Professional Documents
Culture Documents
I.Mục đích :
- Sinh viên làm việc trong phòng máy, sử dụng thành thạo phần mềm và biết được
tính chất của các linh kiện khi ghép vào mạch, khảo sát kiểm nghiệm các mạch điện
tử đã được học trong phần mạch tương tự như: khảo sát BJT, FET, ứng dụng Op-
Amp, dao động sin tần số thấp và dao đông không sin.Qua đó cho ta thấy được sự
khác biệt giữa thực hành và lý thuyết, khả năng tự nhận xét dựa trên các hiện tượng
và quan sát giản đồ xung.
- Giúp ta xác định chân của các loại: biến trở,diode,transistor….
- Đo thử các loại linh kiện trên để biết linh kiện còn tốt hay đã hỏng.
- Sau đây là một số linh kiện thường sử dung trong mạch và cách đo nó:
1. Khi ta đo thử vài diode , thì có diot vẫn hoạt động tốt , một số hoạt động không
đúng vì quá thời gian sử dụng nhiều lần nên linh bị hỏng.
+ Hình vẽ :
+ Chọn kế đang sử dụng có dòng điện đi từ que đỏ que đen: Khi đo thử ta xác
định được chân dài là cực dương(+) ứng với chân 1, và ngược lại chân ngắn là cực
âm(-).
+ Cách xác định trên là cách xác định chung cho mọi loại diode nhưng trên thi
trường có rất nhiều loại diode mỗi loại diode có một hình dang khác nhau .Và sau
đây là một số hinh ảnh về diode:
Trang:1
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Diode phát quang (led ) diode zener
Sử dụng trở 100K , 1 đầu cắm ở B(chân 3) giả sử chân 1 là chân C, để dây đen vào
cực C cho dây đỏ vào 2 chân thì điện trở rất lớn (kim đồng hồ chỉ giá trị lớn), giả sử
chân 2 là cực C , cho dây đen vào C , dây đỏ vào chân 1 đồng hồ chỉ giá trị nhỏ
mà khi đồng hồ chỉ giá trị càng nhỏ thì phân cực thuận điều đó chứng tỏ chân 2 là
cực C , chân còn lại là cực E.
Trang:2
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Phép đo thử thứ 2 : PNP: ngược lại với transitor NPN (sử dụng dây đỏ thế cho dây
đen) để thử các cực từ đó có thể suy ra các cực.
-Hình vẽ:
Transistor PN
Đối với transitor PNP thì cưc B là cực âm, cực C,E là cực dương.
3. Đo linh kiện biến trở :
Mô hình : biến trở là linh kiện thụ động
Có 3 chân , trong đó có 1 chân di động và 2 chân cố định gọi là chân 1 và chân 2.
Dùng Ohm kế đo điện trở từ chân di động tới 2 chân cố định ta được :
Biến trở
Trang:3
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
SCR là linh kiện có 3 chân G , A , K dòng kích IG, đi vào chân G, ra chân K. Chân
G là que đen, K là que đỏ thì kim Ohm kế lên. Đo G-K dùng giải X10. Đo chân G-A,
A-K cả 2 đều không lên(2 chiều là đảo 2 que đo) nếu đo không lên thì SCR bị hỏng.
Oscilloscope
- Các nút điều khiển của Oscilloscope:
+ Nút điều khiển Volt/DIV (số volt trên một ô)
+ Time/DIV (thời lượng trên 1 ô)
+ Position lên, xuống
+ Position qua, lại (để chỉnh dạng sóng hiển thị ở vị trí để nhìn nhất)
+ Thanh điều khiển Vert mode (chọn hiểu thị kênh 1, kênh 2, hay cả 2)
+ Nút Triglevel (đôi khi dạng sóng bị trôi, ta chỉnh nút này để dạng sóng đứng lại)
+ Thanh điều khiển AC-GND-DC
II.Nội Dung: Môn học này nhằm trang bị cho sinh viên
- Kiến thức: + Nhận biết các linh kiện và các mạch khi thực hành trên máy.
+ Hiểu tường tận hơn về cơ sở lý thuyết mạch tương tự.
- Kỹ năng: + Sử dụng thành thạo phần mềm Electronics workbench và kiểm
nghiệm mạch trên phần mềm này.
+ Thấy rõ sự khác biệt giữa lý thuyết và khi thực hành trên phần mềm
này.
