1

Curva del diodo 2

Universidad de San Carlos, Facultad de Ingeniera Departamento de Fsica Laboratorio de Fsica 4

ResumenEn la siguiente prctica se hace anlisis del comportamiento del diodo en distintas aproximaciones. Tomando como primer lugar el anlisis del diodo como cortocircuito, continuando como una fuente de voltaje en inverso, y al nal como una fuente en serie con una resistencia. De estas tres aproximaciones se busca encontrar cual es la suposicin que ms se aproxima con el valor real, de acuerdo al voltaje medido.

por cada incremento de 10o en la temperatura. Corriente supercial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la supercie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente supercial de fugas. Tensin de ruptura Vr : Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3*105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos. III. D ISEO E XPERIMENTAL

I. O BJETIVOS General: Producir informacin emprica cualitativa y cuantitativa que analizada y generalizada permita analizar la curva del diodo y concluir sobre la validez del procedimiento. Especcos: Determinar las variables que permitan calcular la resistencia y voltaje de los diodos para poder ser comparados con los obtenidos en la tercera prctica del laboratorio. Discutir y analizar los resultados sobre cual de cada uno de los tres modelos propuestos se ajusta al comportamiento experimental. Analizar el efecto que los errores empricos tienen sobre los resultados y la forma de manejarlos e interpretarlos. II. M ARCO T ERICO Tensin umbral, de codo o de partida (Vy ): La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ): Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin Is : Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrnhueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica

Materiales: Diodo de silicio Diodo de germanio Fuente de voltaje Protoboard Resistencias

Magnitudes fsicas a medir: Voltaje (V) Corriente (I) Procedimiento: Armar circuito A, B y C Medir voltaje y corriente

Tabla 2: Circuito de gura 2 Aproximacin VA - VB (V ) Cortocircuito 0 Fuente de voltaje 0,504 Fuente y resistencia 0,510 Valor real 0,640 Tabla 3: Circuito de gura 3, germanio Aproximacin V A (V ) Cortocircuito 0 Fuente de voltaje 0,659 Fuente y resistencia 0,595 Valor real 0,618 Tabla 4: Circuito de gura 3, silicio Aproximacion V A (V ) Cortocircuito 0 Fuente de voltaje 0,305 Fuente y resistencia 0,518 Valor real 0,657 V. D ISCUSIN DE R ESULTADOS

Figura 1: Circuito 1

Figura 2: Circuito 2

Figura 3: Circuito 3 IV. R ESULTADOS

En las cuatro tablas se observan los datos experimentales y tericos de cada una de las aproximaciones de los diodos de silicio y germanio. En cada una de las columnas se muestran los valores tericos con cada una de las aproximaciones de los diodos. Al observar los datos de las tablas se puede comprender que si se toma en cuenta el anlisis terico en cortocircuito de los diodos; estos no presentan cada una de las consideraciones que se deben de tomar en cuenta debido a que los valores dieren en la realidad ya que el comportamiento real de estos dispositivos no se comporta de manera terica. Sin embargo cuando se analiza el diodo como una fuente de voltaje en inverso, aqu empieza a tener una aproximacin que se va acercando al valor real, lo cual ya es una buena aproximacin para los anlisis que se quieran hacer al respecto. De esto se puede interpretar que cuando el voltaje aplicado al diodo an no esta en conduccin este se comporta como una fuente en inverso. Cuando se hace un anlisis del diodo en comportamiento de resistencia y fuente de voltaje los valores, son aun ms aproximados a la realidad, y que tiene un margen de error que se va haciendo mnimo; es decir que en este caso se analizan las perdidas que puedan surgir, tanto como la incertidumbre y cada una de las resistencias que pudieran presentar los materiales que conforman el circuito, desde la fuente de voltaje hasta el instrumento de medicin que se utilice. VI. C ONCLUSIONES

Tabla 1: Medicion de circuito gura 1 Aproximacin VA (V ) Cortocircuito 0 Fuente de voltaje 0,660 Fuente y resistencia 0,600 Valor real 0,614

Las variables que se pueden tomar en cuenta para el anlisis y lo cual se aproxima al comportamiento de los diodos, es tomarlos como una fuente de voltaje y su resistencia en serie. Dentro de los tres modelos que se tomaron en cuenta, el que ms se aproxima al valor medido es el que toma

en cuenta al diodo como una fuente de voltaje y una resistencia en serie. Dentro de los errores que se cometen y los cuales pueden interferir en la aproximacin al valor real, estn los efectos de resistencia, e incertidumbre que tienen los instrumentos de medicin y cada uno de los componentes del circuito. R EFERENCIAS
[1] Annimo, Diodo, En lnea, consultado el 13/04/2013, visto en: http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo [2] Annimo, Funcionamiento del diodo recticador, En lnea, consultado el 13/04/2013, visto en: http://es.wikibooks.org/wiki/Funcionamiento del diodo recticador [3] Annimo, El diodo, En lnea, consultado el 13/04/2013, visto en: http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm