MODUL 04 KARAKTERISTIK DAN PENGUAT FET

Hafizh Al Fikry (18014044)

Asisten:Panji Ramadhan /13212062
Tanggal Percobaan:31 Maret 2016
EL2205-Praktikum Elektronika

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak
Pada percobaan ini, akan ditentukan
kurva ID vs VGS untuk menentukan Vt,
kemudian akan ditentukan pula kurva I D
vs VDS untuk menentukan daerah kerja
transistor, lalu akan ditentukan pula titik
kerja Q untuk menentukan konstanta
transistor.
Percobaan
dilanjutkan
dengan mencari faktor penguatan,
resistansi input, dan resistansi output
dari penguat transistor berkonfigurasi
Common Source, Common Drain, dan
Common Gate.
Kata kunci: karakteristik, penguat, FET.
1. Pendahuluan
Salah satu transistor yang umum digunakan
adalah transistor FET (Field Effect Transistor).
Prinsip kerja transistor ini adalah dengan
berdasarkan efek medan elektrik yang
dihasilkan oleh tegangan yang diberikan
pada kedua ujung terminal. Transistor ini
bekerja sebagai penguat pada daerah
saturasinya.

BJT.
Pada
transistor
ini,
arus
yang
dihasilkan/dikontrol
dari
Drain
(analogi
dengan Kolektor pada BJT), dilakukan oleh
tegangan antara Gate dan Source (analogi
dengan Base dan Emitter pada BJT).
Bandingkan dengan arus pada Base yang
digunakan untuk menghasilkan arus kolektor
pada transistor BJT.
Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah
transistor yang berfungsi sebagai konverter
tegangan ke arus. Transistor FET memiliki
beberapa jenis, diantaranya adalah JFET dan
MOSFET. Pada praktikum ini digunakan
transistor MOSFET, meskipun pada dasarnya
sifat dari JFET dan MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET
dapat digambarkan pada kurva yang dibagi
menjadi dua, yaitu kurva karakteristik ID vs
VGS dan kurva karakteristik ID vs VDS. Kurva
karakteristik ID vs VGS diperlihatkan pada
gambar berikut. Pada gambar tersebut
terlihat bahwa terdapat VGS minimum yang
menyebabkan arus mulai mengalir. Tegangan
tersebut dinamakan tegangan threshold, Vt.
Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negatif, sedangkan pada tipe enhancement,
Vt adalah positif.

Setelah melakukan percobaan, diharapkan

mahasiswa dapat:
a. mengetahui
dan
karakteristik transistor FET

mempelajari

b. memahami penggunaan FET sebagai

penguat untuk konfigurasi Common
Source, Common Gate, dan Common
Drain
c. mengetahui dan mempelajari resistansi
input dan output untuk ketiga konfigurasi
tersebut.

2. Studi Pustaka
2.1FET (Field Effect Transistor)
Transistor FET adalah transistor yang bekerja
berdasarkan efek medan elektrik yang
dihasilkan oleh tegangan yang diberikan
pada kedua ujung terminalnya. Mekanisme
kerja transistor ini berbeda dengan transistor

Gambar 1 Kurva ID vs VGS

l.

Kabel-Kabel

m. Peak Atlas DCA Pro

3.2Langkah-Langkah Percobaan
a. Diagram
1
Kurva
Transistor MOSFET

Gambar 2 Kurva ID vs VDS

Pada kurva ID vs VDS, dapat dilihat daerah

kerja transistor, yaitu daerah saturasi, trioda,
dan cut-off.

2.2Penguat FET
Transistor FET dapat digunakan sebagai
penguat, dengan mengeset daerah kerja
transistor pada daerah saturasinya. Hal ini
dilakukan dengan memberikan arus I D dan
tegangan VDS tertentu.
Tiga konfigurasi
karakteristiknya:
Common
Source

penguat

FET

Common Gate

dengan
Common
Source

Rin

RG

1
gm

RG

Rout

R D r o

R D r o

1
r
gm o

Av

g m ( R D R L g
r o )m ( R D R L r o ) R L r o
1
+ ( R L r o )
gm

( )

3. Metodologi
3.1Alat dan Komponen yang
Digunakan
a. Sumber Tegangan DC
b. Osiloskop
c. Multimeter
d. Generator Sinyal
e. Breadboard
f.

Kit Transistor sebagai Switch

g. Potensiometer 1 M
h. Potensiometer 10 k
i.

Potensiometer 1 k

j.

Resistor 1 M

k. Kapasitor 100 F

Karakteristik

b. Diagram 4.2 Penguat MOSFET

Nilai gm dicari dengan

formula, kemudian
dibandingkan dengan
hasil yang diperoleh
dari kemiringan kurva
titik Q pada kurva ID
vs VGS.

Pada kurva ID vs VDS,

akan dirancang garis
beban setelah
sebelumnya diset nilai
VDD dan RD.
Titik Q ditempatkan
pada garis tersebut.

Atur pengaturan
tracing seperti pada
gambar 4.Tunggu
proses tracing.
Hasil pencatatan
dibuat ke dalam plot ID
vs VDS
Daerah kerja
transistor ditentukan.

Buka tab Mosfet ID /VGS

pada aplikasi DCA Pro
Atur pengaturan
tracing seperti pada
gambar 3.Tunggu
proses tracing
Hasil pencatatan
dibuat ke dalam plot ID
vs VGS.
Tegangan threshold
ditentukan, Vt.

Gambar 4 Pengaturan pembuat grafik ID vs VDS

Gambar 3 Pengaturan pembuat grafik ID vs VGS

Nyalakan komputer
dan sambungkan USB
Power Atlas DCA Pro
ke komputer
Sambungkan kabel
Atlas DCA pro dengan
kaki mosfet pada kit
Transistor sebagai
switch
Buka aplikasi DCA Pro
dan pstikan DCA pro
Connected
Tekan tombol Test

Gambar 7 Rangkaian Percobaan Resistansi Input CS

Gambar 6 Rangkaian Percobaan Faktor Penguatan
CS

Rangkaian disusun ulang

seperti pada gambar 8.
Osiloskop dihubungkan pada
Drain transistor.
Resistor variabel diatur
sehingga amplitudo sinyal
output setengah dari sinyal
output tanpa resistor variabel,
lalu nilai ini dicatat.

Semua nilai dibandingkan

dengan hasil perhitungan.
Untuk konfigurasi lainnya,
rangkaian disusun ulang
seperti gambar 9 dan 10 dan
langkah percobaan diulangi
seperti penguat konfigurasi
Common Source.

Osiloskop dihubungkan pada

Gate transistor.
Resistor variabel diset
sehingga amplitudo sinyal
input menjadi setengah nilai
sinyal input tanpa resistor
variabel, lalu nilai ini dicatat.

Gambar 5 Rangkaian Percobaan Penguatan FET

Nilai penguatan ditentukan,

kemudian amplitudo
generator sinyal dinaikkan
hingga sinyal output
terdistorsi, nilai tegangan
input ini dicatat.
Rangkaian disusun ulang
seperti gambar 7.

Rangkaian disusun ulang

agar seperti gambar 6.
Osiloskop digunakan
untuk melihat sinyal pada
Gate dan Drain.

Rangkaian disusun seperti

pada gambar 5.
VDD, RG, RD, RS diatur agar
transistor berada pada titik
operasi yang diinginkan.
Generator sinyal diatur pada
50 mVpp dan 10 kHz.

Gambar 8 Rangkaian Percobaan Resistansi Output

CS

Gambar 12 Kurva Karakteristik ID vs VDS

Gambar 9 Rangkaian Percobaan Penguat FET

Konfigurasi CG

Saat nilai VGS lebih kecil dari tegangan

threshold, maka tidak ada arus yang mau
mengalir maka daerah kerja transistor adalah
daerah cut-off.
Saat nilai VDS lebih kecil dari tegangan
overdrivenya VOV maka transistor bekerja
pada daerah triodanya, dan dapat dilihat
bahwa daerah trioda transistor selalu berada
pada nilai VDS < VOV. Tegangan overdrive
adalah nilai tegangan GS dikurangi tegangan
thresholdnya.
Saat nilai VDS lebih besar atau sama dengan
VOV, maka transistor bekerja pada daerah
saturasinya.
Pada
daerah
saturasinya,
transistor bekerja sebagai penguat. Dapat
dilihat dari gambar jika daerah saturasi
transistor selalu VDS VOV.

Gambar 10 Rangkaian Percobaan Penguat FET

Konfigurasi CD

4. Hasil dan Analisis

4.1 Karakteristik Transistor FET
A.

C.

Desain Q Point

Titik Q ditentukan pada saat ID = 3.99 mA, VGS

= 4 V, dan VDS = 7 V (titik ini berada dalam
daerah saturasi).
Dari nilai tersebut, dengan formula:

Kurva ID vs VGS

Dari percobaan, diperoleh hasil kurva sebagai

berikut:

gm=K ( v GSV t )
dengan

K=

( v GS V t )
2i D

2 1

Dari formula dan nilai yang telah ditentukan

tersebut, diperoleh nilai gm sebesar 7.832
mA/V.
Gambar 11 Kurva Karakteristik ID vs VGS

Dengan menggunakan kurva ID vs VGS,

Dari kurva yang diperoleh, dapat dilihat

bahwa tegangan threshold Vt atau tegangan
VGS minimum saat arus mulai mengalir adalah
sebesar 1.5 Volt. Nilai yang diperoleh adalah
positif,
yang
artinya
transistor
yang
digunakan merupakan tipe enhancement
yang
sesuai
dengan
transistor
yang
digunakan.
B.

Kurva ID vs VDS

Dari percobaan,
berikut:

diperoleh

kurva

sebagai
Gambar 13 Kurva Gradien gm

Nilai kemiringan pada titik I D = 3.99 mA dan

VGS = 4 V adalah 2.84, sehingga nilai gm
adalah sekitar 2.84 mA/V.
4.2 Hasil Percobaan Penguat FET
Pada pengukuran penguat Common Source
diperoleh:
Paramete
r

Nilai

AV

A V =gm ( R L||R D||r o) 7.984

Rin

R =RG=500 500=250 k

Rout

R D|r o ) 2k
R out =

yang artinya toleransi input agar transistor

tetap berada di daerah penguatannya kecil.
Pada pengukuran penguat Common Gate
diperoleh:
Parameter

Nilai

AV

A V =gm ( R L||R D|| r o ) 7.984

Rin

R =

1
=250
gm

Rout

R D|r o ) 2k
R out =

Gambar 16 Kurva Penguatan CG

Gambar 14 Kurva Penguatan CS

Gambar 17 Kurva Terdistorsinya Sinyal Output

Pada nilai penguatan, diperoleh nilai positif,

yang artinya tidak terjadi pembalikan fase
pada sinyal output terhadap sinyal input.
Gambar 15 Kurva Terdistorsinya Sinyal Output

Pada nilai penguatan, diperoleh nilai negatif,

yang artinya terjadi pembalikan fase pada
sinyal output terhadap sinyal input sebesar
180 derajat.
Pada pembesaran nilai sinyal input, maka
sinyal output akan terdistorsi di bagian
bawah, ini artinya transistor memasuki
daerah trioda, dapat dilihat jika nilai input
makin besar (vGS) maka saat nilai vGS berada
di amplitudo terbesarnya, nilai vDS akan lebih
kecil dari vGS Vt sehingga transistor
memasuki daerah trioda.Diperoleh nilai
tegangan input saat tegangan output tepat
akan terdistorsi adalah sebesar 233.52 mVpp

Pada pembesaran nilai sinyal input, maka

sinyal output akan terdistorsi di bagian
bawah, ini artinya transistor memasuki
daerah trioda, dapat dilihat jika nilai input
makin besar maka saat nilai vGS berada di
amplitudo terkecilnya, nilai vDS akan lebih
kecil dari vGS Vt sehingga transistor
memasuki daerah trioda.Diperoleh nilai
tegangan input saat tegangan output tepat
akan terdistorsi adalah sebesar 263.65 mVpp
yang artinya toleransi input agar transistor
tetap berada di daerah penguatannya kecil.
Pada pengukuran penguat Common Drain
diperoleh:
Paramete

Nilai

R L |r o ) +

1
gm

AV

R L r o
AV =

Rin

R =RG=250 k

Rout

Rout =

1
r 0 250
gm

Gambar 18 Kurva Penguatan CD

Pada nilai penguatan, diperoleh nilai 1, yang

artinya konfigurasi ini dapat digunakan
sebagai buffer tegangan.
Pada pembesaran nilai sinyal input, maka
sinyal output akan terdistorsi di bagian atas,
ini artinya transistor memasuki daerah cutoff. Toleransi input agar transistor berada
pada daerah saturasi sangatlah tinggi, hal ini
terlihat dari tingginya nilai input sebelum
sinyal output terdistorsi, yaitu sebesar 19.77
Vpp.