III.Thực Hành:
Sau khi nắm rõ được các tính chất và chân của các linh kiện thì sinh viên bắt đầu
vào ráp mạch.Trong môn thực tập mạch tương tự này cụ thể sinh viên phải làm 6 bài
thực tập như sau :
1. Chỉnh lưu điện thế -Nguồn cấp điện.
2. Phân cực và khuyếch đại Transistor.
3. Khuyếch đại công suất.
4. Khuyếch đại thuật toán.
5. Ứng dụng khuyếch đại thuật toán.
6. Mạch dao động.
- Tất cả các bài thực tập nói trên được thể hiện khá rõ và cụ thể như sau :
Trang:4
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
I. Mục đích:
1. Khảo sát các mạch chỉnh lưu và lọc để tạo nguồn điện DC.
2. Khảo sát các mạch ổn áp dung Diode Zener và Transistor
II. Cơ sở lý thuyết:
Ôn lại lý thuyết về các mạch chỉnh lưu và lọc RC, ổn áp dùng Diode Zener và
transistor.
Mạch ổn áp chuyển đổi nguồn xoay chiều sang một chiều với điện thế ra ổn
định trong một khoảng cho phép nào đó.
III. Báo cáo:
1.Mạch chỉnh lưu bán kỳ và lọc RC:
a. Khi chưa mắc tụ:
Lắp mạch như hình bên, với:
Nguồn: 5V, tần số 1Khz.
Điện trở: 100 Ohm.
Hình 1.1
Trang:5
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
b. Thay đổi chiều của Diode, lắp mạch như hình bên dưới:
+ Ở bán kỳ dương Diode được phân cực thuận nên dẫn điện. Dòng điên
qua điện trở R có trị số biến thiên theo bán kỳ dương của điện áp lối vào.
+ Ở bán kỳ âm Diode phân cực nguợc nên không dẫn điện, lúc này không
có dòng điện chạy qua Diode
+ Kết quả dòng điện và điện áp trên tải chỉ xuất hiện ở bán kỳ dương nên
điện áp ra là điện áp một chiều có dạng sóng như hình 1.2.
Khi thay đổi chiều Diode:
+ Ở bán kỳ dương Diode phân cực ngược nên không dẫn điện, nên không
có dòng chạy qua Diode.
+Ở bán kỳ âm Diode phân cực thuận nên dẫn điện. Dòng điện qua điện trở
R có trị số biến thiên theo bán kỳ âm của điện áp lối vào.
+ Dòng điện và điện áp trên tải chỉ xuất hiện ở bán kỳ âm, điện áp ra là
điện áp một chiều có dạng sóng như hình 1.4.
⇒ Qua đó ta rút ra nhận xét:
+ Diode chỉ dẫn điện khi được phân cực thuận.
+ Diode có tác dụng chuyển nguồn xoay chiều thành một chiều.
+ Sóng lối ra có độ gợn sóng cao.
Mắc một Volt kế song song với tải R ta đo được giá trị của R:
- VR = 1.888 (V) :Khi chưa thay đổi chiều Diode
- VR = -1.891 (V) :Khi thay đổi chiều Diode
Hình 1.5: Mạch chỉnh lưu và lọc RC khi mắc thêm tụ.
Trang:7
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Mắc một Volt kế song song với tải R, ta đo được điện áp hai đầu tải R:
VR = 4.672 (V)
Quan sát dạng sóng ta được hình bên dưới:
Trang:8
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Dòng điện qua tải được liên tục và độ gợn sóng ở lối ra giảm so với khi
không mắc tụ nhờ đặc tính nạp xả của tụ.
d. Giảm điện trở tải: xuống còn 50 Ohm.
Mắc Volt kế song song với tải R, ta đo được điện áp hai đầu tải R:
VR = 3.847(V)
Lắp mạch như hình 1.5, nhưng giảm điện trở tải còn 50 Ohm, quan sát dạng
sóng ta được hình như bên dưới:
sóng ngỏ ra
Hình 1.7: Dạng sóng khi giảm điện trở tải xuống 50.
Nhận xét:
Sóng ra nhấp nhô hơn so với trường hợp điện trở tải R=100 Ohm, nhưng ít nhấp
nhô hơn so với khi chưa mắc tụ. Do dòng xả của tụ giảm dần theo hàm số mũ từ I =
VDC/R xuống 0V.
VDC −τt
Dòng xả tính theo công thức: ic(t) = e
R
Điện trở giảm →dòng tải lớn→yêu cầu tụ xả điện nhiều hơn→dòng xả của
tụ tăng→độ gợn sóng tăng lên.
Trang:9
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
⇒ Từ các kết quả trên ta có nhận xét:
+ Diode có tác dụng chuyển nguồn điện xoay chiều thành một chiều.
+Tụ điện có tác dụng làm sóng ngõ ra bằng phẳng hơn, giá trị điện dung của tụ
lọc càng lớn sóng ra càng bằng phẳng, giá trị của điện trở càng nhỏ sóng ra có độ
gợn sóng càng cao và ngược lại (trường hợp có mắc tụ).
+ Giá trị điện áp trên tải có thể đo bằng Volt kế.
2. Chỉnh lưu toàn kỳ và lọc RC :
a.Mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 Diode:
Lắp mạch như hình vẽ, với các giá trị như sau:
Điện trở R = 100 Ohm.
Tụ điện C = 100 µ F.
Nguồn xoay chiều: 6 V/50 Hz.
- Dạng sóng của mạch khi chưa mắc tụ, ta nhận được sóng có dạng như hình bên
dưới:
Hình 2.2: Dạng sóng của mạch khi chưa mắc tụ.
Trang:10
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
- Khi mắc tụ C vào mạch, quan sát dạng sóng ta nhận được sóng có dạng như
hình bên dưới:
Hình 2.4: Dạng sóng khi tăng giá trị tụ C lên 1000 µ F.
Trang:11
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
+ Khi giảm giá trị của tụ xuống còn 50 µ F , quan sát dạng sóng ta thu được
hình như bên dưới:
Hình 2.5: Dạng sóng khi giảm giá trị của tụ còn 50 µ F.
Từ các dạng sóng nhận được ở các hình trên, ta rút ra nhận xét:
+ Khi chưa mắc tụ, do Diode có tác dụng chỉnh lưu dòng xoay chiều thành dòng
một chiều nên sóng ra là sóng một chiều nhưng sóng có độ gợn sóng cao(hình 2.2).
Ở bán kỳ dương Diode D1 dẫn, nhưng Diode D2 không dẫn. Ở bán kỳ âm
Diode D1 không dẫn nhưng Diode D2 dẫn → ở cả hai bán kỳ đều có dòng chạy qua
tải nên sóng ở lối ra được liên tục.
+ Khi mắc tụ C có điên dung 100 µ F, nhờ đặc tính nạp xả của tụ điện nên sóng
ngõ ra có độ gợn sóng ít hơn so với khi không mắc tụ (hinh 2.3).
+ Khi tăng giá trị của tụ lên 1000 µ F, nhờ đặc tính nạp xả của tụ điện dòng
điện qua tải được liên tục và độ gợn sóng nhỏ hơn khi tụ có điện dung 100 µ F (hình
2.4).
+ Khi giảm giá trị của tụ điện còn 50 µ F, sóng lối ra có độ gợn sóng thấp hơn
so với khi không mắc tụ nhưng cao hơn so với khi tụ có điện dung là 100 µ F và
1000 µ F (hình 2.5).
⇒ Từ các kết quả trên ta rút ra nhận xét:
Trang:12
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
+ Mạch ở hình 2.1 là mạch chỉnh lưu toàn kỳ vì ở hai bán kỳ đều có dòng chạy
qua tải. Sơ đồ mạch chỉnh lưu hai nữa chu kỳ sử dụng Diode chính là hai sơ đồ chỉnh
lưu một nữa chu kỳ mắc song song có tải chung.
+ Điện dung của tụ càng tăng, khả năng tích điện càng cao nên sóng ra càng bằng
phẳng.
+ Điện dung của tụ càng thấp, khả năng tích điện càng giảm nên sóng ra có độ gợn
sóng cao hơn.
- Khi chưa mắc tụ quan sát dạng sóng ta được sóng có dạng như hình bên:
- Khi mắc tụ C, quan sát dạng sóng ta thu được sóng có dạng như hình bên
dưới:
Trang:13
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Hình 2.9: Dạng sóng khi tăng giá trị tụ C lên 1000 µ F.
+ Khi giảm giá trị của tụ xuống còn 50 µ F, quan sát dạng sóng của mạch ta thu
được sóng có dạng như hình bên:
Trang:14
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Trang:15
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Khi tụ C có điện dung C = 100 µ F, mắc Volt kế song song với tải R như
hình vẽ để đo điện áp lối ra: ⇒ VR = 6.381 (V).
Khi tụ C có điện dung C = 1000 µ F, mắc Volt kế song song với tải R như
hình ta đo được điện áp lối ra có giá trị: ⇒ VR = 7.598(V).
Nhận xét:
+ Khi tụ có điện dung 100 µ F → khả năng tích điện thấp hơn so với khi tụ có
điện dung 1000 µ F → dòng xả của tụ qua R khi C = 100 µ F thấp hơn khi C =
1000 µ F →điện áp trên tải R khi tụ C = 100 µ F có giá trị thấp hơn khi tụ C =
1000 µ F.
