Do An Tot Nghiep Le Vu Van Final

4
Đồ án tốt nghiệp
Đo liều lượng bức xạ bằng phương pháp đo khoảng thời gian giữa hai sự kiện
MỤC LỤC
LỜI CẢM ƠN........................................................................................................3
MỤC LỤC.............................................................................................................4
MỞ ĐẦU...............................................................................................................6
PHẦN 1- TỔNG QUAN VỀ CÁC THIẾT BỊ ĐO LIỀU LƯỢNG BỨC XẠ......7
1.1. Cơ sở vật lý của đo liều lượng bức xạ............................................................7
1.2. Ống đếm Geiger-Mueller (GM).....................................................................7
1.2.1. Cấu tạo, nguyên tắc hoạt động của ống đếm khí.........................................7
1.2.1. Các quá trình diễn ra trong ống đếm GM.................................................13
1.2.2. Thời gian phân giải của ống đếm GM.......................................................17
1.2.3. Đặc trưng đếm của ống đếm GM..............................................................18
PHẦN 2-THIẾT KẾ MÁY ĐO LIỀU GAMMA THEO PHƯƠNG PHÁP ĐO

KHOẢNG THỜI GIAN GIỮA CÁC SỰ KIỆN.................................................21
2.1. Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt động của mạch..............................................21
2.2. Mạch nguyên lý............................................................................................23
2.2.1 Khối cao áp.................................................................................................23
2.2.2 Chip vi điều khiển PIC16F877A................................................................24
2.2.2.1. Các đặc điểm kỹ thuật của PIC16F877A...............................................24
2.2.2.2. Chức năng các chân...............................................................................26
2.2.2.3 Timer/Counter (Bộ định thời/Bộ đếm).....................................................31
Lê Vũ Văn
5
2.2.2.4. Thiết kế phần cứng cho chip vi điều khiển PIC16F877A.......................33
2.2.3. Bộ đo thời gian..........................................................................................35
2.3. Ghép nối máy tính qua cổng COM..............................................................36
2.4. Lập trình cho vi điều khiển PIC16F877A....................................................38
2.4.1. Chương trình soạn thảo và biên dịch CCS C............................................38
2.4.2. Lưu đồ chương trìnhvới CCS C.................................................................40
PHẦN 3 - KẾT QUẢ CHUẨN MÁY VÀ ĐO ĐẠC THỬ NGHIỆM...............42
3.1. Nguồn bức xạ...............................................................................................43
3.2. Tiến hành đo đạc..........................................................................................44
PHẦN 4 - KẾT LUẬN........................................................................................47
TÀI LIỆU THAM KHẢO...................................................................................49
PHỤ LỤC............................................................................................................50
Lê Vũ Văn
6
MỞ ĐẦU
Ngày nay các kỹ thuật hạt nhân được ứng dụng ngày càng rộng rãi trong
các ngành kỹ thuật, kinh tế, sản xuất công nghiệp, y tế, nông nghiệp...
Từ các ứng dụng phổ biến có sử dụng kỹ thuật hạt nhân, vấn đề quan trọng
là đánh giá được mức độ mạnh yếu của chất phóng xạ nhằm đảm bảo tính an
toàn. Đặc biệt con người không thể cảm nhận được các tia phóng xạ bằng giác
quan thông thường. Máy đo liều là một trong những thiết bị giúp ta xác định
được suất liều của các nguồn phóng xạ cũng như của phông môi trường. Nhiệm
vụ của đồ án tốt nghiệp này là nghiên cứu thiết kế một máy đo liều. Đề tài này sử
dụng "phương pháp xác định khoảng thời gian giữa hai hạt bức xạ liên tiếp"
để xác định suất liều.
Đo liều dựa trên phương pháp này đầu ghi sẽ giảm hoặc loại bỏ sự ảnh
hưởng của thời gian chết do đó ta không cần hiệu chỉnh ống đếm và kết quả đo
sẽ tuyến tính hơn, đồng thời tuổi thọ của ống đếm sẽ cao hơn.
Lê Vũ Văn
7
PHẦN 1-TỔNG QUAN VỀ CÁC THIẾT BỊ ĐO LIỀU LƯỢNG BỨC XẠ
1.1. Cơ sở vật lý của đo liều lượng bức xạ
Lượng tử tương tác với vật chất có thể dẫn tới hiệu ứng iôn hoá. Khi đó
trong phần nhạy với tương tác của bức xạ sẽ xuất hiện các phần tử có điện tích là
electron tự do và các iôn. Nếu phần nhạy được đặt trong một điện trường, thì
chúng sẽ chuyển động định hướng về phía điện cực trái dấu, do đó tạo nên tín
hiệu điện. Bằng cách xử lý và đo đạc các tín hiệu điện quen thuộc này, có thể xác
định được liều lượng bức xạ.
Do đó các máy đo liều phải có nguồn nuôi cấp điện áp thích hợp cho đầu
dò, mạch hình thành xung để tạo xung từ tín hiệu điện do đầu ghi ghi nhận được
và các khối điện tử khác thích hợp với phương pháp đo được đưa ra.
Trong các thiết bị đo liều, bộ phận quan trọng đầu tiên là đầu dò bức xạ.
Dưới đây trình bày một số lý thuyết về ống đếm Geiger-Mueller được sử dụng
trong đồ án.
1.2. Ống đếm Geiger-Mueller (GM)
1.2.1. Cấu tạo, nguyên tắc hoạt động của ống đếm khí
Hoạt động của các ống đếm khí dựa trên hiện tượng iôn hóa của các phần
tử khí dọc theo đường đi của hạt mang điện khi chúng rơi vào môi trường khí.
Về hình thức cấu tạo, ống đếm khí tương tự như một tụ điện (hình 1-1):
hai cực của ống đếm là anốt và catốt đúng vai trò như hai bản tụ, lớp khí giữa hai
bản cực giống như lớp điện môi của tụ điện. Điện áp một chiều thích hợp được
Lê Vũ Văn
8
đặt lên hai bản cực tạo ra một điện trường đủ mạnh để đưa các e–, iôn (+) (kết
quả iôn hóa khí của bức xạ tới) về anốt và catốt tương ứng. Vì vậy, từ đầu ra của
ống đếm sẽ có tín hiệu điện mỗi khi có hạt bức xạ rơi vào.
Hình 1-1: Sơ đồ nguyên tắc hoạt động của ống đếm khí[4]
Độ lớn của điện áp một chiều đặt vào hai cực của ống đếm khí có ảnh
hưởng mạnh tới đặc điểm của quá trình iôn hóa khí. Chính sự khác nhau về đặc
điểm của quá trình iôn hóa khí dưới các vùng điện áp nuôi khác nhau đã tạo nên
các loại ống đếm khí khác nhau như buồng iôn hóa, ống đếm tỷ lệ, ống đếm
Geiger–Muller.
Sự khác nhau về vùng điện áp làm việc giữa các loại đầu dò khí làm việc ở
chế độ xung được minh họa trên hình 1-2.
Hình 1-2: Vùng điện áp làm việc của các loại ống đếm khí[6]
Lê Vũ Văn
9
Ở điện áp thấp (vùng 1), điện trường trong ống đếm yếu nên các e –, iôn (+),
tạo ra bởi sự iôn hóa ban đầu của hạt tới, có thể tái hợp lại với nhau. Vì vậy số
cặp (e–, iôn +) về góp ở các điện cực tương ứng nhỏ hơn số cặp tạo ra. Sự tái hợp
giảm đi theo sự tăng của điện áp nuôi nên biên độ xung cũng tăng dần theo điện
áp.
Dưới điện trường đủ mạnh (vùng 2), có thể bỏ qua sự tái hợp (e–, iôn +) dọc
đường trôi về các cực nên gần đúng coi lượng điện tích đến góp ở điện cực bằng
lượng điện tích tạo ra. Khi
, iôn +) sẽ được tạo ra trong ống đếm. Trong khi các e– nhanh chóng trôi về
anốt thì các iôn (+) với khối lượng lớn hơn, sẽ chuyển độngcường độ rọi bức xạ
không thay đổi thì tốc độ tạo cặp (e–, iôn +) là một hằng số. Vì vậy, biên độ xung
ra sẽ đạt đến bão hòa. Vùng (2) là vùng làm việc của vùng buồng iôn hóa.
Nếu tiếp tục tăng điện áp nuôi, điện trường trong ống đếm sẽ mạnh lên. Các
electron, do khối lượng nhỏ, khi chuyển động trong điện trường mạnh sẽ thu
được năng lượng lớn có thể đủ để iôn hóa các phân tử khí khác (gọi đó là iôn hóa
thứ cấp). Vì thế số e– đến anốt được nhân lên. Ta nói rằng ống đếm có sự khuếch
đại khí. Nhờ quá trình này, biên độ xung ra tăng lên. Sự khếch đại khí trong miền
(3) có đặc điểm tuyến tính. Nghĩa là, lượng điện tích được góp, tức biên độ xung,
tỷ lệ tuyến tính với số cặp (e–, iôn +) tạo ra ban đầu. Đây là vùng làm việc của
ống đếm tỷ lệ.
Khi tăng điện áp nuôi thêm nữa (vùng 4), sự khuếch đại khí trở nên càng
mạnh hơn, một lượng lớn các phần tử dẫn (e– chậm hơn, còn đang trên đường tới
catốt. Sự có mặt một lượng lớn các điện tích (+) chậm phân tán trong khoảng
không gian giữa hai cực (giống như đám mây mang điện dương) sau mỗi lần có
Lê Vũ Văn
10
hạt bức xạ rơi vào ống đếm sẽ làm méo điện trường và do đó kìm hãm sự iôn hóa
thứ cấp tiếp theo. Kết quả là, sự khuếch đại khí không còn tuyến tính nữa. Vùng
(4) gọi là vùng tỷ lệ hạn chế.
Trong vùng (5), điện trường rất mạnh khiến cho quá trình iôn hóa thứ cấp
trở nên chiếm ưu thế hoàn toàn. Nhờ đó các e– trên đường tới anốt được nhân lên
rất mạnh thành dòng thác e–. Mỗi e– trong thác lại có thể khởi động một thác
khác, nên chỉ sau một thời gian rất ngắn, ống đếm bị phóng điện. Đặc điểm của
vùng (5) sự khuếch đại khí rất mạnh, do các quá trình iôn hóa thứ cấp chi phối và
nó xảy ra bất chấp số cặp (e–, iôn +) tạo ra ban đầu là bao nhiêu. Vì vậy, xung ra
gần như có cùng biên độ và không phản ánh bất cứ tính chất nào của hạt. Cùng
với quá trình phát triển thác, đám mây dày đặc tích điện dương sẽ làm giảm
nghiêm trọng điện trường trong ống đếm. Do đó, sự phát triển thác sẽ bị hạn chế
đi đến kết thúc (trong những điều kiện nhất định). Đây là vùng làm việc của ống
đếm Geiger-Mueller tự tắt.
Nhìn chung, ống đếm GM có cấu tạo hình trụ tương tự ống đếm tỉ lệ. Vỏ
trụ đảm nhiệm luôn vai trò của Catốt và thường nối đất. Anốt là một sợi dây kim
loại rất mảnh được căng dọc theo trục ống trụ. Tuy nhiên vì biên độ xung ra từ
ống GM đều giống nhau và không cho thông tin gì về hạt bức xạ nên yêu cầu về
độ đồng đều, độ nhẵn của dây Anốt không đòi hỏi khắt khe.
Sơ đồ điện của ống đếm như hình 1-3.
Lê Vũ Văn
11
Hình 1-3: Sơ đồ mắc ống đếm[2, 6]

Ở hình học trụ, như đã biết, điện trường ở tại điểm có bán kính r tính từ
tâm cho bởi công thức:
V0
ξ (r) =
b (1-1)
r ln
a
Trong đó:
V0 là điện áp nuôi giữa anốt và catốt (cỡ một vài nghìn Vôn)
a là bán kính anốt
b là bán kính catốt
Các ống đếm GM trụ thông thường có a cỡ 10–3÷ 10–2 cm, b cỡ cm.
Nếu lấy V0=2000V, một ống đếm trụ có a=0,008 cm, b=1 cm, từ biểu thức
(1-1) có thể thấy cường độ điện trường sát anốt rất lớn, vào khoảng 5x106 V/m.
Cường độ điện trường rất lớn gần anốt và giảm rất nhanh theo bán kính r
trong ống đếm trụ trên hình 1-4.
Lê Vũ Văn
12
ξ (r) Miền khuếch đại khí

Hình 1-4:
(miền xảy ra iôn hóa )
Phân bố cường độ
điện trường trong
ống đếm trụ[6]
a rC b r
Nếu hai bản cực có dạng phẳng thì điện trường đều, hệ số khuếch đại khí
sẽ phụ thuộc hàm mũ vào vị trí iôn hóa ban đầu r0. Tuy nhiên trong ống đếm
dạng trụ, điện trường chỉ có giá trị lớn ở sát anốt (hình 1-4). Do đó, sự khuếch
đại khí chỉ thực sự bắt đầu từ vị trí (ký hiệu rc), mà từ đó đến anốt, điện trường
lớn hơn ngưỡng để tạo cho e– có đủ năng lượng iôn hóa phần tử khí khác. Vì rc
rất nhỏ nên miền khuếch đại khí (bán kính trải từ a tới rc) có thể tích rất bé so với
toàn bộ thể tích của ống đếm. Vì vậy, sự iôn hóa ban đầu xem như xảy ra ở ngoài
miền khuếch đại khí. Chỉ khi e– rơi vào miền khí sát anốt, vùng gạch chéo trên
hình (2-13) thì chúng mới khởi động quá trình phát triển thác.
Hơn nữa, sự iôn hóa trong miền khuếch đại khí mạnh hơn hàng nghìn lần
sự iôn hóa ở ngoài vùng này nên vị trí iôn hóa ban đầu (r0) không còn quan trọng
nữa. Mỗi một e–, dù ban đầu được sinh ra ở đâu đó ngoài rc (r > rc), một khi đã
rơi vào miền khuếch đại khí đều được nhân lên gần như với cùng một hệ số
khuếch đại M. Vì vậy, biên độ xung ra từ ống đếm GM xem như không phụ
Lê Vũ Văn
13
thuộc vào vị trí iôn hóa ban đầu. Nói cách khác biên độ xung không cho thông
tin gì về tính chất của hạt tới.
Biên độ xung ra từ ống đếm GM rất lớn, cỡ Vôn. Với các ưu điểm như
đơn giản trong sử dụng, rẻ tiền, ống đếm GM là một lựa chọn hợp lý cho các hệ
đo chỉ dùng để đếm hạt.
Nhược điểm cơ bản của chúng là: thời gian chết lớn nên ống đếm GM chỉ
hạn chế trong các ứng dụng với tốc độ đếm thấp (cỡ vài trăm đến ngàn xung trên
giây). Một số ống đếm GM có thời gian làm việc ngắn.
1.2.1. Các quá trình diễn ra trong ống đếm GM.
a. Sự phóng điện
Giả sử, một hạt bức xạ rơi vào ống đếm trụ và tạo ra N0 cặp iôn ở vị trí r0
như trên hình (2-12). Dưới điện trường, các e– trôi về phía anốt được tăng tốc,
nên chúng thu được năng lượng. Với điện trường đủ mạnh lớn hơn ngưỡng nào
đó, năng lượng của e– trở nên lớn hơn thế iôn hóa khí. Vì vậy khi xảy ra va chạm
với các phân tử khí trung hòa, e– có thể iôn hóa khí để tạo ra các (e–, iôn) mới
(iôn hóa thứ cấp). Các e– mới được giải phóng lại được tăng tốc và lại có thể iôn
hóa các phân tử khí khác… Quá trình nhân e– cứ tiếp diễn liên tục như vậy tạo
nên một dòng thác e– khi chúng chuyển động đến anốt và do đó số cặp (e–, iôn)
đến gúp ở các điện cực được nhân lên nhiều lần so với số cặp (e –, iôn) tạo ra ban
đầu. Ta nói, trong ống đếm có sự khuếch đại khí.
Lê Vũ Văn
14
Để xảy ra sự phóng điện trong ống đếm GM, bên cạnh quá trình iôn hóa
thứ cấp do va chạm, phải kể đến vai trò rất quan trọng của các phôtôn nằm trong
vùng nhìn thấy và vùng từ ngoại phát ra từ các phần tử khí kích thích.
Thật vậy, các phôtôn này có thể bị khí hấp thụ lại hoặc có thể đến đập vào
Catốt. Các tương tác này đều có thể dẫn tới giải phóng e– tự do. Các e– sẽ trôi về
anốt gây ra thác điện tích. Cứ như vậy thác lan truyền rất nhanh dọc theo dây
anốt. Ống đếm sẽ phóng điện trong vài trăm micro giây (µs).
Trong ống đếm GM, hệ số khuếch đại khí M rất lớn, cỡ từ 106÷ 108. Do
đó, xác xuất giải phóng các e– từ quá trình quang điện là rất lớn. Có thể nói các
phôtôn có vai trò then chốt giúp cho thác e– lan truyền nhanh theo Anốt.
b. Sự dập tắt phóng điện.
Sau mỗi lần phóng điện (ghi hạt) cần phải dập tắt sự phóng điện đó để ống
đếm có thể ghi hạt mới tiếp theo.
Sự dập tắt phóng điện trong ống đếm GM do đóng góp của các yếu tố sau
đây:
- Mật độ điện tích dương rất cao tạo ra trong ống đếm sau mỗi lần phóng
điện làm giảm mạnh điện trường xuống tới mức không đủ để nhân e – thêm
nữa.
- Cơ cấu khí nạp vào ống đếm giúp ngăn cản sự giải phóng e– tự do từ các
quá trình thứ cấp. Thành phần khí nạp vào ống đếm GM gồm (90÷ 95)%
khí trơ (phổ biến là Ar và He) và khoảng (5÷ 10)% khí đa nguyên tử giữ
Lê Vũ Văn
15
chức năng dập tắt phóng điện nên gọi là khí dập tắt. Khí dập tắt được chọn
sao cho thế iôn hóa của nó thấp.
Khi ống đếm chỉ dùng một loại khí trơ, ví dụ Ar, thì sau khi phóng điện
các iôn Ar+ trôi về Catốt. Nếu năng lượng của chúng lớn hơn 2 lần công thoát
của Catốt, thì sau khi iôn Ar+ trung hòa trên đó, chúng có thể bứt thêm e– mới.
Các e– này rơi vào gần Anốt có thể gây ra phóng điện. Vì thời gian iôn (+) trôi từ
vùng thác gần Anốt về Catốt khá lớn (cỡ 10–4 s) nên sự phóng điện gây bởi e– (có
nguồn gốc từ va đập của các iôn (+) trên Catốt) sẽ kéo dài sự phóng điện của tín
hiệu trước đó, hình thành nên các xung kéo dài (xung đa bậc).
Số cặp iôn tạo ra trong 1 lần phóng điện rất lớn, cỡ 109÷ 1010 nên xác xuất
xảy ra phóng điện kéo dài rất lớn.
Khí dập tắt sẽ ngăn cản sự phóng điện kéo dài bằng cơ cấu va chạm. Thật
vậy, sau mỗi lần phóng điện, mật độ các iôn (+), chủ yếu là của khí trơ, sẽ rất
cao, xác xuất va chạm của chúng với các phân tử khí trung hòa rất lớn, trong số
đó có nhiều phân tử khí dập tắt. Trong va chạm, do thế iôn hóa của khí dập tắt
thấp nên các phân tử khí dập tắt sẽ bị iôn hóa bởi các iôn (+) của khí trơ. Vì vậy
đến Catốt chủ yếu là các iôn (+) của khí dập tắt. Các iôn này sau khi trung hòa
trên Catốt thường phân ly chứ không bứt thêm e– dù cho còn dư thừa năng lượng.
Ngoài ra, khí dập tắt cần hấp thụ mạnh các phôtôn hồng ngoại và tử ngoại phát
ra từ các phân tử khí trơ bị kích thích, giảm bớt sự phát xạ e– quang điện, nên
cũng góp phần ngăn ngừa sự phóng điện kéo dài. Khí dập tắt thường chọn là các
khí hữu cơ như C2H5OH, CH3OH,… Với việc chọn tỷ lệ thích hợp giữa khí trơ
và khí dập tắt, sự phóng điện có thể tự ngừng lại.
Lê Vũ Văn
16
- Tác động từ bên ngoài
Với việc chọn điện trở tải R lớn, sụt áp trên R khi có phóng điện V Rmax lớn
sẽ làm cho điện áp giữa hai cực của ống đếm giảm xuống tới giá trị
V = V0 – VRmax . Nếu V nhỏ hơn ngưỡng cần thiết gây ra một điện trường đủ mạnh
để sự khuếch đại khí có thể xảy ra thì các thác điện tử thứ cấp (khối phát bởi
phôtôn) không thể tiếp tục xảy ra. Sự phóng điện vì thế sẽ bị dập tắt. Muốn vậy,
cần chọn R lớn cỡ 108Ω để hằng số thời gian góp điện tích RC cỡ ms (C: điện
dung ký sinh). Nhược điểm của việc chọn R lớn là ống đếm làm việc chậm do
mất thời gian khá dài để dập tắt phóng điện.
Nếu không sử dụng yếu tố dập tắt từ bên ngoài, giá trị của R thường được
chọn sao cho RC cỡ vài µ s, tương ứng với thành phần nhanh của sườn xung.
Trong quá trình sử dụng, các phân tử khí dập tắt bị tiêu hao dần do bị phân
ly. Vì vậy, ống đếm GM thường chỉ đếm được 109→1010 xung. Sau đó chức năng
làm ngừng phóng điện của khí dập tắt kém dần, không còn như trước.
Các ống đếm GM dùng khí halogen như Cl2, Br2 làm khí dập tắt, gọi là
ống đếm Halogen. Vì quá trình biến đổi Cl2 → Cl + Cl; Br2 → Br + Br. Có thể
diễn ra theo chiều ngược lại nên thời hạn của ống đếm Halogen tăng lên nhiều.
Tuy nhiên, vì khí Halogen thuộc loại khí âm nên chúng chỉ có thể có mặt trong
ống đếm với một lượng rất nhỏ (chỉ khoảng 0,1%). Mặt khác khí Halogen hoạt
tính hóa học mạnh khi có phóng điện, một số phản ứng xảy ra trên khí này sẽ tạo
ra các sản phẩm gây nhiễm bẩn bề mặt dây Anốt và Catốt và dẫn đến sự thoái
hóa của ống đếm.
Lê Vũ Văn
17
1.2.2. Thời gian phân giải của ống đếm GM.
Như đã thấy ở trên, sau mỗi lần phóng điện, mật độ iôn (+) tạo ra rất lớn
làm cho điện trường trong ống đếm giảm mạnh đến mức không thể xảy ra phóng
điện mới nếu như có một hạt bức xạ tiếp theo rơi vào đúng thời điểm điện trường
bị suy yếu mạnh nhất. Ống đếm có một thời gian chết τ ch nào đó, được xác định
bởi khoảng thời gian giữa thời điểm xung trước đó bắt đầu tạo thành và thời
điểm sự phóng điện tiếp theo sau có thể phát triển được (hình 1-5).
Thời gian chết của các ống GM thông thường trong khoảng từ
50÷ 100µ s. Khi các iôn (+) trôi về phía Catốt, điện trường hồi phục dần. Tương
tác của bức xạ xảy ra trong thời gian này sẽ gây ra các xung có biên độ nhỏ,
nhưng biên độ tăng dần khi các iôn (+) càng gần về Catốt.
Điện trường sẽ hồi phục hoàn toàn khi toàn bộ các ion (+) tới Catốt. Thời
gian hồi phục của ống đếm GM là thời gian cần thiết để điện trường trong ống
đếm trở về trạng thái ban đầu. Sau thời gian hồi phục, sự phóng điện gây bởi hạt
tiếp theo gây ra xung có biên độ bằng với biên độ gây bởi hạt rơi vào trước đó.
Vì biên độ xung ra từ ống đếm GM rất lớn, nên xung xuất hiện trong giai
đoạn hồi phục tuy có biên độ nhỏ hơn nhưng nếu vượt qua ngưỡng nhạy của
thiết bị điện tử theo sau ống đếm thì vẫn có thể được ghi.
Vì vậy thời gian phân giải τ của ống đếm GM thường nằm giữa τ ch và
τ hp , tức vào cỡ 10–4 s. Vì vậy ống đếm GM là loại ống đếm chậm, khi làm việc
với tốc độ hạt cỡ 103/s trở nên, sự hiệu chỉnh số đếm đo được trở nên cần thiết.
Lê Vũ Văn
18
Hình 1-5: Thời gian chết, thời gian phân giải, thời gian hồi phục của ống
đếm GM[6]
Vậy thời gian phân giải của ống đếm GM không chỉ phụ thuộc vào mức
độ hồi phục của điện trường trong ống đếm mà còn phụ thuộc vào đặc điểm tạo
dạng và độ nhạy của khối xử lý xung sau ống đếm.
1.2.3. Đặc trưng đếm của ống đếm GM.
Đặc trưng đếm của ống đếm GM có dạng như trên hình 1-6. Nhìn chung,
Plato của ống đếm GM dốc hơn so với ống đếm tỷ lệ. Nguyên nhân dẫn đến sự
nghiêng này có thể kể đến là:
- Khi điện áp tăng , điện trường ở hai đầu ống đếm được mở rộng thêm và
mạnh hơn trước nên sẽ có thêm hạt rơi vào vùng này được ghi.
- Cơ cấu dập tắt phóng điện kém hiệu quả, sự phóng điện thứ cấp gây bởi
các e– tự do (kết quả va chạm giữa ion (+) với Catốt) thường xuất hiện
chậm sau tín hiệu thật nên dễ gây xung giả (vì ion (+) phải mất một thời
gian ∼ 10–4 s để đi từ nơi sinh ra (gần anốt) tới Catốt).
Lê Vũ Văn
19
- Mật độ ion (+) trong ống đếm GM lớn nên xác xuất gây xung giả rất lớn.
Các xung sinh ra trong thời gian điện trường chưa hồi phục có biên độ
nhỏ. Khi điện áp tăng, các xung có biên độ nhỏ có nhiều khả năng được
ghi hơn. Vì vậy, khi đo đặc trưng đếm để chọn điện áp nuôi thích hợp nên
cho ống đếm làm việc với tốc độ đếm thấp, cỡ vài trăm xung/s ở vùng
Plato.
Ở cuối Plato, nơi điện áp rất lớn, tốc độ đếm tăng đột ngột. Đó là do cơ
cấu dập tắt hoàn toàn mất tác dụng và lượng xung giả tăng đột biến. Ống đếm bắt
đầu phóng điện liên tục. Người sử dụng cần giảm ngay điện áp nuôi khi quan sát
thấy điểm cuối này để tránh những hỏng hóc có thể xảy ra.
Hình 1-6: Đặc trưng đếm của ống đếm GM[6]
Các ống đếm GM dùng khí dập tắt hữu cơ có Platô bằng phẳng nhất, độ
nghiêng chỉ khoảng (2–3)% tính trên 100V. Các ống đếm Halogen có Platô
nghiêng hơn nhưng bù lại có thời hạn làm việc dài hơn.
Điện áp làm việc được chọn ở đoạn đầu của Platô để đảm bảo sự ổn định
tốt nhất cho ống đếm trong khi hoạt động với một điện áp nuôi ở mức thấp có thể
được. Ống đếm chứa hỗn hợp (Ar + rượu) thường làm việc ở điện áp trên
Lê Vũ Văn
20
1000V. Trong khi đó, đối với ống đếm halogen chứa khí (Ne + Br2) thì điện áp
này chỉ cỡ (200÷ 300)V.
Hỗn hợp khí chứa trong ống đếm Halogen thường là Ne (khí chính) với
khoảng 0,1% Br2 và khoảng 0,1% Ar. Thế iôn hóa khí Ne rất lớn
(Iiôn(Ne)=21,5eV) nên với điện áp nuôi vài trăm vôn, các e– (mà bức xạ tới tạo ra)
khi chuyển động trong điện trường chỉ đủ năng lượng để kích thích các phần tử
khí Neon. Nhưng sự va chạm giữa các phần tử Ar với các phân tử Ne (xác xuất
xảy ra va chạm giữa chúng rất lớn) đã thúc đẩy nhanh khí Ne giải phóng năng
lượng kích thích bằng cách phát xạ phôtôn và chính các phôtôn này, thông qua
hấp thụ quang điện, giúp cho thác điện tử phát triển mau chóng dọc theo anốt,
gây phóng điện trên toàn ống đếm ngay ở điện áp thấp. Vì vậy, sự có mặt một
lượng nhỏ khí Ar trong ống đếm halogen đã làm cho ống đếm làm việc ở điện áp
nuôi thấp hơn so với ống đếm GM dùng khí dập tắt hữu cơ.
Trạng thái kích thích đầu tiên của khí Neon là trạng thái giả bền. Nếu các
phôtôn bị giải phóng “chậm” từ các trạng thái kích thích này thì các e– sinh ra
“muộn” có thể khởi động sự phóng điện mới, gây ra xung giả. Vì vậy, sự va
chạm giữa phân tử khí Ar với phân tử khí Ne, buộc Ne phải nhanh chóng rời bỏ
trạng thái kích thích và do đó hạn chế bớt các xung giả gây bởi các e – quang điện
sinh ra muộn. Tuy vậy, lượng xung giả trong ống đếm Halogen thường lớn hơn
lượng xung giả trong ống đếm GM chứa khí dập tắt là khí hữu cơ. Xung giả cũng
tăng lên theo điện áp nuôi nên Platô của ống đếm halogen dốc hơn.
Lê Vũ Văn
21
PHẦN 2-THIẾT KẾ MÁY ĐO LIỀU GAMMA THEO PHƯƠNG PHÁP

ĐO KHOẢNG THỜI GIAN GIỮA CÁC SỰ KIỆN
2.1. Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt động của mạch
Hình 2-1 - Sơ đồ khối
Hoạt động của mạch được mô tả như hình 2-1.
Khi mạch được cấp nguồn, vi điều khiển xuất xung điều khiển. Xung điều
khiển vừa bật cao áp, vừa điều khiển bộ thời gian mở sau thời gian trễ τ (thời
gian để cao áp đạt giá trị làm việc của ống đếm) để phát xung vào bộ đếm.
Lê Vũ Văn
22
Khi bức xạ rơi vào ống đếm gây ion hóa chất khí tạo ra các hạt mang điện.
Các electron và ion di chuyển về các cực dưới điện trường lớn gây ra thác điện
tích tạo thành tín hiệu điện tại đầu ra của ống đếm. Tín hiệu qua bộ hình thành
xung qua Trigơ RS làm lật trạng thái của Trigơ sẽ điều khiển bộ thời gian đóng
lại đồng thời làm ngắt cao áp.
Vi điều khiển sẽ đếm khoảng thời gian từ lúc bộ thời gian bắt đầu phát
xung vào bộ đếm tới khi đóng. Số đếm sẽ được truyền ra máy tính. Để tiếp tục
đếm với xung tiếp theo vi điều khiển điều khiển cho cao áp hoạt động trở lại.
Quá trình được lặp lại như trên. Khoảng thời gian vi điều khiển đếm được tỉ lệ
với suất liều đo. Nếu khoảng thời gian đó càng nhỏ tức số hạt bức xạ được ghi
nhận càng lớn, do đó suất liều tại vị trí đo lớn. Ngược lại, nếu khoảng thời gian
đo được lớn tức số hạt bức xạ được ghi nhận nhỏ, do đó suất liều tại vị trí đo
nhỏ.
Để thực hiện ý tưởng trên mạch nguyên lý bao gồm các khối nguồn nuôi
cấp điện áp thấp áp cho toàn mạch, khối cao áp cấp cao áp nuôi đầu ghi, ống
đếm GM để ghi nhận bức xạ, khối điều khiển trung tâm, bộ đo thời gian, khối
giao tiếp máy tính qua cổng COM.
Lê Vũ Văn
23
2.2. Mạch nguyên lý

JP1
D1 HEADER 10
R1
330k
10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1N4148
R2 VCC
R3 560k
3
100k GND VCC GND
C1 GND
12V VCC RV1
LCD0
LCD2
LCD3
LCD1
LCD4
LCD5
1N C2 10K 2
U1A
3
1 U1B U1C 12V Bien ap
R4 3 5 8 T1 TR1 10N/2KV C3
100K 2 4 10 2 C535 D2
VCC GND
6 9 1 3
CD4093BCN 1 3
1
100T 1000T S1 100N
CD4093BCN CD4093BCN C4 GND R5
1N4148 GND VCC
1
100N D3 SW-SPST 100K
12V VCC 1N4148
VREF
1
GND C5
C6 R6 LCD0 2 40
AN0 RB7
VPP
R7 3K3 2 LCD1 3 39
GND 2 AN1 RB6
3
RV2 2.2M 0T 10nF/2KV LCD2 4 38

AN2 RB5
8
250K 10UF U2A U1D LCD3 5 37

AN3 RB4
2 R8 2 LM393N U3A 12 TRF4 LCD4 7 36
U4 D4 AN4 RB3
1M 1 1 11 LCD5 8 35
AN5 RB2
3
LM336 3 3 13 MPSA42 1N4148 9 34
AN6 RB1
2 C7 10 33 INTERRUPT
C8 CD4093BCN AN7 RB0
2 C9
CD4011BCN GND
1
100N D5 13 6
1N4148 GND OSC1 T0CKL
GND GND 10N/2KV R9
PIC16F877
GND GND R10 T2 1M 33pf Y1
1
C10 3K3 C11 4MHz 14 30
GND OSC2 RD7
VREF GND C12 29
RD6
33pf 15 28
GND T1CLK RD5
10N 16 27
R11 R12 RC1 RD4
3
RV3 GND 10nF/2KV 17 22
GND HV RC2 RD3
900K 200M 250K 18 21
RC3 RD2
2 C13 23 20
RC4 RD1
24 19
RX
TX
GND HV RC5 RD0
VCC VCC R13 10N/2KV U5
26
25
1M
1
12V C14 RS-232 RS-232
R16 R17 GND R14 R15
10k 10K 1M 1M
8
RV4 U2B 100PF/3KV

R18 50K C16 6 C15
U3B GND
50K 6 7 D6 10N/2KV
R19
1
4 5 1N4148
C17 5 100pF 10k GND JP2 U9B U9A
VCC LM393N
GND CD4011BCN R20 GND 1
4
GND CD4011BCN CD4011BCN

2
10N 2.2M
D7 R21 GND GM
3
U6A 10k
2
1N4148 3 C18 D8
1
VCC
CD4011BCN 100pF
U6B Diode 1N4148
5 D9
4
GND
6
Diode 1N4148
CD4011BCN
U6C
C19 8 R22
VCC 10 10K
9
100PF
VCC VCC R23 R24 CD4011BCN
2K 50K GND
4
U7
7
DISC
VCC
1
2
3
RST
2 GND
TRIG
R25 JP3
3 6 8K CON3
OUT THR 12V
U8 MC78M05CT
GND
5 JP4 1 3
CVOLT IN OUT VCC
C21 C22 C23
C20 2 GND
NE555N C24 C25 C26 C27
1
1
100PF 220UF 100N 100N

2
C28 CON2 100N 100uF 100N 100N

GND 100N GND
GND GND GND GND GND
GND GND
Hình 2-2: Sơ đồ nguyên lý toàn mạch
2.2.1 Khối cao áp

D1
R1
330k
1N4148
R2
R3 560k
100k GND
12V C1 VCC
1N C2
U1A
1 12V Bien ap
3
U1B U1C
R4 3 5 8 T1 TR1 10N/2KV
100K 2 4 10 2 C535 D2
VCC
6 9 1 3
CD4093BCN 1 3
100T 1000T
CD4093BCN CD4093BCN C4 1N4148
100N D3
1
12V VCC 1N4148

VREF
GND C5
C6 R6
R7 3K3 2
GND 2
RV2 2.2M 0T 10nF/2KV
3
250K 10UF U2A

8
U1D
2 R8 2 LM393N U3A 12 TRF4
U4 1M 1 1 11 D4
LM336 3 3 13 MPSA42 1N4148
3
2 C7
C8 CD4093BCN 2
100N CD4011BCN D5 GND
1
GND GND 1N4148 10N/2KV R9

GND GND R10 T2 1M
C10 3K3
1
VREF GND C12

GND
10N
R11 R12 RV3 GND 10nF/2KV
3
GND HV
900K 200M 250K
2 C13
GND HV
VCC VCC R13 10N/2KV
1M
12V C14
1
R16 R17 GND R14 R15

10k 10K 1M 1M
U2B 100PF/3KV
8
C16 6 C15
U3B GND
6 7 D6 10N/2KV
4 5 R19 1N4148
5 100pF 10k GND JP2
LM393N
CD4011BCN R20 GND 1
GND
4
2
2.2M
GND GM
Hình 2-3: Khối cao áp
Lê Vũ Văn
24
Khối cao áp có nhiệm vụ cấp điện áp từ vài trăm V đến vài kV cho đầu ghi
bức xạ tùy loại. Đồ án này sử dụng ống đếm GM halogen nên cao áp khoảng
400V là đủ cho ống đếm hoạt động. Sơ đồ nguyên lý như hình 2-3.
Nguồn cao áp hoạt động dựa theo nguyên tắc biến đổi DC-DC từ 12V
thành 400V.
IC 4093 là một bộ tự dao động đẩy kéo với biên độ dao động 12V. Dao
động này được nhân lên bởi biến áp và tiếp tục được chỉnh lưu nhân áp bởi hệ
thống điot, tụ điện cho điện áp ra 400V. Cao áp được điều chỉnh tăng giảm bằng
biến trở RV2. Mạch cao áp được ổn áp nhờ khuếch đại thuật toán bằng cách so
sánh một phần cao áp phản hồi về với một điện áp chuẩn để điều khiển biên độ
thế lối vào của mạch cao áp.
2.2.2 Chip vi điều khiển PIC16F877A
Chip vi điều khiển được sử dụng là PIC16F877A. Đây là loại chip vi điều
khiển được chế tạo bằng công nghệ CMOS tiêu thụ nguồn thấp, công nghệ
Flash/EEPROM tốc độ cao có khả năng xóa và lập trình lại và lưu trữ dữ liệu
trong bộ nhớ trên 40 năm. PIC16F877A là dòng vi điều khiển phổ biến tại Việt
Nam, dễ sử dụng và giá thành rẻ.
2.2.2.1. Các đặc điểm kỹ thuật của PIC16F877A
PIC16F877 là một vi điều khiển 8-bit có CPU kiểu kiến trúc RISC hoạt
động hiệu suất cao.
Người sử dụng chỉ phải lập trình với 35 lệnh đơn đơn giản.
Lê Vũ Văn
25
Tất cả các lệnh đều được thực hiện trong một chu kỳ lệnh chỉ trừ các lệnh rẽ
nhánh thực hiện trong hai chu kỳ lệnh.
Tốc độ hoạt động: - Xung clock tối đa 20 MHz
- Chu kỳ lệnh thực hiện trong 200 ns
Dải điện áp nguồn rộng: từ 2.0 V đến 5.5 V
Dòng tiêu thụ: 220 µA (2 V, 4 MHz); 11 µA (2 V, 32kHz); 50 µA (stanby)
Bộ nhớ FLASH 8K x14 words
Bộ nhớ RAM 368 x 8 bytes
Bộ nhớ EEPROM 256 x 8bytes
Có các model 28 chân hoặc 40 hoặc 44 chân phù hợp với nhiều mục đích
khác nhau.
Sơ đồ chân và kiến trúc cơ sở của PIC16F877A được mô tả như hình 2-4 và

2-5.
Lê Vũ Văn
26
2.2.2.2. Chức năng các chân
Hình 2-4: Sơ đồ chân của PIC16F877A[1]
VSS (Chân 12, 31): chân nối đất.
VDD (Chân 11, 32): chân cấp điện áp 5V.
MCLR / Vpp (chân 1): chân reset chính (input) hoặc điện áp nạp chương
trình (output).
OSC1/CLKI (chân 13): lối vào xung thạch anh hoặc xung clock ngoài.
OSC2/CLKO (chân 14): lối ra xung thạch anh hoặc xung clock.
Lê Vũ Văn
27
* Các cổng xuất nhập:
Vi điều khiển tương tác với các linh kiện, thiết bị ngoại vi...qua cổng xuất
nhập (I/O port). Sự tương tác này rất đa dạng và thông qua quá trình tương tác đó
chức năng của vi điều khiển được thể hiện một cách rõ ràng.
Một cổng xuất nhập của vi điều khiển bao gồm nhiều chân xuất nhập (I/O
pin) tùy theo thiết kế và chức năng của vi điều khiển mà số cổng xuất nhập và số
chân trong mỗi cổng có thể khác nhau. Bên cạch đó, do vi điều khiển được tích
hợp sẵn các đặc tính ngoại vi nên bên cạnh chức năng là cổng xuất nhập, một số
chân còn có thêm các chức năng khác để thực hiện chức năng của các ngoại vi
đối với thế giới bên ngoài. Chức năng của từng chân trong các cổng xuất nhập
hoàn toàn có thể được xác lập và điều khiển thông qua điều khiển các thanh ghi
đặc biệt (SFR: Special Function Register) liên quan tới chân xuất nhập đó.
Vi điều khiển PIC16F877A có 5 cổng xuất nhập gồm PORTA, PORTB,

PORTC, PORTD, PORTE.
+ PORTA (Cổng A) (chân 2 đến chân 7): là lối vào/ra số hai chiều; lối vào
tương tự; lối vào điện áp chuẩn A/D; lối vào Timer0 dùng xung ngoài; lối ra điện
áp mẫu bộ so sánh...
Các thanh ghi liên quan đến PORTA bao gồm:
PORTA (địa chỉ 05h): chứa các giá trị pin trong PORTA.
TRISTA (địa chỉ 85h): điều khiển xuất nhập.
CMCON (địa chỉ 9Ch): điều khiển bộ so sánh.
CVRCON (địa chỉ 9Dh): điều khiển bộ so sánh điện áp.
Lê Vũ Văn
28
ADCON1( địa chỉ 9Fh): điều khiển bộ biến đổi tương tự/số (ADC: Analog-
Digital Converter).
+ PORTB (Cổng B) (chân 33 đến chân 40): lối vào/ra số hai chiều; ngắt
ngoài; nạp chương trình ICSP điện áp thấp...
Các thanh ghi liên quan tới PORTB:
PORTB (địa chỉ 06h, 106h): chứa giá trị các pin trong PORTB.
TRISTB (địa chỉ 86h,186h): điều khiển xuất nhập.
OPTION_REG (địa chỉ 81h, 181h): điều khiển ngắt ngoài và Timer0.
+ PORTC (Cổng C) (chân 15÷18, 23÷26): lối vào/ra số hai chiều; lối vào/ra
bộ dao động Timer 1; lối vào bộ bắt giữ xung; lối ra bộ so sánh và bộ điều chế
độ rộng xung...
Các thanh ghi liên quan tới PORTC:
PORTC (địa chỉ 07h): chứa giá trị các pin trong PORTC.
TRISTC (địa chỉ 87h): điều khiển xuất nhập.
+ PORTD (Cổng D) (chân 19÷22, 27÷30): lối vào/ra số hai chiều; cổng dữ
liệu phụ (Slave) song song
Các thanh ghi liên quan tới PORTD:
PORTD (địa chỉ 08h): chứa giá trị các pin trong PORTD.
TRISTD (địa chỉ 88h): điều khiển xuất nhập.
TRISTE (địa chỉ 89h): điều khiển chế độ giao tiếp chính/phụ
(Master/Slave), điều khiển xuất nhập PORTE.
Lê Vũ Văn
29
PORTE (Cổng E) (chân 8÷10): lối vào/ra số hai chiều; đọc/ghi/lựa chọn
điều khiển cổng phụ (Slave) song song.
Các thanh ghi liên quan tới PORTE:
PORTE (địa chỉ 09h): chứa giá trị các pin trong PORTE.
ADCON1( địa chỉ 9Fh): điều khiển bộ biến đổi tương tự/số (ADC: Analog-
Digital Converter).
TRISTE (địa chỉ 89h): điều khiển chế độ giao tiếp chính/phụ
(Master/Slave), điều khiển xuất nhập.
Lê Vũ Văn
30
Hình 2-5: Sơ đồ khối của PIC16F877A[1]
Lê Vũ Văn
31
2.2.2.3 Timer/Counter (Bộ định thời/Bộ đếm)
a) Timer0
Bộ Timer0 có các đặc trưng sau:
+ Là bộ timer/counter 8-bit.
+ Có thể đọc và ghi
+ Cho phép lựa chọn xung clock nội hay ngoại tác động.
+ Ngắt timer0 xảy ra khi tràn giá trị từ 00h đến FFh.
+ Chọn sườn dương tác động đối với xung ngoài.
Sơ đồ khối của Timer0 với bộ chia tần số được mô tả như hình 2-6.
Việc lựa chọn Timer0 làm việc ở chế độ bộ định thời hay bộ đếm dựa trên
thiết lập bit T0CS (OPTION_REG <5>). Để hoạt động ở chế độ định thời bằng
cách xóa bit T0CS. Ở chế độ định thời, giá trị Timer0 tăng sau mỗi chu kỳ lệnh
(không bị chia). Nếu thanh ghi TMR0 được ghi thì giá trị tăng sẽ bị ngừng trong
2 chu kỳ lệnh tiếp theo. Người dùng có thể điều chỉnh giá trị ghi lên thanh ghi
TMR0 một cách linh hoạt. Chế độ bộ đếm được lựa chọn bằng cách đặt bit T0CS
mức 1. Ở chế độ đếm, giá trị Timer0 tăng sau mỗi xung tác động của sườn
dương hoặc sườn âm tại chân RA4/TOCK1.
Timer0 bị ngắt khi giá trị thanh ghi TMR0 tràn từ FFh về 00h. Khi đó cờ
ngắt của Timer0 là TMR0IF được set lên 1. Cờ ngắt phải được xóa bằng chương
trình trước khi bộ đếm thực hiện đếm lại từ đầu.
Lê Vũ Văn
32
Hình 2-6: Sơ đồ khối Timer0[1]
b) Timer1
Timer 1 cũng là bộ định thời/bộ đếm 16-bit bao gồm 2 thanh ghi 8-bit có thể đọc
và ghi (TMR1H và TMR1L). Giá trị của hai thanh ghi TMR1H và TMR1L tăng
từ 0000h đến FFFFh. Timer1 bị ngắt khi xảy ra tràn và bit cờ ngắt TMR1IF
(PIR1<0>) được set lên 1. Có thể điều khiển ngắt này hoạt động hay không bằng
cách set hoặc xóa bit điều khiển TMR1IE (PIE1<0>).
Chế độ hoạt động của Timer1 được điều khiển bởi bit lựa chọn xung clock
TMR1CS (T1CON<1>). Ở chế độ định thời, giá trị Timer1 tăng sau mỗi chu kỳ
Lê Vũ Văn
33
lệnh. Còn ở chế độ đếm, giá trị Timer1 tăng sau sườn dương của đầu vào xung
clock ngoài.
Bằng việc điều khiển bit điều khiển TMR1ON (T1CON<0>) có thể cho phép
Timer1 hoạt động hoặc không hoạt động.
Sơ đồ khối của Timer0 với bộ chia tần số được mô tả như hình 2-7.
Hình 2-7: Sơ đồ khối Timer1[1]
2.2.2.4. Thiết kế phần cứng cho chip vi điều khiển PIC16F877A
Thiết kế phần cứng của vi điều khiển PIC16F877A được mô tả như trên
hình 2-8.
+ Vi điều khiển xuất xung điều khiển cao áp ra chân 16.
+ Xung từ bộ đo thời gian đưa vào bộ đếm timer1 qua chân 15.
+ Xung ngắt ngoài đưa vào chân 33 (RB0).
+ Chân 13, 14 nối với thạch anh 4MHz.
Lê Vũ Văn
34
INTERRUPT
VCC
40
39
38
37
36
34
33
30
29
28
27
22
21
20
19
35
U9A
6
U5 1
RS-232
R5 PIC16F877 3
RB7
RB6
RB5
RB4
RB3
RB1
RB0
RD7
RD6
RD5
RD2
RD1
RD0
RB2
RD4
RD3
T0CKL
100K 2 JP3
25
TX CD4011BCN 3
1
VPP 2
26 U9B
RX GND 1
T1CLK
6
OSC1
OSC2
RS-232
AN2
AN3
AN4
AN7
AN0
AN1
AN5
AN6
R22
RC3
RC4
RC5
RC1
RC2
C3 4 CON3
100N S1 5 10K
SW-SPST
CD4011BCN
2
3
4
5
7
8
9
10
13
14
15
16
17
18
23
24
GND
JP1 D8 D9
Diode 1N4148
Diode 1N4148
10
LCD2
LCD3
LCD4
LCD0
LCD1
LCD5
LCD5
GND Y1
9 LCD4
8 LCD3
VCC GND
7 LCD2
4MHz
6 LCD1
C9 C11
5 GND 33pf 33pf
4 LCD0
3
GND GND
2 VCC
1
HEADER 10 GND
2
3 1
VCC GND
RV1
10K
Hình 2-8: Thiết kế phần cứng cho vi điều khiển
+ Vi điều khiển giao tiếp với máy tính bằng cổng COM qua chân 25, 26.
+ Vi điều khiển đưa chỉ thị ra LCD qua các chân 2, 3, 4, 5, 7, 8.
+ Chân 1 là chân reset.
Để vi điều khiển có thể hoạt động cần cấp nguồn nuôi 5V và xung dao
động. Xung này được cấp bởi mạch dao động gồm thạch anh (Y1) 4MHz, các tụ
điện C9, C11.
Lê Vũ Văn
35
2.2.3. Bộ đo thời gian

