You are on page 1of 24

CHƯƠNG 1

TỔNG QUAN VỀ HỆ THỐNG


THÔNG TIN SỢI QUANG
Giới thiệu chương
On lại các kiến thức cơ bản về hệ thống thông tin sợi quang
+ Các đặc điểm cơ bản và nguyên lý hoạt động
+ Ưu khuyết điểm của hệ thống
+ Nguyên lý hoạt động của hệ thống
+ Máy phát quang
+ Máy thu quang
+ Sợi quang
+ Cáp sợi quang
+ Bài tập và thảo luận
A. PHẦN HỆ THỐNG
1.1 Cấu trúc và các thành phần trong hệ thống thông tin sợi quang
Điểm khác nhau cơ bản của hệ thống thông tin quang và hệ thống vi ba dải tần số
sóng dùng để mang thông tin khác nhau. Các tần số sóng mang quang tiêu biểu khoảng
200THz , trong khi đó dải tần sóng mang vi ba là khoảng vài GHz đến vài chục GHz. Do
dung lượng thông tin tỉ lệ thuận với tần số sóng mang nên sóng ánh sáng có thể mang dung
lượng thông tin gấp khoảng 10.000 lần so với sóng vi ba. Điều này được giải thích là băng
thông của sóng mang đã điều chế có độ rộng bằng vài phần trăm của tần số sóng mang.
Chẳng hạn, nếu cho độ rộng tiêu biểu là 1% thì băng thông của hệ thống thông tin quang là
khoảng 2 THz, trong khi đó của vi ba có thể đạt khoảng 200 MHz. Do đó, thông tin quang
được đánh giá là hệ thống truyền dẫn và phân phối đầy tiềm năng nhằm đáp ứng nhu cầu
đa dạng trong tương lai của xã hội.
Thông thường thì tên gọi của một hệ thống thông tin gắn liền với môi trường truyền
dẫn. Vì vậy mà đối với hệ thống thông tin sợi quang thì môi trường truyền dẫn chính là cáp
sợi quang. Sơ đồ nguyên lý hoạt động của hệ thống được mô tả như hình 1.1.
Tín hiệu điện được đưa vào bộ biến đổi điện-quang (E/O) để biến thành tín hiệu
quang. Sau đó tín hiệu quang mang thông tin này được đưa vào sợi dẫn quang để truyền
đến phía thu. ở phía thu thực hiện ngược lại, biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện
nhờ bộ biến đổi quang-điện (O/E).

cáp sợi quang


Tín hiệu Biến Biến Tín hiệu
điện vào đổi E/O đổi O/E điện ra

Hình 1.1 Sơ đồ nguyên lý của hệ thống thông tin sợi quang.

Hệ thống thông sợi tin quang được chia thành 2 loại là hệ thống dài và ngắn phụ
thuộc vào khoảng cách truyền dẫn so với khoảng cách tiêu biểu (khoảng 100km). Hệ
thống dài thường là các tuyến đường trục trên mặt đất có dung lượng lớn nối giữa các
thành phố, các quốc gia hoặc các tuyến cáp quang biển xuyên đại dương. Hệ thống ngắn
thường là các tuyến và các vòng lặp trong thành phố có dung lượng thấp hơn và khoảng

1
cách dưới 10km. Để đáp ứng với các loại hình thông tin số đa dạng, tốc độ cao, nhiều thuê
bao như hiện nay và trong tương lai hệ thống này cũng thực hiện các kỹ thuật ghép kênh
và khuếch đại quang như trong hệ thống đường trục.
Hệ thống thông tin sợi quang hiện nay phổ biến nhất là hệ thống điều chế cường
độ-tách sóng trực tiếp (IM-DD) bao gồm các thành phần chính là phần phát quang, môi
trường truyền dẫn và phần thu quang.
Phần phát quang bao gồm các phần tử mã hoá, điều khiển, nguồn phát quang.
Nguồn phát quang sử dụng diode phát quang LED hoặc LD, các loại này tạo ra tín hiệu
quang ra tương ứng với sự thay đổi của dòng điều biến vào. Tín hiệu điện ở đầu vào ở dạng
số hoặc tương tự, thiết bị phát sẽ biến đổi thành tín hiệu quang tương ứng.
Môi trường truyền dẫn là cáp sợi quang. Các loại sợi được sử dụng là sợi đơn mode
hay đa mode. Khi lắp đặt tuyến quang, tham số quan trọng cần chú ý đến là suy hao tín
hiệu trên sợi theo bước sóng.
Các trạm lặp hoặc các khuếch đại quang: Khi hệ thống cần truyền tải thông tin với
khoảng cách lớn do đó suy hao truyền dẫn giữa nguồn phát và nguồn thu lớn. Do đó cần
phải lắp đặt thêm các trạm khuếch đại để bù lại suy hao đó sao cho máy thu có đủ công
suất cần thiết để tín hiệu thu được đảm bảo được yêu cầu lỗi bít BER cho trước. Hiện nay,
hầu hết các trạm lặp đều được thay thế bằng các bộ khuếch đại quang do nó cồng kềnh, cần
hệ thống cung cấp nguồn phức tạp, băng thông quang bị hạn chế và phải thực hiện chuyển
đổi quang-điện, điện quang.
Phần thu quang bao gồm các khối tách quang, các mạch khuếch đại, điều khiển giải mã.
Các bộ tách quang thường được sử dụng là Photodiode PIN hoặc diode thác quang APD,
cả hai loại đều có hiệu suất làm việc cao và tốc độ chuyển đổi nhanh.

Tín Bộ nối quang


Phần phát quang
hiệu
điện
vào Mạch điều Nguồn phát
khiển quang
Mối hàn sợi Sợi
Trạm lặp dẫn
Bộ chia quang quang
Thu
quang
Mạch điện Các thiết bị
Mối hàn sợi khác
Phát
quang

Phần thu quang


Tín
Khuếch đại Máy thu Chuyển đổi hiệu
quang quang tín hiệu điện
ra
Bộ nối quang Khuếch đại
Hình 1.2 Sơ đồ khối tổng quát của một hệ thống thông tin sợi quang IM-DD