4.Mạch nhân điện áp:
Mắc mạch như hình vẽ, với:
Tụ C1=C2=C3=1000 µ F.
Nguồn xoay chiều 6V / 50Hz.
Điện trở R=100Ohm.
1. Chỉnh chiết áp có giá trị như hình vẽ để điện áp lối vào Vi ∼ 8.5 (V), mắc Volt
kế đo các giá trị của: Vi, VCE1, Vz, VBE2, VBE1. Ta nhận được các giá trị như sau:
Vi = 8.526 (V)
VCE1 = 1.612 (V)
Vz = 8.525 (V)
VBE1 = 0.8655 (V)
VBE2 = 0.7461 (V)
Thay các giá trị trên vào hai thức (1) và (2), ta được:
Vo = Vi –VCE1 = 8.526-1.612 = 6.914 (V)
Vo= Vz – VBE2 –VBE1 =8.525-0.7461-0.8655 = 6.9134 (V)
Giá trị Vo đo được là: Vo=6.914 (V).
Qua đó ta có nhận xét:
So sánh Vo khi đo với giá trị Vo nhận được khi thay các giá trị đo được vào hệ thức
(1) và (2) ta thấy kết quả nhận được tương đối chính xác.
→ Vậy mạch đúng.
2. Xoay chiết áp hạ Vi xuống xấp xỉ 8V, 7V, 6V, 5V, 4V. Mỗi lần đo và ghi kại
kết quả Vo, Vi ta được bảng bên dưới:
Vi Vo
8V 6.358 V
7V 5.580 V
Trang:17
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
6V 4.392 V
5V 3.394 V
4V 2.520 V
3. Ở điện thế nào thì hệ thức (1) không còn đúng nữa:
Khi xoay chiết áp còn 7%, Vi = 1.073(V):
Ta đo được: VCE1 =1.072(V)
Vo = 422.3(µ V)
Thay vào hệ thức (1) ta được:
Vo = Vi –VCE1 =1.073-1.072=0.001(V)
So sánh giá trị Vo đo được với giá trị Vo tính toán được khi thay các giá trị vào hệ
thức (1), ta thấy hệ thức (1) không còn đúng nữa, hai giá trị lệch nhau một khoảng
0.001x106(V)-422.3 (µ V)=577.7(µ V).
4. Xoay chiết áp để đặt Vi ∼ 8.5 (V); đổi trở tải thành 50 Ohm. Kiểm tra lại hai hệ
thức.
Chỉnh chiết áp về vị trí 85%, Vi = 8.477 (V) ∼ 8.5 (V), mắc Volt kế đo các giá trị
của: Vi, VCE1, Vz, VBE2, VBE1. Ta nhận được các giá trị như sau:
Vi = 8.477(V)
VCE1 = 1.684(V)
Vz = 8.473 V)
VBE1 = 0.901(V)
VBE2 = 0.7666(V)
Thay các giá trị trên vào hai hệ thức (1) và (2), ta được:
Trang:18
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
I.Mục đích:
Phân cực Transistor lưỡng cực (BJT).
Khuếch đại tín hiệu nhỏ.
Phân cực và khuếch đại JFET.
Phân cực MOSFET.
II. Cơ sở lý thuyết:
III. Thực hành:
Transistor được dung trong mạch với ba cấu hình khác nhau: C chung, B chung, E
chung với BJT; S chung, D chung, G chung với FET và MOSFET. Nhưng trong bài
này sẽ tập trung ở cấu hình phổ biến nhất ( E chung với BJT và S chung với FET<
MOSFET).
1. Phân cực BJT dung hai nguồn cấp điện:
Mắc mạch như hình vẽ:
Vào trong nhóm phần tử nguồn có: +Vcc ( mặc định +5V )
Biến trở R=250 Ohm.
RB=100 kΩ
Rc=3.3 kΩ
Nguồn nuôi 12V.
Ta có:
IB=( VBB - VBE) / RB.
IC=( VC - VCE) / RC.
