Elektronika Knjiga I Zadaci

Julijan ribar Julijana Divkovi-Pukec
ELEKTRONIKI ELEMENTI
zbirka rijeenih zadataka i izvoda
I dio
Zagreb, 1996.
Sva prava pridrana. Nijedan dio ovog teksta ne smije se preslikavati niti umnaati na bilo koji nain, bez pismenog doputenja nakladnika. Za dodatne obavijesti o doputenju, kontaktirajte autore: Julijan ribar ili Julijana Divkovi Pukec Copyright 1997 by Julijan ribar and Julijana Divkovi Pukec
All rights reserved. No part of this text may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronical, mechanical, photocopying, recording or otherwise, without prior written permission of the publisher. For more information on getting permission, contact the authors: Julijan ribar or Julijana Divkovi Pukec Copyright 1997 by Julijan ribar and Julijana Divkovi Pukec
http://www2.zemris.fer.hr/~uli/zbirkaEng.html
Predgovor
Ova zbirka zadataka prvenstveno je namijenjena studenticama i studentima Fakulteta elektrotehnike i raunarstva u Zagrebu za lake savladavanje gradiva iz predmeta Elektroniki elementi koji se na toj ustanovi predaje ve niz godina. U tom predmetu studenti stjeu osnovna znanja o fizikalnim svojstvima poluvodia, te svojstvima pn-dioda, bipolarnih i unipolarnih tranzistora. Ova zbirka pokriva polovicu gradiva, podijeljenu u dvije cjeline: 1. Osnovna svojstva poluvodia i 2. PN-spoj i pndioda. U prvoj cjelini obraena su osnovna fizikalna svojstva intrinsinih i dopiranih poluvodia. Iako se cijela zbirka bavi praktiki samo silicijem kao najrairenijim poluvodiem, u prvom dijelu spominju se i neka svojstva germanija i galij-arsenida. Pri kraju prve cjeline ukratko su obraeni osnovni postupci pri izradi poluvodikih komponenti. Drugi dio zbirke analizira osnovna svojstva pn-spoja i pn-dioda. Na kraju svakog poglavlja u zbirci nalazi se obino po nekoliko jednostavnijih zadataka samo s konanim rjeenjima, tematski vezanih uz poglavlje, a namijenjenih za utvrivanje prijeenog gradiva. Oba dijela zakljuuju nizovi sloenijih zadataka za samostalno rjeavanje, koji studentici ili studentu trebaju posluiti za provjeru steenog znanja. Na kraju zbirke navedena je literatura koja je koritena pri sastavljanju zadataka i pisanju Zbirke. Popis literature podijeljen je na knjige i na lanke u asopisima, a oba dijela su svrstana po abecednom slijedu prezimena autora. esto se u tekstu pozivamo na neki podatak, tvrdnju ili cijeli zadatak iz literature. To referiranje oznaeno je uglatom zagradom unutar koje je navedeno prezime prvog autora i zadnje dvije znamenke godine izdanja (npr. [Shockley49]). Budui da je literatura svrstana po abecedi, ovakav nain oznaavanja olakava pronalaenje reference. Kako ve dulje vrijeme ne postoji udbenik niti zbirka zadataka na hrvatskom jeziku za navedeni predmet (posljednje izdanje vrlo dobre knjige prof. B. Juzbaia Elektroniki elementi tiskano je prije vie od deset godina), nastojali smo da ovo ne bude klasina zbirka zadataka sa suhoparnim matematikim postupcima rjeavanja, pa su rjeenja zadataka popraena komentarima kroz koje smo pokuali doarati i fizikalnu sliku. Neki od zadataka su potpuno teoretske naravi i ukljuuju matematike izvode vanijih formula. Iako svako poglavlje zapoinje kratkim teoretskim uvodom, glavnina fizikalnih objanjenja sadrana je u tekstu rjeenja. Uz rjeenja zadataka esto su priloeni izvorni crtei kojima smo nastojali uiniti fizikalnu sliku to zornijom. Cjelokupni brojani prorauni pri sastavljanju zadataka napravljeni su pomou depnog raunala, s tonou na vie od deset znamenki. Radi preglednosti, svi meurezultati i konani rezultati u zbirci iskazani su samo sa tri znamenke, pri emu je trea znamenka zaokruena prema uobiajenim matematikim pravilima. Ponegdje u tekstu mogu se nai napomene (fusnote) oznaene kriiem ( ili ). Zvjezdicom (*) su oznaeni zadaci ili cijela poglavlja koji se pri prvom itanju mogu preskoiti, jer nisu neophodni za daljnje razumijevanje gradiva. Jedan od glavnih problema pri sastavljanju zbirke bio je odabir empirikih konstanti. esto rezultati neke formule koju daje teorija ne odgovaraju stvarnim
J. ribar, J. Divkovi-Pukec: Elektroniki elementi - zbirka zadataka
ii
Predgovor
vrijednostima, bilo zbog namjernih zanemarenja pri izvodu formule, bilo zbog nepoznavanja svih faktora koji utjeu na odreenu veliinu. Tendencija u predmetu Elektroniki elementi, pa i u mnogim knjigama iz ovog podruja je da se kod rjeavanja problema koriste formule koje daju rezultate u skladu sa stvarnim, eksperimentalnim rezultatima. Stoga se esto koriste potpuno empirijske formule ili formule iji se funkcijski oblik zasniva na teorijskim postavkama, ali su faktori u tim formulama prilagoeni eksperimentalnim podacima. U zbirci smo nastojali koristiti aproksimacije koje su najrasprostranjenije u literaturi, pri emu je ponekad trebalo raditi kompromis izmeu tonosti aproksimacije i njene glomaznosti za svakodnevnu upotrebu. Takoer, ponekad se te aproksimacije temelje na bitno razliitim eksperimentalnim rezultatima, pa je bilo teko odluiti se koji izraz koristiti i pitanje je da li je odabrana aproksimacija ona prava. Pri oznaavanju fizikalnih veliina i jedinica nastojali smo koristiti oznake uobiajene u literaturi iz ovog podruja i usklaene s preporukama meunarodnih organizacija za standardizaciju navedenim u knjiici: T. Cvita, N. Kallay, Fizike veliine i jedinice meunarodnog sustava, Hrvatsko kemijsko drutvo, Zagreb, 1975. Izuzetak je oznaka za elektrino polje; da bi se razlikovala od uobiajene oznake za energiju koritena je nestandardna oznaka , koja se esto koristi u knjigama iz ovog podruja (npr. [Grove67, Lindmayer65, Sze81, Ghandi68]). Simboli za fizikalne veliine pisani su kurzivom (kosa slova), simboli za vektorske veliine kosim polumasnim slovima (polumasni kurziv), dok su jedinice pisane uspravnim slovima. Formule i oznake fizikalnih veliina na slikama, odnosno u tablicama takoer su pisane u skladu s preporukama iz navedene knjiice, tako da odgovaraju ustaljenim pravilima algebre. Na primjer, osi na grafovima ili naslovi stupaca u tablicama oznaavani su razlomcima, tako da se u brojniku obino nalazi fizikalna veliina, a u nazivniku njena jedinica. Brojane vrijednosti na osi ili u tablici su onda bezdimenzionalni brojevi. Iako je ovaj nain oznaavanja rijedak u literaturi, on je matematiki jedini korektan. Nadamo se da e ova zbirka posluiti svojoj svrsi. Iako je ovo ve tree izdanje Zbirke u kojem su ispravljene pogreke uoene u prvim izdanjima, svjesni smo da ima jo dosta greaka. Zbog toga e svaka opaska, ispravka ili kritika itatelja dobro doi boljoj kvaliteti sljedeih izdanja. Zahvaljujemo se svima koji su izravno ili posredno pomogli pri izradi ove zbirke. Posebno se zahvaljujemo doc. dr. sc. eljku Butkoviu na korisnim diskusijama, prijedlozima, kao i na pomoi pri nabavci literature. Kolega Butkovi je i autor nekoliko zadataka u zbirci. Zahvaljujemo se studentima Minei Filipec, Borisu Motiku i Aljoi ribaru koji su provjerili rjeenja zadataka i dali vrlo korisne primjedbe na prvu verziju teksta. Takoer se zahvaljujemo kolegama sa Zavoda za elektroniku, mikroelektroniku, raunalne i inteligentne sustave na iskazanoj podrci: mr. sc. Goranu Zeliu, mr. sc. Ivanu Seksi, Igoru Kroisu dipl. in., Krunoslavu Martiniu dipl. in. i Mladenku Vukiu dipl. in. Kolega Dalibor Grgec uoio je i upozorio nas na niz pogreaka u prvim izdanjima, na emu mu se zahvaljujemo. Znaajnu pomo pri dobavi literature pruili su nam osim navedenih kolega i dr. sc. eljka Matutinovi (Princeton University), dr. sc. Branimir Pejinovi (Portland State University), Tin Ilakovac dipl.
Predgovor
iii
in. (Institut Ruer Bokovi), mr. sc. Joef Ferec (RIZ), te mr. sc. eljka Perkovi i dr. sc. Ratko Magjarevi (Fakultet elektrotehnike i raunarstva). Izrada crtea 1.1a ne bi bila mogua bez pomoi mr. sc. Davora Grgia, Tomislava Bajsa dipl. in. i Srana palja dipl. in. s Fakulteta za elektrotehniku i raunarstvo, koji su pritom dali na raspolaganje neophodnu opremu. Cjelokupnu tehniku pripremu zbirke, ukljuujui pripremu i upis teksta, pripremu i izradu svih crtea, te pripremu za tisak napravio je Julijan ribar. Zavrni tekst je proitala, te mnoge pravopisne i gramatike pogreke ispravila prof. Lolita ribar, na emu joj se posebno zahvaljujemo. Autori
Sadraj
1. OSNOVNA SVOJSTVA POLUVODIA
1.0. 1.1. 1.2. 1.3.
Uvod ......................................................................................................1 irina zabranjenog pojasa ..................................................................6 Raspodjele elektrona i upljina po energijama.................................9 Koncentracije elektrona i upljina....................................................16
1.3.1. Zakon termodinamike ravnotee.......................................................16 1.3.2. Zakon elektrine neutralnosti..............................................................21
1.4. 1.5.
Poloaj Fermijevog nivoa..................................................................36

1.4.1. Elektrokemijski i elektrostatski potencijali...........................................45
Gibanje nosilaca ................................................................................49

1.5.1. Driftna i difuzijska struja nosilaca........................................................50 1.5.2. Pokretljivost nosilaca i difuzijska konstanta ........................................53 1.5.3. Elektrina provodnost i elektrina otpornost poluvodia.....................58
1.6.
Rekombinacijski procesi...................................................................71
1.6.1. Izravna rekombinacija izmeu valentnog i vodljivog pojasa ...............71 1.6.2. Rekombinacija kroz energetske zamke u zabranjenom pojasu..........72 1.6.3. Povrinska rekombinacija ...................................................................81
1.7.
Temeljne jednadbe u poluvodiima ...............................................83

1.7.1. Poissonova jednadba........................................................................83 1.7.2. Transportne jednadbe.......................................................................86 1.7.3. Jednadbe kontinuiteta.......................................................................91
1.8. 1.9.
Nehomogeni poluvodii ..................................................................105 Degeneracijski efekti .......................................................................112

1.9.1. Suenje zabranjenog pojasa ............................................................112 1.9.2. Transportne jednadbe u degeneriranom poluvodiu ......................114
1.10. Osnove planarne tehnike na siliciju...............................................118

1.10.1. Difuzijski postupak ............................................................................121 1.10.2. Ionska implantacija ...........................................................................135
Zadaci za samostalno rjeavanje.............................................................139

Rjeenja ........................................................................................................144
2. pn-SPOJ I pn-DIODA
2.0. 2.1. 2.2.
147
Uvod ..................................................................................................147 Kontaktni potencijal.........................................................................148 Raspodjela potencijala i elektrinog polja u barijeri ....................153
v
vi
Sadraj
2.3. 2.4.
Barijerni kapacitet............................................................................166 Strujno-naponske karakteristike ....................................................176

2.4.1. Shockleyeva jednadba....................................................................176 2.4.2. Utjecaj ugraenog elektrinog polja na strujno-naponske karakteristike.....................................................................................212 2.4.3. Utjecaj degeneracijskih efekata na strujno-naponske karakteristike.....................................................................................216
2.5.
Dinamika svojstva pn-diode .........................................................218

2.5.1. Dinamiki otpor .................................................................................218 2.5.2. Nakrcani naboj manjinskih nosilaca .................................................226 2.5.3. Difuzijska admitancija i difuzijski kapacitet .......................................234
2.6.
Prijelazne pojave u pn-diodi ...........................................................248

Rjeenja ........................................................................................................267
Zadaci za samostalno rjeavanje.............................................................258
Prilog A: Odreivanje korijena jednadbe iteracijskim postupkom ........273 Prilog B: Rjeenja difuzijske jednadbe za difuzije iz neogranienog i ogranienog izvora..........................................276
Difuzija iz ogranienog izvora........................................................................277 Difuzija iz neogranienog izvora....................................................................277
Prilog C: Komplementarna funkcija pogreke...........................................279
LITERATURA
281
Knjige ........................................................................................................281 lanci u asopisima.................................................................................283
Popis ee koritenih oznaka

C CB Cd D D dB E EA Ea Ec ED EF EG ET Ev F1/2 f f G gd h I Id If IS J Jd Jf k kapacitet barijerni kapacitet difuzijski kapacitet difuzijska konstanta nosilaca naboja difuzijski koeficijent primjesnih atoma irina barijere energija energija akceptorskog nivoa energija aktivacije energija dna vodljivog pojasa energija donorskog nivoa energija Fermijevog nivoa irina zabranjenog pojasa energetski ekvivalent temperature energija vrha valentnog pojasa elektrino polje Fermijev integral reda 1/2 Fermi-Diracova funkcija vjerojatnosti frekvencija mjera za generaciju parova elektron-upljina dinamika vodljivost Planckova konstanta, h = 6,6261034 Js jakost elektrine struje jakost difuzijske struja jakost driftne struja reverzna struja zasienja gustoa elektrine struje gustoa difuzijske struje gustoa driftne struje Boltzmannova konstanta, k = 1,3811023 J/K
Ako nije posebno navedeno, indeksi n i p se odnose na veliine vezane uz elektrone i upljine, odnosno n-tip i p-tip.
vii
viii
L m m0 mc* mv* N N0 NA NA Nc ND ND+ Nv n n0 n0p ni np0 p p0 p0n pn0 Q Q q R rd rs S s T t U UK UT
difuzijska duljina nosilaca naboja masa masa mirovanja elektrona, m0 = 9,1091031 kg efektivna masa elektrona u vodljivom pojasu efektivna masa upljina u valentnom pojasu neto koncentracija primjesa povrinska koncentracija primjesnih atoma koncentracija akceptorskih atoma koncentracija jednostruko ioniziranih akceptorskih atoma efektivna gustoa kvantnih stanja u vodljivom pojasu koncentracija donorskih atoma koncentracija jednostruko ioniziranih donorskih atoma efektivna gustoa kvantnih stanja u valentnom pojasu koncentracija elektrona ravnotena koncentracija elektrona ravnotena koncentracija elektrona u p-tipu poluvodia intrinsina koncentracija nosilaca naboja koncentracija elektrona u p-tipu poluvodia uz povrinu ili uz rub pn-barijere koncentracija upljina ravnotena koncentracija upljina ravnotena koncentracija upljina u n-tipu poluvodia koncentracija upljina u n-tipu poluvodia uz povrinu ili uz rub pn-barijere naboj povrinska gustoa primjesnih atoma tijekom redistribucije elementarni naboj (naboj elektrona), q = 1,6021019 C mjera neto generacije/rekombinacije nosilaca naboja dinamiki otpor serijski otpor povrina brzina povrinske rekombinacije nosilaca temperatura vrijeme napon kontaktni potencijal naponski ekvivalent temperature
Popis ~e{}e kori{tenih oznaka
ix
UTOT v vf w xj yd
ukupni napon na pn-spoju brzina driftna brzina nosilaca naboja irina dubina pn-spoja difuzijska admitancija permitivnost (dielektrina konstanta) relativna permitivnost permitivnost vakuuma, 0 = 8,8541014 F/cm pokretljivost nosilaca naboja elektrina otpornost (specifini elektrini otpor) prostorna gustoa naboja funkcija gustoe kvantnih stanja u vodljivom pojasu funkcija gustoe kvantnih stanja u valentnom pojasu elektrina provodnost (specifina elektrina vodljivost) vrijeme ivota nosilaca naboja Fermijev (elektrokemijski) i kvazi-Fermijev potencijal afinitet elektrona elektrostatski potencijal kruna frekvencija
r 0 c v
Oznake hiperbolnih funkcija

sinh cosh tanh coth arsinh artanh arcoth sinus hiperbolni kosinus hiperbolni tangens hiperbolni kotangens hiperbolni area sinus hiperbolni area tangens hiperbolni area kotangens hiperbolni
arcosh area kosinus hiperbolni
Grki alfabet

alfa beta gama delta epsilon zeta eta theta
jota kapa lambda mi ni ksi omikron pi
ro sigma tau ipsilon fi hi psi omega
1. OSNOVNA SVOJSTVA POLUVODIA

1.0. Uvod
Valentni elektroni u metalima su slabo vezani za matine atome, te se pod utjecajem i najmanjeg elektrinog polja slobodno gibaju kroz materijal. U energetskom dijagramu to se predoava preklapanjem valentnog i vodljivog pojasa. Naprotiv, kod izolatora atomi materijala formiraju vrstu kovalentnu vezu, koju je veoma teko razbiti. Da bi se elektron mogao osloboditi od matinog atoma potrebno je uloiti relativno velik iznos energije (vei od priblino 3 eV), pa u energetskom dijagramu izmeu valentnog i vodljivog pojasa postoji relativno iroki zabranjeni pojas. Sva energetska stanja u valentnom pojasu su popunjena, dok su energetska stanja u vodljivom pojasu potpuno prazna. U poluvodiima je kovalentna veza meu susjednim atomima umjereno jaka. Na temperaturi apsolutne nule (T = 0 K) svi elektroni u valentnim ljuskama su vezani za svoje matine atome, pa nema slobodnih elektrona koji bi omoguili protok struje. U energetskom prikazu sva su energetska stanja u valentnom pojasu popunjena, dok je vodljivi pojas potpuno prazan. Na slici 1.1a prikazana je osnovna elija kristalne reetke najrairenijeg poluvodia - silicija. Svaki atom silicija vezan je sa etiri susjedna atoma
Slika 1.1a. Osnovna elija plono-centrirane kubne kristalne reetke silicija (prema [Blakemore74, Kittel76]).
1. Osnovna svojstva poluvodia
b)
c)
Slika 1.1. b) Dvodimenzionalni prikaz kristalne reetke silicija. c) Atom silicija sa etiri valentna elektrona.
(na slici je jedan od atoma zajedno sa etiri susjeda prikazan tamnije, unutar crtkane kocke) i dijeli s njima svoja etiri valentna elektrona, ostvarujui tako kovalentnu vezu. Na slici 1.1b dan je ploni prikaz kristalne reetke silicija u kojem su nacrtana i po etiri valentna elektrona pojedinih atoma silicija (slika 1.1c). Jednaku kristalnu strukturu ima i germanij, dok ostali poluvodii, poput galij-arsenida ili indij-fosfida, imaju vrlo slinu kristalnu strukturu. Na temperaturama razliitim od temperature apsolutne nule termika titranja kristalne reetke dovoljna su da se neke veze meu atomima razbiju. Razbijanjem veze elektron se oslobaa od matinog atoma, to e omoguiti protok elektrine struje. Istovremeno, prekinutoj kovalentnoj vezi nedostaje elektron, to se simbolizira upljinom, nosiocem pozitivnog jedininog naboja. Valentni elektroni iz susjednih kovalentnih veza mogu uskoiti na mjesto upljine, dodatno doprinosei elektrinoj vodljivosti poluvodia. Opisani proces nastanka elektrona i upljine naziva se generacija nosilaca. Na slici 1.2 simboliki je prikazana generacija para elektronupljina (oznaka 1). S porastom temperature, raste energija termikih titraja kristalne reetke, pa raste i broj termiki generiranih parova elektron-upljina, a time i elektrina vodljivost poluvodia. Tijekom gibanja kroz kristalnu reetku (2 na slici 1.2), osloboeni elektron e negdje u kristalnoj reetki naletjeti na prethodno razbijenu valentnu vezu koju e dopuniti. Time e ponititi upljinu koja je na tom mjestu u tom trenutku postojala. Taj proces naziva se rekombinacija nosilaca (oznaeno s 3 na slici 1.2). Uvoenje upljine kao pozitivno nabijene estice omoguava da se umjesto gibanja velikog broja elektrona u valentnom pojasu, prati gibanje relativno malog broja upljina u suprotnom smjeru.
Gibanje upljina moe se usporediti s gibanjem mjehuria zraka u tekuini: iako je tekuina ta koja se giba, jednostavnije je promatrati gibanje mjehuria u suprotnom smjeru [Grove67].
1.0. Uvod
upljina
1 2' 2 3
vodljivi pojas
elektron
Ec
1
zabranjeni pojas
EG Ev
valentni pojas
a)
2'
smjer gibanja upljine
upljina
b)
Slika 1.2. Generacija i rekombinacija para elektron-upljina: a) prikaz u dvodimenzionalnoj kristalnoj reetki; b) u energetskom dijagramu.
U energetskom dijagramu, oslobaanje elektrona od matinog atoma predoava se preskokom elektrona iz valentnog pojasa u vodljivi pojas (slika 1.2b). Elektron pri dnu vodljivog pojasa ima samo potencijalnu energiju. Pod djelovanjem elektrinog polja on e dobiti odreeni iznos kinetike energije, to e omoguiti protok elektrine struje. Porast kinetike energije elektrona u energetskom dijagramu odgovara udaljavanju elektrona od dna vodljivog pojasa prema gore. Naprotiv, porast kinetike energije upljina odgovara udaljavanju od vrha valentnog pojasa prema dolje. Ako je poluvodi potpuno ist, tj. ako je koncentracija drugih atoma u kristalu poluvodia zanemariva, tada slobodni elektroni i upljine nastaju iskljuivo opisanim postupkom generacije parova elektron-upljina. Stoga su ravnotene koncentracije elektrona i upljina u takvom poluvodiu meusobno jednake, a takav poluvodi zovemo intrinsinim poluvodiem. Dodavanjem odreenih primjesa u kristalnu reetku poluvodia, mijenjaju se i njegova elektrina svojstva. Ako te primjese poveavaju koncentraciju slobodnih elektrona, onda govorimo o donorskim primjesama, a za poluvodi u kojem je koncentracija elektrona vea od koncentracije upljina kaemo da je (ekstrinsini) poluvodi n-tipa. U siliciju i germaniju, koji su etverovalentni elementi (tj. imaju etiri elektrona u valentnoj ljusci), koncentraciju elektrona poveavaju peterovalentni elementi, npr. fosfor ili arsen. Budui da oni u valentnoj ljusci imaju pet elektrona, a etiri su im dovoljna za formiranje kovalentne veze sa susjednim atomima poluvodia, peti (suvini) elektron e biti vrlo slabo vezan za matini atom, te e biti dovoljna vrlo mala energija ionizacije da se on oslobodi (slika 1.3a). Naravno, kada ga elektron napusti, primjesni atom e postati pozitivni (donorski) ion. On je na sobnoj temperaturi zamrznut u kristalnoj reetki silicija, pa ne doprinosi vodljivosti poluvodia.
slobodni elektron nastao ionizacijom donora energija ionizacije pokretni elektroni donorski ion
Ec ED
Ev
donorski ioni
a)
b)
Slika 1.3. Poluvodi n-tipa: a) pojednostavljeni dvodimenzionalni prikaz kristalne reetke; b) energetski dijagram.
Prisutnost donorskog atoma u poluvodiu predoava se u energetskom dijagramu diskretnim stanjima unutar zabranjenog pojasa poluvodia, vrlo blizu vrhu zabranjenog pojasa (slika 1.3b). Budui da je za tipine donorske primjese energija ionizacije neophodna da bi elektroni uskoili u vodljivi pojas vrlo mala (10 do 50 meV), na sobnoj temperaturi (T = 300 K) su gotovo svi primjesni atomi ionizirani. Poluvodi p-tipa, u kojem je koncentracija upljina vea od koncentracije elektrona, dobiva se dodavanjem akceptorskih primjesa. U siliciju i germaniju akceptorske primjese su uglavnom trovalentni elementi, npr. bor. Kako ti elementi imaju samo tri elektrona u valentnoj ljusci, za ostvarivanje vrste kovalentne veze sa susjednim atomima poluvodia nedostaje jedan elektron. Takav atom e stoga vezati za sebe jedan od elektrona koji bi inae preskoio iz valentnog u vodljivi pojas, odnosno onemoguit e generiranje slobodnog elektrona u paru elektron-upljina (slika 1.4a). Prihvaanjem dodatnog elektrona, akceptorski atom postaje negativni ion. Za tipine akceptorske primjese je energija ionizacije vrlo mala (10 do 50 meV), pa su na sobnim temperaturama gotovo svi akceptori ionizirani. U energetskom dijagramu poluvodia akceptori unose stanja u zabranjeni pojas, vrlo blizu dna zabranjenog pojasa (slika 1.4b). U sloenim poluvodiima (engl. compound semiconductors), koji se sastoje od spojeva tro- i peterovalentnih elemenata (III-V poluvodii, poput galij-arsenida GaAs, galij-fosfida GaP), odnosno dvo- i esterovalentnih elemenata (II-VI poluvodii, poput cink-sulfida ZnS), kemijska veza ostvaruje se tako da atom komponente koja ima vei broj elektrona u valentnoj ljusci ustupa viak valentnih elektrona komponenti s niom valentnou (slika 1.5a). Donorske primjese u sloenim poluvodiima su elementi koji imaju viu valentnost od komponente koju nadomjetaju u kristalnoj reetki, a akceptorske primjese imaju niu valentnost od komponente koju nadomjetaju. Na slici 1.5b prikazan je donorski atom esterovalentnog sumpora koji je nadomjestio
1.0. Uvod
upljina nastala ionizacijom akceptora
akceptorski ioni
akceptorski ion
Ec
EA Ev
pokretne upljine energija ionizacije
a)
b)
Slika 1.4. Poluvodi p-tipa: a) pojednostavljeni dvodimenzionalni prikaz kristalne reetke; b) energetski dijagram.
peterovalenti arsen u kristalnoj reetki galij-arsenida. esti valentni elektron sumpora je u kemijskoj vezi s okolnim atomima galija slabo vezan za matini atom i lako se moe osloboditi. Zanimljivo je uoiti da etverovalentni elementi, poput silicija i germanija, mogu u III-V poluvodiima biti i donorske primjese (ako nadomjeste trovalentnu komponentu) i akceptorske primjese (ako nadomjeste peterovalentnu komponentu).
peti elektron kojeg je arsen "posudio" galiju
donorski ion sumpora
As+ Ga-
S ++
a)
b)
Slika 1.5. Pojednostavljeni dvodimenzionalni prikaz kristalne reetke galij-arsenida: a) intrinsini poluvodi; b) poluvodi n-tipa.
1.1. irina zabranjenog pojasa

irine zabranjenog pojasa za najee koritene poluvodie (silicij, germanij i galijarsenid) navedene su u tablici 1.1. Temperaturna ovisnost irine zabranjenog pojasa za te poluvodie moe se opisati funkcijom [Thurmond75]
T2 , (1.1) T+ gdje su i empirike konstante, dane u tablici 1.1. Kako se iz grafikog prikaza funkcije (1.1) na slici 1.6 vidi, zabranjeni pojas silicija, germanija i galij-arsenida se s
E G (T ) = E G (0)
Tablica 1.1. irine zabranjenog pojasa za silicij, germanij i galijarsenid [Thurmond75].
poluvodi Si Ge GaAs
E G (0 K) eV
E G (300 K) eV
eV K 1
4,73104 4,77410 5,40510
4 4
K
636 235 204
1,170 0,7437 1,519
1,12 0,66 1,42
porastom temperature suava. Kod nekih drugih poluvodia (npr. olovo-sulfid PbS) irina zabranjenog pojasa raste s temperaturom [Sze81].
1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6
GaAs
EG eV
Si
Ge
200
400
600
800
T/K
Slika 1.6. Temperaturna ovisnost irine zabranjenog pojasa za silicij, germanij i galij-arsenid [Thurmond75].
1.1. irina zabranjenog pojasa
Za silicij ovisnost irine zabranjenog pojasa silicija o temperaturi najee se aproksimira tonijim izrazima [Gaensslen79, Selberherr89]
2 T T , za T 170 K 117 1,059 10 5 6,05 10 7 , E G (T ) K K . (1.2) = 2 eV 11785 9,025 10 5 T 3,05 10 7 T , za T > 170 K , K K Uvrtavanjem temperature u kelvinima, dobit emo irinu zabranjenog pojasa u elektronvoltima.
Zadatak 1.1
Odrediti promjenu irine zabranjenog pojasa silicija sa temperaturom u rasponu temperatura od 0 K do 500 K. Linearizirati ovisnost irine zabranjenog pojasa o temperaturi u okoliu temperature T = 300 K, te utvrditi u kojem intervalu temperatura je odstupanje od tonih vrijednosti manje od 1%.
Rjeenje:
Pomou izraza (1.2) dobivene su vrijednosti za traeno podruje temperatura u tablici 1.2, na osnovu kojih je nacrtana krivulja na slici 1.7. Na temperaturi T = 300 K povuena je tangenta na krivulju EG (T). Dobiven je pravac (1.3) E G (T ) = E G 0 + a T , pri emu je a nagib tangente na krivulju EG (T) u T = 300 K, a E'G 0 = E'G (T = 0 K) je presjecite tangente s osi energije. Deriviranjem funkcije (1.2) i uvrtavanjem vrijednosti za T = 300 K, dobiva se linearna aproksimacija za irinu zabranjenog pojasa u okoliu temperature od 300 K
E G (T ) T = 1,206 2,733 10 4 . K eV
Tablica 1.2. Temperaturna ovisnost irine zabranjenog pojasa silicija.
T K
EG eV
EG eV
EG EG EG
(1.3a)
U tablici 1.2 dane su i vrijednosti E'G (T), kao i postotno odstupanje ovih vrijednosti u odnosu na EG (T). Kao to se iz tablice, odnosno sa slike 1.7 vidi, u podruju temperatura od 150 K do 450 K moemo sa zadovoljavajuom tonou u proraunima koristiti i mnogo jednostavniju linearnu ovisnost irine zabranjenog pojasa o temperaturi. Stoga emo u svim daljnjim proraunima za silicij koristiti izraz (1.3). Da smo umjesto funkcije (1.2) koristili funkciju (1.1), deriviranjem bismo dobili koeficijent smjera T a= (T + 2 ) , (1.4) (T + ) 2
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
1,170 1,169 1,165 1,158 1,148 1,137 1,124 1,110 1,094 1,076 1,057
1,206 1,192 1,179 1,165 1,151 1,138 1,124 1,110 1,097 1,083 1,069
3,073 % 1,991 % 1,169 % 0,603 % 0,266 % 0,067 % 0% 0,069 % 0,279 % 0,638 % 1,154 %
Zadatak 1.1
pa bismo za ekstrapoliranu irinu zabranjenog pojasa na T = 0 K dobili
T2 (T + 2 ) . (1.5) (T + ) 2 Uvrtavanjem vrijednosti iz tablice 1.1, za T = 300 K dobili bismo koeficijente prema tablici 1.3.
E G 0 = E G (T ) + 1,25 1,20
E' G0
tangenta na krivulju
EG eV
Tablica 1.3. Koeficijenti linearnih aproksimacija irina zabranjenog pojasa silicija, germanija i galij-arsenida.
1,15 1,10 1,05 0 100 200 300 400 500 poluvodi Si Ge GaAs
EG0 eV
a eV K 1 2,546104 3,853104 4,519104
T/K
Slika 1.7. Linearna aproksimacija promjene irine zabranjenog pojasa silicija s temperaturom.
1,196 0,776 1,556
Zadatak 1.1
1.2. Raspodjele elektrona i upljina po energijama

Raspodjele koncentracija slobodnih elektrona u vodljivom i upljina u valentnom pojasu po energijama opisane su Fermi-Diracovom raspodjelom
dn( E ) = c ( E ) f n ( E ) dE ,
(1.6)
dp ( E ) = v ( E ) f p ( E ) dE .
(1.7)
c(E) i v(E) su funkcije gustoe kvantnih stanja u vodljivom, odnosno valentnom pojasu, a fn(E) i fp(E) su Fermijeve funkcije za elektrone u vodljivom, odnosno upljine u valentnom pojasu energija.
Funkcije gustoa kvantnih stanja
* 8 2 (mc ) 3 2 E Ec , h3
c ( E ) = v ( E ) =
(1.8)
* 8 2 (mv ) 3 2 (1.9) Ev E , h3 iskazuju broj dozvoljenih kvantnih stanja u vodljivom, odnosno valentnom pojasu po jedinici volumena i po jedinici energije. mc* i mv* su efektivne mase elektrona u vodljivom pojasu, odnosno upljina u valentnom pojasu, Ec i Ev su energije dna vodljivog, odnosno vrha valentnog pojasa, a h je Planckova konstanta.
Fermijeva funkcija fn (E) = 1

E E Fn 1 + exp ET
(1.10)
izraava vjerojatnost da je neko dozvoljeno stanje na energiji E popunjeno elektronom, dok je 1 f p (E) = (1.11) E Fp E 1 + exp ET vjerojatnost da je neko dozvoljeno stanje na energiji E nepopunjeno elektronom, odnosno popunjeno upljinom. U stanju neravnotee, Fermijeve energije EFn i EFp u izrazima (1.10) i (1.11) razlikuju se za elektrone u vodljivom i upljine u valentnom pojasu. Meutim, kako e se u veini zadataka analizirati stanja ravnotee ili stanja vrlo bliska ravnotei, uzimat e se isti iznos Fermijeve energije za oba tipa nosilaca, tj. EFn = EFp = EF . U tom sluaju vrijedi da je f p (E) = 1 fn (E) , (1.12) tj. Fermijeve funkcije vjerojatnosti za elektrone i upljine su meusobno komplementarne - zbroj vjerojatnosti da na nekom kvantnom stanju postoji elektron i da elektrona nema (postoji upljina) mora biti jednak 1.
10
Energetski ekvivalent temperature ET odreen je izrazom ET = k T , (1.13) gdje je T temperatura u kelvinima, a k je Boltzmannova konstanta. Nama e redovito biti prikladnije energetski ekvivalent temperature izraunavati u elektronvoltima (eV), te emo koristiti jednostavnu formulu da je
T K ET = eV . (1.14) 11605 Uvrtavanjem temperature u kelvinima u (1.14), dobit emo energetski ekvivalent temperature u elektronvoltima. Za sobnu temperaturu (T = 300 K) ET = 25,8 meV.
Zadatak 1.2
Polazei od izraza za funkcije raspodjela, izvesti izraze za ravnotene koncentracije slobodnih elektrona u vodljivom pojasu i upljina u valentnom pojasu intrinsinog poluvodia.
Rjeenje:
Na slici 1.8 prikazani su energetski dijagram, funkcije gustoa kvantnih stanja u vodljivom i valentnom pojasu, Fermijeve funkcije za elektrone i upljine, te rezultantne raspodjele elektrona i upljina po energijama. Kao to je oznaeno na slici, koncentracije elektrona i upljina odgovaraju povrinama ispod funkcija njihovih raspodjela po energijama. Prema tome, da bismo izraunali ravnotenu koncentraciju elektrona u vodljivom pojasu treba funkciju raspodjele (1.6) integrirati preko svih energija u vodljivom pojasu, od dna vodljivog pojasa (E = Ec ) do njegova vrha. S obzirom da funkcija raspodjele, zbog eksponencijalnog karaktera Fermijeve funkcije vjerojatnosti, vrlo brzo tei nuli, moe se za gornju granicu integracije uzeti energija E = , pa se dobiva
vodljivi pojas
E
T> 0 K > fp T= 0 K Ec
n dn dE
Ec EF Ev EG
Ec EF Ev
c v
Ec
EF Ev
EF Ev
valentni pojas
fn 0
gustoe kvantnih stanja x
p =
dp dE
1
raspodjele elektrona i upljina
Fermijeva funkcija
Slika 1.8. Raspodjele koncentracija elektrona i upljina po energijama u intrinsinom poluvodiu.

Zadatak 1.2
11
n=
Ec
c ( E ) f n ( E ) dE =
* 8 2 (mc ) 3 2 E Ec 3 h E
c
1 dE . E EF 1 + exp ET
(1.15)
Primjenom supstitucije
=
dobivamo
n=
E Ec dE , d = , dE = ET d , ET ET
(1.16)
* 8 2 (mc ) 3 2 3/ 2 ET d , 3 1 + exp( F ) h 0
(1.17)
to se moe pisati kao n = Nc pri emu je 2 F1/ 2 (F ) , (1.18)
F =
E F Ec ET
(1.19)
udaljenost Fermijevog nivoa od vrha zabranjenog pojasa normirana na ET . Nc je efektivna gustoa kvantnih stanja u vodljivom pojasu
* 2 ET mc Nc = 2 2 h 3/ 2
(1.20)
a F1/2(F) je Fermijev integral reda 1/2,

F1/ 2 (F ) =
t dt . 1 + exp(t F ) 0
(1.21)
Za Fermijev integral (1.21) ne postoji openito analitiko rjeenje, ali za pojedina podruja vrijednosti argumenta F , postoje analitike aproksimacije rjeenja [Shockley50, Kireev78]
exp(F ) za F << 1 F1/ 2 (F ) = 2 . (1.22) 2 3/ 2 za F >> 1 F 3 Na slici 1.9 prikazan je graf Fermijevog integrala, te obiju aproksimacija (1.22), u ovisnosti o parametru F . Osim ovih najjednostavnijih i najee koritenih funkcija, u literaturi se mogu nai jo i druge aproksimacije Fermijevog integrala (npr. [Blakemore82]).
Prva aproksimacija se kod poluvodia moe primijeniti u sluaju kada je E Ec << 1 , F = F ET odnosno
(1.23a)
Zadatak 1.2
12
10
10
exp(F) 2
F1/2 (F )
10
1
2 3/2 3 F
2
10
10
10
F
Slika 1.9. Fermijev integral i njegove aproksimacije.
E F Ec << ET .
(1.23b)
U naem primjeru to znai da Fermijeva energija mora biti barem za nekoliko ET nia od svih energija na kojima se elektroni mogu nalaziti. Drugim rijeima, Fermijev nivo se mora nalaziti unutar zabranjenog pojasa i to barem za nekoliko ET udaljen od vrha zabranjenog (dna vodljivog) pojasa. Za veinu praktinih prorauna dovoljno je da ta udaljenost iznosi barem 3ET , tj. Ec EF 3ET . Ova aproksimacija rjeenja odgovara sluaju nedegeneriranih poluvodia, kod kojih se raspodjela elektrona u vodljivom pojasu sasvim dobro moe prikazati Maxwell-Boltzmannovom raspodjelom. Matematiki gledano, kao da je rep Fermi-Diracove funkcije (1.10) koji ulazi u vodljivi pojas aproksimiran eksponencijalnom funkcijom fn (E ) =
E EF = exp . ET E EF 1 + exp ET
Naprotiv, druga aproksimacija za F1/2(F) u (1.22) odgovara sluaju potpuno degeneriranog poluvodia, kada se Fermijev nivo nalazi duboko unutar vodljivog pojasa. Po elektrinim svojstvima takvi poluvodii su slini metalima. Budui da emo se u daljnjoj analizi svojstava poluvodia uglavnom baviti nedegeneriranim poluvodiima, rabit emo iskljuivo MaxwellBoltzmannovu statistiku. Za intrinsian poluvodi uvjeti (1.23) su zadovoljeni, pa za ravnotenu koncentraciju elektrona u vodljivom pojasu dobivamo
E Ec n = N c exp F . ET
(1.24)
Zadatak 1.2
13
Na slian nain dobiva se ravnotena koncentracija upljina u valentnom pojasu integriranjem raspodjele koncentracije upljina (1.7) preko svih energija u valentnom pojasu, od E = do E = Ev pri vrhu valentnog pojasa
Ev
p=
v ( E ) f p ( E ) dE =
E
* 8 2 (mv ) 3 2 v Ev E 3 h
1 dE . EF E 1 + exp ET
(1.25)
Supstitucijom
=
integral (1.25) prelazi u
p=
Ev E dE , d = , dE = ET d , ET ET
(1.26)
* 8 2 (mv ) 3 2 3/ 2 ET d , 3 1 + exp ( F ) h 0
(1.27)
odnosno p = Nv pri emu je 2 F1/ 2 (F ) , (1.28)
F =
Ev E F ET
(1.29)
udaljenost Fermijevog nivoa od dna zabranjenog pojasa normirana na ET , ali je sada referentni (pozitivni) smjer suprotan nego u izrazu (1.19). Nv efektivna gustoa kvantnih stanja u valentnom pojasu
* 2 ET mv Nv = 2 h2 3/ 2
(1.30)
Koristei prvu aproksimaciju (1.22) za Fermijev integral, za ravnotenu koncentraciju upljina u valentnom pojasu dobivamo
E Ev p = N v exp F . ET
(1.31)
I ovaj izraz vrijedi samo za nedegenerirane poluvodie, tj. ako je Fermijeva energija unutar zabranjenog pojasa i to barem za nekoliko ET udaljena od vrha valentnog pojasa. Vano je uoiti da umnoak ravnotenih koncentracija elektrona u vodljivom pojasu (1.24) i upljina u valentnom pojasu (1.31)
E Ev E n p = N c N v exp c = N c N v exp G ET ET
(1.32)
ne ovisi o poloaju Fermijevog nivoa, ve je za neki poluvodi na odreenoj temperaturi konstantan. EG u gornjem izrazu je irina zabranjenog pojasa poluvodia. U intrinsinom poluvodiu nosioci nastaju iskljuivo generacijom parova elektron-upljina. Stoga je ravnotena koncentracija elektrona jednaka koncentraciji upljina. Ako su funkcije
Zadatak 1.2
14
gustoa kvantnih stanja u vodljivom i valentnom pojasu meusobno simetrine, tada je i funkcija raspodjele elektrona po energijama u vodljivom pojasu zrcalno simetrina funkciji raspodjele upljina u valentnom pojasu. Ravnina zrcaljenja tih dviju funkcija nalazi se na sredini zabranjenog pojasa (vidi sliku 1.8), iz ega moemo zakljuiti da se i Fermijeva energija nalazi na sredini zabranjenog pojasa. Znai da su zadovoljene pretpostavke koje smo uveli prilikom aproksimacije Fermi-Diracove raspodjele Maxwell-Boltzmannovom, da se Fermijev nivo nalazi unutar zabranjenog pojasa, udaljen nekoliko ET od njegovih rubova. Iako kod realnih poluvodia funkcije gustoa kvantnih stanja nisu simetrine, kod silicija, germanija i galij-arsenida ta je nesimetrija za veinu primjena zanemariva (vidi poglavlje 1.4. Poloaj Fermijevog nivoa). Treba naglasiti da slika 1.8 zbog preglednosti nije nacrtana u mjerilu i da prikazana Fermijeva funkcija odgovara vrlo visokoj temperaturi. Da bismo predoili realno stanje, razmotrit emo silicij na T = 300 K. irina zabranjenog pojasa silicija na toj temperaturi je EG = 1,12 eV. Vjerojatnost da se u kvantnom stanju pri dnu vodljivog nalazi elektron je, prema izrazu (1.10) 1 1 f n ( Ec ) = = = 3,62 1010 . Ec E F EG 1 + exp 1 + exp ET 2 ET
Prema viim energijama ta e se vjerojatnost jo smanjivati. Da smo sliku 1.8 crtali u mjerilu, Fermijeva funkcija bi se uz rubove zabranjenog pojasa poklapala s osi energije, pa bi isto bilo i s funkcijom raspodjele koncentracije elektrona po energijama. Iako su vjerojatnosti popunjenja kvantnih stanja vrlo male, zahvaljujui velikoj gustoa kvantnih stanja dobivaju se primjetne koncentracije elektrona. Na primjer, u siliciju na sobnoj temperaturi koncentracija elektrona je reda veliine 1010 cm3. Isto razmatranje vrijedi i za upljine. Pri raunanju vjerojatnosti mogli smo primijetiti da je u nazivniku vrijednost eksponencijalne funkcije puno vea od jedinice, to je dokaz da se stvarno moe primijeniti Maxwell-Boltzmannova statistika. Oigledno je da kod poluvodia ne moemo primijeniti definiciju Fermijeve energije koju primjenjujemo kod metala, a po kojoj je Fermijeva energija maksimalna energija koju elektroni mogu imati pri temperaturi apsolutne nule (T = 0 K). Matematika vjerojatnost postojanja elektrona na toj energiji na nekoj temperaturi T 0 K jednaka je 1 / 2. S obzirom da unutar zabranjenog pojasa intrinsinih poluvodia nema dozvoljenih kvantnih stanja, niti jedan elektron ne moe imati tu energiju. Najvia energija koju elektroni imaju na temperaturi apsolutne nule jednaka je energiji vrha valentnog pojasa Ev . Ukoliko bismo uzeli da se Fermijeva energija poklapa s vrhom valentnog pojasa, onda bi Fermijeve funkcije na slici 1.8 bile translatirane prema niim energijama, pa koncentracije elektrona i upljina ne bi bile meusobno jednake, to je u suprotnosti s pretpostavkom da se radi o intrinsinom poluvodiu. Stoga moemo za Fermijevu energiju u nedegeneriranim poluvodiima uvesti slijedeu definiciju (izreenu u duhu matematikih teorema): Neka je EF neki energetski nivo. Vjerojatnost postojanja elektrona u vodljivom pojasu u nekom kvantnom stanju s energijom EF + E oznaimo kao fn(EF + E), a vjerojatnost postojanja upljine (nepostojanja elektrona) u valentnom pojasu u nekom kvantnom pojasu s energijom EF E oznaimo kao fp(EF E). Ako su u uvjetima ravnotee te vjerojatnosti meusobno jednake, f n ( E F + E ) = f p ( E F E ) , tada je EF Fermijeva energija. Fermijeva energija je os simetrije Fermijeve funkcije za elektrone i njoj zrcalno simetrine Fermijeve funkcije za upljine, to i proizlazi iz izraza (1.12).
Zadatak 1.2
15
Zadatak 1.3
Odredite energiju na kojoj se nalazi maksimum raspodjele elektrona u vodljivom, odnosno upljina u valentnom pojasu, ako se raspodjele ravnaju po MaxwellBoltzmannovoj statistici. Rjeenje:
Maksimum u raspodjeli elektrona u vodljivom pojasu je na energiji E = Ec + ET / 2, a maksimum u raspodjeli upljina u valentnom pojasu na E = Ev ET / 2. Ovi rezultati dobivaju se deriviranjem funkcija raspodjela elektrona, odnosno upljina, po energiji, te izjednaavanjem s nulom. Zanimljivo je uoiti da poloaj maksimuma ne ovisi o poloaju Fermijevog nivoa (barem dok vrijedi Maxwell-Boltzmannova statistika, tj. dok je Fermijev nivo dovoljno duboko unutar zabranjenog pojasa).
Zadatak 1.4
Odredite kolike su postotne pogreke pri izraunavanju koncentracija nosilaca preko Maxwell-Boltzmannove statistike, ako je Fermijev nivo unutar zabranjenog pojasa, udaljen od njegovog ruba 3ET , 2ET , ET , odnosno ako se Fermijev nivo poklapa s rubom zabranjenog pojasa. Uputa: Fermijev integral (1.21) rastavite na dva integrala
f ( x ) dx = f ( x ) dx + f ( x ) dx ,
0 1
a svaki od njih raunajte primjenom trapezne formule, podjelom na 16 podintervala. Za gornju granicu integracije uzmite b = 11 + F .
Rjeenje:
U tablici 1.4 navedene su vrijednosti Fermijevog integrala raunate gornjim postupkom (F 1/2), aproksimacijom Maxwell-Boltzmannovom raspodjelom (F MB1/2), te pripadajua relativna pogreka (1). Radi usporedbe navedene su i tone vrijednosti Fermijevog integrala (F1/2) s relativnim pogrekama Maxwell-Boltzmannove statistike (2).
Tablica 1.4. Pogreke pri aproksimaciji Maxwell-Boltzmannovom raspodjelom.
F
F 1/2 F
MB 1/2
3 0,0433 0,0441 1,90 % 0,0434 1,74 %
2 0,115 0,120 4,66 % 0,115 4,67 %
1 0,291 0,326 12,1 % 0,291 12,2 %
0 0,679 0,886 30,6 % 0,678 30,7 %
1
F1/2
Zadatak 1.3
16
1.3. Koncentracije elektrona i upljina

Ravnotene koncentracije elektrona i upljina u poluvodiima jednoznano su odreene koncentracijama donorskih i akceptorskih primjesa preko zakona termodinamike ravnotee, te zakona elektrine neutralnosti. 1.3.1. Zakon termodinamike ravnotee Prema zakonu termodinamike ravnotee, umnoak ravnotenih koncentracija elektrona i upljina u poluvodiu na nekoj temperaturi je konstantan (vidi izraz (1.32) na str. 13, u zadatku 1.2), tj. n0 p0 = ni2 (1.33) gdje su n0 i p0 ravnotene koncentracije slobodnih elektrona, odnosno upljina, a ni je intrinsina koncentracija nosilaca. Koncentracije elektrona i upljina u istom (intrinsinom) poluvodiu meusobno su jednake i jednake intrinsinoj koncentraciji, budui da u takvom poluvodiu slobodni nosioci postoje iskljuivo zbog termike generacije parova elektron-upljina. Intrinsina koncentracija ovisi o temperaturi na kojoj se poluvodi nalazi i o irini njegovog zabranjenog pojasa. Izjednaavanjem izraza (1.32) i (1.33) dobiva se da je
ni = Kako je
E N v N c exp G . 2 ET
32
(1.34)
2 ET Nv Nc = 2 h2 moemo izraz (1.34) pisati kao
* * (mc mv ) 3 4 ,
(1.35)
m* m* ni = C c 2 v m0
34
E T 3 2 exp G , 2 ET
(1.36)
pri emu je m0 masa mirovanja elektrona, a

2 k m0 C = 2 h2
32
= 4,83 1015 cm3 K 3 2
(1.37)
je fizikalna konstanta. Efektivne mase elektrona u vodljivom pojasu i upljina u valentnom pojasu za silicij, galij-arsenid i germanij rastu s porastom temperature [Thurmond75]. Za galijarsenid i za germanij je ta ovisnost vrlo slaba, pa se u tim poluvodiima moe uzeti da su mc* i mv* konstantni za cijelo temperaturno podruje, od 0 K do talita. Na slici 1.10 prikazane su temperaturne ovisnosti efektivnih masa elektrona i upljina u siliciju normiranih na masu slobodnog elektrona, te njihove geometrijske sredine. Kako je sa slike uoljivo, u okoliu sobne temperature (300 K), promjene efektivnih masa su
17
1,2 1,0
* mc m0 1/2 * mv m0
Tablica 1.5. Normirane efektivne mase nosilaca u siliciju, galij-arsenidu i germaniju na T = 300 K [Selberherr84].
* (m* mv ) c 0,8 m0
poluvodi Si GaAs 300 Ge
* mc / m0
* mv / m0
0,6 0 100 200
1,18 0,068 0,55
0,81 0,5 0,3
T /K
Slika 1.10. Temperaturna ovisnost normiranih efektivnih masa elektrona i upljina u siliciju [Barber67, Gaensslen79]. Tablica 1.6. Intrinsine koncentracije nosilaca na T = 300 K [Morin54, Morin54a, Thurmond75].
relativno male, pa za veinu prorauna moemo poluvodi ni / cm3 raunati s konstantnim vrijednostima. U tablici 1.5 navedene su tipine vrijednosti za efektivne mase Si 1,381010 nosilaca u siliciju, galij-arsenidu i germaniju na GaAs 9108 T = 300 K. Meutim, ak i ako se u izraz (1.36) uvrste efektivne mase, dobivene vrijednosti za Ge 2,331013 intrinsine koncentracije nosilaca nee odgovarati rezultatima mjerenja. Stoga se najee predeksponencijalni lanovi u (1.36) odabiru na temelju eksperimentalno odreenih vrijednosti za intrinsine koncentracije, danih u tablici 1.6.
Zadatak 1.5
Na temelju poznatih vrijednosti intrinsinih koncentracija na T = 300 K u tablici 1.6, te uz linearnu aproksimaciju promjene irine zabranjenog pojasa s temperaturom, izvesti brojane izraze za intrinsine koncentracije u siliciju, galij-arsenidu i germaniju.
Rjeenje:
Da bismo odredili brojane izraze za intrinsine koncentracije nosilaca u okoliu temperature T = 300 K, polazimo od izraza (1.36)
m* m* ni = C c 2 v m 0
34
EG T 3 2 exp . 2 ET
Ovisnost intrinsine koncentracije nosilaca o temperaturi u tom izrazu proizlazi iz: 1. ovisnosti efektivnih masa elektrona i upljina o temperaturi, 2. lana T 3/2 ispred eksponencijalne funkcije, 3. temperaturne ovisnosti irine zabranjenog pojasa EG , te 4. lana ET u nazivniku argumenta eksponencijalne funkcije.
Zadatak 1.5
18
Kao to je maloprije reeno, efektivne mase nosilaca relativno slabo ovise o temperaturi, pa emo ih za podruje sobnih temperatura uzimati konstantnima. To znai da (1.36) moemo napisati kao
EG ni = C T 3 2 exp . 2 ET
(1.38)
Promjena irine zabranjenog pojasa u nekom uskom temperaturnom intervalu moe se opisati pravcem (vidi zadatak 1.1) EG = EG0 + a T , gdje je E'G0 ekstrapolirana vrijednost irine zabranjenog pojasa na T = 0 K uz linearnu aproksimaciju temperaturne ovisnosti irine zabranjenog pojasa. Uvrtavanjem u (1.38) dobivamo
E a ni = C T 3 2 exp G 0 exp , 2k 2 ET
(1.39)
odnosno
E ni = C T 3 2 exp G 0 . 2 ET
(1.40)
Izraunamo li, preko izraza (1.1), odnosno (1.2) za silicij, vrijednosti za E'G 0 , te uvrstimo poznate intrinsine koncentracije nosilaca na 300 K u gornji izraz, moi emo izraunati predeksponencijalne faktore C (tablica 1.7). Na slici 1.11 prikazani su grafovi ovisnosti
Tablica 1.7. Faktori za izraunavanje intrinsinih koncentracija.
poluvodi Si GaAs Ge
C / (K3/2 cm3) 7,331015 1,541015 1,671015
E'G 0 / eV 1,206 1,558 0,779
C / (K3/2 cm3) 3,581016 2,121016 1,571016
intrinsinih koncentracija nosilaca o temperaturi za silicij i germanij. Kako pouzdani podaci za intrinsinu koncentraciju nosilaca u galij-arsenidu nisu dostupni, krivulja za njega je nacrtana samo na desnom dijagramu. Intrinsina koncentracija raste eksponencijalno s porastom temperature po zakonu exp (1 / T ) (mjerilo na osi ordinate je logaritamsko!). To je jo oitije na
Budui da su ovdje izvedeni faktori u tablici 1.7 dobiveni uzimanjem u obzir promjene irine zabranjenog pojasa i optimirani za podruje oko T = 300 K, oni se razlikuju od eksperimentalno odreenih faktora danih u [Morin54], odn. [Morin54a]. Na primjer, za silicij je u [Morin54a], na temelju rezultata mjerenja na temperaturama izmeu 450 K i 1100 K, dobivena formula
n / cm3 1,21 eV + EG ni2 = 1,5 1033 T 3 exp cm6 , EG = 7,1 1010 i ET T/K
12
eV .
Zadatak 1.5
19
T/K
10 14 10 10 12 10
15
10 10 16
17
500 400
300 250
200
13
Si Ge
10 10
17 16 15
10 10 14 10
15
Ge Si
ni
10 10 10
9
11
cm 3 10 8 10 10 6 10
10 14 10 13 10 10 11 10 10 9 10
12
13
ni
cm 3
10 12 10 10 10 10 10 8
9 11
10
GaAs
10 4 10 200
300
400
500
10 6 10
T /K
1000 K / T
Slika 1.11. Temperaturna ovisnost intrinsine koncentracije nosilaca u siliciju, germaniju i galijarsenidu.
desnom dijagramu, koji prikazuje ovisnost intrinsine koncentracije o recipronoj vrijednosti temperature. Intrinsina koncentracija nosilaca na istim temperaturama je u siliciju za dva do tri reda veliine manja nego u germaniju (vrijednosti na osi ordinate su na lijevom dijagramu razliite za germanij, odnosno silicij!) zbog vee irine zabranjenog pojasa. Kod galij-arsenida ta koncentracija je jo manja. Na desnom dijagramu crtkano je prikazana ovisnost intrinsine koncentracije nosilaca u siliciju uzimajui u obzir i temperaturnu ovisnost efektivnih masa nosilaca [Selberherr89]. Kao to se vidi, utjecaj temperature na efektivnu masu odraava se na intrinsinoj koncentraciji tek na temperaturama iznad 400 K.
Zadatak 1.6
Izraunati koncentracije slobodnih nosilaca u intrinsinom siliciju na T = 350 K i promjenu te koncentracije ako se temperatura promijeni za: a) 0,2 %, b) 20 %.
Rjeenje:
Koritenjem izraza (1.40), uz uvrtene konstante iz tablice 1.7 dobiva se intrinsina koncentracija nosilaca u siliciju na T = 350 K ni = 4,861011 cm3.
Zadatak 1.6
20
a)
Za vrlo male promjene temperature, za koje e unato eksponencijalnoj ovisnosti i promjena intrinsine koncentracije biti mala, moe se linearizirati ovisnost intrinsine koncentracije o temperaturi. Postupak je slijedei: Logaritmiranjem izraza (1.40)
E ni = C T 3 2 exp G 0 2 ET
dobiva se jednadba ln(ni ) = ln(C ) + koja se derivira po temperaturi dni 3 E dT = + G0 . 2 2 ET T ni Za male promjene temperature, derivacije se mogu nadomjestiti konanim prirastima
ni 3 E T = + G0 . 2 2 ET T ni
E 3 ln(T ) G 0 , 2 2 ET
(1.41)
(1.42)
Za zadanu promjenu T / T = 0,2 % = 0,002 dobiva se

ni = 0,0430 = 4,30 % . ni
Usporedimo li veliine pribrojnika u izrazu (1.42), moemo se uvjeriti koliko je utjecaj lana T 3/2 na temperaturne promjene intrinsine koncentracije slabiji od eksponencijalne funkcije. Drugi pribrojnik u (1.42), koji slijedi iz eksponencijalne funkcije u izrazu (1.40), na zadanoj temperaturi je EG0 = 20,0 , 2 ET pa je, dakle, puno vei od prvog pribrojnika (3/2 bez obzira na temperaturu), koji je proiziao iz lana T 3/2 u izrazu (1.40). Tek kod vrlo visokih temperatura prevladava utjecaj lana T 3/2. Na primjer, prvi i drugi pribrojnik u (1.42) bili bi jednaki tek na temperaturi T = 4665 K. Naravno, ovaj rezultat nije korektan, budui da izraz (1.40) pretpostavlja linearnu promjenu irine zabranjenog pojasa s temperaturom (osim toga, talite silicija je na oko 1420 C), ali nam moe posluiti za ilustraciju odnosa. Da smo koristili izraz (1.36) i njega derivirali po temperaturi, koristei toniju parabolnu aproksimaciju temperaturne ovisnosti irine zabranjenog pojasa (prema izrazu (1.2))
EG = a + b T + c T 2 ,
ali zanemarujui temperaturnu ovisnost efektivnih masa nosilaca, dobili bismo izraz
dni 3 a c T 2 dT = + . ni 2 ET T 2
(1.43)
Konstante a = 1,1785 eV i c = 3,05107 eV / K2 su koeficijenti u aproksimaciji irine zabranjenog pojasa silicija o temperaturi u izrazu (1.2). Zamjenom diferencijala konanim prirastima, te uvrtavanjem zadanih vrijednosti, dobit emo ni / ni = 0,0433 = 4,33 %. Kao to se vidi, razlika u rezultatima oba postupka je zanemariva.
Zadatak 1.6
21
b)
Za velike promjene temperature ne smije se vie koristiti linearizirana funkcija ovisnosti intrinsine koncentracije, ve treba raunati intrinsine koncentracije za temperature T1 i T2 = T1 + T , odnosno pripadne intrinsine koncentracije ni1 = ni (T1) i ni 2 = ni (T2) . Iz omjera intrinsinih koncentracija
ni 2 T2 = ni1 T1
moe se odrediti njena promjena
32
E 1 1 exp G 0 , 2 ET1 ET 2
32
(1.44)
ni ni 2 ni1 T2 = = ni ni1 T1
E 1 1 exp G 0 1 . 2 ET1 ET 2
(1.45)
Za promjenu temperature T / T = 20 % = 0,2 vrijedi da je T2 = 1,2T1 . Stoga se za T1 = 350 K dobiva T2 = 420 K, te pripadajui prirast intrinsine koncentracije
ni = 35,5 = 3550 % . ni
Zbog praktiki eksponencijalnog rasta intrinsine koncentracije s temperaturom, promjena temperature od 20 % uzrokovala je puno veu relativnu promjenu intrinsine koncentracije! Intrinsina koncentracija je narasla na ni2 = 1,791013 cm3. Kao to emo kasnije vidjeti, ovako jaka ovisnost intrinsine koncentracije o temperaturi moe znaajno utjecati na elektrina svojstva poluvodia.
1.3.2. Zakon elektrine neutralnosti
U uvjetima elektrine neutralnosti zbroj pozitivnog naboja (pokretne upljine i nepokretni ionizirani atomi donora) jednak je zbroju negativnog naboja (pokretni elektroni i nepokretni ionizirani atomi akceptora) u poluvodiu, to se moe pisati kao
+ ND
+ p + ND = n + N A .
NA
(1.46)
i su koncentracije ioniziranih donora, odnosno akceptora. Ako koncentracije primjesa nisu previsoke, na sobnim temperaturama e uglavnom svi donorski i akceptorski atomi biti ionizirani, pa se moe uzeti da su koncentracije ioniziranih primjesa jednake stvarnim koncentracijama. Kod vrlo visokih koncentracija primjesa, svi primjesni atomi ne uspijevaju zauzeti mjesto u kristalnoj reetki, te dio njih ostaje elektrino neaktivan.
Kod vrlo niskih temperatura (tipino T < 200 K) energija titranja kristalne reetke nije dovoljna da bi se svi primjesni atomi ionizirali, pa se ovo podruje ponekad naziva podruje nepotpune ionizacije. Ako je poznata koncentracija donora ND koji u zabranjeni pojas unose energetski nivo ED , tada je koncentracija ioniziranih donora
+ ND =
ND , EF ED 1 + 2 exp ET
(1.47)
Zadatak 1.6
22
dok je, za poznatu koncentraciju akceptora NA koji u zabranjeni pojas unose energetski nivo EA , koncentracija ioniziranih akceptora
NA =
NA . E A EF 1 + 4 exp ET
(1.48)
Faktor ispred eksponencijalne funkcije u nazivniku izraza (1.47) iznosi 2 zato jer svaki donorski nivo moe primiti elektron s jednim od dva suprotna smjera vrtnje (spina). U (1.48) taj faktor jednak je 4, jer svaki akceptorski nivo moe primiti upljinu s jednim od dva suprotna smjera vrtnje, a u siliciju, germaniju i galij-arsenidu uz to postoje dvostruki degenerirani valentni pojasevi pri vrijednost valnog vektora k = 0 [Sze81]. Za vrlo niske temperature, kada je EF ED >> ET u (1.47), odnosno EA EF >> ET u + (1.48), eksponencijalni lanovi u nazivnicima su puno vei od jedinice, pa ND , odnosno NA , tee nuli. Prema viim temperaturama, eksponencijalne funkcije tee nuli, a koncentracije ioniziranih primjesa tee ukupnim koncentracijama primjesa. U tablici 1.8 dane Tablica 1.8. Energije ionizacije donorskih su vrijednosti energija ionizacije za naji akceptorskih primjesa u siliciju [Sze68]. znaajnije primjese u siliciju. Energija ionizacije je energija potrebna da peteroenergija primjesa tip ionizacije valentni donor otpusti peti valentni elektron, odnosno da trovalentni akceptor uhvati fosfor, P donor 0,045 eV slobodni elektron. Prema tome, za arsen, As donor 0,054 eV peterovalentne primjese energija ionizacije antimon, Sb donor 0,039 eV jednaka je udaljenosti donorskog nivoa koji bor, B akceptor 0,045 eV unosi primjesa od vrha zabranjenog pojasa, dok je za trovalentne primjese jednaka udaljenosti akceptorskog nivoa od dna zabranjenog pojasa (vidi slike 1.3b i 1.4b). Obino pojedine primjese unose vie energetskih stanja u zabranjeni pojas, ali su za primjese u tablici 1.8 navedena stanja dominantna. Ostali podaci za silicij, te podaci za germanij i galij-arsenid mogu se nai u lanku [Sze68].
Zadatak 1.7
Izvesti izraze za koncentracije slobodnih nosilaca u poluvodiu kojem su dodane donorske i akceptorske primjese. Odrediti tip poluvodia, te izraunati koncentracije nosilaca u siliciju na T = 300 K, ako su koncentracije primjesa: a) NA = 1016 cm3 >> ND , b) ND = 1016 cm3 >> NA , c) ND = NA = 1016 cm3. Pretpostaviti da su sve dodane primjese ionizirane.
Rjeenje:
Iz zakona termodinamike ravnotee (1.33)
Zadatak 1.7
23
n p = ni2
i zakona elektrine neutralnosti (1.46)

+ n + N A = p + ND ,
dobivamo da je
n=
odnosno
+ + N D N A + ( N D N A ) 2 + 4 ni2
2
+ + N A N D + ( N A N D ) 2 + 4 ni2
(1.49)
. (1.50) 2 + Ako su sve primjese ionizirane, ND i NA moemo u izrazima (1.49), odnosno (1.50) nadomjestiti stvarnim koncentracijama ND , odnosno NA .
p=
a)
U sluaju kada je NA > ND poluvodi je p-tipa, te je koncentracija upljina vea od koncentracije elektrona. Stoga kaemo da su upljine veinski nosioci, a elektroni manjinski nosioci. Koncentraciju veinskih upljina izraunat emo preko izraza (1.50). Kako je na zadanoj temperaturi od T = 300 K zadana neto-koncentracija primjesa NA ND = 1016 cm3 puno vea od > i intrinsine koncentracije u siliciju, pod korijenom izraza bit e (NA ND)2 > 4n2 , pa se (1.50) pojednostavljuje u p = NA ND , tj. koncentracija veinskih nosilaca odreena je iskljuivo neto-koncentracijom primjesa i u zadanom primjeru iznosi p = 1016 cm3. Koncentracija manjinskih nosilaca moe se izraunati pomou zakona termodinamike ravnotee (1.33)
n=
ni2 ni2 = . p N A ND
Uvrstimo li intrinsinu koncentraciju nosilaca u siliciju na 300 K (ni = 1,38 1010 cm3) i izraunatu koncentraciju veinskih upljina, dobit emo n = 1,90 104 cm3.
b)
Poluvodi kod kojeg je ND > NA je poluvodi n-tipa, pa su u njemu elektroni veinski, a > upljine manjinski nosioci. Ako vrijedi da je ND NA > ni , prema izrazu (1.49), kao u a) dijelu zadatka koncentracija veinskih nosilaca bit e odreena neto-koncentracijama dodanih primjesa n = ND N A , a koncentracija manjinskih upljina je
ni2 ni2 = . n ND N A Za zadane vrijednosti dobit emo n = 1016 cm3 i p = 1,90104 cm3. p=
Iako smo i koncentracije manjinskih nosilaca u oba sluaja mogli izraunati koristei openite izraze (1.49), odnosno (1.50), u konkretnim raunima se to izbjegava. Naime, za manjinske nosioce su lanovi u brojniku (neto koncentracija primjesa i kvadratni korijen) suprotnog predznaka, a redovito vrlo bliski po iznosu (u nekim sluajevima mogu se razlikovati tek na desetom, pa i na viem decimalnom mjestu), pa bismo imali oduzimanje dva po iznosu vrlo
Zadatak 1.7
24
bliska broja, to moe unijeti znatnu brojanu pogreku u raunu. tovie, pri raunanju zbroja pod kvadratnim korijenom, moe lan 4n2 biti toliko manji od kvadrata neto koncentracije da se, i zbog raunanja s konanim brojem znamenki izgubi. U tom sluaju bi oba lana u brojniku bila jednaka, te bismo dobili da je koncentracija manjinskih nosilaca jednaka nuli. Postavlja se razumno pitanje zato nam je uope bitna koncentracija manjinskih nosilaca, kada je ona obino desetak redova veliine manja od koncentracije veinskih nosilaca; ako pogrijeimo u raunu za dva-tri reda veliine, to se ionako nee primijetiti u odnosu na koncentraciju veinskih nosilaca. U slijedeim poglavljima nauit emo da upravo zato to ih je puno manje od veinskih nosilaca, manjinskih nosioci esto diktiraju svojstva veinskih nosilaca. To se prvenstveno odnosi na generacijsko-rekombinacijske pojave, u kojima uvijek sudjeluje meusobno jednak broj elektrona i upljina, pa oito svojstva manje dostupnih nosilaca ograniavaju proces generacije ili rekombinacije para elektron-upljina. Na osnovu dobivenih rezultata moemo zakljuiti da e kod poluvodia u kojem ima i akceptorskih i donorskih primjesa, tip poluvodia odreivati primjesa vee koncentracije. Ako je neto koncentracija primjesa uz to i po iznosu puno vea od intrinsine koncentracije, koncentracija veinskih nosilaca bit e odreena iskljuivo koncentracijom dodanih primjesa. U tom sluaju koncentracija veinskih nosilaca je puno vea od koncentracije manjinskih nosilaca i takav poluvodi je ekstrinsian. Zanimljivo je uoiti da se poveavanjem koncentracije primjesa odreenog tipa koncentracija manjinskih nosilaca smanjuje. To se najjednostavnije moe objasniti pomou energetskog dijagrama poluvodia koji je dopiran samo donorskim atomima, prikazanog na slici 1.12a. Elektroni koje su otpustili donorski atomi uskau u vodljivi pojas poluvodia, inei time veinske elektrone. Ti elektroni popunjavaju energetska stanja pri dnu vodljivog pojasa. Da bi u ovim uvjetima nastao slobodni elektron termikom generacijom para elektron-upljina, elektron iz valentnog pojasa poluvodia mora preskoiti ne samo cijeli zabranjeni pojas, ve i popunjeno dno vodljivog pojasa. Naravno, na odreenoj temperaturi broj elektrona koji mogu savladati tu veu razliku energija (oznaenu na slici kao E* ) je manji, pa e se zbog toga smanjiti broj termiki G generiranih parova, a time i koncentracija manjinskih nosilaca. Kada je koncentracija primjesa puno vea od intrinsine koncentracije, broj valentnih elektrona koji mogu savladati veu energetsku barijeru je zanemariv, pa je broj elektrona praktiki jednak broju elektrona koje su otpustili donorski atomi. Identino vrijedi i za poluvodi dopiran samo akceptorima (slika 1.12b). Smanjenje koncentracije manjinskih nosilaca moe se objasniti i poveanom vjerojatnou
+ + + + +
Ec EG
_ _ _ _ _
*
Ec
+ + + + + Ec
EG Ev
EG
_ _ Ev _ _ _
Ev
a)
b)
c)
Slika 1.12. Prikaz generacije parova elektron-upljina u energetskom dijagramu: a) poluvodi dopiran samo donorima, b) poluvodi dopiran samo akceptorima, c) kompenzirani poluvodi.
Zadatak 1.7
25
rekombinacije s veinskim nosiocima. Pretpostavimo da se termikom generacijom uspio stvoriti broj parova elektron-upljina jednak intrinsinoj koncentraciji na promatranoj temperaturi. Zbog velikog broja veinskih nosilaca nastalih ionizacijom primjesnih atoma, po svakom manjinskom nosiocu postojat e mnotvo veinskih nosilaca. Statistiki gledano, to e poveati vjerojatnost da doe do rekombinacije s veinskim nosiocima, jer e se meu veim brojem veinskih nosilaca lake nai onaj koji e zadovoljiti uvjete potrebne za rekombinaciju s raspoloivim manjinskim nosiocima (vidi poglavlje 1.6. Rekombinacijski procesi). Krajnja posljedica bit e pad koncentracije manjinskih nosilaca.
c)
Ako su poluvodiu dodane jednake koncentracije donora i akceptora, poluvodi je kompenziran. Iz zakona elektrine neutralnosti (1.46) n + N A = p + ND dobivamo da su koncentracije slobodnih nosilaca meusobno jednake, odnosno prema zakonu termodinamike ravnotee (1.33) n p = ni2 , jednake intrinsinoj koncentraciji nosilaca n = p = ni . U siliciju je na 300 K intrinsina koncentracija ni = 1,381010 cm3, pa su tolike i traene koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca u naem zadatku. Ovakav poluvodi je kvazi-intrinsian; koncentracije elektrona i upljina su jednake intrinsinoj koncentraciji, ali su elektrina svojstva (elektrina provodnost, vremena ivota nosilaca), zbog nazonosti primjesa razliita nego poluvodiu u kojem nema primjesa. Fizikalno objanjenje zato je koncentracija nosilaca kod potpuno kompenziranog poluvodia jednaka intrinsinoj koncentraciji iako su primjese prisutne, moe se jednostavno dati pomou energetskog dijagrama na slici 1.12c. Radi jednostavnosti pretpostavit emo da e svi elektroni koje otpuste donorski atomi uskoiti i popuniti sva akceptorska stanja. Tada je energetska barijera koju vide valentni elektroni ponovno jednaka irini zabranjenog pojasa, pa je i koncentracija termiki generiranih parova elektron-upljina jednaka kao kod intrinsinog poluvodia. Iako ovakvo razmatranje nije potpuno korektno, jer je daleko manja vjerojatnost da e elektron iz donorskog nivoa uskoiti u akceptorski nivo nego u puno blii vodljivi pojas, zbog simetrije sustava energetska bilanca je sauvana, pa je objanjenje prihvatljivo.
Zadatak 1.8
Odrediti koncentraciju akceptorskih primjesa i tip silicija, ako na temperaturi T = 300 K koncentracija elektrona iznosi 5 1011 cm3, a koncentracija donorskih primjesa je 1015 cm3.
Rjeenje:
Na T = 300 K intrinsina koncentracija nosilaca u siliciju iznosi ni = 1,38 1010 cm3. Kako je zadana koncentracija elektrona n = 5 1011 cm3 vea od intrinsine koncentracije, elektroni su veinski nosioci, odnosno radi se o poluvodiu n-tipa. Stoga mora biti ND > NA . Preko zakona termodinamike ravnotee (1.33) i zakona elektrine neutralnosti (1.46) dobiva se
NA =
ni2 n + N D = 9,995 1014 cm 3 . n
Zadatak 1.8
26
Zadatak 1.9
Siliciju je dodana koncentracija akceptora NA = 10l4 cm3. Izraunati koncentracije elektrona i upljina na temperaturama: a) 0 C, b) 27 C, te c) 175 C.
Rjeenje:
Za sve tri zadane temperature moemo uzeti da su sve akceptorske primjese ionizirane, pa je koncentracija ioniziranih primjesa konstantna i jednaka koncentraciji NA = 1014 cm3.
a)
Na temperaturi od T = 0 C = 273 K intrinsina koncentracija u siliciju iznosi
E , ni = C T 3 2 exp G 0 = 119 10 9 cm 3 . 2 ET
S obzirom da je ispunjen uvjet NA > ni , koncentracija veinskih upljina je >

p = N A = 1014 cm 3 ,
dok je koncentracija manjinskih elektrona
n=
ni2 = 1,42 10 4 cm 3 . p
b)
Kod temperature T = 27 C = 300 K, ni = 1,3810l0 cm3. Jo uvijek je NA > ni , pa > koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca moemo raunati kao
p = N A = 1014 cm -3 ,
n=
ni2 = 1,90 10 6 cm 3 . p
c)
Na temperaturi T = 175 C = 448 K intrinsina koncentracija je ni = 5,5910l3 cm3, to je > usporedivo s koncentracijom primjesa. Kako vie nije NA > ni , koncentraciju veinskih upljina moramo raunati pomou openitog izraza (1.50) 2 dok je koncentracija manjinskih elektrona
p=
N A + N 2 + 4 ni2 A
= 1,25 1014 cm 3 ,
n=
ni2 = 2,50 1013 cm 3 . p
Usporedba rezultata dobivenih u gornja tri sluaja pokazuje da kako s porastom temperature raste intrinsina koncentracija, rastu i koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca. Kako do porasta koncentracija dolazi zbog porasta broja termiki generiranih parova elektron-upljina, koncentracije elektrona i koncentracije upljina poveavaju se za isti iznos! Zbog toga je razlika
Zadatak 1.9
27
koncentracija veinskih i manjinskih nosilaca uvijek (izuzevi podruje vrlo niskih temperatura) konstantna i jednaka neto koncentraciji primjesa. To uostalom proizlazi iz zakona elektrine neutralnosti p n = N A ND , budui da su NA i ND neovisni o temperaturi. Prirast koncentracije termiki generiranih parova naroito se ispoljava u brzom porastu koncentracije manjinskih nosilaca, jer oni nastaju iskljuivo termikom generacijom. Na temperaturama za koje je intrinsina koncentracija dovoljno niska u usporedbi s neto koncentracijom primjesa, prirast koncentracije termiki generiranih nosilaca je zanemariv u odnosu na koncentraciju veinskih nosilaca nastalih ionizacijom primjesa, pa je koncentracija veinskih nosilaca gotovo konstantna i jednaka neto koncentraciji primjesa. Poluvodi je ekstrinsian, a ovo temperaturno podruje naziva se ekstrinsinim temperaturnim podrujem (to su sluajevi pod a) i b)). S daljnjim porastom temperature broj termiki generiranih parova postaje usporediv s koncentracijom veinskih nosilaca nastalih ionizacijom primjesa, pa koncentracija manjinskih nosilaca postaje sumjerljiva s koncentracijom veinskih nosilaca. Iako je razlika izmeu koncentracija veinskih i manjinskih nosilaca konstantna, ona se prema viim temperaturama gubi u sve veoj koncentraciji termiki generiranih 3 nosilaca. Prema visokim temperaturama koncentracije i veinskih i manjinskih nosilaca tee k intrinsinoj koncentraciji, a poluvodi tei kvazi-intrinsinom stanju (sluaj c)).
NA =10 14cm 3
intrinsino podruje
1 Na slici 1.13a grafiki je prikazana ovisnost koncentracija ni veinskih i manjinskih nosilaca o n temperaturi za zadani poluvodi. 0 0 100 200 300 400 500 600 Na niskim temperaturama vidljivo je podruje nepotpune ionizacije T/K termika titranja kristalne reetke Slika 1.13a. Temperaturna ovisnost normiranih koncennisu dovoljna da se svi primjesni tracija nosilaca za silicij dopiran s NA = 1014 cm3. atomi ioniziraju. Temperaturna granica izmeu pojedinih podruja nije jednoznana, a njen poloaj ovisi o neto koncentraciji primjesa i vrsti poluvodia. to je neto koncentracija primjesa vea, bit e podruje nepotpune ionizacije i ekstrinsino temperaturno podruje ire, a poluvodi e prei u kvaziintrinsino stanje pri vioj temperaturi. To se moe zamijetiti na slici 1.13b, na kojoj je docrtana temperaturna ovisnost koncentracija nosilaca i za poluvodi dopiran s NA = 1016 cm3 (svjetlije krivulje). Na slici 1.14 ponovo su nacrtane krivulje sa slike 1.13a, ali s recipronom vrijednou temperature na apscisi i logaritamskim mjerilom na osi ordinate. Budui da je intrinsina koncentracija jednaka geometrijskoj sredini koncentracija veinskih i manjinskih nosilaca, tj. ni = (n p)1/2, u logaritamskom prikazu na slikama 1.13b i 1.14 krivulja intrinsine koncentracije nalazi se tono na sredini izmeu krivulja koncentracija oba tipa nosilaca.
n, p NA
podruje nepotpune ionizacije
ekstrinsino podruje
Zadatak 1.9
28
1017 1016
NA =1016 cm 3
n, p cm
3
1015 1014 1013 10

12
NA =1014 cm 3
ni
0 100 200 300 400
n
500 600 700
T/K
Slika 1.13b. Temperaturna ovisnost koncentracija nosilaca za silicij dopiran s NA = 1014 cm3, odnosno s NA = 1016 cm3 (mjerilo na ordinati je logaritamsko!).
Za intrinsine (iste) poluvodie i za potpuno kompenzirane poluvodie (kod kojih je koncentracija donora jednaka koncentraciji akceptora) ekstrinsino temperaturno podruje uope ne postoji. Da bi se jo zornije predoila ovisnost temperature prelaska u kvazi-intrinsino stanje o koncentraciji primjesa, nacrtana je slika 1.15. Na ordinati se nalazi intrinsina temperatura na kojoj je intrinsina koncentracija upravo jednaka neto koncentraciji primjesa. Radi usporedbe, krivulje su dane za silicij, galij-arsenid i za germanij. Oigledno, poluvodi s manjom irinom zabranjenog pojasa (germanij) e, uz istu neto koncentraciju primjesa, prei u kvazi-intrinsino stanje pri niim temperaturama. Ova slika najbolje ilustrira zato elektronike komponente izraene od poluvodia s veom irinom zabranjenog pojasa imaju ire temperaturno podruje
1017 10 10
16
~T 3/2 exp(EG / 2 ET )
intrinsino podruje ekstrinsino podruje
NA = 10 14cm 3
15
n, p 1014 cm3
10
13
~ T 3/4exp(
podruje nepotpune ionizacije
EA Ev ) 2 ET
10 12 10
11
n ni
0 10
20
30
40
1000 K / T
Slika 1.14. Koncentracije nosilaca u ovisnosti o recipronoj vrijednosti temperature.
Zadatak 1.9
29
rada. Treba primijetiti da u ekstrinsinom podruju koncentracija veinskih nosilaca nije konstantna, ve raste zajedno s porastom koncentracije manjinskih nosilaca, iako to nije zorno sa slika 1.13 i 1.14. Meutim, broj termiki generiranih veinskih nosilaca uslijed generacije parova elektron-upljina je zanemariv u odnosu na ukupnu masu veinskih nosilaca. Na primjer, u b) dijelu zadatka, koncentracija termiki generiranih veinskih upljina (jednaka koncentraciji manjinskih elektrona) iznosi 1,41 104 cm3, to je puno manje od 10l4 cm3 upljina nastalih od ioniziranih akceptora.
1000 800
GaAs T K
600 400 200 13 10
Si Ge
1014
1015
1016
3
1017
1018
N / cm
Slika 1.15. Intrinsina temperatura u ovisnosti o neto koncentraciji primjesa.
Zadatak 1.10
Silicij je dopiran samo donorima koncentracije ND = 5 1015 cm3. Izraunati koncentracije elektrona i upljina na T = 300 K, te postotne promjene koncentracija pri porastu temperature za 1 K.
Rjeenje:
Na T = 300 K zadana neto koncentracija primjesa je puno vea od intrinsine koncentracije, pa je koncentracija veinskih elektrona jednaka neto koncentraciji primjesa
n = N D = 5 1015 cm 3 ,
dok je koncentracija manjinskih upljina
p=
ni2 = 3,81 10 4 cm 3 . n
koncentracija manjinskih nosilaca.
Prvo emo izraunati relativnu promjenu Logaritmiranjem zakona termodinamike ravnotee
p=
dobit emo
ni2 , n
ln( p) = 2 ln(ni ) ln(n) .
Diferenciranjem po temperaturi dn dp dn = 2 i . (1.51) p ni n U ovom izrazu moemo zanemariti relativnu promjenu koncentracije veinskih nosilaca dn/n, jer je koncentracija veinskih nosilaca puno vea od prirasta koncentracije termiki generiranih parova elektron upljina. Koritenjem izraza (1.42) i nadomjetanjem diferencijala konanim prirastima, dobivamo p n E T = 2 i = 3 + G0 = 0,166 = 16,6 % . p ni ET T
Zadatak 1.10
30
Prema tome, koncentracija manjinskih upljina poveala se za p p = p = 6,30 10 3 cm 3 . p
Budui da do porasta koncentracije manjinskih nosilaca dolazi samo zbog porasta broja termiki generiranih parova elektron-upljina, za isti iznos se mora poveati i koncentracija veinskih nosilaca, pa je n p = = 1,26 10 12 = 1,26 10 10 % . n n Iako ovaj postupak nije do kraja korektan, jer smo pri raunanju prirasta koncentracije manjinskih nosilaca u izrazu (1.51) zanemarili prirast koncentracije veinskih nosilaca, rezultati su toni. Da smo prirast koncentracije veinskih elektrona izveli iz openitog izraza n= dobili bismo da je
n 1 1 = 8 ni ni = n n 4 N 2 + 4 n2 D i
2 p
2 ND
2 N D + N D + 4 ni2
+ 4 ni2
ni = 1,26 10 12 , ni
to je potpuno isti rezultat kao i prije! Naravno, gornji pojednostavnjeni postupak vrijedi samo u ekstrinsinom temperaturnom podruju, kada je koncentracija veinskih nosilaca puno vea od koncentracije manjinskih nosilaca. Usporedimo li priraste koncentracija nosilaca koje smo izraunali (p = n = 6,30103 cm3) s prirastom intrinsine koncentracije ni = ni E T 1 ni = 3 + G 0 ni = 114 10 9 cm 3 , , ni ET T 2
vidimo da je prirast intrinsine koncentracije (jednak prirastu koncentracije nosilaca kada bi poluvodi bio intrinsian) puno vei od prirasta koncentracija nosilaca - objanjenje je identino kao i objanjenje uz sliku 1.12. Prelaskom u kvaziintrinsino temperaturno podruje, ti e se prirasti meusobno izjednaiti.
Zadatak 1.11 * [Blakemore62, Kireev78]

Izvesti izraz za ravnotenu koncentraciju elektrona u poluvodiu n-tipa koji je dopiran i donorskim i akceptorskim primjesama koncentracija ND , odnosno NA za podruje niskih temperatura.
Rjeenje:
Uvrtavanjem izraza (1.47) i (1.48) za koncentracije ioniziranih donora, odnosno akceptora
+ ND =
ND , EF ED 1 + 2 exp ET
Zadatak 1.11
31
NA =
NA , E A EF 1 + 4 exp ET
te izraza za koncentracije elektrona, odnosno upljina

E Ec n = N c exp F , ET E EF p = N v exp v , ET
u zakon elektrine neutralnosti (1.46)

+ p + ND = n + NA ,
dobivamo
E EF N v exp v + ET E Ec ND NA = N c exp F . + EF ED E A EF ET 1 + 2 exp 1 + 4 exp ET ET (1.52) Kako se radi o poluvodiu n-tipa, Fermijev nivo se nalazi iznad sredine zabranjenog pojasa, pa moemo zanemariti eksponencijalnu funkciju u nazivniku zadnjeg pribrojnika izraza (1.52). To zapravo znai da su praktiki sve akceptorske primjese ionizirane, bez obzira to se radi o niskim temperaturama. Takoer moemo zanemariti koncentraciju upljina, prvi pribrojnik u gornjem izrazu. Uz ova zanemarenja, (1.52) prelazi u E Ec ND = N c exp F + NA . E ED ET 1 + 2 exp F ET Eksponencijalnu funkciju u nazivniku rastavit emo na dva lana E Ec ND = N c exp F + NA. E F Ec Ec E D ET 1 + 2 exp exp ET ET (1.54) (1.53)
Budui da se energija ionizacije ED Ec neznatno mijenja s promjenom temperature, moemo uzeti da je konstantna, pa emo radi preglednosti uvesti supstitucije
E ED K = 2 exp c , ET
te
* Nc =
Nc . K
Sreivanjem gornjeg izraza, dobiva se

E F Ec E Ec * * + ( N c + N A ) N c exp F + Nc (N A N D ) = 0 , N c exp ET ET to je zapravo kvadratna jednadba po koncentraciji elektrona
2
(1.55)
Zadatak 1.11
32
* * n2 + ( Nc + N A ) n + Nc ( N A N D ) = 0 ,
(1.56)
ije je rjeenje n= 1 1 * * * ( Nc + N A ) + ( Nc + N A )2 + 4 Nc ( N D N A ) = 2 2 1 1 * * * = ( N c + N A ) + ( N c ) 2 + N 2 + 2 N c (2 N D N A ) . A 2 2
E ED K = 2 exp c >> 1 , ET
(1.57)
> Za vrlo niske temperature Ec ED > ET , pa je (1.58)
* zbog ega je Nc puno manji od efektivne gustoe kvantnih stanja Nc . Pod korijenom rjeenja * (1.57) moemo stoga zanemariti prvi pribrojnik (Nc )2, koji je puno manji od ostalih lanova. Za kvadratni korijen moe se primijeniti aproksimacija prvim lanovima razvoja u red potencija (vidi npr. [Abramowitz64, Brontejn75]) 1 1 1 5 7 21 1 + x = 1+ x x2 + x3 x4 + x5 x 6 +K , x 1 , 2 8 16 128 256 1024 to u naem sluaju, uzevi u obzir samo prva dva lana, daje
n= =
1 1 * * 2 ND N A ( Nc + N A ) + N A 1 + 2 Nc = 2 2 2 NA
1 1 * * 2 ND N A . ( N c + N A ) + N A 1 + N c 2 2 2 NA
(1.59)
Sreivanjem gornjeg izraza dobiva se konani izraz za koncentraciju elektrona n=

E ED ND N A N NA * Nc = D N c exp c . NA 2 NA ET
(1.60)
Ovaj izraz vrijedi za poluvodi koji sadri i donorske i akceptorske primjese, ali samo kada * je Nc < NA . Praktino to znai da vrijedi za djelomino kompenzirane poluvodie na < temperaturama od apsolutne nule do neke temperature koja ovisi o koncentraciji akceptora (preko uvjeta da je NA > Nc ). Kada je NA < Nc < ND , (npr. kada je poluvodi dopiran samo donorima) > * < * < kvadratna jednadba (1.56) prelazi u oblik
* * n2 + Nc n Nc N D = 0 .
Rjeenje ove kvadratne jednadbe bit e 1 1 * * * n = Nc + ( Nc )2 + 4 Nc N D = 2 2 = 1 1 * * N * + Nc N D 1+ Nc . 2 c 4 ND (1.61)
Aproksimacijom kvadratnog korijena, dobiva se

n=
1 1 1 * * * N * + Nc N D + Nc Nc = 2 c 8 ND
Zadatak 1.11
33
=
* Nc N D =
E ED Nc N D exp c . 2 2 ET
(1.62)
Kao to se moe zapaziti iz izraza (1.60), odnosno (1.62), pri vrlo niskim temperaturama koncentracija veinskih nosilaca raste eksponencijalno s porastom temperature. Efektivna gustoa kvantnih stanja u predeksponencijalnim lanovima mijenja se znatno slabije s temperaturom, pa se njen utjecaj moe zanemariti. Kod viih temperatura, kada prestaje vrijediti pretpostavka (1.58), koncentracija veinskih elektrona (prema izrazu (1.57)) asimptotski tei neto koncentraciji primjesa. Pri koritenju izraza (1.60), odnosno (1.62), treba voditi rauna o pretpostavkama koje su uvedene tijekom izvoenja, odnosno uvjete koji moraju biti zadovoljeni da bi one vrijedile. U tablici 1.9 navedene su koncentracije elektrona na razliitim temperaturama u siliciju dopiranom s 1014, odnosno s 1016 fosfornih atoma / cm3, dobivene pomou izvedenih izraza.
Tablica 1.9. Koncentracije veinskih elektrona u siliciju dopiranom fosforom na niskim temperaturama.
ND = 1014 cm3 T/K 25 50 75 100 125 150 175 200 n / cm3 1,971011 4,541013 9,591013 9,951013 9,9910 1,0010 1,0010 1,0010
13 13 13 13
ND = 1016 cm3 n* / ND 1,65103 0,406 0,948 0,994 0,998 0,999 1,00 1,00 n / cm3 1,971012 5,961014 3,751015 7,301015 8,9710 9,5610 9,7810 9,8710
15 15 15 15
n* / cm3 1,651011 4,061013 9,481013 9,941013 9,9810 9,9910 1,0010 1,0010

13 13 14 14
n* / cm3 1,651012 5,141014 3,391015 6,961015 8,8210 9,5010 9,7510 9,8610

15 15 15 15
n* / ND 1,65104 5,14102 0,339 0,696 0,882 0,950 0,975 0,986
Koritena je energija ionizacije fosfora iz tablice 1.8 (Ec ED = 0,045 eV). Efektivne gustoe kvantnih stanja izraunate su pomou izraza
N c = C T 3 2 ,
(vidi poglavlje 1.4. Poloaj Fermijevog nivoa) pri emu je C = 7,331015 K2/3cm3 empirika konstanta iz tablice 1.7. Ovaj izraz za efektivne gustoe kvantnih stanja ne uzima u obzir ovisnost efektivnih masa nosilaca o temperaturi, pa je toan samo za temperature oko sobne. Budui da se u ovom zadatku radi o vrlo niskim temperaturama, efektivne mase nosilaca se znatno razlikuju od onih na sobnim temperaturama, to utjee na tonost efektivnih gustoa kvantnih stanja. Zato su, radi usporedbe navedene i koncentracije nosilaca n* uzimanjem u obzir temperaturne ovisnosti efektivnih masa nosilaca [Selberherr89]. Te su koncentracije nie, ali je ta razlika svugdje manja od 20 %. Na slici 1.16 grafiki su prikazani rezultati iz tablice 1.9.
Zadatak 1.11
34
1 0,8
ND = 1014 cm3 1016 cm3 1018 cm3
n ND 0,4
0,2 0 0 50
0,6
100
150
200
T/K
Slika 1.16. Temperaturna ovisnost koncentracije elektrona na vrlo niskim temperaturama.
Iz rezultata u tablici 1.9, odnosno na slici 1.16 zanimljivo je primijetiti da e na sobnoj temperaturi gotovo sve primjese biti ionizirane, iako je termika energija ET dosta manja od energije ionizacije! Takoer, uoimo kako je za vee koncentracije primjesa podruje nepotpune ionizacije ire; dok su na T = 200 K za ND = 1014 cm3 praktiki svi donori ionizirani (vrijednosti u tablici su zaokruene na tri znamenke!), za ND = 1016 cm3 je ionizirano oko 98,6 % donorskih atoma. I za ovu pojavu se najjednostavnije tumaenje moe dati razmatranjem energija potrebnih da elektron u energetskom dijagramu preskoi iz donorskog u vodljivi pojas (vidi sliku 1.12). Pri niskim koncentracijama dovoljno je da elektron ima energiju Ec ED da bi uskoio iz donorskog nivoa u vodljivi pojas. Poveanjem koncentracije primjesa, kvantna stanja uz dno vodljivog pojasa se popunjavaju, tako da kod viih koncentracija primjesa neki elektroni moraju imati i znatno vee energije da bi uskoili u vodljivi pojas. Tu energiju moi e oito stei tek na viim temperaturama. Za vee koncentracije primjesa izvedene formule bi dale jo nie postotke ioniziranih donora. Na primjer, za ND = 1018 cm3 dobili bismo da je na 300 K ionizirano svega oko 80 % fosfornih atoma (za ilustraciju, na slici 1.16 ucrtana je krivulja i za tu koncentraciju). Meutim, kod tako visokih koncentracija ve dolazi do cijepanja donorskog nivoa u pojas energija, te njegovog stapanja s dnom vodljivog pojasa, pa energija ionizacije nije vie jednoznana (vidi poglavlje 1.9. Degeneracijski efekti). Slini rezultati se mogu dobiti i za poluvodi p-tipa. Pomou tih izraza nacrtane su krivulje u podruju nepotpune ionizacije na slikama 1.13 i 1.14.
Zadatak 1.12
Uz pretpostavku da se moe zanemariti promjena predeksponencijalnog lana T 3/2, procijenite za koliko treba poveati temperaturu silicija iznad 300 K da bi se intrinsina koncentracija udvostruila.
Rjeenje: T = 9,19 C.
Zadatak 1.12
35
Zadatak 1.13
Odredite koncentraciju donora kojom mora biti dopiran silicij da bi na 300 K imao koncentraciju elektrona dvostruko veu od koncentracije upljina.
Rjeenje: ND = 9,76109 cm3.
Zadatak 1.14
Odredite tip i neto koncentraciju primjesa kojom mora biti dopiran silicij da bi na 400 K sadravao 21012 slobodnih elektrona / cm3.
Rjeenje: NAnetto = 2,411013 cm3.
Zadatak 1.15
Silicij je dopiran s 1014 atoma akceptora / cm3. Odredite tip i koncentraciju primjese koju treba pridodati da bi na 300 K: a) koncentracija elektrona bila dvostruko vea nego prije drugog dopiranja; b) koncentracija elektrona bila peterostruko manja nego prije drugog dopiranja; c) koncentracija elektrona bila etiri puta manja nego koncentracija upljina prije drugog dopiranja.
Rjeenja: a) ND = 51013 cm3, b) NA = 41014 cm3, c) ND = 1,251014 cm3.
Zadatak 1.15
36
1.4. Poloaj Fermijevog nivoa

Poloaj Fermijevog nivoa odreen je koncentracijama nosilaca. Ako su koncentracije nosilaca puno nie od efektivnih gustoa kvantnih stanja, raspodjele slobodnih nosilaca po energijama dovoljno tono su opisane Maxwell-Boltzmannovom raspodjelom, pa se Fermijev nivo moe izraziti preko (1.24) i (1.31) kao
N E F = Ec ET ln c , n odnosno
N E F = E v + E T ln v . p
(1.63)
(1.64)
Efektivne gustoe kvantnih stanja, odreene izrazima (1.20), odnosno (1.30), openito se meusobno razlikuju zbog razliitih efektivnih masa elektrona u vodljivom, odnosno upljina u valentnom pojasu. To znai da krivulje raspodjele gustoa kvantnih stanja na slici 1.8 nisu potpuno simetrine, a Fermijev nivo u intrinsinom poluvodiu nije tono na sredini zabranjenog pojasa. Meutim, radi jednostavnosti, redovito se pretpostavlja da su efektivne gustoe kvantnih stanja meusobno jednake, te se koristi vrijednost koja se odreuje na temelju izmjerene intrinsine koncentracije, pomou izraza (1.34), a koja je jednaka geometrijskoj sredini efektivnih gustoa kvantnih stanja
E N c N v = ni exp G . 2 ET
Uz ove pretpostavke, za efektivne gustoe kvantnih stanja dobiva se
(1.65)
N c = N v = C T 3 2 ,
(1.66)
gdje je C" predeksponencijalni faktor iz izraza (1.39). On ovisi o temperaturi, ali je ta ovisnost vrlo slaba, pa se moe uzeti da je C" za neki poluvodi u odreenom temperaturnom podruju konstanta. Vrijednosti za C" u podruju sobnih temperatura za silicij, galij-arsenid i germanij navedene su u tablici 1.7 na str. 18.
Zadatak 1.16
Izraunati udaljenost Fermijevog nivoa od dna zabranjenog pojasa EF Ev za intrinsini silicij u stanju ravnotee na temperaturama od 0 C, 27 C i 100 C.
Rjeenje:
Da bismo odredili poloaj Fermijevog nivoa, polazimo od izraza za ravnotene koncentracije elektrona u vodljivom i upljina u valentnom pojasu poluvodia za koji vrijedi MaxwellBoltzmannova statistika
E Ec , n = N c exp F ET
Zadatak 1.16
37
E EF . p = N v exp v ET
Kao to ve znamo, u intrinsinom poluvodiu ravnotene koncentracije elektrona i upljina su meusobno jednake, pa izjednaavanjem gornja dva izraza dobivamo
E EF E Ec , = N v exp v N c exp F ET ET
odnosno, nakon izluivanja Fermijeve energije,

E F = E Fi = N E c + Ev E T + ln v . 2 2 Nc
(1.67)
Kako se izrazi za gustoe kvantnih stanja u valentnom i vodljivom pojasu razlikuju samo u efektivnim masama upljina, odnosno elektrona, tj.
* * N v (mv ) 3 2 , N c (mc ) 3 2
uvrtavanjem u (1.67) dobiva se

E Fi =
m* Ec + Ev 3 + E T ln v . m* 2 4 c
(1.68)
Iz dobivenih izraza vidljivo je da se Fermijev nivo u intrinsinom poluvodiu na temperaturi apsolutne nule nalazi tono na sredini zabranjenog pojasa. Porastom temperature Fermijev nivo e se praktiki linearno odmicati od sredine prema vrhu ili dnu zabranjenog pojasa, ovisno o omjeru * * efektivnih masa mv / mc . Efektivne mase elektrona i upljina na T = 27 C = 300 K dane su u tablici 1.5 na str. 17, iz ega moemo odrediti i pripadajui omjer. Iako iznosi efektivnih masa rastu s porastom temperature, njihov omjer je praktiki konstantan. Stoga moemo za sve tri zadane temperature za silicij raunati s omjerom * mv 0,81 = = 0,686 . * , mc 118
Uvrtavanjem u (1.68), dobivamo da se Fermijev nivo u intrinsinom siliciju nalazi pri sredini zabranjenog pojasa, pomaknut od sredine prema dnu zabranjenog pojasa za energiju 0,282 ET . Traene udaljenosti Fermijevog nivoa od dna zabranjenog pojasa dobit emo iz izraza (1.68) kao
E Fi Ev =
m* EG 3 + E T ln v . m* 2 4 c
(1.69)
Izraunate vrijednosti navedene su, zajedno s neophodnim irinama zabranjenog pojasa, u tablici 1.10. Kod raunanja udaljenosti Fermijevog nivoa od dna zabranjenog pojasa moe se primijetiti da je za sve tri zadane temperature drugi lan u (1.69) puno manji od prvoga. Zato je i pribliavanje Fermijevog nivoa dnu zabranjenog pojasa s porastom temperature prvenstveno
Tablica 1.10. Rezultati u zadatku 1.16.
T 0 C = 273 K 27 C = 300 K 100 C = 373 K
EG 1,13 eV 1,12 eV 1,10 eV
EF Ev 0,559 eV 0,555 eV 0,543 eV
Zadatak 1.16
38
posljedica smanjenja irine zabranjenog pojasa. Prema tome, za intrinsini silicij moemo uvijek uzimati da se Fermijev nivo nalazi na sredini zabranjenog pojasa. Takoer, u daljnjim proraunima pretpostavljat emo da su efektivne mase elektrona i upljina meusobno jednake. Iako su omjeri efektivnih masa elektrona i upljina u germaniju i galij-arsenidu po iznosu vei nego kod silicija, jo uvijek su dovoljno mali da se drugi pribrojnik u (1.69) moe zanemariti za relativno iroko temperaturno podruje. Stoga se moe uzeti da je i za njih Fermijev nivo u intrinsinom materijalu praktiki na sredini zabranjenog pojasa. Valja uoiti da e za galij-arsenid intrinsini Fermijev nivo biti malo iznad sredine zabranjenog pojasa, budui da je efektivna masa upljina vea od efektivne mase elektrona.
Zadatak 1.17
Izraunati ravnoteni poloaj Fermijevog nivoa na T = 300 K za silicij koji je: a) dopiran samo donorima koncentracije ND = 5 1015 cm3, b) dopiran samo akceptorima koncentracije NA = 5 1015 cm3, c) dopiran i donorima i akceptorima koncentracija ND = NA = 5 1015 cm3.
Rjeenje: a)
Pri T = 300 K, intrinsina koncentracija u siliciju je puno manja od zadane koncentracije donora. Stoga e na toj temperaturi silicij n-tipa biti ekstrinsian, a koncentracija veinskih nosilaca bit e jednaka koncentraciji donora. Poloaj Fermijevog nivoa bit e
N N E F = E c E T ln c = Ec ET ln c . n ND
Efektivnu gustou kvantnih stanja u siliciju na T=300 K izraunat emo pomou izraza (1.66)
N c = C T 3 2 = 3,81 1019 cm 3 .
Konstantu C" smo uvrstili iz tablice 1.7 na str. 18: za silicij C" = 7,33 1015 K3/2cm3. Uvrtavanjem izraunatih brojeva dobiva se udaljenost Fermijevog nivoa od dna vodljivog pojasa Ec EF = 0,231 eV. Fermijev nivo se nalazi iznad sredine zabranjenog pojasa.
b)
Kao i u a) dijelu zadatka, ali sada koristei izraz za veinske upljine
N N E F = E v + ET ln v = E v + ET ln v p NA
,
dobit emo da je EF Ev = 0,231 eV. Sada je Fermijev nivo blie valentnom pojasu. Usporeujui rezultate a) i b) dijela zadatka, moemo uoiti da je u oba sluaja udaljenost Fermijevog nivoa od sredine zabranjenog pojasa, odnosno od Fermijeve energije za intrinsini poluvodi ista! Kod n-tipa silicija u a) dijelu Fermijev nivo je pomaknut prema vrhu zabranjenog pojasa za isti iznos energije koliko je u b) dijelu zadatka, za p-tip silicija, Fermijev nivo pomaknut
Zadatak 1.17
39
prema dnu zabranjenog pojasa. Ako izrazimo poloaj Fermijevog nivoa prema Fermijevoj energiji intrinsinog poluvodia EFi , gornje relacije moemo pisati kao
n E F = E Fi + ET ln , ni p E F = E Fi ET ln . ni
(1.70)
(1.71)
Kako je iz ovih relacija oigledno, jednaki pomaci Fermijevog nivoa posljedica su meusobno jednakih neto koncentracije primjesa u oba sluaja, a time i jednakih koncentracija veinskih nosilaca. Poloaj Fermijevog nivoa moe se odrediti i uvrtavanjem koncentracija manjinskih nosilaca u gornje izraze, ali kako nam je redovito lake izraunati koncentraciju veinskih nosilaca, taj pristup se rijetko koristi.
c)
Za potpuno kompenzirani poluvodi vrijede iste relacije kao i u prethodnom zadatku. Koncentracije elektrona i upljina su jednake intrinsinoj koncentraciji. Prema tome, Fermijev nivo e se nalaziti pri sredini zabranjenog pojasa
E Fi Ev =
m* EG 3 + ET ln v = 0,555 eV . m* 2 4 c
Na slici 1.17 prikazane su funkcije gustoa kvantnih stanja, Fermijeve funkcije vjerojatnosti i raspodjele nosilaca po energijama za a) i b) sluaj iz ovog zadatka. Za poluvodi n-tipa Fermijev nivo je pomaknut od intrinsinog Fermijevog nivoa EFi prema vrhu zabranjenog pojasa. Zato je i Fermijeva funkcija vjerojatnosti pomaknuta prema viim energijama, pa e u vodljivom pojasu biti vea vjerojatnost popunjenosti kvantnih stanja nego za sluaj intrinsinog poluvodia. Naprotiv, kod poluvodia p-tipa Fermijev nivo, a time i Fermijeva funkcija vjerojatnosti pomaknuti su prema dnu zabranjenog pojasa. Sada je vea vjerojatnost nepopunjenosti valentnog pojasa elektronima (tj. popunjenosti upljinama). Za poluvodi iz c) dijela zadatka slika je potpuno jednaka slici 1.8 na str. 10 za potpuno intrinsini poluvodi.
Zadatak 1.18
Odrediti poloaj Fermijevog nivoa silicija kojemu je dodana neto koncentracija primjesa a) NA ND = 1014 cm3, odnosno b) ND NA = 1014 cm3, na temperaturama od 0 C, 27 C, 100 C i 175 C. Rezultate prikazati grafiki.
Obino se govori o pomicanju Fermijevog nivoa prema valentnom ili vodljivom pojasu, iako poloaji dna vodljivog i vrha valentnog pojasa nisu fiksni - cijeli energetski dijagram lebdi u zraku. Zbog toga o pomicanju Fermijevog nivoa moemo govoriti samo u smislu relativnih pomaka prema valentnom, odnosno vodljivom pojasu [Selberherr84]. To je glavnim razlogom da nismo definirali referentnu energiju, kao to je u nekim knjigama uobiajeno.
Zadatak 1.18
40
vodljivi pojas
E Ec ED EF Ev
E fp T = 0 K Ec EF Ev fn 0 a) 1
n dn dE
Ec EF EFi Ev
+ + +
ED
c v
Ec EF > Ev T > 0 K
valentni pojas
dp dE
vodljivi pojas
E T> 0 K > fp Ec T= 0 K EF Ev
E n dn dE
Ec EFi EF Ev
Ec
c v
Ec EF Ev
---
EA
EF EA Ev
valentni pojas
fn 0 b) 1
dp dE
Slika 1.17. Raspodjele koncentracija elektrona i upljina po energijama: a) poluvodi n-tipa, b) poluvodi p-tipa.
Rjeenje: a)
Kako u poluvodiu prevladavaju akceptorske primjese, radi se o p-tipu poluvodia. Udaljenost Fermijevog nivoa od dna zabranjenog pojasa moemo izraunati iz (1.64) kao N E F Ev = ET ln v . p U tablici 1.11 nalaze se poloaji Fermijevog nivoa izraunati za sve etiri zadane temperature, zajedno s pripadajuim intrinsinim koncentracijama, koncentracijama veinskih nosilaca, te efektivnim gustoama kvantnih stanja u valentnom pojasu. Kao to je iz tablice vidljivo, intrinsine koncentracije su za sve zadane temperature, osim za 175 C puno manje od neto koncentracije primjesa, pa je koncentracija veinskih nosilaca jednaka neto koncentraciji primjesa
p = N A N D = 1014 cm3 .
Na T = 175 C = 448 K intrinsina koncentracija ni = 5,591013 cm3, to je sumjerljivo s neto koncentracijom NA ND . Stoga koncentraciju veinskih upljina moramo raunati preko openitog izraza
Zadatak 1.18
41
Tablica 1.11. Fermijeve energije u zadatku 1.18a.
T 0 C = 273 K 27 C = 300 K 100 C = 373 K 175 C = 448 K
ni / cm3 1,19 109 1,38 10 1,84 10 5,59 10

10 12 13
p / cm3 1014 10 10
14 14 14
Nv / cm3 3,31 1019 3,81 10 5,28 10 6,95 10

19 19 19
EF Ev 0,299 eV 0,332 eV 0,424 eV 0,511 eV
1,25 10
= 1,25 1014 cm 3 . 2 Efektivne gustoe kvantnih stanja raunaju se pomou izraza (1.66)
p=
N v = C T 3 2 ,
N A N D + ( N A N D ) 2 + 4 ni2
gdje je za silicij C" = 7,33 10 K
15
3/2
cm3.
b)
U sluaju da prevladavaju donorske primjese, radi se o poluvodiu n-tipa. Poloaj Fermijevog nivoa dobit emo iz izraza (1.63) kao
N Ec E F = ET ln c . n
Kako su zadani podaci identini kao i u a) dijelu zadatka, zbog slinosti izraza dobivaju se slini rezultati, dani u tablici 1.12.
Tablica 1.12. Fermijeve energije u zadatku 1.18b.
T 0 C = 273 K 27 C = 300 K 100 C = 373 K 175 C = 448 K
ni / cm3 1,19 109 1,38 10 1,84 10

10 12
n / cm3 1014 10 10
14 14
Nc / cm3 3,31 1019 3,81 10 5,28 10

19 19
Ec EF 0,299 eV 0,332 eV 0,424 eV 0,511 eV
5,59 1013
1,25 1014
6,95 1019
Na slici 1.18 prikazana je ovisnost poloaja Fermijevog nivoa o temperaturi za poluvodie u a), odnosno b) dijelu zadatka, te za silicij dopiran s 1016 cm3 i 1018 cm3 atoma primjesa oba tipa. Kao referentna energija uzeta je sredina zabranjenog pojasa EFi , pa se na ordinati zapravo nalazi udaljenost Fermijevog nivoa od sredine zabranjenog pojasa EF EFi . Budui da se s porastom temperature smanjuje irina zabranjenog pojasa, u sliku su ucrtane i funkcije udaljenosti rubova valentnog, odnosno zabranjenog pojasa od EFi . Na osnovu rezultata zadatka, te uvidom u sliku, moemo zakljuiti da s porastom temperature Fermijev nivo tei sredini zabranjenog pojasa. Za ekstrinsino podruje udaljenost
Zadatak 1.18
42
0,6 0,4 0,2
dno vodljivog pojasa 1018 cm3 1016 cm3 ND = 1014 cm3 NA = 1014 cm3 1016 cm3 1018 cm3 vrh valentnog pojasa 200 250 300 350 400 450 500
EF E Fi eV
0 0,2 0,4 0,6 150
T/ K
Slika 1.18. Ovisnost poloaja Fermijevog nivoa u siliciju o temperaturi za razliite koncentracije primjesa.
Fermijevog nivoa od rubova zabranjenog pojasa (EF Ev , odnosno Ec EF ) proporcionalna je temperaturi, jer prevladava utjecaj lana ET ispred logaritamske funkcije u izrazima (1.63), odnosno (1.64). Na slici ta linearna ovisnost nije oita, jer su nacrtane funkcije poloaja Fermijevog nivoa (EFi Ev , odnosno Ec EFi ) zakrivljene zbog nelinearnog suenja zabranjenog pojasa. Ulaskom u intrinsino temperaturno podruje, poinje znaajno rasti nazivnik u argumentima logaritamskih funkcija u (1.63), odnosno (1.64), pa Fermijev nivo asimptotski tei sredini zabranjenog pojasa. Za iste neto koncentracije primjesa, ali suprotnog tipa, Fermijev nivo je jednako udaljen od dna, odnosno od vrha zabranjenog pojasa, tj. postoji simetrija s obzirom na sredinu zabranjenog pojasa. Iako se irina zabranjenog pojasa smanjuje s temperaturom, sa slike moemo uoiti da je pomicanje Fermijevog nivoa s porastom temperature puno bre (osim za vrlo visoke koncentracije primjesa). Dakle, pomicanje Fermijevog nivoa prema sredini zabranjenog pojasa nije posljedica suenja zabranjenog pojasa. Prema niskim temperaturama, Fermijev nivo se pomie prema donorskom, odnosno akceptorskom nivou. Za vrlo niske temperature, za poluvodi n-tipa koji je djelomino kompenziran akceptorima, iz izraza (1.60) dobiva se
N NA . Ec E F = E c E D ET ln D 2 NA
(1.72)
Kao to se vidi iz (1.72), na temperaturi apsolutne nule u djelomino kompenziranom poluvodiu n-tipa Fermijev nivo e se poklapati s donorskim nivoom! Ako je za poluvodi n-tipa ND N A >> 1 , 2 NA
vrijednost logaritamske funkcije u (1.72) e biti pozitivna, pa e se s porastom temperature Fermijev nivo pomicati prema vodljivom pojasu proporcionalno s temperaturom. Izraz (1.60) vrijedi samo za podruje vrlo niskih temperatura - Fermijev nivo e se prema viim
Zadatak 1.18
43
temperaturama, nakon to dosegne najvii poloaj, poeti pribliavati sredini zabranjenog pojasa (kao to je prikazano na slici 1.18). U poluvodiu koji sadri samo donorske primjese, koncentracija nosilaca odreena je izrazom (1.62), na osnovu kojeg se dobiva da je
Ec E F =
2 Nc E c E D ET , + ln 2 2 ND
(1.73)
odnosno
EF =
2 Nc E c + E D ET . ln 2 2 ND
(1.74)
Znamo da je prema izrazu (1.66) Nc T 3/2, pa je

T 0
ET 2 Nc ln = lim C1 T ln (C T 3 2 ) = 0 . lim 2 N D T 0
Dakle, prema izrazu (1.74), na temperaturi apsolutne nule, Fermijev nivo e se nalaziti tono na sredini izmeu donorskog nivoa i dna vodljivog pojasa (vidi sliku 1.19, krivulje a i b). Neposredno iznad apsolutne nule, vrijednost logaritamske funkcije u (1.74) 0 bit e negativna, jer je Nc < ND , te e se < i u ovakvom poluvodiu s porastom b temperature Fermijev nivo do neke temperature pomicati prema vodljivom c pojasu. Nakon to dosegne najvii EF Ec ED 50 poloaj, Fermijev nivo e se poeti d meV pribliavati sredini zabranjenog pojasa. a Na temperaturi na kojoj je 2 Nc = ND , Fermijev nivo e se ponovno nalaziti na Ec ED = 45 meV sredini izmeu donorskog nivoa i 100 vodljivog pojasa. U poluvodiu koji 0 50 100 sadri i akceptorske primjese, Fermijev nivo se na temperaturi apsolutne nule T/K poklapa s donorskim nivoom. Pomak Slika 1.19. Poloaj Fermijevog nivoa na niskim Fermijevog nivoa u takvom poluvodiu temperaturama u siliciju n-tipa dopiranom s: ovisi i o koncentraciji akceptora ak i 14 3 16 3 (a) ND = 10 cm , (b) ND = 10 cm , kada je ona puno nia od koncentracije (c) ND = 1016 cm3 i NA = 1014 cm3, 16 3 16 3 donora (krivulje b, c i d na slici 1.19 (d) ND = 210 cm i NA = 10 cm . odnose se na silicije s jednakim neto koncentracijama primjesa!).
Zadatak 1.19
Na temperaturi T = 300 K Fermijev nivo u siliciju udaljen je 0,3 eV od vrha valentnog pojasa. Odrediti tip i iznos koncentracije primjesa, kao i koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca. Pretpostaviti da je silicij dopiran samo jednim tipom primjese.
Zadatak 1.19
44
Rjeenje:
Kako vrh valentnog pojasa odgovara dnu zabranjenog pojasa, to je prema tekstu zadatka EF Ev = 0,3 eV. Na T = 300 K irina zabranjenog pojasa silicija je EG = 1,12 eV, a kako je Fermijev nivo udaljen od dna zabranjenog pojasa za manje od EG / 2 = 0,562 eV, zakljuujemo da se radi o poluvodiu p-tipa, odnosno da je dodana primjesa akceptor. Koncentraciju upljina (veinskih nosilaca) moemo odrediti iz Fermijeve energije poluvodia
E EF = 3,47 1014 cm 3 . p = N v exp v ET
S obzirom da je ova koncentracija mnogo vea od intrinsine koncentracije na zadanoj temperaturi (ni = 1,38 1010 cm3), koncentracija veinskih nosilaca je praktiki jednaka neto koncentraciji primjesa, pa je NA = p = 3,47 1014 cm3. Koncentracija manjinskih nosilaca, elektrona
n= ni2 = 5,46 105 cm 3 . p
Zadatak 1.20
Izraunajte poloaj Fermijevog nivoa na 350 K za silicij koji je dopiran s: a) ND = 1016 cm3, b) NA = 1016 cm3, c) ND = NA = 1016 cm3.
Rjeenja: a) Ec EF = 0,256 eV, b) EF Ev = 0,256 eV, c) EF Ev = 0,555 eV.
Zadatak 1.21
Izraunajte udaljenost Fermijevog nivoa od dna zabranjenog pojasa za silicij koji na T = 300 K ima 108 upljina / cm3.
Rjeenje: EF Ev = 0,689 eV.
Zadatak 1.22
Ekstrinsini silicij je prvobitno dopiran nekom primjesom koncentracije N1. Pridodavanjem neke koncentracije N2 primjese istog tipa, na T = 300 K Fermijev nivo se pomakao za 28,4 meV blie vrhu valentnog pojasa, a koncentracija veinskih nosilaca se promijenila na 3 1015 cm3. Odredite tipove i koncentracije primjesa.
Rjeenje: NA1 = 1015 cm3, NA2 = 2 1015 cm3.
Zadatak 1.20
45
1.4.1. Elektrokemijski i elektrostatski potencijali*
Kod izvoenja strujno-naponskih karakteristika komponenti prikladnije je umjesto energija koristiti potencijale. Veza izmeu energija i potencijala dana je relacijama E F = q , E Fi = q , E c = q c , E v = q v , pri emu je Fermijev ili elektrokemijski potencijal, a je elektrostatski potencijal. U tom sluaju izraze (1.24) i (1.31) za ravnotene koncentracije nosilaca moemo pisati
n0 = N c exp c , UT v p0 = N v exp , UT
(1.75) (1.76)
dok za intrinsine koncentracije vrijedi

ni = N c exp c , UT v pi = N v exp . UT
(1.77) (1.78)
UT je naponski ekvivalent temperature
ET k T = , q q koji emo uglavnom raunati preko brojanog izraza UT =
(1.79)
T K V. (1.80) UT = 11605 Uvrtavanjem temperature u kelvinima u gornji izraz, dobiva se naponski ekvivalent temperature u voltima. Iz gornjih izraza, ravnotene koncentracije nosilaca mogu se izraziti preko razlika elektrostatskih i elektrokemijskih potencijala
n0 = ni exp , UT p0 = ni exp , UT
(1.81) (1.82)
to je ekvivalent izrazima (1.70) i (1.71).
46
U uvjetima neravnotee, Fermijevi potencijali razlikovat e se od ravnotenih vrijednosti, pa je n n = ni exp (1.83) , UT

p p = ni exp . UT
(1.84)
n i p su kvazi-Fermijevi potencijali elektrona, odnosno upljina. Kombiniranjem gornjih izraza dobiva se veza izmeu ravnotenih i neravnotenih koncentracija nosilaca izraena razlikama Fermijevog i kvazi-Fermijevih nivoa elektrona i upljina
n n = n0 exp , UT p p = p0 exp . UT
(1.85) (1.86)
Kako se iz (1.85) vidi, pri porastu koncentracija elektrona iznad ravnotene koncentracije doi e do pomaka kvazi-Fermijevog nivoa za elektrone od ravnotenog Fermijevog nivoa prema vodljivom pojasu. Obrnuto, smanjivanjem koncentracije elektrona ispod ravnotene koncentracije, kvazi-Fermijev nivo e se pomicati prema dnu zabranjenog pojasa. Slino vrijedi i za upljine, odnosno njihov kvazi-Fermijev nivo. Iz umnoka izraza (1.85) i (1.86)
p n p n 2 n p = n0 p0 exp = ni exp , UT UT
vidi se da je umnoak neravnotenih koncentracija nosilaca proporcionalan umnoku ravnotenih koncentracija i razlici kvazi-Fermijevih potencijala. U uvjetima ravnotee n = p , te gornji izraz prelazi u zakon termodinamike ravnotee.
Zadatak 1.23
Odrediti ugraeni potencijal silicija koji je homogeno dopiran s NA = 1016 cm3 i ND = 71015 cm3 atoma primjesa na T = 300 K. Koliki e biti kvazi-Fermijevi nivoi, ako se koncentracije i elektrona i upljina poveaju za a) 108 cm3, odnosno b) 51016 cm3.
Rjeenje:
Ugraeni potencijal poluvodia b je elektrostatski potencijal elektriki neutralnog poluvodia. Zbog toga polazimo od zakona elektrine neutralnosti n + N A = p + ND . Uvrstimo li u njega izraze (1.81) i (1.82), dobit emo
Zadatak 1.23
47
b + N A = ni exp + ND . ni exp b UT UT
Izluimo li traeni ugraeni potencijal, dobit emo izraz

N NA b = + U T arsinh D . 2 ni
(1.87)
Ako je koncentracija jedne od primjesa puno vea od koncentracije druge primjese, tada se gornji izraz moe aproksimirati kao
N b = + U T ln D , za N D >> N A , 2 ni N b = U T ln A , za N A >> N D . 2 ni
(1.88)
(1.89)
Koncentracije primjesa zadane u tekstu zadatka su sumjerljive, te moramo ugraeni potencijal raunati pomou openitog izraza (1.87). Uvrtavanjem zadanih vrijednosti dobiva se b = 0,318 V, to znai da je Fermijev nivo pomaknut 0,318 eV od sredine zabranjenog pojasa prema valentnom pojasu. Na slici 1.20a i 1.20b prikazani su elektrostatski i kvazi-Fermijevi potencijali za intrinsini poluvodi, odnosno za zadani poluvodi u stanju ravnotee. Treba uoiti da je referentni (pozitivni) smjer za potencijal suprotan referentnom smjeru energija.
a)
Pri promjeni koncentracija nosilaca s ravnotene koncentracije, kvazi-Fermijevi potencijali vie nee biti jednaki ravnotenim Fermijevim potencijalima. Koncentracija veinskih upljina je uz prirast p = 108 cm3
p = p0 + p = N A N D = 3 1015 cm3
ostala praktino nepromijenjena, budui da je prirast koncentracije zanemariv u odnosu na ravnotenu koncentraciju upljina. Naprotiv, koncentracija manjinskih elektrona
n=p=ni
n=n0 p=p0
. n>n0 p=p0
n>n0 p>p0
c = v
a)
c n = p = v
b)
c p = v
c)
.
c v
d)
Slika 1.20. Elektrostatski i kvazi-Fermijevi potencijali: a) intrinsini poluvodi, b) poluvodi ptipa u ravnotei, c) u uvjetima niske injekcije, d) u uvjetima visoke injekcije.
Zadatak 1.23
48
n = n0 + n =
ni2 + n = 108 cm 3 p0
jednaka je prirastu koncentracije elektrona. Zbog toga je promjena kvazi-Fermijevog potencijala za upljine (prema izrazu (1.86)) p p = U T ln = 0 , p0 a promjena Fermijevog potencijala za elektrone (prema (1.85))
n n = U T ln = 0,190 V . n0
Koncentracija elektrona se poveala iznad ravnotene, pa se kvazi-Fermijev nivo pribliio vodljivom pojasu (vidi sliku 1.20c)
b)
Uz prirast koncentracije veinskih upljina p = 5 1016 cm3, doi e do znaajne promjene koncentracije veinskih nosilaca p = p0 + p = 5,3 1016 cm3 , pa pomak kvazi-Fermijevog nivoa za upljine u odnosu na ravnoteni poloaj vie nee biti zanemariv p p = U T ln = 74,2 mV . p0 Kvazi-Fermijev nivo za upljine se pribliio valentnom pojasu, budui da se koncentracija upljina poveala. Pomak kvazi-Fermijevog nivoa za elektrone bit e
n n = U T ln = 0,708 V . n0
Kvazi-Fermijev nivo za elektrone je preao u polovicu zabranjenog pojasa bliu vodljivom pojasu, to se i moglo oekivati, jer se koncentracija manjinskih elektrona poveala iznad intrinsine koncentracije. U a) dijelu zadatka koncentracija manjinskih elektrona je, ak uz relativno veliki prirast, puno manja od ravnotene koncentracije veinskih upljina - poluvodi je u reimu niske injekcije. U b) dijelu zadatka prirast koncentracije manjinskih nosilaca je toliko velik da je koncentracija manjinskih nosilaca sumjerljiva s koncentracijom veinskih nosilaca - poluvodi je u reimu visoke injekcije. Na slici 1.20c i 1.20d prikazani su elektrostatski i kvazi-Fermijevi potencijali za razmatrani poluvodi u a), odnosno b) dijelu zadatka.
Zadatak 1.24
U silicij dopiran s 1015 atoma bora / cm3 injektiraju se elektroni i upljine u jednakim koncentracijama. Odredite priraste tih koncentracija, ako se radi o visokoj injekciji (p = n = p0), a kvazi-Fermijevi nivo elektrona i upljina su razmaknuti 0,57 eV. T = 300 K.
Rjeenje: p = n = 4,841014 cm3.
Zadatak 1.24
1.5. Gibanje nosilaca
49

Da bi kroz neki materijal potekla struja mora postojati gibanje naboja. U poluvodiima pokretni naboj ine elektroni i upljine, dok su ionizirane primjese na sobnim temperaturama zamrznute u kristalnoj reetki, pa ne doprinose elektrinoj struji. Pokretni nosioci naboja uslijed termikih titranja kristalne reetke poluvodia na temperaturi razliitoj od apsolutne nule prolaze kroz niz sudara s atomima kristalne reetke, te se stoga gibaju kaotino. Srednja brzina kojom se elektroni pritom gibaju naziva se termika brzina
. (1.90) m* Pretpostavimo li da je efektivna masa jednaka masi mirovanja elektrona, moemo dobiti da termika brzina na 300 K iznosi 1,17107 cm/s. Ako na poluvodi ne djeluje vanjska sila, statistiki e zbroj svih komponenti tog gibanja biti jednak nuli, te e i ukupna struja u poluvodiu biti jednaka nuli (slika 1.21a).
6 7 4 1 3 2 6 5 4 efektivni pomak elektrona 1 3 2
vth =
3 ET

kaotino gibanje driftna komponenta gibanja
a)
b)
Slika 1.21. Prikaz gibanja elektrona u poluvodiu: a) kaotino gibanje, b) usmjereno gibanje pod djelovanjem elektrinog polja.
Pod djelovanjem neke vanjske sile, na termiku komponentu gibanja superponirat e se dodatna komponenta gibanja koja e uzrokovati rezultantno gibanje nosilaca u smjeru djelovanja sile (na slici 1.21b prikazan je utjecaj elektrinog polja na gibanje elektrona). Dva najznaajnija uzroka gibanja nosilaca u poluvodiima su: 1. elektrino polje koje uzrokuje driftnu struju nosilaca, te 2. razlika u koncentracijama koja uzrokuje difuzijsku struju nosilaca.
50
1.5.1. Driftna i difuzijska struja nosilaca
Pod djelovanjem elektrinog polja, bilo vanjskog ili ugraenog, na termiku komponentu gibanja superponirat e se i dodatna driftna komponenta u smjeru tog polja. Zbog toga e postojati rezultantno gibanje upljina u smjeru elektrinog polja i elektrona u suprotnom smjeru, pa e zbog toga tei rezultantna driftna struja. Na slici 1.22 predoeno je gibanje nosilaca u energetskom dijagramu, kada na Ec poluvodi n-tipa djeluje elektrino polje. Pod EF utjecajem tog polja elektroni se u vodljivom pojasu ubrzavaju, te se njihova potencijalna energija Ev pretvara u kinetiku. To se na slici oituje udaljavanjem elektrona od dna vodljivog pojasa. Ukupna energija pri tome je stalna, pa je i staza na slici horizontalna. Prilikom sudara elektroni gube kinetiku energiju, predajui dio energije kristalnoj reetki. Ta se energija uglavnom pretvara u toplinu. Nakon toga elektroni se ponovo ubrzavaju i proces Slika 1.22. Prikaz driftnog gibanja se ponavlja. Pri tome se elektron kree prema mjestu nosilaca u energetskom dijagravieg potencijala, odnosno nie potencijalne mu n-tipa poluvodia [Grove67]. energije, to se oituje u nagibu energetskog dijagrama. Isto vrijedi i za upljine u valentnom pojasu. Valja se podsjetiti da su referentni smjerovi energija za upljine suprotni referentnim smjerovima energija za elektrone. U valentnom pojasu se elektroni gibaju u istom smjeru kao i u vodljivom pojasu, pa je smjer gibanja upljina suprotan. Gustoa driftne struje proporcionalna je jakosti elektrinog polja J = , (1.91) pri emu je elektrina provodnost poluvodia. Kako je gustoa elektrine struje jednaka koliini naboja koja u jedinici vremena proe kroz jedinini presjek, za driftnu struju elektrona moemo takoer pisati
J = q n v fn ,
(1.92) (1.93) (1.94) (1.95)
gdje je vfn driftna brzina elektrona
vfn = n .
Slino, za driftnu struju upljina
J = q p vfp ,
gdje je vfp driftna brzina upljina
vfp = p .
Faktori proporcionalnosti n i p u (1.93) i (1.95) su pokretljivosti elektrona, odnosno upljina. Na osnovu slike 1.21 moe se zakljuiti da driftna brzina nije jednaka stvarnoj brzini kojom se pojedini elektroni gibaju izmeu sudara, ve je to efektivna
51
brzina kojom se gibaju svi elektroni pod djelovanjem elektrinog polja. Za iznose elektrinog polja manje od 103 - 104 V/cm, termika brzina gibanja pojedinih elektrona izmeu dva sudara je puno vea od driftne brzine, te je pokretljivost nosilaca u (1.93), odnosno (1.95) neovisna o iznosu elektrinog polja. Stoga su driftne brzine nosilaca, a time i struje, proporcionalne elektrinom polju. Kod veih iznosa elektrinog polja dolazi do pojave zasienja driftne brzine. Driftna brzina ne raste vie linearno s jakou elektrinog polja, nego sporije, odnosno dolazi do pada pokretljivosti u (1.93) i (1.95) [Ryder53]. Ako nosioci nisu jednoliko raspodijeljeni u poluvodiu, pojavit e se rezultantno gibanje nosilaca s mjesta vie k mjestu nie koncentracije - sustav tei k stanju ravnotee. To gibanje uzrokovat e difuzijsku struju nosilaca
Jdn = q Dn grad n
za elektrone, odnosno
(1.96)
Jdp = q D p grad p
(1.97)
za upljine. Dn i Dp su difuzijske konstante nosilaca. Za jednodimenzionalni sluaj gornje jednadbe moemo pisati kao dn Jdn = q Dn , (1.96a) dx
Jdp = q D p dp . dx (1.97a)
I elektroni i upljine se gibaju u smjeru padajue koncentracije - negativnog gradijenta. Kako je smjer gibanja elektrona suprotan smjeru struje koju to gibanje uzrokuje tj. struja elektrona je u smjeru rastue koncentracije, na desnoj strani jednadbi (1.96), odnosno (1.96a) nema negativnog predznaka. Naprotiv, smjer gibanja upljina A' B' C' jednak je smjeru struje upljina, pa je zato potreban negativan predznak na desnoj strani jednadbi (1.97), odnosno (1.97a), inae bismo dobili da i struja upljina tee u smjeru rastue koncentracije. Zanimljivo je uoiti da je kod difuzijskog gibanja nosilaca i dalje za svaku pojedinu esticu na bilo kojem mjestu vjerojatnost gibanja u svim smjerovima A B C jednaka. To znai da e se neke estice Slika 1.23. Prikaz rezultantnog difuzijskog gibati i prema mjestu vie koncentracije. gibanja estica. Meutim, zbog razlika u koncentracijama vie e se estica gibati s mjesta vie prema mjestu nie koncentracije nego u suprotnom smjeru - postojat e rezultantno gibanje u smjeru padajue koncentracije. To je uoljivo sa slike 1.23 na kojoj su prikazana dva susjedna prostorna segmenta s razliitim koncentracijama estica. U segmentu AB nalazi
52
se vie estica nego u susjednom segmentu BC, pa je broj estica koji e prei iz AB u BC vei nego broj estica koje e ii u suprotnom smjeru - postojat e rezultantno gibanje estica iz volumena AB u volumen BC.
Zadatak 1.25
Silicij p-tipa dopiran je s 1015 atoma bora / cm3. Pod djelovanjem elektrinog polja jakosti 10 V/cm, kroz silicij e tei struja od 710 mA/cm2. T = 300 K. Odrediti: a) elektrinu provodnost silicija; b) driftnu brzinu i pokretljivost veinskih upljina, te c) driftnu brzinu i driftnu struju manjinskih elektrona, ako je pokretljivost elektrona trostruko vea od pokretljivosti upljina.
Rjeenje: a)
Elektrinu provodnost poluvodia izraunat emo iz zadane gustoe struje i jakosti elektrinog polja, pomou izraza (1.91) J = = 71 mS / cm .
b)
Koncentracija upljina u zadanom poluvodiu (p NA = 1015 cm3) je oko deset redova veliine vea od koncentracije manjinskih elektrona
n=
ni2 = 1,90 105 cm 3 , NA
pa je ukupna struja kroz silicij praktiki jednaka driftnoj struji veinskih upljina. Prema tome, driftnu brzinu upljina moemo lako izraunati pomou (1.94), tj. J J v fp = = = 4,43 10 3 cm / s , q p q NA
dok pokretljivost upljina moemo izraunati preko izraza (1.95)
p =
v fp
= 443 cm 2 / Vs .
c)
Prema tekstu zadatka, pokretljivost elektrona je tri puta vea od pokretljivosti upljina
n = 3 p = 1330 cm 2 / Vs ,
pa je i driftna brzina elektrona trostruko vea. Meutim, zbog vrlo niske koncentracije elektrona driftna struja elektrona je zanemariva J fn = q v fn n = q n n = 4,06 10 10 A / cm 2 . Kako se vidi iz ovog zadatka, driftnu struju u ekstrinsinim poluvodiima odreuju veinski nosioci.
Zadatak 1.25
53
1.5.2. Pokretljivost nosilaca i difuzijska konstanta
Tri su najizraenija mehanizma koja utjeu na pokretljivost nosilaca u poluvodiima [Bennett83]: - rasprenje nosilaca na atomima kristalne reetke (fononsko rasprenje). Ovo rasprenje je dominantno u siliciju kada su koncentracije primjesa nie od 1016 cm3. Doprinos tog rasprenja u pokretljivosti obino se oznaava s l i za njega vrijedi [Shockley50]
l (m* ) 5 2 T 3 2 (indeks l dolazi od engl. lattice - reetka). Pri porastu temperature raste frekvencija titranja kristalne reetke, a time se poveava vjerojatnost sudara nosilaca s atomima reetke, pa zbog toga pokretljivost opada.
- rasprenje nosilaca na ioniziranim primjesama (ionsko rasprenje) koje u siliciju prevladava ako su koncentracije primjesa vee od 1015 cm3. Pri prolasku kraj ioniziranih primjesa doi e do otklona putanje nosilaca uslijed elektrostatskog djelovanja naboja donorskog ili akceptorskog iona. Za doprinos ovog rasprenja u ukupnoj pokretljivosti vrijedi [Shockley50]
i N 1 T 3 2 . Pri veim koncentracijama primjesa vea je vjerojatnost rasprenja pa zato pokretljivost pada. Valja naglasiti da je N ukupna koncentracija ioniziranih primjesa, tj. zbroj donorskih i akceptorskih primjesa, budui da i jedni i drugi uzrokuju otklon putanja nosilaca, samo u suprotnim smjerovima. S porastom temperature raste kinetika energija nosilaca, pa je manja vjerojatnost rasprenja, te stoga ova komponenta pokretljivosti raste.
- meusobno rasprenje nosilaca na nosiocima. Ovo rasprenje je znaajno samo kod vrlo visokih koncentracija nosilaca, veih od priblino 1018 cm3. Ne treba naglaavati da e u intrinsinim poluvodiima postojati iskljuivo rasprenje nosilaca na atomima kristalne reetke. Ovisnost pokretljivosti nosilaca o koncentraciji primjesa obino se aproksimira izrazom [Caughey67]
= min +
max min
N + ND 1+ A N ref
(1.98)
Konstante min , max , Nref i za elektrone i upljine u siliciju na T = 300 K navedene su u tablici 1.13. Ovisnost pokretljivosti o temperaturi moe se ukljuiti u (1.98) preko temperaturne ovisnosti konstanti min , max , Nref i [Henning87, Selberherr89]
54
Tablica 1.13. Konstante za odreivanje pokretljivosti nosilaca u siliciju u ovisnosti o koncentraciji primjesa na T = 300 K [Henning87].
nosioci elektroni upljine
min cm 2 / Vs
80 45
max cm 2 / Vs
1430 460
N ref cm 3 1,121017 2,231017
0,72 0,72
300 K n,max (T ) = n0,max , T 300 K p ,max (T ) = p 0,max T 300 K min (T ) = 0,min T 300 K N ref (T ) = N 0,ref T 300 K (T ) = 0 T
2 ,18
(1.99) , (1.100) (1.101) (1.102) (1.103)
0,45
,
3,2
, .
0,065
U izraze (1.99) - (1.103) temperatura se uvrtava u kelvinima. Indeksom 0 su oznaene vrijednosti odgovarajuih parametara na T = 300 K, dane u tablici 1.13. Ovi izrazi vrijede za temperature vee od 200 K. Korekcije za nie temperature mogu se nai u referencama [Henning87, Selberherr89]. Valja naglasiti da su gornji brojani izrazi izvedeni iz eksperimentalnih rezultata i odnose se na pokretljivosti veinskih nosilaca. Pokretljivosti manjinskih nosilaca u visokodopiranom siliciju su neto vee budui da je rasprenje nosilaca na ioniziranim primjesama s istim nabojem slabije nego na primjesama sa suprotnim nabojem (npr. rasprenje upljina na donorskim ionima je slabije nego na akceptorskim) [Bennett83]. Ipak, radi jednostavnosti, mi emo sve navedene izraze koristiti i za manjinske nosioce. Za germanij i galij-arsenid kvalitativne ovisnosti pokretljivosti su sline kao i za silicij, ali su vrijednosti parametara druge (vidi npr. referencu [Selberherr84]). Uz pokretljivost nosilaca vezana je i difuzijska konstanta elektrona Dn , odnosno upljina Dp . U uvjetima termike ravnotee [Smith78]
55
E Ec F1 2 F ET Dn = 2 n U T , E Ec F1 2 F ET E EF F1 2 v ET Dp = 2 p U T , Ev E F F1 2 ET
gdje su F1/ 2 i F1/ 2 Fermijevi integrali reda 1/2 i 1/2 [Blakemore82]
(1.104)
(1.105)
F j ( ) =
tj dt . 1 + exp(t ) 0
(1.106)
Izrazi (1.104) i (1.105) mogu se razviti u red potencija [Kroemer78]. Na primjer, za (1.104) 2 n n Dn = n U T 1 + 0,35355 9,9 10 3 + Nc Nc 3 4 n 5 n + 4,452 10 4 (1.107) 1,772 10 +L . Nc Nc gdje je n koncentracija elektrona, a Nc je efektivna gustoa kvantnih stanja u vodljivom pojasu. Za nedegenerirane poluvodie (n << Nc , p << Nv) izrazi (1.104) i (1.105) prelaze u poznate Einsteinove relacije (1.108a) Dn = n U T , Dp = p U T . (1.108b) Da bi vrijedile Einsteinove jednadbe, prema (1.107) mora biti koncentracija nosilaca mnogo manja od gustoe kvantnih stanja. Kako su na 300 K za silicij gustoe kvantnih stanja oko 1019 cm3, znai da (1.108a), odnosno (1.108b) moemo koristiti kada su koncentracije primjesa manje od oko 1018 cm3. Oito je da za manjinske nosioce Einsteinove relacije vrijede uvijek, budui da je njihova koncentracija uvijek puno manja od gustoa kvantnih stanja.
Zadatak 1.26
Grafiki prikazati ovisnosti pokretljivosti i difuzijskih konstanti elektrona i upljina o koncentraciji primjesa u siliciju na T = 300 K.
Rjeenje:
Koritenjem izraza (1.98) te Einsteinovih relacija (1.108a) i (1.108b) dobivene su pokretljivosti i difuzijske konstante u tablici 1.14 za koncentracije primjesa od 1014 cm3 do
Zadatak 1.26
56
1020 cm3. Budui da se radi o rasponu koncentracija od est redova veliina, mjerilo na osi apscise u grafikom prikazu e biti logaritamsko i pokretljivosti e biti raunate na poecima dekada. Kako se pokretljivosti trae na T = 300 K, parametri iz tablice 1.13 se uvrtavaju izravno u (1.98), bez Tablica 1.14. Ovisnost pokretljivosti i difuzijskih konstanti nosilaca o koncentraciji primjesa za temperaturnih korekcija (1.99) - (1.103). Na osnovu rezultata danih u tablici 1.14 nacrtane su krivulje na slici 1.24. Na p Dp n Dn N njima moemo uoiti slijedee: 3 2 2 2 cm cm / Vs cm / Vs cm / s cm 2 / s 1. za vrlo niske koncentracije primjesa krivulje asimptotski tee pokretljivosti max i ona je zapravo jednaka komponenti pokretljivosti uslijed rasprenja na atomima kristalne reetke l (vidi str. 1014 1421 458 36,7 11,8 53). Prema tome, pokretljivost nosilaca 1015 1386 452 35,8 11,6 e biti najvea u poluvodiu bez 1016 1228 420 31,8 10,9 primjesa; 1017 783 311 20,2 8,03 2. za vrlo visoke koncentracije primjesa 1018 311 150 8,05 3,88 krivulje asimptotski tee pokretljivosti 1019 131 70,2 3,39 1,82 min , kada prevladava mehanizam 1020 90,1 50,1 2,33 1,29 rasprenja na ioniziranim primjesama; 3. krivulje imaju toku infleksije kod koncentracije Nref ; 4. pokretljivost elektrona u siliciju je za sve koncentracije primjesa dva do tri puta vea od pokretljivosti upljina. Slino vrijedi i za germanij i galij-arsenid, s time da je kod galijarsenida taj omjer jo i vei (kree se i do 20). Radi usporedbe, na slici 1.24 svjetlijom crtom su narisane i ovisnosti difuzijskih konstanti raunate egzaktnim izrazima (1.104) i (1.105). Kao to se vidi, Einsteinova relacija daje dovoljno tone difuzijske konstante i za veinske nosioce do koncentracija oko 1019 cm3.
siliciji na 300 K.
1400 1200 1000 800 600 400 200
35 30
cm2 / Vs
n p
25 20 15 10 5 0
D cm2 / s
0 14 15 16 17 18 19 20 10 10 10 10 10 10 10
N / cm3
Slika 1.24. Ovisnost pokretljivosti i difuzijskih konstanti nosilaca o koncentraciji primjesa za silicij na 300 K.
Zadatak 1.26
57
Zadatak 1.27
Grafiki prikazati ovisnost pokretljivosti nosilaca o temperaturi za silicij koji je dopiran s 1014, 1017 i 1020 atoma primjesa/cm3, u intervalu temperatura od 200 K do 500 K.
Rjeenje:
Zadatak je slian prethodnom, s time da se sada pokretljivosti trae na temperaturama razliitim od 300 K, pa prije uvrtavanja koncentracija u (1.98) trebamo provesti temperaturnu korekciju parametara min , max , Nref i prema formulama (1.99) - (1.103). Na primjer, pri T = 200 K, za elektrone dobivamo max = 3218 cm2/Vs (prema izrazu (1.99)), min = 96,0 cm2/Vs (1.101), Nref = 3,061016 cm3 (1.102), odnosno = 0,701 (1.103). S tim vrijednostima parametara moemo sada raunati pokretljivosti elektrona na T = 200 K za Tablica 1.15. Ovisnost pokretljivosti nosilaca u sve zadane koncentracije primjesa prema siliciju o temperaturi za razliite ukupne izrazu (1.98). Za upljine su parametri na koncentracije primjesa. temperaturi od 200 K: max = 1113 cm2/Vs 2 (prema izrazu (1.100)), min = 54,0 cm /Vs N (1.101), Nref = 6,091016 cm3 (1.102), 1014 1017 1020 1014 1017 1020 cm 3 odnosno = 0,701 (1.103). Opisanim postupkom dobivene su brojane vrijednosti u tablici 1.15, prema T kojima su nacrtane krivulje na slici 1.25. K Kako se sa slika vidi, s porastom temperature pokretljivost nosilaca opada. 200 To je izraenije kod slabo dopiranih 250 poluvodia gdje prevladava mehanizam 300 rasprenja nosilaca na atomima kristalne 350 reetke. Kod jako dopiranih materijala 400 prevladava mehanizam rasprenja na 450 ioniziranim primjesama koji ima suprotan 500 temperaturni koeficijent, pa se stoga oba mehanizma temperaturno kompenziraju. Kod niih temperatura i viih koncentracija primjesa temperature pokretljivost nosilaca raste.
n
cm 2 / Vs 3162 1044 107 1102 2039 910 97,1 681 1421 783 90,1 458 1046 669 84,5 328 802 570 80,0 245 634 487 76,3 190 514 418 73,1 151
p
cm 2 / Vs 493 391 311 248 200 163 135 59,9 54,2 50,1 46,7 44,0 41,7 39,8
moe se dogoditi ak i da s porastom
3000
n 2000 cm / Vs 1017 1000

2
N=10 cm
14
0 200
10
20
300
a)
400
1200 1000 N =1014 cm3 800 p 600 17 cm2 / Vs 400 10 200 1020 0 200 300 400 500
500
T/ K
T/ K
b)
Slika 1.25. Ovisnost pokretljivosti nosilaca u siliciju o temperaturi: a) elektroni, b) upljine.

Zadatak 1.27
58
1.5.3. Elektrina provodnost i elektrina otpornost poluvodia
Na temelju poznatih koncentracija nosilaca i njihovih pokretljivosti moemo odrediti elektrinu provodnost (specifinu vodljivost) poluvodia koja je openito
= q ( n n + p p ) .
(1.109)
Elektrina otpornost (specifini otpor) jednak je recipronoj vrijednosti elektrine provodnosti 1 1 = = . (1.110) q ( n n + p p )
Zadatak 1.28
Grafiki prikazati ovisnost elektrine otpornosti silicija na T = 300 K o koncentraciji primjesa, ako je silicij dopiran samo donorskim, odnosno samo akceptorskim primjesama.
Rjeenje:
Ako je neto koncentracija primjesa u poluvodiu znatno vea od intrinsine koncentracije, tada e koncentracija veinskih nosilaca biti jednaka neto koncentraciji primjesa. Koncentracija veinskih nosilaca bit e puno vea od koncentracije manjinskih nosilaca, pa u izrazu za elektrinu provodnost (1.109) prevladava komponenta provodnosti veinskih nosilaca. Na primjer, za silicij n-tipa koji je dopiran samo donorskim primjesama, ako je ND > ni , tada e biti > n = ND , a elektrina provodnost = n = q n n , odnosno elektrina otpornost
1 . q n n
Na T = 300 K intrinsina koncentracija ni = 1,38 1010 cm3. Da bismo dobili traeni grafiki prikaz, mijenjat emo koncentracije primjesa od 1014 cm3 do 1020 cm3, pa e koncentracija veinskih nosilaca biti uvijek jednaka koncentraciji primjesa. Za vie koncentracije nema smisla provoditi raun budui da kod vrlo visokih koncentracija raste broj primjesnih atoma koji ne uspijevaju nadomjestiti matine atome u kristalnoj reetki, tako da ukupni broj ne odgovara broju elektriki aktivnih primjesnih atoma. Kako se koncentracije primjesa mijenjaju u intervalu od nekoliko redova veliina, za prikaz emo koristiti logaritamsko mjerilo. Pri odreivanju elektrine otpornosti poluvodia prvo trebamo za odabranu koncentraciju primjesa odrediti pokretljivost veinskih nosilaca. Pokretljivost u ovisnosti o koncentraciji primjesa raunamo iz (1.98)
= min +
max min
N + ND 1+ A N ref
Za T = 300 K uvrtavamo parametre min , max , Nref i izravno iz tablice 1.13. Tako na primjer, za ND = 1014 cm3 dobivamo n = 1421 cm2/Vs, n = ND = 1014 cm3, = 22,8 mS/cm, a = 1 / = 43,9 cm.
Zadatak 1.28
59
U tablici 1.16 navedene su elektrine provodnosti za niz koncentracija primjesa, a na slici 1.26 grafiki su prikazani dobiveni rezultati. Kao to se sa slike vidi, elektrina otpornost poluvodia pada gotovo obrnuto proporcionalno s porastom koncentracije primjesa, to je posljedica proporcionalnog porasta koncentracija veinskih nosilaca. Pad pokretljivosti nosilaca s koncentracijom primjesa uzrokuje neznatno odstupanje od ove (obrnute) proporcionalnosti. Najvea nelinearnost je Tablica 1.16. Ovisnost elektrioko toaka infleksije funkcija pokretljivosti nosilaca ne otpornosti silicija o koncen traciji primjesa na T = 300 K. (N = 21017 cm3). Takoer, uoljivo je da je elektrina otpornost silicija p-tipa pri istoj koncentraciji primjesa vea nego silicija n-tipa. Uzrok tome je, naravno, manja / cm N pokretljivost upljina. 3 cm n-tip p-tip Kada su koncentracije primjesa vee od priblino 1019 cm3, sve primjese ne uspiju nadomjestiti matine 1014 43,9 136 atome u kristalnoj reetki silicija. Ti primjesni atomi e 1015 4,50 13,8 ostati elektriki neaktivni, pa e efektivna koncentracija 1016 0,508 1,49 primjesa biti nia od stvarne koncentracije. Ova je pojava 1017 0,0797 0,201 naroito izraena kod silicija dopiranog fosforom, te je elektrina otpornost silicija dopiranog s vie od 1020 atoma 1018 0,0200 0,0416 19 fosfora po kubnom centimetru ak i vea od silicija 10 0,00476 0,00889 dopiranog s istom koncentracijom bora (vidi npr. [Irvin62, 1020 0,000693 0,00125 Beadle85]), iako je pokretljivost upljina manja od pokretljivosti elektrona. Prema tome, na slici 1.26 je na apscisi efektivna koncentracija primjesa.
100
10
cm
p-tip
10
1
n-tip
10 2
10 3 1014
1015
1016
1017
1018
1019
1020
N / cm3
Slika 1.26. Ovisnost elektrine otpornosti silicija o koncentraciji primjesa na 300 K.
Zadatak 1.28
60
Zadatak 1.29
Izraunati elektrine provodnosti silicija na temperaturama od 300 K, 350 K, 400 K, 450 K i 500 K, ako je silicij: a) intrinsian; b) dopiran s akceptorskom primjesom koncentracije NA = 1015 cm3; c) dopiran s donorskom primjesom koncentracije ND = 1015 cm3; d) dopiran i donorima i akceptorima, pri emu su koncentracije NA = ND = 1015 cm3.
Rjeenje: a)
Za intrinsini poluvodi dobiva se iz openitog izraza (1.109) da je elektrina provodnost = q ni ( n + p ) . (1.111) Intrinsina koncentracija ovisi o temperaturi, dok pokretljivosti nosilaca ovise i o temperaturi i o koncentraciji primjesa u poluvodiu. Pokretljivosti emo raunati pomou izraza (1.98) - (1.103) navedenih na str. 53. Za T = 300 K intrinsina koncentracija je ni = 1,38 1010 cm3. Kako je poluvodi intrinsian (bez primjesa), u izrazima za ovisnost pokretljivosti o koncentraciji primjesa (1.98) max min = min + NA + ND 1+ N ref ukupna koncentracija primjesa NA + ND = 0 . Zbog toga e pokretljivosti nosilaca biti jednake maksimalnim pokretljivostima max na pripadajuoj temperaturi. Parametri za raunanje ovisnosti pokretljivosti nosilaca o koncentraciji primjesa u tablici 1.13 (str. 54) dani su upravo za 300 K, pa ne treba vriti temperaturne korekcije parametara (1.99), odnosno (1.100), ve traene pokretljivosti dobivamo izravno iz tablice n = n,max (T = 300 K) = 1430 cm2/Vs, p = p,max (T = 300 K) = 460 cm2/Vs, a elektrina provodnost = 4,17 S / cm. Na T = 350 K intrinsina koncentracija je ni = 4,86 1011 cm3. Budui da se temperatura sada razlikuje od referentne temperature T = 300 K za koju su konstante u tablici 1.13 dane, moramo izvriti temperaturne korekcije maksimalnih pokretljivosti. Pomou izraza (1.99) dobiva se n = 1051 cm2/ Vs, a pomou (1.100) p = 330 cm2/ Vs. Uvrtavanjem inTablica 1.17. Temperaturna ovisnost elektrine trinsine koncentracije i pokretljivosti provodnosti intrinsinog silicija u zadatku 1.29a. nosilaca u (1.111) dobiva se p = 108 S / cm. n ni T 3 2 2 K S / cm Isti postupak treba ponoviti i za cm cm / Vs cm / Vs preostale tri traene temperature. U 300 1,38 1010 1430 460 4,17 106 tablici 1.17 dani su rezultati za sve 11 zadane temperature, zajedno s 350 4,86 10 1051 330 1,08 104 12 3 pripadnim intrinsinim koncentracija400 4,23 10 804 247 1,22 10 ma nosilaca i njihovim 13 3 450 6,03 10 636 192 7,99 10 pokretljivostima, a na slici 1.27 13 2 500 3,34 10 515 153 3,57 10 grafiki je prikazana ovisnost
Zadatak 1.29
61
elektrine provodnosti o temperaturi. Kako se iz rezultata vidi, elektrina provodnost raste s porastom temperature. Uzrok tome je eksponencijalni porast koncentracije nosilaca nasuprot vrlo blagog pada pokretljivosti nosilaca.
10
10 2 10 3 10 4 10 5 10
7
intrinsini silicij kompenzirani silicij
10 6 S / cm
10 8 10 9 10 10 10 11 200 300
ND =NA = 1017 cm3
400
500
T/ K
Slika 1.27. Temperaturna ovisnost elektrine provodnosti intrinsinog silicija.
b)
da je Kod poluvodia p-tipa koji je potpuno ekstrinsian, tj. kod kojega je NA ND > ni , vrijedi >
p = N A N D >> n ,
pa elektrina provodnost ovisi iskljuivo o veinskim nosiocima, te se u (1.109) moe zanemariti komponenta elektrine provodnosti manjinskih nosilaca, tj. = p = q p p . (1.112) Prema vrijednostima intrinsinih koncentracija izraunatih u a) dijelu zadatka, vidimo da je za temperature nie od 450 K zadovoljen uvjet da je NA ND = 1015 cm3 > ni , te je >
p = N A N D = 1015 cm 3 .
U ovom primjeru zadano je da je prisutna samo akceptorska primjesa, pa u izrazu za odreivanje pokretljivosti u ovisnosti o koncentraciji primjesa za ukupnu koncentraciju primjesa uvrtavamo
N A + N D = N A = 1015 cm 3
Na T = 300 K pokretljivost veinskih upljina dobit emo izravno iz (1.98) uz parametre iz tablice 1.13
p = 452 cm 2 / Vs ,
pa elektrina provodnost iznosi = 72,4 mS / cm.
Zadatak 1.29
62
Za ostale temperature trebamo izvriti temperaturnu korekciju parametara za formulu (1.98). Tako emo za T = 350 K pomou formula (1.100) - (1.103) dobiti
p ,max = 330 cm 2 / Vs , p ,min = 42,0 cm 2 / Vs ,

N p ,ref = 3,65 1017 cm 3 ,
p = 0,727 .
Uvrtavanjem tih vrijednosti i zadane koncentracije primjesa u (1.98) dobit emo pokretljivost upljina p = 326 cm2/ Vs, a elektrinu provodnost = 52,2 mS / cm. Slino, za T = 400 K dobit emo

N p ,ref = 5,60 1017 cm 3 ,
p = 0,734 ,
pa je p = 245 cm / Vs, a = 39,3 mS / cm.
2
Pri T = 450 K intrinsina koncentracija ni = 6,02 1013 cm3 manja je od neto koncentracije primjesa za neto vie od reda veliine, pa emo koncentracije slobodnih nosilaca raunati koristei openite izraze dobivene iz zakona termodinamike ravnotee i elektrike neutralnosti. Dobit emo
p=
2 N A + N A + 4 ni2
= 1,004 1015 cm 3 ,
n=
ni2 = 3,62 1012 cm 3 . p
Kako se koncentracije elektrona i upljina razlikuju manje od dva reda veliine, elektrinu provodnost emo raunati openitim izrazom (1.109) = q (n n + p p ) . Pokretljivosti upljina i elektrona raunat emo istim postupkom kao to smo u ovom dijelu zadatka ve odreivali pokretljivost upljina. Za pokretljivost upljina

N p ,ref = 8,16 1017 cm 3 ,
p = 0,739 ,
pa je p = 191 cm / Vs, a upljinska komponenta elektrine provodnosti p = 30,6 mS / cm. Slino, za pokretljivost elektrona n ,max = 636 cm 2 / Vs ,
2
n ,min = 66,7 cm 2 / Vs ,
N n ,ref = 4,10 1017 cm 3 ,
Zadatak 1.29
63
n = 0,739 ,
pa je n = 629 cm / Vs, a elektronska komponenta elektrine provodnosti n = 365 S / cm. Ukupna elektrina provodnost bit e = p + n = 31,0 mS / cm .
2
S obzirom da je i ovdje koncentracija bila p > n , mogli smo kod odreivanja elektrine > provodnosti uzeti u obzir samo upljinsku komponentu provodnosti. Greka koju bismo pri tome napravili bila bi oko 1,18 %. Meutim, openito kod zanemarenja elektronske komponente treba voditi rauna o injenici da je pokretljivost elektrona dva do tri puta vea od pokretljivosti upljina, pa treba gledati odnos izmeu umnoaka p p i n n , a ne samo odnos koncentracija nosilaca. Na T = 500 K intrinsina koncentracija ni = 3,34 1014 cm3 je istog reda veliine kao i neto koncentracija primjesa, pa trebamo uzeti u obzir obje komponente elektrine provodnosti. Postupkom identinim kao i za T = 450 K dobit emo: - za upljinsku komponentu provodnosti
p = 1,10 1015 cm 3 ,

N p ,ref = 114 1018 cm 3 , ,
p = 0,744 , p = 152 cm 2 / Vs , p = 8,30 mS / cm ;

- za elektronsku komponentu provodnosti
n = 1,01 1014 cm 3 ,
n ,max = 515 cm 2 / Vs , n ,min = 63,6 cm 2 / Vs ,

N n ,ref = 5,74 1017 cm 3 ,
n = 0,744 ,
n = 511 cm 2 / Vs , n = 26,8 mS / cm ;
- za ukupnu elektrinu provodnost = p + n = 35,1 mS / cm . Na temelju rezultata b) dijela zadatka vidimo da u ekstrinsinom podruju s porastom temperature elektrina provodnost poluvodia opada. Naime, elektrina provodnost je odreena praktiki samo komponentom provodnosti veinskih nosilaca, ije se koncentracije u ekstrinsinom podruju gotovo ne mijenjaju, a njihove pokretljivosti opadaju s temperaturom. Pri prelasku u kvazi-intrinsino podruje koncentracije nosilaca rastu, to se naroito odraava na koncentraciji manjinskih nosilaca, koja se svojim iznosom pribliava koncentraciji veinskih
Zadatak 1.29
64
nosilaca. Porast koncentracija nosilaca s temperaturom je u kvazi-intrinsinom podruju znatno bri od pada njihovih pokretljivosti, pa elektrina provodnost poinje rasti i postepeno tei elektrinoj provodnosti intrinsinog silicija (vidi sliku 1.28 na str. 66).
c)
Kod poluvodia n-tipa sva razmatranja i prorauni provode se na isti nain kao i u sluaju poluvodia p tipa, s time da u ekstrinsinom podruju moemo zanemariti upljinsku komponentu provodnosti. Za T = 300 K
n = N D N A = 1015 cm 3 >> ni , p ,
pa je ukupna elektrina provodnost jednaka elektronskoj komponenti = n = q n n . Za pokretljivost elektrona iz (1.98) dobivamo n = 1386 cm / Vs, te je = 222 mS/cm.
2
(1.113)
Za T = 350 K jo uvijek je
n = N D N A = 1015 cm 3 >> ni , p .
Temperaturne korekcije (1.99) i (1.101) - (1.103) parametara za formulu ovisnosti pokretljivosti o koncentraciji (1.98) daju n ,max = 1051 cm 2 / Vs ,
n ,min = 74,6 cm 2 / Vs ,
N n ,ref = 1,83 1017 cm 3 ,
n = 0,727 ,
pa je n = 1030 cm / Vs, a = n = 165 mS / cm.
2
Za T = 400 K
n = N D N A = 1015 cm 3 >> ni , p .

N n ,ref = 2,81 1017 cm 3 ,
n = 0,734 , n = 792 cm 2 / Vs , = n = 127 mS / cm .

Za T = 450 K
n = N D N A = 1015 cm 3 >> ni , p .

