Professional Documents
Culture Documents
TRANZISTORUL BIPOLAR
3.1. GENERALITATI. STRUCTURA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alcatuite dintr-o succesiune de
trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiasi cristal semiconductor, regiunea centrala fiind
mult mai ingusta si de tip diferit fata de regiunile laterale (fig. 3.1.). Regiunea centrala este mult
mai slab dotata cu impuritati dect celelalte regiuni si se numeste baza (B). Una dintre regiunile
laterale, puternic dotata cu impuritati, se numeste emitor (E), iar cealalta, mai saraca in impuritati
dect emitorul, se numeste colector (C). Regiunile TB formeaza cele doua jonctiuni ale acestuia.
In figura 3.1. sunt reprezentate cele doua structuri ale TB si simbolurile acestora.
-1-
-2-
ab
Fig. 3.2. Marimile la borne ale TB: a) pnp; b) npn
Tensiunile sunt legate prin relatia:
vCB = vCE + vEB, (3.1)
iar curentii prin relatia:
iE = iC + iB. (3.2)
Pentru a obtine relatia (3.2), TB este asimilat cu un nod in care suma algebrica a curentilor
este zero. Ca urmare a relatiilor (3.1) si (3.2) numai doua tensiuni si doi curenti sunt marimi
independente.
Alegerea marimilor electrice care descriu comportarea tranzistorului se poate face in moduri
diferite. Criteriul este urmatorul: se considera tranzistorul ca un diport (un bloc cu doua borne ce
formeaza poarta de intrare si alte doua borne ce formeaza poarta de iesire). Deoarece tranzistorul
are doar trei borne (terminale), una dintre ele trebuie sa fie comuna intrarii si iesirii. Borna
comuna defineste conexiunea tranzistorului.
3.2. PRINCIPIUL DE FUNCTIONARE AL TRANZISTORULUI BIPOLAR.
FORMAREA CURENTILOR PRIN TRANZISTOR
La functionarea normala a TB jonctiunea de emitor se polarizeaza direct, iar cea de colector
invers (fig. 3.3).
-3-
, (3.7)
a carei valoare ideala este E = 1.
O a doua conditie este aceea ca majoritatea golurilor injectate de emitor sa ajunga la
jonctiunea colectorului. In acest sens se defineste un factor de transport al golurilor prin baza
, (3.8)
Valoarea ideala a acestuia este t = 1.
Din (3.8)
ipEC = t ipE (3.9)
Din (3.7) si (3.9)
ipEC = E t iE. (3.10)
Din (3.4) si (3.10) rezulta:
iC = F iE + ICB0, (3.11)
unde F = E t , (3.12)
se numeste factorul de amplificare in curent in sens direct in conexiune baza comuna (BC).
Valoarea lui F este de regula foarte apropiata de unitate (0,98 0,99).
O a treia conditie care trebuie indeplinita este ca ICB0 sa fie neglijabil.
Nota: Uneori factorul F mai este numit si factor de amplificare in curent (cstig in curent) de
semnal mare.
Pentru TB npn modul cum se polarizeaza jonctiunile si iau nastere curentii este explicat in
figura 3.4.
-4-
-5-
IE =
. (3.14)
Introducnd (3.14) in (3.13), rezulta:
= IC + IB ;
-6-
IC ICB0 = F IC + F IB;
IC(1 F) = F IB + ICB0;
IC =
. (3.15)
Notnd cu
, (3.16)
numit factorul de amplificare in curent in conexiunea emitor comun (EC), si cu
ICE0 =
ICB0 = (F + 1) ICB0 = IC
(3.17)
numit curentul rezidual de colector in conexiunea emitor comun (EC) (masurat cu baza in
gol), relatia (3.15) devine:
IC = F IB + ICE0. (3.18)
Noul factor de amplificare in curent poate fi mult mai mare dect 1 (zeci, sute). De asemenea
ICE0 >> ICB0.
F este cel mai important parametru al TB. Ca si F si F poate fi considerat un factor de
amplificare in curent de semnal mare.