Trang:19
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Thay đổi giá trị của chiết áp để VCE có các giá trị xấp xỉ từ 1V đến 11V, mắc Volt
kế và Ampe kế để đo các giá trị điện áp và dòng điện, ta lập được bảng bên dưới:
Trong các mạch thực thường gắn thêm điện trở RE: là điện trở ổn định nhiệt ( làm
cho sự phân cực transistor ít thay đổi khi nhiệt độ của transistor thay đổi ). Sơ đồ
mạch được vẽ như hình bên dưới:
Phân cực BJT dung một nguồn cấp điện, sơ đồ mạch như hình bên dưới:
Trang:20
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Trang:21
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
a. Khuếch đại có tụ rẽ dòng CE:
Phân cực cho VCE ∼ 5V. Mắc Oscilloscope tại lối vào và lối ra, ta thu được sóng
có dạng như hình bên dưới:
Sóng lối ra
Nhận xét: Sóng lối vào và lối ra đều có dạng hình sin và ngược pha nhau. Biên độ
của sóng ở lối vào rất bé so với biên độ của sóng ở lối ra. Do đó độ khuếch đại điện
áp lớn.
Trang:22
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Sóng lối ra
Trang:23
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Thông thường JFET được phân cực sao cho VDS nằm trong khoảng từ VDD / 3 đến
VDD / 2.
VDD = 12 V; RD = 22kΩ .
Mạch khuếch đại:
V = 12V
C1 = 0.1 µ F
Nguồn 1 mV, 1 KHz
RG = 1 M
RS = 1 K
Cs = 47 µ F
Rt = 10 K
C2 = 22 µ F
RD = 22 K
Sóng lối ra
Trang:24
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
i PPA
VGS = VG - VS
V DD RG 2
VG = R + R
G1 G2
Trang:26
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
I. Mục đích:
- Người ta phân chia khuếch đại làm hai loại: khuếch đại tín hiệu nhỏ hay tiền
khuếch đại và khuếch đại tín hiệu lớn hay khuếch đại công suất. Trong hệ
thống âm thanh, tín hiệu từ micro đi vào tiền khuếch đại rồi qua một mạch xử
lí tần số, tiếp theo đến khuếch đại công suất rồi ra loa.
- Có nhiều hạng khuếch đại công suất và cáctransistor có thể là BJT hay
MOSFET. Trong bài này chỉ giới thiệu một số tính chất của khuếch đại công
suất, do đó nhiều yếu tố về mạch và thực tế không được đề cập đến.
II. Cơ sở lý thuyết:
- Trong khuếch đại công suất, biên độ điện thế tín hiệu lớn cùng với biên độ
dòng điện tín hiệu lớn tạo công suất tín hiệu ra từ vài trăm mW đến vài trăm W.
Các transistor ở tầng ra cuối cùng, và đôi khi cả tầng thúc kế trước, là các
transistor công suất. Công suất tiêu tán ở các transistor này lớn nên chúng phải
được giải nhiệt thật hiệu quả.
- Dựa vào sự phân cực cho transistor và chế độ tín hiệu, người ta chia khuếch
đại công suất ra nhiều hạng: A, B, AB, C, D, E, H. Đối với khuếch đại âm thanh,
hạng AB được dùng phổ biến nhất
III. Thực hành:
1. Khuếch đại công suất hạng A:
Transistor công suất được phân cực để dẫn điện ở chu kì tín hiệu, điều này
làm transistor tiêu tán công suất lớn, mà gần nửa là vô ích, nên cần giải nhiệt hiệu
quả. Tuy nhiên khuếch đại hạng A là tuyến tính, độ trung thực cao. Khuếch đại
hạng A chỉ được dùng ở công suất thấp (dưới 10W).
Trang:27
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Nhận xét: sóng tại lối vào và lối ra đều có dang hình sin và ngược pha nhau. Độ
khuếch đại lớn.
Nhận xét: sóng vào và ra đều có dạng hình sin va đảo pha nhau. Độ khuếch đại
khi không có tải riêng lớn hơn so với khi có tải riêng rất nhiều.
Trang:30
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Hình 2a hình 2b
Ở khuếch đại hạng B, Transistor không được phân cực trước. Tín hiệu xoay chiều
được áp vào cực nền của Transistor. Ở biên độ dương của tín hiệu Transistor dẫn,
biên độ tín hiệu càng lớn thì Transistor càng dẫn mạnh. Ở biên độ âm của tín hiệu
Transistor ngưng dẫn. Như vậy Transistor chỉ dẫn nữa chuv kỳ dương tín hiệu, thực
tế khi biên độ tín hiệu lớn hơn khoảng 0.6V thì Transistor mới bắt đầu dẫn.
Thường người ta dùng hai Transistor công suất bù nhau: một NPN và một PNP
nhưng có các đặc tính như β , hệ số nhiệt, công suất,…giống nhau.
