c


 








Khҧo sát các quá trình khuӃch tán khi có mһt điӋn trưӡng, khi trong quá
tình oxy hóa và trong trưӡng hӧp Epitaxy.

Sinh viên thӵc hiӋn: Lê Đăng Tuҩn

Lӟp : ĐTYS-K52

SHSV : 20073154
m
L

1.Ê Giӟi thiӋu chung............................................................................................ 3Ê
2.Ê Nӝi Dung ...................................................................................................... 4Ê
2.1.Ê KhuӃch tán khi có điӋn trưӡng hӛ trӧ ................................................... 4Ê
2.2.Ê Phân bӕ tҥp chҩt trong quá trình oxy hóa nhiӋt ..................................... 7Ê
2.3.Ê KhuӃch tán tҥp chҩt trong quá trình Epitaxy....................................... 12Ê
3.Ê KӃt Luұn ..................................................................................................... 17Ê
 1.ÊGiӟi thiӋu chung

mҥch tích hӟp I
là mӝt trong nhӳng phát minh vô cùng quan trӑng đӕi vӟi sӵ
phát triӇn cӫa khoa hӑc, công nghӋ. mҥch tuy chӍ đưӧc chӃ tҥo ӣ các nưӟc tiên
tiӃn, bӣi các hãng điӋn tӱ lӟn, nhưng hiӋn đang đưӧc cung cҩp khҳp nơi trên thӃ
giӟi. Vi mҥch có mһt ӣ hҫu hӃt các thiӃt bӏ điӋn tӱ, tӯ nhӳng thiӃt bӏ dân dөng
bình thưӡng nhҩt đӃn nhӳng thiӃt bӏ chuyên dөng cao cҩp. Thành phҫn chính
trong các I
là các linh kiӋn bán dүn. ĐӇ thӇ nghiên cӭu ra các sҧn phҭm công
nghӋ cao thì viӋc đҫu tiên là chúng ta phҧi hiӇu biӃt, vӅ các linh kiӋn bán dүn. Do
vұy môn ³
ông NghӋ Vi ĐiӋn Tӱ´ là mӝt môn hӑc rҩt quan trӑng, nó là nӅn tҧng
đӇ chúng ta đi sâu nghiên cӭu các môn khác. Trong phҫn này em xin trình bày vӅ
chӫ đӅ ³khҧo sát các quá trình khuӃch tán´.
 2.ÊNӝi Dung
2.1.Ê KhuӃch tán khi có điӋn trưӡng hӛ trӧ
Khi các tҥp chҩt dono hoһc axepto bưӟc vào tinh thӇ Silic, chúng sӁ bӏ ion
hoá. Vì vұy cҫn phҧi xét đӃn sӵ chuyӇn đӝng đӗng thӡi cӫa các đono (hoһc
axepto) bӏ ion hoá hoһc các electron(e) (hoһc lӛ trӕng).

Ta đã biӃt, sӵ chuyӇn đӝng đӗng thӡi cӫa hai loҥi điӋn tích trong SiO 2 đã
đưӧc khҧo sát. Ta đã rút đưӧc kӃt luұn : khi 2 loҥi điӋn tích có đӝ linh đӝng
khác nhau cùng chuyӇn đӝng thì sӁ xuҩt hiӋn 1 loҥi điӋn trưӡng trong hӛ trӧ
sӵ chuyӇn đӝng cӫa loҥi điӋn tích chұm hơn.
ViӋc nghiên cӭu tưӡng tұn bài toán chuyӇn đӝng cӫa các ion đono hoһc axepto
trong bán dүn dүn tӟi mӝt công thӭc biӃn dҥng cho thông lưӧng các ion như sau:

Trong đó:
Gӑi là hӋ sӕ khuӃch tán hiӋu dөng
cӫa tҥp chҩt khi có tác dөng cӫa điӋn
trӣ trong, hӋ sӕ khuӃch tán hiӋu dөng
cũng là hàm cӫa nӗng đӝ.
‡
: nӗng đӝ các ion.
‡ni : nӗng đӝ các e hoһc các lӛ trӕng trong bán dүn không chӭa các đono lүn các
axepto ӣ nhiӋt đӝ khuyӃch tán.
Bây giӡ ta có thӇ xét hai giá trӏ giӟi hҥn cӫa hӋ sӕ khuӃch tán hiӋu dөng Dhd:
- Ӣ nhiӋt đӝ cho trưӟc (tӭc ӣ mӝt giá trӏ n i cho trưӟc) nӃu nӗng đӝ tҥp chҩt
tương đӕi thҩp (
<< ni) ta có Dhd = D. Như vұy điӋn trưӡng trong không có tác
dөng.
- Ngưӧc lҥi ӣ nhiӋt đӝ cho trưӟc nӃu nӗng đӝ tҥp chҩt cao (
>> ni) thì Dhd
=2D.
Như vұy trong trưӡng hӧp này điӋn trưӡng có thӇ làm cho hӋ sӕ khuӃch tán hiӋu
dөng tăng lên gҩp đôi, so vӟi hӋ sӕ khuӃch tán thông thưӡng.

Hình 1: Ҧnh hưӣng cӫa điӋn trưӡng nên phân bӕ nӗng đӝ trong chҩt bán dүn
Hình 1 minh hӑa ҧnh hưӣng cӫa điӋn trưӡng trong lên dҥng cӫa phân bӕ nӗng
đӝ. Đưӡng cong vӁ trên hình là các kӃt quҧ tính bҵng sӕ theo phương trình
khuyӃch tán khi có mһt điӋn trưӡng trong, đӕi vӟi mӝt sӕ trưӡng hӧp riêng. ĐӇ
tiӋn so sánh, ta cũng biӇu diӉn phân bӕ hàm sai bù tӭc khi không xét tӟi ҧnh
hưӣng cӫa điӋn trưӡng trong và tương ӭng vӟi phân bӕ chính xác cӫa nhӳng
nӗng đӝ thҩp. Trong vùng này không cҫn phҧi có Gradian nӗng đӝ cao mӟi giӳ
đưӧc thông lưӧng trong bán dүn đӗng nhҩt.

Hình 2: phân bӕ trong silic xác đӏnh bҵng thӵc nghiӋm

Khi nӗng đӝ bӅ mһt vưӧt quá 10^19 cm^-3, phân bӕ bҳt đҫu lӋch khӓi dҥng hàm
sai bù.
ó thӇ giҧi thích profin trung gian bҵng hiӋu ӭng khuӃch tán có điӋn trưӡn
hӛ trӧ nhu biӇu hӏ trên hình 2. Song, khi nӗng đӝ bӅ mһt cӫa bo tăng tiӃp qua hơn
10^20 cm^-3. Profin bҳt đҫu lӋch khӓi phân bӕ hàm sai bù, ta sӁ phҧi xét đӃn cҧ
nhӳng nguyên nhân khác gây nên sai lӋch trong trưӡng hӧp này.
 2.2.Ê Phân bӕ tҥp chҩt trong quá trình oxy hóa nhiӋt

ó điӅu kiӋn biên này là vì: do đҥi đa sӕ các loҥi tҥp chҩt khuӃch tán trong
Silic điôxit chұm hơn nhiӅu so vӟi trong Silic. Do đó lӟp ôxit lӟn lên trong giai
đoҥn khuӃch tán sӁ ngăn chһn có hiӋu quҧ các tҥp chҩt trong silic, không cho
chúng thoát ra hoһc vào thêm. Trong thӵc tӃ, vҩn đӅ xҧy ra ӣ bӅ mһt phân cách
silic điôxit diӉn ra phӭc tҥp hơn nhiӅu.
Ngưӡi ta đã chӭng minh rҵng các tҥp chҩt trong silic sӁ phân bӕ lҥi ӣ gҫn lӟp oxit
lӟn lên nhӡ nhiӋt. HiӋn tưӧng này là do nhiӅu nguyên nhân, cө thӇ là do 3 nguyên
nhân chính sau:
Hai pha rҳn - khí hoһc lӓng nào đó thì tҥp chҩt chӭa ӣ mӝt trong hai pha sӁ phân
bӕ lҥi giӳa hai pha cho tӟi khi đҥt đưӧc tӟi trҥng thái cân bҵng, lúc đó thì tӍ sӕ
các nӗng đӝ trong hai pha sӁ không đәi. Tӹ sӕ nӗng đӝ cân bҵng trong silic
trên nӗng đӝ cân bҵng trong silic điôxit đưӧc gӑi là hӋ sӕ phân tách và đưӧc đӏnh
nghĩa như sau:
m = (nӗng đӝ tҥp chҩt cân bҵng trong Si)/(nӗng đӝ tҥp chҩt cân bҵng trong SiO2)
ViӋc các tҥp chҩt có thӇ có khuynh hưӟng thoát ra ngoài lӟp ôxit. NӃu hӋ sӕ
khuӃch tán trong ôxit nhӓ thì yӃu tӕ này không đáng kӇ, ngưӧc lҥi nӃu hӋ sӕ này
tương đӕi lӟn, yӃu tӕ đó có thӇ ҧnh hưӣng mҥnh đӃn sӵ phân bӕ tҥp chҩt trong
Silic.
Khi lӟp oxit lӟn lên thì mһt phân giӟi giӳa 2 pha ôxit và Silic chuyӇn đӝng theo
thӡi gian. Tӕc đӝ tương đӕi cӫa chuyӇn đӝng này so vӟi tӕc đӝ khuӃch tán là
1 yӃu tӕ quan trӑng trong viӋc xác đӏnh mӭc đӝ phân bӕ lҥi.

hú ý rҵng ngay cҧ khi khi hӋ sӕ phân tách tҥp chҩt m =1, sӵ phân bӕ lҥi tҥp
chҩt trong silic vүn xҧy ra. Thӵc vұy, như đã biӃt, lӟp ôxit chiӃm 1 khoҧng
không gian lӟn hơn lӟp silic đã dùng vào quá trình ôxi hoá. Do đó cũng 1
lưӧng tҥp chҩt như vұy nhưng bây giӡ chúng phân bӕ trong 1 thӇ tích lӟn hơn,
làm cho tҥp chҩt gҫn bӅ mһt silic bӏ nghèo đi.
Quá trình phân bӕ lҥi có thӇ chia thành 4 trưӡng hӧp, đưӧc chia thành 2 nhóm:
Nhóm 1: Ôxit có khuynh hưӟng thu nhұn tҥp chҩt.
Nhóm 2: Ôxit có khuynh hưӟng khưӟc tӯ tҥp chҩt.
Trong mӛi trưӡng hӧp,tuǤ theo tӕc đӝ khuӃch tán tҥp chҩt trong ôxit nhanh
hay chұm mà tình huӕng xҧy ra có thӇ khác nhau.

Hình 3: khuӃch tán chұm trong Oxit Bo Hình 4: khuӃch tán nhanh trong Oxit Bo

Hình 5: khuӃch tán chұm trong Oxit P Hình 6: KhuӃch tán nhanh trong Oxit P

ác điӅu kiӋn biên cӫa bài toán:

- Nӗng đӝ tҥp chҩt ӣ mһt phân cách khí ± ôxit là mӝt hҵng sӕ
0.
- Vào sâu trong đӃ Silic, nӗng đӝ tiӃn dҫn tӟi nӗng đӝ khӕi
B.
Ngoài ra còn cҫn thӓa mãn đưӧc đӗng thӡi 2 điӅu kiӋn:
-
ác nӗng đӝ ӣ hai phía cӫa mһt phân cách oxit-silic phҧi theo đúng tương
quan đӏnh trưӟc bӣi hӋ sӕ phân tách m.
- Khi lӟp ôxit lӟn lên, các tҥp chҩt phҧi bҧo tӗn ӣ mһt phân cách ôxit ± silic
chuyӇn đӝng.
Đӗng thӡi cũng giҧ thiӃt rҵng Oxit lӟn lên theo qui luұt tӹ lӋ rơi căn bұc 2 cӫa
thӡi gian.
NghiӋm cӫa bài toán là công thӭc cho phép biӃt đưӧc nӗng đӝ tҥp chҩt ӣ phía
silic cӫa mһt phân cách:

Trong đó

Và

Vӟi: D0 và D ± hӋ sӕ khuӃch tán cӫa tҥp chҩt tương ӭng trong oxit và trong
silic.
Į ± tӍ sӕ giӳa đӝ day silic tiêu hao trong khi oxy hóa và đӝ dày oxit (=0,45).
Nӗng đӝ ӣ mһt phân cách oxit ±Silic chuyӇn đӝng không phө thuӝc vào thӡi
gian oxi hoá, do sӵ oxi hoá và sӵ khuӃch tán đӅu phө thuӝc vào căn bұc hai
cӫa thӡi gian nên biӃn thӡi gian không có mһt trong biӇu thӭc nӗng đӝ bӅ mһt
vұy: trҥng thái dӯng đҥt đưӧc ӣ mһt phân cách. phương trình trên chӍ ra rҵng
nӗng đӝ bӅ mһt trong silic phө thuӝc vào:
- HӋ sӕ phân tách m
- Tӕc đӝ tương đӕi giӳa khuӃch tán trong Silic và trong oxit Do/D
- Tӕc đӝ tương đӕi giӳa oxi hoá và trong khuӃch tán B/D
oSӵ ҧnh hưӣng cӫa yӃu tӕ thӭ 3 đưӧc minh hӑc trên các hình sau đӕi vӟi các
trưӡng hӧp cӫa P và Bo,trên đó ta biӇu diӉn nӗng đӝ tҥp chҩt bӅ mһt theo nhiӋt đӝ
oxy hóa.

