Mở đầu

1. Định nghĩa

Vô tuyến điện là khoa học về thu phát sóng điện từ đi xa không dùng đường dây.
Hiện nay, vô tuyến điện được dùng rộng rãi trong các lĩnh vực khoa học và đời sống
như trong truyền thanh, truyền hình, thông tin vệ tinh, thông tin vũ trụ..., trong quốc phòng
(radar), điều khiển các quá trình công nghệ trong sản xuất, đo lường và xử lý số liệu, trong
viễn thám, dự báo khí tượng...

2. Yêu cầu

- Tín hiệu truyền đi hoặc thu nhận phải trung thực (không méo).
Trong khi đối với các ngành năng lượng khác như điện kỹ thuật thì yêu cầu về hiệu
suất là một vấn đề cần thiết. Còn đối với vô tuyến điện thì trái lại, chất lượng hình ảnh, âm
thanh là yêu cầu hàng đầu.
- Nâng cao độ nhạy máy thu hoặc xử lý tín hiệu chìm trong phông nhiễu.
Hiện nay, việc chuyển dần từ truyền tin tương tự sang dạng số (điện thoại số, truyền
hình số...) đã đảm bảo được chất lượng hình ảnh âm thanh, có thể ghép nối máy tính và
mạng quốc tế.

3. Lịch sử phát triển

Để có được những thành tựu như ngày nay, vô tuyến điện đã phải trải qua một giai
đoạn phát triển lâu dài. Có thể kể ra một vài cột mốc phát triển:
- 1820, Osted phát minh ra sự tương tác giữa dòng điện và nam châm.
- 1826, định luật Ohm ra đời.
- 1831, phát minh ra định luật Faraday (tương tác điện từ, cảm ứng điện từ trường)
và cho rằng sóng điện từ được truyền đi với một vận tốc hữu hạn và cho rằng cần
có một môi trường truyền dẫn lực điện từ.
- Tiếp đến Maxwell tính toán các phương trình truyền sóng và tính được vận tốc
truyền sóng
c
v=
εµ
c tốc độ ánh sáng
ε hằng số điện môi
µ hằng số từ môi
Ông cũng cho rằng cần có một môi trường truyền dẫn (ete). Nhưng những thí
nghiệm không chứng minh được sự tồn tại của chất ete.
- 1888, Hez đã chứng minh được sự tồn tại sóng điện từ.
- 1896, Popov đã truyền và thu được tín hiệu phát đi cự ly ngắn (250m).
- 1901, Lebedev đã chứng minh được sự tồn tại năng lượng ánh sáng, tức là

1
 chứng minh ánh sáng như một dạng tồn tại của vật chất).
- 1904, phát minh ra đèn hai cực (diode chân không).
- 1906, phát minh ra đèn ba cực.
- 1922, chế tạo ra chất bán dẫn.
- 1948, transistor ra đời.
- Tiếp theo các mạch tổ hợp IC, các máy tính điện tử, thông tin vũ trụ...
Phải khẳng định một điều là những nghiên cứu khoa học về vật liệu cũng như các
ngành khoa học khác (truyền sóng, trang thiết bị đo lường... ) đã giúp cho vô tuyến điện có
điều kiện phát triển như ngày nay.
Về ngành vô tuyến điện bản thân cũng cần nghiên cứu phát triển như: xây dựng thiết
kế lý thuyết mạch, lý thuyết điều khiển, lý thuyết ổn định, nghiên cứu xác suất trong lĩnh
vực xử lý tín hiệu... điều chế, số hóa, mã hóa và giải phóng thông tin. Nghiên cứu ứng
dụng ở các băng tần số khác nhau.

4. Các băng sóng vô tuyến

Loại sóng Bước sóng λ (m) Tần số f (MHz)

Sóng dài > 3000 < 0,1
Liên lạc trong bầu khí
Sóng trung 3000 ÷ 200 0,1 ÷ 1,5
quyển, trên mặt đất
Sóng ngắn 200 ÷ 10 1,5 ÷ 30
Sóng mét (cực ngắn) 10 ÷ 1 30 ÷ 300
Trái đất, vệ tinh
Sóng dm 1 ÷ 0,1 300 ÷ 3000
Băng C, Ku, liên lạc tàu vũ
Sóng cm 0,1 ÷ 0,01 3000 ÷ 30000
trụ về trái đất
Liên lạc giữa các tàu vũ trụ Sóng mm 0,01 ÷ 0,001 30000 ÷ 300000
Hiện nay thu tín hiệu từ vệ tinh có hai dải băng tần: băng C (3,35 ÷ 4,15 GHz), băng
Ku (10,95 ÷ 11,75 GHz). Liên lạc vệ tinh - trái đất phải tránh hai đỉnh hấp thụ bởi hơi nước
(22,2 GHz) và oxy (60 GHz).

5. Sơ đồ khối trạm thu phát vô tuyến

Bản thân âm thanh tiếng nói không truyền đi xa được. Dải âm tần 20Hz ÷ 3,2KHz.
Muốn truyền âm thanh đi xa cần phải gửi sóng âm vào sóng cao tần thuộc băng sóng vô
tuyến mang năng lượng cao. Quá trình đó gọi là quá trình điều chế. Còn giải điều chế là
quá trình tách sóng.

Phát cao tần Điều KĐCS Khuếch đại Tách Khuếch đại
ω chế cao tần cao tần sóng âm tần

âm thanh từ Khuếch đại

micro âm tần Ω

Khối máy phát Khối máy thu

2
Ăng ten
parabol
Phối hợp Tiền Bộ lọc Trộn Khuếch đại Máy thu
đầu vào khuếch đại dải tần trung tần vệ tinh
MT 900

Băng Ku (10,95 ÷ 11,75) GHz cab 75Ω

Băng C (3,35 ÷ 4,15) GHz Bộ lọc
dải
Trong máy thu vệ tinh còn hai lần chuyển đổi
tần số xuống 612MHz rổi xuống70MHz
đưa vào tivi Máy phát
Heteroin

3
Chương 1
Các mạch tuyến tính

1.1 Tín hiệu

Tín hiệu là biểu hiện vật lý của tin tức.

Ví dụ:
- Tín hiệu âm tần là dòng điện biến đổi theo quy luật của âm thanh.
Tiếng nói → micro → dòng điện I → khuếch đại ra loa.
- Tia sáng → tế bào quang điện → dòng iΦ→ biết được bản chất tia sáng chiếu tới.
- Tia phóng xạ → ống đếm → xung điện → bản chất tia phóng xạ.
Như vậy, mọi tín hiệu vào có thể là không phải tín hiệu điện nhưng để có thể đo
lường, xử lý và điều khiển cần được chuyển sang tín hiệu điện.

1.1.1 Tín hiệu tuần hoàn

Là tín hiệu mà sau mỗi khoảng thời gian xác định, giá trị của nó được lặp lại
f(t) = f(t +T)
T chu kỳ (s)
f = 1/T tần số (Hz)
Tín hiệu tuần hoàn đơn giản nhất là tín hiệu sine đơn sắc điều hòa
A(t) = Amsin(ωt+ϕ) hoặc
A(t) = Amcos(ωt+ϕ)
ω tần số góc, ω=2πf=2π/T
ϕ pha ban đầu
ωt+ϕ pha tức thời
Mọi tín hiệu tuần hoàn phức tạp đều có thể phân tích thành chuỗi Fourie của các tín
hiệu điều hòa.

1.1.2 Tín hiệu không tuần hoàn

Là tín hiệu không lặp lại sau những khoảng thời gian nhất định.
Tín hiệu không tuần hoàn đơn giản nhất là xung đơn (hay còn gọi là hàm đơn vị)
0 khi t < 0
η( t ) = 1t =  1 1(t)
1 khi t ≥ 0
t
Hàm đơn vị chậm τ được kí hiệu là: 0

0 khi t < τ
η( t − τ) = 1t − τ =  1 1(t)
1 khi t ≥ τ
t
0 τ

1.2 Các phần tử cơ bản của mạch điện

1.2.1 Phần tử tuyến tính và phi tuyến

4
1.2.1.1 Phần tử tuyến tính
Là các phần tử không phụ thuộc vào I và U
UR
R= = const
IR
UL
φ dIL
L= = = const
I dt

C=
q
=
∫
IC dt
= const
UC UC

1.2.1.2 Phần tử phi tuyến

Ngược với tuyến tính, là các phần tử phụ thuộc vào I và U.
Nhiều khi, các linh kiện điện tử là phần tử tuyến tính hay khong còn tùy thuộc vào các
điều kiện tác động bên ngoài. Chẳng hạn như các dụng cụ bán dẫn, khi chịu tác động của
các tín hiệu nhỏ thì là phần tử phi tuyến. Nhưng khi tín hiệu lớn thì là phần tử phi tuyến.

1.2.2 Mạch tuyến tính và mạch phi tuyến

1.2.2.1 Mạch tuyến tính

Là mạch chỉ bao gồm những phần tử tuyến tính. Quá trình tương tác điện được biểu
diễn bằng phương trình vi phân tuyến tính:
a&x&& + b&x& + cx& + dx + e = 0
Các hệ số a, b, …d, e không phụ thuộc vào x, nghĩa là không phụ thuộc vào I, U

1.2.2.2 Mạch phi tuyến

Là mạch chứa các phần tử phi tuyến, các hệ số của phương trình vi phân trên phụ
thuộc vào I và U.
Ví dụ: Từ thông φ của cuộn dây không tuyến tính theo I → L = f(I)
Diode, I không tuyến tính theo U → RDiode phi tuyến
φ I

I
U

Đặc tính của mạch tuyến tính là tuân theo nguyên lý chồng chất, khi tác động đồng
thời các suất điện động εi lên mạch thì
U = ΣUi I = ΣIi
Khi tác động vào mạch tuyến tính một phổ phức tạp sẽ không sinh ra phổ mới.