To là khuếch đại thúc, T1 và T2 là hai Transistor công suất bù nhau. Mạch ở hình
2a dùng nguồn cấp điện đơn Vcc nên điện thế tại điểm M là Vcc/2 do đó phải có tụ C
để cách ly dòng điện một chiều. Còn mạch hình 2b dùng nguồn cấp điện đối xứng
nên điện thế tại điểm M là 0V và tải được gắn trực tiếp.
Trong mạch hình 2b, khi tín hiệu trong khoảng từ -0.6V đến +0.6V ( điện thế
ngưỡng Transistor) không có Transistor nào dẫn nên tín hiệu ra bằng không. Sự mất
tín hiệu này tạo nên méo dạng xuyên qua. Tín hiệu vào có biên độ đỉnh – đỉnh càng
lớn thì sự méo dang xuyên qua càng trở nên không đáng kể.
3. Khuếch đại công suất hạng AB:
Khuếch đại hạng AB là khuếch đại dung hòa giữa hạng A và hạng B. Lúc bấy giờ
hai Transistor công suất được phân cực vừa chớm dẫn điện ( VBE ∼ 0.6V ) để khi có
tín hiệu là dẫn ngay, do đó tránh được hiện tượng méo dạng xuyên qua.
Trang:31
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
R3=R4=1 Ohm
R5=R6=4.7 k Ohm
RL=8 Ohm
Nguồn nuôi +12 V
Trang:32
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Mắc mạch như hình vẽ trên nhưng chưa gắn tụ C3 ( tụ Bootstrap ), mắc Oscilloscope
vào ngõ ra (trước trở tải RL). Tăng biên độ điện áp tín hiệu vào đến khi thấy có méo
dạng hoặc bị xén ở gần hai
đỉnh của tín hiệu ra. Sóng có dạng như hình bên dưới:
Mắc tụ C3 vào mạch như hình vẽ, quan sát tín hiệu ra, sóng có dạng:
Nhận xét: Khi tăng biên độ điện áp tín hiệu vào tới 20mV thì bắt đầu có sự méo
dạng, tín hiệu lối vào càng lớn thì sự méo dạng càng rõ rệt. Sóng lối ra khi có gắn tụ
C3 có giá trị đỉnh – đỉnh lớn hơn giá trị đỉnh – đỉnh khi không gắn tụ C3
Trang:33
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Transistor Darlington:
Một vấn đề khó khăn trong khuếch đại công suất là phải cung cấp dòng tín hiệu
cho các Transistor công suất khi tín hiệu vào lớn. Ngoài cách dùng tụ Bootstrap như
trên còn còn có những cách khác. Thông thường Transistor Darlington được dùng
thay cho Transistor đơn. Transistor darlington có thể là loại tích hợp hoặc tự lắp rời.
hai transistor mắc darlington giống như một transistor có hệ số khuếch đại dòng β =
β 1 x β 2.
Do đó β có thể đến vài ngàn, và có thể khiến mạch không ổn định nên cần
thêm điện trở và giữ cho β ở mức vừa phải.
Có rất nhiều IC khuếch đại công suất âm thanh trên
thị trường có công suất tín hiệu từ dưới 1W đến trên 100W
hiệu dụng . các IC này có cấu trúc mạch bên trong rất phức
tạp so với các mạch rời đã khảo sát.
Ví dụ: D2822N, AN7130…
AN7130 có 17 transistor, 6 Diode và trên 20 điện trở
tụ, gắn ngoài hỗ trợ thêm 10 trở, tụ dùng nguồn 18V, công
suất 10W, dòng 3A.
Trang:34
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
so sánh, tạo dao động, làm toán…. KĐTT theo nghĩa thông thường là các mạch tích
hợp và đôi khi được gọi là các mạch tích hợp tuyến tính.
II. Cơ sở lí thuyết:
Khuếch đại thuật toán ( KĐTT ) có hai ngõ vào, gọi là ngõ vào (-) hay đảo và ngõ
vào ( + ) hay không đảo. Một ngõ ra ( đôi khi hai ngõ ra đảo pha nhau ), và có hai
ngõ cấp điện một chiều đối xứng. Tín hiệu vào được áp giữa hai ngõ vào hoặc giữa
một ngõ vào và đất.
KĐTT là mạch tích hợp gồm khoảng và chục transistor và nhiều diode, trở, tụ, tạo
nên các mạch : khuếch đại vi sai đầu vào, nguồn dòng, mạch chuyển mức điện thế,
khuếch đại ra…Ở khuếch đại vi sai, transistor lưỡng cực (BJT) hoặc JFET,MOSFET
có thể được dùng, sau đó chủ yếu là BJT, nhưng cũng có KĐTT gồm toàn MOSFET.
Các đặc tính cơ bản của KĐTT là:
- Có thể khuếch đại tín hiệu một chiều và xoay chiều
- Độ lợi vi sai vòng hở (vo/vi) rất lớn, trên 100000 lần ( lý tưởng vô cùng)
- Trở kháng ngõ vào ri rất lớn, trên 1m Ohm( lý tưởng vô cùng )
- Trở kháng ngõ ra ro rất nhỏ, dưới 100 Ohm ( lý tưởng là 0 )
III. Thực hành:
1. Khuếch đại vi sai dùng transistor rời:
Khuếch đại vi sai còn gọi là khuếch đại hiệu số la tầng đầu tiên của cấu trúc KĐTT,
quyết định nhiều đặc tính kỹ thuật của KĐTT. Do đó dễ hiểu KĐTT thì nên biết qua
khuếch đại vi sai. ( Giá trị mặc định Vcc trong phần mềm là +5V)
Trên hình là khuếch đại vi sai cơ bản. Trong mạch sử dụng hai transistor giống hệt
nhau, điện trở Rc1 = Rc2 = 10K, điện trở RE = 20K; nguồn +Vcc = 5V và nguồn đối
xứng +-12V
Trang:35
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Chỉnh chiết áp P để V1=0V và V2 lần lượt là các giá trị xấp xỉ 0V; 0,1V; 0,2V; 0,3V
rồi lập bảng :
V1 – V2 0V -0,1V -0,2V -0,3V
Vc1 – Vc2 9.122-9.122 11.77-6.437= 11.88-6.276= 11.88-6.225=
=0V 5.333V 5.604V 5.655V
Gvd 0 -53.33 -28.02 -18.85
Trang:36
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
R2 1K 10K 100K 1M
G’v -1 -10 -100 -1000
Gv -1 -10 -100 -1000
Cho R2 = 10K. Thay đổi chiết áp để có các giá trị xấp xỉ như sau:
Hình bên là sơ đồ mạch khuếch đại không đảo, độ lợi lý thuyết Gv = 1+ (R2/R1)
Điều chỉnh chiết áp sao cho Vi~50mV
Lập bảng
R2 1K 10K 100K 1M
G’v 2 11 100.98 400
Gv 2 11 101 1001
R1 + R2
Với Gv = R1
Cho R2 = 10K, lập bảng.
Trang:37
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Vo 0.55V 1.1V 1.65V 5.5V
G’v 11 11 11 11
So sánh kết quả hai mạch khuếch đại đảo và không đảo, nhận xét:
- Mạch khuếch đại dc đảo thì G’v và Gv âm
- Mạch khuếch đại dc không đảo G’v và Gv dương
b. Khuếch đại AC đảo và không đảo:
Ở các khuếch đại tín hiệu xoay chiều, phải thêm tụ điện ở ngõ vào và ra để ngăn
dòng điện một chiều. Các tụ này phải có dung kháng nhỏ so với các điện trở nối tiếp
liên quan.
* Mắc mạch khuếch đại AC đảo:
Trang:38
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
VPPA = 2.8 x 50 (mV) = 140 (mV)
Giá trị đỉnh – đỉnh của tín hiệu lối ra:
Trang:40
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
I. Mục đích:
Khảo sát một số mạch ứng dụng tiêu biểu của KĐTT như mạch khuếch đại vi
sai, mạch cộng trừ, mạch lấy tích phân.
II. Thực hành:
1. Khuếch đại vi sai ( khuếch đại hiệu số ):
Do đặc tính của KĐTT có hai ngõ vào nên có thể sử dụng KĐTT để khuếch đại sự
sai biệt của hai tín hiệu vào.
Khuếch đại vi sai cơ bản :
Chọn R1 = 1K, R2 = 10 K
Hình 5.1
Lập bảng:
Hình 2a
Trang:41
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
1 1
Tính toán lý thuyết: Vo = − x5 + x5 = −7.5(V )
1 2
Cho V1 = 5V, V2 = -5V. Đo Vo = -2,5V
1 1
Tính toán lý thuyết: Vo = − x5 + x ( − 5) = −2.5(V )
1 2
hình 2b
Cho V1 = 5V, V2 = -5V. Đo Vo = -19V
2.2 10 1 + 2.2
Tính toán lý thuyết: Vo =− x5 + x x( − 5) = −19 (V )
1 10 +10 1
b. Mạch tổ hợp:
Mạch tổ hợp có sơ đồ như hình 2c:
Hình 2c
Đặt V2 = 12V
Cho R1 = R3 = R4 = R5 = 10K
Trang:42
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
R2 = 22K; R6 = 5,6K
Đo điện áp lối ra và so sánh với lý thuyết
Vo = 1,526V
c. Mạch tích phân:
Lắp mạch như hình bên :
Điện trở 1K
Tụ điện 2,2uF
t
vo (t ) = −1 / RC ∫ vi (t ) dt + vo (0)
0
Trang:43
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
I. Muïc ñích:
Khaûo saùt moät soá maïch dao ñoäng phoå bieán vaø söû duïng
phaàn meàm CrocPhys ñeå moâ phoûng.
