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Tema

4. Electrnica de semiconductores
Andrs Iborra Garca Departamento de Tecnologa Electrnica Sep>embre 2012

ndice

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Electrnica Industrial

1. Fsica de semiconductores.
1.1. Materiales semiconductores. 1.2. La unin PN. 2. Diodos semiconductores. 2.1 Polarizacin. 2.2 Caracters>ca de salida. 2.3 Anlisis de circuitos mediante la recta de carga. 2.4 Niveles de resistencia. 2.5 Circuitos equivalentes. 2.6 Anlisis de circuitos mediante circuitos equivalentes. 2.7 Capacitancia del diodo. 2.8 Tiempo de recuperacin inversa. 2.9 Hojas de especicaciones. 2.10 Encapsulado. 2.11 Prueba de diodos. 2.12 Otros >pos de diodos. 2

ndice

ndice
Electrnica Industrial

3. Aplicaciones de los diodos.


3.1 Implementacin de puertas lgicas. 3.2 Rec>cadores. 3.3 Recortadores. 3.4 Cambiadores de nivel. 3.5 Reguladores de tensin.

Fsica de semiconductores

Sistemas mecnico
ACTUADORES
Solenoides, rels, piezoelctricos Motores de con>nua Motores paso a paso Servomotores Disposi>vos hidrulicos y neum>cos.

Semiconductores discretos Semiconductores integrados


SENSORES ACONDICIONADORES DE SEALES DE ENTRADA E INTERFACES
Circuitos discretos Filtros Amplicadores A/D

Interruptores Pulsadores Potencimetros LDRs Fotoclulas Encoders

Galgas extensom Termopares Acelermetros MEMs

VISUALIZADORES
LEDs Displays LCD CRT TFT

ACONDICIONADORES DE SEALES DE SALIDA E INTERFACES


D/A Transistores de Amplicadores potencia PWM

SISTEMAS DE CONTROL DIGITAL


Combinacionales Memorias Secuenciales SoC P Comunicaciones C So`ware

Electrnica Industrial

Fsica de semiconductores

Materiales semiconductores (I)

La conduc>vidad de los materiales depende del nmero de electrones de valencia (electrones que giran en torno al tomo en la orbita exterior). Cuantos ms electrones de valencia mayor resistencia a la conduccin. Los materiales tetravalentes son materiales semiconductores. Los materiales ms usados en la fabricacin de semiconductores son el Si y el Ge.

4 Electrones de valencia Ge +32 Si +14

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Fsica de semiconductores

Materiales semiconductores (II)

Semiconductores intrnsecos
Los tomos se unen entre s compar>endo electrones de valencia con los tomos vecinos. Los electrones compar>dos >enen una inuencia estabilizadora en el ncleo de los tomos.

Electrones compar>dos

Electrones de valencia

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Fsica de semiconductores

Materiales semiconductores (III)

Semiconductores extrnsecos El silicio puro es un material inerte que conduce con mucha dicultad. La mejora de la conduc>vidad del silicio se consigue aadiendo en el silicio fundido pequeas can>dades de impurezas en un proceso que es conocido como dopaje. Hay dos >pos de materiales semiconductores extrnsecos: n y p. 

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Fsica de semiconductores

Materiales semiconductores (IV)

Material <po n Si dopamos el silicio (o germanio) con impurezas pentavalentes (Sb, As, P) obtenemos un
semiconductor tipo n.

Electrones compar>dos

5 Electrn de valencia (electrn libre)

Electrones de valencia

Impurezas de An>monio

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Fsica de semiconductores

Materiales semiconductores (V)

Material <po p Si dopamos el silicio (o germanio) con impurezas trivalentes (Ga, Al, In, B) obtenemos un
semiconductor tipo p.

Hueco

Impurezas de Boro

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Fsica de semiconductores

Materiales semiconductores (VI)

Flujo de huecos en un material p El ujo de huecos se debe a electrones de valencia que adquieren la suciente energa para ocupar un hueco prximo.

Flujo de Huecos Flujo de electrones

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Fsica de semiconductores

Materiales semiconductores (VII)

Portadores mayoritarios y minoritarios


Iones Donadores (tomos pentavalentes que han perdido un electrn) Portadores mayoritarios (electrones libres + electrones generados trmicamente o luminosamente) Portadores minoritarios (huecos debidos a electrones del material intrnseco que adquieren energa debida a fuentes trmicas o luminosas) Iones aceptadores (tomos trivalentes que han aceptado un electrn)

Material <po n Material <po p


Portadores mayoritarios (huecos por impurezas + huecos generados trmicamente o lum.)

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Portadores minoritarios (electrones generados trmicamente o luminos.)

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Fsica de semiconductores

La unin p-n

Un extremo de un cristal de silicio o germanio puede ser dopado con impurezas >po p y el otro con impurezas >po n. El resultado es una unin p-n o diodo.

En el momento que los dos materiales (p y n) se unan los electrones y huecos en la regin de unin se recombinan, originndose una carencia de portadores en esta regin.

El resultado es la formacin de una regin de deplexin o agotamiento alrededor de la unin. Solo hay iones nega>vos y posi>vos.

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Diodos semiconductores

Sistemas mecnico
ACTUADORES
Solenoides, rels, piezoelctricos Motores de con>nua Motores paso a paso Servomotores Disposi>vos hidrulicos y neum>cos.

SENSORES
Interruptores Pulsadores Potencimetros LDRs Fotoclulas Encoders Galgas extensom Termopares Acelermetros MEMs

ACONDICIONADORES DE SEALES DE ENTRADA E INTERFACES


Circuitos discretos Filtros Amplicadores A/D

VISUALIZADORES
LEDs Displays LCD CRT TFT

ACONDICIONADORES DE SEALES DE SALIDA E INTERFACES


D/A Transistores de Amplicadores potencia PWM

SISTEMAS DE CONTROL DIGITAL


Combinacionales Memorias Secuenciales SoC P Comunicaciones C So`ware

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Diodos semiconductores

Polarizacin del diodo (I)

Un diodo admite tres modos de funcionamiento: Sin polarizacin. Polarizacin directa. Polarizacin inversa. Sin polarizacin No se aplica ningn voltaje externo: VD = 0V No circula corriente: ID = 0A Solamente existe una modesta capa de deplexin

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Diodos semiconductores

Polarizacin del diodo (II)

Polarizacin inversa Se aplica un voltaje nega>vo a la unin p-n.


Flujo de portadores minoritarios I mayoritarios = 0

Regin de deplexin aumenta

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Los electrones en el material >po n son atrados hacia el terminal posi>vo. Los huecos en el material >po p son atrados hacia el terminal nega>vo. Todo esto hace que la regin de deplexin aumente, se establezca una barrera de potencial que de>ene a los portadores mayoritarios, y el ujo de corriente slo de debe a portadores minoritarios.
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Diodos semiconductores

Polarizacin del diodo (III)

Polarizacin directa Se aplica un voltaje posi>vo a la unin p-n.

Imayorit

Mayorit

Regin de deplexin

El voltaje directo estrecha la zona de deplexin. Los electrones y huecos >enen la suciente energa como para atravesar la unin.

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Diodos semiconductores

Polarizacin del diodo (IV)

Ecuacin de Shockley
Es posible demostrar mediante el empleo de la tsica del estado slido que la caracters>ca de salida de un diodo semiconductor se pueden obtener mediante la siguiente ecuacin (tanto para la regin de polarizacin directa como para la inversa):

I D = I S (e
donde

k .VD /TK

1)

IS = Corriente de saturacin inversa. k = 11600/, =1 para el Ge, =2 para el Si para niveles de corriente del diodo rela>vamente bajos, =1 para el Si para niveles de corriente del diodo mayores (zona de crecimiento rpido) TK=TC+273

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Diodos semiconductores

Caracters>ca de salida(I)

I D = I S (e k.VD /TK 1)

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Diodos semiconductores

Caracters>ca de salida(II)

Zona Zener
La zona Zener se encuentra en la zona de polarizacin inversa. En un punto el voltaje inverso de polarizacin se hace tan grande que se produce la ruptura del diodo y la corriente se incrementa dram>camente. Este voltaje mximo se conoce como tensin zener o voltaje de avalancha. A la corriente se le conoce como corriente de avalancha.

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Diodos semiconductores

Caracters>ca de salida(III)

Dependencia respecto al material

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Diodos semiconductores

Caracters>ca de salida(IV)

Dependencia respecto a la temperatura


Al incrementar la temperatura incrementa la energa interna del diodo. Se reduce el voltaje directo que es necesario aplicar para que entre en conduccin. Se incrementa la can>dad de corriente inversa que circula al estar polarizado inversamente. Se incrementa el voltaje de avalancha. Los diodos de Germanio son ms s e n s i b l e s a v a r i a c i o n e s d e temperatura que los diodos de Silicio.

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis de circuitos mediante la recta de carga (I)

Ejemplo Para la conguracin de la gura, determinar VD e ID.

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis de circuitos mediante la recta de carga (II)

Ejemplo

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis de circuitos mediante la recta de carga (III)


Aproximamos el diodo a una batera

Ejemplo

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis de circuitos mediante la recta de carga (IV)


Aproximamos el diodo a un interruptor

Ejemplo

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Diodos semiconductores

Niveles de resistencia (I)

Resistencia est<ca Los semiconductores actan diferentemente frente a corrientes con>nuas y alternas. Se pueden dis>nguir tres >pos de resistencias: Resistencia DC o est>ca Resistencia AC o dinmica Resistencia AC media

RD =

VD ID

Para un punto de funcionamiento en el que se aplica una tensin con>nua VD, por el diodo circula una corriente ID, siendo su resistencia directa o resistencia est>ca RD.

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Diodos semiconductores

Niveles de resistencia (II)


Curva del diodo

Resistencia dinmica
rd ' = Vd I d

Punto Q (quiescencia)

La tangente coincide con la curva Punto Q

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Diodos semiconductores

Circuitos equivalentes (I)

1 Aproximacin

Diodo Ideal

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Diodos semiconductores

Circuitos equivalentes (II)

2 Aproximacin

Diodo Ideal

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Diodos semiconductores

Circuitos equivalentes (III)

3 Aproximacin

rav =

V12 I12

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis en con>nua (I)

Ejemplo 1. Para la conguracin de la gura, determinar VD, VR e ID.

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis en con>nua (II)

Ejemplo 2. Para la conguracin de la gura, determinar VD e ID.

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis en con>nua (III)

Ejemplo 3. Para la conguracin de la gura, determinar ID, VD2 y Vo.

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis en con>nua (IV)

Ejemplo 4. Para la conguracin de la gura, determinar I, V1, V2 y V0

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis en con>nua (V)

Diodos en paralelo Ejemplo 5. Para la conguracin de la gura, determinar Vo, I1 , ID1 e ID2

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Aplicaciones de los diodos

Anlisis en con>nua (VI)

Conguracin paralelo-serie Ejemplo 6. Para la conguracin de la gura, determinar I1 , I2 e ID2

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Diodos semiconductores

Capacitancia del diodo

Pol. Directa

Pol. Inversa

En polarizacin inversa, la capa de deplexin es ms grande. Se presenta la capacitancia de transicin, CT. Para la regin de polarizacin directa tendremos la capacitancia de difusin o almacenamiento, CD.

