T NG QUAN V MNG I N

1
GVHD: PGS.TS. L Vn Hi u
HVTH: Nguy n Thanh Lm
Nhm II: Mng i n
N i dung: T ng quan
I.T NG QUAN:
Ni chung, c ch d n i n trong v t li u kh i v mng m ng c m t s nt
gi ng nhau. B i v y, cc ph ng trnh m t cc c ch y trong v t li u
kh i c ng c th p d ng cho mng m ng. Ch ng h n nh :
Tuy nhin, gi a mng m ng v v t li u kh i c nh ng i m khc bi t
lm cho mng m ng c nh ng tnh ch t i n m v t li u kh i hay mng dy
khng c. Nh ng i m khc bi t l :
Ph ng php chu n b mng: Mng m ng c ch t o b ng cch ph
t ng nguyn t ho c phn t ln . Trong khi vi c ch t o mng
dy c lin qan n vi c ph cc h t, bao g m c 10
6
nguyn t ho c
phn t . V v y, tnh ch t i n c a mng chu nh h ng m nh c a
cc y u t nh : cch th c mng c l ng t v hnh thnh, cc i u
ki n c s d ng, m c hon h o c a tinh th , m t sai h ng
i n t v c u trc, m t bi n d ng, hnh thi h t, thnh ph n ha
h c v t l h p ph n, m t b y electron .v.v..
Cc hi u ng i n c c: Thng th ng v sau mng d n i n
c l ng t tr n tr thnh cc i n c c khi c k p gi a. V
d : mng m ng (Ba
0.6
Sr
0.4
)(Zr
0.3
Ti
0.7
)O
3
hnh thnh trn Si ph Pt
T NG QUAN V MNG I N
2
v IrO
2
th Pt s ng vai tr l i n c c. Cc mng cch i n khng
c tnh ch t ny.
M c lin t c c a mng: c ch d n i n trong mng c c u trc c
o khc v i c ch d n i n trong mng lin t c.
S t n t i hi n t ng d n i n i n tr ng cao: Trong cng ngh
m ch tch h p (IC), cc mng m ng c chi u dy c c nh . B i v y,
ch c n m t i n p v a ph i t vo mng m ng c ng c th lm n y
sinh m t i n tr ng cao trong mng m ng.
Ho t tnh ha h c cao: mng m ng d b xm h i v tnh ch t i n c a
n s thay i do s n mn, h p th h i n c, oxi ha trong khng
kh v cc ph n ng tr ng thi r n nhi t th p.
II.PHN LO I MNG I N:
N u phn lo i theo ch c nng th mng i n c chia lm 4 lo i,
trong m i lo i l i bao g m nhi u lo i h p ph c mng khc n a. Tuy
nhin y chng ta ch c p n nh ng lo i mng i n m i nh t v c
nhi u ng d ng nh t.
Mng d n i n (Mng polime h u c trong OLED)
Mng cch i n (i n tr mng m ng trong cng ngh m ch tch
h p)
Mng bn d n (Transistor mng m ng)
Mng p i n.
1.Mng d n i n polime h u c trong OLED:
Nh chng ta bi t, c ch pht sng c a LED l b c x t pht ,
trong electron v l tr ng ti h p trong vng ho t tnh r i pht ra b c x .
T n s c a b c x pht ra ny ph thu c vo r ng vng c m c a vng
ho t tnh. Do cch thi t k , m i lo i LED ch c m t vng ho t tnh duy nh t
nn chng ch pht ra m t mu duy nh t.
T NG QUAN V MNG I N
3
Tuy nhin, trong cng ngh chi u sng dn d ng, ng i ta l i c n
LED pht ng sng tr ng v so v i n hu nh quang v n dy tc, LED c
u i m l hi u su t chuy n ha i n nng thnh quang nng cao do khng
c m t mt nng l ng nhi t do t nng dy tc, khng m t mt nng
l ng nhi t lm nng Ka t t v d dng thay i thi t k ph h p t ng
ng d ng c th . M c d c th ghp ba lo i LED mu , xanh l cy v
xanh da tr i l i v i nhau nh n c nh sng tr ng nh ng thi t k ny t
ra r t t n km v nh sng tr ng nh n c c ng khng hon h o (khng
gi ng nh sng tr ng t nhi n). V v y, ng i ta lun ngh n vi c thi t k
m t lo i LED c kh nng pht nh sng tr ng ho n h o. Diode pht quang
h u c (OLED) c th p ng yu c u . OLED bao g m nhi u l p mng
m ng b ng ch t h u c c ghp v i nhau. Thi t k ny t o ra nhi u vng
ho t tnh v i cc r ng vng c m khc nhau lm cho OLED c th pht ra
nhi u b c x v i cc mu s c khc nhau. Cc b c x ny k t h p v i nhau
t o thnh nh sng tr ng hon h o. Nh ng OLEd c ng c m t s nh c
i m nh :
T NG QUAN V MNG I N
4
Th i gian s ng - trong khi cc t m film OLED xanh v c th i
gian s ng lu (kho ng 10 000 n 40 000 gi ), th cc t m film xanh
da tr i hi n t i c th i gian s ng t h n nhi u (ch kho ng 1000 gi ).
Ch t o - Hi n t i cc cng o n ch t o v n cn r t t.
N c - n c c th d dng lm h ng OLED.
N u kh c ph c c cc nh c i m trn, cc nh khoa h c d on, trong
t ng lai, OLED s thay th cc bng n hu nh quang.
Nguyn l ho t ng:
1. Ngu n i n cung
c p m t dng i n cho
OLED.
2. M t dng cc
electron ch y t
cathode qua cc l p
pht quang h u c t i
anode.
1. Cathode s truy n
cc electron cho l p
pht quang h u c qua
l p truy n i n t .
2. Anode s l y cc
electron t l p truy n
l tr ng (i u ny
gi ng v i vi c truy n cc l t r ng mang i n d ng cho l p pht
quang h u c ).
3. T i bin gi a l p pht quang v l p d n, cc electron g p cc l
tr ng.
4. Khi m t electron g p m t l tr ng, n s ti h p v i l tr ng n y
(hay n r i vo m c nng l ng c a nguyn t l tr ng b m t m t
electron).
5. Khi s ti h p x y ra, electron ti h p s t o ra m t nng l ng
d i d ng m t photon nh sng.
6. OLED pht ra nh sng.
2. i n tr mng m ng:
C th ni, cng ngh m ch tch h p (IC) l t ng h p c a hai lnh
v c: Cng ngh mng m ng v cng ngh vi kh c. Ch c nng c a cc linh
ki n i n t trong m ch v n t ng t nh trong cng ngh analog, nh ng
kch th t c a cc linh ki n ph i c thu nh tch h p vo cc c ng
logic. Trong m ch tch h p, i n tr mng m ng c ch c nng h n dng v
T NG QUAN V MNG I N
5
t o h i ti p m cho m ch. Bn d i l hnh nh m t s lo i i n tr mng
m ng.
3.Transistor mng m ng:
Ho t ng c a m t transistor th ng nh sau:
Xt m t transistor g m 3 l p n-p-n, trong l p p c kch th t r t nh b
k p gi a hai l p n. b l c c base, e l emitter (c c pht), c l collecter (c c
gp).
Khi ngu n m t chi u V
be
m (b-e c phn c c thu n), V
ce
t t (c-e
ch a c phn c c): transistor ch a ho t ng.
Khi ngu n m t chi u V
be
m (b-e c phn c c thu n), V
ce
m (c-e
c phn c c ng c): transistor b t u ho t ng, m t dng
T NG QUAN V MNG I N
6
electron t l p p v t qua vng ngho t v collecter do b i n
p d ng c a collecter ht.
Ho t ng c a transistor mng m ng t ng t nh ho t ng c a transistor
th ng nh ng v c ch t o b ng cng ngh mng m ng nn linh ng
c a cc h t t i i n l n h n hng trm l n so v i transistor th ng. Bn d i
l hnh v m t transistor mng m ng.
4.Mng m ng p i n:
Hi u ng p i n thu n: Khi l m bi n d ng c h c tinh th th s lm
pht sinh dng i n trong tinh th .
Hi u ng p i n nghch: Khi t i n p qua tinh th th m t s lo i
tinh th c th b bi n d ng c h c.
Ng i ta c ng ch t o c m t s lo i mng m ng c tnh ch t p i n ny.
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
1
GVHD: PGS.TS. L Vn Hi u
HVTH: Hong Vn Anh
Nhm II: Mng i n
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
I)Gi i thi u:
Mng oxyt trong su t d n i n (TCO) c nhi u ng d ng trong lnh v c quang -i n t do
i n tr su t th p v truy n qua cao. Chng c ng d ng trong ch t o g ng nng, mn
hnh hi n th ph ng di n tch l n (LCD, OLED), pin m t tr i, c a s thng minh (mng i n s c),
Mng TCO ch y u s d ng r ng ri l mng ITO (In
2
O
3
pha t p SnO
2
) c t o b ng ph ng
php phn x magnetron, v hi n nay mng ZnO pha t p nguyn t nhm III (nh Al, Ga, In,
Sc,) ang c nghin c u thay th cho v t li u mng ITO do tnh kinh t c a n. Ngoi ra
m t lo i mng m ng trong su t d n i n tr n c s TCO l In
x
Cd
1-x
O kh nng d n i n t t h n
ITO.
M t s ng d ng c a Mng d n i n
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
2
II)M t s mng d n i n:
II.1) Mng ZnO-Ga mng bn d n lo i n:
Mng ZnO-Ga c t o b ng ph ng php phn x magnetron c i n tr su t kho ng 4 -5
x 10-4 cm , truy n qua trung bnh vng kh ki n T ~ 85%. Mng cho tnh ch t quang i n t t
ngay c khi c phn x nhi t phng. Tnh ch t i n c a mng cho th y mng t b nh
h ng b i s b n ph c a ion m, c ng nh c b n nhi t t t khi x l trong mi tr ng khng
kh, i u ny c th l gi i d a trn bn knh c a ion t p ch t so v i bn knh c a ion nguy n t
n n d n n s ho tan r n thay th t t. Bia- c b tr song song nn v n t c t o mng cao,
ng u i n tr t t, ti t ki m v t li u, d d ng ng d ng trong cng nghi p.
II.1.1 T o mng ZnO-Ga b ng ph ng php ph x :
Mng ZnO-Ga c phn x trn thu tinh t bia thiu k t (ZnO + 4.4% at. Ga) nhi t
1500
o
C trong khng kh. Bia trn c ng knh 7.6 cm, dy 2.5 mm, c ch t o t i phng
th nghi m. H t o mng l h chn khng UNIVEX 450 ( c), p su t n n 3x10
-6
torr, p su t
lm vi c 3x10
-3
torr, l u l ng kh lm vi c Ar (99.999%) l 25sccm, nhi t t nhi t
phng n 300
o
C, cng su t phn x RF 200W.
Tr c khi ph mng, th y tinh c t y r a b ng phng i n plasma trong chn khng v i
dng 15mA, th 2000V trong th i gian kho ng 10 ph t. Bia v c b tr song song nhau v i
kho ng cch 4.5 cm . Tnh ch t i n c xc nh b ng ph ng php 4 m i d, tnh ch t quang
c xc nh b ng ph truy n qua UV-Vis, c u trc mng c phn tch b ng ph nhi u x tia X
(XRD).
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
3
II.1.2 Cc k t qu thu c:
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
4
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
5
II.2 Mng ZnO:Al(bn d n l ai n) v mng kim lo i(Al) s d ng
trong t bo m t tr i:
T bo m t tr i ti p xc di th (ZnO:Al)/p-Si c ch t o trn Si lo i p b ng ph ng
php phn x magnetron DC t bia g m (ZnO:Al). V i d y mng (ZnO:Al) l 1 m c ph
nhi t 1600C, p su t 10-3 torr trong kh Argon, i n tr t c c a mng l 4,5.10-4 m, v
truy n qua trung bnh l 86 87% trong vng kh ki n. Ti p xc ohmic pha sau pin v i n
c c m t tr c l kim lo i Al c ch t o b ng ph ng php b c bay. T bo m t tr i thu c
t t nh t c th h m ch Voc = 513 mV, m t d ng o n m ch Jsc = 37,6 mA/cm2, h s l p y
FF = 0,4, h s chuy n i = 8%.
T bo m t tr i
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
6
Ph ng php b c bay ch t o mng kim lo i Al dng nhi t v chm i n t .
II.3) Mng Indium-cadmium-oxide In
x
Cd
1-x
O:
Mng In
x
Cd
1-x
O (x<0,12) trong su t d n i n t t ch t o b ng ph ng php MOCVD (metal-
organic chemical vapor deposition) c s d ng trong cc lnh v c quang i n t , mn hnh hi n
th, t bo m t tr i, c a s thng minh Mng In
x
Cd
1-x
O kh nng d n i n g p 2-5 l n so v i
ITO.
H n h p kh Cd(hfa)
2
(TMEDA)(hexafluoroacetylacetonato) (tetramethylethylenediamine)
cadmium(II) v In(dpm)
3
(dipivaloylmethanato) indium th i vo bu ng , t i (1,25cm x
0.5cm)cc ch t kh ny s h p th v ph n ng t o thnh In
x
Cd
1-x
O i u ki n T= 360
o
C (t i
) P=2torr. T c pht tri n c a mng ~ 2.5nm/pht dy mng 0.15m.
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
7
Mng In
x
Cd
1-x
O sau khi ch t o c em phn tch c u trc b ng Xray v TEM , sau o ph
truy n qua , d n i n theo thnh ph n.
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
8
Phn tch c u trc mng In
x
Cd
1-x
O b ng Xray v TEM
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
9
Cc tnh ch t d n i n c a mng In
x
Cd
1-x
O c kh o st theo x (n ng In)
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
10
truy n qua v nng l ng Fermi c a mng In
x
Cd
1-x
O c kh o st theo x (n ng In)
III)K t lu n:
Cng v i s pht tri n c a v t li u ni chung, v t li u mng m ng ng m t vai tr quan tr ng
trong lnh v c i n t , nng l ng, v t li u thng minh c bi t l v t li u mng m ng d n i n
ngy cng a d ng p ng c m i lnh v c ng d ng. Trong lnh v c quang i n (bin m t tr i)
mng d n i n trong su t d n i n chi m u th so v i v t li u kh i b i kh nng d n i n v cho
nh sng truy n qua. H n n a, xu th c a cc v t li u ng d ng trong k thu t cng ngh cao c
xu h ng gi m thi u kch th c v v t li u mng m ng th t s chi m u th b i kch th c v kh
nng i u khi n kch th c m c nanmet(chi u dy mng).
1.1.1 Phn x cat t
Phn x hay Phn x cat t l k thu t ch t o mng m ng d a trn nguyn l truy n ng
nng b ng cch dng cc in kh hi m c tng t c d i i n tr ng b n ph b m t v t li u t
bia v t li u, truy n ng nng cho cc nguyn t ny bay v pha v l ng ng trn .
Hnh 1.4 : S Phng x
B n ch t qu trnh phn x
Khc v i ph ng php bay b c nhi t, phn x khng l m cho v t li u b bay h i do t
nng m th c ch t qu trnh phn x l qu trnh truy n ng nng. V t li u ngu n c t o
thnh d ng cc t m bia (target) v c t t i i n c c (th ng l cat t), trong bu ng
c ht chn khng cao v n p kh hi m v i p su t th p (c 10
-2
mbar). D i tc d ng c a
i n tr ng, cc nguyn t kh hi m b in ha, tng t c v chuy n ng v pha bia v i t c l n
v b n ph b m t bia, truy n ng nng cho cc nguyn t v t li u t i b m t bia. Cc nguyn t
c truy n ng nng s bay v pha v l ng ng trn . Cc nguyn t ny c g i l cc
nguyn t b phn x . Nh v y, c ch c a qu trnh phn x l va ch m v trao i xung l ng,
hon ton khc v i c ch c a ph ng php bay b c nhi t trong chn khng.
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
11
K thu t phn x phng i n pht sng
Phn x phng i n pht sng m t chi u (DC discharge sputtering)
L k thu t phn x s d ng hi u i n th m t chi u gia t c cho cc in kh hi m. Bia
v t li u c t trn i n c c m (cat t) trong chung chn khng c ht chn khng
cao, sau n p y b i kh hi m (th ng l Ar ho c He...) v i p su t th p (c 10
-2
mbar).
Ng i ta s d ng m t hi u i n th m t chi u cao th t gi a bia (i n c c m) v m u
(i n c c d ng). Qu trnh ny l qu trnh phng i n c km theo pht sng (s pht
quang do in ha). V dng i n l dng i n m t chi u nn cc i n c c ph i d n i n
duy tr dng i n, do k thu t ny th ng ch dng cho cc bia d n i n (bia kim lo i,
h p kim...).
Phn x phng i n pht sng xoay chi u (RF discharge sputtering)
L k thu t s d ng hi u i n th xoay chi u gia t c cho in kh hi m. N v n c c u
t o chung c a cc h phn x , tuy nhi n my pht l m t my pht cao t n s d ng dng
i n t n s sng v tuy n (th ng l 13,56 MHz). V dng i n l xoay chi u, nn n c
th s d ng cho cc bia v t li u khng d n i n. My pht cao t n s t o ra cc hi u i n
th xoay chi u d ng xung vung. V h s d ng dng i n xoay chi u nn ph i i qua m t
b ph i h p tr khng v h t i n c tc d ng tng cng su t phng i n v b o v my
pht. Qu trnh phn x c h i khc so v i phn x m t chi u ch bia v a b b n ph b i
cc in c nng l ng cao n a chu k m c a hi u i n th v b b n ph b i cc i n t
n a chu k d ng.
Phn x magnetron
H nh 1.5 :Thi t b sputtering Univex 450
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
12
L k thu t phn x (s d ng c v i xoay chi u v m t chi u) c i ti n t cc h phn x
thng d ng b ng cch t bn d i bia cc nam chm. T tr ng c a nam chm c tc d ng b y
cc i n t v in l i g n bia v tng hi u ng in ha, tng s l n va ch m gi a cc in, i n t
v i cc nguyn t kh t i b m t bia do l m tng t c l ng ng, gi m s b n ph c a i n t
v in trn b m t mng, gi m nhi t v c th t o ra s phng i n p su t th p h n.
u i m v h n ch c a phn x cat t
D dng ch t o cc mng a l p nh t o ra nhi u bia ri ng bi t
bm dnh c a mng trn r t cao do cc nguyn t n l ng ng trn mng c ng
nng kh cao so v i ph ng php bay b c nhi t.
Mng t o ra c m p m b m t th p v c h p th c g n v i c a bia, c dy chnh xc
h n nhi u so v i ph ng php bay b c nhi t trong chn khng.
Do cc ch t c hi u su t phn x khc nhau n n vi c kh ng ch thnh ph n v i bia t h p
tr nn ph c t p. Kh nng t o ra cc mng r t m ng v i chnh xc cao c a ph ng php phn
x l khng cao.
1.1.2 M t s ph ng php khc
Ph ng php phun t nh i n
Epitaxy chm phn t
L ng ng h i ha h c
L ng ng chm laser
Ph ng php sol-gel
HEMANETRON CAN BANG VAHEMANETRON KHONG
CAN BANG
Hemagnetron khong can bang:
Hnh 1 He magnetron khong can
bang.
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
13
hnh 1, cho thay nam cham gi a cocng okhong u m anh ecothekeo vao tat
cacac ng sc phat ra tnam cham vong ngoai bao quanh no. Chnh v the, mot vai ng
sc khong c keo vao, nol n uon cong ra ngoai hng vee. Cac i en tdch chuyen tren
nhng ng sc nay khong btac ong cua ttrng ngang nen sedi chuyen hng vee. Khi
di chuyen nosekeo theo cac i on c goi l ahi en tng khuech tan l ng cc. Hi en tng nay
l am tang mat odong i on en e. Nang l ng ban phaecothetang l en tuy vao thephan cc
am e, vaesec ot nong . Nh vay, ec cap nhi et mot cach l i en tuc bi sban pha
cua i on, do othch hp cho vi ec tong hp cac mang nhi et oc ao.
Hemagnetron can bang:
Hnh 2. Hemagnetron can bang.
Khac vi cach botr nam cham hemagnetron khong can bang (Hnh 2), nam cham
gi a cocng ottrng umanh eusc keo vao cac ng sc phat ra t nam cham
vong ngoai . Nh the, di tac dung cua ttrng ngang manh, i en tb ham gan nh hoan
toan trong khong gi an gan bemat bi a, con i on hau het ap l en bi a thc hi en chc nang phun xa,
vabc xa i en tthcap eduy tr phong i en. V vay esec cach l y vi phasma i en t
hay esetng tac khong ang kevi i on vadnhi en nosekhong bot nong. Nh thenorat
thch hp cho vi ec tao mang tren cac l oai ekhong chu c nhi et ocao nh: PET, nha,
gi ay,.
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
14
Phng phap Magnetron RF
I > Tong quan :
oi v phun xadung DC khong thephul en mang khong dan i en do bemat
cua vat l i eu khong tch i en . v phong i en RF ta cothesdung cho vat l i eu dan i en
,cach i en vacavat l i eu i en moi .
Phun xa RF n gi an l as phun xa manh l i et bao gom an mon vat l i eu tren
bi a thang nguyen t, vahnh thanh mot l p mang cua vat l i eu can chi et ra tren mot
cai ethch hp . Quatrnh c bat au trong mot i en cc phat sang c cung cap
trong buong chan khong vi l u l ng ap suat kh c i eu khi en . S an mon bi a xay
ra di sban phamanh l i et cua cac hat trong i en cc i on phan ng vakhong phan ng
.
Hnh tren l acong nghephun xa magnetron cao tang khong truc , bao gom mot
cai bi a ,l amot tam hon hp vat l i eu hoa hoc ephat tri en vamot cai e at tren vat gi
mau vaat 90
o
vi truc cua bi a. S phong i en phat sang c bat au bang ap thel en
bi a trong moi trng kh c i eu khi en vac tao ra mot sonhng i on cokhanang i on
hoa chat kh , el ectron vacac phan ttrung hoa . Vat l i eu bban ra khuech tan cho en khi
noen vabam tren e.Thi gi an cua quatrnh nay sei eu khi en oday cua mang . Sket
ti nh l n l en cua mang l anhng l p n ti nh thevi s nh hng xac nh , xac nh
epi taxy.
Sdung nguon cao tang RF l acan thi et eduy tr s phong i en vatranh s tch
l uy i en tch khi phun xa l en vat l i eu cach i en nh l aPZT .S hi en di en cua moi noi gi a
nguon RF vabi a l acan thi et eeduy tr s tai phong i en .Nam cham c dung etang
cng toc ophun xa bang vi ec tang hi eu ng i on hoa cua el ectron b bay ttrong vung
gi ap vi bi a (phun xa magnetron). Nhng cai bay tk hong chthuan l i bay e macon gi a
toc cho cac phan tkhac en bi a , v vay chung sekhong ap vao e, i eu nay secai ti en
chat l ng cua bi a .
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
15
I I > Phng phap Magnetron RF:
1) Hoat ong :
Phan l n nguon phun xa RF l a13. 560 MHz, tan socao nay c chon v l ydo thc te
c ban l akhong conguon nao khac el am.
13.560 l atan soI SM (I ndustri al , Sci enti f i c ,Medi cal ).Sdung nosetranh s
nhi eu do cac tan sokhac acocac dch vutruye n thong sdung .Sthay oi chu k l i en
tuc 10mW/cm
2
. Vi nhng quatrnh khac nhau ,pl asma cothetao ra ang kenhng bc
xavi song i eu nay gay anh hng ti mat nh vi ti a UV oi hoi phai coca sobao ve
tot .
Hnh cua heMagnetron RF dung kh Ni t.
Van hanh cua mot heMagnetron RF nh sau:
Do el am bang chat cach i en nen ta gan mot l p ki m l oai ap i en l en
tren e(th dch/th nghch). Di ap suat kh l am vi ec ta cho kh vao (vd Ar) eat ti
ap suat l am vi ec . ban k au i en thedng e,i en theam tren bi a. Mot sonho
cac i on dng vae t do trong buong chan khong bgi a toc bi i en trng , i on dng
bay vepha bi a l am ban phabemat bi a vang ra e t do , i on dng vaphan tcua bi a
.Cac e t do bay vepha e.Cac phan tbi a mi vang ra bam vao e, e t do vang ra
vai on dng si nh ra mot soth bgi bi bay i en tvachuyen ong cyc l otron .
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
16
Hnh tren l achuyen ong cycl otron .Do di eat cac nam cham tao ra ttrng bay
cac e .Cac e i doc theo cac dng sc tvabphan xangc l ai l am cac e bgi trong
cac bay t.
Socon l ai khong bgi l ai , e bay vepha eva cham vi phan tAr l am i on hoa
Ar tao ra them cac i on dng ,chu k sau ao cc (eam vabi a dng ) cac i on dng do
khoi l ng l n nen quan tnh l n v vay khi ao cc khong kp en e(do l uc nay etch
am) cc l ai ao na (do tan sorat cao nen toc oao cc rat nhanh) tao ra thel n keo
i on vepha bi a(do l uc nay bi a am ) , ti ep tuc ban phabemat bi a tao ra quatrnh l ap l ai
.Ben canh ocac i on dng Ar ap vao bi a cothenhan e trong quatrnh ban phaetao
ra cac phan tAr .Cang l au nong ocac phan tnay cang nhi eu trong buong ta phai hut
buong neu khong sphong i en khong xay ra.
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
17
Trong khi oe vi kch thc nhoquan tnh be nen mot socothevt qua va
en c el am engay cang tch i en am bi soe nay vasoe bi on dng ban pha
bi a l am novang ra khoi quao cycl otron cua no.
Dong e , i on dng qua l ai gi a b i a vaetao ra mot vung goi l avung pl asma .
i en tch tap trung equanhi eu tao i en thegi a toc cho i on dng bay vephi anol am
phahuy quatrnh tai phun xa, tao ra dong i on ap vao el am vang cac e vai on dn g
vaphan ttrung hoa l am phahuy l p phun xa .Cac e vai on dng m tao thanh l ai
tham gi a vao quatrnh phun xacho mang . Cac e l ai bay l en evacac i on dng l ai ti ep
tuc ap vao een mot l uc nao osecos can bang gi a soe bay l en vasoi on dng
ap vao , tao ra dong can bang ong vatai oi en thebang 0 . Vung khong gi an ogoi
l avo(vung toi ), trthanh cach i en .Vung gi ap vi bi a , cac e bgi trong bay i en t
dch chuyen cycl otron goi l agng t, chcovung ngoai hai ben bay i en te mi co
thededang bay l en enen tao ra vung toi .
Vay gi ap vi evabi a l a2 vung toi gi a 2 vung toi l apl asma.
2)Khokhan trong phng phap RF :
* >Ap suat hoat ong thap: 5 den 15 mTorr.
i eu nay oi hoi phai hut chan khong cao .
* >Soe theo thi gi an setch tunhi eu tren ban cc l am huy stai phun xa.
Cach khac phuc 1 :l ata noi e vi si day vae setheo dong nay ra ngoai .
Cach khac phuc 2: tao ra ttrng nam cham l n ebay te l n soe
vt qua c l arat be.
* >I on dng ap vao phahuy mang .
Cach khac phuc: gi am stch i en tren bemat mau bang 2 cach tren , ngoai ra ta
phai cung cap thel n cho heMagnetron RF.
3)So sanh vi phun xaDC:
Phun xa DC khong sdung trc ti ep cho cac vat l i eu i en moi do s tch i en
dan en sphong i en bdap tat.
Hoat ong chuyeu cua phong i en DC l ada vao e bbt ra do i on dng va
ap vao i en cc, vacac e nay i on hoa phan tAr eduy tr s phong i en .S i on hoa
nay phuthuoc vao ap suat kh vakhoang cach gi a hai ban cc .
Phun xaRF l ai khac cothesdung cavat l i eu i en moi , ki m l oai vaban dan.
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
18
Hoat ong chuyeu l ada vao thehi eu dch , c ban l ado s dch chuyen cua e
vai on di tac dung cua i en trng vattrng khi chu k bi en thi en l i en tuc .
Vung toi cach i en gi a evavung pl asma l am cho chat l ng mang tot hn
nhng ong thi cung khokhan cho vi ec duy tr nguon pl asma on nh .
I I I > V du:
S khac bi et cua cacphng phap vd RF-Di ode , RF-Magnetron , c dung etang o
nhay cua hethong phun xa tron Co/Cu/Co/FeMn bi nhi eu yeu to. S cai ti en nay etang
cng anh hng cua i en trtR/R val am gi am trng khong ang hng H
k
echo
mau tot nhat V du nay ac tnh tvadch chuyen cau truc mi cro chat l ng cua
nhng l p xen kec anh gi abang anh ETM vabang ti a X.
Mau vi onhay cao (phun xa Magnetron DC) th cau truc t sai hon g hn vabemat trn
l ang hn so vi mau khac .Them vao ol anhng l p sat tthay oi ttnh khong banh
hng do quatrnh phun xa.
Phng phap a l p cho hetron sdung cho hi eu ng ttrl n vahau nh ha he n vi
vi ec anh gi acao ng dung trong au ghi tvahethong sensor t.
Thi et l ap hemagnetron tron Co(4.4nm)/Cu(2.5nm)/Co(4.4nm)/FeMn(10 nm) .Trc khi l ang
ong, l p em ac phubang phng phap RF -Di ode emang ket khoi tot.Tat camau
eu c phul p Ta 5.2nm etranh s oxy hoa.Moi l p Co ,Cu vaFeMn eu cocac
phng phap khac nhau .
Trong suot quatrnh phun xal p Co vaFeMn ttrng ap l a1.25 kA/m.
Bang thehi en R/R cao nhat l amau Dc 10%, 7% l aRf .
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
19
Bi eu ottrng H
k
gi a cac phng phap.
Mot vai hnh anh cua TEM gi a cac phng phap vaothcho thay skhac bi et gi a
chung .
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
20
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
21
Ket l uan:
Phng phap RF thch hp cho nhi eu l oai mang vakhac phuc c nhng nhc
i em bdap tat nguon cua phng phap Magnetron DC.
Ph ng php ch t o cc lo i mng i n
22
Ti Li u Tham Kh o
1. Tr n Cao Vinh, Nguy n H u Ch, Cao Th M Dung , T p ch Pht tri n khoa h c
cng ngh - i h c Qu c gia TP.HCM Vol. 8 page 5, (3/2005);vol 10, page 3 2007.
2. L Tr n, Nguy n H u Ch , T p ch Pht tri n khoa h c cng ngh i h c Qu c
gia TP.HCM ol. 7 page 15,(1/2004 ).
3. Pin m t tr i mng m ng (ZnO:Al)/ p-Si (111) t o b ng ph ng php phn x
magnetron DC. H i ngh ng d ng v t l ton qu c l n th 2, 10-11/12-2004
PGS.TS. TR N TU N .
4. Materials Research Center, Northwestern University, Evanston, IL 60208; and
iToyota Central R&D Laboratories, Nagakute, Aichi 480 -1192, Japan Contributed
by T. J. Marks, April 17, 2001
www.pnas.org/cgiydoi/10.1073/pnas.121188298
1
GVHD: PGS.TS. L Vn Hi u
HVTH: L Hong Nam
Nhm II: Mng i n
PH NG PHP XC NH C U TRC V TNH CH T C A MNG I N
I. Xc nh c u trc v kch th c h t b ng ph ng php nhi u x tia X.
Nhi u x tia X trn tinh th khi b c sng c a n t ng ng v i tnh tu n hon m ng tinh
th . S nhi u x tia X cho thng tin v m ng tinh th 3 chi u khi (gc t i)
c
(gc gi i
h n), c th xc nh c tinh th , phn bi t cc d ng k t tinh khc nhau c a cng m t ch t,
cc bi n th . V i ph ng php ny m u khng b phn hu , ch c n m t l ng nh c th
phn tch c, nn ph ng php ny c th dng kh o st c u trc c a mng m ng.
Ph ng php nhi u x tia X dng kh o st mng m ng l ph ong php Bragg-
Brentano. Theo cng th c nhi u x Bragg, khi chi u chm tia X c b c sng ln m t
tinh th , m i nt c a m ng tr thnh m t tm nhi u x . S nhi u x x y ra theo m i ph ng
nh ng m nh h n c l theo ph ng ph n x g ng. Ta xt m t h m t nguyn t song song
cch u nhau m t kho ng d
hkl
.
Hnh 1 S nhi u x tia X trn cc m t nguyn t
2
Khi chm tia t i n m trong m t ph ng c a hnh, hi u quang l gi a cc tia ph n x t
cc m t ln c n b ng
sin 2
hkl
d
. Sng ph n x t cc m t k ti p nhau s c tng c ng
khi hi u quang l b ng m t s nguyn l n b c sng : m d
hkl
sin 2 .
Cng th c ny g i l cng th c nhi u x Bragg. T l p lu n trn ta th y cng th c Bragg
l h qu c a tnh ch t c b n c a tinh th tu n hon khng lin quan g n thnh ph n ha
h c c a tinh th c ng nh cch s p x p cc nguyn t trong nh ng m t ph n x . Cc y u t
nh h ng n c ng c a nhi u x , m t thng s quan tr ng khi phn tch nh l ng.
1. Xc nh kho ng cch m t m ng
C s ph ng php ny d a trn nh Bragg : m d
hkl
sin 2
V i :
hkl
d : Kho ng cch gi a cc m t m ng (lhk) c a m ng tinh th .
: gc nhi u x .
: b c sng nhi u x .
Trn th c t , ph tia X c
ch p theo ph ng php nhi u
x k Bragg-Brentano. ,
gc c qut b ng cch
quay m u quanh tr c Oy (n m
trong m t ph ng m u), cn u
thu nhi u x c quay v i gc
t ng ng 2 .
Cc nh ph thu c ch
l b c nh t (m=1) , v c ng
nhi u x b c cao r t y u, kh
nng phn gi i my c gi i h n.
Hnh 2 : My o ph nhi u x X-ray
3
Nh v y, mng c c u trc tinh th th ph nhi u x tia X ch c ch n s c cc peak ng
v i cc gc khc nhau th a cng th c Bragg. V i b c sng tia X bi t, c cc gi tr
gc 2 , ta suy ra c kho ng cch gi a cc m t (hlk) t ng ng.
2. Xc nh kch th c h t
Kch th c h t vi tinh th c th c xc nh b i bi u th c Sherrer:
0.9
(2 ) cos
b