Cuï theå trong baøi naøy seõ khaûo saùt caùc maïch sau:
- Maïch dao ñoäng ña haøi
- Maïch ñôn haøi
- Maïch taïo soùng sin
Trang:44
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Hình 6.1a
Đây là mạch dao động theo đúng nghĩa: Mạch tự động luân chuyển tuàn hoàn giữa
hai trạng thái:trạng thái T1 dẫn,T2 ngưng và trạng thái T1 ngưng ,T2 dẫn.Mạch tạo
ra hai tín hiệu vuông đảo pha nhau ở ngõ ra (gắn điện trở Ro1,Ro2 và hai đèn Led)
Nhận xét:
Trạng thái cân bằng của mạch (một transistor mở,một trasistor khoá )chỉ ổn
định trong một thời gian hạn chế nào đó,rồi tự động lật sang trạng thái kia,và
ngược lại.Hai trạng thái nêu trên của mạch đa hài tự dao động còn được gọi là
các trạng thái chuẩn cân bằng.Những thay đổi của điện áp và dòng điện giữa
các điểm trong sơ đồ dẫn đến một trạng thái tới hạn nào đó,có chu kỳ gần
bằng nhưng nhỏ hơn chu kỳ của điện áp tự dao động,quá trình sẽ xảy ra sớm
hơn,tương ứng lúc đó ta có chế độ làm việc đồng bộ của đa hài tự dao động.
Điện áp tác động vào(có biên độ và cực tính thích hợp)gọi là điện áp đồng bộ.
Khi chưa thay đổi giá trị của tụ điện,ta có đồ thị như bên dưới
Trang:45
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Hình 6.1b
Thay đổi giá trị của tụ C ta có thể nhận xét: Để tạo ra các xung có tần số
thấp hơn 1000Hz,giá trị của tụ C1,C2 phải lớn,còn để tạo ra các xung có tần
số cao hơn 10kHz do ảnh hưởng quán tính của transistor làm giảm chất
lượng của xung vuông.Do đó, để tạo ra xung vuông ở vùng tần số thấp và
cao người ta sử dụng khuyếch đại thuật toán
Thay ñoåi giaù trò tuï C1 baèng 1/2 giaù trò tuï C2, ta có đồ thị
như bên dưới
Khi thay đổi giá trị C1 bằng ½ giá trị C2, ta thấy sóng ra ở transistor T1 bị thay
đổi,xung ra của T1 lúc này chỉ bằng ½ so với lúc chưa thay đổi C1.
Trang:46
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Hình 6.2a
Chuù yù coâng taéc K, ban ñaàu phaûi ôû traïng thaùi môû ( LED
khoâng saùng) , duøng chuoät kích ñoâi vaøo coâng taéc ñeå taïo
ra moät xung aâm ngaén. Quan saùt ñeøn LED vaø traïng thaùi
cuûa maïch.
Trang:47
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Nhận xét
Thay ñoåi thôøi gian ñoùng/môû coâng taéc K ( thay ñoåi toác ñoä
kích ñoâi chuoät),ta thấy thời gian đèn LED sáng thay đổi.Lúc đầu đèn nhấp
nháy chậm hơn,nhưng sau đó đèn ngày một nhấp nháy nhiều hơn.
Dưới đây là dạng sóng của nó khi ta thay đổi tốc độ kích đôi chuột vào công tắc K
Hình 6.2b
Ñaët R1 = 10K
R2 = 18K
R3 = 5,6K
Rw = 10K
Cw = 22uF
Trang:48
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Hình 6.3a
Hình 6.3b
Nhận xét:
Tác dụng của hai diode mắc ngược chiều nhau song song với R3 là: Được sử
dụng như phần tử phi tuyến để hạn chế biên độ dao động.Nếu bỏ đi 1 trong 2 diode
trên thì biên độ dao động lúc này sẽ lớn hơn biên độ khi còn có cả 2 diode.
Trang:49
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Trang:50
GVHD: Nguyễn Hồng Minh Thực tập Mạch Tương Tự
Trang:51