Professional Documents
Culture Documents
I. Giới thiệu
1. Phương pháp FEM
Phương pháp phần tử hữu hạn là một công cụ chuẩn để giải các phương trình vi phân
trong nhiều lĩnh vực, như điện từ trường, kỹ thuật kết cấu cơ khí, chuyển động fluid, dẫn
nhiệt. Jin [38, 39] và Peterson [51] đưa ra những nguyên nhân cho việc sử dụng FEM cho
trường điện từ. Nhiều vấn đề về toán học trong cùng chủ để trong [45, 11]. Chương này
nhằm đưa ra lời giới thiệu chung về FEM và sử dụng FEM để giải các phương trình
Maxwell. Những vấn đề thực tế, như là cách điều khiển lưới phi cấu trúc và viết cấc
chương trình FEM sẽ được thảo luận chi tiết.
Một điểm rất mạnh của FEM, và lí do chính tại sao phương pháp này được sử dụng trong
nhiều lĩnh vực kỹ thuật , đó là khả năng giải quyết với những cấu trúc hình học phức tạp.
Một các điển hình, nó sử dụng lưới phi cấu trúc. Những mạng lưới này bao gồm các hình
tam giác (trong không gian 2 chiều) hoặc các hình tứ diện (trong không gian 3 chiều).
Tuy nhien, có một vài kiểu điển hình của hình dạng các phần tử, như trong hình 6.1: tam
giác, tứ giác, tứ diện, kim tự tháp, hình trụ …
Các lưới phi cấu trúc, với tứ diện cho phép biểu diễn tốt các vật thể có bề mặt cong (khó
biểu diễn trong lưới Cartesian sử dụng bởi phương pháp FDTD). Trong khi đó, các lưới
phi cấu trúc cho phép đạt được độ phân giải cao nhằm giải quyết các cấu trúc tinh vi và
những biến thể nhanh của lời giải. Một tính chất khác của FEM đó là nó cung cấp biểu
diễn của hàm sought xuất hiện khắp nơi trong miền nghiệm. Nó tạo khả năng cho việc áp
dụng nhiều công cụ toán học và chứng minh những tính chất quan trọng lien quan đến sự
ổn định và hội tụ.
Một nhược điểm của FEM so với FDTD dó là: những công thức cho việc cập nhật các
trường trong những mô phỏng miền thời gian không thể đạt được trong trường hợp
chung. Thay vào đó, hệ thống tuyến tính các phương trình cần được giải để cập nhật các
trường này. Kéo theo đó, với cùng một số lượng các phần tử được sử dụng trong 2
phương phá, FEM yêu cầu nhiều tài nguyên máy tính hơn (về thời gian CPU và bộ nhớ).
Hình 6.1
Dạng này của phương trình Maxwell được sử dụng trong phương pháp FDTD để tính
toán E và H theo thời gian. Những điều kiện đầu cho hệ phương trình này là các trường E
và H thỏa mãn (1.3) và (1.4)
Hai phương trình đầu của các phương trình bậc 1 có thể kết hợp cho ra một phương trình
bậc 2 cho E:
Phương trình này được gọi là phương trình curl-curl hoặc phương trình sóng vector.
Chúng ta sử dụng các phương trình Maxwell dạng này cho phương pháp FEM. Các điều
kiện đầu cho phương trình curl-curl là trường E và đạo hàm theo thời gian của nó. Cụ thể,
FEM thường được sử dụng để giải phương trình trong miền tần số của phương trình curl-
curl, ở đó exp(jωt) phụ thuộc thời gian, vì thế đạo hàm được thay bởi jω, ở đó j là
đơn vị ảo và ω là tần số góc.
Trong các định nghĩa toán học, thuật ngữ phần tử hữu hạn thường tham chiếu đến một
phần tử (ví dụ 1 tam giác) cùng với một không gian đa thức định nghĩa trong phần tử này
( không gian của các hàm tuyến tính) và một tập các bậc tự do định nghĩa trên không gian
này (các giá trị của các hàm tuyến tính tại các góc (nodes) của tam giác). Định nghĩa này
ít khi được dùng trong kỹ thuật điện, chủ yếu tập trung vào các hàm cơ bản
III. Phân tích phần tử hữu hạn 1D
Vấn đề đầu tiên, chúng ta chọn phương trình vi phân bậc 2, gọi là phương tình Helmholtz
1D:
ở đây, f = f(x) là hàm cần xác định, các tính chất: α = α(x) và β = β(x) và nguồn s = s(x)
là các hàm đã xác định của x.
Có rất nhiều hệ thống vật lý được biểu diễn bởi (6.1), ví dụ, sóng truyền trong môi trường
1 chiều, như lan truyền song ánh sang và phản xạ trong các lớp dielectric. Trong trường
hợp này chúng ta có f(x) = Ez(x), và các hệ số là
Ở đây, i = 2,3,…,7 (cho các phương trình) và j = 1,2,…,8 (cho các hệ số). A có 8 cột và 6
hàng, z có 8 hàng và b có 6 hàng. Các hệ số f1 và f8 đã biết từ các điều kiện biên, do đó có
thể chuyển các hệ số này sang vế phải:
Biên của miền nghiệm S có 2 phần, L1 và L2, với hai kiểu khác nhau của điều kiện biên.
Tương tự bài toán mô hình 1D, có nhiều hiện tượng vật lý có thể mô hình bởi (6.11). Ví
dụ: Tính toán điện trở giữa cạnh trái và đáy của tấm phẳng dẫn điện (như hình 6.3).
Trong trường hợp này, f là điện thế, α là dẫn suất, β = 0 và s = 0. Điện thế dọc theo dây
đặc, dày trên biên là 10 V, điều kiện biên Dirichlet f = 10. Dọc theo đường nét đứt, dày,
điện thế bằng 0 V. Phần còn lại của biên là chất cách điện. Trên phần này, chúng ta sử
dụng điều kiện biên Neumann, , nghĩa là không có dòng điện xuyên qua biên.
Chúng ta tiếp tục với đạo hàm dựa trên bài toán mô hình chung
Hình 6.3 Tấm phẳng dẫn điện 2D. Miền tính toán S được chia thành các phần tử hình tam
giác. Biên của S được rời rạc thành các đoạn thẳng. Biên này chia thành 2 phần L1 và L2
với các điều kiện biên khác nhau theo (6.12) và (6.13).
Chúng ta nhân (6.11) với hàm test ωi, và tích phân theo mặt S:
Tiếp theo, tính tích phân từng phần:
Với Do đó ta có:
Các node được gán nhãn bởi các số nguyên I và đặt tại vị trí ri, với I = 1, 2,…, Nn. Các
phần tử là các tam giác, chúng ta chọn tuyến tính từng đoạn, các hàm cơ bản φi(r) với chỉ
số i tham chiếu tới node tương ứng với hàm cơ bản. Các hàm node cơ bản la tuyến tính
trong mỗi tam giác, với φi(ri) = 1 và φj(rj) = 0 khi i ≠ j. Mỗi hàm cơ bản ánh xạ với mỗi
node, hai trong số đó trong hình 6.4. Các phần tử hữu hạn ánh xạ với các hàm node cơ
bản được gọi là các phần tử node.
Hình 6.4 Minh họa hai hàm node cơ bản, một ở biên và một ở trong miền nghiệm.
Chúng ta khai triển nghiệm f(r) theo các hàm cơ bản:
Tiếp theo, trừ (6.16) cho (6.15) và sử dụng phương pháp Galerkin, chọn ωi(r) = φi(r) cho
tất cả các node mà tại đó f chưa biết. Ta thu được hệ phương trình tuyến tính Az = b,
trong đó:
Ở đây, chỉ số j quét tất cả các node, i quét các node mà hàm f chưa biết. Cac biến được
xắp xếp lại để nhóm các hàm f chưa biết thành vector ze, trong khi zn biểu diễn những ẩn
số còn lại.
Các thuật toán để chia nhỏ các phần tử khá phức tạp. Tuy nhiên các phần mềm tạo lưới
thường bao gồm chức năng này.
6.5 Các phương trình Vector
Mục này, chúng ta bàn về phương trình vector: phương trình curl-curl của điện từ trường.
Tuy nhiên, đầu tiên chúng ta xem xét việc chọn các phần tử cho các phương trình
Maxwell 1D, với hai biến E và H.
6.5.1 Mixed-Order FEM cho các hệ thống với các phương trình bậc 1.
Trong phần 2 chúng ta đã nói về bài toán mô hình (6.1), ví dụ phương trình bậc 2 cho
trường điện E theo 1 hướng:
Phương trình bậc 2 có thể chia thành 2 phương trình bậc 1 bao gồm trường từ H (thừa số
j được loại bỏ nhằm loại đi các biến phức):
Để giải cặp phương trình bậc 1 này, chúng ta tìm biểu diễn phần tử hữu hạn cho E và H.
Chúng ta khai triển E theo các hàm tuyến tính từng đoạn li(x) (các hàm lều). Ta có:
Phương trình (6.32) dẫn đến việc chúng ta khai triển H với cùng lớp các hàm của dE/dx,
với các hằng số từng đoạn (“top-hat” functions). Ta có:
Ở đây:
nếu xi < x < xi+1, còn lại
Hình 6.13 biểu diễn tent function và top-hat function cùng với các đạo hàm của chúng.
Để giải tập các phương trình bậc 1 (6.32)-(6.33), chúng ta sử dụng phương pháp
Galerkin. Do (6.32) chứa H và dE/dx, là các hằng số từng đoạn, chúng ta nhân (6.32) với
các hàm weighting hằng số từng đoạn ci+1/2 và lấy tích phân theo x. Sau đó chia theo bước
có độ dài h ta có:
Phương trình (6.33) chứa E, do đó, chúng ta nhân nó với hàm weighting tuyến tính từng
đoạn và lấy tích phân theo x:
Do đó, phương trình FEM tương ứng với hệ phương trình (6.32)-(6.33) của hệ phương
trình bậc 1 là:
Hệ phương trình FEM rời rạc này tương tự như xấp xỉ vi phân hữu hạn (6.32)-(6.33) với
lưới staggered. Điều này là do: E được khai triển bởi các hàm tuyến tính từng đoạn, trung
tâm tại node: lưới nguyên. H được khai triển bởi hằng số từng đoạn, trung tâm tại trung
điểm: lưới ½ (half gried).
Để thấy rõ sự tương tự giữa phương pháp phần tử hữu hạn và phương pháp vi phân hữu
hạn, chúng ta để ý rằng: nếu tích phân (6.38) sử dụng công thức:
Thì (4Ei + Ei-1 + Ei+1)/6 Ei, và phương pháp FEM trở nên đồng nhất với phương pháp
vi phân hữu hạn. Chúng ta cũng có thể thấy ở đây đã sử dụng phương pháp Galerkin, sử
dụng các hàm test giống với các hàm cơ bản.
6.5.2 Phương trình Curl-Curl và các phần tử cạnh (edge element).
Chúng ta đã xét các hàm cơ bản cho các phương trình vô hướng, sử dụng các hàm tuyến
tính từng đoạn, hằng số từng đoạn. Để thao tác với các đại lượng vector, như trong điện
trường, từ trường, chúng ta có thể khai triển mỗi thành phần vector bởi các hàm node cơ
bản. Tuy nhiên hướng tiếp cận này dẫn đến những nghiệm phi vật lý.
Điều này có thể loài trừ nhờ việc sử dụng các phần tử cạnh (edge element), rất thích hợp
cho việc xấp xỉ các trường điện từ. Các hàm cơ bản cho các phần tử cạnh được xây dựng
sao cho các thành phần tiếp tuyến của nó là liên tục dọc theo biên của phần tử, trong khi
đó các thành phần khác có thể không liên tục.
Chúng ta sẽ sử dụng các phần tử cạnh để giải phương trình curl-curl của E:
Tiến hành các bước tương tự như trong bài toán vô hướng (6.11)-(6.13). Lấy tích vô
hướng của (6.42) và hàm test Wi và tích phân trên miền S, sử dụng:
Khác nhau cơ bản với bài toán vô hướng đó là việc chọn các hàm cơ bản, chúng ta sẽ sử
dụng các hàm cơ bản Ni(r) thay cho các hàm node cơ bản φi.
Các phần tử cạnh ánh xạ các bậc tự do với cạnh của lưới chứ không phái với các node.
Do đó, chúng ta phải đánh số tất cả các cạnh trong lưới và gán hướng cho chúng. Chúng
ta thảo luận chi tiết hơn về các hàm cơ bản sau. Các cạnh được đánh số bởi 1,2,…,Ne.
Khai triển E(r) theo các hàm cơ bản:
Ở đây Ej là điện trường tiếp tuyến của cạnh thứ j, theo hướng của cạnh đó.
Sử dụng phương pháp Galerkin, chọn các hàm test Wi(r) = Ni(r), thay thế (6.47) và hàm
test vào biểu thức 6.46, ta thu được hệ phương tình tuyến tính Az=b với:
Chỉ số j đánh số tất cả các cạnh và i đánh số cạnh mà E chưa biết, như tất cả các cạnh
nằm ngoài biên L1
6.5.3 Các phần tử cạnh trên lưới Cartesian
Ở đây, chúng ta xét một ví dụ về các hàm cơ bản Ni. Để đơn giản, chúng ta xét phần tử
hình chữ nhật, với biên xác định như sau: và . Đánh só
các node và cạnh như trong hình 6.14
Hình 6.14
Các hàm cơ bản Nie cho phần tử hữu hạn chữ nhật như trong hình 6.15, biểu diễn bởi các
công thức:
Hình 6.15
Các hàm cơ bản được chọn sao cho các thành phần tiếp tuyển của E liên tục dọc
theo biên của phần tử. Tuy nhiên các thành phần khác có thể không liên tục. Do vậy.
chúng ta có thể ánh xạ các hàm cơ bản với giá trị của điện trường dọc theo các cạnh:
Hình 6.24 biểu diễn các hàm cơ bản. Những hàm này tỉ lệ với trường vector
Ở đây, r và phi là hệ tọa độ cực xung quanh node đối diện của cạnh.
Tương tự như với phần tử hình chữ nhật, thành phần tiếp tuyến của E liên tục theo cạnh
của phần tử. Các thành phần khác có thể không liên tục.
Một hàm global cơ bản cạnh chỉ ra trong hình 6.25. Để ý rằng các thành phần thong
thường không liên tục trên các cạnh. Thành phần tiếp tuyến là hằng số dọc theo cạnh, và
bằng 0 dọc theo các cạnh khác của tam giác.
7. Ứng dụng phương pháp FEM
Phương pháp FEM được ứng dụng rộng rãi, là công cụ để tính toán trường điện từ. Một
trong những phần mềm tính toán nổi tiếng đó là HFSS. Kỹ thuật mô phỏng được sử dụng
trong HFSS để tính toán trường điện từ 3D bên trong một cấu trúc đã dựa trên phương
pháp phần tử hữu hạn (Finite Element Method, FEM). Một cách tổng quát, nó chia toàn
bộ không gian của bài toán thành hàng ngàn vùng con nhỏ hơn (gọi là phần tử mắt lưới)
và biểu diễn trường trong mỗi phần tử mắt lưới theo một hàm cơ sở riêng cho phần tử đó.
Trong HFSS, toàn bộ cấu trúc được chia tự động thành một số lượng lớn các khối
tứ diện. Tập hợp toàn bộ các khối tứ diện này gọi là hệ thống mắt lưới phần tử hữu hạn.
Ta phải chọn lựa giữa kích thước mắt lưới, độ chính xác mong muốn và tài nguyên (bộ
nhớ) mà máy vi tính sẵn có. Chúng ta luôn mong muốn đạt được độ chính xác tối đa, điều
đó có nghĩa là mắt lưới cực nhỏ. Nhưng rất có thể dẫn đến tràn bộ nhớ và vượt quá khả
năng xử lí của máy vi tính.
Để tạo ra hệ thống mắt lưới tối ưu, HFSS sử dụng quy trình lặp, gọi là phân tích thích
nghi (adaptive analysis), trong đó mắt lưới được tự động “cải tiến” trong các vùng con
quan trọng. Trước tiên, nó đưa ra một lời giải dựa trên một hệ thống mắt lưới được khởi
tạo “thô”. Sau đó, nó “cải tiến” mắt lưới trong các vùng có tỷ trọng lỗi cao và tạo ra lời
giải mới. Khi các tham số đã chọn hội tụ trong một giới hạn mong muốn, HFSS sẽ thoát
khỏi quy trình lặp.
Ansoft HFSS cung cấp một giao diện trực giác và dễ dàng sử dụng
để phát triển các mô hình thiết bị RF thụ động. Chu trình thiết kế
được minh họa trong hình 4.1, bao gồm các bước sau:
1. Vẽ mô hình với các tham số cho trước: vẽ mô hình thiết bị, các
điều kiện biên và nguồn kích thích.
2. Thiết đặt các thông số để phân tích: thực hiện thiết đặt các thông
số để tìm lời giải.
3. Chạy mô phỏng: quá trình này hoàn toàn tự động.
4. Hiển thị kết quả: đưa ra các báo cáo và đồ thị trường 2D.
Trong quá trình thực hiện phân tích, HFSS sẽ chia toàn bộ cấu trúc
thành các tứ diện nhỏ (gọi là mắt lưới). Hệ thống mắt lưới sẽ lấp
kín toàn bộ cấu trúc. Kỹ thuật mô phỏng được sử dụng trong HFSS
để tính toán trường điện từ 3D bên trong một cấu trúc dựa trên
phương pháp phần tử hữu hạn (Finite Element Method, FEM). Một
cách tổng quát, phương pháp FEM chia toàn bộ không gian của bài
toán thành hàng ngàn vùng con nhỏ hơn (gọi là phần tử mắt lưới)
và biểu diễn trường trong mỗi phần tử mắt lưới theo một hàm cơ
sở riêng cho phần tử đó. Còn trong HFSS, toàn bộ cấu trúc được
chia tự động thành một số lượng lớn các khối
tứ diện. Tập hợp toàn bộ các khối tứ diện này gọi là hệ thống mắt
lưới phần tử hữu hạn. Ta phải chọn lựa giữa kích thước mắt lưới,
độ chính xác mong muốn và tài nguyên (bộ nhớ) mà máy vi tính
sẵn có. Bạn luôn mong muốn đạt được độ chính xác tối đa, điều đó
có nghĩa là mắt lưới cực nhỏ. Nhưng rất có thể tràn bộ nhớ và vượt
quá khả năng xử lí của máy vi tính.
Để tạo ra hệ thống mắt lưới tối ưu, HFSS sử dụng quy trình lặp,
gọi là phân tích thích nghi (adaptive analysis), trong đó mắt lưới
được tự động “cải tiến” trong các vùng con quan trọng. Trước tiên,
nó đưa ra một lời giải dựa trên một hệ thống mắt lưới được khởi
tạo “thô”. Sau đó, nó “cải tiến” mắt lưới trong các vùng có tỷ trọng
lỗi cao và tạo ra lời giải mới. Khi các tham số đã chọn hội tụ trong
một giới hạn mong muốn, HFSS sẽ thoát khỏi quy trình lặp.