3.4.2. REGIMURI DE LUCRU. ECUATIILE SI MODELELE EBERS-MOLL
In cazul TB se pot realiza urmatoarele regimuri (regiuni) de lucru:
1) regimul normal de lucru (regiunea activa directa) cnd jonctiunea emitorului este polarizata
direct si cea a colectorului invers;
2) regimul inversat de lucru (regiunea activa inversa) cnd jonctiunea emitorului este
polarizata invers si cea a colectorului direct, iar E si C isi inverseaza rolurile; acest regim nu este
folosit in mod practic deoarece parametrii atinsi de TB sunt inferiori celor corespunzatori
regimului normal (C este mai slab dopat dect E);
3) regimul de blocare (de taiere) (regiunea de blocare sau taiere) cnd ambele jonctiuni sunt
polarizat invers; curentul prin TB este practic nul;
4) regimul (regiunea) de saturatie cnd ambele jonctiuni sunt polarizate direct; poate exista
att regim de saturatie normal ct si invers; tensiunile pe cele doua jonctiuni sunt mici si nu pot
varia dect foarte putin.
Primele doua regiuni de lucru sunt regiuni active, deoarece TB permite obtinerea unei
amplificari. Ultimele doua regiuni de lucru nu sunt regiuni active deoarece TB nu poate
amplifica. Totusi aceste regiuni permit utilizarea TB ca element de comutatie, deoarece in aceste
cazuri puterea disipata de tranzistor este mica din cauza valorii reduse a curentului (TB blocat),
respectiv a tensiunii (TB saturat). Plecnd de la ecuatia jonctiunii pn ideale se pot stabili
expresiile curentilor prin TB in functie de tensiunile pe jonctiuni, avnd valabilitate generala in
oricare regiune de lucru. Aceste expresii sunt cunoscute ca ecuatiile Ebers-Moll:
pentru un tranzistor pnp:
IE = IES
; (3.19)
-7-
IC = F IES
pentru un tranzistor npn:
; (3.20)
IE = IES
; (3.21)
IC = F IES
, (3.22)
unde R este factorul invers de amplificare in curent, iar
IES =
; ICS =
, (3.23)
unde IES este curentul de saturatie al jonctiunii emitorului masurat cu colectorul in gol, iar ICS
este curentul de saturatie al jonctiunii colectorului masurat cu emitorul in gol.
Plecnd de la ecuatiile Ebers-Moll se pot construi modelele Ebers-Moll, modele de semnal
mare ale tranzistoarelor pnp si npn (fig. 3.6).
ab
Fig. 3.6. Modelul Ebers-Moll pentru tranzistor: a) pnp; b) npn
Modelul Ebers-Moll prezentat se refera la tranzistorul intern, nelundu-se in considerare
rezistenta distribuita a bazei, o rezistenta echivalenta care se introduce in model pentru a se putea
obtine caderea de tensiune care are loc datorita curgerii transversale a curentului de baza.
Modelul Ebers-Moll este valabil pentru orice polaritate a tensiunilor aplicate din exterior,
adica pentru orice situatie de polarizare a jonctiunilor. Consideram modelul tranzistorului pnp si
sa vedem cum se modifica (simplifica) acesta pentru cele patru regimuri de lucru.
Regimul de blocare este caracterizat de VEB < 0, VCB < 0, ambele mari in modul in raport cu
VT. In acest caz, ecuatiile (3.19) si (3.20) devin (diodele din modelul Ebers-Moll blocate, deci IF
= IES, IR = ICS).
IE = IES + R ICS, (3.24)
IC = F IES + ICS. (3.24)
Se demonstreaza ca F IES = R ICS. (3.26)
Relatiile (3.24) si (3.25), prin folosirea relatiei (3.26), devin:
IE = IES + F IES = (F 1) IES, (3.27)
IC = R ICS + ICS = (1 R) ICS. (3.28)
Modelul Ebers-Moll din figura 3.6, a poate fi restrns in modelul din figura 3.7, a.
