P. 1
Mach Ghim Dien AP

Mach Ghim Dien AP

|Views: 1,426|Likes:
Được xuất bản bởiNguyen Thu Van

More info:

Published by: Nguyen Thu Van on Apr 06, 2012
Bản quyền:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

06/27/2013

pdf

text

original

BÀI 1: MẠCH XÉN, MẠCH GHIM ĐIỆN ÁP I.

Mục đích yêu cầu: Khảo sát hoạt động của mạch xén, mạch ghim điện áp dùng diode, cấp sóng vào và khảo sát dạng sóng ra sau khi bị xén hoặc ghim. II. Tóm tắt lý thuyết: 1. Mạch xén: - Mạch xén có nhiệm vụ chỉ cho một phần tín hiệu ngõ vào đưa đến ngõ ra. - Trong bài thí nghiệm này ta thực hiện mạch xén dùng diode mắc theo kiểu song song, có xén trên, xén dưới, và xén hai mức. Sơ đồ mạch xén mắc kiểu song song :
R R

+
D

+
R t

+
D

+
R t

Vin
Ec

Vout

Vin
Ec

Vout

-

-

Ec ≥ 0

-

Mạch xén mức trên

Mạch xén mức dưới

- Coi diode D là lý tưởng, VD = 0V - Đối với mạch xén trên, khi V in < Ec thì diode chưa được phân cực thuận, toàn bộ V in được đưa ra Vout, khi Vin > Ec thì diode được phân cực thuận, điện áp ra Vout = Ec, ta nói tín hiệu bị xén ở mức Ec. khi tín hiệu vào là sóng sin thì dạng sóng ra có dạng:

v
Ec

Vin t Vout

- Đối với mạch xén dưới, khi V in > – Ec thì diode chưa được phân cực thuận, toàn bộ Vin được đưa ra Vout, khi Vin < – Ec thì diode được phân cực thuận, điện áp ra Vout = – Ec, ta nói tín hiệu bị xén ở mức – Ec. Khi tín hiệu vào là sóng sin thì dạng sóng ra có dạng:

Trang :1

Mạch ghim: . VD = 0V Mạch ghim đỉnh dưới Trang :2 .V Vout t . ở một mức xác định nào đó. .V2 Vin 2.Có hai loại mạch ghim cơ bản là mạch ghim đỉnh trên và mạch ghim đỉnh dưới C C + D + Vout Ec + D + Vout Ec Vin - Vin - - - Mạch ghim đỉnh trên .Coi diode như lý tưởng.Mạch ghim điện áp là mạch khôi phục thành phần một chiều của tín hiệu. Nó được dùng để ổn định nền hoặc đỉnh của tín hiệu.Ec Vin + Kết hợp hai mạch xén trên và dưới ta được mạch xén hai mức R + D 1 D 2 Vin V1 V2 Vout - R t - V V1 Vout t .

do đó Vout giảm từ Ec về (.Vp đến 0. điện áp đặt lên hai cực diode là V in – VC – Ec mà VC = Vp – Ec => VD = Vin – Vp. • Khi Vin giảm từ Vp về 0.2Vp + Ec).. thì tụ C được nạp đến giá trị VC = Vp – Ec.Vp + Ec Vout - Đối với mạch ghim đỉnh dưới(giải thích tương tự). Vout = Vin – VC giảm từ (. • Khi Vin tăng từ .Vp + Ec).Vp + Ec). tụ C vẫn chưa xả.Vp + Ec) về (. Vout = Ec. thì Vout tăng từ (. diode D vẫn phân cực ngược. C + D + Vout Ec Vin - - Vp Ec Vin Ec . diode D dẫn.2Vp + Ec) đến (.Vp. Vout = Vin – VC. • Khi Vin giảm từ 0 về . vậy VD < 0 diode D tắt.Đối với mạch ghim đỉnh trên: • Khi Vin tăng từ 0 đến Vp(giá trị đỉnh). có dạng sóng vào ra: Trang :3 .

C + D + Vout Ec Vin - - Vp Vin . • 1 VOM.Ec 2Vp – Ec Vp – Ec – Ec Vout Ta có thể thay đổi Ec để ghim ở các mức mong muốn. Tiến hành thí nghiệm 1. • 1 Máy tạo sóng. • 1 Dao động ký. • Các dây nối và các connector. III. (Đế lắp mạch thí nghiệm). khảo sát mạch xén sơ đồ mạch xén trên Trang :4 . Dụng cụ thí nghiệm • 1 FACET Base Unit. • 1 SEMICONDUCTOR FUNDAMENTAL circuit board. VI.

V 0. 0. cấp sóng sin 20Vp-p. tần số 1kHz. Sơ đồ mạch xén dưới . sơ đồ mạch xén 2 mức .Quan sát dạng sóng. đo dạng sóng trên 2 đầu điện trở R2 thì thu được sóng sin bị xén ở mức trên t 0. .6V. Dùng kênh 2 của dao động ký.6V t khi áp vào nhỏ hơn .6V Dùng máy tạo sóng. ta thấy dạng sóng ra có dạng sóng vuông.6V.6Vp-p Trang :5 .6V là điện áp phân cực thuận của diode CR1.0.Làm tương tự các bước như trên.0.6V thì diode dẫn.6V thì diode dẫn. ghim mức áp ra ở 0. ghim mức áp ra ở . điều chỉnh nguồn dương trên Base unit để đưa V1 về 0V.Thu được dạng sóng ra ở 2 đầu R2 là sóng sin bị xén ở mức dưới V -0. khi áp vào vượt quá 0.

6V t Dùng máy tạo sóng. cấp sóng vuông 10Vp-p.V -0.6V thì diode CR1 dẫn.6V.0. . khảo sát mạch ghim: Sơ đồ mạch ghim đỉnh trên - V1 về 0V. ghim mức áp ra ở .6V V 0.6V khi áp vào nhỏ hơn . Dùng kênh 2 của dao động ký.6 V . đo dạng sóng ra thu được điện áp ghim đỉnh trên ở mức 0. tần số 1kHz. ghim mức áp ra ở 0.6V.Điều chỉnh V1 = 2V. điều chỉnh nguồn dương trên Base unit để đưa -9.6 V 2. khi áp vào lớn hơn 0. thì thu được điện áp ghim đỉnh trên ở mức 3.6V t -0.0.Điều chỉnh V1 = 0V. V2 = -2V thì mức xén dưới giảm xuống 2. V2 = 0V thì mức xén trên tăng lên 2.6V thì diode CR2 dẫn.6V Sơ đồ mạch ghim đỉnh dưới Trang :6 .4V - Điều chỉnh V1 = 3V.

kiểm tra dạng sóng vào ra của mạch vi phân. Tóm tắt lí thuyết Mạch tích phân và mạch vi phân là những mạch làm thay đổi dạng sóng vào.Mạch tích phân thụ động (chỉ bao gồm các phần tử thụ động): Điện áp ra là điện áp lấy trên tụ. khi f giảm thì XC tăng. II. Do đó khi f tăng thì XC giảm. . cấp sóng vuông 10Vp-p. Mạch tích phân . xung ra là xung tam giác Trang :7 . 1.- Dùng máy tạo sóng. Vo giảm. tích phân. Dùng kênh 2 của dao động ký.4V . 9.0.6V BÀI 2: KHẢO SÁT MẠCH TÍCH PHÂN VÀ MẠCH VI PHÂN DÙNG OP-AMP I.0. Mục đích yêu cầu: Khảo sát mạch tích phân và mạch vi phân dùng op-amp.Giả sử sóng vào là sóng vuông có độ rộng xung là PW: Khi RC> PW: xung vào kết thúc trước khi tụ nạp đầy. Mạch tích phân làm chức năng mạch lọc thông thấp. Vo tăng. do đó tỉ lệ với XC. tần số 1kHz. thì thu được điện áp ghim đỉnh trên ở mức -2. đo dạng sóng ra thu được điện áp ghim đỉnh dưới ở mức . Nhưng XC= 1/j2πfC.6V.6V t - Điều chỉnh V1 = -2V. điều chỉnh nguồn dương trên Base unit để đưa V2 về 0V.

