UNIVERSIDAD DEL QUINDIO, INGENIERA ELECTRNICA. INSTITUTO INTERDISCIPLINARIO DE LAS CIENCIAS. ARTCULO PRESENTADO DURANTE EL SEGUNDO SEMESTRE DE 2010.

Automatizacin electrnica de la tcnica de Fotorreflectancia para la caracterizacin zonal de materiales semiconductores

Jairo Andrs Acevedo Londoo, Director: Jhon Jairo Prias Barragn, Asesor: Alexander Vera Tasam

ResumenEn este trabajo se presenta la automatizacin

electrnica de la tcnica de fotorreflectancia (FR), la cual consisti en el desarrollo de un control electrnico digital para la caracterizacin zonal de materiales semiconductores. En este tipo de caracterizacin ptica, la interaccin de la radiacin con la materia, se logra dirigiendo dos haces de luz hacia la muestra, mediante arreglos de espejos y lentes, lo cual requiere de una precisa alineacin ptica. En la calibracin del sistema de medida, se emplearon monocristales comerciales de GaAs, logrndose reproducir informacin fsica reportada en la literatura especializada para este material y por lo tanto, se logr contribuir al incremento de la versatilidad de la tcnica de FR. Palabras clavesFotorreflectancia, variacin espacial, GaAs caracterizacin de la

tienen un amplio rango de aplicabilidad que va desde detectores de rayos X hasta computadores, incluyendo dispositivos tan novedosos como los lseres semiconductores con emisin en diferentes longitudes de onda. Por consiguiente, los desarrollos tecnolgicos que se vislumbran para los prximos aos estn ntimamente ligados a la disponibilidad de materiales adecuados y al uso apropiado de tcnicas de crecimiento y caracterizacin que permitan comprender la fsica involucrada en nuevos materiales. Entre las tcnicas de caracterizacin ms promisorias para el estudio de nuevos materiales semiconductores, se encuentran las que permiten obtener informacin acerca de las propiedades pticas del material, denominadas de caracterizacin ptica, en las cuales la radiacin electromagntica interacta con la materia, por medio de la absorcin, la reflexin y/o la transmisin de la luz. Entre las tcnicas de caracterizacin ptica, la FR, se destaca por ser una tcnica no destructiva de gran utilidad en la caracterizacin de materiales semiconductores, ya que permite determinar con una alta resolucin, la energa de los puntos crticos de la estructura electrnica de bandas, as como la realizacin de estudios zonales en las muestras bajo estudio. Su aplicacin incluye el estudio tanto de materiales en bloque como pelculas delgadas, multicapas y nanoestructuras [1,2]. La tcnica en mencin hace parte de una familia de espectroscopas para el estudio de materiales semiconductores denominadas tcnicas de modulacin. Dada la importancia de esta tcnica de caracterizacin, mediante la realizacin de este trabajo se pretende contribuir al incremento de la versatilidad de la tcnica de FR. II. MARCO TERICO Entre las tcnicas de caracterizacin ptica, la FR se destaca por ser una tcnica no destructiva de gran utilidad en la caracterizacin de materiales semiconductores, ya que permite determinar con una alta resolucin, la energa de los puntos crticos de la estructura electrnica de bandas. Su aplicacin

AbstractIn this work we present the electronic automation of

the photoreflectance technique (PR), which consisted in the development of a digital electronic control for the characterization spatial variation of semiconductor materials. In this type of optical characterization, the interaction of radiation with the matter is achieved by directing two beams of light toward the sample, using arrays of mirrors and lenses, which require precise optical alignment. In the calibration of the measuring system, we used commercial single crystals of GaAs, able to reproduce physical information reported in the literature for this material and therefore be able to contribute to increasing the versatility of the FR technique. Index termsPhotoreflectance, spatial variation characterization, GaAs

I. INTRODUCCIN La ciencia de los materiales as como otras ciencias, juega en la actualidad un papel fundamental en el avance tecnolgico de la sociedad. El desarrollo de nuevos dispositivos a partir de materiales semiconductores ha sido posible gracias a la amplia e intensa labor de investigacin cientfica sobre el tema. Los materiales semiconductores
Manuscrito recibido el 12 de Agosto de 2010. J.A.A.L. Est con la Universidad del Quindo, Facultad de Ingeniera, Programa de Ingeniera Electrnica, Grupo de optoelectrnica, Instituto Interdisciplinario De Las Ciencias. Avenida Bolvar Calle 12 Norte Armenia. Quindo. Colombia Tlf. +57-6-7460175, E-mail: mafekingtome@hotmail.com

