Curs Electronica Analogica

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI
B. MIRONOV

ELECTRONICA

Note de curs

2000

pdfMachine
A pdf writer that produces quality PDF files with ease!
Produce quality PDF files in seconds and preserve the integrity of your original documents. Compatible across
nearly all Windows platforms, simply open the document you want to convert, click print, select the
Broadgun pdfMachine printer and thats it! Get yours now!

2

CUPRINS
Capitolul I. DIODA I DISPOZITIVE PE BAZA DIODELOR
1.1.Dioda.
1.2. Redresor monofazat monoalternan
1.3. Redresor monofazat dubl alternan
1.4. Redresor pe baza punii de diode
1.5. Redresoare cu multiplicare de tensiune.
Capitolul II. TRANZISTORUL SI MODURILE LUI DE CONECTARE
2.1. Regimurile tranzistorului
2.2. Conectarea tranzistorului cu emitor comun
2.3. Caracteristicile tranzistorului
2.4. Conectarea tranzistorului cu baz comun.
2.5. Conectarea tranzistorului cu colector comun.
2.6. Etajul - tranzistor cu efect de cmp
2.7. Conectarea TEC.
2.8. Cuplarea ntre etaje.
Capitolul III. REACIA N CIRCUITELE ELECTRONICE
3.1. Tipurile de reacie
3.2. Reacia negativ:
3.3. Influena reaciei negative asupra stabilitii amplificatorului.
3.4. Influena reaciei negative asupra impedanei de intrare Z
i
.
3.5. Reacia pozitiv.
Capitolul IV. AMPLIFICATOARE DE PUTERE (ETAJE FINALE)
4.1. Amplificatorul final n contratimp cu transformator (regimurile B i AB)
4.2. Amplificatoarele de putere fr transformator
4.3. Schema amplificatorului fr transformator care funcioneaz n regimul B.
4.4. Calcularea parametrilor amplificatorului de putere cu preamplificator.
4.5. Amplificatorul acordat:
Capitolul V. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
5.1. Stabilizatoare parametrice cu dioda Zener
5.2. Stabilizator cu compensare
Capitolul VI. APLICAII ALE AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE
6.1.Generaliti
6.2. Amplificatorul operaional sumator.
6.3.Erorile amplificatorului sumator.
6.4. Configuraia neinversoare a amplificatorului operaional
6.5. Influena reaciei asupra rezistenei de intrare ale celor dou configuraii a amplificatorului
operaional
6.6. Conectarea diferenial a amplificatorului operaional
6.7. Unele aplicaii ale amplificatoarelor operaionale
CAPITOLUL VII CIRCUITE LOGICE
7.1. Generaliti
7.2. Pori logice
BIBLIOGRAFIA

pdfMachine

3

Capitolul I.
DIODA I DISPOZITIVE PE BAZA DIODELOR
1.1.Dioda.
Dioda reprezint un monocristal semiconductor de form prismatic dotat cu impuriti, numii
donori sau acceptori, astfel nct se obin dou regiuni - una cu conductibilitate de tip n, iar cealalt de tip
p.
1) Dioda nepolarizat:
n regiunea n vor exista purttori majoritari (electronii) i purttorii minoritari golurile (+). n mod
analog, n regiunea p purttorii majoritari (golurile) i purttori minoritari electronii (-) (fig. 1.1).

Datorit diferenei mari de concentraie electronii din regiunea n vor difuza n regiunea p, iar
golurile din regiunea p vor difuza n regiunea n. n vecintatea suprafeei de separare va scdea
concentraia purttorilor majoritari.
Datorit difuziei purttorilor majoritari apare la interfaa acestor dou zone a monocristalului dotat
cu impuriti diferit o diferen de potenial numit tensiune de difuzie UD sau barier de potenial.
Aceast barier de potenial pentru diferii semiconductori este diferit: Si - 0,7 V; Ge - 0,3 V; As - 2 V.
2) Dioda polarizat direct:

n acest caz (fig. 1.2) plusul tensiunii externe se aplic pe regiunea p i minusul pe regiunea n.
Tensiunea aplicat d natere unui cmp E
P
, cu sensul indicat pe desen, care se suprapune cmpului intern
i-l micoreaz. Echilibrul dintre curenii de cmp i de difuzie este perturbat. Cmpul rezultant favorizeaz
trecerea purttorilor majoritari determinnd o cretere a curentului de difuzie. n regiunea de trecere
existnd un numr mai mare de purttori mobili de sarcin, rezistena jonciunii este mic.
3) Dioda polarizat invers:

n acest caz plusul tensiunii externe se aplic pe regiunea n i minusul pe regiunea p (fig. 1.3).
Cmpul E
p
, mrete bariera de potenial, micornd curentul de difuzie datorat purttorilor majoritari.
Dioda va fi parcurs de un curent de valoare mic, i caracterizat de o rezisten mare.
Simbolul diodei
n practic dioda este folosit n calitate de redresor. Energia electric uor se transmite prin liniile
de tensiune nalt la distane mari sub form de curent alternativ, deoarece pierderile sunt proporionale cu
-
-
-
-
-
Fi
p
Fig. 1.1. Dioda nepolarizat
+
+
+
+
+
n
p
-
+
E
P

Fig. 1.2. Dioda polarizat direct
-

-

-
+

+

n p + -
E
P

Fig. 1.3. Dioda polarizat invers
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+

pdfMachine

4
intensitatea curentului. Pentru a fi folosit, curentul alternativ este transformat n curent continuu. Aceast
transformare este ndeplinit de dispozitivele redresoare, la baza funcionrii crora stau diodele.
1.2. Redresor monofazat monoalternan

n fig. 1.4 este reprezentat schema simplificat a unui redresor monofazat monoalternan. La
intrare (punctul A) avem curent alternativ (fig. 1.5). Iar la ieire (punctul B) se obine curent continuu de o
singur polaritate . Pentru a fi continuu se conecteaz un condensator (fig. 1.6).
n acest caz n condensator se acumuleaz mult mai mult energie dect se va consuma prin
rezistorul R
L
.
;
C
1
=
reactiv L
R R ))
=

Diagrama de variaie n timp a tensiunii are forma reprezentat n fig. 1.7.

1.3. Redresor monofazat dubl alternan

220
R
L

D
+ -
A B
Fig. 1.4. Redresor monofazat
monoalternan
t
U
0

Fig. 1.5. Diagramele de variaie n timp a
tensiunilor n punctele A i B.
t
U
A
B
220
V
R
L

D
+
-
A B
U
C

Fig. 1.6. Redresor monofazat
monoalternan cu condensator
t
U
Fig. 1.7. Diagrama de variaie n
timp a tensiunii n punctul B
220
R
L

D
+
-
A B C
E
F
(-)
(+)
Fig. 1.8. Redresor monofazat dubl
alternan
t
U
cu condensator
fr
condensator
Fig. 1.9. Diagrama de variaie n
timp a tensiunii
D
2

pdfMachine

5

Se mai adaug o diod (fig. 1.8). n acest caz timpul de descrcare a condensatorului este mai mic.
Diagrama de variaie n timp a tensiunii are forma reprezentat n fig. 1.9.
1.4. Redresor pe baza punii de diode
Din punct de vedere tehnologic transformatorul cu bobin e un lucru complicat. De aceia se aplic
n practic redresorul pe baza punii de diode (fig. 1.10). Condensatorul nu trebuie s se descarce pe diod.
Cnd curentul merge de la A la B, avem semiperioada pozitiv i sunt deschise diodele D3 i D2.

Cnd curentul merge de la B la A, avem semiperioada negativ i sunt deschise diodele D4 i D1.

1.5. Redresoare cu multiplicare de tensiune.

n unele cazuri e necesar de a obine o tensiune nalt. Evident c utilizarea unui transformator n
acest caz este complicat deoarece e mare coeficientul de transformare i exist riscul de strpungere a
transformatorului. Deci apare problema de a avea transformator cu tensiune n bobina secundar mic, iar
220
R
S

+
B
+
-
A
D3
Fig. 1.10. Redresor pe baza punii de diode
D1
D2
D4
Fig.1.11 Reprezentrile grafice ale punii de diode
~220
R
L

D1
+
-
A
B
+
+
D2
Fig. 1.12. Redresor cu dublare de tensiune
C1
C2

pdfMachine

6
apoi de multiplicat aceast tensiune. Prin urmare avem un exemplu de redresor care dubleaz tensiunea
(fig. 1.11).
n semiperioada pozitiv (cnd curentul circul de la A la B) se va ncrca condensatorul C1 prin
dioda VD1 pn la amplitudinea tensiunii curentului alternativ (VD2 este nchis), iar n semiperioada
negativ (potenialul n punctul B este mai pozitiv ca n A). se va ncrca condensatorul C2 prin dioda VD2.
Deci n fiecare semiperioad se ncarc cte un condensator. Datorit faptului c sunt ncrcate
condensatoarele C1 i C2 i ele sunt unite n serie fa de sarcin, la sarcin tensiunea se dubleaz.
Un alt tip de redresor cu multiplicare de tensiune (fig. 1.12):

n semiperioada negativ (A este negativ fa de B) curentul va curge prin VD1 i se va ncrca
capacitatea C1, astfel nct
D
este egal cu amplitudinea fa de punctul B.
n semiperioada pozitiv A este mai pozitiv ca B i curentul va curge prin dioda VD2 i capacitatea
C2 se ncarc pn la potenialul amplitudinii. ns dat fiind c D fa de B deja avea un potenial egal cu
potenialul amplitudinii i plus nc o amplitudine. Deci pe condensatorul C2 apare un potenial dublu fa
de amplitudine. Prin urmare are loc dublarea tensiunii.

Aceast schem are avantajul c ea poate fi extins. Dac conectm sarcina ntre nodurile: B i C
avem dublarea tensiunii (R1); A i E avem triplarea tensiunii (R2); B i F - creterea de 4 ori a tensiunii.
Cnd vine iari semiperioada negativ, C3 se ncarc fa de C, care va avea de acum tensiunea
dubl i deci punctul E va avea tensiunea tripl.
Cum se vede putem primi i tensiuni mrite de 4, 5, ... ori, dac continum schema. n semiperioada
pozitiv se nchid diodele impare i se deschid cele pare i invers.
Dac mrim numrul de trepte, curentul se micoreaz (legea conservrii energiei). n aceast
tehnologie ne trebuie s se pstreze sarcina (s nu se descarce) i deci trebuie s avem o frecven mare ca
perioada s fie mic i s nu se descarce condensatoarele.

C1
~220
A
B
R
S

D +
VD1
+
VD2
C2
C
Fig. 1.12. Redresor cu dublare de tensiune, care
poate fi prelungit
~220 V
A
B
R1
C1
D
+
VD1
+
C2
C
VD2
+
C3
E
VD3
+
C
F
VD4
R3
R2
Fig. 1.13. Redresor cu multiplicarea tensiunii

pdfMachine

7

Probleme:
Problema 1.
O diod din Ge are curentul invers de saturaie de I
S0
= 1 A. Dioda din Si are I
S0
= 10
-8
A.
Temperatura T=293 K. Curentul direct prin aceste diode este I = 100 mA. S se determine tensiunile pe
diode.
Rezolvare:
Curentul diodei se determin dup formula:
I I e
S
qU
KT
=
|
\
|
.
|
0
1 ; de unde:
I
I
e
S
qU
KT
0
1 = ; ln ; ln ;
I
I
qU
KT
U
KT
q
I
I
S S 0 0
1 1 +
|
\
|
.
| = = +
|
\
|
.
|
. 407 1
10
10 100
ln
10 6 , 1
10 38 , 1 293
: Pentru
. 288 1
10
10 100
ln
10 6 , 1
10 38 , 1 293
: Pentru
9
3
19
23
6
3
19
23
mV U Si
mV U Ge
=
|
|
.
|
\
|
+

=
=
|
|
.
|
\
|
+

Problema 2.
Dioda pe baz de Ge are I
S0
= 25 A, funcioneaz la tensiunea direct U = 0,1 V, i la temperatura
de T = 300 K. S se determine rezistena total R
0
i rezistena diferenial r
dif
a diodei.
Rezolvare:
Gsim curentul diodei la tensiune direct U = 0,1 V dup formula:
( )
( ) ; 1,17 1 e 10 25 1
300 10 38 , 1 1 , 0 10 1,6 6 -
0
23 19 -
mA e I I
KT
U q
S
= =
|
|
.
|
\
|
=

Atunci rezistena diodei pentru curentul continuu (punctul de lucru):
R
U
I
= =
0 1
10
3
,
.
1,17
85 O
Calculm rezistena diferenial, folosind formula:
= = =
kT
qU
S dif
dif
e
I q
kT
dU
dI
g
r
1 1
1
1
0
.
Lund n consideraie faptul c I>>I
S0
, putem scrie aproximativ:
O = = 22
1
I q
KT
r
dif
.

Problema 3.
Pentru dioda din Ge temperatura se schimb de la t
1
= 20 pn la t
2
= 80
0
C, iar pentru dioda din Si - de la
20 pn la 150
0
C. S se determine raporturile curenilor de saturaie pentru fiecare diod la aceste
temperaturi I
S02
/I
S01
. De considerat sarcina electronului q =1,60210
-19
Coulomb, constanta Boltzmann k =
1,3810
-23
G/grad. Coeficienii care caracterizeaz jonciunea:
pentru Ge: m=2; n=1; U
G0
=0,785 V. pentru Si: m=1,5; n=2; U
G0
=1,21 V.

pdfMachine

8
Rezolvare:
Curentul de saturaie este descris de formula
;
0
0
T
G
n
U
m
S
e T k I

=
unde: U
E
q
G
g
0
= ; E
g
- limea zonei interzise n electronvoli.
q
kT
T
= - potenialul termic
La t = 20
o
C
T
=0,0252 V, iar la t =80
o
C
T
=0,0365 V

Pentru Ge: ; 285
293
353
293
1
353
1
10 38 , 1
10 6 , 1 785 , 0
2
2
1
2
1 1
01
02
23
19
1 2
0
=
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
=
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
e
T
T
e
I
I
T T k n
q U
G

Pentru Si: ; 2719,8
293
423
293
1
423
1
10 38 , 1 2
10 6 , 1 21 , 1
5 , 1
5 , 1
1
2
1 1
01
02
23
19
1 2
0
=
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
=
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
e
T
T
e
I
I
T T k n
q U
G

Problema 4.
n schema din fig. 2.22 dioda are curentul de saturaie
I
S0
=10 A, s se determine tensiunea de ieire U
0
.

Rezolvare:
Deoarece dioda este polarizat direct, rezistena diodei
din Si va fi mic i curentul n schem se va determin de
rezistena R
L
=20 kO. Prin urmare curentul prin diod:
I
U
R
mA = =
=
40
20 10
2
3
; conform legii Ebers-Moll
|
|
.
|
\
|
= 1
0
0
T
U
S
e I I

.
q
kT
T
= - potenialul termic. La t = 20
o
C
T
=0,0252 V
De unde
U
I
I
V
T
S
0
0
1 014 = +
|
\
|
.
| = ln , ;

Problema 5.
Pentru schema din fig. 2.23 s se
determine componenta alternativ a tensiunii
de ieire u
0
dac ea funcioneaz la temperatura
de camer.

Rezolvare:
Componenta alternativ a tensiunii de
ieire va fi egal cu componenta alternativ a
tensiunii pe diod. Poziia punctului de lucru se
U
0

40 V
20 kO
R
L

Fig. 2.22. La problema 4
C
U
0

3
V
10
R
H

20
D

pdfMachine

9
determin de componenta constant a curentului diodei:
I
U
R
mA = =
=
20
10 10
2
3
; ; ;
0
dif
dif
dif
dif
r r
r u
r i u
r R
u
i
+
= =
+
=
( ) . 13 10 2 026 , 0
1
3
O = = =
A
A
=

I q
KT
I
U
R
dif

De aceea: ; 9 , 3
10 10 13
13 3
3
0
V m
r R
r u
U
dif
dif
=
+

=
+
=

Problema 6.
Trebuie de redresat tensiunea cu valoarea efectiv de 700 V, folosind numai diode de tipul 226.

Rezolvare:
Determinm valoarea amplitudinii tensiunii sinusoidale: U U V
m
= = ~ 2 2 700 1000 . Aceast
tensiune n schema simplificat de redresare va fi invers. Deoarece tensiunea invers a diodelor de acest
tip la temperaturi maximale de lucru este 300 V, atunci pentru redresare este necesar s utilizm conectarea
n serie a diodelor. Dar din cauza c rezistenele inverse pot fi diferite pentru fiecare diod (la unul i
acelai tip de diode pot s difere de cteva ori), este necesar de untat diodele cu rezistene.

Numrul necesar de diode se determin dup
formula:
( ) n U k U
m H inv
=
.max
,
unde k
H
- coeficientul de ncrcare dup curent (are
valori de la 0,5 pn la 0,8). Fie K
H
=0,7, atunci:
( ) n = = 1000 0 7 300 4 76 , , .
Fie n = 5.
Valorile rezistenelor de untatre se calculeaz dup
formula:
( )
( )
O =

=

s

k
I n
U U n
R
inv
m inv
333
10 300 1 5
1000 1 , 1 300 5
1
1 , 1
6
max
max

Avem R
H
=300 kO. Schema redresorului este reprezentat n fig. 2.24.

Problema 7.
Avem diode de tipul 226 cu un curent mai mic de ct ne trebuie. I = 400 mA. Diodele pot
redresa I
max
= 200 mA. De alctuit i calculat schema redresorului.

Rezolvare:
Deoarece curentul necesar redresat ntrece valoarea maximal a curentului a unei diode (la
temperaturi maximale de lucru I
redrmax
= 200 mA), este necesar ca cteva diode de unit n paralel. Lund n
consideraie faptul c rezistenele directe ale diodelor sunt diferite pentru fiecare diod, pentru redresarea
curenilor, ce trec prin diode, este necesar de conectat n serie cu diodele rezistene.
Numrul necesar de diode se determin dup formula:
( )
n I k I
m H redr
=
max
, unde k
T
- coeficientul de ncrcare dup tensiune (are
valori de la 0,5 pn la 0,8). Fie K
H
=0,8, atunci:
( ) n = = 400 0 8 200 2 5 , , .
Fie n = 3.
Valorile rezistenelor se calcul dup formula:

VD1
R
H

VD2
VD5
R

VD3
R
VD1
R
VD2
R

pdfMachine

10
( )
( )
O =

=

>

35 , 4
10 400 1 , 1 10 300 3
1 3 1
1 , 1
1
3 3
max m redr
med dir
I I n
n U
R
Avem R=5 O. Schema redresorului este reprezentat n fig. 2.25.
Problema 8.
Dioda funcioneaz n schema simpl de redresare cu rezistena
R=10 kO (fig. 2.15). Dioda are R
dir
= 40 O, R
inv
= 400 kO i C = 80
pF. Datorit influenei capacitii parazitare tensiunea redresat va
scdea n dependen de frecven. De gsit frecvena, la care curentul
redresat se va micora de 2 ori.
Rezolvare:
Lund n consideraie c R>>R
dir
i R<<R
inv
, se poate socoti c:
la frecvene mici:
( ) R
U
R R
U
I
dir
dir
max max
max
~
+
~
i
( )
ind ind
inv
R
U
R R
U
I
max max
max
~
+
~ < I
dir
;
la frecvene mari:
R
U
I
dir
max
~ i
ind
inv
Z
U
I
max
~ .
La micorarea curentului de redresare I de 2 ori are loc
dir inv
I I 5 , 0 = ; prin urmare, R Z
inv
2 = . Se poate
considera c
2 2
C inv
X R Z + = , deoarece X
C
<<R
inv
.
O = = = = =
4 2 2 2 2
10 73 , 1 73 , 1 3 4 R R R R R Z X
C
.
Din ( ) C X f
C
t 2 1 = ,
kHz Hz
C X
f
C
115 10 115
10 73 , 1 80 28 , 6
10
2
1
3
4
12
= =

= =
t

Capitolul II.
TRANZISTORUL SI MODURILE LUI DE
CONECTARE
2.1. Regimurile tranzistorului
Tranzistorul este un dispozitiv creat dintr-un cristal care conine
din trei domenii n-p-n (sau p-n-p) (fig. 2.1). Putem distinge 4 regimuri
de lucru a tranzistorului.
Dac nu este aplicat tensiunea, cristalul se afl n stare de
echilibru.
E
B
C U
+

n
n
Fig. 2.1. Schema pentru
ilustrarea principiului
tranzistorului
p
VD1
R
H

C

pdfMachine

11
Presupunem c la colector am aplicat tensiune pozitiv (+). Jonciunea CB se va afla ntr-o diferen
de potenial invers i se va nchide. Dac la baz se aplic (+), se creeaz un flux de electroni, el va fi cu
att mai mare cu ct va fi mrit potenialul (+):
. 26 ; mV e I I
T
U
SC E
T
BE
= =

Grosimea bazei trebuie s fie mai subire dect parcursul liber al electronilor. Electronul de la
jonciunea EB ajunge la jonciunea BC i este deplasat n colector. Predomin regimul activ: ; | =
B
C
I
I
Cu
ct este mai subire baza cu att | este mai mare.

n cazul cnd potenialul bazei i al emitorului este zero ambele jonciuni sunt nchise, i avem
regim de tiere (fig. 2.2).
Regim liniar (activ) - cnd jonciunea BC este nchis iar
jonciunea BE - deschis. Tensiunea U
BE
crete i odat cu
creterea ei crete I
C
i deci se micoreaz rezistena tranzistorului.
Exist o dependen aproape liniar (fig. 2.4).
O variaie mic a curentului bazei duce la mrirea mare a
curentului colectorului I
C
.
;
B
C
I
I
A
A
= |
Acest regim se continu pn tensiunea la baz este mai
mare ca tensiunea la colector. Se deschide jonciunea baz colector
n aa fel apare regimul de saturaie. n acest regim tranzistorul nu
mai amplific.
La mrirea U
B
se mrete curentul n colector, ceia ce
nseamn c se micoreaz rezistena tranzistorului. n regimul de
saturaie ambele jonciuni sunt deschise. Electronii nimeresc i din
colector i din baz. Acest regim trebuie evitat.
Regimul invers cnd se schimb cu locurile colectorul i
emitorul. n acest caz |<<1, ceia ce nseamn c emitorul nu
dovedete s adune toi electronii din baz (fig. 2.5).
n figura 2.6 sunt reprezentate cele trei configuraii posibile de conectare a tranzistorului.

Ieire
Intrare
I
C

I
E

I
B

U
E

a)
U
C

B
C
E
b)
Ieire
Intrare
I
C

I
B

I
E

U
B

U
C

E
C
B
I
E

I
E
B
U
+

C
B
E
U
BE

I
E

Fig. 2.2. Tranzistorul mpreun
cu sarcina
Fig. 2.3. Caracteristica de intrare a
tranzistorului
I
BE

I
C

Fig. 2.4. Dependen I
C
de I
BE

C
B
E
Fig. 2.5. Configuraia geometric a
tranzistorului

pdfMachine

12

2.2. Conectarea tranzistorului cu emitor comun
Emitorul este conectat la pmnt (fig. 2.7). Aplicm la baz o
tensiune de 1 mV i semnal amplificat la colector nu va fi (amplitudinea e
mic, trebuie s fie > 0,5 V)
Aplicm 1 V i la ieire avem numai semiperioada pozitiv. Aa o
situaie nu ne satisface. Trebuie de stabilit regimul tranzistorului.
La baza tranzistorului va trece numai componenta alternativ. (fig.
2.8) Semnalul este scos tot prin condensator. Ca tranzistorul s fie
ntredeschis se utilizeaz un divizor de tensiune. Rezistenele R1 i R2 de
obicei au o eroare de (10-20%). Curentul colectorului are o dependen
exponenial de U
BE
:
; exp
0
|
.
|
\
|
=
KT
qU
I I
BE
S C

Dac temperatura se schimb se schimb i I
C
i trebuie s
lichidm influena ei. Funcionarea circuitelor nu trebuie s depind de
parametrii tranzistorului deoarece ei sunt diferii. Deci la emitor se mai unete o rezisten (reacia negativ
R
E
)
Presupunem c din cauza erorii rezistenelor, stabilim o diferen de potenial U
BE
ne corect. R
E

efectueaz compensarea perturbaiei iniiale (fig. 2.9). Datorit reaciei negative, U
BE
se menine practic
constant.

R
C
- servete ca sarcin pentru obinerea semnalului, la ieire totodat protejeaz tranzistorul.
R1, R2 - divizorul de tensiune, care creeaz regimul tranzistorului (punctul de lucru).
R
E
- reacia negativ (stabilizarea termic i stabilizarea funcionrii tranzistorul - cnd parametrii
tehnici nu coincid cu parametrii calculai).
Aceste rezistene se calculeaz n felul urmtor:
U
+

C
B
E
Fig. 2.7. Conectarea
tranzistorului cu emitor comun
Ui
R1
R2
Rc
R
E

Fig. 2.9. Etajul cu reacia negativ R
E

U
+

Fig
Ui
R1
R2
Rc
Fig. 2.8. Etajul cu divizorul de tensiune
pentru polarizarea bazei

pdfMachine

13
;
2
C
C
I
U
R
+
~ (1)
Se presupune c iniial se alege curentul colectorului I
C
. (Rezult din coeficientul de amplificare K
i rezistenele divizorului R1, R2).
Coeficientul de amplificare a tensiunii:
;
0
E
C
E E
C C
BE E E
C C
B
C
i
R
R
I R
I R
U R I
R I
U
U
U
U
K =
A
A
~
A + A
A
=
A
A
=
A
A
=
Dac K < 15, atunci AU
BE
<< AI
E
R
E
i aceast cretere poate fi neglijat. (dac avem nevoie de K >
15, facem mai multe etaje).
Considerm AIc

~ AI
E
i deci:
;
E
C
U
R
R
K ~ (2)
n relaia (2) stabilim R
E
: ;
2
U C U
C
E
K I
U
K
R
R
+
= =
Pentru a calcula R1 i R2

avem nevoie de curentul bazei I
B
:
;
|
C
B
I
I = (3)
Curentul prin divizor: ( ) ; 20 10
B d
I I = (4)
; 2 1
d
I
U
R R
+
= + (5)
Din (5) reiese c: ; 2
B d
E E BE
B d
B
I I
R I U
I I
U
R
+
+
=
+
= (6)
Rezistena ( ) ( ); 6 5 1 = R
2.3. Caracteristicile tranzistorului

Dac tranzistorul este desenat ca un cuadrupol, se pot prezenta situaiile din figura 2.6, n funcie de
electrodul pus la mas (comun intrrii i ieirii).
Caracteristicile statice dau relaia dintre dou din mrimile de la bornele cuadripolului (tensiune
sau curent), cnd o a treia este meninut constant.
Cea mai des sunt folosite caracteristicile de ieire I
C
=](U
CE
), cnd I
B
=const. Curentul bazei se determin
conform punctului de lucru.
Se disting 3 zone pe planul desenat: Regimul de saturaie, regimul de tiere, regimul activ
(regiunea nehaurat) (fig. 2.10).
U
BE

I
B

Fig. 2.11 Caracteristica de intrare.
I
B0

U
CE

I
C

I
Cmax

I
B1

I
B2

I
B3

I
B4

I
B5

I
B6

I
C0

I
C0

U
C

U
C0

U
+

Regim de saturaie
Regim de tiere
P
max

Fig. 2.10 Caracteristicile de ieire
ale tranzistorului cu emitorul comun.

pdfMachine

14
Linia P
max
este linia care ne determin puterea maximal pe care o degaj tranzistorul dat.
Caracteristicile nu trebuie s ias n afara acestei linii.
n caracteristica de intrare (fig. 2.11) fixm pe grafic I
B0
i gsim U
B0
- tensiunea n punctul de
lucru. I
BO
- curentul bazei n punctul de lucru.
Mai departe efectum calculul divizorului.
n caracteristica de transfer gsim punctul de lucru, tensiunea de alimentare i curentul maximal:
I
U
R R
C
C E
max
; =
+
+
(7)
Ducnd o dreapt prin I
Cmax
i punctul de lucru, determinm amplitudinea tensiunii la ieire U
C0
.
Dac nu ne convinge aceast tensiune atunci schimbm parametrii. Tot din acest grafic gsim i curentul la
ieire I
C0
.
Avem sistemul:
=
+
=
+
;
;
max
E
C
U
E C
C
R
R
K
R R
U
I
(8)
Din sistemul (8) gsim R
E
i R
C
. Calcularea divizorului:
( ) ; 20 10
0 B
E C
I
R R
U
~
+
+

( )
;
20 10
2
0 0
+
=
B
E E BE
I
I R U
R - dimensionarea grafoanalitic.
Dac avem nevoie de o stabilizare mai mare, alegem 20, iar dac - de un coeficient mare de
amplificare, lum 10.
2.4. Conectarea tranzistorului cu baz comun.
Potenialul bazei nu se va schimba deoarece ea este unit
la pmnt. Stabilirea punctului de lucru va fi similar.

2.5. Conectarea tranzistorului cu colector comun.

n cazul dat semnalul se scoate de la emitor. ;
2
1
0
+
~ U U
B
-
punctul de lucru.
| | ; 100 10
2 1
O ~ ~ k R R
;
2
1
E
E
I
U
R
+
=
I
E
se alege reieind din puterea, care trebuie s-o primim la
ieire.

U
i

R1
R2
R
C

R
E

U
+

Fig. 2.12. Conectarea tranzistorului cu
baz comun
C
B

U
i

R1
R2
R
E

U
+

U
0

Fig. 2.13. Repetor pe emitor

pdfMachine

15

Descrierea conectrilor tranzistorilor.
g
m
= ;
0
i
I
I
A
A
- conductibilitatea de transfer.
Aceste scheme pot fi utilizate:
Para-
metrul
EC BC CC

Rezis-
tena de
intrare r
i

( ) ( )
;
|| ||
max
2 1
O ~ =
= =
+ =
=
k
I
U
r r
R r R R
r
C
T
BE i
E BE
i

; 10 10
1
2 1
O ~ =
= =
=
|
|
.
|
\
|
+ =
C
T
BE
CE
C BE
i
I
r
r
R r
r
|
|

; 10
5
O ~
~ + =
EB BE i
R r r

Rezis-
tena de
ieire r
0

;
0
O ~ = k r r
C

;
0
O ~
+
= =
k
R r
r r
d BE
C
|

; ||
; 10 10
||
||
2 1
2 1
0
R R R
I
R
R r
R r
d
C
T
E
d BE
E
=
O ~
~ ~
~
+
=
|

Coefici-
entul de
ampli-
ficare n
curent
K
I
= ;
0
i
I
I
A
A

;
1
1
| | ~
+
=
=
CE
C
I
r
R
K

; 1
1
1
~
+
=
|
|
I
K

;
1
1
|
|
~
+
+
=
CE
E
I
r
R
K
Coefici-
entul de
ampli-
ficare n
tensiune
K
U
=
;
0
i
U
U
A
A

;
T
C
C m
CE
BE
C BE
C
U
U
R g
r
r
R r
R
K
|
= ~
~
+
=
=

;
T
C
C m
CE C
CE C
BE
U
U
R g
r R
r R
r
K
|
= =
=
+
=
=

1
1 1
1
1
~
~
+ +
=
=
CE E
BE
U
r R
r
K
|

pdfMachine

16
- dac rezistena r
i
e mare, n schemele unde nu influeneaz la semnalele de intrare (amplificatoare) (fig.
2.9).
- la amplificatoare a semnalelor cu frecvene foarte mari (fig. 2.11, rezistena r
i
i coeficientul K
I
sunt mici),
deoarece ntre colector i baz exist o capacitate mare i mrete banda de frecven. i n aceste circuite
sunt utilizate rezistene mici.
- la surse de semnale cu rezisten intern mare (fig. 2.12).Transform rezistena nalt n rezisten joas.
2.6. Etajul - tranzistor cu efect de cmp
Tranzistorii cu efect de cmp (TEC) reprezint dispozitive electronice, funcionarea crora se
bazeaz pe modificarea conductanei unui canal semiconductor sub influena cmpului electric. TEC se pot
mpri n dou pri: a) TECJ i b) TECMOS.
a) TECJ - TEC cu jonciune. ntr-un cristal se realizeaz o jonciune p-n
astfel nct s rmn un canal ngust prin care poate s circule curent. Cele dou
capete ale canalului de tip n sunt contactate construind drena D i sursa S. Poarta
G - semiconductor de tip p, nconjoar canalul n.
Dac aplicm la G un potenial negativ fa de surs, atunci bariera se va
lrgi i la un moment dat jonciunea poate s nchid tot canalul i rezistena va
deveni brusc mare. Curentul nu va mai putea traversa canalul. Diferena de
potenial care este necesar pentru lichidarea curentului se numete tensiune de
prag. (n cazul dat este negativ fa de surs). Din cauza c ntre D i S exist tot
o diferen de potenial U
DS
=U
GS
, se deosebesc 3 regimuri de funcionare a
tranzistorului:
1) Regimul de tiere - cnd tensiunea ntre gril i surs i respectiv ntre
surs i dren sunt mai mici ca tensiunea de prag. n acest caz canalul se
nchide.U
DS
=0; U
GS
<U
prag
.
Pentru ca s parcurg un curent prin canal, aplicm la
dren o tensiune pozitiv i se deschide canalul n
apropierea sursei;
1) Regimul de saturaie - cnd se deschide canalul
la mrirea tensiunii la gril. U
GS
>U
prag
; U
GD
<U
prag
,
Canalul este deschis n domeniul sursei i nchis n
domeniul drenei (fig. 2.15).
2) Dac mrim i mai mult tensiunea la gril pn
cnd U
GD
>U
prag
, avem regimul liniar - canalul este nchis
pe toat ntinderea.

Exemplu:
n fig. 2.16 este reprezentat
caracteristic de ieire. La tensiunea U
GS
=
= -4V = U
prag
canalul este nchis. Regimul
de tiere coincide cu axa orizontal. n
regimul liniar are loc legea lui Ohm.
n cazul utilizrii TEC ca
amplificator se folosete regimul de
saturaie. Avantajul TEC const n aceia
electrodul de intrare G este izolat de ceilali
doi electrozi i este polarizat invers. Deci
rezistena de intrare este foarte mare.
2.7. Conectarea TEC.
D
G
S
n
p
Fig. 2.14. Tranzistorul
TEC-j
D
G
S
n
p
Fig. 2.15. TEC-j n
regim de saturaie
U
DS

Fig. 2.16. Caracteristicile de ieire pentru
TEC-j
I
D

U
GS0

0 V
-2 V
-4 V
-3 V
-1 V
R. Liniar
R.

pdfMachine

17
Rolul rezistenelor este de a crea regimul
tranzistorului (fig. 2.17), cu alte cuvinte trebuie s
plasm punctul de lucru la mijlocul caracteristicilor
(regimul de saturaie). R
S
- servete pentru crearea
diferenei de potenial U
GS
a punctului de lucru.; R
D
-
rezistena de sarcin; R
G
- egaleaz cu 0 potenialul
de la poart G.
Potenialul porii n punctul de lucru:
U I R
GS S S 0 0
= ; (9)
(deoarece poarta este mai negativ.)
I
S0
- Curentul sursei n punctul de lucru.
Deci: R
U
I
S
GS
S
=
0
0
;
(10)

n lipsa semnalului la intrare etajul este U= -3 V, tensiunea punctului de lucru este constant. A
doua component este semnalul alternativ. n fine avem suma acestor dou componente - semnalul total.
I
GS0
i I
S0
gsim din grafic.
R
S
mai are i funcia de reacie negativ. Poate s se ntmple ca K
U
<1 i pentru ca s evitm acest
lucru (adic s mrim coeficientul de amplificare), conectm capacitatea C
S
. Deci la surs tensiunea nu se
va schimba, deoarece cu ajutorul condensatorului C
S
scurtcircuitm componenta alternativ. Deci reacia
negativ dispare.
;
2
20 10
min S
S
R f
C
t

= (11)
;
D S D
R
U
R R
U
I
+ +
~
+
= (deoarece R
S
<<R
D
) ( ) I f U U
D G D
= , ;
;
D
D
D
G
G
D
D
U
U
I
U
U
I
I A + A = A
c
c
c
c
(12)
Fig. 2.18. Construirea caracteristicilor de transfer TEC-j
Semnal de intrare
aplicat la surs.
I
D

I
D0

U
GS

U
G

U
DS

I
D

Punctul de lucru
U
GS0

-2 V
-4
-3
-1 V
U
D

U
+

i
D

U
i

R
G

R
D

R
S

U
+

Fig. 2.17. Conectarea TEC-j
U
0

C
S

C

pdfMachine

18
S
I
U
tg
R
U
I tg
D
G
i
D
= =
= =
c
c
o
c
c |
;
;
- pant (transconductan)
- rezistena intern a tranzistorului.
1
(13)
Lund n consideraie (12), din (13) obinem:
A A A I S U
R
U
D G
i
D
= +
1
; (14)
Dac avem o variaie a tensiunii la poart, adic AU
G
= U
i
, aceasta duce la variaia curentului: AI
D
=
i
D
; n aa fel c va aprea tensiunea:
AU u R I
D D D
= = ; (15)
Dac (14) introducem n (15)obinem: i SU
R
R
i
D i
D
i
D
= ; (16)
De aici: i SU
R
R R
D i
i
i D
=
+
; (17)
Tensiunea la ieire: u i R SU
R R
R R
D D i
i D
i D
0
= =
+
; (18)
Relaia (18) arat tensiunea la ieire fa de curentul alternativ la intrare.
De aici:
K
u
u
S u
R R
R R
U
i
i
i D
i D
= =
+
0
; (19)
Aceasta a fost o cuplare cu sursa comun,
rezistena R
i
este mare. Este de evideniat c semnalul la
intrare e invers semnalului la ieire. K
U
este mai mic ca la
tranzistorii bipolari.
Mai poate fi utilizat i schema cu dren comun
(fig. 2.19). Semnalul la intrare este acelai ca i la ieire,
de unde i denumirea - repetor.
Amplificarea dup tensiune nu are loc. Avem la
intrare o rezisten mare i amplificm numai curentul, la
ieire avem o rezisten mic.
Conectarea cu poart comun nu se practic.
2.8. Cuplarea ntre etaje.
Ca regul nu este destul un singur etaj pentru
prelucrarea semnalelor. Ieirea unui etaj se cupleaz cu intrarea altui etaj.
1. Cuplajul prin condensator. Tensiunea la baz trebuie s fie mai mic ca la colector (fig. 2.20).
Este utilizat cel mai des. Avantajul: constituie faptul c din punct de vedere tehnologic condensatorul se
execut uor i are o band de frecven larg. Dezavantajul: c nu se acord impedana de ieire a primului
etaj cu impedana de intrare a etajului al doilea. Se utilizeaz n amplificatoarele de frecven intermediar.

U
i

R
G

R
S

U
+

Fig. 2.19. Schema cu dren comun
U
0

C
Fig. 2.21. Cuplajul prin transformator
Fig. 2.20. Cuplajul prin condensator
U
+

U
+

U
+

pdfMachine

19

2. Altfel de cuplaj (fig. 2.21) este cuplajul prin transformator. Legtura galvanic nu exist.
Avantajul astfel de legturi const n aceia c prin potrivirea numrului de spire n bobina primar i
secundar, se pot acorda impedana de intrare a etajului doi cu impedana de ieire a primului etaj. Astfel se
obine un ctig n amplificare. Dezavantajul: transformatorul din punct de vedere tehnologic este mai
complicat. Dac este miez din fer, atunci apar distorsiuni neliniare.
n prezent aceast legtur se utilizeaz n circuitele de frecven nalt i intermediar, unde
bobinele transformatorului deseori servesc i ca bobine a circuitelor oscilante. La frecvene nalte nu este
numaidect s fie transformator cu miez.
3. Alt tip de cuplaj este cuplajul direct. Avantajul: nu este nevoie de elemente n plus, legtura este
independent de frecven. Este necesar de a avea tranzistor de diferit polaritate. i regimurile trebuiesc
acordate bine. Cuplajul direct se utilizeaz mai des n circuitele integrate.

Problema 9.
n schema din fig. 2.27 R
E
=5 kO, R
L
=10 kO, E
E
=10
V, E
C
=30 V. De calculat tensiunea colector-baz U
CB
.

Rezolvare:
Dac temperatura, la care lucreaz tranzistorul nu este
mare, atunci se poate considera I
CB0
~0. Coeficientul de
transmisie a curentului emitorului o l considerm egal cu
unitatea. Neglijnd potenialul la jonciunea colectorului
poate fi scris: ( ) mA R E I
E E E
2 10 5 10
3
= = = ,
iar curentul colectorului mA I I I
E E C
2 = ~ ~ o .
Prin urmare: . 10 10 2 30 V R I E U
L C C CB
= = =

Problema 10.
n schema din fig. 2.28 E
E
=2 V, R
E
=2 kO, R
B
=15
kO, E
B
=3 V, R
L
=4 kO, E
C
=16 V. Tranzistorul are
parametrii: o=0,98; I
CB0
= 10 A. De calculat curentul
colectorului.

Rezolvare:
Utiliznd legea II a lui Kirchoff pentru circuitul de
intrare (emitor - baz) i neglijnd tensiunea U
BE
la
jonciunea emitorului, putem scrie:
.
B B E E B E
R I R I E E + = +
Curentul bazei:
( ) ; 1
0 KB E B
I I I = o
prin urmare,
( ) | | , 1
0 B CB E E E B E
R I I R I E E + = + o
de unde:
( ) ( )
mA
R R
R I E E
I
B E
B CB B E
E
4 , 2
98 , 0 1 15 2
15 01 , 0 3 2
1
0
=
+
+ +
=
+
+ +
=
o
.
-
+
- +
E
E

E
C

R
L

R
E

-
+
E
E

R
L

R
E

-
+
E

R
L

-
+
E

pdfMachine

20
Gsim curentul colectorului:
mA I I I
CB E C
36 , 2 10 10 10 4 , 2 98 , 0
6 23
0
~ + = + =

o .

Problema 11.
Un tranzistor folosit n schema din fig. 2.29. are parametrii:
E
C
=28 V, R
B
=15 kO, R
E
=1 kO, R
L
=2 kO. De calculat la care tensiune
de intrare minimal, tranzistorul va lucra n regim de saturaie. Se
consider c la hotarul regimului de saturaie |=9.
Rezolvare:
n regimul de saturaie tensiunea U
CE
~0. Tensiunea de intrare:
.
B B E E in
R I R I U =
Tensiunea sursei de alimentare a colectorului:
L C E E C
R I R I E = .
Curentul emitorului ( ) 1 + ~ |
B E
I I .
Curentul colectorului
B C
I I | ~ .
Prin urmare, tensiunea de intrare
( ) | | ( ) | |
B E B B B E B in
R R I R I R I U + + = + + = 1 1 | | .
Dac tensiunea sursei de alimentare
( ) ( ) | |
L E B L B E B C
R R I R I R I E | | | | + + = + + = 1 1 ,
atunci curentul bazei
( )
( )
mA
R R
E
I
L E
C
B
1
10 2 9 1 9 10
28
1
3 3
=
+ +

=
+ +
=
| |
.
n aa fel, definitiv primim ( ) V U
in
25 15 1 9 1 = + + = .

Problema 12.
n schema din fig. 2.30 (R
B
=50 kO, R
L
=10 kO, E
C
=24 V)
se folosete tranzistorul cu coeficientul de transfer a curentului
bazei |=9. De calculat tensiunea colector-emitor U
CE
.

Rezolvare:
Neglijnd curentul I
CB0
, avem
( )
( )
B L CE C
L B C L E C CE
R R U E
R I E R I E U
1
1
+ =
= + = =
|
|

de unde
( )( )
( )
V
R R
E
U
B L
C
CE
8
1 9
10 50
10 10
1
24
1 1
3
3
=
+
|
|
.
|
\
|
+
=
+ +
=
|

Problema 13.
n schema din fig. 2.31. se folosete tranzistorul cu coeficientul
de transfer a curentului bazei |=50 i cu curentul indirect a jonciunii
colectorului I
CB0
=10 A. Se tie, c I
C
=1 mA, E
C
=15 V U
CE
=6 V. De
calculat rezistena bazei R
B
i rezistena sursei R
L
.
Rezolvare:
Pentru curentul colectorului:
( ) 1
0
+ + = | |
CB B C
I I I ,
de unde:
E
C

R
E

U
in

R
B

R
L

I
E

I
C

I
B

E
C

U
CE

R
B

R
L

I
C

I
B

E
C

U
CE

R
B

R
L
I
C

I
B


pdfMachine

21
( )
A
I I
I
CB C
B

|
|
10
50
10 49 , 0 1
3
0
~
=
+
=

.
Rezistena bazei: O =
= =

M
I
E
R
B
C
B
5 , 1
10 10
15
6
.
Tensiunea de alimentare
L C CE C
R I U E + = ,
de unde O = =
=

M
I
U E
R
C
CE C
L
9 10 9
10 1
6 15
3
3
.

Problema 14.
Pentru schema amplificatorului din fig. 2.32 de calculat
R1, R2, R3, R4, dac punctul de lucru este caracterizat de
parametrii: I
C
=1 mA, U
CE
= - 6 V. Coeficientul de amplificare n
tensiune
K
U
= -8.
Rezolvare:
Aici
. 8 10 8 10
3 3
V R I U
L C R
L
= = =

tiind U
CE
aflm
tensiunea rezultant a rezistenelor colectorului
V U
E
16 8 6 30 = = . Neglijnd curentul I
CB0
, primim
A I I
C B
| 20 50 10 1
3
= = =

. Prin urmare
mA I I I
B C E
02 , 1 02 , 0 1 = + = + = .
Pentru K
U
s 10 are loc relaia aproximativ:
E L U
R R K ~ , de unde:
O = = = k K R R
U L E
1 8 10 8
3

Cum se vede, rezistena R
E
este rezistena R3. Tensiunea pe aceast rezisten este:
V R I U
E R
1 10 02 , 1 10 1 3
3 3
4
~ = =

.
Respectiv V U
R
15 1 16
4
= = . n aa fel: ( ) O = =

k R 15 10 1 15 4
3
.
Calculul rezistenelor divizorului. Pentru funcionarea stabil a schemei este necesar ca curentul din
rezistorul R2 s fie de 5-10 ori mai mare ca curentul bazei. Deoarece I
B
=20 A, lum I
div
=200 A.
Neglijnd tensiunea la jonciunea emitorului, se poate considera, c U
B
~U
E
~ -16 V, de unde
( ) O = =

k R 80 10 200 16 2
6
.
Determinm R1:
( ) ( ) ( ) ( ) O = = + + =

k I I U E R
div B E C
5 , 63 10 220 16 30 1
6
.

Problema 15.
Tranzistorul cu efect de cmp cu curentul drenei
I
Dmax
=2 mA; i conductana de transfer S
max
= 2 mA/V,
este conectat n schema amplificatorului din fig. 2.33. cu
surs comun. Rezistena sursei R
L
=10 kO. De calculat
coeficientul de amplificare dup tensiune dac:
a) U
GS
= -1 V;
b) U
GS
= -0,5 V;
c) U
GS
= 0 V.

Rezolvare:
R
L
=8 kO
|=50
R3
R4
R2
R1
I
B

I
C

I
E

E=-30 V
U
i

R
G

R
D

R
S

U
+

U
0

C
S

C

pdfMachine

22
Gsim tensiunea porii: U
p
=2 I
Dmax
/S
max
= 2,2 10
-3
/(210
-3
) = 2 V.
Determinm panta caracteristicii tranzistorului pentru U
GS
= -1 V:
S = S
max
(1 - U
GS
/U
p
) = 2(1 - 1/2) = 1 mA/V.
Coeficientul de amlificare n tensiune:
K
U
= S R
L
= 1 10
-3
1010
3
= 10.
Pentru tensiunea U
GS
= -0,5 V avem:
S = 2(1 - 0,5/2) = 1,5 mA/V.
K
U
= S R
L
= 1,5 10
-3
1010
3
= 15.
Pentru tensiunea U
GS
= 5 V avem:
S = 2(1 - 0/2) = 2 mA/V.
K
U
= S R
L
= 210
-3
1010
3
= 20.
Problema 16:
Pentru un tranzistor cu efect de cmp (fig. 2.33) cu I
Dmax
= 1 mA i U
p
= 4 V de calculat:
a) curentul care va trece la conectarea indirect a tensiunii U
GS
= 2 V;
b) panta S i panta maximal S
max
n acest caz.
Rezolvare:
a) Curentul l aflm din relaia I
C
= I
Dmax
(1-U
GS
/U
p
)
2
= 110
-3
(1 - 2/4)= = 0,25 mA.
b) Panta caracteristicii tranzistorului cu efect de cmp:
S
I
U
I
U
U
U
mA V
C
GS
D
p
GS
P
= =
|
\
|
.
| =

|
\
|
.
|
=
A
A
2
1
2 10
4
1
2
4
0 25
3
max
,
Panta maximal: V mA
U
I
S
p
D
5 , 0
4
10 2
2
3
max
max
=
= =

.

Problema 17.
n amplificatorul schema cruia este
reprezentat n fig. 2.34, la U
GS
= 2 V curentul
drenei este I
D
= 1 mA. De calculat:
a) Rezistena rezistorului R
S
, dac tensiunea ce
cade pe R
G
poate fi neglijat;
b) Tensiunea E, dac R
L
= 10 kO, U
DS
= 4 V.
Rezolvare:
R
S
= U
GS
/ I
D
= 2,0/110
-3
= 2 kO;
E = I
D
R
L
+U
DS
+ I
D
R
S
= 10 + 4 + 2 = 16 V.

Problema 18.
Tranzistorul cu efect de cmp cu canal de tip n se folosete n amplificatorul schema crui este
reprezentat n fig. 2.33. Tensiunea de prag U
p
= -2 V, curentul drenei maximal I
Dmax
= 1,8 mA. Se tie, c
la tensiunea sursei U = 20 V curentul drenei I
D
= 1 mA. Modulul coeficientului de amplificare n tensiune
K
U
= 10. De calculat:
a) Tensiunea gril-surs U
GS
;
b) Panta tranzistorului n punctul de lucru S;
c) Rezistena rezistorului sursei R
S
;
d) Rezistena n conturul drenei R
D
;
Se consider, c rezistena intern a tranzistorului R
i
>>R
D
i c la frecvena de lucru rezistena
capacitii este foarte mic.

Rezolvare:
Determinm tensiunea gril surs U
GS
, folosind expresia:
I
C
= I
Dmax
(1-U
GS
/U
p
)
2

nlocuind datele cunoscute obinem:
U
i

R
G

R
L

R
S

E
C
S

C

pdfMachine

23
110
-3
= 1,810
-3
(1 - U
GS
/2)
2
, de unde U
GS
= 0,5 V.
Calculm panta maximal a caracteristicii dispozitivului:
V mA
U
I
S
p
D
8 , 1
2
10 8 , 1 2
2
3
max
max
=

= =

Prin urmare, panta tranzistorului n punctul de lucru:
S
I
U
U
U
mA V
D
p
GS
P
=
|
\
|
.
| =
|
\
|
.
|
=
2
1 18 10 1
0 5
2
1 35
3 max
,
,
,
Calculm rezistena n conturul sursei:
R
S
= U
GS
/I
D
= 0,5/(110
-3
) = 0,5 kO..
Lund n consideraie, c R
i
>>R
D
, R
S
se calcul din relaia K
U
=S R
L
,, de unde:
R
S
= K
U
/S = 10/(1,3510
-3
) = 7,4 kO..
Problema 19.
Repetorul pe surs (fig. 2.35) are curentul drenei
I
D
= 5 mA i S = 2 mA, R
L
= 500 O, U
Rs
= U
SD
. De
calculat urmtoarele mrimi: a) K
U
; b) R
ie
; c) E
D
.

Rezolvare:
Aici
K
U
= SR
S
/(1+R
S
) = 210
-3
500/(1+210
3

500) =0,5;
R
ie
= R
S
/(1+R
S
) =500/(1+210
3
500) =250 O;
U
RL
= I
D
R
L
= 510
-3
500 = 2,5 V; E
D
=
2,5 + 2,5 5 V.

Capitolul III
REACIA N CIRCUITELE ELECTRONICE
3.1. Tipurile de reacie
Prin reacie vom nelege procedeul de aplicare a unei pri din semnalul de ieire la intrare.
Circuitele prin care se realizeaz aceast transmitere le vom numi bucl de reacie. n dependen de aceia
cum este scos semnalul de la ieire, deosebim: reacie n curent i reacie n tensiune.
1. Presupunem c avem un etaj amplificator (fig. 3.1), unde
Z
r
- impedana de reacie. Tensiunea care formeaz reacie
este scoas de pe o rezisten legat n serie cu
amplificatorul. Avem reacie n curent, deoarece tensiunea
ntoars la intrare este proporional cu curentul. U
r
~ I
0
.
2. n fig. 3.2 avem un etaj amplificator unde Z
r
- impedana
de reacie. Tensiunea care formeaz reacie este scoas de pe
o rezisten legat n paralel cu amplificatorul. Avem reacie
Zr Ui
U
0

Ur
Fig. 3.1. Reacie n curent
R
G

R
S

C
E
D

E
G

U
in

R
L

pdfMachine

24
n tensiune, deoarece tensiunea ntoars la intrare este proporional cu tensiunea. U
r
~ U
0
.
3. Mai exist reacie mixt (varianta combinat),
reprezentat n fig. 3.3. n cazul dat avem reacie parial
n curent i parial n tensiune. Practic ntotdeauna este
reacia mixt, ns noi idealizm cazurile. O parte a
semnalului scos de la ieire U
r
se aplic la intrare.

Dup felul de aplicare a semnalului la intrare deosebim:
1. Reacia serie (Fig. 3.4 semnalul de reacie este unit n serie cu sursa).
2. Reacie paralel (fig. 3.5 semnalul de reacie este unit n paralel cu sursa).
3. Reacia mixt (varianta combinat, semnalul de reacie este unit i n paralel i n serie) (fig. 3.6).

Z
1

U
i

U
0

U
r

Fig. 3.2. Reacie n tensiune
Z
r

Z
1

U
i

U
0

U
r

Fig. 3.3. Reacie mixt
Z
2

Z
r

Z
1

U
r

Fig. 3.4. Reacia serie
Z
U
r

Fig. 3.5. Reacia paralel
Z
1

U
r

Fig. 3.6. Reacia combinat
Z
2

Z
4

Z
3

pdfMachine

25

Ca exemplu de reacie n curent, serie poate servi rezistena R
E

din schema conectrii tranzistorului cu emitor comun, deoarece U
r
se
adaug la U
i
, n aa fel rezistena se mrete (fig. 3.7).
Pentru a caracteriza cantitativ reacia se utilizeaz coeficientul de
reacie , care pentru putere reprezint: ;
0
P
P
r
P
= pentru curent: ;
0
I
I
r
I
=
pentru tensiune:
.
0
U
U
r
U
= (1)
Practic se utilizeaz
U
i se noteaz simplu - coeficientul de reacie al
schemei.
Pentru o analiz general vom utiliza schema din fig. 3.8. care
reprezint un amplificator cu coeficientul K:
1
.
0
.
.
U
U
K = (2)

coeficientul de transfer:
i
r
U
U
K
.
0
.
.
= (3)
Relaiile dintre aceste mrimi:
r i
U U U
. .
1
.
+ = (4)
mprim (4) la U
0
:
0
.
.
0
.
.
0
.
.
1
U
U
U
U
U
U
r i
+ = (5)
Obinem:
.
. .
1 1
+ =
r
K K
(6)
.
1
.
.
.
K
K
K
r

= (7)
U
0

I
0

K
U
i

U
1
I
1

U
r
I
r

Fig. 3.8. Schema pentru analiz general a
reaciei
U
+

Fig. 3.7. R
E
- reacie serie
n curent
R
E

U
i

pdfMachine

26
( )
;
1
K
K
e K
K
e K
j
r

= (7')
3.2. Reacia negativ:
Reacia negativ are loc atunci cnd
K
+
= t = 180
o
, n acest caz:
K K =
. .
. i ;
1 K
K
K
r
+
= (8)
Relaia (8) ne caracterizeaz reacia negativ. K
r
< K. Semnalul care este ntors prin bucla de reacie e
invers semnalului aplicat la intrare. n acest caz semnalul din bucl se va scdea din semnalul aplicat la
intrare. Reacia negativ mbuntete proprietile amplificatorului.

3.3. Influena reaciei negative asupra stabilitii amplificatorului.
Amplificatorul are mai multe elemente care au anumite erori, care pot s influeneze asupra
proprietilor amplificatorului. Pornind de la expresia (8) lum derivata ei:
( )
( ) ( )
;
1
1
1
1
2 2
K K
K K
K d
K d
r

+
=
+
+
= (9)
Descompunem n difereniale:
( )
.
1
2
K
K d
K d
r
+
= (10)
mprim (10) la (8) i obinem:
.
1
1
K K
K d
K
K d
r
r
+
= (11)
Eroarea relativ a amplificatorului cu reacie (termenii de instabilitate) este de 1+K ori mai mic de
ct eroarea relativ a amplificatorului fr reacie. De obicei produsul K, care poart denumirea de
coeficient de amplificare n bucla nchis. (K >> 1).
Cum reiese din (8), dac K >> 1, atunci: ;
1
~
r
K
3.4. Influena reaciei negative asupra impedanei de intrare Z
i
.
a) Cazul reaciei serie (conectrii serie). Dup definiie
i
i
ir
I
U
Z = , pentru cazul nostru U
i
este U
1
+U
r

(deoarece U
r
este reacie negativ) deci:
( ) ( ) K Z K
I
U
I
KU U
I
U U
I
U U
Z
i
r
ir

+ = + =
+
=
+
=
+
= 1 1
1
1
1
1 1
1
0 1
1
1
(12)
Expresia (12) ne demonstreaz c reacia negativ serie mrete impedana de intrare de (1+K) ori,
ceia ce poate fi util cnd avem o surs cu o rezisten mare.
b) Cazul conectrii paralele a reaciei (U
1
=U
i
). n acest caz .
1 r
i
ir
I I
U
Z
+
=
( )
r r r
r
r
Z
K U
Z
U U
Z
U U
I
+
=
+
=
+
=
1
1 0 1 1
(13)
r i r i
r
i ir
Z
K
Z Z
K
U
I
U
I
U
I
Z
+
+ =
+
+ = + =
1 1 1 1
1
1 1
(14)
1/Z - conductivitatea proprie a amplificatorului fr reacie.
n cazul conectrii paralele a reaciei conductibilitatea schemei se va mri cu (1+K) ori, deci rezistena se
va micora.

pdfMachine

27
3.5. Reacia pozitiv.
Ne ntoarcem la expresia (7') i presupunem c K+=2tn (n=0,1,2,...)
n acest caz K K =
. .
; obinem ;
1 K
K
K
r
+
= K
r
> K (0< K <1)
Cazul cnd K 1 i K
r
(semnalul la intrare chiar dac e zero, la ieire oricum vom avea
semnal) - reprezint condiia de autooscilaie. n acest caz obinem un oscilator (dispozitiv care genereaz
singur semnal).
Reacia pozitiv se utilizeaz mai mult pentru a obine oscilatoare.
Capitolul IV
AMPLIFICATOARE DE PUTERE (ETAJE FINALE)
De obicei n schemotehnic se practic: dac avem un semnal slab - mai nti amplificarea n
tensiune (deoarece are o rezisten mare la ieire), ns pe noi n final ne intereseaz puterea, dei n etajul
final noi avem nevoie de a urma amplificarea n curent. Trebuie de considerat i randamentul mare.

4.1. Amplificatorul final n contratimp cu transformator (regimurile B i AB)

Avem tranzistorii conectai cu
emitor comun (fig. 4.9). Deci folosim
caracteristicile pentru emitorul comun. n
amplificatorul dat se utilizeaz regimul B
pentru tranzistor, ceea ce nseamn c n
fiecare semiperioad funcioneaz cte un
tranzistor (semiperioad pozitiv - un
tranzistor, semiperioad negativ - alt
tranzistor).
n cazul cnd semnalul lipsete
curentul prin ambii tranzistori este
minimal.
Punctul de lucru (adic punctul
iniial) este punctul B' de pe grafic (fig. 4.10). Puterea degajat n starea iniial este aproape egal cu zero.
Pentru excluderea distorsiunilor neliniare, cu ajutorul rezistenelor R1 i R2 se stabilete curentul
punctului de lucru:
I
C min
= (0,050,15) I
CM
. (1)
Calculul se face pentru unul din brae.
U E
U
CM
Cadm
~ s
2
;
Ui
R1
R2
T1
T2
R
L

Fig. 4.9 Amplificatorul final cu transformator
(regimurile B i AB)
Tr1
Tr2
Fig. 4.10. Caracteristicile pentru
regimurile B i AB
U
CE

I
C

l
B
U
Cmin

U
CM

E
C

AE
I
Cmin

I
CM

I
Cmax

pdfMachine

28
unde: U
cadm,
I
Cadm
- tensiunea i curentul admis pentru tranzistor.
I
CM
s I
Cadm

Fiecare din brae va dezvolta puterea:
' = '' = P P
P
L
transf
q
.
; (2)
P
P
I U
L
transf
CM CM
= =
2 1
2 q
; (3)
unde P - reprezint puterea degajat de amplificator n sarcin.
Puterea consumat de la surs:
P E
I
I
EI
E
CM
C
CM
= +
|
\
|
.
|
= 2
2
t t
min
; (4)
Randamentul amplificatorului:
q
t
= =
P
P
E
4
; (5)
unde: =
U
E
CM
- coeficientul de utilizare a sursei de alimentare.
q
max
= 78,5%, dac = 1, U
CM
= E.
Puterea dezvoltat de tranzistor va fi maximal n cazul cnd amplitudinea tensiunii i a curentului
au o valoare intermediar I
*
CM
, U
*
CM
:
I
*
CM
=
*
I
CM
; U
*
CM
=
*
U
CM
;
2P P P
C E
= (6)
nlocuim relaiile (3) i (4) n (6). n acest caz:
2
2 1
2
2
2
2
P E I I U I E
C C CM CM CM CM C
= =
|
\
|
.
|
- - -
- -
t

t

;
rezolvm ecuaia i obinem pentru puterea maximal:
*
= 2/t = 0,637; q
*
= t/4
*
= 0,5;
Deci: P P
C max
; =
2
2
t
unde P - puterea medie. Avnd
aceast valoare, alegem tranzistorul.
Regimul bazei se va determina dup caracteristica de intrare
(fig. 4.11).
Alegem rezistenele R1 i R2 dup metodele care le-am
folosit mai nainte.
Puterea de intrare:
P
I U
i
BM BM
=
2
; (7)
Coeficientul de amplificare n putere:
K
P
P
P
L
i
= ;
Rezistena de intrare a amplificatorului:
R
U
I
i
BM
BM
= ; (8)
Pentru evoluarea distorsiunilor neliniare se va construi dependena I
C
=](Ui) pentru valoarea dat a
lui R
G
pentru unul din brae (vezi cazul precedent). Cu ajutorul acestor caracteristici se vor determina
curenii I'
CM
, I'
1
, I'
Cmin
care corespund U
GM
, 1/2 U
GM
i U
GM
=

0.
Se introduce coeficientul de asimetrie a braelor b n aa fel c printr-un bra curentul este 1+b, iar
prin altul 1-b. (din ndrumar) b<1. Avnd aceste date gsim urmtoarele valori:
I
B
Fig. 4.11. Determinarea regimului
bazei dup caracteristica de intrare
U B
U OB
U BM
I
B
M
I
B
ma
x
I Bmin

pdfMachine

29
I
CM
= (1+b) I'
CM
; I
1
= (1+b) I'
1
; I
OC
= (1+b)I
Cmin
- (1-b) I'
Cmin
;
I
2
= - (1-b)I'
1
; I
C min
= -(1-b)I'
CM
.
Gsim amplitudinile armonicelor:
( ) I I I
C CM 1 1
2
3
= ' + ' ; ( ) I
b
I I
C CM C 2
3
2 = '
min
; ( ) I I I
C CM 3 1
1
3
2 = ' ' ; ( ) I
b
I I I
C CM C 4 1
6
4 6 = ' ' + '
min
.
Calculm coeficientul armonicelor:
K
I I I
I
G
C C C
C
=
+ +
2 3 4
1
2 2 2

4.2. Amplificatoarele de putere fr transformator
Avantajele: dimensiuni mici, posibilitatea de utiliza varianta circuit-integrat, distorsiuni neliniare
mici.
Amplificatoarele de putere fr transformator n regimul A:
n cazul dat avem conectarea colector comun (CC). Semnalul se aplic fa de pmnt. La intrare
deci e aplicat o jumtate din potenialul tensiunii de alimentare. Presupunem ca avem alimentare simetric
(E
+
=|E
-
|). n acest caz amplitudinea semnalului la ieire va fi limitat de amplitudinea maximal - posibil
a semiperioadei negative (tranzistorul este nchis).
U E
R
R R
Lm
L
L E
=
+
; (1)
Puterea sarcinii
( )
( )
P
U
R
E R
R R
L
Lm
L
L
L E
= =
+
1
2
1
2
2
2
2
; (2)
Puterea maximal ce se degaj n sarcin va fi cnd R
L
= R
E
(jumtate din tensiunea de alimentare):
P
E
R
L
E
max
=
2
8
; (3)
Puterea consumat de la sarcina de alimentare
P
E
R
E
E
=
2
2
; (4)
Puterea care se degaj n tranzistor
P P P P
T E L RE
= ; (5)
n cazul cnd avem P
L
= 0,
P
E
R
P
T
E
L
= =
2
8
max
; (6)
Dac la intrare e zero, la ieire semnalul tot e zero i curentul prin tranzistor e egal cu curentul prin R
E
, deci
P IE
E
R
E
E
R
T
E E
= = =
2

De aici se vede c randamentul e mic
q = = ~
P
P
L
E
max
%
1
16
6 .
4.3. Schema amplificatorului fr transformator
care funcioneaz n regimul B.
Dac la intrare avem zero, ambii tranzistori vor fi
nchii i curenii prin tranzistori va fi zero.
Dac aplicm la intrare un semnal sinusoidal,
tranzistorul de sus se deschide la +0,5 V, cel de jos - la -0,5
V (fig. 4.14). La ieire vom avea un semnal distorsionat. Ele
Fig. 4.13. Schema amplificatorului de putere
fr transformator
Ui
VT1
VT2
R
L

E
-

E
+

E
+

VD2
VD1
E
-

pdfMachine

30
pot fi nlturate n cazul cnd crem la intrare o tensiune mic iniial n aa fel ca primul tranzistor s se
deschid ndat, iar cnd se deschide primul, ndat se deschide al doilea. Pentru aceasta se introduc
divizori care craz aceast diferen de potenial (rezistene sau diode). n acest caz avem regimul AB.
(adic avem o diferen de potenial mic).
Amplitudinea semnalului n acest caz se determin de sursa de alimentare (pozitiv sau negativ
depinde de semiperioad).
U
Lm
= E
; (1)
U
CEsat
0.
P
E
R
L
L
max
=
2
2
; (2)
Totul cade pe sarcin.
P
E I
E
Lm
=
2
t
; (3)
unde: I
U
R
Lm
Lm
L
= ;
P
E
R
E
L
=
2
2
t
. (4)
q
t t
= = = =
P
P
E
R
R
E
L
E L
L max
, %
2
2
2 2 4
78 5 - avem un randament mare.
Puterea degajat pe tranzistor va avea valoarea maxim n cazul cnd:
E U
L
t
2
= ; (5)
(atunci cnd valoarea curentului i tensiunii au o valoare intermediar).

n acest caz:
P
E
R
T
L
=
1
2
2
t

Pentru micorarea distorsiunilor care apar din cauza c cnd semnalul e mai mic ca 0,5 V pentru
tranzistori se creeaz regimul AB cu ajutorul rezistenelor sau a diodelor conectate ntre baze n aa fel ca
curentul colectoarelor n punctul de lucru s fie I
C
= (0,050,15)I
lm
.
Astfel de etaj final nu amplific tensiunea din cauza c avem dou repetoare conectate n
contratimp. Obinem numai amplificare n curent. K
i
~ |+1 ~ |.

4.4. Calcularea parametrilor amplificatorului
de putere cu preamplificator.
Se d: P
L
, R
L
.
I
P
R
Cm
L
=
2
;
unde: P > 1,1P
L
- puterea degajat de ambele brae.
De aici se calculeaz amplitudinea curentului la colector:
U
P
I
Cm
Cm
=
2
;
U
Cmin
se determin din caracteristicile de ieire (fig. 4.16).
Puterea poate fi exprimat i ca:
P
U I
Cm Cm
=
2
;
|E|> U
Cm
+U
Cmin
s (0,40,5)U
Cadm

- 0,5 V
+ 0,5 V
Fig. 4.14. Formele semnalului cu
diodele VD1, VD2 i fr
Fig. 4.15. amplificatorului de putere cu
preamplificator
VT2
E
-
R1
E
+

VT3
VT1
R
C1

R
C1

R2
R3
R4
R
L

pdfMachine

31
Rezistenele de la R1 R4

stabilesc punctul de lucru A. Tranzistorii trebuie s fie complementari
(T2 i T3) - s aib aceiai parametri, coeficieni | i I
S
s fie aproape egali. Curentul divizorului trebuie s
fie de 4 -5 ori mai mare ca curentul bazei.
Curentul colectorului mediu:
I
I
Cmed
Cm
=
t
;
Puterea consumat de etaj: P
E
= 2EI
Cmed
. q =
P
P
E
.
Curenii n punctele limit a dreptelor de lucru I
BA
, I
BM
:
I
I
BA
CA
=
|
min
; I
I
Bm
Cm
=
|
min
;
I
CA
= (0,050,15) I
cm
.
Valorile tensiunilor U
BA
i U
Bm
. Se vor determina dup caracteristicile de intrare a tranzistorului
reieind din I
BA
i I
bm
.

Avnd aceste date putem calcula amplitudinea
semnalului la intrare:
U
im
= U
Bm
+ U
om
~ U
om
;
Puterea semnalului la intrare:
P U I
i i Bm
=
1
2
;
Coeficientul de amplificare:
K
P
P
P
O
i
= .
Tranzistorul conectat cu emitor comun trebuie s
aib o band de frecven corespunztoare:
( ) f f
|
f 2 4
max
;
unde: ]
max
- frecvena maximal a amplificatorului.
f
f
|
o
|
= , ]
o
- frecvena la baz.
Aceasta are loc, deoarece cnd avem conectarea emitor comun, ntre colector i baz capacitatea
micoreaz banda de frecvene (reacioneaz cu bucla de reacie). Cum se poate calcula practic o astfel de
schem?
Se d: schema din fig. 4.15, P
L
- 2 W; R
L
- 10 O; E
G
- 600 mV; R
G
- 10 O.
Puterea care o vor degaja tranzistorii:
P > 1,1P
L
= 2,2 W;
I
P
R
A
Cm
L
= = =
2 4 4
10
0 66
,
, ;
U
P
I
V
Cm
Cm
= = =
2 4 4
0 66
6 6
,
,
, ;
Din caracteristica de ieire: U
Cmin
~ 1 V;
|E| = U
CM
+ U
min
= 6,6 + 1 = 7,6 V; E = 8 V;
Alegerea tranzistorului: se aleg dup catalog (o pereche de tranzistori complementari) unde: U
Cadm
> 2E. Trebuie s asigure curentul I
Cm
~ 1 A (cu rezerv) i P. Presupunem c am gsit tranzistorii respectivi
cu parametrii:
| = 25, I
BM
= I
Cm
/| =15 mA.
Calculm divizorul R1 R4.
U
CE
I
C
Fig. 4.16. Construirea dreptei de lucru
pentru tranzistorii etajului de putere
B
U
Cmin

U
Cm

E
C

I
Cm

A

pdfMachine

32
Potenialul bazei tranzistorului T2 n punctul de lucru alegem reieind din valoarea curentului iniial
prin tranzistorul T2 i T3 i caracteristicile de intrare.
De exemplu presupunem I
CO
= 10 mA, atunci:
I
I
mA
BO
CO
= = =
|
10
25
0 4 , .
Dup caracteristica de intrare gsim: U
BO
= 0,45 V.
Dac avem nevoie de o amplitudine mai mare i admitem o calitate mai inferioar, atunci alegem un curent
a divizorului mai mic.
Decidem: I I mA
d BC
= = = 2 0 4 2 0 8 , ,
R R
E U
I I
k
BEO
d BO
1 4
8 0 45
1 2
6 3 = =

+
=

=
,
,
, O;
R R
U
I
k
BE
d
2 3
0 45
0 8
0 56 = = = =
,
,
, O;
Calculm preamplificatorul pe baza tranzistorului T1. Coeficientul de amplificare a
preamplificatorului n tensiune (a primului etaj):
K
R R
R R
U
C i
G i
1
1 2
1
1
~
+
|
; |
1
=
A
A
I
I
ies
r int
.
Nu lum n consideraie rezistena intern a tranzistorului T1, deoarece T1 este conectat invers i are
o rezisten foarte mare. Se ia n consideraie n cazul cnd R
C
e comparabil cu R
EC
(e foarte mare).
( )
K
R R R
R
r R
U
C L
G
E E
1
1 2 2
1
1 2
~
+
+ +
|
|
; (*)
( )( ) R r r R
R R R
i B E E
i L E
1 1 1 1
2 2 1
1 = + + +
= +
|
|

R
1
i R
4
au valori mari i se neglijeaz.
Pe acas: a) de urmrit de ce R
i1
i R
i2
au aa form;
b) de urmrit trecerea pentru K
U1
de la formula precis la formula aproximativ I
E
= (|+1)I
B
.
Pe de alt parte preamplificatorul trebuie s asigure K
U
E
U
Cm
G
1
6 6
0 6
11 = = =
,
,
.
Determinm R
C1
tiind K
U
, i folosim formula aproximativ pentru K
U1
.
Alegem un tranzistor pentru preamplificator cu parametrii: |
1
=50; r
E1
=5 O
n acest caz ecuaia (*) conine 2 necunoscute R
E1
i R
C1
. Alegem o valoare pentru R
C1
i calculm
R
E1
.
Avem puterea preamplificatorului: P/25 = 2/25 = 0,08 W, i tensiunea de alimentare 8 V, putem
calcula curentul I=10 mA. i deci rezistena R
C1
~ 2 kO, i respectiv R
E1
= 47 kO.
R
R
K
C
E
U
1
1
1
~ ceea ce n cazul nostru nu-i adevrat, ceea ce nseamn c influeneaz sarcina etajului al
II-lea (rezistena e mic a et. II)
Amplitudinea curentului de intrare:
( ) ( )
I
U
R R
E
r R
mA
im
im
G i
G
E E
=
+
~
+
=
+
=
1 1 1 1
0 6
50 5 47
0 23
|
,
, . R
G
= 10 O o neglijm.
Ctigul sau amplificarea n putere:
K
P
P
P
U I
P
L
i
L
im im
= = =

=
2 4 4
0 6 2 3 10
3 2 10
4
4
,
, ,
, .

pdfMachine

33

4.5. Amplificatoare acordate
Vom numi amplificator acordat amplificatorul care amplific semnalul ntr-o anumit band de
frecvene.
Conturul oscilant.
Pot fi contururi oscilante serie i paralel:

Impedana inductanei este eL, iar impedana capacitii
1
eC
.
La o frecven anumit aceste valori vor fi egale:
eL =
1
eC
e =
1
LC
; ]=
1
2t LC
- frecvena de rezonan.
Frecvena de rezonan.

Mai des aceste curbe se deseneaz n scara logaritmic
(frecven), deoarece curba devine simetric.
Sensibilitatea la banda de frecven este n scara
logaritmic (fig. 4.19).
Pentru a realiza legtura dintre parametrii C, L. i
frecvene se introduce noiunea de factor de calitate - Q -
mrimea care indic relaia dintre energia acumulat i energia
disipat ntr-o perioad. Factorul de calitate ale contururilor
oscilante este de ordinul 100.

Pentru inductan putem utiliza o schem echivalent:
L
R

L
C
L
C
a) serie
b) paralel
Fig. 4.17. Contururi oscilante
e
X
1
0,7
B
A f
3 dB
dB
0
f 0
Fig. 4.19. Banda de frecven este n
scara logaritmic
e
z
e
r

a) Contur serie
e
z
b) Contur paralel
Fig. 4.18 Curbele de rezonan
e
r

pdfMachine

34
Q
L
R
L
=
e
;

Pentru condensator:
Q
C
G
C
=
e
; G
R
=
1
.
Pentru contur la frecvena de rezonan factorul de calitate va fi:
Q
Q Q
Q Q R
L
C
L C
L C
=
+
=
1
.
unde: R - rezistena total serie; Q - parametrul conturului oscilant.
Exist urmtoarea relaie ntre banda de frecven B i ]
0
, Q:
B
f
Q
=
0
.
Amplificatorul acordat:
Deosebirea dintre amplificatorul simplu i
amplificatorul acordat (fig. 4.20) este ntr-aceea c n loc de
R
C
- avem un contur oscilant i deoarece coeficientul de
amplificare este
R
R
C
E
, n cazul dat coeficientul de amplificare
va depinde de frecven, deoarece rezistena unit la colector
depinde de frecvena. La frecvena de rezonan coeficientul
de amplificare va fi maxim.
Parametrii ce caracterizeaz amplificatorul acordat:
1. Frecvena de
acord - ]
0
sau e
0
:
e
0
1
=
LC
con
; C
con

- toat capacitatea care
particip la procesul de
oscilare.
Banda de frecven
B = 2A];
1. Factorul de calitate:
Q
f
B
f
f
= =
0 0
2A
;

2. Rezistena
caracteristic:
=
L
C
con
;
3. Q
R
=

.
Pentru a calcula corect aceast schem utilizm o schem echivalent (fig. 4.22); unde U
C
-
tensiunea total a conturului.

C
R

Ui
R1
R2
R
E

Fig. 4.20. Amplificatorul acordat
L C
C
E

Uo
R1
R2
R
E

Fig. 4.21. Amplificatorul acordat real
L
Ccont
C
E

C
1
R
G

E
G

E
R
L

C
L

VT
R
G
L
r
B
r
col
i
B

pdfMachine

35

Schema aceasta se deosebete de cea precedent prin aceea c n contur sunt incluse parial
tranzistorul i sarcina, adic va influena mai puin conturul. Efectul de amortizare a sarcinii i a
tranzistorului va fi mai mare dac ele sunt incluse complet. Prin includerea parial obinem creterea
factorului de calitate, micorarea pierderilor, deci mrete selectivitatea amplificatorului (adic se
micoreaz banda de frecvene a amplificatorului acordat, ceea ce ne trebuie).
Trecerea la schema echivalent:
R
B
- este R1 i R2 unite n paralel fa de P. fix., r
B
i r
E
sunt rezistenele interne a bazei i
emitorului. r
E
e unit la pmnt, deoarece avem componenta alternativ i C
E
scurtcircuitat cu R
E
.
Jonciunea colector - baza conin r
C
*
, C
C
*
i generatorul de curent a colectorului |i
B
. R - rezistena
inductanei; C
cont
- capacitatea conturului. Colectorul e conectat parial la contur i sarcina la fel este unit
parial la contur.
C
L
- nu influeneaz asupra parametrilor, deoarece avem o rezisten mic (frecvena mare) joac
rolul de selector.
Factorul de calitate a conturului de obicei este mai mare dect factorul de calitate echivalent a
amplificatorului, Q > Q
ech
, din cauza untrii conturului de ctre tranzistor i sarcin. Pentru a considera
acest efect se introduce rezistena echivalent cu ajutorul urmtoarelor relaii:
1 1
0
2 2
R R
m
R
m
R
ech
C
T
L
L
= + + ; (1)
unde: R
T
- rezistena de ieire a amplificrii pe baza tranzistorului (AU/AI a tranzistorului n
regimul de lucru) (componenta alternativ);
R
ech
- rezistena echivalent a conturului;
m
C
, m
L
- factor de includere;
R
0
- rezistena de rezonan a conturului (proprie);
R - rezistena care cauzeaz pierderile;
R
r
T
C
=
+ 1 |
; r
C
- valoarea eficace a rezistenei colectorului (are loc amplificarea curentului de |
ori).
R
L
- rezistena sarcinii;
m
U
U
m
U
U
C
cont
L
L
cont
= =
1
; ;
U
1
- tensiunea de ieire a tranzistorului (componenta alternativ).
Q Q
R
R
ech
echiv
=
0

Influena capacitilor parazitare asupra conturului poate fi considerat prin introducerea capacitii
totale n contur. Pe lng capacitatea C
cont
mai influeneaz i capacitatea C
L
, capacitatea jonciunii colector
- baz.
C C C m C m
tot con T C L L
= + +
2 2
;

pdfMachine

36
( ) C C C
T col C
= + ~ 1 |
*
;
Avnd n vedere ultima expresie obinem c frecvena de acord real va fi:
' = e
1
LC
;
unde: C - capacitatea total.
Respectiv din aceast cauz se va modifica i factorul de calitate a conturului.
' =
'
= Q
R R
L
C
1
i ' = '
'
Q Q
R
R
ech
ech
0
. (2)
Coeficientul de amplificare la frecvena de acord:
( )
K
R m m
R r r
U
ech C L
g b E
0
1
=
+ + +
|
|
; (3)
Exemplu: Pentru aceiai schem sunt date urmtoarele condiii: R
G
=100 O; R
L
=1 kO; C
L
=100 pF;
]
0
= 500 kHz; Q
ech
> 35; K
U0
> 20.
Rezolvare:
1. Se alege un tranzistor a crui frecven ]
T
unitar este cu mult mai mare ca frecvena de acord. ]
o
=
|]
|
. Alegem ]
T
= 150 MHz.
2. Se calculeaz R1, R2, R3. (Vezi exemplele precedente).
3. Considerm de la nceput c m
C
= m
L
= 1. Din catalog pentru tranzistorul ales gsim C
C
= 7 pF; | = 30.
Deci: C
T
= C
C
*
= C
C
(1+|) - capacitatea de ieire a tranzistorului. Obinem C
T
~ 210 pF (consultnd
standardele).
Pentru ca capacitatea de ieire a tranzistorului C
T
i C
L
s nu influeneze frecvena de acord a conturului,
alegem capacitatea C
cont
>> (C
T
+ C
L
). Considerm C
con
=10 nF. Putem calcula valoarea inductanei.
( )
L
C
C f
H
cont
cont
= = =
1 1
2
10
0
2 2
e
t
.
Consultnd literatura considerm c pentru inductanele de dimensiuni mici n diapazonul de frecven
0,11 MHz factorul de calitate variaz ntre 20100.
Gsim o inductan cu Q=50.
Deci rezistena: R
Q Q
L
C
cont
= = =

1 1
50
10 10
10 10
0 63
6
9
, O .
Rezistena proprie a conturului:
R
L
C R
cont
0
6
9
10 10
10 10 0 63
1470 =
=

=
,
O.
4. Determinm rezistena echivalent a conturului din expresia:
1 1
0
2 2
R R
m
R
m
R
ech
C
T
L
L
= + + ; unde: R
r
T
C
=
+ 1 |
,
r
C
se gsete sau din caracteristici sau din datele din catalog. Din caracteristici obinem:
r
U
I
k
C
= ~
A
A
O 600 . Tranzistorul pe baza de Si - are rezisten mare, pe baza de Ge - mai mic. Deci R
T
=
20 kO (Ge). Gsim R
ech
= 595 O.
5. Calculm Q
ech
: Q
f
B
Q
R
R
ech
ech
= = = =
0
0
50
595
1470
20.
6. Coeficientul de amplificare la frecvena de acord:
( )
K
R m m
R r r
U
ech C L
g b E
0
1
30 595
100 700
22 =
+ + +
=

+
=
|
|
, r
E
, r
b
- din catalog sau din caracteristici.
7. Comparm rezultatele obinute cu ceea ce se d n condiiile problemei. Din cauza untrii conturului
Q
ech
i respectiv R
ech
sunt mici.

pdfMachine

37
Facem recalcularea socotind c m
L
= 0,5. Ne legm de R
L
deoarece aciunea lui R
L
asupra R
ech
este
mai evident (R
T
e prea mare). Deci obinem:
R
ech
= 1,08 kO; Q Q
R
R
ech
ech
= = =
0
50
1 08
1 47
36 5
,
,
, ; K
U
0
30 1 08 0 5
0 8
20 =

=
, ,
,
.
Deci am obinut rezultatele normale.

Capitolul V
STABILIZATOARE DE TENSIUNE
5.1. Stabilizatoare parametrice cu dioda Zener

Atunci cnd variaz tensiunea ntre U
st min.
i U
st. max.
variaz i curentul I
st. min
i I
st. max
. Rezistena
diferenial a stabilizatorului este mic (o variaie mic a tensiunii provoac o variaie mare a curentului) i
R
B
compenseaz aceast variaie a tensiunii pe R
L
.
Tensiunea de intrare va avea 2 componente:

R
L

R
B

U
L

U
i

I
L

Fig. 5.1. Stabilizator parametric cu dioda
Zener
VD
I
st.max

I
st.min

I
st.nom

U
st.max
U
st.min

U
st.nom
I
U
st.max

U

pdfMachine

38

U U U
i R st
b
= + . (1)
( ) U I I R
Rb st L b
= + .
Dac se schimb tensiunea de intrare cu:
AU
i
= AU
Rb
= AI
st
R
b
. (2)
Parametrii stabilizatorului:
Randamentul:
q = =
P
P
U I
U I
L
i
L L
i i
(3)
Coeficientul de stabilizare
const L R
L
L
i
i
st
U
U
U
U
K
A A
= (4)
relaia (4) reprezint raportul valorilor relative.
Rezistena de ieire a stabilizatorului (trebuie s fie ct mai mic).
const Ui
L
L
I
U
R
=
A
A
= ;
0
(5)
R
0
= R
d
;
min . max .
min . max .
st st
st st
st
st
I I
U U
I
U
=
A
A
= (6)
(6) - rezistena diodei.
Pentru schema concret (de mai sus)
)
`
A = A = A
A = A
d st L st
B st i
R I U U
R I U

Aceste expresii pot fi introduse n (4) i obinem:
d
B
i
L
L
d st
i
b st
st
R
R
U
U
U
R I
U
R I
K =
A A
= (7)
Pentru astfel de scheme de obicei coeficientul de stabilizare este mai mic ca 50.
max . st L
L i
b
I I
U U
R
+
= (8)

5.2. Stabilizator cu compensare (se utilizeaz cel mai des)
n fig. 5.3. este prezentat schema bloc a stabilizatorului n care ca regulator a curentului servete
tranzistorul; iar U
Ref
. - referina - dioda Zener; AD - amplificator diferenial, iar n fig. 5.4 - Cea mai simpl
schem a stabilizatorului cu compensare. Tensiunea fa de pmnt este determinat de dioda Zener, iar
tensiunea baza-emitor este aproximativ 0,5 V care determin jonciunea deschis. n acest caz avantajul
este c rezistena de ieire este cu mult mai mic ca n cazul stabilizatorului precedent, i anume: este de |
ori mai mic ca rezistena dinamic a diodei Zener.

Regulator
de curent
Amplificator
diferenial
R
L

U
Ref
U
i

R
L
U
0

R
VD
U
i

VT

pdfMachine

39

n fig. 5.5. este prezentat schema stabilizatorului cu un coeficient de stabilizare mai bun i
posibilitatea de a regla tensiunea de la ieire. Calculul acestui stabilizator este prezentat mai jos.
Calculul stabilizatorului:
Fie dat schema din fig. 5.5, unde:
R'1,

R''2 - rezistenele de sus i de jos pn la cursor;
R
B
- rezistena pentru protejarea diodei Zener.
La ieire avem tensiune pozitiv. (dac avem nevoie de tensiune negativ, dioda se conecteaz invers i se
folosesc tranzistorii npn)

T1 - element regulator (dac tensiunea la ieire este prea mare, T1 se nchide, cnd tensiunea este mic - se
deschide). Pe el l dirijeaz tranzistorul T2 care servete ca amplificator, la el se aplic tensiunea de ieire i
pe alt electrod se aplic tensiunea de referin. T2

fa de semnalul de referin este cu baz comun, T1

fa
de semnalul de ieire este cu emitor comun.
AU pozitiv la baz ne d AU negativ la colector (T1), deci avem o inversare; la tranzistorul T2 avem
repetor pe emitor (CC) i inversare nu avem, deci rmne reacia negativ.
Dac avem nevoie ca stabilizatorul s funcioneze: ca surs de tensiune, trebuie s unim sarcina la
emitor; ca surs de curent - sarcina se unete la colector.
Expresiile pentru calculul schemei:
( ) 2 1
2 3
2 0
R R
R R
U
I U U U
r
B r L
' +
|
.
|
\
|
' ' +
+ + = = . (1)
U
BE2
0
De obicei curentul prin divizor R1, R2, R3:

I
div
>> I
B2
.
n acest caz:
|
.
|
\
|
' ' +
' +
+ =
2 3
2 1
1
0
R R
R R
U U
r
. (2)
n cazul cnd U
r
= U
0
, coeficientul de stabilizare va fi:
2
1
iB D
C
i
L
st
R R
r
U
U
K
+
= . (3)
unde:
U
i

R
C1
R1
R2
R3
R'1
R"2
R
B

U
r

E
A

U
0

R
L

VT1
VT2
Fig. 5.5. Stabilizator cu compensare
VD

pdfMachine

40
R
D
- rezistena diferenial a diodei (R
D
~10 O);
r
C1
- rezistena colectorului la T1.
|
2
2 2
B
E iB
r
r R + = .
2
2
E
T
E
I
R

=
r
B2
- rezistena structurii bazei (~50 O, pentru tranzistorii de putere mic)
( )( )
2 1
2 2 2
0
1
1
| |
|
+
+ + +
=
B d E
r R r
R . (4)
( )
D iB
R R R + ~
2
1
0
1
|
. (5)
Dac considerm divizorul, atunci:
. .
div st div st
K K K = (6)
K
div
este raportul dintre tensiunea de ieire i tensiunea n punctul cursorului (K
div
<1).
div
div
K
R
R
0
0
= - crete; (7)
0 3 2 1
2 3
U
U
R R R
R R
K
ref
div
~
+ +
' ' +
= (8)
Pentru aceeai schem:
U
i
=24 V; AU
i
= 2V; I
Dmax
= 1,5 A; K
st
> 10
3
; E
A
= 30 V; U
0
= 1216 V.

1. Stabilim tensiunea: U
CE1 max
= U
i
+ AU
i
- U
0 min
= 24 + 2 - 12 = 14 V.
2. P
C1 max
= U
CE1 max
I
0 min
= 21 W - puterea care se degaj pe colectorul primului tranzistor.
3. Conform datelor obinute mai sus alegem tranzistorul U
CE1 max
s U
C adm
. I
0 max
= I
C1 max
< I
0 adm
;
I
C1 max
< I
C adm
(din catalog). Presupunem c ,am ales tranzistorul cu urmtorii parametri:
U
Cadm
= 35 V, I
C adm
= 7,5 A; P
C adm
= 24 W; | > 30; r
C1
= 6 kO. Avem tranzistor de putere mare, de aceea
rezistena e mai mic, suprafaa e mare.
4. Alegerea diodei Zener: Curentul de stabilizare trebuie s fie mai mare ca curentul emitorului a
tranzistorului VT1. Tensiunea de referin trebuie s fie mai mic ca tensiunea de ieire U
r
<U
0
. Alegem
dioda D814A. U
st
= U
r
= 8 V. R
D
= 6 O, I
st nom
= 20 mA.
5. Determinm tensiunea U
CE2 max
: U
CE2 max
= U
0max
- U
r
= 16 - 8 = 8 V.
1. 6. Tranzistorul T2 l alegem din condiia: U
CE2 max
< U
C adm
i |
2
s fie mare (|
2
= 90250).
7. Considerm c I
C2
~ I
E2
=10 mA < I
C2 adm
(jumtate din curentul de stabilizare a diodei).
Determinm rezistena R
B
: O = =
= k
I I
U U
R
E
r
B
6 , 0
10
6
10
8 14
2 nom st
med 0

8. Calculm rezistena R
C1
, care joac acelai rol ca i R
B
pentru dioda Zener, adic pe ea se degaj
excesul de energie.
. 240 ; 58 10 48
; 48
1
;
2 1
max 0
1
max 0
max 1 1 2
O =
+
= = + =
~
+
= + =
C B
A
C RC
B B C RC
I I
U E
R mA I
mA
I
I I I I
|

9. Determinm R1, R2, R3, considernd c dac cursorul rezistorului R2 este n poziia de sus, la
ieire avem U
0min
. Dar dac cursorul este n poziia de jos - avem U
0max
.
Reieind din aceste condiii:
,U
0 min
- U
r
, = I
div
R1 - poziia n jos a cursorului;
,U
r
, = I
div
R3 - poziia n jos a cursorului;
U
0 min
- U
ref
= I
div
(R1+R2) - poziia n jos a cursorului;
Presupunem c I
div
= 20, I
B2
= 20
2
2
|
C
I
= 2 mA. Din sistem gsim:

pdfMachine

41
; 9 , 3 3
; 2 1 2
; 2 1
max 0
min 0
O = =
O =
=
O =
=
k
I
U
R
k R
I
U U
R
k
I
U U
R
div
r
div
r
div
r

10. Coeficientul de stabilizare cu divizor:
;
2
1
int iB diod
C r
div st
R R
r
U
U
K
+
=
r
C1
se determin din caracteristici:
C
C
C
I
U
r
A
A
=
1
, obinem: K
stdiv
= 300.
Valoarea obinut este mai mic dect cea necesar. Aceasta s-a
obinut din cauza c coeficientul de amplificare a tranzistorului T2 este
mic. Pentru a mri coeficientul de stabilizare, nlocuim tranzistorul T1 cu
un cuplu Darlington (figura. 5.6).
n acest caz tensiunea U
BE
este mai mare i coeficientul :
| = |
1
|
1
'.
Alegem tranzistorul T1' avnd n vedere c:
.
1
1
0
1 1 E C B
I
I
I I = = ' =
|

,U
C adm
, > ,U
i max
- U
0 max
,
cu urmtorii parametri: |'= 50150; I
C
'
adm
= 50 mA; U
C
'
adm
= 20 V.
n acest caz coeficientul de stabilizare se recalculeaz:
. 15000 50 300
min
= = ' = |
div st st
K K S analizm cum se va modifica coeficientul de stabilizare
dac rezistena R
C1
va fi cuplat la tensiunea de intrare (deoarece nu e prea comod s mai avem o surs de
alimentare).
n acest caz coeficientul de stabilizare se va modifica de A ori, unde A=1+
1
1
C
C
R
r
.
n afar de aceasta trebuie de avut n vedere c curentul I
B
, s nu depeasc curentul I
C2
. I
C1
<I
C2
.

T1
T'1
Fig. 5.6. cuplul
Darlington

pdfMachine

42
Capitolul VI
APLICAII ALE AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE
6.1.Generaliti
Istoria termenul amplificator operaional (AO) este legat de sistemele de modelare a proceselor
fizice numite calculatoare analogice, care pn nu demult erau utilizate pentru modelarea proceselor fizice.
Aceste dispozitive erau deosebit de performante pentru modelarea proceselor descrise de ecuaii
difereniale i n special de ecuaii difereniale cu derivate pariale. Pe baza AO deci se pot crea scheme,
capabile se a modela orice funcie corect din punct de vedere matematic (adic fr discontinuiti i
infiniti). Rolul AO n tehnica analogic poate fi asemnat cu rolul operatorilor logici n tehnica digital.
Amplificator operaional (AO) este un element idealizat, care posed urmtoarele trei proprieti:
- coeficientul de amplificare a tensiunii, K
U
, (practic K
U
=10
4
10
6
);
- rezistena de intrare R
i.
, respectiv curentul de intrare I
i
0. (practic R
i.
=10
6
10
12
);
- inversarea semnalelor.
Importana amplificatoarelor operaionale n tehnica analogic poate fi comparat cu importana
operatorilor logici n tehnica digital. Tot aa, cum n tehnica digital, pe baza operatorilor logici, pornind
de la o funcie logic, se poate crea schema care o realizeaz, n tehnica analogic pe baza
amplificatoarelor operaionale pot fi sintetizate schemele, care realizeaz practic orice funcie analogic.
n tehnica analogic exist o relaie continu ntre semnalul aplicat la intrare i cel obinut la ieire,
deci putem spune, ca circuitele analogice realizeaz o funcie continu ntre semnalul de la intrare i cel de
la ieire . Altfel spus, circuitele analogice, spre deosebire de cele logice, opereaz nu cu date discrete
(eantioane), ci cu funcii continue. De exemplu, sumatorul analogic adun nu dou numere concrete, ci
dou funcii de timp, rezultatul fiind tot o funcie de timp.
Faptul menionat reprezint anumite avantaje n cazul modelrii proceselor fizice, de exemplu n
automatizri. Anume: in cazul calculelor digitale, funcia continu se discretizeaz, intre eantioane au loc
pierderi ale informaiei, cu att mai mari, cu ct eantioanele sunt mai rare. Deci are loc o anumit relaie a
nedeterminrilor ntre perioada eantioanelor i precizia redrii funciei continue. Deseori in cazul
studierii proceselor fizice aceast relaie este n folosul circuitelor analogice.

6.2. Amplificatorul operaional sumator.

Schema amplificatorul operaional sumator este reprezentat n fig.1.1, n care:
R0 - rezistena n bucla de reacie;
R1...Rn - rezistenele de intrare;
R1 R0
U(t)
e
n
(t)
e
j
(t)
e
2
(t)
e
1
(t)
R
j

R2
R
n

e
s
(t)
S
Fig.6.1.Amplificatorul operaional sumator

pdfMachine

43
e
1
...e
n
- tensiunile aplicate la intrare;
U(t) - tensiunea de ieire;
e
s
(t) - tensiunea n punctul de sumare.
Vom demonstra c aceast schem efectueaz operaia de sumare i vom determina eroarea relativ o,
cu care se realizeaz aiast operaie.
Conform primei legi a lui Kirchhoff, suma curenilor n punctul de sumare S este egal cu zero
0
...
2 1
2 1
R
e U
Rn
e e
R
e e
R
e e
S S n S S
+
=
+ +
(1)
La scrierea ecuaiei (1) am considerat curentul de intrare a amplificatorului operaional egal cu zero,
deci am utilizat proprietatea a doua a amplificatoarelor operaionale. Semnul naintea tensiunii de ieire
U este determinat de faptul, c tensiunea la ieire este inversat fa de cea de intrare.
Reieind din definiia coeficientului de amplificare putem scrie:
S
e
U
K U = (2)
Rezolvarea acestor dou ecuaii ne va da tensiunea la ieire (se propune ca exerciiu de sine stttor):
0
1
0
1 1
1
1
R R K Rj K
Rj
e
U
U
n
j
U
n
j
j
+ +
=
=
=
. (3)
Aplicnd prima proprietate a amplificatorului operaional, i anume c K
U
>>1, putem neglija primii
doi termeni ai numitorului expresiei (3) n comparaie cu
1
0
R
. n acest caz vom obine expresia pentru
tensiunea de ieire a amplificatorului sumator idealizat:

= =
= =
n
j
j j
n
j
j
e K
Rj
e
R U
1 1
0 0
; (4)
unde
Rj
R
K
j
0
= - coeficientul de transfer fa de intrarea j.
Not. Vom deosebi coeficientul de amplificare K
U
, care este un parametru propriu al
amplificatorului (vezi definiia (2) ), i coeficientul de transfer, care caracterizeaz schema, unde
amplificatorul operaional ntr ca un component.
Examinnd expresia (4) ajungem la urmtoarele concluzii:
1) schema reprezentat efectueaz operaia de sumare a tensiunilor aplicate la intrare nmulindu-le
totodat cu coeficienii K
j
, de exemplu, pentru dou tensiuni vom avea:
;
2
0
1
0
2 1
e
R
R
e
R
R
U =
2) dac operm cu o singur intrare schema funcioneaz ca o schem de nmulire cu un coeficient
constant, egal cu raportul dintre rezistena din bucla de reacie i rezistena de intrare
1
1
0
e
R
R
U = ; (5)
3) n cazul cnd Rj=R0 vom obine un inversor de tensiune.

6.3.Erorile amplificatorului sumator.
Eroarea cauzat de finalitatea coeficientului de amplificare.
Pentru a gsi eroarea absolut cauzat de finalitatea coeficientului de amplificare, din expresia (3), care
descrie amplificatorul cu un coeficient finit, vom scdea expresia (4) pentru amplificatorul sumator
idealizat:
0
U U U
K
= A

pdfMachine

44
1
1 0
1 0
0
1
1
1
+ +
+
= A
=
=
=
U
n
j
U
n
j
U U
n
j
j
K
K Rj K
R
K RjK
R
Rj
e
R U .
Avnd n vedere, c K
U
>>1, putem neglija primii doi termeni ai numitorului acestei expresii n
comparaie cu 1. n acest caz vom avea:
|
|
.
|
\
|
+ = A

= =
n
j
n
j
j
U
K
Rj
R
e
Rj K
R
U
1 1
1
0 1 0
(6)
Ca s obinem expresia pentru eroarea relativ vom mpri AU
K
la U
0
conform expresiei (4).
|
|
.
|
\
|
+ =
A
=

=
n
j
U
K
K
Rj
R
K U
U
U
1
0
1
0 1
o (7)
Din expresia (7) vedem c, cu ct coeficientul de amplificare K
U
este mai mare, cu att eroarea oU
K

este mai mic. Aceasta explic de ce amplificatoarele operaionale trebuie s posede un coeficient de
amplificare ct mai mare. Amplificatoarele operaionale produse in serie au K
U
de ordinul 10
4
-10
5
.
Expresia (7) este util n cazul cnd n procesul proiectrii aparatelor de msurare este necesar de a
determina valoarea minimal necesar a coeficientului de amplificare a amplificatorului operaional.
Exemplu. S se determine valoarea minimal a coeficientului de amplificare a amplificatorului
operaional, care urmeaz a fi utilizat ntr-un voltmetru digital pentru amplificarea cu coeficientul de
transfer K = 10, dac precizia voltmetrului trebuie s fie o U = 0,01%.
Rezolvare. Avnd n vedere c coeficientul de transfer K = R0/R1 i utiliznd relaia (7), obinem:
( ) 1
1
+ = K
K
U
U
K
o .
Considernd o U = o U
K
= 0,1% = 0,001, gsim K
Umin
= 11/0,001 > 1,1-10
4

Eroarea cauzat de tensiunea de ofset.
Tensiunea, care apare la ieirea amplificatorului cnd la intrarea lui avem 0V, mprit la coeficientul
de amplificare, se numete tensiune de ofset (e
of
). Tensiunea de ofset se manifest negativ mai ales in
schemele integratoare, unde efectul ei crete proporional timpului de integrare.

Pentru un amplificator cu tensiune de ofset putem scrie legea ntia a lui Kirchoff si relaia dintre
tensiunea de intrare i tensiunea la ieire, considernd sursa tensiunii de ofset e
of
ca fiind conectat la
intrarea amplificatorului (fig4.2):
K
U

e
s
e
j

U
R0
R1
Fig.4.2. Schema amplificatorului pentru explicarea
influenei tensiunii de ofset

pdfMachine

45
) (
0
of S U
S
S j
e e K U
R
U e
Rj
e e
(8)
Sistemul (8), rezolvat fa de tensiunea de ieire, ne d:
1
1 0
0 0
1
0 0
1
+ + + +
+ +
=
U U
of
U U
of
U U
j
K Rj K
R
e
R
Rj
R K
Rj
K
e
R
Rj
R K
Rj
K
e
U (9)
n virtutea mrimii lui K
U
, Termenii, care conin 1/K
U
se pot neglija, i n locul expresiei (9)
obinem:
of of
j
j
j
e e
R
R
e
R
R
U
0 0
= (10)
Dac scdem acest rezultat din expresia (5) pentru amplificatorul idealizat, obinem eroarea
absolut cauzat de tensiunea de ofset:
of of
j
e e
R
R
U = A
0
(11)
Eroarea relativ poate fi determinat ca raportul expresiilor (11) i (5). Aciast mrime poate fi evaluat
avnd n vedere c tensiunea la ieirea amplificatorului operaional U este de ordinul pn la 10V.
Eroarea legat de imprecizia rezistenelor.
Vom determina eroarea legat de imprecizia rezistenelor pornind de la expresia pentru amplificatorul
inversor idealizat:
j
n
j
j
n
j
j
e
Rj
R
e K U

= =
= =
1 1
0
0
. (12)
Eroarea relativ n acest caz se va calcula conform relaiei cunoscute:
=
A + A = A
n
j
R
R
R
U
Rj
Rj
U
U
1
0 0
0
0 c
c
c
c

Utiliznd expresia (12) obinem pentru eroarea absolut:
=
(
A
+
A
= A
n
j
j R
Rj
Rj
R
R
e
Rj
R
U
1
0
0 0
(13)

Exemplu. S se determine precizia relativa a rezistenelor utilizate n schema (Fig.1.3) de sumare a
dou semnale cu coeficienii de transfer K
1
=1 i K
2
=2, daca eroarea relativ a operaiei o=0,1%=10
-3

Rezolvare: Conform expresiei (13), pentru n=2 putem scrie:
K
e
2

e
1

Fig.6.3. Schema amplificatorului pentru explicarea erorii
legate de imprecizia rezistenelor
Uo
R0
R1
R2

pdfMachine

46
|
|
.
|
\
| A
+
A
+
|
|
.
|
\
| A
+
A
= A
2
2
0
0
2 2
1
1
0
0
1 1
R
R
R
R
e K
R
R
R
R
e K U
R

Avnd n vedere, c rezistenele sunt alese din acelai ir de precizie, considerm toate erorile relative
ale rezistenelor egale ntre ele:
AR0/R0 = AR1/R1= AR2/R2= AR/R= oR
n aa fel c:
( )
R R
U
R
R
e K e K U o 2 2
1 1 1 1
=
A
+ = A
Sau
2
o
o =
A
=
R
R
R

Deci rezistenele trebuie alese cu precizie de 0,05%, adic merge vorba de rezistene speciale.
Dup cum vedem, precizia rezistenelor nu este legat de numrul de ntrri i de coeficienii de transfer.

6.4. Configuraia neinversoare a amplificatorului operaional
Modul de conectare a amplificatorului operaional prezentat mai sus poart denumirea de
configuraie inversoare i nu este unicul posibil, dei din punct de vedere istoric a fost primul.
De obicei amplificatorul operaional are dou intrri, sau altfel, are intrare difereniat. Una din
intrri este inversoare, cealalt este neinversoare. n aa fel, c dac se vor aplica concomitent semnalele la
ambele intrri , la ieire vom avea amplificarea numai a diferenei de tensiuni aplicate la cele dou
intrri. ntrarea diferenial permite suprimarea zgomotelor, care de obicei se induc pe ambele intrri
concomitent, adic pe modul comun.

Conectarea neinversoare este artat n fig.1.4. Pentru cazul conectrii neinversoare, vom demonstra
c coeficientul de transfer:
1
0
1
1
0
R
R
e
U
K
r
+ = =
U
d
- semnalul difereniat; U
r
- semnalul datorat buclei de reacie. Pentru U
0
vom avea:
r U i U r i U
U K U K U U K U = = ) (
0
. (1)
Pe de alt parte
1 0
1
0
R R
R
U U
r
+
= (2)
nlocuim expresia (2) n (1) i obinem
0 1
1
0
0
R R
U R K
U K U
U
i U
+

= (3)
|
|
.
|
\
|
+
+ =
0 1
1
0
1
R R
R K
U U K
U
i U
(4)

K
U
S

U
O

Fig. . 4.4. Ilustrarea principiului de suprimare
a semnalului aplicat pe modul comun
U
d

pdfMachine

47

|
|
.
|
\
|
+
+
= =
r
U
U
i
r
R R
R K
K
U
U
K
1
1
0
1
(5)
Dac avem n vedere c K
U
, atunci n expresia de mai sus la numitor putem neglija unitatea i vom
obine:
1
0
1
R
R
K
r
+ = (6)
Coeficientul de transfer va fi minimal atunci cnd R0=0, n acest caz schema funcioneaz ca repetor.
6.5. Influena reaciei asupra rezistenei de intrare ale celor dou configuraii a
amplificatorului operaional
n cazul configuraiei inversoare (fig 1.5) tensiunea n punctul de sumare este U
d
=U/K
U
. Avnd n
vedere c K
U
este foarte mare, U
d
poate fi considerat practic egal cu zero. Deci ajungem la concluzia c
rezistena de intrare R
i
pentru configuraia inversoare va fi egal cu rezistena R1, conectat la intrarea
schemei.

n cazul configuraiei inversoare (fig 6.4) tensiunea diferenial
r i d
U U U = (7)
Introducnd n aceast expresie valoarea
1 0
1
0
R R
R
U U
r
+
= , vom obine:
U
d

U
i

Fig. 6.6. Schema pentru determinarea rezistenei de
intrare a amplificatorului operaional
U
0

R0
R1
U
0

Fig.6.5. Configuraia neinversoare a amplificatorului
operaional
R0 Ri
U
r

U
i

U
d

pdfMachine

48
0
0 1
1
U
R R
R
U U
d i
+
+ = (8)
Amintindu-ne, c conform definiiei coeficientului de amplificare
U d
K U U =
0
(9)
din relaia (8) obinem:
|
|
.
|
\
|
+
+ =
0 1
1
1
R R
R K
U U
U
d i
. (10)
Deci in cazul conectrii neinversoare cu reacie, rezistena de intrare:
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
= =
0 1
1
1
R R
R K
I
U
I
U
R
U
i
d
i
i
ir
(11)
sau
|
|
.
|
\
|
+
+ =
0 1
1
1
R R
R K
R R
U
i ir
(12)
n aciast expresie
i
i
d
R
I
U
= , (13)
reprezint rezistena proprie sau rezistena de intrare a amplificatorului n conectarea fr reacie.
Concluzie: n cazul conectrii neinversoare rezistena de intrare a schemei crete de
|
|
.
|
\
|
+
+
0 1
1
1
R R
R K
U
ori.
Conectarea neinversoare a amplificatorului operaional este deosebit de util n cazurile cnd sursa de
curent are o rezisten intern mare.
6.6. Conectarea diferenial a amplificatorului operaional
Conectarea diferenial este indicat n cazul cnd trebuie suprimate zgomotele . Prin acest procedeu
pot fi suprimate zgomotele care au o amplitudine mai mare dect semnalul util.

n virtutea faptului c amplificarea amplificatorului operaional este foarte mare, iar la ieire avem o
tensiune finit (care nu depete 10 V), putem considera U
d
0, i deci U
r
=U
r
'. Dac neglijm curenii de
intrare ale amplificatorului, atunci putem scrie:
;
0 1 R R
I I =
' 0 2 R R
I I = (2)
Prima expresie este echivalent cu:
Fig.6.7. Conectarea diferenial a amplificatorului operaional
R1 R0
U
1

R0'
R2
U
2

U
0

U
d

U
dif

U
r

U
r
'

pdfMachine

49
i r
U
R
R
R
R R
U U
1
0
1
0 1
0

+
= (4)
Din Fig. 4.6 urmeaz c:
2 ' 0
' 0
2
R R
R
U U
r
+
= (5)
Introducnd (5) n (4), obinem:
1
1
0
2 0
1
0 1
2 ' 0
' 0
U
R
R
U
R
R R
R R
R
U
+
+
= (6)
De obicei se alege ' 0 0 ; 2 1 R R R R = = , i n acest caz expresia (6) va cpta aspectul:
dif 1 2 0
1
0
) (
1
0
U
R
R
U U
R
R
U = =
n cazul conectrii inversoare coeficientul de transfer K
r
are valoarea:
1
0
1
R
R
e
U
K
r
= =
6.7. Unele aplicaii ale amplificatoarelor operaionale
Integrator dublu.

dt
dU
C
R
U
i 0
=
dt U
C R
dU
i

|
.
|
\
|
=
1
0

}}
= dt U
C R
U
U
i
2
0

( ) t f x a
dt
x d
= +
2
2

|
.
|
\
|
=
2
2
1
C
R
f
t

Schema de difereniere

R/2
C/2 C/2
C
R R
U
O

U
i

Fig. 6.8. Integrator dublu
C
R

pdfMachine

50
C R
i i =
dt
dU
C
R
U
i
=
0

dt
dU
C R U
i
=
0

Transformator curent-tensiune
0
0
0
1
1
R I
k
R I
U
i
i
=
+
=
K
R
I
U
R
K
R I
K
U
U
i
i
i
i
i
0
*
0 0
= =
= =

Amplificator operaional cu reacie in curent
Se utilizeaz atunci, cnd este nevoie de a menine valoarea curentului n R
L
independenta de variaia
acestuia - caz des ntlnit n chimie i medicin. n cazurile menionate R
L
reprezint un preparat chimic
sau biologic. n acest caz curentul prin R
L
se va determina conform relaiei de mai jos.

1
1
1
1
1
1
R
U
R
R
k
R
U
I
i
L
i
L
~
(
|
|
.
|
\
|
+ +
=

Amplificatorul operaional n schema stabilizatorului de tensiune

U
i

U
0

R0
R
i
, I
i

K
Fig.4.11. Transformator curent-tensiune
U
i

K
R1
I
L

R
L

Fig. 4.11. Amplificator operaional cu reacie in
curent
U
+

U
ref

I
0

U
0

R2
R1
K
VT1
VT2
Fig. 4.12. Amplificatorul operaional n schema stabilizatorului de tensiune

pdfMachine

51

div ref
U U =
2 1
2 0
R R
R U
U
ref
+
=
|
.
|
\
|
+ =
2
1
1
0
R
R
U U
ref

Amplificator operaional cu scar logaritmic

|
.
|
\
|
~
T
D
S D
U
I I
exp
0

( )
0 0
0
ln ln
S D T
D
I I U
U U
=
=

D T
I U ln
0
~
1
0
ln
R
U
U
i
T
=
1
1
R
U
I I
i
D
= =
|
|
.
|
\
|
=
T
BE
S C
U
I I
exp
0

Amplificatorul exponenial

|
|
.
|
\
|
= = =
T
i
S D
U
I R I R I R U
exp
0 0 0 0 0 0

Utiliznd ultimele dou scheme n combinaie cu amplificatorul sumator pot fi obinute schemele,
care efectueaz nmulirea i mprirea a dou funcii de timp.
Schema de nmulire poate fi obinut utiliznd formula:
I
1

R1
V
D
Uo
Ui
Fig. 4.13. Amplificator cu scar logaritmic
I
0

U
i

U
O

I
D

R0
Fig. 4.14. Amplificatorul exponenial

pdfMachine

52
( ) | | | | b a b a b a ln ln exp ln exp + = =
mprirea se va efectua conform relaiei:
( ) b a
b
a
b
a
ln ln exp ln exp =
(
|
.
|
\
|
=

CAPITOLUL VII
CIRCUITE DE INTERFA CU SISTEME LOGICE
7.1. Comparator de tensiune
Circuitele analogice snt adaptate unui regim de lucru apropiat de fenomenele naturale datorit caracterului
continuu al mrimilor pe care le prelucreaz. Spre deosebire de circuitele digitale analogice opereaz nu cu
valori discrete ci cu funcii continue. ns dezvoltarea intens, programabilitatea i gradul de integrare au
determinat masiva ptrundere a sistemelor numerice n prelucrarea informaiilor cu caracter analogic. Acest
fapt a presupus implicit interfaarea ntre sistemele analogice i cele logice. Schema structural a unui
sistem analog-numeric de control al unui proces natural este dat n figura 6.1. Elementele procesului
natural, mrimi continue, snt citite de traductoare electrice, apoi sistemul analogic de intrare execut o
prim prelucrare a semnalelor. Sistemul numeric execut operaiunile principale ale prelucrrii, iar
conectarea sa cu sistemele analogice de intrare i ieire se realizeaz prin intermediul celor dou interfee.
Semnalul sufer o nou prelucrare n dispozitivul analogic de ieire, nainte de a fi aplicat procesului

PROCES FIZIC
Sistem
analogic
de intrare
Convertor
analog
digital
Sistem
digital de
prelucrare
Convertor
digital
analog
Sistem
analogic
de ieire
Fig. 7.1. Schema structural a unui sistem analogic controlat
numeric.

pdfMachine

53

controlat. In prezentul subcapitol vor fi prezentate sumar cteva aspecte legate de conversia analog-
numeric i numeric-analogic.
Un element de baz n conversia analog-numeric l reprezint comparatoarele de amplitudine a
tensiunii. Exist comparatoare pentru nume-roase mrimi ce caracterizeaz semnalele (electrice), dar n
structura de circuit integrat s-au impus numai cele de tensiune, datorit largului domeniu de utilizare de
care beneficiaz. In cele ce urmeaz ele vor fi denumite simplu comparatoare. Acestea snt scheme de
decizie binar, ntr-o bun msur asemntoare releelor. Funcia lor de transfer este foarte asemntoare
cu cea a amplificatoarelor operaionale, motiv pentru care i structura comparatoarelor integrate este
asemntoare, iar n aplicaii amplificatoarele operaionale snt deseori utilizate n funcie de comparatoare.
Simbolul i caracteristica de transfer ale unui comparator snt prezentate n figurile 6.48a i b.
Comparatorul integrat este un amplificator operaional, de regul cu alimentare diferenial, cu o
caracteristic de pant ct mai mare. Absena reaciei negative elimin problema compensrii n frecven.
Deoarece n multe din cele mai importante aplicaii, ieirile comparatoarelor se conecteaz la intrrile unor
circuite logice, tensiunea de ieire Uo trebuie s fie acoperitoare pentru intervalul logic al circuitului de
sarcin. Dac este necesar comanda unei sarcini TTL de exemplu, este necesar s fie ndeplinite
condiiile:

Conectnd cele dou intrri ale comparatorului mpreun la masa, tensiunea de ieire trebuie s se situeze
n mijlocul intervalului logic, iar In cazul sarcinii TTL, sa aib valoarea:

Ca i n cazul amplificatoarelor operaionale, abaterea de la valoarea prestabilit a tensiunii de ieire (U
0
)
corespunde unei tensiuni de decalaj la intrare (U
off
)- Circuitul de intrare este de regul diferenial, astfel c
i tensiunea de decalaj este diferenial. n mod similar amplificatoarelor operaionale li se definesc
curentul de decalaj la intrare, I
off
, curenii de polarizare Ip1, Ip2 impedana de intrare diferenial Zin, i se
manifest i nedoritul efect de mod comun.

a b
Fig. 7.2. Comparator de tensiune integrat: a) simbol; b) caractertstica de transfer.

Sensibilitatea comparatorului, determinat de panta caracteristicii sale, este data de valoarea
tensiunii difereniale de intrare (U
CO
, U
C1
) care determin stabilirea tensiunii de ieire la valorile de prag
logic. Deoarece timpul de rspuns n aceste condiii este. mare, iar comparatoarele trebuie sa fie rapide, se
utilizeaz supracomanda, adic se aplic tensiuni difereniale de intrare (U
SCO
, U,
SC1
) mult mai mari,
apropiate de limita admis de circuit:

pdfMachine

54

Din punctul de vedere al ieirii, comparatoarele integrate se ncadreaz n categoria surselor de
tensiune, avnd o impedan de ieire mic. Curentul pe care l debiteaz ns este relativ mic, astfel c la
stabilirea unei configuraii trebuie avut n vedere ncrcarea ieirii. Unele comparatoare au posibilitatea de
a lucra n mod sincron cu sistemul numeric, fapt pentru care semnalul de ieire este controlat exterior de o
comand de eantionare. De asemenea, n unele cazuri, ieirile pot fi legate n paralel, formnd un circuit,
logic SAU cablat. Este cazul, de exemplu, al circuitului 2 711.
n majoritatea aplicaiilor potenialul aplicat unei intrri este fix (i iiunnl potpnia] de referin), iar
celeilalte intrri i se aplic semnalul de prelucrat. Daca acesta este lent variabil i conine zgomot de nivel
mare, tranziia It'itro nivelele logico poate fi afectat de o serie de impulsuri parazite. Esena acestui
fenomen este prezentat In figura 6.49. Semnalul diferenial (1n intrare variaz n limite msurate n voli,
n timp ce intervalul de decizie al comparatorului este, de regul, de ordinul zecilor de milivoli. n aceste
condiii, zgomotul din compunerea semnalului de intrare poate declana, aa cum se vede n figurai, mai
inulle tranziii jos-sus, nainte ca semnalul s ia o valoare ferma nlriinnl din domenii.
Compensarea acestui neajuns se poate realiza utiliznd comparatoare cu histerezis, comparatoare cu reacie
pozitiv (figura 6.50a). Introducerea reaciei pozitive are un dublu efect: creterea pantei, deci micorarea
inter

7.2. Convertoare digital analogice (DAC).
DAC sunt circuitele care transform codul binar n tensiunea analogic, valoarea creia corespunde acestui
cod.

a
1
a
2
a
3
a
4

U
0
=6V 0 1 1 0
U
0
=11V 1 0 1 1

Expresia
( )
n
n r
a a a U U

+ + + = 2 ..... 2 2
2
2
1
1 0
(1)
ne descrie funcionarea convertorului.

7.2.1. DAC pe baza amplificatorului sumator

a
1
1
a
2
2
a
3
4
a
4
8
U
0

+
_
U
R

R
0

2
n
R
8R
2R
4R
S

pdfMachine

55

|
.
|
\
|
+ + + =
n
n
r
a a a
R
R
U U
2
...
4 2
2 1 0
0
(2)
Neajunsurile schemei:
- avem rezistene ntr-un diapazon foarte larg care trebuie potrivite cu precizie nalt.
- convertorul este greu de realizat n form integral din cauza diapazonului larg de rezistene i precizia
nalt a rezistenelor.
Mult mai des pentru realizarea DAC se folosete matricea de rezistene R-2R.
7.2.2. DAC pe baza matricei de rezistene R-2R

Dac una din chei o conectm la U
r
, iar celelalte chei rmn ne conectate , atunci n punctul Y respectiv a
cheii conectate vom avea U
r
/3.
Dac U
r
este o funcie, atunci din expresiile (1), (2) vom obine transformatorul cod binar n tensiune
nmulind cu aceast funcie .

transfer r r
K U U = =
2
1
3
1
2
3

r r
U
R
R
U Y
4
1
2
3
3
1
1
= =
U
r

2R
2R
Y
2R
Fig. 7.6. Principiul al matricei de rezistene R-2R
+
-
R R
R
2R
2R 2R
3R
U
r

Uo
S1
S2 Sn
R
Yn Y2
Y1
Fig.7.5. DAC pe baza matricei de rezistene R-2R

pdfMachine

56
r r
U Y U Y
8
1
;
4
1
3 2
= =

7.2.3. DAC pe baza surselor de curent
MSB - most significant bit.
LSB - least significant bit.
T11, T12, T13, T14 - surse de curent. Valorile curenilor reprezint un ir 1;2;4;8
' 1 '
2
1
U U
N
=
Acest
curent poate fi conectat la pmnt prin T
31
. Pot fi conectate un convertor cu mai multe ordine. Din punct de
vedere practic este comod de a utiliza tranzistori conectai ]n paralel n a fel ca numrul lor cu creterea
ordinului s se dubleze.

7 6 5 4 3 2 1
111
110
101
100
011
010
001
000
U
i

Fig. 7.7. Discretizarea semnalului analogic.
Ral
T21 T31
R
T1
S1
T22
2R
T1
S2
T23
4R
T1
S3
T24
8R
T1
S4
"0"
"1"
U
L

R14
U
REF

Io,U
Fig. 7.8. DAC pe baza surselor de curent

pdfMachine

57

7.3. Convertoare analog digitale (ADC).
7.3.1. ADC de tip paralel.

Avantajul: are cea mai mare vitez de transformare a tensiunii n cod.
Neajunsul: numrul de comparare N=2
n
-1: n-numrul de ordine binare v=10
8
cicluri/s

7.3.4. ADC - cu reacie prin numrtor.

R/2
R
R
R
R
R
R
U
i

U
r

4
2
1
U
r
=13/1
U
r
=11/1
U
r
=9/14
U
r
=7/14
U
r
=5/14
U
r
=3/14
U
r
=1/14
R/2
DC
+
C7
-
+
C6
-
+
C5
-
+
C4
-
+
C3
-
+
C3
-
+
C3
-
Fig. 7.9 ADC - de tip paralel

pdfMachine

58

Neajunsul acestei scheme l constituie faptul c timpul de msurare este este destul de mare.

7.3.5. ADC cu reacie prin numrtor reversibil

La baza acestei scheme st ideea c transformarea va fi mai rapid dac pornim numrtoarea nu de la zero
ca n cazul precedent ci de la valoarea precedent.

7.3.6. Convertorul cu aproximaii succesive

G
R
U
i

Rezultatul
DAC
CT2
R
C
&
Reset
Fig. 7.10. ADC - cu reacie prin numrtor
1 Generator
+1 -1
Numrtor
reversibil
cod binar
& &
DAC
C
C U
i

Fig. 7.11. ADC cu reacie prin numrtor reversibil
C
U
i

DAC
RG
+
-

pdfMachine

59

55. Convertor cu dubl integrare

N a
1
a
2
a
3
a
4

1 1 0 0 0 8 +
2 1 1 0 0 12 -
3 1 0 1 0 10 +
4 1 1 1 1 11
+
_

C
Numrtor
Schema de
dirijare
G
U S
U
ref

U
i

R
Fig. 7.13. Convertor cu dubl integrare
t
1

Ut
B
U(t
A
)
t
0
U
Fig. 7.14. Caracteristica de timp, care ilustreaz
principiul funcionrii convertorului cu dubl
integrare

pdfMachine

60

Capacitatea se ncarc, iar numrtorul numr.
- procesul de ncrcare
= =
= = =
}
}
2
0
1 1
0
1 1
) (
1 1 1
) (
2
2
t U
RC
dt U
RC
t U
t U
RC
t U
RC
dt U
RC
t U
ref
t
ref B
ref A
t
i A

- procesul de descrcare
}
= =
1
0
1
1 1
) (
t
i i B
t U
RC
dt U
RC
t U

Avnd n vedere c Ut
B
la ncrcare i descrcare este acelai, egalm prile drepte ale ultimilor dou
expresii
1
2
1
2
t
t
U U t U U
ref i i t ref
= =
Avantajul acestei scheme const n faptul c tensiunea de ofset nu influeneaz asupra procesului de
msurare din cauza c la integrare ea va fi compensat. Schema nu este sensibil la perturbaii
alternative. Dac ciclul de msurare este 20ms, atunci schema nu va fi sensibil i la perturbaii de 50Hz.

CAPITOLUL VIII
CIRCUITE LOGICE
8.1. Generaliti
Importana circuitelor integrate logice rezid n aria aplicaiilor acestora. Numai faptul c aceste
circuite reprezint elementele constitutive de baz ale calculatoarelor numerice este suficient pentru a le
asigura un loc privilegiat n lumea electronicii moderne.
Una din calitile care le-a consacrat este modul deosebit n care se preteaz la standardizare. Prin
aceasta, pe baza unui numr restrns de ele-mente de baz, pot fi sintetizate cu uurin structuri complexe.
In plus, proiectantul trebuie s urmreasc, n principiu, numai logica realizrii schemei dorite, fr a mai
avea probleme de proiectare electric. Din punctul de vedere al integrrii, circuitele logice snt avantajate
de repetabilitatea unor structuri tipizate.

pdfMachine

61
Concepia circuitelor logice este bazat pe asocierea unor valori logice cu mrimile electrice (tensiune
sau curent). Circuitele actuale utilizeaz, n principiu, logica binar, dar exist deja circuite care snt
proiectate n logici de ordin superior (ternare, cuaternare etc.) iar unele previziuni le indic acestora din
urm un viitor important. n logica binar pozitiv, cea mai larg rspndit n prezent (figura 7.1), valoarea
logic 1 (1
L
,) este atribuit tensiunilor (curenilor) ce depesc un nivel V
A
, iar valoarea logic 0 (0
L
),
acelora care snt, inferioare nivelului V
B
. Intre aceste dou valori, exist un do-meniu de nedeterminare n
care im se stabilete o coresponden ntre mrimea electric i cea logic. Utilizarea unui domeniu de
nedeterminare evit riscul atribuirilor eronate care pot aprea n cazul operrii cu o singur valoare de prag.
Valorile concrete ale mrimilor de prag V
A
i V
B
, ca i limitele
domeniilor de lucru, snt caracteristice fiecrei familii de circuite
logice. Deoarece mrimea electric folosit ca suport al valorilor
logice este cel mai adesea tensiunea, n continuare referirile vor fi
fcute n raport cu aceast observaie.
Aceste circuite pot fi ntlnite i sub alte denu-miri: circuite de
impulsuri, circuite digitale, numerice, binare etc. Cea mai adecvat
denumire pare a fi aceea de circuite logice, avnd n vedere faptul c
semnalele cu care opereaz snt asociate valorilor logice. In circuitele
logice se includ circuitele numerice (de exemplu sumatoarele), n
care semnalele prelucrate snt asociate unor numere, i circuitele de
impulsuri (de exemplu generatoarele de tact, unele tipuri de filtre
etc.), n care nu se face aceast asociere. De multe ori, acelai circuit
poate fi considerat de impulsuri sau numeric, n funcie de locul su
ntr-un sistem dat. De exemplu, un registru de deplasare este circuit
de impulsuri, cnd este utilizat Intr-un modulator, sau circuit numeric, cnd face parte dintr-o unitate
aritmetic.
Un circuit logic elementar este un multiport de forma prezentat In figura 7.2. Conform conveniei de
asociere a tensiunilor cu valori logice, circuitul realizeaz o funcie de transfer logic:

Circuitele logice elementare snt cele corespunztoare operaiilor logice elementare:

In practic se folosesc cele dou operaii compuse care definesc operatorii i universali, Orice
funcie logic poate fi sintetizat pe baza unui singur tip de operator universal:

Circuitele care realizeaz aceste funcii snt denumite generic pori (logice). Un exemplu elementar de
sintez a unei funcii folosind pori logice este dat n figura 7.3:

Se observ c y
1
si y
2
snt mrimi de ieire pentru circuitele 1 i 2 i mrimi de intrare pentru circuitul
3. Conectarea electric direct a circuitelor logice reprezint o facilitate deosebit a acestora. Pentru
asigurarea conservrii valorilor logice de interconectare, este necesar o definire de detaliu a
corespondenei ntre mrimile electrice (tensiune sau curent) i cele logice.
Modul unanim acceptat de asociere a tensiunilor cu valorile logice este prezentat n figura 7.4.
Graficul corespunde funciei de transfer a unui inversor, dar modul de definire a tensiunilor este
independent de tipul opera-torului. Indicii utilizai n desen au urmtoarele semnificaii: I - mrime de
intrare; O - mrime de ieire; H - stare sus" (High, 1
L
n logica pozitiva); L - stare jos" (Low, 0
L
n logica
pozitiv).

Fig. 8.1. Principiul asocierii dintre
mrimile electrice i valorile logice.
Fig. 8.2. Multiport logic elementar
Fig. 8.3. Sinteza cu pori a
unei funcii logice.

pdfMachine

62

Tensiunea de ieire, care este tensiunea de intrare pentru operatorul urmtor, trebuie s fie obligatoriu
cuprins n plaja V
1
-V
2
. pentru 1
L
i n plaja V
3
-V
4
pentru 0
L
- pentru garantarea funcionrii corecte, este
necesar ca valorile limita ale tensiunilor de intrare s fie acoperitoare:

n acest fel, chiar dac tensiunea de ieire a operatorului de comand se afl la limita admis a unei valori
logice, operatorul comandat va comuta sigur n starea corect. Diferenele:

se numesc margini de zgomot i permit funcionarea corect a operatorului, chiar dac peste semnalul de
comand se suprapun perturbaii (dac amplitudinea acestora este inferioar marginilor de zgomot).
Conform acestor precizri, caracteristica de transfer a oricrui inversor trebuie s se ncadreze n
interiorul zonei haurate cu linie nclinat. Pe caracteristic se disting cinci zone: dou de funcionare
normal (A, E), dou de funcionare in condiii de perturbaii (B, D) i una de nedeterminare (C ).
Dac se are n vedere i operatorul I, a crui caracteristic de transfer este cuprins n zonele F i I
(lucru normal), G si H (lucru n condiii de zgomote aditive) i C (zona de nedeterminare) se obin toate
zonele de lucru ale circuitelor logice.
Marea majoritate a circuitelor logice snt utilizate n scheme dinamice, semnalele trecnd des dintr-o
stare logic n alta. In general, tranziiile rapide ale semnalelor de intrare nu afecteaz logica rspunsului
unui operator. Tranziiile lente ns (cnd timpul de traversare a zonei C este comparabil cu timpul de
tranziie a operatorului) nu permit stabilirea momentului exact al tranziiei ieirii si uneori pot declana
tranziii parazite. Din aceste motive. atunci cnd semnalul de
intrare este lent variabil se folosesc circuite cu pori de intrare
de tip trigger Schmitt. Acesta utilizeaz reacia pozitiva, iar
funcia sa de .transfer este de tip histerezis (figura 7.5).
Circuitul trece n 1
L
, dup ce tensiunea de intrare depete
valoarea de prag V
p2
i revine n 0
L
cnd aceasta scade sub
valoarea de prag V
p1
.
Cele prezentate pn acum se refera la logica pozitiv,
care asociaz valoarea 1
L
nivelului du tensiune ridicat, logic
Fig. 8.4. Definirea funciei de transfer a unui circuit logic.

Fig. 8.5. Funcie de transfer cu histerezis.

pdfMachine

63
adoptat n majoritatea cazurilor. Aceasta nu nseamn c logica negativ nu poate fi operant. Dimpotriv,
ea coexist implicit cu logica pozitiv. Modul de definire valorilor logice este acelai ca la logica
pozitiv, cu o atribuire invers, iar circuitele care n logica pozitiv au o funcie dat, n logica negativ au
o funcie complementar. Astfel, un operator NAND n logica pozitiv devine operator NOR n logica
negativ, iar un operator NOR devine operator NAND. Acest lucru este evident, daca la intrarea unui
operator se neag mrimile de intrare. In logica pozitiv avem:

Trecerea la logica negativ presupune:

i se obine:

Datorita acestei relaii de echivalen, practic se ntlnesc rar circuite logice a cror funcie de transfer s
fie definit n logica negativ.
Cnd valorile logice se atribuie tensiunilor, problema curenilor se pune n felul urmtor. n primul
rnd trebuie cunoscut faptul c exist circuite care funcioneaz corect chiar dac nu au conectate la intrare
sau ieire circuite care s asigure trasee externe de nchidere a curenilor. De exemplu, la circuitele TTL, o
intrare neconectat aplica circuitului valoarea 1
L
iar valoarea logic a ieirii nu este condiionat de
existena unui circuit de sarcin. Exist ns i circuite ale cror intrri este necesar s fie ferm conectate la
circuitele de comand (de exemplu circuitele CMOS) sau ale cror ieiri trebuie conectate la un circuit de
sarcin (circuitele TTL open-collector, CMOS open drain etc.).
La interconectarea circuitelor logice se stabilesc trasee de curent intre ieirea circuitului de comand
i intrarea circuitului comandat. De regul, pentru aceeai stare logic, dac intrarea absoarbe curent,
ieirea trebuie s debiteze i invers. In general, schimbarea strii logice conduce i la schimbarea sensului
curentului. De asemenea, se constat c de cele mai multe ori o intrare primete semnal de la o singur
ieire, n timp ce o ieire comand mai multe intrri. Este deci necesar precizarea capabilitii de comand
a ieirii unui circuit, n care scop se stabilesc valori standard ale curenilor de intrare, valori minime la care
se garanteaz funcionarea corect a circuitului; fiecare familie de circuite logice are valori specifice. Dac
I
IL
I
IH
snt curenii de intrare standard pentru cele dou stri logice i I
OL
, I
OH
curenii de ieire ai unui
circuit, capabilitatea de comand este msurat de un parametru numit fan-out:

Se definete i un parametru de comand pe intrare, fan-in:

n care I
IL
i I
IH
reprezint curenii de intrare necesari anumitor circuite, cureni care au valori mai mari
dect cele standard (I
IL
i I
IH
)- De regul ns, FI = 1 i nu se mai precizeaz dect cnd valoarea sa
depete unitatea.
Viteza de lucru a circuitelor logica constituie un indice calitativ major i este necesar standardizarea
parametrilor care o caracterizeaz. In figura 4,6 este prezentat modelul de baz, adoptat de majoritatea
firmelor productoare, pentru definirea parametrilor de timp.
In prima diagram este ilustrat principiul de msurare a caracteristicilor de timp ale unui semnal.
Msurrile se fac n condiii precizate: valori fixe prestabilite, pentru nivele logice 1 i 0, i pentru nivele
ntre care se execut msurrile de timp U
1
, U
2
i U
3
n general, U
1
reprezint 10% din intervalul dintre 0
L

i l
L
, U
2
, 50% i U
3
90%. n aceste condiii se msoar timpul de tranziie 0
L
- l
L
(t
TLH
) i l
L
- 0
L
(t
THL
) i
durata impulsului (t
w
). Pentru impulsuri, cnd acestea trebuie s acioneze o schem (de exemplu un circuit
basculant), durata minim pentru care impulsul mai poate bascula circuitul este notat cu t
set-up
.

pdfMachine

64

Presupunnd c semnalul din prima diagram este aplicat la intrarea unui operator I (diagrama a
doua) sau I (diagrama a treia), se definesc timpii de propagare a nivelelor logice (timpii de ntrziere pe
poart) t
PLH
i t
PHL
, Practic, de multe ori se utilizeaz termenul de ntrziere medie pe poart sau de timp
mediu de propagare (t
p
), care se ia ca valoare medie a celor doi timpi de propagare:

Utiliznd acest sistem standard, aprecierea vitezei de lucru a circuitelor integrate capt un aspect
cantitativ determinat.
Un alt parametru important al circuitelor logice l constituie puterea consumat. Pe lng cerina
general de reducere a consumurilor energetice, limitarea puterii ce poate fi disipat de un circuit reprezint
un important motiv de optimizare a puterii consumate.
Criteriul de comparaie ntre diferite circuite l constituie consumul specific pe poart. Majoritatea
circuitelor au consumul dependent de starea logic n care se afl (acest lucru este nedorit i nc din faza
de proiectare a circuitelor se urmrete uniformizarea consumului n raport cu starea logic). Din acest
motiv, puterea medie consumat pe poart se determin In regim de impulsuri cu coeficient de umplere 0,5
la joas frecven (la frecvene de lucru ridicate, consumul crete datorit efectului dat de capacitile para-
zile). Puterea consumat este specific familiei i seriei logice. Intre puterea consumat i viteza de lucru a
circuitelor logice exist o relaie de proporionalitate direct. Pentru a satisface cerine diverse, au fost
create sub-familii, optimizate fie sub aspectul vitezei de lucru, fie al consumului specific (de exemplu,
seriile TTL), iar alte familii (MOS, de exemplu) pot lucra la tensiuni diferite, mari cnd se dorete vitez,
mici cnd se urmrete un consum redus. Aprecierea global, viteza de lucru-putere specific, utilizeaz un
parametru numit factor de merit, care este produsul timp de propagare-consum pe poart. Un circuit este cu
att mai bun, cu ct factorul de merit este mai mic.
Terminologia precum i modul de definire i msurare ale parametrilor constituie un important
subiect de standardizare. Pe plan internaional, de acest aspect se ocup Comisia Electrotehnic
Internaional oare aloc circuitelor integrate logice (digitale) publicaia IEC-147. n mare parte, aceste
recomandri snt reluate i n standardele noastre (STAS 10350-83 pentru terminologie i nomenclator de
parametri principali, STAS 12161-84 pentru metodele de msurare a acestor parametri).

pdfMachine

65

Una din direciile de standardizare o reprezint cea referitoare la simbolurile care se atribuie
circuitelor. Pentru un numr relativ redus de operatori logici care ndeplinesc funcii uzuale se folosesc
simboluri speciale. In cazul funciilor complexe, se utilizeaz simbolul de multiport asociat cu expresia
funciei logice respective. Unele simboluri ntrebuinate pentru circuitele logice n diferite standarde snt
prezentate n figura 7.7.

8.2. Pori logice
Porile DCTL, RTL, BCTL, DTL. Prima ncercare de standardizare a unei pori NOR a fost
reprezentat de schema DCTL (Direct Coupled Transistor Logic) din figura 7.8. Schema nu a fost
generalizat n tehnologia siliciului din dou motive. n primul rnd, plaja tensiunilor admise este ngust,
iar n al doilea rnd, cnd s-a ncercat aceast standardizare, nivelul tehnologiilor existente nu a permis
realizarea unei mperecheri corespunztoare. Ideea a fost reluat n tehnologia GaAs (vezi paragraful
7.2.3).
Pentru ameliorarea schemei DCTL s-a recurs n prima instan la intro-ducerea unor rezistoare serie
pe intrri (figura 7.9). A rezultat prima poart standard, RTL (Resistor Transistor Logic). Ca performane
pot fi reinute: timpul de propagare de circa 50 ns i fan-out de 45.

pdfMachine

66

Prin adugarea unui capacitor n paralel pe rezistor s-a obinut poarta RCTL (Resistor Capacitor
transistor Logic) (figura 7.10), cu o vitez de lucru mai mare. Prezena capacitoarelor, mari consumatoare
de arie, a constituit un impediment serios n dezvoltarea familiei. De fapt, toate porile logice prezentate
anterior au cunoscut o rspndire redus i nu se mai utilizeaz In prezent.
Prima schema evoluat este cea prezentat n figura 7.11. Circuitul SAU de intrare, realizat cu diode
de arie mic, comand inversorul cu tranzistor, de unde i numele porii, DTL (Diode Transistor Logic).
Performanele obinute snt superioare celor realizate de porile descrise anterior: arie ocupat i putere
disipat mult mai mici, fan-out ridicat (8) i vitez de lucru mai mare (tp ~ 25 ns).
Pori TTL. Familia TTL (7'ransistor Transistor Logic) reprezint prima familie de circuite logice care
a cunoscut o larg rspndire. Standardizat nc din 1964 de Texas Instruments, poarta TTL continu s
dein i n prezent un loc important n aplicaiile care necesit circuite logice integrate pe scar redus sau
medie (SSI i MSI). Exist, de asemenea, i circuite TTL larg integrate (LSI).

Fig. 8.9. Schema de principiu a porii RTL.
Fig. 8.10. Schema de principiu a porii RCTL.

pdfMachine

67

Poarta de baz a familiei TTL este operatorul elementar NAND prezentat n figura 7.12. Funcionarea
sa este urmtoarea: primul tranzistor, Ti, multiemitor, este cel care ndeplinete practic funcia logic. Dac
unul din emitorii si este legat la potenialul masei, el se deschide, rmnnd blocat numai atunci cnd
ambii emitori snt conectai la un potenial apropiat de Vcc- Tranzistorul T
2
este un etaj de comand, iar
ieirea este realizat n configuraia totem-pole (vezi capitolul anterior). Diodele D protejeaz intrarea la
supratensiuni negative ce pot aprea din cauza fenomenelor tranzitorii la viteze de lucru mari.
Standardul TTL a fost adoptat, cu nensemnate modificri, de toate firmele productoare. Iniial,
aceste circuite au fost proiectate pentru destinaii speciale, ulterior aprnd i seria de uz curent, mai puin
performant.
Tensiunea nominal de lucru adoptat este FCC = +5 V, cu o toleran de 0,5 V, pentru seria 54,
respectiv 0,25 V, pentru seria 74. In principiu, nivelele logice adoptate snt:

asigurnd astfel margini de zgomot de 0,4 V.
Sensul curenilor de intrare/ieire este cel indicat n figura 7.13. Poarta debiteaz curent pe ieire n
stare 1
L
i absoarbe n stare 0
L
intrarea comportndu-se invers (absoarbe pe 1
L
i debiteaz pe 0
L
). Din
punctul de vedere al curenilor, standardizarea difer de la firm la firm, n funcie de posibilitile
tehnologice. Aceasta nseamn c se pot folosi mpreun, n aceeai schem, circuite produse de firme
diferite, sub rezerva verificrii parametrilor fan-out n cazul ncrcrilor mai mari. Poarta standard a IPRS,
reprezentat de circuitul CDB 400, este caracterizat de urmtorii cureni:

Se observ c FI = 1 i FO = 10. Curentul de scurtcircuit pe ieire este I
OS
= 30 mA/V
I
= 0 V.

Viteza de lucru a porilor TTL standard variaz n funcie de productor, ca orientare putnd fi luat un
timp mediu de propagare t
P
= 10 ns. Condiiile de msurare a parametrilor de timp, precizate de catalogul
IPRS, snt conforme ou figura 7.6, cu urmtoarele precizri: se consider tensiunile logice de 0V (0
L
) i 3,5
V (l
L
), iar cele trei praguri V
1
= 0,7 V, V
2
= 1,5 V i V
3
= 2,7 V. In acest fel se realizeaz definirea univoc
a timpilor de comutare (t
THL
, t
TLH
) i de ntrziere (t
PHL
, t
PLH
). Puterea medie consumat este de 1020
mW/poart. Aceste cifre conduc la un factor de merit de aproximativ 0,1 nJ.
Fig. 8.13. Traseele de curent care se nchid la
interconectarea porilor TTL.

pdfMachine

68
Pornind de la seria TTL standard, urmrind optimizarea diferiilor parametri i realizarea unor
anumite faciliti, au fost dezvoltate alte cteva serii de circuite integrate de tip TTL. Compatibilitatea
dintre serii se refer la dispunerea pinilor, tensiunea de alimentare, nivelele logice. De regul, seriile difer
intre ele prin curenii de alimentare, timpii de propagare ai unele posibiliti speciale.
O prim serie derivat din cea standard este seria rapid HTTL (High speed TTL). n scopul sporirii
vitezei de lucru se recurge la creterea curenilor. Rezistoarele an valori mult mai mici, iar n etajul final se
utilizeaz o configuraie Darlington. Creterea consumului specific (2030 mW/poart) asigur o reducere
a timpului de propagare la circa 6 ns. Schema de principiu a porii din seria HTTL este prezentat n figura
7.14.
Exist n schimb o serie la care se reduce consumul pe seama creterii timpului de propagare. Seria
LTTL (Low power TTL) consum numai 1 mW/poart, dar timpul mediu de propagare tipic este de 33 ns.
O alt cale de cretere a vitezei de lucru const n utilizarea tranzistoarelor de tip Schottky. Schema
de principiu a unei pori STTL (Schottky TTL) este dat n figura 7.15. Configuraia sa este foarte
asemntoare cu a porii HTTL, n care tranzistoarele obinuite s-au nlocuit cu tranzistoare Schottky. De
asemenea, rezistena din emitorul tranzistorului de comand (T2) a fost nlocuit cu o sarcin activ (T6).
Consumul este similar cu al seriei HTTL, dublndu-se in schimb viteza de lucru.
Au fost proiectate si serii STTL de tip Low power care realizeaz un produs putere disipat-timp de
propagare foarte bun; de exemplu, firma Motorola produce seria ALS TTL (.4dvanced .Low power
Schottky TTL) care are un consum redus cu 50% i o vitez de lucru dubl n raport cu circuitele standard
Low power Schottky.

Pentru uurarea interfarii cu alte familii logice ct i pentru diverse aplicaii a fost realizat seria
TTL cu colectorul etajului final n gol, configuraie cunoscut sub numele de open-collector (figura 7.16).
Seria open-collector permite utilizarea unei tensiuni de alimentare a circuitului de sarcin, V
al
diferita de
Vcc. n acest, mod, excursia tensiunii de ieire poate fi realizat ntr-un interval diferit de cel standard TTL.
De reinut totui c nu poate fi depit curentul obinuit al tranzistorului T
3
(de regul 16 mA), iar
tensiunea n colectorul acestuia este de asemenea limitat. De exemplu, circuitele TTL open-collector
produse de IPRS admit 5,5 V, 15 V i respectiv 30 V, tensiune maxim pe colectorul n gol. Acest lucru nu
nseamn c nu exist posibilitatea de a fi folosite n montaj i la tensiuni mai mari. De exemplu, dac drept
sarcin se conecteaz un tub Nixie, alimentat la 170 V, datorit rezistenei sale foarte mari n stare deschis
(cnd e blocat, rezistena este practic infinit), pe colector rmn fraciuni de volt. De aceea, un circuit TTL
open-collector poate fi utilizat pentru comanda unor astfel de tuburi.
0 alt aplicaie a circuitelor open-collector o constituie realizarea funciilor cablate". Circuitele TTL
obinuite nu admit conectarea n paralel a ieirilor. Cele de tip open-collector pot avea ns rezistena
extern comun, aa cum se arat n figura 7.17. Funcia realizat de acest circuit este:

Dimensionarea rezistenei Rs se face innd seama de valorile standardizate ale tensiunilor de ieire i
de curenii de lucru. Astfel, principala restricie se refer la posibilitatea ca numai una din pori s aib
ieirea n sta-rea 0
L
. In acest caz, aceast ieire va trebui s absoarb curenii din toate intrrile comandate
mpreun ou cel din rezistorul Rs, fr a depi valoarea limit:

Fig. 8.14. Schema de principiu a
porii HTTL.
Fig. 8.15. Schema de
principiu a porii STTL.

pdfMachine

69
de unde:

ncrcarea pe l
L
nu pune probleme de bilan al curenilor, fiind cunoscut c absena curenilor de intrare
(intrare neconectat), circuitele TTL o asimileaz valorii l
L
. Datorit efectului de integrare pe care l are
grupul R
S
C
P
(cu C
P
s-a notat capacitatea parazit a intrrii, inclusiv cea a reelei de inter-conectare) cnd se
cer performane de vitez, R
S
trebuie micorat ct admite relaia anterioar.
O alt serie TTL a fost dezvoltat n special pentru aplicaii n tehnica de calcul. Conceptul de
magistral, din calculatoarele moderne, presu-pune c la aceeai linie s poat fi conectate ieirile mai
multor circuite. Aceste circuite trebuie s aib o comportare TTL normal cnd snt selectate, iar cnd nu
snt selectate s nu influeneze semnalele de pe linia respectiva. Dac impedana de ieire (vzut dinspre
linie), cnd circuitul nu este selectat, are o valoare suficient de mare, semnalele care circul n linie n acel
moment nu snt afectate. Pe acest principiu snt realizate circuitele three-state (cu trei stri), care pot avea
ieirea n una din strile: l
L
, 0
L
i nalt impedan. n figurile 7.18 a i b snt prezentate dou variante de
pori TTL cu trei stri. Starea de nalt impedan se realizeaz prin blocarea ambelor tranzistoare de ieire.
In prima schem, tranzistorul T3 este blocat de nsi logica schemei prin aplicarea valorii 0
L
pe una
din intrri, iar T4 prin polarizarea bazei la o tensiune mic (0
L
) prin dioda D
C
. La a doua schem, ambele
tranzistoare de ieire snt blocate pe baz prin diode. n ambele scheme, comanda de activare a porii (Chip
Enable sau Chip Select) se aplic printr-un inversor I. In acest fel, dac intrarea nu este conectat sau
este conectat i i se aplic un semnal de valoare logic 1, circuitul se poziioneaz pe starea de nalt
impedan.

Porile TTL de tip three-state snt larg utilizate ca pori de ieire n circuitele MSI i LSI.
Un neajuns important al circuitelor TTL l reprezint nsui modul de lucru al tranzistoarelor, care
lucreaz blocat-saturat cu efect negativ asupra vitezei de lucru. O cretere a vitezei de lucru se obine dac
se evit saturarea utiliznd tranzistoare Schottky, soluie aplicat la seria STTL. Mai atractiv este ns
ideea ca tranzistoarele s lucreze n clasa A, soluie pe care se bazeaz o important familie de circuite
logice bipolare: ECL (Emitter Coupled Logic). n figura 7.19 este prezentat schema de principiu a porii
fundamentale, SAU (NOR), a acestei familii.
Fig. 8.16. Schema electric a unei pori
TTL open-collector.
Fig. 8.17. Conectarea porilor open-
collector pentru realiza-rea funciilor
cablate.
Fig. 8.18. Pori TTL three-state:
a) cu comanda activrii pe intrare i ieire; h) cu comanda activrii pe ieire.
CE

pdfMachine

70
Structura de baz a acestei familii logice o reprezint etajul diferenial T
1
(T
2
)T
3
. Din exterior (adic de
la un generator de tensiune constant ncorporat circuitului) se aplic pe o ramur tensiunea de referin V
R
.
Curentul absorbit de etajul diferenial este constant i circul prin ramura care primete o tensiune de
comand mai mare. Astfel, dac V
x1
> V
R
, curentul va circula prin ramura din stnga, respectiv dac V
x1
<V
R
,
prin ramura din dreapta. n acest mod, cu o comand uor de asigurat (ca excursie de tensiune) se execut o
comutaie de curent important, fr ca tranzistoarele s ias din zona de lucru n clasa A. Etajul de ieire
este repetor pe emitor, asigurndu-se astfel un curent de ieire mare si o impedan de ieire mic. Prin
adugarea unui al doilea repetor pe emitor, comandat din colectorul tranzistorului rs, se obine nc o ieire,
negat n raport cu prima, adic o ieire de operator SAU (OR).
Avantajul principal oferit de poarta ECL const in viteza de lucru. Timpii de comutaie snt de ordinul a 1-
2 ns, iar cei de propagare cu puin mai mari, depinznd de reeaua de interconectare si de sarcina
comandat. De asemenea, este remarcabil capacitatea de ncrcare (FO>25)). n legtur cu acest
parametru, trebuie reinute c situaia este diferit de cea a circuitelor TTL. n primul rnd, curentul de
comand (de baz) pe 0
L
. este nul, astfel c FO (ca i FI) se refer numai la nivelul 1
L
. In al doilea rnd,
fiind vorba de un circuit cu funcionare n clasa A, tensiunea de ieire depinde de curent, astfel c la o
ncrcare mare a ieirii, nivelul tensiunii de 1
L
scade. Aceasta are ca efecte, pe de o parte, reducerea
margini de zgomot, iar pe de alt parte, scderea vitezei de lucru (spre deosebire de circuitele TTL, care,
lucrnd cu ieirea n regim de satu-rare, au nivelul logic mult mai stabil n raport cu ncrcarea ieirii).

Consumul este practic independent de starea logic, ceea ce este iari. convenabil n schimb, puterea
disipat este mare, de circa 50 mW/poart, iar marginea de zgomot aproximativ de 0,2 V. n condiiile
curenilor mari absorbii, o margine de zgomot mic oblig la o proiectare ngrijit a inter-conectrilor.
Principala firm care a dezvoltat intensiv aceast familie, MOTOROLA. a creat un numr de serii
adoptate ca standarde i de ali productori. Fiind vorba de o familie important, n tabelul urmtor se dau
civa parametri de baz ai acestor serii.

Puterea specific ca i aria mare permit familiei ECL integrarea pe scar mic i medie.
Pori IIL. Pentru integrarea pe scar larg (LSI), dintre porile logice bipolare cu siliciu este
utilizat cu precdere familia IIL (Integrated Injection Logic) sau I
2
L. Schema de principiu, schema
funcional i simbolul opera-torului elementar din aceast familie snt date n figurile 7.20 a-c. Structura,
modul de lucru i concepia de interconectare snt complet diferite de cele ale familiilor de circuite logice
prezentate pn acum. Elementul logic de baz este de fapt un simplu tranzistor, cu mai multe colectoare,
toate n gol Un generator de curant constant este legat la baza sa, care reprezint i intrarea circuitului.
Fig. 8.19. Schema de principiu a unei pori EGL.

pdfMachine

71
Circuitul funcioneaz, evident, numai in sarcin. Cnd pe intrare se aplic tensiunea de 0V (nivelul 0
L
,),
curentul injectorului este dirijat la mas prin circuitul de comand. Cnd intrarea este adus n starea 1
L
,
curentul injectorului se nchide prin baza tranzistorului i acesta se deschide. Tensiunea de alimentare i
nivelele logice au valori foarte mici n comparaie cu alte tipuri de circuite logice. Astfel, dac Vcc
=
l V,
atunci V
L
< 20 mV i V
H
=0,40,8V, i circuitul poate fi alimentat de la o singur pil electrochimic, fapt
important, n unele aplicaii. Aceasta este structura i funcionarea inversorului. Operatorii universali
NAND i NOR derivai din aceasta au de asemenea o configuraie foarte simpl.

Operatorul NAND din figura 7.21a nu se deosebete de inversor dect prin existena a dou borne de
intrare (simbolul utilizat este cel din figura 7.21b). Dac una sau ambele intrri snt aduse la nivel 0
L
,
ieirea va comuta n 1
L
, 0
L
, la ieire putndu-se realiza numai dac ambele borne se afl la 1
L
(deoarece
ntre cele dou borne de intrare exist un simplu traseu de inter-conectare). Se cuvine fcut ns o
precizare: o astfel de intrare, la care s-au conectat ieirile de la dou circuite de comand, presupune
circuite ale cror ieiri pot fi conectate n paralel. Familia IIL este ns cu precdere adaptat la realizarea
funciilor cablate. Un exemplu ilustrativ n acest sens Il ofer structura operatorului NOR (figura 7.22).
Funcionarea schemei este simpl i nu mai necesit explicaii. Se poate ns constata c aceast schem
este identic cu cea din figura 2.12. Cu alte cuvinte, logica IIL este perfect implementat n tehnologia
MTL. Un ntreg operator poate fi lesne realizat pe o singur insul, aa cum s-a artat n figura 2.11.
Absena rezistoarelor i structura de tranzistor mixt conduc la o foarte bun densitate de mpachetare i la
un consum redus, simultan cu o vitez de lucru relativ mare. Aceste ultime caliti snt exprimate sintetic
de un factor de merit mai mic, 1 pJ. Din cele artate rezult c familia logic IIL se preteaz la realizarea
circuitelor integrate pe scar larg (LSI).

Fig. 8.20. Inversor IIL:
a) schema de principiu; b) schema funcional; c) simbolul
Fig. 8.21. Poarta NAND IIL:
a) schema electrica; b) simbolul.
porii NOR IIL.

pdfMachine

72

Pori HLL. Aplicaiile, att cele de natur industrial, ct i unele speciale, care impun lucrul n medii
perturbatoare, necesit circuite logice cu o imunitate la zgomot ridicat, adic cu margini de zgomot mari.
n aceast idee a fost creat familia logic HLL (High Level Logic circuite cu nivel logic nalt). Poarta
de baz a acestei familii, de tip NAND, este prezentat n figura 7.23. Schema funcioneaz n felul
urmtor: dac intrrile snt n gol sau snt conectate la un potenial ridicat, tranzistoarele T1 i T2 snt
blocate i T3 deschis; dac se aplic un semnal de comand care deschide unul sau ambele tranzistoare de
intrare, baza tranzistorului T3 se polarizeaz cu un nivel sczut, apropiat de potenialul masei, inferior
potenialului de emitor, i T3 se blocheaz. Intervalul de tensiune n care are loc tranziia este mic, iar dioda
Zener, D
Z
, are rolul de a axa acest interval la jumtatea tensiunii de alimentare. Etajul de ieire este bazat
pe o schem cunoscut. Tranzistoarele T4 i T5, nu pot conduce simultan. Cnd T4 este deschis, potenialul
bazei tranzistorului T5 este inferior potenialului emitorului i T5 este blocat. Cnd T4 este blocat, T5 este
polarizat prin R4 i poate debita curent pe sarcina conectat la ieire.
Valorile componentelor din schem corespund circuitului H102, care, alimentat la 16 V, opereaz cu
urmtoarele nivele logice: pe intrare V
ILMAX
= 6 V, V
IHMIN
= 8 V, iar pe ieire V
OLMAX
= 1 V, V
OHMIN
= 15
V. In acest fel se asigur margini de zgomot de 5 V i respectiv 7 V. Capacitatea de ncrcare a ieirii este
mare, FO >25. Dezavantajul principal al acestui tip de circuit, destinat nivelelor de integrare SSI i MST,
consta n utilizarea tranzistoarelor p-n-p care reduc viteza de lucru. Exist mai multe serii care opereaz cu
nivele logice diferite, inclusiv n varianta open-collector, ntlnite i sub alte denumiri, HTL (High
Threshold Logic) sau HNIL (High Noise Immunity Logic)
8.2.2. PORI LOGICE MOS
Circuitele logice cu tranzistoare MOS se deosebesc substanial de cele bipolare, datorit
caracteristicilor acestor tranzistoare. Examinnd o schem logic MOS, se constat ca, de cele mai multe
ori, ea conine numai tranzistoare. Uneori apar n scheme i capacitoare MOS, iar la borne diode de
protecie. O parte din tranzistoare ndeplinesc funcia de rezistor, fix sau comandat.
Dup cum se cunoate, tranzistoarele MOS pot fi cu canal p sau n, din punctul de vedere al
purttorilor, i cu canal indus sau iniial, dup modul de lucru. S-au realizat circuite logice cu toate aceste
tipuri de tranzistoare, unitar i mai ales n combinaii. Evoluia circuitelor logice MOS a fost determinat de
evoluia tehnologiilor MOS, care, aproape exclusiv, au fost dedicate acestor circuite. Au aprut, succesiv,
circuitele logice PMOS (P-channel MOS), NMOS (N-channel MOS) si CMOS (Complementary MOS).
Pori MOS statice. Vor fi prezentate n primul rnd circuitele logice PMOS i NMOS. Una din
diferenele importante ntre aceste dou tipuri de circuite const n mobilitatea diferit a purttorilor, cu
efect asupra vi-tezei de lucru. Din punctul de vedere al logicii, dispozitivele PMOS snt realizate, de regul,
n logic negativ, n timp ce dispozitivele NMOS n logic pozitiv.
Cea mai simpl schem logic MOS este operatorul de negare, inversorul (figura 7.24), realizat pe
numai dou componente, dou tranzistoare MOS, unul de comand, T2 i unul de sarcin, T1. Tranzistorul
T1 ar putea fi in principiu nlocuit de un rezistor, dar acesta ar ocupa o arie inadmisibil de mare. Din
punctul de vedere al canalului, cel mai uor de realizat este schema cu tranzistoare cu canal indus (EFET),
deoarece necesit doparea numai a zonelor de surs i dren. Soluia nu este cea mai bun, deoarece T1
trebuie s funcioneze ca surs de curent constant. Comportarea circuitului se mbuntete substanial
dac tranzistorul T1 este de tip DFET, iar poarta se leag la surs n figurile 7.25a i c snt prezentate
comparativ cteva caracteristici ale circuitelor ce utilizeaz ca sarcin tranzistoare cu canal indus, E (E-
load MOS Cell), rezistoare, R (R-load MOS Cell) i tranzistoare cu canal iniial D (D-load MOS Cell).
Curbele snt foarte explicite n a evidenia superioritatea ultimei structuri. Preul calitii este pltit prin

pdfMachine

73
faza tehnologic suplimentara de realizare a canalelor. n cele ce urmeaz, referitor la circuitele PMOS i
NMOS se va utiliza un singur simbol pentru toate tipurile de tranzistoare, menionndu-se particularitile
atunci cnd este necesar.

Schemele electrice ale operatorilor universali snt date n figurile 7.26 (NAND) i 7.27 (NOR). Poarta
NAND poate fi realizat fie cu dou tranzistoare In serie, ca in figur, fie cu un tranzistor cu mai multe
pori. Cnd pe ambele pori se aplic tensiunea corespunztoare nivelului 1
L
tranzistoarele se deschid i
tensiunea de ieire scade la nivelul corespunztor pentru 0
L
. Cnd una sau ambele intrri snt stabilite pe
nivel 0
L
, ieirea rmne n stare 1
L
. Operatorul NOR lucreaz n mod similar, conform logicii sale. Aceti
operatori snt statici, n tehnologie MOS existnd i o clasa separat, specific, cea a operatorilor dinamici.

Porile MOS dinamice realizeaz funcia logic i o transmit la ieire numai n momente de timp
controlate de un semnal de tact. Un astfel de inversor dinamic este prezentat n figura 8.28. Spre deosebire
de cazul inversorului static, tranzistorul de sarcin, T1, este deschis numai pe timpul comenzii de tact.
Acest mod de lucru asigur reducerea consumului specific. Rezultatul operaiei logice este transferat la
ieire tot n acest timp, prin tranzistorul T
C
cu rol de poart de transmisie, i este memorat n capacitorul C.
Operatorii dinamici NAND si NOR, reprezentai n figurile 8.29 i respectiv 8.30, se deosebesc de
echivalenii lor statici prin prezena tranzistoarelor comandate de tact i a capacitorului de memorare. Acest
capacitor este reprezentat fizic de capacitatea parazit de ieire.
Circuitele prezentate snt de tip dinamic proporional. Exist ns i alte tipuri de pori dinamice.
Astfel, schema din figura 8.31 este un inversor dinamic cu prencrcare. Circuitul din figura 8.28 prezint
neajunsul c, dac T1 i T2 snt simultan deschise, pe de o parte se creeaz un traseu de mic rezisten
ntre V
DD
si mas, iar pe de alt parte, n aceast situaie, tensiunea de ieire este proporional cu raportul
rezistenelor de conducie a celor dou tranzistoare (de unde i numele de operator dinamic proporional).

8.24. Schema de principiu
a unui inversor MOS.
Fig. 8.25. Caracteristici ale operatorilor MOS n funcie de
sarcin: a.) caracteristica de rspuns In timp la semnal treapt;
b) caracteristica de transfer; c) caracteristica de ieire.
principiu a unei pori
NAND MOS.
principiu a unei pori NOR
MOS.
principiu a unui inversor
MOS dinamic.

pdfMachine

74

Circuitul din figura 8.31 elimin acest neajuns, utiliznd dou semnale de tact i un numr sporit de
tranzistoare. Primul semnal de comand activ ntr-un ciclu de funcionare este C
1
. El deschide
tranzistoarele T1 i T
C1
realiznd prencrcarea capacitii C, la o tensiune foarte apropiat de V
DD
. n
perioada activ a semnalului C
2
, care nu se suprapune deloc cu C
1
, are loc descrcarea capacitii prin
tranzistoarele T
C2
, T2, T3, dac T3 este deschis de semnalul de intrare. In acest fel nu mai apare calea de
conducie intre V
DD
i mas, tensiunea pe capacitatea C ia valori convenabile (tinznd spre cele dou valori
extreme, V
DD
i GND), iar consumul se limiteaz practic la curentul mic absorbit de capacitor. Principalul
neajuns al schemei const in complexitatea relativ mare pentru o poart destinat circuitelor LSI.

n figura 8.32 este prezentat o structur de operator dinamic cu dou faze de tact, care realizeaz att
comanda ct i alimentarea operatorului. Schema electric este simplificat prin utilizarea a numai patru
tranzistoare, ceea ce reduce aria ocupat de operator. Deoarece se simplific i reeaua de interconectare, ne
mai fiind necesare trasee de alimentare, se obine o sensibil cretere a densitii de integrare n raport cu
schema anterioar. In schimb, este necesar ca generatoarele semnalelor de tact (C
1
) s furnizeze putere
suficienta. Funcionarea inversorului este urmtoarea. Capacitatea C se ncarc prin T1 i T
C1
pe durata
activ a semnalului de tact C
1
, absorbind energie de la generatorul de tact. Descrcarea capacitii are loc
tot prin borna C
1
, cnd se inverseaz semnalul i este activ semnalul de tact C
2
, iar intrarea de comand, x,
este de asemenea activ. Traseul de descrcare cuprinde tranzistoarele T2 i T
C2
. Deoarece ncrcarea i
descrcarea capacitii se fac prin aceeai born, C
1
, nu se impun restricii severe referitoare la
suprapunerea parial n timp a celor dou semnale de tact, ele putnd fi lesne obinute unul din cellalt
prin inversare (la schema precedent, dup cum s-a constatat, este necesar un timp de separare ntre
duratele active ale semnalelor de tact, pentru a evita deschiderea unui traseu de conducie direct, T1, T2,
T3, de la V
DD
la GND).

Fig. 8.31. Schema de principiu a unui
inversor MOS dinamic cu prencrcare.
inversor MOS dinamic cu alimentare de
la semnalul de tact.
Fig. 8.33. Schema de principiu a ariei de
tranzistoare ROM 01.
Fig. 8.34. Schema de principiu a porii
MMP 107.

pdfMachine

75

Pornind de la aceste structuri de baz, s-au realizat o serie larg de tipuri de pori logice MOS. Marea
lor majoritate snt nglobate n structuri complexa i, din punctul de vedere al utilizatorului, intereseaz mai
puin configuraia exact a porilor interioare. Exist ns i pori care pot fi utilizate ca atare. Circuitul
ROM 01 produs de ICCE (figura 8.33) reprezint o arie de tranzistoare MOS ou care se pot sintetiza
operatorii dorii (de exemplu operatorii statici din figurile 8.26 i 8.28). ntreprinderea
Microelectronica produce pori NAND i NOR n tehnologia PMOS, cu o configuraie mbuntit. Poarta
NAND din circuitul MMP 108 (figura 8.34) realizeaz funcia I pe tranzistoarele T1, T2, T3, rezultatul
nemijlocit fiind mrimea Z. Grupul T4, T5 reprezint un amplificator inversor comandat de semnalul Z i
care furnizeaz semnalul . Aceste dou semnale, Z i comand cele dou circuite de ieire T6, T8 i
T8, T9 care au rolul de a mbunti funcia de transfer si de a separa intrarea de sarcin. Dac celor dou
intrri, x
1
i x
2
li se aplic semnale de valoare logic 1, semnalul intermediar, Z, va avea valoarea logic 0.
n aceast situaie, tranzistoarele T5, T6 i T8 snt blocate. Faptul c tranzistorul T5 este blocat face ca Z s
aib valoarea 1
L
i, prin aceasta, tranzistoarele T6 i T9 vor fi deschise. La ieirea y, semnalul va avea
valoarea 0
L
,. Dac unul sau ambele semnale de intrare se afl n stare 0
L
Z va avea valoarea 1
L
. Se deduce
c n final starea ieirii va fi y = 1
L
. Schema este prevzut cu posibilitatea de a fi alimentat la dou
tensiuni diferite, una de dren, V
DD
, care poate fi mai mic, i una de poart V
GG
, care trebuie s se
ncadreze n caracteristica de lucru a tranzistorului PMOS.
Poarta NOR din circuitul MMP 106 (figura 8.35) nu are ieire complementar. Funcionarea sa poate
fi neleas urmrind schema electric de principiu.
Este locul de a prezenta i comutatorul analogic, circuit comandat numeric i care poate comuta
semnale att logice ct i analogice. Un astfel de circuit este constituit dintr-o serie de pori de transmisie,
comandate de o schem logic. Pentru exemplificare este prezentat schema din figura 8.36 bazat pe seria
de comutatoare analogice MMP (PMOS). Toate intrrile, x
1
x
n
sunt conectate la ieirea y prin pori de
transmisie, tranzistoare cu canal indus (T
21
T
2n
). Spre ieire va fi transmis numai semnalul corespunztor
porii deschise prin comanda C
i
Comanda C controleaz toate liniile, prin punerea la mas a comenzilor C
i

cu ajutorul tranzistoarelor T
11
T
1n

Pori CMOS. Tehnologia PMOS i-a restrns treptat aria de aplicaie n favoarea tehnologiei
NMOS, pentru ca n final locul preponderent s revin tehnologiilor CMOS (Complementary MOS) care au
facilitat n mod deosebit dezvoltarea circuitelor logice. Prima serie comercial disponibil a fost lansat n
1968 de firma RCA. Aceast serie, 4 000 A, completat de seria 4 500 a firmei Motorola, evoluat n forma
4 000 B (litera B semnific i prezena etajului buffer), este cea mai rspndit astzi. Alturi de ea, a fost
dezvoltat o serie, 54C/84C (National Semiconductor) care reprezint varianta CMOS a familiei TTL
(funcionalitate, conectare la pini etc.). Exist numeroase alte serii sau variante ale lor, n funcie de
productor. Firma RCA a optat pentru seria 4 000 (CD 4 000), Fairchild a dezvoltat seria 34 000 n
porii MMP 106.
comutator analogic.
Z Z

pdfMachine

76
tehnologie isoplanar, Harris Semiconductor, seria DI/CMOS (Dielectric Insulator/CMOS). ntreprinderea
Microelectronica a realizat aproape ntreaga serie 4 000 B, cu caracteristici conforme acestei serii (tensiuni
de alimentare cuprinse ntre 3 i 18 V, imunitate la zgomot pn la 0,45 V, timp mediu de propagare pe
poart 60 ns, consum static redus, reea de protecie antistatic etc.).
Ideea de baz a familiei CMOS, care a condus la dezvoltarea ei intensiv, o constituie realizarea de
pori cu tranzistoare complementare (canal n i canal p) conectate n serie pe circuitul de alimentare.
Operatorul de baz al familiei, inversorul, este prezentat n figura 8.38. Indiferent de nivelul logic aplicat la
intrare, numai unul din tranzistoare va intra n conducie, asigurnd astfel un consum extrem de redus.
Puterea consumat are de fapt trei componente semnificative. Consumul static, determinat de curentul
de scurgere prin tranzistorul blocat, are valoarea cea mai mic, de ordinul a zeci de nW/poart i este
permanent prezent. Consumul static este dependent de temperatur, n tehnologia CMOS cu substrat de
siliciu dublndu-se la fiecare 10 K. Consumul dinamic nsumeaz celelalte dou componente ale
consumului general. Pe de o parte, n timpul tranziiilor logice, exist un interval de timp n care ambele
tranzistoare snt deschise i prin ele trece un puls de curent de la V
DD
la GND. Rezult un consum
suplimentar proporional cu frecvena de lucru. Pe de alt parte, tranziiile ncarc i descarc capacitile
reelei, ceea ce nseamn nc un consum suplimentar. Pentru schemele simple nu se pun probleme, dar n
circuitele LSI, acest consum poate deveni important. Porile NAND (figura 8.38) i NOR (figura 8.39) snt
realizate prin combinaii inversoare. Fiecare intrare comand o pereche de tranzistoare conectate n serie,
ca n inversor (T1, T2 respectiv T3, T4), deschiznd unul din ele i blocndu-1 pe cellalt. La rndul lor,
tranzistoarele de acelai tip formeaz mpreun dou scheme logice cu funciile I i SAU (T1, T2 respectiv
T3, T4), conectate n serie pe traseul de alimentare. Dac schema SAU se afl conectat la V
DD
i schema
I la V
SS
(GND), operatorul obinut este de tip NAND. Dac spre V
DD
se conecteaz schema I, iar schema
SAU se conecteaz spre V
SS
se obine operatorul NOR. Simetria schemei permite schimbarea cu uurin a
logicii (pozitive ori negative) sau a potenialului de referina (V
DD
sau V
SS
)

Un operator funcional des utilizat n circuitele logice CMOS este poarta de transmisie CMOS.
Aceasta funcioneaz ca un ntreruptor analogic bilateral. O schem de principiu pentru o poart de
transmisie este dat n figura 7.40. Semnalul de intrare aplicat la borna x trece sau nu spre ieirea y n
funcie de starea de conducie a tranzistoarelor T1 i T2. Comanda de deschidere se aplic prin borna CE
tranzistorului T2 i, dup o inversare realizat de T3, T4, tranzistorului T1. Acest mod de comand este
necesar deoarece T1, T3 snt tranzistoare complementare.
Conectarea circuitelor integrate CMOS n sisteme cu magistrale este nlesnit de existena, ca i n
alte familii de circuite integrate logice, a circuitelor tip three-state. O schem principial pentru un repetor
three-state este prezentat n figura 7.41. ieirea y poate fi legat la o magistral, de oarece ea poate fi
izolat prin blocarea ambelor tranzistoare de ieire. Blocarea se realizeaz aplicnd porii tranzistorului T1
tensiune de nivel 1
L
iar porii tranzistorului T2 tensiune de nivel 0
L
. Schema logic combinaional
realizeaz aceasta cnd pe intrarea se aplic o comanda de nivel 1
L
, indiferent de valoarea semnalului de
principiu a inversorului
CMOS elementar.
principiu a unei pori
NAND CMOS.
principiu a unei pori NOR
CMOS.
CE
CE

pdfMachine

77
intrare x. Dac intrarea este conectat la nivel 0
L
, porile tranzistoarelor T1 i T2 primesc acelai semnal,
unul dintre ele se deschide i valoarea logic a intrrii x este transferat la ieirea y.

Pornind de la structurile de baz prezentate anterior, s-au realizat un numr mare de variante concrete de
circuite integrate logice CMOS. Astfel, cea mai rspndit familie CMOS, 4000B, este aproape n
ntregime prevzut cu buffere. Adugarea unui etaj buffer la ieirea unui operator logic, avnd o funcie
logic oarecare (figura 8.42), cu preul unei scderi a vitezei de lucru, mbuntete caracteristica de
transfer a circuitului, lucru necesar mai ales la porile de interfa ale circuitelor. mbuntirea introdus
este explicitat n figura 8.43. De regul, etajul buffer este reprezentat, dup cum se vede n schem, de
doua. inversoare adugate succesiv ieirii logice a operatorului. Porile cu buffer ocup o arie mai mare i
n consecin se utilizeaz cu precdere atunci cnd este disponibil o arie de chip suficient, adic la
nivele de integrare SSI i MSI. Uneori ns este necesar reducerea ariei ocupate i atunci se adopt scheme
pe ct posibil mai simple. n figura 8.44 este dat schema unui operator NAND simplificat, iar n figura
8.45 a unui operator NOR. Schemele snt similare celor realizate monocanal i, din cauza strii de
conducie permanent a tranzistorului T3, se pierde avantajul principal al circuitelor CMOS, consumul
redus. Economia de arie, mai exact, de tranzistoare, crete de Ia 25% la operatorul cu dou intrri, spre
50% pentru cazul n care acesta are mai multe intrri.

Seria de circuite integrate logice 4 000 B ofer posibiliti speciale pentru realizarea de scheme
coninnd componente logice de standard diferit. De exemplu, circuitele 4 049 i 4 050 (existente i n seria
MMC) lucreaz cu un curent de ieire mare (< + 3,2 mA) i cu tensiune de intrare mai mare dect cea de
alimentare. Ele au fost concepute n principal pentru realizarea interfarii CMOS-TTL (DTL). Schema de
principiu a circuitului 4 049 este prezentat n figura 8.46. In aplicaiile tipice, tensiunea de alimentare V
DD

este aceeai cu aceea a circuitului comandat (5 V pentru circuite TTL), n timp ce pe intrare se pot aplica
tensiuni pn la 15 V. Are loc astfel o restrngere a intervalului de definire a nivelelor logice. Funcionarea
schemei nu prezint particulariti deosebite. Circuitul 4 050 este identic, avnd un etaj inversor
suplimentar, astfel ca s realizeze funcia logic direct (nu de in-versor, ca precedentul circuit).

unei pori de transmisie CMOS.
unui repetor MOS tip three-state.
Fig. 7.42. Schema funcional a
unui operator MOS cu buffer.
Fig. 7.43. Caracteristica de
transfer a operatorilor MOS cu si
fr buffer
Fig. 8.44. Schema de principiu
a unei pori NAND CMOS
simplificat.
Fig. 8.45. Schema de principiu
a unei pori NOR CMOS
simplificat.

pdfMachine

78

Asemenea familiei TTL i familia CMOS dispune de circuite cu ieirea n gol. Spre exemplu, n seria
4 000 B exist operatorul open-drain 40 107 (prezent i n varianta MMC). Schema funcional a unui
operator open-drain este prezentat n figura 8.48. Ea conine o reea logic care realizeaz funcia logic f
i un tranzistor de ieire To de curent mare (tipic 132 mA). Destinaia i modul de utilizare snt similare
circuitelor open-collector din familia TTL, cu deosebirea ca, avnd posibilitatea s lucreze la cureni mai
mari, circuitele open-drain pot fi folosite direct n automatizri (de exemplu la comanda tiristoarelor).
Translaia de nivel logic, de la CMOS alimentat la 15 V, la TTL sau CMOS alimentat la 5 V, se poate lesne
realiza utiliznd circuitele cu dubl alimentare ale seriei 4 000, de exemplu 4 009 (figura 8.48) i 4 010
(figura 8.49). Dup cum se observ din schem, primul operator este i in-versor. Borna de alimentare V
DD

se conecteaz mpreun cu alimentarea circuitului de intrare n interfa, n timp ce borna V
CC
se leag la
alimentarea celui de ieire.

Ca i circuitele monocanal, circuitele CMOS au variante dinamice, unele din ele asemntoare cu cele
dinti. 0 structur dinamic deosebit o reprezint cea cunoscut sub numele de Domino CMOS (figura
8.50). Funcia logic o asigur grupul de tranzistoare T3, T4. In cazul ales, funcia implementat este SAU,
dar poate fi aleas orice alt funcie. Tranzistoarele T1 i T2 snt comandate cu un semnal de tact, C, care le
deschide i le blocheaz alternativ. Cnd T1 este deschis, capacitatea C se ncarc la un nivel apropiat de
V
DD
. n acest timp, T2 este nchis, blocnd traseul de descrcare a capacitii. Cnd se inverseaz tactul C,
T1 se nchide, iar T2 se deschide. Dac grupul logic (T3, T4 n acest caz) asigur un traseu deschis,
capacitatea C se descarc prin el i T2. Dac nu, capacitatea C rmne ncrcat. Tensiunea de pe
capacitate se aplic la intrarea inversorului realizat pe tranzistoarele T5, T6, care formeaz etajul de ieire.
In acest mod, ieirea va furniza 0
L
pe durata deschiderii lui T1 i valoarea corespunztoare funciei
implementate pe durata blocrii lui. Interconectnd pori de acest tip i acionndu-le cu acelai semnal de
tact, schema va funciona sincron cu dou perioade, una de ncrcare a capacitilor i una de realizare a
funciilor logice.

circuitului 4009 (seria CMOS4000B).
circuitului 4 010 (seria CMOS 4 000 B).

pdfMachine

79

Deoarece tranzistoarele se comand n tensiune, capacitile pot avea valori mici, practic utilizndu-se
capacitatea parazit a reelei de inter-conectare.
O caracteristic specific circuitelor MOS In general const n impedana de intrare mare, datorat
izolrii porii. Comanda n tensiune reprezint un avantaj important dar necesit i luarea unor msuri
speciale de protecie. Exist pericolul ncrcrii electrostatice a porilor la tensiuni mari, de ordinul
kilovolilor sau zecilor de kilovoli, tensiuni care pot conduce la strpungerea dispozitivelor. Pentru a evita
distrugerea circuitelor pe aceast calc, se utilizeaz dou metode. Prima se refer la condiiile de pstrare i
manipulare a circuitelor. Pe timpul depozitrii, circuitele se pstreaz cu pinii n scurtcircuit, cutiile fiind
metalice sau din materiale plastice antistatice. Msurile merg pn la descrcarea electrostatic a
personalului care monteaz circuitele, prin brri metalice de mpmntare legate la mini.
Marea majoritate a circuitelor CMOS folosesc reele interne de protecie la ncrcarea electrostatic.
O reea complet de protecie este prezentat n figura 8.51. Intrarea i ieirea operatorului cu funcia logic
f, x' respectiv y', snt legate la exterior prin reelele de protecie. Diodele D1 au tensiuni de strpungere de
circa 50 V, iar diodele D2, de circa 25 V. Capacitatea de reea i poart (n schema figurat exterior, C) nu
se poate ncrca la tensiuni periculoase datorit traseelor de descrcare asigurate de diode. n acelai timp,
aceste diode mpreun cu dioda D3 (Zener) asigur circuitul cnd nu snt cuplate sursele de alimentare i
mpotriva conectrii greite (nu admite pe circuit tensiuni peste valorile limit absolut) sau depirii
tensiunii inferioare de intrare admise. Fizic, prima diod, D1 mpreun cu rezistorul, R, au o structur
comun distribuit i ndeplinesc i rolul de atenuator al reflexiilor pe linie. O structur asemntoare se
amplaseaz uneori i pe ieire.

BIBLIOGRAFIA
1. Dumitru Scheianu. Microelectronica. Editura militar. Bucureti, 1988.
2. .., .. . . " ", 1991.
3. .. . ., "", 1977.
4. : . . / ..
, .. , .. ; . .; . ., 1986
5.. . . . .:, 1985.
6. ., . : , , . .:, 1985.
7. .-. . . . . : , 1982
operator OR DOMINO CMOS.
Fig. 8.51. Circuit de protecie antistatic
pentru un operator logic CMOS.

pdfMachine

Curs Electronica Analogica

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Curs Electronica Analogica

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI

You might also like