MODUL 02 KARAKTERISTIK BJT

Hafizh Al Fikry (18014044)

Asisten: Rendy Wandarosanza/13212075
Tanggal Percobaan: 25 Februari 2016
EL2205-Praktikum Elektronika

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak
Pada percobaan kali ini, dilakukan percobaan untuk
menentukan karakteristik BJT atau bipolar junction
transistor. Percobaan pertama adalah menentukan
karakteristik input transistor IB VBE. Kemudian
dilakukan percobaan untuk menentukan karakteristik ouput
transistor IC VCE. Percobaan selanjutnya adalah percobaan
untuk menentukan early effect dari transistor. Percobaan yang
terakhir adalah percobaan untuk menentukan pengaruh bias
pada penguat transistor.

Gambar 2.1 Transistor BJT NPN

Kata kunci: transistor, BJT, bias, penguat.

1.

PENDAHULUAN

Pada barang-barang elektronik, peranan transistor

sangatlah penting, karena banyaknya manfaat
yang dapat diperoleh dari transistor, yaitu sebagai
penguat, switching, stabilisasi tegangan, dan
modulasi sinyal.
Setelah melakukan
mahasiswa dapat:

percobaan,

diharapkan

Gambar 2.2 Transistor BJT PNP

Persamaan matematis pada transistor:

a.

memahami karakteristik transistor BJT

b.

memahami teknik bias dengan rangkaian

diskrit

c.

memahami teknik bias dengan sumber arus

konstan

2.

sehingga,

STUDI PUSTAKA

+1

=
1
=

2.1 BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)

BJT atau transistor bipolar, terdiri atas dua
jenis, bergantung pada susunan bahan yang
digunakan, yaitu PNP dan NPN. Simbol
hubungan antara arus dan tegangan dalam
transistor ditunjukkan oleh gambar:

dengan IC merupakan arus kolektor, lalu IB

merupakan arus basis, arus emitor IE,
kemudian merupakan penguatan arus DC
untuk common basis, dan merupakan
penguatan arus DC untuk common emitter.

2.2 EFEK EARLY

Pada daerah aktif, pada kenyataannya arus
naik dengan kenaikan tegangan kolektoremitor.

Setting generator sinyal

diubah sehingga dikeluarkan
gelombang segitiga 1 kHz,
amplitudo 0.8 V, dan offset
positif (nilai minimum sinyal
berada di ground).

Rangkaian disusun seperti

pada gambar 2.4.
Probe positif kanal 1
dihubungkan ke titik B, probe
positif kanal 2 ke titik C, dan
ground ke titik A.

Osiloskop disetting pada

mode XY dengan skala X pada
nilai 0.1 V/div dengan kopling
AC, skala Y pada nilai 1 V/div
dengan kopling DC, dan
diinvers.

Gambar 2.3 Kurva Tegangan Early

Perhitungan untuk mencari tegangan Early

digunakan rumus sebagai berikut:
=

2 1 1 2
2 1

Persamaan 2.1 Tegangan Early

3.

METODOLOGI

3.1 ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN

a.

Sumber Tegangan DC

b.

Kit Praktikum Karakteristik Transistor dan

Rangkaian Bias

c.

Sumber Arus Konstan

d.

Osiloskop

e.

Multimeter Digital

f.

PEAK Atlas DCA Pro

Titik nol X (VBE = 0) diletakkan

pada garis grid paling kiri,
kemudian titik nol Y (IB = 0)
diletakkan pada garis grid
kedua dari bawah.

3.2 LANGKAH-LANGKAH PERCOBAAN

a.

Diagram
2.1
Karakteristik
Transistor IC VBE

Input
Plot IB (mA) vs VBE (V)
digambar di BCL.

Gambar 2.4 Rangkaian Percobaan Karakteristik Input

Transistor

b.

Diagram 2.2 Karakteristik

Transistor IC VCE

Output

c.

Nyalakan Komputer dan

sambungkan USB Power Atlas
DCA Pro ke komputer

Sambungkan kabel Atlas DCA Pro

dengan kaki-kaki transistor BJT

2
Buka aplikasi DCA Pro yang
tersedia di komputer
Pastikan DCA Pro connected
pada pojok kiri bawah layar

Tekan tombol test pada DCA Pro

maupun pada jendela Peak DCA Pro
Perhatikan spesifikasi dan konfigurasi
kaki-kaki yang terbaca

Buka tab Graph BJT IC/VCE,Atur

pengaturan tracing Vcc 0-10V dengan
point 11,IB 25-100A klik Start dan
tunggu proses Tracing
catat di BCL grafik IC/VCE

Simpan hasil data tabulasi hasil

sampling dan copy paste di
spreadsheet.Lakukan analisis.

Diagram 2.3 Early Effect

4
d.

Rangkaian percobaan
karakteristik output IC - VCE
digunakan.
Nilai IB dipilih dari sumber arus
yang kemiringan kurvanya cukup
besar.

Pada kurva IC - VCE, dipilih dua

titik koordinat yang dapat dibaca
dan masih dalam garis lurus.
Nilai IC dan VCE dicatat.

Nilai tegangan Early dihitung

dengan persamaan 2.1.

Percobaan diulangi dengan nilai

arus basis (IB) berbeda.

Diagram 2.4 Pengaruh Bias pada Penguat

Transistor

Setting generator sinyal diubah

sehingga dikeluarkan gelombang
segitiga 1 kHz, amplitudo 50 mVpp,
dan digunakan konektor T pada
terminal output.

Rangkaian disusun seperti pada

gambar 2.6.
Kanal 1 dihubungkan ke generator
sinyal, probe positif kanal 2 ke titik C,
dan ground osiloskop ke titik E.

Osiloskop disetting pada mode waktu

dengan skala horizontal 500 s/div,
skala kanal 1 pada nilai 10 mV/div
dengan kopling AC, skala Y pada nilai 1
V/div dengan kopling AC.

Multimeter digital digunakan pada

mode Volt DC untuk mengukur
tegangan dari VCE.
IB diset pada 25 A, RC diset minimum
(82 ).

VCE dicatat, dan bentuk gelombang VCE

digambar, adanya distorsi diamati.
Dari IB dan VCE terbaca, letak titik kerja
kondisi distorsi ditentukan pada plot
grafik Ic - VCE dan dijelaskan mengapa
terjadi distorsi.

Langkah sebelumnya diulangi untuk

nilai IB 200 A dan 400 A.
Nilai RC diubah menjadi nilai
maksimum (5 k).
Langkah sebelumnya diulangi untuk
nilai RC ini.

Nilai IB diubah menjadi 150 A, nilai RC

diatur sehingga VCE yang terbaca
sekitar 5 V.
Bentuk tegangan digambar, kemudian
letak titik kerja dari IB dan VCE terbaca
ditentukan.

Amplitudo input dinaikkan hingga

tampak terjadi distorsi pada VCE.
Besar amplitudo input dicatat dan
bentuk gelombang output
digambar.

Amplitudo input dinaikkan lagi,

lalu diamati apakah amplitudo
gelombang output masih bisa
membesar atau tidak, dan catat
nilai amplitudo maksimum itu.

Gambar 2.5 Rangkaian Percobaan Pengaruh Bias pada

Penguat Transistor

4.

HASIL DAN ANALISIS

4.1 Hasil Percobaan Karakteristik Input Transistor

Gambar 2.6 Kurva Karakteristik Input Transistor

Analisis :
Kurva yang diperoleh dari percobaan ini hampir
menyerupai kurva yang diperoleh pada percobaan
dioda (kurva karakteristik dioda). Dari hal itu,
maka dapat dipastikan bahwa kurva karakteristik
input transistor (kurva karakteristik IC VBE)
merupakan kurva dari fungsi eksponensial. Hal ini
sesuai, mengingat hubungan IC dengan VBE dapat
dinyatakan dalam persamaan:
=

Pada kurva di atas, daerah B-E dalam kondisi

forward bias saat VBE berada di tegangan sekitar 0.8
Volt.
4.2 Hasil
Transistor

Percobaan

Karakteristik

Output

RC = 84.4

25

Ic (mA)

20
IB = 0.2
mA
IB = 0.4
mA
IB = 0.8
mA
IB = 1.2
mA
IB = 1.6
mA

15

10

IB
(A)

VCE
DC
(mV)

25

1320

200

654

400

22

Kurva VCE (AC) vs t

0
0

VCE (V)

Gambar 2.7 Kurva Karakteristik Transistor

Analisis :
Pada gambar 2.9 tersebut, daerah yang berada di
sebelah kiri garis putus-putus hitam merupakan
daerah saturasi dan nilai VCE pada garis putusputus tersebut adalah 0.5 Volt. Pada daerah
saturasi, baik simpang BC maupun BE berada pada
keadaan forward bias. Kemudian daerah yang
berada di antara dua garis putus-putus adalah
daerah aktif. Pada daerah aktif ini, simpang BE
berada pada keadaan forward bias, sementara
simpang BC berada pada keadaan reverse bias.
Pada daerah ini pulalah transistor berfungsi
sebagai penguat sinyal. Sementara itu, daerah di
sebelah kanan garis putus-putus berwarna merah,
transistor berada pada keadaan breakdown.
Pada saat IB<100 A kurva terletak pada daerah
cut-off yang digambarkan dengan garis putusputus hijau pada gambar 2.7. Transistor mulai aktif
saat nilai IB = 100 A. Hal ini terlihat dari kurva
pada baris IB yang bernilai 75 A, terlihat kenaikan
kurva pada daerah aktif meskipun sangat kecil
kenaikan yang terlihat yang artinya pada nilai V CE
tertentu, terdapat arus IC yang mengalir.
4.3 Tabel 1 Hasil Percobaan Tegangan Early

IB=0,2mA
IC1=4,25
mA
IC2=4,42
mA

VCE1=0,
4V
VCE2=0,
5V

IB=0,4mA
IC1=4,625
mA
IC2=4,75m
A

VCE1=0,
7V
VCE2=0,
8V

Tabel 2 Tabel Kurva Respons VCE pada Transistor dengan

Resistansi 84.4
RC = 4.85 k
IB
(A)

VCE
DC
(mV)

25

3200

200

900

400

144

Kurva VCE (AC) vs t

Analisis :
Dengan menggunakan persamaan:
=

2 1 1 2
2 1

nilai VA pada saat IB = 0.2 mA diperoleh nilai 2,9

Volt. Sementara itu, nilai VA pada saat IB = 0.4 mA
diperoleh nilai 3 Volt. Dari kedua hal tersebut
dapat diambil kesimpulan bahwa nilai tegangan
Early dari transistor yang digunakan adalah 3
Volt.
4.4 Hasil Percobaan Pengaruh Tegangan Bias

Tabel 3 Tabel Kurva Respons VCE pada Transistor dengan

Resistansi 4.85 k

Analisis :

Pada percobaan ini, pengamatan pada osiloskop

dilakukan pada domain AC, sehingga hanya sinyal
AC yang terukur pada osiloskop. Sementara itu,
untuk tegangan DC dilakukan pengukuran dengan
menggunakan multimeter digital.
Pada nilai RC minimum, saat nilai IB berada pada 25
A, maka vCE = 1,32 V + 0.8 Vpp. Jika nilai vCE ini
dimasukkan ke dalam kurva pada analisis
sebelumnya, maka diperoleh informasi bahwa
transistor bekerja pada fungsi cut off. Hal ini masuk
akal mengingat nilai iC yang kecil menyebabkan
grafik tegangan AC yang dihasilkan memiliki
amplitudo yang kecil.
Kemudian pada IB = 200 mA dan IB = 400 mA,
terlihat kurva yang mulus, dalam artian tidak
terpotong.Pada nilai ini, transistor bekerja pada
daerah aktif, sehingga di dapat nilai amplitudo
sinyal VCE AC yang lebih besar daripada nilai
sinyal input (transistor bekerja sebagai penguat).

Nilai Vinp saat hal ini terjadi adalah 212 mVpp.

Distorsi ini dapat terjadi karena amplitudo
gelombang output tidak dapat diperbesar melebihi
nilai VCCnya, sehingga nilai V outp maksimum
adalah VCCnya. Nilai maksimum amplitudo
gelombang output yang diperoleh adalah 8.8 Vpp.
Nilai ini sudah tidak dapat lebih besar karena telah
mendekati nilai VCCnya yaitu 9 Volt. Pada saat
Voutp mencapai nilai maksimumnya maka nilai
offset DCnya mendekati 0 V.

5.

KESIMPULAN

Dari percobaan dapat disimpulkan bahwa:

a.

Kurva karakteristik IC VBE pada transistor

pada dasarnya sama seperti kurva karateristik
pada dioda yaitu membentuk persamaan
eksponensial:
=

Sementara kurva karakteristik IC VCE pada

transistor menyatakan daerah fungsi dari
transistor tersebut.

Pada nilai RC maksimum, saat nilai IB = 25 A, maka

vCE = 3.2 V + 6 Vpp. Nilai VCE AC besar diperoleh
karena nilai RC maksimum dengan nilai iC sama.
Pada gambar terlihat bahwa grafik seolah terlihat
terpotong di bawahnya. Hal ini terjadi karena nilai
vCE tidak mungkin lebih kecil dari pada nol, karena
jika tegangan total ditampilkan dalam layar
(tegangan AC + offset tegangan DC) maka kurva
selalu berada di atas sumbu X.

25

Ic (mA)

20

Pada saat nilai IB = 200 mA dan IB = 400 mA, nilai

tegangan total (vCE) berada pada daerah saturasi
yang berarti nilai vCE sangat kecil, karena pada
kondisi saturasi, node C-E seolah-olah seperti
rangkaian tertutup (resistansinya hampir nol).

IB = 0.2
mA
IB = 0.4
mA
IB = 0.8
mA
IB = 1.2
mA
IB = 1.6
mA

15

10

0
0

VCE (V)

Gambar 2.9 Kurva Karakteristik Output Transistor

Pada daerah di sebelah kiri garis putus-putus

hitam, transistor berfungsi di daerah saturasi.
Kemudian pada daerah di antara garis putusputus merupakan daerah aktif yang mana
transistor berlaku sebagai penguat sinyal.
Pada daerah ini, gambar terlihat lurus, yang
artinya penguatan IC terhadap IB tidak
dipengaruhi oleh IC. Hal ini bersesuaian
dengan rumus yang berlaku yakni = .
Lalu pada daerah di kanan garis putus-putus
merah, merupakan daerah breakdown
transistor. Sementara pada daerah bergaris
putus-putus hijau, transistor berfungsi di
daerah cut-off. Berfungsinya transistor pada
daerah saturasi dan cut-off bersama-sama
membuat transistor dapat berfungsi sebagai
switch.

Gambar 2.8 Tegangan Output dan Input terhadap Waktu

untuk VCE DC = 5 V

Analisis :
Pada gambar terjadi beda fasa sebesar 180 O. Tanda
negatif pada iCRC inilah yang mengakibatkan
terjadinya perbedaan fase 180O. Pada grafik di atas,
diperoleh transistor bekerja pada domain aktif,
sehingga terjadi penguatan pada gelombang input.
Saat amplitudo input dinaikkan, amplitudo
gelombang output juga ikut naik, sampai pada
suatu kondisi di mana bagian bawah gelombang
output solah seperti terpotong (terjadi distorsi).

Nilai tegangan Early pada transistor yang

digunakan adalah 3 V.
b.

Dengan memberikan nilai VCC pada rangkaian

diskrit, maka dapat ditentukan daerah kerja

transistor dengan mengatur besar kecilnya

sinyal input untuk dikomparasikan dengan
sinyal outputnya.
c.

Dengan memberikan sumber arus konstan

pada basis transistor, maka dapat ditentukan
daerah kerja transistor dengan mengatur besar
kecilnya arus masuk ke basis (IB).

6.

DAFTAR PUSTAKA

[1]

Hutabarat, Mervin T., Praktikum Elektronika,

Sekolah Teknik Elektro dan Informatika
Institut Teknologi Bandung, Bandung, 2016.

[2]

http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junctio
n_transistor, 26 Februari 2016, pukul 20.19.

[3]

Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,

Microelectronic Circuits, Oxford University Press,
USA, 1997.