Professional Documents
Culture Documents
khuyếch đại công suất là kết hợp cả hai mạch khuếch đại điện
áp và dòng điện. Do vậy ở đây chúng ta sẽ nghiên cửu mạch
khuếch đại công suất
2. Khuếch đại công suất : Một mạch khuếch đại công suất
làm việc với nhiều tầng khác nhau như là tầng nhận tín hiệu
vào, tầng vi sai, tấng tiền công suất và tầng công suất.Công
suất đầu ra của mạch được quyết định ở tầng công suất
*. Những vấn đề về tầng công suất
- Tầng công suất có nhiệm vụ đưa ra công suất đủ lớn để kích
thích cho tái, công suất ra từ vài trăm mW đến vài trăm W.
Công suất này được đưa đến tầng sau dưới dạng điện áp hoặc
dòng điện có biên độ lớn. Khi khuếch đại tín hiệu lớn các
Tranzitor không làm việc trong miền tuyến tính. Do đỏ không
dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để xét . Mà phái dùng
đến phương pháp đồ thị
- Các chế độ làm việc của tầng công suất: Tùy theo chế độ
công tác của các Tranzitor, tầng công suất có thế làm việc ở
các chế độ A, B, AB, C
+. Chế độ A : Tín hiệu được khuếch đại gần như là
tuyến tính .Nghĩa là tín hiệu ngõ ra thay đối tuyến tính trong
toàn bộ chu kỳ của tín hiệu ngõ vào ( Tranzitor hoạt động ở
cả hai bán chu kỳ của tín hiệu ngõ vào).Hiệu suất ở chế độ A
rất thấp > 50%
+. Chế độ AB : Tranzitor làm việc ở gần vùng ngưng.
Tín hiệu ngõ ra thay đối hơn một nửa chu kỳ của tín hiệu ngõ
vào (Tranzitor hoạt động hơn một nửa chu kỳ âm hoặc dương
của tín hiệu ngõ vào). Hiệu suất ở chế độ này lớn hơn hiệu
suất ở chế độ A .<70%
II. Thuyết minh nguyên lý, chức năng của từng khối
trong mạch AMLY 50W, và nguyên lý chung của
toàn mạch
1. Tầng khuếch đại công suất :
- Tầng khuếch đại công suất được lựa chọn trong mạch
khuếch đại âm ly 50W này là một cặp BJT khác loại làm việc
ở chế độ AB
* Lý do lựa chọn cặp BJT và chế độ làm việc cho
tranzitor công suất : Ta đã biết rằng mạch làm việc ở chế độ
A .Thì mặc dù tín hiệu ra không méo hoặc méo nhỏ nhưng tín
hiệu ra hầu như không được khuếch đại . Còn đối với chế độ
B mặc dù khuếch đại rất tốt song méo ở đầu ra lại rất lớn khó
V C C _ C I R C L E
R 2 0
C 7
R 2 1 R 2 6
D 2
Q 1 0
R 2 2
L 1
R 2 7
R 3 1 L S 1
R 2 3 S P E A K E R
R 2 8
R 3 0
Q 1 1
D 3 C 6
R 2 4
R 2 9
R 2 5
C 8
V C C _ C I R C L E
làm việc của Tranzitor => Làm sai lệch điện áp điểm dựa VM
=> ảnh hướng đến công suất ra
Sở dĩ ở đây chọn diode zenner là bởi lẽ diode zenner hoạt
động được trong miền đánh thúng ngược . Khi mà điện áp
VBR (Điện áp đánh thúng ngược ) đạt tới giá trị ngưỡng thì :
Khi dòng điện qua diot zenner tăng nhanh thì điện áp giữa hai
đầu diot vẫn không đối . còn đối với diode thường thì khi
dòng vào lớn thì nó dễ bị phá huỷ . Do vậy mà ta lựa chọn
diot zenner trong mạch này
Các diode zenner có điện áp định mức từ hai cho đến
hàng trăm vôn . Ở đây ta chọn diot zenner ổn áp thường có
điện áp định mức từ 6 đến 8V . Chọn DZ2 =7.5V Vì hai nửa
đối xứng nên chọn DZ3 = DZ2 = 7.5 V. Mỗi liên hệ giữa dòng
điện IZ và điện áp VZ được cho ở đồ thị sau:
50
= = 40
= 1.12A
Như vậy để dòng một chiều không ra tái thì dòng phân cực IC
không quả lớn
Thông thường trở tải cực E có giá trị không lớn lắm vì nếu nó
quá lớn thì => giảm VCE => làm giảm độ khuếch đại . Nếu RE
quả nhỏ thì khá năng ốn định của nó là không tốt . Chọn R27 =
R28 =330 Ω . Từ đỏ ta tính được IC10 = IC11 = = = 10.3
+. Các trở R20 –R21 và R22 – R23 , định thiên cho tranzitor
Q10 . Các trở R22 – R23 và R24 – R25 định thiên cho tranzitor
Q11
Ta thấy rằng : nếu định thiên chí dùng trở cực gốc mà
không dùng trở cực phát thì tính ổn định không tốt => tín
hiệu ra ở tải sẽ bị méo lớn . Nguyên nhân của tính không ổn
định là do các yếu tố :
• Dòng và áp một chiều phụ thuộc vào hệ số
khuếch đại của tranzitor => Việc thay đổi các tranzitor có β
khác nhau dẫn đến điểm làm việc của các tranzitor thay đổi
=> biển dạng tín hiệu ra
• VBE phụ thuộc vào nhiệt độ của dòng cực gốc IB
=> khi nhiệt độ thay đổi => IB thay đổi => IC thay đổi => VCE
= f(IC ) thay đổi=> thay đổi điểm làm việc tĩnh => biến dạng
tín hiệu ra
• Dòng rò được nhân với β có thế là nhân tố trong
việc dịch chuyển điểm hoạt động của T ở tín hiệu lớn
Nhưng ta thấy rằng trong mạch định thiên cực gốc B có
thêm điện trở tải cực E như mạch mà chúng ta đang thiết kế
thì tín hiệu ra đỡ méo và mạch làm việc ốn định. Bởi lẽ khi
mắc thêm RE thì
• Sụt áp qua RE sẽ tăng => VE thay đối => VBE thay
đối phụ thuộc vào VE. Mà khi có RE thì ảnh hướng của nhiệt
Đồ Án Môn Kỹ Thuật Mạch Page 9
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KT - VINH KHOA ĐIỆN TỬ
độ đã được khắc phục. Lúc này VBE thay đổi không phụ thuộc
vào dòng IB
• Mặt khác khi mắc thêm R E kết hợp với định thiên cố
định ở cực B thì chống lại ảnh hướng của thiên áp ngược lên
dòng IC => Dòng ổn định qua tranzitor( Khi IC lớn dẫn đến
dòng rò IC0 nhỏ khả năng dịch chuyến điểm hoạt động của
tranzitor là không xảy ra)
+. Để mạch hoạt động tốt thì ta phải lựa chọn R20-21 sao cho
có VB mong muốn và dòng qua bộ chia áp R20-21 , R22-23 phải
lớn hơn rất nhiều so với dòng IB10 . Theo tính toán ta chọn Ichia
áp = 20IB10 . Vì vậy nên chọn R22-23 sao cho R22-23
Mặt khác để mạch mạch làm việc ổn định thì cần phải thoả
mãn điều kiện Ucc >> UBE(1+ và βR26 >> R20-21
= 2.43 V
• Cũng chiếu theo điều kiện nói trên thì >> R20-21
