Do An Duc 4

1
Trường Đại Học Công Nghiệp Hà Nội Khoa Điện Tử
MỤC LỤC
LỜI NÓI ĐẦU................................................................................................................7
CHƯƠNG 1...................................................................................................................8
TỔNG QUAN VỀ CẢM BIẾN........................................................................................8
1.1 Khái niệm và phân loại cảm biến:...................................................................8
1.1.1 Khái niệm:....................................................................................................8
1.1.2 Phân loại cảm biến........................................................................................8
1.2 Đường cong chuẩn của cảm biến....................................................................9
1.2.1 Khái niệm.....................................................................................................9
1.2.2 Phương pháp chuẩn cảm biến.....................................................................10
1.2.2.1 Chuẩn đơn giản........................................................................................11
1.2.2.2 Chuẩn nhiều lần.......................................................................................11
1.3 Các đặc trưng cơ bản.....................................................................................12
1.3.1 Độ nhạy của cảm biến................................................................................12
1.3.2 Độ nhạy trong chế độ tĩnh và tỷ số chuyển đổi tĩnh...................................13
1.3.3 Độ nhạy trong chế độ động........................................................................13
1.4 Độ tuyến tính.................................................................................................14
1.4.1 Khái niệm...................................................................................................14
1.4.1.1 Đường thẳng tốt nhất...............................................................................15
1.4.1.2 Độ lệch tuyến tính...................................................................................15
1.4.2 Sai số và độ chính xác................................................................................16
1.4.3 Độ nhanh và thời gian hồi áp......................................................................17
1.4.4 Giới hạn sử dụng của cảm biến..................................................................18
SV: Đỗ Huy Đức – Điện tử 4 – K2

2
1.5 Nguyên lý chung chế tạo cảm biến................................................................19
1.5.1 Nguyên lý chế tạo các cảm biến tích cực...................................................19
1.5.2 Hiệu ứng nhiệt điện....................................................................................20
1.5.2.1 Hiệu ứng hoả điện...................................................................................20
1.5.2.2 Hiệu ứng áp điện.....................................................................................21
15.2.3Hiệu ứng cảm ứng điện từ.........................................................................21
1.5.2.4 Hiệu ứng quang điện...............................................................................22
1.5.2.5 Hiệu ứng quang - điện - từ.......................................................................22
1.5.2.6 Hiệu ứng Hall..........................................................................................22
1.5.3 Nguyên tắc chế tạo cảm biến thụ động.......................................................23
1.6 Mạch đo.........................................................................................................24
1.6.1 Sơ đồ mạch đo............................................................................................24
1.6.2 Một số phần tử cơ bản của mạch đo ..........................................................25
1.6.2.1 Bộ khuếch đại thuật toán (KĐTT) ..........................................................25
1.6.2.2 Bộ khuếch đại đo lường IA.....................................................................26
1.6.2.3 Khử điện áp lệch......................................................................................27
CHƯƠNG 2 ................................................................................................................30
CƠ CẤU HIỂN THỊ......................................................................................................30
2.1 VI ĐIỀU KHIỂN...........................................................................................30
2.1.1 Tổng quan về 8051.....................................................................................30
2.1.2 Vi điều khiển AT89S52 .........................................................................31
2.1.2.1 Giới thiệu chung......................................................................................31
2.1.2.2 Cấu trúc bên trong vi điều khiển.............................................................35

3
2.1.2.3 Hoạt động định thời của AT89S52..........................................................36
2.1.2.4 Các thanh ghi của bộ định thời................................................................36
2.1.2.5 Các chế độ định thời của timer 1 và timer 0............................................39
2.1.2.6 Tổ chức ngắt của AT89S52

.............................................................................................................................40
2.2 HIỂN THỊ NHIỆT ĐỘ BẰNG LCD.............................................................44
2.2.1 Phân loại LCD............................................................................................44
2.2.2 Giới thiệu sơ đồ chân LCD.........................................................................45
2.2.3 Khả năng hiển thị của LCD........................................................................46
2.2.4 Nguyên tắc hiển thị kí tự trên LCD............................................................48
2.3 GIAO TIẾP VỚI BỘ HIỂN THỊ TƯƠNG TỰ-SỐ(ADC)...........................49
2.3.1 Giới thiệu về ADC......................................................................................49
2.3.2 Tìm hiểu về ADC 0804.............................................................................49
CHƯƠNG 3 ................................................................................................................53
CẢM BIẾN SỬ DỤNG TRONG MÔ HÌNH..................................................................53
3.1 CẢM BIẾN ĐO NHIỆT ĐỘ.........................................................................53
3.1.1 Phân loại cảm biến nhiệt ..........................................................................53
3.1.2 Cặp nhiệt điện ( Thermocouples )..............................................................54
3.1.3 Thermistor..................................................................................................55
3.1.4 Bán dẫn.......................................................................................................56
3.1.5 Nhiệt kế bức xạ ( còn gọi là hỏa kế- pyrometer ).......................................57

4
3.1.6 Cảm biến nhiệt độ LM35 ...........................................................................59
3.3 Cảm biến chuyển động..................................................................................74
3.3.1 PIR..............................................................................................................74
3.3.1.1 Cấu tạo ,nguyên lý đầu dò PIR................................................................75
3.3.2 Kính hội tụ..................................................................................................78
3.3.3 Một số mạch ứng dụng...............................................................................80
3.3.4 Các sơ đồ mạch điện tham khảo.................................................................84
CHƯƠNG 4.........................................................................................................90
THI CÔNG MÔ HÌNH........................................................................................90
4.1 Sơ đồ nguyên lý.............................................................................................90
4.1.1 Nguyên lý làm việc...................................................................................91
KẾT LUẬN...................................................................................................................92
TÀI LIỆU THAM KHẢO...............................................................................................93

5
DANH SÁCH CÁC HÌNH

6
DANH SÁCH CÁC BẢNG

7
Lời Nói đầu
Ngày nay, cùng với sự phát triển mạnh mẽ của thế giới trên nhiều mặt thì
khoa học công nghệ nói chung và nghành công nghệ kỹ thuật điện tử nói riêng
cũng đã có nhiều phát triển vượt bậc góp phần làm cho thế giới ngày càng hiện
đại và văn minh hơn. Sự phát triển của kỹ thuật điện tử đã tạo ra hàng loạt
những thiết bị với các đặc điểm như sự chính xác cao, tốc độ nhanh, gọn nhẹ và
hoạt động ổn định là những yếu tố cần thiết làm cho hoạt động của con người
đạt hiệu quả cao
Đã từ lâu các bộ cảm biến được sử dụng như những bộ phận để cảm
nhận và phát hiện, nhưng chỉ từ vài ba chục năm trở lại đây chúng mới thể
hiện vai trò quan trọng trong kỹ thuật và công nghiệp đặc biệt là trong lĩnh
vực đo lường, kiểm tra và điều khiển tự động.
Vì ứng dụng của chúng lớn vậy, nên có thể nói việc tìm hiểu về các loại
cảm biến, cấu tạo, chức năng, nguyên lý hoạt động của chúng là rất quan trọng.
Hiện nay vấn đề tự động hóa trong công nghiệp để giảm bớt lao động chân tay
và nâng cao năng suất lao động là một trong những đề tài được các bạn sinh
viên,các thầy cô ở những trường kĩ thuật quan tâm và nghiên cứu nhiều
nhất.Chính vì vậy em đã chọn đề tài : “NGHIÊN CỨU VỀ CẢM BIẾN,ỨNG
DỤNG THIẾT KẾ MÔ HÌNH NHÀ THÔNG MINH” cho báo cáo thực tập
tốt nghiệp của mình.
Nội dung báo cáo này gồm 4 chương:
CHƯƠNG 1 : TỔNG QUAN VỀ CẢM BIẾN
CHƯƠNG 2 : CƠ CẤU HIỂN THỊ
CHƯƠNG 3 : CẢM BIẾN SỬ DỤNG TRONG MÔ HÌNH
CHƯƠNG 4 : THI CÔNG MÔ HÌNH
Dù rất cố gắng khi thực hiện luận văn này nhưng chắc chắn không
tránh khỏi những thiếu sót,rất mong đón nhận được sự đóng góp ý kiến từ quý
thầy cô và các bạn.Xin trân thành cảm ơn.

8
CHƯƠNG 1
TỔNG QUAN VỀ CẢM BIẾN
1.1 Khái niệm và phân loại cảm biến:

1.1.1 Khái niệm:
Cảm biến là thiết bị dùng để cảm nhận biến đổi các đại lượng vật lý
và các đại lượng không có tính chất điện cần đo thành các đại lượng điện có
thể đo và xử lý được.
Các đại lượng cần đo (m) thường không có tính chất điện (như nhiệt
độ, áp suất...) tác động lên cảm biến cho ta một đặc trưng (s) mang tính chất
điện (như điện tích, điện áp, dòng điện hoặc trở kháng) chứa đựng thông tin
cho phép xác định giá trị của đại lượng đo. Đặc trưng (s) là hàm của đại lượng
cần đo (m):
s=F(m)
Người ta gọi (s) là đại lượng đầu ra hoặc là phản ứng của cảm biến,
(m) là đại lượng đầu vào hay kích thích (có nguồn gốc là đại lượng cần đo).
Thông qua đo đạc (s) cho phép nhận biết giá trị của (m).
1.1.2 Phân loại cảm biến

Các bộ cảm biến được phân loại theo các đặc trưng cơ bản sau đây:
• Theo nguyên lý chuyển đổi giữa đáp ứng và kích thích.

9
Hiện tượng Chuyển đổi đáp ứng và kích thích

Vật lý − Nhiệt điện
− Quang điện
− Quang từ
− Điện từ
− Quang đàn hồi
− Từ điện
− Nhiêt từ…
Hóa học − Biến đổi hóa học
− Biến đổi điện hóa
− Phân tích phổ..
Sinh học − Biến đổi sinh hóa
− Biến đổi vật lý
− Hiệu ứng trên cơ thể sống
Bảng 1. 1 Phân loại cảm biến
1.2 Đường cong chuẩn của cảm biến

1.2.1 Khái niệm
Đường cong chuẩn cảm biến là đường cong biểu diễn sự phụ thuộc
của đại lượng điện (s) ở đầu ra của cảm biến vào giá trị của đại lượng đo (m)
ở đầu vào. Đường cong chuẩn có thể biểu diễn bằng biểu thức đại số dưới dạng
s = F(m ) , hoặc bằng đồ thị như hình sau:

10
Hình 1. 1 Đường cong chuẩn cảm biến
a. Dạng đường cong chuẩn

b. Đường cong chuẩn của cảm biến tuyến tính
Dựa vào đường cong chuẩn của cảm biến, ta có thể xác định giá trị mi
chưa biết của m thông qua giá trị đo được si của s.
Để dễ sử dụng, người ta thường chế tạo cảm biến có sự phụ thuộc
tuyến tính giữa đại lượng đầu ra và đại lượng đầu vào, phương trình s= F(m)
có dạng s = am +b với a, b là các hệ số, khi đó đường cong chuẩn là đường
thẳng
1.2.2 Phương pháp chuẩn cảm biến
Chuẩn cảm biến là phép đo nhằm mục đích xác lập mối quan hệ giữa
giá trị s đo được của đại lượng điện ở đầu ra và giá trị m của đại lượng đo có
tính đến các yếu tố ảnh hưởng, trên cơ sở đó xây dựng đường cong chuẩn
dưới dạng tường minh (đồ thị hoặc biểu thức đại số). Khi chuẩn cảm biến,
với một loạt giá trị đã biết chính xác mi của m, đo giá trị tương ứng si của s
và dựng đường cong chuẩn.

11
Hình 1. 2 Phương pháp chuẩn cảm biến
1.2.2.1 Chuẩn đơn giản

Trong trường hợp đại lượng đo chỉ có một đại lượng vật lý duy nhất tác
động lên một đại lượng đo xác định và cảm biến sử dụng không nhạy với tác
động của các đại lượng ảnh hưởng, người ta dùng phương pháp chuẩn đơn
giản. Thực chất của chuẩn đơn giản là đo các giá trị của đại lượng đầu ra ứng
với các giá xác định không đổi của đại lượng đo ở đầu vào. Việc chuẩn được
tiến hành theo hai cách:
- Chuẩn trực tiếp: các giá trị khác nhau của đại lượng đo lấy từ các
mẫu chuẩn hoặc các phần tử so sánh có giá trị biết trước với độ chính xác cao.
- Chuẩn gián tiếp: kết hợp cảm biến cần chuẩn với một cảm biến so
sánh đã có sẵn đường cong chuẩn, cả hai được đặt trong cùng điều kiện làm
việc. Khi tác động lên hai cảm biến với cùng một giá trị của đại lượng đo ta
nhận được giá trị tương ứng của cảm biến so sánh và cảm biến cần chuẩn. Lặp
lại tương tự với các giá trị khác của đại lượng đo cho phép ta xây dựng được
đường cong chuẩn của cảm biến cần chuẩn.
1.2.2.2 Chuẩn nhiều lần
Khi cảm biến có phần tử bị trễ (trễ cơ hoặc trễ từ), giá trị đo được ở
đầu ra phụ thuộc không những vào giá trị tức thời của đại lượng cần đo ở đầu
vào mà còn phụ thuộc vào giá trị trước đó của của đại lượng này. Trong
trường hợp như vậy, người ta áp dụng phương pháp chuẩn nhiều lần và tiến
hành như sau:
- Đặt lại điểm 0 của cảm biến: đại lượng cần đo và đại lượng đầu ra

12
có giá trị tương ứng với điểm gốc, m=0 và s=0.

- Đo giá trị đầu ra theo một loạt giá trị tăng dần đến giá trị cực đại
của đại lượng đo ở đầu vào.
- Lặp lại quá trình đo với các giá trị giảm dần từ giá trị cực đại.
Khi chuẩn nhiều lần cho phép xác định đường cong chuẩn theo cả hai
hướng đo tăng dần và đo giảm dần.
1.3 Các đặc trưng cơ bản
1.3.1 Độ nhạy của cảm biến
Đối với cảm biến tuyến tính, giữa biến thiên đầu ra Δs và biến thiên đầu vào
Δm có sự liên hệ tuyến tính
Δs = S.Δm
Đại lượng S xác định bởi biểu thức S=∆ s/∆ m được gọi là độ nhậy của cảm
biến
Trong trường hợp tổng quát, biểu thức xác định độ nhậy S của cảm biến xung
quanh giá trị mi của đại lườn đo xác định bởi tỷ số giữa biến thiên ∆ S của đại
lượng đầu ra và biến thiên ∆ m tương ứng của đại lượng đo ở đầu vào quanh
giá trị đó
Để phép đo đạt độ chính xác cao, khi thiết kế và sử dụng cảm biến cần làm
sao cho độ nhạy S của nó không đổi, nghĩa là ít phụ thuộc nhất vào các yếu tố
13
sau:
Giá trị của đại lượng cần đo m và tần số thay đổi của nó.
Thời gian sử dụng.
ảnh hưởng của các đại lượng vật lý khác (không phải là đại lượng đo) của
môi trường xung quanh.
Thông thường nhà sản xuất cung cấp giá trị của độ nhạy S tương ứng với
những điều kiện làm việc nhất định của cảm biến.
1.3.2 Độ nhạy trong chế độ tĩnh và tỷ số chuyển đổi tĩnh
Đường chuẩn cảm biến, xây dựng trên cơ sở đo các giá trị si ở đầu ra
tương ứng với các giá trị không đổi mi của đại lượng đo khi đại lượng này
đạt đến chế độ làm việc danh định được gọi là đặc trưng tĩnh của cảm biến.
Một điểm Qi(mi,si) trên đặc trưng tĩnh xác định một điểm làm việc của cảm
biến ở chế độ tĩnh.
Trong chế độ tĩnh, độ nhạy S xác định theo công thức (1.3) chính là
độ đốc của đặc trưng tĩnh ở điểm làm việc đang xét. Như vậy, nếu đặc trưng
tĩnh không phải là tuyến tính thì độ nhạy trong chế độ tĩnh phụ thuộc điểm làm
việc.
Đại lượng ri xác định bởi tỷ số giữa giá trị si ở đầu ra và giá trị mi ở
đầu vào được gọi là tỷ số chuyển đổi tĩnh:
Từ (1.4), ta nhận thấy tỷ số chuyển đổi tĩnh ri không phụ thuộc vào
điểm làm việc Qi và chỉ bằng S khi đặc trưng tĩnh là đường thẳng đi qua gốc
toạ độ.
1.3.3 Độ nhạy trong chế độ động
Độ nhạy trong chế độ động được xác định khi đại lượng đo biến thiên
tuần hoàn theo thời gian.
Giả sử biến thiên của đại lượng đo m theo thời gian có dạng:

14
m(t) = m 0 + m 1 cos ωt
Trong đó m0 là giá trị không đổi,m1 là biên độ,ω là tần số góc của biến
thiên đại lượng đo.Ở đầu ra của cảm biến, S có dạng:
s(t) = s0 + s1 cos(ωt + ϕ)
Trong đó
S là giá trị không đổi tương ứng với m0 xác định điểm làm việc q0 trên
đường cong chuẩn ở chế độ tĩnh
S1 là biên độ biến thiên ở đầu ra do thành phần biến thiên của đại lượng
đo gây ra
Φ là độ lệch pha giữa đại lượng đầu vào và đại lượng đầu ra
Trong chế độ động độ nhậy S của cảm biến được xác định bởi tỷ số giữa
biên độ của đầu ra s1 và biến thiên của biến thiên đầu vào m1 ứng với điểm làm
việc được xét q0, theo công thức:
Độ nhậy trong chế độ động phụ thuộc vào tần số đại lượng đo S=S(f)
Sự biến thiên độ nhậy theo tần số có nguồn gốc là do quán tính cơ, nhiệt, điện
của đầu đo, tức là của cảm biến và các thiết bị phụ trợ chúng không thể cung
cấp tức thời tín hiệu điện theo kịp biến thiên của đại lượng đo. Bởi vậy khi xét
sự hồi đáp có phụ thuộc vào tần số cần phải xem xét sơ đồ mạch đo của cảm
biến một cách tổng thể.
1.4 Độ tuyến tính
1.4.1 Khái niệm
Một cảm biến được gọi là tuyến tính trong một dải đo xác định nếu
trong dải chế độ đó, độ nhạy không phụ thuộc vào đại lượng đo.
Trong chế độ tĩnh, độ tuyến tính chính là sự không phụ thuộc của độ nhạy
của cảm biến vào giá trị của đại lượng đo, thể hiện bởi các đoạn thẳng trên

15
đặc trưng tĩnh của cảm biến và hoạt động của cảm biến là tuyến tính chừng nào
đại lượng đo còn nằm trong vùng này.
Trong chế độ động, độ tuyến tính bao gồm sự không phụ thuộc của độ nhạy ở
chế độ tĩnh S(0) vào đại lượng đo, đồng thời các thông số quyết định sự hồi đáp
(như tần số riêng f0 của dao động không tắt, hệ số tắt dần ξ cũng không phụ
thuộc vào đại lượng đó).
Nếu cảm biến không tuyến tính, người ta đưa vào mạch đo các thiết bị
hiệu chỉnh sao cho tín hiệu điện nhận được ở đầu ra tỉ lệ với sự thay đổi của
đại lượng đo ở đầu vào. Sự hiệu chỉnh đó được gọi là sự tuyến tính hoá.
1.4.1.1 Đường thẳng tốt nhất
Khi chuẩn cảm biến, từ kết quả thực nghiệm ta nhận được một loạt
điểm tương ứng (si,mi) của đại lượng đầu ra và đại lượng đầu vào. Về mặt lý
thuyết, đối với các cảm biến tuyến tính, đường cong chuẩn là một đường
thẳng. Tuy nhiên, do sai số khi đo, các điểm chuẩn (mi, si) nhận được bằng
thực nghiệm thường không nằm trên cùng một đường thẳng.
Đường thẳng được xây dựng trên cơ sở các số liệu thực nghiệm sao
cho sai số là bé nhất, biểu diễn sự tuyến tính của cảm biến được gọi là
đường thẳng tốt nhất. Phương trình biểu diễn đường thẳng tốt nhất được lập
bằng phương pháp bình phương bé nhất. Giả sử khi chuẩn cảm biến ta tiến
hành với N điểm đo, phương trình có dạng:
s = am + b
Trong đó:
1.4.1.2 Độ lệch tuyến tính

Đối với các cảm biến không hoàn toàn tuyến tính, người ta đưa ra khái

16
niệm độ lệch tuyến tính, xác định bởi độ lệch cực đại giữa đường cong chuẩn
và đường thẳng tốt nhất, tính bằng % trong dải đo.
1.4.2 Sai số và độ chính xác
Các bộ cảm biến cũng như các dụng cụ đo lường khác, ngoài đại
lượng cần đo (cảm nhận) còn chịu tác động của nhiều đại lượng vật lý khác
gây nên sai số giữa giá trị đo được và giá trị thực của đại lượng cần đo.Gọi
∆ x là giá trị tuyệt đối giữa giá trị đo và giá trị thực x(sai số tuyệt đối), sai số
tương đối của bộ cảm biến được tính bằng:
Sai số của bộ cảm biến mang tính chất ước tính bởi vì không thể biết
chính xác giá trị thực của đại lượng cần đo. Khi đánh giá sai số của cảm
biến, người ta thường phân chúng thành hai loại: sai số hệ thống và sai số
ngẫu nhiên.
Sai số hệ thống: là sai số không phụ thuộc vào số lần đo, có giá trị
không đổi hoặc thay đổi chậm theo thời gian đo và thêm vào một độ lệch
không đổi giữa giá trị thực và giá trị đo được. Sai số hệ thống thường do sự
thiếu hiểu biết về hệ đo, do điều kiện sử dụng không tốt gây ra. Các nguyên
nhân gây ra sai số hệ thống có thể là:
• Do nguyên lý của cảm biến
+ Do giá trị của đại lượng chuẩn không đúng
+ Do đặc tính của bộ cảm biến
+ Do điều kiện và chế độ sử dụng
+ Do xử lý kết quả đo
Sai số ngẫu nhiên : là sai số xuất hiện có độ lớn và chiều không xác
định. Ta có thể dự đoán được một số nguyên nhân gây ra sai số ngẫu nhiên
nhưng không thể dự đoán được độ lớn và dấu của nó. Những nguyên nhân gây
ra sai số ngẫu nhiên có thể là:
+ Do sự thay đổi đặc tính của thiết bị.

17
+ Do tín hiệu nhiễu ngẫu nhiên.

+ Do các đại lượng ảnh hưởng không được tính đến khi chuẩn cảm biến.
Chúng ta có thể giảm thiểu sai số ngẫu nhiên bằng một số biện pháp
thực nghiệm thích hợp như bảo vệ các mạch đo tránh ảnh hưởng của nhiễu,
tự động điều chỉnh điện áp nguồn nuôi, bù các ảnh hưởng nhiệt độ, tần số,
vận hành đúng chế độ hoặc thực hiện phép đo lường thống kê.
1.4.3 Độ nhanh và thời gian hồi áp
Độ nhanh là đặc trưng của cảm biến cho phép đánh giá khả năng theo
kịp về thời gian của đại lượng đầu ra khi đại lượng đầu vào biến thiên. Thời
gian hồi đáp là đại lượng được sử dụng để xác định giá trị số của độ nhanh.
Độ nhanh Tr là khoảng thời gian từ khi đại lượng đo thay đổi đột ngột
đến khi biến thiên của đại lượng đầu ra chỉ khác nhau giá tri cuối cùng một
lượng giới hạn ε tính bằng %. Thời gian hồi đáp đặc trưng cho chế độ quá độ
của cảm biến và là hàm của các thông số thời gian xác định chế độ này.
Trong trường hợp sự thay đổi của đại lượng đo có dạng bậc thang,
các thông số thời gian gồm thời gian trễ khi tăng (tdm) và thời gian tăng
(tm) ứng với sự tăng đột ngột của đại lượng đo hoặc thời gian trễ khi giảm
(tdc) và thời gian giảm (tc) ứng với sự giảm đột ngột của đại lượng đo.
Khoảng thời gian trễ khi tăng tdm là thời gian cần thiết để đại lượng đầu ra
tăng từ giá trị ban đầu của nó đến 10% của biến thiên tổng cộng của đại lượng
này và khoảng thời gian tăng tm là thời gian cần thiết để đại lượng đầu ra
tăng từ 10% đến 90% biến thiên biến thiên tổng cộng của nó.

18
Hình 1. 3 Xác định các khoảng thời gian đặc trưng cho chế độ quá độ
Tương tự, khi đại lượng đo giảm, thời gian trể khi giảm tdc là thời gian
cần thiết để đại lượng đầu ra giảm từ giá trị ban đầu của nó đến 10% biến
thiên tổng cộng của đại lượng này và khoảng thời gian giảm tc là thời gian
cần thiết để đại lượng đầu ra giảm từ 10% đến 90% biến thiên biến thiên
tổng cổng của nó.
Các thông số về thời gian tr, tdm, tm, tdc, tc của cảm biến cho phép ta
đánh giá về thời gian hồi đáp của nó.
1.4.4 Giới hạn sử dụng của cảm biến
Trong quá trình sử dụng, các cảm biến luôn chịu tác động của ứng lực
cơ học, tác động nhiệt... Khi các tác động này vượt quá ngưỡng cho phép,
chúng sẽ làm thay đổi đặc trưng làm việc của cảm biến. Bởi vậy khi sử dụng
cảm biến, người sử dụng cần phải biết rõ các giới hạn này.
a.Vùng làm việc danh định
Vùng làm việc danh định tương ứng với những điều kiện sử dụng
bình thường của cảm biến. Giới hạn của vùng là các giá trị ngưỡng mà các
đại lượng đo, các đại lượng vật lý có liên quan đến đại lượng đo hoặc các
đại lượng ảnh hưởng có thể thường xuyên đạt tới mà không làm thay đổi các
19
đặc trưng làm việc danh định của cảm biến.

b.Vùng không gây nên hư hỏng
Vùng không gây nên hư hỏng là vùng mà khi mà các đại lượng đo
hoặc các đại lượng vật lý có liên quan và các đại lượng ảnh hưởng vượt qua
ngưỡng của vùng làm việc danh định nhưng vẫn còn nằm trong phạm vi
không gây nên hư hỏng, các đặc trưng của cảm biến có thể bị thay đổi
nhưng những thay đổi này mang tính thuận nghịch, tức là khi trở về vùng
làm việc danh định các đặc trưng của cảm biến lấy lại giá trị ban đầu của
chúng
c.Vùng không phá huỷ
Vùng không phá hủy là vùng mà khi mà các đại lượng đo hoặc các đại
lượng vật lý có liên quan và các đại lượng ảnh hưởng vượt qua ngưỡng của
vùng không gây nên hư hỏng nhưng vẫn còn nằm trong phạm vi không bị phá
hủy, các đặc trưng của cảm biến bị thay đổi và những thay đổi này mang tính
không thuận nghịch, tức là khi trở về vùng làm việc danh định các đặc trưng
của cảm biến không thể lấy lại giá trị ban đầu của chúng. Trong trường hợp
này cảm biến vẫn còn sử dụng được, nhưng phải tiến hành chuẩn lại cảm
biến.
1.5 Nguyên lý chung chế tạo cảm biến
Các cảm biến được chế tạo dựa trên cơ sở các hiện tượng vật lý và
được phân làm hai loại:
− Cảm biến tích cực: là các cảm biến hoạt động như một máy phát, đáp ứng
(s) là điện tích, điện áp hay dòng.
− Cảm biến thụ động: là các cảm biến hoạt động như một trở kháng trong
đó đáp ứng (s) là điện trở, độ tự cảm hoặc điện dung.
1.5.1 Nguyên lý chế tạo các cảm biến tích cực
Các cảm biến tích cực được chế tạo dựa trên cơ sở ứng dụng các hiệu
ứng vật lý biến đổi một dạng năng lượng nào đó (nhiệt, cơ hoặc bức xạ)
thành năng lượng điện. Dưới đây mô tả một cách khái quát ứng dụng một số
hiệu ứng vật lý khi chế tạo cảm biến.
20
1.5.2 Hiệu ứng nhiệt điện

Hai dây dẫn (M1) và (M2) có bản chất hoá học khác nhau được hàn
lại với nhau thành một mạch điện kín, nếu nhiệt độ ở hai mối hàn là T1 và
T2 khác nhau, khi đó trong mạch xuất hiện một suất điện động e(T1, T2) mà
độ lớn của nó phụ thuộc chênh lệch nhiệt độ giữa T1 và T2.
Hình 1. 4 Sơ đồ hiệu ứng nhiệt điện
Hiệu ứng nhiệt điện được ứng dụng để đo nhiệt độ T1 khi biết
trước nhiệt độ T2, thường chọn T2 = 0oC.
1.5.2.1 Hiệu ứng hoả điện

Một số tinh thể gọi là tinh thể hoả điện (ví dụ tinh thể sulfate
triglycine) có tính phân cực điện tự phát với độ phân cực phụ thuộc vào nhiệt
độ, làm xuất hiện trên các mặt đối diện của chúng những điện tích trái dấu.
Độ lớn của điện áp giữa hai mặt phụ thuộc vào độ phân cực của tinh thể hoả
điện
Hình 1. 5 Ứng dụng hiệu ứng hỏa điện
Hiệu ứng hoả điện được ứng dụng để đo thông lượng của bức xạ ánh

21
sáng. Khi ta chiếu một chùm ánh sáng vào tinh thể hoả điện, tinh thể hấp thụ
ánh sáng và nhiệt độ của nó tăng lên, làm thay đổi sự phân cực điện của tinh
thể. Đo điện áp V ta có thể xác định được thông lượng ánh sáng Φ
1.5.2.2 Hiệu ứng áp điện
Một số vật liệu gọi chung là vật liệu áp điện (như thạch anh chẳng hạn)
khi bị biến dạng dước tác động của lực cơ học, trên các mặt đối diện của tấm
vật liệu xuất hiện những lượng điện tích bằng nhau nhưng trái dấu, được gọi
là hiệu ứng áp điện. Đo V ta có thể xác định được cường độ của lực tác dụng
F.
Hình 1. 6 Ứng dụng hiệu ứng áp điện
15.2.3Hiệu ứng cảm ứng điện từ

Khi một dây dẫn chuyển động trong từ trường không đổi, trong dây dẫn
xuất hiện một suất điện động tỷ lệ với từ thông cắt ngang dây trong một đơn
vị thời gian, nghĩa là tỷ lệ với tốc độ dịch chuyển của dây. Tương tự như
vậy, trong một khung dây đặt trong từ trường có từ thông biến thiên cũng xuất
hiện một suất điện động tỷ lệ với tốc độ biến thiên của từ thông qua khung
dây
Hình 1. 7 Ứng dụng hiệu ứng cảm ứng điện từ
Hiệu ứng cảm ứng điện từ được ứng dụng để xác định tốc độ dịch

22
chuyển của vật thông qua việc đo suất điện động cảm ứng.
1.5.2.4 Hiệu ứng quang điện
- Hiệu ứng quang dẫn: (hay còn gọi là hiệu ứng quang điện nội) là
hiện tượng giải phóng ra các hạt dẫn tự do trong vật liệu (thường là bán dẫn)
khi chiếu vào chúng một bức xạ ánh sáng (hoặc bức xạ điện từ nói chung)
có bước sóng nhỏ hơn một ngưỡng nhất định.
- Hiệu ứng quang phát xạ điện tử: (hay còn gọi là hiệu ứng quang
điện ngoài) là hiện tượng các điện tử được giải phóng và thoát khỏi bề mặt vật
liệu tạo thành dòng có thể thu lại nhờ tác dụng của điện trường.
1.5.2.5 Hiệu ứng quang - điện - từ
Khi tác dụng một từ trường B vuông góc với bức xạ ánh sáng,trong
vật liệu bán dẫn được chiếu sáng sẽ xuất hiện một hiệu điện thế theo
hướng vuông góc với từ trường B và hướng bức xạ ánh sáng.
Hình 1. 8 Ứng dụng hiệu ứng quang – điện- từ
1.5.2.6 Hiệu ứng Hall

Khi đặt một tấm mỏng vật liệu mỏng (thường là bán dẫn), trong đó có
dòng điện chạy qua, vào trong một từ trường B có phương tạo với dòng điện I
trong tấm một góc θ, sẽ xuất hiện một hiệu điện thế Vh theo hướng vuông góc
với B và I , biểu thức hiệu điện thế có dạng
VH = K H .I.B. sin θ
Trong đó Kh là hệ số phụ thuộc vào vật liệu và kích thước hình học của
tấm vật liệu
23
Hình 1. 9 Ứng dụng hiệu ứng Hall
Hiệu ứng Hall được ứng dụng để xác định vị trí của một vật chuyển
động.Vật cần xác định vị trí lien kết cơ học với thanh nam châm. ở mọi thời
điểm , vị trí thanh nam châm xác định giá trị của từ trường B và góc θ tương
ứng với tấm bán dẫn mỏng làm vật trung gian. Vì vậy hiệu điện thế Vh đo
được giữa 2 cạnh tấm bán dẫn là hàm phụ thuộc vào vị trí của vật trong không
gian
1.5.3 Nguyên tắc chế tạo cảm biến thụ động
Cảm biến thụ động thường được chế tạo từ một trở kháng có các thông
số chủ yếu nhạy với đại lượng cần đo. Giá trị của trở kháng phụ thuộc kích
thước hình học, tính chất điện của vật liệu chế tạo ( điện trở suất , độ từ thẩm,
hằng số điện môi ) .Vì vậy tác động của đại lượng đo có thể ảnh hưởng riêng
biệt đến kích thước hình học ,tính chất điện hay đồng thời cả 2.
Sự thay đổi thông số hình học của trở kháng gây ra do chuyển động
của phần tử chuyển động hoặc phần tử biến dạng của cảm biến. Trong các cảm
biến có phần tử chuyển động, mỗi vị trí của phần tử động sẽ ứng với một giá
trị xác định của trở kháng, cho nên đo trở kháng có thể xác định được vị trí của
đối tượng. Trong cảm biến có phần tử biến dạng, sự biến dạng của phần tử biến
dạng dưới tác động của đại lượng đo (lực hoặc các đại lượng gây ra lực) gây
ra sự thay đổi của trở kháng của cảm biến. Sự thay đổi trở kháng do biến dạng
liên quan đến lực tác động, do đó liên quan đến đại lượng cần đo. Xác định
trở kháng ta có thể xác định được đại lượng cần đo.

24
Sự thay đổi tính chất điện của cảm biến phụ thuộc vào bản chất vật
liệu chế tạo trở kháng và yếu tố tác động (nhiệt độ, độ chiếu sáng, áp suất,
độ ẩm ...). Để chế tạo cảm biến, người ta chọn sao cho tính chất điện của nó
chỉ nhạy với một trong các đại lượng vật lý trên, ảnh hưởng của các đại
lượng khác là không đáng kể. Khi đó có thể thiết lập được sự phụ thuộc đơn
trị giữa giá trị đại lượng cần đo và giá trị trở kháng của cảm biến.
Trên bảng sau giới thiệu các đại lượng cần đo có khả năng làm thay đổi
tính chất điện của vật liệu chế tạo cảm biến
1.6 Mạch đo
1.6.1 Sơ đồ mạch đo
Mạch đo bao gồm toàn bộ thiết bị đo (trong đó có cảm biến) cho
phép xác định chính xác giá trị của đại lượng cần đo trong những điều kiện tốt
nhất có thể.
Ở đầu vào của mạch, cảm biến chịu tác động của đại lượng cần đo gây
nên tín hiệu điện mang theo thông tin về đại cần đo.
Ở đầu ra của mạch, tín hiệu điện đã qua xử lý được chuyển đổi sang
dạng có thể đọc được trực tiếp giá trị cần tìm của đại lượng đo. Việc chuẩn hệ
đo đảm bảo cho mỗi giá trị của chỉ thị đầu ra tương ứng với một giá trị của đại
lượng đo tác động ở đầu vào của mạch.
Dạng đơn giản của mạch đo gồm một cảm biến, bộ phận biến đổi tín
hiệu và thiết bị chỉ thị, ví dụ mạch đo nhiệt độ gồm một cặp nhiệt ghép nối trực
tiếp với một milivôn kế.
Hình 1. 10 Sơ đồ mạch đo nhiệt độ băng cặp nhiệt

25
Hình 1. 11 Mạch đo điện thế bề mặt
1. Máy phát chức năng

2. Cảm biến điện tích
3. Tiền khuếch đại
4. So pha lọc nhiễu
5. Khuếch đại
6. Chuyển đổi tương tự số
7. Máy tính
Trên thực tế, do các yêu cầu khác nhau khi đo, mạch đo thường gồm
nhiều thành phần trong đó có các khối để tối ưu hoá việc thu thập và xử lý
dữ liệu, chẳng hạn mạch tuyến tính hoá tín hiệu nhận từ cảm biến, mạch khử
điện dung ký sinh, các bộ chuyển đổi nhiều kênh, bộ khuếch đại, bộ so pha
lọc nhiễu, bộ chuyển đổi tương tự - số, bộ vi xử lý, các thiết bị hỗ trợ... Trên
hình 1.11 biểu diễn sơ đồ khối một mạch điện đo điện thế trên bề mặt màng
nhạy quang được lắp ráp từ nhiều phần tử
1.6.2 Một số phần tử cơ bản của mạch đo
1.6.2.1 Bộ khuếch đại thuật toán (KĐTT)
Bộ khuếch đại thuật toán mạch tích hợp là bộ khuếch đại dòng một
chiều có hai đầu vào và một đầu ra chung, thường gồm hàng trăm tranzito và
các điện trở, tụ điện ghép nối với nhau. Sơ đồ bộ khuếch đại thuật toán biểu
diễn trên hình
26
Hình 1. 12 Sơ đồ bộ khuếch đại thuật toán
Các đặc tính cơ bản của bộ khuếch đại thuật toán

+ Bộ khuếch đại có hai đầu vào: một đầu đảo (-), một đầu không đảo (+)
+ Điện trở rất lớn cỡ hàng trăm MΩ đến GΩ
+ Điện trở ra rất nhỏ cỡ hàng chục Ω
+ Điện áp chênh lệch đầu vào rất nhỏ cỡ vài nV
+ Hệ số khuếch đại hở mạch rất lớn, cỡ 100 000
+ Giải tần làm việc rộng
+ Hệ số suy giảm theo cách nối chung CMRR là tỷ số hệ số khuếch
đại của bộ khuếch đại thuật toán đối với các tín hiệu sai lệch và hệ số khuếch
đại theo cách nối chung của cùng bộ khuếch đại thuật toán. Thông thường
CMRR vào khoảng 90 bB
1.6.2.2 Bộ khuếch đại đo lường IA
Bộ khuếch đại đo lường IA có hai đầu vào và một đầu ra. Tín hiệu
đầu ra tỷ lệ với hiệu của hai điện áp đầu vào:
U ra = A(U + −U − ) = AΔU

27
Hình 1. 13 Sơ đồ bộ khuếch đai đo lường gồm ba KDTT ghép nối điện trở
Đầu vào vi sai đóng vai trò rất quan trọng trong việc khử nhiễu ở
chế độ chung và tăngđiện trở vào của KĐTT. Điện áp trên Ra phải bằng
điện áp vi sai đầu vào ΔU và tạo nên dòng điện i=∆ U/Ra.Các điện áp ra
từ KDTT U1và U2 phải băng nhau về biên độ nhưng ngược pha nhau .
Điện áp U3 của tầng thứ hai biến đổi đầu ra vi sai thành đầu ra đơn cực.
Hệ số khuếch đại tổng của IA bằng:
1.6.2.3 Khử điện áp lệch

Đối với một bộ khuếch KĐTT lý tưởng khi hở mạch phải có điện
áp ra bằng không khi hai đầu vào nối mát. Thực tế vì các điện áp bên trong
nên tạo ra một điện áp nhỏ (điện áp phân cực) ở đầu vào KĐTT cỡ vài mV,
nhưng khi sử dụng mạch kín điện áp này được khuếch đại và tạo nên điện
áp khá lớn ở đầu ra. Để khử điện áp lệch có thể sử dụng sơ đồ hình 1.14,
bằng cách điều chỉnh biến trở R3.

28
Hình 1. 14 Sơ đồ mạch khử điện áp lệch
 Mạch lặp lại điện áp

Để lặp lại điện áp chính xác, người ta sử dụng bộ KĐTT làm việc ở chế
độ không đảo với hệ số khuếch đại bằng 1 sơ đồ như hình
Hình 1. 15 Mạch lặp lại điện áp
Trong bộ lặp điện áp, cực dương của KĐTT được nối trực tiếp với
tín hiệu vào, còn cực âm được nối trực tiếp với đầu ra, tạo nên điện áp
phản hồi 100% do đó hệ số khuếch đại bằng 1. Mạch lặp điện áp có
chức năng tăng điện trở đầu vào, do vậy thường dùng để nối giữa hai
khâu trong mạch đo.

29
 Mạch cầu
Cầu Wheatstone thường được sử dụng trong các mạch đo nhiệt độ, lực, áp
suất, từ trường... Cầu gồm bốn điện trở R1, R2, R3 cố định và R4 thay
đổi (mắc như hình) hoạt động như cầu không cân bằng dựa trên việc
phát hiện điện áp qua đường chéo của cầu.
Hình 1. 16 Sơ đồ mạch cầu
Trong mạch cầu, điện áp ra là hàm phi tuyến nhưng đối với
biến đổi nhỏ(∆ < 0,05) có thể coi là tuyến tính. Khi R1=R2, và R3=R4
độ nhậy của cầu là cực đại. Trường hợp R1>>R2 hay R1<< R2 điện áp
ra của cầu giảm. Đặt K =R1/R2 độ nhậy của cầu là

30
CHƯƠNG 2
CƠ CẤU HIỂN THỊ
2.1 VI ĐIỀU KHIỂN

2.1.1 Tổng quan về 8051
Vi điều khiển viết tắt là Micro-controller, là mạch tích hợp trên một chip có
thể lập trình được, dùng để điều khiển hoạt động của một hệ thống. Theo các tập
lệnh của người lập trình, bộ vi điều khiển tiến hành đọc, lưu trữ thông tin, đo
thời gian và tiến hành đóng mở một cơ cấu nào đó.
Năm 1981, hãng Intel giới thiệu bộ vi điều khiển 8051. Bộ vi điều khiển này
có 128 byte RAM, 4 kbyte ROM, hai bộ định thời, một cổng nối tiếp và bốn
cổng vào ra song song (độ rộng 8 bit) tất cả đều được đặt trên một chip. 8051 là
một bộ sử lý 8 bit có nghĩa là CPU chỉ có thể làm việc với 8 bit dữ liệu tại một
thời điểm. Dữ liệu lớn hơn 8 bit được chia ra thành các dữ liệu 8 bit để xử lý
8051 trở nên phổ biến sau khi Intel cho phép các nhà sản xuất khác sản
xuất và bán các dạng biến thể của nó. Điều đó dẫn đến sự ra đời nhiều phiên bản
của 8051 với các tốc độ khác nhau, dung lượng ROM trên chip khác nhau nhưng
tất cả các lệnh đều tương thích với 8051 gốc. Do đó nếu chúng ta mua và dùng
phiên bản nào của nó thì chương trình vẫn chạy mà không phụ thuộc vào hãng
sản xuất.
8051 có nhiều phiên bản nhưng chúng ta nên nghiên cứu về loại AT89S52.
Nó là bộ vi điều khiển thông dụng, giá rẻ, có nhiều chức năng, có tích hợp bộ
nạp ISP giúp chúng ta dễ dàng nạp và dùng chạy thử chương trình, chi phí thấp
khá phù hợp với sinh viên.

31
Bảng đặc tính của 8051 đầu tiên

Đặc tính Số lượng
ROM trên chíp 4K byte
RAM 128 byte
Bộ định thời 2
Các chân vào ra 32
Cổng nối tiếp 1
Nguồn ngắt 6
Bảng 2. 1 Bảng đặc tính của 8051 đầu tiên 2.1.2 Vi điều khiển AT89S52
2.1.2.1 Giới thiệu chung
Bộ vi điều khiển AT89S52 gồm các chức năng chính sau đây :
• CPU (Central Processing Unit) bao gồm :
- Thanh ghi tích lũy A
- Thanh ghi tích lũy B, dùng cho phép nhân và phép chia
- Đơn vị logic học (ALU : Arithmetic Logical Unit)
- Thanh ghi từ trạng thái chương trình (PSw : Program Status Word)
- Bốn băng thanh ghi
- Con trỏ ngăn xếp
• Bộ nhớ chương trình (bộ nhớ ROM) gồm 8kbyte Flash
• Bộ nhớ dữ liệu (bộ nhớ RAM) gồm 256 byteBộ UART (Universal
Ansynchronous Receiver and Tranmistter) có chức năng truyền nhận,
AT89S52 có thể giao tiếp với cổng nối tiếp của máy tính thông qua
• 3 bộ Timer/Counter 16 bit thực hiện các chức năng định thời và đếm sự
kiện
• WDM (Watch Dog Timer) : WDM được dùng để phục hồi lại hoạt động
của của CPU khi nó bị treo bởi một nguyên nhân nào đó.WDM ở AT89S52

32
gồm 1 bộ timer 14 bit , 1 bộ 7 bit ,thanh ghi WDTPRG (WDT

programable). Timer 14 bit của WDT sẽ đếm tăng dần sau mỗi chu kỳ đồng
hồ cho đến giá trị 16383 thì xảy ra tràn. Khi xảy ra tràn , chân Reset sẽ
được đặt ở mức cao trong khoảng thời gian 98*TOSC (TOSC = 1/FOSC) và
AT89S52 sẽ được reset .Khi WDT hoạt động , ngoại trừ Reset phần cứng
và Reset cho WDT tràn thì không có cách nào để cấm được WDT .
• Khối điều khiển ngắt với 2 nguồn ngắt ngoài và 4 nguồn ngắt trong.
• Bộ lập trình(ghi chương trình lên Flash ROM) cho phép người sử dụng có
thể nạp các chương trình cho chíp mà không cần đến bộ nạp chuyên dụng
• Bộ chia tần số với hệ số chia là 12
• 4 cổng xuất nhập với 32 chân
Sơ đồ chân , chức năng của các chân của AT89S52
Hình dạng thật của IC
- Port 0(P0.0 – P0.7) : Port 0 gồm 8 chân, ngoài chức năng xuất nhập , port 0
còn là bus dữ liệu và địa chỉ (AD0 – AD7).
- Port 1 (P1.0 – P1.7) : có chức năng xuất nhập theo bit và theo byte. Bên cạnh
đó 3 chân P1.5 , P1.6 , P1.7 được dùng để nạp ROM theo chuẩn ISP , 2 chân
P1.0 và P1.1 được dùng cho bộ Timer 2.

