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MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de
los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.
Contenido
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1 Historia
2 Funcionamiento
o 2.1 Estado de corte
o 2.2 Conducción lineal
o 2.3 Saturación
o 2.4 Modelos matemáticos
3 Aplicaciones
o 3.1 Ventajas
4 Enlaces externos
[editar] Historia
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque
debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se
comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar
hasta décadas más tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionar
correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente
lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es algo que sólo se pudo conseguir más
tarde, con el desarrollo de la tecnología del silicio. .
[editar] Funcionamiento
Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea
una región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión
crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en
nMOS) en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción. El
transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de
potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta
como una resistencia controlada por la tensión de puerta.
[editar] Saturación
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción
bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La
corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo eléctrico
entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.
[editar] Aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Véase
Tecnología CMOS
[editar] Ventajas
La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y
c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
Contenido
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1 Estructura
2 Funcionamiento
o 2.1 Control de tensión, carga y corriente
o 2.2 El Alfa y Beta del transistor
3 Tipos de Transistor de Unión Bipolar
o 3.1 NPN
o 3.2 PNP
o 3.3 Transistor Bipolar de Heterounión
4 Regiones operativas del transistor
5 Historia
6 Teoría y Modelos Matemáticos
o 6.1 Modelos para señales fuertes
6.1.1 El modelo Ebers-Moll
o 6.2 Modelos para señales débiles
6.2.1 Modelo de parámetro h
7 Véase también
8 Enlaces externos
[editar] Estructura
Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero son caracterizados
más simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT
modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una pequeña parte de éstos (los
transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
[editar] Funcionamiento
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la
región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que
la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil
del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores
que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe
ser menor al ancho de difusión de los electrones.
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-
emisor (control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es
debido a la relación tensión-corriente de la unión base-emisor, la cual es la curva
tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es decir, un diodo).
En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
β veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que
la tensión base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es
β veces la corriente de la base. No obstante, para diseñar circuitos utilizando BJT con
precisión y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemáticos del transistor
como el modelo Ebers-Moll.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la
base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
[editar] PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose
a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación
a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar
señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy
común hoy en día en circuitos ultrarrápidos, generalmente en sistemas de
radiofrecuencia.
Región activa:
Región inversa:
[editar] Historia
Dónde:
IE es la corriente de emisor.
IC es la corriente de colector.
αT es la ganancia de corriente directa en configuración base común. (de 0.98 a 0.998)
IES es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10 −15 a
10−12 amperios)
VT es el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300
K).
VBE es la tensión base emisor.
W es el ancho de la base.
Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier región del
transistor están expresadas más abajo. Estas ecuaciones están basadas en el modelo de
transporte de un transistor de unión bipolar.
Dónde:
iC es la corriente de colector.
iB es la corriente de base.
iE es la corriente de emisor.
βF es la ganancia activa en emisor común (de 20 a 500)
βR es la ganancia inversa en emisor común (de 0 a 20)
IS es la corriente de saturación inversa (en el orden de 10 −15 a 10−12 amperios)
VT es el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300
K).
VBE es la tensión base-emisor.
VBC es la tensión base-colector.
Como se ve, los parámetros h tienen subíndices en minúscula y por ende representan
que las condiciones de análisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones
de corriente continua estos subíndices son expresados en mayúsculas. Para la topología
emisor común, un aproximado del modelo de parámetro h es comúnmente utilizado ya
que simplifica el análisis del circuito. Por esto los parámetros hoe y hre son ignorados
(son tomados como infinito y cero, respectivamente). También debe notarse que el
modelo de parámetro h es sólo aplicable al análisis de señales débiles de bajas
frecuencias. Para análisis de señales de altas frecuencias este modelo no es utilizado
debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas
frecuencias.
Transistor Darlington
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Diagrama de la configuración Darlington.
[editar] Comportamiento
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos
transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una
ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento de
fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse
fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de
ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta
de un transistor o par darlington se halla multiplicando las de los transistores
individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base
por la beta total.
Diodo Schottky
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El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico
alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de
1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral
(también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como
"knee", o sea, de rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima
necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto,
claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de
potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del
flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente.
[editar] Funcionamiento
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutación puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo.
[editar] Características
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y
eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —
valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,7 V, los diodos
Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose,
por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo
ácido.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL. Por ejemplo
los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean
mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que se da
una mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y
menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las
Schottky TTL con la misma potencia.
Diodo
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Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas constituídos por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal,
con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado en
1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el
cátodo) a través del cual circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento
está tratado con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío
circundante los cuales son conducidos electrostáticamente hacia una placa, curvada por
un muelle doble, cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción.
Evidentemente, si el cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón, los
circuitos que utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para que las válvulas se
calentaran antes de poder funcionar y las válvulas se quemaban con mucha facilidad.
Contenido
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Diodo pn o Unión pn
Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n,
por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el
número de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).
Formación de la zona de carga espacial
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3
V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal
que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no está
polarizado. Dado que los electrones fluyen desde la zona n hacia la zona p, al extremo p
se le denomina ánodo (representándose por la letra A) mientras que al extremo n se le
denomina cátodo (se representa por la letra C o K).
Existen también diodos de protección térmica los cuales son capaces de proteger cables.
A (p) C ó K (n)
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está
polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos
observar que:
El polo positivo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
El polo negativo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en
electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo
de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde
el cual se introduce en el hilo conductor y no llega hasta la batería.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a
la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el
orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver
semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen
solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco.
El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p,
caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad
(8 electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose
así en iones negativos.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.
Modelos matemáticos
El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las
aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial
es:
Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
IS es la corriente de saturación (aproximadamente 10 − 12A)
q es la carga del electrón cuyo valor es 1.6 * 10 − 19
T es la temperatura absoluta de la unión
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
El término VT = kT/q = T/11600 es la tensión debida a la temperatura, del orden de 26
mV a temperatura ambiente (300 K ó 27 °C).
Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos más
sencillos), en ocasiones se emplean modelos más simples aún, que modelan las zonas de
funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o
de Ram-señal que se muestran en la figura. El más simple de todos (4) es el diodo
ideal.
Diodo doble 6CH2P (6X2Π) de fabricación rusa usado como rectificador de media onda
Diodo avalancha
Diodo rectificador
Fotodiodo
Diodo Gunn
Diodo láser
Diodo emisor de luz (LED e IRED)
Diodo p-i-n
Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky
Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)
Diodo túnel o diodo Esaki
Diodo Varicap
Diodo Zener
Diodo Shockley
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Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables:
OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo
de barrera Schottky.
Este dispositivo fue desarrollado por W. Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell
y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley.
Diac
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(Redirigido desde DIAC)
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DIAC.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra
clase de tiristor.
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero
orientados en formas opuesta. La conducción se da cuando se ha superado
el valor de tensión del zener que está conectado en sentido opuesto.
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de
fuga. La conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza.
Cuando la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y
entra en conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del
SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de
potencia mediante control de fase.
La curva característica del DIAC se muestra a continuación
En la curva característica se observa que cuando
- +V o - V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como
un circuito abierto
- +V o - V es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como
un cortocircuito
Sus principales características son:
- Tensión de disparo
- Corriente de disparo
- Tensión de simetría (ver grafico anterior)
- Tensión de recuperación
- Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)
SBS
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Para el grupo de radio y televisión pública australiano, véase Special Broadcasting
Service.
Se llama SBS (Silicon Bilateral Switch) a una clase de tiristor bidireccional. Está
formado por dos SUS conectados en antiparalelo. A diferencia de otros tiristores, el
SBS, desde un punto de vista tecnológico, no es una versión mejorada del diodo npnp,
sino que es un circuito integrado que incorpora diodos Zener conectados a la puerta,
transistores y resistencias. Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los
componentes, consiguiendo una asimetría en la tensión de disparo inferior a medio
voltio. Aunque funciona como un dispositivo de dos puertas, se ha incorporado un
electrodo de puerta para una mayor flexibilidad en el uso del dispositivo.
