MODUL 02 KARAKTERISTIK BJT

Hafizh Al Fikry (18014044)

Asisten: Rendy Wandarosanza/13212075
Tanggal Percobaan: 25 Februari 2016
EL2205-Praktikum Elektronika

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak
Pada percobaan kali ini, dilakukan
percobaan
untuk
menentukan
karakteristik BJT atau bipolar junction
transistor. Percobaan pertama adalah
menentukan
karakteristik
input
transistor IB VBE. Kemudian dilakukan
percobaan
untuk
menentukan
karakteristik ouput transistor I C VCE.
Percobaan selanjutnya adalah percobaan
untuk menentukan early effect dari
transistor. Percobaan yang terakhir
adalah percobaan untuk menentukan
pengaruh bias pada penguat transistor.
Kata
kunci:
penguat.

transistor,

BJT,

Gambar 2.1 Transistor BJT NPN

bias,

1. PENDAHULUAN
Pada barang-barang elektronik, peranan
transistor
sangatlah
penting,
karena
banyaknya manfaat yang dapat diperoleh
dari transistor, yaitu sebagai penguat,
switching, stabilisasi tegangan, dan modulasi
sinyal.
Setelah melakukan percobaan, diharapkan
mahasiswa dapat:
a. memahami karakteristik transistor BJT
b. memahami teknik bias dengan rangkaian
diskrit
c. memahami teknik bias dengan sumber
arus konstan

2. STUDI PUSTAKA
2.1 BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
BJT atau transistor bipolar, terdiri atas
dua jenis, bergantung pada susunan
bahan yang digunakan, yaitu PNP dan
NPN. Simbol hubungan antara arus dan
tegangan dalam transistor ditunjukkan
oleh gambar:

Gambar 2.2 Transistor BJT PNP

Persamaan matematis pada transistor:

IC
IB

IC
IE

sehingga,

+1

dengan IC merupakan arus kolektor, lalu

IB merupakan arus basis, arus emitor IE,
kemudian merupakan penguatan arus
DC untuk common basis, dan
merupakan penguatan arus DC untuk
common emitter.

Gambar 2.3 Kurva Tegangan Early

Perhitungan untuk mencari tegangan

Early digunakan rumus sebagai berikut:

Osiloskop disetting pada

mode XY dengan skala
X pada nilai 0.1 V/div
dengan kopling AC,
skala Y pada nilai 1
V/div dengan kopling
DC, dan diinvers.

Titik nol X (VBE = 0)

diletakkan pada garis
grid paling kiri,
kemudian titik nol Y (IB
= 0) diletakkan pada
garis grid kedua dari
bawah.

V A=

V CE 2 I C 1V CE 1 I C2
I C 2I C1
Persamaan 2.1 Tegangan Early

Rangkaian disusun
seperti pada gambar
2.4.
Probe positif kanal 1
dihubungkan ke titik B,
probe positif kanal 2 ke
titik C, dan ground ke
titik A.

Pada daerah aktif, pada kenyataannya

arus naik dengan kenaikan tegangan
kolektor-emitor.

Setting generator sinyal

diubah sehingga
dikeluarkan gelombang
segitiga 1 kHz,
amplitudo 0.8 V, dan
ofset positif (nilai
minimum sinyal berada
di ground).

2.2 EFEK EARLY

3. METODOLOGI
3.1 ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN
a. Sumber Tegangan DC
b. Kit Praktikum Karakteristik Transistor dan
Rangkaian Bias
c. Sumber Arus Konstan
d. Osiloskop
PEAK Atlas DCA Pro

f.

3.2 LANGKAH-LANGKAH PERCOBAAN

a. Diagram 2.1 Karakteristik
Transistor IC VBE

Plot IB (mA) vs VBE (V)

digambar di BCL.

e. Multimeter Digital

Input

Gambar 2.4 Rangkaian Percobaan Karakteristik

Input Transistor

b. Diagram 2.2 Karakteristik

Transistor IC VCE

Output

 Percobaan diulangi
dengan nilai arus basis (IB)
berbeda.

Nilai tegangan Early

dihitung dengan
persamaan 2.1.

Pada kurva IC - VCE, dipilih

dua titik koordinat yang
dapat dibaca dan masih
dalam garis lurus.
Nilai IC dan VCE dicatat.
Rangkaian percobaan
karakteristik output IC - VCE
digunakan.
Nilai IB dipilih dari sumber
arus yang kemiringan
kurvanya cukup besar.

c. Diagram 2.3 Early Efect

d. Diagram 2.4 Pengaruh Bias pada
Penguat Transistor

Simpan hasil data tabulasi

hasil sampling dan copy paste
di spreadsheet.Lakukan
analisis.

Buka tab Graph BJT IC/VCE,Atur

pengaturan tracing Vcc 0-10V
dengan point 11,IB 25-100A
klik Start dan tunggu proses Tracing
catat di BCL grafk IC/VCE

Tekan tombol test pada DCA

Pro maupun pada jendela
Peak DCA Pro
Perhatikan spesifkasi dan
konfgurasi kaki-kaki yang
terbaca

Buka aplikasi DCA Pro yang

tersedia di komputer
Pastikan DCA Pro
connected pada pojok kiri
bawah layar

Sambungkan kabel Atlas

DCA Pro dengan kaki-kaki
transistor BJT

Nyalakan Komputer dan

sambungkan USB Power
Atlas DCA Pro ke komputer

6
5

4.2 Hasil Percobaan

Transistor

Karakteristik

Output

Pada kurva di atas, daerah B-E dalam kondisi

forward bias saat VBE berada di tegangan
sekitar 0.8 Volt.

I C = I ES e

V BE
nkT

Kurva yang diperoleh dari percobaan ini

hampir menyerupai kurva yang diperoleh
pada percobaan dioda (kurva karakteristik
dioda). Dari hal itu, maka dapat dipastikan
bahwa kurva karakteristik input transistor
(kurva karakteristik IC VBE) merupakan kurva
dari fungsi eksponensial. Hal ini sesuai,
mengingat hubungan IC dengan VBE dapat
dinyatakan dalam persamaan:
Analisis :
Gambar 2.6 Kurva Karakteristik Input Transistor

Amplitudo input dinaikkan

lagi, lalu diamati apakah
amplitudo gelombang
output masih bisa
membesar atau tidak, dan
catat nilai amplitudo
maksimum itu.
Amplitudo input dinaikkan
hingga tampak terjadi
distorsi pada VCE.
Besar amplitudo input
dicatat dan bentuk
gelombang output
digambar.

Langkah sebelumnya diulangi

untuk nilai IB 200 A dan 400
A.
Nilai RC diubah menjadi nilai
maksimum (5 k).
Langkah sebelumnya diulangi
untuk nilai RC ini.

Nilai IB diubah menjadi 150 A,

nilai RC diatur sehingga VCE
yang terbaca sekitar 5 V.
Bentuk tegangan digambar,
kemudian letak titik kerja dari
IB dan VCE terbaca ditentukan.

VCE dicatat, dan bentuk

gelombang VCE digambar,
adanya distorsi diamati.
Dari IB dan VCE terbaca, letak
titik kerja kondisi distorsi
ditentukan pada plot grafk Ic VCE dan dijelaskan mengapa
terjadi distorsi.
Multimeter digital digunakan
pada mode Volt DC untuk
mengukur tegangan dari VCE.
IB diset pada 25 A, RC diset
minimum (82 ).

4.1 Hasil
Transistor

Percobaan

Karakteristik

Input

4. HASIL DAN ANALISIS

Gambar 2.5 Rangkaian Percobaan Pengaruh Bias
pada Penguat Transistor

Setting generator sinyal

diubah sehingga dikeluarkan
gelombang segitiga 1 kHz,
amplitudo 50 mVpp, dan
digunakan konektor T pada
terminal output.

Rangkaian disusun seperti

pada gambar 2.6.
Kanal 1 dihubungkan ke
generator sinyal, probe positif
kanal 2 ke titik C, dan ground
osiloskop ke titik E.

Osiloskop disetting pada mode

waktu dengan skala horizontal
500 s/div, skala kanal 1 pada
nilai 10 mV/div dengan kopling
AC, skala Y pada nilai 1 V/div
dengan kopling AC.

4.4 Hasil Percobaan Pengaruh Tegangan Bias

25
20

RC = 84.4

150.2 mA
IB =

Ic (mA)

IB = 0.4 mA

IB = 0.8 mA

10

IB
(A
)

VCE
DC
(mV
)

25

132
0

200

654

400

22

5
IB = 1.2 mA

IB = 1.6 mA

Kurva VCE (AC) vs t

VCE (V)

Gambar 2.7 Kurva Karakteristik Transistor

Analisis :
Pada gambar 2.9 tersebut, daerah yang
berada di sebelah kiri garis putus-putus
hitam merupakan daerah saturasi dan nilai
VCE pada garis putus-putus tersebut adalah
0.5 Volt. Pada daerah saturasi, baik
simpang BC maupun BE berada pada
keadaan forward bias. Kemudian daerah yang
berada di antara dua garis putus-putus
adalah daerah aktif. Pada daerah aktif ini,
simpang BE berada pada keadaan forward
bias, sementara simpang BC berada pada
keadaan reverse bias. Pada daerah ini
pulalah transistor berfungsi sebagai penguat
sinyal. Sementara itu, daerah di sebelah
kanan garis putus-putus berwarna merah,
transistor berada pada keadaan breakdown.
Pada saat IB<100 A kurva terletak pada
daerah cut-of yang digambarkan dengan
garis putus-putus hijau pada gambar 2.7.
Transistor mulai aktif saat nilai I B = 100 A.
Hal ini terlihat dari kurva pada baris I B yang
bernilai 75 A, terlihat kenaikan kurva pada
daerah aktif meskipun sangat kecil kenaikan
yang terlihat yang artinya pada nilai VCE
tertentu, terdapat arus IC yang mengalir.
4.3 Tabel 1 Hasil Percobaan Tegangan Early

IB=0,2mA
IC1=4,25
mA
IC2=4,42
mA

VCE1=0,4
V
VCE2=0,5
V

IB=0,4mA
IC1=4,625
mA
IC2=4,75m
A

VCE1=0,7
V
VCE2=0,8
V

Analisis :

Tabel 2 Tabel Kurva Respons VCE pada Transistor dengan

Resistansi 84.4
RC = 4.85 k
IB
(A
)

VCE
DC
(mV
)

25

320
0

20
0

900

40
0

144

Kurva VCE (AC) vs t

Dengan menggunakan persamaan:

V A=

V CE 2 I C 1V CE 1 I C2
I C 2I C1

nilai VA pada saat IB = 0.2 mA diperoleh nilai

2,9 Volt. Sementara itu, nilai V A pada saat IB
= 0.4 mA diperoleh nilai 3 Volt. Dari kedua
hal tersebut dapat diambil kesimpulan bahwa
nilai tegangan Early dari transistor yang
digunakan adalah 3 Volt.

Tabel 3 Tabel Kurva Respons VCE pada Transistor dengan

Resistansi 4.85 k

Analisis :
Pada percobaan ini, pengamatan pada
osiloskop dilakukan pada domain AC,
sehingga hanya sinyal AC yang terukur pada
osiloskop. Sementara itu, untuk tegangan DC
dilakukan pengukuran dengan menggunakan
multimeter digital.
Pada nilai RC minimum, saat nilai IB berada
pada 25 A, maka vCE = 1,32 V + 0.8 Vpp.
Jika nilai vCE ini dimasukkan ke dalam kurva
pada analisis sebelumnya, maka diperoleh
informasi bahwa transistor bekerja pada
fungsi cut of. Hal ini masuk akal mengingat
nilai iC yang kecil menyebabkan grafk
tegangan AC yang dihasilkan memiliki
amplitudo yang kecil.
Kemudian pada IB = 200 mA dan IB = 400 mA,
terlihat kurva yang mulus, dalam artian tidak
terpotong.Pada nilai ini, transistor bekerja
pada daerah aktif, sehingga di dapat nilai
amplitudo sinyal VCE AC yang lebih besar
daripada nilai sinyal input (transistor bekerja
sebagai penguat).
Pada nilai RC maksimum, saat nilai IB = 25 A,
maka vCE = 3.2 V + 6 Vpp. Nilai V CE AC besar
diperoleh karena nilai RC maksimum dengan
nilai iC sama. Pada gambar terlihat bahwa
grafk seolah terlihat terpotong di bawahnya.
Hal ini terjadi karena nilai vCE tidak mungkin
lebih kecil dari pada nol, karena jika
tegangan total ditampilkan dalam layar
(tegangan AC + ofset tegangan DC) maka
kurva selalu berada di atas sumbu X.
Pada saat nilai IB = 200 mA dan IB = 400 mA,
nilai tegangan total (vCE) berada pada daerah
saturasi yang berarti nilai vCE sangat kecil,
karena pada kondisi saturasi, node C-E
seolah-olah
seperti
rangkaian
tertutup
(resistansinya hampir nol).

Saat amplitudo input dinaikkan, amplitudo

gelombang output juga ikut naik, sampai
pada suatu kondisi di mana bagian bawah
gelombang output solah seperti terpotong
(terjadi distorsi). Nilai Vinp saat hal ini terjadi
adalah 212 mVpp. Distorsi ini dapat terjadi
karena amplitudo gelombang output tidak
dapat diperbesar melebihi nilai VCCnya,
sehingga nilai Voutp maksimum adalah
VCCnya.
Nilai
maksimum
amplitudo
gelombang output yang diperoleh adalah 8.8
Vpp. Nilai ini sudah tidak dapat lebih besar
karena telah mendekati nilai VCCnya yaitu 9
Volt. Pada saat Voutp mencapai nilai
maksimumnya maka nilai ofset DCnya
mendekati 0 V.

5. KESIMPULAN
Dari percobaan dapat disimpulkan bahwa:
a. Kurva karakteristik IC VBE pada transistor
pada dasarnya sama seperti kurva
karateristik pada dioda yaitu membentuk
persamaan eksponensial:

I C = I ES e

V BE
nkT

Sementara kurva karakteristik IC VCE

pada transistor menyatakan daerah
fungsi dari transistor tersebut.
25
20
150.2 mA
IB =

Ic (mA)

IB = 0.4 mA

IB = 0.8 mA

10
5

IB = 1.2 mA

IB = 1.6 mA

VCE (V)

Gambar 2.9 Kurva Karakteristik Output Transistor

Gambar 2.8 Tegangan Output dan Input terhadap Waktu

untuk VCE DC = 5 V

Analisis :
Pada gambar terjadi beda fasa sebesar 180 O.
Tanda negatif pada iCRC inilah yang
mengakibatkan terjadinya perbedaan fase
180O. Pada grafk di atas, diperoleh transistor
bekerja pada domain aktif, sehingga terjadi
penguatan pada gelombang input.

Pada daerah di sebelah kiri garis putusputus hitam, transistor berfungsi di

daerah saturasi. Kemudian pada daerah
di antara garis putus-putus merupakan
daerah aktif yang mana transistor
berlaku sebagai penguat sinyal. Pada
daerah ini, gambar terlihat lurus, yang
artinya penguatan IC terhadap IB tidak
dipengaruhi oleh IC. Hal ini bersesuaian
dengan rumus yang berlaku yakni
I B =I C . Lalu pada daerah di kanan
garis putus-putus merah, merupakan
daerah breakdown transistor. Sementara
pada daerah bergaris putus-putus hijau,
transistor berfungsi di daerah cut-of.
Berfungsinya transistor pada daerah
saturasi dan cut-of bersama-sama

membuat transistor
sebagai switch.

dapat

berfungsi

Nilai tegangan Early pada transistor yang

digunakan adalah 3 V.
b. Dengan memberikan nilai VCC pada
rangkaian diskrit, maka dapat ditentukan
daerah kerja transistor dengan mengatur
besar kecilnya sinyal input untuk
dikomparasikan
dengan
sinyal
outputnya.
c. Dengan
memberikan
sumber
arus
konstan pada basis transistor, maka
dapat ditentukan daerah kerja transistor
dengan mengatur besar kecilnya arus
masuk ke basis (IB).

6. DAFTAR PUSTAKA
[1]

Hutabarat, Mervin T., Praktikum

Elektronika, Sekolah Teknik Elektro
dan Informatika Institut Teknologi
Bandung, Bandung, 2016.

[2]

http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar
_junction_transistor, 26 Februari
2016, pukul 20.19.

[3]

Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,

Microelectronic Circuits, Oxford
University Press, USA, 1997.