-8-
(3.29)
IC = F IES
. (3.30)
Din (3.23) rezulta ICB0 = ICS(1 F R), deci (3.30) devine
IC = F IE + ICB0, (3.31)
relatie cunoscuta deja.
Regimul inversat de lucru este caracterizat de VEB < 0 si VCB > 0. Rationamentul este similar
cu cel anterior, rezultnd circuitul echivalent din figura 3.7, c.
-9-
Regimul de saturatie apare la VEB > 0 si VCB > 0. Nu sunt posibile simplificari, deci trebuie
lucrat cu modelul complet.
3.4.3. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
In cazul neglijarii rezistentelor domeniilor semiconductoare, tensiunile de polarizare se aplica
direct pe jonctiunile unui tranzistor numai la conexiunea BC. Ca urmare relatiile care dau
dependenta dintre curentii din tranzistor si tensiunile aplicate pe jonctiuni se pot aplica direct sub
forma obtinuta doar la aceasta conexiune. Ecuatiile Ebers-Moll reprezinta expresii analitice
caracteristice tranzistorului intern. Ele intereseaza in masura in care tranzistorul real se apropie
de tranzistorul intern.
In general, curentii dintr-un tranzistor real difera de curentii din tranzistorul intern, in primul
rnd datorita faptului ca tensiunile care ajung pe jonctiuni difera de tensiunile aplicate intre
electrozi, iar asupra componentelor curentilor s-au facut ipoteze simplificatoare cnd s-au dedus
ecuatiile Ebers-Moll.
Aceste ecuatii sunt utile pentru a intelege forma reala a dependentei curentilor din tranzistor de
tensiunile aplicate intre electrozi si pentru ca pun in evidenta parametrii fizici si constructivi si
posibilitatea modificarii acestora in scopul realizarii unor anumite caracteristici pentru tranzistor.
Pentru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizeaza caracteristicile statice
ridicate experimental. Exista trei tipuri de caracteristici in TB:
a.
caracteristicile de intrare care coreleaza doua marimi de intrare, parametru fiind o
marime de iesire;
b.
caracteristicile de transfer care coreleaza o marime de iesire cu una de intrare, ca
parametru putnd fi, in principiu, oricare alta marime;
c.
caracteristicile de iesire care coreleaza doua marimi de iesire, parametru fiind o marime
de intrare.
Intruct caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, in cele ce urmeaza le
prezentam pe cele corespunzatoare conexiunii EC.
1) Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare in conexiunea EC
Vom considera cazul unui TB npn de mica putere.
In schema EC, tensiunile au ca nivel de referinta potentialul emitorului. Ca marimi de intrare
avem: VBE = VEB si IB, iar ca marimi de iesire pe VCE si IC.
a) Caracteristici de intrare
Consideram caracteristica IB = IB(VBE) cu VCE = ct. In figura 3.8 sunt reprezentate
caracteristicile de intrare tipice pentru un TB cu Si.
- 10 -
(3.32)
Trebuie remarcat ca TB in montaj EC, datorita variatiilor mici al lui IB, poseda o rezistenta
diferentiala de intrare de valoare mare (mii de ) spre deosebire de cazul montajului BC pentru
care Rin,BC are o valoare foarte mica (zeci de ).
b) Caracteristici de transfer
Consideram caracteristica IC = IC(IB) pentru VCE = ct. (fig. 3.9).
(3.33)
poate fi considerat constant.
c) Caracteristici de iesire
In figura 3.10 este reprezentata familia caracteristicilor experimentale de iesire IC = IC(VCE) cu
IB = ct., caracteristice pentru un tranzistor npn.
- 12 -
ab
Fig. 3.11. Valori tipice ale tensiunilor pe jonctiunile tranzistorului npn
Tabelul 3.1. Valori tipice ale tensiunilor pe jonctiunile tranzistorului npn
Tensiune [V]
VCE,sat
VBE,sat = V
VBE,reg.activ
VBED (V )
VBE,taiere
Si
0,2
0,8
0,7
0,5
0,0
Ge
0,1
0,3
0,2
0,1
0,1
Tip tranzistor
M=
(3.34)
- 14 -
Aplicnd teorema lui Thvenin la stnga punctelor AB (fig. 3.14, a) obtinem un circuit de
forma celui din fig. 3.14, b, unde:
, (3.36)
. (3.37)
Rezistentele R1 si R2 pot fi alese de valoare suficient de mica pentru ca RB sa satisfaca conditia
(F + 1) RE >> RB. (3.38)
Satisfacerea conditiei (3.38) determina ca reactia negativa introdusa de RE, sa duca la
micsorarea dependentei lui IC de F, care depinde puternic de temperatura.
Consideram schema din figura 3.14, b. Conform teoremei a II-a a lui Kirchhoff vom avea:
VBB = RBIB + VBE + REIE (3.38, a)
tim ca IC = FIB + ICE0. In regim uzual FIE >> ICE0, deci frecvent se foloseste relatia
IC = IB. (3.38, b)
Din (3.38, a) si (3.38, b) rezulta IE = FIB + IB = (F + 1)IB,
VBB = RBIB + VBE + RE(F + 1)IB =
= VBE + [RB + (F + 1)RE]IB,
. (3.38, c)
Din (3.38, b) si (3.38, c) rezulta
- 15 -
IC = F IB =
. (3.38, d)
Conform lui (3.38, d) se observa ca cresterea lui F determina att o crestere a numaratorului
ct si a numitorului. IC devine independent de F doar cnd acesta tinde la .
Daca VBB este egal cu VCC se obtine schema din figura 3.14, c.
Metode de insensibilizare a PSF
Ca metode utilizate se pot mentiona:
o
o
Cel mai raspndit procedeu liniar consta in introducerea rezistentei RE. In cazul in care
tranzistorul este folosit pentru variatii mari ale tensiunii si curentului de la iesire, nu se
recomanda sa se utilizeze rezistenta RE, in acest caz stabilizarea facndu-se prin polarizarea bazei
cu ajutorul unei rezistente conectate intre colector si baza (fig. 3.15).
- 16 -
Fig. 3.16. Stabilizarea PSF cu elemente neliniare: a) cu dioda polarizata direct; b) cu dioda
polarizata invers; c) cu termistor
In figura 3.16, a rezistenta R2 a divizorului este inseriata cu dioda D polarizata direct. La
modificarea temperaturii ambiante se stie ca tensiunea pe dioda scade cu 2 mV/oC. Tendinta de
crestere a curentului de baza (vezi fig. 3.8) si implicit a celui de colector, datorita scaderii
tensiunii VBE, este compensata de scaderea tensiunii de pe dioda (VBE scade cu temperatura cu
aproximativ 2 mV/oC).
In figura 3.16, b este prezentata o schema de compensare cu dioda polarizata invers. Dioda
este parcursa de un curent Iinv care are valoarea aproximativ constanta intr-o gama mare de
variatie a tensiunii inverse. Daca se alege dioda astfel inct sa se asigure Iinv = = ICB0, curentul
rezidual ICB0 se inchide prin dioda si nu va mai influenta polarizarea bazei tranzistorului, deci
punctul static de functionare.
O compensare mai generala se poate realiza introducnd in divizorul de polarizare un
termistor (fig. 3.16, c) cu coeficient de temperatura negativ. Acesta determina scaderea tensiunii
de polarizare aplicate in circuitul de intrare, deci compenseaza cresterea curentului de colector
datorita variatiei tensiunii VBE in principal.
Aceasta solutie se utilizeaza, in special, in etajele amplificatoare de putere.
3.4.6. TRANZISTORUL IN SCHEME DE COMUTATIE
O alta utilizare a tranzistorului este aceea de comutator. Circuitul folosit este cel prezentat in
figura 3.17.
Tranzistorul comuta curentul prin rezistenta RC. Daca tranzistorul este blocat, nu curge un
curent important, iar daca tranzistorul este deschis atunci prin RC trece curentul de colector.
Tranzistorul ca si comutator, va lucra, de regula, in urmatoarele doua stari:
o
o
are permanent valori suficient de reduse astfel inct punctul dinamic de functionare M(vbe, ib, vCE,
ic) sa evolueze intr-un domeniu restrns al variabilelor electrice, in care portiunile de
caracteristici statice sa poata fi asimilate cu segmente de dreapta, atunci componentele variabile
(de semnal) ib, ic si vce sunt proportionale cu vbe. Deci regimul de semnal mic este un regim liniar
pentru componentele de semnal. Ca urmare, toate componentele variabile reproduc forma
semnalului. Spunem ca semnalele amplificate nu sunt distorsionate (deformate).
Conditia cantitativa pe care trebuie s-o indeplineasca vbe pentru a asigura conditia de semnal
mic este aceeasi pe care am stabilit-o la jonctiunea pn:
.
Din punct de vedere practic, la T = 300 K semnalul vbe se considera mic
daca
. Daca semnalul vbe este sinusoidal, iar Vbe indeplineste conditia de mai
sus, TB functioneaza in regim armonic de semnal mic.
Pentru exprimarea relatiilor analitice dintre componentele de semnal asociate tranzistorului
functionnd in regim dinamic de semnal mic se introduc parametrii de semnal mic. Acestia sunt
marimi caracteristice dispozitivului, dar depind de punctul mediu de functionare, frecventa si
temperatura.
Parametrii de semnal mic, impreuna cu ecuatiile liniare dintre componentele de semnal in care
intervin, precum si cu circuitul echivalent elaborat pe baza acestor ecuatii constituie ceea ce se
numeste modelul de semnal mic al tranzistorului.
Parametrii de semnal mic pot fi naturali, daca se introduc pe baza examinarii proceselor fizice
din dispozitiv, sau de cuadripol, daca se definesc lund in considerare comportarea tranzistorului
la terminale, intocmai ca un cuadripol electric liniar.
3.5.1. MODELUL NATURAL FUNDAMENTAL DE SEMNAL MIC
Parametrii naturali de semnal mic
Se considera ca TB functioneaza la joasa frecventa (tipic, f < 15 kHz) pentru care efectele
elementelor reactive ale TB pot fi neglijate.
Se definesc parametrii:
rezistenta dinamica de intrare:
; (3.39)
factorul dinamic de amplificare in curent:
; (3.40)
conductanta mutuala sau panta:
. (3.41)
- 19 -
Faptul ca derivatele partiale se iau in punctul M, sau variatiile finite sunt in jurul lui M,
inseamna ca r , , gm specificate sunt valabile numai cnd TB functioneaza in acel punct mediu
M.
Cei trei parametri nu sunt independenti, ei fiind legati prin relatia:
= gm r . (3.42)
Observatie: La fiecare denumire ar trebui adaugat faptul ca fiecare parametru de semnal mic
este asociat conexiunii EC, dar aceasta se subintelege. Valori tipice: pentru gm zeci de
(=
mS), pentru r unitati zeci de k . Parametrii r ,, , gm sunt fundamentali (de baza), in sensul
ca ei formeaza un set minimal suficient numai pentru analize cnd TB functioneaza la frecvente
joase. In conditiile unor ipoteze simplificatoare se deduc urmatoarele relatii pentru parametrii
fundamentali:
r =
; (3.43)
gm =
; (3.44)
= F; (3.45)
gm r = F. (3.46)
gm se mai numeste si transconductanta.
Circuitul echivalent fundamental de semnal mic
Din (3.39) (3.41) se obtin relatiile:
(3.47)
Pe baza acestui model analitic se elaboreaza modelul natural fundamental de semnal mic
valabil la frecvente joase si prezentat in fig. 3.19.
- 20 -
. (3.48)
Valorile tipice pentru ro sunt cuprinse intre 50 si 100 de k .
Circuitul echivalent complet Giacoletto mai contine cteva elemente componente. Acest
model nu-l vom prezenta in aceasta lucrare.
3.5.3. MODELE CUADRIPOLARE
Tranzistorul bipolar poate fi reprezentat ca un cuadripol (fig. 3.21).
z11 =
z12 =
z21 =
z22 =
In baza relatiilor (3.49) si (3.50), schema echivalenta z are forma din figura 3.22; in aceasta
schema impedantele z11, z22 caracterizeaza proprietatile in regim variabil ale circuitelor de intrare
si iesire considerate separat, iar generatorul de tensiune z12i2, respectiv z21i1 reprezinta dependenta
tensiunii de intrare de curentul de iesire (deci reactia), respectiv a tensiunii de iesire de curentul
de la intrare (deci transferul de semnal).
y11 =
y12 =
y21 =
y22 =
- 23 -
h11 =
h12 =
h21 =
h22 =
. (3.69)
Prin urmare, ordinele de marime tipice sunt pentru: h11e unitati, zeci de k ; h21e zeci, sute,
iar 1/h22e zeci, sute de k .
Factorul de reactie h12e (denumit si factor de transfer invers de tensiune), care este de ordinul
104, este o masura a influentei tensiunii vce asupra curentului ib, dupa cum rezulta din ecuatia
(3.67):
Se observa ca, in vreme ce vbe intervine cu coeficientul 1 la numarator, vce intervine doar cu un
coeficient de 104. Ca urmare, in prima aproximatie, se poate considera ca h12e 0, ceea ce
inseamna neglijarea efectului tensiunii vce asupra lui ib. In acest caz, circuitul echivalent devine
cel din figura 3.26. Acest circuit este identic cu modelul fundamental de semnal mic (fig. 3.19)
cu h11e = r si h21e = F.
3.6. TRANZISTORUL BIPOLAR LA INALTA FRECVENTA
3.6.1. CARACTERISTICA DE FRECVENTA A TB
Structura circuitului echivalent de semnal mic (fig. 3.20) arata ca functionarea TB este, in
general, dependenta de frecventa. Pentru caracterizarea TB in raport cu frecventa se ia in
considerare amplificarea de curent cu iesirea in scurtcircuit, care este, in general, un parametru
complex, dependent de frecventa semnalului f (sau ). El se defineste prin relatia:
- 25 -
, (3.70)
adica, este raportul dintre curentul de iesire din TB, care pentru conexiunea EC este Ic si curentul
de intrare in TB care, pentru aceeasi conexiune este Ib, cnd iesirea este scurtcircuitata (tensiunea
de semnal colector-emitor nula), asa cum se prezinta in figura 3.27.
Vbe =
. (3.73)
. (3.74)
Dar gmr = F = 0 = AI(0) este amplificarea la frecvente joase, deci:
. (3.75)
Modulul amplificarii, ca functie de frecventa,
- 26 -
(3.76)
constituie caracteristica de frecventa a TB si este reprezentat grafic in figura 3.28.
sa
o
o
o
,
de unde
. (3.77)
- 27 -
. (3.78)
La frecvente mai mari de 3-4 ori dect f relatia (3.78) devine:
= 0
. (3.79)
= 0
=1
fT = 0 f . (3.80)
Frecventa feste frecventa la care
conexiunea BC scade cu
din valoarea 0 la joasa frecventa. Procednd ca in cazul
determinarii lui f , se obtine:
f 0f . (3.81)
Prin urmare, f este mult mai mare dect f si de acelasi ordin de marime cu frecventa de
taiere fT.
3.7. PARAMETRII DINAMICI AI TRANZISTORULUI BIPOLAR IN CONEXIUNE
EMITOR COMUN IN DOMENIUL DE AUDIOFRECVENTA
Se considera etajul tip EC din figura 3.29.
- 28 -
AV,T =
=
- 29 -
Deci
AV,T =
, (3.82)
AV,T =
. (3.83)
AI,T =
=
Deci
AI,T h21e. (3.84)
Zi,T =
=
- 30 -
Zo,T =
Circuitul echivalent al etajului din figura 3.29 devine cel din figura 3.31.
Fig. 3.31. Circuitul echivalent al etajului din figura 3.29 pentru determinarea impedantei de iesire
Zo,T =
Ib =
Deci
Zo,T=
In acelasi mod se trateaza problema si in cazul conexiunilor BC, respectiv CC.
- 31 -
- 32 -