Hình 7: Nӗng đӝ bӅ mһt Bo trong Si sau quá trình Oxy hóa nhiӋt

Hình 8: Nӗng đӝ P trong Silic sau quá trình Oxy hóa nhiӋt

mӝt bài toán thӵc tӃ, tương tӵ nhưng quan trӑng hơn nhiӅu là bài toán sӵ phân bӕ
lҥi lӟp tҥp chҩt, ngưng đӑng, trong quá trình khuӃch tán vào.
ác kӃt quҧ nghiên
cӭu sӵ phan bӕ lҥi các lӟp khuӃch tán Bo sau khi oxy hóa nhiӋu đưӧc biӇu diӉn
như trên hình dưӟi:

Hình 9: Sӵ phân bӕ lҥi cӫa lӟp khuӃch tán sau quá trình Oxi hóa
KӃt luұn: Nӗng đӝ ӣ mһt phân cách ôxit-Silic chuyӇn đӝng không phө thuӝc vào
thӡi gian oxi hoá nên ta xác đӏnh đưӧc trҥng thái dӯng ӣ mһt phân cách. Lӟp ôxit
chiӃm 1 khoҧng không gian lӟn hơn Silic đã dùng trong quá trình ôxi hoá. Do
đó cùng 1 lưӧng tҥp chҩt như vұy nhưng bây giӡ chúng phân bӕ trong 1 không
gian thӇ tích lӟn hơn. Do đó lưӧng tҥp chҩt gҫn bӅ mһt Silic bӏ nghèo đi do hiӋn
tưӧng phân bӕ lҥi tҥp chҩt trong Silic.
 2.3.Ê KhuӃch tán tҥp chҩt trong quá trình Epitaxy
Trong kĩ thuұt epitaxy, màng có thӇ chӭa các tҥp chҩt khác loҥi vӟi đӃ hoһc cùng
loҥi nhưng có nӗng đӝ khác nhau. Thông thưӡng ngưӡi ta muӕn rҵng các gradien
nӗng đӝ pha tҥp giӳa màng và đӃ càng dӕc càng tӕt. Nhưng do quá trình epitaxy
phҧi tiӃn hành ӣ nhiӋt đӝ cao nên sӵ khuӃch tán cӫa các tҥp chҩt cũng tương đӕi
nhanh. Vì sӵ khuӃch tán bao giӡ cũng có xu hưӟng san bҵng các gradien nӗng
đӝ ӣ mһt phân cách giӳa lӟp epitaxy và đӃ, nên sӵ khuӃch tán các tҥp chҩt trong
quá trình epitaxy có tҫm quan trӑng thӵc tiӉn rõ rӋt.

Hình 10: Sӵ phân bӕ tҥp chҩt trong quá tình Epitaxy

Thành phҫn có nӗng đӝ
1 là do tҥp chҩt khuӃch tán ra tӯ đӃ, còn thành phҫn
kia,
2 là tҥp chҩt pha tӯ ngoài vào nhҵm pha trӝn vào màng đang lӟn lên
và trong khi lӟp epitaxi lӟn lên thì nó khuӃch tán vào đӃ. Phân bӕ tҥp chҩt tәng
cӝng đưӧc xác đӏnh bҵng tәng cӫa 2 thành phҫn đó nӃu chúng là tҥp chҩt cùng
loҥi và bҵng hiӋu cӫa chúng nӃu là các tҥp chҩt khác loҥi. Trong trưӡng hӧp
sau, 1 lӟp chuyӇn tiӃp p-n sӁ hình thành ӣ giao điӇm cӫa 2 phân bӕ nӗng đӝ tҥp
chҩt.

Giҧi bài toán : Sӵ khuӃch tán trong chҩt rҳn cӫa các tҥp chҩt đӃ:

Vӟi điӅu kiӋn đҫu:

ĐiӅu kiӋn biên:

ác điӅu kiӋn này nói lên phân bӕ ban đҫu trong đӃ là mӝt hҵng sӕ ӭng vӟi nӗng

đӝ pha tҥp cӫa đӃ và phân bӕ tҥp chҩt ӣ sâu trong đӃ giӳ không đәi khi lӟp
epitaxi lӟn lên trên nó.