2
Ngoài ra còn nhiều thành phần khác góp phần tạo nên hệ thống truyền dẫn hiệu quả
chẳng hạn các bộ xen rẻ, bộ chia quang...
1.2 Những ưu điểm của hệ thống thông tin quang
Việc truyền dẫn tín hiệu trong sợi quang có các ưu điểm chính như sau:
1. Dung lượng cực lớn: Cáp sợi quang có thể truyền tải tín hiệu có tần số cao hơn
rất nhiều so với cáp đồng trục và thông tin vô tuyến. Băng thông (BW) gấp khoảng 10.000
lần so với thông tin vi ba. (BW thường được chọn khoảng vài % tần số sóng mang, f ánh
sáng cỡ 200THz, f vi ba cỡ 20GHz)
2. Tổn hao rất thấp: Tổn hao sợi quang có thể đạt 0,2 dB/km, so với cáp đồng
trục: (10-300) dB/km
3. Kích thước rất nhỏ và gọn nhẹ: Trong một dây cáp quang có thể có nhiều sợi
quang vì kích thước của nó rất nhỏ (ví dụ cáp Corning tiêu biểu có 144 sợi quang). Đường
kính sợi quang nhỏ trọng lượng nhẹ thuận tiện cho việc lắp đặt, bảo dưỡng sợi quang.
4. Tính kháng nhiễu cao Vì thuỷ tinh không dẫn điện nên cáp sợi quang không bị
ảnh hưởng của điện từ trường bên ngoài, đồng thời nó có thể kháng các loại nhiễu từ điện
từ trường, nhà máy điện nguyên tử, sấm sét...
5. Bảo mật tín hiệu Được sử dụng rộng rãi trong các ngành ngân hàng, mạng máy
tính, quân đội
6. Giá thành sợi quang thấp vì thạch anh là nguyên liệu chính để sản xuất sợi
quang có sẵn trong thiên nhiên. So với kim loại thì nguồn nguyên liệu này dồi dào. Hơn
nữa một số lượng nhỏ nguyên liệu có thể sản suất được một đoạn cáp quang dài.
7. Kết hợp khả năng khuếch đại của các bộ khuếch đại quang trên đường truyền
và suy hao thấp của cáp quang và độ nhạy thu cao của các máy thu cho phép tăng khoảng
cách truyền dẫn lên cực lớn. Hiện nay người ta đã triển khai nhiều hệ thống cáp sợi quang
vượt đại dương có khoảng cách hàng chục ngàn km với dung lượng đến hàng ngàn Gbit/s
8. Các linh kiện thu và phát quang có khả năng điều chế tốc độ cao nên sử dụng
được trong điều chế tốc độ cao, kích thước nhỏ hiệu suất biến đổi quang điện cao.
B. PHẦN PHÁT
1.3 Nguyên lý phát xạ ánh sáng
Ở điều kiện bình thường, các vật liệu thường hấp thụ ánh sáng hơn là phát xạ. Quá
trình hấp thụ được trình bày như trên hình 1.3 trong đó E1 và E2 tương ứng là mức năng
lượng ở trạng thái nền và ở trạng thái kích thích của hạt mang trong môi trường hấp thụ.
Nếu một photon ánh sáng đến có năng lượng hν bằng với độ chênh lệch năng lượng 2
mức Eg=E2-E1 thì nó sẽ truyền năng lượng cho hạt mang và nó sẽ nhảy lên mức năng
lượng E2. Việc cung cấp năng lượng từ bên ngoài để hạt mang nhảy lên mức cao hơn được
gọi là kích thích (hình 1.3a) và sự dịch chuyển của hạt mang tới một mức năng lượng khác
được gọi là sự chuyển dời.

E2 E2 E2

hν hν hν

E1 E1 E1
a) b) c)
Hình 1.3 Mức năng lượng và các quá trình dịch chuyển.

3
Khi hạt mang rời khỏi mức năng lượng cao E 2 và quay về trạng thái nền E1 thì một
năng lượng đúng bằng E 2 - E1 được giải phóng. Đó là hiện tượng phát xạ tự nhiên (hình
1.3 b) và năng lượng được giải phóng tồn tại ở dạng ánh sáng gọi là ánh sáng phát xạ tự
nhiên. Theo cơ học lượng tử, bước sóng ánh sáng phát xạ được tính theo công thức:
h
λ =c (1.1)
E 2 − E1
Trong đó, h = 6,625 .10 −34 js (hằng số Planck)
c = 3.10 8 là vận tốc ánh sáng
Khi hạt mang ở trạng thái kích thích quay về trạng thái nền thì xảy ra quá trình phát
xạ ánh sáng. Ánh sáng phát xạ liên quan đến 2 quá trình cơ bản là phát xạ tự phát và kích
thích. Trong quá trình phát xạ tự phát (hình 1.13b), các photon phát xạ theo các hướng
ngẫu nhiên và không có sự phối hợp pha với nhau. Ngược lại, quá trình phát xạ kích thích
được bắt đầu từ một photon ở trạng thái kích thích (hình 1.3c). Các photon phát xạ sau đó
có cùng tần số, cùng pha và cùng hướng phát xạ so với photon ban đầu. Trong các Laser,
ánh sáng phát ra từ quá trình phát xạ kích thích và gọi là ánh sáng kết hợp. Trong khi đó,
ánh sáng phát ra từ LED là ánh sáng phát xạ tự phát và gọi là ánh sáng không kết hợp.
1.4 Nguồn phát quang bán dẫn
Nguồn phát quang bán dẫn được sử dụng phổ biến trong hệ thống thông tin sợi
quang do kích thước nhỏ, giá thành và tiêu hao năng lượng thấp. Ngoài ra, chúng có thể
tạo ra ánh sáng tại bước sóng 1300nm và 1550nm là nơi có tán sắc nhỏ và suy hao thấp. Có
hai loại nguồn phát quang phổ biến là LED và Laser Diode.
1.4.1 Mối nối p-n
Phần cốt lõi tạo ra ánh sáng là tiếp giáp p-n và thường được gọi là lớp tích cực (hay
lớp hoạt động, lớp hoạt tính). Như vậy, nguồn phát quang bán dẫn cũng có tiếp giáp p-n
như tất cả Diode bán dẫn khác. Tuy nhiên, có 2 điểm khác biệt giữa chúng như sau:

Hình 1.4 Dải cấm trực tiếp của vật liệu GaAs (a)
và gián tiếp của vật liệu Si (b)

4
Thứ nhất, nguồn phát quang bán dẫn được chế tạo từ vật liệu có vùng cấm trực tiếp
(Direct Bandgap), tức là đỉnh của vùng hoá trị xếp hàng thẳng đứng với đáy của vùng dẫn
như hình 1.4a. Ví dụ, trong vật liệu có vùng cấm trực tiếp như GaAs, các điện tử (nằm ở
vùng dẫn) và các lỗ trống (nằm ở vùng hoá trị) có năng lượng cực tiểu nằm trên cùng một
hướng thẳng đứng. Do đó, một điện tử và một lỗ trống trong cùng một hướng có thể tái
hợp trực tiếp để tạo thành phô ton ánh sáng. Ngược lại, trong vật liệu có vùng cấm gián
tiếp, hình 1.4b, đỉnh của vùng hoá trị không xếp hàng thẳng đứng với đáy của vùng dẫn.
Trong vật liệu này, việc tái hợp xảy ra thông qua một cơ chế chuyển dịch phụ. Mỗi một sự
tái hợp tạo 2 thành phần năng lượng nhỏ hơn là ΔE1 và ΔE 2 với E g = ΔE1 + ΔE2 . Do ΔE1
và ΔE 2 không xác định được và ngẫu nhiên nên sự tái hợp gián tiếp này tạo ra chiều rộng
phổ không mong muốn.
Thứ hai, nguồn phát quang bán dẫn có cấu trúc giam ánh sáng và ghép ánh sáng tại
đầu ra của nó. Khi phô ton được tạo ra trong lớp hoạt động thì nó phải được giam trong lớp
đó nhờ cấu trúc dị thể kép. Sau đó, ánh sáng được đưa ra bên ngoài một cách hiệu quả nhờ
thiết bị ghép như thấu kính hoặc sợi quang.
1.4.2 Cấu trúc dị thể