UNIVERSIDAD DEL QUINDIO, INGENIERA ELECTRNICA. INSTITUTO INTERDISCIPLINARIO DE LAS CIENCIAS. ARTCULO PRESENTADO DURANTE EL SEGUNDO SEMESTRE DE 2010. incluye el estudio tanto de materiales en bloque como pelculas delgadas y multicapas [3]. La FR es una tcnica de reflectividad modulada, en donde el parmetro de modulacin es el campo elctrico superficial. Dicha modulacin se induce por medio de la interrupcin peridica de un haz de luz lser, denominado haz de modulacin. Tal como se muestra en la Fig. No. 1, se emplea otro haz de luz monocromtica proveniente de una lmpara QTH, llamado haz de prueba, el cual es reflejado por el material y recibido posteriormente por un detector. En el detector el haz de modulacin debe eliminarse, de all que se use un filtro longpass a la entrada del detector; por su parte, el haz de prueba reflejado en la muestra contiene informacin acerca del cambio en la reflectividad R y la reflectividad R. La seal de FR es una medida de relacin entre R y R en funcin del haz de prueba que incide sobre la muestra, obteniedose su mximo valor cuando llega a la energa del punto crtico del material bajo estudio. La normalizacin del espectro, a travs de la reflectividad R, permite eliminar el efecto de la funcin de transferencia de la ptica y del instrumental involucrado, haciendo de la FR una tcnica relativa, ms sensible a las transiciones que las tcnicas absolutas como la reflectividad y la absorcin. Esta selectividad se potencializa tambin con el empleo de la tcnica de deteccin sensible a la fase que ofrece el amplificador Lock-in, pues en la forma de lnea del espectro de FR es ms predominante la modulacin peridica de la reflectividad R que la reflectividad promedio R. Mediante esta tcnica se pueden detectar cambios en la reflectividad del orden de 10-4 10-5 sin necesidad de hacer ningn tipo de contacto, lo cual frecuentemente constituye un problema, tal como es el caso de la electrorreflectancia. De esta manera se pueden determinar de manera precisa la energa de los puntos crticos de la estructura de bandas del material con una resolucin que no es posible obtener con ningn otro tipo de tcnica a temperatura ambiente. Por otro lado, se hace nfasis en el hecho de que medir cambios en las propiedades pticas, en vez de tomar diferencias entre espectros totales, tiene una serie de ventajas sobre otras espectroscopias pticas. Primero es ms preciso medir cambios que espectros absolutos en los cuales se pueden acumular errores sistemticos. Segundo, la naturaleza de derivada de la espectroscopa de modulacin suprime efectos de fondo, que generalmente no tienen ningn inters y resalta la estructura para valores de energa relacionados con puntos relevantes en la estructura de bandas del material. Tercero, estructuras poco intensas que pueden pasar desapercibidas en espectros absolutos resultan ms pronunciadas cuando se utiliza una tcnica de modulacin. Finalmente, los cambios que se producen en espectroscopa de modulacin en semiconductores varan en amplitud desde 10-5 FIG. 1. Diagrama en bloques del arreglo experimental de la tcnica de Fotorreflectancia.

hasta 10-2 y pueden, por tanto, ser fcilmente medidos con los modernos sistemas de deteccin sensibles a la fase. El mecanismo de la FR es la modulacin del campo elctrico superficial a travs de la recombinacin de portadores minoritarios en trampas de la superficie. Los pares electrn-hueco, generados cuando la luz moduladora incide sobre la muestra, estn en la posibilidad de ocupar trampas, modificando de esta manera el campo elctrico superficial. En el rgimen de campo bajo, la forma de lnea del espectro de FR puede ser descrita por [3,4]:

P R m = Re C j exp(i j )(E E pcj + i j ) j R j =1

(1)

Donde Cj es la amplitud, j el ngulo de fase, j parmetro fenomenolgico de ensanchamiento, Egj energa de la j-esima transicin y m el punto crtico (si m=2.5, transicin interbanda, m=2.0, transicin excitnica). III. DETALLES EXPERIMENTALES En la tcnica de FR los haces de luz son dirigidos a la muestra mediante espejos y lentes, tal como se puede observar en la Fig. 1.

La automatizacin electrnica presentada en este trabajo consisti en agregar al camino ptico de la FR un sistema electromecnico para el control digital del posicionamiento de la muestra, dejando fija la zona de incidencia de los haces de luz, lo cual permiti desplazar en un sistema coordenado XY, la muestra bajo estudio, permitiendo as la caracterizacin zonal de materiales semiconductores de una manera automatizada. En la Fig. 2 se puede observar un diagrama en bloques del sistema electromecnico propuesto para el control del posicionamiento de la muestra en este trabajo. Se pueden observar los diferentes componentes, tales como motores paso a paso, driver de potencia y un sistema embebido para el control y comunicacin con el computador.

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2200 2000 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 -2 0 0 -4 0 0 -6 0 0 -8 0 0 -1 0 0 0 -1 2 0 0 -1 4 0 0 -1 6 0 0

A m p litu d d e F R

Zona 1 Zona 2 Zona 3

R/R

M onocristal G aAs T=300K

1 ,3 6 1 ,3 8 1 ,4 0 1 ,4 2 1 ,4 4 1 ,4 6 1 ,4 8

FIG. 2. Diagrama en bloques del sistema electromecnico para el control del posicionamiento de la muestra. Con el fin de realizar una caracterizacin zonal del material semiconductor, inicialmente se tomaron espectros de FR de un monocristal de GaAs para 3 zonas diferentes, estas zonas se denotaron zona 1, 2 y 3 tal como se puede apreciar en la Fig. No. 3. Despus de obtener los espectros de FR se procedi a establecer el punto mximo de la amplitud de la seal de FR y emplear este valor como parmetro para la energa del haz de prueba la cual fue fijada al valor de 1,41 eV, al momento de realizar la caracterizacin zonal del material semiconductor. La seal proveniente de la reflexin del haz de prueba sobre el material semiconductor, se registr en un fotodetector tipo PIN y fue procesada en conjunto por un amplificador lock-in, un milivoltmetro, y dos aplicaciones software, una desarrollada en LabVIEW para la adquisicin de los datos y otra desarrollada en Matlab para el procesamiento visual de las imgenes en 3D.

E n e rg a d e l F o t n (e V )

FIG. 4. Espectros de FR de la muestra de GaAs para las tres zonas estudiadas. Por lo tanto, se encontr que la zona 1 presenta mayor amplitud de FR que las otras zonas y por consiguiente de manera cualitativa la mayor densidad de portadores libres. Las Fig. No. 5 y 6 muestran los resultados obtenidos en la caracterizacin zonal del material semiconductor. En estas se han indicado las diferentes zonas estudiadas, y se puede apreciar el efecto de la variacin espacial del mximo de la amplitud de la seal de FR. Como esta seal se encuentra relacionada con la densidad de portadores libres, se encontr que en la zona 1 aparece la mayor densidad de portadores. La Fig. No. 5 corresponde a un barrido en la direccin del eje Y de la muestra de la Fig. No. 3, mientras que la Fig. No. 6 corresponde a un barrido en la direccin del eje X de la muestra, al rotar 90 la muestra, este resultado demuestra que el resultado obtenido en la presente automatizacin es independiente de la rotacin de la muestra en el portamuestra.

FIG. 3. Muestra semiconductora de GaAs y zonas estudiadas. IV. RESULTADOS Y DISCUSIN En la Fig. No. 4 se observan los espectros de FR de la muestra de GaAs para las tres zonas estudiadas, se puede observar que los espectros se encuentran alrededor del valor de 1,41 eV a 300 K de la transicin interbanda, reportado para este material [3, 5]. Las diferencias en amplitud, se lograron asociar a la variacin espacial en la densidad de portadores libres que contribuyen a la seal de FR.

FIG. 5. Variacin espacial de la amplitud de FR en una muestra de GaAs para las zonas estudiadas.

UNIVERSIDAD DEL QUINDIO, INGENIERA ELECTRNICA. INSTITUTO INTERDISCIPLINARIO DE LAS DIO, ELEC INTERDISCI CIENCIAS. ARTCULO PRESENTADO DURANTE EL SEGUNDO SEMESTRE DE 2010. 2010 Jairo Andrs Acevedo Londoo

(28 de mayo de 1983 en Quimbaya, Quindo). Se Quindo) gradu de bachiller acadmico en el ao 2000 del Colegio INEM Jos celestino mutis, actualmente termin el plan de materias de ingeniera electrnica en la Universidad del Quindo, realizo un diplomado de diseo y puesta en marcha de redes inalmbricas metropolitanas (2009), tambin ha realizado diversos cursos en el rea de diseo grafico, sismologa, y redes de datos. Pertenece al semillero de procesamiento digital se seales GDSPROC y FOTOREFLECTANCIA del GDSP Instituto Interdisciplinario de las Ciencias. Sus reas de inters son las comunicaciones, automatizacin, radio y sismologa.

FIG. 6. Variacin espacial de la amplitud de FR en una muestra de GaAs al rotar 90 la posicin de la muestra en el portamuestra. V. CONCLUSIONES Se realiz la automatizacin electrnica de la tcnica de FR, la cual permiti obtener la variacin zonal de la amplitud de la seal de FR en la superficie de una muestra de GaAs comercial, logrndose identificar una zona de mayor amplitud de la seal de FR, la cual se asoci de manera cualitativa a una zona de mayor densidad de portadores libres en la superficie de la muestra. As mismo, se encontr que la variacin zonal de la amplitud de FR es independiente de la rotacin de la muestra y que el sistema electromecnico propuesto, present una resolucin espacial de 1.0 m en ambos ejes. De esta manera, se logr contribuir al incremento de la versatilidad de era, la tcnica de FR. VI. AGRADECIMIENTOS o Este trabajo ha sido apoyado por la Instituto Interdisciplinario de las Ciencias de la Universidad del Quindo.

VII. REFERENCIAS
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