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4.
Electrnica
de
semiconductores
Andrs
Iborra
Garca
Departamento
de
Tecnologa
Electrnica
Sep>embre
2012
ndice
ndice
Electrnica
Industrial
1. Fsica
de
semiconductores.
1.1.
Materiales
semiconductores.
1.2.
La
unin
PN.
2.
Diodos
semiconductores.
2.1
Polarizacin.
2.2
Caracters>ca
de
salida.
2.3
Anlisis
de
circuitos
mediante
la
recta
de
carga.
2.4
Niveles
de
resistencia.
2.5
Circuitos
equivalentes.
2.6
Anlisis
de
circuitos
mediante
circuitos
equivalentes.
2.7
Capacitancia
del
diodo.
2.8
Tiempo
de
recuperacin
inversa.
2.9
Hojas
de
especicaciones.
2.10
Encapsulado.
2.11
Prueba
de
diodos.
2.12
Otros
>pos
de
diodos.
2
ndice
ndice
Electrnica
Industrial
Fsica de semiconductores
Sistemas
mecnico
ACTUADORES
Solenoides,
rels,
piezoelctricos
Motores
de
con>nua
Motores
paso
a
paso
Servomotores
Disposi>vos
hidrulicos
y
neum>cos.
VISUALIZADORES
LEDs
Displays
LCD
CRT
TFT
Electrnica Industrial
Fsica de semiconductores
La conduc>vidad de los materiales depende del nmero de electrones de valencia (electrones que giran en torno al tomo en la orbita exterior). Cuantos ms electrones de valencia mayor resistencia a la conduccin. Los materiales tetravalentes son materiales semiconductores. Los materiales ms usados en la fabricacin de semiconductores son el Si y el Ge.
Electrnica Industrial
Fsica de semiconductores
Semiconductores
intrnsecos
Los
tomos
se
unen
entre
s
compar>endo
electrones
de
valencia
con
los
tomos
vecinos.
Los
electrones
compar>dos
>enen
una
inuencia
estabilizadora
en
el
ncleo
de
los
tomos.
Electrones compar>dos
Electrones de valencia
Electrnica Industrial
Fsica de semiconductores
Semiconductores
extrnsecos El
silicio
puro
es
un
material
inerte
que
conduce
con
mucha
dicultad.
La
mejora
de
la
conduc>vidad
del
silicio
se
consigue
aadiendo
en
el
silicio
fundido
pequeas
can>dades
de
impurezas
en
un
proceso
que
es
conocido
como
dopaje.
Hay
dos
>pos
de
materiales
semiconductores
extrnsecos:
n
y
p.
Electrnica Industrial
Fsica de semiconductores
Material
<po
n Si
dopamos
el
silicio
(o
germanio)
con
impurezas
pentavalentes
(Sb,
As,
P)
obtenemos
un
semiconductor tipo n.
Electrones compar>dos
Electrones de valencia
Impurezas de An>monio
Electrnica Industrial
Fsica de semiconductores
Material
<po
p Si
dopamos
el
silicio
(o
germanio)
con
impurezas
trivalentes
(Ga,
Al,
In,
B)
obtenemos
un
semiconductor tipo p.
Hueco
Impurezas de Boro
Electrnica Industrial
Fsica de semiconductores
Flujo de huecos en un material p El ujo de huecos se debe a electrones de valencia que adquieren la suciente energa para ocupar un hueco prximo.
Electrnica Industrial
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Fsica de semiconductores
Electrnica Industrial
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Fsica de semiconductores
La unin p-n
Un extremo de un cristal de silicio o germanio puede ser dopado con impurezas >po p y el otro con impurezas >po n. El resultado es una unin p-n o diodo.
En el momento que los dos materiales (p y n) se unan los electrones y huecos en la regin de unin se recombinan, originndose una carencia de portadores en esta regin.
El resultado es la formacin de una regin de deplexin o agotamiento alrededor de la unin. Solo hay iones nega>vos y posi>vos.
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Sistemas
mecnico
ACTUADORES
Solenoides,
rels,
piezoelctricos
Motores
de
con>nua
Motores
paso
a
paso
Servomotores
Disposi>vos
hidrulicos
y
neum>cos.
SENSORES
Interruptores
Pulsadores
Potencimetros
LDRs
Fotoclulas
Encoders
Galgas
extensom
Termopares
Acelermetros
MEMs
VISUALIZADORES
LEDs
Displays
LCD
CRT
TFT
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Un diodo admite tres modos de funcionamiento: Sin polarizacin. Polarizacin directa. Polarizacin inversa. Sin polarizacin No se aplica ningn voltaje externo: VD = 0V No circula corriente: ID = 0A Solamente existe una modesta capa de deplexin
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Electrnica Industrial
Los
electrones
en
el
material
>po
n
son
atrados
hacia
el
terminal
posi>vo.
Los
huecos
en
el
material
>po
p
son
atrados
hacia
el
terminal
nega>vo.
Todo
esto
hace
que
la
regin
de
deplexin
aumente,
se
establezca
una
barrera
de
potencial
que
de>ene
a
los
portadores
mayoritarios,
y
el
ujo
de
corriente
slo
de
debe
a
portadores
minoritarios.
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Diodos semiconductores
Imayorit
Mayorit
Regin de deplexin
El voltaje directo estrecha la zona de deplexin. Los electrones y huecos >enen la suciente energa como para atravesar la unin.
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Ecuacin
de
Shockley
Es
posible
demostrar
mediante
el
empleo
de
la
tsica
del
estado
slido
que
la
caracters>ca
de
salida
de
un
diodo
semiconductor
se
pueden
obtener
mediante
la
siguiente
ecuacin
(tanto
para
la
regin
de
polarizacin
directa
como
para
la
inversa):
I D = I S (e
donde
k .VD /TK
1)
IS = Corriente de saturacin inversa. k = 11600/, =1 para el Ge, =2 para el Si para niveles de corriente del diodo rela>vamente bajos, =1 para el Si para niveles de corriente del diodo mayores (zona de crecimiento rpido) TK=TC+273
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Diodos semiconductores
Caracters>ca de salida(I)
I D = I S (e k.VD /TK 1)
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Diodos semiconductores
Caracters>ca de salida(II)
Zona
Zener
La
zona
Zener
se
encuentra
en
la
zona
de
polarizacin
inversa.
En
un
punto
el
voltaje
inverso
de
polarizacin
se
hace
tan
grande
que
se
produce
la
ruptura
del
diodo
y
la
corriente
se
incrementa
dram>camente.
Este
voltaje
mximo
se
conoce
como
tensin
zener
o
voltaje
de
avalancha.
A
la
corriente
se
le
conoce
como
corriente
de
avalancha.
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Caracters>ca de salida(III)
Electrnica Industrial
20
Diodos semiconductores
Caracters>ca de salida(IV)
Electrnica Industrial
21
Electrnica Industrial
22
Ejemplo
Electrnica Industrial
23
Ejemplo
Electrnica Industrial
24
Ejemplo
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Resistencia est<ca Los semiconductores actan diferentemente frente a corrientes con>nuas y alternas. Se pueden dis>nguir tres >pos de resistencias: Resistencia DC o est>ca Resistencia AC o dinmica Resistencia AC media
RD =
VD ID
Para un punto de funcionamiento en el que se aplica una tensin con>nua VD, por el diodo circula una corriente ID, siendo su resistencia directa o resistencia est>ca RD.
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Diodos semiconductores
Resistencia
dinmica
rd ' = Vd I d
Punto Q (quiescencia)
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Diodos semiconductores
1 Aproximacin
Diodo Ideal
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Diodos semiconductores
2 Aproximacin
Diodo Ideal
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
3 Aproximacin
rav =
V12 I12
Electrnica Industrial
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Electrnica Industrial
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Electrnica Industrial
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Electrnica Industrial
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Electrnica Industrial
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Diodos en paralelo Ejemplo 5. Para la conguracin de la gura, determinar Vo, I1 , ID1 e ID2
Electrnica Industrial
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Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Pol. Directa
Pol. Inversa
En polarizacin inversa, la capa de deplexin es ms grande. Se presenta la capacitancia de transicin, CT. Para la regin de polarizacin directa tendremos la capacitancia de difusin o almacenamiento, CD.
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Diodos semiconductores
El
>empo
de
recuperacin
inversa
es
el
>empo
que
necesita
el
diodo
para
dejar
de
conducir
una
vez
que
conmuta
del
estado
de
conduccin
(ON)
al
de
corte
(OFF).
Instante
en
el
que
el
diodo
pasa
de
ON
a
OFF Respuesta
ideal
del
diodo
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Los principales parmetros que caracterizan un diodo son: VF, Voltaje directo para una corriente y temperatura especicada IF, mxima corriente directa para una temperatura especca IR, mxima corriente inversa para una temperatura especca PIV o PRV o V(BR), mximo voltaje inverso para una t especca P, mxima potencia disipada para una temperatura especca C, capacitancia en polarizacin inversa trr, >empo de recuperacin inversa Temperaturas, rangos de temperatura de operacin y almacenamiento
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Diodos semiconductores
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Electrnica Industrial
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Diodos semiconductores
Encapsulado (I)
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Diodos semiconductores
Comprobador de diodos
Terminal ROJO
Terminal NEGRO
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Diodos semiconductores
Ohmmetro Un ohmmetro en la escala baja de resistencias puede ser u>lizado como comprobador de diodos. El diodo debe ser comprobado fuera del circuito. Terminal ROJO Valor Resis>vo Bajo Terminal NEGRO
Terminal NEGRO
Terminal ROJO
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Diodos semiconductores
Diodos Zener Un Zener es un diodo que trabaja normalmente en polarizacin inversa y dentro de la zona de avalancha cuando se supera la tensin Zener (VZ). Las tensiones Zener se encuentran entre los 1.8 V a 200 V
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Diodos semiconductores
Diodos Zener
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Diodos semiconductores
Diodos Zener
nodo
Ctodo
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Diodos semiconductores
Diodos LED
Un diodo LED emite fotones cuando se polariza directamente. Estos pueden ser de infrarojos o del espectro visible. La tensin directa est usualmente en el rango de 2 V a 3 V.
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Diodos semiconductores
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Sistemas
mecnico
ACTUADORES
Solenoides,
rels,
piezoelctricos
Motores
de
con>nua
Motores
paso
a
paso
Servomotores
Disposi>vos
hidrulicos
y
neum>cos.
SENSORES
Interruptores
Pulsadores
Potencimetros
LDRs
Fotoclulas
Encoders
Galgas
extensom
Termopares
Acelermetros
MEMs
VISUALIZADORES
LEDs
Displays
LCD
CRT
TFT
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Puerta OR
Electrnica Industrial
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Puerta AND
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Rec>cadores(I)
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1 Vdc = T
T 2 0
vs (t ) dt =
1 2
Vm sen td t =
Vm = 0, 318Vm
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Rec>cadores(II)
Vrms
1 2 = vc (t )dt T 0
Vrms
1 = 2
Vm 2 ( ) V senn t d t = m
0
V FF = rms Vdc
FR =
= FF 1
FF = 2 = = 1, 57 Vm 2
Electrnica
Industrial
Vm
! $ FR = # & 1 = 1, 21 "2%
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Rec>cadores(III)
Rec<cador de media onda (III) Obtencin del factor de rizado a par>r del factor de forma
FR =
v
0
2 ripple
1 (t ). dt = T
(v(t ) Vdc )
0
2 2 dt = Vrms Vdc
FR =
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Rec>cadores(IV)
Vdc =
2.Vm
Vm 2
FF =
Vrms =
Vm
FR = FF 2 1 = 0, 48
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Rec>cadores(V)
PIV 2Vm
Vdc =
2.Vm
Vm 2
FF =
Vrms =
Vm
FR = FF 2 1 = 0, 48
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Rec>cadores(VI)
Electrnica Industrial
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Los circuitos recortadores o clippings >enen la habilidad de recortar una porcin de la seal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda.
Electrnica Industrial
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Aadiendo una fuente de tensin DC en serie con el recortador se puede cambiar el nivel de corte.
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Electrnica Industrial
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Electrnica Industrial
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Electrnica Industrial
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Son circuitos que cambian una seal a un nivel diferente de con>nua. La red debe tener un diodo, un condensador y un resistor, e incluso una fuente de tensin independiente que introduce un desplazamiento adicional. La seal de entrada puede ser de cualquier >po de forma de onda (senoidal, cuadrada o triangular). La fuente de tensin permite ajustar el nivel de tensin de salida.
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Cuando
Vi
Vz
El
Zener
est
en
on
El
voltaje
en
bornas
del
Zener
is
Vz
La
corriente
Zener:
IZ
=
IR
IRL
La
potencia
Zener:
PZ
=
VZIZ
Cuando
Vi
<
Vz
El
Zener
est
en
o
El
Zener
trabaja
como
un
circuito
abierto
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Electrnica Industrial
I Lmin = I R - I ZM
El
valor
mximo
de
la
resistencia
de
carga
es:
R Lmax =
VZ I Lmin
I Lmax = I R I ZK
El
valor
mnimo
de
resistencia
es
por
tanto:
Electrnica Industrial
R Lmin =
VZ I Lmax
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Dr. Andrs Iborra Universidad Politcnica de Cartagena Campus Muralla del Mar, s/n 30202 Cartagena Tel. Fax. E-mail Twi|er Lista de correo Www +34 968 32 56 54 +34 968 32 53 45 andres.iborra@upct.es @CincubatorHUB @aiborra cloud-incubator@upct.es www.cincubator.com