Hình 1.4c Minh hoạ sơ đồ một cấu trúc dị thể

Hình 1.5 Cấu trúc dị thể kép: (a) Sơ đồ hình học và (b) giản đồ năng lượng

5
Do mất mát trong hốc lớn nên ở nhiệt độ phòng các Laser diode có cấu trúc mối nối
p-n đơn giản không thể hoạt động được. Năm 1969, người ta đã chế tạo ra các Laser diode
hoạt động ở nhiệt độ phòng có cấu trúc dị thể. Một cấu trúc dị thể là một mối nối của 2 vật
liệu có năng lượng vùng cấm (bandgap) khác nhau. Do đó, người ta còn gọi là mối nối dị
thể.
Một mối nối dị thể n-P (dùng chữ P hoa để chỉ tên vật liệu có độ rộng vùng cấm lớn
hơn) được biểu trên hình 1.4c. Do mức năng lượng tại mối nối dị thể khác nhau nên sẽ xuất
hiện điểm nhảy trong dải hoá trị như hình vẽ.
Để giam các hạt mang và phô tôn trong lớp tích cực, người ta sử dụng cấu trúc dị
thể kép N-n-P như hình 1.5a và 1.5b, trong đó vật liệu tạo nên lớp n ở trung tâm có năng
lượng vùng cấm nhỏ hơn và chiết suất cao hơn so với các lớp N và P bên cạnh.
Cấu trúc dị thể kép có khả năng giam các hạt mang (điện tử và lỗ trống) và các phô
tôn. Điều này được giải thích là do hiệu ứng nhảy mức năng lượng tại mối nối dị thể nên
các điện tử và hạt mang điện bị giam trong lớp hoạt tính. Đồng thời, do chiết suất của lớp n
cao hơn chiết suất của các lớp N và P bên ngoài nó nên nó có khả năng giam các phô tôn
trong lớp hoạt tính này, tương tự như nguyên lý giam ánh sáng trong lõi sợi quang, có chiết
suất của lõi lớn hơn chiết suất của lớp vỏ bên ngoài.
Khi các hạt mang và các phô tôn cùng bị giam một cách hiệu quả trong lớp hoạt
động thì các hạt mang sẽ tương tác mạnh vào các phô tôn nên tạo công suất quang ra lớn.
Do đó, cấu trúc dị thể kép này vẫn được dùng trong các LED và Laser ngày nay.
1.4.3 LED
Diode phát quang LED là nguồn phát ra ánh sáng không kết hợp khi chúng được
phân cực bằng điện áp thuận hoặc nguồn dòng. Ánh sáng không kết hợp là ánh sáng có pha
thay đổi ngẫu nhiên theo thời gian, do quá trình tái hợp điện tử lỗ trống xảy ra độc lập.
Nghĩa là pha và tần số của một phô tôn tạo ra từ sự tái hợp của một cặp điện tử và lỗ trống
này sẽ khác pha và tần số của một phô tôn tạo ra từ sự tái hợp của một cặp điện tử và lỗ
trống khác. Vì vậy, ánh sáng LED có phổ trải rộng.

Hình 1.6 Sơ đồ cấu trúc của LED phát xạ mặt

6
Độ rộng phổ của LED cũng phụ thuộc vào cấu trúc của bộ ghép quang, nơi mà ánh
sáng phát ra từ lớp hoạt tính. Có hai kiểu cấu trúc bộ ghép quang khác nhau tương ứng với
Diode phát xạ mặt và phát xạ cạnh. Trong Diode phát xạ mặt (hình 1.6), mặt phẳng vùng
phát ra ánh sáng vuông góc với trục sợi quang, ánh sáng phát ra vuông góc với bề mặt của
các lớp, còn trong Diode phát xạ cạnh (hình 1.7) thì ánh sáng phát ra song song với các lớp
này.
Do hiệu ứng tự hấp thụ dọc theo chiều dài của lớp hoạt tính nên Diode phát xạ cạnh
có độ rộng đường nhỏ hơn so với Diode phát xạ mặt. Trong Diode phát xạ cạnh, do có cấu
trúc ống dẫn sóng ngang nên ánh sáng ra hợp với trục dọc của lớp hoạt tính một góc xấp xỉ
300. Diode phát xạ mặt có vùng ghép quang lớn hơn nên dễ giao tiếp với sợi quang bên
ngoài. Ngoài ra, nó dễ toả nhiệt hơn vì có lớp làm mát gần với lớp hoạt tính

Hình 1.7 Sơ đồ cấu trúc của LED phát xạ cạnh

Có nhiều cách định nghĩa độ rộng đường. Theo cách định nghĩa phổ biến thì độ
rộng đường là độ rộng phổ của phổ tương ứng với mức nửa công suất cực đại (FWHM),
nghĩa là độ rộng giữa 2 điểm có công suất bằng 50% công suất đỉnh.
c
Biểu thức liên hệ giữa bước sóng và tần số được biểu diễn: f = với c là vận tốc
λ
df c
truyền của ánh sáng. Đạo hàm hai vế theo λ ta được: =− 2 (1.2)
dλ λ
Gọi Δλ là độ rộng đường thì độ rộng phổ Δf được xác định dựa vào biểu thức
Δλ Δf
(1.2) như sau: Δf = c 2 tương tự Δλ = c 2 (1.3)
λ f
Ví dụ bằng số: Độ rộng đường của LED AlGaAs xấp xỉ bằng 30nm. Hoạt động ở bước
sóng bằng 870nm thì tương ứng với độ rộng đường như sau:
Δλ 30.10−9
Δf = c 2 = 3.108 = 12.000GHz
λ ( 870.10− 9 )2

7
Chú ý độ rộng phổ 12.000 GHz là quá lớn so với hầu hết các băng tần cơ sở của các tín
hiệu. Do đó, loại Diode này không dùng để điều chế tín hiệu theo phương pháp điều tần và
điều pha được. Trong thực tế, người ta chỉ sử dụng phương pháp điều biên cho các LED.
Độ rộng phổ của LED phụ thuộc vào vật liệu, nhiệt độ, mức độ pha tạp. Đối với
2kT
LED AlGaAs, độ rộng phổ xấp xỉ bằng Δf ≈ , đối với LED InGaAsP thì xấp xỉ
h
3kT
Δf ≈ Trong đó k là hằng số Boltzmann, T nhiệt độ được tính trong đơn vị Kenvin và
h
h là hằng sô Planck. Khi mức độ pha tạp tăng lên thì độ rộng phổ cũng tăng theo.
Ví dụ đối với LED AlGaAs hoạt động ở nhiệt độ 3000K thì độ rộng phổ được tính
2kT 2.1,38.10 −23.300
như sau: Δf ≈ = = 12.400 GHz . Nó xấp xỉ với giá trị đã tính ở trên.
h 6,62.10 −34
Như trên đã trình bày, do diode phát quang LED là nguồn phát ra ánh sáng không
kết hợp, có độ rộng phổ lớn nên thường được dùng cho các hệ thống thông tin quang có
tốc độ bít không vượt quá 200 Mbít/s, trong các mạng nội hạt, khoảng cách truyền dẫn
ngắn. Tuy nhiên, LED có ưu điểm là giá thành thấp, công suất quang đầu ra ít phụ thuộc
vào nhiệt độ và thường chúng có mạch điều khiển đơn giản.
1.4.4 LASER
Cấu trúc của LD tương tự như cấu trúc của Diode phát xạ cạnh. Tuy nhiên, bằng
cách thêm vào cấu trúc giam phô tôn theo chiều ngang nên ánh sáng phát ra là ánh sáng kết
hợp. Nói chung, cũng giống như các loại Laser khác, nguyên lý hoạt động của Laser bán
dẫn dựa vào bơm bên ngoài và sự khuếch đại ánh sáng bên trong.
1.4.4.1 Bơm bên ngoài

E2

Bơm
ngoài

E1
Hấp thụ Phát xạ Phát xạ
kích thích tự phát kích thích
Hình 1.8 Hệ thống có 2 mức năng lượng
Khi một LD có vài trạng thái năng lượng thì bơm bên ngoài sẽ kích thích các hạt
mang nhảy lên trạng thái cao. Khi quay về trạng thái nền thì chúng giải phóng năng lượng
và tạo ra phô ton. Hình 1.8 biểu diễn hệ thống có 2 mức năng lượng, trong đó các hạt mang
có thể ở một trong hai trạng thái E1 hoặc E2. Khi không có bơm bên ngoài, hầu hết các hạt
mang đều ở trạng thái nền do sự ổn định nhiệt. Còn khi có bơm bên ngoài, thì các hạt mang
nhảy từ mức E1 lên mức E2. Năng lượng hệ thống của LD được trình bày trong hình 1.9,
trong đó Ec và Ev lần lượt là năng lượng của dải dẫn và dải hóa trị của Laser. Trong
trường hợp này, bơm bên ngoài được thực hiện bằng cách tiêm dòng điện để cung cấp điện

8
tử cho dải dẫn và lỗ trống cho dải hóa trị của nó. Khi lỗ trống và điện tử tái hợp chúng tạo
ra phô ton tương tự như trong LED.

Tiêm Dải dẫn


Electron từ Ec
bên ngoài

Tái hợp
Hấp thụ không
Phô ton Phát xạ Phát xạ
kích thích
phát xạ
kích tự phát
thích Tiêm Lỗ
Ev trống từ
Dải hoá trị bên ngoài

Hình 1.9 Sự tái hợp và phát xạ phô ton trong Laser Diode bán dẫn
1.4.4.2 Khuếch đại ánh sáng
Việc tạo phô ton bằng bơm bên ngoài không đủ để tạo ra ánh sáng kết hợp mà cần
có cơ chế khuếch đại các phô ton cùng tần số và cùng pha. Trong Laser, điều này có thể
được thực hiện nhờ hiện tượng lượng tử gọi là phát xạ kích thích. Khi mất mát quang trong
khối giam quang nhỏ thì nhờ cơ chế phát xạ kích thích mà Laser có thể đạt được hệ số
khuếch đại dương và tạo ra ánh sáng kết hợp.
Hình 1.9 biểu diễn quá trình phát xạ và hấp thụ trong hệ thống có 2 mức năng
lượng. Khi hạt mang được bơm đến trạng thái cao hơn thì nó có thể quay lại trạng thái nền
theo cơ chế tự phát hoặc kích thích, tương ứng với quá trình phát xạ phô ton tự phát hoặc
kích thích. Trong phát xạ tự phát, các phô ton tạo ra có tấn số và pha ngẫu nhiên tương ứng
với ánh sáng không kết hợp. Trong khi đó, các phô ton phát xạ kích thích sẽ có cùng tần số
và cùng pha và tạo ra ánh sáng kết hợp. Ngoài ra, các phô ton cũng có thể bị hấp thụ để
kích thích các hạt mang từ trạng thái đất lên trạng thái cao hơn gọi là sự hấp thụ kích thích.
Các điện tử và lố trống trong bán dẫn cũng có quá trình phát xạ và hấp thụ tương tự
như các quá trình đề cập ở trên. Các cặp điện tử-lỗ trống được tạo ra do dòng tiêm và sự
hấp thụ kích thích sau đó có thể được tái hợp bởi cơ chế phát xạ tự phát hoặc kích thích.
Do trong mối nối p-n của chất bán dẫn có dòng rò nên các hạt mang điện có thể được tái
hợp mà không tạo ra phát xạ. Để Laser làm việc thì nó phải thoả mãn điều kiện về nghịch
đảo tích luỹ (còn gọi là nghịch đảo dân số) muốn vậy thì bơm bên ngoài cần có tốc độ RP
lớn hơn tốc độ phát xạ tự phát.
1.4.4.4 Giam ánh sáng trong hốc

Hình 1.10 biểu diễn một hốc của Laser, có dạng hình chữ nhật sáu mặt được cấu
tạo đặc biệt để có khả năng giam ánh sáng trong hốc đồng thời có tổn hao nhỏ. Trong đó,
một trong hai mặt vuông góc với hướng dọc trục được dùng để cho ánh sáng phát ra. Hai
mặt vuông góc với hướng ngang (hai mặt trên và dưới trong hình vẽ) là các mối nối dị thể
kép có tác dụng giam hạt mang và phô ton theo mặt ngang nhờ dải năng lượng và chiết
suất của lớp hoạt tính này khác (lớn hơn) so với các lớp bên ngoài.

9
Hình 1.10 Sơ đồ hình học minh hoạ cấu trúc hốc Laser
1.4.5 Laser Diode Fabry-Perot
Laser này có hốc cộng hưởng có cấu trúc tương tự như hốc đã mô tả trong hình 1.10.
1.4.6 Các Laser đơn mode
Laser FP tạo ra nhiều mode không mong muốn. Laser đơn mode chỉ tạo ra một
mode chính bằng cách nén các mode biên. Các Laser đơn mode phổ biến hiện nay gồm
DFB, DBR và C3.
1.4.6.1 Laser DFB
Laser DFB sử dụng phản xạ Bragg để nén các mode không mong muốn.
Hình 1.11 minh hoạ cấu tạo của Laser DFB, trong đó người ta đặt một cấu trúc lượn sóng
có chu kỳ bằng Λ trong hốc. Nhờ cấu trúc có chu kỳ này mà các sóng chạy hướng tiến và
hướng lùi giao thoa với nhau. Để đạt được điều này, sự thay đổi pha khi sóng đi một vòng
trong một chu kỳ phải bằng 2πm , trong đó m là một số nguyên và được gọi là bậc nhiễu xạ
Bragg. m=1 tương ứng với bước sóng Bragg bậc 1 ( λB ) và được tính như sau:
2πn
2π = 2Λ Suy ra λ B = 2Λn (1.15)
λB

Hình 1.11 Cấu tạo của Laser DFB có cấu trúc dị thể kép

10
Hình 1.12 Cấu trúc tổng quan và đặc tính phổ của 2 loại Laser Diode cổ điển và DFB

Hình 1.13 Cấu trúc lượn sóng quyết định bước sóng của Laser đơn mode DFB

Do đó, chu kỳ của cấu trúc lượn sóng quyết định bước sóng của Laser đơn mode
DFB. Trong thực tế, Laser có cấu tạo như trên sẽ tạo ra 2 mode chính do cấu trúc đối xứng
của nó. Để khắc phục điều này, người ta sử dụng cấu trúc dịch pha λ / 4 như hình 1.13,
trong đó cấu trúc có chu kỳ sẽ bị gián đoạn pha π / 2 tại điểm giữa, tương đương với sự
dịch pha λ / 4 .

1.4.6.2 Laser DBR


Laser DBR cũng sử dụng phản xạ Bragg để tạo ra đơn mode. Điểm khác biệt chủ
yếu so với DFB là DBR đặt cách tử phản xạ ra bên ngoài hốc như minh hoạ trong hình
1.14. Với cấu trúc như vậy thì việc điều khiển hốc Laser và điều khiển tần số có thể được
tiến hành độc lập.

11
Hình 1.14 Cấu trúc Laser DBR

1.4.6.3 Laser hốc kép C3


Loại Laser này có 2 hốc cộng hưởng Fary-Perot, có 2 lớp tích cực (gọi là C3) hoặc
một tích cực và một thụ động, được mô tả trong hình 1.15. Nguyên lý cơ bản để tạo ra
bước sóng dọc của Laser này được trình bày trong hình 1.15, trong đó bước sóng dọc
xuyên qua cả 2 hốc để thoả mãn điều kiện cộng hưởng.

Hình 1.15 Cấu trúc Laser C3 gồm 2 lớp tích cực

1.4.6.4 Laser hố lượng tử


Laser hố lượng tử có độ ồn định nhiệt, tần số điều chế cao, độ rộng phổ hẹp và
dòng điện ngưỡng thấp.
Do lớp tích cực rất mỏng (khoảng 50A0) nên Laser hố lượng tử có các mức năng
lượng rời rạc, được minh hoạ như hình 1.18.
Các mức năng lượng của điện tử trong dải dẫn được biểu diễn như sau:
h2 i2
Eic = Ec + 2 với i=1,2,3,.. (1.17)
8d me
Các mức năng lượng của lỗ trong dải hoá trị được biểu diễn như sau:

12
h2 j 2
E jh = Ev − 2 với j=1,2,3,.. (1.18)
8d mh
Trong đó, d là độ dày của lớp tích cực, me và mh là khối lượng hiệu dụng
của điện tử và lỗ trống. i và j là các số nguyên.

