BÀI 1: MẠCH XÉN, MẠCH GHIM ĐIỆN ÁP I.

Mục đích yêu cầu: Khảo sát hoạt động của mạch xén, mạch ghim điện áp dùng diode, cấp sóng vào và khảo sát dạng sóng ra sau khi bị xén hoặc ghim. II. Tóm tắt lý thuyết: 1. Mạch xén: - Mạch xén có nhiệm vụ chỉ cho một phần tín hiệu ngõ vào đưa đến ngõ ra. - Trong bài thí nghiệm này ta thực hiện mạch xén dùng diode mắc theo kiểu song song, có xén trên, xén dưới, và xén hai mức. Sơ đồ mạch xén mắc kiểu song song :
R R

+
D

+
R t

+
D

+
R t

Vin
Ec

Vout

Vin
Ec

Vout

-

-

Ec ≥ 0

-

Mạch xén mức trên

Mạch xén mức dưới

- Coi diode D là lý tưởng, VD = 0V - Đối với mạch xén trên, khi V in < Ec thì diode chưa được phân cực thuận, toàn bộ V in được đưa ra Vout, khi Vin > Ec thì diode được phân cực thuận, điện áp ra Vout = Ec, ta nói tín hiệu bị xén ở mức Ec. khi tín hiệu vào là sóng sin thì dạng sóng ra có dạng:

v
Ec

Vin t Vout

- Đối với mạch xén dưới, khi V in > – Ec thì diode chưa được phân cực thuận, toàn bộ Vin được đưa ra Vout, khi Vin < – Ec thì diode được phân cực thuận, điện áp ra Vout = – Ec, ta nói tín hiệu bị xén ở mức – Ec. Khi tín hiệu vào là sóng sin thì dạng sóng ra có dạng:

Trang :1

Mạch ghim điện áp là mạch khôi phục thành phần một chiều của tín hiệu.V2 Vin 2. Nó được dùng để ổn định nền hoặc đỉnh của tín hiệu. . VD = 0V Mạch ghim đỉnh dưới Trang :2 .Coi diode như lý tưởng. Mạch ghim: .V Vout t .Có hai loại mạch ghim cơ bản là mạch ghim đỉnh trên và mạch ghim đỉnh dưới C C + D + Vout Ec + D + Vout Ec Vin - Vin - - - Mạch ghim đỉnh trên . ở một mức xác định nào đó.Ec Vin + Kết hợp hai mạch xén trên và dưới ta được mạch xén hai mức R + D 1 D 2 Vin V1 V2 Vout - R t - V V1 Vout t .

vậy VD < 0 diode D tắt.Vp đến 0.Vp + Ec Vout - Đối với mạch ghim đỉnh dưới(giải thích tương tự). Vout = Vin – VC. thì Vout tăng từ (.Vp + Ec). thì tụ C được nạp đến giá trị VC = Vp – Ec. • Khi Vin giảm từ 0 về .Vp + Ec) về (.. điện áp đặt lên hai cực diode là V in – VC – Ec mà VC = Vp – Ec => VD = Vin – Vp. tụ C vẫn chưa xả. • Khi Vin giảm từ Vp về 0.Vp + Ec). do đó Vout giảm từ Ec về (. Vout = Ec. có dạng sóng vào ra: Trang :3 . diode D dẫn.2Vp + Ec).Vp. Vout = Vin – VC giảm từ (.Đối với mạch ghim đỉnh trên: • Khi Vin tăng từ 0 đến Vp(giá trị đỉnh). diode D vẫn phân cực ngược.2Vp + Ec) đến (. C + D + Vout Ec Vin - - Vp Ec Vin Ec . • Khi Vin tăng từ .

Dụng cụ thí nghiệm • 1 FACET Base Unit. • 1 VOM. • 1 SEMICONDUCTOR FUNDAMENTAL circuit board. • 1 Dao động ký. • 1 Máy tạo sóng. VI. III.Ec 2Vp – Ec Vp – Ec – Ec Vout Ta có thể thay đổi Ec để ghim ở các mức mong muốn. Tiến hành thí nghiệm 1. • Các dây nối và các connector.C + D + Vout Ec Vin - - Vp Vin . (Đế lắp mạch thí nghiệm). khảo sát mạch xén sơ đồ mạch xén trên Trang :4 .