>> R20-21 80R26 >> 12.2 K => R26 >> 5.6 Ω . Chọn
R26 =330Ω ( ít nhất nó cũng phái bằng tải cực E tức là bằng
R27)
+. Với các số liệu vừa lựa chọn ta sẽ tính toán các giá trị
dòng điện và điện áp ở chế độ tĩnh
Theo sơ đồ ta có :
(1)
(3)
(4)
Mà (5)
(6)
• Từ (5) ta có :
. Thay vào (3) ta được :
7.5 =
= = 2.8 (mA)
• Với các giá trị điện trở đã lựa chọn kết hợp với việc tính
toán trên thì ta có thế khắng định lại giá trị β mà ta đã lựa
chọn ở trên . Ta có : β= = 79.8
= =
2.81mA
• Cũng như trên với việc lựa chọn dòng qua phân áp
=> = 0.1405mA
• Ta cũng tính được β xấp xỉ bằng 80. Thoả mãn điều kiện hai
tranzitor công suất chế tạo trên cùng một loại chất bán dẫn có
các thông số giống nhau
• Thay các kết quả tính được nói trên vào (1) và (2) ta tính
được UCE10 và UCE11
Từ (1) ta có:
* Chúng ta sẽ tính toán công suất tiêu hao trên mỗi tranzitor
Ta có: Công suất tiêu tán trên hai tranzitor công suất Q10 và
Q11 là
P2Q = Pi(dc) – P0(AC)
Ta tính được trị tối đa của công suất ngõ vào là : Pi(dc)max =
P2Q = = = 2,2W
* Công suất tiêu tán tối đa của hai tranzitor công suất không
xảy ra khi công suất ngõ vào tối đa hay công suất ngõ ra tối
đa . Mà công suất tiêu tán trên hai tranzitor sẽ tối đa khi điện
thế ở hai đầu tải là
Ngoài ra khi tần số cao đến thì trở kháng XL =ωL sẽ tăng =>
dòng một chiều không ra tải đám bảo cho tải làm việc tốt
+. Các tụ C7 , C8 có chức năng là lọc gợn sóng từ nguồn cung
cấp một chiều Vcc
* Với các giá trị về dòng điện , điện áp , hệ số khuếch đại ,
công suất tiêu tán
* Giới thiệu khái quát về tầng hồi tiếp và tầng tiền khuếch
đại
• Tầng hồi tiếp:Hồi tiếp đóng vai trò rất quan trọng trong
kỹ thuật tương tự . Hồi tiếp cho phép cái thiện tính chất của
bộ khuếch đại, nâng cao chất lượng của bộ khuếch đại. Sơ đồ
sử dụng mạch khuếch đại có hồi tiếp có ảnh hưởng rất lớn
đến hoạt động của mạch đặc biệt là tín hiệu đầu ra . Thông
thường trong các mạch khuếch đại lớn, trong các âm ly thì để
giảm méo phi tuyến thì người ta sử dụng ít nhất hai vòng hồi
tiếp . Có hai loại hồi tiếp là hồi tiếp âm và hồi tiếp dương.
Hồi tiếp âm là sự hồi tiếp trong đó tín hiệu hồi tiếp ngược pha
với tín hiệu vào, nên làm yếu tín hiệu vào. Còn hồi tiếp
dương là hồi tiếp trong đó tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín
hiệu vào, làm mạnh tín hiệu vào. Trong các mạch khuếch đại
công suất thì chủ yếu sử dụng hồi tiếp âm . Để hiểu rõ vì sao
trong các mạch khuếch đại công suất sử dụng hồi tiếp âm ta
sẽ xét các đặc điểm của nó
+. Đặc điểm thứ nhất : Gĩư vững độ khuếch đại :
Ta biết rằng thông số của BJT hay FET không phải là một