Dải dẫn
Ec2
Ec1 Các mức năng lượng
rời rạc của điện tử
Độ dày
của lớp
tích cực Δ E11

Các mức năng lượng


Ev1
Ev2 rời rạc của lỗ trống

Dải hoá trị


Các mối
nối dị thể
Hình 1.16 Cấu trúc nhiều mức năng lượng rời rạc của Laser hố lượng tử

Từ các mức năng lượng rời rạc, ta có thể biểu diễn độ lệch năng lượng như sau:
h2 i2 j2
ΔE i , j = E g + 2 ( + ) (1.19)
8d me mh
Với E g = Ec − Ev . Từ (1.19) ta thấy khi lớp tích cực d càng mỏng thì độ lệch năng lượng
ΔEi , j càng lớn. Vì d nhỏ nên thành phần thứ 2 đủ lớn so so với thành phần thứ nhất. Do
đó, khi thay đổi d thì thay đổi được ΔEi , j và thay đổi được bước sóng của ánh sáng phát
ra.
Ví dụ: Khảo sát Laser hố lượng tử GaAs có ΔE g = 1,43eV . Nếu d=5nm. Cho i=j=1,
me=0,068mo, mh=0,5mo và mo= 9,11.10-31 kg. sử dụng biểu thức (1.19) ta có:
h2 i2 j2
( + ) = 0,25eV .
8d 2 me mh
Giá trị này có ý nghĩa so với ΔE g = 1,43eV . Do đó, bước sóng của ánh sáng ra được tính
theo biểu thức:
hc
λ1,1 = = 0,74μm .
(1,43 + 0,25)q
Laser hố lượng tử có bước sóng ra ít phụ thuộc vào nhiệt độ và độ giãn nở phổ nhỏ
khi điều chế trực tiếp tín hiệu.

13
Dòng điện ngưỡng của Laser FP và hố lượng tử phụ thuộc vào nhiệt độ theo biểu
T

thức I ng = I 0 e TC
(1.20)
Trong đó TC được gọi là nhiệt độ đặc tính của Laser Diode. Đối với Laser FP TC ≈ 60 0 C
và đối với Laser hố lượng tử thì TC ≈ 100 0 C . Nghĩa là dòng ngưỡng của Laser hố lượng
tử ổn định nhiệt hơn so với Laser FP.
Giãn nở độ rộng đường là hiện tượng mà độ rộng đường của Laser bị mở rộng khi
nguồn quang bị điều chế trực tiếp bởi tín hiệu điện vào. Chẳng hạn, Laser DFB và C3
không còn là Laser đơn mode nữa khi bị điều chế trực tiếp bởi tín hiệu tốc độ bít cao. Khi
đó sẽ xảy ra hiệu ứng Chirp. Đó là hiệu ứng bước sóng ra của Laser bị thay đổi gần như
tuyến tính theo thời gian trong quá trình điều chế. Độ dịch chuyển của bước sóng của Laser
hố lượng tử theo dòng điện điều chế khoảng bằng một nửa so với Laser FP thông thường.
Mặc dù các Laser hố lượng tử ít phụ thuộc vào nhiệt độ và có độ giãn nở phổ nhỏ
khi điều chế tín hiệu trực tiếp, nhưng do lớp tích cực quá mỏng nên hốc giam hạt mang và
phô ton nhỏ làm cho công suất ra bị hạn chế. Để khắc phục nhược điểm này người ta chế
tạo loại Laser đa hố lượng tử. Trong đó, nó có nhiều lớp tích cực có năng lượng dải cấm
nhỏ đặt xen kẽ với các lớp lót có năng lượng dải cấm lớn hơn. Do đó, hốc giam hạt mang
và phô ton của nó lớn hơn nhiều so với Laser hố lượng tử thông thường.

1.4.6.5 Laser thay đổi bước sóng


Laser thay đổi bước sóng có thể thay đổi bước sóng để sử dụng thích hợp trong hệ
thống thông tin quang ghép kênh theo bước sóng WDM.
Đối với Laser C3, một trong các dòng điện tín hiệu được đưa vào điều chế Laser và
dòng điện tín hiệu khác được sử dụng để điều khiển bước sóng ánh sáng phát ra.
Các kiểu Laser thay đổi bước sóng cơ bản được xây dựng dựa trên nguyên lý của
Laser DBR. Chúng có vùng tích cực (biểu thị bằng A) và một vùng phản xạ Bragg (B). Để
điều chỉnh bước sóng tốt hơn, Laser còn có vùng điều khiển pha (P). Nhìn chung, bước
sóng ra có thể được thay đổi bằng cách điều chỉnh dòng phân cực của B hoặc P hoặc điều
chỉnh cả 2 B và P.
Hoạt động của Laser thay đổi bước sóng có thể được giải thích như sau: Đầu tiên,
tổ hợp hai vùng tích cực và pha được xem như một loại Laser FP đặc biệt mà một mặt có
độ phản xạ bằng 0 và vùng phản xạ Bragg được xem như một bộ lọc quang. Vì vậy, ánh
sáng được tạo ra từ phần Laser FP phải qua bộ lọc quang trước khi ra ngoài. Do bộ lọc
Bragg có độ rộng phổ hẹp nên chỉ có một mode dọc được xuyên qua còn các mode dọc
khác thì bị nén.
Khi tăng dòng điện phân cực, n giảm làm bước sóng Bragg giảm. Điều này làm
bước sóng trung tâm của băng thông Bragg giảm. Khi dòng điện phân cực thay đổi đủ lớn
thì bước sóng trung tâm dịch đủ rộng làm cho mode dọc ban đầu bị nén và mode kế cận
được lựa chọn, do đó bước sóng ra của Laser bị thay đổi.
Vì vùng điều khiển pha là một phần của Laser FP nên khi ta tăng dòng phân cực
của nó thì chiết suất của nó giảm, các bước sóng của toàn bộ các mode dọc cũng giảm đi.
Khi cả hai vùng cách tử và vùng pha được điều chỉnh đồng thời thì bước sóng ra có thể
thay đổi khoảng 3,1nm. Tại bước sóng trung tâm 1550nm, thì độ thay đổi bước sóng này
tương đương với khoảng dịch tần số là 380 GHz.

14
C. PHẦN THU
1.5 Đặc điểm chung của máy thu quang và photodiode
1.5.1 Đặc điểm chung của máy thu quang
Máy thu quang đóng một vai trò rất quan trọng trong hệ thống thông tin quang, nó
có nhiệm vụ chuyển đổi tín hiệu quang nhận được tại đầu ra của sợi quang thành tín hiệu
điện ban đầu.
Hình 1.17 trình bày sơ đồ khối tổng quát của một máy thu quang. Nó gồm một bộ
ghép, một photodiode (bộ tách sóng quang) và một bộ giải điều chế và mạch điện tử thực
hiện nhiệm vụ điều khiển và hồi tiếp. Bộ ghép tập trung tín hiệu quang vào bộ tách sóng
quang. Các photodiode bán dẫn được sử dụng phổ biến vì tính tương thích của chúng với
toàn bộ hệ thống quang.