1.2.3 Các mạch tập trung, phân bố và điều kiện chuẩn dừng
Các phần tử RLC được mắc tập trung trong một mạch điện hoặc một tổ hợp mạch với
kích cỡ của mạch là l. Nguồn ε hoặc I tác động lên mạch có bước sóng λ.
Nếu λ >> l
thì mạch hoặc tổ hợp mạch trên được gọi là mạch tập trung và điều kiện trên được gọi
là điều kiện chuẩn dừng. Các mạch điện ta khảo sát sẽ thỏa mãn điều kiện chuẩn dừng.
Các mạch không thỏa mãn điều kiện trên được gọi là mạch phân bố (đường dây, cab

5
truyền, ống dẫn sóng…). Để giải quyết những bài toán cho mạch phân bố ta phải sử dụng
phương trình toán lý với những điều kiện biên cụ thể.
Các mạch tập trung có thể biểu diễn bằng các phương trình vi phân xây dựng dựa
trên hai định luật Kirchhoff về thế hiệu và dòng điện.
Xét từng phần tử tập trung R, L, C riêng rẽ (khi cho I = I0sinωt hoặc U = U0sinωt). Các
phần tử này là các phần tử tuyến tính vì giá trị của chúng không phụ thuộc vào điện thế
hoặc dòng điện. Nhưng thực tế, chúng là các phần tử phi tuyến nhưng mức độ phi tuyến
bé, và các thông số trở kháng của chúng đều phụ thuộc vào tần số.

1.2.3.1 Điện trở R

R
IR
U
R = R = const
IR
Dòng và thế cùng pha. Nếu cho I = I0sinωt thì U = U0sinωt, và U0 = RI0

1.2.3.2 Tụ điện C C
IC
q 1 1 π
UC =
C C
= ∫
Idt =
ωC
I0 sin(ωt − )
2 IC
1
ZC =
ωC
U0 = I0 Z C = I0 / ωC UC
Nhưng trên thực tế giữa hai má cực tụ C có tồn tại một lớp cách điện (giấy, không khí,
gốm, sứ, bán dẫn) nên tồn tại một điện trở. Có thể xem tụ với sơ đồ tương đương là tụ nối
tiếp hay song song với điện trở.

Cn Rn C//
A B A B
R//

Cn mắc nối tiếp Rn URn

- Ở đây Rn rất nhỏ → sinδ ≈ δ I AB
ϕ
tgδ ≈ δ δ
tgδ = Rn / ZCn = ωRnCn
- Dòng sớm pha hơn thế một góc ϕ ≤ π/2 U Cn U AB
- δ chính là góc lệnh pha giữa thế trên hai má tụ (thực tế) và
thế khi tụ là lý tưởng (R=0)
IC // I AB
Cn mắc song song Rn
- Tương tự như trên R// rất lớn → δ rất nhỏ
δ
tgδ = (1/R//) / (ωC//) = 1/ ωR//C// ϕ I R //
- δ chính là góc lệnh pha giữa dòng I thực tế và I qua tụ lý tưởng U AB
Độ phẩm chất Q
W
QC =
P
W = Uhd . I hd công suất kháng
P = Uhd . I hd . (sinδ ≈ δ) công suất tiêu thụ, phụ thuộc vào tính chất
cách điện của lớp điện môi

6
 1 1
→ QC = = ωR // C // =
δ ωR n C n
Đối với tụ xoay
C = aϕ + C0 (C0 là tụ khi ϕ = 0, ϕ là góc quay) C
L
Vậy đối với khung thì tần số riêng của khung phụ thuộc vào góc quay ϕ:
1 1 1
ω= =
LC L aϕ + C 0
Đối với tụ varicab, gốm áp điện hay điện dung lớp tiếp xúc p-n C
C = C0eaU
U
phụ thuộc phi tuyến vào U.
Điện dung Varicab hay được dùng để điều khiển tần số.

1.2.3.3 Cuộn cảm L L i = I0sinωt UL

di π
- UL = L = ωLI0 sin( ωt + ) IL
dt 2
dòng điện trong cuộn cảm chậm pha π/2 so với thế. L RL
- Thực tế cuộn cảm L còn tồn tại điện trở RL
Vì vậy, đặc trưng của cuộn cảm còn có thêm 3 thông số:
+ Điện trở cuộn dây RL và công suất tiêu tán P
+ Giá trị của RL tăng theo tần số
ωL
+ Độ phẩm chất: QL = , d đường kính dây
RL
d
RL = R 0 , δ độ xuyên sâu hiệu ứng skin
δ
1
δ= µ từ thẩm
πµfσ
f tần số
σ độ dẫn điện
Để cách điện thường phủ một lớp email cách điện.

1.3 Phương pháp phổ - Nguyên lý chồng chất

1.3.1 Phổ của hàm tuần hoàn

Xét tín hiệu tuần hoàn f(t)
f(t) = f(t+T1) T1 chu kỳ
f1 = 1/T1 tần số
ω1 = 2πf1 tần số góc
Có thể phân tích hàm tuần hoàn phức tạp trên thành chuỗi Fourie
∞
ao
f (t) = ∑
+ (a n cos ω1nt + b n sin ω1nt )
2 n=1
n: số tự nhiên

7
 T/2
ao 1
Với co =
2
= f ( t )dt
T −T / 2 ∫
T/2 T/2
2 2
an =
T −T / 2∫
f ( t ) cos nω1tdt bn = ∫ f ( t ) sin nω1tdt
T −T / 2
Nếu đặt cn2 = an2 + bn2 , tgϕn = bn/an thì
an = cncosϕn và bn = cnsinϕn
∞
Ta được f (t) = c o + ∑c
n =1
n cos(nω1t − ϕ n )

Hoặc dưới dạng phức

∞
f (t) = c o + ∑c
n=1
ne
j( nω1t − ϕn )

Như vậy, từ một hàm tuần hoàn phức tạp f(t) ta đã khai triển ra được tổng các thành
phần điều hòa đơn giản với tần số ω1, 2ω1, …nω1, biên độ là cn. Mỗi thành phần điều hòa
đó được gọi là một vạch phổ của tín hiệu.
- Tập hợp mọi thành phần biên độ cho phổ biên độ.
- Tập hợp mọi thành phần tần số cho phổ tần số.
- Tập hợp mọi thành phần pha cho phổ pha.
Xét phổ biên độ, biểu diễn các thành phần biên độ cn của f(t) sang dạng phức:
T/2
2
∫
jϕn
c n =| c n | e = f ( t )e − jnω1t dt
T −T / 2
c& n ( ω).T
Đặt Sn ( ω) =
2
T/2

∫ f (t )e
− jnω1t
→ Sn ( ω) = dt
−T / 2
∞
và f (t) = ∑S e
n =0
n
jnω1t

Mỗi thành phần điều hòa của phổ biên độ được biểu diễn bằng một vạch, độ cao
Sn ( ω) là độ lớn của biên độ. Sn (ω) là hàm mật độ phổ năng lượng, biểu diễn sự phân bố
năng lượng của tín hiệu dọc theo trục tần số ω.

| Sn |

ω
ω1 ω2 ω3 ω4

Như vậy, phổ của hàm tuần hoàn f(t) là một phổ vạch không liên tục. Các vạch phổ
cách đều nhau nên được gọi là phổ tuyến tính hay phổ điều hòa. Đường bao hình các
vạch phổ cho dạng của xung tuần hoàn f(t).
ω
1.3.2 Phổ của hàm không tuần hoàn
Giả thiết f(t) là hàm không tuần hoàn, phân tích theo chuỗi Fourie sẽ có dạng:

8
 ∞
1
f (t) =
2π − ∞ ∫
S(ω)e jωt dω

Trong đó, S(ω) là phổ liên tục của hàm không tuần hoàn
∞

∫ f (t )e
− jωt
S(ω) = dt
−∞

1.3.3 Nguyên lý chồng chất

Nguyên lý chồng chất là cơ sở cho việc khảo sát các mạch tuyến tính (không sử dụng
được với các mạch phi tuyến).
Nguyên lý được phát biểu như sau: Tín hiệu do nhiều nguồn ngoại lực gây ra không
phụ thuộc vào nhau. Giả sử ngoại lực f1(t) gây ra một nghiệm x1(t), ngoại lực f2(t) gây ra
một nghiệm x2(t) thì ngoại lực tổng cộng f1(t) + f2(t) sẽ gây ra nghiệm x1(t) + x2(t).
Nguyên lý chồng chất cho phép chỉ cần xét tác động của ngoại lực điều hòa đơn giản,
còn ngoại lực phức tạp sẽ coi là tổng tác động của các ngoại lực đơn giản (sine, cosine),
sử dụng phương pháp phân tích phổ Fourie.

1.4 Nguồn thế - Nguồn dòng - Phương pháp sơ đồ tương đương

1.4.1 Nguồn thế:

Là nguồn có trở nội Ri << RT. Vì vậy, điện áp lấy ra ổn định, ít thay đổi theo RT.
Ắc quy, pin (nguồn hóa học) có trở nội ∼0,1÷0,3Ω là các nguồn thế.
ε (t) A
U AB =
Ri Ri
1+ ε(t) ~ RT
RT
Vì Ri << RT → UAB ≈ ε(t) = const
B
1.4.2 Nguồn dòng
Là nguồn có trở nội rất lớn Ri >> RT. Khi đó, dòng điện hầu như không thay đổi khi
thay đổi trở tải.
ε(t) ε(t)
I= vì Ri >> RT → I≈ = const
Ri + R T Ri
Ví dụ tế bào quang điện có Ri ≈ 100MΩ là một nguồn dòng.
Tuy nhiên, việc phân biệt nguồn dòng hay nguồn thế có tính chất tương đối, tùy theo tỉ
số giữa Ri và RT. Nguồn thế thường được sử dụng trong các mạch khuếch đại, máy phát.
Còn nguồn dòng cung cấp cho mạch emittor của mạch khuếch đại vi sai.

1.4.3 Phương pháp sơ đồ tương đương

Là phương pháp để giản lược, nổi bật phần tử mà ta cần tính các đại lượng điện trên
đó và đơn giản hóa tính toán. Nghĩa là, thay một tập hợp phần tử của mạch bằng các phần
tử mới tương đương, yêu cầu làm sao cho thế và dòng qua các phần tử còn lại không đổi.
Ví dụ: Sơ đồ gồm nguồn U(t), trở nội Ri, mắc nối tiếp với R1 và R2 song song. Ta cần
khảo sát các đại lượng U2 và I2 trên R2. Ta sẽ chuyển về sơ đồ tương đương.