hằng số mà chúng thay đổi rất nhiều theo nhiệt độ => khi
nhiệt độ thay đổi các thông số của BJT hay FET sẽ thay đổi
=> độ lợi chung của mạch ( KH: A) thay đổi
Nhưng khi có hồi tiếp thì :
Từ đây ta rút ra nhận xét : Khi độ lợi của mạch không có hồi
tiếp thay đổi thì độ lợi của toàn mạch ( có hồi tiếp ) thay đổi
nhỏ hơn (1 + βA) lần. Như vậy khi có hồi tiếp âm sẽ làm cho
độ khuếch đại của mạch ổn định hơn rất nhiều lần khi không
sử dụng hồi tiếp âm . Mặt khác nếu thì
.Nghĩa là mạch khuếch đại sau khi thực hiện hồi tiếp âm thì
độ lợi chỉ còn phụ thuộc vào hệ số hồi tiếp β mà thôi. Thông
thường thì hệ số hồi tiếp β có thế xác định bởi các thành
phần thụ động không liên quan gì đến tranzitor nên độ lợi của
mạch sẽ được giữ vững
+. Đặc điểm thứ hai : Giảm sự biến dạng tín hiệu ( chống
méo tín hiệu )
Chúng ta biết rằng biến dạng gồm có :
• Biến dạng tần số: Do sự khuếch đại không đồng
đều ở các tần số
• Biến dạng phi tuyến : Do đặc tuyến không tuyến
tính của BJT và FET
Các biến dạng này làm phát sinh các hài chồng lên tín hiệu
được khuếch đại làm biến dạng tín hiệu ngõ ra. Như vậy ở
ngõ ra ngoài thành phần tín hiệu còn có một thành phần nhiễu
xuất phát từ sự biển dạng của mạch ( Thành phần nhiễu kí
hiệu là D) Từ đây ta có:
Tín hiệu ngõ ra là : X0 = AXi + D
Khi có hồi tiếp âm,nếu ta giữ Xi không đổi thì tín hiệu ra
giảm vì độ lợi Af < A. Nhưng vì sự biến dạng tỉ lệ với Af nên
nó cũng giảm theo. Mặt khác khi có hồi tiếp âm thì mạch
khuếch đại A vẫn chứa thành phần biến dạng D nhưng ở ngõ
ra của mạch toàn phần thì sự biến dạng bây giờ chỉ còn là Df
Ta có :
Vậy
Như vậy khi thực hiện hồi tiếp âm, tần số cắt cao tăng thêm
(1+ ) lần
tìm được
Vậy thì khi có hồi tiếp âm thì tần số cắt thấp giảm đi
lần
Q 1 Q 2 Q 2 Q 1
Q 2 Q 2
Q 1 Q 1
H ì n h 1 . 1
H ì n h 1 . 2 H ì n h 1 . 3 H ì n h 1 . 4
I C
I C 1
I C 2
Q 1
I B 1
Q 2
I E 1 = I B 2 I E 2 = I E
R 1
Vậy
U vB I B 1 I C U r
r B E 1 C 1 = C 2 = C
r c e 1
IB2
r b e 2 r c e 2
R E
E
-Trở kháng vào của mạch:
(3)
Vậy qua công thức (3) ta thấy trở kháng vào của mạch
là rất lớn
b. Tầng hồi tiếp và tầng tiền khuếch đại trong sơ đồ mạch
AMPLI 50W
Sơ đồ khối của tầng hồi tiếp và tầng tiền khuếch đại :
R 8 + 3 4 V
R 9
R 1 4
Q 2 C 5 Q 8
Q 4
Q 6
C 4
R 1 8
D 1
R 1 5
D S
D 2
R 1 7
R 1 1
Q 5 R 1 9
Q 3 Q 7
R 1 2
C 3
Q 9
R 1 3
R 1 0
R 1 6
- 3 4
*Chức năng linh kiện trong khối và lựa chọn linh kiện :
• Chức năng linh kiện
+. DS gồm hai diot D1 và D2 là nguồn định thiên cố định
cho hai tranzitor Q6 và Q7 . Sở dĩ ta lự chọn diode là bởi lẽ :
Khi dòng qua diode thay đổi thì chí có nội trở bên trong diode
thay đổi còn điện áp hai đầu diode ( điện áp rơi không đổi) .
Còn nếu mà sử dụng điện trở thì khi tín hiệu vào thay đổi,
dẫn đến dòng qua trở thay đổi(tín hiệu vào tăng thì dòng qua
trở giảm) => Điện áp trên hai đầu điện trở sẽ thay đổi => V B
của tranzitor thay đổi => VBE thay đổi => VE thay đổi => IE
vàVCE thay đổi . Mà khi IE thay đổi thì kéo theo IC thay đổi
.Dẫn đến điểm điều hành Q thay đổi. Ảnh hướng xấu đến
mạch
Ngoài ra DS còn tạo ra dòng tĩnh ban đầu cho cặp dalington ,
có điện áp thuận tương ứng với điện áp VBE của hai tranzitor
Q6 và Q7 .
Để cho hai tranzitor Q6 và Q7 dẫn thì cần có định thiên cổ
định VBE =0.7 V. Như vậy điện áp thuận của diode D1 và D2
phải lớn hơn 0.7V . Như vậy cần phải dùng hai diode Silic
cần có điện áp thuận khoảng 0.6 0.65 V. Ở đây ta sẽ chọn
loại diode 1N4007 có điện áp thuận là 0.62 V (Điện áp rơi ) .
Dòng qua điode 1N4007 là 1A,áp tối đa mà diode có thế chụi
đựng là 50V
+. Các điện trở R14 và R16 làm 3 nhiệm vụ:
• Phân cực tĩnh 0.4V cho hai tranzitor Q8 và Q9
• Thoát dòng bazo lúc Q8 và Q9 khóa
• Giúp Q9 và Q9 khoá nhanh ở vùng tần số âm thanh rất
thấp . Nhằm bảo vệ Tranzitor . Chúng ta có thế giải thích rõ
điều này . Gỉa sử ở ½ chu kỳ dương của tín hiệu đặt vào cực
B của Q8 , Q9 làm Q8 khoá ,Q9 dẫn . Ở ½ chu kỳ âm của tín
hiệu thì Q8 dẫn mà Q9 chưa kịp khoá => cả hai tranzitor đều
dẫn => dòng từ nguồn VCC lập tức chảy qua Q8 , Q9 ( từ +Vcc
Đến –Vcc ) sẽ phá huỷ cả hai tranzitor. Vì vậy phải cần có hai
trở R14 và R16 . Có một điều lưu ý là các trở R16 vàR14 càng
nhỏ thì càng khoá nhanh hai tranzitor . Do vậy phải chọn R14
và R16 có giá trị nhỏ . Thông thường chọn R14 , R16 = (10
100Ω). Trong mạch này yêu cầu công suất ra lớn nên ta chọn
R16 và R14 =100Ω
+. Cặp Q6 – Q8 và Q7 – Q9 mắc theo kiểu Darlington nhằm
tạo ra hệ số khuếch đại dòng lớn và trở kháng cao để cung
cấp cho tầng công suất làm việc
• Nguyên tắc làm việc của hai cặp Darlington là giống
nhau. Chỉ khác ở điện áp phân cực để tạo dòng tĩnh ban đầu.
Không nên cho hai cặp tranzitor đối xứng chạy ở chế độ AB
vì hiệu suất thấp và ổn định nhiệt phức tạp. Đặc biệt hơn nữa
là tránh làm việc ở chế độ B vì nó sẽ gây méo xuyên tâm lớn
và còn dễ phá huỷ tranzitor khi tín hiệu tăng đột biến hoặc tín
hiệu vào ở tần số thấp, có chu kỳ xấp xỉ chu kỳ đóng mở của
các tranzitor giữa hai nhánh đối xứng. Vì vậy mà nên cho
tranzitor kích Q6 và Q7 làm việc ở chế độ AB với dòng nhỏ,
còn hai tranzitor cuối Q8 và Q9 làm việc ở chế độ B
Muốn cho Q6 – Q7 làm việc ở chế độ AB ( dòng tĩnh nhỏ ) thì
ta phải phân cực cho VBE6-7= 0.7V. Q8 và Q9 làm việc ở chế độ
B ta phân cực cho VBE8-9 = 0.4V ở trạng thái gần ngưỡng dẫn
Mặt khác để chế độ làm việc của Q8 – Q9 ở mức tín hiệu lớn
được duy trì thì ta tăng áp phân cực tại cực B lên ( 0.5V đến
0.6V). Chúng ta có thế giải thích như sau:
Khi mức tín hiệu vào còn nhỏ thì áp phân cực trên R14 và
R16 chưa vượt quả ngưỡng dẫn của Q8 và Q9 => dẫn đến mạch
làm việc ở chế độ AB nhờ Q6 và Q7
Khi mức tín hiệu vào lớn thì dòng IC của Q6 - Q7 tạo định
thiên trên R14 và R16 đủ lớn => Q8 – Q9 dẫn => áp phân cực
VBE8 và VBE9 cổ định ( vì dòng IC chảy qua tiếp giáp
BE của Q8 - Q9)
+. Các trở R15 – R17 là các trở tải cực C của tranzitor Q8 và
Q9
+. Các tụ C3 , C4 , C5 là các tụ hồi tiếp dương cho các
tranzitor Q4 và Q7 .Giúp chống tự kích cho các tranzitor.