Làm tương tự các bước như trên. Sơ đồ mạch xén dưới .V 0. ghim mức áp ra ở .6V. 0.6V.6V thì diode dẫn.6V thì diode dẫn. khi áp vào vượt quá 0. ta thấy dạng sóng ra có dạng sóng vuông.6V t khi áp vào nhỏ hơn . ghim mức áp ra ở 0.6V Dùng máy tạo sóng.Quan sát dạng sóng. tần số 1kHz.6Vp-p Trang :5 . Dùng kênh 2 của dao động ký. đo dạng sóng trên 2 đầu điện trở R2 thì thu được sóng sin bị xén ở mức trên t 0. điều chỉnh nguồn dương trên Base unit để đưa V1 về 0V.Thu được dạng sóng ra ở 2 đầu R2 là sóng sin bị xén ở mức dưới V -0. cấp sóng sin 20Vp-p. sơ đồ mạch xén 2 mức .6V là điện áp phân cực thuận của diode CR1.0. .0.

cấp sóng vuông 10Vp-p.0.6V Sơ đồ mạch ghim đỉnh dưới Trang :6 .6V V 0.Điều chỉnh V1 = 2V. khi áp vào lớn hơn 0.6V t -0. tần số 1kHz.6 V 2. ghim mức áp ra ở .Điều chỉnh V1 = 0V.V -0. ghim mức áp ra ở 0.0. V2 = -2V thì mức xén dưới giảm xuống 2. đo dạng sóng ra thu được điện áp ghim đỉnh trên ở mức 0. thì thu được điện áp ghim đỉnh trên ở mức 3.6V thì diode CR2 dẫn.6V khi áp vào nhỏ hơn . điều chỉnh nguồn dương trên Base unit để đưa -9.6 V .6V.6V. V2 = 0V thì mức xén trên tăng lên 2.6V thì diode CR1 dẫn.6V t Dùng máy tạo sóng. . khảo sát mạch ghim: Sơ đồ mạch ghim đỉnh trên - V1 về 0V.4V - Điều chỉnh V1 = 3V. Dùng kênh 2 của dao động ký.

1. Do đó khi f tăng thì XC giảm. cấp sóng vuông 10Vp-p. Vo tăng. đo dạng sóng ra thu được điện áp ghim đỉnh dưới ở mức . tần số 1kHz. Vo giảm. điều chỉnh nguồn dương trên Base unit để đưa V2 về 0V. khi f giảm thì XC tăng. Tóm tắt lí thuyết Mạch tích phân và mạch vi phân là những mạch làm thay đổi dạng sóng vào. do đó tỉ lệ với XC.6V.0. Dùng kênh 2 của dao động ký. Mạch tích phân .0. xung ra là xung tam giác Trang :7 . . 9.Giả sử sóng vào là sóng vuông có độ rộng xung là PW: Khi RC> PW: xung vào kết thúc trước khi tụ nạp đầy. II.6V BÀI 2: KHẢO SÁT MẠCH TÍCH PHÂN VÀ MẠCH VI PHÂN DÙNG OP-AMP I. thì thu được điện áp ghim đỉnh trên ở mức -2.Mạch tích phân thụ động (chỉ bao gồm các phần tử thụ động): Điện áp ra là điện áp lấy trên tụ.- Dùng máy tạo sóng. kiểm tra dạng sóng vào ra của mạch vi phân. Mạch tích phân làm chức năng mạch lọc thông thấp. tích phân.6V t - Điều chỉnh V1 = -2V. Nhưng XC= 1/j2πfC. Mục đích yêu cầu: Khảo sát mạch tích phân và mạch vi phân dùng op-amp.4V .