5. KESIMPULAN
Dari percobaan dapat disimpulkan bahwa:
a. Transistor FET, memiliki nilai tegangan
antara Gate dan Source minimum yang
mana arus baru mau mengaliri transistor,
tegangan
ini
dinamakan
tegangan
threshold Vt.
Transistor FET memiliki tiga daerah kerja,
yaitu trioda, saturasi, dan cut-off. Daerah
trioda dicapai jika nilai tegangan antara
Drain dan Source lebih kecil daripada
nilai tegangan overdrive. Daerah saturasi
dicapai saat nilai tegangan Drain-Source
lebih besar atau sama dengan nilai
tegangan overdrive. Daerah cut-off
dicapai jika tegangan Gate-Source lebih
kecil
dari
tegangan
thresholdnya.
Tegangan overdrive adalah tegangan
Gate-Source
dikurangi
tegangan
threshold.

Pada daerah kerja saturasi, transistor

bekerja sebagai penguat. Terdapat tiga
jenis konfigurasi penguat, yaitu Common
Source, Common Gate, dan Common
Drain.
Nilai gm pada transistor yang digunakan
adalah
sekitar
2.84
7,832mA/V.
Sementara nilai tegangan thresholdnya
adalah 1.5 V.
b. Karakteristik penguat berkonfigurasi CS
adalah
memiliki
nilai
penguatan
tegangan yang tinggi, bernilai negatif,
memiliki resistansi output dan input yang
tinggi. Biasanya pada rangkaian yang
menggunakan penguat CS ini, dirangkai
penguat CD pada cascade terakhir,
tujuannya untuk meminimalisasi nilai
resistansi
output
yang
ditimbulkan
konfigurasi CS ini. Pada konfigurasi CS,
toleransi nilai input agar transistor tetap
berada
pada
daerah
penguatan
(saturasi) termasuk rendah.
Karakteristik penguat berkonfigurasi CG
adalah
memiliki
nilai
penguatan
tegangan yang cukup tinggi, bernilai
positif, memiliki resistansi input rendah,
dan memiliki resistansi output yang
tinggi. Biasanya digunakan sebagai
buffer arus, karena penguatan arus pada
konfigurasi ini mendekati satu. Pada
konfigurasi CG, toleransi nilai input agar
transistor tetap berada pada daerah
penguatan (saturasi) termasuk rendah.
Karakteristik penguat berkonfigurasi CD
adalah
memiliki
nilai
penguatan
tegangan 1, memiliki resistansi input
tinggi, dan memiliki resistansi output
yang
rendah.
Biasanya
digunakan
sebagai buffer tegangan, selain itu,
konfigurasi ini biasanya juga dipakai
pada rangkaian yang menggunakan
penguat CS, untuk menanggulangi
kelemahan dari penguat CS (resistansi
output yang tinggi). Pada konfigurasi CD,
toleransi nilai input agar transistor tetap
berada
pada
daerah
penguatan
(saturasi) sangat tinggi.
c. Resistansi input dan output
masing-masing konfigurasi:
Konfig
urasi

Resi
stan
si
Inpu
t

Resi
stan
si
Outp
ut

Com
mon
Sourc
e

220
k

2.25
k

untuk

Com
mon
Gate

104.
7

Com
mon
Drain

220
k

116

6. DAFTAR PUSTAKA
[1]

dan Informatika Institut Teknologi

Bandung, Bandung, 2016.

2.25
k

Hutabarat, Mervin T., Praktikum

Elektronika, Sekolah Teknik Elektro

[2]

http://en.wikipedia.org/wiki/Fieldeffect_transistor, 1 April 2016,

pukul 20.39.

[3]

http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFE
T,1 April 2016, pukul 20.50.

[4]

Adel S. Sedra dan Kenneth C.

Smith, Microelectronic Circuits,
Oxford University Press, USA,
1997.