Tәng sӕ tҥp chҩt cӫa đӃ trên đơn vӏ diӋn tích chӭa trong đӃ và màng là:

òn Q(t) giҧm theo thӡi gian.

KӃt hӧp các điӅu kiӋn trên ta đưӧc điӅu kiӋn biên

Vӟi h là hӋ sӕ chuyӇn chҩt trong pha khí

V là vұn tӕc lӟn lên cӫa màng

NghiӋm cӫa bài toán đưӧc viӃt dưӟi dҥng:

Nó biӇu thӏ phân bӕ nӗng

đӝ chuҭn hoá là 1 hàm cӫa thông sӕ không có thӭ nguyên, cӫa thông sӕ tӕc đӝ
thoát ra và thông sӕ tӕc đӝ lӟn lên. Khi V= 0 nghiӋm quy vӅ trưӡng hӧp khuӃch
tán ra ngoài.
Ta có thӇ giҧi thích dӉ dàng vӅ giӟi hҥn đơn giҧn này cӫa nghiӋm chính xác. Vì so
vӟi tӕc đӝ khuӃch tán tӯ đӃ, tӕc đӝ lӟn lên tӯ màng lӟn đӃn nӛi vӟi profin
khuӃch tán, màng lӟn lên gҫn như ngay tӭc khҳc tӟi đӝ dày ³vô hҥn´. Vì vұy,
phân bӕ nӗng đӝ rҩt giӕng vӟi phân bӕ nhұn đưӧc trong bài toán khuӃch tán
giӳa 2 tҩm bҧn vô hҥn thӇ hiӋn bҵng phương trình dưӟi.
Hình dưӟi đây biӇu diӉn đҫy đӫ sӵ phân bӕ tҥp chҩt tӯ đӃ.

Hình 11: sӵ phân bӕ tҥp chҩt tӯ đӃ

Sӵ khuӃch tán cӫa tҥp chҩt pha tӯ ngoài vào đưӧc mô tҧ bӣi nghiӋm cӫa phương
trình khuӃch tán vӟi điӅu kiӋn ban đҫu:

Và các điӅu kiӋn biên thӭ 1:
2(-’,t) = 0, (ӣ sâu trong lӟp đӃ, nӗng đӝ tҥp chҩt
pha tӯ ngoài vào tiӃn tӟi 0 ) và điӅu kiӋn biên thӭ 2:
2(xf,t) =
f, nӗng đӝ tҥp
chҩt pha tӯ ngoài vào ӣ bӅ mһt màng đang lӟn lên bҵng 1 hҵng sӕ
f (
f
đưӧc xác đӏnh bӣi nӗng đӝ tҥp chҩt trong hӛn hӧp khí ).
NghiӋm cӫa bài toán biӇu diӉn dưӟi dҥng:
Trong viӋc trình bҫy ӣ trên ta đã thӯa nhұn rҵng sӵ phân bӕ tҥp chҩt trong
màng epitaxy đưӧc xác đӏnh chӍ bӣi quá trình khuӃch tán trong chҩt rҳn.
Thӵc ra đó chӍ là trưӡng hӧp mà ta đã loҥi trӯ sӵ gây bҭn tӯ ӕng phҧn ӭng và tӯ
mһt sau cӫa các đӃ pha tҥp mҥnh. Ngưӡi ta đã chӭng minh rҵng dòng khí có thӇ
tҧi các tҥp chҩt tӯ mһt sau cӫa các miӃng đӃ và đưa vào lӟp epitaxy ӣ mһt trưӟc
làm cho phân bӕ tҥp chҩt cӫa đӃ biӃn thiên không đӝt ngӝt như trưӡng hӧp chӍ
do sӵ khuӃch tán trong chҩt rҳn. HiӋn tưӧng này thưӡng đưӧc gӑi là ³sӵ tӵ pha
tҥp´.
 3.ÊKӃt Luұn
Quá trình khuӃch tán là hӃt sӭc quan trӑng đӕi vӟi môn hӑc ³
ông NghӋ Vi ĐiӋn
Tӱ ´. Nó là khâu chính đӇ đánh giá chҩt lưӧng cӫa mүu bán dүn. Và các sҧn
phҭm sau này«

Qua quá trình tìm hiӇu, nghiên cӭu, ta càng thҩy đưӧc tҫm quan trӑng cӫa công
nghӋ bán dүn đӕi vӟi sӵ phát triӇn cӫa khoa hӑc công nghӋ. Làm cho chúng ta
thҩy yêu môn hӑc hơn. Và có đӏnh hưӟng rõ ràng hơn trong viӋc hӑc tұp và
nghiên cӭu.