Professional Documents
Culture Documents
Tuần 1
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại ngắn
Các loại câu: câu đơn, câu ghép, câu phức và các từ nối. Các vấn đề thường gặp trong bài thi
TOEFL về các loại câu và từ nối và kỹ năng làm bài có liên quan.
Tuần 2
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại ngắn
Các loại câu: câu với mệnh đề rút gọn. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL về câu và
các kiểu mệnh đề rút gọn và kỹ năng làm bài có liên quan
Tuần 3
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại dài
Cấu trúc câu và các thành phần trong câu: chủ ngữ, vị ngữ, bổ ngữ... Các vấn đề thường gặp
trong bài thi TOEFL về cấu trúc câu và các thành phần trong câu và các kỹ năng làm bài có
liên quan.
Tuần 4
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại dài
Động từ: loại động từ, thời của động từ. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan
đến động từ và các kỹ năng làm bài cần thiết.
Tuần 5
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại dài
Động từ: thể bị động. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng động
từ thể bị động và chủ động và các kỹ năng làm bài cần thiết.
Tuần 6
Một số kỹ năng nghe một bài nói
Danh từ: số ít và số nhiều, danh từ chỉ người và vật
Đại từ
Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng danh từ, đại từ và các kỹ
năng làm bài cần thiết.
Tuần 7
Một số kỹ năng nghe một bài nói
Tính từ và trạng từ: Phân biệt tính từ và trạng từ, các vị trí tính từ và trạng từ trong câu. Các
vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng tính từ và trạng từ và các kỹ
năng làm bài cần thiết.
Tuần 8
Kiểm tra giữa kỳ
Tuần 9
Một số kỹ năng đọc hiểu: đọc lấy ý chính
Tính từ và trạng từ: tính từ bị động và chủ động, các dạng thức so sánh. Các vấn đề thường
gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng tính từ bị động và chủ động, dạng thức so sánh
của tính từ và trạng từ, và các kỹ năng làm bài cần thiết.
Tuần 10 - 11
Trả bài kiểm tra giữa kỳ
Một số kỹ năng đọc hiểu: đọc lấy thông tin chi tiết
Mạo từ và giới từ. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng mạo từ
và giới từ và các kỹ năng làm bài cần thiết.
Tuần 12
Một số kỹ năng đọc hiểu: đoán nghĩa từ
Kỹ năng viết một đoạn văn: bố cục một đoạn văn, câu mở đầu, câu kết, từ nối.
Tuần 13
Kỹ năng viết một bài văn ngắn: bố cục một bài văn, đoạn mở đầu và kết luận.
Tuần 14
Kỹ năng viết một bài văn ngắn: bố cục một bài văn, sắp xếp ý, chuyển và nối ý giữa các đoạn
trong một bài văn
Tuần 15
Ôn tập
Chia sẻ kinh nghiệm khi làm bài thi TOEFL
MỞ ĐẦU (0.5)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1: CÁC GIẢ THUYẾT, MÔ HÌNH (LT 4,5; BT 5)
1.1 Người xưa biết gì
1.1.2 Cách sắp đặt của sự sống
1.1.3 Cách nhìn trên quan điểm thương mại, triết lý, thực tế
