BÀI TẬP CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ

. Một linh kiện bán dẫn Si cần có lớp cấy ion tạp chất B nồng độ cực đại 1017 cm-3 ở
độ sâu 0,3 µm. Tính năng lượng và liều lượng của các ion được cấy vào. Nếu coi đế Si
loại n có nồng độ đế CB =1015 cm-3, hãy tính chiều sâu của lớp chuyển tiếp p-n.
2. Dòng ion cấy vào mẫu bán dẫn thường có cường độ cỡ 2 mA. Hỏi cần thời gian bao
lâu để cấy các ion O+ vào mẫu cho đến liều lượng 1013 cm-2 ?
3. Một MOSFET được điều chỉnh điện áp ngưỡng bằng cách cấy các ion B năng lượng
30 kV. Nếu chiều dày lớp SiO2 cực cửa là 150 Å, hãy tính phần trăm các ion B cấy vào
lớp ô xit đó trong tổng số các ion được cấy (dùng gần đúng x << Rp cho phân bố Gauss).
4. Người ta cấy các ion B11 năng lượng 30 kV vào đế Si sạch. Tính:
a) Chiều sâu từ bề mặt mẫu của đỉnh phân bố tạp chất.
b) Nồng độ tạp chất tại đỉnh phân bố.
c) Nồng độ tạp chất tại chiều sâu 0,3 µm.
d) Nồng độ tạp chất đo được tại chiều sâu 0,3 µm lớn hơn một bậc so với giá trị tính
toán, mặc dụ các số liệu phân bố tạp chất theo các mục a) và b) vẫn đúng. Hãy giải thích
lý do.
5. Các ion B11 năng lượng 100 kV được cấy vào phiến Si có đường kính 200 mm với
liều lượng 5.1014 cm-2. Tính nồng độ tạp chất cực đại và dòng ion cần có cho thao tác
cấy ion kéo dài 1 phút.
6. Phiến GaAs đường kính 100 mm được cấy ion Zn năng lượng 100 kV trong 5 phút
bằng dòng có cường độ 10 µA. Xác định liều lượng cấy ion, nồng độ tạp cực đại và chiều
sâu ứng với giá trị nồng độ đó

1. Khuếch tán B vào Si ở nhiệt độ 1000 ºC được thực hiện trong 1 giờ, với nồng độ B
ở bề mặt được giữ không đổi 1019 cm-3. Tìm tổng số tạp chất đã khuếch tán vào Q(t),
gradient nồng độ tạp tại bề mặt và tại độ sâu có C(x) = 1015 cm-3.
ĐS: Q(t) = 9,5.1015 cm-2; (dC/dx)x=0 = - 6,7.1023 cm-4; (dC/dx)x=0,466 µm = -
3,5.1020 cm-4.
2. (*) Arsen (As) được khuếch tán ngưng đọng từ khí arsin AsH3 và tạo ra tổng số các
nguyên tử tạp 1014 cm-2. Cần khuếch tán vào trong bao lâu để đạt chiều sâu lớp khuếch
tán 1 µm? Giả thiết nhiệt độ khuếch tán 1200 ºC, nồng độ tạp chất trong đế 1015 cm-3,
hệ số khuếch tán của As Do = 24 cm2/s, năng lượng hoạt hóa Ea = 4,08 eV.
ĐS: t = 1190 s hay t ≈ 20 phút
3. Giả sử rằng phân bố tạp chất P trong Si có thể biểu diễn bằng hàm phân bố Gauss
với hệ số khuếch tán D = 2,3.10-12 cm2/s. Nồng độ tạp bề mặt đo được là Cs = 1015 cm-
2, chiều sâu lớp khuếch tán 1 µm với nồng độ tạp chất trong đế CB = 1015 cm-3. Hãy
tính thời gian khuếch tán và tổng số các nguyên tử tạp chất P đã khuếch tán vào trong Si.

Ô xy hóa
1. Tính chiều dày lớp SiO2 tạo thành trong quá trình ô xy hóa ẩm ở nhiệt độ 920 ºC
trong 120 phút. Cho rằng, lớp SiO2 ban đầu có chiều dày 1000 Å.
ĐS: tox ≈ 0,48 µm.
2. Trên đế Si sạch cần tạo lớp SiO2 cực cửa của MOS FET với chiều dày 1000 Å. Cho
biết thời gian và quy luật tạo thành lớp SiO2 đó trong hai trường hợp ô xy hóa khô và ẩm.
3. Mẫu Si được ô xy hóa 1 giờ trong O2 khô ở 1200 ºC. Hỏi chiều dày lớp SiO2 được
tạo thành. Nếu muốn tạo thêm một lớp SiO2 dày 0,1 µm bằng ô xy hóa ẩm ở cùng nhiệt
độ thì cần thêm bao nhiêu thời gian?
ĐS: tox = 0,196 µm; t = 0,067 h = 4,53 min.
4. Đế p-Si <100> được đặt trong buồng ô xy hóa ẩm ở nhiệt độ 1050 ºC để tạo thành lớp
SiO2 dày 0,45 µm. Xác định thời gian ô xy hóa.
5. Sau khi ô xy hóa ẩm như ở bài 4, người ta mở cửa sổ (tẩy lớp SiO2 một diện tích nhất
định) rồi thực hiện ô xy hóa khô trong 20 phút ở 1000 ºC để tạo lớp ô xit cực cửa. Xác
định chiều dày lớp SiO2 cực cửa và lớp ô xit ở vùng còn lại.
6. Đối với các MOSFET có kích thước (chiều dài kênh dẫn) dưới 1 µm, người ta đôi khi
cần những lớp SiO2 cực cửa chiều dày ~ 100 Å. Mặc dù ô xy hóa ở nhiệt độ cao rất khó
khống chế những chiều dày lớp SiO2 như vậy, nhưng đó vẫn là biện pháp công nghệ
được ưa chuộng. Hãy giải thích tại sao.