N n ,ref = 4,10 1017 cm 3 ,
n = 0,739 ,
Zadatak 1.29
65
n = 629 cm 2 / Vs , = n = 101 mS / cm .
Zanemarenje upljinske komponente elektrine provodnosti uzrokovalo je pogreku od oko 0,16 %. Za T = 500 K vie ne moemo zanemariti upljinsku komponentu vodljivosti jer je
n = N D N D = 1015 cm 3 = ni , p .
Zbog toga moramo koncentracije nosilaca raunati preko potpunih izraza
n=
2 N D + N D + 4 ni2
= 110 1015 cm 3 , ,
ni2 = 1,01 1014 cm 3 . n Pri raunanju elektronske komponente provodnosti dobivamo p=

N n ,ref = 5,74 1017 cm 3 ,
n = 0,744 , n = 511 cm 2 / Vs , n = 90,1 mS / cm ,

a pri raunanju upljinske komponente
p ,max = 153 cm 2 / Vs , pn ,min = 35,8 cm 2 / Vs ,

N p ,ref = 114 1018 cm 3 , ,
p = 0,744 , p = 152 cm 2 / Vs , p = 2,47 mS / cm ,

tako da je ukupna provodnost
= n + p = 92,6 mS / cm .
I za ovaj dio zadatka vrijede slina razmatranja kao i u b) dijelu. Kako su veinski nosioci elektroni, elektrina provodnost poluvodia n-tipa vea je od elektrine provodnosti poluvodia p-tipa na istoj temperaturi i za istu koncentraciju primjesa, zbog toga to je pokretljivost elektrona vea od pokretljivosti upljina. Takoer, budui da pokretljivost elektrona bre opada s temperaturom (vidi sliku 1.25), porast elektrine provodnosti pri prelasku u kvazi-intrinsino podruje nastupa pri viim temperaturama nego za poluvodi p-tipa. To se moe uoiti i na grafikom prikazu temperaturnih ovisnosti elektrine provodnosti, slika 1.28. Radi usporedbe, na slici su nacrtane i krivulje za poluvodie n- i p-tipa koji su dopirani niom koncentracijom primjesa (1014 cm3), kao i za intrinsini poluvodi. Kako se i vidi, prelaskom u kvazi-intrinsino temperaturno podruje, elektrina provodnost postepeno tei provodnosti intrinsinog poluvodia
Zadatak 1.29
66
n-tip 10
1
p- tip n- tip p-tip
S / cm
10
2
10 cm
15
10 cm
14
-3
intrinsini silicij 10
3
200
300
400
500
600
T/K
Slika 1.28. Temperaturna ovisnost elektrine provodnosti za dopirani silicij.
- oblik krivulje je isti, ali su vrijednosti za dopirane poluvodie nie, jer je i pokretljivost nosilaca u njima manja. To se na slici odraava u presijecanju krivulja za dopirane poluvodie p-tipa sa krivuljom za intrinsini poluvodi. Sa slike 1.28 stjee se dojam da prema visokim temperaturama (iznad presjecita s intrinsinom provodnou) provodnost poluvodia dopiranih akceptorima poinje rasti prema intrinsinoj provodnosti, meutim taj je privid posljedica logaritamskog mjerila na ordinati.
d)
Poluvodi kojemu su dodane i donorske i akceptorske primjese istih iznosa imat e n = p = ni . Radi se dakle o potpuno kompenziranom, kvazi-intrinsinom poluvodiu. Zbog prisutnosti ukupne koncentracije primjesa N A + N D = 2 1015 cm 3 , pokretljivosti nosilaca, a time i elektrine provodnosti = q ni ( n + p ) , na pojedinim temperaturama e biti nie nego kod potpuno intrinsinog poluvodia. Na T = 300 K ni = 1,38 1010 cm3. Pokretljivosti nosilaca dobit emo uvrtavanjem parametara iz tablice 1.13 izravno u (1.98): n = 1359 cm2/ Vs, p = 447 cm2/ Vs, te je = 3,99 S / cm. Za preostale temperature pri izraunavanju pokretljivosti nosilaca prvo trebamo provesti temperaturnu korekciju parametara za izraz (1.98). Kako smo u a) dijelu zadatka za navedene temperature ve provodili temperaturne korekcije parametara i raunali intrinsine koncentracije nosilaca, postupak neemo ponavljati, ve emo rezultate dati u tablici 1.18.
Zadatak 1.29
67
Moe se uoiti da i za kompenzirani poluvodi elektrina provodnost s porastom temperature raste. Eksponencijalni porast koncentracije nosilaca u potpunosti nadvisuje prilino blagi pad pokretljivosti s porastom temperature. Kako se elektrine provodnosti za ovaj poluvodi i za potpuno intrinsian poluvodi ne razlikuju puno, krivulje temperaturne ovisnosti elektrine provodnosti praktiki se poklapaju. Zbog toga je na slici 1.27 ucrtana krivulja za kompenzirani poluvodi sa znatno viom koncentracijom primjesa (NA = ND = 1017 cm3).
Tablica 1.18. Temperaturna ovisnost elektrine provodnosti kompenziranog silicija u zadatku 1.29d.
T K
300 350 400 450 500
ni
cm
p n 2 cm / Vs cm 2 / Vs
1359 1015 785 625 508 447 323 244 190 152
S / cm
3,99 106 1,04 104 1,19 103 7,86 103 3,53 102
1,38 1010 4,86 1011 7,23 1012 6,03 1013 3,34 1015
Zadatak 1.30
Na komadi silicija p-tipa oblika kvadra, dopiranog s NA = 1016 cm3, prikljuen je napon U = 5 V, prema slici 1.29. Duljina kvadra L = 50 m, a povrina njegovog presjeka S = 10 m2. T = 300 K. Izraunati: a) struju koja tee kroz otpornik; b) elektrinu otpornost silicija i otpor kvadra; c) koncentraciju donora ND kojom bi morao biti dopiran komadi silicija n-tipa istih geometrijskih dimenzija, da bi kroz njega u istom strujnom krugu tekla jednaka struja.
0 L x S I
+
U
Slika 1.29. Strujni krug u zadatku 1.30.
Rjeenje: a)
Radi se o ekstrinsinom poluvodiu, pa e struja kroz poluvodi biti preteno driftna struja veinskih nosilaca (upljina) dU I fp = S q p p = S q pp . dx Iz zadane koncentracije akceptora moemo izraunati koncentraciju upljina p = NA = 1016 cm3, te njihovu pokretljivost p = 420 cm2/ Vs, a iz poznatog prikljuenog napona i duljine poluvodia moemo izraunati jakost elektrinog polja (uz pretpostavku da je polje u poluvodiu homogeno) U = = 1 kV cm . L Na temelju ovih podataka dobivamo da je struja Ifp = 67,3 A. Struja i elektrino polje su negativni, jer je njihov smjer suprotan referentom smjeru na slici 1.29.
Zadatak 1.30
68
b)
Elektrina provodnost zadanog silicija je = q p p = q p N A = 0,673 S / cm , tako da je elektrina otpornost
=
Stoga je otpor kvadra
=
1 = 1,49 cm . q p N A
R =
L = 74,3 k . S
c)
Ako se navedeni komadi silicija zamijeni komadiem silicija n-tipa, uz sasvim realnu pretpostavku da e i taj silicij biti ekstrinsian, najvei dio struje kroz njega e biti driftna struja elektrona I fn = S q n n . Da bi driftne struje u oba sluaja bile jednake, tj. S q p p = S q n n , slijedi da mora biti zadovoljena jednakost q p p = q n n , pri emu su p i p s lijeve strane znaka jednakosti, odnosno n i n s desne strane znaka jednakosti koncentracije i pokretljivosti za prvi odnosno drugi komadi silicija. Lijeva strana gornje jednadbe je elektrina provodnost izraunata u b) dijelu zadatka ( = 0,673 S/cm). Uz pretpostavku da je i drugi poluvodi ekstrinsian, tj. da koncentracija veinskih elektrona odgovara koncentraciji donora, gornji izraz moemo pisati kao = q n N D . Izluivanjem traene koncentracije donora, dobiva se ND = . q n Ipak, koncentraciju donora jo uvijek ne moemo izraunati, jer nam nedostaje pokretljivost elektrona, a ona ovisi o koncentraciji donora n ,max n ,min n = n ,min + . ND 1+ N n ,ref Uvrtavanjem pokretljivosti elektrona u prethodni izraz i sreivanjem, dobivamo jednadbu
ND 1+ N n ,ref
ND =
1 = n ,max n ,min q N n ,min + n ,min D N ND n ,ref 1+ N n ,ref
+ n ,max
Zadatak 1.30
69
iz koje se koncentracija donora ne da eksplicitno izluiti. Takva jednadba naziva se transcedentnom jednadbom i ona se moe rijeiti samo numeriki, npr. postupkom sekante, postupkom tangente (Newton-Raphsonov postupak) [Dahlquist74, Demidovich81]. Mi emo primijeniti iteracijski postupak (vidi Prilog A na kraju Zbirke). Prvo emo pretpostaviti neko mogue rjeenje i njega emo uvrstiti u desnu stranu gornje jednadbe. Kako je pokretljivost elektrona u siliciju oko dva do tri puta vea od pokretljivosti upljina, logino je pretpostaviti da e traena koncentracija donora u drugom komadiu silicija biti oko dva do tri puta manja od poznate koncentracije akceptora u prvom komadiu silicija. Stoga emo za poetak pretpostaviti rjeenje ND = 1015 cm3, te emo ga uvrstiti u desnu stranu gornje jednadbe. Izraunavanjem desne strane, dobit emo novu vrijednost koncentracije donora ND = 3,029 1015 cm3, koju emo ponovo uvrstiti u desnu stranu jednadbe. Postupak iteracije ponavljamo sve dok se u dvije uzastopne iteracije traene vrijednosti razlikuju vie od nekog unaprijed zadanog (relativnog) iznosa. Za na zadatak mi emo se zadovoljiti tonou na dvije decimalne znamenke, pa emo iteraciju ponavljati sve dok promjena tree decimalne znamenke ne bude manja od 5. Naime, ako postupak konvergira, za oekivati je da se tada vrijednost druge znamenke nee vie mijenjati. Iz podataka u tablici 1.19, u kojoj su dane meuvrijednosti za cijeli na postupak iteracije, vidimo da je ve nakon druge iteracije promjena tree decimalne znamenke jednaka 5. Zbog toga smo proveli jo jedan korak, u kojem se vrijednost na treoj znamenki nije promijenila (vrijednosti su zaokruene na tri decimalna mjesta!), pa moemo rei da smo dobili traeno rjeenje ND = 3,15 1015 cm3.
Tablica 1.19. Postupak iteracije u zadatku 1.30.
korak
N D / cm 3
0
1015
1 3,029 1015
2 3,142 1015
3 3,147 1015
4 3,147 1015
Zadatak 1.31
Izraunajte kolika je na 300 K elektrina provodnost silicija dopiranog s 1017 atoma akceptora / cm3. Kolika e biti elektrina provodnost ako se taj silicij: a) dodatno dopira jednakom koncentracijom akceptora, ili b) dodatno dopira dvostruko veom koncentracijom donora?
Rjeenja: = 4,98 S/cm, a) = 8,35 S/cm, b) = 8,41 S/cm.
Zadatak 1.32
Izraunajte koncentraciju bora kojom je dopiran silicij koji na 300 K ima elektrini otpor 2 cm. Rjeenje: NA = 7,301015 cm3.
Zadatak 1.31
70
Zadatak 1.33
Odredite koje se sve koncentracije i tipovi primjesa mogu pridodati siliciju iz prethodnog zadatka, da bi se elektrina otpornost na 300 K: a) smanjila dva puta, b) udvostruila.
Rjeenja: a) NA = 8,021015 cm3 ili ND = 1,281016 cm3, b) ND = 3,571015 cm3 ili

ND = 8,641015 cm3.
Zadatak 1.34
Silicij je dopiran s 1016 fosfora / cm3. Odredite koje primjese (tip i koncentraciju) treba dodati u najmanjoj koliini da bi mu se elektrina provodnost na 300 K: a) udvostruila, odnosno b) prepolovila.
Rjeenja: a) ND = 1,211016 cm3, b) NA = 4,771015 cm3.
Zadatak 1.35
Izraunajte koncentraciju primjesa u siliciju koji na 350 K ima elektrinu otpornost 0,1 cm, ako je silicij dopiran: a) samo donorskim primjesama; b) samo akceptorskim primjesama.
Rjeenja: a) ND = 9,131016 cm3, b) NA = 3,271017 cm3.
Zadatak 1.36
Izraunajte elektrinu otpornost silicija dopiranog s ND = 31016 cm3 na temperaturi T = 300 K. Odredite kolika je postotna promjena elektronske komponente elektrine provodnosti (n = qnn), a kolika upljinske komponente elektrine provodnosti (p = qpp) povea li se temperatura za 1 C, ako se: a) zanemari temperaturna ovisnost pokretljivosti nosilaca; b) uzme u obzir temperaturna ovisnost pokretljivosti.
Rjeenja: = 0,198 cm, a) n / n = 3,781012 %, p / p = 17,9 %,

b) n / n = 0,451 %, p / p = 17,4 %
Zadatak 1.33
1.6. Rekombinacijski procesi
71
1.6. Rekombinacijski procesi*

U uvjetima termodinamike ravnotee broj generiranih parova elektron-upljina jednak je broju rekombiniranih parova - generacija nosilaca uravnoteena je njihovom rekombinacijom. To znai da ako se na nekom mjestu u kristalnoj reetki oslobodi jedan valentni elektron (iskoi iz valentnog u vodljivi pojas), nekako u isto vrijeme negdje u blizini mora se neki slobodni elektron rekombinirati. U protivnom bi dolo do porasta ili do pada koncentracija nosilaca od ravnotenih vrijednosti. Kada se u poluvodiu pod nekim vanjskim utjecajem poremeti termodinamika ravnotea, tj. kada je pn ni2, procesi generacije, odnosno rekombinacije nastojat e vratiti sustav u stanje ravnotee. Ako je pn < ni2, tj. kada su koncentracije nosilaca manje od ravnotenih koncentracija, generacija nosilaca prevladavat e nad rekombinacijom. Naprotiv, kada su koncentracije nosilaca vee od ravnotenih (pn > ni2), prevladavat e rekombinacija nosilaca. Radi jednostavnosti, u daljnjem emo tekstu govoriti uglavnom o rekombinaciji, iako sva razmatranja vrijede i za generaciju nosilaca. 1.6.1. Izravna rekombinacija izmeu valentnog i vodljivog pojasa Najjednostavniji primjer rekombinacije je izravna rekombinacija elektrona iz vodljivog i upljine iz valentnog pojasa. Taj je proces suprotan procesu generacije para elektron-upljina koji smo dosada spominjali. Pri rekombinaciji elektron gubi energiju, te stoga dolazi do emisije svjetla ili topline (tzv. radijacijska rekombinacija), ili se ta energija prenosi na neki slobodni elektron ili upljinu poveavajui njihovu kinetiku energiju (tzv. Augerova rekombinacija). U poluvodiima poput galij-arsenida, u kojima se vrh valentnog i dno vodljivog pojasa nalaze pri istoj vrijednosti valnog vektora k (tzv. poluvodii s direktnim zabranjenim pojasom, slika 1.30a), za generaciju para elektron-upljina dovoljno je elektronu iz valentnog pojasa dati energiju jednaku irini zabranjenog pojasa. Tu
E
vodljivi pojas
EG
EG
k
valentni pojas
a)
b)
Slika 1.30. Energetski dijagram: a) poluvodia s direktnim zabranjenim pojasom; b) poluvodia s indirektnim zabranjenim pojasom.
72
energiju u veini sluajeva osigurava vanjsko zraenje (npr. svjetlo), odnosno kvanti tog zraenja - fotoni. Pri rekombinaciji, tj. pri povratu elektrona u valentni pojas, doi e do oslobaanja energije, npr. do zraenja svjetla. U poluvodiima s indirektnim zabranjenim pojasom, poput silicija i germanija (slika 1.30b), osim to elektronu iz vodljivog pojasa treba dodati energiju EG (korak a na slici 1.30b), treba mu promijeniti i moment (korak b na slici 1.30b). Moment koji mogu dati fotoni je znatno manji od momenta koji imaju kvanti mehanike energije (npr. titranja kristalne reetke) - fononi. S druge strane, energija koju mogu dati fononi je puno manja od energija fotona, pa moemo naslutiti da je vjerojatnost izravne rekombinacije u siliciju i germaniju vrlo mala [Lindmayer65, Blakemore74, Kittel76]. 1.6.2. Rekombinacija kroz energetske zamke u zabranjenom pojasu Kako smo vidjeli u sluaju donorskih i akceptorskih primjesa, defekti u kristalnoj reetki redovito unose energetska stanja u zabranjeni pojas poluvodia. Kod donora i akceptora ta su stanja vrlo blizu vrhu, odnosno dnu zabranjenog pojasa, pa uzrokuju porast koncentracija elektrona, odnosno upljina. Energetska stanja unutar zabranjenog pojasa (tzv. zamke, engl. traps) olakavaju prelazak elektrona iz valentnog u vodljivi pojas tijekom generacije, odnosno iz vodljivog u valentni pojas tijekom rekombinacije, jer slue kao meupostaje u procesu prelaska elektrona. Energetska stanja blizu sredine zabranjenog pojasa naroito pogoduju rekombinacijskim procesima, te se obino nazivaju rekombinacijskim centrima (engl. recombination centers). Teoriju generacije i rekombinacije kroz energetska stanja u zabranjenom pojasu uspjeno su razradili Shockley i Read [Shockley52], te Hall [Hall52], pa se esto ta teorija naziva Shockley-Hall-Readova (SHR) teorija. Iako SHR teorija pretpostavlja da se sve zamke nalaze na istoj energiji Et (tzv. monoenergetske zamke), ona se uspjeno moe primijeniti i na poluvodie dopirane primjesama koje unose vie zamki na razliitim energijama. Na slici 1.31 prikazana su etiri osnovna procesa generacije - rekombinacije kroz jednu energetsku zamku u zabranjenom pojasu: a) hvatanje elektrona iz vodljivog pojasa u zamku, b) emisija elektrona iz zamke u vodljivi pojas (proces suprotan prethodnom), c) hvatanje upljine iz valentnog pojasa u zamku i d) emisija upljine iz zamke u valentni pojas (proces suprotan prethodnom). Procesi c) i d) mogu se shvatiti i kao prijelaz elektrona iz zamke u valentni pojas, odnosno elektrona iz valentnog pojasu u zamku. Da bi se pomou zamke generirao par elektron-upljina, prvo mora doi do emisije upljine iz zamke u valentni pojas (odnosno emisije elektrona iz valentnog pojasa u zamku, proces d)), a zatim do emisije elektrona iz zamke u vodljivi pojas (proces b)). Za rekombinaciju para elektron-upljina pomou zamke, prvo treba doi do hvatanja elektrona iz vodljivog pojasa u zamku (proces a)), a
I donorski, odnosno akceptorski atomi su defekti jer poremeuju periodinost kristalne reetke!
73
Ec cn
prije
en Et cp ep Ev
Ec
poslije
Et Ev
a) b) c) d)
Slika 1.31. Rekombinacijski procesi kroz jednu energetsku zamku: a) hvatanje elektrona, b) emisija elektrona, c) hvatanje upljine, d) emisija upljine [Shockley52].
zatim do hvatanja upljine iz valentnog pojasa u zamku (tj. prelaska elektrona iz zamke u valentni pojas - proces c)). Tijekom ovih procesa zamka je popunjena. Shockley-Hall-Readova teorija pretpostavlja da postoji koncentracija Nt zamki koje unose samo jedan energetski nivo Et unutar zabranjenog pojasa. Vjerojatnost da je ta energetska zamka zauzeta, tj. popunjena elektronom odreena je Fermi-Diracovom funkcijom vjerojatnosti
ft =
1 E EF 1 + exp t ET
(1.114)
dok je vjerojatnost da je zamka popunjena upljinom (prazna) jednaka 1 ft . Kako je Nt koncentracija zamki, umnoak Nt f t jednak je koncentraciji rekombinacijskih centara popunjenih elektronom, dok je Nt (1 f t ) koncentracija nepopunjenih centara. Hvatanje elektrona (rekombinacijski proces a)) proporcionalno je koncentraciji elektrona i koncentraciji energetskih zamki koje nisu popunjene elektronima Rn = vth n n N t (1 f t ) . elektrona (1.115) Rn je mjera za hvatanje (engl. electron capture rate) - broj uhvaenih elektrona u jedinici vremena i jedinici volumena, vth je termika brzina nosilaca
Prijevod mjera je upotrebljen umjesto ponegdje koritenog prijevoda brzina, budui da postoji druga veliina koja se naziva brzina rekombinacije (engl. recombination velocity), a koja stvarno ima dimenziju brzine (cm/s). Doslovni prijevod bi bio stopa, ali on zvui previe bankarski.
74
, (1.116) m* a n presjek hvatanja elektrona (engl. electron capture cross section), mjera koliko elektron mora biti blizu rekombinacijskog centra da bi bio uhvaen. Presjek hvatanja je dimenzije reda veliine atoma. Emisija elektrona (proces b)) proporcionalna je koncentraciji zamki koje su popunjene elektronima Gn = en N t f t , (1.117) gdje je Gn mjera emisije elektrona (engl. electron emission rate), a en vjerojatnost emisije elektrona iz popunjene zamke u vodljivi pojas. Ona e biti to vea to je energija zamke blia vodljivom pojasu. Na slian nain mogu se definirati mjera hvatanja upljina (za proces c)) i mjera emisije upljina (za proces d))
vth =
3 ET
R p = vth p p N t f t , G p = e p N t (1 f t ) .
(1.118)
(1.119)
Kao to vidimo, mjera hvatanja upljina proporcionalna je koncentraciji upljina i koncentraciji energetskih zamki popunjenih elektronima budui da u ovom procesu dolazi zapravo do emisije elektrona iz zamke u valentni pojas. p je presjek hvatanja upljina. Mjera emisije upljine iz prazne zamke u valentni pojas (a zapravo emisije elektrona iz valentnog pojasa u zamku) proporcionalna je vjerojatnosti emisije upljina ep i koncentraciji nepopunjenih zamki. Vjerojatnost emisije upljina bit e to vea to je zamka blia valentnom pojasu. Mjera za neto rekombinaciju/generaciju jednaka je razlici mjera za generaciju i rekombinaciju elektrona (izrazi (1.115) i (1.117)), odnosno upljina (izrazi (1.118) i (1.119)) R = Rn Gn = R p G p , (1.120) budui da se elektroni i upljine uvijek rekombiniraju i generiraju u paru. Ovo ne vrijedi kod naglih promjena koncentracija nosilaca, meutim ponaanje rekombinacijskih procesa pod tim uvjetima nije potpuno razjanjeno, te se obino taj utjecaj zanemaruje [Selberherr84]. Ako rekombinacija prevladava nad generacijom nosilaca, neto rekombinacija R e biti pozitivna veliina. Naprotiv, prevladava li generacija nosilaca, R e biti negativna veliina. Uz rekombinacijske procese vezano je i vrijeme ivota manjinskih nosilaca prosjeno vrijeme od generacije nosioca do njegove rekombinacije. Vrijeme ivota proporcionalno je vremenu potrebnom da se nakon poremeaja stanja ravnotee koncentracija manjinskih nosilaca vrati na ravnotenu vrijednost. Na primjer, za manjinske elektrone
75
n =
n p n0 p R
(1.121)
Zadatak 1.37 [Shockley52, Grove67]

Izvesti izraz za mjeru neto rekombinacije/generacije preko jedne energetske zamke u zabranjenom pojasu poluvodia u ovisnosti o koncentracijama nosilaca.
Rjeenje:
Mjera neto rekombinacije/generacije nosilaca definirana je izrazom (1.120). Da bismo ga mogli upotrijebiti, trebamo mjere za emisiju elektrona (1.117), odnosno upljina (1.119) izraziti preko istih fizikalnih veliina kao i mjere za hvatanje elektrona (1.115), odnosno upljina (1.118). U stanju ravnotee proces emisije elektrona (a)) mora biti uravnoteen procesom hvatanja elektrona (b)) (Rn = Gn), a proces emisije upljina (c)) uravnoteen procesom hvatanja upljina (d)) (Rp = Gp). Kada to ne bi vrijedilo, dolo bi do promjene koncentracija elektrona, odnosno upljina. Izjednaimo li mjeru za hvatanje elektrona (1.115)
E EF exp t ET E EF 1 + exp t ET
Rn = v th n n N t (1 f t ) = v th n n N t
(1.122)
s mjerom za emisiju elektrona (1.117)
Gn = en N t f t = en N t
1 E EF 1 + exp t ET
dobit emo da je vjerojatnost emisije elektrona

E EF en = v th n n exp t . ET
(1.123)
Uvrstimo li u (1.123) izraz za koncentraciju elektrona

E E Fi n = ni exp F ET
dobit emo
E E Fi en = v th n ni exp t = v th n n1 , ET
(1.124)
gdje je
E E Fi n1 = ni exp t ET
ravnotena koncentracija elektrona u poluvodiu kojem se Fermijev nivo poklapa s energetskim nivoom zamke EF = Et .
76
Na slian nain, izjednaavanjem mjera za hvatanje upljina (1.118) i mjera za emisiju upljina (1.119), uz uvrtenu koncentraciju upljina
E EF p = ni exp Fi ET
dobili bismo
E Et e p = v th p ni exp Fi = v th p p1 . ET E Et p1 = ni exp Fi ET
(1.125)
je ravnotena koncentracija upljina u poluvodiu kojem se Fermijev nivo nalazi na energiji rekombinacijske zamke. Kao to se vidi iz izraza (1.124) i (1.125), vjerojatnosti emisija pripadajuih nosilaca rastu to su energetske zamke blie vodljivom, odnosno valentnom pojasu, jer rastu vrijednosti eksponencijalnih funkcija. Pretpostavimo sada da zbog djelovanja svjetla dolazi do generacije parova elektron-upljina jednoliko, po cijelom volumenu poluvodia. Broj generiranih parova po jedinici volumena i jedinici vremena oznait emo kao GL . U stacionarnim uvjetima, broj elektrona koji uu u vodljivi pojas bit e jednak broju elektrona koji e ga napustiti, tj. koncentracija elektrona se ne mijenja s vremenom dn = G L ( Rn G n ) = 0 . (1.126) dt Isto vrijedi i za upljine dp = GL (Rp Gp ) = 0 . (1.127) dt Ovdje valja uoiti razliku izmeu stacionarnog stanja, kada se koncentracije nosilaca ne mijenjaju s vremenom, ali nisu jednake ravnotenima, i stanja ravnotee. Izjednaavanjem (1.126) s (1.127) dobivamo izraz (1.120) R = Rn G n = R p G n , pa emo nadalje mjeru za razliku izmeu rekombinacije i generacije (neto rekombinaciju/ generaciju) nosilaca oznaavati jedinstvenim simbolom R. Uvrtavanjem (1.115), (1.117), (1.118), i (1.119) u gornju jednakost dobiva se v th n n N t (1 f t ) en N t f t = v th p p N t f t e p N t (1 f t ) . Iskoristimo li izraze (1.124) i (1.125) koje smo izveli, dobit emo v th n n N t (1 f t ) vth n n1 N t f t = v th p p N t f t v th p p1 N t (1 f t ) , iz ega moemo izraziti funkciju vjerojatnosti popunjena energetske zamke u neravnotenim uvjetima ft =
n n + p p1 n (n + n1 ) + p ( p + p1 ) p p + n n1
(1.128)
odnosno vjerojatnost da je zamka prazna 1 ft =
n ( n + n1 ) + p ( p + p1 )
(1.129)
Zadatak 1.37
77
Gornje funkcije vjerojatnosti popunjenosti energetske zamke razlikuju se od ravnotene funkcije vjerojatnosti! Poto smo odredili i funkcije vjerojatnosti popunjenja zamki, moemo zavriti izvod izraza za neto rekombinaciju. Kako su mjere za neto rekombinaciju elektrona i upljina meusobno jednake (koliko se elektrona rekombiniralo, toliki mora biti i broj upljina s kojima su se ti elektroni rekombinirali), svejedno je za koje emo nosioce izvesti izraz - rezultat mora biti isti. Mi emo ovdje koristiti izraze za elektrone, pa emo u definicijsku jednadbu (1.120) uvrstiti izraze za mjeru hvatanja elektrona (1.115) i mjeru emisije elektrona (1.117) R = Rn Gn = v th n n N t (1 f t ) en N t f t =
= v th n n N t (1 f t ) v th n n1 N t f t .
(1.130)
U drugom retku izraza (1.130) iskoristili smo izraz (1.124). Ako uvrstimo jo i funkcije vjerojatnosti (1.128) i (1.129), nakon svoenja na zajedniki nazivnik i sreivanja dobit emo
R = n p vth N t
= n p v th N t
n p n1 p1 = n (n + n1 ) + p ( p + p1 )
n p ni2 . n (n + n1 ) + p ( p + p1 )
(1.131)
Umnoak n1 p1 smjeli smo nadomjestiti kvadratom intrinsine koncentracije budui da se radi o ravnotenim koncentracijama. Iz brojnika ovog izraza vidimo da e rekombinacija (odnosno generacija) biti to vea to je vee odstupanje od stanja termodinamike ravnotee. Ako je umnoak koncentracija np > n2, razlomak e biti pozitivan, pa e i neto rekombinacija biti i pozitivna, tj. rekombinacija nosilaca prevladavat e nad generacijom. Obrnuto, za np < n2 i prevladavat e generacija nosilaca. Kada je np = n2, brojnik u (1.131) jednak je nuli, pa je i neto i rekombinacija jednaka nuli. Izraz (1.131) moemo pisati kao
R= n p ni2 , p 0 (n + n1 ) + n 0 ( p + p1 )
(1.132)
pri emu su
p0 =
1 , N t p v th
(1.133)
vrijeme ivota manjinskih upljina injektiranih u izrazito ekstrinsini poluvodi n-tipa, a 1 n0 = , N t n v th
(1.134)
vrijeme ivota elektrona injektiranih u izrazito ekstrinsini poluvodi p-tipa [Shockley52]. Pretpostavimo da su presjeci hvatanja elektrona i upljina jednaki (n = p = ). Tada (1.131) prelazi u
R = vth N t n p ni2 = v th N t n + n1 + p + p1 n p ni2 . E E Fi n + p + 2 ni cosh t ET (1.135)
Iako izraz (1.135) vrijedi samo uz pretpostavku da su presjeci hvatanja za elektrone i upljine meusobno jednaki, iz njega se mogu izvui neki zakljuci. Nazivnik izraza (1.135) moe se shvatiti kao otpor rekombinaciji [Grove67]. Taj otpor raste to je vei zbroj koncentracija
Zadatak 1.37
78
nosilaca (n + p), te to je trei lan u nazivniku vei. Koncentracije nosilaca odreene su koncentracijama primjesa te koncentracijama injektiranih nosilaca. Kako funkcija hiperbolnog kosinusa ima minimum za vrijednost argumenta 0, oigledno e trei lan u nazivniku rasti to je energija zamke udaljenija od Fermijeve energije intrinsinog poluvodia. U tom sluaju raste vjerojatnost emisije nosilaca iz zamke, to e bitno smanjiti efikasnost rekombinacijskog centra. Naime, nakon to je elektron uhvaen u zamku, u tu zamku mora biti uhvaena i upljina (tj. taj elektron mora skoiti u valentni pojas) da bi proces rekombinacije bio upotpunjen. Meutim, ako je zamka vrlo blizu vodljivog pojasa, vrlo je vjerojatno da e elektron biti ponovno odaslan u vodljivi pojas, onemoguavajui time rekombinaciju. Prema tome, rekombinacijski centri e biti to efikasniji to su vjerojatnosti hvatanja elektrona i upljina meusobno blie po iznosu. To znai da energetske zamke moraju biti to blie sredini zabranjenog pojasa. Do ovakvog zakljuka mogli smo doi i intuitivno, razmatrajui energije potrebne da bi se npr. elektron iz valentnog pojasa prebacio u vodljivi pojas. Za izravni skok (uz zanemarenje razlika u valnim vektorima minimuma vodljivog i maksimuma valentnog pojasa), potrebna je energija koja odgovara irini zabranjenog pojasa EG . Ako se unutar zabranjenog pojasa nalazi dozvoljeno stanje na nekoj energiji Et , tada e za upotpunjenje procesa generacije para elektronupljina prvo biti potrebna energija Et Ev , da bi dolo do emisije upljine iz zamke u valentni pojas, a zatim energija Ec Et da bi dolo do emisije elektrona iz zamke u vodljivi pojas. Iako je zbroj tih energija jednak irini zabranjenog pojasa EG , puno je vea vjerojatnost da e elektron stei manje iznose energija, potrebne za postupni prijelaz pomou zamke. Oigledno je da e najvei iznos energije potreban za postupni prijelaz biti najmanji ako se zamka nalazi pri sredini zabranjenog pojasa. Na primjer, zlato u siliciju znatno pospjeuje rekombinaciju, budui da unosi energetski nivo u zabranjeni pojas 0,54 eV od vrha zabranjenog pojasa. Primjese koje unose energetska stanja blizu sredine zabranjenog pojasa nazivaju se duboke primjese, dok se primjese koje uzrokuju stanja blizu rubova zabranjenog pojasa (poput donorskih i akceptorskih primjesa) nazivaju plitke primjese.
Zadatak 1.38 [Shockley52]

Izvesti izraz za vrijeme ivota nosilaca u poluvodiu u uvjetima niske injekcije za sluaj rekombinacije preko zamki koje unose kvantno stanje u zabranjeni pojas na energiji Et .
Rjeenje:
Vrijeme ivota nosilaca je proporcionalno vremenu potrebnom da se, nakon poremeaja koncentracija nosilaca vrati na ravnotenu vrijednost. Vrijeme ivota upljina definira se kao
p p0 , (1.136) R Ako je zadovoljena elektrika neutralnost, prirast koncentracije elektrona mora biti jednak prirastu koncentracije upljina, tj.
p =
p = p p 0 = n = n n 0 .
Rekombinacijsko-generacijski proces moe se poistovjetiti sa preskakanjem potoka. Najtee je preskoiti cijeli potok odjednom. Meutim, ako iz vode izviruje kamen, posluit emo se njime kao meustanitem pri prelasku. Najlake emo potok prijei ako se taj kamen nalazi na sredini potoka!
Zadatak 1.38
79
Uz zanemarenje promjene naboja u zamci, tj. ako pretpostavimo da se nosilac zadrava u zamci zanemarivo kratko prije no to je ponovno odaslan iz zamke, mjera rekombinacije veinskih i manjinskih nosilaca mora biti jednaka. Dakle, vrijeme ivota elektrona n n0 n = (1.137) R mora biti jednako vremenu ivota upljina. Zbog toga emo vremena ivota elektrona i upljina oznaavati jedinstvenim simbolom . Uvrtavanjem mjere za rekombinaciju (1.132) u (1.136) dobit emo
= ( p p0 )
p 0 (n + n1 ) + n 0 ( p + p1 )
n p ni2
(1.138)
Kako je p = p0 + p, n = n0 + n, a prirasti koncentracija elektrona i upljina moraju biti meusobno jednaki, tj. p = n, gornji izraz e, nakon odgovarajuih uvrtavanja i sreivanja prijei u
p 0 ( n0 + p + n1 ) + n 0 ( p0 + p + p1 )
n 0 + p 0 + p
(1.139)
Iz ovog izraza vidimo da vrijeme ivota nosilaca ovisi o: 1. vrsti rekombinacijske zamke i njenoj koncentraciji (preko lanova p0 i n0), 2. koncentraciji primjesa (preko ravnotenih koncentracija n0 i p0), 3. energetskom poloaju zamke Et (preko lanova n1 i p1), 4. ekscesnim koncentracijama nosilaca n i p. U temperaturnim ovisnostima svih navedenih lanova sadrana je ovisnost vremena ivota nosilaca o temperaturi. Ravnoteno vrijeme ivota dobit emo iz (1.139) kada p 0
p 0 (n0 + n1 ) + n 0 ( p0 + p1 )
n0 + p 0
(1.140)
Razmotrimo kako ravnoteno vrijeme ivota (1.140) ovisi o koncentracijama primjesa, odnosno poloaju Fermijevog nivoa. Pretpostavimo da je energetski nivo zamke iznad sredine zabranjenog pojasa (slika 1.32). U ekstrinsinom poluvodiu p-tipa (podruje oznaeno s (a) na slici 1.32) ravnotena koncentracija upljina p0 je puno vea od svih ostalih koncentracija u izrazu (1.140), te je vrijeme ivota nosilaca praktiki konstantno, neovisno o koncentracijama nosilaca i jednako n0 . Fermijev nivo se nalazi znatno nie od energije zamke Et , pa su gotovo sve zamke prazne i stoje na raspolaganju elektronima da budu uhvaeni u njih. Koncentracija veinskih upljina je dovoljno velika da se, istog asa kada elektron bude uhvaen
10 2 10 3 10 4
(a)
(b)
(c)
(d)
10 10
10 6
7
n0 p0
0,4 n1 p0
Et =Ev+0,6 EG Et =EFi
p0 p0
0 0,2 n1 n0 0,4
10 8 10 9
0,2
EF EFi EG
Slika 1.32. Ovisnost vremena ivota o poloaju Fermijevog nivoa za zamku na Et = Ev + 0,6 EG , odnosno na Et = EFi . n0 = 1,1 s, p0 = 0,35 s.
Zadatak 1.38
80
u zamku, nae upljina raspoloena da rekombinira sa uhvaenim elektronom. Zbog toga je vrijeme ivota nosilaca odreeno samo vremenom ivota manjinskih elektrona. Ovdje se prvi puta suoavamo sa situacijom u kojoj manjinski nosioci odreuju karakteristike poluvodia. Kada je poluvodi slabiji p-tip (podruje (b)), vrijeme ivota poinje rasti
= n0 + p0
n1 n = p0 1 , p0 p0
jer vie nema dovoljno upljina na raspolaganju da bi se trenutno rekombinirale s elektronima prije no to je dio elektrona ponovno odaslan u vodljivi pojas. Kada je poluvodi slabi n-tip, sve dok je EF < Et , zamke su uglavnom prazne, pa je rekombinacija ograniena injenicom da prazne zamke ne mogu uhvatiti upljinu (tj. odaslati elektron u valentni pojas). Kod izrazito ekstrinsinog poluvodia n-tipa (podruje (d)), sve zamke e biti popunjene i spremne da uhvate upljinu, jer je EF > Et . Vrijeme ivota nosilaca ogranieno je vremenom ivota manjinskih upljina, budui da, nakon hvatanja upljine u zamku, postoji dovoljno visoka koncentracija (veinskih) elektrona da bi se oni trenutno rekombinirali sa upljinom uhvaenom u zamku. Vrijeme ivota je najvee u intrinsinom poluvodiu i tada je
E E Fi n + p1 = p0 1 + 1 = p 0 1 + cosh t . 2 ni ET
Prema tome, najvea promjena vremena ivota nosilaca odreena je udaljenou energije zamke od sredine zabranjenog pojasa (Et EFi ). Ako je energija zamke upravo pri sredini zabranjenog pojasa, maksimalna promjena vremena ivota e biti jednaka 2 (vidi donju krivulju na slici 1.32). Oblik krivulje na slici 1.32 bio bi slian i kada bi energija zamke bila ispod sredine zabranjenog pojasa, samo to bi krivulja u podrujima (b) i (c) bila n0 p1 / n0 , odn. n0 p1 / p0 .
Zadatak 1.39
Silicij je dopiran s 1,1 1017 cm3 atoma fosfora i s 1017 cm3 atoma indija. Procijeniti vrijeme ivota manjinskih nosilaca na T = 300 K, ako se moe pretpostaviti da se rekombinacija odvija iskljuivo preko indija. Povrine presjeka hvatanja elektrona i upljina su n = 3,7 1017 cm2 i p = 1,7 1014 cm2, a akceptorska zamka koju unosi indij udaljena je 0,16 eV od dna zabranjenog pojasa [Milnes73].
Rjeenje:
Kako je koncentracija donorskih atoma (fosfora) vea od koncentracije akceptora (indij), silicij e biti n-tipa. Ravnotena koncentracija veinskih elektrona bit e
n0n = N D N A = 1016 cm 3 ,
dok je ravnotena koncentracija manjinskih upljina p0 n = ni2 = 1,90 10 4 cm 3 . n0 n
Za izraunavanje vremena ivota manjinskih upljina posluit emo se izrazom (1.140)
p =
p 0 (n0n + n1 ) + n 0 ( p0n + p1 )
n0 n + p0 n
Zadatak 1.39
81
Ako u izraz za termiku brzinu uvrstimo masu mirovanja elektrona, dobit emo da je na 300 K v th = a vremena ivota n0 i p0 bit e 3 ET = 117 10 7 cm s , , m0 1 = 23,1 ns , N t n v th
1 = 50,3 ps . N t p v th
n0 =
odnosno
p0 =
Oito bi s porastom koncentracije rekombinacijskih centara Nt vremena n0 i p0 padala, to bi rezultiralo i kraim vremenom ivota manjinskih upljina p . Indij unosi u zabranjeni pojas energetski nivo na 0,16 eV od dna zabranjenog pojasa. Kako je irina zabranjenog pojasa silicija na 300 K EG = 1,12 eV, a EG / 2 = 0,56 eV, to je udaljenost energetskog nivoa zamke od sredine zabranjenog pojasa Ei Et = 0,4 eV. Prema tome
E Ei n1 = ni exp t = 2,63 10 3 cm 3 , ET E Et p1 = ni exp i = 7,24 1016 cm 3 . ET
Energetski nivo indija nije dovoljno blizu sredine zabranjenog pojasa, pa je p1 ak i vee od koncentracije veinskih nosilaca. Zbog toga na vrijeme ivota manjinskih upljina bitno utjee i lan vezan uz n0 . Uvrtavanjem izraunatih vrijednosti u poetni izraz za vrijeme ivota manjinskih upljina dobit emo p = 168 ns.
1.6.3. Povrinska rekombinacija
U dosadanjim analizama rekombinacije pretpostavljali smo da su rekombinacijski centri jednoliko rasporeeni po cijelom volumenu poluvodia. Meutim, u stvarnosti postoji pojaana rekombinacija na povrini poluvodia. Uzrok tome je u prvom redu prekid periodinosti kristalne reetke, ali i defekti koji nastaju na povrini poluvodike ploice pri tehnolokim postupcima izrade poluvodikih komponenti. Zbog pojaane rekombinacije na povrini dolazi do difuzije nosilaca iz volumena poluvodia, ime se nadoknauje gubitak nosilaca zbog rekombinacije. Za difuzijski tok manjinskih upljina k povrini n-tipa poluvodia moe se pisati
Dp
dpn dx
x =0
= s p ( ps p0n ) ,
(1.141)
gdje je sp tzv. brzina povrinske rekombinacije upljina (engl. surface recombination velocity, jedinica je cm / s), a ps je koncentracija upljina uz povrinu poluvodia. Ako na povrini ne postoje dodatni naboji (na alost, esto to nije sluaj), analiza povrinske rekombinacije moe se svesti na dosad opisanu analizu rekombinacije s velikom koncentracijom zamki u tankom sloju poluvodia uz povrinu.
Zadatak 1.39
82
Zadatak 1.40 [Grove67]

Izvesti izraz za mjeru rekombinacije manjinskih upljina na povrini poluvodia n-tipa, ako se rekombinacija na povrini moe aproksimirati rekombinacijskim centrima koncentracije Nt* u tankom sloju debljine x1 uz povrinu.
Rjeenje:
Slino kao kod rekombinacije u volumenu (izraz (1.131)), za mjeru povrinske rekombinacije moemo pisati da je
Rs = n p v th N st n s p s ni2 . n (n s + n1 ) + p ( p s + p1 )
(1.142)
Umnoak Nst = N* x1 je povrinska gustoa rekombinacijskih zamki, a ns i ps su koncentracije t elektrona, odnosno upljina uz povrinu. Ako su energetske zamke blizu sredine zabranjenog pojasa, n1 ni i p1 ni , pa je
Rs = n p v th N st n s p s ni2 . n (n s + ni ) + p ( ps + ni )
(1.143)
Pretpostavimo li da je n = p = , (1.143) se pojednostavljuje u Rs = vth N st p s n s ni2 . n s + p s + 2 ni (1.144)
U uvjetima niske injekcije, povrinska koncentracija veinskih nosilaca je mnogo vea od koncentracije manjinskih nosilaca svugdje u poluvodiu (pa prema tome i od povrinske koncentracije) i mnogo vea od intrinsine koncentracije nosilaca. Znai da se u nazivniku (1.144) mogu zanemariti drugi i trei pribrojnik Rs = vth N st p s n s ni2 = v th N st ( p s p0n ) . ns (1.145)
Budui da u stacionarnom stanju tok upljina k povrini mora biti jednak broju rekombiniranih upljina na povrini u jedinici vremena i jedinici povrine, izjednaavanjem izraza (1.141) i (1.145) dobivamo za brzinu povrinske rekombinacije s p = p v th N st . (1.146) Uvrstimo li ovaj izraz u (1.144) dobit emo Rs = s p ns p s ni2 . n s + p s + 2 ni (1.147)
Dakle, mjera povrinske rekombinacije proporcionalna je brzini povrinske rekombinacije, te razlici umnoka koncentracija veinskih i manjinskih nosilaca na povrini i intrinsine koncentracije, a obrnuto proporcionalna zbroju koncentracija nosilaca i dvostruke intrinsine koncentracije. Nazivnik gornjeg izraza e biti najmanji (odnosno rekombinacija najbra) za sluaj kada je poluvodi intrinsian. Brzina povrinske rekombinacije je za neki poluvodi obino konstanta odreena tehnolokim postupcima obrade povrine.
Zadatak 1.40
1.7. Temeljne jednadbe u poluvodiima
83

Do sada izloene zakonitosti opisivale su poluvodiki materijal u uvjetima ravnotee, kada nije bilo nikakvog vanjskog utjecaja ili je taj utjecaj bio toliko slab da smo mogli analizirati poluvodi kao da se nalazi u uvjetima ravnotee. Meutim, pri radu poluvodikih komponenti esto su odstupanja od stanja ravnotee znatna. Temeljne jednadbe u poluvodiima opisuju statike i dinamike uvjete u kojima se nalaze nosioci u poluvodiima pod utjecajem vanjskog polja koje uzrokuje odstupanje od stanja termodinamike ravnotee [Sze81]. ine ih Poissonova jednadba, jednadbe kontinuiteta i transporte jednadbe nosilaca [Roosbroeck50, Gummel64]. Poissonova jednadba omoguuje odreivanje raspodjele elektrinog polja, odnosno potencijala, posebice u osiromaenim podrujima unutar pn-barijera. Rjeavanjem jednadbi kontinuiteta uz poznate rubne uvjete mogu se odrediti vremenske i prostorne raspodjele nosilaca. Iz transportnih jednadbi dobivaju se raspodjele struja. 1.7.1. Poissonova jednadba Poissonova jednadba je u sutini trea Maxwellova jednadba (odnosno Gaussov zakon) preinaena za primjenu u poluvodiima [Selberherr84]. U openitom, trodimenzionalnom obliku moe se pisati kao (1.148) div( grad ) = , gdje je elektrostatski potencijal, je permitivnost (dielektrina konstanta) materijala, a je prostorna gustoa naboja
+ = q ( p n + ND N A) . (1.149) Ako je permitivnost skalarna konstantna veliina, tada se Poissonova jednadba moe pisati kao (1.150) div = , pri emu je vektor jakosti elektrinog polja = grad . U jednodimenzionalnom sluaju Poissonova jednadba tada glasi d = ( x) , (1.150a) dx odnosno d 2 2 = ( x) . (1.151) dx
Poissonova jednadba izrie injenicu da je ukupni izlazni tok (razlika izlaznog i ulaznog toka) vektora elektrinog polja iz nekog volumena proporcionalan naboju sadranom u tom volumenu. U dijelu poluvodia gdje je zadovoljen zakon elektrine neutralnosti, prostorni naboj jednak je nuli, pa tamo niti nema smisla rjeavati Poissonovu jednadbu.
84
Zadatak 1.41* [Valk91]

Odrediti raspodjelu potencijala i skicirati energetski dijagram u stanju ravnotee za intrinsini poluvodi u kojem postoji lokalna nehomogenost na mjestu x = 0, kako je prikazano na slici 1.33.
Rjeenje:
Da bismo dobili raspodjelu potencijala, prvo emo gustou prostornog naboja, odnosno koncentracije nosilaca izraziti preko elektrokemijskih i elektrostatskih potencijala (vidi poglavlje 1.4.1. Elektrokemijski i elektrostatski potencijali), kao p = ni exp , UT n = ni exp . UT Uvrstimo li to u Poissonovu jednadbu (1.151), dobit emo
d 2 q = ni exp ni exp + N A ND = dx 2 UT UT = N A ND 2 ni q sinh + . 2 ni UT
NA
Slika 1.33. Raspodjela primjesa u zadatku 1.41.
(1.152)
U intrinsinom podruju poluvodia nema primjesa. Zbog toga je drugi pribrojnik u uglatoj zagradi jednak nuli, pa (1.152) prelazi u d 2 dx 2 = 2 ni q sinh . UT (1.153)
Ovu jednadbu emo normirati na UT d 2 2 ni q sinh = , 2 U U T UT dx T to moemo pisati u obliku

d 2u dx 2 = 2 ni q sinh(u u0 ) , U T
(1.154)
(1.155)
gdje je
u=
, u0 = . UT UT
Faktor ispred funkcije hiperbolnog sinusa ima dimenziju reciprone vrijednosti kvadrata duljine, pa se definira veliina
LD =
UT , 2 q ni
Zadatak 1.41
85
tzv. intrinsina Debyeva duljina [Shockley49]. Relativna permitivnost silicija je r = 11,9, pa za T = 300 K moemo izraunati LD = 24,8 m. Njeno fizikalno znaenje saznat emo iz rjeenja zadatka. Sada (1.155) moemo napisati kao d 2u (1.156) L2 2 = sinh(u u0 ) . D dx Ovu diferencijalnu jednadbu openito nije mogue analitiki rijeiti. Pretpostavimo li da je koncentracija akceptora na x = 0 toliko niska da je | | < UT svugdje u razmatranom < podruju, za hiperbolni sinus moe se upotrijebiti aproksimacija sinh(u u0 ) = u u0 . Jednadba (1.156) u tom sluaju postaje
= u u0 , dx 2 to je linearna diferencijalna jednadba ije openito rjeenje je oblika

x x u( x ) = C1 exp + C2 exp . LD LD
L2 D
d 2u
(1.157)
(1.158)
Kada x , normirani potencijal u mora teiti ravnotenom u0 (jer EFi EF , odnosno ), pa za x > 0 otpada prvi dio rjeenja (1.158). Isto tako, kada x mora u u0 , pa za x < 0 otpada drugi pribrojnik u rjeenju (1.158). Na osnovu toga moe se nacrtati raspodjela potencijala (slika 1.34a). Kako je EFi = q , energetski dijagram se moe odrediti izravno iz raspodjele potencijala (slika 1.34b). Kao to je prikazano na slici, iako je poluvodi za x 0 intrinsian, lokalna nehomogenost utjee na njegova elektrina x LD 0 +LD svojstva, tako da koncentracija nosilaca nije jednaka intrinsinoj koncentraciji. irina prijelaznog podruja u kojem se osjea djelovanje nehomogenosti (i u kojem nije zadovoljen zakon elektrine neutralnosti) odreena je Debyevom duljinom. Prema tome, gdje god postoje a) nagle promjene koncentracija primjesa, postojat e podruja prostornog naboja u kojima nije zadovoljen E zakon elektrine neutralnosti, tj. u kojima koncentracije nosilaca ne prate prostorne promjene koncentracija primjesa. Ec Iako je pri izvodu rjeenja uvedena pretpostavka da je odstupanje potencijala od ravnotene vrijednosti EFi < zanemarivo (| | < UT), ovo razmatranje moe se proiriti i na sluaj znatnih odstupanja. Ako je EF | | > UT , funkcija hiperbolni sinus moe se > aproksimirati eksponencijalnom funkcijom. Lijeva Ev strana jednadbe (1.155) je mjera promjene gradijenta potencijala, pa je oigledno da e kod veih odstupanja x od ravnotee potencijal puno bre teiti ravnotenoj vrijednosti. Stoga e odstupanje od elektrine b) neutralnosti uvijek biti zanemarivo ve nakon nekoliko Slika 1.34. Raspodjela potencijala i Debyevih duljina [Adler64].
energetski dijagram u zadatku 1.41.
Zadatak 1.41
86
1. Osnovna svojstva poluvodi~a
1.7.2. Transportne jednadbe
Transportne jednadbe za elektrone i upljine izraavaju gustoe struja elektrona, odnosno upljina u poluvodiima. U openitom sluaju
1 J n = q n n + grad(n U T ) , n
(1.159)
1 J p = q p p grad( p U T ) . (1.160) p Ako je svugdje u promatranom volumenu temperatura ista, (1.159) i (1.160) moemo pisati kao J n = q n n + q Dn grad n , (1.161)
J p = q p p q D p grad p ,
ili, u jednodimenzionalnom sluaju dn , dx dp . J p = q p p q Dp dx J n = q n n + q Dn
(1.162)
(1.161a) (1.162a)
Prvi pribrojnik u transportnim jednadbama opisuje gibanje nosilaca uslijed elektrinog polja u poluvodiu. To polje moe biti posljedica vanjskog utjecaja (npr. prikljuenog vanjskog napona) ili zbog ugraene razlike potencijala (npr. zbog nehomogenosti u poluvodiu). Zbog toga se prva komponenta u strujama elektrona, odnosno upljina obino naziva driftnom komponentom. Drugi pribrojnik u transportnim jednadbama opisuje gibanje nosilaca uslijed nejednolike raspodjele koncentracije nosilaca; zbog statistike prirode gibanja nosilaca, uvijek e postojati rezultantno gibanje nosilaca s mjesta vie na mjesto nie koncentracije. Zato se ta komponenta u transportnim jednadbama obino zove difuzijskom komponentom. Predznaci difuzijskih komponenti struja elektrona i upljina razlikuju se zato to je smjer gibanja nosilaca uvijek u smjeru padajue koncentracije (negativnog gradijenta), ali je za elektrone smjer elektrine struje suprotan smjeru gibanja nosilaca, tj. u smjeru pozitivnog gradijenta. Iako se transportne jednadbe redovito koriste u ovom obliku, postoji itav niz ogranienja koja omeuju podruje valjanosti primjene jednadbi (1.161) i (1.162). Tako na primjer, transportne jednadbe u gornjem obliku vrijede samo kod relativno slabih iznosa elektrinog polja, kada su pokretljivosti nosilaca n i p neovisne o elektrinom polju; kod veih iznosa polja treba lanove nadomjestiti driftnim brzinama nosilaca [Sze81]. Osim toga, prostorne raspodjele primjesa i elektrinog polja ne smiju imati prevelike promjene. Takoer, u gornjim jednadbama nije obuhvaen utjecaj magnetskog polja na gibanje nosilaca, niti utjecaj promjene irine zabranjenog pojasa s prostornim koordinatama, odnosno degeneracijski efekti. To su samo neka znaajnija ogranienja, dok se ostala mogu nai u referenci [Selberherr84].
87
Zadatak 1.42
Pod djelovanjem svjetla, uz povrinu poluvodia n-tipa debelog 10 m generiraju se ekscesni parovi elektronupljina. Rezultantna raspodjela manjinskih nosilaca moe se aproksimirati pravcem prema slici 1.35, pri emu je: a) pn0 = 108 cm3; b) pn0 = 1,8 1016 cm3. Odrediti gustoe difuzijskih i driftnih komponenti struja elektrona i upljina uz povrinu za oba sluaja, ako su ravnotene koncentracije nosilaca n0n = 2 1016 cm3 i p0n = 104 cm3, pokretljivosti nosilaca n = 1000 cm2/ Vs i p = 400 cm2/ Vs, a UT = 25 mV.
pn(x)
pn0
p0n 0 10 m
Slika 1.35. Raspodjela manjinskih nosilaca u zadatku 1.42.
Rjeenje:
Fotoni svjetla koje upada na kristal poluvodia predaju svoju energiju valentnim elektronima, omoguavajui generaciju dodatnih parova elektron-upljina. Time se koncentracije i elektrona i upljina poveavaju iznad ravnotenih za iste iznose. Kako postoji razlika u koncentracijama nosilaca unutar poluvodia, nosioci e imati tendenciju izjednaavanja tih koncentracija, tj. postojat e difuzijski tok nosilaca s mjesta vie prema mjestu nie koncentracije. U ovom sluaju to je od povrine u volumen poluvodia. Naravno, kako svjetlo kontinuirano generira nove parove elektron-upljina, u uvjetima ravnotee oblik raspodjele koncentracija nosilaca se s vremenom nee mijenjati. Budui da poluvodi nije prikljuen na vanjski elektrini krug, zbroj svih struja koje teku u poluvodiu mora biti jednak nuli, pa se preko transportnih jednadbi dobiva dn dp J n + J p = q Dn + q n n q D p + q p p = 0 , (1.163) dx dx iz ega moemo odrediti jakost elektrinog polja koje nastaje u poluvodiu dp dn Dp Dn dx dx . = (1.164) n n + p p Kako su prirasti i elektrona i upljina meusobno jednaki n = p = p n 0 p 0 n , to e i za gradijente vrijediti (1.165)
dn dp p , = = dx dx x1
(1.166)
pri emu je x1 = 10 m debljina poluvodia. Diferencijale smo bez ustezanja zamijenili konanim prirastima, jer je raspodjela koncentracija nosilaca linearna. Uvrtavanjem (1.166) u izraz za elektrino polje (1.164), dobiva se
U stvarnosti raspodjela nije linearna, ali se za ovakve sluajeve moe aproksimirati pravcem. Vidi zadatak 1.44 na str. 94.
Zadatak 1.42
88
dp dx . = n n + p p ( D p Dn )
(1.167)
Ovaj emo izraz koristiti za izraunavanje elektrinog polja, odnosno driftnih komponenti struja za oba dijela zadatka.
a)
U prvom dijelu zadatka, koncentracija manjinskih nosilaca uz povrinu pn 0 = 108 cm3, pa je
n = p = pn 0 p0n = 108 cm 3 10 4 cm 3 108 cm 3 ,
a gradijenti koncentracija veinskih elektrona i manjinskih upljina bit e dn dp p = = = 1011 cm 4 dx dx x1 Iz zadanih pokretljivosti nosilaca i poznatog naponskog ekvivalenta temperature UT , pomou Einsteinove relacije moemo izraunati difuzijske konstante
Dn = n U T = 25 cm 2 / s ,
D p = p U T = 10 cm 2 / s , to nam omoguuje da izraunamo difuzijske komponente struje elektrona, odnosno upljina dn J dn = q Dn = 400 nA / cm 2 , dx dp = 160 nA / cm 2 . dx Kako su gradijenti koncentracija nosilaca svugdje isti, i difuzijske struje e svugdje imati isti iznos. J dp = q D p Da bismo odredili driftne komponente, moramo izraunati elektrino polje. Kako je koncentracija elektrona svugdje u poluvodiu mnogo vea od koncentracije upljina, u nazivniku jednadbe (1.167) moemo zanemariti drugi pribrojnik, a budui da je relativna promjena koncentracije elektrona s udaljenou od povrine zanemariva, za elektrino polje moemo rei da je svugdje dp dp ( D p Dn ) ( n ) dx = U p dx = 75 nV / cm . = T n n n n Stoga e i driftna komponenta struje elektrona svugdje biti J fn = q n n = 240 nA / cm 2 . Koncentracija manjinskih upljina se mijenja znaajno, od vrijednosti pn0 = 108 cm3 uz povrinu prema vrijednosti p0n = 104 cm3 na drugom kraju poluvodia. Zato e se i driftna komponenta mijenjati. Uz povrinu J fp = q p p = 4,81 10 7 nA / cm 2 , dok je na drugom kraju poluvodia Jfp = 4,81 1011 nA / cm2. Pozitivne vrijednosti struja i elektrinog polja znae da te veliine imaju smjer jednak referentnom smjeru (+x koordinatna os, tj. u dubinu poluvodia), a negativna vrijednost struje Jdn znai da ona tee u suprotnom smjeru od referentnoga.
Zadatak 1.42
89
Usporedbom brojanih rezultata dolazimo do vrlo vane spoznaje: dok su driftna i difuzijska struja veinskih nosilaca meusobno usporedive po iznosu, driftna struja manjinskih nosilaca je zanemariva u odnosu na difuzijsku struju manjinskih nosilaca. Jakost elektrinog polja je mala, a kako je i koncentracija manjinskih nosilaca mala, njihov umnoak u izrazu za driftnu struju manjinskih nosilaca daje komponentu struje koja je zanemariva prema ostalim komponentama. Naravno, elektrino polje je jednako i za veinske nosioce, ali je njihova koncentracija puno vea, to daje i znatnu driftnu struju. Ova injenica e nam posluiti kod izvoenja strujno-naponskih karakteristika pn-spojeva, jer omoguuje da se ukupne struje kroz pn-spojeve raunaju preko zbroja difuzijskih struja manjinskih nosilaca.
b)
Uz povrinu poluvodia sada je pn0 = 1,81016 cm3, to je blizu ravnotenoj koncentraciji veinskih nosilaca n0n = 21016 cm3. Kako je prirast veinskih elektrona jednak prirastu manjinskih upljina
n = p = pn 0 p0n = 1,8 1016 cm 3 10 4 cm 3 = 1,8 1016 cm 3 ,
koncentracija pn0 je isto tako sumjerljiva s koncentracijom veinskih elektrona uz povrinu nn0 = n0n + n = 3,81016 cm3. Da bismo izraunali difuzijske struje elektrona i upljina, trebamo prethodno odrediti gradijente koncentracija nosilaca. dn dp p = = = 1,8 1019 cm 4 , dx dx x1 pa su J dn = q Dn dn = 72,1 A / cm 2 , dx
dp = 28,8 A / cm 2 . dx Opet su, zbog linearne raspodjele koncentracija manjinskih nosilaca, difuzijske struje konstantne, neovisne o prostornoj koordinati. J dp = q D p Za proraun driftnih struja neophodno nam je elektrino polje. Budui da su koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca sumjerljive, moramo raunati sa cjelokupnim izrazom (1.167) dp dp ( D p Dn ) ( n ) dx = U p dx = 5,97 V cm . = T n n + p p n n + p p Kako se sada nazivnik u izrazu za elektrino polje znatno mijenja s udaljenou od povrine, mijenjat e se i jakost elektrinog polja; budui da se iznos nazivnika smanjuje udaljavanjem od povrine poluvodia, znai da jakost elektrinog polja raste. Stoga treba paziti da se u gornji izraz, kao i u izraze za driftne komponente zaista uvrste koncentracije nosilaca uz povrinu poluvodia. Za driftne struje uz povrinu poluvodia se dobiva Jfn = q n n = 36,4 A / cm2 , J fp = q p p = 6,89 A / cm 2 . Osim to su iznosi svih struja znatno vei nego u a) dijelu zadatka, vidimo da su sada sve komponente struja meusobno sumjerljive, vrlo bliske po iznosu. Elektrino polje je dovoljno jako da potjera i znatnu driftnu struju manjinskih nosilaca.
Zadatak 1.42
90
4 .10
16
4 .10 nn0 nn n 0n pn
16
n n0
nn n 0n pn
n, p cm3
2 .10
16
n, p cm3
2 .10
16
pn0 0
p 0n
0 80
nV/cm
60 40 20 0 500 400 Jdn
12
V/cm
8 4 0 80 60 J dn J fn J dp J fp
J 2 nA/cm
300 200 100 0 0
J fn J dp J fp 5 10
J
A/cm
2
40 20 0
10
x / m
a) b)
x / m
Slika 1.36. Raspodjele koncentracija nosilaca, elektrinog polja i struja u zadatku 1.42. a) niska injekcija, b) visoka injekcija.
Na slici 1.36 prikazani su za oba sluaja dijagrami prostornih raspodjela koncentracija veinskih i manjinskih nosilaca, raspodjela elektrinog polja i raspodjela struja. U a) dijelu zadatka koncentracija manjinskih upljina je toliko mala prema koncentraciji veinskih nosilaca, da se njena raspodjela poklapa s osi apscise. Slino vrijedi i za driftnu struju manjinskih nosilaca. Treba uoiti da mjerila na dijagramima raspodjela elektrinog polja i struja za a) dio zadatka nisu ista kao za b) dio zadatka, te da je struja Jdn ucrtana s promijenjenim predznakom. itatelju preputamo da razmotri i objasni prostornu ovisnost struja za b) dio zadatka. U a) dijelu zadatka radilo se o reimu niske injekcije, kada su svugdje koncentracije ubaenih nosilaca puno manje od ravnotenih koncentracija veinskih nosilaca. Elektrino polje je relativno slabo i neovisno o prostornoj koordinati. Naprotiv, u b) dijelu zadatka koncentracije injektiranih nosilaca su usporedive s ravnotenim koncentracijama veinskih nosilaca, pa govorimo o reimu visoke injekcije. Elektrino polje je sada relativno jako i znaajno se mijenja s
Zadatak 1.42
91
prostornom koordinatom. Sve komponente struja su meusobno sumjerljive i ne moemo vie zanemariti driftnu struju manjinskih nosilaca (zbog toga u ovakvim uvjetima kod pn-spoja struje neemo vie moi raunati samo preko difuzijskih struja manjinskih nosilaca). Napomenimo jo da je tako visoku koncentraciju generiranih parova-elektron upljina kakva je zadana u b) dijelu zadatka praktiki nemogue ostvariti djelovanjem svjetla.
1.7.3. Jednadbe kontinuiteta
Jednadbe kontinuiteta slijede izravno iz [Selberherr84] i u openitom sluaju glase n 1 = R + div J n , t q
prve
Maxwellove
jednadbe
(1.168)
p 1 (1.169) = R div J p . t q Kao to slijedi iz samog naziva, jednadbe kontinuiteta izriu tvrdnju o ouvanju materije: brzina prirasta koncentracije nosilaca u nekom volumenu jednaka je zbroju neto-generiranih nosilaca u tom volumenu (prvi pribrojnik) i ukupnog ulaznog toka (razlika ulaznog i izlaznog toka) nosilaca u promatrani volumen (drugi pribrojnik). Mjera neto generacije nosilaca R jednaka je razlici broja rekombiniranih i broja generiranih elektrona, odnosno upljina po jedinici volumena u jedinici vremena (ima dimenziju cm3/ s). Pozitivne vrijednosti za R znae da prevladava rekombinacija, dok negativne vrijednosti znae da prevladava generacija pripadajuih nosilaca. Taj faktor zapravo izraava brzinu kojom koncentracije nosilaca tee ravnotenim vrijednostima. Povea li se, na primjer koncentracija nosilaca iznad ravnotene koncentracije (npr. zbog ubaenih nosilaca iz vanjskog elektrinog kruga), poveat e se stupanj rekombinacije koji e nastojati dovesti poluvodi u ravnoteno stanje. U uvjetima niske injekcije, tj. kada je koncentracija ubaenih nosilaca puno manja od ravnotenih koncentracija, ta brzina je za manjinske nosioce obrnuto proporcionalna vremenu ivota nosilaca, pa moemo pisati da je
R= R=
n p n0 p
(1.170) (1.171)
pn p0n . p
Uvrtavanjem (1.170) u (1.168), odnosno (1.171) u (1.169) dobiva se
n p n0 p 1 n = + div Jn , n t q p p0n 1 p = n div J p , p t q ili, za jednodimenzionalni sluaj
(1.172) (1.173)
Zadatak 1.42
92
np t
n p n0 p
1 Jn , q x
(1.172a) (1.173a)
pn p p0n 1 J p . = n p t q x

Tanki kristal silicija n-tipa jednoliko je osvijetljen tako da se u cijelom njegovom volumenu generira jednaka koncentracija ekscesnih parova elektron-upljina (slika 1.37). U nekom trenutku t0 izvor svjetla se prekida. Odrediti vremensku ovisnost koncentracije manjinskih upljina nakon prekida toka svjetla, ako je vrijeme ivota manjinskih upljina p , a koncentracija ekscesnih upljina pod djelovanjem svjetla je pnL . Pretpostaviti da je rekombinacija nosilaca na povrini zanemariva.
upadni snop svjetla
pn
pnL
p0n
x
a) b)
Slika 1.37. Uz zadatak 1.43. a) upadni snop svjetla, b) prostorna raspodjela manjinskih nosilaca.
Rjeenje:
Zbog pojaane generacije parova elektron-upljina, koncentracije elektrona i upljina se poveavaju iznad ravnotenih, odreenih zakonom termodinamike ravnotee, tj.
n p > ni2 .
Stoga e se pojaati rekombinacija nosilaca, koja e nastojati vratiti koncentracije na ravnotene vrijednosti. Pod djelovanjem stalnog snopa svjetla oba procesa (generacija parova uslijed svjetla i rekombinacija) biti e u ravnotei, te e koncentracija manjinskih nosilaca biti konstantna, tj. pn =0. t Budui da su prirast koncentracije elektrona i prirast koncentracije upljina meusobno jednaki, zakon elektrike neutralnosti je i dalje svugdje zadovoljen. Takoer, budui da su u cijelom volumenu poluvodia koncentracije nosilaca iste, nee postojati razlike potencijala i nee biti nikakvog toka struje u poluvodiu. Zbog toga e rjeenja Poissonove jednadbe i transportnih
Zadatak 1.43
93
jednadbi biti jednaka nuli. Trebamo dakle rijeiti samo jednadbu kontinuiteta za manjinske upljine. U trenutku t0 iskljuujemo izvor svjetla. Prekida se proces generiranja parova elektronupljina, pa zbog prevladajueg procesa rekombinacije koncentracija manjinskih upljina poinje padati od poetne vrijednosti pnL u trenutku t0 prema ravnotenoj vrijednosti p0n . Vremensku raspodjelu koncentracije manjinskih nosilaca dobit emo rjeavanjem jednadbe kontinuiteta za manjinske upljine (1.173a). Divergencija gustoe struje upljina jednaka je nuli ( Jp / x = 0), jer je i struja u poluvodiu cijelo vrijeme jednaka nuli, pa jednadba (1.173a) prelazi u
d pn p p0n = n . dt p (1.174)
Radi se o diferencijalnoj jednadbi prvog reda sa separiranim varijablama za koju je ope rjeenje (za t t0)
t t0 pn (t ) p0n = C exp . p
(1.175)
Konstantu C u (1.175) odredit emo pomou rubnog uvjeta: pn (t = t 0 ) = pnL , to kao rjeenje daje vremensku raspodjelu koncentracije upljina za bilo koju toku u poluvodiu (slika 1.38)
t t0 pn (t ) = p0n + ( pnL p0n ) exp . p
(1.176)
Zanimljivo je na slici uoiti geometrijsko znaenje vremena ivota manjinskih nosilaca kao odsjeka tangente na vremenskoj osi.
pn
pnL
p0n t0 t0 + p
Slika 1.38. Vremenska raspodjela koncentracije upljina u zadatku 1.43.
Zadatak 1.43
94

Odrediti prostornu raspodjelu manjinskih nosilaca u dubinu homogeno dopiranog poluvodia n-tipa kojem je povrina trajno osvijetljena, zbog ega se u vrlo tankom sloju uz povrinu generiraju ekscesnih parovi elektron-upljina. Rjeenje:
Kao i u prethodnom zadatku, uz vremenski nepromjenljivi izvor svjetla, koncentracije nosilaca e u svakoj pojedinoj toki poluvodia biti vremenski konstantne, tj. pn =0. t Meutim, kako se nosioci generiraju samo na povrini poluvodia, oevidno e postojati gradijent koncentracije nosilaca koji e proizvesti difuzijsku struju nosilaca s mjesta vee koncentracije (povrine poluvodia gdje se ekscesni parovi stvaraju) prema mjestu nie koncentracije (u dubini poluvodia gdje se ekscesni nosioci rekombiniraju i njihove koncentracije tee ravnotenima) (vidi zadatak 1.42 na str. 87). Ako je elektrino polje u poluvodiu dovoljno slabo da se driftna komponenta struje manjinskih upljina moe zanemariti (ova pretpostavka odgovara uvjetima niske injekcije), struja upljina bit e jednaka difuzijskoj komponenti dp . (1.177) J p = Jdp = q D p dx Uvrstimo li (1.177) u jednadbu kontinuiteta (1.173) za manjinske upljine, za stacionarne uvjete ( pn / t = 0) emo dobiti obinu diferencijalnu jednadbu
Dp d 2 pn dx
2
p n p0 n =0. p
(1.178)
Supstitucijom p = pn p0n i sreivanjem, (1.178) se moe napisati u jednostavnijem obliku

L2 p
d2 p dx 2
p=0,
(1.179)
gdje je
Lp = Dp p
difuzijska duljina upljina.
Jednadba (1.179) je linearna diferencijalna jednadba drugog reda, kojoj je ope rjeenje oblika
x x p( x ) = C1 exp L + C2 exp L . p p
(1.180)
Konstante integracije C1 i C2 odreuju se iz rubnih uvjeta. Pretpostavimo da su rubni uvjeti zadani koncentracijama nosilaca na povrini poluvodia (1.181) p( x = 0) = pn 0 p0n = p0 , te na stranjoj strani poluvodia
p( x = w) = pnw p0n = p w ,
(1.182)
gdje je w debljina promatranog poluvodia. Zbog rubnog uvjeta (1.181) vrijedi da je C1 + C2 = p0 ,
Zadatak 1.44
95
dok je zbog (1.182)

w w C1 exp L + C2 exp L = p w . p p
Iz ove dvije jednadbe dobivaju se konstante

w p0 exp L pw p w 2 sinh L p w p0 exp L pw p w 2 sinh L p
C1 =
, C2 =
Uvrstimo li dobivene konstante u ope rjeenje (1.180), nakon sreivanja dobit emo
x w x p w sinh L + p0 sinh L p p w sinh L p
p( x ) =
(1.183)
odnosno
x w x ( pnw p0n ) sinh L + ( pn 0 p0n ) sinh L p p w sinh L p
pn ( x ) = p0n +
(1.184)
Pretpostavimo da su dimenzije poluvodia tako velike da se svi ekscesni nosioci rekombiniraju prije no to stignu do stranje plohe. Tada je koncentracija pnw = p0n , te isezava prvi lan u brojniku izraza (1.184), pa je
w x sinh L p w sinh L p
pn ( x ) = p0n + ( pn 0 p0 n )
(1.185)
Rastavljanjem hiperbolnog sinusa razlike argumenata u brojniku gornje funkcije, nakon sreivanja emo dobiti
w x cosh L sinh L x p p pn ( x ) = p0n + ( pn 0 p0n ) cosh . w Lp sinh Lp Budui da su dimenzije poluvodia velike, moemo uzeti da je w > Lp . Prema tome, raspodjelu > primjesa dobit emo kao limes gornje funkcije kada w/Lp . Budui da je
x
cosh x lim = 1, sinh x
Zadatak 1.44
96
nakon sreivanja dobit emo traenu raspodjelu

x pn ( x ) = p0n + ( pn 0 p0n ) exp L . p
(1.186)
Na slici 1.39a nacrtana je funkcija (1.186) i prikazana geometrijska interpretacija difuzijske duljine kao odsjeka tangente na funkciju raspodjele. Da bismo spoznali fizikalni smisao difuzijske duljine, izraunat emo srednji put koji preu ekscesni nosioci
x=
x ( pn p0n ) dx = ( pn p0n ) dx
x ( pn 0 p0n ) exp L p dx
0
( pn 0
0
x p0n ) exp L dx p
Integral u brojniku moe se rijeiti primjenom pravila parcijalne integracije
x x exp L p dx = 0
x x 2 L p x exp L + L p exp L dx = L p , p p 0 0
dok je integral u nazivniku elementaran. Dobiva se da je x = Lp , tj. difuzijska duljina je jednaka srednjem putu koji nosioci preu difuzijom, prije nego to se rekombiniraju. Funkcija raspodjele (1.186) vrijedi samo ako su dimenzije poluvodia mnogo vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca, te se svi ekscesni nosioci rekombiniraju prije nego to
pn
pn0 pn0
pn
w =2 Lp p0n 0 Lp
a)
0,1 1
p0n
0
b)
Slika 1.39. Prostorna raspodjela koncentracije upljina u zadatku 1.44. a) Dimenzije poluvodia su puno vee od difuzijske duljine manjinskih nosilaca. b) Geometrijske dimenzije su usporedive s difuzijskom duljinom manjinskih nosilaca.
dospiju do drugog kraja poluvodia. Ako je debljina poluvodia usporediva s difuzijskom duljinom, svi ekscesni nosioci se nee stii rekombinirati prije nego to stignu do stranje plohe, pa e raspodjela manjinskih upljina openito biti odreena funkcijom (1.184).
Zadatak 1.44
97
Svaka povrina kristala predstavlja defekt, budui da na povrini dolazi do prekida periodinosti kristalne reetke. Takav defekt poveava rekombinaciju na tom mjestu, te time izvlai ekscesne nosioce. Ako je brzina rekombinacije dovoljno velika, koncentracija nosilaca na tom mjestu e biti jednaka ravnotenoj koncentraciji (moemo pretpostaviti da se na stranjoj plohi nalazi metalna prikljunica, na kojoj je brzina povrinske rekombinacije vrlo velika, tipino 106 cm / s), pa e raspodjela nosilaca biti opisana funkcijom (1.185). Na slici 1.39b ta je funkcija prikazana za tri razliita omjera w/Lp . Kao to se i sa slike vidi, za izuzetno male debljine, tj. za w < Lp , mogu se zanemariti lanovi razvoja funkcije hiperbolnog sinusa u (1.185) u redove < potencija vii od linearnog, tj. sinh( x ) = x , te se raspodjela manjinskih nosilaca moe aproksimirati pravcem w x pn ( x ) = p0 n + ( pn 0 p0 n ) . w (1.187)
Obino se postavlja pitanje kako izgleda raspodjela koncentracija veinskih nosilaca, ako je poznata raspodjela manjinskih nosilaca. Po izravnoj analogiji sa slikom 1.39a, poneki itatelj bi mogao zakljuiti da e se veinski nosioci raspodijeliti takoer po eksponencijalno padajuoj funkciji sa difuzijskom duljinom veinskih nosilaca u nazivniku argumenta eksponencijalne funkcije
x nn ( x ) = n0n + (nn 0 n0n ) exp , Ln
pri emu bi difuzijska duljina bila Ln = Dn n = n U T n . Meutim, budui da se difuzijske duljine elektrona i upljina meusobno razlikuju, takva bi raspodjela poremetila elektriku neutralnost u poluvodiu. Nastalo bi elektrino polje koje bi se suprotstavljalo tom poremeaju, a kako u poluvodiu postoji velika koncentracija veinskih nosilaca, oni bi se bez veih potekoa preraspodijelili i ponitili to polje. Prema tome, raspodjela veinskih nosilaca se uvijek nastoji prilagoditi raspodjeli manjinskih nosilaca tako da zakon elektrike neutralnosti bude zadovoljen. U ovom zadatku mogli smo to zakljuiti i na temelju injenice da se svi ekscesni veinski nosioci koji su nastali uz povrinu generacijom parova elektron-upljina, moraju rekombinirati s ekscesnim manjinskim upljinama, prije no to njihova koncentracija dosegne ravnotenu koncentraciju. Koncentracija upljina koje stoje na raspolaganju za rekombinaciju je puno manja, pa e one, odnosno njihovo vrijeme ivota diktirati rekombinaciju (a time i raspodjelu) veinskih elektrona. Ovo naravno ne znai da jednadbe kontinuiteta ne vrijede za veinske nosioce. Meutim, elektrino polje, iji smo utjecaj na raspodjelu manjinskih nosilaca zanemarili (izraz (1.178)), kao to smo vidjeli u zadatku 1.42, ima znaajan utjecaj na raspodjelu veinskih nosilaca. Prema tome, za tonu raspodjelu veinskih nosilaca treba poznavati raspodjelu elektrinog polja, a to zahtijeva istovremeno rjeavanje Poissonove jednadbe, jednadbi kontinuiteta i transportnih jednadbi. Iscrpnije detalje o rjeenjima jednadbe kontinuiteta zainteresirani itatelji mogu nai u literaturi [Adler64].
Zadatak 1.44
98
Zadatak 1.45
Odredite funkciju raspodjele manjinskih upljina u poluvodiu iz prethodnog zadatka, ako u poluvodiu djeluje konstantno elektrino polje , a dimenzije poluvodia su puno vee od difuzijske duljine manjinskih nosilaca. Rjeenje:
Uvrtavanjem transportne jednadbe za upljine (1.162a) u jednadbu kontinuiteta za upljine (1.173a), dobit emo za stacionarne uvjete ( Jp / t = 0) linearnu diferencijalnu jednadbu
Dp d 2 pn dx
2
p
dpn pn p0n = 0. dx p
Rjeenje ove jednadbe uz odgovarajue rubne uvjete je

pn ( x ) = ( pn 0 2 2 1 x + p0n . p0n ) exp + 2 U T Lp 2 U T
Zanimljivo je uoiti da je ovo rjeenje oblikom slino rjeenju (1.186) iz prethodnog zadatka. Kvadratni korijen u gornjem izrazu je po iznosu uvijek vei od lana ispred njega, pa je argument eksponencijalne funkcije uvijek negativan. Napiemo li gornje rjeenje kao
x pn ( x ) = ( pn 0 p0n ) exp * + p0n , L p pri emu je

2 1 = + L 2 U , * 2 U T Lp p T 2
vidimo da e elektrino polje samo razvlaiti ili stezati eksponencijalnu raspodjelu u smjeru x-osi, ovisno o smjeru elektrinog polja.
upadno svjetlo
Zadatak 1.46 * [Shive59, Adler64]

Lokalni kratkotrajni impuls svjetla obasjao je homogeno dopirani poluvodi n-tipa, generirajui pri tome lokalni paket ekscesnih nosilaca (slika 1.40). Odrediti funkcije raspodjela manjinskih nosilaca u ovisnosti o vremenu za sluaj kada a) nema vanjskog elektrinog polja, odnosno b) na nosioce djeluje stalno elektrino polje du x osi.
n - tip
pn p0n = n n n 0n
Slika 1.40. Injekcija nosilaca u zadatku 1.46.

Zadatak 1.46
99
Rjeenje:
Lokalni impuls svjetla generirat e ekscesne parove elektron-upljina na malom prostoru. Ti ekscesni nosioci difundirat e prema mjestima nie koncentracije, pa e doi do razlijevanja paketa.
a)
Kada nema vanjskog elektrinog polja, jednadbu kontinuiteta za manjinske upljine moemo pisati kao
pn p p 0n 2 pn = n + Dp , t p x2
(1.188)
odnosno, primjenom supstitucije p = pn p0n , p p 2 p = + Dp 2 . p t x (1.189)
Da bismo rijeili ovu parcijalnu diferencijalnu jednadbu, prvo emo potraiti rjeenje uz pretpostavku da je vrijeme ivota manjinskih nosilaca beskonano (p ). To rjeenje emo oznaiti kao p(x , t ). U tom sluaju, jednadbu (1.189) moemo pisati kao 2p p = Dp 2 . (1.190) t x Time pretpostavljamo da nema rekombinacije nosilaca, pa je ukupni broj nosilaca u poluvodiu konstantan za cijeli promatrani vremenski interval. Povrine ispod funkcija raspodjela nosilaca u bilo kojem trenutku e biti jednake! Kako je mjera za rekombinaciju R= pn p 0 p = p p
proporcionalna razlici stvarne i ravnotene koncentracije, rjeenje jednadbe (1.189) za konano vrijeme ivota e se razlikovati od rjeenja jednadbe (1.190) samo po tome to e se koncentracija nosilaca u bilo kojoj toki eksponencijalno smanjivati s vremenom (vidi zadatak 1.43), tj. t p( x , t ) = p ( x , t ) exp . (1.191) Jednadba (1.190) je difuzijska jednadba (II Fickov zakon) budui da opisuje statistiko gibanje estica u nekom sredstvu. U literaturi se vrlo esto parcijalna diferencijalna jednadba ovakvog oblika zove i jednadba voenja topline, jer je njome opisana i raspodjela temperature u vrstim tijelima. Primjenom Laplaceove transformacije, parcijalna diferencijalna jednadba (1.190) prijei e u obinu diferencijalnu jednadbu drugog reda s p + p(t = 0) = 0 , (1.192) x2 gdje je p Laplaceova transformacija funkcije raspodjele elektrona, a s je varijabla u donjem (transformiranom) podruju. Pretpostavimo da se poetna raspodjela upljina moe aproksimirati Diracovom delta-funkcijom p(t = 0) = ( x ) , Dp 2p
Zadatak 1.46
100
koja je jednaka nuli za sve vrijednosti prostorne koordinate osim ishodita. Zbog toga moemo (1.192) napisati kao 2p Dp s p = 0 . (1.193) x2 Ope rjeenje ove diferencijalne jednadbe glasi s p = C1 exp x + C2 exp Dp s x . Dp (1.194)
Konstante integracije C1 i C2 odredit emo iz rubnih uvjeta. Budui da za x koncentracija nosilaca tei ravnotenoj koncentraciji, konstanta C1 = 0 . Konstantu integracije C2 odredit emo sada iz uvjeta da je ukupan broj ekscesnih nosilaca cijelo vrijeme konstantan (rekombinaciju smo zanemarili!)
p=
odnosno, u donjem podruju
p( x ) dx = konst. ,
p=
Prema tome,
p =
s
p ( x) dx = 2 C2
Dp s
C2 =
2 s Dp
pa je rjeenje jednadbe (1.192) u donjem podruju, za pretpostavljene rubne uvjete p= exp 2 s Dp
s x . Dp
(1.195)
Inverzna Laplaceova transformacija dat e nam vremensku ovisnost raspodjele manjinskih nosilaca
p ( x , t ) = x2 exp 4 D t . 2 Dp t p
(1.196)
Podsjetimo se da ovo rjeenje odgovara sluaju zanemarive rekombinacije nosilaca. Ako je vrijeme ivota nosilaca konano, raspodjelu nosilaca dobit emo iz (1.196) koritenjem izraza (1.191) kao
pn ( x , t ) = x2 t exp 4 D t + p0n . 2 Dp t p p
(1.197)
Kako se uoava iz (1.197) koncentracije nosilaca ravnaju se po Gaussovoj raspodjeli, to je i prikazano na slici 1.41a. Razlijevanje paketa posljedica je kaotinog gibanja ekscesnih nosilaca i rezultantne difuzije.
Zadatak 1.46
101
pn
t=0
pn
t=0

t1 t1 t2 > t1 p0n 0
a)
t2 > t1
p0n
0 p t1 p t2
b)
Slika 1.41. Vremenska ovisnost raspodjela manjinskih nosilaca u zadatku 1.46. a) bez elektrinog polja, b) pod utjecajem elektrinog polja.
b)
Ako na poluvodi djeluje stalno elektrino polje, u jednadbi kontinuiteta za manjinske upljine osim difuzijske komponente pojavit e se i driftna komponenta struje manjinskih upljina, pa je
pn p p 0n p 2 pn = n p n + Dp . p t x x2
(1.198)
Osim to e se razlijevati, paket ekscesnih nosilaca e se pod djelovanjem elektrinog polja pomicati du x-osi driftnom brzinom vfp = p (slika 1.41b). Uvoenjem supstitucija p = pn p0 n , y = x + p t , jednadba (1.198) prelazi u p p 2p = + Dp 2 , p t y (1.199)
to je identino jednadbi (1.189). Stoga se moe primijeniti isti postupak rjeavanja kao u a) dijelu zadatka, te se nakon povratnih supstitucija dobiva raspodjela pn ( x , t ) = ( x p t )2 t exp + p0n , 4 Dp t p 2 Dp t
(1.200)
U osnovi, ovaj zadatak je poznati pokus Haynesa i Shockleya [Haynes49, Haynes51, Haynes52] u kojem su mjerili driftnu pokretljivost i vrijeme ivota nosilaca u poluvodiima (slika 1.42). Zbog znaaja tog eksperimenta [Shockley50] posvetit emo mu jo malo prostora. Umjesto svjetla, kao izvor manjinskih nosilaca koriten je metalni iljak prislonjen na poluvodi (oznaen s E na slici 1.42a). Drugi iljak (oznaen kao C) bio je prikljuen na osciloskop, na kojem je dobiven valni oblik prema slici 1.42b. Izvor U1 prikljuen na krajeve poluvodia osiguravao je konstantno elektrino polje u poluvodiu, kako je prikazano na slici. U trenutku t1 izvor uE generira pravokutni impuls koji traje do trenutka t3 , zbog ega dolazi do injekcije nosilaca iz iljka E u poluvodi. Pod djelovanjem elektrinog polja injektirani veinski elektroni e se gibati
Zadatak 1.46
102
uE E B1 U1
+ poluvodi n-tipa
osciloskop
C B2
U2
uC
a)
uE uC
t1
t2
t3
pokus:
t4
a) ureaj, b)
t
mjereni
b)
napon
Slika 1.42. Haynes-Shockleyev [Shockley50].
prema lijevom kraju (prikljunica B1), a injektirane upljine prema desnom kraju poluvodia (prikljunica B2) na slici. Kao to moemo uoiti sa slike 1.42b, odmah u trenutku t1 (na prednji brid impulsa) promijenit e se napon na iljku C. Ta promjena napona rezultat je prirasta pada napona na dijelu poluvodia izmeu iljka C i prikljunice B2 zbog struje veinskih nosilaca. Ovaj signal se prenosi od emitera E do kolektora C trenutno, praktiki brzinom svjetlosti, jer brzina prijenosa tog signala nije uvjetovana brzinom veinskih nosilaca. Slino kao i u vodiima, promjena koncentracije elektrona na jednom mjestu uzrokovat e elektrino polje koje se iri brzinom svjetlosti i uzrokuje istovremene pomake elektrona u cijelom materijalu, a time i tok struje na prikljunicama . Ubaeni manjinski nosioci e poremetiti ravnoteu i uzrokovati prostorni naboj. Meutim, kako je koncentracija elektrona puno vea, taj prostorni naboj bit e brzo neutraliziran strujom elektrona. Kao to vidimo, u ekstrinsinim poluvodiima je gotovo nemogue poveati koncentraciju veinskih nosilaca injekcijom nosilaca istog tipa. Naprotiv, injekcija manjinskih nosilaca moe bitno utjecati na koncentraciju veinskih nosilaca, budui da ovi nastoje neutralizirati prostorni naboj manjinskih nosilaca [Shockley50]. Iako e se uspostaviti elektrika
Struja u metalima (kao i struja veinskih nosilaca u poluvodiima) moe se poistovjetiti s uvjebanim vojnikim postrojem. Na zapovjed (ekvivalent poremeaju elektrinog polja), svi vojnici e gotovo istovremeno zakoraiti i trenutno popuniti prazno mjesto koje je npr. nastalo negdje na elu stroja.
Zadatak 1.46
103
neutralnost, termodinamika ravnotea e biti poremeena budui da e koncentracije i elektrona i upljina biti vee od ravnotenih. Pod djelovanjem vanjskog elektrinog polja injektirane manjinske upljine e se gibati prema prikljunici B2 i poet e stizati do kolektora tek u trenutku t2 . Zbog kaotinog gibanja upljina sve upljine nee stii istovremeno do kolektora, pa je porast mjerenog pada napona postepen. Potpuno analogno razmatranje moe se primijeniti i za preostali dio valnog oblika na slici 1.42b, nakon iskljuenja izvora uE u trenutku t3 . Prema tome, ovakav valni oblik je dokaz da u poluvodiu postoje dva tipa nosilaca naboja, te da injekcija manjinskih nosilaca moe znaajno utjecati na svojstva poluvodia [Shockley50]. Na temelju razmaka izmeu trenutaka t1 i t2 moe se odrediti driftna brzina manjinskih upljina L = , ( t 2 t1 ) gdje je L prostorna udaljenost izmeu emitera i kolektora. Na osnovu amplituda napona u trenutku t2 za razliite razmake emitera i kolektora moe se odrediti vrijeme ivota manjinskih nosilaca [Haynes51]. to je vrijeme ivota krae, vie e se nosilaca rekombinirati, prije no to stignu do kolektora, pa e i amplituda napona biti manja. Ostale detalje vezane uz rezultate Haynes-Shockleyevog pokusa zainteresirani itatelj moe nai u literaturi [Shockley50, Haynes51].
Zadatak 1.47 * [Grove67]

Kristal homogeno dopiranog poluvodia n-tipa jednoliko je obasjan izvorom svjetla tako da je svugdje u volumenu poluvodia ekscesna koncentracija manjinskih nosilaca pnL . Odrediti raspodjelu manjinskih nosilaca uz povrinu ako je poznata brzina povrinske rekombinacije sp . Rjeenje:
Pod djelovanjem svjetla generiraju se dodatni parovi elektron-upljina, uzrokujui porast koncentracije manjinskih upljina na iznos pnL . Ako je izvor svjetla stalan, i koncentracije e biti stalne, tj.
pn =0 t i vee od ravnotenih. S druge strane, povrina pojaanom rekombinacijom nastoji vratiti koncentracije na ravnotene vrijednosti. Zbog toga e uz povrinu promatranog poluvodia koncentracije nosilaca biti nie (tonije: blie ravnotenim koncentracijama) od onih u volumenu poluvodia, te e nosioci difundirati prema povrini. Svi nosioci koji stignu do povrine rekombinirat e se tamo - u protivnom bi dolo do porasta koncentracija nosilaca uz povrinu. Znai da je difuzijska struja manjinskih upljina uz povrinu uravnoteena strujom rekombinacije (koja je proporcionalna odstupanju koncentracije od ravnotene), to moemo pisati kao
q Dp
pn x
x=0
= q s p ( pn 0 p 0n ) .
(1.201)
Faktor proporcionalnosti u (1.201) je brzina povrinske rekombinacije sp (ima dimenziju cm/ s). Drugi rubni uvjet za jednadbu kontinuiteta bit e
Zadatak 1.47
104
pn ( x ) = pnL .
(1.202)
Jednadba kontinuiteta u stacionarnom stanju ( pn / t = 0), uz pretpostavku da se nosioci gibaju iskljuivo difuzijom, glasi
Dp
2 pn pn p0n =0, p x2
(1.203)
to je linearna diferencijalna jednadba drugog reda. Ope rjeenje je oblika

x x pn ( x ) = C1 exp L + C2 exp L . p p
Primjenom gornjih rubnih uvjeta, mogu se odrediti konstante integracije C1 i C2 , pa se dobiva

pn ( x ) = pnL
x pnL p0n exp L . Lp p +1 p sp
(1.204)
Na slici 1.43 prikazano je rjeenje (1.204) za neke konane vrijednosti brzina povrinske rekombinacije. U sluaju da je brzina povrinske rekombinacije jednaka nuli, (1.204) prelazi u (1.202) za svaki x. U drugoj krajnosti, za sp
x pn ( x ) = pnL ( pnL p0n ) exp L , p
(1.205)
a koncentracija manjinskih nosilaca uz povrinu tei ravnotenoj koncentraciji.
1 0,8 0,2 1 5
pn p0n pnL p0n
0,6 0,4 0,2 0 0
sp p Lp = 1 2 3 4 5
x / Lp
Slika 1.43. Ravnotene raspodjele manjinskih nosilaca za razliite brzine povrinske rekombinacije.
Zadatak 1.47
1.8. Nehomogeni poluvodii
105

U nehomogeno dopiranim poluvodiima koncentracija primjesa se mijenja s prostornim koordinatama. Zbog toga e se mijenjati i koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca, budui da u uvjetima ravnotee moraju za svaku toku u poluvodiu vrijediti zakon elektrike neutralnosti i zakon termodinamike ravnotee. Zbog difuzije nosioci e se nastojati gibati s mjesta vie k mjestu nie koncentracije. Kada bi postojala samo ta difuzijska struja nosilaca, ona bi tekla sve dok se koncentracije nosilaca ne bi izjednaile svugdje u volumenu poluvodia, to bi oito poremetilo ravnoteu sistema. Na mjestima s niom neto koncentracijom primjesa koncentracije veinskih nosilaca bi bile vee od ravnotenih, a koncentracije manjinskih nosilaca bi bile manje od ravnotenih. Obrnuto bi bilo za mjesta s viom neto koncentracijom primjesa. Kako poluvodi mora biti u uvjetima ravnotee, oito mora tei driftna komponenta struje u suprotnom smjeru koja e ponititi difuzijsku komponentu. Jakost ugraenog elektrinog polja koje nastaje u poluvodiu zbog nehomogene dopiranosti poluvodia i koje tjera driftnu komponentu struje moemo odrediti preko transportnih jednadbi bilo za veinske, bilo za manjinske nosioce. Izjednaavanjem elektronske, odnosno upljinske struje s nulom (transportne jednadbe za elektrone (1.161a), odnosno upljine (1.162a)), dobivamo za jakost elektrinog polja u jednodimenzionalnom sluaju U dn (1.206) = T 0 , n0 dx
=
U T dp0 . p0 dx
(1.207)
Kako nam je redovito poznata raspodjela primjesa, a njoj obino odgovara i raspodjela veinskih nosilaca, za odreivanje elektrinog polja prikladnije je koristiti transportnu jednadbu za veinske nosioce. Kako u nehomogenim poluvodiima postoji elektrino polje, oito e i elektrostatski potencijali pojedinih toaka biti razliiti. Razliku potencijala izmeu pojedinih toaka moemo dobiti preko poznatih pripadajuih koncentracija veinskih ili manjinskih nosilaca n ( x2 ) U x 2 ,x1 = U T ln (1.208) , n( x1 ) p( x 2 ) U x 2 ,x1 = U T ln . p( x1 ) (1.209)
106
Zadatak 1.48
Izvesti izraze za ugraeno elektrino polje i ugraenu razliku potencijala koji se javljaju u poluvodiu n-tipa s nehomogenom raspodjelom primjesa.
Rjeenje:
Radi jednostavnosti, pretpostavit emo da je raspodjela donorskih primjesa u poluvodiu strogo padajua funkcija, tj. da koncentracija donora opada s udaljavanjem od povrine poluvodia, kako je prikazano na slici 1.44a. To je realan sluaj za veinu poluvodia u kojima su raspodjele primjesa dobivene difuzijskim postupkom ili ionskom implantacijom.
ND n, p
difuzijski tok elektrona
n, p
Jdn
difuzijski tok upljina
driftni tok elektrona
Jfn n p
driftni tok upljina
n p
Jdp 0
a)
Jfp 0
c)
0
b)
Slika 1.44. Nehomogeni poluvodi n-tipa: a) raspodjela koncentracije primjesa, b) difuzijske struje nosilaca, c) ugraeno elektrino polje i driftne struje.
Ravnotena koncentracija veinskih elektrona takoer opada sa dubinom, dok ravnotena koncentracija manjinskih upljina raste, budui da u svakoj toki moraju biti zadovoljeni zakoni elektrike neutralnosti i termodinamike ravnotee. Zbog nejednolikih raspodjela koncentracija nosilaca, postojat e difuzija nosilaca s mjesta vie k mjestu nie koncentracije. U naem primjeru elektroni e difundirati u volumen poluvodia, pa bi se trebao pojaviti viak elektrona (iznad ravnotene koncentracije) u dubini poluvodia, odnosno manjak pri povrini. Primjesni ioni su na sobnoj temperaturi nepokretni, pa bi, uslijed difuzije veinskih nosilaca u volumen poluvodia, uz povrinu poluvodia pozitivni naboj ioniziranih donora ostao nekompenziran. Naprotiv, upljine difundiraju k povrini poluvodia, te bi se po tome koncentracija upljina uz povrinu trebala poveati iznad ravnotene, a u volumenu poluvodia smanjiti ispod ravnotene. Posljedica svega ovoga bila bi neravnotea sustava (slika 1.44b), to je u suprotnosti s poetnom pretpostavkom. Oigledno mora postojati proces suprotan difuziji nosilaca, koji e osigurati da sustav ostane u ravnotei. Sa slike 1.44b moemo uoiti da e se uslijed difuzije pojaviti neravnotea naboja. U volumenu poluvodia postoji viak negativnog naboja (elektroni koji su difundirali od povrine), a uz povrinu postoji viak pozitivnog naboja (nekompenzirani naboj donorskih iona, te naboj manjinskih upljina koje difundiraju iz volumena). Ta neravnotea naboja uzrokuje elektrino polje, koje tjera nosioce naboja u smjeru suprotnom od smjera difuzije nosilaca. U naem sluaju to je polje usmjereno od povrine u volumen poluvodia, pa e driftni tok elektrona biti usmjeren prema povrini poluvodia, a driftni tok upljina u volumen poluvodia, kako je prikazano na slici 1.44c. Da bi ravnotea bila osigurana, zbroj svih struja u poluvodiu mora biti jednak nuli,
Zadatak 1.48
107
Jn + J p = 0 . Uvrtavanjem transportnih jednadbi za elektrone odn. upljine, gornji izraz postaje dn dp q Dn + q n n q D p + q p p = 0 . dx dx Iz ovog izraza moemo izluiti jakost elektrinog polja dn dp Dn Dp dx dx . = n n + p p
(1.210)
Pomou zakona termodinamike ravnotee izrazit emo koncentraciju manjinskih nosilaca preko koncentracije veinskih nosilaca, n2 p= i , n pa je gradijent koncentracije manjinskih nosilaca (ni je konstantan)
n 2 dn dp = i2 . dx n dx
Uvrtavanjem u (1.210), dobiva se

n 2 dn Dn + D p i2 n dx n n + ni2 p n n 2 dn U T n + p i2 n dx n2 n n + i2 p n
=
1 dn . = U T n dx
(1.211)
Lako je dokazati da se elektrino polje moe odrediti i iz raspodjele manjinskih nosilaca. Da smo u gornjem postupku izrazili koncentracije i gradijente koncentracija veinskih elektrona preko koncentracija manjinskih upljina, te njih uvrstili u (1.210), umjesto (1.211) dobili bismo 1 dp = UT . (1.212) p dx
Do potpuno istih izraza za jakost elektrinog polja doli bismo i da smo razdvojili elektronsku komponentu struje od upljinske komponente i postavili uvjet da ukupna struja elektrona mora biti jednaka nuli, odnosno da ukupna struja upljina mora biti jednaka nuli. Naime, da u uvjetima ravnotee driftna struja elektrona (upljina) ne ponitava difuzijsku struju elektrona (upljina), postojalo bi neto strujanje elektrona (upljina) s jednog na drugo mjesto, to bi znailo poremeaj pretpostavljenog poetnog stanja ravnotee. Naravno, prikazi na slici 1.44 su bitno pojednostavljeni, jer se difuzijska i driftna komponenta meusobno ponitavaju ve na mikroskopskim razmacima. Ugraeni potencijal izmeu dviju toaka x1 i x2 dobiva se integriranjem raspodjele elektrinog polja
U x 2 , x1 = ( x 2 ) ( x1 ) =
( x2 ) ( x1 )
d = dx .
x1
x2
Uvrstimo li izraz (1.211) i integriramo, dobit emo izraz (1.208)

Zadatak 1.48
108
n ( x2 )
U x 2 , x1 = U T
n( x 2 ) dn = U T ln . n n( x1 ) n( x )
Kako je koncentracija elektrona uz povrinu vea od one u volumenu poluvodia, toke uz povrinu su na viem potencijalu od toaka u volumenu poluvodia. Ovo se moe zakljuiti i po smjeru elektrinog polja na slici 1.44c. Zanimljivo je primijetiti da razlika potencijala izmeu dvije toke ne ovisi o obliku raspodjele elektrinog polja, odnosno primjesa izmeu tih toaka, ve iskljuivo o omjeru koncentracija nosilaca u te dvije toke. Da smo umjesto (1.211) uvrstili (1.212), dobili bismo izraz (1.209). Iako u nehomogenom poluvodiu postoji razlika potencijala, taj napon je nemogue izmjeriti - razlike radova izlaza poluvodia i metalnih prikljunica e ponititi razliku ugraenog potencijala u poluvodiu. Kada ne bi bilo tako, kroz vodi spojen izmeu dvije toke poluvodia bi potekla struja, to je u suprotnosti s poetnom pretpostavkom da je poluvodi u ravnotei, tj. da kroz poluvodi ne tee struja.
Zadatak 1.49
Skicirati energetski dijagram, raspodjelu elektrinog polja i elektrostatskog potencijala u stanju ravnotee na 300 K za silicij u kojem se raspodjela donora moe prikazati funkcijom ND = ND0 exp(x2/ a), pri emu je ND0 = 1017 cm3, a a = 0,1 m2.
Rjeenje:
Budui da se koncentracija primjesa mijenja s prostornom koordinatom, mijenjat e se i poloaj Fermijevog nivoa u odnosu na rubove zabranjenog pojasa. Da bismo mogli skicirati energetski dijagram, prvo moramo utvrditi kako se mijenja poloaj Fermijevog nivoa s prostornom koordinatom. U uvjetima ravnotee, ukupne struje nosilaca su jednake nuli. Za veinske elektrone transportna jednadba glasi dn d dn J n = q n n + q Dn = q n n + q Dn =0. (1.213) dx dx dx Da bismo dobili prostornu ovisnost poloaja Fermijevog nivoa, izrazit emo i elektrostatski potencijal i koncentracije elektrona preko Fermijevog nivoa: E = Fi , (1.214) q
E EF n = ni exp Fi . ET
(1.215)
Uvrstimo li (1.214) i (1.215) u (1.213), dobit emo

E E F 1 dE Fi q n ni exp Fi + ET q dx E E F 1 dE Fi dE F + q Dn ni exp Fi + = 0. ET dx E T dx
(1.216)
Nakon kraenja, ostaje nam
Zadatak 1.49
109
E E F 1 dE F q Dn ni exp Fi = 0, ET E T dx
(1.217)
iz ega slijedi da mora vrijediti

dE F = 0, dx budui da su svi ostali lanovi u umnoku (1.217) razliiti od nule. Prema tome, poloaj Fermijevog nivoa je u ravnotenim uvjetima konstantan! Koristei ovu injenicu, izraz za razliku elektrostatskih potencijala dobit emo vrlo jednostavno, pomou izraza (1.214) i (1.215)
n( x 2 ) n( x1 ) n( x 2 ) U x 2 , x1 = ( x 2 ) ( x1 ) = U T ln U T ln = U T ln , ni ni n( x1 ) to je potpuno jednako izrazu za razliku ugraenih potencijala (1.208) koji smo izveli u prethodnom zadatku.
Raspodjelu elektrinog polja moemo odrediti na isti nain kao i u prethodnom zadatku. Na slici 1.45 nacrtani su rezultantni dijagrami. Na slici 1.45a prikazana je raspodjela primjesa, a na slici 1.45b je energetski dijagram razmatranog poluvodia. Kako se i sa slike vidi, zbog promjene koncentracija elektrona, odn. upljina s dubinom, mijenjat e se i poloaj Fermijevog nivoa u odnosu na rubove zabranjenog pojasa. Na mjestu vie ravnotene koncentracije elektrona, gdje je poluvodi jai n-tip (uz povrinu), Fermijev nivo oito mora biti blii vrhu zabranjenog pojasa, nego u volumenu poluvodia. Naravno, u uvjetima ravnotee, Fermijev nivo je svugdje na istoj energiji, a zapravo se valentni odn. vodljivi pojas savijaju, kako je i prikazano na slici. Poluvodi je po cijeloj dubini n-tipa vodljivosti, te je Fermijev nivo svugdje iznad sredine zabranjenog pojasa. Jakost elektrinog polja
=
U T dn UT d 2x = N D 0 exp ( x 2 / a ) = U T , a n dx N D 0 exp ( x 2 / a ) dx
(1.218)
10 17
E
Ec EF EFi Ev 0
cm3
0
ND
x / m
2 a)
x / m
2 b)
6000
1 Vcm
0 0 1 2 c)
V
0,5 0 1 2 d)
x / m
x / m
Slika 1.45. Uz zadatak 1.49: a) raspodjela primjesa, b) energetski dijagram, c) raspodjela elektrinog polja, d) raspodjela elektrinog potencijala.
Zadatak 1.49
110
u ekstrinsinom podruju raste linearno s dubinom (slika 1.45c) budui da je koncentracija elektrona praktiki jednaka koncentraciji primjesa, pa se eksponencijalne funkcije u brojniku i nazivniku gornjeg izraza meusobno krate. Pribliavanjem intrinsinom dijelu poluvodia, koncentracija veinskih elektrona (nazivnik prve formule u (1.218)) vie nije jednaka koncentraciji primjesa, ve je , (1.219) 2 te tei intrinsinoj koncentraciji. Naprotiv, derivacija funkcije raspodjele elektrona (brojnik prve formule u (1.218))
2 2 dn d N D + N D + 4 ni = 2 dx dx = 1 dN D + 1 N 2 + 4 n 2 D i 2 dx 4
n=
2 N D + N D + 4 ni2
1 2
2 ND
dN D = dx (1.220)
1 dN D 1 + 2 dx
2 2 N D + 4 ni
ND
tei nuli, jer derivacija dN / dx za zadanu eksponencijalnu raspodjelu tei nuli. Zbog toga e kvocijent izraza (1.220) i (1.219), a time i elektrino polje, teiti nuli. Raspodjela potencijala (prikazana na slici 1.45d) dobivena je iz poznate raspodjele veinskih elektrona pomou izraza (1.211) n( x ) U ( x ) = U T ln , n(0)
pri emu je potencijal povrine uzet kao referentni.
Zadatak 1.50
U poluvodiu dopiranom samo jednom primjesom koncentracija te primjese mijenja se po eksponencijalnom zakonu N(x) = N0 exp(x / a), pri emu je konstanta a = 5 m. Potencijal toke A prema toki B UAB = +25 mV (slika 1.46). Odrediti kakvom je primjesom poluvodi dopiran, te iznos i smjer ugraenog elektrinog polja, ako se zna da je koncentracija primjesa puno vea od intrinsine koncentracije nosilaca u cijelom promatranom podruju. Na zadanoj temperaturi UT = 25 mV.
Rjeenje:
Slika 1.46. Raspodjela primjesa u zadatku 1.50.
S obzirom da je u promatranom podruju koncentracija primjesa N(x) > ni , slijedi da je > koncentracija veinskih nosilaca u svakoj promatranoj toki jednaka koncentraciji primjesa. Toka A je na pozitivnijem potencijalu od toke B (UAB > 0), to znai da je elektrino polje u smjeru x osi (prema povrini poluvodia, vidi sliku 1.47a), a to je ujedno i smjer driftne struje nosilaca, bez obzira radi li se o elektronima ili upljinama. Difuzijska struja tee u suprotnom smjeru, tj. u smjeru +x osi (u volumen poluvodia, slika 1.47b). Difuzijom se nosioci gibaju od mjesta vie koncentracije prema mjestu s niom koncentracijom nosilaca. U naem sluaju
Zadatak 1.50
111
UAB > 0
+
Jf Jd
N
Jd
smjer difuzijskog gibanja
a)
b)
c)
Slika 1.47. Odreivanje tipa primjese u zadatku 1.50: a) smjer ugraenog elektrinog polja, b) smjer driftne i difuzijske struje, c) smjer difuzijskog gibanja veinskih nosilaca.
veinski nosioci se gibaju od toke B prema toki A. Kako je smjer gibanja veinskih nosilaca isti kao i smjer difuzijske struje (slika 1.47c), zakljuujemo da su veinski nosioci upljine, a nepoznata primjesa je akceptorskog tipa. Za raspodjelu primjesa, prema tome moemo pisati N A ( x ) = N A0 exp ( x / a ) . Ugraeno elektrino polje dobit emo pomou izraza (1.207)
=
U T dp U T dN A . = p dx N A dx
Uvrtavanjem poznate raspodjele akceptora, dobit emo

= UT
U 1 1 N A0 exp ( x / a ) = T , a N A0 exp ( x / a ) a
odnosno, brojano = 50 V/cm.
Zadatak 1.51
Energetski dijagram nehomogenog silicija na 300 K prikazan je na slici 1.48. Ugraeno elektrino polje u prikazanom podruju, u kojem je poluvodi ekstrinsian, je konstantno i iznosi 100 V/cm. Odredite funkciju raspodjele primjesa.
Rjeenje:
ND = 1,66 1016 exp(x / 2,59 m) cm3.
Ec
0,3 eV EF
Ev 10 m x
Slika 1.48. Energetski dijagram nehomogenog silicija u zadatku 1.51.
Zadatak 1.51
112
1.9. Degeneracijski efekti

1.9.1. Suenje zabranjenog pojasa
Dosadanja analiza svojstava silicija bila je ograniena na silicij u kojem se stvarna, Fermi-Diracova statistika mogla dobro aproksimirati Maxwell-Boltzmannovom raspodjelom. Praktino to znai da koncentracije primjesa ne bi smjele biti vee od oko 1018 cm3. Meutim, osim to Maxwell-Boltzmannova statistika vie ne opisuje dobro raspodjele nosilaca po energijama, kod visokih koncentracija primjesa dolazi do 22 dodatnih pojava koje utjeu na 10 21 ND =1015 cm3 koncentracije nosilaca. Jedna od njih je 10 20 efektivno suenje zabranjenog pojasa vodljivi valentni 10 pojas pojas 19 EG poluvodia. Kod niskih koncentracija v ,c 10 3 1 18 primjesa, primjesni atomi unose cm eV 10 donorska 17 pojedinana stanja u zabranjeni pojas kvantna 10 stanja poluvodia koja imaju za posljedicu 16 10 poveanje koncentracija veinskih 10 15 0,6 0,3 0 0,3 0,6 nosilaca (slika 1.49a). S porastom (E EFi ) / eV koncentracija primjesa, broj tih stanja u jedinici volumena postaje toliko velik, da a) se zbog meudjelovanja primjesnih iona Slika 1.49. Raspodjele gustoa kvantnih stanja ona cijepaju i stvaraju kontinuirani pojas za silicij n-tipa dopiran razliitim energija (slika 1.49b). Kod vrlo visokih koncentracijama primjesa. koncentracija primjesa taj se pojas stapa sa vodljivim ili valentnim pojasom (ovisno o tipu primjesa) uzrokujui time efektivno suenje zabranjenog pojasa (slika 1.49c). Sueni zabranjeni pojas olakat e generaciju parova elektron-upljina, te e doi do porasta efektivne intrinsine koncentracije nosilaca. Istovremeno, kod visokih
10 22 ND =1016 cm3 10 21 valentni vodljivi 10 20 pojas pojas 19 v ,c 10 EG cm3eV 1 10 18 donorska 10 17 kvantna stanja 10 16 10 15 0,6 0,3 0 0,3 0,6 10 22 ND =1019 cm3 10 21 valentni vodljivi 10 20 pojas pojas 19 v ,c 10 EG cm3eV1 10 18 E* G 10 17 10 16 10 15 0,6 0,3 0 0,3 0,6
(E EFi ) / eV
b)
Slika 1.49. (nastavak).
(E EFi ) / eV
c)
113
koncentracija primjesa veinski nosioci znaajno utjeu na periodini potencijal koji vide elektroni vanjske ljuske. Zbog toga dolazi do dodatnog suenja zabranjenog pojasa [Kleppinger71, Lee83]. Utjecaj degeneracijskih efekata na koncentracije nosilaca moe se prikazati preko efektivnog suenja zabranjenog pojasa [Slotboom76, Slotboom77, Slotboom77a]
N N E G0 = E1 ln + ln 2 + 0,5 , N1 N1 odn. efektivne intrinsine koncentracije ni
(1.221)
N E N E ni = ni 0 exp G 0 = ni 0 exp 1 ln + ln 2 + 0,5 . (1.222) 2 ET N1 2 ET N1 17 3 E1 = 9 meV i N1 = 10 cm u gornjim izrazima su konstante odreene na osnovu eksperimentalnih rezultata, a ni0 je intrinsina koncentracija u nedegeneriranom siliciju na promatranoj temperaturi. Na slici 1.50 prikazan je graf ove funkcije u ovisnosti o koncentraciji primjesa. Kao to se vidi, za koncentracije primjesa manje od oko 1017 cm3, degeneracijski efekti se u potpunosti mogu zanemariti, a efektivna 100 intrinsina koncentracija praktino je T = 300 K jednaka intrinsinoj koncentraciji nosilaca u ni nedegeneriranom siliciju. S porastom 10 ni 0 koncentracije primjesa iznad 1017 cm3 efektivna intrinsina koncentracija poinje rasti iznad vrijednosti za nedegenerirani 1 silicij. Zato e i koncentracija manjinskih 1016 10 17 10 18 10 19 10 20 10 21 nosilaca, npr. upljina u siliciju n-tipa N / cm3
p= ni2 , ND
Slika 1.50. Ovisnost normirane efektivne intrinsine koncentracije o koncentraciji primjesa u siliciju.
biti vea nego u sluaju da nema degeneracijskih efekata, tj. da u ovaj izraz uvrstimo koncentraciju ni0 . Glede koncentracija manjinskih nosilaca, situacija se moe poistovjetiti sa nedegeneriranim silicijem u kojem je prisutna neka nia koncentracija primjesa. Zato se ponekad govori o efektivnoj koncentraciji primjesa, iako ona ima smisla samo za manjinske nosioce. Napomenimo da izrazi (1.221) odn. (1.222) vrijede samo za nekompenzirane poluvodie, tj. ako je koncentracija primjesa jednog tipa puno vea od koncentracije primjesa drugog tipa [Selberherr84].
114
Zadatak 1.52
Izraunati efektivne irine zabranjenog pojasa, efektivne intrinsine koncentracije, te koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca na temperaturama 300 K i 350 K, ako je silicij dopiran primjesama koncentracija 1017 cm3, 1018 cm3 i 1019 cm3. Kolike su pri tome efektivne koncentracije primjesa?
Rjeenje:
Traene vrijednosti koncentracija nosilaca dobivaju se uvrtavanjem zadanih vrijednosti u formule (1.221) i (1.222). Efektivne koncentracije primjesa raunate su kao
n N eff = N i 0 . ni
2
(1.223)
Svi rezultati navedeni su u tablici 1.20.

Tablica 1.20. Rezultati zadatka 1.52.
N / cm3 T/K
EG0 / meV
1017 300 6,36 1,12 1,56 10 1017 2,43 103

10
1018 350 6,36 1,10 300 42,4 1,08

11
1019 350 42,4 1,07 300 83,4 1,04

11
350 83,4 1,03

10
EG / eV ni / cm
3
5,40 10 1017
3,13 10 1018
10
9,82 10 1018
6,91 10 1019
1,94 1012 1019 3,75 105
konc.ve.nos. / cm3 konc.manj.nos. / cm3 Neff / cm3
2,92 106
9,79 102
9,64 105
4,78 102
7,81 1016 8,10 1016 1,94 1017 2,45 1017 3,97 1017 6,30 1017
1.9.2. Transportne jednadbe u degeneriranom poluvodiu*
U nedegeneriranom poluvodiu vrijede transportne jednadbe koje smo naveli u poglavlju 1.7.2. dp d J p = q Dp q p p , (1.224) dx dx
dn d q n n . (1.225) dx dx U ravnotenim uvjetima struja elektrona, odnosno struja upljina moraju biti jednake nuli - pomou tog uvjeta odreivali smo ugraeno elektrino polje u nehomogenim poluvodiima. J n = q Dn
Zadatak 1.52
115
Razmotrimo manjinske upljine u nehomogeno dopiranom poluvodiu n-tipa. Iz (1.224) dobiva se za jakost elektrinog polja
= d D p 1 dp 1 dp = = UT . dx p p dx p dx (1.226)
upljine su manjinski nosioci, pa njihovu koncentraciju moemo odrediti kao
p=
ni2 , ND
(1.227)
pri emu se koncentracija donora, openito, mijenja s prostornom koordinatom. Ako je koncentracija donora tako visoka da dolaze do izraaja degeneracijski efekti, zbog promjene koncentracije donora s prostornom koordinatom mijenjat e se i irina zabranjenog pojasa, a time i efektivna intrinsina koncentracija. Prema tome, u (1.227) e i brojnik i nazivnik biti funkcije prostorne koordinate. Uvrtavanjem (1.227) u (1.226) dobivamo da je elektrino polje
2 dni ( x ) dN ( x ) 1 = UT D . dx dx ni ( x ) N D ( x)
(1.228)
Uz ve poznati lan koji je posljedica nehomogenosti u raspodjeli primjesa (drugi lan u uglatoj zagradi), u izrazu za ugraeno elektrino polje pojavio se i lan koji je posljedica nejednolike intrinsine koncentracije, tj. razliito izraenih degeneracijskih efekata na mjestima s razliitim koncentracijama primjesa. Iako se taj lan pojavio u izrazu za elektrino polje, to elektrino polje ne postoji! Usporedimo energetske dijagrame nehomogenog poluvodia u kojem ne postoji suenje zabranjenog pojasa (slika 1.51a), odnosno u kojem postoji suenje zabranjenog pojasa (slika 1.51b). U nedegeneriranom poluvodiu nagib svih energetskih pojasa je isti, pa je vanjska sila (npr. elektrino polje) koja djeluje na elektrone i na upljine
E
Ec Ev q .
q .
E
Ec Ev q .p q .n
x
a) b)
Slika 1.51. Utjecaj elektrinog polja na nosioce u poluvodiu: a) stvarno elektrino polje; b) kvazi-elektrino polje [Kroemer57].
jednaka, ali suprotnog smjera. U poluvodiu kojem se irina zabranjenog pojasa mijenja prema slici, sila koja djeluje na elektrone bit e manja nego na upljine. Da su sile razliite, mogli bismo uoiti i usporedbom izraza (1.228) s odgovarajuim izrazom za
116
elektrino polje izvedenim iz transportne jednadbe za veinske elektrone. Budui da elektrino polje u istom prostoru ne moe biti razliito za elektrone i upljine, oito je da silu koja djeluje na nosioce ne uzrokuje samo elektrino polje. Na silu koju uzrokuje elektrino polje superponira se i sila koja je posljedica promjene funkcija gustoa kvantnih stanja s prostornom koordinatom [Overstraeten73]. Meutim, u elji da je gibanje nosilaca i dalje opisano Newtonovim zakonom, ta se sila obino ukljuuje u izraz za elektrino polje. Stoga se doprinos prvog lana u izrazu (1.228) naziva kvazielektrino polje [Kroemer57]. Umetanjem izraza (1.228) u transportnu jednadbu (1.224), dobit emo transportnu jednadbu za upljine u degeneriranom poluvodiu n-tipa [Overstraeten73]
J p = q D p
2 dni ( x ) dN ( x ) dp 1 + q Dp p D . N D ( x) dx dx dx ni ( x )
Zadatak 1.53
Skicirati raspodjelu elektrinog i kvazi-elektrinog polja za manjinske upljine u siliciju n-tipa u kojem se koncentracija donorskih primjesa mijenja prema funkciji ND (x) = ND0exp(x 2 / a), pri emu je ND0 = 1019 cm3, a a = 3 m2. T = 300 K.
Rjeenje:
Analizu emo ograniiti na sloj poluvodia do dubine x = 5 m, jer nas prvenstveno zanima utjecaj degeneracijskih efekata uz povrinu, gdje je koncentracija primjesa najvia. Jakost elektrinog polja moe se odrediti iz transportne jednadbe za veinske elektrone
0 = U T
dN D 2 U T 1 dn 1 = U T = x. n( x ) dx N D ( x ) dx a
kvazi = U T
Kvazi-elektrino polje za manjinske upljine odredit emo iz izraza (1.228) kao dn ( x ) 2 i . ni ( x ) dx
Efektivno polje bit e jednako zbroju gornjih komponenti. Kao to se vidi sa slike 1.52, kvazi-elektrino polje je na povrini jednako nuli budui da je gradijent koncentracije primjesa, a time i gradijent efektivne intrinsine koncentracije jednak nuli. Uz povrinu poluvodia koncentracija primjesa je puno vea od 1017 cm3. Zbog toga je kvadrat logaritamske funkcije pod korijenom izraza za efektivno suenje zabranjenog pojasa (1.221) puno vei od 1/ 2, pa za efektivno suenje zabranjenog pojasa moemo pisati da je
N ( x) N ( x) N ( x) E G 0 = E1 ln D + ln 2 D + 0,5 = 2 E1 ln D . N1 N1 N1 Uvrstimo li zadanu Gaussovu raspodjelu, dobit emo funkciju promjene irine zabranjenog pojasa
N x2 E G 0 = 2 E1 ln D 0 . N1 a
Zadatak 1.53
117
10 10
20 19 18 17 16 15
10
ND
8 6
ND cm
10 10 10 10
ni
1 2 3 4
4 2 0 5
10 cm
10
ni
x / m
1000 800 600 400 1 Vcm 200 0 200 400 0 1
0 eff kvazi
2 3 4 5
x / m
Slika 1.52. Raspodjela elektrinog i kvazielektrinog polja u poluvodiu n-tipa s Gaussovom raspodjelom donora.
Efektivno suenje zabranjenog pojasa se smanjuje s kvadratom udaljenosti od povrine silicija. Stoga emo za raspodjelu efektivne intrinsine koncentracije dobiti
E x2 E G 0 N . ni = ni 0 exp = ni 0 exp 1 ln D 0 exp 2 ET N1 a ET
Vidimo da se efektivna intrinsina koncentracija mijenja s prostornom koordinatom po Gaussovoj funkciji, isto kao i koncentracija primjesa. Prema tome moemo oekivati da e jakost kvazi-elektrinog polja takoer rasti linearno s udaljenou od povrine, kao to raste i jakost elektrinog polja, samo to e oni biti meusobno suprotnih smjerova. Ovaj linearni porast vrijedi sve dok je koncentracija primjesa puno vea od 1017 cm3, odnosno dok je
N ( x) ln 2 D >> 0,5 N1
U naem sluaju, to je zadovoljeno za dubine manje od oko 3 m. Za vee dubine pada gradijent intrinsine koncentracije, jer iezavaju degeneracijski efekti, pa kvazi-elektrino polje tei nuli. Efektivno elektrino polje asimptotski tei elektrinom polju (vidi sliku 1.52).
Zadatak 1.53
118
1.10. Osnove planarne tehnike na siliciju

Planarnu tehniku ine tehnoloki postupci za ostvarivanje poluvodikih komponenti kao to su pn-diode, bipolarni tranzistori, unipolarni tranzistori. Osnovni postupci su: - postupak rasta monokristala, te dobivanje i priprema poluvodike ploice; - epitaksijalni rast; - oksidacija povrine silicija; - postupci definiranja kontura (litografski postupci); - difuzijski postupci; - ionska implantacija; - nanoenje vodljivih slojeva; - naknadna mehanika obrada ploice (bruenje, rezanje), montaa i zatvaranje pojedinih komponenti u kuite. Kako su postupci za ostvarivanje poluvodikih komponenti na osnovi silicija najrazvijeniji i najraireniji, bavit emo se iskljuivo tim postupcima, iako ih se veina moe primijeniti i na ostale poluvodie. Jedan od tipinih postupaka ostvarivanja pn-diode prikazan je na slici 1.53. Kao polazni materijal koristi se monokristalna ploica silicija n-tipa (slika 1.53a). Rastom iz rastaljenog silicija dobiva se blok monokristala koji se ree u ploice, koje se zatim mehaniki obrauju (bruse, poliraju). Ploice su obino homogeno dopirane, to se postie dodavanjem primjesa u rastaljeni silicij tijekom rasta monokristala. Debljina ploica je oko 0,5 mm, a diktirana je mehanikom vrstoom potrebnom pri rukovanju u daljnjim postupcima. Promjer ploica ovisi o stupnju razvoja tehnologije izvlaenja monokristala i danas se kree oko 15 - 30 cm. Ploice moraju biti monokristalne (tj. moraju imati to pravilniju kristalnu strukturu) za veinu poluvodikih komponenti, jer prekidi periodinosti kristalne reetke predstavljaju defekte koji kvare elektrika svojstva komponenti. Obino se na istoj ploici istovremeno ostvaruje nekoliko desetaka do nekoliko tisua istovjetnih komponenti ili integriranih sklopova. Na poetnu ploicu prvo se epitaksijalnim rastom nanosi sloj slabo dopiranog materijala debljine 5 - 10 m (slika 1.53b). Naime, za daljnje tehnoloke postupke, a i zbog elektrikih svojstava komponenti, poeljno je da poluvodi u koji e se obavljati slijedei postupci bude to slabije dopiran. Meutim, kada bi cijela poetna ploica bila slabo dopirana, zbog velike elektrine otpornosti materijala bio bi serijski otpor od aktivne komponente do stranjeg kontakta prevelik, to bi kvarilo karakteristike komponenti. Epitaksijalni sloj se moe nanijeti na povrinu ploice epitaksijalnim rastom iz plinovite faze (engl. vapor-phase epitaxy, VPE). Silicijske ploice se tijekom epitaksijalnog rasta nalaze u reaktoru pod vrlo niskim tlakom, u atmosferi koja sadri neki spoj silicija (npr. silicij-tetraklorid SiCl4) koji se kemijski raspada na silicij i na
Ovdje e biti spomenuti i ukratko obraeni samo neki od postupaka. Zainteresirani itatelji mogu vie o tome nai u literaturi, npr. [Biljanovi82, Burger67, Ghandi68, Grove67, Sze88, Wang81] ili asopis Solid-State Technology.
119
silicijski spoj (npr. SiCl 4 ) + spoj donorske primjese u plinu SiO2
n - epitaksijalni sloj
n+ podloga
n+ - podloga
n+ - podloga
osnovna ploica
a)
epitaksijalni rast
b)
oksidacija
c)
maska
spoj akceptorske primjese u plinu prednji metalni kontakt (anoda) p - difuzija p - difuzija n - epitaksijalni sloj n+ - podloga
foto-rezist
n+ - podloga
n+ - podloga
stranji metalni kontakt (katoda)
fotolitografija
d)
difuzija
e)
metalizacija
f)
Slika 1.53. Postupak ostvarivanja pn-diode u planarnoj tehnici difuzijom u epitaksijalnom sloju.
dodatne spojeve. Pri tome se silicij taloi na povrini ploice. Ako je temperatura dovoljno visoka (oko 1000 - 1200 C), atomi silicija koji se taloe na osnovnu ploicu imat e dovoljnu energiju da se smjeste u odgovarajue poloaje tako da kristalna struktura naraslog sloja prati kristalnu strukturu podloge. Brzina rasta sloja je tipino oko 1 m / min. U epitaksijalni reaktor se tijekom procesa osim kemijskog spoja koji daje atome silicija po potrebi dodaje i neki spoj koji sadri primjesne atome kojima narasli epitaksijalni sloj treba biti dopiran. Koncentracija primjesa moe se mijenjati tijekom rasta, tako da se dobije promjenjiva koncentracija primjesa u epitaksijalnom sloju, ali se najee dri konstantnom. Osim epitaksijalnog rasta iz plinovite faze, danas se esto koristi i epitaksijalni rast iz tekue faze (engl. liquid-phase epitaxy, LPE), te epitaksijalni rast molekularnim snopom (engl. molecular-beam epitaxy, MBE). Poslije epitaksijalnog rasta obino slijedi termika oksidacija povrine silicija (slika 1.53c). Silicijske ploice se na povienoj temperaturi (tipino 900 - 1200 C) izlau oksidirajuoj atmosferi, pri emu dolazi do spajanja atoma kisika iz okolice s atomima
120
silicija na povrini ploice, te na povrini nastaje sloj silicij-dioksida SiO2 . Debljina sloja silicij-dioksida ovisi o trajanju i temperaturi oksidacije, te uvjetima u kojima se provodi, a tipino iznosi 0,1 1 m. Taj sloj titi povrinu silicija od vanjskih utjecaja, ali se isto tako koristi kao zatitna barijera za difuziju i ionsku implantaciju primjesa. Naime, u tom sloju silicijevog dioksida se litografskim postupcima rade otvori kroz koje se vri selektivna difuzija ili ionska implantacija primjesa. Litografski postupci sastoje se u selektivnom osvjetljavanju osjetljivih slojeva (rezista) nanesenih na povrinu ploice, selektivnom odstranjivanju tako osvijetljenih podruja, te odstranjivanju (jetkanju) slojeva unutar nastalih otvora u rezistu. Rezisti su organski materijali koji mijenjaju svoja kemijska i fizikalna svojstva pod djelovanjem vidljivog ili ultraljubiastog svjetla, snopa elektrona ili rentgenskog zraenja. Prosvjetljavanjem kroz staklenu masku na kojoj su zatamnjena odgovarajua podruja, foto-osjetljivi rezist se osvjetljava samo na mjestima gdje elimo da se mijenjaju njegova svojstva (slika 1.53d), te time ta podruja postaju jae ili slabije osjetljiva na djelovanje organskih otapala. Organskim otapalima uklanja se nepotrebni rezist, a zatim se nekim jetkalom napada ogoljelo podruje ploice, npr. jetka se silicij-dioksid da bi se napravio otvor za difuziju primjesa (slika 1.53e). Nakon toga se uklanja preostali rezist da ne bi unio organska oneienja u ploicu tijekom slijedeih visokotemperaturnih postupaka. Slijede postupci dopiranja poluvodia difuzijom ili ionskom implantacijom. Difuzija je visokotemperaturni proces unoenja primjesa u poluvodiku ploicu. Ploice se u difuzijskim peima na temperaturama od 800 - 1200 C izlau atmosferi koja sadri neki spoj primjese (npr. POCl3 za difuziju fosfora ili BBr3 za difuziju bora). Taj spoj se kemijski razlae, a primjesni atomi se taloe na povrinu ploice, te difundiraju u njen volumen. Zbog visoke temperature primjesni atomi su dovoljno pokretljivi, tako da se uz tipina trajanja difuzija od nekoliko minuta do nekoliko sati dobivaju dubine difundiranih slojeva od nekoliko desetina mikrometra do nekoliko desetaka mikrometara. Difuzija se redovito provodi selektivno, kroz otvor u sloju silicij-dioksida koji je prethodno napravljen litografskim postupkom. Silicij-dioksid ima naime svojstvo da vrlo slabo proputa veinu primjesa, pa primjese iz okolne atmosfere ulaze u ploicu samo na mjestima gdje nema silicij-dioksida. Umjesto difuzije, danas se za kontrolirano dopiranje poluvodia esto koristi ionska implantacija. Pod djelovanjem jakog elektrinog polja, ioni primjesa se ubrzavaju i ubacuju u poluvodiku ploicu. Dubina prodiranja primjesnih iona kontrolira se jakou elektrinog polja, ali to polje ne smije biti prejako, jer kada ioni imaju preveliku kinetiku energiju uzrokuju oteenja kristalne reetke. Energije iona tipino su od 10 400 keV. Nakon implantacije slijedi tzv. kaljenje ili naputanje (engl. annealing). To je kratkotrajno zagrijavanje ploice na temperaturi od oko 700 C da bi se implantirani ioni aktivirali, tj. uskoili na odgovarajua mjesta u kristalnoj reetki i postali elektrino aktivni. Osnovne prednosti ionske implantacije nad difuzijom su: nie temperature na kojima se implantacija provodi, preciznija kontrola broja i raspodjele unesenih primjesa, te mogunost selektivne implantacije bez posebne maske (uski snop iona se moe otklanjati kontrolirano poput zrake u katodnoj cijevi). Glavni nedostatak
121
ionske implantacije je dulje trajanje postupka, budui da relativno uski snop iona mora arati po povrini cijele ploice. Ovisno o vrsti poluvodike komponente koja se eli dobiti, mogu slijediti daljnji postupci kojima se uzastopno ostvaruju podruja n- i p-tipa vodljivosti. Nakon to su obavljeni svi postupci dopiranja, slijedi nanoenje vodljivih slojeva za kontakte i vodljive staze. Na mjestima gdje se ele ostvariti spojevi poluvodia s vanjskim svijetom, treba napraviti otvore u sloju silicij-dioksida. Zatim se najee naparava sloj metala (obino aluminij) preko cijele ploice, a litografskim postupkom uklanja suvini metal, te se tako dobivaju eljeni oblici vodljivih staza. Ploica se zatim ree na pojedinane ipove (engl. chip - iver), tj. na komadie na kojima se nalazi po jedna komponenta ili integrirani sklop, te se vri montaa komponenti u kuita. 1.10.1. Difuzijski postupak Proces difuzije opisan je Fickovim zakonima. Prvi Fickov zakon izrie tvrdnju da je gustoa toka atoma primjese u nekoj toki proporcionalna gradijentu koncentracije te primjese u toj toki. Za jednodimenzionalni sluaj (tj. za difuziju samo u smjeru osi x) prvi Fickov zakon se moe pisati kao
N ( x , t ) , (1.229) x pri emu je f gustoa toka atoma primjesa, N je koncentracija primjesa, a D je difuzijski koeficijent atoma primjesa. f ( x, t ) = D Drugi Fickov zakon iskazuje injenicu da je brzina prirasta koncentracije atoma primjesa u odreenom volumenu proporcionalna razlici ulaznog i izlaznog toka u taj volumen, tj. divergenciji vektora toka. U jednodimenzionalnom sluaju drugi Fickov zakon se moe pisati kao
N ( x , t ) 2 N ( x, t ) = D . t x 2 (1.230)
Difuzijski koeficijent primjese u prvoj aproksimaciji ovisi samo o temperaturi, vrsti primjese i vrsti poluvodia, te je odreen izrazom E D = D0 exp a . ET (1.231)
Veliine D0 i Ea ovise o vrsti primjese. Odreuju se na temelju eksperimentalnih rezultata, a za najvanije primjese u siliciju najee koritene vrijednosti dane su u tablici 1.21. ET je energetski ekvivalent temperature na kojoj se difuzija provodi.
122
Tablica 1.21. Parametri za difuzijske koeficijente primjesa u siliciju [Fuller56].
primjesa bor, B fosfor, P arsen, As antimon, Sb
D0 / cm2s1 10,5 10,5 0,32 5,6
Ea / eV 3,69 3,69 3,56 3,92
Rjeavanjem drugog Fickovog zakona uz odgovarajue rubne i poetne uvjete, dobivaju se raspodjele primjesa tijekom difuzijskih postupaka. Dva su oblika difuzije posebno vana: difuzija iz neogranienog izvora i difuzija iz ogranienog izvora.
Prilikom difuzije iz neogranienog izvora, koncentracija primjesa uz povrinu (x = 0) se tijekom cijelog postupka dri konstantnom. Rezultantna raspodjela je (vidi Prilog B na kraju Zbirke)
x N ( x , t ) = N 0 erfc (1.232) , 2 Dt pri emu je N0 koncentracija primjesa uz povrinu, a erfc(z) je komplementarna funkcija pogreke. Definicija kao i osnovna svojstva komplementarne funkcije pogreke navedena su u tablici 1.22, a njen oblik prikazan je na slici 1.54. U Prilogu C dane su aproksimirajue formule za priblino izraunavanje komplementarne funkcije pogreke i njenog inverza, te tablica funkcije. Vano je naglasiti da je povrinska koncentracija N0 prema gore ograniena topivou primjesa u poluvodiu (engl. solid solubility) [Trumbore60]. To je maksimalna koncentracija odreene primjese koja moe ui u poluvodi na nekoj temperaturi. Stoga se topivost koristi kao graninik koji, ako je koncentracija primjesa u
Tablica 1.22. Definicija i osnovna svojstva komplementarne funkcije pogreke [Abramowitz64].
erfc ( x ) =
exp ( t 2 ) dt
x
erfc (0) = 1
erfc( ) = 0
d 2 erfc( x ) = exp ( x 2 ) dx
erfc( x )dx =
0
Niz analitikih rjeenja za razliite rubne i poetne uvjete moe se nai u knjigama [Carslaw59, Burger67, Grove67, Ghandi68], te u lancima [Kennedy64, Kennedy65, Smits58].
123
1 2 Dt = 1 m 0,5 m 0,2 m
N 0,5 N0
x / m
Slika 1.54. Komplementarna funkcije pogreke.
difuzijskoj pei dovoljno visoka, osigurava konstantnost koncentracije primjesa na povrini. Kod difuzije iz ogranienog izvora, ukupan broj atoma primjesa koji se nalaze u poluvodikoj ploici tijekom difuzijskog postupka je konstantan. To znai da se primjese u ploici samo preraspodjeljuju, gibajui se s mjesta vie na mjesto nie koncentracije, nastojei pri tome izjednaiti koncentracije primjesa. Raspodjela primjesa u tom sluaju moe se opisati Gaussovom funkcijom (vidi Prilog B)
N ( x, t ) =
x2 , exp Dt 4 Dt Q
(1.233)
gdje je Q povrinska gustoa atoma primjesa, tj. broj atoma primjesa koji se nalazi u ploici po jedinici njene povrine (jedinica za povrinsku gustou je cm2). lan ispred eksponencijalne funkcije je povrinska koncentracija primjesa
. (1.234) D t Vano je primijetiti da kako tee difuzija iz ogranienog izvora (t raste), dolazi do pada koncentracije primjesa uz povrinu, kao to se moe vidjeti na slici 1.55. Radi usporedbe, komplementarna funkcija pogreke i Gaussova funkcija normirane na povrinsku koncentraciju prikazane su u istim dijagramima u linearnom i logaritamskom mjerilu na slici 1.56. Difuzija primjesa u silicij se obino izvodi kao difuzija u dva koraka: 1) predepozicija, tj. poetno unoenje primjesa difuzijom iz neogranienog izvora; 2) redistribucija (preraspodjela) primjesa unesenih tijekom predepozicije, difuzijom iz ogranienog izvora. Openito, nakon difuzije u dva koraka raspodjela primjesa ne odgovara Gaussovoj funkciji, budui da poetni uvjeti kojima je dobivena Gaussova raspodjela ne odgovaraju raspodjeli primjesa nakon predepozicije. Meutim, za velike omjere karakteristinih duljina Dt tijekom redistribucije i tijekom predepozicije (to je u veini N 0 (t ) = N ( x = 0, t ) = Q
124
6 . 10 4 2 Dt = 0,2 m
N Q
0,5 m 1 m 0 0 1 2
x / m
Slika 1.55. Gaussova funkcija.
sluajeva zadovoljeno) stvarna raspodjela se dobro moe aproksimirati Gaussovom funkcijom [Kennedy64].
1
Gaussova funkcija
N N0
0,5
erfc
x / 2 Dt
1 10 10 10
1
Gaussova funkcija erfc
N N0
10 4 10 0
5
x / 2 Dt
Slika 1.56. Normirani prikaz komplementarne funkcije pogreke i Gaussove funkcije.
125
Kada u poluvodiu postoji vie primjesa, difuzija svake primjese moe se razmatrati zasebno, neovisno o raspodjelama drugih primjesa. Ukupnu raspodjelu dobit emo superpozicijom pojedinih raspodjela. Tako emo dubinu pn-spoja xj , tj. mjesta gdje poluvodi mijenja tip vodljivosti, dobiti iz uvjeta da na tom mjestu mora zbroj svih akceptorskih primjesa biti jednak zbroju svih donorskih primjesa. Odnosno, netokoncentracija primjesa na tom mjestu mora biti jednaka nuli,
N D (x j ) N A (x j ) = 0 .
(1.235)
Kada su koncentracije primjesa vee od oko 1019 cm3, zbog malog razmaka izmeu pojedinih primjesnih atoma dolazi do izraaja njihovo meudjelovanje, tako da ovaj princip superpozicije ne daje vie tone rezultate. Raspodjele primjesa vie se ne ravnaju po analitikim rjeenjima (1.232), odnosno (1.233), jer difuzijski koeficijent postaje ovisan i o koncentraciji primjesa, pa se drugi Fickov zakon ne moe koristiti u danom obliku (1.230) [Burger67, Wang81]. Iako stvarne raspodjele kod vrlo visokih koncentracija primjesa mogu znatno odstupati od analitikih izraza, dobivene dubine pnspojeva su zadovoljavajue, jer su vrijednosti parametara difuzijskih koeficijenata u tablici 1.21 dobivene na temelju eksperimentalnih rezultata, mjerenjem dubina pnspojeva.
Zadatak 1.54
U ploicu silicija n-tipa homogeno dopiranu s ND = 21016 atoma donora / cm3, difundirani su atomi bora difuzijom u dva koraka (predepozicija + redistribucija). Predepozicija je bila na temperaturi od T1 = 950 C u trajanju od t1 = 20 minuta, dok je redistribucija bila na T2 = 1100 C u trajanju od t2 = 1 sata. Odrediti: a) dubinu pn-spoja nakon predepozicije, ako topivost bora na 950 C iznosi N0A = 21020 cm3 [Trumbore60]; b) dubinu pn-spoja nakon redistribucije.
Rjeenje: a)
Dubinu pn-spoja izraunat emo pomou uvjeta (1.235). U naem sluaju koncentracija donora je konstantna (ND = 2 1016 cm3), dok se akceptorski atomi bora tijekom predepozicije ravnaju po komplementarnoj funkciji pogreke
x , N A ( x ) = N 0 A erfc 2 D t 1 1 gdje je N0A povrinska koncentracija difundiranih primjesa tijekom predepozicije, jednaka zadanoj topivosti bora na temperaturi predepozicije, D1 je difuzijski koeficijent bora na temperaturi predepozicije (T1 = 950 C = 1223 K)
E D1 = D0 exp a = 6,53 10 15 cm 2 / s , E T1
126
a t1 je trajanje predepozicije (t1 = 20 min = 1200 s). Prema tome, dubinu pn-spoja izvest emo iz uvjeta xj =N , N 0 A erfc D 2 D t 1 1 iz ega slijedi da je
N x j1 = 2 D1 t1 erfc 1 D . N0A
Inverz komplementarne funkcije pogreke moemo izraunati koristei tablicu komplementarne funkcije pogreke ili aproksimaciju inverza komplementarne funkcije pogreke (obje se nalaze u Prilogu C). Uvrtavanjem koncentracija dobiva se ND / N0A = 104, pa je
N erfc 1 D = 2,75 . N0A
Zbog toga e dubina pn-spoja nakon predepozicije biti xj1 = 1,54104 cm = 0,154 m.
b)
Tijekom redistribucije, difundirani akceptori se ravnaju po Gaussovoj funkciji
N A ( x) = x2 , exp D2 t2 4 D2 t2 QA
gdje je D2 difuzijski koeficijent atoma bora, ali sada na temperaturi redistribucije (T2 = 1100 C = 1373 K)
E D2 = D0 exp a = 2,99 10 13 cm 2 / s , ET 2
dok je t2 trajanje redistribucije (t2 = 1 sat = 3600 s). QA je povrinska gustoa atoma bora unesenih u silicijsku ploicu tijekom predepozicije. Prema svojstvima komplementarne funkcije pogreke u tablici 1.22
x 2 QA = N 0 A erfc 2 D t dx = N 0 A D1 t1 . 1 1 0
U gornjem integralu ispravno bi bilo kao gornju granicu uzeti debljinu ploice. Meutim, kako komplementarna funkcija vrlo brzo tei nuli, jednostavnije je kao gornju granicu uzeti beskonano, a da je pri tome pogreka zanemariva. Uvrtavanjem vrijednosti dobiva se QA = 6,321014 cm2. Dobro je uoiti jedinicu za povrinsku gustou, jer se povrinska gustoa, zbog iste oznake, esto zamjenjuje s elektrinim nabojem iako s njim nema nikakve veze. Dubinu pn-spoja nakon redistribucije dobit emo izjednaavanjem funkcije raspodjele akceptora s konstantnom koncentracijom donora
x2 j exp 4 D t = ND , D2 t2 2 2 QA
iz ega se dobiva
Zadatak 1.54
127
QA x j = 2 D2 t2 ln N D t D 2 2
= 1,65 m .
Na slici 1.57 prikazane su raspodjele primjesa nakon predepozicije i nakon redistribucije u linearnom, te u logaritamskom mjerilu na osi ordinate. Na linearnom prikazu moe se uoiti jednakost povrina ispod obiju krivulja. Primjese unesene tijekom predepozicije su se za vrijeme
2 .10 20 10 21 10 19
3 redistribucija predepozicija
N cm
3
10
20
N
predepozicija redistribucija
cm
10 17 10 15
0,5
x / m
x / m
Slika 1.57. Raspodjele primjesa nakon predepozicije i nakon redistribucije u zadatku 1.54.
redistribucije samo preraspodijelile, dok je njihov ukupan broj u ploici (tj. povrinska gustoa) ostao isti. Zbog toga se koncentracija uz povrinu smanjila na
N A (0) = QA D2 t2 = 2 N0 A D1 t1 = 1,09 1019 cm 3 , D2 t2
a primjese su se pomakle dublje u volumen poluvodia. Koncentracija donora kojima je poluvodi poetno bio dopiran je etiri reda veliine manja od povrinske koncentracije tijekom predepozicije, pa se u linearnom mjerilu ona praktiki poklapa s osi apscise. U logaritamskom prikazu raspodjela primjesa crtkanom linijom su dane raspodjele netokoncentracija primjesa nakon oba postupka. Kako se u logaritamskom mjerilu ne mogu prikazivati negativne veliine, ucrtane su apsolutne vrijednosti neto-koncentracija. Jasno se mogu razluiti dubine pn-spoja (xj1 = 0,154 m i xj2 = 1,65 m), odnosno njegov pomak tijekom redistribucije.
Zadatak 1.55
U silicijsku ploicu homogeno dopiranu s ND = 51015 atoma donora / cm3, difundiraju se atomi bora difuzijom iz ogranienog izvora. Povrinska gustoa atoma bora QA = 1015 cm2, temperatura difuzije T = 1100 C, a vrijeme trajanja difuzije t = 90 min. Izraunati dubinu pn-spoja, te postotne promjene dubine pn-spoja, ako se: a) produlji trajanje difuzije za 1 %; b) povisi apsolutna temperatura difuzije za 1 %.
autor teksta zadatka je eljko Butkovi.

Zadatak 1.55
128
Rjeenje:
Dubinu pn-spoja odredit emo preko uvjeta (1.235), koji u ovom sluaju moemo pisati kao
N A(x j ) =
x2 j exp 4 D t = ND , Dt
QA
odakle dobivamo
QA x j = 2 D t ln N Dt . D
(1.236)
Prethodno moramo izraunati difuzijski koeficijent bora tijekom difuzije na T = 1100 C = 1373 K. Uvrtavanjem u (1.231) dobiva se D = 2,991013 cm2/ s, pa je dubina pnspoja xj = 2,27 m.
a)
Da bismo odredili relativnu promjenu dubine pn-spoja s promjenom trajanja difuzije, najjednostavnije bi bilo za novo trajanje difuzije uvrstiti vrijednosti u izraz (1.236), te izraunati novu dubinu pn-spoja, a zatim i relativnu promjenu dubine. Meutim, u ovom emo sluaju derivirati izraz (1.236) po vremenu trajanja difuzije, da bismo dobili analitiki izraz koji e nam olakati da uoimo koje veliine i kako utjeu na relativnu promjenu dubine pn-spoja s promjenom trajanja difuzije. Kako se vrijeme trajanja difuzije u izrazu (1.236) javlja na dva mjesta, pod kvadratnim korijenom i u argumentu eksponencijalne funkcije, izraz emo derivirati kao produkt dviju funkcija ovisnih o vremenu t. Prethodno emo izraz napisati u obliku preglednijem za deriviranje
N D 1 2 x j = 2 D t ln D t QA Deriviranjem ovog izraza po vremenu dobiva se
12 12
dx j
t 1 2 = 2 D dt 2
N D 1 2 ln D t QA
1 2
12
+
1
N D 1 2 N D 1 2 1 N D t 1 2 + 2 D t 1 2 ln D t . D t D 2 2 QA QA QA Izluivanjem dubine pn-spoja (izraz (1.236)) na desnoj strani, gornji izraz prelazi u
dx j dt
xj 2t
xj
N D 1 2 4 t ln D t QA
Prebacivanjem xj na lijevu stranu gornje jednadbe i izluivanjem dt / t na desnu stranu dobiva se
Zadatak 1.55
129
dx j 1 dt 1 = 1 + . t xj 2 QA 2 ln ND D t
(1.237)
Na slici 1.58. prikazan je lan u uglatoj zagradi u ovisnosti o omjeru povrinske koncentracije difundiranih primjesa prema koncentraciji primjesa u volumenu poluvodia
QA
D t N A0 . = ND ND
Vidimo da e za zadanu relativnu promjenu vremena dt / t, relativna promjena dubine pn-spoja u (1.237) biti to vea to je zbroj unutar uglate zagrade vei po iznosu. Za realne difuzijske procese povrinska koncentracija difundiranih primjesa (lan QA
D t ) uvijek je vea od
koncentracije primjesa koje ve postoje u podlozi (ND), jer difuzijom elimo natkompenzirati poluvodi i promijeniti mu tip. Ako je koncentracija difundiranih primjesa puno 15 vea od koncentracije primjesa u podlozi, i vrijednost logaritamske funkcije e biti 1 velika, pa e drugi lan u uglatoj zagradi 1+ 2 ln( N /N ) 0 A0 D teiti nuli, a relativna promjena dubine pn-spoja e biti 15 dx j 1 dt 0,01 0,1 1 10 100 = . 2 t xj NA0 / ND Naprotiv, ako je povrinska koncentracija Slika 1.58. Grafiki prikaz lana u izrazu (1.237). difundiranih primjesa jednaka koncentraciji primjesa u podlozi, argument logaritamske funkcije e biti jednak jedinici, a vrijednost logaritamske funkcije e biti jednaka nuli. Drugi lan u uglatoj zagradi u izrazu (1.237) bit e neodreen, tj. teit e u beskonano, pa e i relativna promjena dubine pn-spoja biti beskonana. Prema tome vidimo da je sa stajalita kontrole procesa (u ovom sluaju dubine pn-spoja) poeljno da koncentracija difundiranih primjesa bude to vea u odnosu na ve prisutnu koncentraciju primjesa u podlozi. U tom sluaju dubina pn-spoja bit e diktirana praktiki iskljuivo parametrima difuzijskog procesa, tj. nee bitno ovisiti o raspodjeli primjesa u podlozi. U tekstu zadatka zadana je relativna promjena trajanja difuzijskog postupka. Kako se radi o vrlo maloj promjeni, moemo u (1.237) diferencijale zamijeniti konanim prirastima
x j 1 t 1 = 1 + . t xj 2 QA 2 ln ND Dt Uvrstivi zadanu promjenu vremena t / t = 1 % = 0,01, dobit emo relativnu promjenu xj / xj = 0,00531 = 0,531 %. Kao to se vidi, difuzijski postupak je relativno slabo osjetljiv na promjenu trajanja, jer zadana relativna promjena trajanja difuzije uzrokuje puno manju promjenu dubine pn-spoja.
Zadatak 1.55
130
Naravno da se relativna promjena dubine pn-spoja mogla izraunati i tako da se izraunala dubina spoja uz poetne uvjete (uz t1 = 90 min dobili bismo xj1 = 2,2653 m) i za produljenu difuziju (za t2 = 1,01t1 = 90,9 min dobili bismo xj2 = 2,2759 m). Dobili bismo x j x j 2 x j1 = = 4,67 10 3 = 0,467 % , xj x j1 to je gotovo isti rezultat kao gore.
b)
Slino kao i u a) dijelu zadatka derivirat emo izraz (1.236), ali sada po temperaturi. Temperatura nije eksplicitno sadrana u (1.236), nego je ukljuena preko difuzijskog koeficijenta, pa emo prvo nai derivaciju po difuzijskom koeficijentu. Na potpuno isti nain kao i u a) dijelu zadatka dobivamo
dx j 1 dD 1 = 1 + . (1.238) D xj 2 QA 2 ln ND D t Da bismo nali relativnu promjenu difuzijskog koeficijenta dD / D, trebamo derivirati formulu (1.231) za difuzijski koeficijent po temperaturi
E 1 dD E Ea = D a . = D0 exp a k T k T2 dT ET T Sreivanjem, dobivamo
dD E a dT = , D ET T pa kad se to uvrsti u (1.238), dobiva se

dx j 1 Ea dT 1 = 1 + . ET T xj 2 QA 2 ln ND D t
(1.239)
Kvalitativno gledano, (1.239) je slian izrazu (1.237), osim to se razlikuju u faktoru proporcionalnosti Ea / ET koji je posljedica eksponencijalne ovisnosti difuzijskog koeficijenta o temperaturi. Kako je taj faktor za veinu realnih sluajeva prilino velik (u naem sluaju Ea / ET = 31,2), to e i difuzijski proces, odnosno dubina pn-spoja biti puno osjetljivija na promjenu temperature nego na promjenu trajanja procesa. Opet, za male relativne promjene temperature moemo diferencijale u (1.239) nadomjestiti konanim prirastima. Za zadanu promjenu temperature T / T = 1 % = 0,01, dobiva se xj / xj = 0,136 = 13,6 %. Dakle, za relativno malu promjenu temperature, dobiva se znatna promjena dubine pn-spoja, to je posljedica eksponencijalne ovisnosti difuzijskog koeficijenta o temperaturi.
Zadatak 1.55
131
Zadatak 1.56
U silicij homogeno dopiran s 1016 donora / cm3 difuzijom u dva koraka unesene su akceptorske primjese. Raspodjela akceptora nakon difuzije dana je Gaussovom funkcijom NA(x) = 1019 exp(x2/ a) cm3, gdje je a = 2,6 m2. Izraunati ugraeno elektrino polje na mjestu x = 1,5 m, te ugraeni potencijal izmeu toaka x1 = 0 i x2 = 1,5 m pri T = 300 K, a) raunajui sa stvarnom raspodjelom primjesa; b) aproksimirajui raspodjelu primjesa izmeu zadanih toaka eksponencijalnom funkcijom NA (x) = NA 0 exp (x / b).
Rjeenje: a)
Povrinska koncentracija difundiranih primjesa (NA0 = 1019 cm3) je vea od koncentracije donora u siliciju (ND = 1016 cm3), pa je od povrine (x = 0) do pn-spoja poluvodi p-tipa. Kako je neto-koncentracija primjesa opisana funkcijom
N ( x ) = N D N A ( x ) = N D N A0 exp ( x 2 / a ) ,
dubina pn-spoja je
N x j = a ln A0 = 4,24 m . ND
U intervalu od x = 0 do x = 1,5 m poluvodi je potpuno ekstrinsian, pa je koncentracija veinskih nosilaca odreena neto-koncentracijom primjesa p = N A ( x) N D . Jakost ugraenog elektrinog polja dobit emo preko transportne jednadbe za veinske upljine iz poznate raspodjele veinskih nosilaca 1 dp( x ) 1 d ( x) = U T = UT [ N A ( x) N D ] . p ( x ) dx N A ( x ) N D dx Kako je koncentracija donora konstantna, ona se deriviranjem gubi, te emo uvrtavanjem funkcije raspodjele primjesa u gornji izraz dobiti
x2 2 x N A0 exp a a x2 ND N A0 exp a
( x) = U T
> U dijelu poluvodia u kojem je NA > ND moe se koncentracija donora u nazivniku gornjeg izraza zanemariti, pa skraivanjem brojnika i nazivnika dobivamo 2x , ( x ) = U T a tj. polje linearno raste s udaljenou od povrine. Polje ima negativni predznak, jer ima smjer prema povrini (tj. x os). Uvrstimo li brojane vrijednosti, za x = 1,5 m dobit emo da je polje = 298 V / cm. Da bismo izraunali ugraenu razliku potencijala izmeu zadanih toaka
Zadatak 1.56
132
2 p( x 2 ) U x 2 , x1 = ( x ) dx = U T ln , p( x1 ) x1
moramo prethodno izraunati pripadajue koncentracije nosilaca. Za x1 = 0:

p( x1 ) = N A0 N D = N A0 = 1019 cm 3 ,
a za x2 = 1,5 m:
x2 p( x 2 ) = N A0 exp 2 N D = 4,20 1018 cm 3 . a
Ugraeni potencijal toke x2 prema toki x1 na 300 K iznosi Ux2,x1 = 22,4 mV.
b)
Ponekad se stvarne raspodjele difundiranih primjesa u odreenom intervalu x1 , x2 aproksimiraju eksponencijalnom raspodjelom
x N ( x ) = N 1 exp , b
pri emu je
N 1 = N ( x1 ) ,
x2 x1 x . = N ( x1 ) ln N ( x2 ) x = x2 x1 je irina intervala u kojem se vri aproksimacija, a b=

N ( x1 ) = ln N ( x2 )
je normirani ugraeni potencijal. U naem sluaju imamo x = 1,5 m, a = 0,865, pa je b = 1,30 m. Ugraeno elektrino polje odreujemo na osnovu istog izraza kao i u a) dijelu zadatka. Meutim, kako je sada pretpostavljena raspodjela primjesa, odnosno nosilaca eksponencijalna, konani rezultat e se razlikovati. Kreemo od openitog izraza za elektrino polje dobiveno iz transportne jednadbe za veinske upljine 1 dp ( x ) ( x) = U T . p ( x ) dx Kako raspodjela upljina u ekstrinsinom podruju odgovara raspodjeli neto-koncentracije primjesa x p( x ) = N A ( x ) N D = N A1 exp N D , b N ( x) dp( x ) dN A x x = = N A1 exp = A , b b dx dx b dobivamo da je
( x ) = U T
N ( x) 1 A . N A ( x) N D b
Zadatak 1.56
133
U posebnom sluaju, ako je NA(x) > ND , >

UT U = T , b x tj. elektrino polje je konstantno, neovisno o prostornoj koordinati. ( x) =
Za zadane podatke, na x = 1,5 m, dobit emo elektrino polje = 199 V / cm. Ugraeni potencijal raunamo po istom izrazu kao i u a) dijelu zadatka
p( x 2 ) U x 2 , x1 = U T ln = UT , p( x1 ) a kako su sve vrijednosti iste, dobit emo i isti rezultat Ux2,x1 = 22,4 mV.
Kao to se iz brojanih rezultata moe vidjeti, eksponencijalnom aproksimacijom Gaussove raspodjele dobiveno je elektrino polje koje se prilino razlikuje od egzaktnog rjeenja. Meutim, odabirom ueg intervala aproksimacije dobile bi se tonije vrijednosti, a kako je eksponencijalnom funkcijom prikladnije rukovati (integrira se i derivira jednostavno), eksponencijalna aproksimacija se esto koristi pri analitikim proraunima. Isto vrijedi i za aproksimaciju komplementarne funkcije pogreke.
Zadatak 1.57
Energetski dijagram silicija na T = 300 K prikazan je na slici 1.59. Raspodjela primjesa dobivena je difuzijom u dva koraka (predepozicija + redistribucija) u homogeno dopirani poluvodi. Ugraeno elektrino polje na x = 2 m iznosi 470 V / cm. Odrediti: a) koncentracije primjesa na povrini i u volumenu poluvodia (x ); b) jakost i smjer elektrinog polja na povrini poluvodia nakon predepozicije i nakon redistribucije, ako je predepozicija izvrena na T = 950 C, u trajanju od 3 min. Primjese su bor i fosfor.
Rjeenje: a)
Uz povrinu je Fermijev nivo blii valentnom pojasu, pa je tamo poluvodi p-tipa. U volumenu poluvodia Fermijev nivo je blii vodljivom pojasu, pa zakljuujemo da je tamo poluvodi n-tipa. Prema tome, raspodjela primjesa je dobivena difuzijom akceptora (bor) u silicij homogeno dopiran donorima (fosfor). Iz poloaja Fermijevog nivoa na slici, moemo odrediti pripadajue koncentracije nosilaca. U volumenu poluvodia Ec EF = 0,3 eV, pa je
E EF n = N c exp c = 3,41 1014 cm 3 . ET
E
Ec Ev 0,2 eV 2 m 0,3 eV EF
Slika 1.59. Energetski dijagram u zadatku 1.57.
Zadatak 1.57
134
Kako je ta koncentracija puno vea od intrinsine koncentracije nosilaca u siliciju na 300 K, zakljuujemo da je neto koncentracija primjesa jednaka koncentraciji veinskih nosilaca,
N D = n = 3,41 1014 cm 3 .
Koncentracija akceptorskih primjesa u volumenu poluvodia jednaka je nuli, budui da smo vrili difuziju akceptora u silicij dopiran samo donorima. Na x = 2 m od povrine ploice EF Ev = 0,2 eV, iz ega moemo odrediti pripadnu koncentraciju veinskih upljina
E Ev p = N v exp F = 1,63 1016 cm 3 . ET
Kako je i ovdje koncentracija veinskih upljina puno vea od intrinsine koncentracije, neto koncentracija primjesa e biti jednaka koncentraciji nosilaca,
N A ( x = 2 m) N D = p = 1,63 1016 cm3 ,
pa je
N A ( x = 2 m) = p + N D = 1,66 1016 cm3 .
Jakost elektrinog polja na p-strani dobiva se iz transportne jednadbe za veinske upljine,

( x) = U T
dN A ( x ) dN A ( x ) 1 dp( x ) 1 1 = UT = UT . p( x ) dx N A ( x) N D N A ( x) dx dx
Budui da se toka x = 2 m nalazi u ekstrinsinom podruju, u gornjem smo izrazu derivaciju funkcije raspodjele veinskih upljina odmah nadomjestili derivacijom funkcije raspodjele akceptora (koncentracija donora je konstantna). Takoer, na mjestu x = 2 m koncentracija donora je znatno manja od koncentracije akceptora, pa smo u nazivniku gornjeg izraza izostavili koncentraciju donora. Funkcija raspodjele akceptora nam je poznata, jer znamo da se radi o difuziji u dva koraka,
x2 , N A ( x ) = N A0 exp 4 D2 t 2
pa izraz za jakost elektrinog polja glasi

( x) = U T 2 UT x x2 2 x N A0 exp . = 2 4 D2 t 2 4 D2 t 2 4 D2 t 2 x N A0 exp 4 D2 t 2 1
Iz zadane vrijednosti elektrinog polja (x = 2 m) = 470 V / cm (polje je negativno, jer je usmjereno prema povrini poluvodia), moemo sada izraunati 4 D2 t 2 = 2 UT x = 2,2 10 8 cm 2 , ( x)
odnosno koncentraciju primjesa na povrini

x2 = 1017 cm 3 . N A0 = N ( x ) exp 4 D2 t 2
b)
Jakost elektrinog polja na povrini nakon redistribucije je
Zadatak 1.57
135
( x = 0) =
2 UT x =0, 4 D2 t 2
jer je i gradijent koncentracije nosilaca na povrini, zbog oblika Gaussove funkcije, jednak nuli. Zato uz povrinu nema difuzijske struje nosilaca, pa i driftna komponenta, odnosno jakost elektrinog polja, mora biti jednaka nuli. Jakost elektrinog polja uz povrinu nakon predepozicije dobit emo uvrtavanjem komplementarne funkcije pogreke u opi izraz za elektrino polje
( x) = U T x d 1 . N A0 p erfc 2 D t dx x 1 1 N A0 p erfc 2 D t 1 1
Koristei svojstva komplementarne funkcije pogreke iz tablice 1.22, dobivamo

2 x2 1 UT = . N A0 p exp 4 D1 t1 2 D1 t1 D1 t1 Temperatura predepozicije je zadana T1 = 950 C = 1223 K, pa moemo izraunati difuzijski koeficijent D1 = 6,531015 cm2/ s. Uvrstimo li to i zadano vrijeme t = 3 min = 180 s, dobivamo ( x = 0) = 13,5 kV cm . ( x = 0) =
UT N A0 p
Zadatak 1.58
Difuzijom fosfora iz ogranienog izvora u podlogu p-tipa s homogenom koncentracijom akceptora NA = 1016 cm3, formiran je pn-spoj. Povrinska gustoa atoma fosfora QD = 5 1015 cm2, vrijeme trajanja difuzije t = 150 min, a temperatura T = 1000 C. Izraunajte za koliko posto treba promijeniti povrinsku gustou QD da dubina pn-spoja ostane nepromijenjena uz povienje temperature difuzije (u C) za 1 %.
Rjeenje: QD / QD = 88,2 %. 1.10.2. Ionska implantacija
Prilikom ionske implantacije ioni primjesa se pod djelovanjem elektrinog polja ubrzavaju i usmjeravaju na poluvodiku ploicu. Tako ubrzani ioni imaju dovoljnu kinetiku energiju da prodru u poluvodiku ploicu do odreene dubine. Dubina prodiranja iona ovisi o atomskoj masi i o kinetikoj energiji iona koji se implantira, te o atomskoj masi atoma u koji se obavlja implantacija. Energije iona bora, fosfora, arsena ili antimona (koji se najee koriste za implantaciju u silicij) kreu se u rasponu od 3 keV do 400 keV i dovoljne su za implantacije do dubina od 10 nm do 1 m ispod povrine silicija. Ionska implantacija omoguuje vrlo precizno praenje koliine implantiranih primjesa, puno preciznije nego kod termike difuzije, tako da se mogu dobiti ponovljive koncentracije implantiranih primjesa u rasponu od 1014 do 1021 cm3.
autor zadatka je eljko Butkovi

Zadatak 1.58
136
Kod termike difuzije je vrlo teko dobiti ponovljive koncentracije ispod 1018 atoma primjesa / cm3. Nakon to je uletio u ploicu, ion prolazi kroz niz procesa rasprenja na elektronima i atomima u ploici, pri emu gubi energiju. Dubina na kojoj e se ion zaustaviti naziva se projecirani domet (ili krae samo domet, engl. projected range), Rp . Statistiki, neki ioni e proi kroz manji broj procesa rasprenja, te e se zaustaviti na veoj dubini. Naprotiv, neki ioni e se zaustaviti na manjoj dubini. Ovo kolebanje u dubinama prodiranja iona opisuje se rasipanjem dometa (engl. range straggle) Rp . Naravno, pri rasprenju iona doi e i do otklona putanje iona u smjeru okomitom na upadnu putanju, to se opisuje poprenim rasipanjem (engl. transverse straggle) RT . Iznosi projeciranog dometa, rasipanja projeciranog dometa i poprenog rasipanja ovise o atomskim masama iona (to znai o vrsti primjese), o kinetikoj energiji iona koji se implantira (odnosno o jakosti elektrinog polja kojim se ioni ubrzavaju), te o atomskoj masi atoma u koji se obavlja implantacija. Ako je povrina kroz koju se ioni jednoliko implantiraju puno vea od poprenog rasipanja, komponente poprenih rasprenja pojedinih iona u suprotnim smjerovima se ponitavaju, pa se raspodjela zaustavljenih iona po dubini ploice moe dobro opisati Gaussovom funkcijom 2 Q x R p , N ( x) = exp (1.240) 2 R 2 R p p kojoj se maksimum nalazi na dubini Rp . U izrazu (1.240) Q je ukupna koliina implantiranih iona po jedinici povrine (engl. dose), a predeksponencijalni lan Q / ( 2 Rp) jednak je vrnoj koncentraciji na mjestu x = Rp . Iako je raspodjela primjesa opisana istom funkcijom kao i kod difuzije iz ogranienog izvora, za razliku od svih difuzijskih postupaka, kod ionske implantacije maksimum raspodjele primjesa ne mora se nalaziti uz povrinu ploice. To je jedna od osnovnih prednosti ionske implantacije u odnosu na termiku difuziju. Nadalje, primjenom niza uzastopnih implantacija s razliitim parametrima procesa, mogu se dobiti praktiki proizvoljne raspodjele primjesa. Kod ionske implantacije u monokristalne poluvodie treba paziti pod kojim kutom u odnosu na orijentaciju kristalne reetke e se ubacivati ioni. Uleti li ion u materijal paralelno s nizom atoma u kristalnoj reetki, doi e do tzv. kanaliranja (engl. channeling) - klizanja iona kroz meuatomni kanal. Takvi e ioni imati nekoliko puta veu dubinu prodiranja od dubine prodiranja u amorfnom materijalu, a ponovljivost dobivenih raspodjela bit e vrlo slaba. Pojava kanaliranja izbjegava se zakretanjem ploice za neki vrlo mali kut u odnosu na glavne kristalografske osi (osi simetrija kristalne reetke).
Pregled tonijih aproksimacija stvarnih raspodjela, te pregled eksperimentalnih rezultata zainteresirani itatelj ili itateljica moe nai u literaturi, npr. [Wang81, Sze88].
Zadatak 1.58
137
Tijekom ionske implantacije redovito nastaju defekti kristalne reetke, npr. zbog toga to implantirani ioni izbiju matine atome iz njihovih poloaja u kristalnoj reetki. Broj tih defekata je vei pri veim energijama implantacije. Da bi se uklonili defekti, nakon implantacije mora se provesti odarivanje (engl. annealing) ploice, tj. kratkotrajno zagrijavanje ploice na 600 - 800 C. Iako je postupak naputanja redovito kratkotrajan, zbog visoke temperature dolazi do preraspodjele primjesa koje se ve nalaze u poluvodiu. Danas se esto, umjesto termikog zagrijavanja, koristi lasersko naputanje - jakim laserskim snopom ploica se lokalno zagrijava. Preraspodjela primjesa koje se ve nalaze u poluvodiu pri tome e u veini sluajeva biti zanemariva.
Zadatak 1.59
Ioni arsena implantirani su u silicij p-tipa homogeno dopiran s NA = 1015 cm3. Energija implantacije iznosila je 80 keV, a povrinska gustoa unesenih iona arsena je QD = 1,6 1012 cm2. Odrediti dubinu pn-spoja i vrnu koncentraciju implantiranih iona arsena, te skicirati raspodjelu primjesa u poluvodiu nakon implantacije. Projecirani domet arsena u silicij pri zadanoj energiji implantacije Rp = 47 nm, a rasipanje projeciranog dometa je Rp = 17 nm [Beadle85].
Rjeenje:
Raspodjela implantiranog arsena po dubini poluvodia opisana je Gaussovom funkcijom (1.240)
2 x R p . N D ( x) = exp 2 R 2 R p p Vrna koncentracija implantiranih primjesa bit e na mjestu x = Rp , QD N D ( x = Rp ) = = 3,75 1017 cm3 . 2 R p
QD
Dubinu pn-spoja dobit emo izjednaavanjem koncentracije implantiranog arsena i koncentracije akceptora kojom je poluvodi homogeno dopiran
ND(xj ) =
2 x j Rp = N , exp A 2 R 2 R p p
QD
iz ega se dobiva
QD x j = R p R p 2 ln 2 R N . p A
(1.241)
U openitom sluaju, kada bi drugi lan u (1.241) bio manji od prvoga, mogle bi se dobiti dvije razliite dubine pn-spoja, budui da se vrh raspodjele implantiranih primjesa nalazi u volumenu poluvodia. U ovom sluaju drugi lan
Zadatak 1.59
138
N D ( x = Rp ) QD R p 2 ln = 58,5 nm , 2 R N = R p 2 ln NA p A
pa bi rjeenje s negativnim korijenom dalo negativnu dubinu pn-spoja, to je fizikalno neprihvatljivo. Preostaje nam samo
QD x j = R p + R p 2 ln 2 R N = 106 nm . p A
Izraunamo li Gaussovu funkciju za razliite dubine, moi emo nacrtati raspodjelu implantiranog arsena, kao i raspodjelu neto-koncentracije primjesa (slika 1.60). Da je koliina implantiranog arsena bila oko deset puta manja, sa slike moemo vidjeti da bi uz povrinu poluvodia takoer postojao pn-spoj. Tijekom odarivanja, doi e do termike difuzije (preraspodjele) implantiranih primjesa. Iako se u tom sluaju radi o difuziji iz ogranienog izvora (ukupna koliina atoma primjesa u poluvodiu ostaje konstantna), rezultantna raspodjela primjesa nee u openitom sluaju biti vie opisana Gaussovom funkcijom. Rubni uvjet zahtijeva da tok atoma primjesa kroz povrinu, odnosno gradijent koncentracije primjesa, na tom mjestu bude jednak nuli. Zbog toga e doi do izoblienja Gaussove funkcije uz povrinu. Za kratkotrajna odarivanja preraspodjela primjesa e biti vrlo slaba, pa e i odstupanje raspodjele primjesa od Gaussove funkcije biti zanemarivo.
10 18 10 17
N 10 16 cm3
10 15 10 14 0
implantirani arsen neto-koncentracija
NA 100 150
50
x / nm
Slika 1.60. Raspodjele implantiranog arsena i netokoncentracije primjesa u zadatku 1.59.
Zadatak 1.59
Zadaci za samostalno rjeavanje
139

1.60 Silicij je dopiran s 1015 atoma bora / cm3. Odredite tip i koncentraciju primjese koju treba dodati da bi koncentracija upljina na 300 K bila: a) 21015 cm3; b) 51014 cm3; c) 105 cm3. 1.61 Vjerojatnost da je bilo koji energetski nivo u valentnom pojasu silicija na 300 K popunjen elektronom je f (E) 0,998. Ako se poluvodi jo dodatno dopira, omjer koncentracija slobodnih nosilaca naboja bit e p / n = 100. Odredite: a) tip i iznos prvog dopanda; b) tip drugog dopanda, te njegov iznos u odnosu na prvi dopand. 1.62 Silicij homogeno dopiran trovalentnom primjesom nalazi se na temperaturi od 300 K. Ako se temperatura promijeni za 0,1 C, koncentracije nosilaca se promijene za 103 cm3. Nakon toga dodana mu je peterovalentna primjesa koncentracije 21015 cm3. Odredite: a) koncentraciju trovalentne primjese; b) ravnotene koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca. 1.63 Prirastom temperature za 0,1 K, u siliciju dopiranom samo jednim tipom primjese koncentracija upljina poveala se za 1,24 %, a koncentracija elektrona za 3,261011 %. Odredite: a) temperaturu na kojoj je silicij bio prije prirasta, b) koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca. 1.64 Fermijev nivo u siliciju na T = 300 K udaljen je 0,244 eV od dna zabranjenog pojasa. Izraunajte: a) koncentraciju i tip dodane primjese; b) koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca; c) postotne promjene koncentracija veinskih i manjinskih nosilaca, ako se temperatura smanji za 0,2 C. 1.65 Homogeno dopirani silicij ima na T = 300 K Fermijev nivo 0,25 eV udaljen od vrha valentnog pojasa. Nakon jo jednog dopiranja, Fermijev nivo je na istoj temperaturi udaljen 0,25 eV od vrha zabranjenog pojasa. Izraunajte tipove i koncentracije dodanih primjesa, te koncentracije slobodnih nosilaca nakon drugog dopiranja. 1.66 Silicij je dopiran donorskom primjesom koncentracije ND = 51015 cm3. Izraunajte: a) poloaj Fermijevog nivoa na 300 K; b) tip i koncentraciju primjese koju treba dodati da bi Fermijev nivo pri porastu temperature na 350 K ostao jednako udaljen od dna zabranjenog pojasa.
140
1.67 Kroz silicij p-tipa homogeno dopiran samo jednom primjesom, povrine presjeka 0,5 mm2 tee struja od 10 mA. Driftna brzina veinskih nosilaca je 2,5104 cm / s. T = 300 K. Izraunajte: a) jakost elektrinog polja koje djeluje na poluvodi; b) difuzijske konstante veinskih i manjinskih nosilaca; c) koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca. 1.68 Homogeno dopirani silicij n-tipa povrine 1 mm2, pod djelovanjem elektrinog polja jakosti 40 V/m, na temperaturi od 300 K vodi struju od 20 mA Izraunajte: a) koncentraciju, driftnu brzinu i difuzijsku konstantu veinskih nosilaca; b) Fermijevu energiju na 300 K i 325 K. 1.69 Silicij je dopiran s 1015 atoma bora / cm3. Koliku koncentraciju fosfora treba dodati da bi koncentracija elektrona na 100 C bila 6,21011 cm3? Odredite poloaj Fermijevog nivoa i elektrinu otpornost silicija na 300 K i na 100 C nakon dopiranja fosforom. 1.70 Nedegenerirani silicij ima na T = 350 K Fermijev nivo udaljen 0,8 eV od vrha valentnog pojasa. Uz pretpostavku da je silicij dopiran samo jednom vrstom primjesa, treba odrediti elektrinu provodnost na: a) 350 K; b) 300 K. 1.71 Komadi silicija homogeno je dopiran fosforom koncentracije 21016 cm3 i borom koncentracije 81015 cm3. Za T = 300 K odredite: a) poloaj Fermijevog nivoa; b) koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca; c) elektrinu otpornost materijala. 1.72 Na silicij povrine 5 mm2, koji na 50 C ima Fermijev nivo udaljen 0,35 eV od vrha valentnog pojasa, djeluje elektrino polje od 10 V/cm. Izraunajte: a) koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca; b) struju kroz poluvodi; c) postotnu promjenu koncentracije manjinskih nosilaca, ako se temperatura povisi na 100 C. 1.73 Silicij p-tipa povrine 1 mm2 homogeno je oneien samo jednim tipom primjese. Pod djelovanjem elektrinog polja jakosti 30 V/m vodi na T = 300 K struju od 10 mA. Izraunajte: a) koncentraciju primjesa; b) driftnu brzinu veinskih nosilaca na 300 K; c) struju i driftnu brzinu veinskih nosilaca uz isto polje na T = 330 K. 1.74 Komadi silicija homogeno je dopiran primjesama koncentracija N1 = N2 = 1015 cm3 i N3 = 51014 cm3. Odredite: a) kojih tipova moraju biti primjese N1 , N2 i N3 da bi elektrina otpornost silicija bila najvea (obrazloite!); b) elektrinu otpornost na 300 K;
141
c) poloaj Fermijevog nivoa na 190 C. 1.75 Homogeno dopirani silicij ima na 300 K elektrinu otpornost = 230 cm, a vjerojatnost da se u bilo kojem kvantnom stanju unutar valentnog pojasa nalazi upljina manja je ili 2,51013. Odredite: a) koncentracije i tip primjesa dodanih poluvodiu; b) koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca na T = 400 K. 1.76 Silicij homogeno dopiran akceptorima i donorima, ima na T = 300 K elektrinu otpornost = 73 cm, a na T = 450 K Fermijev nivo udaljen od dna vodljivog pojasa 0,51 eV. Kolike su koncentracije elektrona i upljina na 300 K, te koncentracije akceptora i donora? 1.77 Silicij koji je jednoliko oneien na T = 410 K ima Fermijev nivo udaljen 0,488 eV od dna vodljivog pojasa, te elektrinu otpornost (uz zanemarenje komponente struje manjinskih nosilaca) 241 cm. Odredite koncentracije primjesa te elektrinu otpornost tog silicija i poloaj Fermijevog nivoa na 300 K. 1.78 Silicij je homogeno dopiran akceptorima koncentracije NA = 51014 cm3. Koji tip i koju koncentraciju primjesa treba dodati da bi koncentracija elektrona na T = 400 K iznosila 1013 cm3 ? Odredite elektrinu provodnost i poloaj Fermijevog nivoa na zadanoj temperaturi nakon drugog dopiranja! 1.79 Na silicij homogeno dopiran akceptorima koncentracije 1015 cm3 i jo nekom primjesom djeluje elektrino polje jakosti 10 V / cm. Porastom temperature sa 300 K na 350 K struja kroz poluvodi kontinuirano raste. Odredite koncentracije slobodnih nosilaca naboja i gustoe struje na: a) T = 300 K; b) T = 350 K. 1.80 Ako se homogeno dopiranom siliciju temperatura povea za 0,2 C, upljinska komponenta struje se povea za 2,92 %, dok se elektronska komponenta smanjuje. Odredite: a) tip silicija i temperaturu na kojoj se nalazi; b) koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca, ako je Fermijev nivo na toj temperaturi udaljen 0,329 eV od sredine zabranjenog pojasa. Za zadanu promjenu temperature, promjena pokretljivosti nosilaca u raunu je zanemariva! 1.81 Na siliciju koji je homogeno dopiran akceptorima koncentracije NA i donorima koncentracije ND , pri promjeni temperature sa 300 K na 300,1 K, izmjeren je prirast elektrine provodnosti za 30 nS / cm. Izraunajte elektrinu provodnost na 300 K. Promjena pokretljivosti s temperaturom je zanemariva. 1.82 Komadi silicija jednoliko je dopiran s 31017 atoma neke primjese / cm3, a zatim jo jednom s 1017 atoma neke primjese / cm3. Odredite kojeg tipa mora biti prva, a kojeg tipa druga primjesa da bi elektrina otpornost nakon drugog dopiranja bila: a) najvea; b) najmanja.
142
Za oba sluaja izraunajte elektrinu otpornost i poloaje Fermijevog nivoa na 300 K. 1.83 Silicij homogeno dopiran s 1016 atoma primjesa / cm3, dodatno je homogeno dopiran s 21016 atoma primjesa / cm3, pri emu mu se elektrina otpornost poveala. Odredite: a) tip primjese na poetku, te tip primjese koja je naknadno dodana u silicij (obrazloite!); b) elektrinu otpornost silicija na poetku, te poslije drugog dopiranja za T = 300 K. 1.84 Siliciju koji je homogeno dopiran nekom primjesom koncentracije N1 , dodana je ista koncentracija neke druge primjese, pri emu se Fermijev nivo na T = 350 K pomakao prema vrhu valentnog pojasa za 0,25 eV, a otpor tog silicija se poveao. Odredite: a) koncentraciju i tip prve, odnosno druge primjese (obrazloite!); b) elektrinu otpornost nakon drugog dopiranja na zadanoj temperaturi. 1.85 Komadi silicija homogeno dopiran samo jednim tipom primjese ima elektrinu otpornost 0,13 cm. Doda li se u taj silicij neka druga primjesa, elektrina otpornost e se poveati, a Fermijev nivo e se pomaknuti za 0,77 eV prema valentnom pojasu. Sve vrijednosti su zadane za T = 300 K. Odredite tip i koncentraciju prve, odnosno druge primjese. 1.86 Raspodjela primjesa u ploici silicija mijenja se po zakonu N(x) = N0exp (x / a), pri emu je a = 6 m, a N(x) >> ni za cijelo promatrano podruje. T = 20 C. Odredite: a) tip poluvodia i iznos ugraenog elektrinog polja, ako se zna da polje ima smjer +x osi; b) razliku ugraenog potencijala izmeu toaka x1 = 10 m i x2 = 5 m; c) za koliko se promijeni iznos ugraenog polja ako se temperatura povea na 78 C. 1.87 Energetski dijagram silicija na T = 300 K prikazan je na slici 1.61. Ugraeno elektrino polje je u ekstrinsinom dijelu poluvodia konstantno i iznosi 51,5 V/cm. a) Odredite koncentracije veinskih nosilaca na dubini od 20 m. b) Ponovite to za silicij kojem je dodana jo i homogena koncentracija akceptora iznosa 31016 cm3. Izraunajte iznos ugraenog elektrinog polja na x = 20 m i skicirajte energetski dijagram za taj sluaj!
E
Ec EF 0,3 eV
Ev 0 20 m
Slika 1.61. Energetski dijagram silicija u zadatku 1.87.
143
1.88 Silicij koji je prvobitno bio homogeno oneien akceptorom koncentracije 1015 cm3, eksponencijalno je dopiran novom primjesom. Pri T = 300 K, na 5 m od povrine koncentracija elektrona je 1,2105 cm3, a ugraeno elektrino polje iznosi 5,7 V / cm i usmjereno je prema povrini silicija. Odredite: a) povrinsku koncentraciju i tip novododane primjese; b) smjer i jakost ugraenog polja u istoj toki i na istoj temperaturi kada bi novododana primjesa bila suprotnog tipa. 1.89 U silicijsku ploicu homogeno dopiranu s ND = 51015 cm3 difundirani su atomi bora u dva koraka (predepozicija + redistribucija). Predepozicija je izvrena na 950 C u trajanju od 90 minuta, uz topivost bora od 21020 cm3. Redistribucija je obavljena na 1200 C kroz 2 sata. Odredite: a) dubinu dobivenog pn-spoja; b) koncentracije nosilaca na x = 5 m, pri T = 300 K; c) koncentracije nosilaca na x = 10 m, pri T = 300 K. 1.90 Atomi bora difundirani su u dva koraka (predepozicija + redistribucija) u ploicu silicija jednoliko dopiranu s 1015 cm3 atoma fosfora, te je dobivena dubina pnspoja xj = 5 m. Na dubini od 3 m, gdje je koncentracija bora puno vea od koncentracije fosfora, jakost ugraenog elektrinog polja na T = 300 K iznosi 280 V/cm. Odredite: a) koncentraciju bora na povrini ploice nakon redistribucije; b) jakost i smjer ugraenog elektrinog polja na povrini ploice i na dubini od 6 m pri T = 300 K. 1.91 Predepozicijom na 900 C u trajanju od 10 min i redistribucijom na 1100 C u trajanju od 2 sata provedena je difuzija fosfora u dva koraka u ploicu jednoliko dopiranu borom koncentracije 1015 cm3. Nakon difuzije izmjerena je dubina pnspoja od 2 m. Odredite: a) povrinsku gustou atoma fosfora Qp tijekom redistribucije i povrinsku koncentraciju fosfora Np0 za vrijeme predepozicije; b) jakost i smjer ugraenog elektrinog polja uz povrinu silicija na temperaturi od 300 K nakon predepozicije, te nakon redistribucije. 1.92 U silicij homogeno dopiran s 21015 atoma primjesa / cm3, difundirana je primjesa kojoj se raspodjela moe aproksimirati izrazom N(x) = N0 exp (x / a). pn-spoj je ostvaren na dubini xj = 3 m, dok je na dubini x = 2,5 m pri T = 300 K, Fermijev nivo udaljen 0,86 eV od dna zabranjenog pojasa. Izraunajte: a) koncentracije i tipove veinskih i manjinskih nosilaca na x = 2,5 m i x = 3,5 m, b) elektrinu otpornost i ugraeno elektrino polje na x = 3,5 m.
144
1.93 Struktura iji je energetski dijagram prikazan na slici 1.62, dobivena je difuzijom primjesa u dva koraka u silicijsku ploicu homogeno dopiranu s 1015 atoma primjesa / cm3. T = 300 K. Odredite: a) povrinsku gustou i tip atoma primjesa unesenih difuzijom; b) koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca, te iznos i smjer ugraenog elektrinog polja na x = 6 m.
Ec E Fi EF Ev 0 5 m
0,17 eV
Slika 1.62. Energetski dijagram u zadatku 1.93.
1.94 U ploicu silicija difundirani su postupcima predepozicije i redistribucije bor i fosfor. Njihove konane raspodjele mogu se opisati izrazima: za bor NB = 1018exp (x2/ aB) cm3, za fosfor NP = 1016exp (x2/ aP) cm3. Redistribucija je obavljena na 1200 C, dok je ukupno trajanje redistribucije za bor bilo 90 minuta, a za fosfor 120 minuta. Odredite iznos i smjer ugraenog elektrinog polja na dubini od 1 m pri T = 300 K. 1.95 U silicij homogeno dopiran donorima koncentracije ND = 1016 cm3 difundirana je akceptorska primjesa, ija se raspodjela ravna po funkciji NA(x) = 1017exp(x/a). Povrinska gustoa difundiranih primjesa iznosi Q = 3,21013 cm2. T = 300 K. Odredite: a) parametar a u funkciji raspodjele; b) iznos i smjer ugraenog elektrinog polja u toki x1 = 1 m od povrine; c) potencijal te toke prema povrini. Rjeenja
1.60 a) NA = 1015 cm3, b) ND = 51014 cm3, c) ND = 2,901015 cm3. 1.61 a) Akceptor, NA = 7,631016 cm3, b) donor, ND = NA 9,9 ni = NA 1,371011 cm3. 1.62 a) NA = 3,151015 cm3; b) p = 1,151015 cm3, n = 1,65105 cm3. 1.63 a) T = 348 K, b) n = 8,521016 cm3, p = 2,24106 cm3. Uputa: Iz diferencijala kvadrata intrinsine koncentracije (vidi zadatak 1.10) 2 ni ni = n p + n p dobiva se 2 to zajedno s izrazom 2 ni E T = 3 + G0 ni ET T ni p n p , = + = ni p n p
daje kvadratnu jednadbu po temperaturi. Prirasti koncentracija veinskih i manjinskih nosilaca s porastom temperature su meusobno jednaki n = p (koncentracije nosilaca rastu zbog porasta broja termiki generiranih parova elektron-upljina), pa je
145
p n n = , p n ni
iz ega se lako mogu izraunati koncentracije elektrona i upljina.

1.64 a) NA = 3,031015 cm3, b) p = NA = 3,031015 cm3, n = 6,29104 cm3, c) p / p = 6,741013 0, n / n = 3,26 %. 1.65 Prva primjesa NA = 2,40 1015 cm3, druga primjesa ND = 4,811015 cm3, n = 2,401015 cm3, p = 7,92104 cm3. 1.66 a) Ec EF = 0,231 eV; b) ND 2 = 3,051016 cm3. 1.67 a) = 55,0 V/ cm; b) Dp = 11,8 cm2/ s, Dn = 36,3 cm2/ s; c) p = 4,991014 cm3, n = 3,82105 cm3. 1.68 a) n = 2,951016 cm3, vf = 422 cm / s, Dn = 27,3 cm2/ s; b) EF Ev(300 K) = 0,939 eV, EF Ev(350 K) = 0,913 eV. 1.69 ND = 9,951014 cm3, EF Ev(300 K) = 0,411 eV, (300 K) = 2,90 k cm, EF Ev(100 C) = 0,517 eV, (100 C) = 2,99 k cm. 1.70 a) = 0,267 S / cm; b) = 0,358 S / cm. 1.71 a) EF Ev = 0,916 eV; b) n = 1,21016 cm3, p = 1,59104 cm3; c) = 0,488 cm. 1.72 a) p = 1,471014 cm3, n = 4,46107 cm3; b) I = 4,60 mA; c) n / n = 51200 %. 1.73 a) NA = 6,061016 cm3; b) vf = 103 cm / s ; c) I = 8,60 mA, vd = 88,5 cm / s . 1.74 a) NA1 = ND = 1015 cm3, NA2 = 51014 cm3; b) = 28,1 cm; c) EF Ev = 0,473 eV.
Uputa: Da bi elektrina otpornost bila najvea, poluvodi mora biti to blii intrinsinom poluvodiu (koncentracija veinskih nosilaca odreena neto koncentracijom primjesa mora biti to manja), a veinski nosioci moraju biti upljine (zbog manje pokretljivosti)
1.75 a) ND = 9,291014 cm3, NA = 9,091014 cm3; b) n = 2,231013 cm3, p = 2,351012 cm3. 1.76 n = 1,091014 cm3, p = 1,75106 cm3, ND = 4,9741016 cm3, NA = 4,9631016 cm3.
Uputa: Iz poloaja Fermijevog nivoa izraunaju se koncentracije nosilaca, odnosno neto koncentracije primjesa. Iz elektrine otpornosti izrauna se pokretljivost veinskih nosilaca (na T = 300 K poluvodi je ekstrinsian), a iz nje zbroj koncentracija donora i akceptora.
1.77 ND = 1,211017 cm3, NA = ND 5,881013 cm3, = 185 cm, EF Ev = 0,778 eV. 1.78 ND = 5,04771014 cm3, = 1,47 mS / cm, Ec EF = 0,537 eV. 1.79 a) n = p = 1,381010 cm3, J = 39,9 A / cm2, b) n = p = 4,861010 cm3, J = 1,04 mA / cm2.
Uputa: Porast struje, odnosno elektrine provodnosti s temperaturom mogu je samo ako je poluvodi (kvazi-)intrinsian.
1.80 a) silicij n-tipa, T = 320 K, b) n = 9,911015 cm3, p = 4,29105 cm3. 1.81 = 3,63 S / cm.
Uputa: Deriviranjem elektrine provodnosti intrinsinog poluvodia po temperaturi dobiva se

3 3 dn E 1 E 1 d = q ( n + p ) i = q ( n + p ) ni + G 0 = + G 0 , dT dT 2 2 ET T 2 2 ET T
146
iz ega se moe izluiti i izraunati elektrina provodnost.

1.82 a) NA = 31017 cm3, ND = 1017 cm3, = 0,149 cm, EF Ev = 0,136 eV; b) obje primjese donori, = 0,0335 cm, Ec EF = 0,118 eV. 1.83 a) prva primjesa - donorska, druga - akceptorska, b) 1 = 0,508 cm, 2 = 1,64 cm.
Uputa: Neto koncentracije primjesa, a prema tome i koncentracije veinskih nosilaca, su u oba sluaja jednake. Da bi se elektrina otpornost poveala, u prvom sluaju veinski nosioci moraju biti elektroni, a u drugom upljine, jer je pokretljivost elektrona vea. Utjecaj koncentracija primjesa na pokretljivost u ovom razmatranju moe se zanemariti.
1.84 a) Prva primjesa donor, druga akceptor: ND = NA = 1,941015 cm3, b) = 9,77 k cm.
Uputa: Na osnovu pomaka Fermijevog nivoa nakon drugog dopiranja zakljuujemo da je druga primjesa akceptor, a kako se dodavanjem druge primjese elektrina otpornost poveava, prva primjesa mora biti suprotnog tipa.
1.85 Prva primjesa donorska: ND = 5,101016 cm3, a druga akceptorska: NA = 8,321016 cm3. 1.86 a) = 42,1 V / cm, n-tip poluvodia; b) Ux1,x2 = 21,0 mV; c) / = +19,8 %. 1.87 a) n = 3,471014 cm3, p = 5,48105 cm3; b) p = 2,961016 cm3, n = 6,42103 cm3, = 0,603 V/cm.
Uputa: Budui da je elektrino polje konstantno, zakljuujemo da je funkcija raspodjele primjesa eksponencijalna.
1.88 a) p-tip, NA 0 = 7,911014 cm3; b) = + 21,9 V / cm. 1.89 a) xj = 7,09 m; b) p = 1,671017 cm3, n = 1,14103 cm3; c) n = 4,991015 cm3, p = 3,81104 cm3. 1.90 a) NA0 = 9,121016 cm3; b) (x = 0) = 0, (x = 6 m) = 89,1 V / cm. 1.91 a) Qp = 8,531012 cm2, N0p = 8,061018 cm3; b) p(x = 0) = +15,5 kV / cm, r(x = 0) = 0. 1.92 a) Na x = 2,5 m: n = 1,401015 cm3, p = 1,36 105 cm3. Na x = 3,5 m: p = 8,241014 cm3, n = 2,31105 cm3; b) = 17,1 cm, = 392 V / cm. 1.93 a) Difundirani su donori, QD = 1,201013 cm2; b) p = 8,271014 cm3, n = 2,30105 cm3, = +103 V / cm. 1.94 = 96,5 V / cm. 1.95 a) a = 3,2 m2, b) = 93,6 V/cm, c) U1,0 = +9,14 mV.
2. pn-SPOJ I pn-DIODA
2.0. Uvod
U prvom dijelu razmatrali smo osnovna fizikalna svojstva poluvodia p-, odnosno n-tipa. Meutim, najvanije primjene poluvodia u elektronici zasnivaju se na svojstvima spoja poluvodia razliitih tipova vodljivosti (kako se takav spoj ostvaruje vidjeli smo u poglavlju 1.10. Osnove planarne tehnike u siliciju, slika 1.53). Poluvodika dioda je najjednostavnija komponenta koja se sastoji od samo jednog pnspoja; karakteristike tog pn-spoja izravno odreuju svojstva diode. Ali osim pn-diode, na svojstvima pn-spoja temelji se rad i drugih poluvodikih komponenti, u prvom redu bipolarnog tranzistora i spojnog unipolarnog tranzistora s efektom polja (spojnog FETa). Stoga je razumijevanje fizikalnih pojava oko pn-spoja neophodno za razumijevanje rada tih elemenata. Na slici 2.1 prikazan je tehnoloki presjek jedne poluvodike diode dobivene termikom difuzijom donora u poluvodi p-tipa. Na slici su oznaene i tipine dimenzije, koje variraju shodno namjeni i eljenim svojstvima diode. U naim analizama uglavnom emo se ograniavati na idealnu diodu, opisanu Shockleyevom jednadbom [Shockley49]. Pretpostavljat emo da je tok struje kroz diodu jednodimenzionalan, okomit na plohu pn-spoja, te emo zanemarivati padove napona izmeu spoja i vanjskih prikljunica. U veini sluajeva pretpostavljat emo da je pn-spoj skokovit, tj. da su koncentracije primjesa na p-strani i na n-strani spoja konstantne do samog spoja. Iako su raspodjele primjesa u realnim diodama bitno drugaije, analiza skokovitog pn-spoja je najjednostavnija, a rezultirajui izrazi najpregledniji.
prednji kontakt katode SiO2
100 - 500 m
2 - 5 m 100 m
katoda
n- tip
pn- spoj
anoda
p- tip
stranji kontakt anode
Slika 2.1. Tehnoloki presjek pn-diode.
147
148
2. PN-spoj i pn-dioda
2.1. Kontaktni potencijal

Oko pn-spoja promjena koncentracije primjesa (a time i nosilaca) je tako nagla da ugraeno elektrino polje, koje nastaje zbog nejednolike raspodjele primjesa, nije dovoljno da sprijei dio veinskih nosilaca da prijeu na drugu stranu spoja. Prelaskom nosilaca koji su se nalazili uz pn-spoj na drugu stranu, oko spoja nastaje osiromaeno podruje (engl. depletion region) unutar kojeg nema slobodnih nosilaca naboja, ve samo nepokretni naboj ioniziranih primjesa (slika 2.2a). To podruje prostornog naboja, unutar kojeg vie nije zadovoljen zakon elektrike neutralnosti, naziva se barijera. Naboj ioniziranih primjesa unutar barijere uzrokuje elektrino polje iji je smjer od nstrane prema p-strani, te se suprotstavlja difuziji veinskih elektrona s n-strane na pstranu i difuziji veinskih upljina s p-strane na n-stranu. Budui da postoji elektrino polje unutar barijere, znai da postoji i razlika potencijala na rubovima barijere gdje poluvodi prelazi iz osiromaenog podruja u podruje elektrine neutralnosti. Smjer elektrinog polja u barijeri je od n-strane prema p-strani, pa je oigledno potencijal nstrane vii od potencijala p-strane. U ravnotenim uvjetima razlika potencijala jednaka je kontaktnom potencijalu (engl. built-in potential) i moe se odrediti pomou elektrostatskih potencijala neutralnih podruja poluvodia na obje strane barijere (slika 2.2c)
n n = U T ln 0n , ni p0 p p = U T ln , ni kao (2.1)
(2.2)
n0n p0 p . U K = n p = U T ln 2 ni
(2.3)
n0n i p0p su ravnotene koncentracije veinskih nosilaca na n- odnosno p-strani, uz rubove barijere. Na slici 2.2b prikazan je energetski dijagram pn-spoja u ravnotei s ucrtanim raspodjelama nosilaca po energijama. Fermijev nivo je u ravnotenim uvjetima svugdje jednak, pa dolazi do savijanja energetskog dijagrama u podruju unutar barijere. Savijanje energetskih nivoa u barijeri proporcionalno je kontaktnom potencijalu. Iako su koncentracije veinskih nosilaca puno vee od koncentracija istovjetnih manjinskih nosilaca na suprotnoj strani, tek mali dio veinskih nosilaca s dovoljno velikom kinetikom energijom uspije savladati elektrino polje u barijeri koje ih vraa nazad, te prijei na drugu stranu barijere. Na slici su ti nosioci oznaeni tamnije sjenanom povrinom ispod funkcije raspodjele nosilaca po energijama. Naprotiv, manjinske
U ravnotenim uvjetima Fermijev nivo, a time i elektrokemijski potencijal, je svugdje u poluvodiu jednak, pa se u izrazu za kontaktni potencijal on krati.
149
p- tip
ionizirane primjese unutar barijere + + ++ + ++ + + ++ + ++ + + +
n- tip
a)

n0p
pn- spoj
I nS
I dn q .UK
n0n
Ec EF E Fi Ev p0p I dp dB I pS p0n
b)
p
UK
c)
Slika 2.2. pn-spoj u ravnotei: a) naboj ioniziranih primjesa u barijeri, b) energetski dijagram [Juzbai75], c) raspodjela potencijala.
nosioce elektrino polje privlai na drugu stranu, pa za njih obino kaemo da ne vide potencijalnu barijeru. U uvjetima ravnotee, kada nema prikljuenog vanjskog napona, difuzijske struje veinskih nosilaca (na slici oznaene s Idn i Idp) bit e ponitene driftnim strujama istovjetnih manjinskih nosilaca (InS , odnosno IpS). U daljnjoj analizi pn-spojeva uglavnom emo pretpostavljati da je prijelaz sa n- na p-stranu skokovit, tj. da je koncentracija primjesa na obje strane spoja konstantna do samog spoja i jednaka NA na p-strani spoja, odnosno ND na n-strani spoja. Takav spoj se naziva skokoviti pn-spoj i najjednostavnije ga je analizirati. Ponekad se pn-spojevi dobiveni planarnim postupcima mogu pri analizi nadomjestiti skokovitim spojem.
150
Zadatak 2.1
Silicijski pn-spoj ima skokoviti prijelaz s p-strane na n-stranu. Koncentracija donorskih atoma na n-strani je ND = 5 1016 cm3, a koncentracija akceptorskih atoma na p-strani je NA = 1015 cm3. Izraunati kontaktni potencijal pn-spoja na temperaturama T = 300 K i T = 350 K.
Rjeenje:
Kontaktni potencijal izraunat emo pomou izraza (2.3)
n0 n p0 p U K = U T ln n2 . i
Kod skokovitog pn-spoja koncentracije primjesa na obje strane spoja su konstantne. Zbog toga e koncentracije veinskih nosilaca n0n i p0p uz rubove barijere biti jednake koncentracijama u podrujima izvan barijere, gdje vrijedi zakon elektrike neutralnosti, te ih moemo odrediti pomou zakona elektrike neutralnosti i termodinamike ravnotee. Na T = 300 K intrinsina koncentracija nosilaca (ni = 1,381010 cm3) je puno manja od koncentracija primjesa na obje strane, pa su koncentracije veinskih nosilaca izvan barijere praktiki jednake koncentracijama primjesa. U tom sluaju (2.3) moemo pisati kao
N N U K = U T ln D 2 A . n i Uvrtavanjem zadanih vrijednosti, dobit emo da je UK = 0,680 V.
(2.4)
Pri T = 350 K intrinsina koncentracija nosilaca ni = 4,861011 cm3 je jo uvijek puno manja od koncentracija primjesa na obje strane, pa je
N N U K = U T ln D 2 A = 0,578 V . n i
Kao to vidimo, s porastom temperature kontaktni potencijal se smanjuje. Iako naponski ekvivalent temperature UT raste linearno s temperaturom, pad logaritamskog lana pri porastu temperature je bri. Na slici 2.3 prikazani su energetski dijagrami za dvije zadane temperature. Kontaktni E potencijal u energetskom dijagramu pn-spoja odgovara Ec razlikama energija izmeu vrhova, odnosno razlikama izmeu dna zabranjenog pojasa na suprotnim stranama q UK spoja. Na slici 2.3 moe se uoiti da je smanjenje kontaktnog potencijala prvenstveno posljedica pomicanja EF Fermijevih nivoa blie sredini zabranjenog pojasa. Kako Ev je u ravnotenim uvjetima n0n p0n = n0p p0p = n2, izraz i (2.3) moemo napisati kao T=300 K n p0 p U K = U T ln = U T ln 0n . (2.5) T=350 K n p0 n 0p
Slika 2.3. Energetski dijagram skokovitog pn-spoja za dvije temperature.
Iz ovog izraza se vidi da kontaktni potencijal raste to je vei omjer koncentracije veinskih nosilaca i koncentracije istovrsnih manjinskih nosilaca na suprotnoj strani pn-spoja. Vei omjer tih koncentracija znai da e biti
Zadatak 2.1
151
vei gradijent koncentracije, to znai i vea difuzijska struja. Zbog toga se mora poveati i elektrino polje u barijeri koje se suprotstavlja toj difuzijskoj struji, a time i kontaktni potencijal. S porastom temperature poluvodi tei k intrinsinom stanju. Prirast koncentracije manjinskih nosilaca je pri tome znatno bri od prirasta koncentracije veinskih nosilaca, pa se navedeni omjeri koncentracija smanjuju, to rezultira smanjenjem kontaktnog potencijala. Zanimljivo je 1 na slici 2.3 uoiti kako je pomak Fermijevog nivoa prema sredini zabranjenog pojasa vei na slabije dopiranoj p-strani. Takoer se moe uoiti suenje 0,8 UK zabranjenog pojasa s temperaturom, zbog ega pomaci dna vodljivog i vrha valentnog pojasa u V 0,6 odnosu na Fermijev nivo nisu meusobno jednaki. Slika 2.4 prikazuje ovisnost kontaktnog potencijala o temperaturi za ovaj pn-spoj u temperaturnom 0,4 podruju od 200 K do 400 K. 200 300 400 Odreivanje kontaktnog potencijala kod T/K ovakvog skokovitog pn-spoja je jednostavno, budui da je koncentracija primjesa, a time i Slika 2.4. Ovisnost kontaktnog potencijala o temperaturi za skokoviti pn-spoj veinskih nosilaca, na obje strane spoja konstantna, iz zadatka 2.1. pa je koncentracija veinskih nosilaca uz rub barijere ista, neovisno o irini barijere. Meutim, ako je poluvodi nehomogen, koncentracije veinskih nosilaca uz rubove barijere koje treba uvrstiti u (2.3) ovise o poloaju ruba barijere, to znai da treba znati irinu barijere, pa je postupak izraunavanja sloeniji (vidi zadatak 2.5).
Zadatak 2.2
Nacrtati ovisnost kontaktnog potencijala o koncentraciji primjesa za pn-spoj iz prethodnog zadatka, ako se koncentracija akceptora mijenja u intervalu od NA = 1014 cm3 do 1017 cm3. T = 300 K.
Rjeenje:
Kako je na T = 300 K intrinsina koncentracija puno manja od najnie zadane koncentracije akceptora NA = 1014 cm3, pri raunanju kontaktnog potencijala za sve koncentracije akceptora moi emo se koristiti izrazom (2.4)
N N U K = U T ln D 2 A . n i
Iz njega je oito da e s porastom koncentracija primjesa na bilo kojoj strani, rasti i kontaktni potencijal. U tablici 2.1 navedeni su iznosi kontaktnog potencijala za nekoliko vrijednosti koncentracija akceptora, a na slici 2.5 grafiki je prikazana ta ovisnost. Radi usporedbe, nacrtane su istovjetne krivulje za jo dvije razliite koncentracije donora na n-strani. Pri crtanju grafova zanemaren je utjecaj degeneracijskih efekata, tj. suenja zabranjenog pojasa do kojeg dolazi pri visokim koncentracijama primjesa. Tada prestaje vrijediti MaxwellBotzmannova statistika, a time i gornji izrazi za kontaktni potencijal. Budui da zbog visoke dopiranosti dolazi do suenja zabranjenog pojasa, u energetskom dijagramu skokovitog pn-spoja vrh i/ili dno zabranjenog pojasa nee biti kontinuirani, ve postoji diskontinuitet na mjestu gdje se
Zadatak 2.2
152 Tablica 2.1. Kontaktni potencijali skokovitog pnspoja u zadatku 2.2
NA / cm3 1014 1015 1016 1017
UK / V 0,620 0,680 0,739 0,799
mijenja irina zabranjenog pojasa, kao to je prikazano na slici 2.6 za skokoviti spoj slabo dopirane p- i jako dopirane n-strane. Spomenuti diskontinuitet je na slici oznaen s Ec . Iako su obje strane pn-spoja od istog poluvodia, u biti se radi o heterospoju, tj. spoju dvaju razliitih materijala. Kako su sada visine potencijalnih barijera razliite za elektrone u vodljivom, odnosno za upljine u valentnom pojasu, kontaktni potencijal se ne moe definirati preko njih, ve se mora raunati preko razlika radova izlaza poluvodia na obje strane spoja U K = 1 2 .
1
19 3 ND = 5 .10 cm
nivo vakuuma
0,9 0,8 0,7 0,6 14 10 1018 cm3

Ec
UK
UK V
1
Ec
5.1016 cm3 10 15 10 16 10 17
EF Ev
NA / cm3
Slika 2.5. Ovisnost kontaktnog potencijala skokovitog pn-spoja o koncentraciji primjesa.
Slika 2.6. Energetski dijagram skokovitog pnspoja s jako dopiranom (degeneriranom) nstranom.
Zadatak 2.3
Izraunajte kontaktni potencijal pri T = 300 K za silicijski skokoviti pn-spoj koji ima na n-strani koncentraciju donora ND = 1017 cm3, dok je p-strana dopirana i s akceptorima NAp = 7 1015 cm3 i s donorima NDp = 2 1015 cm3.
Rjeenje: UK = 0,739 V.
Zadatak 2.3
2.2. Raspodjela potencijala i elektrinog polja u barijeri
153

Raspodjela potencijala i elektrinog polja unutar barijere dobiva se rjeavanjem Poissonove jednadbe koja se u jednodimenzionalnom obliku moe pisati kao
= ( x) . dx 2 je permitivnost poluvodia, a (x) je gustoa prostornog naboja
d 2
(2.6)
+ = q ( p n + ND N A) . (2.7) Podruje barijere osiromaeno je nosiocima, tj. koncentracija slobodnih nosilaca je zanemariva u odnosu na koncentracije primjesa. Postoji samo relativno mala koncentracija nosilaca koji prolijeu kroz barijeru. Zbog toga je prostorni naboj unutar barijere praktiki + = q (ND N A) . (2.8) Prema tome, raspodjela elektrinog polja i elektrinog potencijala, te oblik energetskog dijagrama u barijeri ovise iskljuivo o raspodjeli neto-koncentracije primjesa.
Da bi se dobilo potpuno rjeenje Poissonove jednadbe, neophodno je definirati rubne uvjete. Za raspodjelu elektrinog polja, rubni uvjet zahtijeva da jakost elektrinog polja na rubovima barijere, na granicama izmeu osiromaenog podruja i kvazineutralnog podruja n-, odnosno p-strane, bude jednaka nuli. Unutar barijere postoji elektrino polje koje uzrokuju ionizirane primjese. Radi jednostavnosti prilikom rjeavanja Poissonove jednadbe, pretpostavlja se da su prijelazi iz osiromaenog podruja u barijeri u kvazi-neutralna podruja poluvodia skokoviti, tj. da je podruje unutar barijere potpuno osiromaeno po cijelom svom volumenu do rubova barijere, a na samom rubu barijere postoji skokovita promjena koncentracije nosilaca. Za analitiko rjeavanje Poissonove jednadbe najzanimljiviji su pn-spojevi kod kojih su raspodjele primjesa opisane skokovitom funkcijom (skokoviti pn-spoj, engl. abrupt junction ili step junction) i pravcem (linearno-postepeni pn-spoj, engl. linearlygraded junction). Veina stvarnih pn-spojeva dobivenih difuzijskim postupkom ili ionskom implantacijom moe se aproksimirati jednim od tih oblika. Skokovitim pnspojem obino se aproksimiraju vrlo plitke strukture kod kojih se raspodjela primjesa mijenja vrlo naglo s dubinom. Naprotiv, linearno-postepenim pn-spojem se aproksimiraju duboki pn-spojevi kod kojih se raspodjela primjesa mijenja polagano. Za raspodjele primjesa po komplementarnoj funkciji pogreke i po Gaussovoj funkciji u literaturi postoje sreeni grafovi osnovnih svojstava takvih pn-spojeva [Lawrence60, Philips62].
154
Zadatak 2.4
Silicijski skokoviti pn-spoj ima koncentracije primjesa na p- i n-strani NA = 1015 cm3, odnosno ND = 51016 cm3. T = 300 K. Izraunati irine barijera na p- i n-strani, ukupnu irinu barijere i maksimalnu jakost polja u barijeri za sluaj ravnotee, te uz vanjske napone U = 0,6 V i U = 5 V.
Rjeenje:
Kod skokovitog pn-spoja koncentracije donora na n-strani odnosno akceptora na p-strani su konstantne do samog spoja. Na mjestu pn-spoja dolazi do skokovite promjene neto koncentracije primjesa s ND na NA . Postavimo ishodite koordinatnog sustava na mjesto pn-spoja. Lijevo od ishodita (x < 0) neka je poluvodi p-tipa, a desno od ishodita (x > 0) n-tipa
N A , za x < 0 . N ( x) = N D , za x > 0 Pretpostavimo li da su sve primjese unutar barijere ionizirane, a da je koncentracija slobodnih nosilaca zanemariva, raspodjela gustoe prostornog naboja unutar barijere bit e (vidi sliku 2.8a na str. 158)
q N A , za x p x < 0 ( x) = , q N D , za 0 < x x n gdje su xp i xn koordinate rubova barijere na p- odnosno n-strani.
(2.9)
Da bismo odredili irinu barijere u ovisnosti o vanjskom naponu, treba rijeiti Poissonovu jednadbu
( x) d = dx dx za podruje unutar barijere, koristei odgovarajue rubne uvjete. Integriranjem Poissonove jednadbe dobit emo raspodjelu elektrinog polja d 1 ( x) = = ( x ) dx . dx Kako funkcija raspodjele prostornog naboja nije jedinstvena analitika funkcija, integraciju emo provesti po odsjecima, zasebno za p-stranu, a zasebno za n-stranu barijere. Uvrtavanjem gustoe naboja za xp x < 0 dobiva se
2
d 2
qNA 1 q N A dx = x + C1 . Konstantu integracije odreujemo iz uvjeta da je uz rub barijere elektrino polje jednako nuli, ( xp) = 0 : q NA C1 = xp , pa je q NA ( x) = (x x p ) . (2.10) Slino, za 0 < x xn q ND 1 ( x ) = q N D dx = x + C2 . ( x) =
Zadatak 2.4
155
Iz rubnog uvjeta (xn) = 0 dobiva se

C2 = q ND xn ,
pa je
( x) = q ND ( x xn ) .
(2.11)
Na mjestu pn-spoja, jakost elektrinog polja dobivena integracijom prostornog naboja ioniziranih akceptora (2.10) na p-strani barijere
q NA xp , (2.12) mora biti jednaka jakosti elektrinog polja dobivenog integracijom prostornog naboja ioniziranih donora (2.11) na n-strani barijere ( x = 0) = q ND xn . (2.13) Naime, funkcija raspodjele elektrinog polja mora biti kontinuirana. Iz gornjih izraza oigledno je da elektrino polje na mjestu pn-spoja ima najveu vrijednost, to je i potpuno jasno, ako znamo da sve silnice elektrinog polja u barijeri koje izviru na pozitivnom naboju ioniziranih donora na n-strani barijere moraju proi kroz plohu pn-spoja da bi mogle skonati na negativnom naboju ioniziranih akceptora na p-strani barijere (slika 2.7). Smjer tih silnica je od n- prema p-strani barijere. U naem sluaju je to u smjeru negativne xkoordinatne osi, te je elektrino polje negativno. Oznaimo li pn- spoj sa dBn = |xn| i dBp = |xp| irine barijera na n-, odnosno p-strani, ionizirani ionizirani izjednaavanjem gornja dva izraza dobivamo da je akceptori donori ( x = +0) =
d Bn N A = , d Bp N D
(2.14)
tj. omjer irina barijera na n- i p-strani obrnuto je proporcionalan pripadajuim koncentracijama primjesa. Napiemo li gornji izraz kao d Bn N D = d Bp N A (2.14a)
barijera
i uoimo da su umnoci na lijevoj i desnoj strani proporcioSlika 2.7. Ionizirane primjese i elektrino polje u barijeri. nalni prostornom naboju na n-, odnosno p-strani barijere, moemo vidjeti da ti prostorni naboji moraju biti meusobno jednaki po iznosu. Kada to ne bi bilo zadovoljeno, npr. kada bi pozitivni naboj ioniziranih donora bio vei, ne bi sve silnice elektrinog polja ponirale na negativnom naboju ioniziranih akceptora unutar p-strane barijere, ve bi ih dio izlazio izvan barijere, ime bi bila naruena pretpostavka da izvan barijere nema elektrinog polja. Raspodjelu potencijala unutar barijere dobit emo integracijom izraza za raspodjelu elektrinog polja. Za xp x < 0
( x ) = ( x ) dx =
q NA q N A x2 ( x x p ) dx = x p x + C3 . 2
(2.15)
Pretpostavimo li da je potencijal p-strane pn-spoja jednak referentnom potencijalu (xp) = 0 , 2 dobit emo da je konstanta C3 = xp / 2 , pa je
Zadatak 2.4
156
( x) =
qNA
x2 x2 p . xp x + 2 2
(2.15a)
Identino, raspodjelu potencijala na n-strani barijere ( 0 < x xn) dobit emo integracijom izraza za raspodjelu elektrinog polja u tom podruju q ND q ND x2 ( x ) = ( x ) dx = ( x x n ) dx = x n x + C4 . (2.16) 2 Konstantu integracije C4 odredit emo iz uvjeta da funkcija raspodjele potencijala mora biti svugdje kontinuirana, pa prema tome i na mjestu pn-spoja gdje se izmjenjuju funkcije raspodjela gustoa prostornog naboja (2.15) i (2.16). To znai da na mjestu pn-spoja potencijal dobiven izrazom (2.15a) mora biti jednak potencijalu dobivenom izrazom (2.16)
( 0) =
iz ega slijedi da je
2 q N A xp q ND = ( +0) = C4 , 2
C4 =
x2 p 2
NA , ND
pa je raspodjela potencijala na n-strani barijere
( x) =
q ND
x2 x2 N A p . xn x 2 2 ND
(2.16a)
Totalni napon na barijeri jednak je razlici potencijala izmeu n- i p-strane spoja q 2 U TOT = ( x n ) ( x p ) = ( N D xn + N A x 2 ) . p 2 Pomou izraza (2.14) i injenice da je ukupna irina barijere d B = d Bn + d Bp , dobiva se da je d Bp = d B d Bn = d B ND , N A + ND NA , N A + ND
(2.17)
(2.18) (2.19)
to uvrtavanjem u izraz za totalni napon (2.17) daje U TOT = N ND q A d2 . 2 NA + ND B 2 1 1 + , U q N A N D TOT (2.20)
Izluimo li irinu barijere, dobit emo da je dB = 2 N A + ND U TOT = q N A ND (2.21)
tj. irina barijere raste s kvadratnim korijenom totalnog napona. Takoer moemo uoiti da e pri vioj koncentraciji primjesa, uz isti totalni napon, irina barijere biti manja, budui da pri porastu koncentracije nazivnik u lanu
Zadatak 2.4
157
NA + ND 1 1 = + NA ND N A ND raste bre nego njegov brojnik. Uvrstimo li (2.18) u (2.12) ili (2.19) u (2.13), dobit emo da je maksimalno polje u barijeri sa skokovitim pn-spojem 2 U TOT q N ND . max = A d = dB NA + ND B Razlika potencijala izmeu n- i p-strane povezana je s koncentracijama nosilaca na odgovarajuim stranama preko izraza (vidi poglavlje 1.8. Nehomogeni poluvodii)
n( x n ) p( x n ) U xn , x p = U TOT = U T ln = U T ln . n( x p ) p( x p ) U ravnotenim uvjetima vanjski prikljueni napon jednak je nuli, te je totalni napon jednak kontaktnom potencijalu. Koncentracije nosilaca jednake su ravnotenim koncentracijama n ( x n ) = n0 n , p ( x p ) = p0 p ,
n( x p ) = n0 p = ni2 n2 , p( x n ) = p 0 n = i , p0 p n 0n
pa uvrtavanjem u gornji izraz dobivamo izraz (2.3)

n p0 p U K = U T ln 0n = U T ln = n p 0n 0p
n0 n p0 p = U T ln n2 . i
Kako su redovito na obje strane barijere koncentracije primjesa znatno vee od intrinsine koncentracije nosilaca, za skokovite pn-spojeve najee se koristi izraz (2.4)
N N U K = U T ln D 2 A . n i
Vanjski prikljueni napon U pribraja se kontaktnom potencijalu, tako da je openito U TOT = U K U . Kada je na p-stranu prikljuen pozitivniji pol vanjskog izvora, pn-spoj je propusno polariziran. Elektrino polje koje uzrokuje vanjski izvor, tjera upljine s p- prema n-strani, a elektrone u suprotnom smjeru, tj. pospjeuje difuziju veinskih nosilaca. Stoga se potencijalna barijera koju vide veinski nosioci sniava, a totalni napon se smanjuje (vanjski napon U > 0). Naprotiv, ako se vanjski izvor spoji tako da je negativniji pol izvora na p-strani, on e odvlaiti veinske nosioce od barijere. Oni e u tom sluaju trebati veu energiju da bi preli barijeru, to znai da e potencijalna barijera rasti. Totalni napon takoer raste, jer je vanjski napon U < 0. Uvrstimo li zadane koncentracije primjesa u izraz (2.4), dobit emo da je na T = 300 K UK = 0,680 V. Uvrtavanjem dobivenog kontaktnog potencijala u izraze za irine barijere (relativna permitivnost silicija r = 11,9), uz vanjski napon U = 0, dobiva se dB = 0,955 m, dBn = 0,0187 m, dBp = 0,936 m. Kao to vidimo, praktino se cijela barijera iri na znatno slabije dopiranu p-stranu spoja, tj.
Zadatak 2.4
158
d B = d Bp =
2 1 U TOT q NA
Takvi pn-spojevi se obino nazivaju jednostrani pn-spojevi. Maksimalno elektrino polje u barijeri je max = 14,2 kV / cm. Polje je negativno budui da ima smjer negativne x-koordinate, od n-strane barijere prema p-strani. Na slici 2.8 prikazane su raspodjele elektrinog polja i elektrinog potencijala, te energetski dijagram za razmatrani pn-spoj u uvjetima ravnotee. Elektrino polje u barijeri koje nastaje uslijed naboja ioniziranih donora i akceptora unutar barijere ima takav smjer da se suprotstavlja difuziji veinskih nosilaca. Ako zbog termikog titranja kristalne reetke neki elektron s n-strane
q . ND
(x)
0
xp
xn
~
x
xn q . NA
a)
xp
kVcm1
16 1
max
0,5 0
b)
x / m E
xp xn q .UK EF
0,8
xp
xn UK
Ec EFi Ev
V
0
1 0,5 0
x / m
c)
0,5
0
d)
x / m
Slika 2.8. Skokoviti pn-spoj: a) raspodjela prostornog naboja, b) raspodjela elektrinog polja, c) raspodjela elektrinog potencijala, d) energetski dijagram.
ak i uleti u podruje prostornog naboja, elektrino polje u barijeri e ga vratiti na n-stranu. Tek e nekolicina elektrona imati dovoljnu brzinu (odnosno energiju) da savlada polje u barijeri i prijee na p-stranu. Slino vrijedi i za veinske upljine na p-strani spoja. Prema tome, za veinske nosioce postoji potencijalna barijera koju oni moraju savladati da bi preli na drugu stranu spoja. Naprotiv, ako manjinski nosioci kojim sluajem uu u podruje barijere, njih e elektrino polje povui na suprotnu stranu. Zato se obino kae da manjinski nosioci ne vide potencijalnu barijeru, te jednostavno skliznu niz nju. U uvjetima ravnotee, difuzijska struja veinskih nosilaca i driftna struja manjinskih nosilaca se meusobno dokidaju, pa je ukupna struja kroz pn-spoj jednaka nuli. Fermijev nivo je u ravnotenim uvjetima svugdje na istoj energiji, a mijenja se poloaj dna i vrha zabranjenog pojasa. Visina energetske barijere za veinske nosioce je q UK . Na slici 2.8 uoljiva je slinost
Zadatak 2.4
159
funkcije raspodjele potencijala i energetskog dijagrama. Zbog toga Fermijev nivo u energetskom dijagramu ne sijee sredinu zabranjenog pojasa na mjestu pn-spoja. Naime, dok se raspodjela potencijala, a time i energetski dijagram, u kvazineutralnom poluvodiu odreuju iz raspodjele nosilaca preko transportnih jednadbi, raspodjela potencijala unutar barijere odreena je raspodjelom primjesa preko Poissonove jednadbe. Kada je pn-spoj propusno polariziran naponom U = 0,6 V, totalni napon bit e UTOT = 0,0797 V, pa je dB = 0,327 m, dBn = 0,00641 m, dBp = 0,321 m, a maksimalna jakost polja max = 4,97 kV / cm. Pri propusnoj polarizaciji totalni napon se smanjuje, a time i irine barijera, te maksimalno polje u barijeri. Fermijev nivo na n-strani pomie se za energetski ekvivalent napona q U (p-strana je referentna), pa se energetski dijagram izravnava, odnosno smanjuje se energetska barijera qUTOT . Na slici 2.9b prikazan je energetski dijagram zadanog pnspoja pri propusnoj polarizaciji naponom U = + 0,6 V. Visina energetske barijere je tako mala da, radi preglednosti, na slici nije niti oznaena.
E
Ec Ev
dB
q .UK Ec Ev
dB
q .U
E
Ec Ev q .U
dB
q .UTOT
xj
a)
x
b)
xj
x
c)
xj
Slika 2.9. Energetski dijagram pn-spoja: a) stanje ravnotee, b) propusna polarizacija, c) reverzna polarizacija.
Pri nepropusnoj polarizaciji pn-spoja naponom U = 5 V, totalni napon bit e UTOT = 5,68 V, pa je dB = 2,76 m, dBn = 0,0541 m, dBp = 2,71 m, a maksimalna jakost elektrinog polja max = 41,1 kV / cm. Pri nepropusnoj polarizaciji totalni napon, irine barijere i maksimalno elektrino polje u barijeri rastu. Fermijev nivo na n-strani se pomie za q U u odnosu na ravnoteno stanje, a kako je U < 0, energetski dijagram se jo vie zakrivljuje, odnosno poveava se energetska barijera q UTOT . To se moe uoiti i na energetskom dijagramu za taj sluaj na slici 2.9c.
Zadatak 2.5
Izraunati irine barijera i maksimalnu jakost elektrinog polja u linearno-postepenom pn-spoju za sluaj ravnotee, te pri vanjskim naponima U = 0,6 V i U = 5 V, ako je gradijent koncentracije primjesa u pn-spoju a = 51019 cm4. T = 300 K.
Rjeenje:
Postupak rjeavanja identian je postupku u prethodnom zadatku. Meutim, kako je funkcija raspodjele primjesa kod linearno-postepenog pn-spoja pravac, tj. analitika funkcija u cijelom
Zadatak 2.5
160
podruju razmatranja, pri rjeavanju Poissonove jednadbe nee trebati rastavljati integral po odsjecima, pa e integracija biti jednostavnija. Radi jednostavnosti, opet emo pretpostaviti da se pn-spoj nalazi u ishoditu koordinatnog sustava. S lijeve strane ishodita (x < 0) neka je poluvodi p-tipa, a s desne strane n-tipa. U tom sluaju, funkcija neto-koncentracije primjesa bit e ( N D N A )( x ) = a x , a funkcija gustoe prostornog naboja (vidi sliku 2.10 na str. 162) ( x ) = q a x, x p x xn . Raspodjelu elektrinog polja dobit emo, prema Poissonovoj jednadbi, integriranjem raspodjele prostornog naboja d 1 ( x) = = ( x ) dx . dx Uvrstimo li funkciju raspodjele prostornog naboja, dobit emo 1 q a ( x ) = q a x dx = (2.22) ( x 2 + C1 ) . 2 Konstantu integracije C1 moemo odrediti iz uvjeta da jakost elektrinog polja na rubovima barijere (tj. za x = xp i x = xn) mora pasti na nulu. Iz rubnog uvjeta ( xp) = 0, dobiva se
C1 = x2 p
2
a iz uvjeta ( xn) = 0
2 xn , 2 iz ega slijedi da su irine barijera na n- i p-strani meusobno jednake. Kako je zbroj irina barijera dBn + dBp = dB , slijedi da je
C1 =
dB . 2 Ovo je oito pogleda li se raspodjela gustoe prostornog naboja i ako se zna da povrine ispod funkcije moraju biti meusobno jednake, budui da naboj ioniziranih donora iz kojih silnice elektrinog polja izviru mora biti jednak naboju ioniziranih akceptora na kojima silnice poniru (vidi sliku 2.7 na str. 155). d Bn = d Bp =
Uvrtavanjem konstante integracije (2.22) prelazi u

( x) =
2 q a 2 dB . x 2 4
(2.22a)
Raspodjelu potencijala unutar barijere dobit emo integracijom raspodjele elektrinog polja
( x ) = ( x ) dx =
Kako smo p-stranu uzeli kao referentnu, tj.
q a 2
2 x3 dB 3 4 x + C2 .
(2.23)
3 3 q a dB dB d (xp ) = B = + + C2 = 0 , 24 2 2 8
Zadatak 2.5
161
slijedi da je
( x) =
2 3 dB q a x3 dB 3 4 x 12 . 2
Totalni napon jednak je razlici potencijala na rubovima barijere q a U TOT = ( x n ) ( x p ) = d3 , 12 B pa je irina barijere dB = 3 12 U TOT . q a 3 U TOT . 2 dB (2.24)
Maksimalno elektrino polje je na mjestu pn-spoja. Iz (2.22a) uvrtavanjem (2.24) dobiva se

max =
Kontaktni potencijal odreen je koncentracijama nosilaca uz rub barijere u ravnotenim uvjetima (izraz (2.3))
p 0 p n 0n U K = U T ln n2 . i
Budui da je poluvodi oko pn-spoja nehomogeno dopiran, ravnotene koncentracije nosilaca uz rubove barijera nee biti konstantne kao kod skokovitog pn-spoja, ve e njihov iznos ovisiti o poloaju ruba barijere, odnosno o irini barijere
p0 p = N Aneto ( x = x p ) = a n0n = N Dneto ( x = x n ) = a dB , 2 dB . 2
NAneto i NDneto su neto koncentracije primjesa N Aneto = N A N D ,

N Dneto = N D N A .
to je barijera ira, za linearno-postepeni spoj e ravnotene koncentracije manjinskih nosilaca uz rub barijere biti vie. Uvrtavanjem u (2.3), dobiva se
2 a2 dB a dB U K = U T ln 4 n 2 = 2 U T ln 2 n . i i
Uvrstimo li sada izraz (2.24), uz UTOT = UK , dobit emo

UK =
3 a2 2 U T ln 2 q n3 U K , 3 i
(2.25)
transcedentnu jednadbu koja se ne moe analitiki rijeiti. Stoga emo primijeniti postupak iteracije. U tablici 2.2 dat je niz rjeenja u postupku iteracije uz poetno pretpostavljeno rjeenje UK = 0,7 V (navedena rjeenja su zaokruena na tri decimalna mjesta). Kao to vidimo prema tablici 2.2, ve nakon dva prolaza kroz (2.25) dobivamo traeno rjeenje na tri tone znamenke: UK = 0,626 V.
Zadatak 2.5
162 Tablica 2.2. Iteracija u zadatku 2.5.
korak UK / V
0 0,7
1 0,6277
2 0,6258
3 0,6257
4 0,6257
Ukupna irina barijere u ravnotenim uvjetima, kada je U = 0, bit e dB = 0,996 m, dok su irine na obje strane meusobno jednake xn = xp = dB / 2 = 0,498 m. Maksimalno elektrino polje je max = 9,42 kV / cm. Na slici 2.10 prikazane su funkcije raspodjela gustoe prostornog naboja, elektrinog polja i elektrinog potencijala, te energetski dijagram za zadani linearno-postepeni pn-spoj u ravnotenim uvjetima. Treba uoiti da je pri crtanju dijagrama zanemareno elektrino polje izvan
(x)
q . a .x xp 0 xn
n
xp
xn
kVcm1
10 0,8
max
q . a . xp a)
x / m
xp xn
0,8 b)
0,7
xp
xn UK
Ec EFi Ev
q .UK EF
V
0 0,8
x / m
0,8 c)
0,8
x / m
0,8 d)
Slika 2.10. Linearno-postepeni pn-spoj: a) raspodjela prostornog naboja, b) raspodjela elektrinog polja, c) raspodjela elektrinog potencijala, d) energetski dijagram.
podruja barijere koje postoji zbog nejednolike raspodjele primjesa, tj. pretpostavljeno je da se sav pad napona nalazi na barijeri. U veini sluajeva ovo zanemarenje nema znaajnijeg utjecaja na tonost rjeenja. Pri propusnoj polarizaciji vanjskim naponom U = 0,6 V, totalni napon e se smanjiti na UTOT = UK U = 25,7 mV, pa e se smanjiti i irine barijera na dB = 0,344 m, odnosno xn = xp = 0,172 m. Maksimalna jakost elektrinog polja e se smanjiti na max = 1,12 kV / cm.
Zadatak 2.5
163
Nepropusnom polarizacijom naponom U = 5 V, totalni napon e se poveati na UTOT = 5,63 V, irine barijera e biti dB = 2,07 m, odnosno xn = xp = 1,04 m, a maksimalna jakost elektrinog polja max = 40,8 kV / cm. U dosadanjoj analizi pretpostavljali smo da je prijelaz iz osiromaenog podruja barijere u kvazineutralno podruje izvan barijere skokovit. U stvarnosti postoji podruje konanih dimenzija u kojem se koncentracija nosilaca mijenja od nule do ravnotene koncentracije (slika 2.11). irina tog podruja odreena je ekstrinsinom Debyevom duljinom LD =
UT , qN
(2.26)
gdje je N neto koncentracija primjesa u promatranom dijelu poluvodia. Do ekstrinsine Debyeve duljine dolazi se slinim putem kao i do intrinsine Debyeve duljine (vidi zadatak 1.41 uz
xp xp
xn
xn
a)
b)
Slika 2.11. Stvarne raspodjele prostornog naboja kod a) skokovitog i b) linearno-postepenog pn-spoja.
poglavlje 1.7.1. Poissonova jednadba). Za kvazineutralno podruje poluvodia vrijedi zakon elektrike neutralnosti, pa je gustoa prostornog naboja jednaka nuli = q (n p + N A N D ) = 0 . Kako su koncentracije nosilaca (vidi poglavlje 1.4.1. Elektrokemijski i elektrostatski potencijali)
p = ni exp , UT n = ni exp . UT
(2.27)
(2.28)
slijedi da je
N D N A = 2 ni sinh 0 = 2 ni sinh( u0 ) , UT
(2.29)
gdje je 0 ravnoteni elektrostatski potencijal kvazineutralnog podruja poluvodia, a u0 ravnoteni potencijal normiran na naponski ekvivalent temperature
, u0 = 0 . UT UT Podsjetimo se da je Fermijev potencijal u uvjetima ravnotee svugdje jednak!

u=
Zadatak 2.5
164
Razmotrimo stanje na n-strani skokovitog pn-spoja u kvazineutralnom podruju blizu ruba barijere. Elektrostatski potencijal unutar barijere nee vie biti jednak ravnotenom potencijalu 0 , jer unutar barijere nije zadovoljen zakon elektrine neutralnosti. Budui da je kod skokovitog pn-spoja neto koncentracija primjesa na n-strani konstantna, u Poissonovu jednadbu
q (n p + N A N D ) UT dx moemo umjesto koncentracija primjesa uvrstiti (2.29), dok emo umjesto koncentracija nosilaca uvrstiti (2.27) i (2.28) [Adler64]
2
d 2u
d 2u dx =
2
2 ni q [sinh(u) sinh(u0 )] = UT
4 ni q u + u0 u u0 cosh cosh . 2 2 U T
u u0 u u0 sinh , = 2 2
(2.30)
Za mala odstupanja od ravnotee u u0 , pa moemo koristiti aproksimacije
N NA u + u0 2 D cosh . = cosh(u0 ) = 1 + sinh (u0 ) = 2 2 ni
Ova posljednja aproksimacija slijedi iz (2.29), a vrijedi samo ako je poluvodi potpuno ekstrinsian (ND NA > ni). Sada (2.30) moemo napisati kao >
= u u0 , dx 2 to je potpuno ista diferencijalna jednadba kao i u zadatku 1.41 u poglavlju 1.7.1. Poissonova jednadba, samo to je LD sada ekstrinsina Debyeva duljina, iji iznos ovisi o koncentraciji primjesa. Prema tome, za rjeenje ove jednadbe vrijede sva razmatranja vezana za rjeenje navedenog zadatka.
Na slici 2.12 prikazana je ovisnost ekstrinsine Debyeve duljine o koncentraciji primjesa u siliciju na T = 300 K. Sa grafa moemo oitati da za silicij koji je dopiran, na primjer, s
1 10
1
L2 D
d 2u
LD m
10
10 14 15 16 17 18 19 10 10 10 10 10 10 N / cm3
Slika 2.12. Ekstrinsina Debyeva duljina u siliciju na T = 300 K.
Zadatak 2.5
165
N = 1015 cm3 na temperaturi od 300 K LD = 0,130 m, to je usporedivo sa irinama barijera koje smo dobili u ovom i prethodnom zadatku. Prema tome bi se i eksperimentalni rezultati razlikovali od raunski dobivenih uz pretpostavku skokovitog prijelaza u osiromaeno podruje [Chawla71, Johnson71, Wu75]. Naravno, to odstupanje je manje za vee reverzne napone kada su irine barijera vee. Ipak, radi jednostavnosti, i dalje emo uvijek raunati s izvedenim izrazima.
Zadatak 2.6
Skokoviti pn-spoj ima jednake koncentracije primjesa na obje strane spoja. Odredite koncentracije primjesa, ako je pri nekom vanjskom naponu U irina barijere dB = 1,2 m, a maksimalno polje u barijeri max = 95 kV/cm. Koliki je pritom vanjski napon U? T = 300 K.
Rjeenja: NA = ND = 1,04 1016 cm3, U = 5 V.
Zadatak 2.7
Raspodjela primjesa u nekoj pn-diodi opisana je funkcijom ND(x) NA = 1018exp( x/a) 1015 cm3, pri emu je a = 0,5 m. Izraunajte: a) dubinu pn-spoja, b) maksimalnu jakost polja, ako je irina barijere na p-strani dBp = 1 m, c) irinu barijere na n-strani, te d) totalni napon na barijeri.
Rjeenja: a) xj = 3,45 m, b) max = +8,63 kV/cm, c) dBn = 0,603 m, d) UTOT = 0,900 V. Uputa: Maksimalna jakost elektrinog polja dobiva se integriranjem Poissonove jednadbe od
poznatog ruba barijere (xp = xj + dBp) do pn-spoja. Poloaj ruba barijere na n-strani dobiva se iz uvjeta da elektrino polje na rubovima barijere mora biti jednako nuli, odnosno da prostorni naboj na n-strani barijere mora biti po iznosu jednak prostornom naboju na p-strani barijere:
xj xn xp xj
N ( x ) dx = N ( x ) dx ,
gdje su xn = xj dBn i xp = xj + dBp koordinate rubova barijere na n- odnosno p-strani.
Zadatak 2.6
166
2.3. Barijerni kapacitet

Pri promjeni napona na pn-spoju mijenja se i irina osiromaenog podruja barijere, pa zbog toga dolazi i do promjene naboja ioniziranih primjesa unutar barijere. Ta promjena naboja s prikljuenim naponom oituje se kao barijerni kapacitet. Openito je S CB = , (2.31) dB pri emu je S povrina pn-spoja, dB je irina barijere, a je permitivnost poluvodia. Izraz (2.31) vrijedi uvijek, neovisno o obliku raspodjele primjesa oko pn-spoja.
Zadatak 2.8
Izvesti izraze za barijerni kapacitet za sluajeve kada je: a) raspodjela primjesa oko pn-spoja proizvoljna funkcija, b) pn-spoj skokovit, te c) pn-spoj linearno-postepen. Skicirati ovisnost barijernog kapaciteta o prikljuenom naponu za skokoviti pn-spoj iz zadatka 2.4, odnosno linearno-postepeni spoj iz zadatka 2.5, ako su povrine oba spoja S = 1 mm2. Rjeenje: a)
Pretpostavimo da je na diodu prikljuen neki napon U, pa je totalni napon U TOT = U K U . irina barijere pri tom naponu je dB , kako je prikazano na slici 2.13a. Raspodjela primjesa, odnosno gustoe prostornog naboja, je nekakva proizvoljna funkcija, prikazana na slici 2.13b. Prema Poissonovoj jednadbi d ( x ) ( x ) = , dx jakost elektrinog polja proporcionalna je obuhvaenom prostornom naboju, odnosno povrini ispod funkcije raspodjele prostornog naboja. Integracijom funkcije raspodjele prostornog naboja od referentne toke (u naem sluaju od ruba barijere na n-strani) ( x) = 1 ( x ) dx , x
n
(2.32)
dobit emo raspodjelu elektrinog polja (slika 2.13c). Poveamo li totalni napon na barijeri, barijera e se proiriti na dB + ddB (slika 2.13a). Zbog toga e se poveati obuhvaeni prostorni naboj u barijeri. Budui da se prirast irine barijere raspodjeljuje na prirast barijere na n-strani ddBn i na prirast barijere na p-strani ddBp , poveat e se i obuhvaeni naboj ioniziranih donora na n-strani barijere (za iznos dQn) i obuhvaeni naboj ioniziranih akceptora (dQp , vidi sliku 2.13b). Prirasti ovih naboja moraju biti meusobno jednaki po iznosu, jer u protivnom jakost elektrinog polja na rubovima barijere ne bi padala na nulu.
Zadatak 2.8
167
UTOT
n
UTOT + dUTOT dB dB + d dB
a)
d Qn S d Qp S xj d dBn dB d dBp
b)

dUTOT xn1 xn xj
dQ d = . S
xp xp1
c)
d
dUTOT xj x p x p1
x n1 x n
x
d)
Slika 2.13. Prikaz promjene prostornog naboja sa promjenom napona na barijeri.
Pojavio bi se viak pozitivnog ili negativnog naboja u barijeri. Barijera, gledana kao cjelina, ne bi bila elektriki neutralna i silnice elektrinog polja bi prolazile kroz zamiljenu plohu koja obuhvaa podruje barijere. Budui da je do prirasta naboja dolo samo uz rubove barijere, prirast jakosti elektrinog polja svugdje unutar poetne barijere bit e isti (oznaen kao d na slici 2.13c). Prirast pozitivnog naboja ioniziranih donora na jednom kraju barijere poveat e broj silnica elektrinog polja koje iz tog naboja izviru, ali sve te silnice poniru na novonastalom negativnom naboju ioniziranih akceptora na
ddBp
dB
ddBn
Slika 2.14. Prirast elektrinog polja pri proirenju barijere.
Zadatak 2.8
168
suprotnom kraju barijere (slika 2.14). Matematiki gledano, u izrazu (2.32), podintegralna funkcija je ostala nepromijenjena, samo se promijenila donja granica integracije, tj.
( x) = 1 1 n 1 ( x ) dx = ( x ) dx + ( x ) dx x x x
n1 n1 n
to rezultira prirastom elektrinog polja za konstantan iznos za sve x iz intervala xn , xp . Prirast elektrinog polja unutar barijere bit e, prema tome d dQ d = = , (2.33) S gdje je dQ = dQn = dQp prirast naboja ioniziranih primjesa u barijeri, a S je povrina poprenog presjeka barijere. Budui da je po definiciji
d dU dU TOT = = , dx dx dx razlika potencijala izmeu rubova barijere dobiva se integracijom raspodjele elektrinog polja =
xp
U TOT = ( x ) dx ,
xn
to odgovara povrini ispod funkcije raspodjele elektrinog polja. Prirast totalnog napona bit e proporcionalan prirastu te povrine
x p1
dU TOT =
x n1
d ( x) dx ,
tj. povrini ispod funkcije raspodjele prirasta elektrinog polja d, prikazanoj na slici 2.13d. Kao to vidimo na slici, gornji integral se moe razbiti na tri integrala
xn xp x p1
dU TOT =
x n1
d ( x) dx + d ( x) dx +
xn
xp
d ( x) dx .
od kojih se prvi i trei integral mogu zanemariti, a kako je d u drugom integralu konstantan, moemo pisati da je dQ dU TOT = d B d = d B , (2.34) S pa je barijerni kapacitet dQ S CB = = . dU TOT dB
b)
Kod skokovitog pn-spoja, prirast naboja ioniziranih primjesa proporcionalan je prirastu irine barijere, jer je koncentracija primjesa konstantna. Tako e prirast naboja ioniziranih donora biti (2.35) dQ = S q N D dd Bn , gdje je ddBn prirast barijere na n-strani spoja. Kako je irina barijere na n-strani
Zadatak 2.8
169
d Bn = d B prirast dd Bn =
NA , N A + ND (2.36)
NA dd B N A + ND
je proporcionalan prirastu ukupne irine barijere. Budui da je irina barijere za skokoviti pn-spoj dB = 2 N A + ND U TOT , q N A ND
prirast irine barijere zbog prirasta napona bit e dd B = 2 N A + ND 1 (U TOT ) 1 2 dU TOT . q N A ND 2 (2.37)
Uvrstimo li (2.37) u (2.36), a zatim dobiveni izraz u (2.35) dobit emo da je dQ = S q iz ega slijedi da je CB = N ND dQ 2 N A + ND 1 = S q A (U TOT ) 1 2 = dU TOT N A + ND q N A ND 2 = N A ND 2 N A + ND 1 (U TOT ) 1 2 dU TOT , NA + ND q N A ND 2
S
2 N A + ND U TOT q N A ND
Nazivnik posljednjeg izraza upravo je jednak irini barijere, to znai da je ovaj izraz istovjetan izrazu (2.31). Iako smo raunali s totalnim naponom, isti rezultat se dobiva i za vanjski napon, jer je promjena totalnog napona jednaka promjeni vanjskog napona, samo suprotnog predznaka. U tablici 2.3 date su vrijednosti barijernog kapaciteta za nekoliko vrijednosti vanjskog napona, a na slici 2.15a nacrtana je funkcija ovisnosti barijernog kapaciteta o vanjskom naponu. Prema velikim reverznim naponima irina barijere raste, a barijerni kapacitet tei nuli. Maksimalna vrijednost reverznog napona ograniena je pojavom proboja u barijeri. Pri propusnoj polarizaciji barijera se suava, pa barijerni kapacitet raste. Prema navedenoj jednostavnoj teoriji, kod propusnog napona U = UK , irina barijere trebala bi biti jednaka nuli (UTOT = 0!), a barijerni kapacitet bi trebao teiti u beskonanost. Ovakvu polarizaciju u stvarnosti nije mogue ostvariti, jer kada je irina barijere jako mala i visina potencijalne barijere za veinske nosioce je mala. Struja kroz diodu bi u tom sluaju bila tako velika da bi uzrokovala pregrijavanje i unitenje diode (vidi poglavlje 2.4. Strujnonaponske karakteristike). Kao to je spomenuto u prethodnom poglavlju, kod stvarnih pn-spojeva irina prijelaznog podruja izmeu barijere i kvazineutralnog
Tablica 2.3. Barijerni kapaciteti skokovitog pn-spoja.
U V 30 20 10 5 2 1 0 0,2 0,4 0,6
dB m 6,42 5,27 3,79 2,76 1,90 1,50 0,955 0,802 0,613 0,327
CB pF 16,4 10,0 27,8 38,2 55,6 70,2 110 131 172 322
Zadatak 2.8
170
4 .10 3 200
CB pF
100 0 30 20
a)
1 pF
10 0
2 / CB 2
3 .10 3 2 .10 3 103 0 UK 1
5 4 3 2 1 0
U/V
b)
U/V
Slika 2.15. Naponska ovisnost barijernog kapaciteta skokovitog pn-spoja.
podruja je pri propusnim polarizacijama usporediva sa irinom barijere, pa to uzrokuje odstupanje stvarnih od teorijskih rezultata [Morgan60, Chawla71]. Meutim, kako kod veih napona propusne polarizacije prevladava difuzijski kapacitet koji postoji zbog nakrcanog naboja manjinskih nosilaca uz rubove barijere, utjecaj barijernog kapaciteta pri propusnim polarizacijama redovito se moe zanemariti. Na slici 2.15b prikazana je ovisnost kvadrata reciprone vrijednosti barijernog kapaciteta o prikljuenom naponu
1
2 CB
2 q S2
NA + ND U TOT . NA ND
(2.38)
Ona je proporcionalna totalnom naponu na barijeri, pa je graf funkcije (2.38) pravac. Nagib tog pravca ovisi o koncentraciji primjesa, a presjecite pravca s naponskom osi nalazi se kod vanjskog napona U = UK . Koncentracija primjesa na n-strani zadanog skokovitog pn-spoja je znatno vea od koncentracije primjesa na p-strani, pa se praktino cijela barijera iri na slabije dopiranu p> stranu - radi se o jednostranoj barijeri. Kako je u (2.38) ND > NA, moemo pisati da je 1 2 1 = U TOT , (2.39) 2 CB q S 2 N A tj. nagib pravca ovisi izravno o koncentraciji primjesa slabije dopirane strane skokovitog pnspoja. Kako je kod veina stvarnih raspodjela primjesa u poluvodiima koncentracija primjesa jedne strane puno vea od koncentracije primjesa druge strane, izraz (2.39) nam omoguuje da na temelju izmjerenih vrijednosti barijernog kapaciteta odredimo koncentraciju primjesa na slabije dopiranoj strani. tovie, izraz (2.39) vrijedi i kad koncentracija na slabije dopiranoj strani nije konstantna ve se mijenja s dubinom poluvodia, s time da tada graf funkcije (2.39) vie nije pravac ve krivulja iji oblik ovisi o raspodjeli primjesa [Hilibrand60]. Da bi se izbjegla potreba za kontaktnim potencijalom u (2.39), on se derivira po naponu (podsjetimo se da je promjena totalnog napona jednaka promjeni prikljuenog vanjskog napona, samo suprotnog predznaka)
d 1 2 1 2 = , dU CB q S 2 N A (d B )
pri emu je sada koncentracija akceptora uzeta kao funkcija prostorne koordinate, odnosno irine barijere. Iz ovog izraza slijedi da je
Zadatak 2.8
171
N A (d B ) =
2 q S2 d dU
1 , 1 2 CB
dok irinu barijere moemo odrediti izravno iz barijernog kapaciteta S dB = . CB Naravno, mjerenja barijernog kapaciteta se moraju provesti pri reverznim naponima da bi se izbjegao utjecaj difuzijskog kapaciteta. Vrijednost kontaktnog potencijala takoer se moe odrediti mjerenjem barijernog kapaciteta, tako da se mjerni podaci za reverzne napone ekstrapoliraju u podruje propusne polarizacije i da se nae presjecite ekstrapolirane krivulje s osi apscise.
c)
Naboj ioniziranih primjesa u n-strani barijere linearno-postepenog pn-spoja proporcionalan je povrini ispod pravca raspodjele prostornog naboja s koeficijentom smjera a, od pn-spoja do ruba barijere na n-strani dBn , Q = S qa
2 d Bn . 2
Prirast naboja pri promjeni irine barijere bit e dQ = S q a d Bn dd Bn .
(2.40)
Prirast irine barijere ddBn izazvan je prirastom napona dUTOT . Iz izraza za irinu barijere linearno-postepenog spoja dB = 3 12 3 U TOT , qa
dobiva se prirast irine barijere na n-strani spoja 1 12 1 d 1 dd Bn = d B = dd B = 3 (U TOT ) 2 3 dU TOT . 2 2 q a 3 2 Uvrtavanjem u (2.40), dobiva se
1 12 1 1 CB = S q a 3 = 2 q a 3 3 U TOT
=
3
2
(2.41)
S 12 3 U TOT qa
Kako nazivnik ovog izraza odgovara irini barijere, slijedi da smo opet dobili izraz (2.31). Moemo zakljuiti da taj izraz vrijedi neovisno o obliku raspodjele primjesa oko pn-spoja. Prema (2.31) barijerni kapacitet jednak je kapacitetu ploastog kondenzatora koji ima povrinu jednaku povrini poprenog presjeka barijere, razmak ploa jednak irini barijere, a dielektrik izmeu ploa ima istu permitivnost kao i poluvodi. Ovo je samo matematika analogija, budui da se kod ploastog kondenzatora mijenja naboj na ploama kondenzatora, dok se kod barijere mijenja obuhvaeni naboj ioniziranih primjesa unutar barijere.
Zadatak 2.8
172 Tablica 2.4. Barijerni kapaciteti linearno-postepenog pnspoja.
U tablici 2.4 navedene su brojane vrijednosti irine barijere i barijernog kapaciteta za razliite prikljuene napone, na temelju kojih su nacrtani dijagrami na slici 2.16. Opet se treba podsjetiti da su izrazi u zadatku izvedeni uz pretpostavku skokovitog prijelaza iz osiromaenog u kvazineutralno podruje. irina prijelaznog podruja odreena je ekstrinsinom Debyevom duljinom koja je pri propusnim polarizacijama pn-spoja usporediva s irinama barijera. Zbog toga bi pri proraunu barijernog kapaciteta za propusne polarizacije trebalo provesti korekciju (vidi npr. [Sze81]). Takoer, ekstrapolirano presjecite s osi apscise na 1/CB2 - U dijagramu u tom sluaju ne odgovara kontaktnom potencijalu [Chawla71]. Odstupanja od jednostavne teorije su naroito izraena kod linearno-postepenih spojeva, odnosno spojeva sa slinom raspodjelom primjesa (npr. difundirani pn-spojevi). Kod veih reverznih napona irina barijere je obino puno vea od Debyeve duljine, pa su navedeni izrazi dovoljno toni.
4 .10 3
U V 30 20 10 5 2 1 0 0,2 0,4 0,5 0,6
dB m 3,64 3,19 2,56 2,07 1,61 1,37 0,996 0,876 0,709 0,583 0,344
CB pF 28,9 33,0 41,2 50,9 65,6 77,0 106 120 149 181 307
200
CB pF
100 0 30
1 pF
20
a)
2 / CB 2
3 .10 3 2 .10 3 103 0 UK 1
10
5 4 3 2 1 0
U/V
U/V
b)
Slika 2.16. Naponska ovisnost barijernog kapaciteta linearno-postepenog pn-spoja.
Zadatak 2.9*
Odrediti oblik raspodjele primjesa u pn-diodi koji e dati najveu promjenu barijernog kapaciteta s prikljuenim naponom. Pretpostaviti funkciju raspodjele primjesa oblika
N ( x) = a xb .
Rjeenje:
Svojstvo barijernog kapaciteta pn-spoja koristi se kod kapacitivnih dioda (koristi se i naziv varikap dioda, od engl. variable capacitance). Za razliku do klasinih promjenjivih kondenzatora kod kojih se promjena kapaciteta dobiva mehanikim zakretanjem - uvlaenjem ploa kondenzatora, kod varikap dioda kapacitet se mijenja promjenom istosmjernog napona reverzne polarizacije na diodi. Ako je takva dioda spojena u seriju sa zavojnicom, promjenom istosmjernog
Zadatak 2.9
173
napona mijenjat emo rezonantnu frekvenciju tog serijskog titrajnog kuta. Dioda mora biti reverzno polarizirana da bi struja kroz nju bila zanemariva. Poeljno je da promjena kapaciteta varikap diode s promjenom napona bude to vea [Norwood68]. Za skokoviti pn-spoj dobili smo da je
C B = konst (U TOT ) 1 2 ,
iz ega se, nakon logaritmiranja, dobiva diferencijal dC B dU TOT 1 dU TOT = = K . CB U TOT 2 U TOT Slino, za linearno-postepeni pn-spoj
C B = konst (U TOT ) 1 3 ,
(2.42)
pa je dC B dU TOT 1 dU TOT = = K . CB U TOT 3 U TOT (2.43)
Kao to vidimo, izrazi (2.42) i (2.43), koji iskazuju relativnu promjenu kapaciteta za neku relativnu promjenu napona, razlikuju se samo u faktorima K = 1/2 odnosno K = 1/3 na desnim stranama (negativan predznak znai samo da se poveanjem totalnog napona kapacitet smanjuje). Budui da je za diodu sa skokovitim pn-spojem taj faktor vei, moemo zakljuiti da e se takva dioda prije koristiti ND NA kao promjenjivi kapacitet. Razmotrimo sada openiti sluaj diode u kojoj je raspodjela neto koncentracije primjesa opisana funkcijom
N = a xb . (2.44) Radi jednostavnosti pretpostavit emo da se radi o jednostranoj diodi koja ima p-stranu puno jae dopiranu od n-strane (slika 2.17). Zbog toga e se sva barijera iriti gotovo iskljuivo na slabije dopiranu n-stranu, pa e raspodjela primjesa na toj strani (opisana funkcijom (2.44)) odreivati oblik funkcije barijernog kapaciteta o naponu. Ishodite koordinatnog sustava postavit emo na mjesto pn-spoja.
a .x
dB
NA
Slika 2.17. Raspodjela primjesa u jednostranom pn-spoju.
Integracijom Poissonove jednadbe na n-strani barijere

d 2
2
dx dx 2 dobit emo raspodjelu elektrinog polja
d 2U TOT
q a xb .
(2.45)
=
x b +1 d q = a + C1 . b +1 dx
(2.46)
Konstantu integracije C1 moemo odrediti iz rubnog uvjeta da je jakost elektrinog polja na nstrani ruba barijere jednaka nuli. Budui da se cijela barijera iri na n-stranu, rub barijere na nstrani nalazit e se na mjestu x = dB , pa je (x = d B ) = 0 . Uvrtavanjem ovog rubnog uvjeta u (2.46) dobivamo konstantu integracije
Zadatak 2.9
174
b d B+1 , b +1 pa je raspodjela elektrinog polja na n-strani barijere q a b = ( x b +1 d B+1 ) . b +1
C1 =
(2.46a)
Integracijom raspodjele elektrinog polja dobiva se raspodjela potencijala
q a x b+ 2 b d B+1 x + C2 . b +1 b + 2
(2.47)
irenje barijere na p-stranu je zanemarivo, te moemo zanemariti pad napona na p-strani barijere. Zato moemo, uz pretpostavku da je p-strana barijere na referentnom potencijalu, pisati da je (0) = 0 , iz ega slijedi da je konstanta C2 = 0. Drugi kraj barijere bit e na potencijalu (d B ) = U TOT , to nam, uvrtavanjem u (2.47) daje vezu izmeu napona i irine barijere
U TOT = d b+2 q a B , b+2
1
odnosno
b+2 b+2 dB = U TOT . q a
(2.48)
Barijerni kapacitet je openito odreen izrazom (2.31) S CB = . dB Logaritmiranjem tog izraza, te uvrtavanjem irine barijere prema izrazu (2.48), dobiva se
ln(C B ) = ln( S ) ln(d B ) = ln( S )
b+2 1 ln U TOT . b+2 q a
Diferenciranjem dobivamo traenu promjenu barijernog kapaciteta s naponom dC B dU TOT 1 dU TOT = = K . CB b + 2 U TOT U TOT
(2.49)
Za skokoviti pn-spoj koncentracija primjesa na n-strani je konstantna, pa je b = 0, dok za linearno-postepeni spoj koncentracija linearno raste udaljavanjem od spoja, pa je b = 1. Prema (2.49), za to veu relativnu promjenu kapaciteta s naponom faktor K mora biti to vei, odnosno potencija b u izrazu za neto koncentraciju primjesa (2.44) to blia 2. Raspodjele primjesa koje se pribliavaju takvoj raspodjeli nazivaju se hiper-strme raspodjele (engl. hyper-abrupt), a mogu se dobiti nizom uzastopnih ionskih implantacija s razliitim energijama implantacija.
Zadatak 2.9
175
Zadatak 2.10
Na slici 2.18 prikazana je funkcijska ovisnost kapaciteta o prikljuenom naponu za neki jednostrani skokoviti pn-spoj povrine 2 mm2. Odredite: a) kontaktni potencijal spoja, b) koncentraciju primjesa na slabije dopiranoj strani, c) maksimalno polje u barijeri za obje radne toke prikazane na slici. Rjeenja: a) UK = 0,667 V, b) N = 4,941015 cm3,
c) max(U = 5 V) = 92,2 kV/cm, max(U = 10 V) = 127 kV/cm,
1 2 CB
64 .10 18 F
18 34 .10 F
U/V
10 5
Slika 2.18. Ovisnost barijernog kapaciteta o naponu za diodu u zadatku 2.10.
Zadatak 2.11
Na nekoj silicijskoj diodi s linearno-postepenim pn-spojem je kod reverznog napona od 20 V izmjeren barijerni kapacitet iznosa 5 pF. Izraunajte kontaktni potencijal tog pnspoja, te maksimalno elektrino polje u barijeri (pretpostavite da je prikljueni napon po iznosu puno vei od kontaktnog potencijala). Povrina spoja je 0,1 mm2, T = 300 K.
Rjeenja: UK = 0,668 V, max = 141 kV/cm.
Zadatak 2.11
176
2.4. Strujno-naponske karakteristike

2.4.1. Shockleyeva jednadba Strujno-naponska karakteristika idealnog pn-spoja opisana je Shockleyevom jednadbom [Shockley49]
U I = I S exp (2.50) 1 , UT gdje je IS reverzna struja zasienja pn-spoja. Za diodu kojoj su efektivne duljine obiju strana puno vee od difuzijskih duljina nosilaca reverzna struja zasienja moe se raunati kao n0 p Dn p0n D p , IS = S q + L Lp n (2.51)
pri emu je S povrina pn-spoja, n0p i p0n su ravnotene koncentracije manjinskih nosilaca, a Dn , Dp , Ln i Lp su njihove difuzijske konstante, odnosno difuzijske duljine. Ako su efektivne duljine obiju strana diode puno manje od pripadnih difuzijskih duljina manjinskih nosilaca, tada reverznu struju zasienja moemo raunati kao n0 p Dn p0n D p . IS = S q + w wn p (2.52)
wp i wn su efektivne irine p-, odnosno n-strane spoja. One su jednake udaljenostima pnspoja od vanjskih prikljunica umanjenima za irine barijera na pripadnim stranama. Strujno-naponske karakteristike stvarnih dioda redovito odstupaju od Shockleyeve jednadbe. Ta odstupanja obino se ukljuuju u Shockleyevu jednadbu preko dodatnog empirikog parametra m U I = I S exp (2.53) 1 . m U T Vrijednost parametra m ovisi o diodi. Teoretski, njegov iznos se kree izmeu 1 i 2 , tj. 1 m 2 , s time da za neku diodu on nije konstantan, ve se mijenja ovisno o poloaju radne toke, odnosno o iznosu struje kroz diodu. Na primjer, dok je za srednje razine struja, kada je dioda u reimu niske injekcije m = 1, u reimu visoke injekcije m = 2.
177
Zadatak 2.12
Izvesti Shockleyevu jednadbu za diodu kojoj su geometrijske dimenzije obiju strana puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca.
Rjeenje:
Da bismo odredili strujno-naponsku karakteristiku pn-spoja razmotrimo prethodno to se dogaa s raspodjelama nosilaca prilikom promjene napona na diodi. U ravnotenim uvjetima elektrino polje u barijeri koje nastaje zbog naboja ioniziranih primjesa i iji smjer je od n-strane prema p-strani spoja, upravo je toliko da spreava difuziju veinskih nosilaca - elektrona s nstrane na p-stranu, odnosno upljina s p-strane na n-stranu. Iako u ravnotenim uvjetima nema struje, ako struju prema transportnim jednadbama rastavimo na difuzijsku i driftnu komponentu, moemo uzeti da driftna struja manjinskih nosilaca kroz pn-barijeru (InS , odnosno IpS na slici 2.19a) ponitava difuzijsku struju veinskih nosilaca (Idn , odnosno Idp). U energetskom dijagramu na slici 2.19a ucrtane su funkcije raspodjela veinskih i manjinskih nosilaca po energijama. Tamnije sjenana podruja ispod funkcija raspodjela veinskih nosilaca odgovaraju koncentracijama nosilaca koji imaju dovoljnu kinetiku energiju da savladaju elektrino polje u barijeri (odnosno potencijalnu barijeru qUK) i prijeu na drugu stranu barijere. Narinemo li na diodu napon propusne polarizacije, tj. ako p-stranu spoja spojimo na vii potencijal od n-strane, uzrokovat emo elektrino polje koje e imati smjer od p- prema n-strani diode. Zbog suprotnog smjera, to e vanjsko polje oslabiti polje u barijeri, pa e porasti broj veinskih nosilaca koji difuzijom prelaze na drugu stranu spoja. U energetskom dijagramu slabljenje elektrinog polja u barijeri odraava se u smanjenoj potencijalnoj barijeri, kako je prikazano na slici 2.19b. Na slici uoavamo porast tamnijih povrina ispod funkcija raspodjela veinskih nosilaca u odnosu na ravnoteno stanje, to odgovara porastu broja nosilaca s energijom dovoljnom da savladaju potencijalnu barijeru. Valja naglasiti da su funkcije raspodjela veinskih i manjinskih nosilaca na slici 2.19 radi preglednosti nacrtane neproporcionalno. Ovako velike koncentracije manjinskih nosilaca prema koncentraciji veinskih nosilaca postoje samo u poluvodiu koji je gotovo intrinsian. U stvarnosti su koncentracije nosilaca koji prelaze barijeru redovito zanemarive u odnosu na ukupnu koncentraciju veinskih nosilaca. Dakle, pri propusnoj polarizaciji poveat e se broj veinskih nosilaca koji difuzijom prelaze na drugu stranu spoja. Nosioci koji uspiju proi kroz barijeru, nai e se na suprotnoj strani barijere kao manjinski nosioci - zbog toga govorimo o injekciji manjinskih nosilaca (vidi sliku 2.20a). Injektirani nosioci e poveati koncentraciju manjinskih nosilaca uz rub barijere (np0 , odnosno pn0 na slici 2.20b) iznad ravnotene koncentracije, pa e doi do difuzije nosilaca od barijere prema volumenu te strane spoja, gdje je koncentracija nosilaca jednaka ravnotenoj (n0p , odnosno p0n). Tijekom te difuzije, nosioci se rekombiniraju s veinskim nosiocima, tako da njihova koncentracija opada udaljavanjem od barijere i postupno tei ravnotenoj koncentraciji. Pri reverznoj polarizaciji pn-spoja, kada je n-strana spojena na pozitivniji potencijal od pstrane, vanjsko elektrino polje potpomae elektrino polje unutar barijere - potencijalna barijera u energetskom dijagramu e narasti (slika 2.19c). Stoga e se smanjiti broj veinskih nosilaca koji bi difuzijom preao na suprotnu stranu spoja. Ve kod relativno malih reverznih napona broj veinskih nosilaca koji uspijevaju savladati barijeru bit e zanemariv, pa e kroz pn-spoj prolaziti samo manjinski nosioci koje je zahvatilo polje unutar barijere. Ti nosioci e se na drugoj strani barijere izgubiti u visokoj koncentraciji istovrsnih veinskih nosilaca.
Zadatak 2.12
178
p
n0p EF p0p Idp IpS InS Idn q .UK n0n
p0n
Ec EFi Ev
a)
InS
Idn q .UTOT Ec EFi Ev
EF Idp IpS
b)
InS
Idn q .UTOT
EF
Ec EFi Ev
c)
Idp
IpS
Slika 2.19. Energetski dijagram i raspodjele nosilaca po energijama: a) pn-spoj u ravnotei, b) propusna polarizacija, c) reverzna polarizacija [Juzbai75].
Budui da polje u barijeri izvlai manjinske nosioce iz kvazineutralnih podruja izvan barijere, uz rubove barijere e nastati manjak manjinskih nosilaca, tj. njihova koncentracija e se smanjiti ispod ravnotene (vidi sliku 2.21). Difuzijom iz volumena pripadajuih strana, gdje je koncentracija manjinskih nosilaca jednaka ravnotenoj, te pojaanom generacijom parova elektron-upljina nastojat e se nadoknaditi taj manjak nosilaca uz rubove barijere. Kao to emo kasnije vidjeti, upravo ova dva spomenuta mehanizma, a ne brzina prolaska nosilaca kroz barijeru, ograniavaju struju kroz reverzno polariziranu diodu. Iz gornjeg opisa moe se naslutiti da se manjinski nosioci izvan barijere uglavnom gibaju difuzijom. Pretpostavimo da je elektrino polje koje uzrokuje vanjski napon izvan barijere dovoljno slabo da se driftna komponenta struje manjinskih nosilaca moe zanemariti (vidi zadatak 1.42). U tom sluaju svi injektirani manjinski nosioci udaljavat e se od barijere (u sluaju
Zadatak 2.12
179
rekombinacija elektrona s veinskim upljinama
difuzija elektrona od barijere
injekcija elektrona
struja elektrona
p n
struja upljina rekombinacija upljina s elektronima
injekcija upljina
difuzija upljina od barijere
a)
np
np0
pn
n0p pn0 p0n xp xn
b)
Slika 2.20. Propusno polarizirani pn-spoj: a) simboliki prikaz injekcije [Valk91], b) raspodjele manjinskih nosilaca.
propusne polarizacije), odnosno pribliavati barijeri (u sluaju reverzne polarizacije) iskljuivo difuzijom. Difuzijske struje manjinskih nosilaca su najvee uz rubove barijere, jer su i odstupanja od ravnotenih koncentracija, a time i gradijenti koncentracija tamo najvei (vidi slike 2.20b i 2.21b). Kako struja manjinskih nosilaca mora ujedno proi i kroz pn-spoj, moemo zakljuiti da struja kroz pn-spoj mora biti jednaka difuzijskoj struji manjinskih nosilaca uz rubove barijere. Udaljavanjem od barijere difuzijska struja manjinskih nosilaca opada, a budui da ukupna struja kroz popreni presjek diode na bilo kojem mjestu mora biti ista, te istovremeno jednaka vanjskoj struji kroz diodu, slijedi da udaljavanjem od barijere struju preuzimaju veinski nosioci. Prema tome, odredimo li difuzijske struje manjinskih nosilaca uz rubove barijere, znat emo kolika je ukupna struja kroz pn-spoj. Da bismo izveli strujno-naponsku karakteristiku pn-spoja trebamo:
Zadatak 2.12
180
driftno gibanje manjinskih elektrona kroz barijeru difuzija manjinskih elektrona prema barijeri
generacija parova elektron-upljina
driftno gibanje manjinskih upljina kroz barijeru difuzija manjinskih upljina prema barijeri
a)
np
pn
n0p np0 pn0 xp xn p0n
x
b)
Slika 2.21. Reverzno polarizirani pn-spoj: a) izvlaenje manjinskih nosilaca [Valk91], b) raspodjele manjinskih nosilaca.
a) rijeiti jednadbe kontinuiteta za manjinske elektrone, odnosno upljine, da bismo dobili raspodjele nosilaca, iz kojih se mogu odrediti struje u diodi. b) definirati rubne uvjete. Jednadbe kontinuiteta su diferencijalne jednadbe ija rjeenja ovise o rubnim uvjetima - koncentracijama nosilaca na granicama promatranih podruja. Kako elimo struje kroz diode izraziti preko napona, moramo rubne koncentracije izraziti preko prikljuenog napona. c) odrediti difuzijske struje manjinskih nosilaca iz dobivenih raspodjela.
Radi preglednosti, cijeli izvod emo razdvojiti prema gornjim tokama. U izvodu strujnonaponske karakteristike idealne pn-diode uvode se slijedee pretpostavke [Shockley49, Shockley50]:
Zadatak 2.12
181
1. funkcija raspodjele koncentracija veinskih nosilaca na prijelazu iz podruja barijere u kvazineutralna podruja izvan barijere je skokovita, to znai da je cjelokupni pad napona na samoj barijeri, dok su podruja izvan barijere elektriki neutralna i u njima nema pada napona, 2. vrijedi Maxwell-Boltzmannova statistika za raspodjele nosilaca po energijama, 3. dioda radi u reimu niske injekcije, tj. koncentracija injektiranih manjinskih nosilaca svugdje je puno manja od koncentracije veinskih nosilaca, 4. ne postoji generacija niti rekombinacija nosilaca unutar barijere, to znai da su gustoe struja elektrona, odnosno upljina, konstantne svugdje unutar barijere. Odnosno, svi nosioci koji krenu kroz barijeru, stii e do njene druge strane. Ove pretpostavke su neophodne da bi se dobivena strujno-naponska karakteristika mogla izraziti analitikim funkcijama.
a)
Jednadba kontinuiteta manjinskih upljina na n-strani za jednodimenzionalni sluaj glasi pn p p0n p 2 pn = n pn p p n + Dp . t x x p x2 (2.54)
Ovaj je oblik jednadbe kontinuiteta dobiven uvrtavanjem transportne jednadbe za elektrone. Budui da izvan barijere nema elektrinog polja, drugi i trei pribrojnik na desnoj strani (2.54) jednaki su nuli. U stacionarnim uvjetima, kada je na diodu prikljuen samo istosmjerni napon, nema vremenske promjene raspodjele nosilaca ( pn / t = 0 ), pa je lijeva strana jednadbe jednaka nuli. Prema tome, (2.54) u ovom sluaju moemo napisati kao
d 2 pn dx 2 p n p 0n = 0. Dp p
(2.55)
Ope rjeenje ove nehomogene linearne diferencijalne jednadbe je oblika (vidi zadatak 1.44 u poglavlju 1.7.3 Jednadbe kontinuiteta) x x pn ( x ) = C1 exp L + C2 exp L + p0n , p p gdje je
Lp = Dp p
difuzijska duljina manjinskih upljina. Konstante integracije C1 i C2 odredit emo iz rubnih uvjeta. Zbog injekcije s p-strane poveat e se koncentracija manjinskih upljina uz rub barijere na n-strani spoja (x = xn) na neku vrijednost pn0 (slika 2.22). Ovaj lokalni porast koncentracije pozitivnih nosilaca iznad ravnotene vrijednosti privui e veinske elektrone, koji e nastojati ponititi pozitivni naboj injektiranih upljina. Prirast koncentracije veinskih elektrona po iznosu je jednak prirastu koncentracije injektiranih upljina p n 0 p 0n = n n 0 n 0 n ,
Preciznije reeno, zbog pretpostavke niske injekcije elektrino polje izvan barijere je dovoljno slabo da nema utjecaja na raspodjelu manjinskih nosilaca (vidi zadatak 1.42 u poglavlju 1.7.2. Transportne jednadbe).
Zadatak 2.12
182
p
pp0
log( p )
n
p(x) za U > 0
p(x) za U = 0 xp 0
pn0 xn
p0n
difuzijsko gibanje upljina kroz barijeru
driftno gibanje upljina kroz barijeru
Slika 2.22. Raspodjela upljina oko barijere pri propusnoj polarizaciji.
jer sustav nastoji odrati elektriku neutralnost. Meutim, kako je koncentracija veinskih nosilaca puno vea od koncentracije manjinskih nosilaca, njen relativni prirast u uvjetima niske injekcije je zanemariv (nn0 = n0n). Koncentracija upljina poveala se iznad ravnotene, te e one difundirati od ruba barijere u volumen n-tipa poluvodia. Zbog poremeene termodinamike ravnotee (np > n2) pojaana je rekombinacija i upljina s veinskim elektronima, pa udaljavanjem od ruba barijere koncentracija upljina pada i tei ravnotenoj koncentraciji. Ako je irina n-strane puno vea od difuzijske duljine upljina, sve injektirane upljine e se rekombinirati prije nego to stignu do vanjske prikljunice. Dobili smo dakle dva rubna uvjeta: pn = pn 0 , za x = x n ,
pn = p0n , za x .
Iz drugog rubnog uvjeta slijedi da je C1 = 0. Prvi rubni uvjet definiran je za x = xn , pa treba translatirati koordinatni sustav. Konano rjeenje bit e x xn . pn ( x ) = p0n + ( pn 0 p0n ) exp Lp (2.56)
Pretpostavili smo da izvan barijere nema elektrinog polja, zbog ega se manjinski nosioci gibaju iskljuivo difuzijom od ruba barijere u volumen kvazineutralnog podruja. Ako nema niti rekombinacije niti generacije nosilaca u barijeri, ukupna struja upljina kroz pn-spoj (a time i ukupna struja upljina kroz diodu) jednaka je difuzijskoj struji manjinskih upljina na n-strani uz rub barijere. Tu struju moemo izraunati deriviranjem funkcije raspodjele (2.56) po prostornoj koordinati. Prije toga, izrazit emo koncentraciju nosilaca uz rub barijere pn0 kao funkciju prikljuenog napona.
b)
Ako je zadovoljena pretpostavka da je podruje izvan barijere elektriki neutralno, sav prikljueni vanjski napon propusne polarizacije raspodijelit e se na podruje barijere, uzrokujui smanjenje potencijalne barijere, odnosno izravnavanje energetskog dijagrama (vidi sliku 2.19). Znaajno je uoiti da e pri tome doi do porasta energija veinskih nosilaca u odnosu na ravnoteno stanje kada je U = 0 . Taj porast je, ako vrijedi Maxwell-Boltzmannova raspodjela, proporcionalan s E U exp = exp . ET UT Za oekivati je da e se zbog toga i broj veinskih nosilaca koji prelaze potencijalnu barijeru poveati eksponencijalno s prirastom napona, pa e se eksponencijalno poveati i koncentracija istovrsnih manjinskih nosilaca na suprotnoj strani barijere. Da bismo dobili toan izraz, razmotrimo energetski dijagram i raspodjele potencijala oko pnspoja u ravnotei, te kada je na spoj prikljuen napon. Na slici 2.23a nacrtani su energetski
Zadatak 2.12
183
Ec E Fi EF Ev
Ec EFi EF Ev
q .U
,
UTOT
n n = p =
,
U U
n
UTOT
p n
x
a) b)
Slika 2.23. Energetski dijagram, te raspodjele elektrostatskih i kvazi-Fermijevih potencijala pndiode: a) stanje ravnotee, b) propusna polarizacija [Shockley49, Nanavati63].
dijagram i raspodjele potencijala u stanju ravnotee. U ravnotenim uvjetima koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca su svugdje izvan barijere jednake ravnotenim koncentracijama, pa se kvazi-Fermijevi potencijali za elektrone i upljine n n = U T ln , n0 p p = + U T ln , p0 poklapaju s Fermijevim potencijalom. Razlika potencijala izmeu p- i n-strane spoja (odnosno totalni napon na pn-spoju) u ravnotei jednaka je kontaktnom potencijalu i odreena je ravnotenim koncentracijama veinskih nosilaca uz rubove barijere
n 0 n p0 p . U K = U T ln 2 ni
(2.57a)
(2.57b)
(2.58)
Prikljuivanjem vanjskog napona U dolazi do savijanja energetskog pojasa za iznos qU, kao to je prikazano na slici 2.23b. Zbog toga e se promijeniti visina potencijalne barijere qUTOT za iznos prikljuenog napona (2.59) U TOT = U K U . Razlika elektrostatskih potencijala izmeu dviju toaka u poluvodiu odreena je omjerima koncentracija nosilaca. U naem sluaju, traimo razliku potencijala izmeu obaju rubova barijere, pa moemo pisati da je n U TOT = U T ln n 0 , n p0 (2.60a)
Zadatak 2.12
184
p p0 . U TOT = U T ln pn 0
(2.60b)
Uvrtavanjem (2.58) i (2.60a) u (2.59), nakon sreivanja emo dobiti nn 0 n 0 n p0 p n p 0 n 0 n p0 p . U = U K U TOT = U T ln n 2 U T ln n = U T ln n 2 n p0 i n0 i (2.61)
Na n-strani spoja elektroni su veinski nosioci. Sve dok je zadovoljen uvjet niske injekcije, tj. dok je relativan prirast koncentracije veinskih nosilaca zanemariv, koncentracija veinskih elektrona uz rub barijere na n-strani spoja bit e praktiki jednaka njihovoj ravnotenoj koncentraciji, tj. n n 0 = n0 n , pa se mogu pokratiti odgovarajui lanovi u (2.61), tako da se dobije
p0 p n p 0 . U = U T ln 2 ni
(2.62)
Primjenom zakona termodinamike ravnotee za nosioce na p-strani spoja
ni2 = p0 p n0 p ,
nakon kraenja, izraz (2.62) prelazi u n p0 U = U T ln n , 0p odnosno, u Boltzmannovu relaciju za manjinske elektrone na p-strani barijere U n p 0 = n0 p exp . UT
(2.63)
(2.64a)
Na slian nain, pomou izraza (2.60b), dobili bismo Boltzmannovu relaciju za manjinske upljine na n-strani U pn 0 = p0n exp . UT (2.64b)
Prema Boltzmannovim relacijama, koncentracije injektiranih manjinskih nosilaca uz rub barijere rastu eksponencijalno s prikljuenim vanjskim naponom. U gornjem izvodu preutno smo uzeli da u reimu niske injekcije nema pada napona izvan podruja barijere, tj. da se sav narinuti napon nalazi samo na barijeri. Meutim, kada je dioda propusno polarizirana, kroz kvazineutralna podruja tee struja koja uzrokuje dodatni pad napona. Namee nam se pitanje koliko pad napona u kvazineutralnim podrujima utjee na valjanost Boltzmannovih relacija. Da bismo to provjerili, odredit emo raspodjele kvaziFermijevih potencijala, te na osnovu njih izvesti Boltzmannove relacije [Shockley49, Shockley50, Nanavati63]. Raspodjele kvazi-Fermijevih potencijala unutar barijere odredit emo pomou transportnih jednadbi. Uvrstimo li u transportnu jednadbu za upljine u jednodimenzionalnom sluaju dp , (2.65) J p = q p p q Dp dx
Zadatak 2.12
185
izraz za koncentraciju upljina

p , p = ni exp UT
(2.66)
dobit emo struju upljina kao

p 1 d p d d = J p = q p p q p U T ni exp dx dx U T U T dx
. (2.67) dx Prema jednadbi (2.67) ukupna struja upljina proporcionalna je gradijentu kvazi-Fermijevog potencijala. Ovaj oblik transportne jednadbe je esto prikladan, jer u jednom lanu objedinjava i driftnu i difuzijsku komponentu struje. U uvjetima ravnotee ukupna struja upljina kroz pn-spoj je jednaka nuli, pa je prema (2.67) kvazi-Fermijev potencijal i unutar barijere konstantan. Na slian nain mogli smo izvesti transportnu jednadbu za elektrone
d n , (2.68) dx iz koje se moe izvui isti zakljuak i za kvazi-Fermijev potencijal elektrona unutar barijere. J n = q n n
= q p p
d p
Pri propusnoj polarizaciji pn-spoja smanjuje se razlika elektrostatskih potencijala izmeu p- i n-strane spoja za iznos prikljuenog napona U. Zbog toga se smanjuje visina potencijalne barijere, to ima za posljedicu sputanje Fermijevog potencijala na n-strani u odnosu na poloaj Fermijevog potencijala na p-strani. Zbog injekcije nosilaca, koncentracije nosilaca u kvazineutralnim podrujima uz barijeru su vie od ravnotenih (n p > n2), pa se kvazi-Fermijevi i potencijali u tim podrujima nee meusobno poklapati. Tek na dovoljno velikoj udaljenosti od barijere gdje su se koncentracije nosilaca zbog rekombinacije izjednaile s ravnotenim koncentracijama, kvazi-Fermijevi potencijali e se izjednaiti s Fermijevim potencijalima. Da bismo mogli odrediti priblinu raspodjelu kvazi-Fermijevih potencijala u podruju oko i unutar barijere, izjednait emo struju upljina (2.67) na p-strani uz rub barijere d p ( x p ) J p ( x p ) = q p p p0 dx sa strujom upljina na n-strani uz rub barijere d p ( x n ) J p ( x n ) = q p pn 0 . dx Te dvije struje su meusobno jednake, jer smo pretpostavili da nema rekombinacije nosilaca unutar barijere. Iz ovih jednadbi dobivamo da je omjer p p0 dx . = d p ( x p ) pn 0 dx Koncentracija manjinskih upljina na n-strani je puno manja od koncentracije veinskih upljina na p-strani, pa e i gradijent kvazi-Fermijevog potencijala upljina biti puno vei na n-strani spoja. tovie, moemo uzeti da je kvazi-Fermijev potencijal upljina na p-strani konstantan! Ovo slijedi iz injenice da je koncentracija veinskih nosilaca u uvjetima niske injekcije praktiki konstantna (pp0 = p0p) i iz izraza (2.57b) za kvazi-Fermijev potencijal d p ( x n )
Zadatak 2.12
186
n,p cm3
10 10 10 10
16 12 8 4
pp
nn 10 10
16 12 8 4
n,p cm 3 p
nn pn
np
np n0p xj
a)
pn p0n
10 10
n0p xp
b)
p0n xj xn
Slika 2.24. Raspodjele nosilaca oko propusno polariziranog pn-spoja uz dva razliita mjerila na prostornoj koordinati: a) obuhvaeni svi ekscesni nosioci izvan barijere, b) obuhvaena samo barijera.
p p = + U T ln . p0
irina propusno polarizirane barijere je obino vrlo mala u odnosu na difuzijsku duljinu upljina, to je najzornije prikazano na slici 2.24 za jedan skokoviti pn-spoj, pa promjene kvazi-Fermijevog potencijala u barijeri ne mogu biti velike [Butkovi78]. Prema tome, najvei dio promjene kvaziFermijevog potencijala upljina nalazi se na n-strani spoja uz rub barijere. Odgovarajui zakljuci vrijede i za kvazi-Fermijev potencijal elektrona. Gornje injenice navode nas na zakljuak da su kvazi-Fermijevi nivoi veinskih nosilaca na objema stranama skokovitog spoja u uvjetima niske injekcije konstantni do same barijere (vidi sliku 2.23b), na osnovu ega moemo zakljuiti da je pad napona izvan barijere zanemariv. Sa slike 2.23b je razvidno da uz rubove barijere vrijedi U = p n (n-strana je uzeta kao referentna za vanjski napon U). Zato e umnoak koncentracija nosilaca uz rubove barijere p , pn 0 = ni exp UT
n nn 0 = ni exp , UT
biti
p n U = ni2 exp pn 0 nn 0 = ni2 exp , UT UT
to nas opet dovodi do Boltzmannove relacije za manjinske upljine.
c)
Prema rezultatima zadatka 1.42 (poglavlje 1.7.2. Transportne jednadbe), u uvjetima niske injekcije (podsjetimo se pretpostavke 3. s poetka rjeenja zadatka) manjinski nosioci se izvan barijere gibaju praktiki iskljuivo difuzijom. Ako unutar barijere nema niti rekombinacije niti generacije nosilaca (pretpostavka 4), tj. ako je struja nosilaca konstantna kroz cijelu barijeru,
Zadatak 2.12
187
struja upljina uz rub barijere na p-strani bit e jednaka ukupnoj struji upljina kroz pn-spoj. Prema tome, ako moemo izraunati difuzijsku struju manjinskih upljina uz rub barijere na nstrani, znat emo kolika je ukupna struja upljina. Difuzijska struja upljina je
dpn , dx pa uvrtavanjem funkcije raspodjele manjinskih upljina na n-strani (2.56), dobivamo I dp = S q D p
(2.69)
1 x xn I dp = S q D p ( pn 0 p0n ) L exp L . p p
(2.70)
Difuzijska struja eksponencijalno pada s udaljenou od ruba barijere, budui da je i raspodjela > eksponencijalno padajua funkcija. Na dovoljno velikoj udaljenosti od ruba barijere (x xn > Lp), difuzijska struja je jednaka nuli, jer su se sve injektirane upljine rekombinirale i osim elektrine neutralnosti uspostavljena je i termodinamika ravnotea. Uz rub barijere (x = xn) difuzijska struja je najvea i jednaka je traenoj struji upljina kroz pn-spoj Dp I p = I dp ( x = x n ) = S q ( p n 0 p 0n ) . (2.71) Lp Da bismo dobili ovisnost te struje o prikljuenom naponu, moramo izraziti koncentraciju pn0 kao funkciju napona. Zato emo u (2.71) uvrstiti Boltzmannovu relaciju (2.64b)
Dp D p p 0n U p0n exp p0 n = S q Lp Lp UT Potpuno identino moe se dobiti za struju elektrona
Ip = S q
U exp 1 . UT
(2.72)
Dn n0 p U exp 1 . Ln UT Zbroj struja elektrona i upljina dat e ukupnu struju In = S q
(2.73)
n0 p Dn p0n D p U exp I = In + I p = S q + 1 . L Lp UT n Iz (2.74) izravno slijedi Shockleyeva jednadba

U I = I S exp 1 , UT u kojoj je IS reverzna struja zasienja
(2.74)
(2.75)
n0 p Dn p0n D p . I S = I nS + I pS = S q + L Lp n
(2.76)
Na slici 2.25 prikazana je normirana Shockleyeva jednadba. Naponska os je normirana na naponski ekvivalent temperature, a strujna os na reverznu struju zasienja. Prouimo jo malo izraz (2.75). Za propusne polarizacije (U > 0) u uglatoj zagradi prevladava eksponencijalna funkcija. Za vee vrijednosti napona, kada je U > UT , eksponencijalna funkcija je mnogo vea od jedan, pa > struja kroz diodu raste praktiki eksponencijalno s prikljuenim naponom
Zadatak 2.12
188
6 4 2 6 4 2
I / IS
10 10 10
4 3 2
I / IS
propusna polarizacija
U / UT
1 2
10 1 1 10
1
nepropusna polarizacija
4
b)
U / UT
a)
Slika 2.25. Normirana strujno-naponska karakteristika idealnog pn-spoja: a) linearno mjerilo, b) logaritamsko mjerilo na ordinati.
U I = I S exp , UT
to se vidi i po linearnom porastu dijela karakteristike diode na slici 2.25b. Zbog eksponencijalne ovisnosti struje o naponu, presjecite ekstrapoliranog linearnog dijela karakteristike diode s osi ordinate (crtkana linija na slici 2.25b) nalazi se pri struji I = IS . Nagib linearnog dijela odreen je naponskim ekvivalentom temperature UT . Kada je vanjski napon U = 0 , eksponencijalna funkcija ima vrijednost jednaku 1, pa je struja kroz diodu I = 0 . Driftne struje manjinskih nosilaca kroz barijeru ponitene su difuzijskim strujama veinskih nosilaca. Za reverzne napone (U < 0) eksponencijalna funkcija tei nuli, a struja asimptotski tei reverznoj struji zasienja (I = IS). Kako se moe uoiti na slici 2.25, struja kroz diodu je praktiki jednaka reverznoj struji zasienja ve kod reverznih napona U = 3 UT . Ve smo prije uoili da pri reverznoj polarizaciji raste potencijalna barijera za veinske nosioce, pa kod velikih reverznih napona kroz barijeru tee samo driftna struja manjinskih nosilaca koji ne vide potencijalnu barijeru (njih elektrino polje unutar barijere povlai na drugu stranu). Dakle, gledano sa stezaljki diode, reverzna struja zasienja je struja koja tee kroz diodu kada je ona reverzno polarizirana dovoljno velikim naponom. Reverzna struja zasienja, osim o povrini pn-spoja, ovisi i o ravnotenim koncentracijama manjinskih nosilaca, te u manjoj mjeri o njihovim difuzijskim konstantama i difuzijskim duljinama. to je koncentracija primjesa na nekoj strani pn-spoja via, to e koncentracija manjinskih nosilaca biti nia, pa e i reverzna struja zasienja biti manja. Omjer difuzijske konstante i difuzijske duljine
UT D D = = (2.77) D slabo ovisi o koncentraciji primjesa. Promjena pokretljivosti s koncentracijom je znatno slabija od promjene koncentracije manjinskih nosilaca, a kao to vidimo iz (2.77) omjer D / L mijenja se s kvadratnim korijenom pokretljivosti. Osim toga, pad pokretljivosti u brojniku pod korijenom (2.77) djelomino je kompenziran skraenjem vremena ivota manjinskih nosilaca u nazivniku istog razlomka.
D = L
Ovo vrijedi samo ako nema proboja i nema generacije nosilaca u barijeri, to kod realnih pnspojeva nije sluaj! [Sah57, Moll58]
Zadatak 2.12
189
Zadatak 2.13
Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem povrine 0,1 mm2 ima koncentracije primjesa na n- i p-strani ND = 5 1016 cm3, odnosno NA = 1016 cm3. Difuzijske konstante manjinskih nosilaca su Dn = 32 cm2/ s , Dp = 9 cm2/ s , njihove difuzijske duljine su Ln = 720 m, Lp = 63 m, a geometrijske duljine obiju strana su puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. T = 300 K. Izraunati reverznu struju zasienja, te nacrtati strujno-naponsku karakteristiku diode. Skicirati raspodjele koncentracija manjinskih nosilaca i struja kroz diodu za sluaj propusne polarizacije, te za sluaj nepropusne polarizacije.
Rjeenje:
Reverznu struju zasienja izraunat emo preko izraza (2.51)
n0 p Dn p0n D p . IS = S q + L Lp n
Koncentracije primjesa na objema stranama pn-spoja su puno vee od intrinsine koncentracije nosilaca na zadanoj temperaturi T = 300 K, pa ravnotene koncentracije manjinskih elektrona i upljina moemo izraziti preko zakona termodinamike ravnotee kao
n0 p = ni2 n2 = i , p0 p NA
p0 n =
ni2 n2 = i . n0n ND
Uvrstimo li gornje izraze, reverznu struju zasienja moemo izraziti preko koncentracija primjesa
n0 p Dn p0n D p Dn Dp = S q ni2 IS = S q + L N L + N L Lp A n n D p
(2.78)
Uvrtavanjem zadanih vrijednosti u (2.78), dobit emo da je IS = 2,22 1015 A. Usporedimo li elektronsku komponentu reverzne struje zasienja n0 p Dn Dn I nS = S q = S q ni2 = 1,36 10 15 A Ln N A Ln i upljinsku komponentu
I pS = S q
p0n D p Lp
= S q ni2
Dp N D Lp
= 8,72 10 16 A ,
vidimo da su one priblino jednake, iako je koncentracija primjesa na n-strani peterostruko vea od koncentracije primjesa na p-strani, odnosno iako je koncentracija manjinskih elektrona na pstrani pet puta vea od koncentracije manjinskih upljina na n-strani. Omjer difuzijskih konstanti i difuzijskih duljina djelomino kompenzira razliku u koncentracijama. Meutim, da je razlika u koncentracijama vea (vie od reda veliine), prevladavala bi komponenta struje veinskih nosilaca jae dopirane strane (odnosno manjinskih nosilaca slabije dopirane strane), budui da pripadajui omjer D / L ne moe kompenzirati tako velike razlike u koncentracijama nosilaca. Za razliite vrijednosti prikljuenog napona moemo sada izraunati pripadajue vrijednosti struja (tablica 2.5), te na temelju tih vrijednosti skicirati strujno-naponsku karakteristiku (slika
Zadatak 2.13
190
I / mA
1,2
Tablica 2.5. Struje diode u zadatku 2.13.
1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2
U/V 0,3 0,1 0,05 0,01 0,5 0,6 0,65 0,7
I/A 2,22 1015 2,18 1015 1,91 1015 7,15 1016 5,60 107 2,68 105 1,85 104 1,28 103
U/ V
0,2
12 2 .10
0,4
0,6
0,8
4 .10
12
Slika 2.26. Strujno-naponska karakteristika pn-spoja u zadatku 2.13. (uoiti razliita mjerila na ordinati!)
2.26). Valja uoiti da je mjerilo na strujnoj osi na slici 2.26 razliito za propusnu, odnosno za nepropusnu polarizaciju. Kao to se sa slike vidi, struja kroz diodu je zanemariva za napone manje od U 0,6 V, dok za vee napone eksponencijalno raste. Poloaj koljena u karakteristici ovisi o reverznoj struji zasienja diode, o temperaturi, kao i o mjerilu u kojem se I - U karakteristika diode crta, ali je za veinu silicijskih dioda tipino na 0,6 - 0,7 V. Za pn-spojeve u drugim poluvodiima, poloaj koljena je razliit i ovisi o iznosu reverzne struje zasienja, odnosno posredno o irini zabranjenog pojasa poluvodia. Kod poluvodia sa irim zabranjenim pojasom reverzne struje zasienja su manje, jer su i intrinsine koncentracije nie, pa je i koljeno pri viim naponima. U reverznom podruju, struja postie vrijednost reverzne struje zasienja ve kod vrlo malih napona. Zanimljivo je usporediti dobivene iznose struja kroz diodu s difuzijskim, odnosno driftnim strujama koje prema transportnim jednadbama teku kroz barijeru u ravnotenim uvjetima. Kada nema prikljuenog napona, koncentracije nosilaca uz rubove barijera jednake su ravnotenim koncentracijama: koncentracija veinskih elektrona na n-strani je n0n = ND = 5 1016 cm3, dok je koncentracija manjinskih elektrona na p-strani
n0 p =
ni2 = 1,90 10 4 cm -3 . NA
irina barijere zadanog pn-spoja u ravnotenim uvjetima iznosi (vidi zadatak 2.4) dB = 0,955 m. Pretpostavimo li da koncentracija elektrona u barijeri linearno pada od vrijednosti n0n na n-strani prema vrijednosti n0p na p-strani barijere, te da je difuzijska konstanta Dn = 32 cm2/ s , dobit emo da je difuzijska struja elektrona kroz barijeru n 0n n0 p n dn I dn = S q Dn = S q Dn = S q Dn 0n = 2,68 A . dB dB dx
Zadatak 2.13
191
Naravno, tu difuzijsku struju u ravnotenim uvjetima ponitava driftna struja elektrona istog iznosa, ali suprotnog smjera. Slian rezultat bismo dobili i za upljine. Usporedbom sa dobivenim neto strujama kroz diodu (tablica 2.5), zapaamo da su difuzijske struje koje teku kroz pn-spoj u ravnotenim uvjetima nekoliko redova veliina vee. Prema tome, struja koja tee kroz diodu uz prikljueni vanjski napon izaziva tek neznatnu promjenu difuzijskih struja koje inae teku unutar barijere u stanju ravnotee. Ovo vrijedi sve dok napon na diodi nije prevelik, odnosno dok je dioda u reimu niske injekcije. Na slici 2.27 nacrtane su raspodjele koncentracija manjinskih nosilaca i gustoa struja oko pn-spoja. Ishodite koordinatnog sustava postavljeno je na mjesto pn-spoja, p-strana je postavljena lijevo od ishodita, a n-strana desno od ishodita . Raspodjele manjinskih nosilaca dobivaju se rjeavanjem jednadbi kontinuiteta (vidi prethodni zadatak)
xp x , n p ( x ) = n0 p + (n p 0 n0 p ) exp Ln
(2.79)
x xn . pn ( x ) = p0n + ( pn 0 p0n ) exp Lp
(2.80)
Koncentracije manjinskih nosilaca uz rubove barijere ovise o prikljuenom naponu i o ravnotenim koncentracijama manjinskih nosilaca uz rubove barijera, prema Boltzmannovim relacijama
U n p 0 = n0 p exp . UT U pn 0 = p0n exp , UT
(2.81)
(2.82)
Radi dosljednosti, u (2.79) i (2.80) prostorna x-koordinata je zajednika za obje strane, iako je esto jednostavnije uzeti x-koordinatu pozitivnu za obje strane barijere, jer bi tada izrazi (2.79) i (2.80) bili sliniji. Da bi slike bile preglednije, irina barijere je nacrtana neproporcionalno vea; ona je za zadani pn-spoj pri propusnim polarizacijama manja od 0,34 m, to je zanemarivo u odnosu na difuzijske duljine Ln i Lp . Difuzijska duljina manjinskih elektrona na p-strani je puno vea od difuzijske duljine manjinskih upljina na n-strani, pa injektirani elektroni u prosjeku prodiru dublje u p-stranu prije nego to se rekombiniraju s veinskim upljinama. Kako je koncentracija primjesa na n-strani peterostruko vea od koncentracije primjesa na p-strani, i ravnotena koncentracija, odnosno koncentracija manjinskih upljina uz rub barijere, su pet puta manje od odgovarajuih koncentracija manjinskih elektrona na p-strani spoja. Kada dioda radi u reimu niske injekcije, elektrino polje u kvazineutralnom podruju poluvodia izvan barijere, koje nastaje uslijed vanjskog prikljuenog napona i uslijed injekcije nosilaca, je dovoljno slabo da struje manjinskih nosilaca budu gotovo iskljuivo difuzijske (slika 2.27b): xp x xp x D dn = J n ( x p ) exp , (2.83) J n ( x ) = q Dn = q n (n p 0 n0 p ) exp dx Ln Ln Ln
Ovakav raspored je odabran namjerno, da bi se smjer pozitivne x-koordinate poklapao s referentnim smjerom struje kroz pn-spoj. U protivnom bi dobivene struje imale za propusnu polarizaciju negativne predznake, a za nepropusnu polarizaciju pozitivne predznake.
Zadatak 2.13
192
np
n p0
pn
n0p
Ln
pn0 xp x n Lp
p0n
x
a)
Jd
Jdn
Jdp xp xn
x
b)
J
Jp+Jn
Jn
Jp xp xn
x
c)
Slika 2.27. Propusno polarizirani pn-spoj: a) raspodjele manjinskih nosilaca, b) raspodjele difuzijskih struja manjinskih nosilaca, c) raspodjele ukupnih struja.
J p ( x ) = q D p
x xn x xn Dp dp = J p ( x n ) exp , (2.84) = q ( pn 0 p0n ) exp Lp Lp Lp dx
Kao to vidimo iz gornjih izraza (2.83) i (2.84), iznosi struja padaju eksponencijalno od maksimalnih vrijednosti uz rubove barijera D Jn ( x p ) = q n (n p 0 n0 p ) , Ln
Zadatak 2.13
193
J p ( xn ) = q
Dp Lp
( p n 0 p 0n ) .
Iako su smjerovi difuzijskih gibanja manjinskih nosilaca suprotni, smjer struje elektrona je suprotan smjeru njihovog gibanja, pa su obje struje pozitivne i meusobno se zbrajaju. Udaljavanjem od barijere, difuzijska struja manjinskih nosilaca tei nuli jer se injektirani ekscesni manjinski nosioci rekombiniraju s veinskim nosiocima i tee ravnotenoj koncentraciji. Isto vrijedi i za veinske nosioce, odnosno za njihovu difuzijsku struju. Zbog visoke koncentracije veinskih nosilaca, driftna komponenta struje veinskih nosilaca u kvazineutralnim podrujima nije zanemariva. Struja veinskih nosilaca sastoji se dakle i od driftne i od difuzijske komponente, koje su meusobno bliske po iznosu. Zato bismo za njeno izraunavanje morali prethodno odrediti raspodjelu jakosti elektrinog polja, to je oigledno znatno sloeniji postupak. Driftna struja veinskih nosilaca tee u smjeru polja koje je uzrokovano vanjskim naponom i taj smjer se poklapa sa smjerom difuzijske struje manjinskih nosilaca, dok difuzijska struja veinskih nosilaca tee u suprotnom smjeru, pa se one djelomino ponitavaju. Uz rub barijere je difuzijska struja veinskih nosilaca najvea, jer je i za veinske nosioce odstupanje koncentracije od ravnotene tamo najvee. Vidjeli smo da udaljavanjem od barijere ukupna struja manjinskih nosilaca (koja je jednaka difuzijskoj struji) opada. Budui da ukupna struja kroz diodu na bilo kojem mjestu mora biti ista, a istovremeno i jednaka vanjskoj struji, slijedi da ukupna struja veinskih nosilaca udaljavanjem od barijere mora rasti (vidi sliku 2.27c). Smjer driftne struje veinskih nosilaca poklapa se sa smjerom vanjske struje, dok je smjer difuzijske struje veinskih nosilaca suprotan, to upuuje na zakljuak da je difuzijska struja veinskih nosilaca svugdje manja od driftne struje veinskih nosilaca. Udaljavanjem od barijere koncentracija veinskih nosilaca tei ravnotenoj koncentraciji, pa difuzijska komponenta struje veinskih nosilaca tei nuli. Na dovoljno velikoj udaljenosti od barijere struja veinskih nosilaca e biti iskljuivo driftna. Pri nepropusnoj polarizaciji elektrino polje u barijeri spreava difuziju veinskih nosilaca. Naprotiv, manjinske nosioce to elektrino polje povlai kroz barijeru. Kako nema injekcije nosilaca s druge strane barijere, uz rub barijere nastaje manjak manjinskih nosilaca. Ako vrijedi zakon elektrine neutralnosti u podruju izvan barijere, slijedi da se i koncentracija veinskih nosilaca mora smanjiti za isti iznos koliko se smanjila koncentracija manjinskih nosilaca. Budui da je naruena termodinamika ravnotea, tj. n p < ni2, u ovom podruju poluvodia prevladavat e generacija parova elektron-upljina. Raspodjela manjinskih nosilaca i dalje je odreena izrazima (2.79) odnosno (2.80)
xp x , n p ( x ) = n0 p + (n p 0 n0 p ) exp Ln
x xn , pn ( x ) = p0n + ( pn 0 p0n ) exp Lp

Za kvantitativnu analizu odnosa struja, itatelja podsjeamo na zadatak 1.42 u poglavlju 1.7.2. Transportne jednadbe. Tok struje kroz kvazineutralno podruje moe se poistovjetiti sa tafetnom utrkom koju manjinski nosioci zapoinju difuzijom na rubu barijere. Tijekom utrke manjinski nosioci pojedinano predaju tafetne palice veinskim nosiocima, koji ih driftom odnose do cilja vanjske prikljunice [Valk91].
Zadatak 2.13
194
ali su sada koncentracije nosilaca uz rub barijere, prema Boltzmannovim relacijama

U n p 0 = n0 p exp , UT U pn 0 = p0n exp , UT
nie od ravnotenih koncentracija, jer je U < 0 (slika 2.28a).
np pn
Ln n 0p np0 xp pn0 xn Lp p0n
x
a)
Jd
xp Jdn xn Jdp
b)
J
xp Jn xn Jp
Jp+Jn
c)
Slika 2.28. Reverzno polariziran pn-spoj: a) raspodjela manjinskih nosilaca, b) raspodjela difuzijskih struja manjinskih nosilaca, c) raspodjela ukupnih struja.
Zbog gradijenta koncentracije manjinskih nosilaca uz rubove barijere, manjinski nosioci e difundirati prema barijeri (slika 2.28b). Kad uu u barijeru, elektrino polje u barijeri e te nosioce povui na suprotnu stranu spoja. U ekstremnom sluaju, kada je prikljueni reverzni napon dovoljno velik, koncentracije manjinskih nosilaca uz rub barijere su zanemarive (np0 = 0, pn0 = 0). Difuzijske struje manjinskih nosilaca uz rub barijere bit e (prema (2.83) i (2.84)) D J n ( x p ) = q n n0 p , (2.85a) Ln
Zadatak 2.13
195
J p ( xn ) = q
Dp Lp
p0n ,
(2.85b)
iz ega izravno slijedi izraz za reverznu struju zasienja (2.51). Nakon to prijeu barijeru, nosioci (sada veinski) se od barijere gibaju djelomino driftom, a djelomino difuzijom, s time da udaljavanjem od barijere difuzijska komponenta opada, a preostaje samo driftna komponenta struje veinskih nosilaca. Naravno, ukupna struja kroz popreni presjek na bilo kojem mjestu mora biti ista (slika 2.28c). Obratimo jo jednom panju na izraze (2.85a) i (2.85b). Napiimo npr. (2.85a) u neto izmijenjenom obliku
J n ( x p ) = q Dn n = q Ln 0 p Dn Dn n
n0 p = q
Dn
n0 p .
(2.86)
Pomnoimo li brojnik i nazivnik s kvadratnim korijenom iz vremena ivota, nakon sreivanja moemo napisati da je n0 p J n ( x p ) = q Ln . (2.87) n Razlomak n0p / n je mjera za generaciju elektrona (vidi poglavlje 1.6. Rekombinacijski procesi)! Prema ovom izrazu dakle slijedi da je maksimalna struja koja moe tei u reverznom smjeru (tj. reverzna struja zasienja) proporcionalna brzini generacije manjinskih nosilaca u volumenu ija je irina jednaka difuzijskoj duljini manjinskih nosilaca Ln . Iako elektrino polje u barijeri uzrokuje driftnu struju manjinskih nosilaca, iznos te struje nije odreen jakou tog polja, ve generacijom manjinskih nosilaca uz rubove barijere i difuzijom tako generiranih nosilaca prema barijeri!
Zadatak 2.14
Skicirati ovisnost reverzne struje zasienja o koncentraciji primjesa za silicijsku diodu sa skokovitim pn-spojem, ako je ND >> NA , a koncentracija akceptora mijenja se od NA = 1014 cm3 do NA = 1017 cm3. Geometrijske dimenzije diode su puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. Pretpostaviti da je temperatura 300 K. Ovisnost vremena ivota manjinskih elektrona na p-strani o koncentraciji primjesa moe se opisati funkcijom [Fossum76]
n =
n,max , N 1+ N ref
gdje je n,max = 395 s, Nref = 7,11015 cm3, a N je koncentracija primjesa u poluvodiu.

Rjeenje:
Koncentracija donora na n-strani spoja je puno vea od koncentracije akceptora na p-strani, pa e u reverznoj struji zasienja prevladavati struja elektrona, tj.
JS = q
ni2 Dn n2 n U T = q i . n N A Ln NA
Zadatak 2.14
196
Povrina spoja nije zadana, pa raunamo gustou reverzne struje zasienja. Budui da se koncentracija akceptora mijenja za nekoliko redova veliina, za prikaz emo koristiti logaritamsko mjerilo. U tablici 2.6 navedene su vrijednosti pokretljivosti i vremena ivota manjinskih elektrona na p-strani, te gustoe reverzne struje zasienja za nekoliko vrijednosti koncentracija akceptora. Prema tim podacima nacrtana je slika 2.29. U dijagramu je isprekidanom linijom ucrtan i pravac koji bismo dobili da smo zanemarili promjenu pokretljivosti i vremena ivota manjinskih nosilaca
Tablica 2.6. Reverzne struje zasienja za razliite koncentracije primjesa na p-strani diode u zadatku 2.14.
10 10
15 16 17
NA
cm 3 1014 1015 1016 1017 1018
n cm 2 / Vs
1421 1386 1228 783 311
n s
390 346 164 26,2 2,78
JS A /cm 2
Acm2 10 18
10 10
19 20
JS
10
9,931016 9,481017 6,941018 3,551019 2,571020
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
NA / cm3
Slika 2.29. Ovisnost elektronske komponente reverzne struje zasienja o koncentraciji akceptora.
s porastom koncentracije, te uzeli vrijednosti tih parametara za NA = 1014 cm3 iz prvog retka u tablici 2.6. Moemo uoiti da reverzna struja zasienja pada praktiki obrnuto proporcionalno s porastom koncentracije primjesa NA (crtkani pravac). Prema viim koncentracijama taj je pad neto bri zbog pada pokretljivosti u brojniku razlomka pod korijenom u izrazu za reverznu struju zasienja. Za koncentracije akceptora NA > 1018 cm3 ovisnost pokretljivosti elektrona o koncentraciji slabi. Vrijeme ivota manjinskih nosilaca za tako visoke koncentracije, kao to je vidljivo prema aproksimaciji iz teksta zadatka, pada obrnuto proporcionalno s koncentracijom primjesa. Zbog toga e karakteristika prema viim koncentracijama padati sporije i bit e otprilike obrnuto proporcionalna korijenu iz koncentracije, 1 IS . NA Moemo zakljuiti da reverzna struja zasienja pada s porastom koncentracije primjesa. Za iroki interval koncentracija reverzna struja zasienja obrnuto je proporcionalna koncentraciji. Slini rezultati bi se dobili i za upljinsku komponentu reverzne struje zasienja. Iznos reverzne struje zasienja pn-spoja naroito je vaan ako se poluvodike diode koriste u digitalnim sklopovima kao strujne sklopke ili u ispravljaima napona. Kada je takva sklopka iskljuena, ne bi smjela tei struja kroz nju. Budui da kroz reverzno polarizirani pn-spoj tee reverzna struja zasienja, da bi dioda po karakteristikama bila to blia idealnoj sklopki, reverzna struja zasienja mora biti to manja. Kod stvarnih dioda struja koja tee kroz reverzno polarizirani pn-spoj je vea od one koja se dobiva pri izvodu Shockleyeve jednadbe. Uzrok tome je generacija parova elektron-upljina unutar barijere. U ravnotenim uvjetima raspodjela elektrona i upljina unutar barijere je takva da je svugdje zadovoljen zakon termodinamike ravnotee (n p = n2). To je prikazano i na slici 2.30 i
Zadatak 2.14
197
log( p ), log( n )
nn pp ni pn wG dB np
Slika 2.30. Raspodjela nosilaca unutar reverzno polarizirane barijere [Valk91].
svjetlijom krivuljom. Mjerilo na osi ordinate je logaritamsko, tako da umnoak koncentracija odgovara geometrijskom zbroju krivulja raspodjela elektrona i upljina na slici, a intrinsina koncentracija se poklapa sa simetralom izmeu funkcija ravnotenih raspodjela elektrona i upljina. Pri reverznoj polarizaciji koncentracije nosilaca u barijeri e se smanjiti tako da e umnoak koncentracija elektrona i upljina biti n p < n2 (tamna krivulja na slici 2.30). Zbog toga e i prevladavati generacija nosilaca. Nakon to nastane par elektron-upljina, pod djelovanjem elektrinog polja ioniziranih primjesa u barijeri ti nosioci e se razdvojiti. upljina e se gibati u smjeru polja, prema p-strani barijere, poveavajui time upljinsku komponentu, a elektron u suprotnom smjeru poveavajui elektronsku komponentu reverzne struje zasienja. Pokuajmo izvesti to jednostavniji izraz za doprinos generacijske struje reverznoj struji zasienja. Analizu emo ograniiti na dio barijere u kojem je koncentracija obaju tipova nosilaca manja od intrinsine koncentracije (oznaeno kao wG na slici 2.30) i u kojem je generacija nosilaca najvea [Valk91]. Umnoak koncentracija elektrona i upljina bit e puno manji od kvadrata < i intrinsine koncentracije (n p < n2), pa se izraz za mjeru rekombinacije (vidi poglavlje 1.6. Rekombinacijski procesi)
R= n p ni2 p 0 (n + n1 ) + n 0 ( p + p1 ) ni2 . p 0 (n + n1 ) + n 0 ( p + p1 )
(2.88)
moe pisati kao

G=
(2.89)
Radi jednostavnosti pretpostavimo da se sve rekombinacijske zamke nalaze na sredini zabranjenog pojasa Et = EFi , tako da su koncentracije n1 = p1 = ni . Koncentracije nosilaca su praktiki u cijelom promatranom podruju znatno manje od intrinsine koncentracije, pa prethodni izraz moemo napisati kao
G=
ni2 ni = . p 0 ni + n 0 ni p 0 + n 0
(2.90)
Ukupnu generacijsku struju dobit emo mnoenjem mjere za generaciju nosilaca (2.90) sa irinom podruja wG
Zadatak 2.14
198
J G = q G wG = q
ni w . p0 + n0 G
(2.91)
irina podruja wG proporcionalna je irini barijere, a za velike reverzne napone moemo ak uzeti da je wG = dB . Budui da je irina barijere skokovitog pn-spoja
dB =
2 N A + ND U TOT , q NA ND
moemo zakljuiti da e generacijska struja rasti s porastom irine barijere, odnosno s korijenom prikljuenog reverznog napona. Zbog toga struja kroz zaporno polariziranu diodu nee biti konstantna (tj. jednaka reverznoj struji zasienja), ve e rasti s naponom. Pretpostavimo za diodu iz zadatka da je n0 = 390 s, a p0 = 34,7 s. Uz koncentraciju akceptora NA = 1014 cm3, pri totalnom naponu od UTOT = 10 V, irina barijere bit e dB = 11,5 m, uz pretpostavku da je wG = dB , dobili bismo
JG = 5,98 nA / cm2.
Ova struja je puno vea od teoretski dobivene reverzne struje zasienja ( JS = 9,93 1016 A / cm2). Iako se radi samo o vrlo gruboj aproksimaciji, ovaj proraun nam moe posluiti kao ilustracija odnosa vrijednosti. Toniji izvod za generacijsku struju moe se nai u lanku [Sah57]. Unato injenici da je generacijska komponenta struje nekoliko redova veliine vea od reverzne struje zasienja koju daje teorija (ponekad se ta struja naziva difuzijskom strujom), obje struje su za veinu primjena kod silicijskih dioda zanemarive, te emo stoga radi jednostavnosti raunati samo sa reverznom strujom zasienja koju daje jednostavna teorija.
Zadatak 2.15
Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem povrine 0,1 mm2 ima koncentracije primjesa na n- i p-strani ND = 5 1015 cm3, odnosno NA = 1016 cm3. Difuzijske konstante manjinskih nosilaca su Dn = 32 cm2/ s , Dp = 11 cm2/ s , a difuzijske duljine Ln = 720 m, Lp = 150 m. Udaljenost kontakta na n-strani spoja puno je vea od difuzijske duljine manjinskih upljina (wn >> Lp), dok je kontakt na p-strani udaljen 40 m od pn-spoja. T = 300 K. Izraunati struju kroz diodu pri naponu U = 0,6 V. Skicirati raspodjele koncentracija manjinskih nosilaca i struja kroz diodu.
Rjeenje:
Za razliku od diode u prethodnim zadacima, kod ove diode je udaljenost izmeu prikljunice na p-strani i pn-spoja manja od difuzijske duljine elektrona. Zbog toga se nee svi elektroni injektirani s n-strane stii rekombinirati s veinskim upljinama, nego e ih veina stii do vanjske prikljunice. Kako je brzina (povrinske) rekombinacije na metalnoj prikljunici jako velika, svi ekscesni elektroni e se na tom mjestu rekombinirati, te e koncentracija manjinskih elektrona biti praktiki jednaka ravnotenoj koncentraciji. Da bismo izraunali struju kroz pn-spoj, moramo prethodno rijeiti jednadbe kontinuiteta. Rjeenje e dati raspodjele manjinskih nosilaca na obje strane spoja, a iz njih emo izraunati
Povrina poluvodia se inae ponaa kao ponor za ekscesne nosioce (vidi poglavlje 1.6.3. Povrinska rekombinacija, te zadatak 1.47 uz poglavlje 1.7.3. Jednadbe kontinuiteta).
Zadatak 2.15
199
difuzijske struje. Ovaj put emo definirati dvostruki koordinatni sustav, za svaku stranu pn-spoja posebno, tako da je udaljenost od pn-spoja uvijek pozitivna za svaku stranu spoja. Ishodita oba koordinatna sustava postavit emo na mjesto pn-spoja. Rjeenje jednadbe kontinuiteta za manjinske upljine na n-strani je istovjetno kao i u prethodnom zadatku x xn , pn ( x ) = p0n + ( pn 0 p0n ) exp (2.92) Lp pa je difuzijska struja manjinskih upljina na n-strani
J p ( x ) = q D p
x xn dp , = J p ( x n ) exp dx Lp
(2.93)
gdje je
J p ( xn ) = q D p ( p n 0 p0 n ) Lp
(2.94)
difuzijska struja upljina uz rub barijere na n-strani. Za manjinske elektrone definirat emo rubni uvjet na mjestu prikljunice ( x = xpw) kao n p ( x pw ) = n0 p , tj. pretpostavit emo da je koncentracija nosilaca na prikljunici jednaka ravnotenoj. Uz rub barijere n p ( x p ) = n p0 . Ope rjeenje za te rubne uvjete glasi (vidi zadatak 1.44 u poglavlju 1.7.3. Jednadbe kontinuiteta) x pw x sinh Ln n p ( x ) = n0 p + ( n p 0 n0 p ) , (2.95) wp sinh Ln
pa je difuzijska struja manjinskih elektrona dn = q Dn (n p 0 dx x pw x cosh Ln 1 . n0 p ) Ln wp sinh Ln
J n ( x ) = q Dn
(2.96)
Negativni predznak u (2.96) ubacili smo da bismo dobili korektan predznak struje, nakon to smo obrnuli smjer prostorne koordinate na p-strani. Inae bismo dobili negativnu struju koja bi se ponitavala sa strujom upljina, umjesto da joj se pribraja. Uz rub barijere ( x = xp) difuzijska struja je najvea po iznosu wp 1 , J n ( x p ) = q Dn (n p 0 n0 p ) coth (2.97) Ln Ln a prema prikljunici postepeno pada. U gornjim izrazima wp je efektivna irina p-strane wp = xpw xp , tj. irina kvazineutralnog podruja izvan barijere. > Za vrlo male irine p-strane, kada je Ln > wp , funkcije hiperbolnog sinusa u (2.95) mogu se nadomjestiti prvim lanovima u razvoju u red potencija, pa (2.95) prelazi u
Zadatak 2.15
200
n p ( x ) = n0 p + ( n p 0 n0 p )
x pw x wp
(2.98)
tj. raspodjela se moe aproksimirati pravcem. Kako je u tom sluaju gradijent koncentracije manjinskih upljina konstantan, i difuzijska struja manjinskih upljina na n-strani je konstantna J n ( x ) = q Dn n p 0 n0 p wp = konst. (2.99)
Koncentracije manjinskih nosilaca uz rubove barijere i dalje su odreene Boltzmannovim relacijama

U pn 0 = p0n exp , UT U n p 0 = n0 p exp , UT
pa opet dobivamo izraz za strujno-naponsku karakteristiku diode

U I = I s exp 1 , UT gdje je sada reverzna struja zasienja odreena izrazom
D p p0n Dn n0 p . IS = S q + L wp p
(2.100)
Prvi lan unutar zagrade u (2.100) predstavlja upljinsku komponentu struje kroz diodu. Kako je irina n-strane puno vea od difuzijske duljine manjinskih nosilaca, difuzijska struja upljina odreena je rekombinacijom upljina u volumenu poluvodia na n-strani spoja D p p 0n Dp I pS = S q = S q ni2 = 4,47 10 15 A . (2.101) Lp N D Lp Drugi lan u (2.100) predstavlja elektronsku komponentu struje kroz diodu. irina p-strane puno je manja od difuzijske duljine manjinskih elektrona, pa je difuzijska struja odreena rekombinacijom elektrona na prikljunici p-strane spoja Dn n0 p Dn I nS = S q = S q ni2 . (2.102) wp N A wp Efektivna irina p-strane jednaka je geometrijskoj irini p-strane umanjenoj za irinu barijere na toj strani wp = wp0 dBp. Budui da irina barijere ovisi o prikljuenom naponu, s prikljuenim naponom e se mijenjati i efektivna irina p-strane. Zato elektronska komponenta u izrazu za reverznu struju zasienja nee biti konstantna, ve e ovisiti o prikljuenom naponu. Da smo umjesto linearne aproksimacije raspodjele elektrona na p-strani uvrstili stvarnu raspodjelu, pomou izraza (2.97) dobili bismo da je elektronska komponenta reverzne struja zasienja
I nS = S q Dn n0 p Ln
wp wp n2 D = S q i n coth . coth N A Ln Ln Ln
(2.103)
Zadatak 2.15
201
Da bismo odredili irinu barijere pri zadanom naponu od 0,6 V, moramo prvo odrediti kontaktni potencijal zadanog skokovitog pn-spoja: UK = 0,680 V. Ukupni napon UTOT = UK U = 79,7 mV, pa je ukupna irina barijere dB = 0,177 m, a irina barijere na p-strani dBp = 0,0591 m. Prema tome, efektivna irina p-strane je w p = w p 0 d Bp = 39,9 m . PN-spoj je propusno polariziran, pa je irina barijere zanemariva u odnosu na efektivnu irinu. Zato kod propusnih polarizacija u veini sluajeva moemo zanemariti irinu barijere i raunati s geometrijskom irinom odgovarajue strane spoja. Time svi izrazi za raspodjele nosilaca i struje postaju jednostavniji. Druga mogunost je da se ishodita koordinatnih sustava za n-, odnosno pstranu postave na rub barijere. Izrazi e biti jednaki izrazima dobivenima uz zanemarenje irina barijera, samo e umjesto geometrijskih irina figurirati efektivne irine kvazineutralnih podruja. U ovom sluaju treba voditi rauna da se ishodite koordinatnog sustava openito pomie kako se mijenja irina barijere. Pri propusnim polarizacijama ta pomicanja su obino zanemariva (osim ako se radi o diodi s izuzetno uskim kvazineutralnim podrujima). Uvrstimo li zadane i izraunate vrijednosti u (2.102), dobit emo InS = 2,44 1014 A. Vidimo da sada prevladava elektronska komponenta struje, jer je nazivnik u (2.101) puno vei od < nazivnika u (2.102), tj. wp < Lp . Ukupna reverzna struja zasienja je IS = IpS + InS = 2,89 1014 A. Uvrtavanjem vrijednosti u Shockleyevu jednadbu, dobit emo da je struja kroz diodu pri zadanom naponu I = 348 A. Na slici 2.31 prikazane su raspodjele manjinskih nosilaca, te raspodjele struja u diodi kada je dioda propusno polarizirana. Kako je irina barijere zanemariva u odnosu na ostale dimenzije, barijera nije ni ucrtana. U grafu raspodjele manjinskih nosilaca ucrtan je i dio eksponencijalne raspodjele po kojoj bi se ravnali injektirani elektroni da je p-strana puno ira od difuzijske duljine manjinskih elektrona. U tom sluaju elektronska komponenta reverzne struje zasienja bila bi Dn = 1,36 10 15 A . N A Ln (2.104) Oigledno je da se smanjivanjem irine pstrane gradijent koncentracije elektrona bitno poveao, pa je elektronska komponenta struje nadvisila upljinsku komponentu. Na slici 2.32 prikazana je funkcijska ovisnost elektronske struje kroz diodu o efektivnoj irini p-strane. Struja je normirana na vrijednost struje kada je irina p-strane puno vea od difuzijske duljine elektrona (izraz I nS = S q ni2
np pn
pn0
eksponenc. funkcija
np0 n0p
p0n
x wp 0 J Jn+Jp
Jn
x
a)
Jp
x wp 0
b)
Slika 2.31. Propusno polarizirani pn-spoj s uskom p-stranom: a) raspodjele manjinskih nosilaca, b) raspodjele struja.
Zadatak 2.15
202
10
Jn Jn0
0,1 0,1
10
wp / L n
Slika 2.32. Ovisnost struje kroz pn-spoj o efektivnoj irini kvazineutralnog podruja.
(2.104)), a irina je normirana na difuzijsku duljinu elektrona, pa ovaj graf vrijedi i za elektronsku i za upljinsku komponentu struje bilo koje diode. Kao to se vidi, s porastom efektivne irine (argument funkcije hiperbolnog kotangensa u izrazu (1.103)) smanjuje se iznos pripadajue komponente struje i ona asimptotski tei vrijednosti odreenoj izrazom (2.104) za iroku diodu (u biti je ovo graf funkcije hiperbolnog kotangensa). Za male efektivne irine (linearno-padajui dio krivulje) funkcija (2.103) se poklapa s funkcijom (2.102), koja je prikazana na grafu crtkanim pravcem, budui da je coth(x) = 1 / x.
U n2 pn 0 = p0n exp = i UT N D
Zanimljivo je uoiti da je koncentracija manjinskih upljina na n-strani uz rub barijere U exp = 4,58 1014 cm -3 UT
svega oko deset puta manja od ravnotene koncentracije veinskih elektrona n0n = ND = 5 1015 cm3. Da je napon propusne polarizacije vei ili da je neto koncentracija primjesa na n-strani nia, ta bi razlika bila jo manja. Dioda tada vie ne bi bila u reimu niske injekcije, ve bi prela u reim visoke injekcije, kada vie ne vrijede sve pretpostavke iz izvoda Shockleyeve jednadbe. Injektirani nosioci uzrokuju elektrino polje u kvazineutralnom podruju koje u uvjetima visoke injekcije nije zanemarivo (vidi zadatak 1.42 u poglavlju 1.7.2. Transportne jednadbe). To elektrino polje uzrokuje dodatni pad napona u diodi, tako da napon na samom pn-spoju nee biti jednak prikljuenom naponu ve e biti manji. Osim toga, za koncentraciju manjinskih nosilaca ne vrijedi vie Boltzmannova relacija. Umnoak koncentracija elektrona i upljina uvijek je [Gummel67] U n p ni2 exp (2.105) . UT Uz pretpostavku niske injekcije iz izvoda Shockleyeve jednadbe, u (2.105) je izmeu lijeve i desne strane znak jednakosti. Razmotrimo gornju relaciju za n-stranu spoja. U uvjetima niske injekcije koncentracija manjinskih upljina je puno manja od koncentracije veinskih elektrona. Pri porastu prikljuenog napona U rastu koncentracije i veinskih i manjinskih nosilaca, jer mora biti zadovoljen uvjet elektrike neutralnosti. Prirasti tih koncentracija su meusobno jednaki, ali je koncentracija veinskih nosilaca puno vea, pa je njen relativni prirast zanemariv tj. nn0 = n0n . Prema tome
pn 0 =
U U ni2 exp = p0n exp , n0 n UT UT
Ovaj pad napona javlja se samo u kvazineutralnom podruju oko barijere gdje je koncentracija nosilaca vea od ravnotene i treba ga razlikovati od pada napona na serijskom otporu (otporu poluvodia od aktivnog dijela diode do vanjskih prikljunica).
Zadatak 2.15
203
to je Boltzmannova relacija. Kod visoke injekcije koncentracija injektiranih manjinskih nosilaca postaje sumjerljiva s koncentracijom veinskih nosilaca ( pn0 = nn0), pa iz (2.105) slijedi
U pn 0 = ni exp , 2 U T
tj. koncentracija manjinskih nosilaca uz rub barijere raste sporije nego u uvjetima niske injekcije. Posljedica toga je sporiji porast struje s prikljuenim naponom nego u uvjetima niske injekcije. Strujno-naponska karakteristika diode u uvjetima visoke injekcije moe se opisati Shockleyevom jednadbom, ako se uvede faktor m, koji u uvjetima visoke injekcije na obje strane diode tei vrijednosti 2 U I = I S exp 1 . m UT Na slici 2.33 prikazane su karakteristike realne diode za podruje propusne polarizacije. Valja primijetiti da se pojave koje se na grafu s logaritamskim mjerilom na ordinati (slika 2.33b) mogu uoiti, na grafu s linearnim mjerilom (slika 2.33a) ne mogu sve obuhvatiti. Kod vrlo malih napona propusne polarizacije na diodi (dio karakteristike na slici 2.33b oznaen s a), znaajan udio u struji kroz diodu ima komponenta struje uslijed rekombinacije nosilaca unutar barijere, koja raste s exp ( U / 2UT) [Sah57], pa je ukupna struja kroz diodu u tom podruju
I
realna dioda
10 8
idealna dioda d c
6
10
idealna dioda
I . rs
I IS
10 4 10 2
U
a)
10
20
30
U / UT
b)
Slika 2.33. Strujno-naponska karakteristika realne diode: a) linearno mjerilo, b) logaritamsko mjerilo na ordinati: (a) rekombinacija nosilaca unutar barijere, (b) niska injekcija, (c) visoka injekcija, (d) djelovanje serijskog otpora [Sah57, Moll58].
Ako su koncentracije primjesa na pojedinim stranama pn-spoja razliite, svaka od tih strana e ui u reim visoke injekcije kod razliitih napona; slabije dopirana strana e ui u reim visoke injekcije kod manjeg napona.
Zadatak 2.15
204
U I exp , m U T
(2.106)
pri emu je 1 m 2 . Faktor proporcionalnosti u izrazu (2.106) nije jednak reverznoj struji zasienja dobivenoj pri izvodu Shockleyeve jednadbe (koja zanemaruje generaciju i rekombinaciju nosilaca u barijeri), ve je uvean za struju generiranih nosilaca. U podruju niske injekcije (b) tee uglavnom difuzijska struja manjinskih nosilaca, pa je karakteristika diode dobro opisana Shockleyevom jednadbom. U podruju visoke injekcije (c) dolaze do izraaja efekti koje smo maloprije opisali, te je struja kroz diodu opisana jednadbom (2.106). Kod velikih struja kroz diodu treba uzeti u obzir i dodatni pad napona na serijskim otporima poluvodia od pn-spoja do vanjskih prikljunica (d dio karakteristike). Taj pad napona uzrokuje izravnavanje karakteristike diode na slici 2.33a, jer je ukupni napon na diodi jednak naponu na intrinsinoj diodi, uvean za pad napona na linearnom otporniku rs . U semilogaritamskom prikazu (slika 2.33b) pad napona na serijskom otporu oituje se kao savijanje strujno-naponske karakterisitike prema logaritamskoj funkciji. Ako nije posebno naglaeno, u zadacima e se podrazumijevati da je vrijednost faktora m = 1.
Zadatak 2.16
Dvije pn-diode spojene su na neki napon prema slici 2.34. Omjer struja dioda u ovakvom spoju je I1 /I2 = 5. Ako se dioda D2 obrne, omjer tih struja bit e 2. Odredite napon na koji su diode spojene, ako je UT = 25 mV.
Rjeenje:
I1
D1
D2
Obje diode spojene na isti napon, ali su simboli dioda Slika 2.34. Spoj dviju meusobno zaokrenuti, pa je razvidno jedna dioda propusno, a dioda u zadatku 2.16 druga zaporno polarizirana. S obzirom da napon U traimo, pretpostavit emo da je on pozitivan; ova pretpostavka ne utjee na tonost rjeenja, ali nam je neophodna da bismo utvrdili koja je od dioda propusno, a koja nepropusno polarizirana. Taj podatak je pak neophodan da bismo znali s kojim emo polaritetom uvrtavati struje I1 i I2 u Shockleyevu jednadbu.
anoda
I2 U
ID
+
UD
n
katoda
Slika 2.35. Simbol pn-diode s referentnim smjerom struje i referentnim polaritetom napona.
Na slici 2.35 prikazan je simbol pn-diode s oznaenim prikljunicama, te s referentnim smjerom struje kroz diodu i referentnim polaritetom pada napona na diodi. Referentni smjer struje odgovara smjeru kojim struja tee kada je dioda propusno polarizirana, tj. kada je anoda (p-strana diode) na pozitivnijem potencijalu od katode (n-strane diode). Ako se smjer struje koju vanjski krug tjera u diodu ili polaritet napona prikljuenog na diodu poklapaju s referentnim smjerom na slici 2.35, tada ih u Shockleyevu jednadbu uvrtavamo s pozitivnim predznakom. U protivnom ih trebamo uvrtavati s negativnim predznakom.
Zadatak 2.16
205
itatelj e lako zapamtiti koji je referentni smjer struje kroz simbol pn-diode, ako uoi da se strelica u simbolu diode podudara s referentnim smjerom, iako po podrijetlu strelica u simbolu ima potpuno drugi smisao. Pogledamo li spoj na slici 2.34 i usporedimo s referentnim smjerovima na slici 2.35, moemo zakljuiti da je dioda D1 propusno, a D2 nepropusno polarizirana. To znai da e struja kroz diodu D1 biti pozitivna, a struja kroz diodu D2 negativna. Radi bolje razumljivosti, nacrtajmo ponovno sklop sa slike 2.34, ali sa oznaenim referentnim strujama i naponima pojedinih struja, slika 2.36a. Ovako oznaene struje (ID1 i ID2) i napone (UD1 i UD2) uvrtavat emo u Shockleyeve jednadbe za obje diode
U U I D1 = I S 1 exp D1 1 , I D 2 = I S 2 exp D 2 1 UT UT
(2.107)
Da bismo razlikovali struje i napone u ovom spoju od struja i napona u drugom spoju, u indekse emo dodati slovo a.
I1
+ U D1a
I1
+ U D1b
I D1a U D2a + I2 + ID2a U

a)
I D1b + U D2b I2 + I D2b U

b)
Slika 2.36. Referentne struje i naponi za diode: a) u prvom spoju zadatka 2.16; b) kada se obrne dioda D2.
Sa slike 2.36a je oito da struja ID1a mora biti pozitivna, jer se njen smjer poklapa sa smjerom vanjske struje I1, dok struja ID2a mora biti negativna, jer je njen smjer suprotan smjeru vanjske struje I2. Stoga e omjer struja ID1a i ID2a biti negativan:
I D1a I D2a U I S 1 exp D1a 1 U T = 5 . = U D2a I S 2 exp 1 UT
(2.108)
Prve poluvodike diode (otkrio F. Brown, 1874) dobivale su se zabadanjem metalnog iljka u komadi poluvodia. iljak je bio najee od volframa, a poluvodi je bio germanij n-tipa. Strelica simbolizira taj metalni iljak, a pravokutnik (koji se esto crta samo kao ravna linija) simbolizira poluvodi.
Zadatak 2.16
206
Shodno gornjim predznacima struja jasno je da napon UD1a mora biti pozitivan, a UD2a negativan (Shockleyeva jednadba e dati pozitivnu struju samo za pozitivne napone, a negativnu za negativne napone!). Pritom su oni meusobno jednakih iznosa, te je U D1a = U D 2 a = U , tako da omjer (2.108) moemo pisati kao
I D1a I D2a U I S 1 exp 1 UT = 5 . = U I S 2 exp 1 UT
(2. 108a)
Obrnemo li diodu D2 (veliine za tu konfiguraciju emo oznaiti dodatnim slovom b u indeksima), promijenit e se referentni smjerovi struja i polariteti napona za tu diodu (slika 2.36b). U tom sluaju bit e omjer struja ID1 i ID2 pozitivan:
I D1b I D2b U I S 1 exp D1b 1 UT = 2 , = U D 2b I S 2 exp 1 UT U D1b = U D 2b = U ,
(2.109)
a kako su naponi omjer struja je sada

I D1b I D 2b U I S 1 exp 1 UT =2. = U I S 2 exp 1 UT
(2.109a)
Budui da su lanovi u uglatim zagradama brojnika i nazivnika sada meusobno jednaki, nakon njihova kraenja dobit emo da je omjer reverznih struja zasienja I S 1 I D1b = =2. I S 2 I D 2b Uvrstimo li ovaj omjer u (2.108a), nakon sreivanja dobit emo jednadbu
U U 2 exp 2 7 exp +5= 0, UT UT
(2.110)
to je kvadratna jednadba
2 t2 7 t + 5 = 0
(2.110a)
po parametru
U t = exp . UT
(2.110b)
Rjeenja te kvadratne jednadbe su
Zadatak 2.16
207
t1,2 = odnosno
7 3 2,5 = , 4 1
22,9 mV U = U T ln(t ) = . 0 Drugo rjeenje (U = 0) emo odbaciti, jer je za to rjeenje struja kroz obje diode jednaka nuli.
Zadatak 2.17
Izraunati temperaturne koeficijente propusno polarizirane silicijske pn-diode pri konstantnoj vrijednosti a) napona na diodi, odnosno b) struje kroz diodu. Napon na diodi U = 0,7 V, reverzna struja zasienja diode IS = 1 nA, temperatura T = 300 K. Pretpostaviti da je u zadanoj radnoj toki faktor m = 1,7.
Rjeenje:
Kako je zadan faktor m, koristit emo modificiranu Shockleyevu jednadbu
U I = I S exp 1 . m UT Dioda je propusno polarizirana naponom U = 0,7 V > UT , pa u gornjem izrazu prevladava > eksponencijalna funkcija u uglatoj zagradi, tj.
U I = I S exp . m UT
(2.111)
a)
Da bismo odredili temperaturni koeficijent struje kroz diodu pri konstantnoj vrijednosti napona, derivirat emo (2.111) po temperaturi. Uoimo da u izrazu (2.111) ovisnost struje o temperaturi proizlazi iz temperaturne promjene reverzne struje zasienja IS , te iz naponskog ekvivalenta temperature u nazivniku argumenta eksponencijalne funkcije. Zbog toga (2.111) treba derivirati kao umnoak dviju temperaturno ovisnih funkcija
U U dI dI U = S exp + I S exp = dT dT m UT m UT m UT T
dI S I U I . dT I S m UT T
(2.112)
U gornjem izrazu (2.112) poznate su nam sve veliine, osim struje kroz diodu I i derivacije dIS / dT. Struju kroz diodu izraunat emo jednostavno pomou Shockleyeve jednadbe
U I = I S exp = 8,27 mA . m U T
Zadatak 2.17
208
Derivaciju reverzne struje zasienja po temperaturi izvest emo uz pretpostavku da dioda ima obje strane puno ire od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca, pa je
n0 p Dn p0n D p Dn Dp = S q ni2 IS = S q + L N L + N L . Lp A n n D p
(2.113)
Zbog temperaturne ovisnosti pokretljivosti i (u manjoj mjeri) vremena ivota manjinskih nosilaca, difuzijske konstante (Dn , Dp) i difuzijske duljine (Ln , Lp) mijenjaju se s promjenom temperature. Meutim, temperaturne promjene tih lanova u (2.113) imaju puno slabiji utjecaj nego to ga ima promjena kvadrata intrinsine koncentracije n2. tovie, temperaturne promjene difuzijskih i konstanti u brojnicima djelomino ponitavaju temperaturne promjene difuzijskih duljina u nazivnicima. Navedene injenice nam dozvoljavaju da (2.113) napiemo u obliku
I S = C ni2 .
(2.114)
Kod dioda s uskim stranama umjesto difuzijskih duljina u nazivnicima izraza za reverznu struju zasienja nalaze se temperaturno neovisne efektivne irine kvazineutralnih podruja pn-diode. Difuzijska konstanta jednaka je umnoku naponskog ekvivalenta temperature koji raste proporcionalno s temperaturom, te pokretljivosti koja pada s porastom temperature. Dakle, i za takve diode moemo uzeti da u temperaturnoj promjeni reverzne struje zasienja prevladava porast kvadrata intrinsine koncentracije, te moemo koristiti izraz (2.114). Logaritmiranjem ovog izraza, dobiva se ln I S = ln C + 2 ln ni , a kada to deriviramo po temperaturi dI S dn = 2 i . IS ni (2.115)
Prema (2.115), za male promjene temperature relativna promjena reverzne struje zasienja dvostruko je vea od relativne promjene intrinsine koncentracije. Relativnu promjenu intrinsine koncentracije dni / ni ve smo raunali u prvom poglavlju (zadatak 1.6), te smo dobili izraz (1.42) dni E dT 1 = 3 + G0 , 2 ni ET T to, uvrtavanjem u (2.115), daje dI S E dT = 3 + G0 , IS ET T odnosno traenu derivaciju dI S E I = 3 + G0 S . dT ET T (2.118) (2.117) (2.116)
Za male promjene temperature derivacije u gornjim izrazima mogu se nadomjestiti konanim prirastima. Razmotrimo malo izraz (2.117). Za podruje sobnih temperatura za veinu poluvodia drugi lan u zagradi prevladava, pa e za istu relativnu promjenu temperature relativna promjena reverzne struje zasienja biti vea kod poluvodia s veom irinom zabranjenog pojasa E'G0 (podsjetimo se da je E'G0 irina zabranjenog pojasa dobivena linearnom ekstrapolacijom na temperaturu apsolutne nule). Meutim, kako su reverzne struje zasienja pn-spojeva u
Zadatak 2.17
209
poluvodiima s veom irinom zabranjenog pojasa znatno manje, apsolutne promjene reverzne struje zasienja (izraz (2.118)) su manje. Na primjer, za silicij (E'G0 = 1,206 eV) na T = 300 K, za promjenu temperature od 1 K, relativna promjena intrinsine koncentracije, prema izrazu (2.116), iznosi
ni = 0,0828 8,28 % , ni
dok je relativna promjena reverzne struje zasienja, prema izrazu (2.117),

I S n = 2 i = 0,116 16,6 % . IS ni
Za germanij (E'G0 = 0,779 eV) se dobiva

ni = 0,0552 5,52 % , ni
odnosno
I S n = 2 i = 0,110 11,0 % . IS ni
Iako je relativna promjena reverzne struje zasienja u siliciju neto vea, sama reverzna struja zasienja je u silicijskom pn-spoju (pretpostavimo li jednake pokretljivosti i vremena ivota nosilaca u siliciju i germaniju, te jednake povrine spojeva) za oko est redova veliine manja, jer je intrinsina koncentracija u siliciju oko tri reda veliine manja (vidi tablicu 1.6), a reverzna struja zasienja je prema izrazu (2.114) proporcionalna kvadratu intrinsine koncentracije. Zbog toga su poluvodike komponente u siliciju, odnosno openito u poluvodiima sa irim zabranjenim pojasom, manje osjetljive na promjene temperature, pa je i temperaturno podruje primjene tih komponenti ire. Sada se moemo vratiti izrazu (2.112), u koji emo uvrstiti izvedeni izraz (2.118)
E I E dI U U I = 3 + G0 I = 3 + G0 . dT ET T m UT T ET m UT T
(2.119)
Uvrtavanjem brojanih vrijednosti u (2.119) dobit emo traenu vrijednost temperaturnog koeficijenta struje dI = 930 A / K . dT Temperaturni koeficijent struje je pozitivan, to znai da ako napon na diodi drimo konstantnim, struja kroz diodu pri porastu temperature raste. Uzrok tome je porast intrinsine koncentracije nosilaca. Taj porast umanjen je padom iznosa eksponencijalne funkcije (trei pribrojnik u zagradi u (2.119)). I na slici 2.37 koja prikazuje strujno-naponske karakteristike diode za dvije razliite temperature uoljiv je porast struje kroz diodu pri konstantnom naponu (pomak oznaen s a)).
T2 > T1 T1 a) U= konst. b) I= konst.
U
Slika 2.37. Temperaturne promjene napona i struje pn-diode.
b)
Za izraunavanje temperaturnog koeficijenta napona prethodno moramo iz Shockleyeve jednadbe izluiti napon na diodi. Budui da je I > IS , >
Zadatak 2.17
210
I I U = m U T ln + 1 = m U T ln . IS IS
Deriviranjem po temperaturi, uz konstantnu struju

I dU T dU d IS = m ln + m U T ln = I dT dT dT IS
= m
I I 1 dI UT ln + m U T S = T IS I S I dT
U m U T dI S . T IS dT
(2.120)
Uvrstimo li u (2.120) izraz za dIS / dT koji smo izveli u a) dijelu zadatka E dU U m U T = 3 + G0 , dT T T ET to s uvrtenim vrijednostima daje dU = 4,94 mV / K . dT Temperaturni koeficijent napona je negativan, budui da prevladava utjecaj promjene intrinsine koncentracije s temperaturom (drugi lan u (2.121)), pa e se pri porastu temperature, drimo li struju kroz diodu konstantnom, napon na diodi smanjiti (slika 2.37, promjena b)). Rezultate ovog zadatka dobro je imati na umu pri spajanju dioda, ali i drugih poluvodikih komponenti koje rade s propusno polariziranim pn-spojevima (npr. bipolarni tranzistori), u elektronikim sklopovima. U a) dijelu zadatka smo vidjeli da pri konstantnom naponu na diodi (naponska pobuda) struja kroz diodu raste pri porastu temperature. Porast struje uzrokovat e dodatno zagrijavanje diode, jer raste disipacija snage (umnoak konstantnog napona i rastue struje), zbog ega e struja kroz diodu jo vie porasti. Ovaj samopobuujui proces moe dovesti do pregrijavanja i unitenja diode. Nasuprot tome, u b) dijelu zadatka, pri konstantnoj struji kroz diodu (strujna pobuda) napon na diodi pada s porastom temperature. Zbog toga e se smanjiti disipacija topline (umnoak konstantne struje i opadajueg napona), to se suprotstavlja poetnom porastu temperature koji je izazvao poremeaj. Dakle, dioda spojena izravno na naponski izvor s malim unutarnjim otporom bit e temperaturno nestabilna i vrlo vjerojatno e doi do njena unitenja. Ako elimo diodu zatititi, moramo je pobuivati strujno, tj. u seriju s diodom moramo umetnuti otpornik dovoljno velikog otpora da pad napona na tom otporu bude puno vei od pada napona na diodi. (2.121)
Zadatak 2.18
Reverzna struja zasienja neke diode je 1 pA. Odredite napone na diodi kod kojih e struja kroz diodu iznositi: a) 0,5 pA, b) 2 pA. UT = 30 mV.
Rjeenja: a) U = 12,2 mV ili U = 20,8 mV, b) U = 33,0 mV.
Zadatak 2.18
211
Zadatak 2.19
Dioda sa skokovitim pn-spojem povrine 0,1 mm2 ima koncentracije primjesa na pojedinim stranama spoja: NA = 1015 cm3, odnosno ND = 51016 cm3. Vremena ivota manjinskih nosilaca su n = 5 s i p = 0,2 s. Izraunajte reverznu struju zasienja te diode na 300 K, te napon koji mora biti prikljuen na diodu da bi struja kroz diodu bila 0,1 mA. Geometrijske duljine obiju strana diode su puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca.
Rjeenja: IS = 8,581014 A, U = 0,540 V.
Zadatak 2.20
Izraunajte reverznu struju zasienja diode iz prethodnog zadatka, ako je efektivna irina n-strane wn = 1 m.
Rjeenje: IS = 1,381013 A.
Zadatak 2.21
Na slici 2.38 su nacrtane raspodjele manjinskih nosilaca u silicijskoj diodi sa skokovitim pn-spojem. Izraunajte napon prikljuen na diodu i struju kroz diodu, ako su pokretljivosti manjinskih nosilaca: n = 1300 cm2/Vs, p = 350 cm2/Vs. Temperatura je 300 K, a povrina spoja 0,01 mm2.
Rjeenja: U = 0,500 V, I = 5,67 A.
n cm3
5.10
13
p cm3
50 m
2.105 4.10 3 5 m
Slika 2.38. Raspodjele manjinskih nosilaca u diodi iz zadatka 2.21.
Zadatak 2.22
Za diodu iz zadatka 2. 21 izraunajte postotne promjene: a) napona na diodi uz konstantnu struju kroz diodu, b) struje kroz diodu uz konstantni napon na diodi, ako se temperatura povisi za 0,1 C.
Rjeenja: a) U / U = 0,0523 %; b) I / I = 1,01 %.
Zadatak 2.23
Dvije diode s jednakim karakteristikama spojene su prema slici 2.39. Pad napona izmeu krajeva ovog serijskog spoja iznosi 35 mV. Izraunajte koliki su naponi na pojedinim diodama i napon U nakon obrtanja diode D1, ako je pritom struja kroz diode ostala nepromijenjena. UT = 25 mV.
Rjeenja: UD1 = +10,2 mV, UD2 = 17,5 mV, U = 27,7 mV
I +
D1 U
D2
Slika 2.39. Spoj dviju dioda u zadatku 2.23.
Zadatak 2.19
212
2.4.2. Utjecaj ugraenog elektrinog polja na strujno-naponske karakteristike* Pri izvodu Shockleyeve jednadbe pretpostavili smo da je elektrino polje izvan barijere dovoljno slabo da nema utjecaja na struje manjinskih nosilaca. Driftne struje manjinskih nosilaca su u tom sluaju zanemarive, a ukupna struja kroz pn-spoj moe se izraziti preko difuzijskih struja manjinskih nosilaca. Jedan od uvjeta da nema elektrinog polja izvan barijere jest da su p- i n- strana spoja homogeno dopirane, tj. da su koncentracije primjesa na obje strane spoja konstantne. Dok je u poluvodikim komponentama kojima je pn-spoj ostvarivan postupkom legiranja taj uvjet bio zadovoljen, kod komponenti dobivenih planarnim postupcima raspodjele primjesa u pojedinim podrujima su vrlo rijetko homogene. Zbog toga i u podruju izvan barijere postoji ugraeno elektrino polje (vidi poglavlje 1.8. Nehomogeni poluvodii) koje e uzrokovati znaajne driftne struje manjinskih nosilaca.
Zadatak 2.24
Izvesti izraz za strujno-naponsku karakteristiku pn-diode u kojoj n- i p-strana spoja nisu homogeno dopirane. Rjeenje: [Valk91]
Razmotrit emo utjecaj ugraenog elektrinog polja na upljinsku komponentu struje, tj. na struju manjinskih upljina na n-strani spoja. Podsjetimo se da rjeavanjem jednadbe kontinuiteta za manjinske upljine, uz pripadajue rubne uvjete dobivamo raspodjelu upljina. Na osnovu dobivene raspodjele, transportna jednadba e nam dati upljinsku struju kroz pn-spoj. Jednadba kontinuiteta za upljine u jednodimenzionalnom sluaju glasi pn p p0n 1 J p = n . t q x p (2.122)
U stacionarnim uvjetima pn / t = 0, pa jednadba kontinuiteta prelazi u obinu diferencijalnu jednadbu 1 J p pn p0 n =0. q x p (2.123)
Valja uoiti da u gornjim jednadbama ravnotena koncentracija p0n nije konstantna, ve se mijenja s prostornom koordinatom kao posljedica nehomogene raspodjele primjesa! Prema transportnoj jednadbi struja upljina je u jednodimenzionalnom sluaju
dpn , dx pa ako to uvrstimo u (2.123), dobit emo diferencijalnu jednadbu J p = q p p ( x) q D p
(2.124)
Dp
d 2 pn dx
2
d ( pn ) p n p 0 n = 0. dx p
(2.125)
odnosno, primjenom Einsteinove relacije Dp = pUT ,
Zadatak 2.24
213
d 2 pn dx
2
p 1 d ( pn ) pn 2 = 0n , UT dx Lp L2 p
(2.126)
pri emu je Lp difuzijska duljina upljina

Lp = Dp p .
Rjeenje ove diferencijalne jednadbe daje nam raspodjelu manjinskih upljina na n-strani. Valja uoiti da se openito i jakost elektrinog polja mijenja s prostornom koordinatom. Meutim, nas zanima raspodjela manjinskih nosilaca uz rub barijere da bi iz te raspodjele mogli izraunati gradijent neophodan za transportnu jednadbu. Stoga emo analizu ograniiti na rub barijere, pa moemo jakost elektrinog polja uz rub barijere izluiti ispred derivacije po prostornoj koordinati. Prema tome (2.126) moemo napisati kao
d 2 pn dx
2
pn p ( x) (0) dpn 2 = 0n2 , U T dx Lp Lp
(2.127)
to je nehomogena linearna diferencijalna jednadba drugog reda. Ona vrijedi za bilo koji x samo ako je jakost elektrinog polja izvan barijere konstantna, dakle za sluaj eksponencijalne raspodjele primjesa! Ope rjeenje jednadbe (2.127) sastoji se od rjeenja homogene jednadbe i partikularnog rjeenja. U uvjetima ravnotee driftna i difuzijska komponenta struje upljina (prvi i drugi lan u jednadbi (2.127)) meusobno se ponitavaju. Zbog toga partikularno rjeenje gornje jednadbe mora odgovarati ravnotenoj raspodjeli upljina pnP ( x ) = p0n ( x ) . Ope rjeenje jednadbe homogenog oblika jednadbe (2.127)
d 2 pn dx 2 pn (0) dpn 2 =0 U T dx Lp
je oblika
pnH ( x ) = C1 exp ( k1 x ) + C2 exp ( k 2 x ) ,
(2.128)
pri emu su k1 i k2 korijeni karakteristine jednadbe,

k1 = (0) 1 (0) + 2 , 2 UT Lp 2 UT
2 2
(2.129)
(0) 1 (0) k2 = + + 2 . 2 UT Lp 2 UT
a C1 i C2 su konstante integracije koje treba odrediti iz rubnih uvjeta. Kako je korijen u gornjim izrazima uvijek po iznosu vei od lana ispred korijena, vrijedi da je k1 < 0, a k2 > 0. Pretpostavimo da je duljina n-strane puno vea od difuzijske duljine manjinskih upljina, tako da su se na dovoljno velikoj udaljenosti od barijere sve injektirane upljine rekombinirale, a raspodjela manjinskih upljina se poklapa s ravnotenom raspodjelom. Ako je ishodite koordinatnog sustava na rubu barijere, a +x-os okrenuta u volumen n-strane, gornju pretpostavku moemo pisati kao lim pnH = 0 ,
x
Zadatak 2.24
214
pa je konstanta C2 = 0, te otpada drugi lan u opem rjeenju (2.128). Preostali dio opeg rjeenja (2.128) bit e (2.130) pnH ( x ) = C1 exp( k1 x ) = C1 p( x ) , pa rjeenje jednadbe kontinuiteta (2.127) moemo napisati kao pn ( x ) = pnH + pnP = C1 p( x ) + p0n ( x ) . (2.131)
Rjeenje homogene jednadbe p( x ) odgovara raspodjeli ekscesnih upljina, tj. raspodjeli upljina iznad ravnotene. Podsjeamo da gornja funkcija ne daje tonu raspodjelu manjinskih upljina za bilo koji x, ve samo u blizini barijere, jer smo zanemarili promjenu elektrinog polja s prostornom koordinatom. Konstantu integracije C1 odredit emo preko rubnog uvjeta na barijeri. Koncentracija manjinskih upljina uz rub barijere odreena je Boltzmannovim relacijama, pa je
U pn 0 = pn (0) = p0n (0) + C1 p(0) = p0n (0) exp , UT iz ega slijedi da je

