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Rev 10/2010
Jol REDOUTEY
SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE Les interrupteurs en lectronique de puissance Les diodes rapides Les transistors bipolaires de puissance Les thyristors et les triacs Les transistors effet de champ MOS Les IGBT
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LINTERRUPTEUR de PUISSANCE
Exemple : La diode
+ -
+ Trou
- +- + + - + - -+ - - - + + + - -+ - + + - - - + + + +-+ + + + + - + + - + - + -+ - - + + + - -+ - - - - - - + + + + + +- + + - + + + ZCE
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Jonction PN lquilibre
Eext
+ +
Eint
- N - 9
caractristique inverse
10
Reverse
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Eext
+ +
+ +
Eint
- - N - - 12
IF
P
Eext
+ +
+
trous
+
Eint
lectrons - - - -
N+
IFI0 exp(qV/kT)
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Puissance dissipe
1 Pd = VF I F dt T0
T T
VF = E0 + R0 I F
Pd =
1 ( E0 + R0 I F ) I F dt T0
T T
1 1 2 Pd = E0 I F dt + R0 I F dt T0 T0 1 1 2 Pd = E0 I F dt + R0 I F dt T0 T0
2 Pd = E0 I moy + R0 I eff
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Temprature maximale de jonction Tj max Le courant de fuite en inverse dune diode jonction PN crot trs vite avec la temprature. risque demballement thermique La temprature maximale de fonctionnement appele temprature maximale de jonction est spcifie par le constructeur. Pour des composants silicium Tj max est toujours infrieure 200 C.
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En gnral, le terme E0Imoy est nettement suprieur au terme R0 Ieff On classe donc les diodes par calibre de courant moyen maximal:
Iavg max
Le courant maximal admissible est celui qui permet la temprature de jonction de ne pas dpasser sa valeur maximale dans des conditions de refroidissement donnes.
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vacuation de la chaleur
PUCE
Tj
Botier
P Tb
Rth j-b
Rth b-rad
Graisse thermique
Radiateur
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Exemple
Une diode BYT08P est utilise dans un convertisseur flyback. Le courant qui la traverse est triangulaire de valeur crte 20A et de rapport cyclique 0,5. Le constructeur donne: E0=1,1V R0=24m Calculer la puissance dissipe dans la diode
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Calcul de radiateur
Le constructeur donne: Tj max=175 C Rthj-b=2,5 C/W La diode est monte sur un refroidisseur par lintermdiaire dun film isolant dont la rsistance thermique est Rthb-rad=0,5 C/W
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Calcul de radiateur
La temprature ambiante Tamb est de 50 C et par scurit on dsire que la temprature de jonction ne dpasse pas 150 C. Calculer la rsistance thermique du radiateur ncessaire et sa temprature.
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Calcul de radiateur
Le radiateur est fix lextrieur du botier de lappareil et on dsire que sa temprature ne dpasse pas 80 C par scurit pour les utilisateurs. Calculer la nouvelle valeur de la rsistance thermique du radiateur adapt et la temprature de jonction.
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Choix du radiateur
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E
IF
VR
+
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D
+
IR
VR
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Recouvrement inverse
trr
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Charge stocke
La charge stocke durant la conduction dpend de lintensit du courant direct et de la dure de vie des porteurs minoritaires (temps statistique pour quun lectron libre et un trou se recombinent)
QS = IF
: dure de vie des porteurs minoritaires IF : courant direct traversant la diode. Pour rduire le recouvrement inverse, il faut diminuer la dure de vie
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Diodes rapides
Catgorie standard Ultra fast Ultra fast Ultra fast Ultra fast VRRM(V) max 2000 1200 600 400 200 VF(V) Trr (ns) typ typ 1,2 6001000 1,4 1,3 1 0,9 50 30 25 20
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Consquence du recouvrement
Cas du hacheur sur charge inductive en conduction continue
L E D R
K ferm
Rgime de commutation
En lectronique de puissance les transistors sont utiliss comme des interrupteurs
Ouvert Off
Fermeture Turn on
Ferm On
Base
NPN
PNP
Base
Emetteur
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Tenue en tension
Collecteur N
B-C
Base
NPN
P
B-E
Vce
Emetteur
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Vce.
R
La tension collecteur metteur base ouverte Vceo est la plus faible tenue en tension
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Ib Vce
1 : Zone linaire 2 : zone de quasi saturation 3 : saturation vraie Lorsque Vce devient faible, le gain en courant =Ic/Ib dcrot fortement
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Vce
A Droite de charge
Ib=150mA Vce=4V Ib=200mA Vce=1,4V point A Ib=350mA Vce=0,4V point B Ib=450mA Vce=0,4V point B Le transistor est satur. On dfinit Vce (sat) (Ic sat, Ib sat), le rapport f =Ic sat/Ib sat est appel gain forc
f<
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1 Pd VCE ( sat ) I C dt T0
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Aire de scurit
On regroupe les limites du transistor sur un mme diagramme Ic-Vce appel aire de scurit (safe operating area) Ic Ic max Pmax
Vce Vceo
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Collecteur
R1 Base Q1
R2 Q2
Rn Qn
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Emetteur
Second claquage
44
45
Aire de scurit
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Temps de commutation
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Durant le temps de commutation (<<T) on peut considrer la charge comme un gnrateur de courant
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Commutation la fermeture
I
I diode
Vdiode ton
Vk
Ik
t0
t1
Commutation louverture
E
V diode I diode t0 t1
t
Ik Vk tf
t
Pertes de commutation
Pcommut = (0,5 E I ton + 0,5 E I tf) F F: frquence de commutation Les pertes de commutation sont proportionnelles la frquence de dcoupage et aux temps de commutation
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Puissance dissipe
Pd = + pertes de conduction pertes de commutation
Calcul du refroidisseur
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Temps de stockage
On sait que le fonctionnement en saturation dun transistor est caractris par un phnomne dlargissement de la base. Tout se passe comme si une partie du collecteur tait transforme en base. Cette inversion du type de matriau ncessite une certaine quantit de charges, appele charge stocke, qui sont apportes par le courant base. La dcroissance du courant collecteur conscutive linversion du courant base ne peut avoir lieu que lorsquune partie suffisante de la charge stocke a t vacue. Le temps ncessaire cette vacuation peut tre assimil au temps de stockage. Le temps de stockage est fortement dpendant du courant inverse de base et il existe des techniques de circuit permettant de maintenir ce temps des valeurs faibles.
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Anti-saturation
D2
D1
B V E
si Vd1Vd2
Vce Vbe
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Circuit de commande
+10V +10V
C2
100nF
R4
10k
R1
8.2
Q6
Bta=20
D3 Q4
Bta=10 Anti sat
R3
1.5k
R2
68
Q3 Q7
Commande NPN Bta=10
Q5
PNP
R5
470
C1
-5V -5V 100nF
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Darlington
C
Ic1 = 1.Ib1 Ie1 = Ib2 Ie1 = (1+1)Ib1 Ic2 = 2.Ib2 Ic2 = (1+1) 2 Ib1
C1
Q1
B B1 E1 B2 E2 C2
Q2
Ic 12 Ib
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TO3 TOP3
TO220
D2PAK
ISOTOP
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Botiers TO220
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Cellule de commutation
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Modules de puissance
61
THYRISTOR
Anode
P N
Gchette
P N
Cathode
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THYRISTOR
Anode Anode
P N
Gchette
P N
Gchette
N P
N P
P N
P N
Cathode
Cathode
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THYRISTOR
Anode
Au dpart Ib1 = Ig
Ic1
Si 1 2 >1 Ic2 > Ig Le thyristor reste amorc si on annule Ig Si 1 2 <1 Ic2 < Ig le thyristor ne reste pas conducteur si on annule Ig.
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Q1
NPN
Gachette
Cathode
= Ic/Ib
1
Icmin
Ic
Conditions damorage
Command Ig > Igt pendant un temps suffisant (tgt) Iak > IL pour assurer la condition 1 2 >1 Spontan Tj > Tjmax dVak/dt lev
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Conditions dextinction
Rendre 1 2 < 1 Iak < IH
IH courant de maintien IL courant daccrochage
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Tenue en tension
Anode
P N
Gchette
P N
Cathode
Calibre en courant
Courant moyen max ITav Courant efficace max ITrms Spcifis pour un courant sinusodal avec angle de conduction de 180 Courant de surcharge accidentel ITSM demi sinusode 10 ms protection par fusible It
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Exemple BTW69
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Puissance dissipe
On modlise la caractristique
IT
VT = Vt0 + Rd IT
Rd
Vt0
VT
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Commande de phase
Charge rsistive
Rseau 230V
Circuit de commande
THYRISTOR
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Commutation naturelle
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Commutation force
Principe: Annuler le courant dans le thyristor (IT<IH) Ne pas r-appliquer de tension Vak>0 pendant un temps tq
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+ E C1 L1
Thyristor auxiliaire
D2
Diode de roue libre
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TRIAC
77
Caractristique du TRIAC
78
Caractristique du DIAC
79
80
MOSFET de PUISSANCE
Drain Drain
Canal N
Canal P
Symboles
81
MOSFET de PUISSANCE
82
Structure cellulaire
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Structure en bandes
source gate
P
N+
Fonctionnement linaire
Dans la zone de fonctionnement linaire (canal pinc)
ID = K (V GS V th )
Vth : tension de seuil
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Caractristiques ID=f(VDS,VGS)
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MOSFET de PUISSANCE
Si VDS est trs faible: ID = 2K (VGS - Vth) VDS
RDS = [2 K(V GS V th )]
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R DS on = f(T)
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Puissance dissipe
Puissance dissipe en conduction
90
Tenue en tension
91
Aire de scurit
92
Capacits internes
Commande en tension
D R S C ent r e
94
Temps de commutation
VGS
10% 90%
90%
ID VDS td
90%
10%
10%
td
tr
tf
IGBT
96
Schma quivalent
Ic
97
98
99
100
Wafer
Puce
101
102
103
Montage
104