Cors ‘Tranzistoare bipolare 1y=*2 004934 100 Ip =e + fy =493-+010493 = 498d Vo =12-1-498=7072 77 ‘Te = 0,7 V, Vex = 7V, lo= 4,93 mA) = Teste in RAN. Observatie: Jonctiunea colectorului este polarizaté invers dack Vic <0. Ca urmare, este necesar ca Vee = Ven + Vor > 0.7 V = Vere: Rezulié c& polarizarea inverst a jonctiunii colectorului pentru un TV. tranzistor de tip npn se reatizeazit dac Vee > Verse Regiunile de lucra Fiecare din cele doua jonctiuni ale TB poate fi polarizata direct sau invers. Ca urmare exist patra situati posibile, corespunzatoare la patru regiuni de luc ale TB, prezeotate in tabelul 4.1 Tabelul 4.1 Ne [ Tonatunea Tonetionea | Favetionaree TB ert baziemitor BE) _| bazi-colector (BC) T_| Polarizath direct | Polariata direct Regiunea de satraje 5) 2 | Polarizaté direct | Polarizatsinvers | Reaiunea activa normala (RAN) 3 _|Polarizatsinvers | Polarzat direct Regiunea activa inversi (RAD) _[Polarizatéinvers | Polarizati nvers | Regiunea de Blocare (RB) Regiunea de blocare se mai numest si regiune de tere. Pentru a stabili daci o jonctiune a TB este polarizata direct sau invers se va determina ciderea de tensiune intre zona p si zona n, Dacd aceasta este pozitiva, atunci joneyiunea este polarizat direct, iar daca este negativa, atunci jonctiunea este polarizati invers. De exemplu, in fig. 4.11 TB este de tip npn si ea lurmare trebuie determinatatensiunea Vi (edderea de tensiune dintre baz& si emitor). Deoarece Vie = 0,7 V > 0, jonctiunes bazi-emitor este polarizati direct. Conexiunite de baz ale TB Stabilirea conexiunii de ucru a TB int-un circuit se poate face pe schema de curent alternativ, Borna ‘TB care este conectata la mas, pe schema de ca. determina numele eonexiunii de tuer Conexiunile posibile de leru ale TB sunt: 1. bavi comund (BC); 2. eolector eomun (CC): 3. emitor eomun (EC); 4, sarcing distribuita (SD). De temarcat 8 intr-un etaj de amplificare, baza (B) poate fi numai born de intrare, iar colectorul (C) poate ff numai borna de iegireDispozitive electronice si clectroniex analogiea Conexiunea emitor comun in fig 4.12 este prezentat un circuit in care TB est in conexiunea emitoreomun (FC), ind polarizat astfel incit s4.funcfioneze in RAN, ‘Caractristica de intrare a circuitului, prezentath in fig. 4.132, este datd de relatia: Ta Wao Wenn Caracteristica de iegire este prezentatl in fig. 4.130 gi este dat de relatia: To Ieee, Relata dintre curentul de iesire Ic gi curentul de intrare: Fig. 4.12. TB in cconexiumea EC. din fig, 4.1 5b e& le eroste odata cu eresterea Pentru Vor > 1'V se observa pe caracteristiea de ieire ectul Early. Astfel, dacd se fine cont de acest tensiunii de iegte, Vee. Aceastd dependent este cunoscuti a el fect, expresia curentului de colector dey (, he Te = Bp Tyh 14 LM unde Va reprezint§ tensiunea Early IaH] 06 VoelV] a) Fig. 4.13, Caracteristcile TB in conexiunea EC: a caracteristi 'b) caracteristca de ieyire. ica de intrares 4.5. Polarizarea tranzistorului bipolar in cireuite discrete Voo Pentru polarizarea TB se pot utiliza diverse eircuite. In continuare vom analiza dous variant Re Re Ve Polarizarea tranzistorului bipolar eu un rezistor in baz’ i T Vo fn fig. 4.14 este prezentat un circuit in care TB primeste un curent ‘constant in baz Fig. 4.14. TB. 06 polarizat eu eurent de baza constant.‘Tranzistoare bipolare De remareat et pent Vee sfeent de mare (de exempla peste 15 V), urentl de bz se poate aproxin 1 xk pate roarea introdusi prin realizarea acestei aproximri este mai mica de 5 % pentru Veo > 15 V. Aplicatia 4.4 Pentru cireutul din fig, 4.14 se eunoaste cd: Re = 10 KO, B= 150 gi Voc = 12 V. Se cere si se dimensioneze rezistorul Ry astfel incat TB (cu siliciu) sf fie polarizat in mijlocul RAN Rezolware in mijlocul RAN: Curentul de bavi necesar est: ‘Alegem Rx = 3 MQ. Daca refacem calculele cu valoarea aleasa, obfinem: [y=3814, Veo "637 Apli bat TB cu unul care are fi in circuitul din aplicatia anterioara in care Ry= 3 MQ s-a schi ‘Se cere si se determine regiunea de lueru pentru TB. Rezolvare Curentul de bazi va fi acelasi, Presupunem et TB a rimas in RAN si determindm curentul d T= Be Ty =300-0,0038 = 1,14 md Vos =Veo ~ Ree = 12-10-14 Se ste cd pentru ca TB sa fie in RAN, o conditie este cn: colector si tensiunea colector-emit In cal de fa TB se af la limita dite epiunea de saturate st RAN. in concuzie,polarizaren TB pri injectaea unui cuent constant in baz (fg. 416) mu este 0 soli pratcd deoarece puncul sac fanetonare (PSF) a TB este fare sensi a scimbarea valor parametui . Cum aeestparameta ar oinperie de Fabrice foarte mare (in ato poste fpesiat ev o tolerant d-=100%) 5 ovarae rapid sportvuli,creuitul de poarzae din fig 4,16 se utilizes rar in ple. eu modificaree temperaturiiDisporitiveclestronice si electronica analog Polarizaven tranzistorului bipolar eu divizor in bazi si rezistor in emitor fn fig, 4.15 este prezentata cea mai utilizati varianté de polarizare a TB in circuitele discrete. Ray Rep formeaza un divizor de tensiune pentru care s-a realizat echivalarea Thévenin cu relate: R Ruy Ry Vag =A — Voc, Ryg = AHL Mn Rat Rn Rut Ro Se obtine astfel cieuitul echivalent din fig. 4.15b, fn care se pot serie urmatoarele ecuati: Vay = Ren “Ty +Var + Re “Te Ty = (Be YT do= Bete Voo = Ro To +Ven + Re Te in ear s-a neglijat len. Prin rezolvarea sistem de ecuatit de mai sus se obfine: Prt rf Ras + (Be +1) Re Veg “Veo Re To ~ Aplicatia 4.6 Pentru circuitul din fig. 4.15 se eumoaste eds Ryy ~ 84 KO, Rip 36 KO, Ro= 5 KO, Re =S KO, T(Br= 100, Vise = 0,6 V) $i Vee = 12 V. Se cere si se determine PSP-ul siregimul de functionare pentru TB. Rezolvare 100,566 = 6347 Tae = 0,6 V Vor = 6,34 V: Io 0,566 md) => Teste in RAN. Aplicatia 4.7 Roi care are y= 200. Se cere si se determine regiunea de lueru pentru TB. 8 Roz Rezolvare =0S82mA Fig. 4.15, a) TB polarizat cu divizor in baz gi 10-0,582 = 6187 rezistor in emitor; b) circuit echivalent (ag = 0.6 V; Veg = 618 V; fe 0,582 mA) => Teste CcehivaliesThven dvr in RAN,‘Tranzistoare bipolare in aplizaile 4.55147 - consdertc8 parame i dubleacdvaloarea, Comparnd rezultatele penta cele dou aplicai se observ cl cient din fig 4.14 sa obtinuto variate penta Ve dela 6 V la 046 V, pe end la crcuitul di fig 4.15 Vee sa modifica doar de la 6.34 V la 6,18 V. in concluzi, circuit de polarizare cu dvizor in baz si redsior in emitorasigurt o poarizare 2 TB practic insensibila t mmodfiearc parametrului Bin limite foarte lagi. Tebute inst st se indeplineascS wmtoarea condiie fn alegre aloo eisteneor pein resource a, Ra 54 Re Ru Rin ce Reka DR 4.6, Modelarea TB in ¢.c. la semnal mic In fig. 4.16, creutul de polarizare al TB determind functonarea avestuia in punctl static de functionare Q al caracteristicii de transfer. In fig, 4.17 este ilustrata aplicarea unei surse de semnal mie, Vi in serie ou susa de plarizare Vpe. Aceasta va determina o variate curentului de colector i jum until Q, ‘cain fig. 4.16, Curentul de colector are expresia: ico ton ay % a fg-onp 2 ut Vy Dock seine cond cde comma mk = padi | w wu Eo Fig, 4.24, a) Diportul cu TB in conexiunea EC; ») circuitul echivalent al TB cu parametei