1.1.4 Tìm hiểu các định luật vật lý trong việc giải các bài toán sinh học
1.1.5 Một số ý tưởng chính của Vật lý và Hóa học trong sinh học
Bài tập – Giải bài tập
1.2 Cấu trúc nội tế bào
1.2.1 Sinh lý học Tế bào
1.2.2 Các thành phần của phân tử
1.2.3 Rút ngắn khoảng cách: Thiết bị phân tử
Bài tập – Giải bài tập
CHƯƠNG 2: CÁC HIỆN TƯỢNG VẬT LÝ TRONG HỆ SINH HỌC (LT 15; BT 15)
2.1 Vũ khúc phân tử
2.1.1 Các sự kiện tự nhiên của cuộc sống
2.1.2 Giải mã định luật khí lý tưởng
2.1.3 Bài học từ sự di truyền
Bài tập – Giải bài tập
2.2 Chuyển động ngẫu nhiên, ma sát và khuếch tán
2.2.1 Chuyển động Brownian
2.2.2 Vai trò của các mô hình của Einstein
2.2.3 Các chuyển động ngẫu nhiên khác
2.2.4 Tìm hiểu thêm về thuyết khuếch tán
2.2.5 Các hàm, đạo hàm trong bài toán về khuếch tán trong sinh học
2.2.6 Các ứng dụng của khuếch tán sinh học
Bài tập – Giải bài tập
2.3 Sự sống trong hệ có số Reynolds nhỏ
3.1. Mat sát trong hệ truyền chất
3.2 Số Reynolds
3.3 Các ứng dụng sinh học của hệ có số R nhỏ
3.4 Đặc điểm của các định luật vật lý
Bài tập – Giải bài tập
2.4 Entropy, Nhiệt độ và Năng lượng tự do
2.4.1. Phương pháp xác định mức độ mất trật tự
2.4.2 Entropy
2.4.3 Nhiệt độ
2.4.4 Định luật thứ hai của nhiệt động học
2.4.5 Hệ mở
2.4.6 Hệ vi mô
2.4.7 “RNA cuộn như một hệ hai trạng thái”
Bài tập – Giải bài tập
2.5 Lực Entropy
2.5.1 Lực Enropy trên quan điểm của hệ vi mô
2.5.2 Áp suất thấm lọc
2.5.3 Quá cân bằng: dòng thấm lọc
2.5.4 Tương tác đẩy
2.5.5 Tính chất đặc biệt của nước
Bài tập – Giải bài tập
2.6 Lực hóa học và quá trình tự gắn kết
2.6.1 Thế hóa học
2.6.2 Phản ứng hóa học
2.6.3 Phân ly
2.6.4 Quá trình tự gắn kết của các phân tử lưỡng tính
2.6.5 Các mô hình xử lý số liệu
2.6.6 Quá trình tự gắn kết trong tế bào
Bài tập – Giải bài tập
CHƯƠNG 3: VẬT CHẤT CÔ ĐẶC THỂ MỀM TIÊU BIỂU (LT 10; BT 10)
3.1 Đàn hồi và động học của nấm sợi nang và mạng lưới của chúng
3.1.1 Tính chất của nấm đơn sợi
3.1.2 Dung dịch của chất cao phân tử bán linh động
3.1.3 Đàn hồi mạng lưới
3.1.4 Hồi đáp phi tuyến
3.2 Xoắn và kéo dãn DNA: tìm hiểu về đơn phân tử
3.2.1 Các phương pháp thí nghiệm
3.2.2 Kéo dãn phân tử DNA
3.2.3 Chuỗi DNA dạng xoắn
3.2.4 Tương tác 5 DNA-protein
3.3 Tương tác và sự điều chỉnh cấu trúc trong chuỗi DNA
3.3.1 Tương tác tĩnh điện
3.3.2 Phương trình trạng thái: không có thăng giáng nhiệt
3.4 Mối quan hệ cấu trúc gen trong protein
3.4.1 Giới thiệu
3.4.2 Hàm năng lượng để nhận biết quá trình cuộn
3.4.3 Khả năng tiến hóa của protein
3.4.4 Tổng kết
13. Tài liệu tham khảo
1. Philips Nelson, Biological Physics: Energy, Information, Life, W. H. Freeman; updated 1st
edition (2008), ISBN-10: 0716798972.
2. W C K Poon and D Andelman, Soft Condensed Matter Physics in Molecular and Cell
Biology, CRC Press Taylor & Francis Group, 2006. ISBN-10: 0-7503-1023-5.
