điện áp
không hồi tiếp:
Vo
Av = = g m .Z L gm =
1
=
hfe
Vf với hib rb ' e =0.21
47
 2
 C1 + C2 
Req = ( hib/ / Re). 
 C1 
=2244.15 (từ công thức tính trở kháng khung cộng
hưởng)
Z L = Req / / Z o
⇒ Av = g m .(Req / / Z o )

mà : B f .Av ≥ 1
C1
⇒ .g m .( Req / / Z o ) ≥1
C1 + C2
Vậy: để mạch có thể dao động được cần chọn giá
trị trở kháng tải đủ lớn để thỏa mãn điều kiện dao
48
động.
⇒ ( R e q / / Z) o 1 4 4 .3≥ Ω
Chọn Av .B f = 1.5
Req //Zo= 216.5Ω ⇒ Z o =239.5 Ω
Như vậy : phải có Z o ≥ 239.5Ω
Chọn Z o = 240 Ω

49
Tần số hoạt động F = 90MHz
Các tụ C1 = 68pF ,C2 = 2nF ,C3 = 47pF
Cho điện áp phân cực ngược của varicap là 5V nên Cv
= 8pF

Do nhánh Z Cv / / Z am tan có trở kháng lớn nhất khi Z Cv = Z am tan

chọn Zamtan = 4.7k

⇒ Z Cv / / Z am tan = ∠
220.8 − o
87.3 ( Ω)
( Z Cv / / Z am tan ) + Z C 3 = 258.4∠ − 87.69 (Ω)
o

Nhìn vào phía Zo : Z o = RL

Để thỏa Z o = 240Ω
Chọn RL=500 Ohm 50
• Các thông số yêu cầu đối với các tần ghép nối với
mạch dao động:
• Trở kháng vào tầng khuếch đại Công Suất cao tần :
RL=500 Ohm
• Trở kháng ra tầng khuếch đại âm tần : Zamtan = 4.7k

51
 IV.4.TÍNH TOÁN CÁC PHẦN TỬ MẠCH DAO
ĐỘNG:

• Phân tích mạch dao động Colpitts VCO with

varicap

52
 Sơ đồ tương đương:

Giả sử : Cv = Cmin ÷ Cmax

Điện dung tương đương Ca , Cb :
C1 ×C2
Ca =
C1 +C2
C3 ×C v
Cb =
C3 +C v
Ca / /Cb =
Ctotal =Ca + Cb 53
 1
Fosc =
2π LCtotal

f − fo ∆f ∆ω
ε= = =
fo fo ωo

54
Tính toán cuộn dây ứng với tần số dao động
mong muốn :

L 1 1 2 V d c

R 2
1 0 k C 4
0
Q 1
C 1 C 3
6 8 p 4 7 p

B C 5 4 7 C
V a r i c a p
R 1 C 5R 5 C 2
1 n 1 k 2 n C v
1 0 k
0 0 0 0 0

Các giá trị đã có:

Các tụ C1 = 68pF ,C2 = 2nF ,C3 = 47pF
Điện áp phân cực ngược của varicap là 5V nên Cv = 8pF
Yêu cầu thiết kế tại tần số 90MHz

55
Tính toán cuộn dây ứng với tần số dao
động mong muốn :
C1 × C2
Ca = = 65.76pF
C1 + C2

C3 × Cv
Cb =
C3 + =
Cv 6.84pF

Ctotal = Ca =
+ C72.6pF
b

1 −6
L= = 0.043× 10 H = 43nH
Ctotal .(2π Fosc ) 2

56
 L 1 1 2 V d c
0 . 0 4 3 u
R 2
1 0 k C 4
0
Q 1
C 1 C 3
6 8 p 4 7 p

B C 5 4 7 C
V a r i c a p
R 1 C 5R 5 C 2
1 n 1 k 2 n C v
1 0 k
0 0 0 0 0

57
 IV.5.TẦN KHUẾCH ĐẠI ÂM TẦN:
IV.5.1.Phân tích:

V C C R 1 1 R 1 3
R 9 R 1 4

0 C 1 0
Q 3
M K 1
2 Q 2 S C 1 8 1 5
1
R 1 0
R 1 2
M I C R O P H O N E C 1 1

0
Điện trở R9 phân cực cho micro
Tụ C10 là tụ liên lạc
Tụ bypass C11
Transistor C1815 có hfe = 100, V γ = 0.7V
58
 Phân cực DC :
Chọn: R9 = 8.2k R11 = 47k R10 = 10k

R13 lực chọn tùy vào áp ra cực C

VCC = 12V
Rbb = 8.25k
Vb = 2.1V
Vb − V γ
I CQ = = 1.09 ( mA)
Rb
+ R12
hfe
VCEQ = VCC − ICQ * (R12 + R13 ) = 5V (theo yêu cầu thiết kế)
⇒ R13 = 5.22 k

59
 Chế độ AC:

• Sơ đồ tương đương

25hfe
hie = = 2.3 k
I CQ

Gọi Ri là nội trở nguồn Vi, giả sử Ri = 2k

60
 Chế độ AC:
Vo Vo ib 1 Rbb
Av = = . = −hfe. R13 . . = −107.46
Vi ib Vi Ri + Rbb / / hie Rbb + hie

Z i = Rbb / / hie = 1.8k

Z o = R14 = 5.22k

Giả sử tín hiệu từ micro đưa vào có biên độ Vi = 20mV,

qua mạch khuếch đại sẽ có biên độ Vo = 2.15V .
Điện áp này được đặt lên varicap làm điện dung thay đổi.

61
62
• Do chỉ cần mạch thu trong dãy tần nghe được
của tai người từ 20Hz-20KHz.Phân tích ở trên
đúng cho trường hợp tổng quát cho .
• Để có được tần số cắt như mong muốn cần
thêm tụ C mắc vào BC , tụ bypass C11 có giá trị
giới hạn.

63
 Sơ đồ nguyên lý trở thành

Transistor C1815 có Cb’c = 2pF , hfe=100

hie = rb’e = 2.3k
Rbb = 8.25k , Ri = 2k

64
Sơ đô tương đương tần số thấp:

s + ω0
Av ( s ) = Avm .
s + ωp
Avm = −107.46
1
ω0 =
C11
hfe.R12 ×
hfe
R12 * = hfe.R12 =120k
C11
C11 * =
hfe
65
 1
ωp =
Rci × Ci

Rci = ( Ri / / Rbb + hie) / / R12 * =3.78k

Ci = C11 *
ωL = ω 2 p − 2ω 20 = 2π .20
⇒ C11 * = 2.1x10-6

⇒ C11 = 210.31uF

66
Sơ đồ tương đương tần số cao:

67
 hfe
gm = = 0.043
rb ' e
Vo
K= = − gm . R13 = -224.46
Vi
Y1 = ( 1 + gm .R13 ) × sCtd
Ctd = C + Cb ' c
CM = ( 1 + g m . R13 ) .Ctd
s
1+
ωo
Av ( s ) = Avm .
s
1+
ωp
1
ωp =
RCM
68
R = ( Ri / / Rbb / / rb ' e ) = 0.95k
2 2
1  1   1 
=   − 2  
ωH ωp
   ωo 

⇒ ωH = ωP = 2π .20000
⇒ CM = 8.38nF
⇒ Ctd = 37.2pF
⇒ C = 35.2pF

69
70
IV.5.2. Độ di tần:

71
• Ứng với điện áp phân cực ngược VR=5V CV=8pF
• Khi có áp xoay chiều biên độ ~2V điện dung biến
thiên trong khoảng 6pF < CV < 10pF
• CV = 8pF
• Ctđ = 72.6pF
• F = 90MHz
• CV = 6pF
Ctđ = 71.08pF
F = 91.1MHz
• CV = 10pF
Ctđ = 74.01pF
F = 89.2 MHz
• Độ di tần :

∆f = 0.9MHz
72
IV.5.3.Một số loại micro:

• Trong sơ đồ mạch ở trên ,nguồn áp Vi đưa vào

mạch khuếch đại.Nguồn áp đó là micro chuyển
đổi tín hiệu âm thanh dao động cơ học sang tín
hiệu điện áp có biên độ nhỏ (khoảng vài chục
mV) và trở kháng ra khác nhau tùy mỗi loại
micro.

73
Micro điện dung (Condensor, capacitor,
electrostatic microphones):

74
75
• MIC điện dung hoạt động như một cái bàn trượt tụ điện,
dạng tụ điện có khoảng cách 2 bản tụ thay đổi được.Dao
động cơ làm thay đổi khoảng cách giữa 2 bản tụ.
• Để lấy tín hiệu audio từ loại MIC này, microphone phải
được phân cực DC, tụ điện có Q (điện tích) thay đổi.U là
điện áp phân cực DC.
• Điện áp qua tụ sẽ thay đổi với độ dao động của không
khí.Điện dung C tỷ lệ nghịch với khoảng cách giữa 2 bản
cực.
• Điện áp lấy ra từ R ứng với mạch lọc thông cao .Trong
khoảng thời gian điện dung thay đổi thời hằng RC của
mạch lọc cũng thay đổi .Như vậy điện áp ngõ ra thay
đổi.Điện áp này có thể được đưa qua tầng khuếch đại
đệm tăng biên độ .

76
Micro điện động (Dynamic microphones):

77
• Mic hoạt động theo cuộn dây điện từ.Mic di chuyển cuộn
dây đặt trong từ trường của nam châm khi có rung động
lên màng.Theo nguyên tắc cảm ứng điện từ, một sự di
chuyển nhỏ cuộn dây trong vùng từ trường sinh ra dòng
thay đổi trong cuộn dây thông qua vòng dây đặt trong từ
trường. Mic điện động không cần phân cực ban đầu, có
độ nhạy cao ,trở kháng ra nhỏ nên không cần phối hợp
trở kháng trước khi đưa vào tần khuếch đại âm tần.
• Một màng chắn không đáp ứng tốt cho tất cả các thành
phần tần số âm tần.Một vài micro dùng đa màng để lấy
các thành phần audio khác nhau.Việc kết hợp tín hiệu đa
màng trực tiếp rất khó làm cho giá thành trở nên đắt
hơn.

78
Micro carbon:

79
• Micro cabon thường được dùng trong các điện thoại
cầm tay, là một khối gồm các tinh thể cacbon áp giữa 2
tấm kim loại. Một điện áp được đặt giữa 2 tấm kim loại
này gây ra một dòng trôi nhỏ qua lớp cacbon. Một trong
2 màng chắn (miếng kim loại ),dao động với sóng âm
truyền tới, tạo một áp lực thay đổi lên lớp cacbon. Áp
suất này làm biến dạng khối cacbon,gây tác dụng lên lớp
tiếp xúc giữa khối cacbon với màng kim loại thay đổi và
điều này làm cho điện trở của khối cacbon thay đổi.Sự
thay đổi điện trở làm cho điện áp giữa 2 màng kim loại
thay đổi, dòng trôi qua micro cũng bị thay đổi, sinh ra tín
hiệu điện.Micro cacbon dùng trong điện thoại, chúng có
chất lượng âm thanh thấp và rất hạn chế về tần số.

80
• Dùng loa như là micro
• Micro ribbon (băng) ,thạch anh hay
gốm có biên độ điện áp ra nhỏ nhưng
trở kháng rất lớn dùng trong thiệp
nhạc,…..

81
IV.6.KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT CAO TẦN:

• Lớp A : = 180o
• Lớp B : = 90o
• Lớp C : < 90o
• Lớp AB :90o < < 180o
• Tần số tăng, hiệu suất giảm, tùy điều kiện cụ thể
chọn các chế độ khuếch đại khác nhau.Trong
máy phát thanh FM, thông tin FM thường dùng
chế độ B.

82
Phân tích Fourier:

ic = I 0c + I1.cos
c 2π 0 f t I1+.cos
c 2 π.2 0 f t .......n + I .cos
c +2 .
I c0 = α 0 (θ ).I cm
sin θ − θ cos θ
α 0 (θ ) =
π (1 − cos θ )
I c = α1 (θ ).I c
1 m

θ − sin θ cos θ
α1 (θ ) =
π (1 − cos θ )
I cn = α1 (θ ).I cm
2 sin θ cos θ − ncos n θ sinθ
α n (θ ) =  
π  n (n 2
−1)(1 − cos θ)  83
Với lớp B: θ =90o
α 0 (θ ) = 0.3183
α1 (θ ) = 0.5
Công suất ra tải:
1 2 1
P1 = I c1 .Req = I c1 .Vc1
2 2
Vc1
Req =
I c1
Công suất nguồn cung cấp:
Pc0 = I c0 .Vcc
P1 1 I c1 Vc1 1 α1 (θ )
Hiệu suất:
η= = . = ξ .
P0 2 I c0 V cc 2 α
0 ( θ) 84
IV.6.2. Sơ đồ nguyên lý:

L 3 V C C

R 6
C 7 L 2
0
1 n
R i n Q 2

C 8
R 5 R 7

C 1 5
V i n R 1 5
L 4

85
IV.6.3. Tính toán phân cực:

• Các thông số của BJT

• f0 = 90Mhz
• VCEsat = 0.5V , Cb’c=2.6pF
• VCEmax = 15V (BFR96 ,2SC9018)
• VCC = 12V
• hfe=150,R15 = 220

⇒ Vc1 max = 15− 12 = 3V

86
 Phân cực DC :
Vb = 0.7V
Vcc
Vbb = . R5 = 0.7V
R5 + R6
R5 0.7
⇒ =
R5 + R6 12
Chọn
R5 = 4.7k Ω
⇒ R6 = 75.8k Ω
Rbb = 4.42k Ω
Vγ
Ic = = 2.8(mA)
Rbb / hfe + R15 87
Yêu cầu công suất P1=100mW
2
1 V c max
Req = . 1 = 45Ω
2 P1
Giả sử anten có trở kháng RA=10 Ω

Req > RA nên khung cộng hưởng có dạng

88
 Req
X L = RA . − 1 = 18.71Ω
RA
⇒ L2 = 0.033µ H

Req
XC = = 24.05Ω
Req
−1
RA
⇒ C8 = 73.52 pF

89
Sơ đồ tương đương

90
 25 × 150
rb ' e = = 1.34kΩ
2.8
g m = 0.112(s )
CM = (1 + g m .Req ).Cb 'c = (1+ 0.112× 45)× 2.6= 15.704 pF
Z i = Rb / /rb 'e / /C M
Rbb / / rb 'e = 1.02k Ω
Rbb / / rb ' e
Avm = − g m .Req × = − 0.78
Ri + Rbb / /rb 'e

91
 L3 12Vdc

33uH
R6
75k C7 L2
0

10u 0.033u
Rin Q2

5.6k
R5 C8 R7
4.7k
73.5p 10
C15
Vin R15
L4 220 10u

33uH

92
Sơ đồ nguyên lý hoàn chỉnh:

93
 Dòng nhiễu ngõ vào
• Các nguồn nhiễu :nhiễu nhiệt,nhiễu bán
dẫn
• Nhiễu trong khuếch đại bán dẫn

94
 Các nguồn nhiễu
Nhiễu tiếp xúc p-n ngõ vào
I 2i1 = 2q.I b .B
Nhiễu nhiệt trên trở Rb
E 2i1 = 4kTBRb
Nhiễu do dòng tiếp xúc p-n gây ra trên điện trở Rb
E 2i 2 = I 2i1 × R 2b
Nhiễu dòng shot do tiếp xúc p-n ngõ ra đưa về ngõ
vào qua điện áp
I 2 02 = 2q.I c .B
95
 Áp nhiễu do dòng shot ngõ ra gây ra trên tải RL
V 2 02 = I 2 02 × R 2 L

Tổng điện áp nhiễu ngõ vào qua

E 2i = 4kTBRb + 2qI b BR 2b + 2qI c B / g 2 m + 4kTB / ( g 2 m .RL )

Tổng dòng nhiễu ngõ vào cực B

1
I 2i1 + E 2i / Rb = B.(2 qI b + 2 .(4 kTBRb +2 qI b BR 2b +2 qI c B / g 2 m +4 kTB / ( g 2 m. R L))
Rb

96
97
 V.1.MÔ PHỎNG TẦNG KHUẾCH ĐẠI ÂM TẦN:

• Sơ đồ nguyên lý

V2
R11 R13 12Vdc
R9 5.22k
47k
8.2k
C10 0
Q3
1u
Q2SC1815
VOFF = 0v V1
VAMPL = 100mV
R10
FREQ = 2Khz
10k R12 C11
1.2k 100u

98
 Mô phỏng phân cực DC:

2 1 1 . 8 u1 A . 0 9 2 m A V 2
1 . 4 6 3 m A R 1 1 R 1 3 1 2 V d c
R 9 5 . 2 2 k
4 7 k
8 . 2 7k . 1 5 9 u A 2 . 7 6 7 m A
1 . 4 6 3 m A C 1 0 1 . 0 9 2 m A 0
V
Q 3
1 0 0 0 u
V O F F = 0 Vv 1 Q 2 S C 1 - 8 1 1 . 05 9 9 m A
V A M P L = 1 0 0 m2 0 V 4 . 6 u A
F R E Q = 2 K h z R 1 0
1 . 0 9 9 m A
1 0 k R 1 2 C 1 1
1 . 2 k 1 0 0 0 u

99
 Kết quả :

Lý thuyết (ở phần Mô phỏng

IV.5.1)
ICQ(mA) 1.09 1.092
VCEQ(V) 5 4.98

100
 Mô phỏng chế độ AC:

V 2
R 1 1 R 1 3 1 2 V d c
R 9 5 . 2 2 k
4 7 k
8 . 2 k
C 1 0 0
V
Q 3
1 0 0 0 u
V O F F = 0 v V 1 Q 2 S C 1 8 1 5
V A M P L = 1 0 m V
F R E Q = 2 K h z R 1 0
1 0 k R 1 2 C 1 1
1 . 2 k 1 0 0 0 u

101
-Tín hiệu vào là sóng sin ,biên độ 10mV ,tần số 2KHz
-Quan sát dạng sóng ngõ ra tại cực C của transistor

102
 Lý thuyết Mô phỏng
Av -107.46 -200

103
 Nhận xét:

-Phân cực DC gần giống với lý thuyết

-Tín hiệu ngõ ra ngược pha với ngõ vào
- Biên độ điện áp ra Vom = 2V
-Độ lợi điện áp lệch nhiều so với tính toán do trong
lý thuyết có cho trước trở kháng nguồn.

104
V.2.MÔ PHỎNG TẦNG DAO ĐỘNG :

• Quá trình phát sinh dao động là do nhiễu trong linh kiện bán dẫn , được hồi
tiếp về ngõ vào sau một khoảng thời gian ngắn sẽ đạt được biên độ và tần
số dao động ổn định.Tuy nhiên các linh kiện trong thư viện của phần mềm
Pspice không có các đặc tính ngẫu nhiên như các linh kiện thực tế vì vậy
các điều kiện dao động có khác so với lý thuyết.Do vậy khi mô phỏng mạch
dao động , mạch nguyên lý khác so với lý thuyết.
• Do transistor trong mô phỏng không tạo được nhiễu do đó để mạch dao
động cần phải tạo giá trị điện áp ban đầu cho 2 tụ C1 ,C2 .Tụ sẽ nạp xả và
hồi tiếp về ngõ vào và sau khoảng thời gian ngắn sẽ tạo được dao động ổn
định.
• Cần chọn tỷ số điện dung 2 tụ C1 , C2 phù hợp .Điện dung mỗi tụ phải lớn
để đảm bảo không làm mất dao động.
• Dạng điện áp ngõ ra ngược lại với lý thuyết. Ban đầu rất lớn sau đó giám
dần đến mức ổn định.Biên độ điện áp ngõ ra còn quyết định bởi tải RL . Trở
kháng tải nhỏ quá cũng không dao động được.
• Do điện dung tụ lớn nên để có tần số dao động cao thì cuộn dây có điện
cảm rất nhỏ, khó thi công trên thực tế.Tần số dao động được điều chỉnh
bằng cách thay đổi giá trị điện cảm cuộn dây.

105
Sơ đồ nguyên lý:

106
 Tính toán:
• Dùng varicap MV2109 có đặc tuyến điện dung theo điện
áp
• -Tại điện áp 5V , điện dung varicap là Cv = 35pF
• -Nguồn tín hiệu vào có biên độ 10mV.Ngõ ra tầng
khuếch đại âm tần theo như mô phỏng có độ lợi Av =
-200 .Biên độ là 2 V.
• Khi điện áp đưa vào phân cực varicap là 3V , CV1 =
40pF
• Khi điện áp đưa vào phân cực varicap là 7V , CV2 =
30pF
• Các thông số :
• C1 = 560p

107
 C2 = 8n
C3 = 10p
CV = 35p (5V)
L1 = 0.007u
C1 × C2
Ca = = 523.6 p
C1 + C2
C3 × Cv
Cb = = 7.78 p
C3 + Cv
Ca / / Cb = Ctotal = Ca + Cb = 531.14 p

1
Fosc = = 82.54 MHz
2π LCtotal

108
• Độ di tần:
CV1 = 40pF
1
Fosc = = 82.52 MHz
2π LCtotal

CV2 = 30pF
1
Fosc = = 82.63
MHz
2π LC total
∆f = 90KHz

109
Mô phỏng:

Miền thời gian

110
111
112
113
VI.THỰC HIỆN MẠCH IN LAYOUT:

• Transistor Q1 dùng các transistor cao tần có tần

số wT lớn để đảm bảo biên độ tín hiệu không bị
giảm quá nhiều.Một số loại như là BC547C ,
BF199 , 2SC9018 , TSDF2020W , BFR95 ,....
• Diode varicap 1sv101 , MV2109 , BBY31 ,
BB814 , …

114
Sơ đồ mạch in:

115
• Thi công cuộn dây:
Theo sơ đồ nguyên lý ở phần IV ( Hình IV.24 ).
Cuộn dây L1 = 0.043uH ,và L2 = 0.033uH.
• Công thức tính cuộn dây lõi không khí đơn
lớp :
d 2 n2
L( µ H ) = (l ≥ 0.4d )
18d + 40l
l : chiều dài cuộn dây (inch)
n : số vòng dây
d : đường kính cuộn dây (inch)
L : điện cảm tính bằng µ H
Ngoài ra , có thể dùng phần mềm tính cuộn dây coilmaestro , Air
Core Inductor Coil Inductance Calculator ,….
kết quả khá chính xác. 116
 VII.BÁO CÁO KẾT QUẢ VÀ ĐÁNH GIÁ :

VII.1.CÁC BƯỚC TIẾN HÀNH:

– Tìm hiểu lý thuyết về điều chế tần số.
– Nguyên lý mạch dao động.
– Các loại mạch dao động và các thành phần cơ bản.
– Tính toán độ di tần
– Thiết kế các tầng , trở kháng vào – ra để phối hợp với các
tầng khác.
– Tìm linh kiện phù hợp với yêu cầu .
– Thiết kế mạch phối hợp trở kháng đưa ra anten.
– Tìm hiểu một số loại micro thường dùng.
– Mô phỏng mạch dao động.
– Thực hiện mạch in và thực hiện cuộn dây theo tần số dao
động mong muốn.
– Đánh giá kết quả cũng như kinh nghiệm rút ra được trong
quá trình thực hiện đề tài.

117
VII.2.ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ:

• Quá trình thiết kế mạch nguyên lý theo các yêu

cầu đề ra
• Tuy nhiên khi thực hiện mạch in không tìm được
linh kiện có chất lượng như yêu cầu
• Cuộn dây không chính xác như yêu cầu thiết kế
nên tần số ngõ ra của mạch dao động không
như tính toán

118
VII.3.HƯỚNG PHÁT TRIỂN:

• Đề tài mạch điều tần dùng varicap là một đề tài cổ

điển.Đánh giá lại lý thuyết điều chế FM .Qua đó tìm hiểu
cách thiết kế một bộ dao động _ phần quan trọng trong
các mạch điều chế ,giải điều chế ,đổi tần ,cách ghép nối
giữa các tần để thỏa mãn điều kiện dao động….

119
 Tài liệu tham khảo
• Lê Tiến Thường, Mạch Điện Tử 1,2
• Hoàng Đình Chiến, Mạch Điện Tử Thông Tin
• Vũ Đình Thành , Nguyên lý thông tin tương tự - số
• James K. Hardy, Electronic Communications Technology , Prentice/Hall
International Inc.
Các trang web:
• http://electronics-diy.com/index.php
• http://www.fas.org/man/dod-101/navy/docs/es310/syllabus.htm (điều chế
FM)
• http://www.daycounter.com/Calculators/(tính toán cuộn dây)
• http://www.qsl.net/wa2whv/bta-500r.shtml
• http://en.wikipedia.org/wiki/Microphone
• http://www.datasheetcatalog.com

120