h pentra conexiunea EC. 11c electronice si eleetronici analogied yp ERe mu@® Fm QD SRe a) » Fig. 4.25. Aplicatia 4.8. a) Schema de ©. »)circuitul echivalent la semnal mic, freevente joase, tune se pot face urmatoarele aproximari he ety thy = how De exemplu, TB tip BC 107 are hye intre 125 si 500 in cataloagee penis vom gist ca paramet fc Gh Aplicatia 4.8 Pentru circuitul din fig, 4.17 (cu aceeasi schema de curent continuy ca si cel din fig. 4.11) se ceunoayte: Re 1 KO, Vec= 12 V giT (Var =0,7 Vs Be = B= 100 si Is = 10""A), Se cere: 4) parametrii dinamiei pentru T si regiumea in care functioneaza ») schema de cureatalternativ: 6) schema echivalenta la semanal mic, freevenf joase; 4) amplifiearea in tensiune gi tezistenfa de intrare. Rezolvare Regimul static pentru T a Fost analizat in apicatia 4.3 si s-a obtinut Tne = 0,7 V, Vox 7V, fe= Sm) => Testein RAN, 8) Parametsii dinamici 10- fe = 40-5 =200 ma 7 == -0 510 5 200 te) Schema de euent alterna schema echivalen la sernal mi sunt prezentate in fig, 4.25 a respestiv 6. {dy Amplifeare in tensiune si ezistnta de inrare se determina pe shema din fig. 4.25b. ae oq Re =-200-1=-200Tranzistoare bipolare Aplicayia 4.9 Pentru eircuitul din ig, 4.26a (cu aceeasi schema de curent continu ca cet din fig. 4.15 — aptica 46) se eunonste: Ra; = 84 KO, 16 KO, Re = 5KO, Re = 5 KO, Voe= 12 V gi T (Vase = 06 V. Br 100, b= 0, Boe = 0}. Ci, C2 gi Cs sunt C, la freeventa de Incr Se cere: a) parametii dinamici pentru T si regiunea fn care funetioneaza; by) schema de eurent alternativ; «) schema echivalenté la semnal mic, freevente mediis 4d) amplificarea in tensiune gi rezistenja de intrare. Rezolvare 8) Regimul static pentru Ta fost analizat tn aplicatia 46 gi s-a obginut: ‘Tar = 06 V; Vor = 6,34 V: Le= 0,566 mA) => Teste in RAN. Parameirii dinariei sunt = 40-1 40-0566 26 mal ‘ jit 10 ca arrasain a Bet by Schema de e.a. est ilustrata in fig. 4.260, «) Schema echivalenta la semnal mic freevente medi este ilustraté in fig. 4.26c. S-au neglijat parametri | Bile «) Ca si in aplicatia 4.8, Teste in conexiunea EC, ca urmare: 4, = Bq Re = 22,65 25, R= Rag lhe = 8 = Rae lhe= ena unde by yy = Ba 5,2 =25 Ry Rex Rasp Def Mel a) » °) Fig. 4.26. Aplicafia 3.9.) Schema de principiu; b) schema de c.a.¢) cireuitul ‘echivalent la semnal mie, freevente mediBibliogratic |. 0, Dragomirescu, D. Moraru, Componente si circuite electronice pasive, Ed. BREN, Bucuresti, 2003, 2. N, Drigulinescu, C, Miroiu, D, Moraru, ABC Electronica ix imagini. Componente pasive, Ed. Tebnica, Buewceyi, 1990, 3. N. Drigulinescu, Agenda radioelecironistuli,ediia a U-a, Ed. Tehnicd, Bucuresti, 1989. 4. L-Litg, M. Raducu, Componente 9 clreute pasive, hadrumar de laborator, Fd. Universitit din Pitesti, Pitesti 1997 5, S. Pasea, N. Tomeseu, I. Setajanov, Electronietemalogica s digtald, vol. 1, Ed. Allastri, Cluj-Napoca, 2004, 6. D, Dascil, A. Rusu, M. Profirescu, I. Costea, Dispoziive gi circute electronice, Ed. Didactic& si Pedagogies, Bucuresti, 1982, 7.G. Vasilescu, §. Lung, Fleeironied, Ed, Didactid si Pedagogica, Bucuresti, 1981 8, David Comer, Donald Comer, Fundamentals of Elecironie Cireuit Design, ohn Wiley & Sons, ne., USA, 2008. 9, Thomas L Floy , Dispazitiveelectronice, Ed. Teora, 2003 [5] PE, Gray, C.L, Serale, Bazele electronic moderne, vol. 1,2, Fd. Tehnic8, Bucuresti, 1973, [6] P. R. Gray, Robert G. Meyer, Circuite integrate analogice. Analizé si proieciare, Ed, Tehnie’, Bucuresti, 1983. [8] 1. Dascdlu, L. Turi, 1, Hoffinan, Circuite electronice, Ed. Didactic si Pedagogied, Bucuresti, 1981.