‘Tranzistoare bipolare Capitolul 4 TRANZISTOARE BIPOLARE 4.1 Definire, clasificare si caracterizare fizica Tranzistoral bipolar (TB) a fost primul dispozitiv semiconductor activ (care poste realize castig de puters), Ela fost inventat de Bardeen, Brattain si Shockley la Bell Laboratories, in anul 1948. Denumirea, stranzistor” vine de la transfr-rezistor,adiedrezistnté de transfer, iar denumirea ,bipolar” specified faptul 4, la conductiacurentului electric participa att electron eft i golurle, deci purttori mobili de sarcina de ambele politi Structuri, simboluri si notati pentru tranzistorul bipolar ‘Tranzistorl bipolar este un dispoztiv semiconductor cu tei borne, ce confine dou jonctiuni pa. TE se realizeazA intran monocristal semiconductor si este aledtuit din trei zone alternate ca tip de conducibilitate, num: B-emitor B- baci si C - colector. [Exist doua tipar de tranzistare bipolare: ‘pn i pop. In fig. 4.1 sunt ilastrate structurile simboluil si notatile pentru cele dous tipur de TB. Stgeata din simbolul TB se pune intotdecuna pe borna emitorului cu sensul de la zona p la zona n. Ea marcheaza sensul normal al curentului prin tranzistor. Emitor Colector —_Emitor Colestor Ph © © © oO Baek @) ee c a ieee ae Tc B B a) » Fig. 4.1. TB~ structri, simboluri gi notait a) TB npn; b) TB pnp.lectronici analog’ Dispozitive eleetronice EN RTE RTC) CN { fess >? ” aa Ie : tN Ie E © w bt * Ven e Veo Fig. 4.2 Prinepiul de functionare al ranzistorului bipolar Un tranzistor bipolar este complet descrs de cei trei curenti prin home side cele tre tensiuni dine fiecare pereche de borne. Si consideram un tranzistor bipolar npn pentru care notafle sunt cele din fig 4.1, inte cei tre curenti inte vele tei tensiuni exist urmaoarcle eeunfi de Kgiturs, general valabile: Vex = Voc +¥on ay lot ly a2) Din caracteristicile de catlog sau din modelul TB se obrin doua ecuatii de dispociiv, iar din circuitul de polarizare al TB se objin doud eeuai de circuit Cele jase eoui permit determinarea curentilor eye iy precum sia tenstilor Viz, Vac si Ves tranzistorl find astel complet determinat. 4.2. Principiul de functionare (efectul de tranzistor) Eeuatile de fn functionare normali, jonctiunea bazé-emitor (BE) ~ numith si jonctiunea emitoruhii — este polarizatt direct, iar jonetiunea bazi-colector (BC) — numitd si jonctiunea colectorului ~ este polarizata invers, Pentru un tranzistor pnp, in funcfionare normal8, Vay > 0 si Veg < 0. Dacd Vig>> Vr=26 mV, atunci ccurentul de emitor este mult mai mare decat curentul rezidual al jonejiuniiemitorull gi se poate considera ok Veg Best (43) Latranzisoarele pnp cu silica Yop = 06 + 07V. Le un tanzistor bipolar, cele dovs joneiuni sunt euplate electric. Conde ta care se realizeazt oes cuplj sunt prezemate in continua 2) Jonciunea EB si fe de ip pa (puteric asimetc8, cosa ee va determina un curent de emitor in snajritate de gor 1) Baza si fe foarte subse in comparaie cu Tungimen de difuze(L,) a goturitor minortr in baza e tp, astfel inet inregu flux de goluri si jung in zona de sacind spi acolectouhi. Aci goluile sunt antrenate de cémpul eletrie Z (fg. 4.2) si ca wrmare va rezuta un curent de coletor: re (a) fn fig. 4.2 este prezsntat modul in care un gol din ona neue a emitorului (EN) poate aunge in zona ‘nea colectorulu (CN), taversnd regiunen de eer ajonctuniemitorlui (RTE), baza de ltime W si regiunea de reer ajonctiunicolectoruli (RTC).‘Tranzistoare bipolare Aceasta tratare simplificatt a efectului de tranzistor conduce la caracteristicile din fig 43, care ilustreaza ecuatile Ie de dispozitiv (4.3) si (4.4). Feuatiile de eireuit 6 “Ven 0 Consideram cireutul din fig, 44, Prima eouatie de Ns bs circuit poate fi serist pe ochiul ce cuprinde laturile: Ves, Re Fig, 43. Mustrarea ecuatilor de Ves, iar @ doua pe ochil format din Voc, Resi Vex. Rezulti praia Vig = Rely +¥ee (45) Veo =Vog + Re Ie “6 Bee ke Be Din site de ecu (43) ~ (6), considering tesinea Ven eanoseut se oti a [Tb vue i Fig. 44. Circuit pentru polarizarea unui Not: Calculcle sunt valabile daca Vos < 0 si aaa ceurentul rezidual al jonctiunii colectorului este neglijabil 4.3, Relatiiintre curentii prin tranzistor Componentele curentilor prin tranzistor mneze normal, aviind baza stfel, curentul Consideram un tranzistor bipolar tip pnp polarizat astfel incat si Funeti cconectati la mas, ca in fig. 4.5. Jonetiunea emitorului este de tip p'n (putemnic asimetrica) prin aceastijonctiune este in majoritate de golur O parte din golurile injectate din emitor in baza se recombina forménd curentul de recombinare, i. Polarizare direct Polarizare inversi =e Golur cee recombina (1) Fig, 4.5, Cireuit pentru polarizarea unui tranzistor bipolar pap.Disp {in circuitul din fig. 4.6, TB este in conexiunea emitor comun, curentul ic fiind controlat de curentul is. Din (4.5) si (4.2) rezule: Bert a6 Parametrul A se numeste factor de amplifiare in curent (au céstig de curent) in conexiunea emitor comun (EC). Unual, fia valor inte edteva zeci si cteva sue. Pentru un tranzistor npn in RAN(egim activ normal) se poate serie: [3 lp2ly on] re electronice si lectroniel analogicn Fig. 4.6. Circuit pentru polarizarea ‘unui tranzistor bipolar npn, an Pe baca relatilor (4.5), (4.5) si (47) se pot determina cireute echivalente pentru un tranzistor bipolar de tip npn. in fig. 4.7 sunt prezentate patru astfel de circute echivalente, folosirea unuia sau altuia depinziind de mérimile cunoscute gi de configura in care luereaza tranzistorul bipolar. B c el Fig. 4.7. Cireuite echivalente pentru tranzistorul bipolar. Aplicatia 4.1 Veo=10V ‘Se considera schema din figura 4.8, Date: T (fe =100 si s= 10""A), Re= 1k ‘Se cere: Sa se calculeze potentialele din emitor si colector si curentul ip T Rezolvare: I= Sma Fig. 4.8, Aplicatia 4.1Tranzistoare bipolare 0-07 =-0,1V Va Vag = 0-0, ig _ md ip _ md _ ays Bett WL es = 0.0495 = 495m4 Ty Te=lg-Ty Voc = Re le tVe Ve =Voe — Re “Ie =10-14,95=5 057 Aplicagia 4.2 Fie cireuitul din fig. 4.9. Date: Vey = 0,1 V gi Ve=1V. »Vo=?, Ip Ry 2 Ke Re aka Voo=-5 V Fig, 4.9. Aplicata 4.2 Bfectul Early (modularea grosimi bazel) SA considerdm un tranzistor polarizat in regiunea activi, ea in fig. 4.6. Reamintim ct jonctiunea colectorului este polarizata invers. Cresterea tensiunii Ves va determina o crestere a regiunit de sarcin& spatial a jonetiunii colectorului, care se extinde in baza tranzistorului (mai slab dopata). Ca urmare,litimea cefectiva a bazei, W se va reduce gi factorul de amplificare in curent va eregte, determindad o erestere a curentului de colector. Dependenta slabé a curentului de colector de tensiunea Vcc se aumeste efeet Early, ‘evidentiat in fig. 4.10. Expresia curentului de colector ce tine cont de acest efect este valle) os in care V, se numeste tensiune Early gi ia velori wauale intre 50 gi 100 V. {in