You are on page 1of 5

BÀI T P CU I CH NG BJT

3.1 Hãy d n xu t các ph ng trình c a Av, Ai và Rin cho m ch khuy ch i CE nh hình P3.1.
3.2 Tính Rin, Av, và Ai khi có RB = RL = 5kΩ, RE = 1kΩ, và h ie = 0 cho m ch khuy ch i CE nh
hình P3.2. Cho β:
a) β = 200; b) β = 100; c) β = 10.

3.3 Hãy xác nh Av, Ai và Rin cho m ch khuy ch i nh hình P3.2, khi có RB = RL = 5kΩ, hib =
40Ω, β = 300, và RE cho b i:
a) RE = 1kΩ; b) RE = 0,5kΩ; c) RE = 100Ω; d) RE = 0.
3.4 Cho m ch khuy ch i emitter-chung nh hình P3.1, VBE = 0,6V, VCC = 12V, β = 300, PL(bình
quân l n nh t) = 100mW, và Av = - 10. Hãy xác nh R1, R2, Rin và Ai. M c công su t tiêu tán trong
transistor là bao nhiêu ?.
3.5 Xác nh Av cho m ch khuy ch i hình P3.3, trong ó hie = 2kΩ, hre = 0, hfe = 200, và 1 hoc =
8kΩ.
3.6 Cho m ch khuy ch i emitter-chung nh hình P3.4,
trong ó h ie = 1kΩ, h oe = 10 S, và hfe = 50, v c tuy n cho
m i tr ng h p sau:
a) Ai = iL iin khi cho RB << hie, nh m t hàm s c a giá tr
RL. Cho RL bi n thiên t 0 n 500kΩ.
b) Ai nh m t hàm s c a RL nh ng cho hre = 0 = hoe.
3.7 Cho m ch khuy ch i CE nh hình P3.5, xác nh
bi n thiên c a Ai và Rin n u hfe c a transistor silicon bi n
thiên t 50 n 150.
3.8 Hãy xác nh hie, Ai, Rin, vo vi và Ro cho m ch khuy ch i CE nh hình P3.6, n u h fe = 100 và
h re = hoe = 0.

3.9 Hãy so sánh các i n tr vào và các h s khuy ch i n áp c a các m ch khuy ch it ng


ng ac nh hình P3.7.
3.10 Hãy thi t k m ch khuy ch i CE nh hình P3.8, s d ng transistor pnp khi có RL = 3kΩ, Av
= - 10, VBE = - 0,7V, β = 200, Ai = - 10, và VCC = - 12V. Xác nh t t c tr s c a các c u ki n, Rin, và
dao ng c a n áp l n nh t trên RL.
3.11 Thi t k m ch khuy ch i CE nh hình P3.8, s d ng transistor pnp khi có RL = 4kΩ, Av = -
10, Ai = - 10, VBE = 0,7V, β = 200, và VCC = 15V. Xác nh t t c tr s c a các c u ki n, và dao
ng c a n áp ra nh- nh l n nh t.

3.12 Thi t k m ch khuy ch i CE nh hình P3.4, s d ng transistor npn khi có RL = 9kΩ, Av = -


10, Ai = - 10, VBE = 0,7V, β = 200, và VCC = 15V. Xác nh t t c tr s c a các c u ki n, Rin, và dao
ng c a n áp ra nh- nh l n nh t.
3.13 Thi t k m ch khuy ch i CE nh n c h s khuy ch i n áp là - 25 khi có Rin = 5kΩ,
RL = 5kΩ, VCC = 12V, β = 200, và VBE = 0,7V. Xác nh tr s c a t t c các c u ki n, h s khuy ch
i dòng i n, và dao ng c a n áp ra l n nh t. S d ng m ch hình P3.8, nh ng v i transistor
npn.
3.14 Phân tích m ch hình P3.9 và xác nh các yêu c u sau khi có β = 300, và VBE = 0,6V.
a) ICQ và VCEQ.
b) dao ng n áp ra không nhi u.
c) Công su t c cung c p t ngu n cung c p.
d) H s khuy ch i n áp.
e) Các ng t i.
3.15 Thi t k m ch khuy ch i CE nh n c h s khuy ch i n áp là - 10 khi có Rin = 2kΩ,
RL = 4kΩ, VCC = 15V, VBE = 0,6V, và β = 300. M ch khuy ch i c n ph i cho dao ng c a n
áp ra không b méo d ng 2V, nên vi c thi t k c n ph i th c hi n tiêu hao m c dòng nh nh t t
ngu n cung c p dc. Xác nh tr s c a t t c các c u ki n và h s khuy ch i dòng i n.
3.16 Thi t k m ch khuy ch i có h s khuy ch i toàn b là - 15 khi i n áp vào có tr kháng
c a ngu n (Ri) là 2kΩ và b khuy ch i t có Rin = 4kΩ, VBE = 0,7V, và β = 200. (xem hình P3.10).
m ch khuy ch i c n ph i cho dao ng c a n áp ra l n nh t. Xác nh tr s c a t t c các c u
ki n, h s khuy ch i dòng i n Ai và dao ng c a n áp ra l n nh t.
3.17 Thi t k m ch khuy ch i nh m ch hình P3.11, có h s khuy ch i là - 200 v i n tr
vào là 1kΩ. Xác nh tr s c a t t c các c u ki n, và dao ng c a n áp ra l n nh t khi có β =
400 và VBE = 0,7V.

3.18 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình P3.12, u khi n t i 200Ω s d ng


transistor silicon pnp. VCC = - 24V, = 200, Ai = 10, và VBE = - 0,7V. Hãy xác nh tr s c a c u ki n
và tính Rin, ICQ, và dao ng n áp ra i x ng không méo d ng i v i m i tr s c a RE cho d i
ây:
a) RE = RL.
b) RE = 0,2RL.
c) RE = 5RL.
So sánh các k t qu tính b ng bi u .
3.19 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình 3.11a, s d ng transistor npn v i RL = 500Ω,
VBE = 0,7V, Ai = 25, β = 200, và VCC = 15V. Hãy xác nh tr s c a c u ki n, Rin, Av, và dao ng
i n áp ra i x ng l n nh t.
3.20 Thi t k m ch khuy ch i EF lái t i 8Ω, khi có = 60, VCC = 24V, VBE = 0,7V, Av = 1, và Ai
= 10. S d ng m ch nh hình 3.11a. Hãy xác nh tr s c a c u ki n, dao ng n áp ra, Rin
3.21 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình P3.11a, s d ng transistor npn v i RL = 1500Ω,
VBE = 0,7V, Ai = 10, β = 200, và VCC = 16V. Hãy xác nh tr s c a c u ki n, Rin, Av, và dao ng
i n áp ra i x ng l n nh t.
3.22 Phân tích m ch nh hình P3.13, và xác nh các yêu c u sau khi có β = 300 và VBE = 0,6V:
a) ICQ và VCEQ.
b) dao ng c a n áp ra không méo.
c) Công su t c n thi t t ngu n cung c p.
d) Công su t ra l n nh t (ac không méo d ng).
e) Các ng t i.
3.23 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình P3.11a, u khi n t i 10Ω v i VCC = 24V,
VBE = 0,6V, Av = 1, Rin = 100Ω, và β = 200. Hãy xác nh tr s c a t t c c u ki n, Rin, và dao ng
i n áp ra i x ng l n nh t.
3.24 Phân tích m ch nh hình P3.14, khi có β = 100 và VBE
= 0,7V và xác nh các yêu c u sau:
a) ICQ và VCEQ.
b) dao ng c a i n áp ra không méo.
c) Công su t c n thi t t ngu n cung c p.
d) Công su t ra l n nh t (ac không méo d ng).
e) Các ng t i.
3.25 Thi t k m ch khuy ch i CB (xem hình 3.13), có h
s khuy ch i n áp b ng 10 và t i 4kΩ. S d ng β = 100,
VBE = 0,7V, VCC = 18V và RE = 500Ω. Hãy xác nh tr s c a ICQ, R1, R2, RB và dao ng c a n
áp ra. H s khuy ch i n áp là bao nhiêu khi R1 c r m ch b ng m t t n có n d ng l n?.
3.26 Thi t k m ch khuy ch i CB b ng cách s d ng các tr s cho bài t p 3.25 ngo i tr h s
khuy ch i n áp là 100. Hãy xác nh tr s c a R1, R2, ICQ, RB và dao ng c a n áp ra l n
nhât.
3.27 Thi t k m ch khuy ch i CB có dao ng i n áp l n nh t và tr kháng vào th p nh t là
100Ω, RL = 8kΩ, VCC = 12V, và RE = 500Ω. S d ng transistor npn có β = 200, và VBE = 0,7V. Hãy
xác nh tr h s khuy ch i n áp và tr s c a t t c n tr .
3.28 Phân tích m ch khuy ch i CB có Rin, Av, và Vo(p-p) theo các tr s s d ng nh sau: VCC =
16V, R1 = 2kΩ, R2 = 25kΩ, RE = 200Ω, RC = RL = 4kΩ, β = 200, và VBE = 0,7V. Base c n i t ac
nh hình 3.13.
3.29 Hãy xác nh các tr s c a V1, V2, V3, V4, IC1, và IC2 c a m ch hình P3.15. β = 300 cho c hai
transistor.

3.30 Ghép tr c ti p m t m ch khuy ch i CE v i m ch EF (xem hình 3.15b)) cho dao ng


c a n áp ra là 4V v i các tr s nh sau: VCC = 12V, Av = 10, Q1 có β = 200 và VBE = 0,7V, Q2 có β
= 100 và VBE = 0,7V, và RE1 = 100Ω. L y RC = 4kΩ, và xác nh R1, R2, và RE.
3.31 Cho m ch nh hình P3.16, xác nh các yêu c u sau khi có β = 400 và VBE = 0,6V:
a) i m-Q cho c hai m ch khuy ch i.
b) dao ng c a n áp ra không méo l n nh t.
c) V d ng sóng c a tín hi u ra.
d) H s khuy ch i n áp vo vi.

3.32 Cho m ch nh hình P3.17, khi có vi = 0,1sin 1000t V, xác nh i n áp ra (cho β = 200 và VBE
= 0,7V):
a) T u c c vo(+) n u c c vo(-).
b) T u c c vo(+) n t.
3.33 Tính Ai, Av, và Rin c a m ch khuy ch i EF nh
hình P3.18, khi cho β = 200 và hib = 0.
3.34 Hãy xác nh các h s khuy ch i dòng và áp
toàn b , n tr vào cho m ch khuy ch i ghép bi n
áp nh hình P3.19. S d ng transistor npn, v i a = 4,
R1 = 2kΩ, R2 = 4kΩ, VCC = 15V, β = 200, và RL =
500Ω. B qua hie.
3.35 Tính Ai, Av, cho m ch khuy ch i hai t ng nh hình P3.20. Các transistor là silicon.

3.36 Hãy xác nh Ai, Av, cho m ch khuy ch i hai t ng nh hình P3.21.

3.37 Tính Ai, Av, và Rin cho m ch khuy ch i hai t ng nh hình P3.22.
3.38 Thi t k m ch khuy ch i CE b ng transistor npn có n áp ra l n nh t v i các yêu c u sau:
Av = - 20, Rin = 4kΩ, RL = 5kΩ, VCC = 12V, β = 300, VBE = 0,7V. Xác nh tr s c a t t c các c u
ki n, dao ng c a n áp ra nh- nh không méo d ng, và h s khuy ch i dòng i n.

3.39 Tính R theo các m c n áp dc có Vo = 0 cho m ch


hình P3.23. Tính ICQ1, ICQ2, Rin, Ro, và Av. Bi t r ng, VBE = 0,7V
và β = 100 i v i c hai transistor.

You might also like