Trang :8 . Đáp ứng tần số của mạch: 2.Mạch vi phân: . do đó độ lệch pha giữa ngõ ra và ngõ vào là 1800. tụ CF có thể bỏ qua. V o tỉ lệ nghịch với XC của mạch. xung ra là xung răng cưa Khi RC< PW: tụ nạp đầy trước khi xung vào kết thúc.Mạch vi phân thụ động (gồm các phần tử thụ động): Điện áp ngõ ra lấy trên điện trở R. xung ra là xung vuông .Đối với tín hiệu tần số cao. X C→0. xung ra là xung nhọn Khi RC≈ PW: thời gian nạp của tụ xấp xỉ với thời gian tồn tại xung vào. . do đó độ lệch pha giữa ngõ ra và ngõ vào là 1800.Khi mắc thêm opamp vào mạch như sau ta có mạch tích phân tích cực: . xung ra là xung vuông . X C→∞.Khi mắc thêm opamp vào mạch như sau ta có mạch vi phân tích cực: . khi f giảm. Vo giảm.Đối với tín hiệu tần số thấp hoặc tín hiệu một chiều. Mà XC= 1/j2πfC.Giả sử sóng vào là sóng vuông có độ rộng xung là PW: Khi RC< PW: tụ nạp đầy trước khi xung vào kết thúc. mạch hoạt động như là một mạch khuyếch đại đảo. Vo tăng.Khi RC≈ PW: thời gian nạp của tụ xấp xỉ thời gian tồn tại xung. mạch hoạt động như là một mạch khuyếch đại đảo. xung ra là xung răng cưa Khi RC> PW: xung vào kết thúc trước khi tụ nạp đầy. tụ CF có thể bỏ qua. Do đó khi f tăng.

Trang :9 .Từ dạng sóng ra ta có: Độ lợi : Gain=R3/R1= 10 . . Độ lệch pha giữa điện áp ra và điện áp vào là 1800 .Đáp ứng tần số của mạch: III. • 1 Máy tạo sóng.5 Hz . • 1 VOM. VI. Tiến hành thí nghiệm 1.Cấp nguồn tín hiệu sóng sin 1Vp-p tần số 20Hz. Dụng cụ thí nghiệm • 1 FACET Base Unit. kênh 2 vào đầu ra. • Các dây nối và các connector.Mạch tích phân Mạch thí nghiệm: . • 1 Dao động ký. Mạch làm việc như một mạch khuếch đại đảo. .Đặt kênh 1 của máy hiện sóng vào đầu vào của mạch.Tần số cắt fc của mạch (tại đó XC1=R3): fc=1/2πR3C1= 159. • 1 OPERATIONAL AMPLIFIER APPLICATIONS circuit board.

Đổi sóng sin ở đầu vào thành sóng vuông. Dạng sóng vào ra như sau: Trang :10 . Độ lệch pha ≈ 2700 V Vin Vout t Lệch pha 270o . và quan sát tín hiệu ra ở kênh 2: độ lợi điện áp giảm đi.. Mạch làm việc như một mạch lọc thông thấp.Tăng tần số của sóng vào lên 2 kHz.

Tần số cắt của mạch ( tại đó XC1=R1): fc=1/2πR1C1 = 15. kênh 2 vào đầu ra. . Dạng sóng ở ngõ ra: Trang :11 . Mạch vi phân Mạch thí nghiệm: .Cấp nguồn tín hiệu sóng vuông 1Vp-p tần số 100Hz.V Vin t V Vout t Mạch làm việc trong vùng tích phân 2.9 kHz .Đặt kênh 1 của máy hiện sóng vào đầu vào của mạch. Dạng sóng vào ra V Vin t V Vout t Đổi sóng vuông thành sóng sin.

tần số 500Hz. Gain=10 • Tăng tần số sóng vào lên 50 kHz: độ lệch pha tăng. khi giảm tần số xuống lại thì biên độ sóng ra giảm → Mạch vi phân làm việc như một chức năng là mạch lọc thông cao. • Đổi sóng ngõ vào thành sóng tam giác 0.V Vin Vout t Lệch pha 90o Độ lệch pha: 90o. Gain <1 Tăng tần số sóng vào lên 10 kHz: Độ lệch pha : 180o.3V p-p. Sóng ở ngõ ra: V Mắc mạch vi phân và tích phân như hình vẽ: Vin t V Vo utut Trang :12 t .

mạch vi phân và mạch tích phân có chức năng trái ngược nhau. Trang :13 . tần số 2kHz. Dạng sóng ngõ ra mạch tích phân là sóng tam giác.Cấp sóng vuông 1V đỉnh-đỉnh. và dạng sóng ra ở mạch vi phân là xấp xỉ sóng vuông. Vậy.

VE giảm trong khi IE vẫn tiếp tục tăng. tiếp giáp PN được phân cực thuận. Tóm tắt lý thuyết: UJT có cấu trúc chỉ có một tiếp giáp PN. Mục đích yêu cầu: Khảo sát hoạt động của mạch dao động tích thoát dùng UJT. UJT được dùng trong các mạch như là : các bộ dao động. kiểm tra dạng sóng tại các chân của UJT. phần tiếp xúc PN có thể coi như một diode.BÀI 3: MẠCH DAO ĐỘNG TÍCH THOÁT DÙNG UJT I. UJT hoạt động trong vùng bão hòa. bộ định thời. Khi VE đạt đến giá trị Vp . mạch điều khiển pha. Vp = η VBB + VD VD : điện áp ngưỡng diode η : tỉ số dừng nội tại Trang :14 . Sau khi dẫn. các mạch kích khởi. dòng • qua B1B2 rất nhỏ. dòng IE xuất hiện. mặc dù UJT không phải là linh kiện 4 lớp nhưng vẫn được công nhận là một thành phần của họ SCR vì đặc tính chuyển mạch của nó. bộ dao động tạo sóng răng cưa. UJT hoạt động trong vùng điện trở âm. Kí hiệu và cấu tạo bên trong của một UJT : Phần bán dẫn N có đặc tính điện trở có thể coi như hai điện trở nối tiếp. như sơ đồ sau : RB2 RB1 • Khi IE = 0 (mạch emitter hở) điện trở của thanh bán dẫn cỡ hàng ngàn Ohm. II. Khi VE giảm đến VV thi dòng tăng nhanh.

Dụng cụ thí nghiệm • 1 FACET Base Unit.VE Vp Vùng ngắt Vùng điện trở âm Vùng bão hòa Vv IE UJT được sử dụng trong mạch là 2N2646 có η nằm trong khoảng 0.56 đến 0. Đặc tuyến làm việc của mạch như hình vẽ trên III. • Các dây nối và các connector VI. • 1 Dao động ký.75 Khi mà Ve bé hơn Vp thì lúc đó dòng Ie là rất nhỏ. • 1 VOM. khi Ve đạt đến giá trị của Vp thì lúc đó dòng Ie sẽ bắt đầu tăng lên và mạch chuyển sang hoạt động trong vùng quá độ. lúc này I tăng trong kho áp giảm. người ta gọi đây là vùng điện trở âm. Tiến hành thí nghiệm Mắc mạch như hình vẽ Cấp nguồn VBB cho mạch là 10Vdc Trang :15 . Khi V giảm đến giá trị của Vv thì lúc đó dòng sẽ tăng lên mạnh. (Đế lắp mạch thí nghiệm). • 1 FET Fundamental circuit board (Board mạch thí nghiệm). người ta gọi đây là vùng đánh thủng của mạch.

B2 thu được kết quả : - Khi mới cấp nguồn. khi đó xuất hiện dòng chảy qua cực E của UJT.Vì giá trị R3 = 10 Ω << R1 = 10 k Ω nên thời gian xả của C2 nhỏ hơn rất nhiều so với thời gian nạp. (VE ) VP VV t (VB2 ) t (VB1 ) t Giải thích: . khi đó xuất hiện dòng chảy qua cực E của UJT. B1 và R3. tụ C xã theo đường E. tụ C2 nạp thông qua R1 làm điện áp VE lên đến áp đỉnh của UJT (Vp).Đo dạng sóng tại các chân E. Trang :16 . Lúc này UJT dẫn. dòng qua R2 tăng lên tạo sụt áp và cực B2 có xung âm ra. tụ C xã theo đường E. Lúc này UJT dẫn. điện trở RB1 giảm. tụ C2 nạp thông qua R1 làm điện áp VE lên đến áp đỉnh của UJT (Vp). . UJT chưa được kích khởi nên tắt. B1. . UJT chưa được kích khởi nên tắt. Đồng thời cũng tạo sụt áp trên R3 và cực B1 có xung dương ra. B1 và R3.Khi mới cấp nguồn.Khi đó UJT đang hoạt động trong vùng điện trở âm.

You're Reading a Free Preview

Tải về
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->