Xung dieu khien
RV4
50K GND
D7
C17 1N4148
10N
R18 U6B
5
50K 4 Dem
6
VCC
CD4011BCN
VCC VCC R23

2K
U7
8
7
DISC
2
TRIG
R25
RST
VCC
3 6 8K
OUT THR
5
CVOLT
GND
NE555N C20
100PF
1
C28
GND 100N GND
GND
Hình 2-9: Bộ đo thời gian
Bộ đo thời gian được mô tả như hình 2-9 gồm mạch tạo xung thời gian sử
dụng IC555 và một cổng NAND.
Khi có tín hiệu điều khiển từ PIC, tín hiệu được qua một mạch RC tạo trễ
với thời gian trễ τ = (R18 + RV4)C17 bằng thời gian hồi phục cao áp của ống đếm.
Sau thời gian τ cổng NAND được mở cho phép xung từ IC555 phát vào bộ
đếm. Kết thúc xung bức xạ, cổng NAND được đóng lại. Vi điều khiển sẽ đếm
thời gian được quy đổi từ lúc bắt đầu có xung tới khi kết thúc theo công thức:
T=1/f (µs)
với T - thời gian đo (đơn vị là µs)
f - tần số xung từ IC555 (đơn vị là kHz)
Lê Vũ Văn
36
Hoạt động: Tụ C20 được nối với lối vào của hai bộ so sánh của IC555. Nhờ
có sự phóng nạp của tụ C20 mà sơ đồ phát ra xung.
Đường nạp của tụ: +V→R23→R25→+C20→-C20→GND
Thời gian nạp τ n = C20 ( R23 + R25 )
Ban đầu lối ra bộ so sánh 2 (đầu vào là chân 2) có mức cao (H) nên ban đầu
Q=L làm cho tranzito (bên trong IC555) khóa và C20 có thể nạp. Khi điện áp
trên tụ U C 20 ≥ 2V 3 thì lối ra của bộ so sánh 1 (đầu vào là chân 6) có mức cao là
cho Q = H nên tranzito mở và tụ bắt đầu phóng.
Đường phóng của tụ: +C20→R25→tranzito→-C20
Do đó thời gian phóng: τ p = C20 R25
Khi điện áp trên tụ U C 20 ≤ V 3 thì tại lối ra bộ so sánh 2 có mức cao nên
Q=L làm cho tranzito khóa và C20 có thể nạp.
2.3. Ghép nối máy tính qua cổng COM
Cổng COM (hay cổng nối tiếp RS-232) là một trong những chuẩn giao tiếp
phổ biến được dùng để ghép nối thiết bị ngoại vi với máy tính. Cách ghép nối
này sử dụng phương pháp truyền thông theo kiểu nối tiếp trong đó có nhiều bit
được gửi đi dọc theo một đường dẫn. Khác với phương pháp truyền thông theo
kiểu song song, trong đó nhiều bit được gửi đồng thời. Ưu điểm chính của kiểu
ghép nối nối tiếp so với ghép nối song song là một đường dẫn được dùng để
truyền còn một đường khác để nhận.
Lê Vũ Văn
37
Chuẩn RS-232 khi mới ra đời là chuẩn không chính thức nhưng được nhiều
công ty máy tính và thiết bị đo lường chấp nhận. Sau đó, hiệp hội các nhà công
nghiệp điện tử đã xây dựng thành một tiêu chuẩn chính thức vào năm 1962. Tuy
nhiên chuẩn này chỉ cho phép sử dụng đường truyền ngắn với tốc độ thấp.
Có hai phiên bản RS-232 được lưu hành trong một thời gian dài là RS-232B
và RS-232C. Hiện nay, chỉ còn tồn tại chuẩn RS-232C, đôi khi nói ngắn gọn là
RS-232. Chuẩn này quy định khi ghép nối phải sử dụng cùng một loại đầu dây,
vi dụ loại đầu nối 25 chân hoặc 9 chân, được nối theo cùng một cách và phải sử
dụng cùng một mức điện áp khi biểu diễn các số nhị phân 1 và 0 tương ứng. Với
chuẩn này, nếu như mọi người cùng tham gia vào tiêu chuẩn theo cùng một cách
thì có thể kết nối với các thiết bị với cổng COM của các hãng khác nhau, các
mẫu mã khác nhau mà không cần thêm điều kiện nào.
Một trong những tham số đặc trưng cho quá trình truyền nhận dữ liệu qua
cổng COM là tốc độ truyền nhận dữ liệu. Điều đáng chú ý là bộ truyền và nhận
đều phải cùng hoạt động ở xấp xỉ tốc độ đó.
Trong khuôn mẫu khung truyền dị bộ (không đồng bộ), các bit bắt đầu dừng
và bit chẵn lẻ được bổ sung vào 7 bit dành cho ký tự mã ASCII. Như vậy cần
tổng cộng 10 bit để truyền một ký tự đơn. Với 2 bit dừng thì cần tổng cộng 11
bit. Nếu giả thiết có 10 ký tự thì tốc độ truyền tin là 110 bps (bit/giây). Như vậy,
tốc độ được đo theo các bit trong mỗi giây.
Ngoài tốc độ bit, còn có một thuật ngữ khác dùng để mô tả tốc độ truyền là
tốc độ baud. Tốc độ bit phản ánh tốc độ truyền thực tế mà các bit được truyền,
trong khi tốc độ baud liên quan với tốc độ mà các phần tử báo hiệu sự mã hóa
được sử dụng để diễn ra các bit truyền. Do một phần tử báo hiệu sự mã hóa một
Lê Vũ Văn
38
bit nên hai tốc độ là đồng nhất. Chỉ trong các modem, do có thêm các quá trình
biến đổi nên tốc độ bit mới khác tốc độ baud.
2.4. Lập trình cho vi điều khiển PIC16F877A
2.4.1. Chương trình soạn thảo và biên dịch CCS C
Một vi điều khiển muốn hoạt động được cần phải có một chương trình điều
khiển. Vi điều khiển chỉ hiểu và làm việc với hai con số 0 và 1. Lập trình cho vi
điều khiển là làm việc với các con số 0 và 1. Ngày nay các vi điều khiển có kiến
trúc phức tạp hơn và có nhiều thanh ghi lệnh hơn nên đòi hỏi sự ra đời của các
loại ngôn ngữ lập trình. Đầu tiên là ngôn ngữ hợp ngữ (assembly). Sau này khi
ngôn ngữ C ra đời, với các câu lệnh ngắn gọn và dễ hiểu hơn, mã lệnh được tối
ưu khi biên dịch nó dần được thay thế cho ngôn ngữ ASM trong lập trình. Cùng
với đó là sự ra đời của các chương trình soạn thảo và trình biên dịch C cho vi
điều khiển như: CCS C, HT-Pic, Keil C, Mikro C…Trong đồ án này sử dụng
trình soạn thảo và biên dịch CCS C. Đây là một công cụ mạnh cho việc lập trình
bằng ngôn ngữ C.
CCS C giúp người dùng nắm bắt nhanh vi điều khiển PIC và đạt hiệu quả
cao. CCS C chứa rất nhiều hàm phục vụ cho mọi mục đích và có nhiều cách lập
trình mã cho cùng một vấn đề dẫn đến khác nhau về tốc độ thực thi mã và độ dài
chương trình. Sự tối ưu đó là do kỹ năng lập trình của mỗi người dùng. CCS C
cũng có đủ khả năng để không cần phải chèn thêm bất kỳ dòng lệnh
ASSEMBLY (ngôn ngữ hợp ngữ - ngôn ngữ máy) nào. Nhưng CCS C vẫn cho
phép phối hợp với ASSEMBLY cùng với C, như cung cấp tiện ích giám sát hoạt
động của chương trình (C/ASM list) cho phép xem mã ASM của chương trình
Lê Vũ Văn
39
biên dịch, giúp người dùng quản lý mã và nắm được cách thức mã sinh ra và
chạy như thế nào. Và còn nhiều công cụ tiện ích khác trong mục Tool.
Hiện nay có khá nhiều hướng dẫn sử dụng CCS C nhưng quan trọng nhất
vẫn là phần Help của chương trình. Trong đó đã bao gồm tất cả các hướng dẫn
về khai báo biến, sử dụng câu lệnh và các ví dụ cụ thể.
Để bắt đầu một chương trình nhấn tạo một project. Chương trình sẽ khai
báo sẵn các thông số ban đầu như: loại PIC, tên PIC, Timer nào, dùng ở chế độ
gì, có sử dụng, ADC không....Tất cả các lựa chọn đó sẽ chuyển thành lệnh trong
chương trình, có thể xem mã sinh ra ngay trong phần này. Nhiệm vụ của người
lập trình là viết chương trình bằng các lệnh C trong CCS C.
Hình 2-10: Giao diện khởi động của CCS C
Lê Vũ Văn
40
2.4.2. Lưu đồ chương trìnhvới CCS C
Chương trình điều khiển PIC16F877A trong đồ án được mô tả như lưu đồ

hình 2-11.
Bắt đầu
Khởi tạo chương trình
(Đọc các thông số của chương trình, hệ số khớp hàm)
Bật cao áp
Đợi có xung bức xạ
Đọc bộ đếm
Tính trung bình
Khớp hàm
Truyền ra máy tính
Kết thúc
Hình 2-11: Lưu đồ chương trình điều khiển
Lê Vũ Văn
41
Bắt đầu chương trình, vi điều khiển PIC sẽ đọc các thông số khởi tạo ban
đầu trên các thanh ghi, đọc hệ số khớp hàm. Sau đó PIC xuất xung điều khiển ra
chân 16. Có xung điều khiển, cao áp sẽ hoạt động đồng thời bộ đo thời gian phát
xung vào bộ đếm. Đợi có bức xạ được ghi nhận, thì đồng thời bộ đo thời gian bị
đóng, cao áp ngừng hoạt động, và tạo tín hiệu ngắt. Khi đó vi điều khiển sẽ đọc
bộ đếm sau đó lưu số đếm vào bộ đệm để tính trung bình. Từ kết quả trung bình
PIC sẽ gán vào hàm để tính ra suất liều rồi truyền ra máy tính. Sau khi tính toán
PIC điều khiển cao áp hoạt động trở lại để thực hiện quá trình đếm với xung tiếp
theo. Vòng lặp sẽ ngừng khi có điều kiện sai.
Lê Vũ Văn
42
PHẦN 3 - KẾT QUẢ CHUẨN MÁY VÀ ĐO ĐẠC THỬ NGHIỆM
Dưới đây là một số hình ảnh về mạch in và ống đếm GM.
Hình 3-1: Mạch in hoàn thiện
Hình 3-2: Ống đếm GM đã được gá lắp
Lê Vũ Văn
43
Hình 3-3: Ống đếm có vỏ bọc
3.1. Nguồn bức xạ
Sử dụng nguồn Cs-137 có hoạt độ nguồn 37 MBq được đo ngày 28-8-2008

tại Trung tâm an toàn hạt nhân - Viện KH&KT hạt nhân.
Như vậy có thể tính được hoạt độ của nguồn Cs-137 tại thời điểm hiện tại
5/2010. Tính toán bằng phần mềm RadProCalculator do IAEA cung cấp và được
phát hành miễn phí trên mạng internet, hoặc tính toán trực tiếp hoạt độ nguồn
bằng công thức:
A = A0.exp( −λ t) = A0 .exp( −ln 2 t) (3-1)

T1/2
Trong đó:
A0, A: hoạt độ nguồn ban đầu và hiện tại (MBq)
λ : hằng số phân rã (=ln2/T1/2)

T1/2: chu kỳ rã nửa (đối với Cs-137: 30,7 năm)
t: thời gian từ lúc đo hoạt độ ban đầu tới hiện tại
được A = 35.6MBq
Lê Vũ Văn
44
Dùng chương trình RadProCalculator tính toán suất liều tại các vị trí cách
nguồn lần lượt 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70 (cm) được bảng kết quả
như bảng 1.
Bảng 1: Suất liều tại các vị trí cách nguồn một khoảng r (cm)
r (cm) Suất liều (µSv/h)
20 67.89
25 43.44
30 30.16
35 22.16
40 16.96
45 13.4
50 10.85
55 8.97
60 7.53
65 6.42
70 5.53
3.2. Tiến hành đo đạc
Nạp chương trình (phụ lục) cho PIC với giải thuật như lưu đồ hình 2-13.
Đặt nguồn Cs-137 tại vị trí cố định, dịch chuyển ống đếm theo khoảng cách đã
tính liều chiếu như bảng 1. Tiến hành đo tại mỗi vị trí 3 lần, mỗi lần lấy 5 số liệu.
Kết quả được thu thập và có bảng số liệu (phụ lục).
Lê Vũ Văn
45
Sử dụng phần mềm Excel vẽ đồ thị tương quan giữa suất liều và thời gian
như các hình 3-4.
Hình 3-4: Đồ thị chuẩn liều theo thời gian
Có thể thấy tương quan giữa suất liều và giá trị thời gian đọc từ bộ đếm
theo công thức thực nghiệm sau:
y = k.x-1 (3-2)
Với y: suất liều
x: thời gian đo
Từ đồ thị ta xác định được
k = 109
Sau khi xác định được hệ số k=109 đối với máy này, lập trình cho vi điều
khiển chuyển đổi số đếm ra suất liều.
Lê Vũ Văn
46
Từ đồ thị ta thấy suất liều tỉ lệ phi tuyến với số đếm. Kết quả có thể được sử
dụng để chuyển đổi thành suất liều theo công thức (3-2), tuy nhiên đây chưa
phải là kết quả như yêu cầu của bài toán đặt ra.
Có thể giải thích nguyên nhân dẫn tới kết quả đo không tuyến tính như sau.
Thời gian chết của ống đếm vẫn có ảnh hưởng lớn tới kết quả đo. Thời gian hồi
phục cao áp chưa hợp lý. Ngoài ra còn phải kể đến kỹ thuật chế tạo mạch in và
hàn linh kiện, điều này cũng ảnh hưởng lớn tới sai số của kết quả đo. Do đó để
phát triển tiếp đề tài cần tính toán thêm và hiệu chỉnh thời gian chết cho thiết bị
sao cho kết quả đo khả quan hơn.
Lê Vũ Văn
47
PHẦN 4 - KẾT LUẬN
Sau khi hoàn thành đồ án "Đo liều lượng bức xạ bằng phương pháp xác
định khoảng thời gian giữa hai sự kiện", các kết quả đạt được là:
- Hiểu rõ thêm lý thuyết vật lý hạt nhân cũng như điện tử đã học.
- Sử dụng phần mềm Protel DXP thiết kế mạch và chế tạo thành công mạch
điện tử thiết bị đo liều. Kết nối được mạch đo với máy tính.
- Nắm được hoạt động của chip vi điều khiển PIC.
- Kết quả đo đạc ban đầu ổn định.
- Từ kết quả đo tìm ra công thức thực nghiệm chuyển đổi ra suất liều.
- Hiểu rõ hơn quá trình làm thực nghiệm.
Về cơ bản đồ án đã hoàn thành một thiết bị đo liều sử dụng vi điều khiển và

ống đếm GM. Song vẫn còn các hạn chế là:
- Kết quả đo chưa tuyến tính như mong muốn do chưa loại bỏ được ảnh
hưởng thời gian chết của ống đếm.
- Thiết kế mạch in chưa chuyên nghiệp dẫn tới khó khăn trong việc kiểm tra
nếu có lỗi phát sinh.
- Phần lập trình phần mềm điều khiển còn đơn giản, chưa .
- Chưa có điều kiện để nắm bắt hết các chức năng của vi điều khiển PIC.
Hướng phát triển:
Lê Vũ Văn
48
Như đã nói ban đầu, mục đích của thiết bị này nhằm làm giảm hoặc loại bỏ
ảnh hưởng thời gian chết của ống đếm sao cho kết quả đo tuyến tính hơn nên
hướng phát triển tiếp theo là tính toán thêm để điều chỉnh một số yếu tố trong
thiết kế mạch điện tử, nâng cao kỹ năng thiết kế, chế tạo mạch, tìm hiểu và sử
dụng các chức năng khác của vi điều khiển.
Lê Vũ Văn
49
TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. Datasheet PIC16F877A
2. Th.S. Ngô Tiến Phán – Bài giảng điện tử hạt nhân
3. Th.S. Ngô Tiến Phán – Bài giảng kỹ thuật xung số
4. Phùng Văn Duân – An toàn bức xạ – NXB Bách Khoa 2006
5. ThS. Nguyễn Tất Thắng - Bài giảng xác định liều lượng bức xạ
6. TS. Trần Kim Tuấn – Bài giảng thực nghiệm hạt nhân
7. Các website: picvietnam.com, dientuvietnam.net ...
Lê Vũ Văn
50
Phụ lục
1. Kết quả đo đạc
Khoảng cách Lần 1 Lần 2 Lần 3

(cm) (ms) (ms) (ms)
1.52 1.72 1.52
1.17 1.34 1.56
20 1.44 1.48 1.68
1.45 1.41 1.42
1.44 1.56 1.40
2.44 2.61 2.39
2.19 2.34 2.59
25 2.59 2.39 2.21
2.41 2.44 2.77
2.32 2.45 2.48

30
3.23 3.22 3.43
3.68 3.51 3.36
3.93 3.50 3.45
Lê Vũ Văn
51
3.30 3.37 3.75
3.58 3.22 3.48
4.34 5.14 5.22
4.83 4.63 5.29
35 4.87 4.49 4.94
4.92 4.82 4.92
4.91 4.97 5.68
6.78 6.07 6.83
6.15 6.22 6.56
40 5.97 6.92 6.60
5.90 6.44 7.06
6.28 6.82 6.76

45
7.70 8.64 7.27
7.40 7.58 7.18
7.41 9.42 7.06
7.80 8.78 8.99
Lê Vũ Văn
52
8.42 7.50 8.20
9.80 9.78 10.40
10.82 9.56 9.67
50 10.12 9.43 10.43
9.10 10.75 11.00
10.42 9.73 9.96
11.98 12.06 11.66
10.46 11.83 11.22
55 11.80 11.86 10.88
10.94 10.63 11.00
11.95 13.40 11.28
13.62 15.46 13.80
14.73 13.87 13.57
60 13.23 13.03 15.01
14.50 13.66 15.02
13.81 13.90 13.81

65 18.52 15.83 16.19
Lê Vũ Văn
53
16.89 15.76 15.45
16.91 17.21 17.08
16.19 15.71 16.89
17.21 15.80 16.85
17.66 17.80 18.14
18.34 18.44 20.40
70 21.80 17.41 20.50
18.25 20.78 19.27
18.32 17.72 20.59
2. Chương trình phầm mềm điểu khiển PIC:
#include <16F877A.h>
#include <def_877a.h>
#include <math.h>
#FUSES NOWDT //No Watch Dog Timer
#FUSES XT //Crystal osc <= 4mhz
#FUSES NOPUT //No Power Up Timer
#FUSES NOPROTECT //Code not protected from reading
#FUSES NODEBUG //No Debug mode for ICD
#FUSES NOBROWNOUT //No brownout reset
Lê Vũ Văn
54
#FUSES NOLVP //No low voltage prgming, B3(PIC16) or

B5(PIC18) used for I/O
#FUSES NOCPD //No EE protection
#use delay(clock=4000000)
#use rs232(baud=9600,parity=N,xmit=PIN_C6,rcv=PIN_C7,bits=8) //giao tiep

//noi tiep voi may tinh
#include <lcd_lib_4bit.c>
int8 i;
short int st;
unsigned int32 count;
float tbcount,dose;
void hv();
//void average();
//------------------------------------
#int_EXT
void EXT_isr()
Lê Vũ Văn
55
st=1;
count=get_timer1();
set_timer1(0);
// printf(" %ld \r\n",count);
//=====================================
void main()
setup_adc_ports(NO_ANALOGS);
setup_adc(ADC_OFF);
setup_psp(PSP_DISABLED);
setup_spi(SPI_SS_DISABLED);
setup_timer_0(RTCC_DIV_256|RTCC_INTERNAL);
setup_timer_1(T1_DIV_BY_1|T1_EXTERNAL);
setup_timer_2(T2_DISABLED,0,1);
setup_vref(FALSE);
enable_interrupts(INT_EXT);
Lê Vũ Văn
56
enable_interrupts(GLOBAL);
ext_int_edge(H_TO_L);
set_timer1(0);
TRISA=0x00; //PORT A LA OUTPUT
TRISB=0xff; //PORT B LA INPUT
TRISE=0x00; //PORT E LA OUTPUT
TRISC=0x01; //PIN_C0 PORT C LA INPUT
// TODO: USER CODE!!
i=0;
hv();
st=0;
while(TRUE)
delay_ms(10);
if (st==1)
Lê Vũ Văn
57
tbcount+=count;
i++;
if(i>=55){ i=0; tbcount /= 55; printf(" %.2f \r\n",tbcount);}
st=0;
dose = 103.4*312500/tbcount; //312500 : tan so xung chuan - quy doi

//ve thoi gian
hv();
//hv();
//====================================
void hv() //dieu khien cao ap
output_high(PIN_C1);
output_low(PIN_C1);
Lê Vũ Văn
58
//================END=================
Lê Vũ Văn
59
3. Danh mục hình vẽ, bảng

Hình 1-1: Sơ đồ nguyên tắc hoạt động của ống đếm khí
Hình 1-2: Vùng điện áp làm việc của các loại ống đếm khí
Hình 1-3: Sơ đồ mắc ống đếm
Hình 1-4: Phân bố cường độ điện trường trong ống đếm trụ
Hình 1-5: Thời gian chết, thời gian phân giải, thời gian hồi phục của ống đếm GM
Hình 1-6: Đặc trưng đếm của ống đếm GM
Hình 2-1: Sơ đồ khối
Hình 2-2: Sơ đồ nguyên lý toàn mạch
Hình 2-3: Khối cao áp
Hình 2-4: Sơ đồ chân của PIC16F877A
Hình 2-5: Sơ đồ khối của PIC16F877A
Hình 2-6: Sơ đồ khối Timer0
Hình 2-7: Sơ đồ khối Timer1
Hình 2-8: Thiết kế phần cứng cho vi điều khiển
Hình 2-9: Bộ đo thời gian
Hình 2-10: Giao diện khởi động của CCS C
Hình 2-11: Lưu đồ chương trình điều khiển
Hình 3-1: Mạch in hoàn thiện
Hình 3-2: Ống đếm GM đã được gá lắp
Hình 3-3: Ống đếm có vỏ bọc
Hình 3-4: Đồ thị chuần liều theo thời gian
Bảng 1: Suất liều tại các vị trí cách nguồn một khoảng r (cm)
Lê Vũ Văn

Do An Tot Nghiep Le Vu Van Final

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Do An Tot Nghiep Le Vu Van Final

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

4

PHẦN 1- TỔNG QUAN VỀ CÁC THIẾT BỊ ĐO LIỀU LƯỢNG BỨC XẠ......7

1.1. Cơ sở vật lý của đo liều lượng bức xạ............................................................7

1.2. Ống đếm Geiger-Mueller (GM).....................................................................7

1.2.1. Các quá trình diễn ra trong ống đếm GM.................................................13

1.2.2. Thời gian phân giải của ống đếm GM.......................................................17

1.2.3. Đặc trưng đếm của ống đếm GM..............................................................18

PHẦN 2-THIẾT KẾ MÁY ĐO LIỀU GAMMA THEO PHƯƠNG PHÁP ĐO

2.1. Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt động của mạch..............................................21

2.2. Mạch nguyên lý............................................................................................23

2.2.1 Khối cao áp.................................................................................................23

2.2.2 Chip vi điều khiển PIC16F877A................................................................24

2.2.2.1. Các đặc điểm kỹ thuật của PIC16F877A...............................................24

2.2.2.2. Chức năng các chân...............................................................................26

2.2.2.3 Timer/Counter (Bộ định thời/Bộ đếm).....................................................31

2.2.2.4. Thiết kế phần cứng cho chip vi điều khiển PIC16F877A.......................33

2.2.3. Bộ đo thời gian..........................................................................................35

2.3. Ghép nối máy tính qua cổng COM..............................................................36

2.4. Lập trình cho vi điều khiển PIC16F877A....................................................38

2.4.1. Chương trình soạn thảo và biên dịch CCS C............................................38

2.4.2. Lưu đồ chương trìnhvới CCS C.................................................................40

PHẦN 3 - KẾT QUẢ CHUẨN MÁY VÀ ĐO ĐẠC THỬ NGHIỆM...............42

3.1. Nguồn bức xạ...............................................................................................43

3.2. Tiến hành đo đạc..........................................................................................44

PHẦN 4 - KẾT LUẬN........................................................................................47

TÀI LIỆU THAM KHẢO...................................................................................49

PHẦN 1-TỔNG QUAN VỀ CÁC THIẾT BỊ ĐO LIỀU LƯỢNG BỨC XẠ

1.1. Cơ sở vật lý của đo liều lượng bức xạ

1.2. Ống đếm Geiger-Mueller (GM)

Sơ đồ điện của ống đếm như hình 1-3.

Hình 1-3: Sơ đồ mắc ống đếm[2, 6]

a là bán kính anốt

b là bán kính catốt

ξ (r) Miền khuếch đại khí

1.2.1. Các quá trình diễn ra trong ống đếm GM.

b. Sự dập tắt phóng điện.

- Tác động từ bên ngoài

1.2.2. Thời gian phân giải của ống đếm GM.

1.2.3. Đặc trưng đếm của ống đếm GM.

Hình 1-6: Đặc trưng đếm của ống đếm GM[6]

PHẦN 2-THIẾT KẾ MÁY ĐO LIỀU GAMMA THEO PHƯƠNG PHÁP

2.1. Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt động của mạch

Hình 2-1 - Sơ đồ khối

Hoạt động của mạch được mô tả như hình 2-1.

2.2. Mạch nguyên lý

RV2 2.2M 0T 10nF/2KV LCD2 4 38

250K 10UF U2A U1D LCD3 5 37

RV4 U2B 100PF/3KV

GND CD4011BCN CD4011BCN

100PF 220UF 100N 100N

C28 CON2 100N 100uF 100N 100N

Hình 2-2: Sơ đồ nguyên lý toàn mạch

2.2.1 Khối cao áp

12V VCC 1N4148

250K 10UF U2A

GND GND 1N4148 10N/2KV R9

VREF GND C12

R16 R17 GND R14 R15

Hình 2-3: Khối cao áp

2.2.2 Chip vi điều khiển PIC16F877A

2.2.2.1. Các đặc điểm kỹ thuật của PIC16F877A

Tốc độ hoạt động: - Xung clock tối đa 20 MHz

- Chu kỳ lệnh thực hiện trong 200 ns