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Diodos semiconductores

Tiempo de recuperacin inversa (trr)

El >empo de recuperacin inversa es el >empo que necesita el diodo para dejar de conducir una vez que conmuta del estado de conduccin (ON) al de corte (OFF).
Instante en el que el diodo pasa de ON a OFF Respuesta ideal del diodo

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Diodos semiconductores

Hoja de especicaciones (I)

Los principales parmetros que caracterizan un diodo son: VF, Voltaje directo para una corriente y temperatura especicada IF, mxima corriente directa para una temperatura especca IR, mxima corriente inversa para una temperatura especca PIV o PRV o V(BR), mximo voltaje inverso para una t especca P, mxima potencia disipada para una temperatura especca C, capacitancia en polarizacin inversa trr, >empo de recuperacin inversa Temperaturas, rangos de temperatura de operacin y almacenamiento

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Diodos semiconductores

Hoja de especicaciones (II)

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Diodos semiconductores

Hoja de especicaciones (III)

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Diodos semiconductores

Encapsulado (I)

El nodo se abrevia con una A El ctodo se abrevia con una K

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Diodos semiconductores

Ensayos con diodos (I)

Comprobador de diodos

Terminal ROJO

Terminal NEGRO

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Diodos semiconductores

Ensayos con diodos (II)

Ohmmetro Un ohmmetro en la escala baja de resistencias puede ser u>lizado como comprobador de diodos. El diodo debe ser comprobado fuera del circuito. Terminal ROJO Valor Resis>vo Bajo Terminal NEGRO

Terminal NEGRO

Valor Resis>vo Alto

Terminal ROJO

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Diodos semiconductores

Otros >pos de diodos (I)

Diodos Zener Un Zener es un diodo que trabaja normalmente en polarizacin inversa y dentro de la zona de avalancha cuando se supera la tensin Zener (VZ). Las tensiones Zener se encuentran entre los 1.8 V a 200 V

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Diodos semiconductores

Otros >pos de diodos (II)

Diodos Zener

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Diodos semiconductores

Otros >pos de diodos (III)

Diodos Zener

nodo

Ctodo

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Diodos semiconductores

Otros >pos de diodos (IV)

Diodos LED

Un diodo LED emite fotones cuando se polariza directamente. Estos pueden ser de infrarojos o del espectro visible. La tensin directa est usualmente en el rango de 2 V a 3 V.

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Diodos semiconductores

Otros >pos de diodos (V)

Arrays de diodos U n c o n j u n t o d e d i o d o s p u e d e encapsularse en un Circuito Integrado (IC).

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Aplicaciones de los diodos

Sistemas mecnico
ACTUADORES
Solenoides, rels, piezoelctricos Motores de con>nua Motores paso a paso Servomotores Disposi>vos hidrulicos y neum>cos.

SENSORES
Interruptores Pulsadores Potencimetros LDRs Fotoclulas Encoders Galgas extensom Termopares Acelermetros MEMs

ACONDICIONADORES DE SEALES DE ENTRADA E INTERFACES


C. discretos Filtros Amplicadores A/D

VISUALIZADORES
LEDs Displays LCD CRT TFT

ACONDICIONADORES DE SEALES DE SALIDA E INTERFACES


D/A Transistores Amplicadores PWM

SISTEMAS DE CONTROL DIGITAL


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Aplicaciones de los diodos

Puertas lgicas (I)


A B S A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 S 0 1 1 1

Puerta OR

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Aplicaciones de los diodos

Puertas lgicas (II)


A B S A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 S 0 0 0 1

Puerta AND

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Aplicaciones de los diodos

Rec>cadores(I)

Rec<cador de media onda (I)

Tensin media en la carga

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1 Vdc = T

T 2 0

vs (t ) dt =

1 2

Vm sen td t =

Vm = 0, 318Vm
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Aplicaciones de los diodos

Rec>cadores(II)

Rec<cador de media onda (II)


Tensin ecaz en la carga

Vrms

1 2 = vc (t )dt T 0

Vrms

1 = 2

Vm 2 ( ) V senn t d t = m
0

Factor de forma y factor de rizado Para una seal con>nua FR=1

V FF = rms Vdc

FR =

Vripple rms Vdc

= FF 1

Para una seal con>nua FR=0

FF = 2 = = 1, 57 Vm 2
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Vm

! $ FR = # & 1 = 1, 21 "2%

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Aplicaciones de los diodos

Rec>cadores(III)

Rec<cador de media onda (III) Obtencin del factor de rizado a par>r del factor de forma

v(t ) = Vdc + vripple (t )


Vripple rms Vdc
2 ripple rms

vripple (t ) = v(t ) Vdc


1 = T
T

FR =

v
0

2 ripple

1 (t ). dt = T

(v(t ) Vdc )
0

2 2 dt = Vrms Vdc

FR =

Vripple rms Vdc

2 2 2 Vrms Vdc Vrms = = 1 = FF 2 1 2 Vdc Vdc

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Aplicaciones de los diodos

Rec>cadores(IV)

Rec<cador onda completa (I). Con puente de diodos


PIV Vm

Vdc =

2.Vm
Vm 2

FF =

Vrms =

Vrms 2 = = 1,11 = Vdc 2.Vm 2 2

Vm

FR = FF 2 1 = 0, 48

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Aplicaciones de los diodos

Rec>cadores(V)

Rec<cador onda completa (II). Con transformador con toma intermedia

PIV 2Vm

Vdc =

2.Vm
Vm 2

FF =

Vrms =

Vrms 2 = = 1,11 = Vdc 2.Vm 2 2

Vm

FR = FF 2 1 = 0, 48

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Aplicaciones de los diodos

Rec>cadores(VI)

Rec<cador onda completa (III). Con transformador con toma intermedia

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Aplicaciones de los diodos

Circuitos recortadores (I)

Los circuitos recortadores o clippings >enen la habilidad de recortar una porcin de la seal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda.

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Aplicaciones de los diodos

Circuitos recortadores (II)

Diodo recortador en serie polarizado (Biased Clippers)

Aadiendo una fuente de tensin DC en serie con el recortador se puede cambiar el nivel de corte.

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Aplicaciones de los diodos

Circuitos recortadores (III)

Resumen de circuitos recortadores en serie

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Aplicaciones de los diodos

Circuitos recortadores (IV)

Diodo recortador en paralelo

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Aplicaciones de los diodos

Circuitos recortadores (V)

Resumen de circuitos recortadores en paralelo

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Aplicaciones de los diodos

Cambiadores de nivel (I)

Son circuitos que cambian una seal a un nivel diferente de con>nua. La red debe tener un diodo, un condensador y un resistor, e incluso una fuente de tensin independiente que introduce un desplazamiento adicional. La seal de entrada puede ser de cualquier >po de forma de onda (senoidal, cuadrada o triangular). La fuente de tensin permite ajustar el nivel de tensin de salida.

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Aplicaciones de los diodos

Cambiadores de nivel (II)

Resumen de circuitos cambiadores de nivel o clampers

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Aplicaciones de los diodos

Regulador de tensin Zener (I)

El Zener es un diodo que trabaja polarizado inversamente a la tensin Zener (Vz).

Cuando Vi Vz El Zener est en on El voltaje en bornas del Zener is Vz La corriente Zener: IZ = IR IRL La potencia Zener: PZ = VZIZ Cuando Vi < Vz El Zener est en o El Zener trabaja como un circuito abierto
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Aplicaciones de los diodos

Regulador de tensin Zener (II)

Valores de las Resistencias en los circuitos Zener


S R es demasiado grande, el diodo Zener no puede conducir porque la can>dad disponible de corriente es menor que la corriente Zener mnima , IZK. Si R es demasiado pequeo, la corriente Zener puede exceder el mximo valor, IZM. Una vez conduce el Zener (IR ja), la mnima corriente en la carga viene dada por:

I Lmin = I R - I ZM
El valor mximo de la resistencia de carga es:

R Lmax =

VZ I Lmin

El mximo valor de corriente para el circuito viene dado por:

I Lmax = I R I ZK
El valor mnimo de resistencia es por tanto:

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R Lmin =

VZ I Lmax
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Dr. Andrs Iborra Universidad Politcnica de Cartagena Campus Muralla del Mar, s/n 30202 Cartagena Tel. Fax. E-mail Twi|er Lista de correo Www +34 968 32 56 54 +34 968 32 53 45 andres.iborra@upct.es @CincubatorHUB @aiborra cloud-incubator@upct.es www.cincubator.com

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