GURS . DISPOZITIVE ELECTRONICE $I ELECTRONICA ANALOGICA Evaluare Prezenfh..vccecseen 10% 6x01 = 06 ‘Activitate seminar... 5% 60,05 = 03 Activitate laborator . 15 % 8x0,15=1,2 Evaluiri periodice ....... 10% Tema de casa .... 10% Evaluare final (examen) 50% 8x0,5 = 4,0 SUMA2 = 7,2 Nota final 7 (Gapte) Bibliografie 1. M. Raducu, Electronie’ analogiea, Teorie si aplicatil, Ed. MATRIX ROM, Bucuresti, 2008, 2, E. Sofron, Dispozitive elactronice cu ser 2008. E. Softon, Eazele electronicil analogice, Ec. MATRIX ROM, Bucuresti, 2008. S. Pagca, N. Tomescu, |. Sziojanov, Electronicé analogicé $i digitala, vol. 1, £4. Albastrs, Cluj-Napoca, 2004. Thomas L. Floyd, Dispozitive electronice, Ec. Teora, 2003 E. Sofron s. 2. . SPICE: un ghid pentru simularea circuitelor electronice, Pitesti 1992. E Solon s. a. , SPICE, Ed. Miltard, Bucuresti, 1994. . Dascalu, A. Rusu, M. Profirescu, |. Costee., Dispozitive i circuite electronice, E. D. P., Bucuresti, 1982. D. Dasealu, 5.2, Dispozitive si cireuite electronics. Probleme, E. D. P., Bucuresti 1982, 10, Brezeanu Gh., s.a., Probleme de dispozitive $i circuite electronice, partea |, Bucuresti, Ed, Rosetti, 2001 condueteare, Ed, MATRIX ROM, Bucuresti,Capitotul 1 PROBLEMATICA $I SCOPUL CURSULUI DE DISPOZITIVE ELECTRONICE $I ELECTRONICA ANALOGICA Cursul de dispozitive electronice si electronici analegied cuprinde: = prezettaea fenomencle fizice care stau la bniza functionist dispozitivelor electronice (DE) ‘semiconductoare, comportarea DE in cicuite; = modele pentru DE: = trate a DE fn strinsi lepiturd cu ciruital din care fac parte in scopul simpliieasit ‘modelului foloit; = metode de proiectare a circutelor cu DE in seopul reduceriiinfluenjei dispersiei parametrilor ‘supra performantelorcircuitului eu DE; 6 prezentare a celor mai importante tiputi de civeuite zleetronice analogice: + amplifcatoare de semnal mic cu si fix reactie negativas + aplicai ale amplificatoarelor operajionale; ~ Sibilizatoereelectronice de tensiune; ~oseilatoare armonice, Definitt Dispozitivele electronice sunt componente ale circuitelor electronice, comportarea DE baziindu- se pe controlul purtitorilor de sarcind in corpul soli, in gaze sau in vi, ‘Controlul se refer la = controlul misedrii purtitrilor de sacind ss = controlul injectel puntorilor de sarcina fn zona activa a dispovitivuli CControlul poate fi electri, prin efectl unui flux luminos, et. Cireuitele electronice sunt circuite electice in care existh eel putin un dispozitiv electronic. Acestearealizeazi funeti electeonics, cum arf ~ amplifiares = gonorare de osllatl armonice; Timitare de nivel = redrosare; = stabilizare de tensiane; Tipu de dspotv eletnice: diode semiconductoare; teanzistoate bipolare; tranzistoare eu efect de cmp cu jonetiune (TEC), teanzistoare cu efect de eimp Meta-Oxid-Sem conductor (TEC-MOS); ‘ranzistoare unijonejiune (TU); ‘iristoare; ‘wiace; diode pnpn; diace; tranzistoare bipolar cu poardizolat (IGBT).Proprietile dispozitivelor electronice: = aun caracter nelniar; = au un caracter parametric (un parametru anume poate fi controlat electri); + unele dispoztive electronice sunt active (transform& puterea de ¢.. in putere de semana). ‘Modalitii de analiza gi caracterizare fizied ¢ dispazitivelor electroni isporitiv-circult-semnal bbazate pe relatia Desi DE sunt neliniare,toug se pone face aproximafieHniarl a caracterisilor in jal nor punete medi de fmetonae, de hunt (cu respecte cone de sonal ‘ni) Se obfin asl un mode nar pentru DE (enodli de semnal me sau circuit ecivaent a Smal mig), dar cae este valabil numa in snurite con. Parametiacesti model al DE vor depine de pnctl stati de funcionae PSF) in conchci, circle eleenonice sunt (premic) nein, ie parametri lor preint © dispersie mares depind de PSF Pentru ameliorareeacestor neajunsr esac So proietareadeovatl a oars 2 testi negativeUniversitatea din Pitesti Fecultatea de Elesronc8, Comunicai si Caleulstoare Departmental de Electronic Calulatoare si Inginerie Electric Domeniul de studi: Caloulatoare si tohnoogia informatie} Specializarea: Calulatoare Diseipinn: Dispoztiveelectronce gi electronic analogicd ‘Anul de studi IT CCrinje minime pentru promovarea examen 1. Dioda semiconduetoare: structurd,simbol, not gi earacterstcdstaticd (expresie smatematia si grafic). ° ‘Tranzistoare bipolar: structuri simbolur, nota si parametié de regim static, ‘Teanzistoare unipolare:structrd,simboluri, nota si caracterstci de transfer. ‘Schemé de principiu pentru un ets de amplificare cu TB in una din eonexiunile: EC, SD, CC, BC; Caleulul PSF-ului TB. 5. ‘Schema de prineipia pentru un eta) de amplificare cu TU in una din conexiunile: SC, SD, DC, GC; calcula PSF- uli pentru TU 6. Schema bloe pentru fiecare din cele patra topologi de amplificatoare cu reactie negatva. Prineipalele aplicai ale AO: schemi de principiu si functie de transfer, Stabilizator de tensiune cu dioda Zener si TB: schema de prinipiu si determinarestensiunit 6 iesire 9. Conditia de osilajie Barkhausen. ‘Titular diseiplind, aeNofiuni de fiaiea semlconductoarelor Capitolul 2 NOTIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR, 2.1, Materiale semiconductoare ectie, materiale se clase in [6} Din pune de vedere al conductbltai - conductoare, cu rezistivtate, p< 10'Q-em; + semioonductoare, cu pe (10%,10") em; + leolatoar, cu p> 10? hem. “Materalele semicdnductosre sunt foosite la fabricate dispoztvelor semiconductoare. Cele mal unusle materiale semiconductoare sunt: + slic: = germanil st = arseniura de glu (GAs) (7) Un semiconductor chime pur se numeste semiconductor intinse. In practi se considera cl un semionductor ete intinsse dae raportaldntre numral de atomi de semiconductor si cel deimpurti este rai mare de 10”. fnt-un semiconductor pur sunt aroximaiv 10" iomilem Siti si germanial au patra electron pe utimul stat (elements tetravalente). Fecare stom pune cite un electron in eomun eu pat vecin, completindu-iasfel utimul stat cu opt electroni. © astel de legiturt Inte stort se mumeste covalent si ete o lepiturdstabild. Electron pust Im comun se aumese econ de valen fn fig, 2 este prezenta reteaua cristlng pe car 0 formeazi atomi de sili. ‘Comporarea semiconductorului este influent de agen extemi: edmp electric, cimp magnetic, uid, radiate nuclear, ot Fig. 2.1) Rejeaa cristina silicin > lusraresproceselor de generates d2 recom bine. Un semicondictor se afd Ia chi terme sturc cd eponti semiconductor ete uniforms. tern linsess, ir temperatura fn 2.1.1, Teoria benzilor energetce ls corpal solid Pentru eiseva din cele mai vrusle materiale folosite tn realizarea dispoztivelor semiconductare, strucuraclctonic ese prezenat in tabelul 21,Disporitive electronice si electronich analoglet Tabet 2.1 [Henaitctinie | Noniiudsionie] Senna Vals] owen SiGaicay Fea Tecate ammenc 2a Tea SF eravalent) | Gatwany REGS Tava’ —| As (@sen) Hales F pentavalend) Tn Gi) 2:8, 18S savant) —| [Bibon) ES Fave) Nivelele de energie permise ale clesronilr Ise tn atom sunt arte apropiate,formind benzi enersetice permise (BP), inte cre se ali benzil enegetve interise (BD), asa cum s-iusrt in fg. 2.2. Un electron legat in atom ocupd un nivel energetic cu E <0, iar un electro iber (care BP. BL. pone! ese leg nso) coh iaoegetc E> 0 Gout BP, ‘Un ctr ponte es de pew el neg afer, Es pe a vel nergt sper Es ~ Sy primes sullen eerie in exter, Fema 2B ig 22 Moa beeen er. coma corer corp solid sitd fenomene este = necesar ca mieur Mi permis incomplet_ -lectroni [6]. Astfel, electronii se vor ddeplase in interior unei benz energeice sub influenja cimpului electric, energs necesari dept ind ‘mcd (nvelele energetic din interioral uneibonz sunt foarte apropat). Conducjc electra in muerialele solide este determinaté de fenomenete ce at Toe fn bands de conducte (BC) si in banda de valent (BV), adic in benzileenerptize cu nivelele cele mai ridiat. fn fi, 23 este precentah suai in care BV ost complet ocupt ar BC ete liber (nici un electron nu 30 aa in BC), Situaia corespunde unui semiconductor inrnsee (pur) ala la 0 K (temperatura absolut). Deoarece ns ‘exist o band incompletcoupat,rezull dl 0 K, un semiconductor nu permite fenomene de conduct sleetrea (¢ un izolator perfect). Se defines times benz interzise ca ind! Eg=Fo~ Ey en unde Ec este nivel minim al beni de conduc, iar Ey este nivelul maxim | BC al benaii de valen (ig. 23). Pest Si, Eos: = 112 eV (eleewoni volt), g,|_gFo BY. pentru Ge, Ege 0,67 eV, iar pentru (GaAs), Eocats™ 143 eV. BY. Pentru ca un eletfon sf teach din BV in BC, acest trebuie si primeasci dia exterior energie cel putin egal cu Eq. Pomind de te Fig. 23. Modell temperatura absolut, T= 0 K, pe mlsurd ce temperatura semiconducorui pecs: ret, inep sh se rap leit covalente. Ca urmare, ass cum sa iasirat in fig. 2.1, se genoreazd un electron si un gol. fn modelul energetic al un semiconductor, aceasti gonerare echivaleai cu trcerea unui electror din BV in BC. Rezults 8 atit banda de vale, et i banda de conducie sunt incomplet ocupte,semiconductorul pemitind, in acest conti, enomene de conducie, Aplicares unui cimp electric va avea ca urmare spariia unui curent electric eterminat de deplssree dirjaté a eletroailor de condustie (electonit din BC) si a unui euent electric p. fn fg, 24 este iusrat model ‘energetic pentru un semiconductor tpnCum inst Ne No felts ‘Se objn ste! concenraile de electron igor la eels tere: nencen( 24) an ‘Semiconductor tip mare E>, iar semiconductorl tip pare Ey< Ey Pe Pir un semiconditornedegenert, a echt temic reali urmitoare rae (din 2.72.8 Pameam an nde ca pos m +-2ntat concent de gtr, respect cleswon, a exilib temic. Si consderim of semicondatora - impurit ox smi de bor Gmpuri esepoae), a cor ‘concentrate este Na. Presupunem of toate impurttile seu ions, astfel ci N,N, unde este concent de inurl inate, Dact,>>r,, din condia de neutral a semionductorali: Py~ mht Ng -Ng=0 210) se obtne encetratia de gol dian semiconductor tip eM, ean in 28) si (2.11) 3¢ obyine concentaia de electron dintsun semiconductor tipo en Si consderion un exemp n cares cmos: y= 145-10! em iN = 0"em Din ela (2.11) 12) e obj PoXNy=10%om? $i 4510°F otto? 1 De remarcat cf nan semiconductor tip p_glurie sunt putrid sarcind major iar elecvoni sunt tion de sarcind mortar, Ca wmare, condutacuentulu elec etespecifich deplasii gore In BV. Pentru un semiconductor tpn concetratile $n, pot deuce in mod asemsnstor. Se oie: ce en) nee eyB.C. B.C. BL BL. BY. BY, Fig, 24, Modal energetics al unui Fig. 25. Modelul energetic al unui Semiconductor tip n ‘emiconductar tip p. ‘Realizarea unui semiconductor de tip p Acest tip de semiconductor se relizeazh prin adfugarea n fat! masa semiconductorui 8 unor Import trivalente (atom cu 3 electron pe whimul str - B, In, Ga, AD), numite st impuritti acceptoare Introduceres unei asl de impuriii in structure cristalind a semiconductorula face si apart o legiturk covalent nesatisticut (impurttes nu pune ia comun nici un elect cu unul din expat atom de Si cu care se ivecineazt). Ca urmare, prin ionizarea impurtji (an electron din BV de la un alom de semiconductor completeazk legtura covalenti nesatsficuts atomului de impuritae) spare un gol in semiconductor, Remlié astfel o concentaie mai mare de goluri {p > n). Modsiol energetic al unvi semiconductor tip peste prezentat ing. 2.5. 2.13, Statstiea perttorlor de sarcin Determinarea concentryilor de slectoni si goluri din semiconductoare, la echlibru temic se poate face uilizind staisten Femi ~ Dirac. Probabilities ca un electron si ccupe un nivel energetic est dat de fanetiafE): 1 SE)= cE) @a) re) pee depinde de temperatura 5 de nivel de dopare. este o marime decalul si poate fin banda permisa (BP) su in banda interzis (BI. Probebilitats ea un gol si ccupe un nivel energetic E este dat de 1 f(E). La eoilibratermodinamie rezuti cl: es) eo IN, s1N, depind de T?. entra un semiconductor intinsec, Er— Ei si eum