33
- Port 2 : là cổng vào/ra còn là byte cao của bus địa chỉ khi sử dụng bộn nhớ
ngoài.
- Port 3 : ngoài chức năng xuất nhập còn có chức năng riêng sau :
Bit Tên Chức năng

P3.0 RXD Dữ liệu nhận cho port
nối tiếp
P3.1 TXD Dữ liệu truyền cho port
nối tiếp
P3.2 INT0 Ngắt bên ngoài 0
P3.3 INT1 Ngắt bên ngoài 1
P3.4 T0 Ngõ vào của
Timer/counter 0
P3.5 T1 Ngõ vào của
Timer/counter 1
P3.6 /WR Xung ghi nhớ dữ liệu
ngoài
P3.7 /RD Xung đọc bộ nhớ dữ liệu
ngoài

34
Bảng 2. 2 chức năng riêng
- Chân /PSEN (Program Store Enable) : là chân điều khiển đọc chương trình ở
bộ nhớ ngoài, nó được phép đọc các byte mã lệnh trên ROM ngoài. /PSEN sẽ ở
mức thấp trong thời gian đọc mã lệnh. Mã lệnh được đọc từ bộ nhớ ngoài qua
bus dữ liệu (port 0) thanh ghi lệnh để được giải mã.khi thực hiện chương trình
ROM nội thì /PSEN ở mức cao.
- Chân ALE (Address Latch Enable) : ALE là tín hiệu điều khiển chốt địa chỉ
có tần số bằng 1/6 tần số dao động của vi điều khiển.Tín hiệu ALE được dùng
để cho phép vi mạch chốt bên ngoài như 74373, 74573 chốt byte địa chỉ thấp ra
khỏi bus đa hợp địa chỉ/dữ liệu (Port 0).
- Chân /EA(External Access) : tín hiệu cho phép chọn bộ nhớ chương trình là
bộ nhớ trong hay ngoài vi điều khiển. Nếu /EA ở mức cao (nối với V CC), thì vi
điều khiển thi hành chương trình trong ROM nội. Nếu /EA ở mức thấp(nối
GND)thì vi điều khiển thi hành chương trình bộ nhớ ngoài.
- XTAL1,XTAL2 : AT89S52 có một bộ dao động trên chíp , nó thường được
nối với bộ dao động thạch anh có tần số lớn nhất là 33MHz, thông thường là
12MHz
- VCC,GND : AT89S52 dùng nguồn một chiều có dải điện áp từ 4V đến 5,5V
được cấp qua chân 40 và 20.

35
2.1.2.2 Cấu trúc bên trong vi điều khiển
Hình 2. 1 Cấu trúc bên trong vi điều khiển

36
2.1.2.3 Hoạt động định thời của AT89S52

Các bộ định thời (Timer) được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng đo
lường và điều khiển.Vi điều khiển AT89S52 có 3 bộ định thời 16 bit trong đó 2
bộ timer 0 và 1 có 4 chế độ hoạt động, timer 2 có 3 chế độ hoạt động. Các bộ
định thời dùng để định khoảng thời gian(hẹn giờ), đếm sự kiện xảy ra bên ngoài
bộ vi điều khiển hoặc tạo tốc độ baud cho công nối tiếp của vi điều khiển.
Trong các ứng dụng định hoảng thời gian, timer được lập trình sao cho sẽ
tràn sau một khoảng thời gian và thiết lập cờ tràn bằng 1. Cờ tràn được sử dụng
bởi chương trình để thực hiện một hành động tương ứng như kiểm tra trạng thái
của các ngõ vào hoặc gửi các sự kiện cho các ngõ ra.
Đếm sự kiện dùng để xác định số lần xảy ra của một sự kiện. Trong ứng
dụng này người ta tìm cách quy các sự kiện thành sự chuyển mức từ 1 xuống 0
trên cá chân T0 hoặc T1 hoặc T2 để dùng các timer tương ứng đếm các sự kiện
đó.
2.1.2.4 Các thanh ghi của bộ định thời.

Các thanh ghi của Timer 0 và Timer 1
Thanh ghi chế độ định thời(TMOD)
Thanh ghi TMOD chứa 2 nhóm 4 bit dùng để đặt chế độ làm việc cho Timer 0
và Timer 1.
Thanh ghi TMOD
7 6 5 4 3 2 1 0
GATE1 C/#T1 M1 M0 GATE0 C/#T0 M1 M0

Bit Ký hiệu Chức năng
7 GATE1 Bit điều khiển
cổng.Khi set lên 1,bộ
định thời chỉ hoạt
động trong khi INT1
ở mức cao

37
6 C/#T1 Bit chọn chức năng

đếm hoặc định thời
1=đếm sự kiện
0=định thời trong 1

khoảng thời gian
5 M1 Bit chọn chế độ thứ
nhất
4 M0 Bit chọn chế độ thứ 2
00 chế độ 0 – Timer
13 bit
01 chế độ 1 – Timer
16 bit
10 chế độ 2 – 8 bit tự
động nạp lại
11 chế độ 3 – tách
Timer
3 GATE0 Bit điều khiển cổng
cho bộ định thời 0
2 C/#T0 Bit chọn chức năng
đếm hoặc định thời
1 M1 Bit chọn chế độ thứ
nhất cho bộ định thời
0
0 M0 Bit chọn chế độ thứ 2
Bảng 2. 3 Thanh ghi TMOD

38
TCON.7 TCON.6 TCON.5 TCON.4 TCON.3 TCON.2 TCON.1

TCON.0
TF1 TR1 TF0 TR0 IT1 IE1 IT0 IE0
Bit Ký hiệu Chức năng

TCON Điều khiển bộ định thời
TCON.7 TF1 Cờ tràn của bộ định thời 1.Cờ này được set
bởi phần cứng khi có tràn,được xóa bởi phần
mềm,hoặc bởi phần cứng khi bộ vi xử lý trỏ
đến trình phục vụ ngắt
TCON.6 TR1 Bit điều khiển hoạt đong của bộ định thời
1.Bit này được set hay xóa bằng phần mềm
để điều khiển bộ định thời hoạt động hay
ngưng
TCON.5 TF0 Cờ tràn của bộ định thời 0
TCON.4 TR0 Bit điều khiển hoạt động của bộ định thời
TCON.3 IE1 Cờ ngắt bên ngoài 1(kích khởi cạnh).Cờ này
được set bởi phần cứng khi có cạnh âm
(cuống) xuất hiện trên chan INT1,được xóa
bởi phần mềm,hoặc phần cứng khi CPU trỏ
đến trình phục vụ ngắt
TCON.2 IT1 Cờ ngắt bên ngoài 1(kích khởi cạnh hoặc
mức).Cờ này được set hay xóa bởi phần mềm
khi xảy ra cạnh âm hoặc mức thấp ở chân

39
ngắt ngoài
TCON.1 IE0 Cờ ngắt bên ngoài 0(kích khởi cạnh)
TCON.0 IT0 Cờ ngắt bên ngoài 0(kích khởi cạnh hoặc
mức)
Bảng 2. 4 Thanh ghi TCON
2.1.2.5 Các chế độ định thời của timer 1 và timer 0

- Chế độ 0 : là chế độ định thời 13 bit , chế độ này tương thích với các bộ vi
điều khiển trước đó. Trong chế độ này bộ định thời dùng 13 bit(8 bit của TH và
5 bit cao của TL) để chứa giá trị đếm, 3 bit thấp của TL không được sử dụng.
- Chế độ 1 : Trong chế độ này , bộ timer dùng cả 2 thanh ghi TH và TL để
chứa giá trị đếm , vì vậy chế độ này còn được gọi là chế độ định thời 16 bit . Bit
MSB sẽ là bit D7 của TH còn bit LSB là D0 của TL
- Chế độ 2 : Trong chế độ 2 , bộ định thời dùng TL để chứa giá trị đếm và TH
để chứa giá trị nạp lại vì vậy chế độ này còn gọi là chế độ tự nạp lại 8 bit.Sau
khi đếm 255 sẽ xảy ra tràn,khi đó TF được đặt bằng 1 đồng thời giá trị của timer
tự động được nạp lại bằng nội dung của TH.
- Chế độ 3 : Trong chế độ 3 , Timer 0 được tách thành 2 bộ Timer hoạt động
độc lập , chế độ này sẽ cung cấp cho bộ vi điều khiển thêm một Timer nữa.
Bộ timer thứ nhất với nguồn xung clock được lấy từ bộ chia tần trên chip
hoặc từ bộ tạo xung bên ngoài qua chân T0 tùy thộc vào giá trị của bit C-/T0.
Việc điều khiển hoạt động của bộ thứ nhất do bit GATE , bit TR0 và mức logic
trên chân INT0 (giống chế độ 0 , 1 ,2). Giá trị đếm của Timer được chứa trong
TL0, khi xảy ra tràn cờ TF0 được đặt bằng một và gây ngắt do Timer 0 (nếu
được đặt).
Bộ Timer thứ hai với nguồn xung clock lấy từ bộ chia tần trên chip. Việc
hoạt động của bộ thứ hai chỉ là việc đặt giá trị của bit TR0. Giá trị đếm của
Timer được chứa trong TH0, khi xảy ra tràn cờ TF1 được đặt bằng một và gây
ra ngắt do Timer 1 (nếu được đặt).

40
2.1.2.6 Tổ chức ngắt của AT89S52

AT89S52 chỉ có 6 nguồn ngắt:
 Ngắt ngoài đến từ chân #INT0.
 Ngắt ngoài đến từ chân #INT1.
 Ngắt ngoài do bộ Timer 0.
 Ngắt do Port nối tiếp.
Ngắt được dành cho một vector ngắt kéo dài 8byte. Về mặt lý thuyết, nếu
chương trình đủ ngắn, mã tạo ra chứa đủ trong 8 byte, người lập trình hoàn
toàn có thể đặt phần chương trình xử lý ngắt ngay tại vector ngắt. Tuy
nhiên trong hầu hết các trường hợp, chương trình xử lý ngắt có dung lượng
mã tạo ra lớn hơn 8byte nên tại vector ngắt, ta chỉ đặt lệnh nhảy tới chương
trình xử lý ngắt nằm ở vùng nhớ khác. Nếu không làm vậy, mã chương trình
xử lý ngắt này sẽ lấn sang, đè vào vector ngắt kế cận
Cho phép ngắt và cấm ngắt :
Mỗi nguồn ngắt được cho phép hoặc cấm qua một thanh ghi chức năng đặc biệt
có địa chỉ bit IE ở địa chỉ A8H

41
Bit Ký hiệu Địa chỉ bit Mô tả
IE.7 EA AFH Cho phép / cấm toàn bộ
IE.6 _ AEH Không được miêu tả
IE.5 ET2 ADH Cho phép ngắt từ Timer 2 (8052)
IE.4 ES ACH Cho phép ngắt từ port nối tiếp
IE.3 ET1 ABH Cho phép ngắt từ Timer 1
IE.2 EX1 AAH Cho phép ngắt ngoài 1
IE.1 ET0 A9H Cho phép ngắt từ Timer 0
IE.0 EX0 A8H Cho phép ngắt ngoài 0

42
Bảng 2. 5 Thanh ghi IE
Thanh ghi IE là thanh ghi đánh địa chỉ bit, do đó có thể dùng các lệnh tác động
bit để tác động riêng rẽ lên từng bit mà không làm ảnh hưởng đến giá trị
các bit khác. Cờ ngắt hoạt động độc lập với việc cho phép ngắt, điều đó có
nghĩa là cờ ngắt sẽ tự động đặt lên bằng 1 khi có sự kiện gây ngắt xảy ra,
bất kể sự kiện đó có được cho phép ngắt hay không. Do vậy, trước khi cho
phép một ngắt, ta nên xóa cờ của ngắt đó để đảm bảo sau khi cho phép, các
sự kiện gây ngắt trong quá khứ không thể gây ngắt nữa. Ví dụ trước khi cho
phép ngắt timer 0 mà timer 0 đã chạy và tràn (dù là tràn một hay nhiều lần)
thì cờ TF0 sẽ bằng 1, nếu sau đó ta cho phép ngắt timer0 thì sẽ gây ra ngắt
ngay do cờ tràn đang bằng 1 (sự kiện tràn gây ngắt trong trường hợp này là
tràn trong quá khứ, không phải sự kiện ta quan tâm đến). Vì vậy hãy xóa cờ
TF0 trước khi cho phép ngắt tràn timer0. Ngoại trừ cờ của của ngắt nối tiếp
và cờ của ngắt timer2, các cờ ngắt khác đều tự động được xóa khi CPU thực

43
hiện chương trình ngắt .

 Ngắt ngoài (External Interrupt)
Như đã nói ở trên, AT89S52 có 2 ngắt ngoài là INT0 và INT1. Ngắt ngoài
được hiểu là ngắt được gây ra bởi sự kiện mức lôgic 0 (mức điện áp thấp,
gần 0V) hoặc sườn xuống (sự chuyển mức điện áp từ mức cao về mức thấp)
xảy ra ở chân ngắt tương ứng (P3.2 với ngắt ngoài 0 và P3.3 với ngắt ngoài
Việc lựa chọn kiểu ngắt được thực hiện bằng các bit IT (Interrupt Type) nằm
trong thanh ghi TCON. Đây là thanh ghi điều khiển timer nhưng 4 bit LSB
(bit0..3) được dùng cho các ngắt ngoài.
TF1 TR1 TF0 TR1 IE1 IT1 IE0 IT0
Khi bit ITx = 1 thì ngắt ngoài tương ứng được chọn kiểu là ngắt theo sườn
xuống, ngược lại nếu bit ITx = 0 thì ngắt ngoài tương ứng được sẽ có kiểu
ngắt là ngắt theo mức thấp. Các bit IE là các bit cờ ngắt ngoài, chỉ có tác
dụng trong trường hợp kiểu ngắt được chọn là ngắt theo sườn xuống.
Khi kiểu ngắt theo sườn xuống được chọn thì ngắt sẽ xảy ra duy nhất một lần
khi có sườn xuống của tín hiệu, sau đó khi tín hiệu ở mức thấp, hoặc có
sườn lên, hoặc ở mức cao thì cũng không có ngắt xảy ra nữa cho đến khi
có sườn xuống tiếp theo. Cờ ngắt IE sẽ dựng lên khi có sườn xuống và tự
động bị xóa khi CPU bắt đầu xử lý ngắt.
Khi kiểu ngắt theo mức thấp được chọn thì ngắt sẽ xảy ra bất cứ khi nào tín
hiệu tại chân ngắt ở mức thấp. Nếu sau khi xử lý xong ngắt mà tín hiệu vẫn ở
mức thấp thì lại ngắt tiếp, cứ như vậy cho đến khi xử lý xong ngắt lần thứ n,
tín hiệu đã lên mức cao rồi thì thôi không ngắt nữa.Cờ ngắt IE trong trường
hợp này không có ý nghĩa gì cả.
Thông thường kiểu ngắt hay được chọn là ngắt theo sườn xuống.
 Ngắt do timer
AT89S52 có 3 Timer là Timer 0 và Timer 1 và Timer 2. Các Timer này

44
đều là Timer 16 bit, giá trị đếm max do đó bằng 65535 (đếm từ 0 đến 65535).
Ba timer có nguyên lý hoạt động hoàn toàn giống nhau và độc lập.
Các ngắt do các bộ Timer xảy ra do sự kiện tràn ở các Timer, khi đó các cờ
tràn TFx sẽ đươc đặt bằng 1. Khi ISR được đáp ứng, các cờ TFx sẽ tự động
được xóa bởi phần mềm.
 Ngắt do cổng nôi tiếp
Ngắt do cổng nối tiếp xảy ra khi hoặc cờ phát ngắt (TI) hoặc cờ ngắt thu
(RI) được đặt bằng 1, ngắt phát xảy ra khi bộ đệm truyền rỗng, ngắt thu xảy ra
khi 1 ký tự đã được nhận xong và đang đợi trong SBUF để được đọc.Các ngắt
do cổng nối tiếp khác các ngắt do timer.cờ gây ra ngắt do PORT nối tiếp không
bị xoá bằng phần cứng khi CPU chuyển tới ISR do có 2 nguồn ngắt do cổng nối
tiếp TI và RI, nguồn ngắt phải được xác định trong ISR và cờ tạo ngắt sẽ được
xoá bằng phần mềm.
2.2 HIỂN THỊ NHIỆT ĐỘ BẰNG LCD

2.2.1 Phân loại LCD
Có thể chia các module LCD làm hai loại chính là:
- Loại hiển thị kí tự gồm có các kích cỡ 16x1 (16 ký tự trên 1 dòng), 16x2,
16x4, 20x1, 20x2, 20x4, 40x1, 40x2, 40x4. Mỗi ký tự được tạo bởi một ma trận
các điển sáng kích thước 5x7 hoặc 5x10 điểm ảnh.
- Loại hiển thị đồ họa đen trắng hoặc màu, gồm có các kích cỡ 1,47inch
(128x128 điểm ảnh); 1,8 inch(128x160 điểm ảnh)... được dùng trong điện thoại
di động, máy ảnh số, camera...

45
2.2.2 Giới thiệu sơ đồ chân LCD
Cụ thể tên gọi và mô tả chức năng các chân được tổng kết trong bảng sau:
Giao diện kết nối chân

Chân Ký
Tên Mô tả chức năng
số hiệu
1 VSS Cấp nguồn 0V (GND)
Nối với dương nguồn
2 VDD Cấp nguồn
(+4.5V~+5.5V)
điều chỉnh điện áp chân này sẽ
tăng giảm độ tương phản của
3 VEE Contrast
LCD. cho nên nó thường được nối
với biến trở.

46
Nếu RS=0 : LCD nhận lệnh từ

Chọn VĐK
4 RS
thanh ghi Nếu RS=1: LCD nhận dữ liệu từ
VĐK để hiển thị
5 RW Read/Write Chọn chức năng ghi/ đọc
RS=1 : chọn chức năng đọc dữ
liệu từ LCD vào VĐK
RS=0 : chọn chức năng ghi dữ liệu
từ VĐKvào LCD để hiểnt thị
Cho phép/ ko cho phép LCD trao
Read Write
6 E
0enable
thì tín hiệu ở các chân D0-D7 mới được đưa vào
Data bus 0-7

7->14 D0-D7 8 chân này
được nối với VĐK để vào/ra
Bảng 2. 6 Giới thiệu sơ đồ chân LCD
2.2.3 Khả năng hiển thị của LCD

LCD có khả năng hiển thị rất linh hoạt
Thiết lập chế độ hiển thị :
Hiển thị trên 1 dòng hay cả 2 dòng.
- Chọn cỡ chữ hiển thị (5x7 hay5x10).
- Chọn kiểu con trỏ màn hình (có/không gạch chân , có/không nhấp nháy) Thiết lập
kiểu trao đổi thông tin :
- Trao đổi thông tin với Vi điều khiển dùng 4 bit hay 8 bít.
Trình bày nội dung hiển thị.
Tập lệnh của LCD
Mã hexa Lệnh đến thanh ghi của LCD

1 Xóa màn hinh hiển thị
2 Trở về đầu dòng

47
4 Dịch con trỏ sang trái

6 Dịch con trỏ sang phải
5 Dịch hiển thị sang phải
7 Dịch hiển thị sang trái
8 Tắt con trỏ, tắt hiển thị
A Bật con trỏ, tắt hiển thị
C Tắt con trỏ, bật hiển thị
E Bật hiển thị, nhấp nháy con trỏ
F Tắt hiển thị, nhấp nháy con trỏ
10 Dịch vị trí con trỏ sang trái
14 Dịch vị trí con trỏ sang phải
18 Dịch toàn bộ hiển thị sang trái
1C Dịch toàn bộ hiển thị sang phải
80 Đưa con trỏ về đầu dòng thứ nhất
C0 Đưa con trỏ về đầu dòng thứ nhất hai
38 Hai dòng và ma trận 5 × 7
Bảng 2. 7 nội dung hiển thị
Để thực hiện được các khả năng hiển thị ở trên, ta cần ra lệnh cho LCD
thực hiện các thao tác, tức là phải sử dụng tập lệnh của LCD.
Ký
Chức năng Chú thích
hiệu
X bít nhị phân (0,1)tuỳ ý
Địa chỉ con trỏ 1= tự động tăng; 0= tự động
1/D
giảm
Dịch con trỏ sau khi hiển Có (1); Không (0)
S
thị
D =1: bật LCD; =0: tắt LCD
U Con trỏ được gạch chân Có (1); Không (0)
B Con trỏ nhấp nháy Có (1); Không (0)
D/C Dịch chuyển Màn hình (1); Con trỏ (0)
R/L Chiều dịch chuyển Sang phải (1);Sang trái (0)
8/4 Chế độ trao đổi thông tin 8 bít (1); 4 bít (0)
2/1 Số dòng hiển thị 2 dòng (1) ; 1 dòng (0)
10/7 Cỡ chũ Cỡ 5x10 (1); Cỡ 5x7 (0)

48
Bảng 2. 8 Tập lệnh của LCD
2.2.4 Nguyên tắc hiển thị kí tự trên LCD

Một chương trình hiển thị ký tự trên LCD sẽ đi theo bốn bước sau:
 Xóa toàn bộ màn hình.
 Đặt chế độ hiển thị
 Đặt vị trí con trỏ (noi bắt đầu của ký tự hiển thị).
 Hiển thị ký tự.
Chú ý:
 Các bước 3, 4 có thể lặp lại nhiều lần nếu cần hiển thị nhiều ký tự.
 Mỗi khi thực hiện ghi lệnh hoặc ghi dữ liệu hiển thị trên LCD phải kiểm
tra cờ bận (hàm busy_ flag). Tuy nhiên có một số loại LCD không cho
phép kiểm tra cờ bận, vì vậy bộ vi điều khiển cần phải chủ động phân
phối thời gian khi ra lệnh cho LCD (ví dụ sau khi xóa màn hình thì sau
khoảng 2s mới ra lệnh khác vì thời gian để LCD xóa màn hình là 1,64ms).
 Chế độ hiển thị mặc định sẽ là hiển thị dịch, vị trí con trỏ mặc định sẽ là
đầu dòng thứ nhất.

49
 Để điều khiển hoạt động của LCD nên sử dụng Port 2 hoặc Port 1 cho
việc xuất nhập dữ liệu, các chân tạo tín hiệu điều khiển RS,RW, EN_LCD
có thể chọn tùy ý trong các chân của các Port còn lại.
2.3 GIAO TIẾP VỚI BỘ HIỂN THỊ TƯƠNG TỰ-SỐ(ADC)

2.3.1 Giới thiệu về ADC
Bộ chuyển đổi ADC là bộ chuyển đổi tín hiệu ở dạng tương tự sang dạng số
để có thể làm việc được với CPU.
Ứng dụng này chủ yếu mô tả cách thức tối ưu hóa ADC (Analog to Digital
Convertor) trong các phần cứng để không làm thay đổi bản chất của nó và làm
cho nó hoạt động tốt nhất. Phương pháp này phụ thuộc vào các nhiễu bên trong
của ADC và các nhiễu bên ngoài như : trở kháng , nguồn , các vòng dây và
anten...
2.3.2 Tìm hiểu về ADC 0804
Chip ADC0804 là bộ chuyển đổi tương tự số thuộc họ ADC800 của hãng
National Semiconductor. Chip này cũng được nhiều hãng khác sản xuất. Chip có
điện áp nuôi +5V và độ phân giải 8 bit. Ngoài độ phân giải thì thời gian chuyển
đổi cũng là một tham số quan trọng khi đánh giá bộ ADC. Thời gian chuyển đổi
được định nghĩa là thời gian mà bộ ADC cần để chuyển một đầu vào tương tự

50
thành một số nhị phân. Đối với ADC0804 thì thời gian chuyển đổi phụ thuộc
vào tần số đồng hồ được cấp tới chân CLK và CLK IN và không bé hơn 110μs.
Các chân khác của ADC0804 có chức năng như sau:
 CS (Chip select)
Chân số 1, là chân chọn Chip, đầu vào tích cực mức thấp được sử dụng để kích
hoạt chip ADC0804. Để truy cập ADC0804 thì chân này phải ở mức thấp.
 RD (Read)
Chân số 2, là một tín hiệu vào, tích cực ở mức thấp. Các bộ chuyển đổi đầu vào
tương tự thành số nhị phân và giữ nó ở một thanh ghi trong. RD được sử dụng
để có dữ liệu đã được chuyển đổi tới đầu ra của ADC0804. Khi CS = 0 nếu có
một xung cao xuống thấp áp đến chân RD thì dữ liệu ra dạng số 8 bit được đưa
tới các chân dữ liệu (DB0 – DB7).
 WR (Write)
Chân số 3, đây là chân vào tích cực mức thấp được dùng để báo cho ADC biết
bắt đầu quá trình chuyển đổi. Nếu CS = 0 khi WR tạo ra từ xung cao xuống
xung thấp thì bộ ADC0804 bắt đầu quá trình chuyển đổi giá trị đầu vào tương tự

51
Vin về số nhị phân 8 bit. Khi việc chuyển đổi hoàn tất thì chân INTR được ADC
hạ xuống thấp.
 CLK IN và CLK R
CLK IN (chân số 4), là chân vào nối tới đồng hồ ngoài được sử dụng để tạo thời
gian. Tuy nhiên ADC0804 cũng có một bộ tạo xung đồng hồ riêng. Để dùng
đồng hồ riêng thì các chân CLK IN và CLK R (chân số 19) được nối với một tụ
điện và một điện trở (như hình vẽ).
 Ngắt INTR (Interupt)

Chân số 5, là chân ra tích cực mức thấp. Bình thường chân này ở trạng thái cao
và khi việc chuyển đổi hoàn tất thì nó xuống thấp để báo cho CPU biết l à dữ
liệu chuyển đổi sẵn sàng để lấy đi. Sau khi INTR xuống thấp, cần đặt CS = 0 v à
gửi một xung cao xuống thấp tới chân RD để đưa dữ liệu ra.
 Vin (+) và Vin (-)

52
Chân số 6 và chân số 7, đây là 2 đầu vào tương tự vi sai, trong đó Vin = Vin (+)
Vin (-). Thông thường Vin (-) được nối tới đất và Vin (+) được dùng làm đầu
vào tương tự và sẽ được chuyển đổi về dạng số.
 Vcc
Chân số 20, là chân nguồn nuôi +5V. Chân này còn được dùng làm điện áp tham
chiếu khi đầu vào Vref/2 để hở.
 Vref/2
Chân số 9, là chân điện áp đầu vào được dùng làm điện áp tham chiếu. Nếu chân
này hở thì điện áp đầu vào tương tự cho ADC0804 nằm trong dải 0 - +5V. Tuy
nhiên, có nhiều ứng dụng mà đầu vào tương tự áp đến Vin khác với dải 0 - +5V.
Chân Vref/2 được dùng để thực hiện các điện áp đầu ra khác 0 - +5V.
 D0 - D7
D0 - D7, chân số 18 – 11, là các chân ra dữ liệu số (D7 là bit cao nhất MSB và
D0 là bit thấp nhất LSB). Các chân này được đệm ba trạng thái và dữ liệu đã
được chuyển đổi chỉ được truy cập khi chân CS = 0 và chân RD đưa xuống mức
thấp

53
CHƯƠNG 3
CẢM BIẾN SỬ DỤNG TRONG MÔ HÌNH
3.1 CẢM BIẾN ĐO NHIỆT ĐỘ.
Nhiệt độ từ môi trường sẽ được cảm biến hấp thu, tại đây tùy theo cơ cấu của
cảm biến sẽ biến đại lượng nhiệt này thành một đại lượng điện nào đó. Như thế
một yếu tố hết sức quan trọng đó là “ nhiệt độ môi trường cần đo” và “nhiệt độ
cảm nhận của cảm biến”. Cụ thể điều này là: Các loại cảm biến mà các bạn
trông thấy nó đều là cái vỏ bảo vệ, phần tử cảm biến nằm bên trong cái vỏ này
( bán dẫn, lưỡng kim….) do đó việc đo có chính xác hay không tùy thuộc vào
việc truyền nhiệt từ môi trường vào đến phần tử cảm biến tổn thất bao nhiêu ( 1
trong những yếu tố quyết định giá cảm biến nhiệt ).
Một nguyên tắc đặt ra là: Tăng cường trao đổi nhiệt giữa cảm biến và môi
trường cần đo.
3.1.1 Phân loại cảm biến nhiệt
- Cặp nhiệt điện ( Thermocouple ).

- Nhiệt điện trở ( RTD-resitance temperature detector ).
- Thermistor.
- Bán dẫn ( Diode, IC ,….).

54
- Ngoài ra còn có loại đo nhiệt không tiếp xúc ( hỏa kế- Pyrometer ). Dùng
hồng ngoại hay lazer.
3.1.2 Cặp nhiệt điện ( Thermocouples ).
- Cấu tạo: Gồm 2 chất liệu kim loại khác nhau, hàn dính một đầu.
- Nguyên lý: Nhiệt độ thay đổi cho ra sức điện động thay đổi ( mV).
- Ưu điểm: Bền, đo nhiệt độ cao.
- Khuyết điểm: Nhiều yếu tố ảnh hưởng làm sai số. Độ nhạy không cao.
- Thường dùng: Lò nhiệt, môi trường khắt nghiệt, đo nhiệt nhớt máy nén,…
- Tầm đo: -100 D.C <1400 D.C
Hình 3. 1 Cặp nhiệt điện
- Gồm 2 dây kim loại khác nhau được hàn dính 1 đầu gọi là đầu nóng ( hay đầu
đo), hai đầu còn lại gọi là đầu lạnh ( hay là đầu chuẩn ). Khi có sự chênh lệch
nhiệt độ giữa đầu nóng và đầu lạnh thì sẽ phát sinh 1 sức điện động V tại đầu
lạnh. Một vấn đề đặt ra là phải ổn định và đo được nhiệt độ ở đầu lạnh, điều này
tùy thuộc rất lớn vào chất liệu. Do vậy mới cho ra các chủng loại cặp nhiệt độ,
mỗi loại cho ra 1 sức điện động khác nhau: E, J, K, R, S, T. Các bạn lưu ý điều
này để chọn đầu dò và bộ điều khiển cho thích hợp.
- Dây của cặp nhiệt điện thì không dài để nối đến bộ điều khiển, yếu tố dẫn đến
không chính xác là chổ này, để giải quyết điều này chúng ta phải bù trừ cho nó
( offset trên bộ điều khiển ).
Lưu ý khi sử dụng:
- Từ những yếu tố trên khi sử dụng loại cảm biến này chúng ta lưu ý là
không nên nối thêm dây ( vì tín hiệu cho ra là mV nối sẽ suy hao rất nhiều ).

55
Cọng dây của cảm biến nên để thông thoáng ( đừng cho cọng dây này dính vào
môi trường đo ). Cuối cùng là nên kiểm tra cẩn thận việc Offset thiết bị.
- Lưu ý: Vì tín hiệu cho ra là điện áp ( có cực âm và dương ) do vậy cần
chú ý kí hiệu để lắp đặt vào bộ khuếch đại cho đúng
3.1.3 Thermistor
- Cấu tạo: Làm từ hổn hợp các oxid kim loại: mangan, nickel, cobalt,…
- Nguyên lý: Thay đổi điện trở khi nhiệt độ thay đổi.
- Ưu điểm: Bền, rẽ tiền, dễ chế tạo.
- Khuyết điểm: Dãy tuyến tính hẹp.
- Thường dùng: Làm các chức năng bảo vệ, ép vào cuộn dây động cơ, mạch điện
tử.
- Tầm đo: 50 <150 D.C.
Cấu tạo Thermistor.
- Thermistor được cấu tạo từ hổn hợp các bột ocid. Các bột này được hòa trộn
theo tỉ lệ và khối lượng nhất định sau đó được nén chặt và nung ở nhiệt độ cao.
Và mức độ dẫn điện của hổn hợp này sẽ thay đổi khi nhiệt độ thay đổi.
- Có hai loại thermistor: Hệ số nhiệt dương PTC- điện trở tăng theo nhiệt độ;
Hệ số nhiệt âm NTC – điện trở giảm theo nhiệt độ. Thường dùng nhất là loại
NTC.
- Thermistor chỉ tuyển tính trong khoảng nhiệt độ nhất định 50-150D.C do vậy
người ta ít dùng để dùng làm cảm biến đo nhiệt. Chỉ sử dụng trong các mục đích
bảo vệ, ngắt nhiệt, các bác nhà ta thường gọi là Tẹt-mít. Cái Block lạnh nào
cũng có một vài bộ gắn chặt vào cuộn dây động cơ.
- Tùy vào nhiệt độ môi trường nào mà chọn Thermistor cho thích hợp, lưu ý
hai loại PTC và NTC ( gọi nôm na là thường đóng/ thường hở ) Có thể test dễ
dàng với đồng hồ VOM.
- Nên ép chặt vào bề mặt cần đo.
- Tránh làm hỏng vỏ bảo vệ.
- Vì biến thiên điện trở nên không quan tâm chiều đấu dây.
56
Hình 3. 2 thermistor
3.1.4 Bán dẫn

- Cấu tạo: Làm từ các loại chất bán dẫn.
- Nguyên lý: Sự phân cực của các chất bán dẫn bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ.
- Ưu điểm: Rẽ tiền, dễ chế tạo, độ nhạy cao, chống nhiễu tốt, mạch xử lý đơn
giản.
- Khuyết điểm: Không chịu nhiệt độ cao, kém bền.
- Thường dùng: Đo nhiệt độ không khí, dùng trong các thiết bị đo, bảo vệ các
mạch điện tử.
- Tầm đo: -50 <150 D.C.
Hình 3. 3 Bán dẫn
- Cảm biến nhiệt Bán Dẫn là những loại cảm biến được chế tạo từ những chất
bán dẫn. Có các loại như Diode, Transistor, IC. Nguyên lý của chúng là dựa trên
mức độ phân cực của các lớp P-N tuyến tính với nhiệt độ môi trường. Ngày nay
với sự phát triển của ngành công nghệ bán dẫn đã cho ra đời rất nhiều loại cảm
biến nhiệt với sự tích hợp của nhiều ưu điểm: Độ chính xác cao, chống nhiễu tốt,
hoạt động ổn định, mạch điện xử lý đơn giản, rẽ tiền,….
- Ta dễ dàng bắt gặp các cảm biến loại này dưới dạng diode ( hình dáng tương

57
tự Pt100), các loại IC như: LM35, LM335, LM45. Nguyên lý của chúng là nhiệt
độ thay đổi sẽ cho ra điện áp thay đổi. Điện áp này được phân áp từ một điện áp
chuẩn có trong mạch.
Gần đây có cho ra đời IC cảm biến nhiệt cao cấp, chúng hổ trợ luôn cả chuẩn
truyền thông I2C ( DS18B20 ) mở ra một xu hướng mới trong “ thế giới cảm
biến”.
IC cảm biến nhiệt DS18B20

- Vì được chế tạo từ các thành phần bán dẫn nên cảm biến nhiệt Bán Dẫn kém
bền, không chịu nhiệt độ cao. Nếu vượt ngưỡng bảo vệ có thể làm hỏng cảm
biến.
- Cảm biến bán dẫn mỗi loại chỉ tuyến tính trong một giới hạn nào đó, ngoài
dải này cảm biến sẽ mất tác dụng. Hết sức quan tâm đến tầm đo của loại cảm
biến này để đạt được sự chính xác.
- Loại cảm biến này kém chịu đựng trong môi trường khắc nghiệt: Ẩm cao,
hóa chất có tính ăn mòn, rung sốc va chạm mạnh.
3.1.5 Nhiệt kế bức xạ ( còn gọi là hỏa kế- pyrometer ).
- Cấu tạo: Làm từ mạch điện tử, quang học.

- Nguyên lý: Đo tính chất bức xạ năng lượng của môi trường mang nhiệt.
- Ưu điểm: Dùng trong môi trường khắc nghiệt, không cần tiếp xúc với môi
trường đo.
- Khuyết điểm: Độ chính xác không cao, đắt tiền.

58
- Thường dùng: Làm các thiết bị đo cho lò nung.

- Tầm đo: -54 <1000 D.F.
- Nhiệt kế bức xạ ( hỏa kế ) là loại thiết bị chuyên dụng dùng để đo nhiệt độ
của những môi trường mà các cảm biến thông thường không thể tiếp xúc được
( lò nung thép, hóa chất ăn mòn mạnh, khó đặt cảm biến).
- Gồm có các loại: Hỏa kế bức xạ, hỏa kế cường độ sáng, hỏa kế màu sắc.
Chúng hoạt động dựa trên nguyên tắc các vật mang nhiệt sẽ có hiện tượng bức
xạ năng lượng. Và năng lượng bức xạ sẽ có một bước sóng nhất định. Hỏa kế sẽ
thu nhận bước sóng này và phân tích để cho ra nhiệt độ của vật cần đo.

- Tùy theo thông số của nhà sản xuất mà hỏa kế có các tầm đo khác nhau, tuy
nhiên đa số hỏa kế đo ở khoảng nhiệt độ cao. Và vì đặc điểm không tiếp xúc
trực tiếp với vật cần đo nên mức độ chính xác của hỏa kế không cao, chịu nhiều
ảnh hưởng của môi trường xung quanh ( góc độ đo, rung tay, ánh sáng môi
trường ).

59
3.1.6 Cảm biến nhiệt độ LM35
LM35 là một họ IC cảm biến nhiệt độ sản xuất theo công nghệ bán dẫn dựa
trên các chất bán dẫn dễ bị tác động bởi sự thay đổi của nhiệt độ , đầu ra của
cảm biến là điện áp(V) tỉ lệ với nhiệt độ mà nó được đặt trong môi trường cần
đo.
Họ LM35 có rất nhiều loại và nhiều kiểu đóng vỏ khác nhau.
Hình 3. 4 Cảm biến nhiệt độ LM35

Đặc điểm nổi bật
Đo nhiệt độ với thang đo nhiệt bách phân (0 C)
Độ phân giải : 10mV/10C
Khả năng đo nhiệt độ trong khoảng: - 55 đến +150 (0 C)
Nguồn áp hoạt động : 4V đến 30V
Điện áp đầu ra : +6V đến -1V
Ưu điểm: Rẽ tiền, dễ chế tạo,chống nhiễu tốt, mạch xử lý đơn giản.
Khuyết điểm: Không chịu nhiệt độ cao, kém bền.
Thường dùng: Đo nhiệt độ không khí, dùng trong các thiết bị đo, bảo vệ các
mạch điện tử.
60
3.2 CẢM BIẾN QUANG
3.2.1 Khái quát
a.Tính chất ánh sáng:
Ánh sáng có 2 tính chất cơ bản là sóng và hạt . Dạng sóng ánh sáng là sóng điện
từ phát ra khi có sự chuyển điện tử giữa các mức năng lượng nguyên tử của
nguồn sáng .
Vận tốc ánh sáng được xác định v = c/n
trong đó c vận tốc trong chân không c = 299792km/s
n chiết suất của môi trường truyền sóng
Sự liên hệ giữa tần số f và bước sóng λ :
V
λ=
f
c
Trong chân không : λ=
f
Dãy phổ ánh sáng được biểu diễn như hình :
Tính chất hạt của ánh sáng thể hiện qua sự tương tác của nó với vật chất . Ánh
sáng bao gồm các hạt photon với năng lượng Wφ phụ thuộc vào tần số .
Wφ = hf
Trong đó h là hằng số Planck h = 6,6256.10-34Js
Trong vật chất các hạt điện tử luôn có xu hướng trở thành điện tử tự do . Để giải
phóng được các hạt điện tử khỏi nguyên tử thì cần 1 năng lượng tối thiểu bằng
năng lượng liên kết WL . Do đó nếu photon cần hấp thụ 1 hạt điện tử thì cần 1
điều kiện là Wφ ≥ WL . Khi đó ta có ;
WL
f ≥
h

61
0,383
0,455
0,490
0,575
0,590
0,75
0,65
Vàng-cam
Vàng
Tia cực tím Tím Cam Lục Đỏ Hồng ngoại
λ ( µm)
0,01 0,1 0,4 0,75 1,2 30
Hồng ngoại gần
Hồng ngoại
Cực tím Nhìn thấy
Hồng ngoại xa
v(Hz )
3.1016 3.1015 3.1014
Bước sóng ngưỡng ( bước sóng lớn nhất ) của ánh sáng là bước sóng có thể gây
nên hiện tượng giải phóng điện tử được tính từ biểu thức :
hc
λs =
Wl
Hiện tượng giải phóng hạt dẫn dưới tác dụng của ánh sáng bằng hiệu ứng quang
điện gây nên sự thay đổi tính chất điện của vật liệu . Đây là nguyên lý cơ bản
của cảm biến quang.
Dưới tác dụng của ánh sáng , hiệu ứng quang điện tỉ lệ thuận với số lượng hạt
dẫn được giải phóng trong 1 đơn vị thời gian . Ngay cả khi λ > λ S thì không
thể giải phóng tất cả các hạt dẫn bởi vì 1 số sẽ phản xạ từ bề mặt và số khác sẽ
chuyển năng lượng của chúng thành năng lượng của dao động nhiệt. Đối với vật
62
liệu có hệ số phản xạ R lớn và bị chiếu bởi ánh sáng đơn sắc có công suất φ
thì :
φ λφ
Số photon chiếu đến trong 1 giây : ninc = =
hv hc
λφ
Số photon hấp thụ trong 1 giây : na = (1 − R ) ninc = (1 − R )
hc
Số hạt điện tử và lổ trống được giải phóng trong 1 giây :
λφ
G =η.na =η(1 − R )
hc
Trong đó η là hiệu suất lượng tử ( số điện tử hoặc lổ trống trung bình được giải
phóng khi 1 photon được hấp thụ )
b. Đơn vị đo quang
Năng lượng bức xạ ( Q ) là năng lượng phát xạ , lan truyền hoặc hấp thụ dưới
dạng bức xạ , được đo bằng Jun ( J ) .
hông lượng ánh sáng ( φ ) là công suất phát xạ , lan truyền hoặc hấp thụ , đo
bằng đơn vị oat ( W ).
dQ
φ=
dt
Cường độ ánh sáng ( I ) là luồng năng lượng phát ra theo 1 hướng cho trước
dưới 1 đơn vị góc khối , có đơn vị đo là oat/steradian.
dφ
I =
dΩ
Độ chói năng lượng : là tỉ số giữa cường độ ánh sáng phát ra bởi 1 phần tử bề
mặt dA theo 1 hướng xác định và diện tích hình chiếu của phần tử này trên mặt
phẳng P vuông góc với hướng đó dAn = dA cos θ ( θ là góc giữa P và mặt phẳng
chứa dA ) . Độ chói đo bằng oat/steradian.m2 .

63
dI
L=
dAn
Độ rọi năng lượng ( E ) là tỉ số giữa luồng năng lượng thu được bởi 1 phần tử bề
mặt va diện tích phần tử đó . Độ rọi năng lượng được đo bằng oat/m2 .
dφ
E=
dA
Tên định nghĩa Đ/v thị giác Đ/v năng lượng

Luồng ( thông lượng ) Lumen ( lm ) Oat ( W )
Cường độ Candela ( cd ) Oat/sr ( W/Sr )
Độ chói Candela/m2 ( cd/m2 ) Oat/sr.m2 ( W/sr.m2 )
Độ rọi Lumen/m2 hay lux ( lx ) W/m2
Năng lượng Lumen.s ( lm.s ) Jun ( J )
c. Nguồn sáng :
Việc sử dụng 1 cảm biến chỉ có hiệu quả khi nó phù hợp với bức xạ ánh
sáng ( phổ , thông lượng , tần số ) . Nguồn sáng sẽ quyết định mọi đặc tính của
bức xạ vì vậy việc tìm hiểu nguồn sáng rất quan trọng trong việc chọn lựa và sử
dụng cảm biến.
- Đèn sợi đốt wonfram :
Được cấu tạo gồm 1 dây wonfram có vỏ bọc bằng thủy tinh hoặc thanh anh có
chứa chất khí hiếm hoặc halogen ( I2 ) . Đèn wonfram co đặc điểm :
Thông lượng lớn , dãy phổ rộng, có thể giảm bằng các tấm lọc.
Do có quán tính nhiệt lớn nên không thể thay đổi bức xạ 1 cách nhanh chóng
,tuổi thọ thấp , dễ vở .
64
- Diode phát quang :

Thời gian hồi đáp nhỏ , khoảng vài ns do vậy có khả năng thay đổi theo tần số
cao .Phổ ánh sáng hoàn toàn xác định , độ tin cậy cao , bền theo thời gian Thông
lượng tương đối nhỏ ( ~ 10mW ) và nhạy với nhiệt độ là nhược điểm của đèn .
-Lazer :
Tia Lazer là nguồn sáng đơn sắc , độ chói lớn , rất định hướng và đặc biệt có
tính liên kết mạnh ( rất khó xãy ra tán sắc ánh sáng )
Lazer lá ánh sáng có bước song đơn sắc hòan toàn xác định , thông lượng lớn ,
có khả năng nhận được chùm tia mảnh với độ định hướng cao và truyền đi với
khoảng cách rất lớn .
3.2.2 Điện Trở Quang ( photo register )
Các cảm biến điện trở là sự phụ thuộc của điện trở vào thông lượng bức xạ
và phổ của bức xạ đó . Quang trở là 1 trong những cảm biến có độ nhạy cao .
Nguyên tắc chế tạo quang trở là dựa trên hiện tượng quang dẫn do kết quả của
hiệu ứng quang điện nội ( hiện tượng giải phóng hạt tải điện trong vật liệu dưới
tác dụng của ánh sáng làm tăng độ dẩn điện của vật liệu ).
a. Cấu tạo :
Cảm biến quang thường được cấu tạo bằng các chất bán dẫn đa tinh thể đồng
nhất hoặc đơn tinh thể, bán dẫn riêng hoặc bán dẫn pha tạp chất .
Đa tinh thể : CdS, CdSe, CdTe , PbS, PbSe, PbTe.

65
Đơn tinh thể : Ge, Si tinh khiết hoặc pha tạp Au, Cu, Sb, In, SbIn, AsIn, PIn,
CdHgTe.
Tùy theo chất cấu tạo mà quang trở có vùng phổ làm việc khác nhau
b. Điện trở :
Một quang trở có giá trị điện trở tương đương với 2 điện trở ghép song song
gồm điện trở tối Rco và điện trở Rcp được xác định bởi hiệu ứng quang điện do
ánh sáng tác động .
Giá trị điện trở tối phụ thuộc vào vật liệu cấu tạo , dạng hình học , kích thước và
nhiệt độ. Các chất PbS , CdS, CdSe có giá trị điện trở tối khá lớn : từ 104 đến 109
ở nhiệt độ 250C.
Các chất SbIn, SbAs, CdHgTe có giá trị điện trở tối khá nhỏ : từ 10Ω đến 103
Ω ở nhiệt độ 25 0C
Điện trở Rcp được xác định theo biểu thức :
Rcp = aφ−γ
Trong đó a phụ thuộc vào vật liệu ,nhiệt độ và phổ bức xạ ánh sáng γ có giá
trị từ 0.5 đến 1
Do đó giá trị điện trở của quang trở là RC
Rco Rcp Rco .aφ −γ

RC = =
Rco + Rcp Rco + aφ −γ
Thông thường Rcp << Rco nên Rc = aφ −γ
Nghĩa là giá trị điện trở của cảm biến phụ thuộc mạnh vào ánh sáng tác dụng ,có
giá trị giảm rất nhanh khi độ rọi tăng lên .
Sự phụ thuộc của điện trở vào thông lượng ánh sáng không tuyến tính . Tuy
nhiên có thể tuyến tính hoá nó bằng cách ghép song song với 1 điện trở

66
Điện trở Ω
10 8
10 7
10 6
10 5
10 4
10 3
10 2
0.01 0.1 1 10 100 1000 Độ rọi sáng ( lux)
Sự phụ thuộc của điện trở vào độ rọi sáng

Điện trở RC phụ thuộc vào nhiệt độ , độ nhạy nhiệt của quang trở càng nhỏ khi
độ rọi càng lớn . Giá trị điện trở sẽ bị giảm chậm ở những điều kiện làm việc
giới hạn khi độ rọi và điện áp đặt vào quá lớn .
c. Độ nhạy :
Dựa vào sơ đồ tương đương của quang trở , độ dẫn điện của quang trở là tỏng độ
dẩn sáng và độ dẫn tối .
Gc = Gco +Gcp
1
Trong đó Gco là độ dẫn tối Gco =
Rco
1 φγ
Gcp là độ quang dẫn Gcp = =
Rcp a
Khi làm việc quang trở được phân cực 1 điện áp V sẽ có 1 dòng điện đi qua nó
được xác định

67
I = GcV = GCO V + GCP V = I O + I P
Trong đó Io dòng tối , Ip dòng quang điện

Tuy nhiên trong điều kiện sử dụng Io << Ip nên dòng quang điện có thể được xác
định theo biểu thức
V .φγ
Ip =
a
Đối với luồng bức xạ có phổ xác định , tỹ lệ chuyển đổi tĩnh :
I V γ −1
= φ
φ a
d. Ứng dụng quang trở

Những nhược điểm khi sử dụng quang trở là:
Quá trình hồi đáp phụ thuộc không tuyến tính vào thông lượng .
Thời gian hồi đáp lớn .
Các đặc trưng không ổn định ( già hóa ).
Độ nhạy phụ thuộc vào nhiệt độ .
Một số loại đòi hỏi phải làm nguội .
Do đó người ta không dùng quang trở để xác định chính xác giá trị thông
lượng mà được sử dụng để phân biệt mức ánh sáng : trạng thái sáng - tối hoặc
xung ánh sáng.
Việc xác định giá trị điện trở của quang trở hoặc xác định sự thay đổi cần
phải có mạch đo phù hợp , nghĩa là phải được cấp dòng không đổi và ghép theo
sơ đồ đo điện thế hoặc sơ đồ cầu Wheatstone, mạch khuếch đại thuật toán.
Trong thực tế thường được ứng dụng 2 trường hợp là điều khiển reley và thu tín
hiệu quang .