9
 i

Ri i1 i2
Rtđ
U(t) ~ R1 R2 ~
R2
Utđ = U(t)

 U( t ) = iR i + i1R 1

U( t ) = iR i + i 2R 2
 i = i1 + i 2

→ i1 = i2 . R2/R1
→ U(t) = (i1 + i2)Ri + i2R2
= (i2 . R2/R1 + i2)Ri + i2R2
= (R2/R1 +1) i2Ri + i2R2
= i2 Rtđ + i2R2
Trong đó, Rtđ = (R2/R1 +1)Ri

1.5 Phương pháp biên độ phức

Phương pháp biên độ phức là phương pháp biểu diễn các đại lượng điện thông qua
các số phức. Xét một khung RLC mắc nối tiếp.
L
Ta có phương trình:
di 1
L
dt
+ Ri +
C ∫
Idt = ε 0 sin pt ε0sinpt
R
d 2 i R di 1
↔ 2
+ + i = pε 0 sin pt C
dt L dt LC
Các đại lượng trên đều là thực. Để giải quyết bài toán trên bằng phương pháp biên độ
phức, thay:
i = X, 2δ = R/L, ω02 = 1/LC, pε0 = P0
→ && + 2δX
X & + ω 2 X = P cos pt
0 0

Ngoại lực dưới dạng phức p e jpt và tìm nghiệm dưới dạng một hàm phức X = Xe jpt
X&& + 2δX
& + ω 2 X = P e jpt
0 0
→  jpt
 X = Xe
Trong đó, X =| X | e jϕ là biên độ phức gồm giá trị tuyệt đối và pha.
& = jpXe jpt
X
&& = −p 2 Xe jpt
X
Thay vào ta được:
− p 2 X + 2δjpX + ω 02 X = P0
P0
→ X=
(ω 02 − p 2 ) + j2δp
So sánh với X =| X | e jϕ với ejϕ = cosϕ +jsinϕ, so phần thực với phần thực, phần ảo
r
với phần ảo sẽ tìm được |X| và ϕ, tức là tìm được nghiệm X( t ) =| X | e j(pt + ϕ ) gồm phần
r
thực và phần ảo, giữ lại Re X( t ) sẽ tìm được nghiệm thực ban đầu.

10
 Phương pháp biên độ phức rất thuận tiện vì chuyển được giải phương trình vi phân
về việc giải phương trình đại số.

1.6 Phương pháp toán tử

1.6.1 Khái niệm

- Với bài toán mà nguồn ngoại lực (Uvào) là nguồn điều hòa, việc sử dụng phương
pháp biên độ phức là rất thuận tiện. Tuy nhiên, khi nguồn tác động không phải là tín hiệu
điều hòa (chẳng hạn là tín hiệu dạng xung) thì quá trình điện xảy ra trong mạch điện không
phải là một quá trình dừng mà là quá trình quá độ. Lúc này không thể áp dụng phương
pháp biên độ phức.
- Với quá trình quá độ, sử dụng phương pháp toán tử ta sẽ chuyển được phương
trình vi phân (biến t) về phương trình đại số (biến p). Tương ứng có ánh xạ 1-1 như sau:
Hàm gốc f(t) Biến t Ura(t)
Hàm ảnh F̂(p) Biến p Ura(p)

1.6.2 Tính chất của toán tử:

1.6.2.1 Hàm gốc f(t) là một hàm phức của biến thực t nếu thỏa mãn 3 điều kiện:
- Liên tục khắp nơi trừ một số điểm gián đoạn loại 1.
- f(t) = 0 với mọi t < 0.
- f(f) tăng không nhanh hơn hàm mũ |f(t)| <Mest. M, s là số thực.
Nếu một hàm nào đó không thỏa mãn điều kiện 2 thì ta nhân nó với hàm đơn vị thì sẽ
thỏa mãn điều kiện 2

1.6.2.2 Hàm ảnh Laplace

- Nếu biết hàm gốc là f(t) thì sẽ suy ra hàm ảnh F̂(p)
∞

∫
F̂(p) = e −pt f ( t )dt
0
t biến thực

p biến phức
- Ngược lại, nếu biết hàm ảnh F̂(p) thì có thể tính được hàm gốc f(t)
a + j∞
1
f (t) = ∫ e pt F̂(p)dp
2πj a − j∞
a = Re (p)

1.6.2.3 Các định lý về quan hệ giữa hàm ảnh và hàm gốc

a) Tuyến tính αf ( t ) + βg( t ) → αF̂(p) + βĜ(p)
b) Đồng dạng
1 p
Mọi α>0 thì f ( αt ) → F̂( )
α α
c) Đạo hàm hàm gốc f ′( t ) → pF̂(p) − f( t =0 )

f n ( t ) → p nF̂(p) − p n−1f( t =0 ) − p n− 2 f(′t =0 ) − ...

d) Đạo hàm hàm ảnh F̂′(p) → − t.f ′( t )

F̂ n (p) → ( − t ) n .f ( t )

11
 t
F̂(p)
e) Tích phân hàm gốc Nếu g( t ) = f ( t )dt ∫
0
thì Ĝ(p) =
p
∞
f (t)
f) Tích phân hàm ảnh Nếu Ĝ(p) = F̂(p)dp ∫
p
thì g( t ) =
t

g) Định lý chậm Nếu gốc chậm τ thì tương đương ảnh chậm e-pτ
f ( t − τ) → e −pτF̂(p)
h) Định lý chuyển dịch Nếu ảnh dịch chuyển p0 thì gốc nhân với e p0 t
F̂(p − p 0 ) → e p0 t f ( t )
Các định lý trên đều có thể được chứng minh khi dựa trên quan hệ giữa ảnh và gốc
(mục 2)

1.6.2.4 Một số hàm ảnh và gốc tương ứng thông dụng

1 1
η(t) = 1(t) → t →
p p2
1 1
et → -t → −
p −1 p2
ω n!
sinωt → -tn →
p + ω2
2
p n+1
p p+λ
cosωt → e-λtcosωt →
p + ω2
2
(p + λ ) 2 + ω 2

1.6.2.5 Ví dụ cụ thể cho mạch điện

Biểu thức tích phân Biểu thức vi phân
Điện trở UR = IR.R ÛR = R ÎR
1
UC = UC (0) +
C ∫
idt
ÛC = UC (0) +
ÎC
Tụ điện pC
dUC
iC = C ÎC = CpÛC − CUC (0)
dt
dI ÛL = Lp ÎL − LIL (0)
UL = L L
dt
Cuộn cảm ÛL
1 ÎL = IL (0) +
IL = IL (0) +
L ∫
UL dt pL

Ở trên Ux(0), Ix(0) là hàm thời gian tại t=0. Nếu cho các giá trị ban đầu đó = 0 thì:
ÛR = R ÎR → R điện trở toán tử

ÎC 1
ÛC = → dung kháng toán tử
pC pC
ÛL = Lp ÎL → pL cảm kháng toán tử

1.7 Mạch vi phân, tích phân, mạch truyền

1.7.1 Hệ số truyền đạt

1.7.1.1 Tứ cực, nhị cực

12
 Lối vào Lối ra
Mạch điện Lối vào Mạch điện Lối ra

Hệ nhị cực Hệ tứ cực

1.7.1.2 Hệ số truyền đạt

- Là đại lượng đo bằng tỉ số giữa đại lượng lối ra trên đại lượng lối vào.
U ra
K= Hệ số truyền đạt thế
U vao
I ra
K= Hệ số truyền đạt dòng
I vao
U ra
K= Hệ số truyền đạt điện trở
I vao
I ra
K= Hệ số truyền đạt dẫn
U vao K
jϕ K0
- K là một đại lượng phức K =| K (ω) | e .
K0/√2
- K = K(ω) Đặc trưng tần số
ϕ = ϕ(ω) Đặc trưng pha
ω
- Dải truyền ∆ω = ωc - ωt ωt ωc

Trong đó, ωc, ωt là giới hạn tần số trên và dưới của vùng tần số truyền qua, thỏa
mãn điều kiện K0/√2 ≈ 0,707K0.

1.7.2 Mạch vi phân

Mạch vi phân là mạch mà tín hiệu lối ra tỉ lệ với vi phân tín hiệu lối vào:
dU vào
Ura = const
dt C

1.7.2.1 Mạch vi phân RC lối ra trên R r

& e jω t
Uv = U R Ura
a) Khảo sát đặc trưng dừng
Sử dụng phương pháp biên độ phức:
Uv
I=
1
R+
jωC
RU v jωCRU v
U ra = RI = =
1 1 + jωRC
R+
jωC
r
r dU v
r RC
dU v r r dt
Với jωU v = Ura → Ura =
dt 1 + jωRC
Nếu thỏa mãn điều kiện vi phân
r
r dU v
ωRC << 1 thì Ura = RC
dt

13
 K ra jωRC jωRC(1 − jωRC)
Xét K= = =
U v 1 + jωRC 1 + ω2 R 2 C 2
ω2 R 2 C 2 ωRC ω2 τ 2 ωτ
K= + j = +j
1+ ω R C
2 2 2
1+ ω R C
2 2 2
1+ ω τ
2 2
1 + ω2 τ 2
ω 4 τ 4 + ω 2 τ 2 ωτ 1 + ω 2 τ 2 ωτ
→ | K |= = =
(1 + ω τ )
2 2 2
1+ ω τ
2 2
1 + ω2 τ 2
Tại K = 1/√2 → ωτ = 1 → ωt = 1/τ 1.2 K
Qua đồ thị ta nhận thấy, ω càng thấp 1
τ2 τ
thì 1/ωC càng lớn, biên độ lối ra càng nhỏ 0.8
K=1/√2
0.6 τ1
→ các thành phần tần số càng thấp càng
0.4
khó đi qua mạch vi phân. τ1 < τ < τ2
0.2
Ứng dụng: 0
ωt ω
- Bộ lọc tần số cao, với vùng truyền qua từ ωt → ∞
- Biến thiên R → τ biến thiên → vùng truyền qua được mở rộng hay thu hẹp. Dùng để
điều chỉnh độ trầm bổng ở phía tần số thấp.
b) Khảo sát đặc trưng quá độ
Biểu diễn Ura dưới dạng toán tử:
Û v R
Û ra =
1
R+
pC
Với Uv =1(t): 1.2 U

1 1 1 1
Û ra = = 0.8 Uv = 1(t)
p 1 1
1+ p+ 0.6
pτ τ 0.4 Ura = e
-t/τ

0.2
Theo định lý dịch chuyển 0
t
Ura(t) =1(t).e-t/τ
Trong đó, τ = RC là hằng số thời gian
↔ Ura(t) = e-t/τ
Với Uv dạng xung vuông Uv =1(t) - 1(t-t’), bề rộng là t’
→ Ura(t) = 1(t).e-t/τ - 1(t-t’).e-(t-t’)/τ
t<0 Ura(t) = 0
0 ≤ t < t’ Ura(t) = e-t/τ

U
t ≥ t’ Ura(t) = e-t/τ - e-(t-t’)/τ
e-t / τ
τ càng nhỏ thì tín hiệu ra càng méo so với tín hiệu vào τ τ1 < τ
τ/t’ ≥ 50 xung ra gần giống xung vào τ1
t
τ/t’ < 50 xung ra bắt đầu bị méo τ1
-t/τ -(t - t’) / τ
τ/t’ ≤ 50 xung ra chuyển sang dạng xung kim τ e -e
điều kiện vi phân càng tốt thì xung càng nhọn
Ứng dụng: Tạo ra xung kim từ xung vuông lối vào. Điều kiện vi phân càng tốt thì xung
càng nhọn.

14
1.7.2.2 Mạch vi phân RL lối ra trên L
Điều kiện vi phân : τ << T, với τ = L/R R
r
r r di
UL = U ra = L I
dt
r Uv Ura
r r r r di L
Uv = UR + UL = Ri + L
dt
Phương trình có nghiệm
Uv
i= (1 − e − Rt / L )
R
L d
→ U ra = [ U v (1 − e − t / τ )]
R dt
Ứng dụng:
Dùng mạch tuyến tính RC hoặc RL để thay đổi phổ tín hiệu lối vào tạo tín hiệu lối ra
khác dạng ban đầu. Đó là một phương pháp để tạo xung dùng các mạch tuyến tính. Điều
cần thiết là tín hiệu vào phải có phổ phức tạp, vì tín hiệu đơn giản (sine…) không bị biến
dạng mà chỉ lệch pha.

1.7.3 Mạch truyền

Mạch truyền cho phép truyền qua đủ mọi thành phần tần số, tín hiệu lối ra giống như
tín hiệu lối vào.
Điều kiện cho mạch truyền ngược với điều kiện vi phân:
ωRC >> 1
Ứng dụng: Mạch truyền hay được sử dụng trong các máy thu thanh để truyền tín hiệu
không bị méo dạng.

1.7.3 Mạch tích phân

Mạch tích phân là mạch mà U ra = const U v dt ∫

1.7.3.1 Mạch tích phân RC lối ra trên C
a) Xét quá trình dừng R
r
r Uv
I= r
1 & e jωt
Uv = U
R+ C Ura
jωC
r
r r 1 Uv
→ U ra = I. =
jωC 1 + jωRC

15
 Khi ωRC >> 1 thì
r
r 1 Uv 1 r
RC jω RC ∫
U ra = = U v dt

Tương tự như trong mạch vi phân,

ta tính được hệ số truyền đạt thế: 1.2 |K|

1 1
K=
1 + jωRC 0.8
τ2 < τ 1
1/√2
0.6 τ2
1
↔ | K |= 0.4
1 + ω2 τ 2 ωc
0.2
τ1
Tại giá trị | K |= 1 / 2 sẽ có 0
ω
ω = ωc = 1/τ
gọi là giới hạn tần số cao.
Vậy khi thỏa mãn điều kiện tích phân ωRC >> 1 thì mạch RC lối ra trên C hoạt động
như một mạch lọc tần số thấp. Vùng truyền qua ∆ω = 0 ÷ ωc.
Muốn mở rộng vùng truyền qua thì phải tăng ωc, nghĩa là giảm τ (giảm R hoặc C).
b) Xét quá trình quá độ
Û v R 1
Û ra = Û v − Û R = Û v − = Û v (1 − )
1 1
R+ 1+
pC pτ
1.2
Với Uv(t) = 1(t) Ura
1
1 1 1 1 τ2
Û ra = (1 − )= − 0.8
τ
p 1 p 1
1+ p+ 0.6
τ1
pτ τ 0.4 τ2<τ<τ1
−t / τ
→ U ra ( t ) = 1 − e 0.2
t
0
Khi τ càng nhỏ thì Ura càng giống Uv.
Với Uv(t) = 1(t) - 1(t-t’) U

Khi 0 ≤ t ≤ t’ U ra ( t ) = 1 − e − t / τ τ < τ1
τ
t −t '
− τ1
Khi t > t’ U ra ( t ) = (1 − e − t / τ )e τ t
t’
τ càng tăng thì tín hiệu ra càng méo. Nếu τ quá lớn sẽ cho xung tam giác (gần
giống dạng tích phân).
τ/t’ =1/50 Ura giống Uv
τ/t’ = 1/10 bắt đầu méo
τ/t’ càng nhỏ, càng gần mạch tích phân.

1.7.3.2 Mạch tích phân RL lối ra trên R L

r r
r Uv Uv
U ra = R=
R + jωL L Uv Ura
1 + jω R
R
Nếu ωτ >> 1 (τ = L/R) thì
r
r R Uv R r
L jω L ∫
U ra = = U v dt

16
 Ứng dụng:
- Làm mạch lọc tần số thấp (không cho đi qua tần số cao), chống nhiễu.
- Làm mạch lọc nguồn chỉnh lưu (những thành phần biến đổi tần cao sẽ bị mất, chỉ
cho đi qua thành phần một chiều), tín hiệu giảm độ mấp mô.
- Tạo xung răng cưa, tam giác dựa theo việc điều chỉnh thời gian phóng nạp τ.
RC nhỏ
C phóng
Uv C nạp RC lớn

Ura
t

1.8 Các mạch cộng hưởng RLC

1.8.1 Mạch cộng hưởng RLC mắc nối tiếp

Khi đoản mạch nguồn E(t) thì dao động trong mạch là những dao động riêng tắt dần vì
trong khung có trở R sẽ là nguồn tiêu hao năng lượng dưới dạng nhiệt năng.
Khi E(t) là nguồn suất điện động xoay chiều tác động thì trong khung có thể duy trì
được dao động cưỡng bức. Dao động này có thể có biên độ lớn hơn nhiều so với độ lớn
E(t), đó là trường hợp cộng hưởng. Ta hãy xét trường hợp cộng hưởng này đối với mạch
RLC mắc nối tiếp. L
r
Giả sử E(t) = ε0cospt, I là dòng điện trong mạch.
Theo định luật Kirchhoff: C
E(t)
di 1
L + Ri +
dt C ∫
Idt = ε 0 cos pt R
r r
Biểu diễn E(t) dưới dạng phức E( t ) = ε 0 e jpt , tìm nghiệm phức I ( t ) = I e jpt
Thay vào ta được:
1
( jpL + R + )I = ε 0
jpC
ε0
→ I= là biên độ phức của dòng điện trong khung
1
R + j(pL − )
pC
1
Z = R + j(pL − ) = Re Z + Im Z là tổng trở phức của khung
pC
Vì I là biên độ phức nên được viết dưới dạng:
I = |I0|ejϕ = |I0|cosϕ + j|I0|sinϕ
ϕ là pha của dao động cưỡng bức so với ngoại lực
So sánh I ở hai công thức trên, tìm được
 ε0
 | I0 |=
 R + (pL − 1/ pC) 2
2

ϕ = arctg pL − 1/ pC = Im Z
 R Re Z
Đưa vào các ký hiệu
ω0 = 1/√LC tần số dao động riêng của khung

17
 γ = p/ω0 độ lệch tần
ω0L 1 ρ
Q= = = độ phẩm chất của khung
R ω0 RC R

L
ρ= trở đặc trưng
C
 I0 max
| I0 |=
 1 + Q 2 (γ − 1 )2
→  γ
 Q(1 − γ 2 )
 ϕ = arctg −
 γ
Theo kết quả này ta nhận thấy, khi p = ω0 sẽ xảy ra hiện tượng cộng hưởng thế.
Đặc điểm của cộng hưởng thế:
- Tổng trở Z cực tiểu Zmin =R
- Độ lệch pha ϕ =0
- Dòng điện I cực đại I = I0 max = ε0/R
- Sụt thế trên R UR CH = I0 max.R = ε0
- Sụt thế trên L UL CH = (pCHL). I0 max = (ω0L). (ε0/R) = Qε0
- Sụt thế trên C UC CH = 1/(pCHC). I0 max = 1/(ω0C). (ε0/R) = Qε0
Như vậy, khi cộng hưởng thì thế trên hai đầu cuộn cảm và tụ điện lớn gấp Q lần thế
hai đầu điện trở (cũng là thế lối vào). Vì thế, hiện tượng này được gọi là cộng hưởng thế.
Ta lần lượt xét sự phụ thuộc của các sụt thế này theo tần số p.
ε0
+ | UR | = | I 0 | R =
1 + Q 2 (γ − 1 )2
γ
Qγ 2 ε 0
+ | UL | = | I0 | pL =
γ 2 + Q 2 (1 − γ 2 ) 2
1 ε0
+ | UL | = | I 0 | =
pC γ 2
+ (1 − γ 2 ) 2
Q2
ε0 ε0.Q1
|UL| Q1 > Q2
|UC|
Q1 < Q2 ε0.Q1 Q1 > Q2

Q1 Q1
Q2 ε0.Q2 ε0.Q2
Q2 Q2
Q1

0 1 2 γ 0 1 2 γ 0 1 2 γ

- Đặc trưng pha, với ϕ là độ lệch pha giữa dòng và thế ϕ

π/2
Q(1 − γ 2 )
ϕ = arctg −
γ
ω0 ω
Tại vùng truyền qua 2∆ω:
+ 0 < p < ω0: mạch mang tính chất điện dung
-π/2
+ ω0 < p < ∞: mạch mang tính chất điện cảm

18
 + p = ω0: mạch thuần trở
- Xác định độ phẩm chất Q theo dải tần
| I0 | 1 1
= =
I 0 max 1 + Q (γ − 1 )
2 2 2
γ
ω02 ω02 ω 02 ω
→ Q= = ≈ = 0
ω0 − p
2 2
(ω 0 − p)(ω0 + p) 2ω0 ∆ω 2∆ω
ω0
→ Q=
2∆ω
Ứng dụng: Nhờ có tính chất cộng hưởng, khung có tính chất chọn lọc cao (Q càng
lớn, độ chọn lọc càng cao). Vì vậy, khung cộng hưởng được sử dụng như một bộ lọc dải
thông ở các tầng đầu lối vào của các máy thu thanh để bắt một số dải sóng nhất định.

I1 I2 R
1.8.2 Mạch cộng hưởng RLC mắc song song

1.8.2.1 Khi nguồn ε(t) là nguồn thế

C L
Phương trình Kirchhoff: ε(t) =ε0cospt
 1 1
∫
ε = C (I1 − I2 )dt → ε& =
C
(I1 − I2 )
 dI
 ε = RI2 + L 2
 dt
Từ phương trình thứ nhất, rút ra I2 thay vào phương trình thứ hai, ta được
dε dI d2 ε
ε( t ) = RI1 − RC + L 1 − LC 2
dt dt dt
r
Thay ε(t) dạng hàm phức ε(t) = ε0ejpt và tìm nghiệm I1 dưới dạng phức I1 = I1e jpt :
(R + jpL )I1 = ε 0 (1 + jpRC − p 2LC)
R + jpL
→ tổng trở phức: Z=
1 + jpRC − p 2LC
Chia cả tử và mẫu cho (-jpC):
L R RL R 1 R2 L 1
−j − (pL − ) − (pL − )
C pC C pC pC pC C pC
Z= = −j
1 1 2 1 2
R + j(pL − ) R 2 + (pL − ) R 2 + (pL − )
pC pC pC
Đặt ω0 = 1/√LC, γ = p/ω0, Q = ω0L/R
1 + jγQ
→ Z =R
γ
(1 − γ 2 ) + j
Q
1 + γ 2Q2
Thay Z =| Z 0 | e jϕ → | Z 0 |= R
γ
(1 − γ 2 ) 2 + ( ) 2
Q
Là giá trị tuyệt đối của điện trở cộng hưởng khung song song. Nó có tính chất của một
đường cong cộng hưởng. Do vậy, trường hợp này được gọi là cộng hưởng điện trở.
Khi γ = 1, |Z0| = RQ√(1+Q2). Nếu Q >> 1 → |Z0| = RQ2 = Qρ.
Như vậy, khi cộng hưởng p = ω0 thì điện trở của khung tăng lên Q lần. Lúc này, dòng

19
 Q1 .R
2 | Z0 |
Q1 > Q2
điện trong khung là nhỏ nhất.
Q1
L
ρ C ω02
1 Q2 .R
2
Q2
Q= = = = 2
R R R ω0 RC
ρ2 L ω 2L2 1
Z 0CH = = = 0 = 2
R RC R ω 0 RC 2 0 1 2
γ
Trong trường hợp này điện áp giữa hai đầu khung dao động ít thay đổi, gần bằng điện
áp nguồn ngoài. Nếu đo điện áp này thì sẽ không Ukhung
thấy cộng hưởng vì phụ thuộc vào nguồn. Muốn
quan sát cộng hưởng phải mắc nối tiếp một điện trở với khung
ω
1.8.2.2 Khi nguồn ngoài là nguồn dòng p=ω0
Phương trình điện áp hoàn toàn giống khung cộng hưởng mắc nối tiếp
 dI2 1
L
 dt
+ RI2 −
C ∫
I3 dt = 0 I1 I2 R
 I1 = I2 + I3
1
∫
C L
→ L&I2 + RI2 − (I1 − I2 )dt = 0 I(t) =I0e
jωt
C I3

→ &I& + R &I + I2 = I1
2 2
L LC LC

Đặt 2δ = R/L, ω0 = 1/√LC

→ &I& + 2δ&I + ω 2I = I ω 2 e jωt
2 2 0 2 0 0

Giống như khung cộng hưởng mắc nối tiếp, khi cộng hưởng (γ =1), dòng cực đại, điện
áp hai đầu khung tăng lên Q lần và gọi là cộng hưởng dòng điện (dòng trong hai nhánh
khung tăng lên Q lần).
Đặc trưng cộng hưởng:
| Z(ω) | 1
=
| Z( ω 0 ) | 1 + Q 2 (γ − 1 )2
γ
…

1.8.2.3 Ứng dụng cộng hưởng mắc nối tiếp và song song
1) Nhờ tính chất chọn lọc và khuếch đại điện áp nên
thường được dùng trong các mạch vào của máy thu thanh M

để chọn lọc hoặc loại bỏ những tần số không cần thiết. Máy L C
phát
2) Dùng trong các máy đo bước sóng : nối khung cộng
sóng
hưởng có đồng hồ đo, đặt gần khung máy phát. Chỉnh C
cho thấy cộng hưởng (dòng điện đồng hồ chỉ cực đại).
Qua giá trị L, C, tính được tần số máy phát ω=1/√LC.
3) Cộng hưởng điện trở có tính chất ngăn chặn các
tín hiệu có tần số trùng tần số riêng của khung. Vì thế,
điều chỉnh ω0 cộng hưởng với tần số trung tần ftt = 465KHz
để từ máy thu ftt không truyền ngược lại ra ăngten Máy
thu
tránh nhiễu cho các đài khác.

20
 4) Mạch cộng hưởng song song sẽ thu nhiễu tần số ωi
vào khung và truyền xuống đất, còn các tần số khác vào máy thu. Máy
5) Các máy đo phẩm chất Q-meter, đo C, đo L đều dựa thu
trên tính chất cộng hưởng của khung Q = fCH / 2∆f.
6) Để đo được đặc trưng cộng hưởng của khung song song khi nguồn E(t) là nguồn
thế, cần mắc nối tiếp một điện trở 5-10K từ nguồn vào khung để nguồn thế trở thành
nguồn dòng mới đo được điện trở của khung (tuy là độ phẩm chất có suy giảm do sự có
mặt của điện trở mắc song song với khung này).
7) Hiện tượng cộng hưởng có thể gây ra các chấn động mạnh trong cơ học (tòa nhà,
cầu đường...). Vì vậy, các động cơ hoặc nguồn phải có tần số khác xa tần số cộng hưởng
để tránh rung và giảm các chấn động có tính chất cộng hưởng.
8) Tính chất cộng hưởng còn được sử dụng trong các phép đo địa chấn, đo nhịp tim
trong y học...

L
1.9 Dao động riêng
E(t)=0 C
Dao động riêng tồn tại khi không có nguồn ngoại lực tác động.
R
Dao động riêng có thể là dao động của điện tích, dòng điện hoặc
điện thế trong khung. Trong các trường hợp đó, từ phương trình Kirchhoff
ta có được:
r& R r&
&q 1 r
+ q+ q=0
L LC
r r
d2 I R d I 1 r
hay + + I =0
dt 2 L dt LC
r r
d 2 U R dU 1 r
hoặc + + U=0
dt 2 L dt LC
Thay biến số bằng X, đặt 2δ = R/L, ω0 = 1/√LC, ta có:
X&& + 2δX
& + ω2 X = 0
0

1.9.1 Xét trường hợp có dao động (δ2 < ω02)

Nghiệm của phương trình vi phân bậc 2 là một hàm exp: x = A. eλt
→ λ2 + 2δλ + ω02 = 0
→ λ = -δ ± j√(ω02 - δ2) = -δ ± jω1
với ω12 = ω02 - δ2

→ X( t ) =
e − δt
2
[2A 1e jω1t + 2A 2 e − jω1t ]
2A1 = Aejϕ
2A2 = Aejϕ
e j( ω1t −ϕ ) + e − j( ω1t −ϕ )
= cos(ω1t − ϕ)
2
→ X(t) = (Ae-δt) cos(ω1t - ϕ) = (biên độ tại t). (phần dao động)
Đó là đối với trường hợp có dao động, ma sát nhỏ. Đặt τ0 = 1/δ là hằng số thời gian, δ
là hệ số tắt dần.
Xét phần biên độ Ae-δt giảm dần theo t với quy luật hàm exp. Ý nghĩa của τ0 là sau

21
 X(t)
thời gian này, biên độ giảm đi e lần. δt
Ae-
Đưa thêm vào đại lượng θ = δT1 = δ.2π/ω1 là -δt
Ae cos(ϖ1τ−φ)
decrement tắt dần. Xét ý nghĩa của decrement này:
t
Nếu tại t0, biên độ X = Ae-δto
Thì tại t1 = t0 + nT1, biên độ là X = Ae-δ(to-nT1)
Xn
→ = e −δnT1 = e − nθ
X
→ θ = -(1/n).ln(Xn/X)
Nếu θ = 0,001 thì sau n = 1000 chu kỳ, biên độ sẽ giảm đi e lần. Trong khung, θ =
(2÷5)%, có nghĩa sau 20÷50 chu kỳ dao động, biên độ giảm đi e lần. Do vậy, xem như θ
đánh giá khả năng duy trì dao động. θ nhỏ thì độ suy giảm ít và ngược lại.
Xét sự suy giảm năng lượng trong khung sau một chu kỳ dao động (ý nghĩa của 2θ)
r
r&
& r& q
Lq + Rq + = 0
C
r& r
r r q.q r
→ L&q&.q& + = − Rq& 2
C
r& 2 r 2
d Lq q r
→ [ + ] = − Rq& 2
dt 2 2C
r& 2 r 2
Lq q
Đặt W= + là tổng năng lượng dự trữ trong trường của cuộn cảm và tụ điện.
2 2C
r
→ dW = −Rq& 2 dt .
Lấy tích phân theo chu kỳ T1
t 0 + T1 t 0 + T1
r2
∫ dW = −
t0
∫ Rq&
t0
dt

t 0 + T1 r
2RT1 1 Lq& 2 2RT1 2RT1 1
→ W ( t 0 ) − W ( t 0 + T1 ) = (
L T1 ∫
t0
2
dt ) =
L
.WL =
L 2
. W(t 0 )

W ( t 0 ) − W ( t 0 + T1 ) RT1
→ = = 2δT1 = 2θ
W(t 0 ) L
Vậy 2θ là sự suy giảm tương đối của năng lượng sau mỗi chu kỳ.

1.9.2 Trường hợp không có dao động (δ2 > ω02)

Với công thức λ = -δ ± j√(ω02 - δ2) = -δ ± jω2 với ω22 = ω02 - δ2
Thay vào nghiệm X(t), ta thấy chuyển động không còn tính chất dao động mà có một
trong những dạng sau:
X X X

t t t

Đó là những chuyển động tới hạn, giống con lắc dao động trong chất lỏng (hệ số ma
sát lớn) thì lúc đó sẽ không có dao động.

22
1.9.3 Xét tác động của ngoại lực (dưới dạng chuỗi xung vô tuyến)

1.9.3.1 Khi R = 0
Thực tế R rất nhỏ, ví dụ vòng dây làm bằng chất siêu dẫn. Khi đó, dạng bài toán:
&& + ω 2 X = E cos pt
X 0 0

sẽ có nghiệm riêng và nghiệm cưỡng bức X = X0 + X1

Khi E0=0 có nghiệm riêng: X0 = asinω0t - bcosω0t
Còn khi E0≠0 thì có cả nghiệm cưỡng bức X1 = λcospt
→ X(t) = asinω0t - bcosω0t + E0cospt /(ω0 – p2) 2

Đặt điều kiện ban đầu vào nghiệm: t = 0, & =0

X= X
Thay vào nghiệm X(t) → a = 0, b = E0 / (ω02 – p2)
E0
Do đó X( t ) = [cos pt − cos ω0 t ]
ω 02 − p2
E 0 t cos pt − cos ω 0 t
X( t ) =
(ω 0 + p) (ω 0 − p)t
(ω 0 − p)t
sin
E0 t (ω + p)t 2
X( t ) = sin 0
(ω 0 + p) 2 (ω 0 − p)t
2
Khi cộng hưởng ta có:
(ω 0 − p)t
sin
2 →1 (p → ω0 )
(ω 0 − p)t
2
E0 t
→ X( t ) = sin ω 0 t
2ω0

E0 t
X( t ) = sin ω 0 t
2ω 0
Uv=E0cosω0t

Trường hợp xung vô tuyến

1.10 Khung liên kết

Các mạch vi phân, tích phân nếu thỏa mãn các điều kiện vi phân, tích phân tương
ứng thì khi tín hiệu truyền qua sẽ bị méo dạng (một số thành phần tần số thấp hoặc tần số
cao của phổ tín hiệu sẽ bị chặn lại, không cho truyền qua). Nếu là mạch truyền thì tín hiệu
truyền qua không biến dạng. Nếu là mạch lọc thì phổ tín hiệu sẽ bị thoát xuống đất, chỉ còn

23
lại thành phần một chiều. Cầu Wishton có tính chất chọn lọc gần giống như các mạch cộng
hưởng (mạch lọc tích cực).
Khung cộng hưởng có tính chất chọn lọc trong dải tần 2∆f nên cũng không truyền
được các tín hiệu có phổ không nằm trong vùng 2∆f. Độ phẩm chất Q của khung càng cao
thì phổ tín hiệu càng hẹp. Để mở rộng dải tần và nâng cao tính chọn lọc Q, người ta phải
liên kết hai hoặc nhiều khung cộng hưởng với nhau.

1.10.1 Ảnh hưởng của mạch liên kết

R1 R2
Xét tác động của hai khung liên kết hỗ cảm:
Giả sử nguồn ε(t) = ε0ejωt. ε(t) I1
M I2

Phương trình điện thế hai khung: L1 L2

r r C2
 r d I1 1 r d I2 C1
ε( t ) = I1R 1 + L 1
 dt
+
C 1
∫
I1dt + M
dtr
 r
r r
 0 = I R + L d I2 + 1 I dt + M d I1
 2 2 2
dt C 2
2 ∫ dt
Tìm nghiệm dưới dạng:
r r
I1 = I1e jωt , I2 = I2 e jωt
 1
 ε 0 = I1R 1 + jωL 1I1 − j ωC I1 + jωM I2
→ 
1
1
0 = I2R 2 + jωL 2 I2 − j I2 + jωM I1
 ωC 2
1 1
Ký hiệu X 1 = ωL 1 − , X 2 = ωL 2 −
ωC 1 ωC 2
→
jωM I1
→ I2 = −
R 2 + jX 2
Đặt I2 vào phương trình thứ hai trong hệ phương trình, ký hiệu Z22 = R22 + X22

ω 2M 2
→ ε 0 = I1 (R 1 + jX1 + )
R 2 + jX 2
Tách phần thực và phần ảo
ω 2M 2 ω 2M 2
ε 0 = I1 (R 1 + jX1 + R 2 − j X 2 ) = I1Z td
Z 22 Z 22
ω 2M 2 ω 2M 2
→ Z td = (R 1 + R 2 ) + j( X 1 − X 2 ) = R td + jX td
Z 22 Z 22
Như vậy, hai khung liên kết có thể thay bằng một khung tương đương có trở hoạt và
trở kháng tương đương. Rtd
2 2
ω M
R td = R 1 + R2
Z 22 ε(t) Xtd
2 2
ω M
X td = X1 − X2
Z 22
Như vậy, phần trở hoạt và trở kháng của khung 1 bị ảnh hưởng rõ rệt bởi khung 2.

24
1.10.2 Đặc tính cộng hưởng
Tính như khung cộng hưởng nối tiếp, chỉ thay R=Rtd, X=Xtd để tìm tần số cộng hưởng.
Hiện tượng cộng hưởng sẽ xảy ra khi tổng trở kháng của mạch điện tương đương X td = 0.
1 ω 2M 2 1
(ωL 1 − )− ( ωL 2 − )=0
ωC 1 1 2 ωC 2
R 22 + ( ωL 2 − )
ω 2
C
- phương trình tần số.

1.10.2.1 Nếu hai khung liên kết mạnh (χ≈ 1 ↔ M lớn)

Với χ = M2/L1L2 gọi là hệ số liên kết.
1 1
n12 = , n 22 = là các tần số riêng phần của khung I và khung II
L 1C1 L 2C2
Khi bỏ qua R2
n12 n 22
→ (1 − 2
)(1 − ) = χ2
ω ω2
→ ω4(1- χ2) - ω2(n12 – n22) + n12.n22 = 0
Giải phương trình này ta xác định được hai tần số cộng hưởng ω1 và ω2.
Hai tần số này chỉ trùng với tần số riêng (n1,n2) của từng khung I và II khi χ = 0.
n12 n 22
(1 − 2
)(1 − )=0
ω ω2
1
có hai nghiệm ω12 = n12 =
L 1C1
1
ω 22 = n 22 =
L 2C 2
Nếu χ ≠ 0 sẽ tìm được hai tần số ω1 ≠ n1, ω2 ≠ n2 và nằm ngoài hai tần số n1, n2

liên kết

không
Không tính đến R2
liên kết

2 2 2 2
ω1 n1 n2 ω2

Hai tần số cộng hưởng n1, n2 nằm rất xa nhau, không chồng lên nhau

1.10.2.2 Nếu hai khung liên kết yếu (χ ≈ 0 ↔ M nhỏ)

Khi đó, không thể bỏ qua sự có mặt của R2
 n 22 
 χ 2
(1 − ) 
n 2
ω  = 0 , đặt d 2 = R 2
ωL1 (1 − 2 ) −
1 2
 ω n 2
 ωL 2
 d 22 + (1 − 2 ) 2 
 ω2 
Vì ωL1 ≠ 0 nên

25
 n 22
χ 2 (1 − )
n 12 ω2
(1 − 2 ) − =0
ω n 22 2
d 2 + (1 −
2
)
ω2
Xét trường hợp mạch lọc dải, khi hai khung hoàn toàn giống nhau (L1 = L2 = L,
C1 = C2 = C), liên kết yếu (n1 = n2 = n), đặt độ lệch tần (ω, n)
n 12 n 22 n2
ξ = 1− = 1 − = 1 −
ω2 ω2 ω2
χ2
→ ξ(1 − )=0
d 22 + ξ 2
Có 3 nghiệm +ξ=0 → ω3 = n
2
+ ξ1,2 = ±√(χ - d22) → có hai nghiệm thực ω1, 2 khi χ2 > d22
Khi χ < d2 (liên kết yếu), hai khung hoàn toàn giống nhau thì ξ1,2 là ảo chỉ còn một
nghiệm thực ξ = 0.
Như vậy, khi liên kết yếu ta có một tần số cộng hưởng ω3 = n. Còn khi liên kết mạnh,
có hai tần số cộng hưởng ω1, ω2 cách xa tần số n (ứng với ξ1, ξ2).

χ=d2
liên kết lớn hơn tới hạn χ>d2
(liên kết mạnh) liên kết nhỏ hơn tới hạn
χ<d2
(liên kết yếu)
Có mặt R2

ω1 n ω2

Như vậy, mặc dù hai khung hoàn toàn giống nhau, tăng độ liên kết sẽ mở rộng dải tần
số cộng hưởng (2∆f) của khung tương đương. Nhiều khi sử dụng 3 hoặc 4 khung giống
nhau liên kết sẽ tạo được vùng truyền rộng. (mạch lọc dải rộng trong radio, tivi…), trong
các mạch đo bước sóng, đo tần số máy phát Uv Cp Cp Ura
cần độ ghép yếu, cần R2 nhỏ để không tiêu thụ
năng lượng máy phát và đồng hồ đo có độ nhạy cao.

1.11 Biến thế

Trong trường hợp biến thế, độ ghép giữa các cuộn dây luôn là ghép chặt (χ≈1 ↔
M≈√L1L2). Biến thế tần số thấp thường dùng lõi sắt non, biến thế âm tần thường dùng lõi
pecmaloy hoặc xuyến ferit.
LLK1 = L1 + Lks1
LLK2 = L2 + Lks2
Khi không tính đến từ thông khuếch tán hoặc những mất mát do xuất hiện dòng Fucô,
thì sơ đồ tương đương có thể bỏ qua Lks1, Lks2 và sơ đồ gần giống sơ đồ hai khung liên kết
với LLK1 ≈ L1, LLK2 ≈ L2
Từ thông liên kết Lks1 Lks2

I1 I2
ε(t) M
εoejωt RT RT
L1 L2

Từ thông khuếch tán

26
 Tính |I|, ϕ:
Tính toán như đối với hai khung liên kết
 ε = I1 Z td
 2 2 2 2
 Z = (R + ω M R ) + j( X − ω M X )
 td 1
Z 22
T 1
Z 22
2

thường RT >> R1 nên bỏ qua R1. Tìm được
ε
I1 = 2
=| I1 | e jϕ
ω L 1L 2 ω 2L 1L 2 ωL 2
R T + j(ωL 1 − 2 )
R 2T + (ωL 2 ) 2 R T + ( ωL 2 ) 2
ε
→ | I1 |=
2 2
 ω 2L 1L 2   ω 2L 1L 2 ωL 2 
 R  +  ω L − 
 R 2 + ( ωL ) 2 T   1 R 2 + ( ωL ) 2 
 T 2   T 2 
ω 2L 1L 2 ωL 2
ωL 1 −
R 2T + ( ωL 2 ) 2
và tgϕ =
ω 2L 1L 2
RT
R 2T + (ωL 2 ) 2
Công suất:
Công suất vào của biến thế:
P1 = Pra + Pkhuếch tán ≈ Pra (khi Pkhuếch tán = 0 công suất ra lớn).
P1 = ε.I1 cos ϕ đạt cực đại khi ϕ ≈ 0, điều này chỉ xảy ra khi ωL2 >> RT
ω 2L 1L 2 ωL 2
Khi đó ωL 1 − =0
R 2T + (ωL 2 ) 2
ε ε L1
Và I1 = = với R td = RT
L1 R td L2
RT
L2
Thường L1, L2 tỉ lệ với số vòng dây n12, n22 nên
L1 n ε
≈ ( 1 )2 → I1 =
L2 n2 n
R T ( 1 )2
n2

ωM I1 ω L 1L 2 n ε n2
Dòng lối ra I2 = − =− I1 = − 1 I1 = − = −n I1
Z2 ωL 2 n2 R T n1
n = n1/n2 gọi là hệ số biến thế.
Dấu (-) chỉ dòng I2 ngược chiều
I2 n1
Vì vậy, =−
I1 n2

U2 R TI2 R T ε n2 U2 n
= =− → =− 2
U1 U1 ε R T n1 ε n1
Còn Rtd = RT. n2
Đây là 3 công thức tính toán cho điện trở, thế và dòng ra của cuộn thứ cấp biến thế
phụ thuộc vào hệ số biến thế n, trong đó I2 ngược pha I1, U2 ngược pha U1 (ε).

27
 Ứng dụng:
- Biến đổi thế và dòng ở lối ra theo mục đích yêu cầu
- Thay đổi cực tính của tín hiệu lối ra (đảo pha lối vào)
- Loại bỏ được thành phần một chiều ở lối ra
- Phối hợp trở kháng (Rtd = RT.n2) giữa hai tầng khuếch đại
Lưu ý:
- Quan hệ giữa suất điện động cảm ứng tạo ra với Φ là
dφ( t )
U=n , Φ(t)= Φ0ejωt
dt
U = jωnφ0ejωt = U0ej(ωt+π/2),
U0 = ωnφ0 biên độ thế.
φ0 = B0S B0 thông lượng bão hòa
n số vòng
S tiết diện ngang lõi biến thế
- Khi ở ω cao tổn hao do dòng Fucoult và tiêu tán lớn. Khi đó bài toán phải tính toán
đến Cks và Lks. Để giảm dòng Foucoult, chế tạo biến thế bằng các lá sắt non mỏng, mạ silic
cách điện và ép lại.
Để tránh bão hòa và không gây méo tín hiệu khi qua biến thế, người ta chọn lõi sắt có
đường cong từ trễ hẹp (vật liệu pecmaloy).
Để tránh ảnh hưởng của can nhiễu đến biến thế và ảnh hưởng ngược lại của biến thế
đến các bộ phận khác của mạch người ta phải bọc kim biến thế.

28
 Chương 2
Dụng cụ bán dẫn

2.1 Diode bán dẫn thường

Điện trở, tụ điện, cuộn cảm là các đơn vị tuyến tính (linear), hay còn gọi là các linh
kiện thụ động (passive), điều này có nghĩa là chúng không có khả năng tạo ra các nguồn
năng lượng trong bản thân chúng (built-in source of power).
Mạch vi điện tử (mạch tích hợp IC - Integrated Circuit) được cấu tạo bởi các diode,
transistor, điện trở. Còn các yếu tố L, C do kích thước lớn nên người ta không chế tạo nằm
trong vi mạch tích hợp. Các yếu tố này được mắc ở mạch ngoài để các đặc trưng của vi
mạch, hoặc dùng chúng để nối các vi mạch với nhau.
Diode, transistor thông thường cũng xuất hiện dạng đơn linh kiện. Một hoặc một vài
yếu tố này, kết hợp R, L, C sẽ tạo nên các mạch điện tử thực hiện được rất nhiều chức
năng đa dạng.
Diode là một dụng cụ bán dẫn phi tuyến có hai cực (non-linear two-terminal device).
Hoạt động của diode dựa trên tính dẫn điện một chiều của lớp tiếp xúc p-n của hai loại bán
dẫn p và n.

2.1.1 Khái niệm về chất bán dẫn ròng (intrinsic semiconductor)

Chất bán dẫn ròng là chất của các nguyên tố nhóm IV (Si, Ge). Giá trị điện trở suất
nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện: ρ chất dẫn điện < ρ bán dẫn < ρ chất cách điện. Ở nhiệt độ
cao, bán dẫn có xu hướng tiến đến thành chất dẫn điện. Ở nhiệt độ thấp thì sẽ nghiên về
tính chất của chất cách điện.
Trong chất bán dẫn ròng, mật độ các hạt tải điện
Si Si Si
điện tử - electron (-) tự do và lỗ trống - hole (+) bằng nhau:
n = n = ni ∈ nhiệt độ
Si Si
nếu nhiệt độ tăng thì Ni tăng.
Ở nhiệt độ phòng, n.p = 2,1.1019 cm-6 (Si) Si Si Si
26 -6
= 2,89.10 cm (Ge)
12
= 6.55.10 cm-6 (GaAs)
Tích n.p tại mỗi nhiệt độ xác định là một hằng số.
Khái niệm lỗ trống có nghĩa là nguyên tử khuyết đi 1 điện tử và trở thành điện tích
dương tự do.

2.1.2 Khái niệm về chất bán dẫn pha tạp (extrinsic semiconductor - doping of
semiconductor)
Nếu đơn thuần chỉ dừng lại ở chất bán dẫn tinh khiết thì không thể tạo ra các linh kiện
điện tử bán dẫn đa dạng được, vì rằng nồng độ điện tử và lỗ trống do nhiệt độ quy định.
Do đó, đã nảy sinh ra vấn đề là làm sao thay đổi được nồng độ điện tử nhiều lên, ít đi,
hoặc tương tự, nồng độ lỗ trống tăng lên, ít đi. Điều đó đã dẫn đến việc phân chia thành
hai loại bán dẫn khác nhau là loại n và loại p.
Ý tưởng tiếp theo là hai loại này có các nồng độ khác nhau, các loại này tiếp xúc với
nhau theo cấu trúc, độ dày mỏng các lớp, các kênh khác nhau sẽ hình thành nên một sự

29
rất phong phú đa dạng của các linh kiện điện tử. Các linh kiện này tùy theo sự cấu thành
trên, sẽ có chức năng, tần số hoạt động, khả năng chịu dòng, chịu thế, chịu nhiệt độ, độ
nhạy… là khác nhau và hoàn toàn đặc trưng cho từng nhóm linh kiện.
Để thay đổi nồng độ điện tử và lỗ trống, người ta pha lẫn tạp chất thuộc nhóm III và V.
- Loại N: pha lẫn tạp chất nhóm V, chẳng hạn As (Asen). As có 5 electron hóa trị,
trong khi Si chỉ có 4. Mỗi nguyên tử As sẽ thay thế một nguyên tử Si (Ge) nằm tại vị trí một
nút mạng tinh thể Si và thực hiện 4 liên kết đồng hóa trị với 4 nguyên tử Si kề cận xung
quanh bằng 4 e- của nó. Còn lại 1 e- còn lại sẽ bứt khỏi mạng tinh thể và trở thành electron
tự do và là phần tử tải điện. Khi này, chất bán dẫn có số điện tử nhiều hơn so với lỗ trống.
Độ chênh lệch chính là nồng độ tạp chất thêm vào.
Như vậy, loại bán dẫn này gọi là bán dẫn loại n với:
+ Electron là phần tử tải điện cơ bản (majority carrier)
+ Lỗ trống là phần tử tải không cơ bản (minority carrier)
Nguyên tử arsenic được gọi là donor vì khi ion hóa nó sẽ “cho” một electron thành
electron dẫn.
n-type silicon

Si Si Si

+ Excess
Si As + charge

Si - Si Si
Excess electron
from arsenic atom

- Loại P: pha tạp chất nhóm III, chẳng hạn là Bo (Boron), có 3 điện tử hóa trị. Cũng
như trên, các nguyên tử tạp chất nhóm III này sẽ thay thế tại vị trí các nút mạng của các
nguyên tử nhóm IV. Để thực hiện đủ 4 liên kết của vai trò một nguyên tử nhóm IV thì Bo
phải mượn 1 điện tử của một liên kết Si-Si trong mạng tinh thể. Khi đó sẽ để lại hậu quả là
một lỗ trống tại liên kết Si-Si này. Lỗ trống này là lỗ trống tự do và tham gia làm phần tử tải
điện chính. Mật độ lỗ trống được tạo thành chính là nồng độ tạp chất pha vào.
Như vậy, loại bán dẫn này gọi là bán dẫn loại p với:
+ Lỗ trống là phần tử tải điện cơ bản (majority carrier)
+ Electron là phần tử tải không cơ bản (minority carrier)
Nguyên tử Boron được gọi là acceptor vì khi ion hóa nó “nhận” một điện tử.

p-type silicon

Si Si Si

- Excess
Si Bo - charge

Si + Si Si
Positive hole, as one electron was removed
from a bond to complete the tetrahedral
bonds of the boron atom

2.1.3 Lớp tiếp xúc p-n

- Khi cho bán dẫn P tiếp xúc với bán dẫn N, do có sự chênh lệnh rất lớn về nồng độ
các hạt tải điện (electrons and holes) tồn tại gần miền tiếp giáp, lỗ trống sẽ khuếch tán từ P
sang N và điện tử khuếch tán từ N sang P qua lớp tiếp xúc (diffusion current).

