MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

Hafizh Al Fikry (18014044)

Asisten: Muhammad Arief Ma'ruf Nasution /13212024
Tanggal Percobaan: 14 April 2016
EL2205-Praktikum Elektronika

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak
Pada percobaan ini, akan ditentukan fungsi transistor sebagai
switch. Percobaan pertama akan digunakan konfigurasi switch
dengan transistor BJT dan relay (lampu). Kemudian pada
percobaan selanjutnya, akan digunakan transistor FET
bertipe NMOS yang nantinya diamati dengan metode
multimeter dan dengan metode osiloskop. Pada percobaan
terakhir, masih digunakan transistor FET, namun
konfigurasi switch yang digunakan adalah konfigurasi
CMOS, pada percobaan ini pula, dilakukan pengamatan
dengan metode multimeter dan dengan metode osiloskop.
Kata kunci: transistor, switch, BJT, FET.
1. Pendahuluan
Salah satu fungsi transistor adalah sebagai switch
atau sakelar. Baik jenis BJT maupun FET, keduanya
dapat digunakan sebagai sakelar. Sakelar yang
ideal harus memiliki karakteristik saat ON, sakelar
tersebut tidak memiliki tegangan drop, kemudian
saat OFF, sakelar tersebut tidak dapat dilalui arus
sama sekali. Penggunaan transistor FET sebagai
switch lebih unggul dibandingkan penggunaan
transistor BJT sebagai switch dikarenakan FET
menggunakan arus yang sangat kecil untuk
operasinya.
Setelah melakukan
mahasiswa dapat:

percobaan,

diharapkan

a.

mengetahui dan mempelajari fungsi transistor

sebagai switch

b.

mengetahui dan mempelajari karakteristik

kerja transistor BJT ketika beroperasi sebagai
sakelar

c.

mengetahui dan mempelajari karakteristik

kerja transistor MOSFET baik bertipe n-MOS
maupun CMOS ketika beroperasi sebagai
sakelar.

2. Studi Pustaka
2.1 FET (Field Effect Transistor)
Transistor FET adalah transistor yang bekerja
berdasarkan efek medan elektrik yang
dihasilkan oleh tegangan yang diberikan pada
kedua ujung terminalnya. Mekanisme kerja
transistor ini berbeda dengan transistor BJT.

Pada
transistor
ini,
arus
yang
dihasilkan/dikontrol dari Drain (analogi
dengan Kolektor pada BJT), dilakukan oleh
tegangan antara Gate dan Source (analogi
dengan Base dan Emitter pada BJT).
Bandingkan dengan arus pada Base yang
digunakan untuk menghasilkan arus kolektor
pada transistor BJT.
Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah
transistor yang berfungsi sebagai konverter
tegangan ke arus. Transistor FET memiliki
beberapa jenis, diantaranya adalah JFET dan
MOSFET. PAda praktikum ini digunakan
transistor MOSFET, meskipun pada dasarnya
sifat dari JFET dan MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET
dapat digambarkan pada kurva yang dibagi
menjadi dua, yaitu kurva karakteristik ID vs
VGS dan kurva karakteristik ID vs VDS. Kurva
karakteristik ID vs VGS diperlihatkan pada
gambar berikut. Pada gambar tersebut terlihat
bahwa terdapat VGS minimum yang
menyebabkan arus mulai mengalir. Tegangan
tersebut dinamakan tegangan threshold, Vt.
Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negatif, sedangkan pada tipe enhancement, Vt
adalah positif.

Gambar 1 Kurva ID vs VGS

dengan IC merupakan arus kolektor, lalu IB

merupakan arus basis, arus emitor IE,
kemudian merupakan penguatan arus DC
untuk common basis, dan merupakan
penguatan arus DC untuk common emitter.

2.3 BJT sebagai Switch

Gambar 2 Kurva ID vs V DS

Pada kurva ID vs VDS, dapat dilihat daerah

kerja transistor, yaitu daerah saturasi, trioda,
dan cut-off.

Komponen transistor dapat berfungsi sebagai

switch, walaupun bukan sebagai switch ideal.
Untuk dapat berfungsi sebagai switch, maka
titik kerja transistor harus dapat berpindah
pindah dari daerah saturasi (switch ON) ke
daerah cut-off (switch OFF).

2.2 BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)

BJT atau transistor bipolar, terdiri atas dua
jenis, bergantung pada susunan bahan yang
digunakan, yaitu PNP dan NPN. Simbol
hubungan antara arus dan tegangan dalam
transistor ditunjukkan oleh gambar:

Gambar 5 Daerah Kerja BJT

2.4 MOSFET SEBAGAI SWITCH

Gambar 3 Transistor BJT NPN

Selain BJT, MOSFET juga dapat berfungsi

sebagai switch. Dibandingkan dengan BJT,
sifat switch dari MOSFET juga lebih unggul
karena membutuhkan arus yang sangat kecil
untuk operasinya.
Ada dua tipe MOSFET menurut tegangan
kerjanya yaitu n-Channel MOSFET (n-MOS)
dan p-Channel MOSFET (p-MOS). Dimana nMOS bekerja dengan memberikan tegangan
positif pada gate, dan sebaliknya, p-MOS
bekerja dengan memberikan tegangan negatif
pada gate. Transistor n-MOS berlaku sebagai
switch dengan membuatnya bekerja di sekitar
daerah saturasinya.

Gambar 4 Transistor BJT PNP

Persamaan matematis pada transistor:

=

sehingga,
=

+1

Gambar 6 Daerah Kerja n-MOS

Jika n-MOS dan p-MOS digabungkan, akan

dihasilkan rangkaian CMOS (Complementary
MOS) yang ditunjukkan oleh gambar berikut
ini. Untuk memperlakukan CMOS supaya
bekerja sebagai switch, kita harus mengubah
ubah daerah kerjanya antara cut-off dan
saturasi.

Rangkaian disusun seperti

pada gambar 8.
Tegangan VCC diatur 12 V,
kemudian arus Rvar di set
pada nilai minimum, nilai
VCE awal dicatat.

Rvar diputar untuk menaikkan

tegangan di Base hingga lampu
menyala kemudian tepat saat
lampu menyala, dicatat nilai IB,
IC, VBE, VCE.
Tegangan di Base dinaikkan lagi
kemudian dicatat nilai IC dan IB
untuk tiga nilai setelah lampu
menyala hingga Rvar
maksimum.

Gambar 7 Rangkaian CMOS

3. Metodologi
3.1 Alat dan Komponen yang Digunakan
a.

Sumber Tegangan DC

b.

Osiloskop

c.

Multimeter Digital

d.

Multimeter Analog

e.

Kit Transistor sebagai Switch

f.

Kabel-Kabel

Rvar diputar untuk

menurunkan tegangan
sampai lampu padam,
kemudian nilai IB, IC, VBE, VCE
dicatat.
Langkah diulangi untuk VCC
lainnya dan kurva digambar.

3.2 Langkah-Langkah Percobaan

a.

Diagram 5.1 BJT Switch

Gambar 8 Rangkaian Percobaan BJT Switch

b.

Diagram 5.2 MOSFET Switch

Rangkaian disusun seperti

pada gambar 9.
Tegangan VDD diatur 5 V,
kemudian arus Rvar di set
pada nilai minimum, nilai
VDS dan ID awal dicatat.

Rvar diputar untuk menaikkan

tegangan di Gate hingga
terlihat ada arus di Drain (ID),
dicatat nilai IG, ID, VGS, VDS.
Langkah diulangi untuk VDD
lainnya (jangan melebihi 12 V)
dan kurva digambar.

Rangkaian disusun seperti pada

gambar 10.
Tegangan VDD diatur 5 V, kemudian
generator sinyal digunakan sebagai
Vin dan diatur ke gelombang
segitiga dengan amplitudo di posisi
0 - 5 V.
Osiloskop dihubungkan, kanal 1
untuk Vin dan kanal 2 untuk Vout,
kemudian digunakan mode XY
untuk pengamatan, dan kurva
digambar serta tegangan threshold
ditentukan.

Gambar 10 Rangkaian Percobaan n-MOS Switch

c.

Diagram 5.3 CMOS Switch

4
Gambar 9 Rangkaian Percobaan n-MOS Switch

Rangkaian disusun seperti

pada gambar 11.
Tegangan VDD diatur 5 V,
kemudian arus Rvar di set
pada nilai minimum, nilai
Vout, IS, dan ID awal dicatat.

Rvar diputar untuk menaikkan

tegangan di Gate hingga terlihat ada
arus di Drain (ID), dicatat nilai IG, IS,
ID, VGS, VDS.
Rvar diputar terus (menaikkan VGS)
untuk beberapa nilai, kemudian
dicatat IG, IS, ID, VGS, VDS dan digambar
kurva VGS - Vout.
Langkah diulangi untuk VDD = 10 V.

Rangkaian disusun seperti pada

gambar 12.
Tegangan VDD diatur 5 V, kemudian
generator sinyal digunakan sebagai
Vin dan diatur ke gelombang segitiga
dengan amplitudo di posisi 0 - 5 V.

Osiloskop dihubungkan, kanal 1

untuk Vin dan kanal 2 untuk Vout1,
kemudian digunakan mode XY untuk
pengamatan, dan kurva digambar
serta tegangan threshold ditentukan.
Hubungan Vout1 dari osiloskop
dilepas, kemudian dihubungkan ke
Vout2, dan diamati pada mode XY, lalu
kurva digambar.

0.06

22.43

0.604

9.79

Tepat
Padam

0.19

Awal

0.798

0.826

Tepat
Nyala

1.38

82.8

1.62

86.1

On

2.28

88.8

On

3.72

89.2

On

0.08

25.76

0.647

6.48

Tepat
Padam

0.126

Awal

Lampu tidak pernah menyala

Gambar 11 Rangkaian Percobaan CMOS Switch

0.063

Awal

Lampu tidak pernah menyala

Rvar minimum = 2.178 k
Rvar maksimum = 101.1 k
Analisis :
Dari data tabel diperoleh bahwa kondisi awal (Rvar
minimum) nilai tegangan VBE tidaklah nol, hal ini
dikarenakan oleh adanya nilai hambatan sebesar
2.178 k pada saat nilai Rvar paling kecil.

Gambar 12 Rangkaian Percobaan CMOS Switch

4. Hasil dan Analisis

4.1 BJT Switch
Vcc
(V)

IB
(mA)

IC
(mA)

12

VBE
(V)

VCE
(V)

Kondisi
Lampu

0.25

12

Awal

0.671

4.18

Tepat
Nyala

0.74

81.6

1.51

99.4

On

3.1

117.5

On

5.11

121.2

On

Lampu digunakan sebagai indikator switch, saat

switch ON maka lampu menyala, sebaliknya saat
lampu mati, switch dalam keadaan OFF. Pada
kondisi awal lampu masih dalam keadaan mati
dikarenakan oleh switch yang masih dalam
keadaan OFF (transistor masih berada dalam
daerah kerja cut-off). Tepat saat lampu menyala,
transistor mulai memasuki daerah saturasinya,
yang artinya switch ON. Dapat dilihat nilai VBE saat
lampu tepat menyala berada di antara 0.67 0.8 V
yang memang nilai VBE ON transistor berada pada
kisaran itu (sekitar 0.7 V). Kemudian, seiring
dengan naiknya nilai IC maka nilai tegangan VCE
pun turun. Keadaan transistor yang berada pada
daerah saturasinya juga ditunjukkan dengan nilai
force yang berkisar 20 40, lebih kecil bila
dibandingkan dengan nilai yang pada umumnya
berkisar antara 100 200.
Pada saat Rvar diputar balik sampai lampu OFF,
maka saat lampu OFF, transistor memasuki daerah
kerja cut-off. Hal ini terlihat dari nilai VBE yang
lebih kecil dari 0.67 V (VBE ON).

Pada nilai tegangan VCC 3 V dan 6 V lampu tidak

akan pernah menyala meskipun Rvar diputar
sampai maksimal, hal ini dikarenakan transistor
tidak pernah mencapai daerah kerja saturasinya.

4
3.5
3

4.2 n-MOS Switch

VDD
(V)

IG

0.01

7.5

2.5

Multimeter
ID
(mA)

VGS
(V)

1.834

VDS
(V)

Kondisi

Awal

4.98

Tepat
arus ID

0.6

2.605

3.62

2.899

2.758

0.01

VDD
=5V

VDD
=6V

1.5

VDD
=9V

1
ada

0.5
0
0

0.5

1.5

ID (mA)
Gambar 13 Kurva VGS vs ID

Awal

1.818

5.90

Tepat
arus ID

0.6

2.693

4.63

2.878

3.75

0.01

0.01

7.5

Awal

7.42

Tepat
arus ID

Awal

1.825

8.92

Tepat
arus ID

0.05

1.963

8.80

0.6

2.582

7.60

2.852

6.76

1.818

VGS (V)

A.

Analisis :
ada

Dapat dilihat dari kurva bahwa besarnya nilai VDD

tidak mempengaruhi bentuk kurva karena dari
nilai VDD yang ada, semuanya hampir terlihat
berimpitan. Dari tabel dan kurva, diperoleh bahwa
adanya arus pertama pada drain (ID = 0.01 mA)
selalu nilai VGS berada pada rentang 1.8 V, itu
artinya tegangan threshold (Vt) transistor n-MOS
tersebut berada di kisaran 1.8 V.
B.

Osiloskop

ada

ada

Gambar 14 Kurva V out vs Vin

Analisis :
Nilai Vin merupakan representasi dari nilai VGS
sedangkan Vout merupakan representasi dari nilai
VDS sehingga dari hal tersebut diperoleh bahwa
untuk nilai Vin (VGS) di mana kurva pertama kali
berbelok, merupakan nilai tegangan threshold
transistor n-MOSnya, dan dari kurva, dapat dilihat
bahwa nilai tegangan threshold transistor nMOSnya berkisar pada 1.8 V. Dapat dilihat pula

4.2 CMOS Switch

A.
VD
D

(V)

0.01

IS
(mA
)

0.01

0.1
0.25

0.003
5

6
5
4
3
2

ID
(mA
)

VGS
(V)

VD
S

Vout
(V)

(V)

0
5

8.17

Kondisi awal saat VCC=10V, IS=ID=0 dan Vout =10V

Multimeter
IG
(mA
)

0.01

Kondisi awal saat VCC=5V, IS=ID=0 dan Vout =5V

Vout(V)

dari gambar bahwa transistor akan bekerja sebagai

switch saat di daerah saturasinya (dalam kurva
daerah saturasi transistor diwakili oleh daerah
yang dibatasi garis merah). tepat pada saat nilai VGS
berada pada tegangan thresholdnya (garis merah
pertama), transistor mulai masuk daerah
saturasinya, sampai pada garis merah kedua, di
mana nilai VGS 3.5 V dan nilai VDS 1.7 V yang
merupakan batas daerah saturasi dan daerah trioda
transistor. Kemudian, nilai tegangan threshold dari
switch Vth berada pada kisaran 2.8 V, sedikit lebih
besar dari perhitungan yaitu 0.5 VDD = 2.5 V.
Perbedaan ini dikarenakan ketidakidealan
transistor yang digunakan.

0.01

0.1
0.25

1.82
5

0.5

1.5
2
VGS(V)

4.98

2.5

3.5

Gambar 5.15 Kurva V out vs VGS dengan V DD = 5 V

2.05
2

4.91

2.27
2

4.73

0.5
0.45
0.4
0.35

0.45

0.25
0.1

0.01

10

0.45

0.25
0.1

0.01

2.49
5

1.345

2.73
1

0.120
1

2.95
6

0.041
5

3.17
5

0.009
6

0.01

0.01

1.85
0

10

9.99

2.81
3

9.77

3.73

9.14

5.93

5.93

4.86

2.614

6.11

0.375

7.15

0.010
1

ID(mA)

0.3
0.25

0.2

0.15
0.1
0.05
0
-0.05 0

0.5

1.5 2
VGS(V)

2.5

Gambar 5.16 Kurva ID vs VGS dengan VDD = 5 V

3.5

12
10

Vout(V)

8
6
4
2

0
0

-2

VGS(V)

Gambar 19 Kurva VDS vs VGS dengan VDD = 5 V

Gambar 5.17 Kurva V out vs VGS dengan V DD = 10 V

7
6
5

ID(mA)

3
2
1
0

-1

VGS(V)
Gambar 18 Kurva ID vs VGS dengan VDD = 10 V

Analisis :
Dapat dilihat bahwa tidak ada perbedaan yang
signifikan dari segi bentuk kurva baik dengan
penggunaan VDD = 5 V maupun 10 V, hanya range
nilainya saja yang berubah. Dapat dilihat dari
gambar, baik dengan VDD = 5 V maupun 10 V, nilai
tegangan VGS saat kurva berbelok pertama kali
(tegangan threshold n-MOS) berkisar pada 1.8 V.
Pada kurva ID vs VGS, saat tegangan VGS memasuki
nilai tegangan threshold n-MOSnya, kurva mulai
naik sampai ke suatu titik puncak untuk kemudian
kembali turun meskipun nilai VGS bertambah. Nilai
puncak itu berada pada saat VGS 0.5 VDD. Nilai
VGS di mana ID mencapai nilai puncak tersebut
dinamakan tegangan threshold switch (Vth). Jika
salah satu transistor dalam kondisi OFF, maka
switch OFF. Saat kedua transistor berada pada
kondisi saturasi, maka arus yang dapat dilalui oleh
sistem adalah yang paling besar.
B.

Osiloskop

Gambar 20 Kurva VS vs VGS dengan VDD = 5 V

Analisis :
Dari kedua kurva dapat diperoleh bahwa nilai
tegangan threshold transistor n-MOSnya berada
pada 1.8 V. Kemudian, kondisi di mana transistor
p-MOS dan n-MOS berada dalam kondisi saturasi
(garis merah) maka sistem melewatkan arus IS = ID
yang paling besar (ditandai dengan tegangan VS
yang paling besar). Kondisi di mana kedua
transistor dalam keadaan saturasi berada pada
tegangan Vth = VGS = 2.8 V, tidak jauh berbeda dari
formula Vth = VGS = 0.5 VDD = 2.5 V.
Ketidakidealan diakibatkan transistor yang
digunakan bukan transistor ideal.

5. Kesimpulan
Dari percobaan dapat disimpulkan bahwa:
a.

Transistor dapat beroperasi sebagai switch,

caranya adalah dengan mengatur tegangan
biasnya. Transistor BJT berfungsi sebagai
switch jika berada dalam daerah kerja cut-off
(switch OFF) dan dalam daerah kerja saturasi
(switch ON). Transistor MOSFET bertipe n-

MOS bekerja sebagai switch pada daerah kerja

saturasi (switch ON) dan daerah cut-off
(switch OFF) sementara pada daerah
triodanya, transistor bisa dikatakan bekerja
setengah-ON. Pada konfigurasi CMOS, switch
ON adalah saat kedua transistor berada pada
daerah saturasinya, sementara switch OFF
adalah pada saat salah satu transistor berada
pada kondisi OFF (daerah cut-off).
b.

Karakteristik kerja transistor BJT sebagai

switch adalah, saat switch ON, transistor
berada pada daerah kerja saturasi, sementara
pada saat switch OFF, transistor berada pada
daerah kerja cut-off.

c.

Karakteristik kerja transistor MOSFET sebagai

switch adalah:
Pada tipe n-MOS switch, saat tegangan GateSource
memasuki
nilai
thresholdnya,
transistor mulai memasuki mode ON, artinya
transistor mulai memasuki daerah saturasinya.
Saat nilai tegangan Gate-Sourcenya lebih kecil
dari nilai tegangan thresholdnya, switch
dalam kondisi OFF atau transistor berada
pada daerah kerja cut-off. Saat transistor
memasuki daerah triodanya, atau tegangan
pada Drain-Source lebih kecil daripada
tegangan Gate-Source dikurangi tegangan
thresholdnya
(disebut
juga
tegangan
overdrive) masih ada arus yang dapat
dilewatkan oleh transistor meski lebih kecil
daripada saat transistor dalam daerah kerja
saturasinya sehingga dapat dikatakan
transistor berada dalam kondisi setengah-ON.
Pada konfigurasi CMOS, switch ON ketika
kedua transistor berada dalam daerah kerja
saturasi. Pada saat nilai tegangan Gate-Source
sama dengan setengah dari tegangan power
supply, maka arus yang dapat dilewatkan
switch adalah arus yang paling besar.
Sementara itu, jika salah satu transistor berada
dalam kondisi OFF, maka switch CMOS ini
juga dalam kondisi OFF.

6. Daftar Pustaka
[1]

Hutabarat, Mervin T., Praktikum Elektronika,

Sekolah Teknik Elektro dan Informatika
Institut Teknologi Bandung, Bandung, 2016.

[2]

http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET,
April 2016, pukul 21.50.

[3]

http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junctio
n_transistor, 15 April 2016, pukul 21.55.

[4]

http://www.electronicstutorials.ws/transistor/tran_7.html, 15 April
2016, pukul 22.10.

15

[5]

http://electronics.stackexchange.com/questi
ons/18885/mosfet-as-a-switch-when-is-it-insaturation, 15 April 2016, pukul 22.35.

[6]

Adel S. Sedra dan Kenneth C. Smith,

Microelectronic Circuits, Oxford University Press,
USA, 1997.