Ngoài ra tụ C5 còn có nhiệm vụ thoát dòng xoay chiều cho Q4
+. Các trở R18 – R19 là các trở hạn dòng cho hai tranzitor
công suất Q10 và Q11
+ Hai cặp tranzitor hồi tiếp Q2 – Q4 và Q3 – Q5 mắc theo
kiểu E chung, vừa làm nhiệm vụ khuếch đại dòng điện vừa
làm nhiệm vụ khuếch đại điện áp.Đường hồi tiếp từ đầu ra
của tầng công suất về đầu vào của hai tranzitor Q2 và Q3 với
mục đích hạn chế biên độ tín hiệu sau khi qua tầng vi sai để
giảm méo phi tuyến
• Tính toán các thông số và lựa chọn linh kiện
( chọn )
D358 là :
B528 là:
Ta có: .Mà
.
. Với dòng IC3 không lớn mà trong khi dòng IB3 = Iht từ đầu ra
tầng công suất về đầu vào của tầng hồi tiếp nên dẫn đến hệ số
khuếch đại . Đây cũng là một kết quả hợp lý vì
Q3 phải có hệ số khuếch đại nhỏ để mục đích giảm méo tín
hiệu. Ta có VC3 = VB5 = 39.99V mà VE3 = IE3R10 ( Với R10 là
trở tải cực E của Q3 dùng để ổn định nhiệt cho Q3. Nên ta
chọn R10 có giá trị không lớn lắm khoảng 100Ω).Mặt khác do
hệ số khuếch đại nhỏ Vậy VE3 = 20 x 0.1 = 2V
Với các thông số đã tính toán được:
làm giảm VCE => giảm độ khuếch đại. Nếu RE quả nhỏ thì thì
khả năng ổn định của nó là không tốt. Thường thì R 8 nằm
trong khoáng từ (0.1 ). Do đó ta chọn R8=100Ω, R9 =
10Ω. Từ đây ta tính được
. Chọn => Dòng bazơ .
Mà IC2 = IB4 , IB2 = Iht =10.3mA => hệ số khuếch đại của Q2
cũng rất nhỏ phù hợp với yêu cầu của mạch
khuếch đại vi sai và tầng khuếch đại vi sai ở đầu vào của
mạch âm ly 50W
a. Giưới thiệu chung về bộ khuếch đại vi sai:
- Cấu tạo của bộ vi sai căn bán ở trạng thái cân bằng
Vb =AC.V2
*. Với AC được gọi là độ lợi chung.Từ đây ta có thế
suy ra tín hiệu ra vi sai bằng 0. Tức là V0 = VC1 -
VC2 =0 Mạch có khá năng chống nhiễu rất tốt. Điều này
có thế được giải thích như sau: khi có tín hiệu nhiễu phá
rỗi thì tín hiệu nhiễu sẽ tác động đồng thời lên cực B1 và
cực B2 với điện áp đồng pha (cùng dương hay cùng âm)
.Như vậy ở ngõ ra VC1 và VC2 sẽ tiệt tiêu nhau và
V0 =0
*. Như vậy khi mà tín hiệu vào đồng pha và cùng biên
độ thì tín hiệu ngõ ra vi sai bằng không.Khi đỏ AV =0
lúc đỏ thì tỉ số nén đồng pha hay là độ truất thái tiến ra
vô cùng (vô cùng lớn). Mạch có khá năng chống nhiễu
tốt nhất
+. Khi tín hiệu vào có dạng vi sai: V 1 = -V2 dẫn đến Va =
–Vb
Do V1 = -V2 dẫn đến Q1 chạy mạnh ,Q2 chạy yếu hoặc
Va – Vb = AVS(V1 –V2)
*. Với AVS là độ lợi cho tín hiệu vi sai. Như vậy với ngõ
ra vi sai thì mạch chí khuếch đai tín hiệu vào vi sai
( khác nhau ở 2 ngõ vào). Lúc này ta thấy rằng khi IC1
tăng thì IC2 giám và do 2IE = IC1 + IC2 nên dòng điện qua
RE là 2IE có trị số gần như không đối. Như vậy điện trở
RE không có hồi tiếp âm đối với tin hiệu vi sai .và như
khá năng chống nhiễu là không tôt bằng khi tín hiệu vào
đồng pha
-Như vậy thì để đám báo cho các tầng sau bộ khuếch
đại hoạt động tốt ( tức là có tín hiệu thì ) Điều kiện sau
thay RE
V C C _ B A
R 6 R 7
R 4
R 5
R
Q 4 Q 5
Q 2
Q 1
J 1
1 R 9
2 R 1
C O N 2 R 2
R 8
R 3
V C C _ B A R
Khi có tín hiệu nhiễu đồng pha hay ảnh hướng của nhiệt độ
thì cả hai tranzitor đều có tác động như sau : Giá thiết tín hiệu
nhiễu đồng pha làm VB1- VB2 giảm nên IC1 – IC2 tăng làm Vc1-
VC2 giảm . Điều này làm VB4 –VB5 giảm nên IC4 – IC5 giảm,
đưa đến VE4 = VE5 giảm và điện áp hồi tiếp VE giảm nên VB3
giảm . Như ta đã biết thì : IC3 = IC1+IC2 nên khi VB3 giảm sẽ
làm IB3 giảm tức là IC1và IC2 không tăng được, mạch có độ ổn
định tốt. Như vậy tín hiệu nhiễu đồng pha đã bị giảm hay bị
loại bỏ bới tác dụng của mạch hồi tiếp, nhờ đỏ tránh được
điện áp trôi
Trong các bộ khuếch đại một chiều trôi cùng được khuếch đại
và đưa đến đầu ra như một tín hiệu . Vì vậy trong trường hợp
này phái tìm cách giảm trôi. Trong thực tế không thế tác dụng
trực tiếp vào tranzitor để giảm trôi. Nên người ta phái dùng
bộ khuếch đại vi sai. Bộ khuếch đại vi sai khuếch đại hiệu hai
vi sai có mức trôi rất thấp. Nếu mạch đối xứng thì trôi được
khắc phục hoàn toàn. Mà việc khắc phục trôi rất quan trọng
nó đảm bảo cho các tấng sau có mức điện áp ổn định cộng
thì trôi cũng không giảm được hoàn toàn . Ở đây tín hiệu vào
đưa vào 2 cực B và tín hiệu ra chỉ lấy trên một cực C so với
mass. Hai nửa không hoàn toàn đối xứng vì vậy nhiễu qua bộ
+.Đầu vào thứ hai của tầng vi sai được lấy hồi tiềp về từ
đầu ra của tầng công suất. R7 vừa là trở nối tầng vừa là trở hồi
tiếp từ đầu ra của tầng công suất về đầu vào của tầng vi sai
với mục đích chống mẻo không đường thắng
+.C2 và R5 tạo thành mạch lọc thông thấp để loại bỏ
nhiễu ở tần số cao từ đầu ra của tầng công suất mang đến
+. Tầng khuếch đại vi sai để giảm thiếu tạp nhiễu ở ngõ
vào => Tầng khuếch đại vi sai dung BJT có tạp âm nội nhỏ ta
chọn loại tranzitor T1 và T2 là loại tranzitor A798 hoặc
MD8003 của hãng Motorola.Các thông số của tranzitor A798
tra từ số tay linh kiện điện tử là:
- Cách tính toán các thông số và lựa chọn các linh kiện
của tầng khuếch đại vi sai
(ở đây VDZ1 = 10V; IE IC) => VC1 = VCE +VE1 = 530 – 519 =
11V
Mà ta có: VC1 = 2Vcc – RCIC => RC =
. Chọn RC = R2 = 680Ω
=
726.7 kΩ (để tính được rbe ta áp dụng công thức rbe = βrE =β
= 0.56 kΩ) => ZV = = 9.86 kΩ
-1.34 = -0.092
V C C
R 8 R 9 R 1 6
R 2 0
C 7
Q 8 R 2 6
Q 2 D Z 2
C 5
Q 6 R 2 1
R 2 Q 4
R 1 8
C 4
Q 1 0
R 1 5
D 1 R 2 2 L 1
J 1 C 1 R 7 R 3 1 L S 1
1 Q 1
2 R 1 7 R 2 8R 3 0
R 1 C 2 D 2 R 2 3 R
C O N 2 R 1 1
R 3 R 1 9
R 5 Q 1 C 1 6
Q 5
Q 7 R 2 4
R 2 9
R 4 R 1 2 C 3
Q 9
D Z 3
Q 3 R 1 3
R 1 4 R 2 5
R 1 0
R 6
V C C
C 9
D Z 1 C 8
Q1 dẫn, làm cho thế ở cực C của Q1 ở mức thấp, tín hiệu đưa
đến Q4 làm cho Q4 dẫn => VC4 ở mức cao, đưa đến cực B của
Q6 làm cho Q6 dẫn => VC6 ở mức thấp, đưa đến cực B của Q8
làm Q8 dẫn => VC8 ở mức cao, đưa đến cực B của Q10 làm cho
Q10 dẫn => trên tải sẽ thu được ½ chu kỳ dương. Đồng thời
khi đó VC10 ở mức thấp, hồi tiếp về cực B của Q2 làm cho Q2
khoá. Mặt khác thì khi Q10 làm việc thì Q11 sẽ khoá, mà Q11
khoá dẫn đến VC11 sẽ ở mức cao, hồi tiếp về cực B của Q3 làm
cho Q3 dẫn => VC3 ở mức thấp, đưa đến cực B của Q5 làm Q5
khoá => VC5 ở mức cao đưa đến cực B của Q7 làm cho Q7
khoá => VC7 ở mức thấp, đưa đến cực B của Q9 làm cho Q9
khoá
+. Xét ở ½ chu kỳ âm của tín hiệu vào thì Q11 làm việc, còn
Q10 khoá. Khi Q11 dẫn thì áp ở cực C của Q11 sẽ ở mức cao,
hồi tiếp về cực B của Q3 làm cho Q3 dẫn => Q5 dẫn => Q7 dẫn
=> Q4 khoá => Q6 khoá => Q8 sẽ khoá => Q10 khoá. Lúc này
AMPLI 50W. Qủa trình phân tích lý thuyết và tính toán các
trợ rất lớn từ phía thầy giảo hướng dẫn. Và quả trình thiết kế
liệu .
Bản thiết kế của chúng em xây dựng đang được tiến hành lắp
thí nghiệm ở thực tế. Tuy nhiên để mạch thực tế hoạt động tốt
còn cần rất nhiều yếu tổ. Trong đó có hai yếu tố chính là:
lớn
mạch tương đối hoàn hảo đã có, tầng khuếch đại vi sai ở
đầu vào để chống nhiễu, tầng hồi tiếp để giảm méo tín
50W vẫn có những hạn chế nhất định. Do các linh kiện
trong mạch là rời rạc nên ảnh hướng của môi trường
các thầy, cô giảo đóng góp ý kiến cho chúng em. Để các