68
Sơ đồ ứng dụng quang trở
R1-49K9 GAIN
R5-39K
+12V
+12V 8 P2-10K
2 1 R2-7K15 R3-7K15
IC 1A
5 OUT 1
C2-104
7
4 TL082 IC 1B
3
-12V
78L05
1K5
6
5V TL082
P1-200
R4-10K
OFFSET
R8-10K
1K5
+12V R6- 5k6
2
R7-2K2
1K5 7
IC 2
P3-20k
3
1K5
-12V
3.2.3 Diode Cảm Quang ( photo diode )

a. Nguyên tắc :
Khi cho 2 chất bán dẫn P và N tiếp xúc với nhau sẽ tạo nên vùng nghèo
hạt dẫn tại tiếp xúc , tại đó xuất hiện 1 điện trường gọi là E TX và hình thành 1
hàng rào điện thế VTX .
Khi không có điện thế ngoài thì dòng qua tiếp giáp có giá trị I=0 . Thực tế dòng
I lúc đó chính là dòng tổng của 2 dòng ngược chiều nhau và có cùng độ lớn :
Dòng khuếch tán của các hạt dẫn cơ bản khi tiếp xúc 2 chất bán dẫn.
Dòng hạt dẫn không cơ bản nhờ tác dụng của điện trường trong vùng
nghèo .
Khi đặt 1 điện áp lên vùng nghèo , chiều cao của hàng rào điện thế sẽ thay đổi
kéo theo sự thay đổi của dòng hạt dẫn cơ bản và bề rộng vùng nghèo . Điện áp
đặt lên vùng nghèo sẽ xác định giá trị dòng điện I

69
qV 
I = I O exp   − IO
 kT 
Khi điện áp ngược đủ lớn , chiều cao của hàng rào điện thế lớn đến mức dòng
khuếch tán của các hạt dẫn ( dòng cơ bản ) có thể bỏ qua và chỉ còn lại dòng
không cơ bản , nghĩa là I = IO , đây chính là dòng ngược của diode .
Khi chiếu sáng diode bằng bức xạ có bước sóng nhỏ hơn bước song ngưỡng ( λ
<λ S ) sẽ hình thành thêm các cặp điện tử và lỗ trống . Để các hạt dẫn này tham
gia làm tăng độ dẫn , từ đó làm tăng dòng I. Điều quan trọng là ánh sáng phải
được chiếu đến vùng nghèo , sau khi đi qua 1 bề dày đáng kể của chất bán dẫn
và tiêu hao năng lượng ( càng đi vào sâu thì thông lượng φ càng giảm )
Trong thực tế các vật liệu thường được dùng để chế tạo photodiode là Si, Ge,
( dùng để thu ánh sánh nhìn thấy được và hồng ngoại gần ) GaAs, InAs, InSb,
HgCdTe ( dung để thu hồng ngoại )
b. Độ nhạy :
Đối với 1 bức xạ có phổ xác định , dòng quang điện I tuyến tính với thông lượng
trong 1 khoảng tương đối rộng . Độ nhạy được xác định :
∆I qη(1 − R ) exp ( −αX )
S ( λ) = = λ
∆φ hc
ứng với λ ≤λ S
η hiệu suất lượng tử

R hệ sồ phản xạ
α hệ số hấp thụ
h hằng số Planck h = 6,6256.10-34Js
c. Chế độ sử dụng photodiode :
Có 2 chế độ sử dụng : chế độ quang dẫn và chế độ quang thế .
- Chế độ quang dẫn

70
Chế độ quang dẫn được đặc trưng bởi độ tuyến tính cao , thời gian hồi đáp ngắn
và dãi thông lớn . Có 2 dạng sơ đồ
• Dạng sơ đồ cơ sở :
Es
R2
I
Rm R1
Sơ đồ cơ sở
 R 
Trong sơ đồ ta có : Vo = Rm 1 + 2  I
 R1 
Nếu tăng giá trị Rm sẽ làm giảm nhiễu . Tổng trở ngã vào phải lớn để giảm ảnh
hưởng của nội trở diode
 Dạng sơ đồ tác động nhanh
C1
R1 R2
C2
Es R1+R2
Sơ đồ tác động nhanh
Khi đó ta có : Vo = ( R1 + R2 ) I

71
R1 + R2
Điện trở tải của diode nhỏ và gần bằng , trong đó K là hệ số khuếch đại
K
ở tần số làm việc.
Tụ C2 có nhiệm vụ bù trừ ảnh hưởng của tụ kí sinh C1 với điều kiện
R1C1 = R2 C 2 . Bộ khuếch đại sử dụng dòng vào rất nhỏ và suy giảm do nhiệt
không đáng kể .
- Chế độ quang thế

Trong chế độ này mạch có thể làm việc ở chế độ tuyến tính hoặc logarit
tuỳ thuộc vào tải , ít nhiễu , thời gian hồi đáp lớn và dải thông nhỏ , đặc biệt
nhạy cảm với nhiệt độ khi làm việc ở chế độ logarit.
R2 R2
Isc
Voc R1 Vo R1 Vo
Sơ đồ logarit Sơ đồ tuyến tính

72
3.2.4 Transistor Quang ( photo transistor )

a. Cấu tạo và nguyên tắc :
Transistor quang được cấu tạo bằng cbd loại Si , được chế tạo theo loại
transistor NPN sao cho có vùng cực B có khả năng cảm nhận ánh sáng từ bên
ngoài .
Khi transistor quang làm việc thì được phân cực cho cực C và E nên điện
áp phân cực tập trung toàn bộ vào vùng chuyển tiếp B-C ( phân cực ngịch ). Khi
chuyển tiếp B-C được chiếu sáng ( cực B nhận ánh sáng ) thì transistor quang
hoạt động giống với diode quang ở chế độ quang dẫn với dòng ngược .
Khi đó ta có : I r = Io +I p
với Io là dòng ngược tối

Ip là dòng quang điện do tác dụng của thông lượng φ chiếu qua bề dày X . Ta
qη (1 − R ) exp ( − αX )
có Ip =
hc
η hiệu suất lượng tử

R hệ sồ phản xạ
α hệ số hấp thụ
h hằng số Planck h = 6,6256.10-34Js
73
c vận tốc truyền trong chân không
Rm
Rm
Ir
Sơ đồ phân cực transistor quang
b. Sơ đồ dùng transistor quang :

Transistor quang có thể dung làm bộ chuyển mạch hoặc làm phần tử tuyến tính .
Ở chế độ chuyển mạch có thể cho phép dòng đi qua tương đối lớn , còn ở chế độ
tuyến tính thì ít được sử dụng vì độ tuyến tính kém nên thường người ta dùng
diode quang .
 Transistor quang ở chế độ chuyển mạch :
Trong trường hợp này sử dụng thông tin dưới dạng nhị phân :
Có hay không có tín hiệu quang ( không có bức xạ hặc có bức xạ ).
Ánh sáng nhận được nhỏ hơn hay lớn hơn ánh sáng ngưỡng ban đầu
Transistor làm việc ở chế độ D : dẫn bão hoà hoặc ngưng dẫn . Hoạt động như 1
reley ,hoặc cổng logic .
Tốc độ chuyển mạch của transistor quang bị giới hạn đáng kể bởi nội trở của
nó . Tốc độ náy có thể cải thiện bằng cách ghép thêm vào mạch 1 bộ khuếch đại
hoặc ghép thêm transistor dưới dạng darlingtone ( với điều kiện mạh phải có trở
kháng vào nhỏ )

74
3.3 Cảm biến chuyển động

3.3.1 PIR
Nó là chữ viết tắt của Passive InfraRed sensor (PIR sensor), tức là bộ
cảm biến thụ động dùng nguồn kích thích là tia hồng ngoại. Đây chính là loại
cảm biến được sử dụng khá rộng rãi hiện nay.Tia hồng ngoại (IR) chính là các
tia nhiệt phát ra từ các vật thể nóng. Trong các cơ thể sống, trong chúng ta luôn
có thân nhiệt (thông thường là ở 37 độ C), và từ cơ thể chúng ta sẽ luôn phát ra
các tia nhiệt, hay còn gọi là các tia hồng ngoại, người ta sẽ dùng một tế bào điện
để chuyển đổi tia nhiệt ra dạng tín hiệu điện và nhờ đó mà có thể làm ra cảm
biến phát hiện các vật thể nóng đang chuyển động. Cảm biến này gọi là thụ động
vì nó không dùng nguồn nhiệt tự phát (làm nguồn tích cực, hay chủ động) mà
chỉ phụ thuộc vào các nguồn tha nhiệt, đó là thân nhiệt của các thực thể khác,
như con người con vật...

75
3.3.1.1 Cấu tạo ,nguyên lý đầu dò PIR
Hình 3. 5 Đầu dò PIR
Trên đây là đầu dò PIR, loại bên trong gắn 2 cảm biến tia nhiệt, nó có 3
chân ra, một chân nối masse, một chân nối với nguồn volt DC, mức áp làm việc
có thể từ 3 đến 15V. Góc dò lớn. Để tăng độ nhậy cho đầu dò, Bạn dùng kính
Fresnel, nó được thiết kế cho loại đầu có 2 cảm biến, góc dò lớn, có tác dụng
ngăn tia tử ngoại
Hình vẽ cho thấy cách dùng đầu dò PIR để phát hiện người hay con vật di
chuyển ngang

76
Hình 3. 6 Nguyên lý làm việc của loại đầu dò PIR như hình sau
Các nguồn nhiệt (với người và con vật là nguồn thân nhiệt) đều phát ra tia hồng
ngoại, qua kính Fresnel, qua kích lọc lấy tia hồng ngoại, nó được cho tiêu tụ trên
2 cảm biến hồng ngoại gắn trong đầu dò, và tạo ra điện áp được khuếch đại với
transistor FET. Khi có một vật nóng đi ngang qua, từ 2 cảm biến này sẽ cho xuất
hiện 2 tín hiệu và tín hiệu này sẽ được khuếch đại để có biên độ đủ cao và đưa
vào mạch so áp để tác động vào một thiết bị điều khiển hay báo động
Hình 3. 7 Nguyên lý phát hiện chuyển động ngang của các nguồn thân nhiệt
Hình vẽ cho thấy 2 vùng cảm ứng nhậy cảm tương ứng với 2 cảm biến
trong đầu dò. Khi có một con vật đi ngang, từ thân con vật sẽ luôn phát ra tia

77
nhiệt, nó được tiêu tụ mạnh với kính Fresnel và rồi tiêu tụ trên bia là cảm biến
hồng ngoại, vậy khi con vật đi ngang, ở ngả ra của đầu dò chúng ta sẽ thấy xuất
hiện một tín hiệu, tín hiệu này sẽ được cho vào mạch xử lý để tạo tác dụng điều
khiển hay báo động.
Hình sau dùng diễn tả nguyên lý làm việc của đầu dò PIR đối với người qua lại:
Hình 3. 8 Nguyên lý làm việc của đầu dò PIR đối với người qua lại
Hãy nói về các tia nhiệt:

Mọi vật thể đều được cấu tạo từ các phân tử nhỏ li ti, nhiệt là một dạng
năng lượng tạo ra từ các xao động của các phân tử (hình trên), đó là các chuyển
động hỗn loạn, không trật tự. Từ các xao động này, nó phát ra các tia nhiệt, bằng
cảm giác thông thường của giác quan, con người chúng ta nói đó là sức nóng. Ở
mỗi người nguồn thân nhiệt thường được điều ổn ở mức 37 độ C, đó là nguồn
nhiệt mà ai cũng có và nếu dùng linh kiện cảm ứng thân nhiệt, chúng ta sẽ có
thiết bị phát hiện ra người, đó chính là ý tưởng mà người ta chế ra thiết bị
motion detector, điều khiển theo nguồn thân nhiệt chuyển động.
Chất liệu:
Hình sau cho thấy vật liệu nhóm pyroelectric dùng làm cảm biến dò tia nhiệt.

78
Hình 3. 9 Dùng vật liệu pyroelectric để cảm ứng với tia nhiệt
Người ta kẹp vật liệu pyroelectric giữa 2 bản cực, khi có tác kích của các
tia nhiệt, trên hai 2 bản cực sẽ xuất hiệu tín hiệu điện, do tín hiệu yếu nên cần
mạch khuếch đại.
Trong bộ đầu dò PIR, người ta gắn 2 cảm ứng PIR nằm ngang, và cho nối vào
cực Gate (chân Cổng) của một transistor FET có tính khuếch đại. Khi cảm biến
pyroelectric thứ nhất nhận được tia nhiệt, nó sẽ phát ra tín hiệu và khi nguồn
nóng di chuyển ngang, sẽ đến cảm biến pyroelectric thứ hai nhận được tia nhiệt
và nó lại phát ra tín hiệu điện. Sự xuất hiện của 2 tín hiệu này cho nhận biết là
đã có một nguồn nhiệt di động ngang và mạch điện tử sẽ phát ra tín hiệu điều
khiển. Tín hiệu này có thể dùng tắt mở đèn hay dùng để báo động khi có kẻ lạ
vào nhà.
3.3.2 Kính hội tụ
Bây giờ hãy nói đến thiết bị tiêu tụ gom tia nhiệt rọi trên bề mặt cảm ứng
PIR:
Chúng ta biết các tia nhiệt phát ra từ thân thể người rất yếu và rất phân tán, để
tăng độ nhậy phải dùng kính có mặt kính lồi tạo chức năng tiêu tụ, quen gọi là
kính Focus, hình dưới đây cho thấy các mặt sóng của các tia sáng khi đi qua một
mặt kính lồi đã được cho gom lại tại một điểm nhỏ, điểm đó gọi là tiêu điểm hay
điểm nóng (dùng kính lúp tạo ra điểm nóng, điểm nóng này có thể đốt cháy
giấy).

79
Hình 3. 10 Kính hội tụ
Khuyết điểm của loại kính hội tụ dùng mặt lồi thông thường là khi mặt kính mở
rộng, điểm tiêu tụ sẽ không nằm ở một chổ, người ta cho hiệu chỉnh sai lệch này
bằng mặt kính Fresnel (Bạn xem hình, các mặt cong ở xa trục quang đã được
chỉnh lại). Bạn thấy khi ở xa trục quang học, độ cong của mặt kính được hiệu
chỉnh lại, với cách làm này, chúng ta sẽ có thể hội tụ nhiều tia sáng tốt hơn, trên
một diện tích rộng lớn hơn và như vậy sẽ tăng được độ nhậy cao hơn và có góc
dò rộng hơn.
Tìm hiểu kính Fresnel.