SIDAC
DEFINICIÓN.
El SCR (Silicon
( Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio,
Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la
disposición pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales, llamados Ánodo,
Ánodo Cátodo
y Puerta.
Puerta La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta.
Es un elemento unidireccional (sentido
( de la corriente es único),, conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
Figura 1: Símbolo del SCR.
2. ESTRUCTURA.
Figura 2 : Estructura básica del SCR.
3.
3. CURVA CARACTERÍSTICA Y FUNCIONAMIENTO.
La curva característica del SCR es la representada en el siguiente Applet:
En el Applet se muestra la curva característica típica de un tiristor SCR,
representándose la corriente de ánodo (Ia) en función de la tensión aplicada entre ánodo
y cátodo (Vak). Cuando la tensión Vak es nula, también lo es la intensidad de corriente Ia.
Al aumentar dicha tensión en sentido directo, con corriente de puerta nula, si se supera
la tensión Vb0, la transición de estado OFF a ON deja de ser controlada. Si se desea que
el paso al estado "ON" se realice para tensiones Vak inferiores a Vb0, será necesario dotar
al dispositivo de la corriente de puerta (Ig) adecuada para que dicha transición se realice
cuando la intensidad de ánodo supere la intensidad de enganche (IL ). Por el contrario, si
el dispositivo esta en conducción, la transición al estado "OFF" se produce cuando la
corriente de ánodo caiga por debajo de la intensidad de corriente de mantenimiento (Ih).
Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarización
inversa, existen unas pequeñas corrientes de fugas. fugas Cuando se polariza inversamente se
observa una débil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensión
inversa máxima que provoca la destrucción del mismo.
El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el
cual el disparo se provoca por:
- tensión suficientemente elevada aplicada entre ánodo y cátodo,
- intensidad en la puerta. Se puede controlar así la tensión necesaria entre ánodo y
cátodo para la transición OFF ON, usando la corriente de puerta adecuada.
4. 4. CARACTERÍSTICAS GENERALES.
• Interruptor casi ideal.
• Soporta tensiones altas.
• Amplificador eficaz.
• Es capaz de controlar grandes potencias.
• Fácil controlabilidad.
• Relativa rapidez.
• Características en función de situaciones pasadas (memoria).
4.1 4.1 CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS.
Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y son los
valores máximos que colocan al elemento en límite de sus posibilidades:
- Tensión inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM
- Tensión directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM
- Tensión directa ...........................................................................: VT
- Corriente directa media ...............................................................:: ITAV
- Corriente directa eficaz ................................................................:
...............................................: ITRMS
- Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM
- Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM
- Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH
Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:
- Temperatura de la unión ................................................................: Tj
- Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg
- Resistencia térmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d
- Resistencia térmica unión-contenedor ............................................: Rj-c
- Resistencia térmica unión-ambiente.................................................: Rj-a
- Impedancia térmica unión-contenedor.............................................: Zj-c
4.2 CARACTERÍSTICAS DE CONTROL.
El diodo puerta (G) - cátodo (K) difiere de un diodo de rectificación en los
siguientes puntos:
Una caída de tensión en sentido directo más elevada.
Mayor dispersión para un mismo tipo de tiristor.
4.3 CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS.
• Tensiones transitorias:
- Valores de la tensión superpuestos a la señal de la fuente de alimentación.
- Son breves y de gran amplitud.
- La tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores.
• Impulsos de corriente:
- Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales
puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4).
- A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos.
- El tiempo máximo de cada impulso está limitado por la temperatura media de la unión.
Figura 4. Curva de limitación de impulsos de corriente.
• Ángulos de conducción:
- La corriente y tensión media de un SCR dependen del ángulo de conducción.
- A mayor ángulo de conducción, se obtiene a la salida mayor potencia.
- Un mayor ángulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ángulo de
conducción (Figura 5):
ángulo de conducción = 180º - ángulo de disparo
- Conociendo la variación de la potencia disipada en función de los diferentes ángulos
de conducción podremos calcular las protecciones necesarias.
• Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta
alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de ánodo alcanza el 10 % de su
valor máximo. Depende de la corriente de mando, de la tensión ánodo - cátodo y de la
temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan).
• Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de ánodo pase del 10 %
al 90 % de su valor máximo, o, el paso de la caída de tensión en el tiristor del 90 % al
10 % de su valor inicial.
T =ton d +
t r
Figura 6. Tiempo de encendido.
( )
4.3.2.2 Tiempo de apagado T off :
Figura 7. Tiempo de apagado.
La extinción del tiristor se producirá por dos motivos: reducción de la corriente
de ánodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulación de la corriente
de ánodo.
4.4 CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS.
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unión ánodo - cátodo debe estar
polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente
larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor
que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una
vez disparado, se mantenga en la zona de conducción deberá circular una corriente
mínima de valor IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo
directo.
Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:
- Por puerta.
- Por módulo de tensión.
- Por gradiente de tensión (dV/dt)
- Disparo por radiación.
- Disparo por temperatura.
El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por módulo
y gradiente de tensión son modos no deseados.
5.1 DISPARO POR PUERTA.
Está asociado a la creación de pares electrón-hueco por la absorción de la luz del
elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.
El disparo por temperatura está asociado al aumento de pares electrón - hueco
generados en las uniones del semiconductor. Así, la suma (1+2) tiende rápidamente a
la unidad al aumentar la temperatura. La tensión de ruptura permanece constante hasta
un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar ésta.
"dV/dt" es el valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo del cual no se
producen picos transitorios de tensión de corta duración, gran amplitud y elevada
velocidad de crecimiento.
a) Causas:
- La alimentación principal produce transitorios difíciles de prever en aparición,
duración (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud.
- Los contactores entre la alimentación de tensión y el equipo: cuya apertura y cierre
pueden producir transitorios de elevada relación dV/dt (hasta 1.000 V/µs) produciendo
el basculamiento del dispositivo.
- La conmutación de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensión.
b) Efectos:
- Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo.
- La dV/dt admisible varia con la temperatura.
a) Causas:
- Durante el cebado, la zona de conducción se reduce a una parte del cátodo cerca de la
puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rápido de la intensidad, en esta
zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor.
- Como el cristal no es homogéneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es
mayor (puntos calientes).
b) Efectos:
- En la conmutación de bloqueo a conducción la potencia instantánea puede alcanzar
valores muy altos.
- La energía disipada producirá un calentamiento que, de alcanzar el límite térmico
crítico, podría destruir el dispositivo.
Solución: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo:
método de la constante de tiempo y método de la resonancia.
Figura 11. Circuito de protección contra dV/dt y dI/dt.
• Cálculo de R y C:
1. Se calcula el valor mínimo de la constante de tiempo ζ de la dV/dt del dispositivo y
el valor de R y C:
C = ζ / RL
½
R mín = ( VA(máx) / ( dI /dt ) × C )
• Cálculo de L:
L = VA(máx) / ( dI / dt)
7.4.2 Método de la resonancia.
- Elegimos R, L y C para entrar en resonancia.
El valor de la frecuencia es:
f = (dV / dt ) / 2 VA (máx)
En resonancia:
f = 1 / 2 (LC)
½
C = 1 / ( 2f L
½
El valor de R será: Rs = (L / C)
La potencia disipada en los tiristores durante la conducción, es mucho mayor que la
disipada durante el bloqueo y que la potencia disipada en la unión puerta - cátodo.
Podemos decir que las pérdidas con una tensión de alimentación dada y una carga fija,
aumentan con el ángulo de conducción (α).
VAK = V0 + IA × R
Esta ecuación se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de
onda (sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ángulos de conducción en la figura
siguiente.
La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del valor eficaz,
entonces dependerá del factor de forma:
a
= f = IA(RMS) / IA(AV)
Figura 13.
Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parámetros más importantes
como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada también la potencia
media que disipa el elemento en el caso más desfavorable, procederemos a calcular el
disipador o radiador más apropiado para poder evacuar el calor generado por el
elemento semiconductor al medio ambiente.
8. EXTINCIÓN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIÓN.
Entenderemos por extinción, el proceso mediante el cual, obligaremos al
tiristor que estaba en conducción a pasar a corte. En el momento en que un tiristor
empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo.
El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo
a corte. Este estado implica simultáneamente dos cosas:
a) Libre.
b) Asistida.
· Controles de relevador.
· Circuitos de retardo de tiempo.
· Fuentes de alimentación reguladas.
· Interruptores estáticos.
· Controles de motores.
· Recortadores.
· Inversores.
· Ciclo conversores.
· Cargadores de baterías.
· Circuitos de protección.
· Controles de calefacción.
· Controles de fase.
Tiristor
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El dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de tipo PNPN
entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos PNP y NPN,
por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se crean así 3
uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está conectado
a la unión J2 (unión NP).
Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los años 1960.
Aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado por
William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el cual fue defendido y
desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lideró el desarrollo en
Morgan Stanley para su posterior comercialización por G.E.'s Frank W. "Bill"
Gutzwiller.
Contenido
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1 Funcionamiento básico
2 Formas de activar un tiristor
3 Aplicaciones
4 Principales variantes de tiristores
5 Fabricación
6 Referencias
7 Enlaces externos
El diseño del tiristor permite que éste pase rápidamente a encendido al recibir un pulso
momentáneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en inglés,
gate) cuando hay una tensión positiva entre ánodo y cátodo, es decir la tensión en el
ánodo es mayor que en el cátodo. Solo puede ser apagado con la interrupción de la
fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido
inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existirá una débil
corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensión inversa máxima,
provocándose la destrucción del elemento (por avalancha en la unión).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una
corriente de enganche positiva en el ánodo, y además debe haber una pequeña corriente
en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unión J2 para hacer
que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe
inducir desde el ánodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de
enganche, sin la cual el dispositivo dejaría de conducir.
Térmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del número de
pares electrón-hueco, por lo que aumentarán las corrientes de fuga, con lo cual al
aumentar la diferencia entre ánodo y cátodo, y gracias a la acción regenerativa, esta
corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activación podría
comprender una fuga térmica, normalmente cuando en un diseño se establece este
método como método de activación, esta fuga tiende a evitarse.
Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el ánodo hacia el cátodo es mayor que el
voltaje de ruptura directo, se creará una corriente de fuga lo suficientemente grande para
que se inicie la activación con retroalimentación. Normalmente este tipo de activación
puede dañar el dispositivo, hasta el punto de la destrucción del mismo.
[editar] Aplicaciones
Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o voltajes muy grandes,
también son comúnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de
polaridad de la corriente revierte en la conexión o desconexión del dispositivo. Se puede
decir que el dispositivo opera de forma síncrona cuando, una vez que el dispositivo está
abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unión
cátodo-ánodo sin la necesidad de replicación de la modulación de la puerta. En este
momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe
confundir con la operación simétrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente
del cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es asimétrica.
Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en controladores
accionados por ángulos de fase, esto es una modulación por ancho de pulsos para limitar
el voltaje en corriente alterna.
[editar] Fabricación
Técnica de Difusión-Aleación: La parte principal del tiristor está compuesta por un
disco de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operación de difusión
con galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la cara exterior se
forma una unión, con un contacto oro-antimonio. Los contactos del ánodo y cátodo se
realizan con molibdeno. La conexión de puerta se fija a la capa intermedia (tipo P)
usando aluminio. Esta técnica se usa solamente para dispositivos que requieren gran
potencia.
Técnica "Todo Difusión": Se trata de la técnica más usada, sobre todo en dispositivos
de mediana o baja intensidad, el problema principal de esta técnica reside en los
contactos, cuya construcción resulta más delicada y problemática que en el caso de
difusión-aleación. Las 2 capas P se obtienen por difusión del galio o el aluminio,
mientras que las capas N se obtienen mediante el sistema de máscaras de óxido. El
problema principal de este método radica en la multitud de fases que hay que realizar.
Aunque ciertas técnicas permiten paralelizar este proceso.