V i b : kch th c h t.
: b c sng tia X.
: gc nhi u x Bragg
(2 ) : r ng c a v ch ph t i n a c ng c c i c a n.
II. Xc nh dy mng m ng b ng ph ng php o Stylus
Ph ng php Stylus l m t ph ng php o dy mng b ng nh ng d ng c u d
qut ngang mng ph . M t trong nh ng d ng c l my Stylus profiler. My Stylus
profiler l m t d ng c o l ng dng o nh ng c tr ng v dy c c p micromet
hay nanomet.
Ph ng php ny lun lun i h i m u ph i c ph so snh dy chnh l ch v i
vng khng ph . Thm vo b m t c a m u ph i c ch t l ng quang h c hon thi n.
Cc b ph n chnh trong h Stylus g m:
1. Camera: quan st m u, c vai tr nh m t knh hi n vi quan st t t h n
nh ng di chuy n nh nh t.
4
2. M i d: Chp lm b ng kim c ng c kch th c r t nh . Bn knh m i d kim
c ng trong gi i h n t 5 m n kho ng 25 m . u do c dch chuy n th ng
ng ng th i o c v ghi nh n trong su t qu trnh qut. phn gi i th p
nh t kho ng 20nm v cao nh t trn 500 m .
3. B ph n gi kim: i u chnh nghing c a b m t nhi u ho c t.
4. C m bi n: o d ng, k t c u c a b m t, o trong t a y v i kho ng cch h
nh nh t.
5. B ph n g m cc ph n:
- Chn : C tc d ng lm gi m s rung ng t mi tr ng o php o h n ch s
sai s .
- Hai nt chnh: C tc d ng ch y u trong vi c c di chuy n ngang qua vo v tr
c n o b ng cch xoay nh chng.
- Ph n a: t mng m ng trong qu trnh ti n hnh o.
6. Gi my: Ch c nng tr ng l ng t ng ng l 300 lbs( 136kg) trn m t b
cch li ch ng rung v b o v c h cho h o.
Nguyn l ho t ng:
V t m u c t trn m t ci di chuy n m t cch u n v i chnh xc cao,
ng i ta t m t u d v i m i lm b ng kim c ng u d gh st vo v t m u.
H th ng ho t ng theo m t ch ng trnh c l p trnh s n v chi u di qut, t c
v l c u d. u d c n i c v i li c a bi n p bi n thin tuy n tnh th ng (LVTD
- Linear Variable Differential Transformer ) nh m nh n bi t s thay i c a b m t v t m u.
Khi h th ng di chuy n th u d di chuy n trn v t m u tnh ti n theo m t ng
th ng. V nh v y m i d s qut ngang t bin ny sang bin kia c a m u kho ng cch v
l c ti p xc c th . Ph ng php ny c th o c s bi n i nh c a b m t khi s dch
chuy n th ng ng c a m i d l m t hm c a th . T i nh ng i m c dy khc nhau th
5
t o ra s thay i v tr c a li c a bi n p bi n thin tuy n tnh th ng, khi s chuy n
nh ng thay i thnh tn hi u t ng ng. B ph n ny s v ln thnh m t tn hi u
xoay chi u v i t l t ng thch v i s thay i , tn hi u ny c chuy n i thnh
khoanh vng k thu t s v i chnh xc cao, t tnh hi u tch h p analog r i chuy n thnh
tn hi u k thu t s .
Tn hi u k thu t s ny c l u tr trong b nh c a my vi tnh hi n th, thao tc,
o l ng v in ra.
Hnh 3 : S kh i c a my o Stylus
III. Xc nh n ng h t t i, linh ng b ng php o hi u ng H all
Php o hi u ng Hall l cng ngh c s d ng r ng ri xc nh m t h t t i v
linh ng trong v t li u bn d n. H n n a, t php o Hall trong ph m vi nhi t r ng c
th cung c p cho ta nh ng thng tin v lo i t p ch t, sai h ng, tnh ng u, v s tn x
Nguyn t c c a php o hi u ng Hall:
Hnh 4: Nguyn t c php o hi u ng Hall
6
Khi m t t tr ng B c p vo (theo ph ng z) vung gc v i chi u dng i n (theo
ph ng x), t tr ng B gy ra m t l c ln cc h t t i chuy n ng, c g i l l c Lorentz
v c cho b i cng th c:
.( )
L D
F q V B

V i v
D
= . E l v n t c cu n c a h t t i.
V l linh ng c a h t t i.
Theo hnh trn, F
L
ch c thnh ph n theo ph ng y , nn c th vi t l i:
y D z x z
F q. v .B q E B
D i tc d ng c a l c Lorentz, cc h t t i mang i n s di chuy n theo nh m t trong
hnh 5
Cc h t t i i n di chuy n n b m t vung gc v i ph ng y v b m c k t, nn b
m t s b tch i n. D u c a i n tch b m t ph thu c vo lo i h t t i, b m t s tch i n
m n u h t t i l electron v tch i n d ng n u h t t i l l tr ng. Chi u c a F

trong c hai
tr ng h p l nh nhau, v c s i d u ng th i gi a i n tch q v v n t c dng cu n v
D
.
Hnh 5 Chuy n ng c a cc h t t i i n
7
B m t tch i n sinh ra m t i n tr ng E
y
theo ph ng y v ng c chi u v i l c
Lorentz, lm cho cc h t t i i n c xu h ng di chuy n ng c l i. tr ng thi cn b ng, E
y
s c gi tr b ng F
L
nh ng ng c d u:
y x z
q E q E B
suy ra
y x z
E E B
T y ta c th xc nh c linh ng c a h t t i.
Ngoi ra, ta c h s Hall c tr ng cho m i lo i v t li u v c nh ngha theo cng
th c:
.
y
H a l l
z x
E
R
B j

Khi xc nh c h s Hall, ta c ng c th d dng xc nh c linh ng v n ng

h t t i thng qua cng th c:
. . 1
. . . . .
x z
Hall
x z
E B
R
E B q n q n



V i j
x
= E
x
l m t dng i n v n l n ng h t t i
IV Xc nh i n tr su t c a mng
i n tr su t c a m u l thng s quan tr ng, n c th lin h v i b n c a m u
nh l hi u ng m t chi u trn c tnh thi t b.
1. Ph ng php o i n tr vung
V i mng m ng d n i n c chi u dy
khng l n l m (th d d 3 0 0 n m) , chng ta c
8
th dng ph ng php o i n tr vung tnh i n tr su t c a mng. i n tr vung l
i n tr o c t hai d i i n c c t o trn b m t m u m t di n tch hnh vung . i n c c
kim lo i (Au, Ag hay Al) c ch t o b ng ph ng php b c bay chn khng.
Nh bi t, cng th c tnh i n tr c a v t d n i n nh sau:
l
R
S

trong :

l i n tr su t,
l l chi u di c a m u,
S l di n tch ti t di n cho dng i n i qua.
Trong tr ng h p m u o c di n tch hnh vung nh trn th ti t di n c di n tch
b ng . S l d . V v y chng ta c i n tr b m t(i n tr vung) b ng:
.
l
R
l d d

Do :
. R d
Cng th c cho th y, khi bi t gi tr chi u dy c a mng m ng chng ta c th xc nh
i n tr su t t gi tr th c nghi m o i n tr vung. i n tr vung cn c k hi u l
( / ) R
, vung d i n v i n tr cho bi t gi tr i n tr nh n c t m u
o c di n tch b m t l hnh vung. T th c nghi m cho th y i v i m u cng m ng th
php o cng chnh xc, trong tr ng h p ny gi tr c a sai s trong php o i n tr vung
( tnh ra i n tr su t) c cng th b c so v i sai s trong php o b ng b n m i d.
2. Ph ng php o b n m i d
Ph ng php ny c th p d ng o t t c cc lo i m u dy hay m ng.
9
Hnh 6: S m ch i n o i n tr su t b ng 4 m i d
C b n u nh n b ng kim lo i Vonfram c kho ng cch b ng nhau c dng ti p
xc v i b m t m u. Dng i n i qua gi a hai kim lo i bn ngoi, trong khi hi u i n th
c t gi a hai m i kim bn trong. V khng c dng i n (r t nh ) i xuyn qua nn
khng c s sai bi t hi u i n th a vo gi a cc kim ti p xc. Tuy nhin, c s gi m th
ngang ch ti p xc c a cc kim bn ngoi nh ng chng ta ch o dng trong ph m vi vng
gi a ch ti p xc cc kim.
Cc u d mang dng ( u d bn ngoi) gi ng nh ngu n l ng c c, thi t l p tr ng
phn b bn trong m u khi o. Chng ta ph i gi i thch i n th khc nhau gi a hai u d
ln c n d i s bi n i c a i u ki n bin, t p h p b i kch c v b dy m u, t suy ra
bi u th c lin h dng cung c p, hi u i n th khc nhau v i n tr su t c a m u.
Cng th c i n tr su t khi :
2 .
U
s
I

Trong : s : kho ng cch gi a hai m i d.
U: hi u i n th gi a hai m i d trong.
I: dng i qua m u t hai m i d ngoi.
Trong tr ng h p mng hai chi u m ng. i n tr ny c nh ngha l i n tr m t R
s
.
Khi i n tr su t c a thanh v t li u chi u dy d l :
.
s
R d
10
Mng m ng c kch th c d s c :
. 4 , 5 3
l n 2
s
U U
R
I I

Mng m ng c kch th c h u h n :
. .
l n 2
s
U
R G
I

Trong , G l s hi u chnh ph thu c vo hnh d ng, kch th c c a m u v kho ng

cch s gi a cc u d.
V Xc nh dy, chi t su t v r ng vng c m b ng ph n m m SCOUT
Ph n m m x l ph SCOUT ph n m m ng d ng quang h c c dung l ng 32 bit lm
vi c mi tr ng Windows 95/98/NT/2000 do tc gi ng i c Wolfgang Theiss hon
t t thng 8 nm 1999. SCOUT cho php xy d ng m hnh cho cc lo i ph nh truy n qua,
ph n x , h p th , pht quang t ng ng cho cc lo i v t li u ph h p v i t ng lo i ph .
Qua ch ng trnh x l, ta c th xc nh c cc thng s v cc tnh ch t quang v i n
c a mng nh dy, chi t su t, r ng vng c m, i n tr su t, n ng h t t i v linh
ng.
Vi c ch n l a m hnh cho ph h p ty thu c vo lo i v t li u v cc tnh ch t quang
i n mu n kh o st.
- M hnh hm chi t su t v hm i n mi l hm c s dng chung lm n n g n
vo cc m hnh.
- M hnh dao ng Kim thch h p cho nh ng v t li u i n mi khng c s xu t hi n
c a cc h t t i i n t do, y c th x y ra dao ng c a cc nguyn t trong m ng tinh
th (c t n s c ng h ng trong vng h ng ngo i) ho c dao ng c a cc electron lin k t
(t n s trong vng kh ki n v h ng ngo i).
- M hnh Drude thch h p cho cho nh ng v t li u bn d n v d n i n. Trong cc v t
li u ny, h t t i ho t ng nh m t kh i n t , lm xu t hi n t n s plasma, t t n s ny ta
c th suy ra n ng h t t i i n c ng nh linh ng c a chng.
11
- M hnh OJL thch h p cho cc v t li u v nh hnh, thng qua nh ng chuy n m c
i n t , m hnh ny cho ta bi t v r ng vng c m v hm m c a s phn b tr ng thi
ui vng xu t hi n d i d ng nh ng thng s tr c ti p trong ki u hm OJL.
Qu trnh xy d ng ph quang h c b ng ph n m m SCOUT c ti n hnh theo cc
b c sau:
Khai bo cc d li u: v t li u t o mng, cc thng s quang ban u c a v t li u
(c th ch n trong database ho c l y t nh ng nghin c u ng tin c y c bo co).
Xc nh lo i ph c n lm kh p, v ph l thuy t c a n d a trn cc thng s
khai bo trn.
Ch n cc thng s mu n lm kh p sao cho ph l thuy t trng kh p v i ph th c
nghi m nh t. N u mu n c nh 1 thng s no , ta ch n ch Frozen trong
variation. Cn n u mu n gi i h n gi tr ng ng cho cc thng s , ta ch n trong low
limit v high limit.
Thay i d n cc thng s k t qu lm kh p l t t nh t. T ta xc nh c
cc h ng s quang chnh xc c a m u. y, chng ti ch y u quan tm n ph truy n qua
c a mng c c nh php o UV-VIS. K t qu lm kh p cho ta c cc thng s v
dy, chi t su t v r ng vng c m c a mng.
V cc thng s ta quan tm l chi t su t, r ng vng c m v dy c a mng, cng
v i v t li u ta ang kh o st l ch t bn d n, nn m hnh Kim v OJL l thch h p p
d ng cho quy trnh lm kh p ph ny.
Sau khi ph th c nghi m v ph l thuy t trng kh p v i nhau nh t, k t qu c th
hi n trn b ng cho ta cc thng s c a mng.
12
V y, hi u bi t t t cc tnh ch t c a mng m ng chng ta c n k t h p nhi u ph ng
php nghin c u khc nhau c ti n hnh trn cng m t m u, thd phn tch c u trc tinh
th , hnh thi h c b m t, tnh ch t i n v quang.Trong nhi u tr ng h p vi c phn tch
mng m ng n hay m t h /linh ki n mng m ng ni chung c n th c hi n t c th trong lc
m u c t trong tr ng ngo i nh i n t tr ng, nh sng, nhi t , dng ion, Ngoi
ra, cc php o k trn c ng c n c k t h p v i nhi u ph ng php khc n a nh ph i n
th qut vng, ph t ng tr i n ha. C nh v y chng ta m i lm sng t cc c ch c a
hi u ng hay hi n t ng v t l x y ra trong h mng m ng.
Hnh 7 K t qu lm kh p ph t ph n m m SCOUT
NG D NG C A MNG I N
i
GVHD: PGS.TS L Vn Hi u
H c vin: Nguy n Quang Kh i
L p: V t l i n t K 18
NG D NG C A MNG I N
T bo m t tr i ti p xc di th (ZnO:Al)/p-Si c ch t o trn Si lo i p b ng
ph ng php phn x magnetron DC t bia g m (ZnO:Al). V i dy mng (ZnO:Al) l 1
m c ph nhi t 160
0
C, p su t 10-3 torr trong kh Argon, i n tr t c c a
mng l 4,5.10-4 m, v truy n qua trung bnh l 86 87% trong vng kh ki n. Ti p
xc ohmic pha sau pin v i n c c m t tr c l kim lo i Al c ch t o b ng ph ng
php b c bay. T bo m t tr i thu c t t nh t c th h m ch Voc = 513 mV, m t
dng o n m ch Jsc = 37,6 mA/cm2, h s l p y FF = 0,4, h s chuy n i = 8%.
Mng d n i n trong su t ZnO:Al c ph trn PET ( polyethylene glycol
tephthalate) b ng ph ng php phn x magnetron DC. Mng c c u trc a tinh th
hexagonal Wiortzite, nh h ng u tin theo tr c C (002) vung gc v i b m t , v i
truy n qua trong vng kh ki n T 75%, i n tr su t vo kho ng (3,72 2).10-3 cm
Mng d n i n trong su t ZnO pha t p Al c ch t o v nghin c u cho th y
truy n qua v d n di n t t, g n x p x v i ITO ( indium oxyt pha t p Tin), th a mn
nhi u yu c u ng d ng c a cc thi t b quang i n t .
Cc mng a l p ZnO:Al /ITO /P-Si c th c ng d ng ch t o pin m t tr i d
th .
Mng a l p WO3 /ITO/ th y tinh c th c ng d ng ch t o mng i n s c.
Mng ZnO:Al trn PET kh h u ch trong vi c h gi thnh, gi m tr ng l ng,
thu nh th tch, t o m m d o cho cc linh ki n quang i n t .
V i mng ZnO: Al v mng NiOx c th ng d ng ch t o my ch ng c t b ng nng
l ng m t tr i.
Mng m ng trong su t d n i n (transparent conducting TC) v ang l i
t ng nghin c u thu ht r t nhi u s quan tm c a nhi u phng th nghi m trn th gi i.
Tnh ch t c bi t c a v t li u ny l kh nng d n i n g n nh kim lo i nh ng l i trong
su t trong vng kh ki n t ng t nh cc ch t i n mi. Do c i m ny m v t li u TC
xu t hi n trong h u h t cc ng d ng tnh d n i n v trong su t cao c ng th i
yu c u. R t nhi u ng d ng i n t , quang i n t d a trn v t li u TC c nghin
c u pht tri n. Nh ng thi t b d ng mng m ng bao g m: ch ng ng ng t h i n c cho
c a s my bay, ph ng ti n c gi i; mng ch n tnh i n, mn ch n nhi u i n t ; g ng
ph n x nhi t cho c a s v bng n nhi t; i n c c trong su t cho mn hnh hi n th tinh
th l ng (LCD), mn hnh plasma, mn i n s c; i- t pht quang h u c (OLED), i n
c c cho pin m t tr i d a trn Si v nh hnh; cc ti p xc bn d n cho ng d ng i n t
trong su t. Cc cng ngh ang pht tri n hi n nay l cc tivi mn hnh ph ng nh v cao
(High Definition TV), mn hnh l n v i phn gi i siu cao cho my tnh bn, c a s
pht x th p (Low Emission), c a s i n s c, mng m ng photovoltaic (PV), thi t b c m
tay thng minh, mn hnh c m ng, cc thi t b pht quang.
ng th i c truy n qua cao (> 80%) trong vng kh ki n v d n i n cao (>
103 S.cm-1) khng th tm c trong cc v t li u thng th ng. D n i n t t v bn trong
su t c th thu c d i d ng mng m ng c a m t s kim lo i nh b c v vng. Ph ng
th c thng th ng nh t hi n nay ch t o c v t li u TC l t o nn s khng h p th c
c ki m sot trong c u trc tinh th ho c a vo cc t p ch t thch h p t o s suy bi n
NG D NG C A MNG I N
ii
trong vng c m r ng c a m t s xt. Nh ng cch th c ny c th d dng thu c v i
cc xt d ng mng m ng c ch t o b ng nhi u k thu t khc nhau. Do v t li u TC
d a trn cc xt (Transparent Conducting Oxide TCO) c t p trung nghin c u
nhi u nh t.
TCO c nghin c u s d ng t u th k 20 (1907) v i CdO. T r t nhi u
v t li u TCO d i d ng mng m ng c nghin c u ch t o nh ZnO pha t p, SnO2 pha
t p, In2O3 pha t p. T nh ng nm 60 c a th k tr c, v t li u TCO c s d ng r ng ri
nh t cho cc thi t b quang i n t l In2O3 pha t p Sn (ITO). V cho n nay, ITO v n l
v t li u c s d ng ch y u trong s n su t cc linh ki n quang i n t do tnh u vi t v
d n i n v tnh trong su t. V t li u ZnO, SnO2 c pha t p, c ng thu ht nhi u nghin
c u do c u i m v chi ph th p h n nhi u so v i ITO, tuy nhin ph m vi ng d ng trong
quang i n t ch a r ng ri v ch a th thay th ITO v m t s nh c i m ch a kh c
ph c c v d nh d n i n km h n. S pht tri n m nh m trong ng d ng a d ng
c a v t li u TCO ngy nay lm cho vi c nghin c u v m t khoa h c v tri n khai cng
ngh c a v t li u ny ngy cng c y m nh. V th c nghi m, ng i ta ti p t c nghin
c u s d ng TCO cho cc ng d ng m i ho c tng c ng tnh nng cho cc ng d ng
c, bn c nh l vi c t ng h p v tng c ng d n i n cho nh ng lo i v t li u TCO c
t hm l ng In nh cc xt nhi u thnh ph n ZnO-In2O3, In2O3-SnO2 v ZnO- In2O3-SnO2
ho c cc TCO khng c In nh ZnO pha t p Al,Ga nh t l cho ng d ng mn hnh hi n th
c di n tch l n, yu c u t c h a nhanh h n hi n nay. V l thuy t, c s khoa h c
v v t li u ny ti p t c c c ng c v xy d ng, cc ph ng php nghin c u tnh ch t
d a trn cc m hnh v t l phn tch v d on gi i h n v tnh nng c a TCO c
a ra. Nhi u ng d ng c a TCO c quan tm l cc thi t b i n t hay quang i n
t trong cc ti p xc d th c ch t o d a trn cc TCO nh i n c c cho OLED, pin
m t tr i, sensor quang h c ho c cc thi t b i n t , quang i n t d a trn chuy n ti p p-n
trong su t nh i t, transistor, i t pht quang, laser, u d UV, cc ng d ng trong mn
hnh trong su t, m ch tch h p trong su t,... Do ngoi nh ng yu c u v tnh d n i n
trong su t, cc tnh ch t khc nh tnh ch t tinh th , cc tnh ch t b m t v s t ng thch
v ti p xc b m t c a v t li u TCO v i cc v t li u khc c n c nghin c u m t cch
y . Ngoi ra cc y u t lin quan n cng ngh ch t o nh c i thi n k thu t hi n c,
xy d ng cc k thu t ch t o m i, tm cch th c tri n khai s n xu t cng nghi p m t cch
hi u qu c ng r t c quan tm v chng quy t nh vi c chuy n giao k t qu nghin c u
vo th c ti n.
1. TRANSISTOR MNG M NG:
Trong cc m ch s , Transistor th ng c s d ng nh m t linh ki n chuy n m ch hai
tr ng thi. Tr ng thi ny c a c a transistor c th c s d ng t th trn dy l cao
ho c th p, bi u di n nh phn 1 ho c 0 t ng ng trong my tnh. Ch c nng s h c v
logic c hi n th c trong xy d nh m ch s d ng cc transistor nh chuy n m ch.
Ch c nng th hai c a transistor trong my tnh l khu ch i. M t tn hi u nh vo c th
i u khi n m t tn hi u ra l n h n nhi u l n. S khu ch i cho php tn hi u c n truy n
qua chuy n m ch trong my tnh m khng m t bin .
2.PIN M T TR I:
T bo nng l ng m t tr i hay pin m t tr i l ti p xc p-n m khng c th p vo qua
ti p xc. Pin m t tr i bi n i nng l ng photon thnh nng l ng i n v cung c p nng
l ng cho t i. Linh ki n ny c s d ng kh lu cho ngu n nui v tinh, cc thi t b
khng gian v c ng nh ngu n nui c a my tnh tay. u tin ta s kh o st pin m t tr i
ti p xc n gi n v i vi c pht ng nh t cc ph n t mang d . Ta c ng xt n pin m t
tr i silic v nh hnh v ti p xc khc lo i.
NG D NG C A MNG I N
iii
2.1. Pin m t tr i ti p xc p-n:
Kh o st ti p xc p-n c n i v i t i, th m ch v i thin p zero c p vo ti p xc ny,
i n tr ng t n t i trong vng i n tch khng gian c trnh by nh hnh v . Khi chi u
photon t i c th t o nn c p i n t -l tr ng trong vng i n tch khng gian s c qut
t o nn dng quang i n I
l
theo chi u thin p ng c nh trnh by.
Dng quang i n I
l
t o nn s t th qua t i, thin p thu n ti p xc p-n. Th thin p thu n
t o nn dng thu n I
F
, nh c ch th nh trong hnh v . Dng ti p xc p-n th c theo
h ng thin p ng c b ng:
I= I
l
- I
F
= I
l
- I
s
(exp(eV/KT)-1) (2.1)
y bi u th c it l t ng c s d ng. Khi it b t u thin p thu n, l n c a
i n tr ng trong vng i n tch khng gian gi m, nh ng khng i t i zero hay thay i
h ng. Dng quang i n th ng theo h ng thin p ng c v dng c a pin m t tr i th c
c ng th ng theo h ng ng c.
C hai tr ng h p gi i h n c n quan tm. i u ki n o n m ch xu t hi n khi R=0 do
V=0. Dng trong tr ng h p ny c g i l dng o n m ch, hay
I=I
sc
=I
l
(2.2)
Tr ng h p gi i h n th hai l i u ki n m ch h v xu t hi n khi R ti n n v cng.
Dng th c ny b ng zero v th c t o nn l th m ch h . Dng quang i n c cn
b ng b i dng ti p xc thin p thu n do ta c
I=0= I
l
- I
s
(exp(eV/KT)-1)=0 (2.3)
Ta c th tm th m ch h V
0c
b ng
V
0c
= V
t
ln(1+I
l
/I
s
) (2.4)
Bi u dng it I nh l hm s c a th it V t bi u th c (2.1) c trnh by trong
hnh 2.1. ta c th ch r ng dng o n m ch v th m ch h ch ra trn hnh v .
Cng su t trn t i l P=IV=I
l
V-I
s
(exp(eV/KT)-1)V (2.5)
Ta c th tm dng v th s cho cng su t c c i i v i t i b ng cch t ph ng trnh
vi phn b ng 0, hay dP/dV=0. S d ng bi u th c (2.5), ta tm th y
dP/dV=0= I
l
-I
s
(exp(eV
m
/KT)-1)-I
s
V
m
(e/KT)(exp(eV
m
/KT)-1) (2.6)
V
m
l th t o nn cng su t c c i. Ta c th vi t l i bi u th c (2.6) d i d ng
(1+V
m
/ V
t
)exp(eV
m
/KT)=1+ I
l
/I
s
(2.7)
Gi tr V
m
c th xc nh b ng cch th . Hnh 2.2 trnh by hnh ch nh t cng su t c c
i, y I
m
l dng khi V=V
m
.
2.2. Hi u su t bi n i:
Hi u su t bi n i c a pin m t tr i c xc nh b ng t s c a cng su t i n l i ra trn
cng su t quang t i. i v i cng su t l i ra c c i ta c th vi t:
=P
m
/P
in
*100=100I
m
V
m
/P
in
(2.8)
Dng c c i v th c c i c th trong pin m t tr i l I
sc
v V
0c
t ng ng. T s I
m
V
m
/
I
sc
V
0c
c g i l h s chon v l php o cng su t th c t pin m t tr i. Thng th ng
h s chon n m gi a kho ng 0.7 v 0.8.
Pin m t tr i ti p xc p-n thng th ng c nng l ng vng c m bn d n n. Khi t bo
c chi u ph m t tr i, photon c nng l ng b h n E
g
s khng nh h ng ln cng
su t ra i n c a pin m t tr i. Photon c nng l ng l n h n E
g
se ng gp vo cng su t
ra c a pin m t tr i, nh ng m t ph n nng l ng l n h n E
g
s ch c tiu tn d i d ng
nhi t. Hnh 2.3 trnh by s chi u b c x ph m t tr i ( cng su t trn di n tch n v v
b c sng n v) y kh i l ng khng kh zero bi u di n ph m t tr i ngoi kh quy n
tri t v kh i l ng m t l ph m t tr i t i b m t tri t vo lc gi a tr a. Hi su t c c
i c a pin m t tr i ti p xc p-n silic g n 28%. Nh ng h s khng l t ng nh tr khng
NG D NG C A MNG I N
iv
n i ti p v ph n x t b m t ch t bn d n s h th p hi u su t bi n i i n hnh trong
kho ng t 10 n 15%.
Nh ng th u knh quang h c l n c th c s d ng t p trung nh sng m t tr i do
c ng sng c th tng n hng trm l n. Dng o n m ch tng tuy n tnh v i s t p
trung ng sng, trong khi th m ch h ch tng t v i s t p trung nh sng. Hnh 2.4 trnh
by hi u su t pin m t tr i l t ng t i 300K i v i hai gi tr t p trung. Ta c th th y
r ng hi u su t ch tng t v i s t p trung quang h c. u i m c b n c a k thu t t p
trung l gi m gi thnh h th u knh quang h c r h n di n tch t ng ng c a pin m t
tr i.
2.3. Pin m t tr i ti p xc khc lo i:
Nh ta ni trn, m t lo i ti p xc khc lo i c t o thnh gi a hai ch t bn d n v i
nng l ng vng c m khc nhau. Bi u nng l ng vng c m c a hai ti p xc khc lo i
p-N i n hnh trong cn b ng nhi t c trnh by trn hnh 2.5. Gi thi t r ng photon t i
trn v t li u c vng c m r ng, tc d ng vo c a s quang h c v photon v i nng l ng
l n h n E
gp
s b h p th trong v t li u c vng c m h p. Trung bnh, cc ph n t mang d
c t o nn trong vng ngho v trong di khu ch tn c a ti p xc s c t v s
ng gp vo dng quang i n. Photon v i nng l ng l n h n E
gn
s b h p th trong v t
li u vng c m r ng v cc ph n t mang d c pht ra trong di khu ch tn c a ti p
xc s c t . N u E
gn
l n, khi photon nng l ng cao s c h p th trong vng
i n tch khng gian c a v t li u vng c m h p. Pin m t tr i ti p xc khc lo i ny c th
c c tr ng t t h n pin m t tr i ti p xc ng nh t, c bi t tai b c song ng n h n.
M t lo i ti p xc khc lo i c trnh by trong hnh 2.6. M t ti p xc ng nh t p-n c
t o thnh v sau v t li u vng c m r ng c pht tri n trn nh. M t l n n a, v t li u
vng c m r ng c tc d ng nh m t c a s quang h c i v i nng l ng photon h <E
g1
.
Photon v i nng l ng E
g2
<h <E
g1
s t o nn cc ph n t mang d trong ti p xc ng
nh t v photon c nng l ng h >E
g1
s t o nn ph n t mang d trong v t li u c a s .
N u h s h p th trong v t li u vng c m h p l cao, khi v c b n t t c ph n t d s
t o ra trong di khu ch tn c a ti p xc, do hi u su t tch t s r t cao. Hnh 2.6 c ng
trnh by p tuy n ph chu n i cc phn t gam khc nhau x trong Al
x
Ga
1-x
As.
M t ki u pin m t tr i ti p xc khc lo i c trnh by trong hnh 2.7. Linh ki n ny c
g i l pin m t tr i song song. t ng c b n c a pin ny l ti p xc p-n vng c m r ng
(GaInP v i E
g
=1.9 eV) l trn nh c a ti p xc p-n vng c m nh h n (GaAs v i E
g-
=1.42eV). Photon v i nng l ng l n h n 1.9 eV s b h p th trong ti p xc p-n nh v
photon v i nng l ng gi a 1.42<h <1.9 eV s truy n qua ti p xc p-n nh nh ng s b
h p th t i ti p xc p-n y. Bi u vng nng l ng c a pin m t tr i song song ny c ng
c trnh by trong hnh 2.7. Ti p xc xuyn h m GaAs p
+
-n
+
c thay th gi a ti p xc
p-n nh v y n i hai ti p xc p-n h p th .
2.4. Pin m t tr i silic v nh hnh:
Pin m t tr i silic n tinh th l t v b gi i h n v v ng knh g n 15.24 cm. H
th ng pin m t tr i cng su t, ni chung c n m ng pin m t tr i c di n tch r t l n pht
cng su t yu c u. Nh ng pin m t tr i silic v nh hnh cung c p kh nng ch t o di n
tch l n v h th ng pin m t tr i t ng i r .
Khi silic c l ng ng b ng k thu t CVD t i nhi t d i 600
0
C, m t mng v nh
hnh c t o thnh v i b t k lo i n n no. Trong silic v nh hnh, ch c lo i d i ng n
v khng quan st th y vng tinh th .
NG D NG C A MNG I N
v
ng d ng c a mng i n
Mng d n i n: dng lm cc i n c c ITO, TCO
Mng cch i n: i n tr mng m ng
Pin m t tr i
OLED
Transistor mng m ng
Hi n th mn hnh tinh th l ng
Mng cch i n
Cc i n c c bn trong:Ag/ Pd
b ng g m ho c nhm xit c tinh khi t cao
L p cch i n: Ni/ Cr
L p b o v b ng th y tinh
u ti p xc b ng Sn
Gi tr i n tr :0.1-10
6
O
NG D NG C A MNG I N
vi
Pin m t tr i
C u t o nh hnh v
Nguyn l ho t ng: khi ch a c nh sng chi u vo l p ti p xc p-n, i n tr ng n i ngn khng
cho electron t l p n khu ch tn qua l p p v l tr ng t l p p khu ch tn qua l p n. Khi c nh
sng chi u vo l p ti p xc p-n lm cho electron v l tr ng ch y v cc i n c c c n i v i dy
d n t o thnh dng i n hay nng l ng i n c tch tr trong pin.
Hi u su t chuy n i quang nng thnh i n nng c th ln n 20%.
Pin nng l ng m t tr i dng tch tr nng l ng dng trong nh, sinh ho t h ng ngy, xe ch y
b ng pin m t tr i,
OLED
ITO/HTL/Emitter/ETL/Al
ITO: Indium-Tin-Oxide, mng m ng
trong su t d n i n lm An t
HTL: l p truy n l tr ng, PVK: poly
(N-vinylcarbazole)
Emitter: PPV: poly (P-
paraphenylenevinylene);MEH-PPV;
Alq3
ETL: l p truy n i n t (PEDOT, LiF)
Cat t: Al, Ag, AlMn
PP ch t o: b c bay lin ti p (tr ITO)
dy kho ng 450 nm (khng tnh )
NG D NG C A MNG I N
vii
Transistor mng m ng (TFT)
L p ho t tnh: CdS, CdSe
linh ng c a i n t 400
cm
2
/V-s
Dng ng:0.1 pA
T s m / ng:10
10
M ch dng TFT t t c
14MHz
ng d ng trong hi n th mn
hnh tinh th l ng
Mn hnh tinh th l ng
NG D NG C A MNG I N
viii
Mn hnh tinh th l ng
Mn hnh tinh th l ng
NG D NG C A MNG I N
ix
u v nh c i m
Mn nh c kch th c l n
t ng ph n cao
phn gi i cao
Gi ng th c t h n
Trnh giao ti p cho gi a cc i m nh
Hao t n nng l ng th p
nh sng cn b ng trong khng gian theo m i ph ng
Xem trong th i gian di m khng m i m t
C i ti n b n nh
Hi n th b ng OLED
T c x l cao h n
V l i r t nhanh mn hnh
hi n th
NG D NG C A MNG I N
x
Gi i bi t p
Cu 5: tnh p su t c c i n c
b t u si t i T=45
0
C? Nhi t n c a
n c bay h i ( H

) l 539 cal/g.
Ta c:
Khi n c si (100
0
C) T
1
= 373 K
P
1
=1 at = 760 torr
R=2 cal/mol.K =(2/18) cal/g.K
Khi n c si (45
0
C) T2 = 318 K
L p t s P
2
chia P
1
Ta suy ra:
Thay s vo
P
2
= 80.155 torr
V y n c b t u si T=
45
0
C t i p su t c c i P
2
=
80.155 torr
) exp(
RT
H
B P

A
=
) exp(
1
1
RT
H
B P

A
=
) exp(
2
2
RT
H
B P

A
=
, )

)
`

A
=
1 2 1
2
1 1
exp
T T R
H
P
P

, )

)
`

A
=
1 2
1 2
1 1
exp
T T R
H
P P


, )

)
`

=
373
1
318
1
2
18 * 539
exp * 760
2
P
Gi i bi t p
Cu 5: CMR bn knh t i h n c a s
t o m m ng th c d ng:
bi n thin nng l ng t do:
Z= H T S (1)
H t n cn b ng: Z=0
H T
eq
S = 0
Suy ra: S = H /T
eq
thay vo (1)
Z= H T( H /T
eq
)
Z= H (1-T/T
eq
)= H {(T
eq
-T)/T
eq
}
Z= H * T/T
eq
(5)
M ta l i c Z=
i
*N
i
suy ra
Z=(
c
-
v
)N (2)

c
: th ho h c pha m i (gi t)

c
: th ho h c pha c (h i)
N=V/v
c
=4 r
3
/3v
c
1/v
c
(3)
V: th tch c a m m
v
c
: th tch c a m t h t pha m i
N: s h t trong pha m i
T (2), (3) ta c: Z=(
c
-
v
)/v
c
(4)
Ph ng trnh (2.3.18):
Thay (4) vo (2.3.18): (6)
Thay (5) vo (6):
T H
T
r
eq f
k
A A
=

2
c
c v
f
c v
c f
k
v
v
r

=
2 * 2
Z
r
f
k
A
=
2
T H
T
T
T H
r
v
eq f
eq
v
f
k
A A
=
A A
=
2 2
NG D NG C A MNG I N
xi
TI LI U THAM KH O
1. Nguy n H u Ch, Gio trnh V t L Mng M ng, Tr ng
HKHTN TPHCM, 2007
2. Nguy n Nng nh, V t L V K Thu t Mng M ng, NXB
HQG HN, 2005
3. Jef Poortmans and Vladimir Arkhipov ,Thin Film Solar Cells
Fabrication, Characterization and Applications, John Willey & So ns,
Ltd, 2006.
4. Cherie R. Kagan & Paul Andry, Thin-film Transistors, IBM T.J.
Watson Research Center Yorktown Heights, New York, U. S.A, 2003.
5. Joseph Shinar, organic light emitting devices, 2003.
6. Peter Wimann & Hans-Ulrich Finzel ,Electrical Resistivity of
Thin Metal Films, Springer Tracts in Modern
Physics,Germany,2007.