80
Hình 3. 11 kính Fresnel
Để hiểu rõ hơn về cách tiêu tụ dùng kính Fresnel, Bạn có thể Click và
Xem nguyên lý kính Fresnel, Từ giải thích qua đoạn phim ngắn này, Bạn sẽ thấy
kính Fresnel tạo tính tiêu tụ tốt hơn loại kính lồi thông thường nhất là khi mở
rộng mặt kính.
3.3.3 Một số mạch ứng dụng
-Một sơ đồ mạch chống trộm điển hình:
Sau đây là một sơ đồ điển hình cho thấy cách kết hợp giữa đầu dò PIR và
mạch khuếch đại, mạch so áp (dùng ic LM324) và mạch tạo trễ (dùng ic logic
CD4538) để có các tiếp điểm lá kim (của một relay) dùng điều khiển các dụng
cụ điện khác.

81
Hình 3. 12 Mạch điện điển hình dùng cho đầu dò PIR
Phân tích sơ đồ mạch điện:

Sơ đồ cho thấy, bộ đầu do PIR có 3 chân, chân 3 cho nối masse, chân 1 nối vào
đường nguồn và chân 2 cho xuất ra tín hiệu, nguyên do phải phân cực cho đầu
PIR là vì bên trong nó có dùng transistor FET. R2 (100K) là điện trở lấy tín
hiệu. Tín hiệu này cho qua 2 tầng khuếch đại với IC1A và IC2B. Ở đây, người ta
dùng mạch hồi tiếp nghịch với R4 (1M), R3 (10K) và tụ C2 (10uF) để định độ
lợi cho tầng khuếch đại này (do 1M/10K = 100, nên độ lợi tầng này lấy khoảng
100), tụ C3 (0.1uF) có tác dụng ép dãy tần hẹp lại, chỉ cho làm việc ở vùng tần
thấp bỏ vùng tần cao (vì tác nhân nhiệt có quán tính lớn, thường thay đổi rất
chậm), tín hiệu lấy ra trên chân 1 cho qua điện trở giảm biên R5 (10K) và tụ liên
lạc C4 (10uF) vào tầng khuếch đại sau trên chân số 6.
Mạch dùng điện trở R6 (1M), diode D1, D2 và điện trở R7 (1M) tạo thành cầu
chia áp, nó lấy áp phân cực cho chân 5 của tầng khuếch đại và tạo điện áp mẫu
(Vref) cấp cho chân 9 (ngả vào đảo) và chân 12 (ngả vào không đảo) của 2 tầng
so áp IC1C và IC1D. Điện trở R8 (1M) và tụ C5 (0.1uF) tạo tác dụng hồi tiếp
nghịch, ổn định cho tầng khuếch đại IC1B. Tín hiệu cảm biến sau khi được

82
khuếch đại cho ra trên chân 7, rồi cùng lúc đưa vào 2 tầng so áp trên chân 10 và
chân 13. Đây là 2 tầng so áp có chu trình hồi sai, dùng tạo ra xung kích thích có
độ dóc tốt, kích vào tầng đa hài đơn ổn trong ic CD4538, diode D3 và diode D4
có công dụng cách ly tránh ảnh hưởng qua lại của 2 đường ra trên chân 8 và
chân 14.
CD 4538 là ic logic có 2 tầng đơn ổn, nó định thời gian quá độ (thời gian
trễ) theo thời hằng của điện trở R10 (1M) và tụ C6 (1uF) trên chân số 2. Xung
làm chuyển trạng thái đưa vào trên chân 4, khi chuyển mạch mức áp cao cho
xuất hiện trên chân số 6, nó sẽ kích dẫn transistor thúc Q1, và Q1 cấp dòng cho
relay để đóng các tiếp điểm lá kim. Do dùng mạch đơn ổn, định thời theo thời
hằng của R10 và tụ C6, nên chỉ sau một thời gian qui định, mạch sẽ tự trở lại
trạng thái ổn cố, Q1 sẽ tắt và relay sẽ bị cắt dòng và nhã tiếp điểm lá kim ra
Mạch có thể làm việc với mức nguồn nuôi từ 5 đến 12V (Bạn chú ý mức nguồn
nuôi để chọn loại relay cho thích hợp).
Tóm lại, khi có người đi ngang qua bộ đầu dò, nguồn thân nhiệt của người hay
con vật sẽ tác kích vào đầu dò PIR, thì relay sẽ được cấp dòng để đóng các tiếp
điểm lá kim,chúng ta có thể dùng các tiếp điểm này để mở đèn, và sau một lúc
mạch đơn ổn trở về trạng thái vốn có và đèn sẽ tự tắt. Chúng ta đã có mạch tắt
mở đèn theo "hơi người qua lại".
Tư liệu về 2 ic LM324 và CD4538 dùng trong mạch:
Hình 3. 13 Sơ đồ nguyên lý IC LM324

83
Trong ic LM324 có 4 tầng khuếch đại toán thuật (op-amp), Bạn có thể
dùng các tầng khuếch đại op-amp này để khuếch đại các tín hiệu hay dùng làm
tầng so áp
Hình 3. 14 Mạch đa hài 2 tầng
Đây là ic có 2 bộ đa hài đơn ổn, thời gian quá độ có thể xác định theo
mạch thời hằng với điện trở và tụ điện. Mạch sẽ tự trở lại trạng thái ổn cố sau
thời gian qui định. IC này rất thông dụng trong các mạch điều khiển.

84
3.3.4 Các sơ đồ mạch điện tham khảo

Sau đây là các sơ đồ tham khảo (tôi sưu tầm từ trên mạng), trong các sơ đồ này,
bộ đầu dò PIR dùng phát hiện chuyển động của các nguồn thân nhiệt của người
và con vật và cho xuất tín hiệu để đóng mở đèn hay mạch báo động, nguyên lý
làm việc cũng tương tự như mạch điện điển hình đã phân tích ở phần trên..
- Mạch 1: Mạch dùng ic HT7601B chuyên dùng cho đầu dò cảm biến PIR,
dùng làm mạch tự tắt mở đèn theo hơi người, làm việc trực tiếp với nguồn điện
AC, cho giảm áp bằng tụ và tắt mở đèn bằng TRIAC
Hình 3. 15 Mạch tắt mở đèn bằng đầu dò PIR (Dùng TRIAC, nguồn vào
AC

85
Mạch 2: Mạch dùng ic KC778B chuyên dùng cho đầu dò cảm biến PIR, dùng
làm mạch tự tắt mở đèn theo hơi người, làm việc trực tiếp với nguồn điện AC,
cho giảm áp bằng tụ và tắt mở đèn bằng TRIAC.

86
Mạch 3: Mạch dùng ic HT7601A chuyên dùng cho đầu dò cảm biến PIR, dùng
làm mạch tự tắt mở đèn theo hơi người, làm việc trực tiếp với nguồn điện AC,
cho giảm áp bằng tụ và tắt mở đèn bằng relay.
Hình 3. 16 Mạch tắt mở đèn bằng đầu dò PIR (dùng relay, nguồn vào AC)

87
- Mạch 4: Mạch dùng ic KC778B chuyên dùng cho đầu dò cảm biến
PIR, dùng làm mạch tự tắt mở đèn theo hơi người, làm việc trực tiếp với nguồn
điện AC, cho giảm áp bằng tụ và tắt mở đèn bằng tiếp điểm của relay
Hình 3. 17 Mạch cảm biến chuyển động

88
PIR, dùng làm mạch tự tắt mở đèn theo hơi người, làm việc trực tiếp với nguồn
điện DC (12V), tắt mở đèn bằng relay và có trang bị quang trở (SCd) để mạch
chỉ tác dụng trong đêm tối,
Hình 3. 18 Mạch dò PIR phát hiện người vật di chuyển ngang

89
PIR, dùng để phát hiện người theo thân nhiệt, dùng điều khiển với các loại thiết
bị cắm lỗ OUTPUT, làm việc với nguồn điện DC, có dùng quang trở (SCd) để
mạch chỉ có tác dụng trong đêm tối.
Hình 3. 19 Mạch tắt mở đèn theo cảm ứng nguồn nhiệt di động
Hình 3. 20 Mạch dò di động dùng đầu dò PIR

90
CHƯƠNG 4
THI CÔNG MÔ HÌNH
4.1 Sơ đồ nguyên lý
Hình 3. 21 Sơ đồ nguyên lý

91
4.1.1 Nguyên lý làm việc

Để đo lường nhiệt độ trong mạch dùng LM35 ây là loại cảm biến có độ chính
xác cao, tầm hoạt động tuyến tính từ 0-128 độ C, tiêu tán công suất thấp,Chuyển
đổi từ tương tự sang số dùng ic ADC8084, hiển thị dùng LCD
Tín hiệu tương tự từ chân 2 cua LM35 được đưa vào chân 6 (vin+) của
ADC0804 để chuyển thành tín hiệu số,chân 1(cs) cua ADC tích cực ở mức
thấp, R4 và C1 tạo dao động riêng cho ADC. Tín hiệu số từ ADC được đưa vào
port 3 của VDK tín hiệu ra từ port 0 được hiển thị bằng LCD.Trở treo RP1 giúp
truy nhập được ở port 0.
Tín hiệu đầu ra của cảm biến chuyển động sẽ là 0V hoặc 5V phụ thuộc vào tín
hiệu đầu vào,tức là khi đầu vào được kích thích bởi ánh sáng hồng ngoại thì đầu
ra sẽ là 5V.tín hiệu ra sẽ qua transitor Q1 khuyech đại rồi đến port 2 của
VDK,Tín hiệu ra trên port 1 của VDK qua transitor Q2 để điều khiển Relay. khi
có ánh sáng thì Relay đóng, khi ko có ánh sáng thi Relay mở. Bộ tạo giao động
cho VDK gồm C5,C6,X1.

92
KẾT LUẬN
Kết thúc thời gian thực tập được sự giúp đỡ tận tình của thầy Hoàng Văn
Quang cùng với sự cố gắng của bản thân, em đã hoàn thành xong báo cáo thực
tập của mình.
Sau khi hoàn thành thời gian thực tập, em cũng đã tìm hiểu và nắm vững hơn
kiến thức về cảm biến, đặc biệt về cảm biến chuyển động, cảm biến quang và
cảm biến nhiệt độ, em đã áp dụng được những cảm biến đó vào thực tế với mô
hình nhà thông minh
Với thời gian có hạn, hơn nữa đề tài được làm độc lập bởi một sinh viên,
phạm vi của đề tài khá rộng nên khó tránh khỏi những thiếu sót trong quá trình
hoàn tất đề tài
Cuối cùng, một lần nữa em xin gửi lời cám ơn đến tất cả các Thầy, Cô đã dậy
dỗ và cung cấp cho em nhiều kiến thức quý báu trong quá trình em theo học tại
trường

93
Tài Liệu Tham Khảo
Sách:
1. Tác giả :Dương Minh Trí, Linh Kiện Quang Điện Tử , Nxb Khoa Học Kĩ
Thuật, xb năm 1994
2. Tác giả : Nguyễn Văn Hòa, Giáo Trình Đo Lường Điện Và Cảm Biến Đo
Lường, Nxb Giáo Dục, năm 1998
3. Tác giả :Phan Quốc Phô, Giáo Trình Cảm Biến, Nxb KHKT, xb năm 2001
4. Tác giả :Ts.Hoàng Minh Công, Giáo trình Cảm biến công nghiệp, xb năm
2004
5. Author: Frank Ebel, Proximity Sensors Siegfried Nestel
Website:
http://www.hoiquandientu.com
http://www.dientuvietnam.com
http://www.tailieu.vn
http://www.ebook.edu.vn

Do An Duc 4

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Do An Duc 4

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

1

Trường Đại Học Công Nghiệp Hà Nội Khoa Điện Tử

LỜI NÓI ĐẦU................................................................................................................7

TỔNG QUAN VỀ CẢM BIẾN........................................................................................8

1.1 Khái niệm và phân loại cảm biến:...................................................................8

1.1.1 Khái niệm:....................................................................................................8

1.1.2 Phân loại cảm biến........................................................................................8

1.2 Đường cong chuẩn của cảm biến....................................................................9

1.2.1 Khái niệm.....................................................................................................9

1.2.2 Phương pháp chuẩn cảm biến.....................................................................10

1.2.2.1 Chuẩn đơn giản........................................................................................11

1.2.2.2 Chuẩn nhiều lần.......................................................................................11

1.3 Các đặc trưng cơ bản.....................................................................................12

1.3.1 Độ nhạy của cảm biến................................................................................12

1.3.2 Độ nhạy trong chế độ tĩnh và tỷ số chuyển đổi tĩnh...................................13

1.3.3 Độ nhạy trong chế độ động........................................................................13

1.4 Độ tuyến tính.................................................................................................14

1.4.1 Khái niệm...................................................................................................14

1.4.1.1 Đường thẳng tốt nhất...............................................................................15

1.4.1.2 Độ lệch tuyến tính...................................................................................15

1.4.2 Sai số và độ chính xác................................................................................16

1.4.3 Độ nhanh và thời gian hồi áp......................................................................17

1.4.4 Giới hạn sử dụng của cảm biến..................................................................18

SV: Đỗ Huy Đức – Điện tử 4 – K2

1.5 Nguyên lý chung chế tạo cảm biến................................................................19

1.5.1 Nguyên lý chế tạo các cảm biến tích cực...................................................19

1.5.2 Hiệu ứng nhiệt điện....................................................................................20

1.5.2.1 Hiệu ứng hoả điện...................................................................................20

1.5.2.2 Hiệu ứng áp điện.....................................................................................21

15.2.3Hiệu ứng cảm ứng điện từ.........................................................................21

1.5.2.4 Hiệu ứng quang điện...............................................................................22

1.5.2.5 Hiệu ứng quang - điện - từ.......................................................................22

1.5.2.6 Hiệu ứng Hall..........................................................................................22

1.5.3 Nguyên tắc chế tạo cảm biến thụ động.......................................................23

1.6 Mạch đo.........................................................................................................24

1.6.1 Sơ đồ mạch đo............................................................................................24

1.6.2 Một số phần tử cơ bản của mạch đo ..........................................................25

1.6.2.1 Bộ khuếch đại thuật toán (KĐTT) ..........................................................25

1.6.2.2 Bộ khuếch đại đo lường IA.....................................................................26

1.6.2.3 Khử điện áp lệch......................................................................................27

CƠ CẤU HIỂN THỊ......................................................................................................30

2.1 VI ĐIỀU KHIỂN...........................................................................................30

2.1.1 Tổng quan về 8051.....................................................................................30

2.1.2 Vi điều khiển AT89S52 .........................................................................31

2.1.2.1 Giới thiệu chung......................................................................................31

2.1.2.2 Cấu trúc bên trong vi điều khiển.............................................................35

SV: Đỗ Huy Đức – Điện tử 4 – K2

2.1.2.3 Hoạt động định thời của AT89S52..........................................................36

2.1.2.4 Các thanh ghi của bộ định thời................................................................36

2.1.2.5 Các chế độ định thời của timer 1 và timer 0............................................39

2.1.2.6 Tổ chức ngắt của AT89S52

2.2 HIỂN THỊ NHIỆT ĐỘ BẰNG LCD.............................................................44

2.2.1 Phân loại LCD............................................................................................44

2.2.2 Giới thiệu sơ đồ chân LCD.........................................................................45

2.2.3 Khả năng hiển thị của LCD........................................................................46

2.2.4 Nguyên tắc hiển thị kí tự trên LCD............................................................48

2.3 GIAO TIẾP VỚI BỘ HIỂN THỊ TƯƠNG TỰ-SỐ(ADC)...........................49

2.3.1 Giới thiệu về ADC......................................................................................49

2.3.2 Tìm hiểu về ADC 0804.............................................................................49

CẢM BIẾN SỬ DỤNG TRONG MÔ HÌNH..................................................................53

3.1 CẢM BIẾN ĐO NHIỆT ĐỘ.........................................................................53

3.1.1 Phân loại cảm biến nhiệt ..........................................................................53

3.1.2 Cặp nhiệt điện ( Thermocouples )..............................................................54