IMS6060 Cấu trúc điện tử và liên kết trong phân tử và vật rắn 2(2-0-0-4)
1. Tên học phần:
CẤU TRÚC ĐIỆN TỬ VÀ LIÊN KẾT TRONG PHÂN TỬ VÀ VẬT RẮN
2. Mã số: IMS6060
3. Khối lượng: 2(2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào học kỳ 1
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần người học nắm vững kiến thức về cấu trúc điện tử
của các loại vật liệu trải rộng từ các phân tử đến các chất rắn. Người học nắm được xu hướng
hình thành cấu trúc điện tử của các phân tử, các chuỗi phân tử, các tinh thể đơn nguyên tố và
hợp kim thông qua việc giải hệ phương trình trường kỳ kết hợp áp dụng các phương pháp gần
đúng; nhận biết cấu trúc tinh thể, các tính chất cơ, điện, từ, quang dựa trên các cấu trúc điện tử
của một số phân tử và hợp chất điển hình.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp kiến thức về phương trình Schroedinger, tính chất
cơ lượng tử của electron, vai trò của liên kết hóa học trong việc xác lập nên các đặc tính dẫn
điện, các tính chất quang, tính chất từ cũng như các xu hướng liên kết và hình thành cấu trúc
của các tinh thể rắn.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: BT(0,3)-T(TL:0,7)
• Điểm quá trình: trọng số 0,3
- Trình bày kiến thức tại Seminar và dự lớp đầy đủ
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0,7
11. Tài liệu học tập: xem mục 13
Tài liệu chính: 1; 2; 3
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:
VẬT LÝ, CÔNG NGHỆ MẠCH TÍCH HỢP VÀ CẢM BIẾN BÁN DẪN
Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Văn Hiếu
MỞ ĐẦU (0.5)
- Mục đích môn học
- Nội dung môn học
- Sách giá khoa và tại liệu tham khảo
CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU VỀ CÔNG NGHỆ BÁN DẪN VÀ MẠCH TÍCH HỢP
(LT 1.5)
1.1. Các khái niệm cơ bản của chất bán dẫn
1.2. Lịch sử phát triển của công nghệ bán dẫn
1.3. Sự phát triển của ngành công nghiệp mạch tích hợp (IC)
1.4. Giới thiệu quy trình chế tạo mạch tích hợp (IC)
1.5. Giới thiệu về công nghệ CMOS
CHƯƠNG 2: VẬT LÝ VÀ CÔNG NGHỆ LINH KIỆN BÁN DẪN (LT 4)
2.1. Mở đầu
2.2. Các tính chất cơ bản của vật liệu bán dẫn
2.2.1. Vật liệu bán dẫn, cấu trúc tinh thể Si
2.2.2. Bán dẫn tinh khiết ở nhiệt xác định
2.2.3. Vật liệu bán dẫn pha tạp
2.2.4. Điện trở suất của vật liệu Si pha tạp
2.2.5. Cấu trúc vúng năng lượng
2.2.6. Cấu trúc vùng năng lượng của bán dẫn pha tạp
2.2.7. Sự phụ thuộc của nồng độ hạt tải và nhiệt độ
2.2.8. Hàm phân bố Fermi
2.2.9. Định luật bảo toàn khối lượng
2.2.10. Các công thức quan trọng
2.2.11. Hiện tượng tái hợp
2.3. Chuyển tiếp p-n
2.3.1. Giới thiệu về diode chuyển tiệp p-n
2.3.2. Trạng thái cân bằng chuyển tiếp p-n
2.3.3. Mô hình vùng năng lượng
2.3.4. Trạng thái phấn cực thuân và phận cực ngược
2.3.5. Đặc trưng V-A
2.3.5. Hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp p-n
2.4. Linh kiện bán dẫn lưỡng cực
2.4.1. Giới thiệu linh kiện lưỡng cực
2.4.2. Nguyên lý hoạt động và sơ đồ vùng năng lượng
2.4.3. Các đăc trưng của transistor lưỡng cực
2.5. Linh kiện bán dẫn trên cơ sở hiệu ứng trường
2.5.1. Giới thiệu cấu trúc MOS
2.5.2. Cấu trúc MOS lý tưởng
2.5.2. Các hiện tương bể mặt ở cấu trúc SiO2-Si
2.5.3. Nguyên lý hoạt động của linh kiện MOSFET
2.5.4. Phân loại các loại linh kiên MOSFET
2.5.5. Hiệu ứng kênh ngắn
2.5.6. Công nghệ CMOS
2.5.7. Công nghệ SOI (silicon on isulator)
2.5.8. Các bước công nghệ cơ bản để chế tạo mạch tích hợp
2.5.9. Các bước công nghệ chế tạo CMOS
CHƯƠNG 3: CHẾ TẠO BÁN DẪN – PHÒNG SẠCH (LT 2)
3.1.Mở đầu
3.2.Các phương pháp làm sạch
3.2.1.Phòng sạch
3.2.2.Làm sạch phiến
3.2.3.Loại bỏ tạp chất (Gettering)
3.3.Các phướng kiểm tra
3.3.1.Kiểm tra phòng sạch
3.3.2.Kiểm tra độ sạch của phiến
3.3.3.Kiểm tra tạp chất của phiến
CHƯƠNG 4: CÔNG NGHỆ TRƯỚC (FRONT-END) VÀ CÔNG NGHỆ SAU (BACK-END)
(LT 3)
4.1.Mở đầu
4.2.Công nghệ trước (front-end technology)
4.3.Công nghệ quang khắc tiên tiếng
4.4.Xử lý nhiệt độ cao
4.5.Vật liệu tiên tiếng cho cực cổng
4.6.Khảo sát các linh kiện có kích thước nano
4.7.Các công nghệ sau (back-end technology)
4.8. Công nghệ chế tạo lớp tiếp xúc (contact)
4.9.Công nghệ bề mặt (planarisation)
4.10.Công nghệ dây dẫn đa lớp nhôm
4.11.Công nghệ dây dẫn đa lớp đồng
4.12.Công nghệ vật liệu có hệ số điện môi thắp (low-k dielectric).
CHƯƠNG 5. CÁC LOẠI CẢM BIẾN BÁN DẪN (LT 4)
5.1. Giới thiệu
5.2. Cảm biến nhiệt
5.2.1. Cặp nhiệt
5.2.2. Cảm biến nhiệt trên cơ sở đi-ốt
5.2.3. Cảm biến nhiệt trên cơ sở bóng bán dẫn
5.2.4. Cảm biến nhiệt khác
5.3. Các loại cảm biến cơ
5.3.1. Đầu đo biến dạng
5.3.2. Đầu đo biến dạng trên cơ sở nguyên lý áp điện
5.3.3. Các bộ chuyển đổi tích hợp
5.3.4. Các loại cảm biến cơ khác
5.4. Các loại cảm biến từ
5.4.1. Đĩa Hall
5.4.2. Cảm biến từ trở
5.4.3. Transistor từ
5.4.4. Cảm biến từ trường dựa trên hiệu ứng trường
5.4.5. Cảm biến từ khác
5.5. Các loại cảm biến hóa học
5.5.1. Cảm biến ôxit-kim loại
5.5.2. Cảm biến nhạy ion hiệu ứng trường
5.5.3. Cảm biến xúc tác kim loại
5.5.4. Cảm biến sinh học.
13. Bài thực tập (TH 30)
Bài 1: Tiến hành quy trình xử lý phiến tiêu chuẩn
Bài 2: Thực tập quy trình quang khắc trong công nghệ chế tạo vi điện tử
Bài 3. Thực tập ăn mòn hóa học lớp SiO2
14. Tài liệu tham khảo
1. James, D. Plummer, Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling,
Prentice Hall Inc., 2000.
2. S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, John Wiley & Sonic Inc. ,
1985
3. Nguyễn Đức Chiến và Nguyễn Văn Hiếu, Công nghệ chế tạo mạch vi điện tử, H: 2007
IMS6110 Vật liệu và linh kiện quang điện tử
1. Tên học phần: Vật liệu và linh kiện quang điện tử
2. Mã số: IMS6110
3. Khối lượng: 2 (1,5-1-0-4)
• Lý thuyết: 22,5 tiết
• Bài tập: 15 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học vật liệu,
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm vững các kiến thức cơ sở về vật liệu
quang điện tử như: các khái niệm cơ bản, các phương pháp chế tạo, các phương pháp phân
tích tính chất của vật liệu và ứng dụng. Các cấu trúc cơ bản và ứng dụng của một số linh kiện
quang điện tử.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Học phần này trình bày các kiến thức cơ sở về vật liệu quang
điện tử và linh kiện quang điện tử bao gồm các loại vật liệu quang-bán dẫn, vật liệu thủy tinh
có pha tạp các nguyên tố đất hiếm (rare earth), các tính chất quang, tính chất nhiệt, tính chất
điện của các vật liệu này. Cơ chế hoạt động của một số linh kiện quang điện tử, phương pháp
chế tạo và ứng dụng.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.3)-T(TL:0.7)
Điểm quá trình: trọng số 0.30
- Bài tập làm đầy đủ:
- Hoàn thành bài tập lớn
Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.70
11. Tài liệu học tập:
12. Nội dung chi tiết học phần:
VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ
Người biên soạn: TS. Trần Ngọc Khiêm
MỞ ĐẦU (0,5)
- Mục đích môn học
- Nội dung môn học
- Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo
PHẦN I: VẬT LIỆU QUANG ĐIỆN TỬ
CHƯƠNG 1: TÍNH CHẤT QUANG CỦA VẬT LIỆU BÁN DẪN VÀ CÁC PHƯƠNG
PHÁP CHẾ TẠO (LT 8,5; BT 5)
1.1 Giới thiệu
1.2 Các phương trình Maxwell
1.3 Điện tử trong trường điện từ
1.4 Sự chuyển mức vùng vùng