Mạch điện tử

Tín hiệu Tín hiệu


quang điện
(vào) (ra)
Bộ giải
Bộ ghép Photodiode
điều chế

Hình 1.17 Sơ đồ khối tổng quát của máy thu quang

Đặc tính của một hệ thống số được đặc trưng bởi tỉ lệ lỗi bit BER. Nó được định
nghĩa là xác suất trung bình của bít thu bị lỗi trong tổng số bít được phát đi. Chẳng hạn, khi
BER=10-9 thì tương ứng với xác suất xuất hiện 1 bít lỗi trong tổng số 1 tỉ bít được phát đi.
Một số hệ thống thông tin sợi quang yêu cầu BER <10-14. Đôi khi người ta còn sử dụng mã
sửa sai để đạt yêu cầu BER cho trước.
Một thông số quan trọng của máy thu là độ nhạy. Nó được định nghĩa là công suất
quang trung bình nhỏ nhất đến máy thu sao cho máy thu vẫn làm việc bình thường nghĩa là
thoả mãn tỉ số BER cho trước ứng với tốc độ bít nhất định. Độ nhạy phụ thuộc tỉ số tín
hiệu trên nhiễu, nghĩa là phụ thuộc vào các loại nguồn nhiễu khác nhau tác động vào máy
thu.
Có 2 loại photodiode bán dẫn được sử dụng phổ biến là photodiode PIN và
photodiode thác APD. PIN có cấu trúc bán dẫn xen giữa p-i-n. APD có thêm một lớp có
trường điện mạnh để tạo ra nhiều cặp điện tử-lỗ trống cho phép tăng dòng photo.
Nhằm nâng cao độ nhạy và tốc độ đáp ứng của máy thu quang, người ta đã nghiên
cứu và chế tạo các loại photodiode dựa vào các chất bán dẫn InGaAs và InP/GaAs như loại
MSM, SAM và HPT. Nhờ đặc tính hấp thụ của InGaAs tốt trong dải bước sóng 1300nm
đến 1550nm và đặc tính điện của InP và GaAs tốt nên chúng được sử dụng để chế tạo các
bộ tách sóng các đặc tính tốt hơn. Ngoài ra, người ta còn tích hợp các bộ phận thành các bộ
tích hợp quang-điện (OEIC) cho phép thực hiện một cách hiệu quả các quá trình tách ánh
sáng, khuếch đại và dẫn sóng.

15
1.6 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Photodiode PIN

_ +

Hình 1.18 Sơ đồ vùng năng lượng của Photođiốt PIN


Photodiode PIN là bộ tách sóng dùng để biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện.
Hình 1.18 mô tả cấu trúc cơ bản của photodiode PIN gồm các vùng bán dẫn p và n đặt
cách nhau bằng một lớp bán dẫn cơ bản i (intrinsic), pha tạp một ít nguyên tố để tạo thành
bán dẫn loại n, gọi là vùng chuyển tiếp. Một điện áp ngược được cung cấp từ bên ngoài để
hút các hạt mang trong các vùng của photodiode về 2 hướng khác nhau. Dưới tác dụng của
điện trường ngoài, các điện tử trong vùng n dịch chuyển về phía cực dương và các lỗ trống
trong vùng p dịch chuyển về phía cực âm của nó. Vì vậy, trong lớp chuyển tiếp hình thành
một vùng thiếu các điện tử và lỗ trống gọi là vùng nghèo và nó chịu tác động bởi một điện
trường cao. Thông thường, bộ tách quang được thiết kế sao cho ánh sáng đến tác động chủ
yếu vào vùng nghèo này. Khi có ánh sáng đi vào Photdiode thì sẽ xảy ra quá trình như sau:
Nếu các photon trong chùm ánh sáng tới mang một năng lượng lớn hơn hoặc bằng với
năng lượng dải cấm của lớp vật liệu bán dẫn thì chúng có thể kích thích điện tử từ vùng
hoá trị lên vùng dẫn. Quá trình này làm phát ra các cặp điện tử, lỗ trống. Sự có mặt của
trường điện cao trong vùng nghèo làm cho các hạt mang tách nhau ra và di chuyển về
hướng điện trường có cực tính trái ngược (điện tử về hướng cực dương, lỗ trống về hướng
cực âm của điện áp bên ngoài). Điều này tạo ra dòng điện ở mạch ngoài gọi là dòng photo.
Trong trường hợp lý tưởng, mỗi photon chiếu vào làm phát sinh ra một xung điện ở mạch
ngoài và giá trị trung bình của dòng điện sinh ra tỷ lệ với công suất của ánh sáng chiếu
vào. Tuy nhiên, trong thực tế, không đạt được như vậy vì có một phần ánh sáng bị tổn hao
do phản xạ.
Gọi λC là bước sóng cắt mà tại đó photon có năng lượng đúng bằng năng lượng
hc
vùng cấm, nghĩa là λC = . Do đó, mỗi một photodiode có một dải bước sóng làm việc
Eg
nhất định, nếu ánh sáng đến có bước sóng dài hơn bước sóng cắt λC của photodiode thì nó
không làm việc được.

16
1.6.1 Các vật liệu chế tạo photodiode
Việc lựa chọn vật liệu chế tạo photodiode rất quan trọng vì năng lượng vùng cấm
xác định dải bước sóng làm việc của nó. Trong các hệ thống thông tin sợi quang trước đây,
người ta sử dụng các loại photodiode Silicon (Si), Germanium (Ge) và Gallium Arsenide
(GaAs) vì các vật liệu này phổ biến và đáp ứng tốt với ánh sáng trong vùng bước sóng
800nm và 900nm. Trong đó, loại Si và GaAs được sử dụng nhiều hơn do chúng có mức
nhiễu thấp hơn so với Ge. Tuy nhiên, các loại trên không nhạy với các vùng bước sóng dài
hơn 1100nm mà các tuyến thông tin quang hiện đại đang cần. Do đó, người ta đã nghiên
cứu và chế tạo ra các loại phôtodiode gồm ba thành phần như Indium Gallium Arsenide
(InGaAs) và 4 thành phần như Indium Gallium Arsenide Phospho (InGaAsP). Loại
InGaAs được sử dụng trong photodiode PIN và APD. Bảng 1.1 trình bày dải bước sóng
hoạt động của một số loại photodiode phổ biến.

Bảng 1.1 Dải bước sóng hoạt động của một số loại photodiode phổ biến

Vật liệu Năng lượng vùng Bước sóng cắt Dải bước sóng làm
cấm, [eV] [nm] việc [nm]
Silicon (Si) 1,17 1060 400-1060
Germanium (Ge) 0,775 1600 600-1600
Gallium Arsenide (GaAs) 1,424 870 650-870
InGaAs 0,73 1700 900-1700
InGaAsP 0,75-1,35 1650-920 800-1650

1.6.2 Hiệu suất lượng tử


Một đặc tính quan trọng của photodiode là hiệu suất lượng biểu thị bằng đại lượng
η (eta).η được định nghĩa tỉ số giữa số cặp điện tử lỗ trống tạo ra và số photon của ánh
IP / q
sáng đến và bằng η= . (1.23)
P0 / hν
Trong đó, q là điện tích của điện tử, Ip là dòng photo trung bình được tạo ra luồng
ánh sáng đến có công suất quang trung bình Po, và hν là năng lượng của 1 photon. Trong
các photodiode thực tế, cứ 100 photon đến thì có thể tạo được từ 30 đến 90 cặp điện tử lỗ
trống, nghĩa là hiệu suất lượng tử η = 30% − 90%

1.6.3 Hệ số chuyển đổi quang-điện


Đặc tính của photodiode được đặc trưng bởi hệ số chuyển đổi quang-điện R . Nó
liên quan với hiệu suất lượng tử theo biểu thức như sau:
I p ηq
R= = . (1.24)
P0 hν
Hình 1.19 trình bày hệ số chuyển đổi quang-điện của photodiode PIN biến thiên theo bước
sóng. Chẳng hạn, photodiode Si có R=0,6A/W tại bước sóng 900nm, photodiode Ge có
R=0,45A/W tại bước sóng 1300nm, photodiode InGaAs có R=0,62A/W tại bước sóng
1300nm và R=0,75A/W tại bước sóng 1500nm.

17
Hình 1.19 Hệ số chuyển đổi quang-điện của các photodiode PIN
biến thiên theo bước sóng.
1.6.4 Tốc độ đáp ứng
Photodiode cần có tốc độ đáp ứng nhanh để có thể chuyển đổi kịp thời các tín hiệu
có tốc độ bít cao. Nếu đầu ra của photodiode không theo kịp sự biến thiên của dạng xung
quang của ánh sáng đến thì dạng xung điện tại đầu ra của nó sẽ bị méo. Điều này làm giảm
đặc tính hệ thống vì nó có thể tạo ra bit lỗi. Tốc độ đáp ứng của photodiode được đo bằng
thời gian lên của tín hiệu ra tương ứng với biên độ xung biến thiên từ 10% đến 90% giá trị
đỉnh khi ánh sáng tác động tức thì vào đầu vào. Tương tự, thời gian xuống của photodiode
cũng được đo bằng khoảng thời gian biên độ xung ra giảm từ 90% đến 10% giá trị đỉnh
của nó.
Thời gian lên và xuống phụ thuộc vào các yếu tố như độ hấp thụ ánh sáng của
photodiode tại một tần số nào đó, độ rộng vùng nghèo (vùng cơ bản, i), giá trị tụ điện và
điện trở của photodiode.

1.6.5 Băng thông


Nếu thời gian lên và thời gian xuống bằng nhau thì băng thông của photodiode
được xác định theo biểu thức:
350
BW = (1.25)
tr
tr=tf : thời gian lên và xuống của photodiode [ns]
BW: băng thông của photodiode [MHz]

1.7 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Photodiode thác APD
Để tăng độ nhạy điốt quang người ta ứng dụng hệ thống giống như hiệu ứng nhân
điện tử trong các bộ nhân quang điện.

18
n+

P+

Hình 1.20 Cấu trúc Photodiode thác và điện trường trong vùng trôi.

Photodiode thác ký hiệu APD (Avalanche photodiode) có đặc tính tốt hơn đối với
tín hiệu nhỏ.
Cấu trúc thông dụng của một Photodiode thác có thể được mô tả như hình 1.20. Nó
được cấu tạo gồm có vật liệu loại p điện trở suất cao đặt làm lớp epitaxi nền p+. Sau đó
người ta thực hiện khuếch tán hoặc cấy lớp n+ (loại n được pha tạp nặng). Hai vùng cách
nhau bởi một điện trường thấp (nơi các photon được hấp thụ và các hạt mang trôi theo
chiều phân cực của nó) và một vùng trường điện cao (nơi mà các hạt mang được gia tốc và
chịu quá trình nhân). Đối với Si, chất kích tạp ở vùng này thường là Bo hoặc phospho. Cấu
tạo như vậy thường được gọi là cấu trúc cận xuyên p+ipn+. Lớp i cơ bản là lớp vật liệu tự
dẫn có pha tạp một chút p.
Khi có một thiên áp ngược nhỏ, hầu hết điện thế rơi vào tiếp giáp pn+, vùng trôi sẽ
được mở rộng ra cùng với sự gia tăng của thiên áp ngược cho đến khi đạt được một giá trị
điện áp tại vùng tiếp giáp pn+ đủ lớn để gây nên hiệu ứng “thác đổ”.
Khi một photon ánh sáng tác động vào photodiode thì một điện tử sẽ bị tác động
nhảy từ dải hoá trị lên dải dẫn, hình thành cặp điện tử-lỗ trống. Dưới tác động của điện
trường cao, điện tử này được gia tốc sẽ tác động vào các điện tử xung quanh, kích thích
chúng nhảy từ dải hoá trị lên dải dẫn, tạo ra các cặp điện tử-lỗi trống mới. Cũng tương tự
như trên, đến lượt các cặp này được gia tốc, kích vào các điện tử để tạo ra nhiều cặp điện
tử-lỗ trống khác. Quá trình cứ thế tiếp tục, và được tăng cường rất mạnh nhờ điện trường
tăng vọt trong vùng thác, hình thành hiệu ứng thác là tăng dòng điện ở mạch ra của
photodiode APD.
Quá trình tăng dòng do hiệu ứng thác trong Photodiode APD được đặc trưng
bằng hệ số nhân dòng điện M. Mối quan hệ giữa dòng photo IP, hệ số chuyển đổi RAPD ,
hệ số nhân M được biểu diên theo biểu thức sau:
I P = R APD Po = MRP0 (1.26)
Trong đó: R hệ số chuyển đổi tương ứng với hệ số nhân M=1

19
1.8 So sánh các photodiode
Bảng 1.2 và 1.3 trình bày các thông số cơ bản của các loại photodiode phổ biến. Các thông
số này được trích từ các tài liệu kỹ thuật của chúng và từ các báo cáo nghiên cứu liên quan
Bảng 1.2 Các thông số cơ bản của các loại photodiode PIN

Thông số Ký hiệu Đơn vị Si Ge InGaAs


Dải bước sóng λ nm 400-1100 800-1650 1100-1700
Hệ số chuyển R A/W 0,4-0,6 0,4-0,5 0,75-0,95
đổi quang-điện
Dòng tối ID nA 1-10 50-500 0,5-2
Thời gian lên tr ns 0,5-1 0,1-0,5 0,05-0,5
Băng thông BW GHz 0,3-0,7 0,5-3 1-2
Điện áp phân VB B V 5 5-10 5
cực

Bảng 1.3 Các thông số cơ bản của các loại photodiode APD

Thông số Ký hiệu Đơn vị Si Ge InGaAs


Dải bước sóng λ nm 400-1100 800-1650 1100-1700
Hệ số nhân M lần 20-400 10-200 10-40
Dòng tối ID nA 0,1-1 50-500 10-50 tại
M=10
Thời gian lên tr ns 0,1-2 0,5-0,8 0,1-0,5
Hệ số khuếch MxB GHz 100-400 2-10 20-250
đại x Băng
thông
Điện áp phân VB B V 150-400 20-40 20-30
cực

Đối với các tuyến truyền dẫn ngắn, các photodiode Si hoạt động ở vùng bước sóng
850nm được sử dụng rộng rãi do giá thành thấp. Đối với các tuyến dài hơn, thì cần hoạt
động ở vùng bước sóng cao hơn ( từ băng O đến băng L), lúc đó người ta thường chọn các
photodiode InGaAs.
D. PHẦN TRUYỀN DẪN
1.9 Hiện tượng phản xạ toàn phần và khẩu độ số
1.9.1 Hiện tượng phản xạ toàn phần
Trong hệ thống thông tin sợi quang, ánh sáng được truyền đi suốt sợi quang (trong
lõi sợi) dựa vào hiện tượng phản xạ toàn phần.
Giả sử có hai môi trường với chiết suất lần lượt là n1 và n2 (n1>n2) như hình 1.21.
Tia sáng (tia tới) đi từ môi trường có chiết suất n1 sang môi trường có chiết suất n2. Theo
định luật khúc xạ Snell, ta có biểu thức:
n1 sin φ1 = n2 sin φ2 (1.38)
với φ1 là góc tới – góc hợp bởi pháp tuyến của mặt phân cách hai môi trường với tia tới.
φ 2 là góc khúc xạ – góc hợp bởi pháp tuyến của mặt phân cách với tia khúc xạ

20
a) b)

Pháp tuyến Pháp tuyến

Tia khúc xạ

φ2 π
φ2 =
n2 n2 2
φ
n1 n1

φ1 φ1 = φC φ1
Tia tới Tia phản xạ
Tia phản xạ
Tia tới

Hình 1.21 Hiện tượng phản xạ và khúc xạ ánh sáng trong sợi quang

Ở đây, vì n1 > n2 cho nên góc tới φ1 < φ 2 . Nếu góc tới φ1 lớn dần lên đến một giá
trị φ c thì tia khúc xạ sẽ nằm song song với ranh giới phân cách hai môi trường, lúc đó φ c
được gọi là góc tới hạn (hình 1.21b), lúc này không tồn tại tia khúc xạ ở môi trường thứ
hai. Khi tia sáng có góc tới φ1 lớn hơn góc tới hạn φ c thì đều bị phản xạ trở lại. Hiện
tượng các tia sáng bị phản xạ trở lại môi trường ban đầu tại mặt phân cách hai môi trường
gọi là hiện tượng phản xạ toàn phần. ứng với góc tới hạn φ c thì góc khúc xạ φ 2 = 900, lúc
n2
này sin φ c = (1.39)
n1
Như vậy, điều kiện để xảy ra hiện tượng phản xạ toàn phần là:
+ Các tia sáng phải đi từ môi trường có chiết suất lớn hơn sang môi trường có chiết suất
nhỏ hơn.
+ Góc tới của tia sáng phải lớn hơn góc tới hạn.
Các định luật phản xạ và khúc xạ ánh sáng ở trên là nguyên lý áp dụng cho việc truyền dẫn
tín hiệu ánh sáng trong sợi quang. ở sợi dẫn quang, các tín hiệu ánh sáng được truyền dựa
vào hiện tượng phản xạ toàn phần.
1.9.2 Khẩu độ số
Khảo sát hình 1.22, tia sáng tới tạo với trục của sợi một góc θ i tại tung tâm của lõi.
Do có sự thay đổi chiết suất tại giao tiếp không khí và sợi quang nên tia khúc xạ khi đi vào
sợi tạo với trục một góc θ r ≠ θ i . Mối quan hệ giữa hai góc được thể hiện theo biểu thức
sau.: n0 sin θ i = n1 sin θ r . (1.40)
Trong đó n1 và n0 lần lượt chiết suất của lõi sợi và không khí. Khi tia khúc xạ gặp
n2
giao tiếp lõi-vỏ thì nó lại bị khúc xạ. Khi góc tới φ thoả mãn điều kiện sin φ < thì
n1

21
xuất hiện hiện tượng phản xạ toàn phần. Như trên trình bày, góc tới hạn φ c thoả mãn điều
kiện
n
sin φc = 2 (1.41)
n1

Hình 1.22 Đường đi của các tia sáng khi vào sợi quang
có chiết suất phân bậc
Lúc đó, với các góc tới φ > φ c thì trong sợi xảy ra hiện tượng phản xạ toàn phần, toàn bộ tia
sáng bị giam trong sợi.
Người ta sử dụng các biểu thức (1.39) và (1.40) để xác định góc lớn nhất giữa tia
π
tới và trục của sợi sao cho ánh sáng bị giam trong sợi. Chú ý rằng θ r = − φ c , nên thay nó
2
vào (1.39) ta được: n0 sin θ i = n1 cos φ c = ( n12 − n22 ) (1.42)
n0 sin θ i được gọi là khẩu độ số (NA) của sợi. Nó đặc trưng khả năng tập trung ánh
sáng vào sợi. Vì n1 ≈ n 2 nên NA xấp xĩ bằng:
n − n2
NA = n1 2Δ với Δ = 1 (1.43)
n1
Trong đó Δ sự thay đổi chiết suất tương đối tại giao tiếp lõi-vỏ. Rõ ràng, Δ càng
lớn càng tốt vì lúc đó ánh sáng ghép vào sợi càng nhiều. Tuy nhiên, các sợi quang như thế
không được dùng trong thông tin quang vì bị hiện tượng tán sắc đa đường hay còn gọi là
tán sắc mode.
1.10 Suy hao trên sợi quang
Suy hao trên sợi dẫn quang đóng một vai trò rất quan trọng trong việc thiết kế hệ
thống, là tham số xác định khoảng cách giữa phía phát và phía thu. Suy hao có thể là do
bản chất bên trong hoặc bên ngoài sợi quang gây ra. Các suy hao bên ngoài bản chất sợi
như suy hao ghép nối giữa sợi quang và bộ thu, suy hao do uốn cong quá giới hạn cho
phép. Các suy hao thuộc bản chất gồm suy hao hấp thụ, suy hao tán xạ và các suy hao bức
xạ năng lượng ánh sáng.
Suy hao tín hiệu trên 1 km của sợi quang được tính theo biểu thức:
10 ⎛ P ⎞
α = log⎜⎜ IN ⎟⎟ [dB/Km] (1.44)
L ⎝ POUT ⎠
Sự không tinh khiết trong cấu tạo sợi quang là nguyên nhân chủ yếu gây nên suy
hao. Trong thuỷ tinh thông thường các tạp chất iôn OH và các iôn kim loại chuyển tiếp đã

22
làm tăng đặc tính suy hao. Đặc biệt iôn OH tạo ra các đỉnh tổn hao ở các bước sóng
1200nm và 1400nm. Giữa các đỉnh này có các vùng suy hao thấp, đó gọi là các cửa sổ
truyền dẫn 850nm, 1300nm, 1550nm mà các hệ thống thông tin đã sử dụng để truyền ánh
sáng như trong hình 1.25 và 1.26.

Hình 1.23 Suy hao tín hiệu trong sợi quang theo bước sóng

Water
spike

2000s

Hình 1.24 Suy hao tín hiệu trong sợi quang theo bước sóng
qua các giai đoạn khác nhau

23
1.11 Tán sắc trong hệ thống thông tin sợi quang
1.11.1 Hiện tượng tán sắc
Hiện tượng một xung ánh sáng bị giãn rộng ra về mặt thời gian sau một quãng
đường truyền nhất định trong sợi cáp quang được gọi là hiện tượng tán sắc. Tín hiệu bị
méo dạng khi xung bị giãn ra sẽ phủ chòm lên các xung bên cạnh cho đến khi vượt quá
một giới hạn nào đó thì thiết bị phía thu sẽ không còn phân biệt được các xung kề nhau
nữa, bấy giờ sẽ xuất hiện lỗi bit. Như vậy, đặc tính tán sắc đã hạn chế tốc độ bít và dung
lượng truyền dẫn của sợi. Hình 1.25 minh họa sự giãn rộng xung do tán sắc.
Pi
Pi/2 Po
Po/2

τi τo
L
Hình 1.25 Minh họa sự giãn rộng xung do tán sắc khi ánh sáng được truyền trong sợi.

Độ tán sắc tổng cộng của sợi quang, kí hiệu là D, có đơn vị là giây (s) được xác định bởi:
D = τ o2 − τ i2 (1.51)
trong đó: τi, τo là độ rộng của xung vào và xung ra. Độ tán sắc qua mỗi km sợi được tính
bằng ns/km hoặc ps/km. Đối với loại tán sắc phụ thuộc vào bề rộng phổ của nguồn quang
thì đơn vị được tính là ps/nm.km.
1.11.2 Các loại tán sắc

Tán sắc tổng

Tán sắc mode Tán sắc màu Tán sắc Mode PC


(Tán sắc vận tốc nhóm)

Tán sắc vật liệu Tán sắc ống dẫn sóng

Sợi đơn mode

Sợi đa mode
Hình 1.26 Sơ đồ các loại tán sắc trong sợi quang.

24

You might also like