C1 =
U p0n (0) exp 1 . (0) p UT
(2.132)
Uvrstimo li dobiveno rjeenje (2.131) u transportnu jednadbu za upljine, dobit emo da je struja upljina uz rub barijere
J p (0) = q p p0n (0) ( 0) q D p
dp0n dx
x =0
+ q p C1 p(0) (0) q D p C1
dp dx
.
x =0
(2.133) Prva dva lana u (2.133) se ponitavaju, budui da u uvjetima ravnotee, kada se raspodjela upljina poklapa sa ravnotenom raspodjelom, tj. kada je pn ( x ) = p 0n ( x ) , ukupna struja upljina kroz pn-spoj mora biti jednaka nuli. Preostaju samo trei i etvrti lan dp J p = q p C1 p(0) (0) q D p C1 . (2.134) dx x =0 Uvrstimo li (2.132) u ovaj izraz, dobit emo, koristei Einsteinove relacije,
1 dp J p = q p0n (0) p (0) D p p(0) dx U 1 = exp x=0 UT
(0) d U = q p0n (0) D p ln ( p) (2.135) 1 . exp dx UT x=0 UT Kako su svi lanovi ispred i unutar uglate zagrade neovisni o naponu na barijeri, moemo rei da je dobivena strujno-naponska karakteristika oblikom slina upljinskoj komponenti struje u Shockleyevoj jednadbi
Ovo je tono samo ako je promjena irine barijere s naponom zanemariva. U protivnom se pri promjeni poloaja ruba barijere mijenjaju i jakost ugraenog polja uz rub barijere (osim u sluaju eksponencijalne raspodjele primjesa) i ravnotena koncentracija p0n (0) uz rub barijere.
Zadatak 2.24
215
U J p = J pS exp 1 . UT Razlika je samo u izrazu za reverznu struju zasienja. Slian izraz bi se dobio i za elektronsku komponentu struje.
Prvi lan unutar uglate zagrade u izrazu (2.135) odgovara driftnoj, a drugi difuzijskoj komponenti reverzne struje zasienja. Budui da koncentracija manjinskih nosilaca uz rub barijere eksponencijalno pada (vidi izraz (2.130)), difuzijska komponenta e biti pozitivna po predznaku. Kako za realne pn-spojeve koncentracija donora na n-strani raste udaljavanjem od pn-spoja, elektrino polje e biti negativno (vidi poglavlje 1.8. Nehomogeni poluvodii), pa e driftna komponenta struje dijelom ponitavati difuzijsku komponentu.
Za homogeno dopiranu n-stranu, polje uz rub barijere (0) = 0. Funkcija p (x) odgovara poznatoj eksponencijalnoj raspodjeli
x p( x ) = exp L , p
pa "openiti" izraz (2.135) prelazi u klasini izraz za upljinsku komponentu struje kroz pn-spoj
J p = q p0 n Dp U exp 1 . Lp UT
Valja uoiti da elektrino polje u kvazineutralnom podruju osim to izravno ulazi u izraz za reverznu struju zasienja (2.135), utjee i na raspodjelu manjinskih nosilaca (vidi zadatak 1.45 u poglavlju 1.7.3. Jednadbe kontinuiteta), a time posredno i na difuzijsku komponentu! Moemo zakljuiti da oblik raspodjele primjesa ne utjee na funkcijski oblik strujno-naponske karakteristike, ali moe imati znaajan utjecaj na iznos reverzne struje zasienja. Za ilustraciju odnosa driftne i difuzijske komponente, razmotrimo najjednostavniji sluaj koji se moe analitiki rijeiti - eksponencijalnu raspodjelu primjesa. Pretpostavimo da koncentracija donora na n-strani spoja udaljavanjem od pn-spoja raste eksponencijalno
x N D ( x ) = exp . a
Zbog toga e elektrino polje u ekstrinsinom dijelu n-strane biti konstantno

=
UT . a
(2.136)
Ako pretpostavimo da je difuzijska duljina injektiranih upljina konstantna (unato nejednolikoj raspodjeli koncentracije primjesa), raspodjela injektiranih upljina bit e odreena funkcijom (vidi zadatak 1.45)
x pn ( x ) = [ pn 0 p0n (0)] exp * p0n ( x ) = L p x U = p0n (0) exp exp * p0n ( x ) , L UT p pri emu je (usporedi s (2.129))
Zadatak 2.24
216
1 = . + 2 * 2 UT 2 UT Lp Lp 1
Uvrstimo li dobivenu raspodjelu u (2.135), dobit emo da je upljinska komponenta reverzne struje zasienja
2 1 + + 2 , 2 UT 2 UT Lp odnosno, nakon uvrtavanja izraza za elektrino polje (2.136), 1 J pS = q p0n (0) D p + * = q p0n (0) D p U T L p
2 1 1 1 J pS = q p0n (0) D p + + 2 . 2a 2a Lp
Za vrlo strme raspodjele primjesa a < Lp , te e pod kvadratnim korijenom prvi pribrojnik < biti puno vei od drugoga. Cijeli izraz u uglatoj zagradi teit e nuli, tj. driftna komponenta e potpuno ponititi difuzijsku komponentu struje. Naprotiv, za homogeno dopiranu n-stranu a , pa je driftna komponenta jednaka nuli, a izraz za reverznu struju zasienja prelazi u "klasini" difuzijski. Za drugaije raspodjele primjesa izrazi su sloeniji i ne mogu se izraziti preko analitikih funkcija [Klein61, Kennedy63].
2.4.3. Utjecaj degeneracijskih efekata na strujno-naponske karakteristike* Kod pn-dioda dobivenih planarnim postupcima nerijetko su koncentracije primjesa u pojedinim podrujima tako visoke da dolaze do izraaja degeneracijski efekti. Kao to smo vidjeli u poglavlju 1.9. Degeneracijski efekti, u siliciju dopiranom s vie od 1017 primjesa / cm3, dolazi do efektivnog suenja zabranjenog pojasa, a time i do porasta koncentracije manjinskih nosilaca. Kako je struja kroz pn-spoj odreena difuzijskom strujom manjinskih nosilaca, moemo odmah naslutiti da e zbog degeneracijskih efekata struja kroz pn-spoj biti vea nego kada bi se degeneracijski efekti zanemarili.
Zadatak 2.25
Odrediti reverznu struju zasienja diode sa skokovitim pn-spojem povrine S = 0,1 mm2, kod kojeg su koncentracije primjesa na n- i p-strani ND = 51018 cm3, odnosno NA = 1015 cm3. Parametri manjinskih nosilaca su: Dn = 10 cm2/s, Dp = 2 cm2/s, n = 10 s, p = 0,5 s. Geometrijske irine obiju strana su puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. T = 300 K. Rjeenje:
Zadana je dioda sa skokovitim pn-spojem kod kojeg je p-strana slabije dopirana, pa elektronsku komponentu reverzne struje zasienja moemo raunati kao i dosad I nS = q S ni2 Dn = 3,05 10 14 A , N A Ln (2.137)
Zadatak 2.25
217
pri emu je difuzijska duljina manjinskih elektrona Ln = Dn n = 100 m .
Meutim, koncentracija donora na n-strani spoja je znatno via od 1017 cm3. Zbog toga e na n-strani doi do efektivnog suenja zabranjenog pojasa
2 N N E G 0 = E1 ln D + ln D + 0,5 = 71,0 meV , N1 N1 to e uzrokovati da efektivna intrinsina koncentracija bude vea od intrinsine koncentracije koju smo izveli na osnovu Maxwell-Boltzmannove statistike. Omjer efektivne intrinsine koncentracije i "klasine" intrinsine koncentracije ni0 je
E G 0 ni = exp = 3,95 , ni 0 2 ET
pa je efektivna intrinsina koncentracija ni = 5,451010 cm3. Sada moemo pomou izraza I pS = q S ni2 Dp N D Lp (2.138)
izraunati upljinsku komponentu reverzne struje zasienja, s time da umjesto "klasine" uvrstimo efektivnu intrinsinu koncentraciju. Izraunamo li prethodno difuzijsku duljinu manjinskih upljina
Lp = D p p = 10 m ,
16
dobit emo IpS = 1,9010
A, odnosno ukupnu reverznu struju zasienja
I S = I nS + I pS = 3,07 10 14 A . Da smo zanemarili degeneracijske efekte, tj. da smo u (2.138) uvrstili intrinsinu koncentraciju nedegeneriranog silicija, dobili bismo oko esnaest puta manju vrijednost upljinske komponente struje. Meutim, kako je upljinska komponenta puno manja od elektronske komponente, ak i tako velika pogreka ne bi imala znaajnijeg utjecaja na konani rezultat. Openito se moe zakljuiti da je utjecaj degeneracijskih efekata na strujno-naponske karakteristike skokovitih pn-spojeva koji imaju samo jednu stranu visoko dopiranu redovito zanemariv. Naime, komponenta struje manjinskih nosilaca jae dopirane strane je puno manja od druge komponente, pa tonost njenog izraunavanja ne utjee presudno na tonost ukupne struje. Meutim, kod bipolarnih tranzistora je bitno znati toan omjer pojedinih komponenti struja kroz pn-spoj emiter-baza, pa tamo treba uzeti u obzir i utjecaj degeneracijskih pojava. Osim to dolazi do porasta koncentracije manjinskih nosilaca, u nehomogenim visokodopiranim poluvodiima postoji i kvazi-elektrino polje, koje dodatno djeluje na manjinske nosioce (vidi poglavlje 1.9.2. Transportne jednadbe u degeneriranom poluvodiu). Utjecaj tog polja na struju manjinskih nosilaca moe se obuhvatiti na slian nain kako je prikazano u prethodnom poglavlju 2.4.2.
Zadatak 2.25
218
2.5. Dinamika svojstva pn-diode

2.5.1. Dinamiki otpor Strujno-naponska karakteristika diode je nelinearna, te je analiza sklopova koji sadre diode sloena. Kada su amplitude izmjeninih napona i struja na diodi dovoljno male, karakteristika diode oko statike radne toke moe se aproksimirati pravcem tangentom na karakteristiku diode u statikoj radnoj toki. Elektriki to odgovara nadomjetanju diode njenim dinamikim otporom
rd =
UT dU = . dI I + Is
(2.139)
Iznos dinamikog otpora ovisi o poloaju statike radne toke, tj. o istosmjernoj komponenti napona na diodi i o istosmjernoj komponenti struje kroz diodu.
Zadatak 2.26
Za sklop na slici 2.40 treba skicirati valni oblik napona na diodi, ako je na istosmjernu struju kroz diodu ID = 10 mA superponirana sinusna struja id (t) = Idm sin( t)
+ ID id (t)
uD (t)
amplitude: a) Idm = 1 mA, odnosno Slika 2.40. Sklop s diodom u zadatku 2.26. b) Idm = 9 mA. Temperatura T = 300 K, reverzna struja zasienja diode IS = 1012 A. Frekvencija signala je dovoljno niska da ne dolazi do izraaja djelovanje kapaciteta diode.
Rjeenje:
Strujno-naponska karakteristika diode je nelinearna, pa valni oblik napona na diodi nee biti jednak valnom obliku struje kroz diodu. U sklopu na slici 2.40 kroz diodu tjeramo istosmjernu struju ID = 10 mA, na koju je superponirana sinusna struja id ( t ) = Idm sin ( t) . Dakle, ukupna struja kroz diodu je
Pri oznaavanju napona i struja nastojat emo se drati slijedeeg dogovora [IRE56]: 1. veliko slovo veliine i veliko slovo u indeksu (npr. ID) koristi se za istosmjerne veliine, 2. malo slovo veliine i malo slovo u indeksu (npr. id) koristi se za izmjenine veliine, 3. malo slovo veliine i veliko slovo u indeksu (npr. iD) koristi se za trenutne ukupne vrijednosti, 4. veliko slovo veliine i malo slovo u indeksu (npr. Idm) koristi se za amplitude. Na primjer: iD = ID + id = ID + Idm sin ( t). Radi preglednosti ovaj dogovor emo koristiti i pri oznaavanju elektronske, odnosno upljinske komponente struje diode, tako da e se negdje pojavljivati mali indeksi n i p, a negdje veliki indeksi N i P.
Zadatak 2.26
219
i D (t ) = I D + I dm sin ( t ) .
Napon na diodi uD ( t ) sastojat e se takoer od istosmjerne komponente UD i na nju superponirane izmjenine komponente ud ( t ) . Zbog nelinearne strujno-naponske karakteristike izmjenina komponenta napona na diodi bit e manje ili vie izobliena sinusna funkcija (isto bi se dogodilo s valnim oblikom struje kada bi diodu pobuivali naponom). Toan valni oblik napona na diodi, tj. vremenski prikaz trenutne vrijednosti napona, moemo odrediti jedino tako da za svaki trenutak izraunamo trenutnu vrijednost ukupne struje kroz diodu, kao zbroj istosmjerne vrijednosti ID = 10 mA i trenutne vrijednosti sinusne struje id ( t ) = Idm sin ( t ). Zatim, pomou izraza za napon na diodi
i (t ) uD (t ) = U T ln D + 1 , IS izraunamo trenutni napon na diodi. Grafikim povezivanjem izraunatih vrijednosti dobit emo valni oblik napona. Kako u zadatku nije zadana frekvencija signala, umjesto za razliite trenutke t postupak emo provesti za nekoliko razliitih kuteva t .
Prije nego to preemo na sam proraun treba odrediti polarizaciju diode, da bismo znali s kojim emo predznakom uvrtavati iznose struja i napona. Smjer struje istosmjernog strujnog izvora ID na slici 2.40 poklapa se s referentnim smjerom struje, pa e istosmjerna struja ulaziti u Shockleyevu jednadbu s pozitivnim predznakom. Naravno, ovako velika struja niti ne moe tei kroz diodu u reverznom smjeru, budui da je za idealnu diodu, ija je strujno-naponska karakteristika odreena Shockleyevom jednadbom, maksimalna struja koja moe tei kroz diodu u reverznom smjeru jednaka reverznoj struji zasienja. Kod realnih dioda ovako velika reverzna struja moe tei samo ako je dioda u podruju proboja. Kada je t = 0 , sin( t ) = 0 , pa je ukupna struja kroz diodu jednaka istosmjernoj komponenti, tj. iD ( t = 0) = I D = 10 mA . Napon na diodi u tom trenutku bit e I uD ( t = 0) = U D = U T ln D + 1 = 0,595 V . IS Par vrijednosti UD i ID definira toku na strujno-naponskoj karakteristici diode u kojoj su napon, odnosno struja, jednaki vrijednosti kada nema izmjenine komponente napona, odnosno struje. Zbog toga se ta toka zove statika radna toka. Ona je kod pn-diode jednoznano odreena naponom na diodi i strujom kroz diodu. Za t = / 6, sin ( t ) = 1/ 2 . Uz amplitudu sinusnog signala od 1 mA, kako je zadano u a) dijelu zadatka, dobivamo ukupnu vrijednost struje kroz diodu iD ( t = / 6) = I D + I dm sin ( t = / 6) = 10,5 mA , pa je u tom trenutku
uD ( t = / 6) = 0,597 V .
Izmjenina komponenta trenutnog napona na diodi jednaka je razlici ukupne trenutne vrijednosti i istosmjerne komponente ud ( t = / 6) = uD ( t = / 6) U D = 1,26 mV .
Zadatak 2.26
220 Tablica 2.7. Trenutne vrijednosti napona i struja u zadatku 2.26.
a) I dm = 1 mA
b) I dm = 9 mA
t rad
0 /6 /4 /3 /2 2 /3 3 /4 5 /6
iD mA
10,00 10,50 10,71 10,87 11,00 10,87 10,71 10,50 10,00 9,50 9,29 9,13 9,00 9,13 9,29 9,50
uD V
0,59524 0.59650 0,59700 0,59739 0,59770 0,59739 0,59700 0,59650 0,59524 0,59391 0,59334 0,59290 0,59252 0,59290 0,59334 0,59391
ud mV
0 1,26 1,77 2,15 2,46 2,15 1,77 1,26 0 1,33 1,90 2,34 2,72 2,34 1,90 1,33
iD mA
10,00 14,50 16,36 17,79 19,00 17,79 16,36 14,5 10,00 5,50 3,64 2,21 1,00 2,21 3,64 5,50
uD V
0,59524 0,60484 0,60797 0,61014 0,61183 0,61014 0,60797 0,60484 0,59524 0,57978 0,56909 0,55617 0,53572 0,55617 0,56909 0,57978
ud mV
0 9,61 12,7 14,9 16,6 14,9 12,7 9,61 0 15,5 26,2 39,1 59,5 39,1 26,2 15,5
7 /6 5 /4 4 /3 3 /2 5 /3 7 /4 11 /6
Na isti nain moemo izraunati i vrijednosti napona za ostale kuteve. U tablici 2.7 dane su vrijednosti ukupne struje kroz diodu iD , ukupnog napona na diodi uD , te vrijednosti izmjenine komponente napona ud za neke vrijednosti kuta t . Na slici 2.41 tamnom punom linijom prikazani su dobiveni valni oblici. Moemo uoiti da je za veu amplitudu izmjenine komponente struje izoblienje napona znaajno. Meutim, kada je amplituda struje 1 mA, izoblienje sinusnog signala je zanemarivo (uveani dio karakteristike na slici 2.41). Nelinearnost strujno-naponske karakteristike diode pri malim amplitudama signala ne dolazi do izraaja, te se ona moe aproksimirati tangentom na karakteristiku diode u statikoj radnoj toki (tanki svijetli pravac na slici 2.41). Valni oblici napona i struje bit e jednaki, a omjer amplituda struje i napona odreen je nagibom tangente. Nagib tangente ima dimenziju vodljivosti i naziva se dinamikom vodljivou, a njegova reciprona vrijednost dinamikim otporom. Dinamiku vodljivost dobit emo iz Shockleyeve jednadbe deriviranjem struje kroz diodu po naponu na diodi
U D I S U (2.140) 1 = exp D . I S exp U T U T UT Brojnik u ovom izrazu moemo izraziti preko statike struje kroz diodu, pa (2.140) prelazi u I +I gd = D S . (2.141) UT gd = ID = U D U D
Zadatak 2.26
221
id
Idm
Idm = 1 mA
.t
Idm
ud
statika radna toka
.t
i D / mA
20
2
tangenta
(UD , ID ) id
Idm
Idm = 9 mA
2
10
0 Idm
.t
0 0,5
0,55
0,6
uD / V ud
.t
Slika 2.41. Valni oblici napona i struja u zadatku 2.26.
Osim o karakteristikama diode (reverzna struja zasienja u brojniku) i o temperaturi, iznos dinamike vodljivosti ovisi o poloaju statike radne toke. Iz izraza (2.140) vidi se da dinamika vodljivost raste eksponencijalno s istosmjernim naponom, odnosno, prema izrazu (2.141),
Zadatak 2.26
222
linearno s istosmjernom strujom. Znai da e, uz istu amplitudu izmjenine struje, amplituda izmjeninog napona U dm = rd I dm , pri veim istosmjernim strujama kroz diodu, odnosno veim istosmjernim naponima (propusne polarizacije) na diodi, biti manja. Za vrijednosti iz teksta zadatka, dobit emo da je gd = 0,387 S, odnosno rd = 1 / gd = 2,59 , pa e za amplitudu struje od 1 mA, amplituda izmjeninog napona na diodi biti U dm = I dm rd = 2,59 mV . Usporedimo to s najveim i najmanjim vrijednostima izmjeninih napona na diodi danim u tablici 2.7! Kod kuta t = / 2 , kada je napon na diodi najvei (maksimum pozitivne poluperiode napona), ud = 2,46 mV. Za t = 3 / 2 , kada je napon na diodi najmanji (maksimum negativne poluperiode napona), ud = 2,72 mV. Amplitude pozitivne i negativne poluperiode se malo razlikuju od amplitude napona dobivene uz linearnu aproksimaciju strujno-naponske karakteristike diode. Relativna razlika je oko 5 % i ona e za manje amplitude izmjeninog signala biti jo manja. Na slici 2.41 svijetlim linijama su nacrtane tangente na karakteristiku diode, te valni oblici napona dobiveni uz linearnu aproksimaciju karakteristike diode. Koji uvjet mora biti zadovoljen da bi tangenta predstavljala dovoljno dobru aproksimaciju nelinearne karakteristike diode? Uvrstimo li ukupni napon uD ( t ) = UD + ud ( t ) u Shockleyevu jednadbu, dobit emo u U +u iD = I S exp D 1 = I S exp D d 1 = UT UT U u = I S exp D exp d 1 . UT UT Razvijemo li funkciju exp ( ud / UT) u Taylorov red, nakon sreivanja moi emo napisati
2 U U u 1 u iD = I S exp D 1 + I S exp D d + d +K = UT U T U T 2! U T 2 U u 1 u = I D + I S exp D d + d +K . U T U T 2! U T Da bi se mogli zanemariti lanovi razvoja vii od linearnog (koji obuhvaaju nelinearnost karakteristike), odnosno da bi izoblienje signala bilo zanemarivo, amplituda izmjeninog napona ud na diodi mora biti puno manja od naponskog ekvivalenta temperature ( Udm < UT). <
Zadatak 2.26
223
Zadatak 2.27
Za sklop na slici 2.42 treba odrediti valne oblike napona na diodi, ako je na istosmjerni napon UG = 12 V superponiran sinusni napon ug( t ) = Ugm sin ( t), pri emu je Ugm = 50 mV. Reverzna struja zasienja diode IS = 1014 A, serijski otpor diode rs = 20 , faktor m = 1,5. Temperatura je 300 K
Rjeenje:
R=1 k ug(t) UG +
+ uD (t)
sklop u
Slika 2.42. Elektroniki zadatku 2.27.
U sklopu na slici 2.42, na istosmjerni napon izvora UG = 12 V superponiran je izmjenini napon amplitude 50 mV. Pretpostavit emo da je amplituda izmjeninog napona na diodi dovoljno mala (manja od naponskog ekvivalenta temperature) da se nelinearna karakteristika diode oko statike radne toke moe nadomjestiti pravcem, tj. da se za izmjenini signal umjesto nelinearne strujnonaponske karakteristike diode moe koristiti dinamiki nadomjesni sklop za reim maloga signala. Tada se za analizu sklopa moe primijeniti princip superpozicije: 1. Izraunaju se istosmjerni naponi i struje. Sve izvore izmjeninih veliina pri tome treba ugasiti (naponske izvore kratko spajamo, strujne odspajamo). 2. Na osnovu dobivenih istosmjernih vrijednosti, odnosno na temelju poloaja statike radne toke, izraunaju se parametri dinamikog nadomjesnog sklopa (dinamika vodljivost), te se dioda u sklopu zamijeni linearnim dinamikim nadomjesnim sklopom. 3. Pristupa se analizi sklopa pod djelovanjem izmjeninih izvora (gase se svi izvori istosmjernih veliina). Konano rjeenje dobiva se zbrajanjem istosmjernih i izmjeninih komponenti traenih veliina. Istosmjernu struju kroz diodu dobit emo preko Kirchoffovog zakona za napone u zatvorenoj petlji. Pri tome treba voditi rauna o padu napona ID rs na serijskom otporu diode (otpor od vanjskih prikljunica do samog pn-spoja)
I U G = I D R + I D rs + m U T ln D + 1 . IS
Naponski izvor propusno polarizira diodu, budui da je pozitivniji kraj izvora spojen preko otpornika R na anodu diode, a negativniji kraj na njenu katodu. Struja kroz diodu bit e
I U G m U T ln D + 1 IS ID = . R + rs
Dobili smo transcedentnu jednadbu u kojoj je struja ID izluena na lijevu stranu znaka jednakosti, ali se nalazi i u argumentu logaritamske funkcije na desnoj strani. Kako se ova jednadba ne moe analitiki rijeiti, primijenit emo postupak iteracije (vidi tablicu 2.8) koji e nam dati ID = 10,7 mA. Napon na intrinsinoj diodi, tj. napon na pn-barijeri i na kvazineutralnim podrujima oko barijere, bez pada napona na serijskom otporu poluvodia je I U D ,int = m U T ln D + 1 = 1,07 V , IS
Zadatak 2.27
224 Tablica 2.8. Iteracija pri proraunu istosmjerne struje u zadatku 2.27.
korak ID / mA
0 0
1 11,76
2 10,71
3 10,71
dok je pad napona na serijskom otporu I D rs = 0,214 V . Napon na intrinsinoj diodi je za faktor m vei od napona
I U Dpn = U T ln D + 1 = 0,716 V , IS
koji bi na idealnom pn-spoju (m = 1) bio pri istoj struji kroz diodu. Faktor m vei od 1 uzrokuje poloeniju karakteristiku diode, nego to ju daje Shockleyeva jednadba za sluaj kada je m = 1. Zato e kod iste struje i pad napona na diodi biti vei nego kod idealne diode. Dobro je jo jednom se podsjetiti da je teoretski maksimalni mogui napon propusne polarizacije kod idealne diode jednak njenom kontaktnom potencijalu. Serijski otpor uzrokuje dodatni pad napona, tako da je ukupni napon na vanjskim prikljunicama diode
I U D = I D rs + m U T ln D + 1 = 1,29 V . IS
Dinamika vodljivost za zadanu radnu toku bit e m UT rd = = 3,62 . I D + IS Napon na diodi je puno manji od napona napajanja, tj. najvei dio pada napona je na otporniku R. Zbog toga struja u strujnom krugu vrlo slabo ovisi o promjenama pada napona na diodi, to znai da diodu pobuujemo strujno. To nam dozvoljava da umjesto gornjeg iteracijskog postupka primijenimo jednostavniji postupak za izraunavanja istosmjerne struje kroz diodu. Unaprijed emo pretpostaviti da je napon istosmjernog izvora dovoljno velik da napon na propusno polariziranoj diodi bude 0,6 - 0,7 V (napon koljena karakteristike silicijskih dioda). Struja kroz diodu bit e U UD ID = G = 111 mA , , R + rs pri emu smo uzeli da je napon na diodi UD = 0,7 V. Da smo uzeti neku drugu vrijednost, npr. 0,6 V, ne bi bilo znaajne razlike, jer struja kroz diodu slabo ovisi o tom naponu. Naime, u > brojniku gornjeg izraza prevladava prvi lan ( UG > UD). Na temelju ovako dobivene struje, dinamiki otpor e biti rd = 3,50 . Razlika izmeu tonih i priblino izraunatih vrijednosti struje kroz diodu, odnosno dinamikog otpora, je vrlo mala i bila bi jo manja da je napon istosmjernog izvora jo vei. Poto smo izraunali dinamiku vodljivost, moemo prijei na dinamiku analizu. Istosmjerni izvor napona kratko spajamo, a diodu zamjenjujemo njenim nadomjesnim sklopom za reim malog signala, pa sklop sa slike 2.42 prelazi u sklop prikazan na slici 2.43 Kako se radi o lineariziranom modelu (pretpostavlja se da je amplituda signala dovoljno mala da ne dolaze do izraaja nelinearnosti strujno-naponske karakteristike diode, tj. da dioda radi u reimu maloga
Zadatak 2.27
225
signala), valni oblik napona je vjerna kopija valnog oblika struje. Pomou nadomjesnog sklopa na slici 2.43 dobivamo amplitudu napona na diodi kao r +r U dm = U gm s d = 115 mV . , R + rs + rd Da nismo za dinamiku analizu koristili nadomjesni sklop za reim maloga signala, trebali bismo, kao u prethodnom zadatku, za svaki pojedini trenutak rjeavati Kirchoffove jednadbe za zadani sklop, tj. za svaku vremensku toku trebali bismo provesti iteraciju. Za ovaj jednostavni sklop to i ne iziskuje puno rauna, ali se stvari znatno kompliciraju za sklopove sa vie dioda.
R = 1 k rs ug(t)
+ ud (t) rd
Slika 2.43. Nadomjesni sklop za dinamiku analizu sklopa sa slike 2.42.
Zadatak 2.28
Dioda ima reverznu struju zasienja IS = 1012 A. Izraunajte dinamiki otpor te diode na T = 300 K ako je napon na diodi: a) U = +0,5 V, b) U = 0, c) U = 0,5 V.
Rjeenja: a) rd = 103 , b) rd = 2,591010 , c) rd = 6,491018 .
Zadatak 2.29
Dioda ima na nekoj radnoj temperaturi IS = 1011 A. Kada kroz diodu tee struja od 1 mA, njen dinamiki otpor je 25 . Izraunajte napon na diodi, te postotne promjene dinamikog otpora, ako se za 10 % povea: a) struja kroz diodu, b) napon na diodi.
Rjeenja: U = 0,461 V, a) rd / rd = 9,09 %, b) rd / rd = 84,2 %.
Zadatak 2.28
226
2.5.2. Nakrcani naboj manjinskih nosilaca
Kada je pn-dioda propusno polarizirana, dolazi do injekcije nosilaca preko spoja, to poveava koncentracije manjinskih nosilaca iznad ravnotenih vrijednosti. U podrujima oko barijera nastaje ekscesni naboj manjinskih nosilaca koji ima znaajan utjecaj na dinamika svojstva diode, posebice na visokim frekvencijama. Budui da taj naboj nastaje kao posljedica injekcije nosilaca, njegov iznos ovisit e o istosmjernoj struji kroz diodu. Za diodu sa irokom n-stranom ekscesni naboj manjinskih upljina bit e
Qp = I P p ,
gdje je Ip struja upljina kroz pn-spoj. Slino, za diodu s uskom n-stranom
(2.142) (2.143)
Qp = I P t p ,
gdje je tp vrijeme proleta manjinskih upljina kroz usku n-stranu. To je prosjeno vrijeme potrebno upljinama da prou od ruba barijere do vanjske prikljunice na nstrani. Vrijeme proleta kroz homogeno dopiranu n-stranu irine wn moe se raunati preko izraza
tp =
2 wn , 2 Dp
(2.144)
u kojem je Dp difuzijska konstanta manjinskih upljina.
Zadatak 2.30
Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem povrine 0,5 mm2 ima n-stranu dopiranu s ND = 1017 donora / cm3, a p-stranu dopiranu s NA = 5 1015 akceptora / cm3. Geometrijska irina n-strane je 2 m, dok je irina p-strane puno vea od difuzijske duljine manjinskih elektrona. Temperatura T = 300 K i na njoj su vremena ivota manjinskih nosilaca n = 170 s, p = 2,3 s. Izraunati struju kroz diodu i nakrcane naboje manjinskih nosilaca na obje strane spoja kada je napon na diodi a) U = 0,6 V, b) U = 50 V.
Rjeenje:
Na temelju zadanih koncentracija primjesa i vremena ivota manjinskih nosilaca izraunat emo prvo parametre manjinskih nosilaca potrebne za raunanje reverzne struje zasienja. Pomou izraza za ovisnost pokretljivosti nosilaca o koncentraciji primjesa za zadanu koncentraciju donora na n-strani ND = 1017 cm3 moemo izraunati pokretljivost upljina p = 311 cm2/ Vs, odnosno difuzijsku konstantu i difuzijsku duljinu upljina
Dp = p U T = 8,03 cm2 / s ,
L p = Dp p = 43,3 m .
Zadatak 2.30
227
Kao to vidimo, difuzijska duljina manjinskih upljina je puno vea od geometrijske irine nstrane, pa se radi o uskoj n-strani. Slino moemo odrediti parametre manjinskih elektrona na p-strani. Dobit emo:
n = 1300 cm2 / Vs ,
Dn = 33,6 cm2 / s , Ln = 756 m .
a)
Da bismo mogli izraunati reverznu struju zasienja diode i raspodjelu manjinskih upljina na p-strani, trebamo prethodno izraunati efektivnu irinu te strane. Kontaktni potencijal zadanog pn-spoja dobit emo kao
N N U K = U T ln D 2 A = 0,739 V , n i
Ukupna irina barijere pri naponu U = 0,6 V je dB = a irina barijere na n-strani je d Bn = d B NA = 9,34 nm . ND + N A 2 ND + N A (U K U ) = 0,196 m , q ND N A
Koncentracija primjesa na n-strani je puno vea od neto koncentracije primjesa na p-strani, te se barijera praktiki cijela iri na p-stranu spoja. Dioda je propusno polarizirana, pa je barijera uska i moemo zanemariti njenu irinu (odnosno njenu irinu na n-strani) u odnosu na geometrijsku irinu n-strane. upljinska komponenta reverzne struje zasienja za usku n-stranu bit e
I pS = S q ni2 dok je elektronska komponenta I nS = S q ni2 Dn = 1,36 1014 A , N A Ln Dp N D wn = 6,13 1014 A ,
pa je ukupna reverzna struja zasienja IS = IpS + InS = 7,48 1014 A. Za zadani napon U = 0,6 V, struja kroz diodu bit e I = 900 A. Funkcije raspodjela manjinskih nosilaca prikazane su na slici 2.44. Nakrcani naboji manjinskih nosilaca proporcionalni su povrinama ispod funkcija raspodjela manjinskih nosilaca, a iznad ravnotenih koncentracija, kako je oznaeno sjenanim povrinama na slici. Prema tome, nakrcani naboj manjinskih nosilaca dobit emo integracijom raspodjele ekscesnih manjinskih nosilaca po cijeloj irini kvazineutralnog podruja. Ekscesna koncentracija manjinskih nosilaca jednaka je stvarnoj koncentraciji manjinskih nosilaca umanjenoj za ravnotenu koncentraciju, tj. to je koncentracija manjinskih nosilaca iznad ravnotene, pa e nakrcani naboj manjinskih elektrona na p-strani biti
Zadatak 2.30
228
x pw
Qn = S q
xp
[n p ( x) n0 p ] dx .
(2.145)
Opet emo definirati dva koordinatna sustava, za svaku stranu spoja zasebno. Ishodita oba koordinatna sustava postavit emo uz pripadajue rubove barijere (irina barijere je zanemariva), te emo za obje strane uzeti da je prostorna koordinata pozitivna, kao to je i nacrtano na slici 2.44. Donja granica integrala (2.145) postat e 0, a gornja granica wp . Raspodjela manjinskih elektrona uz ovako postavljene koordinatne sustave bit e openito
wp x sinh Ln n p ( x ) = n0 p + (n p 0 n0 p ) . wp sinh Ln
(2.146)
np
pn
np0
Qn
pn0 n0p
Qp
p0n 0
pnw wn
Slika 2.44. Nakrcani naboj manjinskih nosilaca u propusnopolariziranoj diodi.
Za iroku p-stranu ( wp > Ln) gornji openiti izraz prelazi u >

x n p ( x ) = n0 p + (n p 0 n0 p ) exp , Ln
(2.147)
< a za usku p-stranu (wp < Ln) u n p ( x ) = n0 p + ( n p 0 n0 p ) Uvrstimo li (2.146) u (2.145), dobit emo
Qn = S q (n p 0 n0 p ) 1 wp sinh Ln
wp 0
wp x wp
(2.148)
sinh
wp x dx = Ln
Zadatak 2.30
229
= S q (n p 0 n0 p )
wp Ln cosh 1 . wp Ln sinh Ln
(2.149)
Za iroke p-strane, kada je wp > Ln, vrijedi da je cosh ( wp/ Ln) > 1, te je > >
wp = S q (n p 0 n0 p ) Ln . Qn = S q (n p 0 n0 p ) Ln tanh Ln
(2.150)
Do jednakog rezultata doli bismo da smo umjesto openite u (2.145) uvrstili raspodjelu (2.147). Za gornju granicu integracije se u tom sluaju moe uzeti beskonano, budui da se svi ekscesni elektroni rekombiniraju prije no to stignu do prikljunice, pa koncentracija ekscesnih nosilaca tei nuli. Za uske p-strane, hiperbolne funkcije u (2.149) se mogu aproksimirati prvim lanovima razvoja u red potencija
cosh( x ) = 1 +
x2 , 2!
sinh( x ) = x ,
pa je nakrcani naboj manjinskih elektrona . (2.151) 2 Za usku p-stranu mogli smo umjesto openite raspodjele (2.146) integrirati linearnu raspodjelu (2.148) - rezultat bi bio isti. Kako se za male irine p-strane raspodjela manjinskih elektrona moe aproksimirati pravcem koji od ruba barijere do vanjske prikljunice pada sa vrijednosti np0 na ravnotenu vrijednost n0p , nakrcani naboj manjinskih nosilaca bit e proporcionalan povrini pravokutnog trokuta ija je osnovica jednaka efektivnoj irini p-strane, a visina jednaka ekscesnoj koncentraciji manjinskih elektrona uz rub barijere ( np0 n0p). Sada moemo zadane vrijednosti uvrstiti u izraze za nakrcani naboj koje smo izveli. Za naboj manjinskih upljina nakrcanih u uskoj n-strani koristit emo izraz ekvivalentan izrazu (2.151). Ravnotena koncentracija manjinskih upljina je p0n = ni2 = 1900 cm 3 . ND Qn = S q (n p 0 n0 p ) w p
Koncentraciju upljina uz rub barijere dobit emo pomou Boltzmannove formule

U = 2,29 1013 cm 3 . pn 0 = p0n exp UT
Nakrcani naboj manjinskih upljina Qp = S q ( pn 0 p0n ) wn = 1,83 pC . 2 ni2 = 3,81 104 cm 3 , NA
Ravnotena koncentracija manjinskih elektrona na p-strani je n0 p = a koncentracija uz rub barijere
Zadatak 2.30
230
U = 4,58 1014 cm 3 . n p 0 = n0 p exp UT
Nakrcani naboj manjinskih elektrona dobit emo uvrtavanjem vrijednosti u izraz (2.150): Qn = 27,4 nC. Nakrcani naboj manjinskih upljina na n-strani je puno manji od nakrcanog naboja manjinskih elektrona na p-strani prvenstveno zbog male irine n-strane. Kada bi efektivna irina n-strane bila puno vea od difuzijske duljine upljina, dobiveni naboj manjinskih upljina uz zadane vrijednosti bio bi (iz izraza ekvivalentnog izrazu (2.150)) Qp = 1,71 nC. Promotrimo malo vezu izmeu nakrcanog naboja i struje kroz diodu. Upotrijebit emo openite izraze za nakrcani naboj (2.149) Qn = S q (n p 0 n0 p )
wp Ln cosh 1 wp Ln sinh Ln
wp 1 . coth Ln Ln
i za struju (2.97)
I N = S q Dn (n p 0 n0 p )
Podijelimo li ta dva izraza dobit emo Qn L2 = n I N Dn

wp wp cosh cosh 1 1 Ln Ln = n . wp wp cosh cosh Ln Ln
(2.152)
Kao to vidimo, omjer nakrcanog naboja i pripadajue komponente struje proporcionalan je vremenu ivota manjinskih nosilaca i lanu iji iznos ovisi o efektivnoj irini pripadajue strane normiranoj na difuzijsku duljinu manjinskih nosilaca. Za neku diodu ovaj lan e biti konstantan, zanemarimo li utjecaj napona na efektivne irine kvazineutralnih podruja. Za velike omjere wp / Ln razlomak u (2.152) tei k 1, pa moemo pisati da je (2.153) Qn = I N n , tj. omjer nakrcanog naboja i pripadajue komponente struje diode sa irokom p-stranom ovisi iskljuivo o vremenu ivota nosilaca. Za diodu s uskom p-stranom ( wp / Ln < 1 ) moemo < kosinus hiperbolni aproksimirati prvim lanovima razvoja u red potencija cosh( x ) = 1 + pa dobivamo da je tn = w2 Qn n w p p = . = IN 2 Ln 2 Dn
2
x2 , 2!
(2.154)
tn je vrijeme proleta elektrona, prosjeno vrijeme potrebno da manjinski elektroni prou kroz usku p-stranu. Iz prvog izraza u (2.154) vidimo da je vrijeme proleta za diodu s uskom stranom puno manje od vremena ivota. Na primjer, za zadanu diodu vrijeme proleta manjinskih upljina kroz usku n-stranu je
Zadatak 2.30
231
tp =
2 wn = 2,49 ns . 2 Dp
b)
Pri nepropusnoj polarizaciji pn-spoja naponom U = 50 V, ukupna irina barijere je dB = 3,74 m, a irina barijere na n-strani je dBn = 0,178 m. irina barijere na n-strani nije vie zanemariva u odnosu na geometrijsku irinu te strane, pa moramo izraunati efektivnu irinu wn = wn 0 d Bn = 1,82 m . Zbog smanjene efektivne irine n-strane promijenit e se i elektronska komponenta reverzne struje zasienja I nS = S q ni2 Dp N D wn = 6,72 1014 A .
upljinska komponenta reverzne struje zasienja nije se promijenila ( IpS = 1,31 1014 A) budui da je efektivna irina p-strane puno vea od difuzijske duljine manjinskih upljina. Promjene irine barijere, iako su dosta velike, nemaju utjecaja na iznos te struje. Ukupna reverzna struja zasienja je I S = I nS + I pS = 8,03 1014 A . Dioda je polarizirana velikim reverznim naponom, pa je struja kroz nju jednaka reverznoj struji zasienja
I = I S = 8,03 1014 A .
Pri reverznoj polarizaciji koncentracije nosilaca su manje od ravnotenih i zato nema nakrcanog naboja manjinskih nosilaca.
Zadatak 2.31
Dvije silicijske diode koje imaju ND >> NA = 1016 cm3 spojene su u seriju. Jedna dioda ima usku (wp << Ln), a druga iroku p-stranu (wp >> Ln). Vremena ivota elektrona na pstranama su za obje diode ista, povrine dioda su 2 mm2. Difuzijske struje manjinskih nosilaca na udaljenosti 5 m od barijere za diodu D1 iznosi 10 mA, a za diodu D2 10,6 mA. T = 300 K. Odrediti: a) irinu uske p-strane, ako je u njoj nakrcan naboj ekscesnih elektrona 200 puta manji od naboja nakrcanog u irokoj p-strani, b) napone na diodama.
Rjeenje:
Za obje diode je koncentracija donora puno vea od koncentracije akceptora, pa se struja kroz diode sastoji gotovo iskljuivo od elektronske komponente, tj. I = In . Na temelju zadanih difuzijskih struja na 5 m od barijere odredit emo koja dioda je s uskom, a koja dioda sa irokom p-stranom. Diode su spojene u seriju, pa ukupne struje kroz njih moraju biti meusobno jednake. To znai da i difuzijske struje manjinskih elektrona uz rubove barijera moraju biti meusobno jednake. Za diodu sa irokom p-stranom ta struja e eksponencijalno padati od maksimalne vrijednosti uz rub barijere
Zadatak 2.31
232
x I N ( x ) = I N ( x = 0) exp , Ln
pa e difuzijska struja na 5 m od barijere biti manja od struje koja tee kroz pn-spoj. Naprotiv, kod diode s uskom p-stranom difuzijska struja manjinskih elektrona je praktiki konstantna budui da koncentracija elektrona linearno pada od barijere prema prikljunici, tj. I N ( x ) = I N ( x = 0) = konst. Zakljuujemo da vea od zadanih struja odgovara difuzijskoj struji uske diode, a to je ujedno i ukupna struja kroz diode, dok je manja struja difuzijska struja iroke diode na 5 m od ruba barijere. Dakle, dioda D2 je dioda s uskom p-stranom I N 2 ( x ) = 10,6 mA = I N , a dioda D1 je dioda sa irokom p-stranom u kojoj je
x I N 1 ( x ) = I N exp . Ln
a)
Budui da znamo difuzijsku struju elektrona na 5 m od ruba barijere iroke diode D1 I N 1 (5 m) = 10 mA , te difuzijsku struju elektrona uz rub barijere za tu diodu I N 1 ( 0) = I N = 10,6 mA , pomou poznate (eksponencijalne) raspodjele moemo izraziti i izraunati difuzijsku duljinu x Ln = = 85,8 m . IN ln I N 1 (5 m)
Na osnovu zadane koncentracije akceptora na p-strani (NA = 1016 cm3) moemo izraunati pokretljivost elektrona n = 1230 cm2/ Vs, a potom i njihovu difuzijsku konstantu Dn = 31,8 cm2/ s. Iz ovih podataka izraunat emo vrijeme ivota elektrona
n =
L2 n = 2,32 s . Dn
Sada, poto znamo vrijeme ivota, moemo izraunati nakrcani naboj manjinskih elektrona u diodi D1 sa irokom p-stranom Qn1 = I N n = 24,6 nC . Prema tekstu zadatka, nakrcani naboj manjinskih elektrona u diodi s uskom p-stranom je 200 puta manji Q Qn 2 = n1 = 123 pC , 200 a kako je za usku diodu
Qn 2 = I N tn = I N w2 p 2 Dn
(tn je vrijeme proleta elektrona) dobivamo za traenu efektivnu irinu uske p-strane
Zadatak 2.31
233
wp =
Qn 2 2 Dn = 8,58 m . IN
b)
Napone na diodama odredit emo izrazom izvedenim iz Shockleyeve jednadbe
I U = U T ln + 1 . IS
(2.155)
Prethodno trebamo izraunati reverzne struje zasienja obiju dioda. Za diodu D1 (sa irokom pstranom) Dn I S 1 = S q ni2 = 2,49 10 13 A , N A Ln pa se uvrtavanjem u (2.155) dobiva U1 = 0,633 V. Za diodu D2 Dn I S 2 = S q ni2 = 2,49 1012 A . N A wp te je U2 = 0,573 V. Usporedbom dobivenih napona zapaamo da je napon na diodi s uskom p-stranom manji. Naime, pri istom naponu, u diodi s uskom p-stranom bio bi vei gradijent koncentracije elektrona uz rub barijere, a time i vea struja kroz tu diodu (ako su parametri manjinskih nosilaca obiju dioda jednaki). Kako su diode u zadatku spojene u seriju, struje kroz njih, odnosno gradijenti koncentracija manjinskih elektrona moraju biti jednaki, pa je napon na diodi D2 manji.
Zadatak 2.32
Dioda sa skokovitim pn-spojem ima koncentracije primjesa ND = 1017 cm3 i NA = 5 1015 cm3. Efektivna irina p-strane je puno vea od difuzijske duljine manjinskih elektrona, dok je efektivna irina n-strane puno manja od difuzijske duljine manjinskih upljina i iznosi 1 m. Vrijeme ivota manjinskih nosilaca je 5 s, a njihove pokretljivosti su n = 1250 cm2/Vs i p = 310 cm2/Vs. T = 300 K. Izraunajte vrijeme proleta manjinskih upljina kroz n-stranu, te omjere komponenti struja i nakrcanih naboja manjinskih nosilaca.
Rjeenja: tp = 624 ps, IN / IP = 0,634, Qn / Qp = 5084.
Zadatak 2.33
Dvije silicijske diode jednakih geometrijskih dimenzija, koje imaju specifine vodljivosti p-strane puno vee od specifine vodljivosti n-strane, spojene su paralelno na isti napon. Kroz diodu D1 tee struja od 1 mA, pri emu je u njoj nakrcani naboj manjinskih upljina 10 nC. Izraunajte struju koja tee kroz diodu D2 . Koncentracija donora na n-strani diode D1 je ND = 1016 cm3, a diode D2 ND = 5 1016 cm3. Vrijeme ivota manjinskih nosilaca u diodi D1 je 10 s, a u diodi D2 je 8 s. T = 300 K. Povrina spoja je 1 mm2.
Rjeenje: I2 = 0,204 mA.
Zadatak 2.32
234
2.5.3. Difuzijska admitancija i difuzijski kapacitet
Osim barijernog kapaciteta koji je posljedica naboja ioniziranih primjesa unutar barijere, na dinamika svojstva diode utjee i difuzijski kapacitet koji je rezultat nakrcanog naboja manjinskih nosilaca u kvazineutralnim podrujima oko barijere. Tonije, difuzijski kapacitet je posljedica tromosti nakrcanog naboja manjinskih nosilaca, odnosno konanog vremena potrebnog da se taj naboj preraspodijeli pri promjenama napona na pn-spoju. Pri nepropusnim polarizacijama pn-spoja difuzijski kapacitet je zanemariv u odnosu na barijerni, ali je kod propusnih polarizacija difuzijski kapacitet redovito puno vei. Iznos difuzijskog kapaciteta ovisi o frekvenciji prikljuenog izmjeninog signala. Isto tako, i dinamiki otpor openito ovisi o frekvenciji izmjeninog signala. Kako se dioda za dinamike uvjete moe nadomjestiti paralelnom kombinacijom dinamikog otpora i difuzijskog kapaciteta, govorimo o difuzijskoj admitanciji. Za diodu koja ima obje strane iroke (puno ire od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca) difuzijska admitancija dana je izrazom
yd =
1 I N 1 + j n + I P 1 + j p . UT
(2.156)
Difuzijska admitancija se sastoji od realnog dijela - dinamike vodljivosti, te imaginarnog dijela - difuzijske susceptancije j Cd . Kao to vidimo, vrijednost difuzijske admitancije ovisi o poloaju statike radne toke i o vremenima ivota manjinskih nosilaca. Ovisnost o poloaju statike radne toke proizlazi iz lanova IN (elektronska) i IP (upljinska komponenta istosmjerne struje kroz diodu).
Zadatak 2.34
Izvesti izraz za difuzijsku admitanciju pn-spoja koji je propusno polariziran naponom UD >> UT .
Rjeenje: [Valk91]
Pretpostavimo da je na pn-spoj narinut napon koji se sastoji od istosmjerne komponente UD i izmjeninog sinusnog napona ud ( t ) male amplitude Udm . Izmjenini napon prikazat emo u kompleksnom obliku, pa ukupni napon moemo napisati kao
uD (t ) = U D + ud (t ) = U D + U dm e j t .
(2.157)
Taj napon uzrokovat e struju id ( t ) kroz diodu koja se takoer sastoji od istosmjerne komponente ID i izmjenine komponente id ( t ) amplitude Idm
iD (t ) = I D + id (t ) = I D + I dm e j( t + ) .
(2.158)
Naravno, pretpostavlja se da je amplituda napona na diodi dovoljno mala da se karakteristika diode oko radne toke moe aproksimirati pravcem, tj. da ne dolazi do izraaja nelinearnost strujno-naponske karakteristike diode. Zbog tromosti nakrcanog naboja manjinskih nosilaca uz barijeru, naboj ne moe pratiti visokofrekvencijske promjene napona, pa izmjenini napon na diodi i izmjenina struja kroz diodu openito nisu u fazi ve postoji fazni pomak . Difuzijska admitancija jednaka je omjeru izmjenine struje i izmjeninog napona
Zadatak 2.34
235
yd ( ) =
id (t ) . ud (t )
(2.159)
Prema tome, da bismo izveli izraz za difuzijsku admitanciju moramo nai vezu izmeu izmjeninih napona i struja diode, a za to moramo rijeiti jednadbu kontinuiteta. Tijek postupka bit e slijedei: 1. odredit emo rubne uvjete koji su nam neophodni za rjeavanje jednadbe kontinuiteta. Te rubne uvjete izrazit emo preko napona na barijeri; 2. rijeit emo jednadbu kontinuiteta, to e nam dati raspodjele manjinskih nosilaca u kvazineutralnim podrujima poluvodia; 3. iz dobivenih raspodjela moi emo odrediti struje kroz diodu preko gradijenta manjinskih nosilaca uz rubove barijere. Radi jednostavnosti ograniit emo razmatranje na upljine na n-strani. Naravno, za manjinske elektrone na p-strani vrijede identina razmatranja, a ukupna struja kroz diodu, odnosno difuzijska admitancija, dobiva se zbrajanjem doprinosa elektronske i upljinske komponente struje kroz diodu. Ovisnost koncentracija manjinskih nosilaca uz rub barijere o prikljuenom naponu opisana je Boltzmannovim relacijama. Za manjinske upljine na n-strani
U + U dm e j t u (t ) = pn 0 (t ) = p0n exp D = p0n exp D UT UT U U = p0n exp D exp dm e j t . UT UT
(2.160)
Pretpostavili smo da je amplituda izmjeninog signala dovoljno mala da dioda radi u reimu maloga signala, tj. da je Udm < UT . Tada se zadnja eksponencijalna funkcija u gornjem izrazu < moe aproksimirati s prva dva lana razvoja eksponencijalne funkcije u red potencija, tj. exp ( x ) = 1 + x , pa dobivamo da je
U U U pn 0 (t ) = p0n exp D 1 + dm e j t = pn 0 + pn 0 dm e j t , UT UT UT
(2.161)
gdje je
U pn 0 = p0n exp D UT
koncentracija manjinskih upljina uz rub barijere u stacionarnim uvjetima, kada nema izmjeninog signala. Kao to je vidljivo iz (2.161), trenutna koncentracija upljina sinusoidalno titra oko vrijednosti pn 0 . Poto smo odredili rubnu vrijednost koncentracije nosilaca, moemo prionuti rjeavanju jednadbe kontinuiteta pn p 2 pn = n + Dp . t p x2 (2.162)
U (2.162) namjerno je u brojniku prvog lana na desnoj strani izostavljena ravnotena koncentracija p0n . U biti smo tim zanemarenjem translatirali os ordinate za iznos ravnotene
Zadatak 2.34
236
koncentracije, pri emu se ta translacija u parcijalnim derivacijama izgubila. Ova translacija nee imati znaajnijeg utjecaja na konano rjeenja zbog dva bitna razloga: 1. pretpostavljamo da je dioda propusno polarizirana dovoljno velikim naponom da je koncentracija manjinskih nosilaca uz rub barijere puno vea od ravnotene. Kako nam za odreivanje struje elektrona kroz pn-spoj treba samo gradijent koncentracije uz rub barijere, greka koja e nastati u dobivenoj raspodjeli dalje od barijere, gdje nije zadovoljen uvjet > pn( x ) > p0n , nee imati bitnog utjecaja; 2. zanimaju nas dinamike veliine, tj. promjene struje, pa poloaj ishodita koordinatnog sustava nema utjecaja na tonost rjeenja. Zbog navedene translacije osi ordinate, drugi rubni uvjet pri rjeavanju jednadbe kontinuiteta glasit e pn ( x ) = 0 za diodu sa irokom n-stranom, odnosno
pn ( wn ) = 0
za diodu s uskom n-stranom, efektivne irine wn . Moemo oekivati da e ope rjeenje jednadbe (2.162) biti oblika p ( x , t ) = p ( x ) + ~ ( x ) e j t . p
n n n
(2.163)
Prvi lan ( pn ( x ) ) je stacionarna raspodjela upljina, dok je drugi lan superponirana vremenski promjenjiva komponenta. ~n ( x ) je kompleksna amplituda te izmjenine komponente. p Jednadba (2.162) je homogena linearna parcijalna diferencijalna jednadba, pa se ope rjeenje moe izraziti kao linearna kombinacija linearno nezavisnih rjeenja. U naem sluaju jedno linearno nezavisno rjeenje ( pn ( x ) u (2.163)) odgovara stacionarnom stanju kada je pn =0, t iz ega slijedi obina homogena linearna diferencijalna jednadba drugog reda Dp koju moemo pisati i kao
d 2 pn dx 2 pn L2 p =0,
2 pn pn =0, x2 p
(2.164)
(2.165)
gdje je Lp difuzijska duljina manjinskih upljina. Rjeenje ove diferencijalne jednadbe nam je poznato iz izvoda Shockleyeve jednadbe. Drugo linearno nezavisno rjeenje odgovara vremenski promjenjivoj komponenti raspodjele upljina. Na osnovu pretpostavljene vremenske ovisnosti rjeenja (e j t ), vremensku derivaciju moemo nadomjestiti operatorom j = j , t tako da dobivamo obinu diferencijalnu jednadbu ~ d2 ~ p p Dp 2n n (1 + j p ) = 0 . (2.166) p dx
Zadatak 2.34
237
Ovu diferencijalnu jednadbu moemo napisati u obliku ~ d 2 ~n p p *n 2 = 0 , 2 ( Lp ) dx pri emu je

L* = p Lp 1 + j p
(2.167)
(2.168)
Diferencijalne jednadbe (2.165) i (2.167) su identine, a jedina sutinska razlika je u parametru Lp* koji je frekvencijski ovisan. Rjeenje jednadbe (2.165) u openitom sluaju bit e
w x sinh n L p pn ( x ) = pn 0 . wn sinh L p
(2.169)
Za sluaj diode sa irokom n-stranom (wn > Lp), ovo rjeenje prelazi u poznatu eksponencijalnu > raspodjelu
x pn ( x ) = pn 0 exp L . p
(2.170)
Analogno, ope rjeenje jednadbe (2.167) glasi

w x sinh n * L p ~ ( x) = ~ pn pn 0 . w n sinh * Lp
(2.171)
Uvrtavanjem rjeenja (2.169) i (2.171) u (2.163) dobit emo vremensku i prostornu funkciju raspodjele koncentracije manjinskih upljina w x w x sinh n * sinh n L L p p U pn ( x , t ) = pn 0 + pn 0 dm e j t , UT w w n sinh n sinh * L L p p
(2.172)
pomou koje sada moemo odrediti struju upljina kroz pn-spoj kao difuzijsku struju manjinskih upljina uz rub barijere
i PD (t ) = S q Dp pn . x x=0
(2.173)
Uvrstimo li (2.172) u (2.173), dobit emo vremensku ovisnost struje kroz pn-spoj
p w w p U n i PD (t ) = S q Dp n 0 coth n + n 0 dm coth * e j t . L L* U L Lp p T p p
(2.174)
Zadatak 2.34
238
U ovom izrazu moemo razluiti istosmjernu komponentu struje (prvi pribrojnik u uglatoj zagradi) I PD = S q Dp
w pn 0 coth n , L Lp p
w n coth * L p . wn coth L p
(2.175)
te izmjeninu komponentu struje (drugi pribrojnik u zagradi)

w Lp U pn 0 U dm n coth * = I PD * dm * L Lp U T Lp U T p
i pd = S q D p
(2.176)
U (2.176) smo izmjeninu komponentu izrazili preko istosmjerne struje kroz diodu (2.175) da bismo i doprinos struje upljina difuzijskoj admitanciji, i pd ud I PD 1 + j p UT
w tanh n L p w tanh 1 + j p n Lp
y pd =
(2.177)
dobili izraen preko istosmjerne struje, odnosno preko poloaja statike radne toke. Za diodu sa > irokom n-stranom vrijedi da je wn > Lp , pa desni razlomak u (2.177) tei k 1, a cijeli izraz (2.177) postaje y pd = i pd ud = I PD 1 + j p . UT (2.178)
Ukupna difuzijska admitancija jednaka je zbroju doprinosa struje upljina (izrazi (2.177) odnosno (2.178)) i istovjetnih izraza za doprinos struje elektrona. Kao to je uoljivo iz izraza (2.177) odnosno (2.178), difuzijska admitancija je proporcionalna istosmjernoj struji kroz pn-spoj. Ako je jedna komponenta (elektronska ili upljinska) u toj struji zanemariva, tada se redovito moe zanemariti i doprinos pripadajue komponente difuzijskoj admitanciji. Takoer moemo primijetiti da difuzijska admitancija raste s porastom frekvencije izmjeninog signala.
Zadatak 2.35
Silicijska pn-dioda ima n-stranu mnogo vee specifine vodljivosti od p-strane. Vrijeme ivota elektrona na p-strani iznosi n = 20 s. Kroz diodu tee istosmjerna struja iznosa I = 1 mA. Izraunati difuzijsku admitanciju diode, ako je na zadanu istosmjernu struju superponirana izmjenina struja male amplitude i frekvencije: a) f = 500 Hz, b) f = 10 kHz, te c) f = 500 kHz. Naponski ekvivalent temperature UT = 25 mV. Pretpostaviti da je p-strana nekoliko puta ira od difuzijske duljine elektrona.
Zadatak 2.35
239
Rjeenje:
Difuzijska admitancija za diodu kojoj su obje strane puno ire od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca odreena je izrazom (2.156) 1 yd = I N 1 + j n + I P 1 + j p UT
gdje su IN i IP elektronska, odnosno upljinska komponenta istosmjerne struje kroz diodu. Zadana dioda ima specifinu vodljivost n-strane puno veu od specifine vodljivosti p-strane, to znai da e u struji kroz diodu prevladavati struja elektrona I N = I = 1 mA . Zato difuzijsku admitanciju moemo raunati kao I yd = N 1 + j n . UT lan ispred kvadratnog korijena jednak je elektronskoj komponenti dinamike vodljivosti, a kako ona kod ove diode prevladava, moemo rei da je ukupna dinamika vodljivost za niske frekvencije (kada = 0 ) I g0 = N . UT Korijen kompleksnog broja je openito kompleksan broj, pa se difuzijska admitancija moe prikazati kao zbroj realnog dijela (dinamike vodljivosti g ) i imaginarnog dijela (difuzijske susceptancije b) g0 1 + j n = g + j b . Kvadriramo li gornju jednadbu (2.179) dobit emo
2 2 g0 + j g0 n = g 2 b 2 + j 2 g b ,
(2.179)
iz ega, izjednaavanjem realnih, odnosno imaginarnih lanova na obje strane, dobivamo sustav dviju jednadbi s dvije nepoznanice 2 g0 = g 2 b 2 , (2.180) 2 g0 n = 2 g b. Razmotrimo drugu jednadbu u (2.180). Lijeva strana te jednadbe je uvijek pozitivna. Kako je realno oekivati da e dinamika vodljivost g na desnoj strani biti takoer pozitivna veliina, zakljuujemo da e i susceptancija b biti pozitivna veliina. Pozitivna susceptancija znai da u imaginarnom dijelu difuzijske admitancije prevladava kapacitivna komponenta - difuzijski kapacitet. Prema tome, izmjenina komponenta napona na diodi e kasniti u fazi za izmjeninom komponentom struje kroz diodu. Rjeenjem sustava (2.180) (treba rijeiti bikvadratnu jednadbu) dobit emo g=
b=
g0 2
g0 2
1 + 1 + ( n ) 2 ,
(2.181) (2.182)
n
1 + 1 + ( n ) 2
Budui da smo zakljuili da susceptancija ima kapacitivni karakter, tj. b = Cd , iz (2.182) slijedi da je openito difuzijski kapacitet
Zadatak 2.35
240
Cd =
g0 2
n
1 + 1 + ( n ) 2
(2.183)
Dakle, difuzijska admitancija se moe prikazati kao paralelni spoj frekvencijski ovisne difuzijske vodljivosti i frekvencijski ovisnog difuzijskog kapaciteta yd ( ) = gd ( ) + j Cd ( ) . Na slici 2.45 prikazan je cjelokupni nadomjesni sklop diode za reim maloga signala. gd i Cd su difuzijska vodljivost odnosno difuzijski kapacitet, koji zajedno ine difuzijsku admitanciju yd . Njima paralelno je prikljuen barijerni kapacitet CB , a u seriju je spojen serijski otpor rs . Kako se radi o lineariziranom nadomjesnom sklopu diode, svejedno je kako emo sklop okrenuti, pa prikljunice anode i katode nisu oznaene. Nakon to smo izveli sve potrebne izraze za difuzijsku vodljivost i difuzijski kapacitet, moemo pristupiti raunanju njihovih vrijednosti.
gd Cd
yd
rs
CB
Slika 2.45. Nadomjesni sklop diode za reim malog signala.
a)
Pri frekvenciji f = 500 Hz, odnosno = 2 f = 3,14 103 rad / s, frekvencije i vremena ivota manjinskih elektrona je puno manji od 1, tj. n = 0,0628 << 1 . umnoak krune
Kvadrat tog umnoka e biti jo manji po iznosu, pa je dvostruki korijen u brojniku (2.181) praktiki jednak kvadratnom korijenu iz 2, to se krati s nazivnikom, te je
1 + 1 + ( n ) 2 = g0 = 40 mS . 2 Isto vrijedi i za dvostruki korijen u nazivniku izraza (2.183) za difuzijski kapacitet, pa je n g g Cd = 0 = 0 n = 400 pF . 2 2 1 + 1 + ( n ) 2
gd =
g0
Openito moemo rei da su za niske frekvencije, kada je < 1 / , < gd ( ) = g0 ,

Cd ( ) =
(2.184) (2.185)
g0 , 2
frekvencijski neovisni.
c)
Kada je frekvencija izmjeninog signala f = 10 kHz, = 2 f = 62,8 103 rad / s. Umnoak krune frekvencije i vremena ivota manjinskih elektrona je n = 1,26 to je po iznosu blizu 1,
Ovdje je namjerno upotrijebljen izraz difuzijska vodljivost, a ne dinamika vodljivost, da bi se naglasila razlika u odnosu na dinamiku vodljivost g0 za niske frekvencije.
Zadatak 2.35
241
pa u izrazima (2.181) i (2.183) ne moemo vriti nikakva zanemarenja, ve moramo raunati sa cjelokupnim izrazima. Uvrstimo li vrijednosti, dobit emo gd =
Cd =
g0 2
g0
2
1 + 1 + ( n ) 2 = 45,7 mS ,
n
1 + 1 + ( n ) 2
= 350 pF .
d)
Kada je frekvencija signala f = 500 kHz, = 2 f = 3,14 106 rad / s, pa je n = 62,8 >> 1. Zbog toga moemo pod dvostrukim korijenima u izrazima (2.181) i (2.183) zanemariti jedinice, te su gd =
Cd =
g0 2
g0
2
1 + 1 + ( n ) 2 = g0
n = 224 mS , 2
n = 71,4 pF . 2
n
1 + 1 + ( n )
2
= g0
Opet moemo uoiti da je za vrlo visoke frekvencije, kada je > 1 / , umjesto opih izraza > (2.181) i (2.183) prikladnije koristiti pribline izraze
gd = g0 Cd = g0
n , 2 n . 2
(2.186) (2.187)
Na slici 2.46 nacrtane su frekvencijske ovisnosti difuzijske vodljivosti i difuzijskog kapaciteta. Karakteristike su normirane na vrijednosti difuzijskih vodljivosti, odnosno kapaciteta za niske frekvencije. Kako se iz rezultata zadatka i sa slike vidi, difuzijska vodljivost i difuzijski kapacitet su za niske frekvencije ( < 1 / ) < praktiki neovisni o frekvenciji. Za visoke 10 frekvencije ( > 1 / ) difuzijska vodljivost > raste, dok difuzijski kapacitet opada s gd difuzijska frekvencijom. Fizikalno objanjenje za vodljivost g0 ovakvu frekvencijsku ovisnost dat emo pomou slike 2.47. Pretpostavimo da je na 1 istosmjerni napon na diodi superponiran Cd sinusni napon male amplitude i promjenjive difuzijski kapacitet frekvencije, te razmotrimo to e se dogoditi Cd0 s raspodjelom elektrona za vrijeme pozitivne 0,1 poluperiode sinusnog napona, kada napon 0,1 1 10 100 raste od istosmjerne vrijednosti prema . maksimalnoj. Zbog te promjene koncentracija manjinskih elektrona uz rub barijere poveat e se s iznosa np01 na np02 .
Slika 2.46. Normirana frekvencijska karakteristika difuzijske vodljivosti i difuzijskog kapaciteta.
Zadatak 2.35
242
Pri polaganim promjenama napona, tj. ako je frekvencija izmjeninog signala niska, raspodjela manjinskih elektrona moe pratiti te promjene napona po cijeloj dubini p-strane (slika 2.47a). Injektirani elektroni stii e popuniti raspodjelu do nove stacionarne raspodjele np2( x ) prije nego to napon na barijeri pone padati s maksimalne vrijednosti. U ovom sluaju za zadanu
np
np02 np01 dQn n p2(x) n p1(x) n p02 n p01
np
dQn n p1 (x) n p2(x)
tangente na raspodjele
Ln
a)
x
b)
Slika 2.47. Promjena nakrcanog naboja manjinskih elektrona pri promjeni napona: a) polagana promjena napona, b) brza promjena napona.
promjenu napona na barijeri imamo maksimalnu moguu promjenu nakrcanog naboja dQn . Meutim, ako je frekvencija sinusnog napona previsoka, promjene napona na barijeri bit e tako brze da e napon na barijeri poeti padati prije no to injektirani elektroni popune raspodjelu do nove stacionarne raspodjele (slika 2.47b), pa e promjena nakrcanog naboja biti manja. Kako se difuzijski kapacitet definira kao promjena nakrcanog naboja manjinskih nosilaca s promjenom napona dQ Cd = n , dU a pretpostavljene promjene napona na barijeri su u oba sluaja bile jednake, moemo zakljuiti da e difuzijski kapacitet biti manji kada je frekvencija signala visoka. S porastom frekvencije signala, promjena naboja je sve manja. Da bi diode bile primjenjive u podruju visokih frekvencija, difuzijski kapacitet mora biti to manji. Izvedeni izrazi (npr. (2.187)) nas upuuju na zakljuak da e difuzijski kapacitet na nekoj frekvenciji signala biti to manji to je vrijeme ivota manjinskih nosilaca manje, jer e u tom sluaju i tromost naboja pri gore opisanim promjenama napona biti manja. Pomou slike 2.47 moemo objasniti i frekvencijsku ovisnost difuzijske vodljivosti. Znamo da je struja kroz diodu proporcionalna gradijentu koncentracije manjinskih nosilaca uz rub barijere, to na slici 2.47 odgovara nagibu tangente na krivulju raspodjele uz rub barijere. Difuzijska (dinamika) vodljivost se definira kao promjena struje s promjenom napona dI gd = . dU Usporedbom slika 2.47a i 2.47b moemo uoiti da je promjena nagiba tangente na krivulju raspodjele, a time je i promjena struje kroz diodu, odnosno difuzijska vodljivost, vea u drugom sluaju, iako su promjene napona po iznosu jednake.
Zadatak 2.35
243
Zgodno je uoiti da je za promjenu struje kroz pn-spoj dovoljno da se promijeni gradijent koncentracije manjinskih nosilaca uz rub barijere. ak i za veu promjenu gradijenta, vrlo mala promjena nakrcanog naboja moe biti dostatna. Pritom se napon na pn-spoju ne mora znaajno promijeniti. Naprotiv, za znaajniju promjenu napona treba velika promjena nakrcanog naboja. Dakle, nakrcani naboj se suprotstavlja promjenama napona, to je svojstveno kapacitetima. Uoimo da izraz za difuzijski kapacitet koji dobivamo deriviranjem funkcije nakrcanog naboja manjinskih nosilaca po naboju dQ dQn dI Cd = n = = n gd (2.188) dU dI dU daje dvostruko vee iznose kapaciteta nego izraz (2.185), dobiven rjeavanjem jednadbe kontinuiteta. Uzrok tome je to izraz Qn = I N n , koji smo derivirali u (2.188), vrijedi samo za istosmjerne uvjete. Njime je pretpostavljeno da se sav nakrcani naboj injektiranih nosilaca rekombinira s veinskim nosiocima. Meutim, pri promjenama napona na barijeri, dio nakrcanih nosilaca e biti izvuen preko pn-spoja, pa e rezultantna promjena struje biti manja.
Zadatak 2.36
Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima koncentracije primjesa NA = 5 1017 cm3 i ND = 1015 cm3. Odrediti napon kod kojeg je barijerni kapacitet diode jednak difuzijskom kapacitetu za niske frekvencije, ako je irina n-strane: a) puno vea od difuzijske duljine manjinskih upljina; b) wn = 4 m. Vrijeme ivota manjinskih nosilaca je 2 s, T = 300 K.
Rjeenje: a)
Barijerni kapacitet diode sa skokovitim pn-spojem odreen je izrazom
CB = S q N N q =S A D = S N , 2 (U K U ) N A + N D 2 (U K U ) D dB
(2.189)
dok je difuzijski kapacitet za niske frekvencije, prema izrazu (2.185) Cd = g0
p
2
Qp IP p = . U T 2 2 U T
(2.190)
U ovom izrazu ve smo zanemarili elektronsku komponentu struje, jer nam je zadano da je NA > ND , pa u struji kroz diodu prevladava upljinska komponenta. Zbog istog razloga, u izrazu > (2.189) mogli smo zanemariti irenje barijere na jae dopiranu p-stranu (jednostrana barijera!) i upotrijebiti neto jednostavniji izraz. Uvrstimo li u (2.190) izraz za nakrcani naboj manjinskih upljina izraen preko prikljuenog napona na diodi
U Q p = S q ( pn 0 p0n ) L p = S q L p p0n exp 1 , UT
Zadatak 2.36
244
dobit emo S q L p p0n U exp (2.191) 1 . 2 U T UT Izjednaavanjem (2.189) sa (2.191) i izluivanjem napona U dobivamo transcedentnu jednadbu po naponu UT 2 U = U T ln N D + 1 . (2.192) L p p0n q (U K U ) budui da se on pojavljuje i u argumentu logaritamske funkcije na desnoj strani jednadbe. Cd = Da bismo mogli pristupiti proraunu, trebamo prethodno izraunati kontaktni potencijal (UK = 0,739 V), ravnotenu koncentraciju manjinskih nosilaca (p0n = 1,90 105 cm3), te pokretljivost i difuzijsku duljinu manjinskih upljina (p = 452 cm2/ Vs, Lp = 48,3 m). Nekim numerikim postupkom, na primjer iteracijom (tablica 2.9), dobit emo traenu vrijednost napona U = 0,401 V.
Tablica 2.9. Iteracija pri odreivanju napona u a) dijelu zadatka 2.36.
korak U/V
0 0
1 0,3913
2 0,4010
3 0,4014
4 0,4014
Na slici 2.48 prikazane su ovisnosti difuzijskog i barijernog kapaciteta po jedinici povrine o prikljuenom naponu za zadani pn-spoj. Difuzijski kapacitet eksponencijalno raste s prikljuenim naponom, tako da kod veih propusnih napona on prevladava. Za manje propusne napone i u podruju reverzne polarizacije difuzijski kapacitet je zanemariv, pa je ukupni kapacitet diode jednak barijernom kapacitetu. Pogledamo li izraz (2.190), moemo uoiti da e, za iste vrijednosti napona, difuzijski kapacitet diode s viom koncentracijom primjesa biti manji, jer e biti nia koncentracija manjinskih nosilaca p0n . Naprotiv, iz izraza (2.189) slijedi da e barijerni kapacitet biti vei, jer je proporcionalan kvadratnom korijenu koncentracije primjesa. Prema tome, za diode s viim koncentracijama primjesa, C/S presjecite krivulja na slici 2.48 nalazilo bi se 2 nF / cm 1 kod viih vrijednosti napona. Meutim, pomaci presjecita s promjenom koncentracija primjesa 0,8 su vrlo mali, to je i oito iz izraza (2.192). Moemo zakljuiti da e za veinu dioda Cd 0,6 difuzijski kapacitet prevladavati za napone CB propusne polarizacije vee od 0,4 - 0,5 V, dok e 0,4 za manje napone prevladavati barijerni kapacitet.
0,2 0,2 0 0,2 0,4 0,6
b)
U/V
0,8
Slika 2.48. Ovisnost barijernog i difuzijskog kapaciteta o naponu.
Da bismo postupak ponovili za diodu s uskom n-stranom, moramo prethodno izvesti izraz za difuzijski kapacitet takve diode [Lindmayer65]. Polazimo od openitog izraza (2.177), koji emo prepisati u obliku
Zadatak 2.36
245
y pd =
w I PD w 1 + j p tanh n coth 1 + j p n = L UT Lp p
2 w I PD w2 w 1 + j p tanh n coth n + j n . (2.193) L L UT Dp p p Taj izraz moramo rastaviti na realni i imaginarni dio, da bismo iz imaginarnog dijela mogli izluiti izraz za difuzijski kapacitet. Da bi se dobio jednostavan analitiki izraz, morat emo pretpostaviti da su argumenti funkcija hiperbolnog tangensa i hiperbolnog kotangensa dovoljno mali, tako da se oni dovoljno tono mogu aproksimirati prvim lanovima razvoja u redove potencija. Ako je < zadovoljen uvjet da je wn < Lp , tada se hiperbolni tangens moe aproksimirati prvim lanom razvoja u red potencija tanh( x ) = x ,
pa (2.193) prelazi u y pd = I PD w 1 + j p n coth UT Lp wn w2 + j n L Dp p wn w2 + j n L Dp p

2 2
= =
2 I PD wn w2 + j n coth = UT Dp Lp
I PD w2 w2 j n coth j n . (2.194) UT Dp Dp Za dovoljno niske frekvencije, argument hiperbolnog kotangensa e biti dovoljno mali da hiperbolni kotangens moemo nadomjestiti s prva dva lana razvoja u red potencija 1 x coth( x ) = + , x 3 tako da izraz (2.194) prelazi u =
y pd
I w 2 w2 = PD j n j n UT Dp Dp
1 w2 + j n = Dp 3
I PD UT
w2 1 + j n . 3 Dp
(2.195)
Realni dio u (2.195) je difuzijska (dinamika) vodljivost i ona je jednaka difuzijskoj vodljivosti koju smo dobili za iroku diodu. Iz imaginarnog dijela izraza (2.195) moemo izluiti difuzijski kapacitet uslijed nakrcanog naboja upljina na n-strani Cd = g0 wn 2 2 = g0 t p , 3 Dp 3 (2.196)
Zadatak 2.36
246
gdje je tp vrijeme proleta upljina kroz n-stranu diode. Izrazimo li difuzijski kapacitet u (2.196) preko nakrcanog naboja manjinskih upljina, dobit emo Cd = 2 Qp . 3 UT (2.197)
Da smo, kojim sluajem, difuzijski kapacitet izveli deriviranjem izraza za nakrcani naboj po naponu (slino kao kod izraza (1.188)), dobili bismo da je Cd = t p g0 , tj. 1,5 puta veu vrijednost. Zato je ovaj izraz netoan, ve je objanjeno kod izvoenja izraza (2.188). Pri pisanju izraza (2.196) pretpostavili smo da je utjecaj nakrcanog naboja manjinskih elektrona na p-strani, odnosno difuzijskog kapaciteta koji on uzrokuje, zanemariv, jer je koncentracija akceptora puno vea od koncentracije donora. Meutim, u ovakvim situacijama treba biti oprezan; iako se koncentracije primjesa, pa prema tome i koncentracije manjinskih nosilaca razlikuju 500 puta ( NA = 500 ND , odnosno p0n = 500 n0p), omjer nakrcanih naboja manjinskih nosilaca je svega 42,8. Naime, nakrcani naboj manjinskih elektrona na irokoj p-strani je proporcionalan difuzijskoj duljini elektrona, a ona je oko 10 puta vea od efektivne irine nstrane, kojoj je proporcionalan nakrcani naboj manjinskih upljina na uskoj p-strani. Da bismo mogli pristupiti proraunu, naboj nakrcanih manjinskih nosilaca u izrazu (2.197) izrazit emo kao funkciju napona
U U w p exp 1 = S q n 0n exp . 2 UT UT U gornjem izrazu smo zanemarili 1 u uglatoj zagradi iza eksponencijalne funkcije, jer prema rezultatu a) dijela zadataka, realno moemo oekivati da e dobiveni napon biti U > UT . > Uvrtavanjem u (2.197) dobit emo
Qp = S q
wn p0n 2
Cd =
U 1 S q wn p0n , exp UT 3 UT
(2.198)
to izjednaavanjem s izrazom (2.189) za barijerni kapacitet daje transcedentnu jednadbu po naponu

3UT U = U T ln ND . wn p0n q (U K U ) Iteracijom (tablica 2.10) dobit emo da je traeni napon U = 0,489 V. Taj napon je vei nego u a) dijelu zadatka, jer je i nakrcani naboj manjinskih nosilaca u uskoj n-strani manji. Zato je potreban neto vei napon da bi se difuzijski kapacitet izjednaio s barijernim, koji ne ovisi o geometrijskoj irini kvazineutralnih podruja poluvodia.
Tablica 2.10. Iteracija pri odreivanju napona u b) dijelu zadatka 2.36.
korak U/V
0 0,4014
1 0,4853
2 0,4890
3 0,4891
4 0,4892
5 0,4892
Zadatak 2.36
247
Zadatak 2.37
Dioda je spojena na izvor napajanja tako da kroz nju tee istosmjerna struja od 5 mA. Na tu istosmjernu komponentu struje superponirana je sinusna komponenta struje amplitude 100 A i frekvencije 100 kHz. Izraunajte: a) difuzijsku vodljivost i difuzijski kapacitet za zadanu frekvenciju signala, te b) amplitudu izmjenine komponente napona na diodi, ako su efektivne irine obiju strana diode puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca, a vremena ivota manjinskih nosilaca 1 s. UT = 25 mV.
Rjeenja: a) gd = 0,209 S, Cd = 95,8 nF, b) Udm = 460 V.
Zadatak 2.38
Dioda sa skokovitim pn-spojem ima koncentracije primjesa NA = 1016 cm3 i ND = 5 1015 cm3. Efektivna irina n-strane je puno vea od difuzijske duljine manjinskih upljina, dok je efektivna irina p-strane puno manja od difuzijske duljine manjinskih elektrona i iznosi 2 m. Vrijeme ivota manjinskih nosilaca je 1 s, a njihove pokretljivosti su n = 1380 cm2/Vs i p = 350 cm2/Vs. T = 300 K. U nekoj radnoj toki struja kroz diodu je 10 mA. Izraunajte: a) omjer elektronske i upljinske komponente struje; b) vrijeme proleta manjinskih elektrona kroz p-stranu, c) nakrcane naboje manjinskih nosilaca na n-, odnosno p-strani; d) difuzijski kapacitet diode za niske frekvencije.
Rjeenje: a) In / Ip = 2965; b) tn = 561 ns, c) Qn = 5,60 pC, Qp = 3,37 pC, Qp 2 Q d) Cd = + n = 210 pF . 2 UT 3 UT
Zadatak 2.37
248
2.6. Prijelazne pojave u pn-diodi

PN-dioda se esto koristi u impulsnim sklopovima gdje postoje velike skokovite promjene napona. Zbog naboja ioniziranih primjesa unutar barijere i zbog nakrcanog naboja manjinskih nosilaca uz barijeru, odziv diode na takve promjene nee biti trenutaan. To se moe uoiti na slici 2.49, na kojoj je prikazan jednostavan sklop sa diodom, te + vremenski oblici napona i struja u sklopu, ako napon R izvora ima oblik pravokutnog impulsa + uG uD D U poetku je napon izvora takav da reverzno polarizira diodu - struja kroz diodu jednaka je (zanemarivoj) reverznoj struji zasienja, pa je napon na diodi jednak naponu izvora. Ukljuenjem impulsa napon na diodi poinje padati po iznosu, tj. dioda u postaje slabije reverzno polarizirana. Pritom se uG smanjuje irina barijere, pa se smanjuje i naboj ioniziranih primjesa unutar barijere. Da bi se uspostavila nova irina barijere, odnosno novi napon t uD na pn-spoju, treba kompenzirati promjenu naboja ioniziranih primjesa unutar barijere. Kako je struja tr ts tf kroz diodu ograniena serijskim otpornikom, bit e potrebno konano vrijeme da se dovede potrebni naboj i da se uspostavi novi napon na pn-barijeri. i Situacija se moe poistovjetiti sa nabijanjem kondenzatora preko otpornika, ali treba uoiti da kapacitet tog kondenzatora nije konstantan ve se mijenja s naponom, budui da je on jednak barijernom kapacitetu pn-barijere. Zbog toga je bez t znaajnijih zanemarenja nemogue dobiti analitike ts tf izraze. Kada dioda provede, poinje rasti nakrcani naboj manjinskih nosilaca uz rubove barijera, te e brzina kojom se taj naboj moe poveavati, odreivati odziv diode. Oba mehanizma uzrokuju da promjena napona na diodi nije trenutna, ve treba protei neko konano vrijeme da se uspostavi novo stacionarno stanje. To vrijeme (oznaeno kao tr na slici 2.49) naziva se vrijeme porasta (engl. rise-time).
Slika 2.49. Odziv diode skokovite promjene napona. na
Prilikom iskljuivanja diode, tj. nakon zavretka impulsa, struja kroz diodu ne pada trenutno na reverznu struju zasienja. Nakrcanom naboju manjinskih nosilaca potrebno je konano vrijeme da bi se uklonio, to omoguava da kroz strujni krug tee znatna struja. Ta struja je neko vrijeme (na slici oznaeno kao ts) praktiki konstantna, nakon ega poinje padati. Vrijeme tijekom kojeg je struja konstantna naziva se vrijeme
249
zadravanja (engl. storage-time), dok se vrijeme tijekom kojeg struja kroz diodu pada prema reverznoj struji zasienja naziva vrijeme pada (engl. fall-time, tf ). Zbroj vremena zadravanja i vremena pada naziva se vrijeme oporavka diode (engl. recovery-time).
Zadatak 2.39
Izvesti izraz za vrijeme zadravanja silicijske pn diode kojoj je n-strana puno vee specifine vodljivosti od p-strane. Izraunati vrijeme zadravanja ts diode u sklopu na slici 2.50, te skicirati valne oblike napona i struja, ako dioda ima NA = 1016 cm3, vrijeme ivota elektrona na p-strani n = 5 s, a duljina p-strane je puno vea od difuzijske duljine manjinskih elektrona. Povrina pn-spoja je 1 mm2. T = 300 K.
uG
+ uG(t) R = 1 k + uD 5 V +5 V 0
Slika 2.50. Elektroniki sklop i valni oblik napona naponskog izvora u zadatku 2.39.
Rjeenje:
Za t < 0 dioda je propusno polarizirana, da bi se u trenutku t = 0 promijenio polaritet napona. Iako se promijenila polarizacija diode, zbog nakrcanog naboja manjinskih nosilaca struja kroz diodu nee trenutno pasti na reverznu struju zasienja, ve e biti potrebno konano vrijeme da se ukloni nakrcani naboj manjinskih nosilaca i da se uspostavi nova stacionarna raspodjela manjinskih nosilaca. Na slici 2.51a prikazana je poetna raspodjela manjinskih elektrona na pstrani diode u trenutku t = 0 i konana raspodjela kada t . Naboj manjinskih elektrona koji treba ukloniti oznaen je sjenanom povrinom izmeu tih raspodjela. Kada bi se u trenutku t = 0 prekinuo strujni krug, nakrcani naboj manjinskih nosilaca uklonio bi se iskljuivo rekombinacijom s veinskim nosiocima. Meutim, u naem primjeru e negativni napon izvora potjerati struju kroz diodu u suprotnom smjeru, te e se dio nakrcanog naboja manjinskih nosilaca ukloniti izvlaenjem preko pn-spoja Prvi e biti povueni nosioci najblii barijeri, pa e pasti koncentracije nosilaca uz rubove barijere. Zbog toga e nastati progib u raspodjeli manjinskih nosilaca - maksimum koncentracije manjinskih nosilaca vie nee biti uz rubove barijere ve dublje u kvazineutralnom podruju (slika 2.51b). Nosioci e difundirati od mjesta maksimalne koncentracije prema rubu barijere, nastojei nadoknaditi gubitak koncentracije manjinskih nosilaca uz rubove. Kao to znamo, struja kroz pn-spoj jednaka je difuzijskoj struji manjinskih nosilaca uz rubove barijera, pa e zbog suprotnog polariteta gradijenta koncentracije struja kroz diodu tei u suprotnom smjeru od smjera kojim je tekla kada je dioda bila propusno polarizirana.
Zadatak 2.39
250
np
t=0 Qn
np
t
x np
a)
x np
b)
t=t s t=t s
x
c)
x
d)
Slika 2.51. Raspodjele manjinskih nosilaca nakon iskljuenja diode: a) poetna i konana raspodjela, b) raspodjele tijekom faze konstantne struje, c) raspodjela u trenutku t = ts, d) raspodjele tijekom pada struje kroz diodu (t > ts).
U svakom sluaju, koncentracija manjinskih nosilaca e jo neko vrijeme nakon promjene vanjskog napona biti vea od ravnotene, pa prema Boltzmannovim relacijama slijedi da e napon na pn-spoju biti propusan. Ako je napon izvora po iznosu puno vei od napona na diodi, struja kroz diodu bit e odreena elementima vanjskog kruga, te e uz konstantan napon izvora i struja biti praktiki konstantna. Naravno, gradijent koncentracije (tj. nagib tangente) uz rub barijere je konstantan cijelo vrijeme dok je struja konstantna. Nosioci blie barijeri e difundirati prema barijeri gdje e ih elektrino polje u barijeri zahvatiti i povui na drugu stranu barijere. Nosioci dalje od barijere uglavnom e rekombinirati s veinskim nosiocima. U trenutku t = ts koncentracija manjinskih nosilaca uz rub barijere jednaka je ravnotenoj koncentraciji (slika 2.51c). Od tog trenutka dioda je reverzno polarizirana i napon na njoj vrlo brzo poinje rasti u reverznom smjeru. Zbog toga ni struja kroz diodu vie nee biti konstantna, ve e poeti opadati. Raspodjela nosilaca postepeno tei konanoj stacionarnoj raspodjeli (slika 2.51d). Nakon dovoljno vremena, struja u strujnom krugu past e na reverznu struju zasienja diode. Pad napona na otporniku bit e zanemariv, te e na stezaljkama diode biti cjelokupni napon naponskog izvora. Budui da nakon trenutka ts struja kroz pn-spoj poinje padati prema reverznoj struji zasienja, ekscesni naboj e se sve vie uklanjati rekombinacijom s veinskim nosiocima, a sve manje izvlaenjem preko barijere. Na slici 2.52 prikazane su vremenske ovisnosti napona i struja. Vrijeme tijekom kojeg je struja kroz diodu konstantna nakon promjene napona (0 < t < ts) naziva se vrijeme zadravanja. Kvantitativna analiza vremena zadravanja moe se provesti na dva naina: a) rjeavanjem jednadbe kontinuiteta [Kingston54] ili b) nabojskom analizom [Gray64].
Zadatak 2.39
251
Zadatak emo rijeiti na oba naina, s time da emo ih razdvojiti, pa emo u a) dijelu zadatak rijeiti preko jednadbe kontinuiteta, a u b) dijelu nabojskom analizom. Na kraju emo usporediti rezultate obaju postupaka. Za oba pristupa moramo znati stanje u diodi prije promjene napona. Napon izvora UF = + 5 V. Napiemo li Kirchoffov zakon za strujni krug na slici 2.50, dobit emo da je struja kroz diodu
UR
u
UF uD
t
uG
IF =
UF UD R
I U F U T ln F + 1 IS = . R (2.199)
I R
iD
IF
Ovu transcedentnu jednadbu rijeit emo iteracijom, no prethodno moramo izraunati reverznu struju zasienja. Iz zadane koncentracije primjesa na slabije dopiranoj p-strani (NA = 1016 cm3) moemo izraunati pokretljivost manjinskih elektrona, te njihove difuzijske konstante, odnosno difuzijske duljine:
ts
tf
Slika 2.52. Napon i struja diode pri skokovitoj promjeni napona izvora.
n = 1228 cm2/Vs, Dn = 31,8 cm2/s,

Ln = 126 m, na temelju ega dobivamo IS = 7,69 1014 A. Iteracijom, (tablica 2.11) dobiva se struja IF = 4,36 mA, odnosno napon na diodi UD = 0,640 V.
Tablica 2.11. Iteracija u zadatku 2.39.
korak
IF / mA UD / V
0 5 0,644
1 4,36 0,640
2 4,36 0,640
U trenutku t = 0, napon na naponskom izvoru se skokovito mijenja na vrijednost UR = 5 V. Struja kroz diodu odmah nakon promjene napona bit e
U R + U D (t = +0) = 5,64 mA . R Budui da je napon na diodi mali, struja u strujnom krugu praktiki je jednaka kvocijentu napona izvora i otpora. Zanimljivo je na osnovu gornjeg izraza uoiti da se dioda ponaa kao izvor! Ona otputa naboj nakrcanih manjinskih nosilaca, doprinosei struji strujnog kruga. IR =
Sve dok ima dovoljno nakrcanog naboja manjinskih nosilaca koji omoguuje odravanje gradijenta koncentracije uz rub barijere, struja kroz diodu bit e praktiki konstantna (promjenu
Zadatak 2.39
252
napona na diodi emo zanemariti). Stoga emo u daljnjem tekstu taj vremenski interval zvati fazom konstantne struje.
a)
Da bismo odredili izraz za vrijeme zadravanja preko jednadbe kontinuiteta, moramo rijeiti jednadbu kontinuiteta uz rubni uvjet da je (za 0 < t < ts) difuzijska struja manjinskih nosilaca uz rub barijere konstantna. Rjeenje e nam dati prostorne raspodjele manjinskih nosilaca u ovisnosti o vremenu. U trenutku t = ts raspodjela mora biti takva da nam daje koncentraciju manjinskih nosilaca uz rub barijere jednaku ravnotenoj vrijednosti. Pomou tog uvjeta iz dobivene raspodjele emo izluiti vrijeme zadravanja. Jednadba kontinuiteta za manjinske elektrone glasi np t odnosno ( n p n0 p ) = 0 t x Da bi pojednostavnili gornju jednadbu, uvest emo supstituciju n = np n0p , ime (2.200) prelazi u
2
n p n0 p
n
np
+ Dn
2n p x 2
L2 n
2 n p
(2.200)
L2 n
2n n n n=0 . t x2
(2.201)
Normiranjima
~ t t = , n (2.201) prelazi u
~= x , x Ln
2n n ~ ~n=0. x 2 t
(2.202)
Primjenom Laplaceove transformacije, parcijalnu diferencijalnu jednadbu (2.202) svodimo na obinu diferencijalnu jednadbu drugog reda d 2n ~ s n + n(t = 0) n = 0 , dx 2 (2.203)
gdje je n Laplaceova transformacija funkcije raspodjele koncentracije manjinskih elektrona, a s je varijabla u donjem (transformiranom) podruju. Poetnu raspodjelu izrazit emo preko struje IF n(t = 0) = I F Ln ~ exp( x ) = C F exp( ~ ) . x S q Dn (2.204)
Uvrstimo li to u (2.203) i sredimo, dobit emo d 2n ~ ( s 1) n = C F exp( x ) . d~ 2 x (2.205)
Ovo je nehomogena linearna diferencijalna jednadba drugog reda. Ope rjeenje pripadajue homogene jednadbe bit e
Zadatak 2.39
253
n H ( ~ , s) = C1 exp x
~ ~ s + 1 x + C2 exp s + 1 x .
(2.206)
Iz uvjeta da za x rjeenje mora biti konano, slijedi da je konstanta integracije C1 = 0 . Konstantu C2 odredit emo iz rubnog uvjeta, nakon to odredimo partikularno rjeenje nehomogene jednadbe. Partikularno rjeenje jednadbe (2.205) glasi
C ~ ~ n P ( x , s) = F exp( x ) , s tako da je rjeenje diferencijalne jednadbe (2.205)
(2.207)
~ ~ ~ ~ C ~ n ( x , s) = n H ( x , s) + n P ( x , s) = C2 exp s + 1 x + F exp( x ) . (2.208) s Konstantu C2 odredit emo iz rubnog uvjeta da je difuzijska struja uz rub barijere jednaka struji IR
dn d~ x dn d~ x
=
x =0
IR = CR , q S Dn
odnosno, primjenom Laplaceove transformacije

=
x=0
IR C 1 = R . s q S Dn s C R + CF s s +1
(2.209)
Deriviramo li (2.208) po prostornoj koordinati i izjednaimo s (2.209), dobit emo

C2 =
pa (2.208) prelazi u
C + CF ~ ~ C n ( x , s) = R exp s + 1 x + F exp( ~ ) . x s s s +1
(2.210)
Da bismo proveli inverznu Laplaceovu transformaciju rjeenja (2.210), rjeenje homogene jednadbe prikazat emo u obliku 1 1 1 ~ n H ( ~ , s) = ( C R + C F ) x exp s + 1 x = (C R + C F ) F ( s ) , (2.211) s s +1 s
gdje je ~ exp s x . s Inverzna Laplaceova transformacija funkcije (2.212) glasi (npr. [Abramowitz64]) ~2 1 x , exp f (t ) = t 4t F ( s) = 1
(2.212)
tako da se, uz primjenu teorema o pomaku (priguenju), inverznom Laplaceovom transformacijom funkcije (2.211) dobiva raspodjela
~ nH ( ~ , t ) = exp( u) x
0 ~ t
~2 x du . exp u 4u 1
Supstitucijom v2= u , gornji izraz moemo napisati u neto preglednijem obliku
Zadatak 2.39
254
t ~ x2 2 ~~ n H ( x , t ) = ( CR + C F ) exp( v 2 ) exp 2 dv = 0 4v
( I R + I F ) Ln ~ ~, t . x q S Dn
(2.213)
Inverzna Laplaceova transformacija partikularnog rjeenja (2.207) daje I L ~ ~ n P ( ~ , t ) = C F exp( ~ ) = F n exp( x ) . x x q S Dn Prema tome, raspodjela manjinskih elektrona na p-strani za 0 t ts mijenjat e se kao n p ( x , t ) = n0 p +
x ( I R + I F ) Ln x I F Ln t exp L , . q S Dn q S Dn Ln n n
(2.214)
(2.215)
Na slici 2.53 prikazane su raspodjele manjinskih nosilaca u fazi konstantne struje za zadani omjer struja IF i IR . Os apscise normirana je na difuzijsku duljinu, a os ordinate na koncentraciju nosilaca u trenutku t = 0. Kako je poetni propusni napon na diodi dosta velik, poetna koncentracija nosilaca uz rub barijere je puno vea od ravnotene koncentracije. Zbog toga se u prikazanom mjerilu ravnotena koncentracija praktiki poklapa s osi apscise. Vrijeme zadravanja ts odredit emo iz (2.215) preko uvjeta da u trenutku t = ts koncentracija manjinskih nosilaca uz rub barijere mora pasti na ravnotenu vrijednost, tj. n p (0, t s ) = n0 p + Budui da je
1
I F Ln I L t R n 0, s . n q S Dn q S Dn
(2.216)
t= 0 0,0125 n 0,025 n 0,05 n 0,1 n ts
IF IR
= 0,773
n n p0 (t= 0)
0,5
0 0 1 2
x / Ln
Slika 2.53. Normirane raspodjele koncentracije nosilaca u fazi konstantne struje.
Zadatak 2.39
255
2 ~ ~ (0, t ) = exp( u 2 ) du = erf( t ) , 0
~ t
dobiva se da je
t 1 erf s = 1+ I I , n R F
odnosno
1 t s = n erf 1 1+ IR IF .
2
(2.217)
Prema izrazu (2.217), vrijeme zadravanja ovisi o vremenu ivota manjinskih nosilaca, te o omjeru struja IR i IF . to je vrijeme ivota manjinskih nosilaca dulje, bit e i vrijeme zadravanja vee, budui da e biti potrebno vie vremena da se ekscesni naboj rekombinira s veinskim 10 nosiocima. Ovisnost o omjeru struja I i I dana je preko inverza funkcije pogreke. Za vee omjere IR/ IF bit e argument inverzne funkcije pogreke manji, a kako je funkcija pogreke monotono rastua funkcija bit e i vrijeme zadravanja krae. Da bi ovisnost vremena zadravanja o strujama bila zornija, moe se zamisliti da struja IF puni diodu ekscesnim nabojem, a struja IR ju prazni ako je struja IF vea, bit e vei ekscesni naboj koji e trebati ukloniti, a ako je struja IR vea, bre e se taj ekscesni naboj ukloniti. Na slici 2.54 grafiki je prikazana ovisnost vremena zadravanja (normiranog na vrijeme ivota) o omjeru IR/ IF .
R F
ts
0,1 0,01 0,001 0,1
10
IR / IF
Slika 2.54. Ovisnost vremena zadravanja o omjera struja kroz diodu.
Vrijeme ivota manjinskih elektrona je zadano u tekstu zadatka (n = 5 s), dok smo struje IF i IR izraunali u uvodnom dijelu rjeenja (IF = 4,36 mA, IR = 5,64 mA). Znamo da je erfc( x ) = 1 erf( x ) ,
pa moemo upotrijebiti aproksimaciju inverza komplementarne funkcije pogreke iz Priloga C. Uvrtavanjem 1 1 = 1 0,436 = 0,564 1+ IR IF u aproksimaciju inverza komplementarne funkcije pogreke, dobit emo da je
1 1 erf 1 = erfc 1 1 = 0,406 , 1+ IR IF 1+ IR IF
pa je traeno vrijeme zadravanja ts = 0,824 s. Izrazi koji se dobivaju za diodu s uskom stranom su puno sloeniji i nepregledniji [Kingston54], te ovdje nee biti navedeni.
Zadatak 2.39
256
b)
Kod odreivanja vremena zadravanja nabojskom analizom, polazi se takoer od jednadbe kontinuiteta za manjinske elektrone, ali u obliku (2.218) n gdje je jn gustoa difuzijske struje elektrona. Pomnoimo li (2.218) s nabojem elektrona i povrinom pn-spoja, te integriramo po cijeloj duljini p-strane, dobit emo
t (n p n0 p ) = n p n0 p + 1 jn , q x
qS q S (n p n0 p ) dx = (n p n0 p ) dx + n t 0 0
wp
wp
wp
in dx . x
(2.219)
Kod odreivanja granica integracije zanemarili smo irinu barijere, pa je donja granica integracije na mjestu pn-spoja (x = 0). Integral na lijevoj strani jednadbe (2.219) jednak je ekscesnom naboju manjinskih elektrona
wp
Qn = pa (2.219) moemo napisati kao
q S (n p n0 p ) dx ,
0
dQn Q = n in ( x = 0) + in ( x = w p ) . dt n
(2.220)
Difuzijska struja in(x = 0) je ujedno i struja elektrona kroz pn-spoj, dok je za diodu sa irokom p-stranom, difuzijska struja manjinskih elektrona na mjestu kontakta in ( x = w p ) = 0 . Stoga (2.220) moemo pisati kao dQn Qn + = i (t ) , dt n to je nehomogena linearna diferencijalna jednadba prvog reda. Nakon promjene napona izvora, struja kroz diodu i (t ) = I R , pa za odreivanje vremena zadravanja trebamo rijeiti diferencijalnu jednadbu dQn Qn + = I R , dt n (2.222) (2.221)
uz poetni uvjet da je Qn(t = 0) = IF n . Rjeenje za zadane uvjete dat e nam promjenu nakrcanog naboja s vremenom u fazi konstantne struje kroz diodu t Qn (t ) = ( I F + I R ) n exp I R n . (2.223) n Preko uvjeta da je nakrcani naboj manjinskih nosilaca u trenutku t = ts Qn (t = t s ) = 0 , moemo iz (2.223) izraziti vrijeme zadravanja (2.224)
Zadatak 2.39
257
I t s = n ln F + 1 . IR
(2.225)
Uvrstimo li zadane i izraunate vrijednosti, dobit emo ts = 2,86 s. Ovaj rezultat je oko tri puta vei od onoga u a) dijelu zadatka, iako smo krenuli od iste jednadbe kontinuiteta i istog rubnog uvjeta za struju kroz pn-spoj! Razliku u rezultatima uzrokovali su razliito definirani rubni uvjeti u trenutku t = ts . Prema uvjetu (2.216), koncentracija nosilaca uz rub barijere u trenutku ts jednaka je ravnotenoj koncentraciji (to odgovara stvarnoj situaciji), dok je prema uvjetu (2.224) nakrcani naboj manjinskih nosilaca u tom trenutku jednak nuli. Pogledamo li sliku 2.53 koja prikazuje raspodjele manjinskih nosilaca tijekom faze konstantne struje, moemo uoiti da u trenutku ts , kada je koncentracija nosilaca uz rub barijere pala na ravnotenu vrijednost, postoji znatan nakrcani naboj manjinskih nosilaca. Zbog toga e rubni uvjet (2.224) uvijek davati dulje vrijeme zadravanja. Na slici 2.55 grafiki su prikazane ovisnosti vremena zadravanja dobivene na oba naina, u ovisnosti o omjeru struja IR i IF . Kao to se vidi sa slike, prema manjim omjerima IR/ IF , razlika izmeu oba rjeenja je manja, jer se tada vei dio ekscesnih nosilaca gubi rekombinacijom, pa je funkcija raspodjele manjinskih nosilaca u trenutku ts poloenija, a time ekscesni naboj manji odnosno blii rubnom uvjetu Q = 0.
10
b)
ts
0,1
a)
0,01 0,1
10
IR / IF
Slika 2.55. Usporedba dobivenih a) rjeavanjem b) nabojskom analizom. vremena jednadbe zadravanja kontinuiteta,
Zadatak 2.39
258

2.40 Skokoviti silicijski pn-spoj formiran je na podlozi p-tipa koncentracije akceptora 1016 cm3, dodavanjem nepoznate koncentracije donorskih primjesa. Na T = 300 K, pri promjeni temperature za 0,5 K kontaktni potencijal se promijeni za 1 mV. Odredite kontaktni potencijal, koncentraciju dodanih donorskih primjesa na n-strani, te ravnotene koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca na obje strane barijere. 2.41 Neka silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima irinu barijere na n-strani dBn = 2 m, a na p-strani dBp = 1,2 m. Na T = 300 K kontaktni potencijal iznosi 0,65 V. Izraunajte ravnotene koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca na obje strane diode, te napon prikljuen na diodu. 2.42 Neki linearno-postepeni pn-spoj ima gradijent koncentracije primjesa 1020 cm4. Za T = 300 K izraunajte: a) kontaktni potencijal i irinu barijere u ravnotenim uvjetima, b) napone prikljuene na diodu uz irinu barijere od 0,5 m i 1 m. 2.43 Silicijski skokoviti pn-spoj ima povrinu 1 mm2. Kod nekog napona U na T = 300 K barijerni kapacitet iznosi 70 pF, a maksimalno polje u barijeri 7 kV/cm. Koncentracija akceptora na p-strani iznosi 1015 cm3, dok je n-strana dopirana s 1015 akceptora / cm3 i nepoznatom koncentracijom donorskih primjesa ND . Odredite: a) koncentraciju donorskih primjesa ND , b) ravnotene koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca na n- i p-strani spoja, c) napon U prikljuen na pn-spoj. 2.44 Silicijskoj diodi sa skokovitim pn-spojem izmjereni su pri naponima od 4,96 V i 10,2 V kapaciteti od 51 pF i 71 pF (odredite koji kapacitet odgovara kojem naponu!). Izraunajte koncentracije primjesa na obje strane spoja, ako je povrina pn-spoja S = 2 mm2, a T = 300 K. NA 2.45 U silicij homogeno dopiran donorima koncentracije 1015 cm3 izvreno je dopiranje akceptorima ija se raspodjela moe aproksimirati linearnom raspodjelom prema slici 2.56. Na slici je za neku radnu toku oznaeno podruje barijere na T = 300 K. Odredite: a) dubinu pn-spoja i njegov kontaktni potencijal, b) iznos i polaritet prikljuenog napona, te c) iznos i smjer maksimalnog polja u barijeri.
x / m
0 4 6 10
Slika 2.56. Raspodjela akceptora u zadatku 2.45.
2.46 Raspodjela primjesa u silicijskoj diodi moe se aproksimirati linearnom raspodjelom kod koje, idui od pn-spoja, koncentracija donora na n-strani raste s aD = 1020 cm4, a koncentracija akceptora na p-strani s aA = 2,51019 cm4.
259
Odredite ukupnu irinu barijere i irine barijere na svaku stranu, ako je maksimalno polje u barijeri 100 kV/cm.
2.47 Kod nekog napona barijerni kapacitet silicijske diode iznosi 5,3 nF/cm2. Odredite poloaj pn-spoja, irine barijera na n- i p-stranu, te maksimalno elektrino polje u barijeri kod tog napona, ako je raspodjela primjesa dana kao np / cm3 NA ND = 1018 exp(x / a) 1015 cm3, .1014 5 pri emu je a = 1 m. 2.48 Raspodjela manjinskih nosilaca na p-strani diode prikazana je na slici 2.57. Vodljivost n-strane je puno vea od vodljivosti pstrane. T = 300 K. Izraunati: a) napon prikljuen na diodu, b) gustou struje kroz diodu.
10 4 0 25 m
2.49 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima ND >> NA , povrine 1 mm2 15 NA = 310 cm3. T = 300 K. Geometrijske dimenzije obiju strana su puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca, a vrijeme ivota elektrona n = 1 s. Izraunajte: a) reverznu struju zasienja, b) struju kroz diodu kada je koncentracija elektrona na p-strani neposredno uz rub barijere 1010 cm3. 2.50 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem povrine S = 1 mm2 ima koncentraciju donora na n-strani ND = 1016 cm3. Pri naponu na diodi iznosa 0,55 V izmjerena je struja kroz diodu od 2,5 mA. T = 300 K, vremena ivota manjinskih nosilaca su n = 2 s, p = 0,5 s, a irine obiju strana diode su puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. Izraunajte: a) koncentraciju akceptora na p-strani diode, te b) iznos i smjer (od p- prema n- ili od n- prema p-strani diode) maksimalnog elektrinog polja pri naponu na diodi iznosa 10 V. 2.51 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima NA = 1015 cm3 i ND = 51017 cm3. Maksimalno polje u barijeri je max = 104 V/cm. T = 300 K. Izraunajte: a) vanjski napon prikljuen na diodu, b) koncentracije manjinskih nosilaca na obje strane diode uz rubove barijere, c) koncentracije manjinskih nosilaca u tokama udaljenim 4 m od rubova barijere, uz pretpostavku da su Lp = 20 m i Ln = 25m. 2.52 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima ND = 100NA . Za T = 80 C odredite: a) koncentracije manjinskih nosilaca ako je kontaktni potencijal pn-spoja 0,458 V; b) koncentraciju upljina na n-strani spoja neposredno uz barijeru, ako je na diodu prikljuen reverzni napon od 2 V;
Slika 2.57. Raspodjela manjinskih elektrona u zadatku 2.48.
260
c) koncentraciju elektrona na p-strani na udaljenosti x = Ln od barijere kod istog reverznog napona.

2.53 Na silicijskoj diodi sa skokovitim pn-spojem mjerenjem je dobivena strujno-naponska karakteristika prema slici 2.58 (mjerilo na ordinati je logaritamsko!). Odredite reverznu struju zasienja diode i temperaturu diode prilikom mjerenja, ako se pretpostavi da dioda radi u reimu niske injekcije (m = 1).
I / mA
12 0,44
U/V
0,6 0,7
Slika 2.58. Strujno-naponska karakteristika diode u zadatku 2.53.
2.54 Raspodjela manjinskih nosilaca u pn / cm3 np / cm3 nekoj silicijskoj diodi prikazana je 4 na slici 2.59. S = 1 mm2, 5 .10 2 T = 300 K. Odredite: 10 a) koncentracije primjesa na obje 2 10 strane diode, zanemarujui x x degeneracijske efekte, 2 m 25 m 0 0 b) napon na diodi i struju kroz Slika 2.59. Raspodjele manjinskih nosilaca u diodu, oko barijere u zadatku 2.54. c) tehnoloku irinu p-strane, d) postotnu promjenu reverzne struje zasienja pri promjeni polariteta napona, e) struju kroz diodu ako napon promijeni polaritet. 2.55 Koncentracija donora na n-strani silicijskog pn-spoja povrine 0,01 cm2 je 4 puta manja od koncentracije akceptora na p-strani. irina n-strane je puno vea od difuzijske duljine upljina. Uz neki napon U na pn-spoju, irina barijere na nstrani iznosi 8,854 m. a) Izraunajte barijerni kapacitet pn-spoja pri tom naponu. b) Kolika je reverzna struja zasienja, ako se uz propusnu polarizaciju naponom od 0,4 V, pri promjeni temperature s 300 K za 0,033 %, struja povea za 0,5 mA? c) Koliko puta je vea difuzijska struja upljina na n-strani neposredno uz rub barijere od difuzijske struje na udaljenosti 3 Lp od ruba barijere? 2.56 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima koncentracije primjesa NA = 5 1015 cm3 i ND = 1018 cm3. Kroz diodu tee struja od 10 mA. Difuzijska struja elektrona na p-strani na udaljenosti 13 m od barijere iznosi 7,5 mA. T = 300 K, S = 0,5 mm2. Izraunajte: a) nakrcani naboj elektrona na p-strani, b) napon prikljuen na diodu, c) maksimalnu jakost polja u barijeri.
Autor zadatka je Adrijan Bari.
261
2.57 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima koncentracije primjesa NA = 5 1016 cm3 i ND = 1015 cm3. Povrina diode je 2 mm2, vremena ivota manjinskih nosilaca su 2,5 s, T = 300 K. Izraunajte: a) struju kroz diodu uz napon U = 0,6 V, c) naboj ekscesnih manjinskih nosilaca na obje strane diode, b) promjenu napona na diodi, da bi uz promjenu temperature za 2,5 C struja kroz diodu ostala nepromijenjena. 2.58 Dvije silicijske diode sa skokovitim pn-spojevima povrina 1 mm2, imaju koncentracije primjesa NA = 5 1017 cm3 i ND = 1015 cm3. Dioda D1 ima geometrijske dimenzije obiju strana puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca, a dioda D2 ima irinu p-strane 1 m. T = 300 K. Vrijeme ivota manjinskih nosilaca je 2 s. Izraunajte: a) reverzne struje zasienja obiju dioda, b) nakrcane naboje manjinskih nosilaca obiju dioda kod U = 0,6 V, te c) omjer struja obiju dioda kod istog napona. 2.59 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima koncentracije primjesa NA >> ND = 1016 cm3. Povrina diode je 1 mm2. Kada kroz diodu tee struja od 5 pA, na n-strani diode nakrcan je naboj manjinskih nosilaca iznosa 2 10 20 C. Difuzijska duljina manjinskih nosilaca na toj strani je 30 m, T = 300 K. Provjerite radi li se o diodi s uskom ili irokom n-stranom, izraunajte reverznu struju zasienja te napon prikljuen na pn-spoj. 2.60 Silicijska dioda ima homogeno dopiranu n-stranu pn-spoja. Na diodu je narinut istosmjerni napon U1. Povea li se taj istosmjerni napon za U, ekscesni naboj manjinskih nosilaca na n-strani se udvostrui. Koliki je prirast napona U, ako je irina n-strane puno vea od difuzijske duljine upljina na toj strani. Izvedite izraz, te na temelju njega izraunajte U, ako je UT = 25 mV, a U1 >> 25 mV. 2.61 Silicijska dioda sa skokovitim pnnp / cm3 pn / cm3 prijelazom povrine 1 mm2 ima u nekoj radnoj toki A raspodjelu 10 4 manjinskih nosilaca prikazanu slikom 2.60. U toj radnoj toki se na T = 300 K, uz promjenu temperature 14 za 1 C struja promijeni za 0,2 pA. U 10 nekoj drugoj radnoj toki B na p30 m 0 0 x x strani je nakrcan naboj elektrona iznosa 1 nC. Pokretljivosti manjinSlika 2.60. Raspodjele manjinskih nosilaca u zadatku 2.61. skih nosilaca su n = 991 cm2/Vs i p = 360 cm2/Vs. Izraunajte tehnoloku irinu n-strane, te naboj upljina nakrcan na n-strani diode u radnoj toki B.
262
2.62 Dvije silicijske diode koje imaju ND >> NA = 2 1016 cm3 spojene su serijski i kroz njih tee struja od 8 mA. Difuzijska struja manjinskih nosilaca na 8 m od barijere u diodi D1 je 7 mA. Vremena ivota elektrona na p-stranama su za obje diode ista, povrine dioda su 1 mm2, jedna dioda ima usku, a druga iroku p-stranu. T = 300 K. Izraunajte: a) irinu p-strane diode s uskom p-stranom, ako je u njoj nakrcan naboj ekscesnih elektrona 100 puta manji nego u diodi sa irokom p-stranom. b) reverzne struje zasienja obiju dioda. 2.63 Dvije jednake diode sa irokim n- i p-stranama prikljuene su na izvor napona prema slici 2.61. Reverzne struje zasienja obiju dioda su 1 nA. T = 300 K. Dinamiki otpor diode D1 je 17 M. Odredite dinamiki otpor diode D2 , napone na svakoj od dioda, te ukupni napon na diodama.
D1 +
U
D2
2.64 Silicijska pn-dioda ima efektivne duljine obiju strana Slika 2.61. Spoj dviju dioda u zadatku 2.63. mnogo vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. U radnoj toki A, kod istosmjernog napona na diodi UDA = + 0,1 V, dinamika je vodljivost 4 10 9 S. Promjenom istosmjernog napona na diodi za 0,1 V (radna toka B), dinamika vodljivost se promijenila na 10 10 S. Odredite: a) temperaturu na kojoj dioda radi, b) polaritete i vrijednosti napona i struja u obje radne toke. 2.65 Dvije silicijske diode jednakih karakteristika spojene su prema slici 2.62. Pad napona izmeu toaka A i B iznosi 0,05 V. Temperatura je 55 C. Odredite: a) napone na pojedinim diodama, b) omjer dinamikih otpora dioda. c) Skicirajte raspodjele manjinskih nosilaca na n- i p-stranama dioda. Izraunajte rubne vrijednosti u odnosu na ravnotene koncentracije.
D1
A + + U1 U +
D2
B U2
Slika 2.62. Diode u zadatku 2.65.
2.66 Silicijska dioda u nekoj radnoj toki ima dinamiki otpor rd = 360 . Ako se napon na diodi povea za 20 mV, struja kroz diodu e se udvostruiti, a ako se temperatura povea za 0,5 C, uz isti napon na diodi struja e se poveati za 3 A. Izraunajte reverznu struju zasienja diode na zadanoj temperaturi. 2.67 Silicijska pn-dioda ima u nekoj radnoj toki na 300 K dinamiki otpor rd za signal niske frekvencije. Promijeni li se temperatura za 0,1 %, dinamiki otpor e se uz konstantnu vrijednost napona na diodi promijeniti za 2,6 %. Izraunajte napon na diodi.
Autor zadatka je Ivan Sekso.
263
2.68 Na silicijsku diodu sa skokovitim pnnp / cm3 pn / cm3 spojem povrine 0,1 mm2 pri T = 300 K narinut je istosmjerni napon U. Rezultirajue raspodjele manjinskih nosilaca prikazane su na 2 .105 slici. Povea li se temperatura za 3 x x 10 0,1 K, dinamika vodljivost diode za 2 m 28 m 0 0 izmjenini signal niske frekvencije Slika 2.63. Raspodjele manjinskih nosilaca se, uz konstantnu vrijednost struje u zadatku 2.68. kroz diodu, promijeni za 0,21 %. Za T = 300 K izraunajte: a) reverznu struju zasienja, te b) istosmjerni napon na diodi i struju kroz diodu. Pokretljivosti manjinskih nosilaca su n = 1350 cm2/Vs, p = 300 cm2/Vs. 2.69 Silicijska pn-dioda ima na temperaturi T1 pri struji I1=1,25 mA i naponu U1 dinamiki otpor rd 1 = 20 . Ako se temperatura promijeni na T2 , pri istoj struji I = I1 dinamiki otpor e iznositi rd 2 = 20,01 , a pri istoj vrijednosti napona U = U1 rd 3 = 19,7 . m = 1. a) Skicirajte U-I karakteristiku diode za ove dvije temperature i oznaite na njima zadane radne toke. b) Izraunajte temperaturu T1 i napon U1 . 2.70 Dvije jednake silicijske diode sa skokovitim pn-spojevima, koncentracija ND = 5 1018 cm3 i NA = 1015 cm3, spojene su serijski na izvor napona. Dinamika vodljivost diode D1 je za 47 pS vea od dinamike vodljivosti diode D2 , a pad napona na diodi D1 je 3,9 mV. T = 300 K, S = 1 mm2. Kolika struja tee kroz diode i koliki je napon na diodi D2? Izraunati nakrcani naboj ekscesnih nosilaca za obje diode, ako su geometrijske dimenzije dioda puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. 2.71 Tri silicijske diode prikljuene su na izvor napona prema slici 2.64. Reverzne struje zasienja dioda D2 i D3 su meusobno jednake, dok je za diodu D1 ona dvostuko vea. Dinamika vodljivost diode D2 u zadanoj radnoj toki iznosi 1,7 1014 S, a diode D3 90 nS. T = 300 K. Odredite polarizacije, struje i napone za svaku od dioda, te ukupni napon.
2
D1
U
D3
D2
Slika 2.64. Spoj tri diode u 2.72 Kod silicijske pn-diode povrine 1 mm izmjerena je zadatku 2.71. na T = 300 K pri naponu na diodi U = 0,65 V struja od 5 mA. Vodljivost n-strane je puno vea od vodljivosti p-strane, NA = 1016 cm3, a efektivna duljina p-strane je puno vea od difuzijske duljine manjinskih elektrona. Izraunajte: a) naboj elektrona nakrcanih na p-strani diode,
264
b) udaljenost od barijere do koje se nalazi 75 % nakrcanog ekscesnog naboja elektrona, c) difuzijsku admitanciju diode na frekvenciji 500 kHz u istoj radnoj toki.
2.73 Silicijska pn-dioda kojoj su p- i n-strane puno ire od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca, ima neto koncentracije primjesa na p- i n-strani meusobno jednake. Difuzijske duljine manjinskih nosilaca iznose 45 m, odnosno 30 m, i puno su manje od efektivnih duljina pripadajuih strana, a vremena ivota manjinskih nosilaca iznose n = 1,5 s, odnosno p = 2 s. Na nekoj temperaturi mjereni su dinamiki otpori za napone na diodi od 0,6 V i 0,58 V, te su dobivene vrijednosti od 2 i 1 . Uz pretpostavku niske injekcije odredite: a) reverznu struju zasienja diode, b) omjer elektronske i upljinske komponente struje kroz diodu, c) difuzijsku admitanciju diode na niskim frekvencijama pri U = 0,6 V. 2.74 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima obje strane iroke po 5 m, koncentraciju donora na n-strani 1016 cm3, dok su struje elektrona i upljina meusobno jednake. Povrina diode je 2 mm2, T = 300 K, vremena ivota manjinskih nosilaca su 5 s. Izraunajte koncentraciju akceptora na p-strani diode, te napone na diodi i ukupne kapacitete diode: D1 a) kada kroz diodu tee struja od 1 mA,
b) kada je napon na diodi istog iznosa, ali suprotnog predznaka od onog u a) dijelu zadataka.
2.75 Dvije silicijske diode jednakih koncentracija primjesa na identinim stranama, koje imaju povrinu S = 1 mm2 i vodljivost n-strane puno veu od vodljivosti p-strane, spojene su prema slici 2.65a. Raspodjela manjinskih nosilaca na p-strani diode D1 prikazana je na slici 2.65b. Temperatura je 300 K. a) Izraunajte napon U, te struju kroz svaku od dioda D1 i D2. b) Nacrtajte raspodjelu manjinskih elektrona na p-strani diode D2. c) Odredite difuzijsku admitanciju paralelnog spoja dioda za niske frekvencije.
D2
+ U
I = 1 mA
a)
10 13
np / cm3
10 4 0 40 m
x
b)
Slika 2.65. Uz zadatak 2.75.
265
2.76 Silicijska dioda sa dugakim stranama ima na p- i n-strani koncentracije primjesa NA = ND = 5 1015 cm3. Difuzijske duljine manjinskih nosilaca na pojedinim stranama su: na n-strani 20 m, a na p-strani 40 m. Temperatura je 300 K, povrina diode 1 mm2. U nekoj radnoj toki na p strani je nakrcan naboj manjinskih nosilaca iznosa 1017 C. Za zadanu radnu toku odredite: a) struju i napon, b) dinamiki otpor, difuzijski i barijerni kapacitet (za niske frekvencije). c) Nacrtajte energetski dijagram i oznaite karakteristine veliine. 2.77 Silicijska pn-dioda ima jednake iznose koncentracija primjesa na obje strane spoja. Obje strane diode su puno ire od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. U nekoj radnoj toki difuzijska struja manjinskih nosilaca na jednoj strani, na udaljenosti jednakoj difuzijskoj duljini manjinskih nosilaca od ruba barijere iznosi 5 mA, a do iste udaljenosti nalazi se nakrcani naboj ekscesnih nosilaca iznosa 8,6 nC. U istoj radnoj toki na niskim frekvencijama dinamiki otpor je 1,25 . Uz pretpostavke da je UT = 25 mV, In > Ip i n = 3 p , odredite: a) nakrcani naboj manjinskih nosilaca na n- i p-strani, b) difuzijski kapacitet na niskim frekvencijama. 2.78 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem povrine 0,1 mm2 ima koncentracije primjesa na n- i p-strani ND = 1018 cm3 i NA = 1015 cm3. Dioda vodi struju od 7,5 mA, pri emu je izmjeren dinamiki otpor od 4 i difuzijski kapacitet od 0,25 F. << 1/. Odredite: a) kontaktni potencijal, b) napon koji je prikljuen na diodu, c) irinu barijere u zadanoj radnoj toki. 2.79 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima ND >> NA = 5 1015 cm3. Vrijeme ivota manjinskih nosilaca je 5 s, povrina diode je 1 mm2. Izraunajte temperaturu na kojoj dioda radi te reverznu struju zasienja diode i difuzijski kapacitet diode kod napona U = 0,4 V, ako je na istoj temperaturi u toj radnoj toki dinamiki otpor za signal niske frekvencije 856 , a kod I = 0 rd = 2,72 G. Zanemarite promjenu irine barijere izmeu ovih dviju radnih toaka i promjenu difuzijske konstante u odnosu na 300 K. 2.80 Na silicijsku diodu sa skokovitim pn-spojem, koja ima ND >> NA = 1015 cm3, prikljuen je istosmjerni napon U, a na njega je superponiran sinusni napon amplitude 1 mV i frekvencije 2 104 Hz. Taj izmjenini napon uzrokuje izmjeninu struju, koja na T = 300 K ima amplitudu 56 A. Odredite istosmjerni napon U, te difuzijski kapacitet diode za zadani signal, ako je vrijeme ivota manjinskih nosilaca 5 s, p-strana je puno ira od difuzijske duljine manjinskih nosilaca, a povrina pn-spoja je 1 mm2. 2.81 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima irine obiju strana puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. Vremena ivota manjinskih nosilaca su n = 2 s i p = 1 s. Na neki istosmjerni napon propusne polarizacije na diodi U >> UT , superponiran je izmjenini napon male amplitude. Pri frekvenciji tog
266
napona od 10 MHz, difuzijski kapacitet diode je 50 nF, a kada je frekvencija 100 Hz difuzijski kapacitet diode je 350 nF. UT = 25 mV. Izraunajte elektronsku i upljinsku komponentu istosmjerne struje kroz diodu, te dinamiku vodljivost diode za signal frekvencije 250 kHz u istoj radnoj toki.
2.82 Silicijska dioda ima elektrinu provodnost n-strane puno veu od provodnosti p-strane, te efektivne duljine obje strane puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. U radnoj toki A, prikazanoj na slici 2.66, dinamiki otpor za izmjenini signal male amplitude i frekvencije 150 kHz iznosi 2,5 . Izraunajte koliki je u toki A: a) difuzijski kapacitet za signal iste frekvencije, b) nakrcani naboj manjinskih elektrona na p-strani spoja. 2.83 Silicijska dioda ima koncentracije primjesa na n- i p-strani ND >> NA = 1015 cm3, povrinu pn-spoja 1 mm2 i vrijeme ivota nosilaca na p-strani 1 s. Dinamiki nadomjesni sklop diode u nekoj radnoj toki za signal niske frekvencije prikazan je na slici 2.67. T = 300 K. Odredite napon na diodi izmeu toaka A i B.
I / mA
10
A U/V
0,57 0,6
Slika 2.66. Strujno-naponska karakteristika diode u zadatku 2.82.
10
1,5
1,5 nF
Slika 2.67. Nadomjesni sklop diode u zadatku 2.83.
2.84 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima ND >> NA , a efektivne irine obiju strana su puno vee od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. Na gornjoj graninoj frekvenciji za difuzijsku admitanciju fg = 200 kHz difuzijska admitancija u nekoj radnoj toki iznosi 100 mS. Izraunajte difuzijsku vodljivost i difuzijski kapacitet na gornjoj graninoj frekvenciji u istoj radnoj toki. 2.85 Mjerenjem odziva silicijske pn-diode na A I skokovitu promjenu napona dobivena je 4 mA vremenska promjena struje prikazana na slici t 2.68. Poznate su neto koncentracije primjesa na 5 pA obje strane pn-spoja: NDneto = 2 1015 cm3 i B NAneto = 1016 cm3, te povrina spoja 2 mm2. Na temperaturi od 300 K pokretljivosti manjinskih nosilaca su 400 cm2/ Vs i 1000 cm2/ Vs, dok su Slika 2.68. Strujni odziv diode vremena ivota manjinskih nosilaca na obje na skokovitu promjenu napona u zadatku 2.85. strane 1 s. irina p-strane puno je vea od difuzijske duljine manjinskih nosilaca, a efektivne irine n-strane u radnim tokama A i B odnose se kao 5:4.
267
a) Odredite napon na pn-spoju u toki A (pretpostavite nisku injekciju), b) Nacrtajte na istoj slici raspodjele manjinskih nosilaca na obje strane diode za toke A i B.
2.86 Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem povrine 1 mm2 ima koncentracije primjesa na p- i n-strani NA = 5 1015 cm3 << ND . Vrijeme ivota elektrona na pstrani je 1 s, a irina p-strane wp >> Ln . Temperatura je 300 K. Dioda je spojena u seriju s izvorom napona uG(t) i otpornikom R = 1 k, prema slici 2.69. Na slici je prikazana i vremenska ovisnost napona izvora. a) Nacrtajte promjenu i(t) i uD(t) u vremenskom intervalu 0 < t < 10 ts . b) Izraunajte i na slikama oznaite vrijednosti struje i(t) za t < 0, 0 < t < ts , te t > 10 ts . c) Izraunajte vrijeme zadravanja ts . d) Izraunajte naboj manjinskih nosilaca koji je uklonjen iz diode tijekom prijelazne pojave, te naboj koji je izvuen iz diode u intervalu 0 < t < ts .
R + uG (t) i(t) uD(t) 5 V
uG (t)
+2 V 0
Slika 2.69. Strujni krug i valni oblik napona u zadataku 2.86.
Rjeenja
2.0 UK = 0,684 V, neto koncentracija primjesa na n-strani ND NA = 5,80 1015 cm3, ND = 1,58 1016 cm3, n0n = 5,78 1015 cm3, p0n = 3,28 104 cm3, p0p = 1016 cm3, n0p = 1,90 104 cm3. Uputa: Ne zaboravite staviti da je UK / T < 0! 2.41 n0n = ND = 3,08 1015 cm3, p0n = 6,18 104 cm3, p0p = NA = 5,14 1015 cm3, n0p = 3,71 104 cm3, U = 14,3 V. 2.42 a) U = 0,650 V, dB = 0,801 m; b) U ( dB = 0,5 m) = 0,492 V, U ( dB = 1 m) = 0,617 V. 2.43 a) ND = 1,44 1015 cm3; b) p0p = 1015 cm3, n0p = 1,90 105 cm3, n0n = 4,41 1014 cm3, p0n = 4,32 105 cm3; c) U = 30,6 mV. 2.44 N1 = 9,57 1014 cm3, N2 = 6,48 1015 cm3. 2.45 a) xj = 5 m, UK = 0,511 V; b) U = + 0,309 V; c) max = 1,52 kV / cm. 2.46 dB = 3,44 m, dBp = 2,29 m, dBn = 1,15 m. 2.47 xj = 6,91 m, dBn = 1,15 m, dBp = 0,839 m, max = 7,21 kV / cm. 2.48 a) U = 0,637 V; b) J = 0,940 A / cm2.
268
2.49 a) IS = 0,598 pA; b) I = 94,2 nA. 2.50 a) NA = 9,96 1014 cm3; b) max = 54,1 kV / cm, od n- prema p-strani. 2.51 a) U = 0,410 V; b) np0 = 1,46 1012 cm3, pn0 = 2,91 109 cm3; c) np = 1,24 1012 cm3, pn = 2,38 109 cm3. 2.52 a) n0p = 3,14 109 cm3, p0n = 3,14 107 cm3; b) pn0 = 8,74 1022 cm3; c) np = 1,98 109 cm3. 2.53 IS = 1,07 pA, T = 351 K. 2.54 a) NA = 3,811015 cm3, ND = 1,901018 cm3; b) U = 0,399 V, I = 13,7 pA; c) wp0 = 2,65 m; c) I = 60,3 A; d) I / I = 11,9 %. Uputa: Zbog znatne promjene efektivne irine p-strane, mijenja se i reverzna struja zasienja u Shockleyevoj jednadbi. 2.55 a) CB = 9,52 pF; b) IS = 8,45 nA; c) Idn( 0 ) / Idn( 3 Lp) = 20,1. 2.56 a) Qn = 6,08 nC; b) U = 0,634 V; c) max = 15,8 kV / cm. 2.57 a) I = 16,3 mA; b) Qn = 1,15 nC, Qp = 39,6 nC; c) U = 5,70 mV. 2.58 iroka dioda: a) IS = 0,739 pA, b) Q = 17,8 nC = Qp ; uska dioda: a) IS = 0,822 pA, b) Q = Qp = 17,7 nC; c) Iuska / Iiroka = 1,11. 2.59 wn = 2,95 m, IS = 1,12 pA, U = 43,8 mV. 2.60 U = 17,3 mV. Uputa: Preko proporcionalnosti nakrcanog naboja manjinskih nosilaca U Q p exp 1, UT dobiva se iz zadanog omjera nakrcanih naboja traeni prirast napona kao U = U T ln (2) . 2.61 wn0 = 1,64 m, Qp = 26,3 pC. Uputa: Na osnovi zadane promjene reverzne struje zasienja, dobiva se I S = 1,21 10 12 A , E G 0 T 3 + ET T iz ega se izrauna efektivna irina uske n-strane u radnoj toki A (wnA = 1,39 m). Pomou ravnotene koncentracije manjinskih nosilaca zadane na slici izrauna se koncentracija primjesa (NA = ND = 1,90 1016 cm3), a pomou koncentracije manjinskih nosilaca uz rubove barijere napon na diodi u radnoj toki A (UA = 1,07 V). Odatle se izrauna irina barijere, a zatim i tehnoloka irina n-strane (wn0 = 1,64 m). Iz zadanog naboja manjinskih elektrona na p-strani u radnoj toki B izrauna se napon (UB = 0,614 V), nova irina barijere, te nova efektivna irina n-strane (wnB = 1,58 m) i konano traeni nakrcani naboj. Zanemari li se irina barijere u toki B, dobiva se Qp = 27,2 pC. IS = 2.62 a) wp = 8,47 m; b) IS1 = 7,42 1014 A; IS2 = 5,25 1013 A 2.63 rd2 = 53,9 M, U1 = 10,8 mV, U2 = 19,0 mV, U = 29,8 mV. 2.64 a) T = 314 K; b) radna toka A: U = + 0,1 V, I = 1,06 10 10 A; radna toka B: UD = 0, ID = 0.
269
2.65 a) U1 = 15,1 mV, U2 = 34,9 mV (reverzno polarizirana dioda); b) rd1 / rd2 = 0,17, c) rubne vrijednosti su za diodu D1 np0 / n0p = pn0 / p0n = 1,7, a za D2 np0 / n0p = pn0 / p0n = 0,29. 2.66 IS = 2,16 1013 A. Uputa: Na temelju iznosa dinamikog otpora moemo zakljuiti da je U > UT, pa je > I = IS exp (U / UT). Iz zadanog omjera struja odredimo temperaturu (T = 335 K), a zatim i sve ostale veliine. 2.67 U = 0,586 V. Uputa: Iz izraza za dinamiki otpor UT , U I S exp UT logaritmiranjem i diferenciranjem dobiva se rd = r E T U = UT d + 2 + G0 . ET rd T Pri uvrtavanju treba voditi rauna da relativne promjene dinamikog otpora i temperature imaju meusobno suprotne predznake! 2.68 a) IS = 4,06 1013 A, U = 49,6 mV; b) I = 2,35 pA. Uputa: Dinamika vodljivost diode odreena je izrazom I + IS . UT Logaritmiranjem i deriviranjem po temperaturi (struja I je konstantna), dobiva se gd = U dT g d dg d 1 dT dI S = dI S = exp = . T IS gd gd I + IS UT T
Budui da se moe izraunati

I S n E T = 2 i = 3 + G0 = 0,0166 , IS ni ET T iz gornje formule moe se izluiti i izraunati napon g d T + T gd U = U T ln , I S IS a potom i struja. 2.69 a) vidi sliku 2.70; b) T1 = 290 K, U1 = 0,494 V. 2.70 I = 6,07 10 13 A, U2 = 4,59 mV, Qn1 = 1,46 10 19 C, Qn2 = 0 (n-strana je puno jae dopirana, pa je nakrcani naboj manjinskih upljina zanemariv).
T2
3 2 1
T1
U
Slika 2.70. Strujno-naponske karakteristike diode u zadatku 2.69.
2.71 D2 je nepropusno, D1 i D3 su propusno polarizirane. U1 = + 0,182 V, U2 = U3 = 0,200 V, U = 0,382 V. 2.72 a) Qn = 40,9 nC; b) x = 223 m; c) yd = 0,707 + j 0,680 S.
270
2.73 a) IS = 26,9 pA; b) In / Ip = 2; c) yd = 1 + j 0,833 10 6 S. 2.74 a) Cd = 206 pF, CB = 1,07 nF, Cuk = Cd + CB = 1,28 nF; b) Cuk = CB = 444 pF. 2.75 a) U = 0,536 V, ID1 = 118 A, ID2 = 882 A; b) wp2 = 5,33 m; c) gd = 38,7 mS, Cd = 1,40 nF. 2.76 a) I = 3,50 1011 A, U = 96,6 mV; b) rd = 720 M, Cd = 2,90 1016 F, CB = 193 pF. 2.77 a) Qn = 13,6 nC, Qp = 9,62 nC; b) Cd = 464 nF. 2.78 a) UK = 0,672 V; b) U = 0,539 V; c) dB = 0,419 m. 2.79 T = 310 K, IS = 9,82 pA, Cd = 13,0 pF (dioda je s uskom p-stranom, irine wp = 10,8 m) 2.80 U = 0,548 V, Cd = 123 nF. Uputa: Zadane su amplitude izmjeninog napona na diodi (Udm = 1 mV) i amplitude izmjenine struje kroz diodu (Idm = 56 A), koje openito, zbog difuzijskog kapaciteta, nisu meusobno u fazi. Izjednaavanjem izraza za apsolutnu vrijednost difuzijske admitancije (koji treba izvesti) s kvocijentom amplituda napona i struja, tj. I I 4 1 + ( ) 2 = dm , UT U dm moe se odrediti istosmjernu struju kroz diodu. yd = 2.81 Ip = 5,86 mA, In = 5,82 mA, gd = 0,622 S. Uputa: Raun se moe pojednostaviti: openiti izraz za difuzijski kapacitet
I p p In n + 2 UT 2 1 + 1 + ( p ) 2 1 + 1 + ( n ) za f1 = 10 MHz prelazi u Cd = 1 ,
Cd 1 = a za f2 = 100 Hz u
1 UT
I n
p n , + Ip 2 1 2 1
1 (In n + I p p ) . 2 UT Iz dobivenog sustava dviju jednadbi s dvije nepoznanice izraunaju se traene komponente struja. Uz ove aproksimacije dobiva se: Ip = 5,59 mA, In = 5,95 mA, gd = 0,617 S. Cd 2 =
2.82 a) Cd = 235 nF; b) Qn = 16,9 nC. 2.83 UAB = 0,701 V.
Uputa: Na temelju iznosa dinamikog otpora na slici (rd = 1,5 ) vidimo da je dioda propusno polarizirana dovoljno velikim naponom da je kapacitet na slici difuzijski kapacitet diode. Umnoak dinamikog otpora i difuzijskog kapaciteta daje vremensku konstantu 2,25 ns, to upuuje na to da se radi o diodi s uskom p-stranom.
2.84 gd = 86,6 mS, Cd = 39,8 nF.
271
Uputa: Gornja granina frekvencija g za difuzijsku admitanciju je frekvencija na kojoj je iznos (modul) difuzijske admitancije faktor frekvencijama, tj. 2 puta vei od admitancije na niskim I . UT
y d ( g ) = 2 y d (0) = 2 g d (0) = 2 Kada se izrauna modul admitancije, y d ( ) = I 4 1 + ( n ) 2 , UT
uvrtavanjem u prethodni izraz izrauna se (gn)2, a zatim se, preko openitih izraza za difuzijsku vodljivost (2.177) i difuzijski kapacitet (2.179), odrede traene veliine.
2.85 a) U=0,535 V; b) vidi sliku 2.71. 2.86 a) i b) vidi sliku 2.72 (uoiti promjene irina barijere na obje strane spoja!); c) ts = 32,9 ns; d) Qn = 1,43 nC, Qn (0 < t < ts ) = 183 pC.
np pn
uD
0,572 V
A A B
x p x j xn
t
5 V
B
wn x
iD
1,43 mA 0,354 pA 5,57 mA
Slika 2.72. Valni oblici napona i struja u zadatku 2.86.
Slika 2.71. Raspodjele nosilaca u zadatku 2.85.
272
Prilog A: Odreivanje korijena jednadbe iteracijskim postupkom

Jedan od najvanijih postupaka numerikog rjeavanja jednadbi je iteracijski postupak, koji se ponekad naziva i metoda postupnih priblienja (engl. method of successive approximations) [Dahlquist74, Demidovich81]. Pretpostavimo da zadana jednadba
f ( x) = 0 , (A.1) gdje je f (x) konana i neprekinuta funkcija na nekom intervalu a < x < b , ima rjeenje unutar intervala a , b . Dovoljan uvjet za to jest da funkcija f (x) ima razliite predznake u tokama a i b. Treba odrediti realne korijene te jednadbe, odnosno nai nul-toke funkcije f (x).
x = ( x) . (A.2) Pretpostavimo neku vrijednost za korijen gornje jednadbe i oznaimo ga kao x0 . Uvrstimo li tu vrijednost u desnu stranu jednadbe (A.2), dobit emo novu vrijednost x1 = ( x 0 ) . Uvrtavanjem te vrijednosti x1 u desnu stranu (A.2), dobit emo x 2 = ( x1 ) , itd. Openito
x n = ( x n 1 ), (n = 1,2,K ) .
Napiimo (A.1) u obliku
(A.3)
Ponavljajui postupak (iteriranjem), dobiva se niz brojeva (x0 , x1 ,..., xn ,...) iji limes
n
lim x n = lim x n 1 , n
uz zadovoljen uvjet konvergencije, tei traenom rjeenju, tj. = lim x n .

n
Konkretno, nakon odreenog broja iteracija dobit emo rjeenje na eljenu tonost. Na slici A.1 prikazane su geometrijske interpretacije iteracijskog postupka. Kao to vidimo, odreivanje korijena funkcije (A.1) odgovara nalaenju apscise presjecita pravca y = x s
y
y=x y= (x )
1' 1
y
y= (x )
2 4 4' 2'
y=x
2' 3
(x0)
x0
3' 1'
3 1
(x2) (x1) x 2 x1
a)
x1 x 3 x 4 x 2
b)
(x0) x0 x
Slika A.1. Geometrijska interpretacija odreivanja korijena jednadbe iteracijskim postupkom [Demidovich81].
273
274
Prilog A
funkcijom y = (x). Na slici A.1a prikazan je sluaj kada niz brojeva (A.3) monotono tei konanom rjeenju, dok je na slici A.1b prikazan sluaj kada niz brojeva alternira oko konanog rjeenja, pribliavajui mu se postupno. Oigledno je da e broj potrebnih iteracija biti to manji to je poetno pretpostavljeno rjeenje blie traenom rjeenju. Na slici A.2 prikazan je sluaj kada dobiveni niz rjeenja divergira. Moemo uoiti da je za razliku od primjera na slici A.1a, nagib funkcije (x) oko traenog rjeenja vei od jedan, tj. ( x ) > 1 . Dovoljan uvjet za konvergenciju iteracijskog postupka moe se definirati slijedeim teoremom:
y= (x )
2 2'
y=x
1'
x0 x1
x2
Slika A.2. Grafiki prikaz divergencije rjeenja iteracijskog postupka [Demidovich81]
Teorem . Neka je funkcija (x) odreena i derivabilna za sve vrijednosti x iz nekog intervala a , b . Ako postoji broj q takav da je
( x ) q < 1 ,
za a < x < b, tada: 1. postupak iteracije
x n = ( x n 1 ), (n = 1, 2 ,K )
konvergira neovisno o poetnoj vrijednosti x0a , b ; 2. limes niza je jedini korijen jednadbe na intervalu a , b . Prednost iteracijskog postupka je svojstvo samokorekcije. Unutar podruja konvergencije, pogreka u raunu u nekoj od iteracija (npr. zbog pogreno utipkanih meuvrijednosti u raunalo) nee utjecati na tonost konanog rjeenja, ve e samo poveati broj potrebnih iteracija. U konkretnim primjenama postupak iteracije se obino ponavlja sve dok razlika izmeu dva uzastopna rjeenja u nizu (xn i xn1) ne postane manja od nekog unaprijed definiranog iznosa (npr. ako se xn i xn1 podudaraju na prvih m znamenki), a rezultat posljednje iteracije xn se uzima kao aproksimacija traenog rjeenja. Meutim, ako je derivacija ( x ) blizu jedinici, razlika izmeu rezultata dvije uzastopne iteracije moe biti vrlo mala, a da je traeno rjeenje vrlo daleko (vidi sliku A.3). Stoga je sigurnije iteraciju ponavljati sve dok nije zadovoljen uvjet 1 q x n x n 1 , (A.4) q
= lim x n
n
x = ( x)
gdje je q gornja ograda apsolutne vrijednosti derivacije funkcije (x) unutar promatranog intervala a , b .
Dokaz teorema zainteresirani itatelj moe nai u knjigama [Dahlquist74, Demidovich81].
Odreivanje korijena jednadbe iteracijskim postupkom
275
Vano je primijetiti da se jednadba (A.1) uvijek dade na vie naina prikazati u obliku (A.2). Pri tome uvjet teorema nee biti uvijek ispunjen. Meutim, dovoljno je jednadbu prepisati u drugom obliku, da bi bio zadovoljen uvjet konvergencije za razmatrani interval. Na primjer, za jednadbu x = exp( x ) 2 (A.5) elimo nai pozitivni korijen ( = 1,146). Uvjet konvergencije iz gornjeg teorema oko tog korijena nije zadovoljen. Provedemo li ipak iteraciju, dobit emo niz koji e divergirati (za x0 1,146) ili konvergirati negativnom korijenu = 1,841 (za x0 < 1,146). Da bismo dobili pozitivni korijen (A.5) emo napisati u obliku x = ln( x + 2) . (A.6)
y=x y= (x )
xn
x n 1
Slika A.3. Funkcija kod koje se rezultati dvije susjedne iteracije neznatno razlikuju daleko od traenog korijena [Demidovich81].
Pomou ove jednadbe dobit emo traeni korijen, uz poetni x0 > 1,841.
Prilog B: Rjeenja difuzijske jednadbe za difuzije iz neogranienog i ogranienog izvora

Raspodjele primjesa tijekom difuzije dobivaju se rjeavanjem difuzijske jednadbe (II Fickov zakon) N 2N , (B.1) = D t x2 za odgovarajue rubne i poetne uvjete. Primjenom Laplaceove transformacije na vrijeme, gornja parcijalna diferencijalna jednadba prelazi u obinu diferencijalnu jednadbu [Lindmayer65] . dx 2 Ako na poetku difuzije nije bilo primjesa u poluvodiu, tada je N (0) = 0 , pa diferencijalnu jednadbu (B.2) moemo napisati kao s N =0. (B.3) D dx 2 N u gornjim jednadbama je koncentracija primjesa u transformiranom podruju. Ope rjeenje linearne diferencijalne jednadbe (B.3) je oblika
s N = C1 exp D x + C2 exp
s N N (0) = D
d2 N
(B.2)
d2 N
s x . D
(B.4)
I za difuziju iz neogranienog izvora kao i za difuziju iz ogranienog izvora pretpostavljamo da prije difuzije nije bilo primjesa u ploici. Iz toga proizlazi jedan rubni uvjet koji zahtijeva da koncentracija duboko u volumenu poluvodia tei nuli tijekom cijelog difuzijskog procesa, tj.
x
lim N = 0 .
Zato je konstanta integracije u (B.4) C1 = 0, pa je

N = C2 exp
s x . D
(B.5)
Konstantu integracije C2 odredit emo iz rubnog uvjeta na povrini, koji se razlikuje za difuziju iz neogranienog, odnosno ogranienog izvora.
Ovaj oblik II Fickovog zakona vrijedi samo ako je difuzijski koeficijent D neovisan o prostornoj koordinati. U protivnom, pravilno je pisati N N = D , t x x a dobivene raspodjele primjesa odstupaju od ovdje navedenih analitikih raspodjela. Ovo je redovito sluaj kod difuzije primjesa u vrlo visokim koncentracijama, veim od 1018 cm3.
276
Rjeenja difuzijske jednadbe za difuzije iz neograninog i ogranienog izvora
277
Difuzija iz ogranienog izvora

Tijekom difuzije iz ogranienog izvora ukupna koliina primjesa koja se nalazi u ploici je konstantna
0
N ( x) dx = Q = konst.
Q = s
0
(B.6)
Primijenimo li Laplaceovu transformaciju na taj rubni uvjet, dobit emo

Q =
N dx = C2
D , s
(B.7)
iz ega se dobiva raspodjela u transformiranom podruju N =

exp sD
s x . D
(B.8)
Primjenom inverzne Laplaceove transformacije (B.8) prelazi u konano rjeenje - Gaussovu raspodjelu
N ( x, t ) = x2 . exp Dt 4 Dt Q
(B.9)
Difuzija iz neogranienog izvora

Za difuziju iz neogranienog izvora drugi rubni uvjet zahtijeva da je koncentracija primjesa na povrini tijekom difuzije konstantna (B.10) N ( x = 0, t > 0) = N 0 . Primijenimo li Laplaceovu transformaciju na taj rubni uvjet, dobit emo
N0 . s Uvrtavanjem u (B.5), dobivamo rjeenje u transformiranom podruju N ( x = 0) =
(B.11)
N =
N0 exp s
s x . D s x D
(B.12)
Budui da se derivacija ovog rjeenja po prostornoj koordinati

N0 dN = exp dx s D
(B.13)
i rjeenje (B.8) razlikuju samo u konstantama Q, odnosno N0 , ispred eksponencijalne funkcije, moemo zakljuiti da e inverzna Laplaceova transformacija (B.13) biti
x2 dN N0 x2 2 N0 = = exp exp 2 . dx Dt 4 Dt
(B.14)
Konanu raspodjelu dobit emo integracijom (B.14)
278
Prilog B
N =
a
x x2 dN 2 N0 dx = exp 2 dx = dx a
b x 2 x 2 exp d = N 0 exp( y 2 ) dy . (B.15) a x Gornju granicu b = a u zadnjem integralu odredit emo iz uvjeta da koncentracija duboko u volumenu poluvodia mora teiti nuli N ( ) = 0 ,
= N0
x /
iz ega dobivamo da je b = , odnosno

N ( x) = 2 N0 exp( y 2 ) dy .
x
(B.16)
Ovaj posljednji izraz je upravo traena komplementarna funkcija pogreke (vidi Prilog C, definiciju (C.1))!
Prilog C: Komplementarna funkcija pogreke

- definicija
erfc( x ) = 2 exp( t 2 ) dt
x
(C.1)
- osnovna svojstva
erfc (0) = 1 erfc( ) = 0 erfc( x ) = 1 erf ( x ) = 1 2 exp( t 2 ) dt
0 x
(C.2) (C.3)
2 d erfc( x ) = exp ( x 2 ) dx
erfc(t ) dt = x erfc( x) +
0 0
1 1
1 exp( x 2 )
(C.4)
erfc(t ) dt =
(C.5)
- aproksimacija racionalnom funkcijom [Abramowitz64]

erfc( x ) = (a1 t + a 2 t 2 + a 3 t 3 + a 4 t 4 + a 5 t 5 ) exp( x 2 ) + (erfc)
(C.6)
t=
1 , 1+ p x
(erfc) 1,5 10 7
p = 0,3275911 a1 = 0,254829592 a 2 = 0,284496736 a 3 = 1,421413741 a 4 = 1,453152027 a5 = 1,061405429
- aproksimacija inverza racionalnom funkcijom [Abramowitz64]

x=t a 0 + a1 t 1 + b1 t + b2 t 2 + ( x ) ,
(C.7)
2 t = ln , erfc( x )
( x ) < 2 10 -3
a 0 = 1,63167 a1 = 0,27061 b1 = 1,40331 b2 = 0,08962
279
280
Prilog C
- tablica vrijednosti
x 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 0,45 0,50 0,55 0,60 0,65 0,70 0,75 0,80 0,85 0,90 0,95 1,00 erfc(x) 9,436101 8,875101 8,320101 7,773101 7,237101 6,714101 6,206101 5,716101 5,245101 4,795101 4,367101 3,961101 3,580101 3,222101 2,888101 2,579101 2,293101 2,031101 1,791101 1,573101 x 1,05 1,10 1,15 1,20 1,25 1,30 1,35 1,40 1,45 1,50 1,55 1,60 1,65 1,70 1,75 1,80 1,85 1,90 1,95 2,00 erfc(x) 1,376101 1,198101 1,039101 8,969102 7,710102 6,599102 5,624102 4,771102 4,030102 3,389102 2,838102 2,365102 1,962102 1,621102 1,333102 1,091102 8,889103 7,210103 5,821103 4,678103 x 2,05 2,10 2,15 2,20 2,25 2,30 2,35 2,40 2,45 2,50 2,55 2,60 2,65 2,70 2,75 2,80 2,85 2,90 2,95 3,00 erfc(x) 3,742103 2,980103 2,362103 1,863103 1,463103 1,143103 8,894104 6,886104 5,307104 4,070104 3,107104 2,361104 1,785104 1,344104 1,007104 7,505105 5,568105 4,112105 3,022105 2,211105
LITERATURA
Knjige
[Abramowitz64] M. Abramowitz, I. A. Stegun (eds.), Handbook of Mathematical Functions with Formulas, Graphs and Mathematical Tables, National Bureau of Standards, New York, 1964 [Adler64] R. B. Adler, A. C. Smith, R. L. Longini, Introduction to Semiconductor Physics, Wiley, New York, 1964. [Anselm81] A. Anselm, Introduction to Semiconductor Theory, Mir Publishers, Moskva, 1981. [Antognetti88] P. Antognetti, G. Massobrio (eds.), Semiconductor Modeling with SPICE, McGraw-Hill, New York, 1988. [Ber90] K. W. Ber, Survey of Semiconductors Physics, Van Nostrand Reinhold, New York, 1990. [Beadle85] W. E. Beadle, J. C. C. Tsai, R. D. Plummer (eds.), Quick Reference Manual for Silicon Integrated Circuit Technology, Wiley, New York, 1985. [Biljanovi70] P. Biljanovi, Zbirka zadataka iz elektronikih elemenata, Sveuilite u Zagrebu, Zagreb, 1970. [Biljanovi82] P. Biljanovi, Mikroelektronika - integrirani elektroniki sklopovi, kolska knjiga, Zagreb, 1982. [Blakemore62] J. S. Blakemore, Semiconductor Statistics, Pergamon Press, Oxford, 1962. [Blakemore74] J. S. Blakemore, Solid State Physics, Saunders, Philadelphia, 1974. [Brontejn75] I. N. Brontejn, K. A. Semendjajev, Matematiki prirunik za inenjere i studente, Tehnika knjiga, Zagreb, 1975. [Burger67] R. M. Burger, R. P. Donovan (eds.), Fundamentals of Silicon Integrated Device Technology - Volume I, Prentice-Hall, New Jersey, 1967. [Butkovi78] . Butkovi, Numerika analiza poluvodikih bipolarnih tranzistora, magistarski rad, Elektrotehniki fakultet, Zagreb, 1978. [Carslaw59] H. S. Carslaw, J. C. Jaeger, Conduction of Heat in Solids, Oxford University Press, Oxford, 1959. [Cveki75] V. Cveki, Poluprovodnike diode i tranzistori, Tehnika knjiga, Beograd, 1975. [Dahlquist74] G. Dahlquist, . Bjrck, Numerical Methods, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, New Jersey, 1974. [Demidovich81] B. P. Demidovich, I. A. Maron, Computational Mathematics, Mir Publishers, Moskva, 1981. [Elliot89] D. J. Elliott, Integrated Circuit Fabrication Technology, McGraw-Hill, New York, 1989. [Grtner60] W. W. Grtner, Transistors: Principles, Design and Applications, Van Nostrand, Princeton, 1960. [Ghandi68] S. K. Ghandi, The Theory and Practice of Microelectronics, Wiley, New York, 1968. [Graaff90] H. C. de Graaff, F. M. Klaassen, Compact Transistor Modeling for Circuit Design, Springer-Verlag, Wien, 1990.
281
282
Literatura
[Gray64] [Grove67] [Juzbai75] [Kendall69] [Kireev78] [Kittel76] [Lindmayer65] [Linvill63] [Millman72] [Milnes73] [Moll64] [Nanavati63] [Phillips62] [Piskunov74] [Ruska88] [Selberherr84] [Shive59] [Shockley50] [Singh94] [Smith78] [Sze81] [Sze88] [Valk91] [Wang81] [Wolf67] [Wolf71] [Yepifanov74]
P. E. Gray, D. DeWitt, A. R. Boothroyd, J. F. Gibbons, Physical Electronics and Circuit Models of Transistors, Wiley, New York, 1964. A. S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices, Wiley, New York, 1967. B. Juzbai, Elektroniki elementi, kolska knjiga, Zagreb, 1975. E. J. M. Kendall, Transistors, Pergamon Press, Oxford, 1969. P. S. Kireev, Semiconductor Physics, Mir Publishers, Moskva, 1978. C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, Wiley, New York, 1976. J. Lindmayer, C. Y. Wrigley, Semiconductor Devices, Van Nostrand, Princeton, 1965. J. G. Linvill, Models of Transistors and Diodes, McGraw-Hill, New York, 1963. J. Millman, C. C. Halkias, Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems, McGraw-Hill Kogakusha, Tokyo, 1972. A. G. Milnes, Deep Impurities in Semiconductors, Wiley, New York, 1973. J. L. Moll, Physics of Semiconductors, McGraw-Hill, New York, 1964. R. P. Nanavati, An Introduction to Semiconductor Electronics, McGraw-Hill, New York, 1963. A. B. Phillips, Transistor Engineering, McGraw-Hill, New York, 1962. N. Piskunov, Differential and Integral Calculus, Mir Publishers, Moskva, 1974. W. S. Ruska, Microelectronic Processing - An Introduction to the Manufacture of Integrated Circuits, McGraw-Hill, New York, 1988. S. Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, SpringerVerlag, Wien, 1984. J. N. Shive, Semiconductor Devices, Van Nostrand, Princeton, 1959. W. Shockley, Electrons and Holes in Semiconductors, Van Nostrand, Princeton, N. J., 1950. J. Singh, Semiconductor Devices - An Introduction, McGraw-Hill, New York, 1994. R. A. Smith, Semiconductors, Cambridge University Press, Cambridge, 1978. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York, 1981. S. M. Sze, VLSI Technology, McGraw-Hill, New York, 1988. I. P. Valk, K. Tarnay, V. Szkely, Elektronikus eszkzk I., Tanknyvkiad, Budapest, 1991. F, F, Wang (ed.), Impurity Doping Processes in Silicon, North-Holland, Amsterdam, 1981. H. F. Wolf, Silicon Semiconductor Data, Pergamon Press, Oxford, 1967. H. F. Wolf, Semiconductors, Wiley, New York, 1971. G. Yepifanov, Physical Principles of Microelectronics, Mir Publishers, Moskva, 1974.
lanci u asopisima
283
lanci u asopisima
J. del Alamo, S. Swirhun, R. M. Swanson, Measuring and Modeling Minority Carrier Transport in Heavily Doped Silicon, Solid State Electron., vol. 28, pp. 47 - 54, January 1985. [Arora82] N. D. Arora, J. R. Hauser, D. J. Roulston, Electron and Hole Mobilities in Silicon as a Function of Concentration and Temperature, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-29, pp. 292 - 295, February 1982. [Baccarani75] G. Baccarani, P. Ostoja, Electron Mobility Empirically Related to the Phosphorus Concentration in Silicon, Solid-State Electron., vol. 18, pp. 579 580, 1975. [Barber67] H. D. Barber, Effective Mass and Intrinsic Concentration in Silicon, Solid State Electron., vol. 10, pp. 1039 - 1051, November 1967. [Bennett83] H. S. Bennett, Hole and Electron Mobilities in Heavily Doped Silicon: Comparison of Theory and Experiment, Solid State Electron., vol. 26, pp. 1157 - 1166, December 1983. [Bennett90] H. S. Bennett, J. R. Lowney, Physics for Numerical Simulation of Silicon and Gallium Arsenide Transistors, Solid State Electron., vol. 33, pp. 675 - 691, June 1990. [Blakemore82] J. S. Blakemore, Approximations for Fermi-Dirac Integrals, Especially the Function 1/2() Used to Describe Electron Density in a Semiconductor, Solid State Electron., vol. 25, November 1982. [Canali75] C. Canali, G. Majni, R. Minder, G. Ottaviani, Electron and Hole Drift Velocity Measurements in Silicon and Their Empirical Relation to Electric Field and Temperature, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-22, pp. 1045 - 1047, November 1975. [Caughey67] D. M. Caughey, R. E. Thomas, Carrier Mobilities in Silicon Empirically related to Doping and Field, Proc. IEEE, vol. 55, pp. 2192 - 2193, December 1967. [Chang67] Y. F. Chang, The Capacitance of p-n Junctions, Solid-State Electron., vol. 10, pp. 281 - 287, April 1967. [Chawla71] B. R. Chawla, H. K. Gummel, Transition Region Capacitance of Diffused p-n Junctions, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-18, pp. 178 - 195, March 1971. [Chelikowsky76] J. R. Chelikowsky, M. L. Cohen, Nonlocal Pseudopotential Calculations for the Electronic Structure of Eleven Diamond and Zinc-Blende Semiconductors, Phys. Rev., vol. B14, pp. 556 - 582, 15th July 1976. [Chen92] Y.-W. Chen, J. B. Kuo, Two-Dimensional Analysis of a BiNMOS Transistor Operating at 77 K Using a Modified PISCES Program, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-39, pp. 348 - 355, February 1992. [Conwell52] E. M. Conwell, Properties of Silicon and Germanium, Proc. IRE, vol. 40, pp. 1327 - 1337, November 1952. [Dorkel81] J. M. Dorkel, Ph. Leturcq, Carrier Mobilities in Silicon Semi-Empirically Related to Temperature, Doping and Injection Level, Solid State Electron., vol. 24, pp. 821 - 825, September 1981. [Fossum76] J. G. Fossum, Computer-Aided Numerical Analysis of Silicon Solar Cells, Solid-State Electron., vol. 19, pp. 269 - 277, April 1976. [Alamo85]
284
Literatura
[Fossum82] [Fossum83] [Fuller56] [Gaensslen79] [Gummel64] [Gummel67] [Hall52] [Hall52a] [Haynes49] [Haynes51] [Haynes52] [Hauser71] [Henning87]
[Hilibrand60] [IRE56] [Irvin62] [Johnson71] [Kennedy63] [Kennedy64] [Kennedy65]
J. G. Fossum, D. S. Lee, A Physical Model for the Dependence of a Carrier Lifetime on Doping Density in Nondegenerate Silicon, vol. 25, pp. 741 - 747, August 1982. J. G. Fossum, R. P. Mertens, D. S. Lee, J. F. Nijs, Carrier Recombination and Lifetime in Highly Doped Silicon, vol. 26, pp. 569 - 576, June 1983. C. S. Fuller, J. A. Ditzenberger, Diffusion of Donor and Acceptor Elements in Silicon, J. Appl. Phys., vol. 27, pp. 544 - 553, May 1956. F. H. Gaensslen, R. C. Jaeger, Temperature Dependent Threshold Behavior of Depletion Mode MOSFETs, Solid State Electron., vol. 22, pp. 423 - 430, April 1979. H. K. Gummel, A Self-Consistent Iterative Scheme for One-Dimensional Steady State Transistor Calculations, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED11, pp. 455 - 465, October 1964. H. K. Gummel, Hole - Electron Product of p-n Junctions, Solid State Electron., vol. 10, pp. 209 - 212, March 1967. R. N. Hall, Electron - Hole Recombination in Germanium, Phys. Rev., vol. 87, p. 387, September 1, 1952. R, N. Hall, Power Rectifiers and Transistors, Proc. IRE, vol. 40, pp. 1512 1518, November 1952. J. R. Haynes, W. Shockley, Investigation of Hole Injection in Transistor Action, Phys. Rev., vol. 75, p. 691, 1949. J. R. Haynes, W. Shockley, The Mobility and Life of Injected Holes and Electrons in Germanium, Phys. Rev., vol. 81, pp. 835 - 843, March 1, 1951. J. R. Haynes, W. C. Westphal, The Drift Mobility of Electrons in Silicon, Phys. Rev., vol. 85, p. 850, 1952. J. R. Hauser, Boundary Condition at p-n Junctions, Solid State Electron., vol. 14, pp. 133 - 139, February 1971. A. K. Henning, N. N. Chan, J. T. Watt, J. D. Plummer, Substrate Current at Cryogenic Temperatures: Measurements and a Two-Dimensional Model for CMOS Technology, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-34, pp. 64 - 74, January 1987. J. Hilibrand, R. D. Gold, Determination of the Impurity Distribution in Junction Diodes from Capacitance-Voltage Measurements, RCA Review, pp. 245 - 252, June 1960. IRE Standards on Letter Symbols for Semiconductor Devices, Proc.IRE, vol. 44, pp. 934 - 937, July 1956. J. C. Irvin, Resistivity of Bulk Silicon and Diffused Layers in Silicon, Bell System Tech. J., vol. 41, pp. 387 - 410, March 1962. W. C. Johnson, P. T. Panousis, The Influence of Debye Length on the C-V Measurement of Doping Profiles, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-18, pp. 965 - 973, October 1971. D. P. Kennedy, P. C. Murley, Minority Carrier Injection Characteristics of the Diffused Emitter Junction, IRE Trans. Electron Devices, vol. ED-9, pp. 136 142, March 1963. D. P. Kennedy, P. C. Murley, Impurity Atom Distribution from a Two-Step Diffusion Process, Proc. IEEE, vol. 52, pp. 620 - 621, May 1964. D. P. Kennedy, R. R. O'Brien, Analysis of the Impurity Atom Distribution Near the Diffusion Mask for a Planar p-n Junction, IBM J. Res. Devices, vol. 9, pp. 179 - 186, May 1965.
lanci u asopisima
285
R. H. Kingston, Switching Time in Junction Diodes and Junction Transistors, Proc. IRE, vol. 42, pp. 829 - 834, May 1954. [Klein61] M. Klein, Injection Efficiency in Double Diffused Transistors, Proc. IRE., vol. 49, p. 1708, November 1961. [Kleppinger71] D. D. Kleppinger, F. A. Lindholm, Impurity Concentration Dependent Density of States and Resulting Fermi Level for Silicon, Solid-State Electron., vol. 14, pp. 407 - 416, 1971. [Kroemer57] H. Kroemer, Quasi-Electric and Quasi-Magnetic Fields in Nonuniform Semiconductors, RCA Rev., vol. 18, pp. 332 - 342, September 1957. [Kroemer57a] H. Kroemer, Theory of a Wide-Gap Emitter for Transistors, Proc. IRE, vol. 45, pp. 1535 - 1537, November 1957. [Kroemer78] H. Kroemer, The Einstein Relation for Degenerate Carrier Concentration, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-25, p. 850, July 1978. [Lawrence60] H. Lawrence, R. M. Warner, Diffused Junction Depletion Layer Calculations, Bell System Tech. J., vol. 39, pp. 389 - 403, March 1960. [Lee83] D. S. Lee, J. C. Fossum, Energy-Band Distortion in Highly Doped Silicon, IEEE Trans. Electron. Devices, vol. ED-30, pp. 626 - 634, June 1983. [Mari68] A. De Mari, An Accurate Numerical Steady-State One-Dimensional Solution of the p-n Junction , Solid-State Electron., vol. 11, pp. 33 - 58, February 1968. [Masetti83] G. Masetti, M. Severi, S. Solmi, Modeling of Carrier Mobility Against Carrier Concentration in Arsenic-, Phosphorus- and Boron-Doped Silicon, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-30, pp. 764 - 769, July 1983. [Mock73] M. S. Mock, Transport Equations in Heavily Doped Silicon, and the Current Gain of a Bipolar Transistor, Solid-State Electron., vol. 16, pp. 1251 - 1259, 1973. [Moll58] J. L. Moll, The Evolution of the Theory of the Current-Voltage Characteristics of p-n Junctions, Proc. IRE, vol. 46, pp. 1076 - 1082, June 1958. [Morgan60] S. P. Morgan, F. M. Smits, Potential Distribution and Capacitance of a Graded p-n Junction, Bell System Tech. J., vol. 39, pp. 1573 - 1602, November 1960. [Morin54] F. J. Morin, J. P. Maita, Conductivity and Hall Effect in the Intrinsic Range of Germanium, Phys. Rev., vol. 94, pp. 1525 - 1529, June 15, 1954. [Morin54a] F. J. Morin, J. P. Maita, Electrical Properties of Silicon Containing Arsenic and Boron, Phys. Rev., vol. 96, pp. 28 - 35, October 1, 1954. [Norwood68] M. H. Norwood, Voltage Variable Capacitor Tuning: A Review, Proc. IEEE, vol. 56, pp. 788 - 798, May 1968. [Nussbaum69] A. Nussbaum, Boundary Conditions for Space-Charge Region of a p-nJunction, Solid State Electron., vol. 12, pp. 177 - 183, 1969. [Omar87] M. A. Omar, L. Reggiani, Drift and Diffusion of Charge Carriers in Silicon and Their Empirical Relation to the Electric Field, Solid State Electron., vol. 7, pp. 693 - 697, July 1987. [Overstraeten73] R. J. van Overstraeten, H. J. DeMan, R. P. Mertens, Transport Equations in Heavy Doped Silicon, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-20, pp. 290 298, March 1973. [Putley58] E. H. Putley, W. H. Mitchell, The Electrical Conductivity and Hall Effect of Silicon, Proc. Phys. Soc., vol. 72, pp. 193 - 200, July 1958. [Roosbroeck50] W. Van Roosbroeck, Theory of the Flow of Electrons and Holes in Germanium and Other Semiconductors, Bell Syst. Tech. J., vol. 29, pp. 560 607, October 1950.
[Kingston54]
286
Literatura
[Roulston82]
[Ryder53] [Sah57] [Selberherr89] [Shigyo90] [Shockley49] [Shockley52] [Slotboom76] [Slotboom77] [Slotboom77a] [Smits58] [Sze68] [Thurmond75] [Trumbore60] [Tyagi83] [Warner83] [Wu75]
D. J. Roulston, N. D. Arora, S. G. Chamberlain, Modeling and Measurement of Minority-Carrier Lifetime versus Doping in Diffused Layers of n+-p Silicon Diodes, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-29, pp. 284 - 291, February 1982. E. J. Ryder, Mobility of Holes and Electrons in High Electric Fields, Phys. Rev., vol. 90, pp. 766 - 769, June 1953. C. T. Sah, R. N. Noyce, W. Shockley, Carrier Generation and Recombination in p-n Junction and p-n Junction Characteristics, Proc. IRE, vol. 45, pp. 1228 1243, September 1957. S. Selberherr, MOS Device Modeling at 77 K, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-36, pp. 1464 - 1474, August 1989. N. Shigyo, H. Tanimoto, M. Norishima, S. Yasuda, Minority Carrier Mobility Model for Device Simulation, Solid State Electron., vol. 33, pp. 727 - 731, June 1990. W. Shockley, The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n Junction Transistors, Bell Syst. Tech. J., vol. 28, pp. 435 - 489, 1949. W. Shockley, W. T. Read, Statistics of the Recombination of Holes and Electrons, Phys. Rev., vol. 87, 835 - 842, September 1, 1952. J. W. Slotboom, H. C. de Graaff, Measurements of Bandgap Narrowing in Si Bipolar Transistors, Solid State Electron., vol. 19, pp. 857 - 862, October 1976. J. W. Slotboom, The pn-Product in Silicon, Solid-State Electron., vol. 20, pp. 279 - 283, April 1977. J. W. Slotboom, H. C. de Graaff, Bandgap Narrowing in Silicon Bipolar Transistors, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-24, pp. 1123 - 1125, August 1977. F. M. Smits, Formation of Junction Structures by Solid-State Diffusion, Proc. IRE, vol. 46, pp. 1049 - 1061, June 1958. S. M. Sze, J. C. Irvin, Resistivity, Mobility and Impurity Levels in GaAs, Ge and Si at 300K, Solid State Electron., vol. 11, pp. 599 - 602, 1968. C. D. Thurmond, The Standard Thermodynamic Functions for the Formation of Electrons and Holes in Ge, Si, GaAs and GaP, J. Electrochem. Soc., vol. 122, pp. 1133 - 1141, August 1975. F. A. Trumbore, Solid Solubility of Impurity Elements in Germanium and Silicon, Bell System Tech. J., vol. 39, pp. 205 - 233, January 1960. M. S. Tyagi, R. Van Overstraeten, Minority Carrier Recombination in HeavilyDoped Silicon, Solid-State Electron., vol. 26, pp. 577 - 597, June 1983. R. M. Warner, R. P. Jindal, Replacing the Depletion Approximation, Solid State Electron., vol. 26, pp. 335 - 342, 1983. C. P. Wu, E. C. Douglas, C. W. Mueller, Limitations of the CV Technique for Ion-Implanted Profiles, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-22, pp. 319 329, June 1975.

Elektronika Knjiga I Zadaci

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronika Knjiga I Zadaci

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Julijan ribar Julijana Divkovi-Pukec

Poloaj Fermijevog nivoa..................................................................36

Gibanje nosilaca ................................................................................49

Temeljne jednadbe u poluvodiima ...............................................83

Nehomogeni poluvodii ..................................................................105 Degeneracijski efekti .......................................................................112

1.10. Osnove planarne tehnike na siliciju...............................................118

Zadaci za samostalno rjeavanje.............................................................139

J. ribar, J. Divkovi-Pukec: Elektroniki elementi - zbirka zadataka

Barijerni kapacitet............................................................................166 Strujno-naponske karakteristike ....................................................176

Dinamika svojstva pn-diode .........................................................218

Prijelazne pojave u pn-diodi ...........................................................248

Zadaci za samostalno rjeavanje.............................................................258

Prilog C: Komplementarna funkcija pogreke...........................................279

Knjige ........................................................................................................281 lanci u asopisima.................................................................................283

Popis ee koritenih oznaka

J. ribar, J. Divkovi-Pukec: Elektroniki elementi - zbirka zadataka

Popis ee koritenih oznaka

L m m0 mc* mv* N N0 NA NA Nc ND ND+ Nv n n0 n0p ni np0 p p0 p0n pn0 Q Q q R rd rs S s T t U UK UT

Popis ~e{}e kori{tenih oznaka

Oznake hiperbolnih funkcija

arcosh area kosinus hiperbolni

Popis ee koritenih oznaka

alfa beta gama delta epsilon zeta eta theta

jota kapa lambda mi ni ksi omikron pi

ro sigma tau ipsilon fi hi psi omega

1. OSNOVNA SVOJSTVA POLUVODIA

1. Osnovna svojstva poluvodia

1. Osnovna svojstva poluvodia

upljina nastala ionizacijom akceptora

donorski ion sumpora

1. Osnovna svojstva poluvodia

1.1. irina zabranjenog pojasa

1,170 0,7437 1,519

1,12 0,66 1,42

1.1. irina zabranjenog pojasa

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500

1. Osnovna svojstva poluvodia

pa bismo za ekstrapoliranu irinu zabranjenog pojasa na T = 0 K dobili

a eV K 1 2,546104 3,853104 4,519104

1,196 0,776 1,556

1.2. Raspodjele elektrona i upljina po energijama

1.2. Raspodjele elektrona i upljina po energijama

Fermijeva funkcija fn (E) = 1

1. Osnovna svojstva poluvodia

Slika 1.8. Raspodjele koncentracija elektrona i upljina po energijama u intrinsinom poluvodiu.

1.2. Raspodjele elektrona i upljina po energijama

to se moe pisati kao n = Nc pri emu je 2 F1/ 2 (F ) , (1.18)

a F1/2(F) je Fermijev integral reda 1/2,

1. Osnovna svojstva poluvodia

1.2. Raspodjele elektrona i upljina po energijama

odnosno p = Nv pri emu je 2 F1/ 2 (F ) , (1.28)

1. Osnovna svojstva poluvodia

1.2. Raspodjele elektrona i upljina po energijama

3 0,0433 0,0441 1,90 % 0,0434 1,74 %

2 0,115 0,120 4,66 % 0,115 4,67 %

1 0,291 0,326 12,1 % 0,291 12,2 %

0 0,679 0,886 30,6 % 0,678 30,7 %

1. Osnovna svojstva poluvodia

1.3. Koncentracije elektrona i upljina

2 ET Nv Nc = 2 h2 moemo izraz (1.34) pisati kao

pri emu je m0 masa mirovanja elektrona, a

= 4,83 1015 cm3 K 3 2

1.3. Koncentracije elektrona i upljina