1.4.1 Sự chuyển mức vùng-vùng trong vật liệu bán dẫn khối
1.4.2 Sự chuyển mức vùng - vùng trong các giếng lượng tử
1.4.3 Sự chuyển mức vùng – vùng một cách gián tiếp
1.5. Sự dịch chuyển trong nội vùng
1.5.1 Sự chuyển mức nội vùng trong vật liệu bán dẫn khối
1.5.2 Sự chuyển mức vùng vùng trong các giếng lượng tử
1.5.3 Sự chuyển mức nội vùng trong các chấm lượng tử
1.6 Sự phun hạt tải và tái hợp bức xạ
1.6.1 Phát xạ tự phát
1.6.2 Gain trong vật liệu bán dẫn
1.7 Sự tái hợp không bức xạ
1.7.1 Sự phun hạt tải- những hiệu ứng không phát xạ
1.7.2 Tái hợp không bức xạ: Quá trình Auger
1.8 Các phương pháp chế tạo vật liệu
1.8.1 Các phương pháp chế tạo một số vật liệu bán dẫn khối
1.8.2 Phương pháp chế tạo một số vật liệu bán dẫn có cấu trúc nanô
CHƯƠNG 2: VẬT LIỆU CÓ CẤU TRÚC VÔ ĐỊNH HÌNH (LT 7)
2.1 Giới thiệu chung
2.2 Một số khái niệm
2.3 Quá trình chế tạo sợi quang
2.3.1 Các sợi truyền dẫn quang truyền thống
2.3.2 Các loại sợi quang có pha tạp đất hiếm
2.3.3 Tương tác giữa tín hiệu và nguồn bơm
2.4 Các ion đất hiếm
2.4.1 Đặc điểm nguyên tử đất hiếm
2.4.2 Phổ quang học của các ion đất hiếm
2.4.3 Các tính chất cơ bản
2.5 Khuếch đại quang sợi
2.5.1 Hệ khuếch đại hai mức năng lượng
2.5.2 Hệ khuếch đại 3 mức năng lương
2.6 Các quá trình chế tạo
2.6.1 Các quá trình chế tạo truyền thống
2.6.2 Chế tạo bằng phương pháp sol-gel
PHẦN II: LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ
CHƯƠNG 3: CÁC LOẠI LASE BÁN DẪN, ĐẦU DÒ QUANG HỌC VÀ DIODE PHÁT
QUANG (LT 3,5; BT 5)
3.1 Các laser diode bán dẫn
3.1.1 Hoạt động của các laser bán dẫn và diode laser bán dẫn
3.1.2 Các loại laser bán dẫn
3.1.3 Vai trò của các laser bán dẫn trong các modern của hệ thống thông tin quang sợi.
3.2 Các loại đầu dò quang học (photodetectors)
3.2.1 Sự hoạt động của một số loại đầu dò quang học
3.2.2 Quá trình chế tạo các đầu dò quang học và ứng dụng
3.3 Các diode phát quang
3.3.1 Hoạt động của các diode phát quang
3.3.2 Cấu trúc và ứng dụng của các diode phát quang.
CHƯƠNG 4: CÁC MODUL QUANG ĐIỆN TỬ VÀ LINH KIỆN DẪN SÓNG PHẲNG
(LT 3,5; BT 5)
3.4 Các modul quang điện tử
3.4.1 Hoạt động của các modul quang điện tử
3.4.2 Cấu trúc và ứng dụng của các modul quang điện tử
3.5 Linh kiện khuếch đại và dẫn sóng phẳng
3.5.1 Các phương pháp chế tạo
3.5.2 Các tính chất của linh kiên dẫn sóng phẳng
3.5.3 Các phương pháp kết nối vào ra.
13. Tài liệu tham khảo
1. Jacques I. Pankove “Optical proceses in semiconductor”, Dover publications Inc,
1971.
2. Jai Singh, “Optical properties of condensed matter and application”, Joln Wiley and
sons LTd ,2006.
3. Jasprit Singh, “electronic and optoelectronic properties of semiconductor structures”,
Cambridge University press, 2003.
4. P.C. Becker, N.A. Olsson, J.R. Simpson, “Erbium-doped fiber amplifiers:
Fundamentals and technology”, Academic press, 1999.
MỞ ĐẦU (0,5)
1. Mục đích môn học
2. Nội dung môn học
3. Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ ĐO LƯỜNG VÀ ĐIỀU KHIỂN SỬ DỤNG PC (LT 2,5)
1.1. Sơ đồ khối của hệ thống đo lường và điều khiển dùng máy tính
1.2. Khái quát về kiến trúc máy tính – Bộ nhớ và các cổng vào/ra
CHƯƠNG 2. GHÉP NỐI MÁY TÍNH VỚI CÁC HỆ THỰC NGHIỆM VẬT LÝ (LT 4)
2.1. Thông tin số liệu số qua các cổng vào/ra
- Thông tin song song qua vi mạch PPI
- Thông tin nối tiếp
2.2. Các bộ định thời PIT
- Đo các sự kiện
- Đo khoảng thời gian
- Đo tần số
- Đo thời gian phản ứng
2.3. Ghép nối tín hiệu tương tự với máy tính
- Các cảm biến và chấp hành (các sensor nhiệt độ, ánh sáng, áp suất, các chỉ thị LED,
mô tơ bước,...)
- Tín hiệu tương tự và bộ biến đổi A/D (thu thập số liệu từ các cảm biến và bộ khuếch
đại, trích và giữ mẫu tín hiệu)
- Biến đổi D/A (xây dựng bộ A/D từ D/A, xây dựng máy phát tạo hàm)
CHƯƠNG 3. TĂNG TỶ SỐ S/N THEO THỜI GIAN THỰC (LT 4)
3.1. Tín hiệu và can nhiễu
3.2. Xử lý tín hiệu số trong miền thời gian
3.3. Xử lý tín hiệu số trong miền tần số
3.4. Các phương pháp tăng tỷ số tín hiệu trên ồn S/N
CHƯƠNG 4. LẬP TRÌNH XỬ LÝ TÍN HIỆU THEO THỜI GIAN THỰC (LT 4)
4.1. Lập trình C với các cổng vào/ra
4.2. Giới thiệu các gói phần mềm công cụ Labview và Matlab
4.3. Lập trình xử lý tăng tỷ số S/N
- Bộ lọc tần thấp
- Bộ lọc cửa sổ trượt
- Bộ lọc tích lũy đa kênh
13. Các bài thực nghiệm
Sinh viên phải tham gia ít nhất 6 buổi thực hành, mỗi buổi 5 tiết tại phòng thí nghiệm ghép
nối máy tính dưới sự hướng dẫn của thày. Khuyến cáo sinh viên cần tự học, tự thực hành thêm
mới tích lũy đủ kiến thức.
Bài 1: Thực hành ghép nối chip PPI-8255A với máy tính
-Điều khiển các đèn chỉ thị, mô tơ bước
-Đọc trạng thái các cổng và hiển thị lên màn hình máy tính.
Bài 2: Thực hành ghép nối chip PIT-8254 với máy tính
Chọn 2 trong số 4 bài tập sau:
-Phát sóng vuông có tần số, độ rộng xung biến đổi.
-Đo khoảng thời gian giữa 2 sự kiện
-Đo tần số sóng vuông TTL
- Xây dựng bộ đo phản ứng của người
Bài 3: Thực hành trên các bộ biến đổi D/A và A/D ghép nối máy tính
- Khảo sát bộ biến đổi A/D (ADS 80)
- Ghép nối bộ biến đổi A/D với cảm biến nhiệt độ, cảm biến từ, ...
- Xây dựng máy phát dạng sóng tùy ý
Bài 4: Thực hiện các bộ lọc tăng tỷ số S/N qua bộ biến đổi A/D
- Thực hiện bộ lọc tần thấp
- Thực hiện bộ lọc cửa sổ trượt
- Thực hiện bộ lọc tích lũy đa kênh
14. Tài liệu tham khảo:
1. J.N. Demas, S.E. Demas. Interfacing and Scientific Computing on Personal
Computers. Allyn and Bacon. 1990.
2. H.M. Staudenmaier (Ed.). Physics Experiments Using PCs. Springer-Verlag. 1995.
3. William H. Rigby, Terry Dalby, Computer Interfacing: A Practical Approach to Data
Acquisition and Control. Prentice Hall, 1995.
4. John Essick, Advanced LabVIEW Labs. Prentice Hall. 2002.
5. Stephen J. Chapman. Matlab Programming for Engineers. Brooks/Cole. 2002.
IMS6140 Quang từ 2 (2-0-0-4)
1. Tên học phần: QUANG TỪ
2. Mã số: IMS6140
3. Khối lượng: 2(1,5-1-0-4)
• Lý thuyết: 22,5 tiết
• Seminar/Bài tập: 15 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ II
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật vật liệu, Công
nghệ vi hệ thống và nanô
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc khóa học này học viên có kiến thức chuyên sâu về tương tác
của ánh sáng phân cực với các vật liệu từ, giới thiệu các phương pháp khai thác thông tin về
tính phân cực của ánh sáng để nghiên cứu các tính chất từ vi mô và phân bố đômen của các vật
liệu ở thang micro/nano.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Cơ sở hiện tượng truyền ánh sáng trong chất rắn; Hiện tượng
luận về các hiệu ứng quang từ bao gồm hiệu ứng Faraday, Kerr và các hiệu ứng quang từ phi
tuyến; Cơ chế vi mô của hiện tượng quang từ; Quan sát cấu trúc đômen dựa trên các hiệu ứng
quang từ; Các vật liệu quang từ và ứng dụng (điện môi, garnet pheri từ, kim loại và hợp kim,
bán dẫn từ, vật liệu từ có cấu trúc nano).
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: BT(0,3)-T(TL:0,7)
• Điểm quá trình: trọng số 0,3
- Trình bày kiến thức tại Seminar và dự lớp đầy đủ
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0,7
11. Tài liệu học tập: Xem mục 13
Tài liệu chính: 1; 2
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:
QUANG TỪ
Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Phúc Dương
MỞ ĐẦU (0,5)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG (LT 2)
1. Ánh sáng phân cực
2. Các phương pháp tạo ánh sáng phân cực
3. Đơn tinh thể phi tuyến
CHƯƠNG 2. SỰ TRUYỀN ÁNH SÁNG TRONG CHẤT RẮN (LT 5+BT 5)
1. Các phương trình Maxwell
2. Các tenxơ điện môi ε và từ thẩm µ
3. Sự truyền ánh sáng trong chất sắt từ
4. Hiệu ứng Faraday
5. Hiệu ứng Kerr
6. Hiện tượng quang từ phi tuyến
CHƯƠNG 3. CÁC KHÁI NIỆM VI MÔ VỀ HIỆU ỨNG QUANG TỪ (LT 5)
1. Lý thuyết về cấu trúc điện tử của vật liệu
2. Các quy tắc lọc lựa
3. Hiệu ứng quang từ trong các chất nghịch từ
4. Hiệu ứng quang từ trong các chất thuận từ
CHƯƠNG 4. QUAN SÁT CẤU TRÚC ĐÔMEN (LT 5+BT 5)
1. Cấu trúc đômen từ
2. Tương tác của ánh sáng với một vách đômen riêng lẻ
3. Quan sát các đômen sắt từ
4. Quang phổ của các đômen sắt từ
5. Quan sát cấu trúc đômen phản sắt từ bằng hiệu ứng quang từ phi tuyến
CHƯƠNG 5. CÁC VẬT LIỆU QUANG TỪ VÀ ỨNG DỤNG (LT 5+BT 5)
1. Các chất điện môi
2. Garnet
3. Kim loại và hợp kim
4. Bán dẫn từ
5. Các cấu trúc màng mỏng đa lớp, màng dạng hạt và các cấu trúc siêu mạng
13. Tài liệu tham khảo:
1. A.K. Zvezdin, V.A. Ktov, Modern Magnetooptics and Magnetooptical Materials, Institute
of Physics Publishing, 1997
2. P.W. Milloni, J.H. Eberly, Lasers, John Wiley, 1988
3. V. Antonov, B. Harmon, A. Yaresko, Electronic structure and Magneto-Optical
Properties of Solids, Kluwer Academic Publisher, 2004
4. S. Sugano, N. Kojima, Maneto-Optics, Springer Series in Solid State Science, Springer
Verlag Berlin Heidenberg, 2000
5. Các bài báo Review trong các lĩnh vực liên quan
IMS6150 Điện tử học Spin
1. Tên học phần: ĐIỆN TỬ HỌC SPIN (SPINTRONICS)
2. Mã số: IMS6150
3. Khối lượng: 2(2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học vật liệu, Công nghệ vi hệ
thống và nanô
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được một số khái niệm và những vấn
đề cơ bản về điện tử học Spin (Spintronics) như các hiệu ứng hay hiện tượng cơ bản trong các
quá trình của Spin, những vật liệu, công nghệ và những linh kiện điện tử học Spin cơ bản,
những vấn đề mở và những thách thức của điện tử học Spin trong tương lai, tình hình nghiên
cứu về điện tử học Spin ở trong nước.
8. Nội dung tóm tắt học phần:
Khái quát về quá trình phát triển của điện tử học nói chung, đặc biệt là điện tử bán dẫn.
Giới thiệu những khái niệm và cung cấp kiến thức cơ sở về spintronics, bao gồm thuộc tính
spin là gì, các quá trình spin, các hiện tượng vận chuyển phụ thuộc spin, các vật liệu và công
nghệ cho spintronics, những linh kiện, dụng cụ spintronics tiêu biểu, những thách thức và xu
hướng phát triển spintronics trong tương lai.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Thí nghiệm trên các mẫu cảm biến van spin.
10. Đánh giá kết quả:
Điểm quá trình: trọng số 0.40
- Dự lớp đầy đủ
- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ
- Kiểm tra giữa kỳ
Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.60
11. Tài liệu học tập:
Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.
12. Nội dung chi tiết học phần:
MỞ ĐẦU (1)
- Giới thiệu khóa học
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. HÓA VẬT LIỆU (LT 6+BT 7)
1.1 Giới thiệu về hóa vật liệu
1.2 Hóa chất rắn
1.3 Kim loại
1.4 Vật liệu siêu dẫn
1.5 Vật liệu hữu cơ
1.6 Vật liệu Nano
1.7 Kỹ thuật phân tích cấu trúc vật liệu
CHƯƠNG 2. MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP TỔNG HỢP TRONG HÓA VẬT LIỆU
(LT 8+BT8)
2.1 Giới thiệu
2.2 Phương pháp lắng đọng đơn lớp phân tử
2.3 Phương pháp tự gắn kết
2.4 Phương pháp đồng kết tủa
25 Phương pháp điện hóa
13. Bài thí nghiệm
Bài 1: Phản ứng oxy hóa - khử và ứng dụng trong phân tích định lượng các chất oxy hóa
và chất khử
Bài 2: Phản ứng tạo phức và ứng dụng trong phân tích định lượng các ion kim loại
14. Tài liệu tham khảo
1. Bradley D. Fahlman, Materials Chemistry, Springer Publisher, Amsterdam the Netherland,
2007, ISBN 978-1-4020-6119-6 (HB).
2. M. Kerler, Surface Chemistry and Colloids, London, 1972
3. Leonard F.C. Fundermentals of Surface and Thin film Analysis, Prentice Hall, 1986
4. Hobarth Willard, Lynne Merritt, John Dean, and Frank Settle, Instrumental Methods of
Analysis (Chemistry), Wadsworth Publishing Co., 7th Ed., 1988.
5. Ying-Bing Jiang, Plasma-assisted atomic layer deposition of conformal nano-cap layers
on self-assembled mesoporous low-k dielectrics, ProQuest / UMI (March 18, 2006).
6. D. Moebius, R. Miller, Novel Methods to Study Interfacial Layers (Studies in Interface
Science), Elsevier Science (December 1, 2001).
IMS6190 Các vấn đề về quản lý trong công nghiệp công nghệ cao
1. Tên học phần: CÁC VẤN ĐỀ VỀ QUẢN LÝ TRONG CÔNG NGHIỆP CÔNG
NGHỆ CAO
2. Mã số: IMS6190
3. Khối lượng: 2(2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần: Bắt buộc, học vào kỳ 1
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Công nghệ Nano và Vi hệ thống;
Khoa học và kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần:
Kết thúc học phần người học có những tiếp cận quản trị theo quan điểm kỹ thuật, người học
hiểu được công nghệ và kỹ thuật tương tác ra sao với hệ thống quản trị, vì sao chỉ công nghệ là
chưa đủ, tại sao quản lý, lập kế hoạch sản xuất, kho vận đóng vai trò quan trọng, tại sao cần
đưa kỹ năng quản lý vào trong công nghiệp công nghệ cao, khoa học môi trường và năng
lượng…Qua khóa học người học được trang bị thêm các tác phong và văn công nghiệp.
8. Nội dung tóm tắt học phần:
Kiến thức về nghiệp vụ trong sản xuất, nghiệp vụ phụ trợ, nghiệp vụ phân xưởng, điều phối và
lập kế hoạch, kỹ thuật dự báo, lập kế hoạch nguồn lực doanh nghiệp, sản xuất đúng hạn, các
công cụ quản lý chất lượng và luận điểm, PERT/CPM, công bố sản phẩm, quản lý dự án, ma
trận cấu trúc thiết kế, quản lý dây truyền cung cấp kho vận và điều phối các công ty trong
chuỗi cung cấp.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả:
Điểm quá trình: trọng số 0.4
Thi hết môn (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.6
11. Tài liệu học tập:
Tài liệu chính: 1
Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.
12. Nội dung chi tiết học phần:
1.2.1