30
 - Kết quả của việc di chuyển hai loại hạt tải cơ bản này là việc mất các electron, xuất
hiện các ion donor tích điện dương (+, positive) ở thanh bán dẫn N và mất các lỗ trống,
xuất hiện các ion acceptor tích điện âm (-, negative) ở thanh bán dẫn P. Toàn bộ vùng
chứa các ion này gọi là miền không gian tích điện (space charge region).
Miền này còn được gọi là miền nghèo (depletion region) vì sự nghèo nàn thiếu vắng
của các hạt tải cơ bản đã khuếch tán.
- Miền không gian bán dẫn nằm ngoài miền nghèo không bị ảnh hưởng, được xem là
miền trung hòa điện (neutral region)

Neutral Neutral
P-region N-region
xpo xno

Vbi

- Diode được chế tạo với một miền bán dẫn có nồng độ pha tạp lớn hơn so với miền
kia. Miền nồng độ lớn hơn được ký hiệu thêm với dấu (+), như là P+N hoặc N+P. Nồng độ
lớn hơn là cỡ khoảng 3 lần.
Toàn bộ diode gồm P-N là một thể thống nhất trung hòa về điện, và tổng điện tích
miền ion (+) bằng và ngược dấu với tổng điện tích miền ion (-):
-qNA-xpo = qND+xno
Vì mức độ pha tạp chất hai miền khác nhau nên xpo ≠ xno
- Việc tồn tại miền điện tích dương một bên và điện tích âm một bên sẽ làm hình
thành một điện trường hướng từ N → P. Điện trường ngược chiều với sự khuếch tán các
hạt tải cơ bản, nó sẽ lôi cuốn các electron từ P sang N và các hole từ N sang P
(drift current).
- Điện trường này sẽ tương ứng với sự hình thành một hiệu điện thế nội tại nơi miền
tiếp xúc. Hàng rào thế này ngăn trở việc khuếch tán của các phần tử tải cơ bản. Ký hiệu
của hàng rào thế này là Vbi
KT N A ND
Vbi = ln
q n i2
Với tiếp giáp của bán dẫn Si, Vbi = 0.7 ÷ 1V. Của bán dẫn Ge, Vbi = 1.0 ÷ 1.4V
Driff and diffusion currents:
Tại trạng thái cân bằng nhiệt, khi không có nguồn điện bên ngoài tác động, dòng của
các electron và và dòng của các lỗ trống bằng không.
Ielectron - diffusion N → P = - Ielectron - driff P → N
Ihole - diffusion P → N = - Ihole - driff N → P
- Trên thực tế, một diode được chế tạo có cấu trúc và hình dạng như sau:

31
 Metal top contact
P-semiconductor
N-semiconductor
5 µm
+
N -semiconductor
P N 100 µm

Metal back contact

2.1.4 Phân cực cho diode

Phân cực cho diode (biasing a diode) là quá trình đặt một nguồn thế (hoặc nguồn
dòng) vào giữa hai tiếp xúc kim loại của bán dẫn N và P. Hiệu thế phân cực này, tùy theo
chiều, sẽ làm cho diode bị phân cực thuận (forward direction) hay phân cực ngược
(reverse direction).
Đối với phân cực thuận, một hiệu điện thế nhỏ sẽ tạo ra một dòng điện lớn đi qua
diode. Trong khi phân cực ngược, dòng là rất nhỏ, có thể xem như bỏ qua. Chỉ trừ khi hiệu
thế ngược rất cao, hiện tượng đánh thủng (breakdown) sẽ xảy ra. Hiện tượng biểu hiện là
dòng điện rất lớn tại một hiệu thế ổn định.
I(mA) Ge Si GaAs
I(mA)
10
8
6 forward
4
-40 -20 2
Va(V)
0
reverse Va(V) 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

breakdown
I

2.1.4.1 Phân cực thuận

+ -
- Hiệu điện thế đặt vào làm cho P có điện thế dương hơn N, r Va
r r + Ea
→ E a ↑↓ E bi làm cho điện trường giảm, hàng rào thế cũng V
r R
giảm, miền nghèo hẹp lại → điện trở lớp tiếp xúc (trở nội của - E bi
r
diode) giảm. E

V V Va < 0
Va > 0

Vbi -Va
Vbi -Va Vbi Vbi

x x
forward case reverse case

- Khi phân cực thuận, khi hàng rào thế giảm xuống, điện tử trong N sẽ khuếch tán
sang P một lượng rất lớn (diffusion current). Dòng khuếch tán này lớn hơn nhiều so với
dòng dịch electron (driff current) khi electron di chuyển theo lực điện trường từ P sang N.
Tương tự, lỗ trống sẽ khuếch tánt từ P sang N, và dòng khuếch tán này lớn hơn nhiều
so với dòng dịch khi lỗ trống di chuyển từ N sang P.
- Kết quả là mật độ điện tử trong P tại miền nghèo tăng lên, và hình thành electron

32
gradient trong miền P. Tương tự, lỗ trống sẽ có một phân bố hole gradient trong miền N.
Hai gradient này sẽ hình thành bởi dòng khuếch tán (diffusion current), nhưng không
phải của các hạt cơ bản mà là của các phần tử tải không cơ bản. Điều đó có nghĩa là, hole
khi ở bên P là majority carrier, nhưng khi đã sang bên N lại là minority carrier. Ngược lại,
electron khi ở bên N là majority carrier, nhưng sang P sẽ là minority carrier. Và dòng điện
trong đặc trưng V-I thu được ở trên thì chính là dòng khuếch tán của các hạt tải không cơ
bản này. Dòng này biến đổi theo quy luật hàm exponent.
Biểu thức dòng có dạng: pop
Va = 0 non
qD p p on qD n n op qV
I = A[ + ][exp a − 1] P N
Lp Ln kT
pon
nop
Trong đó, depletion
region
A tiết diện lớp tiếp xúc
pop Va > 0
Dp, Dn hằng số khuếch tán
non
(diffusion constant)
P N
pon mật độ hole không
pon
cơ bản trong N nop
nop mật độ electron không pop
Va < 0 non
cơ bản trong P
Lp, Ln chiều dài khuếch tán P N
(diffusion length) pon
nop

2.1.4.2 Phân cực ngược

- Hiệu điện thế làm cho N dương hơn so với P, Is
r
hiệu điện thế tiếp xúc ở miền nghèo tăng lên, điện trường E
cũng tăng lên. Năng lượng cần thiết cho các hạt tải vượt qua - +
r Va
hàng rào thế càng lớn, làm cho rất ít các hạt tải cơ bản chạy - Ea
V r R
qua được lớp tiếp xúc, mà chỉ thuận lợi cho các hạt tải không
+ E bi
cơ bản chạy qua. r
E
- Vì vậy, dòng điện của diode lúc này chỉ là dòng rất nhỏ của
các hạt tải không cơ bản.
Trong biểu thức tính dòng trên, Va < 0.
I = -Is, Is là dòng điện ngược bão hòa (reverse saturation current)
D p p on D n n op
I s = qA[ + ]
Lp Ln
- Chú ý trong trường hợp phân cực thuận, miền nghèo thu hẹp lại, điện trở nội của
diode là rất nhỏ. Còn khi phân cực ngược, miền nghèo mở rộng ra, trở nội của diode tăng
lên rất lớn. Vì vậy, diode được xem là linh kiện chỉ cho phép dòng điện đi theo một chiều
nhất định.

2.1.4.3 Hiện tượng đánh thủng

Khi tiếp tục tăng Vngược đến một giá trị đủ lớn nhất định, dòng điện ngược đột ngột
tăng rất nhanh với một sự tăng rất nhỏ của Vngược. Phân loại thành hai hiện thượng đánh
thủng: Zener breakdown (đánh thủng hiệu ứng xuyên hầm) và Avalanche breakdown (đánh
thủng hiện ứng thác lũ).
Avalanche breakdown

33
 Trong hiện tượng đánh thủng thác lũ, electron trong miền nghèo được gia tốc bởi điện
trường cao sẽ có một động năng rất lớn. Chúng sẽ va chạm vào các nút mạng của mạng
tinh thể và phá vỡ các liên kết hóa trị. Mỗi một va chạm sẽ ion hóa một nút mạng, hình
thành một cặp điện tử - lỗ trống tham gia làm hạt tải cơ bản. Các cặp này gọi là phần tử tải
điện thứ cấp. Chúng lại nhận được động năng lớn và lại làm ion hóa các nút mạng khác.
Kết quả là việc hình thành một lượng cực lớn các hạt tải và tự nhiên là hình thành dòng
điện đánh thủng rất lớn.
Zener breakdown
Cơ chế vật lý của hiện tượng đánh thủng Zener hoàn toàn khác cơ chế đánh thủng
thác lũ. Điểm giống nhau duy nhất là hình dáng phần đặc tuyến ngược của diode.
- Hai điểm khác nhau chính là:
+ Hiệu điện thế ngược đánh thủng Zener trong Silicon diode là cỡ khoảng 5V hoặc
nhỏ hơn. Trong khi của đánh thủng thác lũ là vài chục volt.
+ Đặc tuyến đánh thủng Zener thì đột ngột tăng hơn đánh thủng thác lũ.
- Đánh thủng Zener dựa chính trên hiệu ứng I

xuyên hầm (tunnelling). Khả năng xuyên hầm

-Vbr -Vz V
càng lớn khi độ rộng miền nghèo càng hẹp.
Điều này được thực hiện khi cả hai loại bán dẫn
đều được pha tạp với nồng độ rất cao (1018cm-3) Zener
Miền nghèo bị thu hẹp sẽ tạo ra một điện trường
avalance
rất cao. Lúc đó, các electron sẽ nhanh chóng thu được
động năng lớn và hiện tượng đánh thủng xảy ra dễ dàng hơn. Và vì thế, Vz < Vbr.
- Đặc điểm nổi bật của diode Zener là hiệu điện thế ngược Vz gần như là không đổi,
mặc dù dòng điện có thể thay đổi rất lớn. Vì thế, diode Zener thường được dùng để tạo ra
các nguồn ổn áp chuẩn.

2.1.5 Dòng điện trong một mạch kín có diode

34
2.3Transistor lưỡng cực

2.4 Các sơ đồ mắc transistor

2.5 Transistor trường

35
Chương 3
Nguồn cung cấp năng lượng

3.1 Chỉnh lưu không điều khiển

3.2 Chỉnh lưu có điều khiển

3.3 Chỉnh lưu nhân áp

3.4 Ổn định điện áp một chiều

3.5 Mạch hạn chế biên độ điện áp

36
Chương 4
Mạch phi tuyến

4.1 Điều chế

4.2 Tách sóng

4.3 Trộn sóng

37
Chương 5
Các mạch khuếch đại

5.1 Khái niệm về khuếch đại

5.2 Khuếch đại điện trở

5.3 Khuếch đại điện trở

5.4 Khuếch đại cao tần

5.5 Khuếch đại trung tần

5.6 Khuếch đại công suất

38
Chương 6
Khuếch đại vi sai và Khuếch đại thuật toán

6.1 Khuếch đại vi sai

6.2 Khuếch đại thuật toán

39
Chương 7
Máy tạo dao động

7.1 Khái niệm về mạch tạo dao động hình sin

7.2 Điều kiện dao động

7.3 Máy phát cao tần LC

7.4 Máy phát sơ đồ 3 điểm

7.5 Máy phát thạch anh

7.6 Máy phát dao động tích thoát dùng đèn Neon

7.7 Máy phát âm tần RC

7.8 Máy phát Blocking

7.9 Mạch Trigơ

7.10 Mạch ghim

40