circuitul echivalent al TB, efectul Early se concretizeaza prin aparitia unei rezistene, r, faze colector si emitor de valoate: 49)Dispozitive electronice si clectronied analogic’ Fig. 4.10, Efectul Barly ‘consider of se cuncopte; V,=100 V gi = 5 mA. Rez: at 010 ins 4.4, Regimul static al tranzistorului bipolar © analiz rapid a unui circuit cu Tse poate efectua dact se presupune et ensiunes Var ~ 0,7 V pentru TB de tip np sau Vau = 0,7 pentru trnzstoarele de tip pap. Aceast presupunere trebuie inst sustnut de eonfigurayiacicuituli de polarizae al TB. De asemenea, trebuie s4ne asigurim cé ecuatile fotoste sunt valabile pentr regimul de funtionare al TB. Eeuatile prezentate in sestunea 4.3 si creuitele chivalente ale TB din fig. 47 pot f tilzate noma in rgiunea aetivd normal (RAN), adic in condiile in ere jonetiuneaemitorulu este polarizatdiret, ia onetiunea coleetorulu este polarizatinvers, in fig. 4.1 est iustratéo schemd de polrizate a unui TB, care permite funefionrea aestuia in RAN. Pentru stable puntulistaie de feetionare se pot sri urmatoarele relat Aplicagia 4.3 Fig. 4.11, Polarizarea TB. Pentru cireuitul din fig. 4.11 se cumoaste: R= 1 KO, Vie = 12VsiT(Vae= 0,7 V, r= 10051 Ie 1A), Se core si se determine curentii prin bome si egimul de functionare pentru tranzistorul T. Rezolvare Folosind relatile anterioare se obfine‘Tranzistoare bipolare 1,= 493 =00493ma 100 fc + Ty = 4,93 + 0,089 = 4,98 md Vo =12-1-498=7,07= 70 T(Vse = 0,7 V, Vee = 7V, le= 4,93 mA) => Teste in RAN. Observatie: Jonctiunea colectorului este polarizath invers dict Vgc <0. Ca urmare, este necesar ca Veo = -Veo + Var > 0,7 V = Veen Rezulti ci polarizarea inversi a jonetiunii colectorului pentru un tranzistor de tip npn se realizeaza dack Voce > Vora ~ 0,7 V. Regiunile de lucru ale tranzistorului bipolar Fiecare din cele doua jonejiuni ale TB poste fi polarizata direct sau invers. Ca urmare existé patra situatit posibile, corespunzatoare la patra regiuni de lucrv ale TB, prezentate in tabelul 4.1. Tabelul 4.1 Nr. | Jonefiunea Jonefiunea Functionarea TB eee ert, | bazi-emitor (BE) | bazi-colector (BC) T | Polarizati direct | Polarizaté direct Regiunea de saturajie (RS) | 2 | Polarizaté direst | Polarizatéinvers Regiunea activi normal (RAN) 3__| Polarizaidinvers | Polarizatl direct Regiunea activi inversi (RAD) | Polarizattinvers | Polarizath invers Regiunea de blocare (RB) Regiunea de blocare se mai numeste si regiune de tere. Pentru a stabili dac& o jonctiune a TB este polarizaté direct sau invers se va determina ciderea de tensiune inte zona p si zona n. Daca aceasta este pozitiva, atunci jonctiunea este polarizaté direct, iar dack este negativ, atunci jonctiunca este polarizata invers. De exemplu, in fig. 4.11 TB este de tip npn si ca turmare trebuie determinati tensiunea Vg (cdderea do tensiune dintre bazi si emitor). Deoarece Vise = 0,7 V > 0, jonctiunea baza-emitor este polarizats direc. Conexiunile de bazi ale TB Stabilitea conexiunii de lucru a TB intr-un circuit se poate face pe schema de curent alternativ. Bora TB care este conectat la masa, pe schema de c.a. determina numele conexiunii de lucru. Conexiunile posibile de Iucru ale TB sunt I. bara comuni (BC); 2. colector comun (CC); 3. emitor comun (EC); 4. sarcind distribuita (SD). De remarcat ca, intr-un etaj de amplificare, baza (B) poate fi numai bora de intrare, ar colectoral (C) poate fi numai bornd de iesire