curs Jonetianea pn; diode semiconductoare Capitola 3 JONCTIUNEA pn; DIODE SEMICONDUCTOARE, Jonefiunes pa este structurd semiconductoare care prezinit dou zone invecinate, eu tipuridiferite de conductibilitate, respectv. Linia de 2 demarcate dintre cele dou zone se numeste neti meralurgic, Diode semiconductore contin ojnctiune semiconductor Fig. 3.1 Jonefiunee pn, 3.1 Jonetiunea pn Ia echilibra terme Reiunen de trecere seu al conductilclectriceualdireclonale CConducja unidirectional a jonctiunii pa este asiguraa de existenga unui cmp electric inter rientat de la zona nla zona p. Acest cmp este localiza nt- regiune foarte ingust, stati deo pate de alta jonejunii metlurgce, nmi zona detecere sau rege de barierd Pentru analiza neti pn se consider model unidimensional (pe axa x}; + concentra constane de impuriiji, Nain Zona p i Np in zona n (profil abrupt); jonctiune simetril, Ny = Np, ‘Notailefoosite pentru concentrail de impurii sunt urmtoaree: ‘Pw ~concentratia de golur, in zona p, la ecilibeu tric; ‘nj ~concentaja de eleetroni, in zona p a echilibra tric; ‘uy ~concentatia de golur, in zona nla echilibr tere; ‘yy ~concentaya de electron, in zona a, la ecilbeu terme; ‘St presupunem cd nu exist emp electri intern. Reza ci yo Ng pentru x<0; Reza i la x~ 0 gradientul concetratei de purtitor est infin, ait pena glu eat i penta electron. Ca mare, conform celor prezentite in sectiunea 222, rezul o distribute intabilé 2 punBorilor de sind, ceea ce face a golurie sf difizeze din zona p in zona a (apare un curent de difwie de gol, ar lctroni st ifwzeze din zona n in zona p (erent de difrie de eletroni. Din cauza transport de src lecticd mobil (electron golur,n jurul joctiunil metalurpice apa o oni de sarin spails, neg {In zone psi pozitvi in zone n. Existenta acestl distribu de sarcind spatial determing sparifia unui ‘mp electri intera, orientat de la la p. Aces cinp se opunetendinsi de difuzie din jurul joneiuni retalurgice. La echilibru, caren de cémp sunt egal eu cei de difwie,Astel, curentl prin jonctiune este nul fr si se anuleze caren de difwzie side cmp.si cletronicl analog Fig, 32. Modell oleeonic al joni ps 4) variyia concentgiei de electoni si goluri In scaré logaritmica b) varia oncentrafci de elecroni si golur la scat isa; e) varain densitit de saciag, varia cémpulul eleti;e varia potential, oti folosite tn fig. 32: 1, P—concentail de electron, respectiv de glur la ehilibeu temic po~ densiatea de savin E - campul eet inter; a ~ potential Jonefunea ind la echilibrotermie, se poate soie rela Bala)-m(2)Sonetiunea| Din roprezntrea la scart Tira se observ cf, in zona (egunes) de uecere stu de bait (©), Gonsentzatia de purtitori mobil desarcnd este foarte mic Densitatea de sarcint este Pe =(P-R+Np=Ny)-a ‘Tindnd cont de aifizia purtitorlor mobili de saci din jura jnetun metalurice, py se poste explicit ast jo ae HM, -yereo Api a, Hy <8 <0 a ° em Presypneres cn zona de teere concentra purtorlor mobil de sin este mult mal mick ect concentra de impute numeste aproximate de gle, Acasa permite 0 estmare rapid a impala lec iter sa pote elect care se po explicate, EMH) xen) PG Ma eet) £600) Bes seh) (a)= a an Va, Serra (aly XE sh) Va epi lifes intern opto sexe at de eli rye EZ Meda oa Regiunen de revere ae iimea: esa Principalele propritti ale jonsiuit pm sunt determinate de fenomenele ce au oe tn regnea de sarcind spits sav regiunea gol. In literatura de specilitate, aceasta zond este denumithsregiune de ‘mecer,reghwe de borer regiune de sarcind spatial seu regiuse gold. Acaste denumiti vor definite in continuare, semnifcatia oe ind ist n fig. 3.2. Reeglumea de trecere este regiunea in cre aloe vara ale tuturor mrimilorspecifcejonetinl pa Gp. Ey. Regiunea de barieri este regiunea unde fare sodjulcémpul elec itera, cel care determin ) ikea regiunil de trecere, ©) intensitatea maxima a cimpului electric, Eom. Se dau: T=300 K, n= 1,45:10" em, e,= 11,7 sg) = 88610" Fem. Revolvare 4 Difercta inter de potentials aluteat cu ea 34) Vy AE tn 1026 In 1010 = 0.6997 Gas.10"F ») Dinca 5) ob = fe{ta Ly, - Press : @\N, Ny)” 16-107 10% Valor mainte cpl elas s ainge peru x0 acum se pote esa ig. 324 426 pom ON 16-10" 10% get Oe tress0% 73 29 -10'V Jem Fonefiues find simeticd, ps = fe ~b/2 "Nott nelle de calcul din aplicai 3.1, lngimes a fost exprimat in cetimetri 13.2. Coracteristca stale a jonetlanii pa fn Gg. 33 su prezetate ntile ulate in regi sate pent o joni po, Bora cone Ia regimen ps mete aod (A), iat bona conc zon n emus cated (C), Dependenta1,=Iy(V) represat arucerisea ttc joetunt pm Pena Va < 0, joncunea pn este poarizatsinvers, in mod ural folsindi-e urntoarcle oi ee(nia} 2 Va=-Va gil =-In, cu semnificagia, R ~ revers (invers). A zB c Pentru V,>0,jonctiunea pn este polrizat direct, ir note sunt Va Va =Vesila= Ir ou serniicatia,P— forward (dire a Tac sien cmies Fig. 33. Nota pentru P : Joneianea pa in regi onetitnea pm polarizatl direct Ta Fie Evedmpulelecc inter in ips polarzsii (V4, = 0) $i Ew clip elect exter, cauzat de plicareatensiuni V,, Pentru Vi, 0 (polarizare direct, cimpul eleevic extern este de Sens conta clu inter, ea uma, ‘ampului cleric total, B seade Ba BrEm Daca Eseade, sunt favorialicureni de difuzie n detriment celor de cfm, iar tn regimes de teeere ese concenraile de putitori mobil de sarind. Acest proces se numeteinjetie de purer minora, Deotroce exist un excedent de purtitort mobil de sacing, preponderent este fenomenul de rcombinar. 7‘oncjiunea pn; diode semleonductoare a a Oo endear — ke a) Fig. 3.4. Joncfiunea pa potarizat direct; 8) componentele eurentului prin Jonojiune;b) concentraile purtitrilor mobili de sarcind onetiunea pn polarizatainvers Pentru Vi <0, cdmpul electric extem este de avelagi sens cu cel inter, oa urnare,cdmpuli electic toa, E eres: é. et Bas Deck Beress, sunt favorizai curnit de cémp ta detimental celor de difzi, ari repiunen de ‘wecore sead concenraile de purtitor| mobil de sain Polarzare detrmind modifcarea limi regan de reer (0. Eh a) » Fig. 5.5. Joncjiunea pn polerizata invers; a) componentele eurenuli pein Jnetinne;b) concentraile purtitorilor mobili de sarcind ‘Beuafilecurentilor prin jonctanea pn {nregim static, curetal 1, prin joneiuaea pa este dt de relia: Le=lag they ‘care ar este curentul de diftze, a ag este urentl de generae recombinare prin jonetiunea pa, (Curent de difizie are expresia urmaoare: eee [es £4) 1) os) nde geste curentl de stare de difuiune. onDisportive eects electronic analogies ‘Carental de generareresombinare ae expresia unio og: en 2%) - fo DET, Unde Ig este curental de stuatie de generarerecombinare, {In potarizareinversa, pears Vz > 3kT/,curentlinvers prin onotune este dt derelata e9) Lay oar * Tog. = Io G.10) ‘In polarizare directs, pentru V-> 3K7/9, curentul direct prin diod are exprsia: (4). emf He) ET) he ET} oa La tensiuni mici pe jonctiune predomin8 componeata de cémp, iar la wnsiusi mai mari predoming » 3 Fig 3.15. Aptcaa 33. Rerolvare In circuit din ig 3.13, diode D; este polarizath direct deoarececatodul se ald la cel ma negativ potential din circuit. Ca urmare, Vq = Vy = 0,7 Vin fig. 3.14 -au marcatochiurile de eieut O; si Os pe ‘are se pot serie urnttoarele ecu reVay + Bh Vp Vg =O VAN, Vg =0 Rent VagVo Von _ 107 07-10) Ri, 10 nVe Vag 7-10=-937 {ncioutal din fig 3.136, dod D, este polarzat inversdeoarece’ nod au se afd la cel mai mie potential din circuit, stl cs h Fig. 3.14, Aplicain 3.30 =O Aplin legea lui Ohm pentra rezistena R, se obine: Vu-e=Ry-h > M, 1077 4 ~ Rely =10,7 10-0. {n circuit din fig 3.13, dioda Dy este polrizat direct deoaroce anodul se afl a cel mai poziiv potential din circuit (V,= Vp=0,7 V). Pe ochiul de crcitcecuprnde ca latur derle de tensiune Vis, Vs 4 dioda Ds se poate serie uritoareaecuatie: Vag tVe+Vj20 2% 2V Vp 107-07 107 Aplin logos lui Ohm peatra rezitena Rose objne Vag =P > I= In circuit di fig 3.134 doda D, este polarzatinvers deoarececatodl iu se afl cel mai mare potential din circuit, stl 1e=Ip=0 Aplisind legea lui Ohm pentra rezistena R, se obi: Vay = Ryle = Va=Vaq~Ralg=-10-10-0=-107. Bibliograie 1. 0. Dragomieseu, D, Morar, Component i crete eletronce pasve, Ed. BREN, Bucuresti, 2003. 2. N. Drigulinescu, C. Miroiu, D. Morary, ABC Electronica in imagin!. Componente pasive, Ed. Tee, Bucuresti, 199. 3. N.Dalgulineseu, Agenda radioelecironistull, eta aU-, Ed. Tebnied, Bucureg, 1989, 4 L Lith, M, Riducu, Componente si cireuite pase, indrumar de laborator, Ea. Universiti din Pie, Pegi, 1997 5. $.Pagca, N. Tomesou, I. Sztojanov, Blectronid analoged i digital, vol. 1, Ba. Albastri, Chi-Napoca, 2004; 6. D. Dascalu, A. Rusu, M, Profirescu, I. Costea, Dispoztve 1 elrculte electronice, Bd. Didectca gi Pedagogies, Bueuret, 1982, 7.G. Vaslescu, §. Lungu, Electronied, Ed. Didactics si Pedagogic8, Bucuresti, 1981 17