Vo tăng.Mạch vi phân: . tụ CF có thể bỏ qua. X C→∞. .Đối với tín hiệu tần số cao. tụ CF có thể bỏ qua.Giả sử sóng vào là sóng vuông có độ rộng xung là PW: Khi RC< PW: tụ nạp đầy trước khi xung vào kết thúc. mạch hoạt động như là một mạch khuyếch đại đảo.Mạch vi phân thụ động (gồm các phần tử thụ động): Điện áp ngõ ra lấy trên điện trở R. do đó độ lệch pha giữa ngõ ra và ngõ vào là 1800. xung ra là xung răng cưa Khi RC> PW: xung vào kết thúc trước khi tụ nạp đầy. Đáp ứng tần số của mạch: 2. xung ra là xung vuông .Khi RC≈ PW: thời gian nạp của tụ xấp xỉ thời gian tồn tại xung. xung ra là xung răng cưa Khi RC< PW: tụ nạp đầy trước khi xung vào kết thúc. Trang :8 . do đó độ lệch pha giữa ngõ ra và ngõ vào là 1800. mạch hoạt động như là một mạch khuyếch đại đảo. xung ra là xung vuông .Khi mắc thêm opamp vào mạch như sau ta có mạch tích phân tích cực: . Mà XC= 1/j2πfC. Vo giảm. xung ra là xung nhọn Khi RC≈ PW: thời gian nạp của tụ xấp xỉ với thời gian tồn tại xung vào. X C→0.Đối với tín hiệu tần số thấp hoặc tín hiệu một chiều.Khi mắc thêm opamp vào mạch như sau ta có mạch vi phân tích cực: . V o tỉ lệ nghịch với XC của mạch. khi f giảm. Do đó khi f tăng.

• 1 OPERATIONAL AMPLIFIER APPLICATIONS circuit board. Mạch làm việc như một mạch khuếch đại đảo.Từ dạng sóng ra ta có: Độ lợi : Gain=R3/R1= 10 . . VI. Tiến hành thí nghiệm 1. . • 1 VOM. Độ lệch pha giữa điện áp ra và điện áp vào là 1800 . Dụng cụ thí nghiệm • 1 FACET Base Unit.Tần số cắt fc của mạch (tại đó XC1=R3): fc=1/2πR3C1= 159. • 1 Máy tạo sóng.Đáp ứng tần số của mạch: III.Đặt kênh 1 của máy hiện sóng vào đầu vào của mạch. • 1 Dao động ký.Cấp nguồn tín hiệu sóng sin 1Vp-p tần số 20Hz. • Các dây nối và các connector. Trang :9 . kênh 2 vào đầu ra.5 Hz .Mạch tích phân Mạch thí nghiệm: .

. Độ lệch pha ≈ 2700 V Vin Vout t Lệch pha 270o . và quan sát tín hiệu ra ở kênh 2: độ lợi điện áp giảm đi. Dạng sóng vào ra như sau: Trang :10 .Đổi sóng sin ở đầu vào thành sóng vuông.Tăng tần số của sóng vào lên 2 kHz. Mạch làm việc như một mạch lọc thông thấp.

kênh 2 vào đầu ra.Cấp nguồn tín hiệu sóng vuông 1Vp-p tần số 100Hz. Mạch vi phân Mạch thí nghiệm: .Đặt kênh 1 của máy hiện sóng vào đầu vào của mạch. Dạng sóng ở ngõ ra: Trang :11 .V Vin t V Vout t Mạch làm việc trong vùng tích phân 2.9 kHz . . Dạng sóng vào ra V Vin t V Vout t Đổi sóng vuông thành sóng sin.Tần số cắt của mạch ( tại đó XC1=R1): fc=1/2πR1C1 = 15.

3V p-p. khi giảm tần số xuống lại thì biên độ sóng ra giảm → Mạch vi phân làm việc như một chức năng là mạch lọc thông cao. Sóng ở ngõ ra: V Mắc mạch vi phân và tích phân như hình vẽ: Vin t V Vo utut Trang :12 t . tần số 500Hz. Gain=10 • Tăng tần số sóng vào lên 50 kHz: độ lệch pha tăng. Gain <1 Tăng tần số sóng vào lên 10 kHz: Độ lệch pha : 180o.V Vin Vout t Lệch pha 90o Độ lệch pha: 90o. • Đổi sóng ngõ vào thành sóng tam giác 0.

Vậy. Dạng sóng ngõ ra mạch tích phân là sóng tam giác. và dạng sóng ra ở mạch vi phân là xấp xỉ sóng vuông. mạch vi phân và mạch tích phân có chức năng trái ngược nhau. Trang :13 . tần số 2kHz.Cấp sóng vuông 1V đỉnh-đỉnh.

Mục đích yêu cầu: Khảo sát hoạt động của mạch dao động tích thoát dùng UJT. UJT hoạt động trong vùng điện trở âm. Sau khi dẫn. UJT được dùng trong các mạch như là : các bộ dao động. phần tiếp xúc PN có thể coi như một diode. tiếp giáp PN được phân cực thuận. bộ định thời. các mạch kích khởi. Kí hiệu và cấu tạo bên trong của một UJT : Phần bán dẫn N có đặc tính điện trở có thể coi như hai điện trở nối tiếp. Tóm tắt lý thuyết: UJT có cấu trúc chỉ có một tiếp giáp PN. Khi VE giảm đến VV thi dòng tăng nhanh.BÀI 3: MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT DÙNG UJT I. UJT hoạt động trong vùng bão hòa. bộ dao động tạo sóng răng cưa. kiểm tra dạng sóng tại các chân của UJT. dòng • qua B1B2 rất nhỏ. dòng IE xuất hiện. II. Khi VE đạt đến giá trị Vp . VE giảm trong khi IE vẫn tiếp tục tăng. Vp = η VBB + VD VD : điện áp ngưỡng diode η : tỉ số dừng nội tại Trang :14 . mạch điều khiển pha. mặc dù UJT không phải là linh kiện 4 lớp nhưng vẫn được công nhận là một thành phần của họ SCR vì đặc tính chuyển mạch của nó. như sơ đồ sau : RB2 RB1 • Khi IE = 0 (mạch emitter hở) điện trở của thanh bán dẫn cỡ hàng ngàn Ohm.

(Đế lắp mạch thí nghiệm). • Các dây nối và các connector VI.VE Vp Vùng ngắt Vùng điện trở âm Vùng bão hòa Vv IE UJT được sử dụng trong mạch là 2N2646 có η nằm trong khoảng 0.75 Khi mà Ve bé hơn Vp thì lúc đó dòng Ie là rất nhỏ. • 1 Dao động ký. lúc này I tăng trong kho áp giảm. • 1 VOM. Đặc tuyến làm việc của mạch như hình vẽ trên III. người ta gọi đây là vùng đánh thủng của mạch.56 đến 0. • 1 FET Fundamental circuit board (Board mạch thí nghiệm). Tiến hành thí nghiệm Mắc mạch như hình vẽ Cấp nguồn VBB cho mạch là 10Vdc Trang :15 . người ta gọi đây là vùng điện trở âm. Dụng cụ thí nghiệm • 1 FACET Base Unit. khi Ve đạt đến giá trị của Vp thì lúc đó dòng Ie sẽ bắt đầu tăng lên và mạch chuyển sang hoạt động trong vùng quá độ. Khi V giảm đến giá trị của Vv thì lúc đó dòng sẽ tăng lên mạnh.

tụ C xã theo đường E. B2 thu được kết quả : - Khi mới cấp nguồn. khi đó xuất hiện dòng chảy qua cực E của UJT.Khi đó UJT đang hoạt động trong vùng điện trở âm. B1 và R3. Lúc này UJT dẫn. UJT chưa được kích khởi nên tắt. tụ C xã theo đường E. Lúc này UJT dẫn. . B1. tụ C2 nạp thông qua R1 làm điện áp VE lên đến áp đỉnh của UJT (Vp). tụ C2 nạp thông qua R1 làm điện áp VE lên đến áp đỉnh của UJT (Vp).Đo dạng sóng tại các chân E. Đồng thời cũng tạo sụt áp trên R3 và cực B1 có xung dương ra.Vì giá trị R3 = 10 Ω << R1 = 10 k Ω nên thời gian xả của C2 nhỏ hơn rất nhiều so với thời gian nạp. dòng qua R2 tăng lên tạo sụt áp và cực B2 có xung âm ra. điện trở RB1 giảm. .Khi mới cấp nguồn. (VE ) VP VV t (VB2 ) t (VB1 ) t Giải thích: . B1 và R3. Trang :16 . UJT chưa được kích khởi nên tắt. khi đó xuất hiện dòng chảy qua cực E của UJT.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful