Bai Giang DTCNTT

Phần 2:
Kỹ thuật
mạch tương tự.
http://www.ebook.edu.vn 1
Mục lục
Chương 1. Các linh kiện điện tử cơ bản ..................................................................................4
1.1 Linh kiện tích cực : ..........................................................................................................4
1.2 Linh kiện thụ động: ..........................................................................................................6
1.2.1 Điện trở : ...................................................................................................................6
1.2.2 Tụ điện.......................................................................................................................8
1.2.3 Cuộn cảm.................................................................................................................11
1.3 Linh kiện bán dẫn...........................................................................................................12
1.3.1 Giới thiệu về chất bán dẫn.......................................................................................12
1.3.2 Các ứng dụng của chất bán dẫn...............................................................................14
1.4 Kết luận ..........................................................................................................................21
Chương 2. Mạch khuếch đại..................................................................................................22
2.1 Khái niệm và phân loại khuếch đại................................................................................22
2.2 Các thông số cơ bản của mạch khuếch đại ....................................................................23
2.2.1 Hệ số khuếch đại .....................................................................................................23
2.2.2 Đặc tính biên độ tần số và pha tần số......................................................................23
2.2.3 Đặc tính biên độ ......................................................................................................25
2.2.4 Hiệu suất η của mạch khuếch đại:...........................................................................26
2.2.5 Trở kháng vào, trở kháng ra của mạch khuếch đại. ................................................26
2.3 Khuếch đại tần thấp dùng transistor...............................................................................28
2.3.1 Khuếch đại mắc Emitơ chung. ................................................................................28
2.3.2 Khuếch đại mắc bazơ chung ...................................................................................32
2.3.3 Khuếch đại colectơ chung. ......................................................................................33
2.3.4 Khuếch đại dùng transistorr trường FET. ...............................................................34
2.3.5 Ví dụ xây dựng mạch khuếch đại mắc Emito chung. .............................................37
2.3.6 Một số cách mắc transistor đặc biệt dùng trong khuếch đại . .................................40
2.4 Khuếch đại dùng vi mạch thuật toán..............................................................................41
2.4.1 Vi mạch khuếch đại thuật toán (Op-Amp)..............................................................41
2.4.2 OpAmp lý tưởng và thực tế:....................................................................................41
2.4.3 Mạch khuếch đại: ....................................................................................................43
2.4.4 Mạch cộng trừ: ........................................................................................................45
2.4.5 Mạch vi tích phân:...................................................................................................48
2.4.6 Bài tập: ....................................................................................................................50
2.5 Khuếch đại công suất .....................................................................................................51
2.5.1 Tầng khuếch đại công suất đơn dùng biến áp làm việc ở chế độ A........................52
2.5.2 Khuếch đại công suất đẩy kéo có biến áp ...............................................................53
2.5.3 Khuếch đại công suất đẩy kéo không biến áp. ........................................................56
Chương 3. Mạch dao động.....................................................................................................59
3.1 Mạch dao động tạo xung................................................................................................59
3.1.1 Đa hài tạo xung vuông. ...........................................................................................59
3.1.2 Mạch tạo xung tuyến tính........................................................................................59
3.2 Mạch dao động tạo sin ...................................................................................................59
3.2.1 Khái niệm chung .....................................................................................................59
3.2.2 Tạo dao động hình sin LC ghép hỗ cảm .................................................................61
3.2.3 Tạo dao động hình sin kiểu 3 điểm .........................................................................63
3.2.4 Tạo dao động RC ....................................................................................................67
Chương 4. Mạch nguồn .........................................................................................................70
4.1 Nguồn chỉnh lưu.............................................................................................................70
4.1.1 Mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ:.................................................................................70
4.1.2 Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ:.................................................................................72
4.1.3 Mạch chỉnh lưu cầu:................................................................................................74
4.1.4 Chỉnh lưu bội áp......................................................................................................75
4.1.5 Lọc san bằng............................................................................................................76
4.2 Nguồn ổn áp 1 chiều tuyến tính .....................................................................................76
4.2.1 Các tham số ổn áp một chiều ..................................................................................77
4.2.2 Ổn áp một chiều bù tuyến tính. ...............................................................................77
4.2.3 Các IC ổn áp tuyến tính...........................................................................................80
4.2.4 Nguyên lý ổn áp xung. ............................................................................................82
Chương 1. Các linh kiện điện tử cơ bản
Bài giảng số 1
Thời lượng: 5 tiết.
Tóm tắt nội dung :
¾ Linh kiện tích cực.
¾ Linh kiện thụ động.
¾ Linh kiện bán dẫn.
1.1 Linh kiện tích cực :

1.1.1. Nguồn dòng:
a) Khái niệm và ứng dụng
Nguồn dòng là một mạch điện cung cấp một dòng điện không phụ thuộc tải.
Nguồn dòng có rất nhiều ứng dụng :
- Nguồn dòng tín hiệu khi cần truyền đi xa: để tránh sai số do điện trở đường
dây, nhiễu điện áp cảm ứng...
- Nguồn dòng trong các mạch nạp xả tụ điện, nhằm tuyến tính hóa điện áp
nạp và xả.
- Nguồn dòng trong các mạch cấp điện cho diode zenner, để có điện áp ổn
định.
- Nguồn dòng cho các mạch đo lường dựa trên điện áp trên hai đẩu điện trở
b) Phân loại :
- Nguồn dòng cố định: cho dòng ra ổn định và không thay đổi.
- Nguồn dòng phụ thuộc: cho dòng ra tỷ lệ với một áp điều khiển đầu vào.
c) Cách lắp mạch :
- Các mạch nguồn dòng đơn giản và không cần chính xác lắm, ta có thể mắc
bằng chỉ 1 hoặc 2 tranistor.
Hình 1.1.1.1. Sơ đồ các mạch nguồn dòng dung Transistorr

- Nguồn chính xác hơn có thể ráp bằng OpAmp.
Hình 1.1.1.2. Sơ đồ mạch nguồn dòng dung OpAmp

- Các nguồn dòng cố định có thể dùng các IC tạo dòng chuyên nghiệp.
1.1.2. Nguồn áp
a) Khái niệm và ứng dụng :
Nguồn áp là mạch cung cấp một điện áp không phụ thuộc tải, hay không phụ
thuộc dòng điện chạy qua.
Ví dụ: nguồn điện lưới, pin, accu, các mạch nguồn cơ bản như mạch nguồn
dùng Zenner diode ,...
Tuỳ theo yêu cầu mạch ứng dụng mà loại nguồn áp được sử dụng.
b) Phân loại
- Nguồn áp cố định
o VD : Pin , Acquy …
- Nguồn áp phụ thuộc.
o VD: Nguồn sử dụng mạch chỉnh lưu , nguồn điện lưới…
c) Cách mắc mạch:
Mắc mạch sử dụng chỉnh lưu cầu và IC LM78xx :
+20Vac
Gnd D1
Bridge1 U1
1 3 24VdcOut
GND
IN OUT
C1b
C1
10uF
1000uF
2
7824
Hình 1.1.2.1. Sơ đồ mạch nguồn áp

1.1.3. So sánh
- Nguồn áp lý tưởng có trở kháng nguồn là 0 Ohm, còn thực tế thì rất nhỏ,
dưới 1 Ohm.
- Nguồn dòng ngược lại có trở kháng nguồn là vô cùng lớn (lý tưởng).
- Trong trường hợp nguồn áp được làm từ một số transistor, ở tần số thấp,
điện trở nguồn cỡ vài Mega Ohm.
- Về nguyên tắc, tải của nguồn dòng không được là một giá trị vô cùng lớn
và tải của nguồn áp kô đc là ngắn mạch.
1.2 Linh kiện thụ động:

1.2.1 Điện trở :
a) Khái niệm :
Điện trở là một phần tử thụ động trong mạch điện đặc trưng cho tính chất cản trở
dòng điện Chính vì thế, khi sử dụng điện trở cho một mạch điện thì một phần
năng lượng điện sẽ bị tiêu hao để duy trì mức độ chuyển dời của dòng điện. Nói
một cách khác thì khi điện trở càng lớn thì dòng điện đi qua càng nhỏ và ngược
lại khi điện trở nhỏ thì dòng điện dễ dàng được truyền qua.
b) Phân loại
Do đặc trung chính của điện trở là cản trở dòng điện nên khi dòng điện chạy qua
nó sẽ tiêu thụ một lượng năng lượng , cụ thể ở đây là điện năng theo phương
trình
P = I2R
Với P : Công suất tổn hao trên điện trở (W)
I : Cường độ dòng điện chạy qua điện trở (A)
R : Trở kháng của điện trở (Ω)
Chính vì vậy khi phân loại điện trở trên thực tế ngưởi ta phân loại theo công suất
tiêu thụ tối đa của điện trở :
- Điện trở công suất lớn ( > 1W)
- Điện trở công suất trung bình (1/4W-1W)
- Điện trở công suất nhỏ (1/8W – 1/4W)
Tuy nhiên, do ứng dụng thực tế và do cấu tạo riêng của các vật chất tạo nên điện
trở nên thông thường, điện trở được chia thành 2 loại:
- Điện trở: là các loại điện trở có công suất trung bình và nhỏ hay là các điện
trở chỉ cho phép các dòng điện nhỏ đi qua.
- Điện trở công suất: là các điện trở dùng trong các mạch điện tử có dòng
điện lớn đi qua hay nói cách khác, các điện trở này khi mạch hoạt động
sẽ tạo ra một lượng nhiệt năng khá lớn. Chính vì thế, chúng được cấu
tạo nên từ các vật liệu chịu nhiệt.
c) Cách xác định giá trị điện trở:
Cách đọc giá trị các điện trở này thông thường cũng được phân làm 2 cách đọc,
tuỳ theo các ký hiệu có trên điện trở. Dưới đây là hình về cách đọc điện trở theo
vạch màu trên điện trở.
Hình 1.2.1.1. Bảng các vạch màu trên thân trở
Đối với các điện trở có giá trị được định nghĩa theo vạch màu thì chúng ta có 3
loại điện trở: Điện trở 4 vạch màu và điện trở 5 vạch màu và 6 vạch màu. Loại
điện trở 4 vạch màu và 5 vạch màu được chỉ ra trên hình vẽ. Khi đọc các giá trị
điện trở 5 vạch màu và 6 vạch màu thì chúng ta cần phải để ý một chút vì có sự
khác nhau một chút về các giá trị. Tuy nhiên, cách đọc điện trở màu đều dựa trên
các giá trị màu sắc được ghi trên điện trở 1 cách tuần tự:
¾ Đối với điện trở 4 vạch màu
- Vạch màu thứ nhất: Chỉ giá trị hàng chục trong giá trị điện trở
- Vạch màu thứ hai: Chỉ giá trị hàng đơn vị trong giá trị điện trở
- Vạch màu thứ ba: Chỉ hệ số nhân với giá trị số mũ của 10 dùng nhân với
giá trị điện trở
- Vạch màu thứ 4: Chỉ giá trị sai số của điện trở
¾ Đối với điện trở 5 vạch màu
- Vạch màu thứ nhất: Chỉ giá trị hàng trăm trong giá trị điện trở
- Vạch màu thứ hai: Chỉ giá trị hàng chục trong giá trị điện trở
- Vạch màu thứ ba: Chỉ giá trị hàng đơn vị trong giá trị điện trở
- Vạch màu thứ 4: Chỉ hệ số nhân với giá trị số mũ của 10 dùng nhân với giá
trị điện trở
- Vạch màu thứ 5: Chỉ giá trị sai số của điện trở
¾ Ví dụ
Như trên hình vẽ, điện trở 4 vạch màu ở phía trên có giá trị màu lần lượt là:
xanh lá cây/xanh da trời/vàng/nâu sẽ cho ta một giá trị tương ứng như bảng
màu lần lượt là 5/6/4/1%. Ghép các giá trị lần lượt ta có 56x104Ω=560kΩ và
sai số điện trở là 1%.
Tương tự điện trở 5 vạch màu có các màu lần lượt là: Đỏ/cam/tím/đen/nâu sẽ
tương ứng với các giá trị lần lượt là 2/3/7/0/1%. Như vậy giá trị điện trở chính
là 237x100=237Ω, sai số 1%.
1.2.2 Tụ điện
a) Khái niệm và đặc trưng vật lý.
Tụ điện theo đúng tên gọi chính là linh kiện có chức năng tích tụ năng lượng
điện. Chúng thường được dùng kết hợp với các điện trở trong các mạch định
thời bởi khả năng tích tụ năng lượng điện trong một khoảng thời gian nhất
định. Đồng thời tụ điện cũng được sử dụng trong các nguồn điện với chức năng
làm giảm độ gợn sóng của nguồn trong các nguồn xoay chiều, hay trong các
mạch lọc bởi chức năng của tụ nói một cách đơn giản đó là tụ ngắn mạch (cho
dòng điện đi qua) đối với dòng điện xoay chiều và hở mạch đối với dòng điện
1 chiều.
Để đặc trưng cho khả năng tích trữ năng lượng điện của tụ điện, người ta đưa
ra khái niệm là điện dung của tụ điện. Điện dung càng cao thì khả năng tích trữ
năng lượng của tụ điện càng lớn và ngược lại. Giá trị điện dung được đo bằng
đơn vị Fara (kí hiệu là F). Giá trị F là rất lớn nên thông thường trong các mạch
điện tử, các giá trị tụ chỉ đo bằng các giá trị nhỏ hơn như micro fara (μF), nano
Fara (nF) hay picro Fara (pF).
b) Phân loại
Phân loại theo đặc trưng vật lý
- Tụ điện có phân cực (có cực xác định)
- Tụ điện không phân cực(không phân biệt 2 cực dương âm)
Phân loại theo cấu tạo
- Tụ hóa
- Tụ giấy
- Tụ gốm
- Tụ kẹo
c) Cách nhận biết các loại tụ điện
¾ Tụ phân cực : thường là các tụ điện một chiểu
Tụ hóa :
- Tụ hóa là một loại tụ có phân cực. Chính vì
thế khi sử dụng tụ hóa yêu cầu người sử dụng
phải cắm đúng chân của tụ điện với điện áp
cung cấp. Thông thường, các loại tụ hóa
thường có kí hiệu chân cụ thể cho người sử Hình 1.2.2.1 Tụ hóa
dụng bằng các ký hiệu + hoặc - tương ứng với chân tụ.
- Có hai dạng tụ hóa thông thường đó là tụ hóa có chân tại hai đầu trụ tròn
của tụ (tụ có ghi 220μF trên hình ) và loại tụ hóa có 2 chân nối ra cùng 1
đầu trụ tròn (tụ có ghi giá trị 10μF trên hình ).
- Trên các tụ hóa, người ta thường ghi kèm giá trị điện áp cực đại mà tụ có
thể chịu được. Nếu trường hợp điện áp lớn hơn so với giá trị điện áp trên
tụ thì tụ sẽ bị phồng hoặc nổ tụ tùy thuộc vào giá trị điện áp cung cấp.
Thông thường, khi chọn các loại tụ hóa này người ta thường chọn các loại
tụ có giá trị điện áp lớn hơn các giá trị điện áp đi qua tụ để đảm bảo tụ hoạt
động tốt và đảm bảo tuổi thọ của tụ hóa.
Tụ Tatanli
Tụ Tantali cũng là loại tụ hóa nhưng có điện
áp thấp hơn so với tụ hóa. Chúng khá đắt
nhưng nhỏ thường được dùng khi yêu cầu về
tụ có điện dung lớn nhưng kích thước nhỏ.
Các loại tụ Tantali hiện nay thường ghi rõ trên
nó giá trị tụ, điện áp cũng như cực của tụ. Các
loại tụ Tantali ngày xưa sử dụng mã màu để
phân biệt. Chúng thường có 3 cột màu
Hình 1.2.2.2. Tụ Tantali
(biểu diễn giá trị tụ, một cột biểu diễn giá trị
điện áp) và một chấm màu đặc trưng cho số các số không sau dấu phẩy
tính theo giá trị μF. Chúng cũng dùng mã màu chuẩn cho việc định nghĩa
các giá trị nhưng đối với các điểm màu thì điểm màu xám có nghĩa là giá
trị tụ nhân với 0,01; trắng nhân 0,1 và đen là nhân 1. Cột màu định nghĩa
giá trị điện áp thường nằm ở gần chân của tụ và có các giá trị như sau:
o Vàng=6,3V
o Đen= 10V
o Xanh lá cây= 16V
o Xanh da trời= 20V
o Xám= 25V
o Trắng= 30V
o Hồng= 35V
¾ Tụ không phân cực
Là các tụ điện xoay chiều chịu được điện áp cao 50V-400V , không có cực xác
định trên 2 chân của tụ. Có 2 cách để xác định giá trị của tụ không phân cực
Tụ dùng mã để xác định giá trị
Mã số thường được dùng cho các loại tụ có giá trị nhỏ trong đó các giá trị
được định nghĩa lần lượt như sau:
¾ Giá trị thứ 1 là số hàng chục
¾ Giá trị thứ 2 là số hàng đơn vị
¾ Giá trị thứ 3 là giá trị 10x của
tụ. Giá trị của tụ được đọc
theo chuẩn là giá trị picro Fara
(pF) Hình 1.2.2.3. Tụ kẹo & tụ gốm
Ví dụ: tụ ghi giá trị 102 thì có nghĩa là 10 và thêm 2 số 0 đằng sau
=1000pF = 1nF chứ không phải 102pF
Tụ dùng màu để xác định giá trị
Sử dụng chủ yếu trên các tụ loại polyester
trong rất nhiều năm. Hiện nay các loại tụ
này đã không còn bán trên thị trường nữa
nhưng chúng vẫn tồn tại trong khá nhiều
các mạch điện tử cũ.
Màu được định nghĩa cũng tương tự như
đối với màu trên điện trở. 3 màu trên cùng
lần lượt chỉ giá trị tụ tính theo pF, màu thứ Hình 1.2.2.4. Tụ dung màu đễ
4 là chỉ dung sai và màu thứ 5 chỉ ra giá trị xác định giá trị
điện áp.
Ví dụ : tụ có màu nâu/đen/cam có nghĩa là 10000pF= 10nF= 0.01uF.
Chú ý rằng ko có khoảng trống nào giữa các màu nên thực tế khi có 2 màu
cạnh nhau giống nhau thì nó tạo ra một mảng màu rộng. Ví dụ Dải đỏ
rộng/vàng= 220nF=0.22uF
¾ Tụ xoay và tụ chặn :
- Tụ xoay : thường được sử dụng trong các
mạch điều chỉnh radio. Chúng thường có các
giá trị rất nhỏ, thông thường nằm trong khoảng
từ 100pF đến 500pF.
Rất nhiều các tụ xoay có vòng xoay ngắn nên
chúng không phù hợp cho các dải biến đổi rộng
như là điện trở hoặc các chuyển mạch xoay.
Chính vì thế trong nhiều ứng dụng, đặc biệt là
trong các mạch định thời hay các mạch điều
chỉnh thời gian thì người ta thường thay các tụ Hình 1.2.2.5.Tụ xoay
xoay bằng các điện trở xoay và kết hợp với 1
giá trị tụ điện xác định.
- Tụ chặn : là các tụ xoay có giá trị rất nhỏ.
Chúng thường được gắn trực tiếp lên bản mạch
điẹn tử và điều chỉnh sau khi mạch đã được chế
tạo xong. Tương tự các biến trở hiện này thì khi
điều chỉnh các tụ chặn này người ta cũng dùng
các tuốc nơ vít loại nhỏ để điều chỉnh. Tuy
nhiên do giá trị các tụ này khá nhỏ nên khi điều
chỉnh, người ta thường phải rất cẩn thận và kiên
trì vì trong quá trình điều chỉnh có sự ảnh
hưởng của tay và tuốc nơ vít tới giá trị tụ. Hình 1.2.2.6. Tụ chặn
Các tụ chặn này thường có giá trị rất nhỏ, thông
thường nhỏ hơn khoảng 100pF. Có điều đặc biệt là không thể giảm nhỏ
được các giá trị tụ chặn về 0 nên chúng thường được chỉ định với các giá trị
tụ điện tối thiểu, khoảng từ 2 tới 10 pF.
1.2.3 Cuộn cảm
a) Khái niệm và đặc trưng vật lý
Cuộn cảm là một phần tử thụ
động trong mạch điện có tính chất
ngăn cản dòng điện xoay chiều
đối với dòng điện một chiều thì
cuộn cảm lúc đó được coi đơn
giản như một đoạn dây nối (ngắn
mạch).
Tính chất của cuộn cảm : Cuộn
cảm hoạt động dựa trên nguyên lý
điện từ.
Hình 1.2.3.1. Quy tắc bàn tay trái
Thực tế, trong các đường dây điện thẳng bình thường, khi có dòng điện chạy qua
thì xung quanh đường dây xuất hiện một từ trường, chiều của từ trường này được
xác định bằng quy tắc bàn tay trái:
Để tăng từ trường lên, chúng ta cuộn các
đoạn dây thành vòng, nhờ đó mà các từ
trường kết hợp lại với nhau tạo nên cuộn
cảm có từ trường mạnh hơn rất nhiều.
Khi cung cấp cho cuộn cảm một dòng điện
chạy qua nó thì trong cuộn cảm xuất hiện
một từ trường. Hình ảnh minh hoạ sau sẽ
nói lên điều đó:
Trị số của cuộn cảm phụ thuộc vào dòng

điện, số vòng dây và cấu tạo của cuộn cảm.
Đơn vị đo : Henri (H)
Tuy nhiên trên thực tế các cuộn cảm thường
có giá trị rất nhỏ nên đơn vị hay được sử
dụng là mH = 10-3 H
Hình 1.2.3.2. Từ trường của cuộn dây
b) Phân loại:
Cuộn cảm được phân thành 2 loại chính:
¾ Cuộn cảm có điện dung biến đổi.
¾ Cuốn cảm có điện dung xác đinh
Thực tế hiện nay trên thị trường linh kiện điện tử các cuộn cảm thường không có trị số
chính xác vì vậy trong các ứng dụng thu phát Radio (RF) cần các cuộn cảm có độ
chính xác cao nhiều khi ta phải tự cuốn lấy cuộn cảm .
c) Các ứng dụng thực tế của cuộn cảm.
• Biến áp.
Hình 1.2.3.3. Máy biến áp

• Nam châm điện.
Hình 1.2.3.4. Một số hình ảnh nam châm điện

• Micro điện động, loa điện động
Hình 1.2.3.5: Micro và loa điện động
1.3 Linh kiện bán dẫn

1.3.1 Giới thiệu về chất bán dẫn
a. Chất bán dẫn là gì ?
Chất bán dẫn ( Semiconductor) là vật liệu trung gian giữa chất dẫn điện và chất
cách điện. Chất bán dẫn hoạt động như một chất cách điện ở nhiệt độ thấp và có tính
dẫn điện ở nhiệt độ phòng. Gọi là "bán dẫn" (chữ "bán" theo nghĩa Hán Việt có nghĩa
là một nửa), có nghĩa là có thể dẫn điện ở một điều kiện nào đó, hoặc ở một điều kiện
khác sẽ không dẫn điện.
b. Vùng năng lượng trong chất bán dẫn
Tính chất dẫn điện của các vật liệu rắn được giải thích nhờ lý thuyết vùng năng
lượng Như ta biết điện tử tổn tại trong nguyên tử trên những mức năng lượng gián
đoạn (các trạng thái dừng). Nhưng trong chất rắn, khi mà các nguyên tử kết hợp lại
với nhau thành các khối, thì các mức năng lượng này bị phủ lên nhau, và trở thành
các vùng năng lượng và sẽ có ba vùng chính.
Hình 1.3.1.1. Các vùng năng lượng của chất rắn
• Vùng hóa trị (valence band): Là vùng có năng lượng thấp nhất theo thang năng
lượng, là vùng mà điện tử bị liên kết mạnh với nguyên tử và không linh động.
• Vùng dẫn (Conduction band): Vùng có mức năng lượng cao nhất, là vùng mà
điện tử sẽ linh động (như các điện tử tự do) và điện tử ở vùng này sẽ là điện tử
dẫn, có nghĩa là chất sẽ có khả năng dẫn điện khi có điện tử tồn tại trên vùng dẫn.
Tính dẫn điện tăng khi mật độ điện tử trên vùng dẫn tăng.
• Vùng cấm (Forbidden band): Là vùng nằm giữa vùng hóa trị và vùng dẫn, không
có mức năng lượng nào do đó điện tử không thể tồn tại trên vùng cấm. Nếu bán
dẫn pha tạp, có thể xuất hiện các mức năng lượng trong vùng cấm (mức pha tạp).
Khoảng cách giữa đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị gọi là độ rộng vùng cấm,
hay năng lượng vùng cấm (Band Gap). Tùy theo độ rộng vùng cấm lớn hay nhỏ
mà chất có thể là dẫn điện hoặc không dẫn điện.
Như vậy, tính dẫn điện của các chất rắn và tính chất của chất bán dẫn có thể lý giải
một cách đơn giản nhờ lý thuyết vùng năng lượng như sau:
• Kim loại có vùng dẫn và vùng hóa trị phủ lên nhau (không có vùng cấm) do đó
luôn luôn có điện tử trên vùng dẫn vì thế mà kim loại luôn luôn dẫn điện.
• Các chất bán dẫn có vùng cấm có một độ rộng xác định. Ở không độ tuyệt đối (0
K) mức Fermi nằm giữa vùng cấm, có nghĩa là tất cả các điện tử tồn tại ở vùng
hóa trị, do đó chất bán dẫn không dẫn điện. Khi tăng dần nhiệt độ, các điện tử sẽ
nhận được năng lượng nhiệt (kB.T với kB là hằng số Boltzmann) nhưng năng
lượng này chưa đủ để điện tử vượt qua vùng cấm nên điện tử vẫn ở vùng hóa trị.
Khi tăng nhiệt độ đến mức đủ cao, sẽ có một số điện tử nhận được năng lượng
lớn hơn năng lượng vùng cấm và nó sẽ nhảy lên vùng dẫn và chất rắn trở thành
dẫn điện. Khi nhiệt độ càng tăng lên, mật độ điện tử trên vùng dẫn sẽ càng tăng
lên, do đó, tính dẫn điện của chất bán dẫn tăng dần theo nhiệt độ (hay điện trở
suất giảm dần theo nhiệt độ). Một cách gần đúng, có thể viết sự phụ thuộc của
điện trở chất bán dẫn vào nhiệt độ như sau:
Với: R0 là hằng số, ΔEg là độ rộng vùng cấm.

Ngoài ra, tính dẫn của chất bán dẫn có thể thay đổi nhờ các kích thích năng lượng
khác, ví dụ như ánh sáng. Khi chiếu sáng, các điện tử sẽ hấp thu năng lượng từ
photon, và có thể nhảy lên vùng dẫn nếu năng lượng đủ lớn. Đây chính là nguyên
nhân dẫn đến sự thay đổi về tính chất của chất bán dẫn dưới tác dụng của ánh
sáng (quang-bán dẫn).
1.3.2 Các ứng dụng của chất bán dẫn

a. Điốt (Diode)
¾ Điốt (diode) : là từ ghép mang nghĩa "hai điện cực", với di là hai, và ode bắt nguồn
từ electrode, có nghĩa là điện cực, là một trong những linh kiện điện tử. Một công cụ
dùng để chỉnh lưu dòng điện . Khi Điốt dẩn điện, Điốt chỉ cho dòng điện chảy theo
một chiều từ Cực âm sang Cực dương.
Điốt được tạo bởi 2 chất bán dẫn. Khi ghép một bán dẫn điện âm (bán dẫn N), với
một bán dẫn điện dương (bán dẫn P) lại với nhau ta được một Điốt . Bán dẫn điện âm
thường cấu tạo từ Si . Bán dẫn điện dương
thường cấu tạo từ Ge . Từ đó ta được một linh
kiện điện tử hai chân . Chân dương (Anode) là
chân nối với bán dẫn điện dương, Chân âm
(Cathode) là chân nối với bán dẫn điện âm.
Khối bán dẫn loại p chứa nhiều lỗ trống tự do
mang điện tích dương nên khi ghép với khối
bán dẫn n (chứa các điện tử tự do) thì các lỗ
trống này có xu hướng chuyễn động khuếch tán
sang khối n. Cùng lúc khối p lại nhận thêm các
điện tử (điện tích âm) từ khối n chuyển sang.
Kết quả là khối p tích điện âm (thiếu hụt lỗ
trống và dư thừa điện tử) trong khi khối n tích điện dương (thiếu hụt điện tử và dư
thừa lỗ trống). Ở biên giới hai bên mặt tiếp giáp,
một số điện tử bị lỗ trống thu hút và khi chúng
tiến lại Hình 1.3.2.1 . Điện áp tiếp xúc
gần nhau, chúng có xu hướng kết hợp với nhau
tạo thành các nguyên tử trung hòa. Quá trình
này có thể giải phóng năng lượng dưới dạng ánh
sang (hay các bức xạ điện từ có bước sóng gần
đó).
Sự tích điện âm bên khối p và dương bên khối n
hình thành một điện áp gọi là điện áp tiếp xúc
(UTX). Điện trường sinh ra bởi điện áp có
hướng từ khối n đến khối p nên cản trở chuyển
động khuếch tán và như vậy sau một thời gian
kể từ lúc ghép 2 khối bán dẫn với nhau thì quá
Hình 1.3.2.2.
Điện áp ngoài ngược chiều
trình chuyển động khuếch tán chấm dứt và tồn

tại điện áp tiếp xúc. Lúc này ta nói tiếp xúc P-N
ở trạng thái cân bằng. Điện áp tiếp xúc ở trạng
thái cân bằng khoảng 0.6V đối với điốt làm
bằng bán dẫn Si và khoảng 0.3V đối với điốt
làm bằng bán dẫn Ge.
Hai bên mặt tiếp giáp là vùng các điện tử và lỗ trống dễ gặp nhau nhất nên quá trình
tái hợp thường xảy ra ở vùng này hình thành các nguyên tử trung hòa. Vì vậy vùng
biên giới ở hai bên mặt tiếp giáp rất hiếm các hạt dẫn điện
tự do nên được gọi là vùng nghèo. Vùng này Hinh 1.3.2.3. Điện áp ngoài cùng chiều
không dẫn điện tốt, trừ phi điện áp tiếp xúc được cân bằng bởi điện áp bên ngoài.
Đây là cốt lõi hoạt động của điốt.
Nếu đặt điện áp bên ngoài ngược với điện áp tiếp xúc, sự khuyếch tán của các điện tử
và lỗ trống không bị ngăn trở bởi điện áp tiếp xúc nữa và vùng tiếp giáp dẫn điện tốt.
Nếu đặt điện áp bên ngoài cùng chiều với điện áp tiếp xúc, sự khuyếch tán của các
điện tử và lỗ trống càng bị ngăn lại và vùng nghèo càng trở nên nghèo hạt dẫn điện tự
do. Nói cách khác điốt chỉ cho phép dòng điện qua nó khi đặt điện áp theo một
hướng nhất định.
¾ Đặc trưng Voltage – Ampe của Diode.
Hình 1.3.2.4 Đặc trưng Voltage-Ampe của Diode

¾ Phân loại Điốt
Điốt được chia ra nhiều loại tùy theo vùng hoạt động của Điốt
Điốt phân cực thuân: Chỉ cần một điện áp dương đủ để cho Điốt dẩn điện . Điốt sẻ
cho dòng điện đi qua theo một chiều từ Cực Âm đến Cực Dương và sẻ cản dòng điện
đi theo chiều ngược lại. Thí dụ : Điốt Bán dẩn, LED...
Điốt phân cực nghịch: Chỉ cần một điện áp âm đủ để cho Điốt dẩn điện . Điốt sẻ cho
dòng điện đi qua theo 2 chiều . Thông thường, dẩn điện tốt hơn trong chiều nghịch.
Thí dụ : Điốt Zener, Điốt biến dung
• Điốt bán dẫn: cấu tạo bởi chất bán dẫn Silic và Gecmani có pha thêm một số chất
để tăng thêm electron tự do. Loại này dùng chủ yếu để chỉnh lưu dòng điện.
• Điốt Schottky: Ở tần số thấp, điốt thông thường có thể dễ dàng khóa lại (ngưng
dẫn) khi chiều phân cực thay đổi từ thuận sang nghịch, nhưng khi tần số tăng đến
một ngưỡng nào đó, sự ngưng dẫn không thể đủ nhanh để ngăn chặn dòng điện
suốt một phần của bán kỳ ngược. Điốt Schottky khắc phục được hiện tượng này.
• Điốt Zenner, còn gọi là "điốt đánh thủng": là loại điốt được chế tạo tối ưu để hoạt
động tốt trong miền đánh thủng. Đây là cốt lõi của mạch ổn áp.
Hình 1.3.2.5 Mốt số loại Điốt
Hình 1.3.2.6 Điốt phát quang
• Điốt phát quang : hay còn gọi là LED (Light Emitting Diode) là các điốt có khả
năng phát ra ánh sáng hay tia hồng ngoại, tử ngoại. Cũng giống như điốt bán dẫn,
LED được cấu tạo từ một khối bán dẫn loại p ghép với một khối bán dẫn loại n.
• Điốt quang : (photodiode): là loại nhạy với ánh sáng, có thể biến đổi ánh sáng vào
thành đại lượng điện.
• Điốt biến dung (varicap): Có tính chất đặc biệt, đó là khi phận cực nghịch, điốt
giống như một tụ điện, loại này được dùng nhiều cho máy thu hình, máy thu sóng
FM và nhiều thiết bị truyền thông khác.
• Điốt ổn định dòng điện: là loại điốt hoạt động ngược với Điốt Zener. Trong mạch
điện điốt này có tác dụng duy trì dòng điện không đổi.
• Điốt Step Recovery : Ở bán kỳ dương, điốt này dẫn điện như loại điốt Silic thông
thường, nhưng sang bán kỳ âm, dòng điện ngược có thể tồn tại một lúc do có lưu
trữ điện tích, sau đó dòng điện ngược đột ngột giảm xuống còn 0.
• Điốt ngược: Là loại điốt có khả năng dẫn điện theo hai chiều, nhưng chiều nghịch
tốt hơn chiều thuận.
b. Transistor
Transistor là một linh kiện điện tử bán dẫn được chế tạo từ Ge và Si dùng để khuyếch
đại tín hiệu hoặc đóng mở mạch điện như một Rơle. Người ta pha các tạp chất khác
nhau để tạo các bán dẫn loại P và loại N. Các bán dẫn này được sắp xếp theo 3 miền
p-n-p hoặc n-p-n. Từ 3 miền khác nhau này người ta lấy ra 3 cực khác nhau là emitơ
(E) , bazơ (B) và colectơ (C). Tùy theo thứ tự sắp xếp mà ta có loại transistor p-n-p
hay n-p-n.
Do có 3 miền bán dẫn khác nhau nên trong transistor có 2 lớp tiếp giáp p-n là lớp tiếp
giáp BE và BC. Để transistor làm việc được ở chế độ khuếch đại tín hiệu thì giữa BE
người ta đặt một điện áp một chiều đấu theo chiều phân cực thuận, giữa BC đặt một
điện áp phân cực ngược. Trên ký hiệu của transistor chiều mũi tên là chiều phân cực
thuận.
Hình 1.3.2.7. Cấu trúc và cách mắc nguồn Transistor thuận và nghịch
Để khảo sát sự phân cực cho transistor, người ta thường dùng mạch điện đơn giản
dưới đây .
Ba trạng thái của transistor được mô ta trên đặc tuyến ngõ ra của transistor. Hình
Hình 1.3.2.8. Sơ đồ mạch và nguyên lý hoạt động của Transistor
Tuỳ theo mức phân cực mà transistor có thể làm việc ở một trong ba trạng thái là
ngưng dẫn, khuếch đại tuyến tính và bão hoà.
• Trạng thái ngưng dẫn:

Nếu phân cực cho transistor có V BE < VZ ( VBE =0 v – 0.4 v ) thì transistor ngưng
dẫn, dòng điện IB =0, IC =0 và VCE =+VCC
Lúc đó chỉ có dòng điện dò qua transistor rất nhỏ không đáng kể
• Trạng thái khuếch đại
Nếu phân cực cho transistor có VBE =0,5 V - 0,7 V thì transistor dẫn điện và có dòng
điện IB dòng điện IC tăng theo IE qua hệ số khuếch đại hfe . Lúc đó, điểm làm việc của
transistor sẽ nằm trên đường tải tĩnh và khi IB tăng thì IC tăng và VCE giảm.
• Trạng thái bão hoà:
Nếu phân cực cho transistor có VBE = 0,8 V thì transistor sẽ dẫn rất mạnh gọi là bão
hoà. Lúc đó IB tăng cao làm IC tăng cao đến mức gần bằng và điện thế VCE
giảm còn rất nhỏ ( » 0,2 V ) gọi là điện thế VCE Sat (saturation) hay là VCE bão hoà.
• Người ta thường dùng transistor để khuyếch đại tín hiệu, bằng việc phân cực cho
transistor hoạt động ở vùng khuếch đại tuyến tính.
Làm việc ở chế độ khuếch đại, transistor được ứng dụng nhiều vào các mạch khuếch
đại tín hiệu: Máy tăng âm là một loại máy áp dụng rất nhiều tính năng khuếch đại của
transistor.
• Transistor cũng có thể dùng như một khoá điện tử bằng việc phân cực cho
transistor chỉ hoạt động ở hai mức ngưng dẫn và dẫn bão hoà. Hiện nay đã chế tạo
transistor chuyên dụng làm khoá điện tử, những transistor này thường có mức điện
áp phân cực từ trạng thái ngưng dẫn sang bão hoà rất gần nhau khiến cho việc
chuyển trạng thái từ không dẫn điện sang dẫn điện rất dễ dàng. Khoá điện tử dùng
transistor có một ưu điểm lớn là có thể hoạt động ở tần số cao, do đó có thể tạo ra
được một dãy xung điện ở tần số rất cao. Chính nhờ đặc điểm đó mà transistor được
ứng dụng rất nhiều trong ngành kĩ thuật xung, số.
Trong thực tế, khi sử dụng chúng ta cần phải kiểm tra xem transistor của chúng ta có
còn tốt hay không, lúc đó chúng ta cần kiểm tra như sau:
• Cách thử transistor.
Để xác định trạng thái tốt hay hỏng của một transistor có thể dùng đồng hồ vạn năng
ở thang đo R x 100 lần lượt đo các cặp chân BE, BC và CE, mỗi cặp chân đo hai lần
bằng cách đổi hai que đo của đồng hồ.
.
Hình 1.3.2.9. Sơ đồ mạch thử Transistor

Hình trên là trường hợp đo điện trở thuận của các cặp chân của transistor đối với loại
NPN. Muốn đo điện trở ngược thì đổi đầu hai que đo.
Cặp chân Transistor Si Transistor Ge

Thuận Ngược Thuận Ngược
BE Vài KΩ Vô cực Ω Vài trăm Ω Vài trăm K Ω
BC Vài K Ω Vô cực Ω Vài trăm Ω Vài trăm K Ω
CE Vô cực Ω Vô cực Ω Vài chục K Ω Vài trăm K Ω
Bảng 1.3.2.1 kết quả đo trị số điện trở thuận, nghịch các cặp chân của transistor.
¾ Phân loại transistor
Hình 1.3.2.10. Một số loại Transistor
Hình 1.3.2.11. Sơ đồ chân của một số loại transistor
BJT(Biopolar Junction Transistor) – Transistor lưỡng cực (hình a)
Loại transistor thường hay được sử dụng trong cuộc sống
Một số đặc tính của transistor lưỡng cực
IE = IB + IC
trong đó IB << IC , IE
Dòng IC phụ thuộc vào
JFET(Junction Field Effect Trasistor) – Transistor trường mối nối, điều khiển
bằng lớp tiếp xúc P-N (hình b)
MOSFET(Metal Oxit Semiconductor FET) – Transistor trường có cổng cách
điện(hình c).
Transistor điều khiển bằng điện áp , khi kệnh G có điện áp > 0 (0,8V) thì transistor
mở toàn phần , dòng ID phu thuộc vào điện áp VDS và tải của mạch\
1.4 Kết luận

Các kiến thức đã học và cần nhớ trong chương 1
- Phân biệt các loại linh kiện trong mạch điện
- Phân biệt nguồn dòng và nguồn áp
- Biết cách xác định giá trị của các linh kiện thụ động (điện trở, tụ điện, cuộn cảm)
- Phân biệt một số loại linh kiện bán dẫn: các loại diode, các loại transistor
- Biết cách đo và xác định chân của transistor, chiều của diode.
Chương 2. Mạch khuếch đại
Bài giảng số 2
¾ Khái niệm và phân loại khuếch đại
¾ Các thông số kỹ thuật cơ bản của mạch khuếch đại
¾ Bố khuếch đại tần thấp dùng transistor
¾ Khuếch đại dung vi mạch thuật toán
¾ Khuếch đại công suất
2.1 Khái niệm và phân loại khuếch đại

2.1.1. Khái niệm
Trong qúa trình biến đổi xử lý tín hiệu thường phải xử lý với tín hiệu biên độ rất nhỏ, công suất
thấp không đủ kích thích cho tầng tiếp theo làm việc. Như vậy, cần phải gia tăng công suất cho
tín hiệu. Mạch điện cho phép ta nhận ở đầu ra ở tín hiệu có dạng như tín hiệu đầu vào nhưng
có công suất lớn hơn gọi là mạch khuếch đại.
Quá trình khuếch đại là quá trình biến đổi năng lượng có điều khiển, ở đó năng lượng của
nguồn một chiều ( không chứa đựng thông tin ) được biến đổi thành năng lượng xoay
chiều của tín hiệu có mang tin, đây là một quá trình gia công xử lý tín hiệu analog.
Mạch khuếch đại có mặt hầu hết các thiết bị điện tử. Trong mạch khuếch đại điện tử có phần tử
khuếch đại (transistor,IC ), nguồn một chiều và các phần tử thụ động RLC. Chương này nghiên
cứu các mạch khuếch đại điện tử thông dụng.
2.1.2. Phân loại khuếch đại

Mạch khuếch đại ( hay bộ khuếch đại ) có thể phân loại theo các dấu hiệu sau:
• Theo phần tử khuếch đại: có khuếch đại dùng đèn điện tử 3,4 hoặc 5 cực, khuếch đại
dùng transistor lưỡng cực , khuếch đại dùng transistor trường, khuếch đại dùng diode
tunen, khuếch đại tham số, khuếch đại IC( vi mạch) ...
• Theo dải tần số làm việc : Có khuếch đại âm tần, khuếch đại cao tần, khuếch đại siêu cao
tần...
• Theo bề rộng của dải tần số khi cần khuếch đại : khuếch đại dải rộng, khuếch đại dải hẹp.
• Theo dạng tải : Khuếch đại cộng hưởng (hay chọn lọc) có tải là mạch cộng hưởng ,
khuếch đại điện trở(không cộng hưởng ).
• Theo đại lượng cần khuếch đại: khuếch đại điện áp, khuếch đại dòng điện, khuếch đại
công suất.
2.2 Các thông số cơ bản của mạch khuếch đại
Để đánh giá chất lượng của một mạch khuếch đại ta thường sử dụng các tham số và đặc tính
sau :
2.2.1 Hệ số khuếch đại
Là tỷ số giữa đại lượng điện ở đầu ra và đầu vào của mạch khuếch đại.
Các đại lượng đó là điện áp, dòng điện hoặc công suất , tương ứng có hệ số khuếch đại điện áp
. .
K u , hệ số khuếch đại dòng điện K I và hệ số khuếch đại công suất KP. Hệ số khuếch đại điện
áp (hay dòng điện) là tỷ số giữa biên độ phức của điện áp (dòng điện ) ở đầu ra và đầu vào của
mạch khuếch đại:
. . . .
U Rm
KU = K = U
.
U Vm
.
. I Rm
KI =
.
I Vm
Vì trong mạch tồn tại phần tử quán tính (cảm kháng, dung kháng ) nên tổng quát mà nói KU và
KI là các hàm số phức của biến tần số ω ( ω = 2πf ), tức là phụ thuộc vào tần số của tín hiệu
cần khuếch đại.
Hệ số khuếch đại công suất KP cho ta thấy công suất trung bình ( tác dụng) ra tải của mạch
khuếch đại lớn hơn bao nhiêu lần công suất trung bình ( tác dụng) ở đầu vào của nó.
PR
K P =
PV
Hệ số khuếch đại công suất còn được biểu thị bằng đơn vị dexiben (dB)
KPđb = 10 lg Kp (dB)
Trong mạch khuếch đại dùng transistorr trường FET việc xét hệ số khuếch đại dòng điện là
.
không thực tế vì dòng vào cực nhỏ, do vậy người ta chỉ xét hệ số khuếch đại điện áp Ku . Ở
. .
khuếch đại dùng transistorr lưỡng cực có thể dùng cả ba hệ số K u , K I, KP , tuy nhiên thường
. .
dùng hệ số khuếch đại điện áp K U,để đơn giản thường ký hiệu là K .
2.2.2 Đặc tính biên độ tần số và pha tần số

Quá trình khuếch đại tín hiệu thường đi kèm với quá trình gây méo dạng của tín hiệu. Méo tín
hiệu có hai dạng là méo tuyến tính và méo phi tuyến.
Méo tuyến tính phát sinh do trở kháng của phần tử cảm kháng và dung kháng phụ thuộc vào
tần số (ZC = 1/jωc, ZL=jωL). Do vậy các thành phần tần số khác nhau(các sóng hài) sẽ được
khuếch đại khác nhau, đồng thời quan hệ pha giữa chúng ở đầu ra so với đầu vào cũng thay
đổi. Méo tuyến tính được đánh giá qua đặc tính biên độ tần số (ĐTBT), đặc tính pha tần số(
ĐTPT) và đặc tính quá độ (ĐTQĐ).
Vì hệ số khuếch đại điện áp là đại lượng phức nên ta có
. .
K( jω) = K( jω) e jφ(ω) = K(ω)e jφ(ω) (4.5)
.
K( jω) =K( & (jω)
=) - modun của K
φ (ω) - argument của K& ( jω ) .

.
ĐTBT chỉ sự phụ thuộc của modun hệ số khuếch đại K( jω) vào tần số của tín hiệu. Dạng của
ĐTBT điển hình trình bày trên hình 2.2.2.1a. Tất nhiên ĐTBT có thể biểu diễn bằng đồ thị
URm (f) hoặc U Rm (ω) khi Uvào =const. Khi phân tích khuếch đại người ta thường dùng ĐTBT
quy chuẩn m = K& ( jω) / Ko , trong đó K0 là giá trị cực đại của hệ số khuếch đại.Từ đặc tính hình
2.2.2.1a ta thấy nếu tín hiệu có tần số quá thấp hoặc quá cao thì khi đi qua mạch khuếch đại nó
sẽ được khuếch đại ít hoặc không được khuếch đại.Vì vậy người ta chỉ coi tín hiệu nằm trong
dải thông được khuếch đại ,còn nằm ngoài dải thông bị loại bỏ. Dải thông là dải tần số mà
trong đó hệ số khuếch đại không nhỏ hơn 2 lần giá trị cực đại K0.Cũng trên hình này dải
thông là ωthấp÷ωcao hay ωt÷ωc.
ĐTPT chỉ sự phụ thuộc của lượng dịch pha giữa tín hiệu đầu ra và đầu vào của mạch khuếch
đại vào tần số của tín hiệu.
ĐTQĐ phản ánh quá trình quá độ trong mạch khuếch đại. ĐTQĐ ký hiệu là h(t), là điện áp ở
đầu ra của mạch khuếch đại biểu diễn heo thời gian khi tác động đầu vào là tác động bậc thang
đơn vị.
Tác động bậc thang đơn vị là suất điện động e(t) :
⎧0 khi t 〈0
⎪
e (t) = ⎨
⎪⎩1 khi t≥0
Đặc tính quá độ cho ta thấy sự méo dạng xung khi khuếch đại tín hiệu xung. Hình 2.2.1.1b là
một dạng ĐTQĐ điển hình
Tổng quát mà nói thì trong một mạch khuếch đại ĐTBĐ, ĐTPT và ĐTQĐ liên quan chặt chẽ
với nhau, tức là dạng của đặc
tính này sẽ quyết định hai đặc
tính còn lại, tuy nhiên tuỳ theo
chức năng của mạch khuếch
đại mà người ta quan tâm đến 2
đặc tính nào hơn. ω
ω ω
Méo phi tuyến là sự méo dạng tín hiệu trong bộ khuếch đại đo đặc tuyến VOLTAGE –
AMPERE của phần tử khuếch đại không phải là tuyến tính ( mà là phi tuyến). Do đặc tuyến
của phần tử khuếch đại không tuyến tính nên một tần số đưa tới đầu vào của bộ khuếch đại sẽ
làm xuất hiện ở đầu ra những sóng hài bậc cao. Méo phi tuyến hay méo không đường thẳng
được đánh giá bằng hệ số hài :
U 2 m 2 + U 2 m 3 + ....U 2 mn
K h% = 100%
U m1
Trong đó Um1, Um2, Um3, ......Umn là biên độ của điện áp tần số cơ bản và biên độ các hài bậc 2,
3, ...n ở đầu ra của mạch khuếch đại.
Tuỳ theo chức năng của mạch khuếch đại mà Kh% có định mức khác nhau trong các mạch kỹ
thuật.
2.2.3 Đặc tính biên độ
Đó là sự phụ thuộc của biên độ điện áp đầu ra vào biên độ điện áp đầu vào của bộ khuếch đại.
Ura = f(Uvào)
Dạng của nó được trình bày trên hình 2.2.3.1a.
Thực tế khi điện áp vào bằng không ( không có tín hiệu vào) thì vẫn tồn tại một điện áp ( tuy rất
nhỏ ), đó là tạp âm nội bộ của mạch khuếch đại. Còn khi biên độ điện áp vào quá lớn thì biên
độ điện áp ra sẽ không tăng vì tính phi tuyến của phần tử khuếch đại.
b) c)
U ra a)
P ra K P dB
ΔP ΔK
U m ax P vµo
U m in U vµo P vµo P v max
Hình 2.2.3.1 a)đặc tính biên độ của các mạch khuếch đại
b)đặc tính biên độ của khuếch đại công suất.
Khi biên độ tín hiệu vào nằm trong khoảng UVmin ÷ UVmax thì mạch khuếch đại có thể coi là
một mạng bốn cực tuyến tính. Lúc đó nói dải động của mạch khuếch đại là :
U V max
D=
U V min
Với các mạch khuếch đại công suất đặc tính động là quan hệ Pra = f(PVào) hoặc KPdb = f ( Pvào)
( hình 2.2.3.1b,c) lúc đó hệ số méo phi tuyến sẽ là :
ΔP
K 0 = Ra 100%
PVµo
Công suất vào cực đại Pvàomax ứng với mức giảm công suất ra 1 db gọi là biên trên của đặc
tính biên độ ( hình 2.2.3.1c).
2.2.4 Hiệu suất η của mạch khuếch đại:
η được tính bằng tỷ số giữa công suất ra tải ( công suất hữu ích ) và công suất tiêu thụ nguồn
của toàn mạch:
P
η = Ra
P0
PRa - công suất ra tải
P0 - công suất tiêu thụ nguồn.
2.2.5 Trở kháng vào, trở kháng ra của mạch khuếch đại.
Tổng trở hoặc tổng dẫn đầu vào và đầu ra cũng là một tham số quan trọng của mạch khuếch
đại, chúng đặc trưng cho khả năng phối hợp với nguồn cấp tín hiệu ở đầu vào và phối hợp với
tải ở đầu ra của mạch khuếch đại.Tổng trở đầu vào ( hoặc đầu ra ) là tỷ số giữa biên độ phức
của điện áp và dòng điện ở đầu vào (hoặc đầu ra )của bộ khuếch đại:
. .
U Vm U Rm
ZV = ; ZR =
. .
I Vm I Rm
. .
1 I Vm 1 I Rm
YV = = ZV = ; YR = = ZV =
ZV . ZR .
U Vm U Rm
Nghịch đảo của tổng trở phức là tổng dẫn phức .
Trở kháng vào của mạch khuếch đại được định nghĩa như sau:
Uv
Zv =
iv
U U U Zi
K u = r = r . v = K u* .
Ev U v Ev Zi + Zv
Như vậy, nếu Zi>>Zv thì K u = K u*
nếu Zi<<Zv thì K u → 0
Trở kháng ra của mạch khuếch đại được định nghĩa là trở kháng trong của nguồn tương đương
nếu ta nhìn từ phía tải:
Ur
Zr =
ir
Zt
U r = Er .
Zt + Zr
Như vậy, nếu Zt>>Zr thì U r → E r
nếu Zt<<Zr thì U r → 0
⎧K u → ∞
⎪
Bộ khuếch đại điện áp lý tưởng có Ku rất lớn và không phụ thuộc vào nguồn và tải: ⎨Z v → ∞
⎪Z → 0
⎩ r
⎧K i → ∞
⎪
Bộ khuếch đại dòng điện lý tưởng Ki rất lớn không phụ thuộc vào nguồn và tải: ⎨Z v → 0
⎪Z → ∞
⎩ r
Tất cả các tham số và đặc tính vừa nêu trên đều quan trọng đối với một mạch khuếch đại, tuy
nhiên tuỳ theo chức năng của từng mạch cụ thể mà các tham số đó có thể có các yêu cầu khác
nhau. Ngoài ra các tham số trên còn cần phải kể đến độ ổn định của hệ số khuếch đại, hệ số tạp
âm, tạp âm nhiệt, các tham số khai thác...
2.3 Khuếch đại tần thấp dùng transistor
Ở đây chúng ta sẽ chỉ xem xét các mạch khuếch đại với tín hiệu đầu vào có tần số thấp và câc
mạch khuếch đại điện trở.
Khuếch đại điện trở là mạch khuếch đại có tải là thuần trở (điện trở thuầnRt). Tuy nhiên
trong các mạch khuếch đại ngoài tải là điện trở Rt còn được mắc thêm các phần tử cảm kháng
và dung kháng để thay đổi đặc tính tần số, tuy nhiên vẫn có thể coi đó cũng là các mạch
khuếch đại điện trở, với tải là trở kháng phức. Các mạch khuếch đại thuần trở dùng để khuếch
đại tín hiệu yếu, mạch làm việc ở chế độ A. Mạch có thể là mạch emitơ chung, bazơ chung
hoặc colectơ chung
2.3.1 Khuếch đại mắc Emitơ chung.
Khuếch đại hình 2.3.1.1 mắc emitơ chung là mạch thông dụng hơn cả. Trước hết ta xét tác dụng
của linh kiện trong mạch. Điện trở R1, R2 và RE có tác dụng định thiên và ổn định chế độ công
tác ( ổn định nhiệt) cho transistorr.
Tụ điện CE được chọn sao cho trong toàn dải tần số làm
việc của mạch khuếch đại nó gần như ngắn mạch hoàn
toàn các thành phần tín hiệu sụt trên RE để triệt bỏ hồi
tiếp âm theo tần số tín hiệu trên RE. Điện trở RL và CL
tạo thành mạch lọc nguồn vừa ngăn cách ảnh hưởng
lẫn nhau giữa các tầng dùng chung nguồn ECC, vừa khử
sụt áp xoay chiều trên nội trở nguồn ECC. Muốn vậy
1
chọn trị số của tụ CE đủ lớn để << RE
ωt CE
1
và << RL Trong đó ωt = 2πft , ft là tần số thấp
ω t CL
nhất của tín hiệu cần khuếch đại. Ngoài ra mạch RE, CE
còn dùng để sửa đặc tính tần số ở vùng tần số thấp.
Điện trở RC xác định chế độ một chiều như sau:
E CC − U CE
Rc = O
− RE
ICO
Phân tích và tính toán mạch khuếch đại thuần trở thường được tiến hành dựa trên sơ đồ tương
1 1
đương theo tần số tín hiệu, tức là coi các trở kháng , là không đáng kể. Lúc này sử
ωC E ωC e
dụng sơ đồ tương đương của transistorr (xem giáo trình Cấu kiện điện tử)ta lập được sơ đồ
tương đương của mạch như ở hình 4.17.
Sơ đồ tương đương này chỉ tính đến các điện dung ký sinh ở đầu ra của mạch khuếch đại . Các
tụ Cn1 và Cn2 là các tụ nối tầng, thông các thành phần tần số tín hiệu, ngăn cách thành phần một
chiều từ tầng trước sang tầng sau. Tải thuần trở là Rt.ở đây Cra - điện dung đầu ra của transistorr
( C ra= CCE),điện dung ký sinh CKS=CV+CLr1+CLr2;Clr1 và C lr2 - điện dung ký sinh do lắp ráp ở
đầu ra của tầng đang xét và đầu vào của tầng tiếp theo(tải),CV điện dung của đầu vào của tầng
tiếp theo.Trong mạch khuếch đại Cn lớn hơn nhiều so với Clr1, Clr2, Cra, CV và ảnh hưởng của
chúng ở các vùng tần số là khác nhau. Người ta phân thành ba vùng tần số: Vùng tần số thấp,
trung bình và vùng tần số cao. Xét đặc tính tần số của khuếch đại trong các vùng đó.
1
Ở vùng tần số trung bình :trở kháng của Cn2 không đáng kể, ( nhỏ) nên nó
ω tb C n
được thay thế gần đúng bằng dây dẫn, lúc đó
SUV Ctđ = Cr + CM1 + CM2 + CV . Với trở kháng của
Cn1 Cn2 1
điện dung tương đương cực lớn ( → ∞ vì
Rn ω tb C n
Rt Ctđ chỉ cỡ vài chục pF )nên sơ đồ tương đương
UV Rb rbe Cr CKS mạch ở hình 2.3.1.2 có dạng như ở hình
rCE RC U Ra
2.3.1.3.a
H×nh 2.3.1.2. S¬ ®å tu¬ng ®u¬ng
khuÕch ®¹i Emito chung
; gt = 1
1 1
Với gtđ = gra + gC + gt ; gra = ; gc =
rCE RC Rt
SU V
Từ đó ta có U Ra = − nên:
g td
. U S S
K = Ra = − =− = −S.R td
UV g td (g 2 + g c + g t )
Như vậy ở vùng tần số trung bình hệ số khuếch đại là một hằng số, không phụ thuộc vào tần số.
Dấu trừ cho ta thấy điện áp đầu ra ngược pha so với điện áp đầu vào. Ta ký hiệu K ở vùng tần
số trung bình là
K0 =S.Rtđ
Trong thực tế thì Rt << RC và rCE nên Rtđ ≈Rt:
K0 ≈ S.Rt
Ở vùng tần số cao :trở kháng của Cn2 càng nhỏ, nhưng trở kháng của Cra ,Clr , Cv cùng bậc với
Rt, rCE , và RC nên không thể bỏ qua. Lúc đó sơ đồ tương đương mạch ra sẽ có dạng như ở hình
2.3.1.3.b. Từ sơ đồ này ta tìm được :
1 R td
Z td = = ; U Ra = −SU V .Z td
g td + jω C C td 1 + jω C C td R td
• • U S.R td K0
K Cao = KC = Ra = −SZ td = − =
UV 1 + jω c R td 1 + jω c τ C
τC= Rtd.Ctd - hằng số thời gian của mạch ở vùng tần số cao.
Như vậy thì :
• Κ0
Κc =
1 + (ω c τ c )2
K 1
mc(ω) = C = (*)
K0 1 + (ω τ )2 c c
Đặc tính biên độ tần số này trình bày trên hình 2.3.1.4.
1
Tần số giới hạn trên của dải thông ωC được xác định theo biểu thức (*) có trị số bằng =
2
0,707.
1 1
mc 0,7= = , tức là ωcτc=1. Từ đó ta có :
1 + (ωc τ c ) 2
2
1 1
ωc=
=
τ c R td .C td
Từ công thức trên ta thấy khi Ctd càng lớn thì tần số giới hạn trên của dải thông càng giảm. Khi
tăng Rtd thì tần số giới hạn trên cũng giảm nhưng lại tăng trị số K0 tức là hệ số khuếch đại ở
vùng tần số trung bình.
Người ta đưa ra khái niệm "diện tích khuếch đại" bằng tích của Kovà ωC:
S
SKĐ= Κ 0 ω c =
C td
Từ công thức ta thấy diện tích khuếch đại được xác định chủ yếu bởi các tham số của transistor
(hỗ dẫn S và các điện dung ký sinh).
Ở vùng tần số thấp: trở kháng của Cra, Clr1,Clr2 , C rất lớn so với Rt và RC nên sơ đồ tương
đương mạch ra ở vùng tần số thấp có dạng như ở hình 2.3.1.3 c.
Từ hình này ta tìm được :
Κ0
Κt =
1
1+
jω t τ t
vïng tÇn sè thÊp vïng tÇn sè trung b×nh vïng tÇn sè cao
K0
K0
2
ωt1 ωt2 ωt3 ωC1 ωC2ωC3 ω

H×nh 2.3.1.4. §TBT cña khuÕch ®¹i ®iÖn trë.
Trong đó, τt - hằng số thời gian ở vùng tần số thấp

⎛ r .R ⎞
τ t = C n 2 ⎜⎜ cE c + R t ⎟⎟
⎝ rCE + R c ⎠
Κ0
Κ t (ω) =
1
1+ 2 2
ω t .τ t
1
m t (ω) =
1
1+ 2
ω .τ 2t
t
Đặc tính tần số ở vùng tần số thấp có dạng như ở hình 2.3.1.4. Tần số giới hạn dưới của dải
thông được xác định theo công thức
1 1 1
= từ đó ωt =
1 2 τt
1+ 2
(ωτ)
Từ đó ta có thể rút ra đặc tính tần số ở vùng tần số bất kỳ xác định theo biểu thức:
Κ0
Κ (ω) =
2
⎛ 1 ⎞
1 + ⎜⎜ ωτ c − ⎟
⎝ ωτ t ⎟⎠
1
m(ω) =
2
⎛ 1 ⎞
1 + ⎜⎜ ωτ c − ⎟⎟
⎝ ωτ t ⎠
Xét đặc tính tần số của mạch khuếch đại như trên, ta chưa xét đến quán tính của transistor, tức
là coi hỗ dẫn S=const.
Thực tế hỗ dẫn của Transistor phụ thuộc vào tần số: S giảm khi tần số tăng.
S0
S= , τ - hằng số thời gian của mạch vào
1 + jωτ
r b ' b . rb ' e
τ = (Cbe+ Cb'e). ≈ C be . rb
r b ' b + rb ' e
Ở vùng tần số thấp và vùng tần số trung bình sai số này có thể bỏ qua. Ở vùng tần số cao trong
các bộ khuếch đại dải rộng có khi không thể bỏ qua được.
• S0 Κ0
Κ (ω ) = − ≈
(1 + jωτt )(1 + jωτc ) 1 + jωτ 'c
1
Trong đó τ'C = τ +τc và mc(ω) =
1 + ωτ 'c( )
2
Như vậy ở vùng tần số cao trong mạch khuếch đại điện trở Transistor lưỡng cực hệ số khuếch
đại bị giảm do hai nguyên nhân :
1. Tần số càng cao thì hỗ dẫn của Transistor càng giảm ,
2. Do điện dung ký sinh lắp ráp, điện dung mạch ra, điện dung tải đấu song song với
tải ở mạch ra .
Tổng trở đầu vào: ta chỉ xét ở vùng tần số trung bình. Theo sơ đồ tương đương hình 2.3.1.2 thì
ở vùng tần số trung bình
Zv ≈ Rn+(Rb // rbe )
Trong đó Rb=R1.R2/(R1+R2)
Tổng trở đầu ra ở vùng tần số trung bình
Zz= rCE// RC ≈ RC.
Hệ số khuyếch đại ở vùng tần số trung bình có thể xác định theo công thức gần đúng sau :
I R // R t RC
KI = t = β. C =β
Iv Rt RC + Rt
Bộ khuếch đại Emitơ chung cho hệ số khuếch đại dòng điện khá lớn. Nếu RC >> Rt thì Ki ≈ β.
Thực tế mạch khuếch đại điện trở Emitơ chung cho hệ số khuếch đại điện áp ⎜Ko⎪= 20 ÷ 100,
KI = β
Như vậy mạch khuếch đại điện trở Emitơ Rc +ECC
chung khuếch đaị cả điện áp và dòng điện và Cn1
cho hệ số khuếch đại công suất khá lớn (0,2
Cn2
÷5)103, có trở kháng vào tương đối lớn , trở
kháng ra xác định bởi điện trở colectơ RC , RE .
R1
điện áp đầu ra ngược pha so với điện áp đầu R2
Cb
vào. Do các đặc điểm trên mà khuếch đại Uv .
emitơ chung được sử dụng khá phổ biến
trong kỹ thuật Hình 2.3.2.`1
-
Sơ đồ mạch khuếch
2.3.2 Khuếch đại mắc bazơ chung đại mắc bazo chung
Mạch khuếch đại bazơ chung có sơ đồ
nguyên lý trên hình 2.3.2.1. Tín hiệu vào đặt
ở giữa cực E và cực B, tín hiệu ra lấy giữa cực C và cực B . Các điện trở R1,R2 và RE xác định
điểm công tác tĩnh của tầng. Tụ Cb nối cực B của Transistor xuống "mát" để khử hồi tiếp âm
trên R2. Cách xét các đặc tính của mạch cũng tương tự như mạch emitơ chung đã xét.
Ở đây ta không xét tỉ mỉ mà chỉ nhấn mạnh một số đặc điểm chính của mạch này như sau. Trở
kháng vào của sơ đồ nhỏ ( vì dòng vào là IE lớn)
Zv ≈ RE // rb (4.46)
Trở kháng này có chỉ số chỉ vài chục ôm (20 ÷ 50)Ω , đó là nhược điểm lớn của
sơ đồ này.
Hệ số khuếch đại dòng điện:
R R
Κ I ≅ α. E t ≤ 1
Rt
Hệ số khuếch đại điện áp:
R // R t
K = α. C
Rn + Rv
Trong đó Rn - nội trở của nguồn tín hiệu .
Trở kháng ra: Zr = Rc // rCE

Như vậy mạch khuếch đại bazơ chung chỉ khuếch đại điện áp mà không khuếch đại dòng điện,
điện áp ở đầu vào và đầu ra của mạch khuếch đại đồng pha nhau, trở kháng vào nhỏ, trở kháng
ra cùng bậc với sơ đồ emitơ chung . Mạch khuếch đại bazơ chung vẫn được sử dụng trong kỹ
thuật do những nguyên nhân sau đây:
Vì họ đặc tuyến tĩnh của Transistor mắc bazơ chung có độ tuyến tính cao nên Transistor có thể
dùng với điện áp colectơ lớn hơn sơ đồ emitơ chung . Chính vì vậy tầng bazơ chung được dùng
khi có điện áp đầu ra lớn.
Ở vùng tần số cao điện dung vào của tầng emitơ chung khá lớn, nó là tổng điện dung Cbe và
điện dung ghép giữa mạch ra và mạch vào (CbC )phản ánh về mạch vào C’bC = K.CbC, nó cỡ
10pF -100pF. Còn ở tầng bazơ chung điện dung vào
chỉ là điện dung bazơ - emitơ cỡ vài pF. Điện dung +E cc
này cùng với điện trở trong của nguồn tín hiệu tạo
thành mạch lọc thông thấp với tần số giới hạn trên R1
lớn hơn tần số giới hạn trên của sơ đồ emitơ chung
khá nhiều. Do vậy sơ đồ bazơ chung thường được
dùng để làm việc ở vùng tần số cao. Cn1 Cn2
2.3.3 Khuếch đại colectơ chung. R2 Ur

RE Rt
Sơ đồ nguyên lý trình bày trên sơ đồ hình 2.3.3.1
Ta cũng xét các tham số của mạch ở vùng tần số
trung bình. Tín hiệu vào đưa vào giữa cực B và cực
E, tín hiệu ra lấy trên RE, tức là giữa cực E và cực C. H×nh 2.3.3.1 Khu Õch ®¹i Colec to ch ung
Nếu xây dựng sơ đồ tương đương rồi tìm các quan
hệ ta có:
ZV = Rb // rV
rV = rb+ (1+β)(rd + RE // Rt)
Thường Rd << RE // Rt nên
ZV = R1// R2 // (1+β)(RE // Rt)
Như vậy ZV lớn hơn nhiều so với sơ đồ emitơ chung. Ví dụ với transistor có β =50, chọn RE //
Rt = 1kΩ thì RV = 51kΩ; lúc đó có thể chọn R1// R2 = Rb khá lớn để có RV = 51kΩ.
Zr = RE // rE
Vì RE nhỏ nên tổng trở ra nhỏ Zr = 10 → 50Ω. Transistorr luôn thông nên UBE nhỏ, vì vậy UV
= UBE + UKE nên URE ≤ UV. Vì vậy:
•
U mR
K= •
≤1
U mV
Sơ đồ colectơ chung không khuếch đại điện áp, có điện áp ra xấp xỉ bằng điện áp vào nên
người ta gọi tầng colectơ chung là tầng lặp emitơ hay tầng lặp lại điện áp.
Hệ số khuếch đại dòng điện
RE
K I = (1 + β) (4.54)
Rt + RE
So sánh ta thấy nếu chọn RE cỡ RC thì hệ số khuếch đại dòng điện trong sơ đồ emitơ chung và
lặp emitơ là gần như nhau.
Hệ số khuếch đại công suất KP = K KI = KI.
Trở kháng ra: Z r ≈ R E // rCE (4.55)
Trở kháng ra theo đó cỡ (10 ÷ 50)Ω.
Như vậy tầng lặp emitơ không khuếch đại điện áp mà chỉ khuếch đại dòng điện, tức là cũng
khuếch đại công suất, có trở kháng ra nhỏ, trở kháng vào lớn nên được dùng để phối hợp giữa
nguồn tín hiệu với tải có trở kháng nhỏ ( gọi là tầng đệm) hoặc dùng làm tầng ra làm việc ở
chế độ A.
2.3.4 Khuếch đại dùng transistorr trường FET.
Các sơ đồ khuếch đại dùng FET cũng có tính chất giống như transistor lưỡng cực. Nhưng vì hỗ
dẫn của FET nhỏ hơn của transistor lưỡng cực nên hệ số khuếch đại của nó nhỏ hơn khuếch đại
dùng transistorr lưỡng cực. FET kênh dẫn n thường dùng trong phạm vi tần số rất cao. Các
mạch khuếch đại dùng FET chỉ mắc nguồn chung hoặc máng chung.
2.3.4.1 Khuếch đại FET mắc cực nguồn chung.

Hình 2.3.4.1.1a là sơ đồ nguyên lý khuếch đại dùng transistor trường MOSFET kênh dẫn n đặt
sẵn, tương tự như sơ đồ emitơ chung hình 2.3.1.1. Hình 2.3.4.1.1.a khuếch đại điện trở cực
nguồn cung và 2.3.4.1.1.b là đường tải trên họ đặc tuyến .
Tín hiệu cần khuếch đại đưa vào cực cửa G và cực nguồn S qua Cn1 , tín hiệu ra lấy giữa cực
máng D và cực nguồn S qua tụCn2 , tức là trên Rt. Chế độ tĩnh của tầng được xác định bởi RS và
R2 ( có thể cả R1). Hình 2.3.4.1.1b là họ đặc tính ra của transistor trường với các đường tải.
Nguyên tắc chọn chế độ tĩnh giống như ở mạch emitơ chung. Chọn để có:
UDS 0> Ura m+ΔUDS
Đường tải tĩnh một chiều ab cũng dựng tương tự như ở mạch emitơ chung theo phương trình
tải:
UDS = UD = ED - ID(RD + RS)
ED
Điểm a ứng với UDS = ED, ID = 0, điểm b ứng với UDS = 0, I D = . Điểm công tác tĩnh 0
RS + RD
chọn trên đường tải tĩnh ab ứng với điểm UGS0 , UDS0 , ID0. Đường tải xoay chiều xác định theo
Rt~ = RD // Rt. Nếu tải cũng là một tầng khuếch đại như Hình 2.3.4.1.1a thì coi Rt ≈ ∞ và đường
tải xoay chiều trùng với đường tải tĩnh.
Khác với transistor lưỡng cực, ở FET chế độ tĩnh có thể có UGS0 là âm, dương hoặc bằng 0.
- Trường hợp UGSO < 0. Điện trở R2 và RS xác định UGSO <0 ( xem tiết 4.4,3,c).
UGS0 = - IDO.RS. Điện trở RS được xác định:
UDSO
RS = (4.58)
I DO
a)
b)
+E D ID
RD
R1 I D m ax
a
C n2 c
C n1 Rt
0 U G So
R2 RS
U Do
b d
H ×nh2.3.4.1.1a) Kh uÕch ®¹i cùc nguå n U D ma x
bh)®−êng t¶i trª n hä ® Æc tuy Õn ra
2U Dm
Điện trở R2 chọn nhỏ hơn trở kháng vào của trazisto vài bậc để giảm ảnh hưởng của
nhiệt độ và tính tản mạn tham số của FET đến trở kháng vào của tầng. Chọn R2 = 1 ÷ 5
MΩ. Muốn tăng độ ổn định cần tăng RS, nhưng tăng RS làm thay đổi UGSO vì vậy cần
mắc R1 để bù điện áp cho cực cửa.
E D .R 2
UGS O= US 0- UG 0 = ID 0 RS -
R1 + R 2
E D .R 2
R1= - R2
Us0 − U GS 0
Như vậy phải chọn nguồn
ED = UDS 0+US0 + ID.RD
Điện trở RD chọn:
RD = (0,05 ÷ 0,15) Ri
Ri - Nội trở của FET (đã được chọn)
US O chọn khoảng ( 0,1 ÷ 0,3) ED
ED được chọn :
U D0 + I D0R D
ED =
0,7 ÷ 0,9
- Trường hợp UGS > 0 . Trường hợp này là trường hợp điển hình của MOSFET kênh
cảm ứng n, nên ta dùng các công thức trên và đổi dấu trước UGS0.
Tương tự như Transistor lưỡng cực , ở transistor trừơng cần quan tâm đến UDS max , ID max,
PD max (xem Hình 2.3.4.1.1b).
Để xác định các tham số của tầng khuyếch đại cần dùng sơ đồ tương đương hình 2.3.4.1.2
Ở đây ta chỉ phân tích ở vùng tần số trung bình, bỏ qua các điện dung ký sinh trong mạch, ta
có:
Ura = - SUv. R0.
K = - SR0
R0 = Ri // Rt ~; Rt ~ = RD // Rt.
Thường Rt << Ri; Rt << RD nên
K ≈ - SRt
R .R
Điện trở vào : Z V ≈ R 1 / / R 2 = 1 2
R1 + R 2
Điện trở ra: Z r = R D // R i ≈ R D
2.3.4.2 Sơ đồ cực máng chung hay lặp cực nguồn.

Sơ đồ lặp cực nguồn giống như sơ đồ lặp emitơ nhưng trở kháng vào của nó rất lớn
( 107 ÷ 1012)Ω. Sơ đồ hình 2.3.4.2.1
Hệ số khuếch đại điện áp
.
.. U mra
K= .
≈1
U mV
Trở kháng vào :
ZV = rgS + (1 + β)RS = rgS [ 1 - SRS
]
1
Trở kháng ra: Z ra ≈ // R S
S
Tổng quan về ba loại sơ đồ dùng transistorr lưỡng cực và

transistorr trường.
Lý thuyết tỷ mỉ nghiên cứu 3 loại sơ đồ dùng transistorr lưỡng cực và transistorr trường khá
phức tạp. Tuy nhiên có thể thấy được những tham số và đặc
tính quan trọng của các sơ đồ thông qua việc nghiên cứu trên. Để đánh giá so sánh các sơ đồ ta
có thể dùng bảng 2.3.4.2.1.
Bảng 2.3.4.2.1
Sơ đồ Emitơ Colectơ Bazơ Nguồn Máng Cửa

Chung chung chung chung chung chung
Tham số (EC) (CC) (BC) (SC) (DC) ( GC)
KU Lớn Nhỏ Lớn T. bình Nhỏ T.bình
Ki Lớn Lớn Nhỏ Rất lớn Rất lớn Nhỏ
ZV Trung bình Lớn Nhỏ Rất lớn Rất lớn Nhỏ
Zr Trung bình Nhỏ Lớn T.bình Nhỏ Lớn
ϕ π 0 0 π 0 0
Từ bảng trên có thể thấy:
Mạch khuếch đại emitơ chung có hệ số khuếch đại công suất lớn nhất ( vì Ku và Ki đều lớn ),
trở kháng vào và trở kháng ra của nó có giá trị trung bình nên ghép với nguồn tín hiệu và tải
khá tốt . Vì vậy sơ đồ này được sử dụng rộng rãi hơn cả. Trong khi đó tầng FET muốn
có Ku lớn cần có Rt lớn, làm giảm tần số giới hạn trên của mạch.
- Mạch lặp Emitơ chung và lặp nguồn thường dùng để phối hợp trở kháng với tải nhỏ
và nguồn tín hiệu vào có trở kháng lớn.
- Mạch Emitơ chung có hồi tiếp âm trên RE thường được dùng để làm nguồn dòng,
mạch lặp emitơ dùng làm nguồn áp.
- Mạch dùng FET có hệ số khuếch đại điện áp nhỏ vì hỗ dẫn nhỏ, mạch lặp cực nguồn
có trở kháng ra lớn hơn mạch lặp emitơ.
- Các mạch dùng FET có ưu điểm lớn là trở kháng vào rất lớn.
- ở tần số cao mạch bazơ chung có nhiều ưu điểm hơn so với mạch emitơ chung và
colectơ chung.
2.3.5 Ví dụ xây dựng mạch khuếch đại mắc Emito chung.
Xét ví dụ tính toán một mach khuếch đại tín hiệu âm tần sau đây.
a.Số liệu ban đầu :
Để tính toán một mạch khuếch đại điện tở ta căn cứ vào số liệu ban đầu sau.
- Biên độ điện áp ra Umr ,thường nhỏ hơn 1v
- Biên độ điện áp vào Umv ,thường dưới 1mv
- Điện trở Rt , vài trăm Ω đến vài kΩ
- Dải thông ft ÷ fC từ vài chục hz đến vài chục khz
Mt, Mc - hệ số méo biên độ ở tẩn số thấp ft và tần số cao fC.
ECC - điện áp nguồn, có thể cho trước hoặc tự chọn.
Trong ví dụ cho trước :
Rt = 280Ω ; Umra = 220mv; Um v = 18mv
1
ft = 200 hz ; fC = 9khz ; Mt = MC = = 1,2
m t ,c
ECC = 15v.
b. Chọn Transistor
Đây là khuếch đại tuyến tính làm việc ở chế độ A dùng transistor công suất nhỏ tần số thấp
(âm tần)để đảm bảo độ khuếch đại cần thiết .
U mr 220
Κ = = = 12
U mv 18
Đối với transistor công suất dưới 1w thì h11 = 300 ÷ 3000 Ω.
h 21
ví dụ thử chọn h11 e = 1kΩ ; K≅SRt = .Rt
h11
Tta có :
Κ.h11e 12.1000
β = h21 e = = = 42.
Rt 280
Tra sổ tay ta thấy có nhiều transistor âm tần công suất nhỏ có β ≥ 42 . Ví dụ chọn MΠ - 37 δ -
bóng Nga có P = 150mw, fg = 1Mhz , β = 50 .
Khi chọn transistor nên chọn loại rẻ tiền, sẵn có. Nếu đặc tuyến của transistor đã chọn không
cho trong các sổ tay ta có thể lấy đặc tuyến của nó bằng thực nghiệm. Transistor MΠ - 37 δ -
có đặc tuyến ra trên hình 2.3.5.1.
Nếu như sau khi tính mà K lớn, tức là β lớn thì có thể chọn 2 hoặc 3 tầng khuếch đại để thoả
mãn β.
c. Chọn chế độ tĩnh của transistor

(hình 2.3.5.1)
Điện trở RC chọn bằng
(2÷3)Rt.Chọn Rc bằng 1kΩ
Tải xoay chiều là :
280.1000
Rt~ = RC // Rt = = 210Ω
280 + 100
Biên độ điện áp ra là 220mv nên
biên dộ dòng điện ra là :
220 MΠ − 37δ
Imr= ≅ 1mA
210
Điểm công tác O chọn phải thoả mãn
IC 0 ≥ Imra + Ic min.
Theo đặc tuyến chọn ICmin = 1mA như vậy ICo ≥ 2mA . Để có tuyến tính tốt ta chọn ICo= 7mA ,
ứng với IBo = 0,2 mA (xem hình 4.25b), UCE0=5v.Chọn Ic0 nhỏ như vậy vì biên độ tín hiệu nhỏ
và để đỡ tiêu hao công suất.Công suất tiêu tán (toả nhiệt) trên colectơ là :
Po= UCE0. IC0= 7[mA] . 5 [v]= 35mw nhỏ hơn 150mw, cho trong sổ tay của MΠ - 37 δ.
Như vậy transistor không bị nóng.Theo đặc tuyến hình 2.3.5.1 ứng với IB0=0,2 mA ta xác định
được UBEO=0,16 v
d. Tính toán các điện trở trong mạch.
Đặc tuyến tải tĩnh là đường dựng theo phương trình
UCE = ECC - ICO(RC+RE) nên
E cc − U CEo 15 − 5
RC + RE = = = 1,4 kΩ
I co 7
RE chọn sao cho URE =(0,02 ÷ 0,1) URc.Thường theo kinh nghiệm chọn RE có trị số: 20Ω < RE
< 100Ω.Chọn RE = 30Ω thì uRE = 30.7.10-3 = 0,21v.Do vậy UBO = UBEO+ UREO = 0,16 + 0,21
=0,37v.
UBO là sụt áp trên R2. Để UBO ổn định R2 =3 h11e hoặc IR2 = (0,3÷3) IBO .Chọn IR2 = 0,3 IBO =
UB 0 0,37
0,3. 0,2 = 0,06mA.→ R 2 = = ≈ 6 kΩ
IR 2 0,06
Ecc − UB 0 15 − 0,37
R1 = = = 56 kΩ
IR 2 + IB 0 0,06 + 0,2
Như vậy theo cách chọn và tính toán trên ta có:
R1 =56KΩ; R2 = 6KΩ; RC = 1KΩ; RE = 30Ω.
e. Tính các tham số của mạch khuếch đại
Để tính khuếch đại của tầng cần xác định + 15V_
h11e, h21e. Chúng có thể đo hoặc xác định
trên họ đặc tuyến hình 2.3.5.1.
ΔU BE 100μF 1K
h11e = Uc=const
6K
ΔI B 15μF
ứng với UCo = 5V, 15 μF
Khi UBEo = 0,16V thì IB = 0,2mA 280 Ω
Uv 56K Ur
Khi UBEo = 0,18V thì IB = 0,3mA → 30 Ω
(0,18 − 0,16)(V) 100μF
h11e = ≈ 200Ω
(0,3 − 0,2)(mA ) H×nh 2.3.5.2 .KhuÕch ®¹i ®iÖn trë emit¬ chung
ΔI
h 21e = C : víi çc th«ng s« tÝnh trªn tranzisto MП 37δ
ΔI B U C =const
Khi IC = 7mA thì IB = 0,2mA,Khi IC =14mA thì IB = 0,4mA.

14 − 7
h 21 = = 35
0,4 − 0,2
Theo các tham số trên thì:
h 35
K= 21e .R = .210 = 36,75.
h t~ 200
11e
Như vậy sơ đồ bảo đảm K lớn hơn 12 theo yêu cầu. Nghĩa là còn dư hệ số khuếch đại nên cũng
có thể tạo hồi tiếp âm để tăng độ ổn định của mạch.
Trở kháng vào tính theo công thức:
R .R .h
R = 1 2 11e = 0,19KΩ = 190Ω .
V R .R + R .h +R h
1 2 1 11e 2 11e
f.Tính toán các tụ điện : Chọn tụ nối tầng Cn1 và Cn2 thoả mãn :
1 1
≤ (0,1 ÷ 0,3)Rv ; C n1 = C n 2 ≥ = 12,5μF
ωt c n 2π.200.190.0,3
Chọn Cn1=Cn2=15μF - 15v.
1 1
Chọn CE thoả mãn: ≤ (0,1 ÷ 0,3)R ; C = ≈ 80μF
ωC E E 2π.200.30.0,3
t E
Chọn CE = 100μF - 16v

1
Tụ lọc nguồn CL chọn ≤ (0,1 ÷ 0,3) r0 , ro là nội trở của nguồn.
ω t.CE
Chọn CL = 200μF
2.3.6 Một số cách mắc transistor đặc biệt dùng trong khuếch đại .
2.3.6.1 Mắc Darlington
Khi yêu cầu hệ số khuếch đại dòng điện lớn hoặc tăng trở kháng đầu vào ở các mạch lặp emitơ người ta
mắc tổ hợp 2 transistor thành 1 gọi là mắc
Darlington như ở Hình 2.3.6.1.1 C IC C
Xét cách mắc thứ nhất Hình 2.3.6.1.1a. IC1 C
Ta có B T1 I C2
Ic = Ic1 + Ic2 IB T2
mà Ic1 ≅ β1IB1 + Ic10 ; B B
IE1=IB2
Ic2 ≅ β2 IB2 + Ic20 ; IE1 = E IE
IB2≈IC1nên:IC2≈β2.β1IB1+β2IC10+IC20 a) b) E c) E
Ic = β1IB1 + IC10 + β1.β2.IB1 + β2Ic10 + Ic20. H×nh 2.3.6.1.1. Çc d¹ng m¾c Darlington
Với β1β2 khá lớn thì Ic ≈ β1.β2 IB1
Như vậy hai transistor mắc Darlington
hình 2.3.6.1.1a tương đương với một transistor có hệ số khuếch đại dòng tĩnh β = β1β2. Hình
2.3.6.1.1b,c dùng hai transistor khác tính để bù nhiệt. Các transistor mắc Darlington có các đặc
điểm sau đây :
• Dòng dư của transistor mắc Darlington lớn (Dòng ngược ICE0) vì dòng dư của T1
được T2 khuếch đại nên khá lớn ,vì vậy không mắc thêm tầng thứ ba.
• Vì mặt ghép emitơ - bazơ của hai transistor, tức hai điôt , ghép nối tiếp nên điện áp
một chiều cũng như mức trôi của điện áp này lớn gấp đôi so với trường hợp dùng
một transistor.
2.3.6.2 Mạch Kackot
Mạch kackot dùng hai transistor lưỡng cực T1 mắc emitơ chung
T2 mắc bazơ chung như ở hình 4.28 để kết hợp ưu điểm của cả
hai cách mắc. Tầng ra T2 làm nhiệm vụ ngăn cách ảnh hưởng
giữa mạch vào và mạch ra. Mạch Emitơ chung có trở kháng vào
lớn, tải của nó là tầng bazơ chung có trở kháng vào nhỏ nên tần
số làm việc tăng cao(4.4.1).Mặt khác điện dung vào của tầng
bazơ chung nhỏ nên tầng emitơ chung làm việc ở tần số cao như
tầng bazơ chung. Muốn vậy người ta thiết kế tầng T1 có hệ số
khuếch đại điện áp K1 = - 1 , Tầng T2 có hệ số khuếch đại điện áp
K2 = SRC2 . Như vậy K = K1.K2 = - SRC 2.
2.4 Khuếch đại dùng vi mạch thuật toán
2.4.1 Vi mạch khuếch đại thuật toán (Op-Amp)
Vi mạch khuếch đại thuật toán (Operational Amplifier) – ký hiệu là OpAmp đầu tiên được
dùng để nói về các mạch khuếch đại có khả năng thay đổi theo mạch ghép nối bên ngoài để
thực hiện các phép biển đổi toán học như cộng trừ, biến đổi tỷ lệ, vi tích phân... trong các máy
tính tương tự. Nhờ sự phát triển của công nghệ bán dẫn, opamp ngày càng trở nên tin cậy, kích
thước nhỏ, ổn định nhiệt, vì vậy, ngày nay opamp được sử dụng như là thành phần cơ bản của
các ứng dụng khuếch đại, biến đổi tín hiệu, các bộ lọc tích cực, tạo hàm và chuyển đổi.
a. Cấu tạo: cơ sở của vi mạch khuếch đại thuật toán là các tầng khuếch đại vi sai. Các vi mạch
khuếch đại thuật toán bao gồm ba phần:
+ Khuếch đại vi sai.
Dùng khuếch đại tín hiệu vào, có đặc điểm là khuếch đại nhiễu thấp, trở kháng vào cao,
thường đầu ra vi sai.
+ Khuếch đại điện áp.
Tạo ra hệ số khuếch đại điện áp cao, thường đầu ra đơn cực.
+ Khuếch đại đầu ra.
Dùng với tín hiệu ra, cho phép khả năng tải dòng lớn, trở kháng ra thấp, có các mạch
chống ngắn mạch và hạn chế dòng điện.
Một vi mạch khuếch đại thuật toán phổ dụng là 741. Sơ đồ mạch bên trong của vi mạch khuếch
đại thuật toán 741 được trình bày như trong hình vẽ:
Hình 2.4.1. Cấu tạo vi mạch KĐTT 741.
2.4.2 OpAmp lý tưởng và thực tế:

Vi mạch khuếch đại thuật toán (KĐTT) được ký hiệu như hình vẽ:
Hình 2.4.2.1. Hai cách ký hiệu vi mạch KĐTT.
bao gồm:
- Hai đầu vào:
• Đầu vào 1 (đầu được ký hiệu dấu ‘-‘ trong vi mạch KĐTT) gọi là đầu vào đảo.
Điện áp v1 đặt vào đầu vào đảo sẽ được khuếch đại về biên độ và đảo pha ở đầu
ra.
• Đầu vào 2 (đầu được ký hiệu dấu ‘+‘ trong vi mạch KĐTT) gọi là đầu vào
không đảo. Điện áp v2 đặt vào đầu vào không đảo sẽ được khuếch đại về biên độ
và không đảo pha ở đầu ra.
• Một đầu ra, điện áp ra ký hiệu là v0.
Mạch tương đương đơn giản của vi mạch khuếch đại thuật toán ở tần số thấp được mô tả như
hình vẽ:
Hình 2.4.2.2. Sơ đồ tương đương vi mạch KĐTT.
Một bộ vi mạch KĐTT khuếch đại vi sai điện áp vd=v1-v2 giữa hai tín hiệu vào. Hệ số khuếch
đại điện áp hở mạch được tính theo công thức:
v0
AOL =
vd
Về biên độ, hệ số khuếch đại hở mạch AOL đạt giá trị từ 104 tới 107. Biên độ lớn nhất của điện
áp ra được gọi là điện áp bão hòa. Điện áp này thường xấp xỉ nhỏ hơn điện áp nguồn cấp là 2V.
Như vậy:
- (Vcc - 2) < v0 < Vcc - 2
Vi mạch KĐTT lý tưởng có 3 đặc điểm như sau:
1. Hệ số khuếch đại điện áp hở mạch là -∞.
2. Trở kháng vào Rd giữa hai cực 1 và 2 là vô cùng lớn, vì vậy, dòng vào bằng 0.
3. Trở kháng ra bằng 0, nhờ vậy, điện áp ra không phụ thuộc vào tải.
Sơ đồ mạch tương đương của vi mạch KĐTT lý tưởng được trình bày như sau:
Hình 2.4.2.3. Sơ đồ tương đương vi mạch KĐTT lý tưởng.
Từ ba đặc điểm trên, với vi mạch KĐTT lý tưởng ta luôn có:
U+ = U−
I+ = I− = 0
2.4.3 Mạch khuếch đại:
2.4.3.1 Mạch khuếch đại đảo:
Mạch khuếch đại đảo (hình vẽ) có đầu vào không đảo nối đất, tín hiệu U1 được đưa vào đầu vào
đảo qua điện trở R1, mạch thực hiện hồi tiếp âm qua điện trở R2. Đầu ra U2 đảo cực so với đầu
vào U1.
Hình 2.4.3.1.1. Mạch khuếch đại đảo.
Tính toán đầu ra U2:

U+ = U− = 0
I+ = I− = 0
Xét tại nút A, ta có:
I1 − I − − I 2 = 0
U1 − U − U −U2
−0− − =0
R1 R2
Thay U − = 0 vào ta có:

R2
U2 = − .U 1
R1
Nhận xét:
R2
- Điện áp vào được khuếch đại lên tỷ lệ lần.
R1
- Điện áp ra ngược pha với điện áp vào.
2.4.3.2 Mạch khuếch đại không đảo:

Mạch khuếch đại không đảo có tín hiệu vào được đưa tới đầu vào không đảo, đầu vào đảo được
nối đất qua điện trở R1 như hình vẽ.
Hình 2.4.3.2. Mạch khuếch đại không đảo.

U + = U − = U1
I+ = I− = 0
I1 − I − − I 2 = 0
0 −U− U −U2
−0− − =0
R1 R2
Thay U − = U 1 vào ta có:
− U1 U1 − U 2
− =0
R1 R2
⎛ R ⎞
U 2 = U 1 ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟
⎝ R1 ⎠
Nhận xét:
⎛ R2 ⎞
- Điện áp vào được khuếch đại lên tỷ lệ ⎜⎜1 + ⎟⎟ lần. Như vậy, điện áp ra luôn lớn
⎝ R1 ⎠
hơn điện áp vào về biên độ.
- Điện áp ra cùng pha với điện áp vào.
2.4.4 Mạch cộng trừ:

2.4.4.1 Mạch cộng:
Phép cộng là một trong những thao tác cơ bản nhất của toán học. Có hai loại mạch cộng thực
hiện sử dụng vi mạch khuếch đại thuật toán mà ta sẽ nghiên cứu là mạch cộng đảo và mạch
cộng không đảo..
a. Mạch cộng đảo:
Mạch cộng đảo hai số sử dụng vi mạch KĐTT được thực hiện như hình vẽ sau:
Hình 2.4.4.1.1. Mạch cộng đảo.
Mạch có 2 tín hiệu vào U1 và U2 được đưa song song tới đầu vào đảo của vi mạch KĐTT.
Tính toán đầu ra Ur:
U+ = U− = 0
I+ = I− = 0
I 1 + I 2 − I − − I ht = 0
U1 − U − U 2 − U − U −Ur
+ −0− − =0
R1 R1 R1
Thay U − = 0 vào ta có:
U1 U 2 − U r
+ − =0
R1 R1 R1
U r = −(U 1 + U 2 )
Nhận xét:
+ Điện áp ra sẽ là tổng các điện áp vào, lấy đảo dấu.
Tổng quát: đối với trường hợp nhiều đầu vào, mạch cộng đảo được thực hiện như sau:
/α1
N
U r = −∑ α i .U i
/αN i =1
Hình 2.4.4.1.2. Mạch cộng đảo tổng quát.
b. Mạch cộng không đảo:

Mạch cộng không đảo cho hai đầu vào được thực hiện như hình vẽ:
Hình 2.4.4.1.3. Mạch cộng không đảo.

U+ = U− = U A = UB
I+ = I− = 0
I 0 − I − − I ht = 0
0 −U A U A −Ur
− =0
R2 R2
Ur
UA =
2
Xét tại nút B, ta có:
I1 + I 2 − I + = 0
U1 − U B U 2 − U B
+ =0
R1 R1
U1 + U 2
UB =
2
Thay U A = U B vào ta có:
U r = (U 1 + U 2 )
Nhận xét:
+ Điện áp ra sẽ là tổng các điện áp vào, giữ nguyên dấu.
Tổng quát: đối với trường hợp nhiều đầu vào, mạch cộng không đảo được thực hiện như sau:
N
U r = ∑ α i .U i
/α1 i =1
/αN
Hình 2.4.4.1.4. Mạch cộng không đảo tổng quát.
2.4.4.2 Mạch trừ:

Để thực hiện trừ hai điện áp, người ta thường sử dụng mạch như hình vẽ sau:
Hình 2.4.4.2.1. Mạch trừ.

U+ = U− = U A = UB
I+ = I− = 0
I 1 − I − − I ht = 0
U1 − U − U − − U r
− =0
R2 R2
U1 + U r
U− =
2
Xét tại nút B, ta có:
I2 + I0 − I+ = 0
U2 −U+ 0 −U+
+ =0
R1 R1
U2
U+ =
2
Thay U − = U + vào ta có:

U r = U 2 − U1
2.4.4.3 Mạch cộng trừ tổng quát:

Mạch cộng trừ tổng quát được thực hiện như hình vẽ sau:
/α1
/αN
/α1’
/αN’
Hình 2.4.4.3.1. Mạch cộng trừ tổng quát.
N N
Nếu ∑ α i = ∑ α i' thì điện áp ở đầu ra sẽ được tính như sau:
i =1 i =1
N N
U r = ∑ α i' .U i' − ∑ α i .U i
i =1 i =1
2.4.5 Mạch vi tích phân:

Đặc tính điện của tụ điện:
dU
iC = C .
dt
2.4.5.1 Mạch tích phân
Khi thay điện trở hồi tiếp của vi mạch KĐTT bằng tụ điện, do tính chất điện của tụ điện, ta sẽ
có mạch thực hiện lấy tích phân của tín hiệu vào như hình vẽ:
Hình 2.4.5.1.1. Mạch tích phân.

U+ = U− = 0
I+ = I− = 0
I1 − I − − I C = 0
U1 − 0 ⎛ dU ⎞
− ⎜ − C. r ⎟ = 0
R ⎝ dt ⎠
1
RC ∫
Ur = − U 1 dt
Như vậy, tín hiệu ra chính là tích phân của tín hiệu vào có đảo dấu.
2.4.5.2 Mạch vi phân:

Khi thay tụ điện vào điện trở nối với nguồn tín hiệu, do tính chất điện của tụ điện, ta sẽ có mạch
thực hiện lấy vi phân của tín hiệu vào như hình vẽ:
Hình 2.4.5.2.1. Mạch vi phân.

U+ = U− = 0
I+ = I− = 0
I C − I − − I ht = 0
dU 1 U − − U r
C. − =0
dt R
dU
U r = − RC. 1
dt
Như vậy, tín hiệu ra chính là vi phân của tín hiệu vào có đảo dấu.
2.4.6 Bài tập:

Bài 1: Cho mạch khuếch đại hỗn hợp sử dụng vi mạch khuếch đại thuật toán như hình vẽ:
Giả thiết n là số nguyên dương lớn hơn 1; q là số thực có giá trị trong khoảng (0,1).
a. Xác định biểu thức tính giá trị điện áp ra U2(U1).
b. Biết E=±9V, R0=20KΩ, R=440KΩ, n=45, U1=200mV. Tính khoảng giá trị U2 nhận
được ở lối ra khi cho q biến thiên trong khoảng (0,1).
c. Xác định các khoảng giá trị của q để vi mạch khuếch đại thuật toán làm việc ở chế độ
bão hòa.
Bài 2: Cho mạch điện như hình vẽ:
Biết: R1=10KΩ, R2=110KΩ, R3=15KΩ, R4=1KΩ, VR=2KΩ, E=±12V.

U1 là điện áp vào hình sin biên độ 70mV.
a. Tìm biểu thức tính U2.
b. Tính khoảng giá trị của VR để vi mạch khuếch đại thuật toán không gây méo dạng
cho tín hiệu.
2.5 Khuếch đại công suất

Khuếch đại công suất là khuếch đại phải đảm bảo đưa ra tải một công suất danh định với tải
thường có trị số nhỏ ( vài chục ôm đến vài ôm). Thường trong khuếch đại công suất biên độ của
dòng và áp ra thường xấp xỉ với dòng và áp cho phép của tranzistor, tức là công suất ra gần ở
mức công suất cho phép của tranzistor ( công suất tiêu tán đốt nóng tranzistor) và cũng xấp xỉ
với công suất tiêu thụ của nguồn một chiều.
Các tham số quan trọng đặc trưng cho khuếch đại công suất η%, công suất (đưa ra tải), hệ số
méo phi tuyến của tín hiệu ra, méo tuyến tính.
Công suất xoay chiều đưa ra tải colectơ có thể tính qua biên độ dòng điện và điện áp colectơ:
P~ = 0,5.UCm. ICm
Công suất đó cũng có thể tính theo công thức:
P~ = 0,5.Ψ .ICo. χ . Eo
I
Trong đó: ψ - hệ số sử dụng dòng điện, ψ = Cm ,
I Co
ICo - thành phần một chiều của dòng colectơ ( khi phân tích dòng colectơ thành
chuỗi Furie)
U
χ = cm hệ số sử dụng điện.
E0
E0 - điện áp nguồn một chiều
Như vậy hiệu suất là
0,5ψI .χE
η= c0 0 = 0,5ψχ
I E
C0 0
η % = 0,5ψχ.100
Ta thấy hiệu suất của tầng khuếch đại phụ thuộc vào hệ số sử dụng dòng điện và điện áp. Có
thể chứng minh rằng tồn tại một giá trị tối ưu của điện trở tải Rt_out ra ứng với giá trị cực đại
của của tích ψ.χ . Trong thực tế trở tải Rt thường khác với tải tối ưu Rt opt nên cũng không
thường mắc trực tiếp tải vào colectơ của tranzisto mà mắc qua biến áp. Lúc đó hệ số biến áp n
R t 0 pt
của biến áp ra là n = Công suất PC là công suất đốt nóng colectơ của tranzisto, là hiệu
Rt
giữa công suất tiêu thụ nguồn P0 và công suất xoay chiều P~.
P~ P
PC= P0 - P~ , η = ; PC = P0 - P~ = P0(1 - ~ ) = P0(1 - η)
P0 P0
P0 (1 − η ) P
= P~( − 1) = P~ hay P~ = C .
P~ η 1 −η
Như vậy công suất luôn gắn liền với hiệu suất η, càng nâng cao hiệu suất η thì công suất xoay
chiều ra càng lớn.
2.5.1 Tầng khuếch đại công suất đơn dùng biến áp làm việc ở chế độ A.
Sơ đồ nguyên lý trình bày trên hình 2.5.1.1
Trong sơ đồ này thực tế nguồn UCC đặt toàn bộ lên colectơ của tranzisto vì điện trở thuần r đối
với dòng một chiều IC0 là khá nhỏ. Điện trở tải Rt biến đổi tương đương sang cuộn sơ cấp của
W
biến áp ra thành R ,t = 2t , n là hệ số biến áp n = 1 ; W1, W2 - số vòng của cuộn sơ cấp
R
n W2
và cuộn thứ cấp. Khi làm việc ở chế độ A biên độ
dòng ra ImC nhỏ hơn dòng một chiều IC0, biên độ
điện áp ra UmC nhỏ hơn UC0 nên ψ , χ nhỏ hơn 1,
tức là hiệu suất η < 50% ( theo lý thuyết).
Thực tế hiệu suất chỉ đạt vài phần trăm vì nếu
tăng hiệu suất thì méo sẽ tăng. Hiệu suất thấp là
nhược điểm cơ bản của chế độ A, vì vậy ở các tầng
công suất chế độ này ít được sử dụng. Méo tần số
trong tầng ngoài những lý do đã xét trong khuếch
đại điện trở, còn một nguyên nhân là biến áp. Để
tăng tần số giới hạn trên cần giảm điện cảm tiêu tán
của biến áp, còn để mở rộng ở vùng tần số thấp cần
tăng điện cảm cuộn sơ cấp của biến áp ra. Méo phi tuyến cũng gây nên do lõi sắt từ của biến
áp làm việc ở miền bão hoà từ.
Ta xét các quan hệ cụ thể trong tầng khuếch đại công suất đơn có biến áp hình 2.5.1.1 theo đồ
thị đặc tuyến ra tương tự như khuếch đại điện trở vì cùng làm việc ở chế độ A. (Hình 2.5.1.2).
Đồ thị trình bày phương pháp 3 mặt phẳng phân tích khuếch đại .Từ đồ thị đặc tuyên ra ta thấy
đường tải một chiều qua điểm 0 và điểm U0 rất dốc, hầu như thẳng đứng vì tải một chiều là
điện trở thuần của cuộn sơ cấp biến áp khá nhỏ. Phía trái là đồ thị dòng colectơ biến thiên hình
sin, phía dưới là đồ thị điện áp coletơ biến thiên hình sin .Tải xoay chiều quay về cuộn sơ cấp
của biến áp là:
rt~ = r1 + n2( Rt + rr ) ≈ n2Rt
Trong đó r1, r2 - điện trở thuần ( dây cuốn) cuộn sơ và cuộn thứ của biến áp,
W1
n= , hệ số biến áp, W1, W2 - số vòng dây cuộn sơ và cuộn thứ của biến áp.
W2
Để chọn toạ độ tĩnh IC0, UC0 phải xác định được UCm, ICm. Các tham số xác định như sau: công
suất xoay chiều P~ trên cuộn sơ cấp của biến áp ( trong mạch colectơ của tranzistor) là:
Pt
P~ =
ηba
ηba = 0,8 ÷ 0,95 - hiệu suất của biến áp.
Tín hiệu ra coi là hình sin thì:
U I U C2
P = cm cm = = Ic Q
~ 2 R
t~ Icm
o
2
U 2
U Cm Icm H
Cm
=
2R 2n 2 R
t~ t Uc0 Ucmax
Từ đó:
Ucm
Ucm
2 2
U Cm U cm .η ba
η= =
2 P~ R t 2 Pt .R t
Hình 2.5.1.2. Đặc tuyến ra của KĐ đơn biến áp
Chọn UCm theo trị số điện áp dư UCE sao cho UCE0 ≈ UCC, từ đó xác định:
ICm = UCm / ( n2Rt).
Sau khi tìm được điểm công tác tĩnh UCE0 ≈ UC, ICm ≈ IC 0 thì dựng đường tải động với góc
ΔU CE
nghiêng : R t ~ =
ΔI C
Chọn tranzistor phải chú ý đến các đIều kiện sau:
IC cho phép > IC 0 + ICm
UCE cho phép > UCE0 + UCm ≈ 2UCC
PC cho phép > PC = UC 0. IC 0
U Cm I Cm
Theo hình (2.5.1.2) thì : P~ = chính là diện tích tam giác OQH.
2
Theo IC 0 tìm IB0 rồi tính R1, R2 như mục 4.5.
Hiệu suất của tầng khuếch đại η = ηc.ηba ;ηc - hiệu suất của mạch colectơ.
Ở chế độ A khi không có tín hiệu P~ = 0 thì PC = P0 nên cần chọn chế độ nhiệt của tranzistor
theo P0 để bảo đảm tranzistor không bị hư.
2.5.2 Khuếch đại công suất đẩy kéo có biến áp
Để tăng hiệu suất của tầng thì không thể để tranzistor làm việc ở chế độ A mà làm việc ở chế
độ B hoặc chế độ AB. Khi làm việc ở chế độ B thì nếu tín hiệu đầu vào bằng không thì dòng
colectơ sẽ bằng không, nên lúc này công suất PO tiêu hao nguồn sẽ bằng không, hiệu suất tăng.
Tuy nhiên làm việc ở chế độ B hoặc AB tín hiệu ra chỉ tồn tại trong một phần của chu kỳ nên
méo phi tuyến lớn. Để giảm méo dùng hai tranzistor mắc đẩy kéo.Xét sơ đồ nguyên lý hình
2.5.2.1a. Ở đây biến áp BA1 là biến áp đảo pha ,tạo ra hai điện áp có biên độ như nhau nhưng
ngược pha để kích vào bazơ của hai tranzistor. BA2 là biến áp ra. Hai tranzisto T1 và T2 mắc
đẩy kéo. Mạch colectơ của mỗi tranzisto mắc với một nửa cuộn sơ cấp của biến áp ra. Tỷ số
biến áp ra là n2 = w1/w2 = w1'/ w2 ( w1 = w1'). Nếu tầng làm việc ở chế độ AB thì Rb1, Rb2 đảm
bảo thiên áp cho chế độ này.Nếu tầng làm việc ở chế độ B không cần định thiên ; Rb1, Rb2 lúc
này có tác dụng để bảo đảm công tác cho mạch vào của tranzisto trong chế độ gần với chế độ
nguồn dòng.
Xét sơ đồ làm việc ở chế độ B. Khi không có tín hiệu vào thì điện áp trên bazơ của cả hai
tranzisto so với emitơ đều bằng không. Nếu ta bỏ qua dòng ngược colectơ thì có thể coi dòng
điện trong tầng bằng không, điện áp trên tải cũng bằng không. Trên colectơ của mỗi tranzistor
có điện áp xấp xỉ bằng E0.
Khi có tín hiệu vào, giả sử nửa chu kỳ đầu là dương thì T1 sẽ thông và khuếch đại, T2 tiếp tục
đóng. Trên cuộn w1 sẽ tạo nên điện áp Uw1 = iC1. Rt~ = iC1.n22.Rt = β.iB1.n22.Rt. Trên tải Rt sẽ có
điện áp ra Ur = Uw1/n2. Khi tín hiệu chuyển sang nửa chu kỳ âm thì T1 đóng lại, T2 thông và
khuếch đại, iC2 = βiB2. Điện áp trên w1' cùng trị số với Uw1 nếu hai tranzisto hệt nhau, ngược
pha nên tạo nên tải điện áp ở bán chu kỳ âm. Hình 2.5.2.1b mô tả một nửa chu kỳ của một
tranzisto. Đường tải xoay chiều với Rt~ = n22.Rt được dựng tại điểm UCE0 = E0 và IC0 = I0 ≈ 0.
Từ đó ta có:
P~ = 1/2UCm.ICm
η U .I
Pt = ηba 2 P~ = ba 2 mc mc
2
Trị số trung bình của dòng tiêu thụ nguồn IO xác định theo thành phần một chiều của chuỗi
Furie trong một nửa chu kỳ:
π
1 ICm
I
π∫
C TB = I0 = I Cm sin θ dθ = 2
0
π
Công suất nguồn tiêu thụ P0 là:
2I mc .E 0
Po = I 0 .E 0 =
π
P~ U cm .I cm I E π U
Hiệu suất của mạch colectơ là : ηc = = / 2 cm o = . cm
Po 2 π 4 E0
Hiệu suất của cả tầng khuếch đại là:
π U
η = η c .η ba 2 = η ba 2 . . cm
4 Eo
Nếu chọn điện áp dư ΔUCE càng nhỏ thì hiệu suất càng lớn. Nếu coi ηba2 ≈ 1 , UC ≈ EO thì
π
η = = 0,785 .
4
Thực tế η đạt 0,6 – 0,7, lớn gấp 1,5 lần so với tầng khuếch đại đơn.
Công suất tiêu tán trên colectơ của tranzistor
2I .E 1 1 2E 0 1
Pc = Po − P~ = Cm o − I Cm U Cm = [ U cm − U 2cm ] (*)
π 2 R t~ π 2
Từ (*) ta thấy công suất tiêu tán phụ thuộc vào UCm. Lấy đạo hàm (*) theo UCm ta có PCmax đạt
cực đại khi UCm= UCm* = 2EO/π = 0,64EO và:
2 E o2
Pc max = 2 2
π .η2 R t
Cần chú ý là không thể chỉ chọn tranzisto
a)
Ib T1 i b (t) theo công suất mà phải chọn theo cả điện
áp. Biên độ điện áp trên cuộn sơ cấp UCm
UBE ≈ EO nên điện áp ngược đặt lên tranzisto
T2 đang khoá là EO + UCm ≈ 2EO.
Ở chế độ B ,theo lý thuyết, không cần đặt
thiên áp cực B, tức là UBE 0 = 0. Tuy
nhiên đoạn đầu của đặc tuyến vào của
Ib T1 tranzistor là đoạn không tuyến tính ( khi
b) i b (t)
dòng bazơ nhỏ) nên méo phi tuyến tăng,
UBE
gọi là méo gốc ( hình 2.5.2.2a).
Ở đây là đặc tuyến vào của hai tranzistor
T2
vẽ chung trên một đồ thị. Từ hình
H ×nh2.5.2 .2 § Æc tuy Õn cña 2.5.2.2b ta thấy nếu uV là hình sin thì iB
khuÕch ®¹i ®È y kÐ o
không phải là hình sin khi iB gần gốc toạ
a) chÕ ®é B
độ, vì vậy dòng iC cũng sẽ khác dạng hình
b ) ch Õ ®é A B
sin. Ở chế độ A hiện tượng này không có
vì dòng iB tĩnh đủ lớn để loại bỏ đoạn gốc toạ độ.
Muốn giảm méo gốc phải chuyển sang làm việc ở chế độ AB bằng cặp điện trở định thiên
R1R2. Đặc tuyến vào của hai tranzistor có định thiên UBO vẽ chung đồ thị hình4.44b. Ở đây
chọn UBO, IBO và ICO khá nhỏ nên mọi công thức ở chế độ B đúng cho chế chế độ AB.
2.5.3 Khuếch đại công suất đẩy kéo không biến áp.
Trong các sơ đồ khuếch đại công suất đã xét dùng biến áp để phối hợp trở kháng tải với
tranzisto để có công suất ra lớn , hiệu xuất cao. Nếu tranzisto có hỗ dẫn S lớn thì có thể mắc
tải trực tiếp vào colecto của tranzisto (trở kháng tải có thể nhỏ tới mức chỉ vài ôm), nghĩa là
không cần biến áp. Mạch khuếch đại không biến áp đơn thường mắc theo sơ đồ lặp emitơ để dễ
phối hợp trở kháng. Trở kháng ra của mạch lặp emitơ cỡ 1/S, khi S đủ lớn có thể mắc tải khá
nhỏ. Tuy nhiên nếu công suất ra cỡ vài chục đến vài trăm mW trở lên thì không nên mắc lặp
emitơ vì mạch này có hiệu xuất nhỏ.Các mạch khuếch đại không biến áp thường mắc theo sơ
đồ đẩy kéo, làm việc ở chế độ B hoặc AB. Mạch có thể dùng tranzisto khác loại hoặc cùng
loại.
Để tránh phiền phức khi lựa chọn hoặc thay thế các Tranzitor khác loại nhưng lại đồng nhất về
tham số, có thể sử dụng hai Tranzitor cùng loại như hình 2.5.3.1.a. Ở đây có tầng khuếch đại
đảo pha trên T3 tạo ra 2 điện áp cùng biên độ ngược pha để kích thích cho T1 và T2 mắc đẩy
kéo. Ở khuếch đại đẩy kéo, Tranzitor T1 mắc colectơ chung, tranzitor T2 mắc Emitơ chung. Từ
đây ta thấy dòng Emitơ của T1 coi xấp xỉ bằn dòng Colectơ của T2thì dòng 1 chiều qua điện trở
tải Rt coi như bằng không,tức qua tải chỉ có dòng xoay chiều tần số tín hiệu .Vì vậy có thể mắc
nối tiếp với tải mộ tụ Ct ,và lúc đó có thể dùng một nguồn và mắc như sơ đồ hình 2.5.3.1b.
Trong cả hai sơ đồ này phải có tần khuếch đại đảo pha T3.
Mạch điện hình 2.5.3.1.c cũng tương tự như mạch hình 2.5.3.1.b nhưng tầng khuếch đại đảo
pha ở đây không dùng biến áp mà dùng khuếch đại điện trở lấy ra hai điện áp ở cực C và cực E
ta gọi tương ứng là UC và UE(so với điểm mát).Với cách lấy ra như vậy thì tầng T3 được gọi là
tầng đảo pha phân tải.
Thật vậy nếu ta chọn RC≈RE thì điện áp tín hiệu trên RC sẽ có biên độ là UCm =ICm.RC, điện áp
trên RE sẽ có biên độ là UEm=IEmRE.Vì IEm≈Icm nên UCm≈ UEm, mặt khác 2 điện áp này ngược
pha (vì điện áp trên cực C ngược pha với điện áp vào,điện áp trên cực E đồng pha với điện áp
và ).Như vậy tầng đảo pha phân tải cũng tạo ra 2 điện áp cùng biên độ ngược pha như tầng đảo
pha có biến áp. Tuy nhiên tầng này không khuếch đại điện áp vì UEm≈ UVm= UBm.Hai điện áp
từ 2 cực C và E đưa tới cực B của 2 tranzisto tương ứng qua hai tụ nối tầng Cn1và Cn2.Hai
tranzisto T1 và T2 được định thiên riêng tương ứng bằng Rb1-Rb2 và R’b1-R’b2. Mạch ra của T1
và T2 cũng mắc như mạch hình 2.5.3.1b.
Mạch điện hình 2.5.3.1d là mạch đẩy kéo dùng hai loại bóng khác tính với T1 là tranzisto
ngược,T2-thuận,dùng nguồn đối xứng(hai nguồn riêng biệt).Do hai tranzisto khác loại nên
chúng cùngđược kích thích bởi một điện áp lấy từ cực C của tầng T3(bazơ T1 và T2 với nhau và
nối với đầu ra của tầng T3).Mạch ra của sơ đồ này dùng hai nguồn như hình 2.5.3.1a,tuy nhiên
cũng có thể dùng một nguồn-Mạch hình 2.5.3.1.e.Cần lưu ý là khi mắc như vậy thì hai tranzisto
phải có tham số và đặc tuyến cơ bản giống nhau. Khi làm việc ở chế độ B thì khi không có tín
hiệu vào, cả hai tranzisto đều đóng,điện áp của các colectơ là E0/2 (so với mát),dòng qua tải
bằng không,sụt áp trên tải cũng bằng không . Khi đưa vào tín hiệu hình sin thì hai tranzisto sẽ
xen kẽ nhau đóng mở , các dòng colectơ sẽ là các dòng hình sin với độ rộng bằng nửa chu
kỳ(góc cắt θ=900) ;dòng điện trong các tranzisto có chiều ngược nhau,dòng qua tải là tổng nên
cũng có dạng hình sin.
Trong các mạch khuếch đại công suất không biến áp có thể ổn định nhiệt bằng mạch bù hoặc
mạch hồi tiếp âm như trong các mạch khuếch đại đã
xét. Người ta dùng điot, tranzitor hoặc điện trở nhiệt để
bù nhiệt. Ví dụ hình 2.5.3.2 là khuếch đại đẩy kéo với
đầu vào của T1 và T2 đấu với hai điot D1 và D2 vừa
định thiên tạo chế độ AB, vừa bù nhiệt. Hai diot này T 1 E 01
được phân cực thuận ,sụt áp trên chúng sẽ đặt điểm
công tác cho hai tranzisto.Điện áp phân cực cho T1 và D 1 Rt
T2 để tạo UB0 là điện áp thuận sụt trên D1 và D2, UB1,B2
D2
= (1,1÷1,2)V và có hệ số nhiệt âm(-1mA/ 0C) để bù lại
sự tăng dòng IC 0 theo nhiệt độ. Ngoài ra còn tạo hồi T 2 E 02
tiếp âm ổn định nhiệt cho T1 và T2.Sự làm việc của
sơ đồ này cũng tương tự như hình 2.5.3.1d.
Cuối cùng cần nhấn mạnh rằng, trong các mạch
H×nh 2.5.3.2 KhuÕch ®¹i ®Þnh
khuếch đại công suất lớn,để tăng khả năng chịu dòng
của các tranzisto,các tranzisto công suất có thể được
thiªn b»ng Diode
mắc song song .Ngoài ra còn lắp cánh toả nhiêt để tăng
độ bền của tranzisto.
Chương 3. Mạch dao động
Bài giảng số 1
¾ Mạch dao động tạo xung
¾ Mạch dao động tạo sin
3.1 Mạch dao động tạo xung

3.1.1 Đa hài tạo xung vuông.
3.1.2 Mạch tạo xung tuyến tính.
3.2 Mạch dao động tạo sin
3.2.1 Khái niệm chung
Các dao động hình sin (hay còn gọi là dao động điều hoà) có tần số từ vài hz đến hàng ngàn
Mhz được sử dụng rộng rãi trong các máy thông tin, máy đo lường, các thiết bị y tế vv...Đó là
các máy phát sóng được thiết kế ở các dải sóng khác nhau với mục đích sử dụng tương ứng.
Các dao động hình sin có thể được tạo ra theo ba phương pháp sau đây:
• Tạo dao động hình sin bằng một hệ tự dao động gần với một hệ bảo toàn tuyến tính.
• Biến đổi một tín hiệu tuần hoàn từ dạng không phải hình sin về dạng hình sin
• Dùng các bộ biến đổi tương tự - số (AD), số - tương tự (DA)
I R
H×nh 3.2.1 .1 S ¬ ®å k hè i t¹o xung
Trong chương này chỉ xét nguyên lý các mạch làm việc theo phương pháp thứ nhất là các mạch
thông dụng hơn cả. Tuy nhiên trước tiên tìm hiểu qua về nguyên lý xây dựng các mạch theo
phương pháp thứ hai và thứ ba.
Phương pháp thứ hai thường được sử dụng trong các máy phát sóng đa chức năng : tạo ra dao
động dạng xung vuông, xung tam giác, dao động hình sin, thậm chí cả tín hiệu điều chế.
Một sơ đồ khối dạng này trình bày ở hình 3.2.1.1 Ở đây mạch tích phân I và Rơle R tạo thành
một hệ tự dao động cho ra xung vuông và xung tam giác. Xung tam giác qua bộ biến đổi F
được biến thành dao động hình sin. Nhược điểm của dao động hình sin này là có độ méo phi
tuyến lớn hơn so với trường hợp 1.
Phương pháp thứ ba tạo ra dao động hình sin nhờ sử dụng kỹ thuật số (Hình 6.2a) .TX là bộ tạo
xung nhịp , C là bộ đếm thuận nghịch dùng để mở theo thời gian giá trị tức thời của đối số ,
DFC - bộ biến đổi số - hàm để tạo các giá trị của dao động hình sin ở dạng số , DAC - bộ biến
đổi số - tương tự biến đổi tín hiệu số
ở đầu ra của mạch DFC sang dạng a)
tương tự là dao động hình sin.
Độ méo của dao động hình sin ở đây Tx C DFC DAC
phụ thuộc vào số mẫu K được lấy
trong một chu kỳ. (hình 6.2b).Số x(t) H×nh 3.2.1.2
lượng lấy mẫu K càng lớn thì độ a)S¬ ®å khèi TDD h×nh
méo càng nhỏ , độ chính xác càng
t sin trong KT sè
cao.
Bây giờ ta xét phương pháp thứ
b)§å thÞ xÊp xØ dao
b) ®éng h×nh sin b»ng çc
nhất là phương pháp thông dụng
nhất.Một hệ dao động tự kích gần gi¸ trÞ gi¸n ®o¹n
với một hệ bảo toàn năng lượng có
phần tử khuếch đại đơn hướng K và mạch hồi tiếp dương β như ở hình 3.2.1.3.
K K
Kβ = (*)
1 − K.β
Trong đó K là hệ số khuếch đại của phần tử
β khuếch đại (đơn hướng), β hàm truyền đạt phức
của mạch hồi tiếp , Kβ là hệ số khuếch đại của
mạch khuếch đại có hồi tiếp.
H×nh 3.2.1.3 S¬ ®å khèi hÖ dao ®éng tù kÝch
Từ (*) dễ dàng nhận thấy khi :

j( ϕ +ϕ )
k β
Kβ = K β e = 1 (**)
thì Kβ = ∞, mạch ở trạng thái tự kích ,sẽ là một mạch tạo dao động.
Điều kiện (** )có thhể viết cụ thể hơn
K β = 1 (1)
ϕK + ϕβ = 2Kπ (2)
Điều kiện trên gọi tương ứng là điều kiện cân bằng biên độ và cân bằng pha.
Về mặt vật lý hệ hình (3.2.1.3) là một hệ tự dao động khi phần tử khuếch đại K bù đủ năng
lượng tổn hao trong vòng hồi tiếp (điều kiện cân bằng biên độ) và bù đúng lúc (điều kiện cân
bằng pha). Nếu điều kiện cân bằng pha chỉ đúng cho một tần số thì dao động tạo ra sẽ là dao
động hình sin của tần số đó.
Quá trình tạo dao động hình sin gồm ba giai đoạn như sau:
• Khi ta đóng nguồn một chiều cho mạch thì ở đầu vào của mạch khuếch đại sẽ xuất hiện rất
nhiều các thành phần hài do đột biến nguồn. Chúng được khuếch đại và qua mạch hồi tiếp
dương để trở lại đầu vào. Lúc này các thành phần có biên độ rất nhỏ. Thành phần tần số
thoả mãn điều kiện (2) sẽ được tăng đần về biên độ . Giai đoạn này gọi là giai đoạn tự kích
hay phát sinh dao động .
• Giai đoạn thứ hai là giai đoạn thiết lập dao động : biên độ của dao động tăng dần. Trong giai
đoạn này biên độ và tần số của dao động dần tiến về giá trị ổn định . Đây là quá trình quá độ
diễn ra trong mạch.
• Giai đoạn thứ ba là giai đoạn xác lập dao động , biên độ và tần số của dao động có giá trị ổn
định.
Các mạch tạo dao động hình sin dạng này có thể là thuần kháng LC ghép biến áp, ghép phân áp
điện cảm (biến áp tự ngẫu) , hoặc phân áp điện dung , có thể là dao động RC. Lần lượt sẽ xét
nguyên lý làm việc của chúng.
3.2.2 Tạo dao động hình sin LC ghép hỗ cảm
Mạch tạo dao động loại này có một hệ thống chọn lọc (hệ thống các khung cộng hưởng LC)
mắc ở mạch ra hoặc mạch hồi tiếp. Phần tử khuếch đại K có thể là đèn điện tử, tranzsto, khuếch
đại thuật toán.
Xét sơ đồ hình 3.2.2.1 với phần tử khuếch đại là khuếch đại thuật toán mắc không đảo ; Mạch
hồi tiếp là hệ cộng hưởng LC , hồi tiếp thực hiện qua đại lượng hỗ cảm M (ghép biến áp ) .
M = k L1L 2 , 0 ≤ k ≤ 1,
L1và L2 là điện cảm tương ứng của cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp ).
Ở đây phần tử khuếch đại là khuếch
đại thuật toán mắc không đảo,hệ M
thống cộng hưởng là khung cộng + R
_
hưởng song song LC,điện áp hồi tiếp
lấy trên cuôn thứ cấp,các dấu (*) chỉ C
1
U1
* *Uht
(K*-1)R1
các cực cùng tên để đảm bảo hồi tiếp
dương.Hệ số khuếch đại của mạch R1
khuếch đại là:
H×nh 3.2.1.1.M¹ch TD§ ghÐp hç c¶m
U ra U ra U ra (K * − 1)R1 + R1 (K * − 1)R1
K= = = = =1+ = K*
UV UN UP R1 R1
M M
C L
U ht
L C
CE
a) RE b)
-U c c +
Cb Rb CE RE
H×nh 3.2.2.2
a)T¹o dao ®éng ghÐp biÕn ¸p m¾c emit¬ chung
b) T¹o dao ®éng ghÐp biÕn ¸p m¾c baz¬ chung
Vì trở kháng ra của KĐTT nhỏ nên mắc thêm điện trở R giảm ảnh hưởng trở kháng ra nhỏ của
KĐTT đến trở kháng sóng ρ của mạch cộng hưởng LC. Điện áp hồi tiếp :
M
uht = u1 = β u1
L
M - đại lượng hỗ cảm, L - Điện cảm của khung dao động
ura = K*uht
Tại nút 1 phương trình định luật kiếc khốp 1 là :
u r − u1 du 1
− C 1 − ∫ u 1dt = 0
R dt L
Thay vào ta được phương trình vi phân :
d 2u r du r
2
+ 2 α + ω02 u r = 0 (*)
dt dt
1 − βK ∗
Trong đó α= là hệ số suy giảm ;
2RC
1
ω0 = Tần số cộng hưởng riêng của khung dao động LC.
LC
Dạng phương trình (*) là một phương trình vi phân đặc trưng cho một hệ dao động tự do nói
chung ..
Nghiệm của (*) có dạng :
(
ura = U ra 0 e −αt cos ω20 − α 2 t )
Với ba giai đoạn diễn ra trong mạch tạo dao động thì :
- Giai đoạn tự kích dao động phải có biên độ U ra 0 e − αt tăng dần, nghĩa là α < 0, βK > 1 .
Như vậy khi tự kích phần tử khuếch đại cần bù năng lượng lớn hơn phần năng lượng tổn
hao trong vòng hồi tiếp dương.
- Giai đoạn hai là giai đoạn quá độ ,α giảm dần tiến tới giá trị = 0.
- Giai đoạn ba α = 0, biên độ và tần số cả dao động được xác lập .
Nếu α > 0 thì mạch không thể tự kích.
Tương tự như mạch hình 3.2.2.1 là các mạch hình 3.2.2.2a,b dụng tranzisto lưỡng cực mắc theo
sơ đồ emitơ chung và bazơ chung. Hình 3.2.2.2a mắc emitơ chung, tranzisto đảo pha tín hiệu từ
đầu vào đến đầu ra nên hệ số hồi tiếp β sẽ có giá trị âm, tức là M nhận giá trị âm. còn ở mạch
hình 3.2.2.3b thì tranzisto mắc bazơ chung nên tín hiệu không đảo pha từ đầu vào đến đầu ra,
hệ số hồi tiếp dương nên M cũng đương tương tự như hình 3.2.2.1.
3.2.3 Tạo dao động hình sin kiểu 3 điểm
Mạch tạo dao động LC có thể có ba điểm nối giữa hệ thống chọn lọc và phần tử khuếch đại.
Lúc này phần hồi tiếp dương được thực hiện qua bộ phân áp điện dung hoặc điện cảm. Đầu tiên
xét nguyên lý chung như sơ đồ hình 3.2.3.1 (sơ đồ rút gọn không biểu diễn mạch cấp
nguồn).Trong đó Z1, Z2, Z3 là các phần tử của hệ cộng hưởng nối tiếp theo mạch vòng với
Z1 = r1 + jX1
Z2 = r2 + jX2
Z1
Z3 = r3 + jX3
Z ri - điện trở tổn hao của tổng trở Zi, Xi có thể âm hoặcdương
Ura 3
tuỳ theo tính chất của Zi và luôn thoả mãn:
Uht Z2 ri << Xi
Hệ số khuếch đại của mạch :
K = - S . Zt
H×nh 3.2.3.1 S¬ ®å
Trong đó Zt là trở kháng mạch tải của mạch khuếch đại :
ba ®iÓm tæng qu¸t
Z 3 ( Z1 + Z 2 )
Zt ≈ Z3 // (Z1+ Z2) = Z3 =
Z1 + Z 2 + Z 3
Hệ số truyền của mạch hồi tiếp:
U Z2
β = ht ≈
Ura Z 1 + Z 2
Điều kiện sẽ là
Z (Z + Z 2 ) Z2 Z2 Z3
Kβ = − 3 1 . =− =1
( Z 1 + Z 2 + Z 3 ) (Z 1 + Z 2 ) Z1 + Z 2 + Z 3
Kết hợp điều kiện ta sẽ được
X2X3
Kβ ≈ S =1
r1 + r2 + r3 + j(X 1 + X 2 + X 3 )
Như vậy thì
X1+X2+X3 = 0 (1)
SX 2 X 3
=1 (2)
r1 + r2 + r3
(1) và (2) tương ứng là điều kiện cân bằng pha và
cân bằng biên độ. Từ (2) suy ra X2 và X3 phải cùng
tính (cùng dấu) cảm hoặc cùng tính dung. Kết hợp
với (1) thì X1 phải khác dấu với X2 và X3 .
Như vậy có hai loại mạch ba điểm tổng quá hình
3.2.3.2 là:
Mạch ba điểm điện cảm(hình 3.2.3.2.a)hay mạch
Harley.
X2, X3 > 0 ; X1 < 0
Mạch ba điểm điện dung(hình 3.2.3.2.b)hay mạch
Collpid.
+Ucc X2, X3 < 0 ; X1 > 0
L1 C Hình 3.2.3.3 là một mạch tạo dao động ba điểm
Rc R1 E điện cảm (sơ đồ Hartley) mắc emitơ chung. ở đây
L2
X3=XCE= ωL1 > 0
B
X2 = XBE = ωL2 > 0
1
X1 = XCB = − <0
ωC
CE RE R2 Hệ số hồi tiếp :
U L
H×nh 3.2.3.3. M¹ch ba β = − BE = − 2 = − n
U CE L1
®iÓm ®iÖn c¶m m¾c Emit¬
h
Tần số cộng hưởng bằng tần số của dao động tạo ra thoả mãn (1)là:
1
fd đ = fCh =
2π (L1 + L2)C
Tại tần số cộng hưởng trở kháng tải Zt sẽ là :
h
Ztc h = p2 Rtđ // 112e
n
Hệ số khuếch đại:
h ⎡ h ⎤
K = - S . Ztc h = - 21e ⎢P 2 Rtd // 112e ⎥
h11e ⎣ n ⎦
Trong đó p là hệ số ghép tranzisto vào mạch cộng hưởng
L1
p=
L1 + L 2
h11e
- trở kháng vào của tranzisto phản ánh vào khung cộng hưởng .
n2
S=g21 hỗ dẫn của tranzisto.
Thay vào điều kiện ta sẽ được :
(1+n2)h11e + n2Rtđ - nRtđh21e ≤ 0 (*)
Trong biểu thức dấu " < " ứng với giai đoạn quá độ ( khi Kβ > 1 ); dấu " = " ứng với giai đoạn
xác lập dao động.
Thường n << 1 nên (*) có dạng :
R h e
n 2 td − n 21 R td + 1 ≤ 0 (**)
h11e h11e
Giải (**) với dấu "=" tìm được hai giá trị của n là n1 và n2 :
2
h ⎛h ⎞ h
n 1, 2 = 21e ± ⎜ 21e ⎟ − 11
2 ⎝ 2 ⎠ Rtd
Giá trị của n nằm trong khoảng: n2 < n < n1 thì mạch sẽ dao động .
Khi dao động đã xác lập thì n nhận giá trị n1 hoặc n2 .
Hình 3.2.3.4a là mạch dao động ba điểm điện dung ( Collpid) mắc emitơ chung.
ở đây X1 = XCB = ωL > 0
1
X2 = XBE = − <0
ωC 2
1
X3 = XCE = − <0
ωC1
Tương tự như sơ đồ ba điểm điện cảm, ở đây :
h ⎡ h ⎤
K = - g21eZtc h = - 21e ⎢ p 2 Rtd // 112e ⎥
h11e ⎣ n ⎦
C1
β=- =-n
C2
Rtd h
Điều kiện sẽ là : n2 − nRtd. 21e + 1 ≤ 0
h 11e h 11e
Tần số của dao động tạo ra sẽ là:
1
fd đ = fCh =
CC
2π L 1 2
C1 + C 2
Một dạng mạch Collpid trình bày trên hình 3.2.3.4b gọi là mạch Clapp.
Khác với mạch ở hình 3.2.3.4a, ở
a) b)
+Ucc mạch Clapp hình 3.2.3.4b thì
C +Ucc Rc Cr C 1
XCB = X1= ωL -
E C1 C1 ωC
C 2 R1 R1 E C2 L Để thoả mãn điều kiện cân bằng pha
R1
L C
Cn
thì tại tần số dao động nhánh LC phải
B
B mang tính chất điện cảm ,tức:
CV 1
R2 ωdđ L > .
R2 RE CE ω dd .C
CE
RE
Hệ số ghép giữa tranzisto và hệ thống
H×nh 3.2.3.4 a) m¹ch dao ®éng 3 ®iÓm ®iÖn dung cộng hưởng ( lập bởi L và Ctđ).
b) m¹ch dao ®éng 3 ®iÓm ®iÖn dung Clapp
U CE C td
p= =
U td C1
1 1 1 1
Trong đó = + +
C td C1 C 2 C
C
Thường chọn C <<C1, C2 nên Ctđ ≈ C . Vì vậy p ≈ << 1 ; Nghĩa là Tranzisto được ghép rất
C1
lỏng vào khung cộng hưởng nên điện dung ký sinh ở đầu vào và đầu ra của nó rất ít ảnh hưởng
đến khung cộng hửơng. Tần số của dao động tạo ra là:
1 1
fd đ ≅ fc h = ≅
2 π LC td 2 π LC
Phân tích điều kiện như đã làm ở trên xác định được
2 2
h 21e ⎛h ⎞ h ⎛C ⎞
n1,2 = ± ⎜ 21e ⎟ − 21e ⎜ 1 ⎟
2 ⎝ 2 ⎠ Rtd ⎝ C ⎠
Giả sử với mạch 3.2.1.2.4a có các tham số :
L = 25μH; C1 = 1nF ; C2 = 100nF ; h21 e = 100 ; h11e = 12,5kΩ.
Hãy kiểm tra với hệ số phẩm chất Q =80 xem mạch có dao động được hay không.
Điều kiện cân bằng biên độ
nR td .h11e
Kβ ≈ ≥1
n 2 R td + h11e(1 + n )2
Điều kiện này tương tự như
C 1
n=β= 1 = = 0,01 = 10 − 2
C 2 100
C1C 2 1.100
Ctđ = = ≈ 1nF
C1 + C 2 1 + 100
ρ2 L 25.10−6
Rtđ = = ρ .Q = .Q = .80 = 25.103 .80 = 12,65kΩ
r Ctd −9
1.10
Thay vào vế phải của (6.30)
10 −2.12,650.10 2
Kβ = − 4 ≈ 1,012
10 .12650 + 12.500
Điều kiện tự kích về biên độ là thoả mãn. Còn điều kiện cân bằng pha thoả mãn tại tần
số:
1 1 1 10 6
fd đ = fc h = = = =
C1C 2 2π LCtd 2π 250.10 −3.10 −9 2π 250
2π L
C1 + C 2
≅ 0,010065.106 Hz = 10,065KHz ≈ 10 kHz
3.2.4 Tạo dao động RC
Các mạch tạo dao động LC ở tần số thấp làm việc kém ổn định và có kích thước lớn do trị số
điện cảm cần lớn.Vì vậy ở vùng tần số thấp thường sử dụng các mạch tạo dao động RC ; tuy
nhiên cũng có thể sử dụng các mạch tạo dao động RC với tần số tới vài MHz. Ở các mạch tạo
dao động RC khâu hồi tiếp sử dụng các phần tử điện trở và điện dung.Có hai loại mạch mạch
tạo dao động RC thông dụng là mạch kiểu 3 khâu RC (Cầu Xiphorop) và kiẻu cầu cân bằng pha
(cầu Vien)
3.2.4.1 Mạch tạo dao động kiểu cầu Xiphorop .
Mạch tạo dao động loại này khi sử dụng phần tử khuếch đại K là mạch Emitơ chung hoặc
khuếch đại thuật toán mắc đảo thì điện áp ra sẽ ngược pha với điện áp
vào, tức là ϕK = π . Như vậy mạch hồi tiếp cũng phải quay pha ( di pha ) tín hiệu
một góc ϕβ =π để thoả mãn điều kiện .Mạch RC quay pha(mạch hồi tiếp)thường dùng là mạch
lọc thông cao hình 3.2.4.1.1a hoặc thông thấp 3.2.4.1.1b .
Với lọc thông cao, mạch tạo dao động dùng Tranzisto mắc emitơ chung có dạng hình 3.2.1.3.1 .
Lập phương trình dòng điện mạch vòng hoặc
điện thế điểm nút cho mạch hình 3.2.4.1.1a ,
giải tìm quan hệ giữa UB = Uht và UC = Ura sẽ
tìm được:
U ht
β= =
Ur
1 (*)
1 1 ⎛⎜ 1 ⎞
⎟
1− 5 −j 6−
(ωRC )2 ⎜
ωRC ⎝ (ωRC )2 ⎟
⎠
β
Để có ϕβ =π tức β là một số thực âm thì :
1
6− =0
(ωRC)2
Từ đó xác định tần số của dao động :
1 1
ωdd = ; fdd =
6RC 2π 6RC
1
Thay ωd đ vào biểu thức(*) tìm được: β = − như vậy thì K = -29
29
Với mạch quay pha là bộ lọc thông thấp hình 3.2.4.1.1b sẽ tìm được
1 1
ω dd = ;β = −
10 18,4
RC
7
Sơ đồ TDĐ trên hình 3.2.4.1.3.là mạch cầu
Xiphorop xây dựng trên khuếch đại thuật toán
tương tự như mạch hình 3.2.4.1.2. ở đây có
hai mạch hồi tiếp: mạch β là mạch hồi tiếp
dương bảo đảm cân bằng pha,mach hồi tiếp
β âm R1RN đảm bảo hệ số khuếch đại :
k= − R N = −29 .
R1
3.2.4.2 Mạch tạo dao động kiểu cầu Viên.
Nếu phần tử khuếch đại K có tín hiệu vào và ra đồng pha, tức ϕK = 0 thì mạch hồi tiếp sẽ là
một mạch cầu Viên không quay pha dạng hình 3.2.4.2.1 . Đó là một mạch lọc thông dải .
Dễ dàng xác định được hàm truyền của nó ,coi Z1 là R1 mắc nối tiếp C1, coi Z2 là R2 mắc song
song C2:
Uv Z2 R1 C1
β= = =
U r Z1 + Z 2
1 Ura C2 Uht
R2
R C ⎛
1 + 1 + 2 + j ⎜⎜ ωR1C 2 −
1 ⎞
⎟⎟
β
2 C1 ⎝ ω R C
2 1 ⎠
Để ϕβ = 0 thì β là một số thực dương nên H×nh 3.2.4.2.1

1 M¹ch håi tiÕp cÇu Viªn
ωR1C2 - = 0 từ đó sẽ có tần số của dao động
ωR 2 C1
1 1
ω dd = ; f dd =
R1 R 2 C 1C 2 2π R1 R 2 C 1C 2
Nếu chọn R1 = R2 = R , C1 = C2 = C thì

1 1
fd đ = ; β = và K = 3
2πRC 3
Hình 3.2.4.2.2a là mạch tạo dao động RC cầu Viên với mạch khuếch đại là gồm 2 tầng trên 2
tranzisto mắc emitơ chung để ghép qua Cn có ϕK=0.Hai tầng T1 và T2 được định thiên tương
ứng bằng Rb1-Rb2 và R'b1-R'b2.
Mạch hình 3.2.4.2.2b sử dụng khuếch đại thuật toán g với mạch hồi tiếp âm R0RN và hồi tiếp
dương R1C1R2C2 tạo thành mạch cầu Viên có 4 đỉnh là đầu vào đảo N, đầu ra ; đầu vào không
đảo P và mat.
Nhánh hồi tiếp âm R0RNxác định hệ số khuếch đại
RN
K=1+ = 3
R0
β do vậy
RN = 2R0
Thực RN = 2R0 ra cũng
là điều kiện cân bằng
của cầu. Khi cầu cân
bằng thì mạch không
thể dao động nên cần
chọn RN lớn hơn 2R0
một chút .
Chương 4. Mạch nguồn
Bài giảng số 1
¾ Nguồn chỉnh lưu
¾ Nguồn ổn áp 1 chiều tuyến tính
o Ổn áp tham số
o Ổn áp một chiều kiểu bù
o Ổn áp xung
4.1 Nguồn chỉnh lưu

Mạch chỉnh lưu là mạch biến đổi dòng điện xoay chiều thành dòng điện một chiều.
4.1.1 Mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ:
Hình 4.1.1.1. Mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ.
Các linh kiện trong mạch:

• V1 là điện áp lưới 220V, 50Hz.
• T1 là biến áp, thực hiện biến đổi dòng xoay chiều thành dòng xoay chiều có biên độ thay
đổi.
• D1 là diode bán dẫn, nhờ tính chất van dòng điện sẽ chỉnh lưu dòng xoay chiều phía
thứ cấp của biến áp thành dòng 1 chiều.
Mạch điện thực hiện biến đổi điện áp lưới thành điện áp một chiều. Dạng sóng tín hiệu vào-ra
của mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ được trình bày như trong hình vẽ:
Hình 4.1.1.2. Dạng sóng tín hiệu vào-ra của mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ.
Tín hiệu vào là tín hiệu tuần hoàn theo chu kỳ T, do đó ta chỉ cần tính toán trên 1 chu kỳ
từ 0 đến T. Các chu kỳ còn lại tín hiệu sẽ tuần hoàn.
0 < t < T/2:

U2>0 => diode phân cực thuận => U0=U2.
T/2 < t < T:

U2<0 => diode phân cực ngược => U0=0.
Nhận xét:
• Tại đầu ra, điện áp luôn ≥0 nên mạch đã thực hiện việc chỉnh lưu điện áp xoay chiều
thành điện áp 1 chiều. Tuy nhiên, điện áp ra chỉ tồn tại trong nửa chu kỳ dương của
điện áp vào. Vì vậy, mạch được gọi là mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ.
• Giá trị trung bình của điện áp ra được tính như sau (giả sử U2 là điện áp hình sin, có
giá trị hiệu dụng là U2)
___
1
T
2 .U 2 − cos( 2πft ) T 2 .U 2
U 0 = ∫ 2 .U 2 . sin(ωt )dt = . 2
= = 0.45U 2
T 0 T 2πf 0 π
• Tín hiệu ra U0 là tín hiệu 1 chiều tuy nhiên tín hiệu này không ổn định. Tín hiệu 1
chiều mong muốn là tín hiệu bằng phẳng và ổn định. Để làm cho tín hiệu ra bằng
phẳng hơn, ta mắc thêm tụ điện vào mạch như sau:
D1
V1
T1
220 V
R1
50 Hz U2 C1
0Deg
Hình 4.1.1.3. Mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ có tụ điện.

Do quá trình phóng và nạp của tụ điện làm cho điện áp ra bằng phẳng hơn.
Hình 4.1.1.4. Dạng sóng tín hiệu của mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ có tụ điện.
4.1.2 Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ:

D1
V1
T1 U 21 R1
220 V 10kΩ
50 Hz
0Deg
U 22 D2
Hình 4.1.2.1. Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ.

• V1 là điện áp lưới, 220V, 50Hz.
• T1 là biến áp có điểm đất chung ở giữa. Hai điện áp ra U21 và U22 sẽ ngược pha nhau.
• Hai diode D1 và D2 phối hợp với nhau đảm bảo điện áp ra tồn tại trong cả hai chu
kỳ.
Mạch điện thực hiện biến đổi điện áp lưới thành điện áp một chiều.
Hình 4.1.2.2. Dạng sóng tín hiệu vào-ra của mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ.
Tín hiệu vào là tín hiệu tuần hoàn theo chu kỳ T, do đó ta chỉ cần tính toán trên 1 chu kỳ từ
0 đến T. Các chu kỳ còn lại tín hiệu sẽ tuần hoàn.
0 < t < T/2:

U21>0 => Diode 1 phân cực thuận
=> U0=U21
U22<0 => Diode 2 phân cực ngược
T/2 < t < T:

U21<0 => Diode 1 phân cực ngược
=> U0=U22
U22>0 => Diode 2 phân cực thuận
Nhận xét:
• Tại đầu ra, điện áp ra luôn ≥0 nên mạch đã thực hiện việc chỉnh lưu điện áp xoay chiều
thành điện áp 1 chiều. Điện áp ra tồn tại trong cả hai nửa chu kỳ. Vì vậy, mạch được gọi
là mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ.
• Giá trị trung bình của điện áp ra được tính như sau (giả sử U21 và U22 là điện áp hình sin,
có giá trị hiệu dụng là U2). Dễ thấy giá trị trung bình của điện áp ra trong mạch chỉnh
___
lưu 2 nửa chu kỳ gấp đôi trường hợp chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ, vậy U 0 = 0.9U 2
• Để đánh giá độ bằng phẳng của điện áp ra, thường sử dụng hệ số gợn sóng được định
nghĩa đối với thành phần sóng bậc n:
U nm
• qn = với Unm là biên độ sóng có tần số n.ω, U0 là thành phần điện áp 1 chiều
U0
trên tải. Đối với mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ ta có: q1 = 0.67
Tín hiệu ra U0 là tín hiệu 1 chiều tuy nhiên tín hiệu này không ổn định. Tín hiệu 1 chiều mong
muốn là tín hiệu bằng phẳng và ổn định. Để làm cho tín hiệu ra bằng phẳng hơn, ta mắc thêm tụ
điện vào mạch như sau:
D1
V1
T1 U21
220 V C1
R1
50 Hz
0Deg
U22 D2
Hình 4.1.2.3. Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ có tụ điện.
Do quá trình phóng và nạp của tụ điện làm cho điện áp ra bằng phẳng hơn.
Hình 4.1.2.4. Dạng sóng tín hiệu của mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ có tụ điện.
___
Khi có thêm tụ điện, giá trị trung bình của điện áp ra sẽ tăng U 0 = 2 .U 2 và hệ số gợn sóng
giảm q1 ≤ 0.02.
4.1.3 Mạch chỉnh lưu cầu:
V1
T1 D1 D2
220 V U0
50 Hz U2
0Deg
D4 D3
R1
Hình 4.1.3.1. Mạch chỉnh lưu cầu.

• 4 diode D1, D2, D3, D4 mắc như trên gọi là mắc theo hình cầu.
• V1 là nguồn điện áp lưới.
• T1 là biến áp.
Mạch thực hiện biến đổi dòng điện xoay chiều từ điện áp lưới thành dòng điện một chiều như
hình vẽ sau:
Hình 4.1.3.2. Dạng sóng tín hiệu vào-ra của mạch chỉnh lưu cầu.
0 < t < T/2:

U2 > 0 => D1, D3 phân cực ngược; D2, D4 phân cực thuận => U0 = U2
T/2 < t < T:

U2 < 0 => D1, D3 phân cực thuận; D2, D4 phân cực ngược => U0 = -U2
Nhận xét:
Điện áp tại đầu ra của mạch chỉnh lưu cầu giống như mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ. Tuy
nhiên, do luôn có hai diode phân cực ngược nên điện áp ngược đặt lên mỗi diode khi phân cực
ngược chỉ bằng một nửa so với trường hợp mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ. Điều này rất có ý
nghĩa khi chọn linh kiện cho mạch.
4.1.4 Chỉnh lưu bội áp.
Trong tất cả các sơ đồ đã xét trên điện áp ra trong mọi trường hợp không thể vượt quá mức biên
độ của điện áp vào U2m. Trong thực tế
nhiều lúc đòi hỏi điện áp ra lớn gấp q lần
điện áp của sơ đồ chỉnh lưu một nửa chu
kỳ. Lúc đó sử dụng các sơ đồ chỉnh lưu
bội (nhân) áp. Xét sơ đồ nhân đôi hình
4.1.4.1. Thực chất sơ đồ này là hai sơ đồ
chỉnh lưu một nửa chu kỳ mắc nối tiếp,
điện áp ra của chúng được cộng lại trên
tải. Ở bán chu kỳ dương diot D1 thông, tụ
C1 nạp điện. Nửa chu kỳ tiếp theo tụ C2
nạp qua diot D2 thông. Chiều của các điện
áp nạp có dạng như trên hình vẽ. Từ trên
hình này ta thấy điện áp trên tải bằng tổng
điện áp trên hai tụ điện(2E0). Tần số đập
mạch bằng hai lần tần số điện áp nguồn.
Hình 4.1.4.2a lại có cách mắc nhân đôi điện áp, không phải bằng hai tụ mắc nối tiếp như đã xét,
mà thực hiện như sau. Giả sử trong thời gian nửa chu kỳ thứ nhất điện áp trên cuộn thứ cấp của
biến áp có cực tính sao cho diot D1 thông, tụ C1 nạp điện đến giá trị E0 với cực tính như trên
hình vẽ; ở nửa chu kỳ tiếp theo diot D2 thông, điện áp
trên tụ C2 bằng điện áp cuộn thứ cấp cộng với điện áp đã được nạp trên tụ C1 nên có trị số xấp
xỉ 2E0. Tấn số đập mạch bằng tần số nguồn xoay chiều. Tương tự như vậy có thể xây dựng sơ
đồ nhân ba (hình 4.1.4.2b), nhân bốn, nhân năm.
4.1.5 Lọc san bằng.
Trường hợp đơn giản nhất lọc san bằng là dùng chính tụ Ct thoả mãn hệ số đập mạch Kđ.Lúc đó
cần chọn tụ để thoả mãn:
Kđ=2/(2πfđmCt)
fđm : tần số đập mạch
Trị số tụ Ct thường là tụ hoá từ vài chục μF đến vài ngàn μF. .
Trong trường hợp mắc tụ lọc có trị số khá lớn (tụ càng lớn thì kích thước và giá thành càng
tăng) mà hệ số đập mạch vẫn chưa đạt yêu cầu thì phải mắc bộ lọc san bằng giữa tải và mạch
chỉnh lưu. Mạch lọc san bằng đơn giản nhất là mạch lọc RC như hình 4.1.5.1a. Cần chọn hằng
số thời gian τ=RC thoả mãn yêu cầu hệ số đập mạch đối với tần số đập mạch cơ bản. Hiệu quả
san bằng càng lớn nếu như ta chọn mức thoả mãn của bất đẳng thức sau càng cao.
R>>1/(2πfđmC)
R
fđm : tần số đập mạchcủa điện áp ra .
Vì vậy thường ở đây người ta tăng giá trị của tụ C. Nếu
a)
tăng giá trị của C đến mức khá lớn mà chưa đủ độ san
C C Rt
bằng thì cần thay điện trở R bằng cuộn cảm L như ở
hình 4.1.5.1.b. Mạch này lọc san bằng tốt nhưng cuộn
cảm có trọng lượng, kích thước đáng kể, giá thành cao
R
nên ít được sử dụng trong thực tế.
C C Rt
b)
Hình 4.1.5.1. Mạch lọc

a)lọc RC b)lọc LC
4.2 Nguồn ổn áp 1 chiều tuyến tính
Một mạch điện tử bất kỳ sẽ làm việc không tốt khi nguồn một chiều cung cấp cho nó không giữ
đúng giá trị danh định. Nguyên nhân của sự thay đổi đó có khá nhiều, nhưng đáng quan tâm
nhất là sự thay đổi của điện lưới xoay chiều và sự thay đổi của tải. Một trong những cách để
khắc phục sự thay đổi điện áp nguồn điện lưới là sử dụng các máy ổn áp xoay chiều được sản
xuất công nghiệp. Tuy nhiên như vậy chưa đủ để máy điện tử làm việc bình thường. Vì vậy cần
tạo ra các mạch điện giữ cho điện áp một chiều sau khi chỉnh lưu có giá trị ổn định trong một
phạm vi nào đó.Ta gọi các mạch đó là các mạch ổn áp một chiều hay thường gọi tắt là ổn áp
4.2.1 Các tham số ổn áp một chiều
Một mạch ổn áp mô hình như một mạng bốn
cực hình 4.2.1.1 được đặc trưng bởi các tham
số sau đây: + +
Hệ số ổn áp, đó là tỷ số giữa lượng biến thiên UV URA
điện áp tương đối ở đầu vào và đầu ra : Rt
ΔU v _ _
Uv
K «d =
ΔU r R t = const
Hình 4.2.1.1 Mạch ổn áp
Ur
Hệ số ổn áp đường dây:
ΔU r
Kô.dây= 100% (khi UV biến thiên 10%)
Ur
Hệ số ổn áp tải:
ΔU r
Kô.dây= 100% (khi ΔIt=It max)
Ur
Điện trở động đầu ra đặc trưng cho sự biến thiên của điện áp ra khi dòng ra (dòng tải) thay đổi
(lấy theo trị tuyệt đối):
RRA=ΔURA/ΔIt (khiUV=const.)
Hiệu suất η, là tỷ số giữa công suất ra tải và công suất danh định ở đầu vào:
URA . It
η=
UV . IV
4.2.2 Ổn áp một chiều bù tuyến tính.

Mạch ổn áp tham số tuy đơn giản tiết kiệm nhưng có nhược điểm là có độ ổn định không cao,
trị số của điện áp ra không thay đổi được
tuy ý, đặc biệt khi dòng ra tải lớn. Để khắc
phục các nhược điểm trên người ta xây
dựng các mạch ổn áp bù tuyến tính. Ở đó
Tranzisto công suất sẽ hiệu chỉnh điện áp
trên nó để bù lượng thay đổi điện áp cần ổn
định. Ổn áp bù tuyến tính có thể xây dựng
theo sơ đồ song song hoặc nối tiếp như ở
sơ đồ khối hình 4.2.3.1.Đó là một mạch tự
hiệu chỉnh có hồi tiếp. Có hai cách xây
dựng sơ đồ khối: hình4.2.3.1a-sơ đồ song
song, hình 4.2.3.1b- sơ đồ nối tiếp.
Trong các sơ đồ trên thì 1-phần tử hiệu
chỉnh, 2-phần tử so sánh và khuếch đại, 3-
phần tử lấy mẫu, 4-nguồn chuẩn .
Trong sơ đồ song song phần tử hiệu chỉnh
mắc song song với tải. Sơ đồ này hoạt
động như sau: Phần tử lấy mẫu 3 đem so sánh điện áp đầu ra với nguồn chuẩn 4 ở phần tử so
sánh-khuếch đại 2, sai lệch về điện áp sẽ được khuếch đại rồi đưa đến phần tử hiệu chỉnh 1.
Phần tử này tự hiệu chỉnh dòng của nó tương tự như diot tham số để điều chỉnh sụt áp trên điện
trở R1, giữ cho điện áp ra không đổi. Trong sơ đồ nối tiếp hình 4.2.3.1b thì phần tử hiệu chỉnh 1
mắc nối tiếp với tải. Phần tử này tự điều chỉnh sụt áp trên nó theo tín hiệu từ đầu ra của phần tử
so sánh-khuếch đại 2 để giữ cho điện áp ra ổn định.
Trong hai cách xây dựng ổn áp trên thì sơ đồ ổn áp song song có dòng tải đi qua điện trở R1,
dẫn đến tổn hao nhiệt lớn, vì vậy sơ đồ này có hiệu suất thấp hơn. Tuy nhiên sơ đồ này lại có
ưu điểm là không gặp nguy hiểm khi quá tải. Sơ đồ nối tiếp cho hiệu suất cao hơn nhưng khi
dòng tải tăng quá mức (ví dụ như chập tải) thì phần tử hiệu chỉnh dễ bị đánh thủng. Trong thực
tế thường dùng sơ đồ nối tiếp có mạch bảo vệ quá tải. Các mạch ổn áp bù có hiệu suất không
vượt quá 60%.
Hình 2.4.3.2 là một mạch ổn áp bù mắc nối
tiếp có cực tính âm. Khi điện áp ra thay đổi,
các điện trở R1, R2 và triết áp P lập thành bộ
phân áp, lấy mẫu điện áp ra. Điện áp này(UB2)
đem so sánh với điện áp chuẩn UZ tạo bởi
diot ổn áp DZ và điện trở R3. Hiệu số của
chúng chính là điện áp bazơ-emitơ của Q2 (
phần tử so sánh-khuếch đại): UBE2=UB2-UZ.
Điện áp này điều khiển mạch khuếch đại so
sánh Q2 để lấy ra điện áp ở colectơ điều khiển
Q1. Tranzistor Q1 điều chỉnh mức mở để thay
đổi điện áp điều chỉnh UĐC để bù lượng biến
thiên của điện áp ra là U2=U1-UĐC.
Cụ thể sơ đồ ổn áp này làm việc như sau.Giả sử điện áp vào tăng, làm điện áp ra tăng tức thời
nên điện áp UBE2 tăng ( trị tuyệt đối), tức là điện thế bazơ của Q2 âm hơn. Điện áp điều khiển
bazơ của Q2 là UBE2 cũng âm hơn nên Q2 thông nhiều hơn, dòng colectơ của Q2 tăng, điện áp
UCE2 giảm. Vì vậy sụt áp trên R4 tăng lên, làm cho điện thế bazơ của Q1 dương lên, Q1 đóng bớt
lại; tức là điện áp UĐC=UCE1 tăng lên, điện áp đầu ra U2 giảm về giá trị ban đầu. Tương tự như
vậy, nếu dòng tải tăng làm cho điện áp ra giảm thì quá trình cũng diễn ra như trên. Trường hợp
điện áp vào giảm thì quá trình diễn ra hoàn toàn ngược lại.
Có thể xác định được hệ số ổn định của mạch hình 9.16 theo công thức sau:
R4
KÔđ=
[R 1 + (1 − α) P](R 2 + αP)
Rv .α + R 4 rrbe [1 + ]
rb .(R 1 + P + R 2)
rd [r 1 + (1 − α) P](r 2 + αp)
α= 1 + + ] : là hệ số điều chỉnh, thường α=1,5÷2;RV,rb,re ,rd- tương ứng
rv rb .β 1(R 1 + p+ r 2)
là các điện trở đầu vào, điện trở khối bazơ, điện trở emitơ của Q1, rd điện trở động của DZ; còn
β1 là hệ số khuếch đại dòng điện của Q1.Hệ số ổn định có thể đạt tới vài trăm.
Trong mạch vừa xét tụ điện C1,C2 tăng độ lọc san bằng và khử các dao động ký sinh, C3 tăng độ
ổn định cho các đại lượng biến đổi chậm theo thời gian.
Trên cơ sở mạch ổn áp hình 4.2.3.2 có thể xây dựng các mạch phức tạp hơn để tăng độ của
mạch bằng các biện pháp sau đây :
- - + Up -
Rc
R1
T1 C
R3
T1 T2
P
Dz
R2
+ +
a) b)
Hình 4.2.3.2 a) ổn áp dùng khuếch đại thuật toán
b) ổn áp có nguồn phụ ổn định
• Tăng độ nhạy của mạch hồi tiếp bằng cách dùng hai hay ba tầng khuếch đại thay cho một
tranzisto T2, hoặc thay nó bằng các tranzisto mắc Darlington để tăng hệ số β tới 103÷104.
• Thay cho T2 khuếch đại bình thường có thể dùng khuếch đại vi sai như ở hình 4.2.3.2 a.
Tầng khuếch đại vi sai T1 - T2 có độ trôi nhỏ nên độ ổn định của mạch tăng.
• Điện áp ở đầu ra của mạch khuếch đại vi sai lấy không đối xứng đưa tới phần tử hiệu chỉnh.
• Có thể tăng độ ổn định bằng cách dùng nguồn phụ ổn định để cấp cho mạch khuếch đại - so
sánh như ở hình 4.2.3.2.b
• Dùng khuếch đại thuật toán trong khâu khuếch đại. Vì khuếch đại thuật toán có hệ số
khuếch đại lớn và độ ổn định cao nên chất lượng của ổn áp tăng. Mạch điện hình 4.2.3.3.a
sử dụng khuếch đại thuật toán μA741 trong khâu khuếch đại.
• Trường hợp cần nguồn đối xứng thì xây dựng mạch như hình 4.2.3.3.b
R1 T1 R3 R3'
- +UV +U
UV
-Ur
R1 A1 C2 r
T2 - _ R4
R1
C2 C3 +
+
C1 R2 DZ R5
C5 R7
1 D2 A2
6 7 R2 C1' R2' R6 C2'
D1 +3
+ +
5 _2 _ R8
C4 R3 R1'
-
+ C1 4 + T2' -Ur
-UV
T1'
a b
Hình 4.2.3.3 a)ổn áp dùng IC tuyến tính b)ổn áp tạo nguồn đối xứng
4.2.3 Các IC ổn áp tuyến tính.
Người ta chế tạo ra các vi mạch ổn áp tuyến tính với giá thành hạ và sử dụng rất tiện lợi. Xét
một số vi mạch thông dụng.
a. Vi mạch MAA723(μA723) cho công suất ra tải 400mW với dòng tải 150 mA.
Sơ đồ nguyên lý trình bày trên hình 4.2.3.1.
Vi mạch này có các cách mắc trình bày trên hình 4.2.3.2. Với một số linh kiện mắc ngoài sẽ tạo
các mức điện áp khác nhau như ỏ các hình a,b,c,d,e,f,h,g :
a) cho Ur’=2÷7V
b) Ur’=7÷37V
c) Ur’=-(6÷15)V
d) Ur’=-(9,5÷37)V
e) Ur’<250V
3
9 8 1 6 UZ 2 4
1 5
10
6
9 8 7
10 1 2 3 4 5
Các điện trở R1,
R2, R3 chọn theo
chỉ dẫn của hãng
sản xuất, Rs là
điện trở hạn dòng.
μF μF
Dạng vỏ IC trình
bày trên hình
4.2.3.2.k.
b. Vi mạch ba chân 78XX và 79XX.

Đây là loại vi mạch rất thông dụng trên thị
trừơng với giá thành rất thấp, sử dụng rất
tiện lợi.
Họ 78XX cho điện áp ra cực tính dương,
79XX cực tính âm Ω
Hai số cuối chỉ trị số của điện áp ổn định
đầu ra:
7805,7806,7808,7812,7815,7818,7824 có
điện áp ra tương ứng là 5v ,6v ,8v , 12v ,
15v , 18v và 24v
7905,7906,7908,7912,7915,7918,7924 có điện áp ra
tương ứng là -5v, -6v, -8v , -12v , -15v , -18v và -
24v.
Dạng và cách mắc mạch trình bày trên hình 4.2.3.3b.
Các IC này cho dòng tải cực đại khoảng 1 A. Muốn
tăng dòng ta mắc thêm một tranzisto công suất như
ở hình 4.2.3.4.a, lúc này có thể cho dòng tới 5A.
Muốn thay đổi điện áp ra ta mắc thêm diot zener như
ở hình 4.2.3.4.b, lúc này Ur=xx+UDZ.
Trong thực tế cần tạo ra nguồn đối xứng (2 cực tính)
để cấp cho các khuếch đại thuật toán. Sơ đồ bộ
nguồn như vậy trình bày trên hình 4.2.3.5 bao gồm
cả mạch chỉnh lưu và ổn áp.
c. Vi mạch LM317. LM317
In Out
Đây cũng là một loại vi mạch thông dụng ba chân với
điện áp ra có thể điều chỉnh được trong khoảng 1,25 H×nh 240
v÷25v. Sơ đồ mắc mạch có dạng hình 4.2.3.6. Điện áp 4.2.3.6
chuẩn là 1,25 v. Điện áp ra tính theo công thức. M¹ch 1μF
R 2
IC 5K
U = 1,25(1 + ) V LM317
R 1
4.2.4 Nguyên lý ổn áp xung.
Trong các thiết bị điện tử chất lượng cao người ta sử dụng ổn áp xung. Ví dụ các máy thu hình
màu hay các máy tính cá nhân ta sử dụng ngày nay làm việc rất ổn định, ta không cảm thấy có
sợ bất ổn của nguồn khi vận hành chúng. Sở dĩ như vậy vì ổn áp xung có những ưu điểm nổi
bật so với ổn áp bù tuyến tính . Đó là :
• Trong ổn áp xung phần tử hiệu chỉnh không phải làm việc liên tục mà chỉ thông trong
khoảng thời gian tồn tại của xung nên tổn hao nhiệt trên nó giảm, hiệu suất cũng như độ
bền của mạch tăng.
• Phạm vi hiệu chỉnh rộng.
• Mạch nguồn gọn nhẹ vì làm việc ở tần số khá cao.
Xét nguyên lý ổn định khi một khoá cơ điều khiển đóng ngắt nguồn liên tục như ở hình
4.2.4.1a để tạo nên điện áp xung hình 4.2.4.1b
Giá trị trung bình của xung được xác định bằng diện tích xung h.tx trên độ dài một chu kỳ
xung:
h.t x U.t x
Utb= =
T T
Trong ổn áp xung người ta giữ cho giá trị trung bình Utb của xung không đổi. Từ biểu thức trên
ta thấy muốn giữ cho giá trị trung bình
tx
của xung không đổi cần cho tỷ số
T
biến thiên theo chiều ngược lại với
chiều biến thiên của U. Như vậy có thể
thay đổi chu kỳ hoặc độ rộng hay độ
rỗng (khoảng cách giữa các xung) của
xung để đạt mục đích trên. Trong thực
tế người ta sử dụng khoá điện tử trên
tranzisto công suất thay cho khoá cơ khí
K.
Ta xét nguyên lý xây dựng một mạch ổn áp xung theo sơ đồ khối hình 4.2.4.2.a. Khi thông,
khoá K dẫn năng lượng từ nguồn một chiều đến phần tử tích luỹ năng lượng (là cuộn cảm và tụ
điện ). Khi khoá tranzisto ngắt thì phần tử tích luỹ cung cấp năng lượng cho mạch tải. Tần số
đóng mở của khoá thường chọn trong khoảng 16÷50 Khz để chánh nhiễu âm thanh. Trong dải
tần số này tải là cuộn cảm có lõi là pherit là thích hợp nhất. Trong hình 4.2.4.2a khoá K mắc
nối tiếp với tải. Mạch so sánh thực hiện trên khuếch đại thuật toán là mạch so sánh có trễ. Khi
điện áp ra giảm đến mức U2 ( đồ thị hình 4.2.4.2b) thì khoá K thông, nguồn một chiều cấp năng
lượng cho mạch, cuộn cảm nạp điện, điện áp trên cuộn cảm tăng, điện áp ra tăng theo. Khi điện
áp ra đạt giá trị Ur’=U1 thì khoá
Ur’ Đặc tính thực
U1
L C U2
K
R2 R1 t
Y Ur'
Ur
Rt t
R3
Uch
a) b)
Hình 4.2.4.2 a)Một phương án xây dựng ổn áp xung

b)Đồ thị thời gian điện áp ra Ur’và điện áp ở bộ so sánh
ngắt, cuộn cảm phóng điện cùng chiều với tải. Quá trình lặp lại có chu kỳ. Độ gợn sóng bằng
hiệu hai điện áp ΔU=U1-U2 ( khoảng vài chục mV).
Các mạch ổn áp xung trong thực tế thường được xây dựng theo sơ đồ khối hình 4.2.4.3 .
• Mạch chỉnh lưu 1 chỉnh lưu điện áp xoay chiều của điện lưới 220V-50Hz thành điện áp
một chiều để cấp cho mạch nghịch lưu và ổn áp.
• Mạch nghịch lưu biến đổi dòng một chiều thành xung “ngắt-mở” với tần số như trên,
nên có thể coi là dòng xoay chiều hình sin. Năng lượng dòng xoay chiều này sẽ qua biến
áp xung chuyển sang mạch thứ cấp.
• Mạch chỉnh lưu thứ hai nắn dòng xoay chiều tần số cao, cho tần số đập mạch lớn, lấy ra
các điện áp một chiều cấp cho các mạch trong máy để duy trì chế độ làm việc ổn định
của toàn máy.
• Mạch ổn áp: điện áp một chiều trên được so sánh điện áp ra với một mức điện áp chuẩn;
Sai số thông qua mạch dò sai được dùng để điều khiển ngắt mở khoá điện tử nhanh hay
chậm (tốc độ ngắt mở-tức điều chế tần số xung) hoặc lâu hay chóng (tức là điều chế độ
rộng của xung) tuỳ theo mức điện áp ra. Ví dụ với phương pháp điều chế độ rộng của
xung thì: mức cao thì thời gian thông của khoá ngắn và ngược lại; tức là giữ cho giá trị
trung bình theo là không đổi.
Ví dụ ta xét mạch nguồn ổn áp xung trong một máy thu hình màu trình bày trên hình 4.2.4.4.
Mạch ổn áp này duy trì chế độ là việc ổn định của toàn máy khi điện áp lưới biến thiên trong
dải rất rộng: 80V÷260V
NghÞch lu-æn ¸p ChØnh lu møc hai

D5 (5) D6
ChØnh lu møc mét +115V
C4
(6) C5
(3)
D4 R2 C2 R3 C3
(4)
80-260 D1 D7
(1)
V. +15V
C6
D3 K
3 4
~ D2 (2) C7
C1 D8 -30V
2
1 R1 5 VR
Dß sai
H×nh 4.2.4.4.Nguån æn ¸p xung . ChØnh møc ®iÖn ¸p ra
Mạch nghịch lưu: Điện áp một chiều được cầu nắn trên 4 diot D1-D4 chỉnh
lưu thành một chiều, được lọc bằng tụ C1 rồi dẫn đến cuộn (1)-(2) rồi đến chân 3 của khoá T
chờ. Nếu khoá K thông thì mới có dòng qua nó và điện trở R1. Chính dòng điện qua nạp cho tụ
Xung tÇn sè quÐt dßng C2 (dòng:+→R2→Bazơ khoá K
(3)→Emitơ(4)→R1→ -) mở thông khoá K lần đầu
tiên, làm cho dòng coletơ qua cuộn (1dương +) -
(2âm - ) cảm ứng sang (3dương+) - (4âm -). Âm ở
Xung nghÞch lu khi møc ®iÖn t (4) qua C3-R3 quay về bazơ đóng tranzisto lại.
¸pcaoU=260V
Khoá tắt thì dòng qua (1)-(2) giảm đột ngột về 0,
tạo nên điện áp cảm ứng sang (3)-(4) ngược dấu
Xung nghÞch lu khi møc ®iÖn ¸p t khi trước. Xung dương ở (4) lại thông khoá K và
võaU=180V quá trình nghịch lưu tiếp tục. Năng lượng xoay
chiều qua biến áp xung qua cuộn thứ cấp và các
t diot chỉnh lưu thành các điện áp một chiều tương
Xung nghÞch lu khi møc ®iÖn ¸p ứng cấp cho các mạch trong máy.
thÊpU=80V
Mạch ổn áp: Khi nguồn vào ở mức cao thì hạ áp
trên cuộn (1)-(2) cao nên ghép sang cuộn (5)-(6)
H×nh 4.2.4.5. t cũng cao. Diot D5 chỉnh lưu, đưa lượng một chiều
lớn về chân 1 IC dò sai. Mức này được so sánh với ngưỡng lấy ra từ triết áp VR. Kết quả so
sánh đem điều khiển tranzisto khoá K thông trong thời gian rất ngắn. Vì vậy năng lượng
chuyển sang thứ cấp vẫn ổn định. Khi nguồn thấp thì qúa trình diễn ra ngược lại. Trong mach
này ,khi nguồn đã ổn định thì người ta đưa xung quét dòng về cưỡng chế mạch nghịch lưu
thông - tắt theo nhịp tần số quét dòng. Như vậy dạng dao động xung ở biến áp xung có dạng
như hình 4.2.4.5.

Bai Giang DTCNTT

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Bai Giang DTCNTT

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Phần 2:

1.1 Linh kiện tích cực :

Hình 1.1.1.1. Sơ đồ các mạch nguồn dòng dung Transistorr

Hình 1.1.1.2. Sơ đồ mạch nguồn dòng dung OpAmp

Hình 1.1.2.1. Sơ đồ mạch nguồn áp

1.2 Linh kiện thụ động:

Trị số của cuộn cảm phụ thuộc vào dòng

Hình 1.2.3.3. Máy biến áp

Hình 1.2.3.4. Một số hình ảnh nam châm điện

Hình 1.2.3.5: Micro và loa điện động

1.3 Linh kiện bán dẫn

Hình 1.3.1.1. Các vùng năng lượng của chất rắn

Với: R0 là hằng số, ΔEg là độ rộng vùng cấm.

1.3.2 Các ứng dụng của chất bán dẫn

trình chuyển động khuếch tán chấm dứt và tồn

Hình 1.3.2.4 Đặc trưng Voltage-Ampe của Diode

Hình 1.3.2.5 Mốt số loại Điốt

Hình 1.3.2.8. Sơ đồ mạch và nguyên lý hoạt động của Transistor

• Trạng thái ngưng dẫn:

Hình 1.3.2.9. Sơ đồ mạch thử Transistor

Cặp chân Transistor Si Transistor Ge

¾ Phân loại transistor

Hình 1.3.2.10. Một số loại Transistor

1.4 Kết luận

2.1 Khái niệm và phân loại khuếch đại

2.1.2. Phân loại khuếch đại

2.2.2 Đặc tính biên độ tần số và pha tần số

φ (ω) - argument của K& ( jω ) .

ωt1 ωt2 ωt3 ωC1 ωC2ωC3 ω

Trong đó, τt - hằng số thời gian ở vùng tần số thấp

Trở kháng ra: Zr = Rc // rCE

2.3.3 Khuếch đại colectơ chung. R2 Ur

2.3.4.1 Khuếch đại FET mắc cực nguồn chung.

2.3.4.2 Sơ đồ cực máng chung hay lặp cực nguồn.

Tổng quan về ba loại sơ đồ dùng transistorr lưỡng cực và

Sơ đồ Emitơ Colectơ Bazơ Nguồn Máng Cửa

c. Chọn chế độ tĩnh của transistor

Khi IC = 7mA thì IB = 0,2mA,Khi IC =14mA thì IB = 0,4mA.

Chọn CE = 100μF - 16v

Hình 2.4.1. Cấu tạo vi mạch KĐTT 741.

2.4.2 OpAmp lý tưởng và thực tế:

Hình 2.4.2.2. Sơ đồ tương đương vi mạch KĐTT.

Hình 2.4.2.3. Sơ đồ tương đương vi mạch KĐTT lý tưởng.

Từ ba đặc điểm trên, với vi mạch KĐTT lý tưởng ta luôn có:

Hình 2.4.3.1.1. Mạch khuếch đại đảo.

Tính toán đầu ra U2:

Thay U − = 0 vào ta có:

2.4.3.2 Mạch khuếch đại không đảo:

Hình 2.4.3.2. Mạch khuếch đại không đảo.

2.4.4 Mạch cộng trừ:

Hình 2.4.4.1.1. Mạch cộng đảo.

Hình 2.4.4.1.2. Mạch cộng đảo tổng quát.

b. Mạch cộng không đảo:

Hình 2.4.4.1.3. Mạch cộng không đảo.

Tính toán đầu ra U2:

2.4.4.2 Mạch trừ:

Hình 2.4.4.2.1. Mạch trừ.

Tính toán đầu ra Ur:

Thay U − = U + vào ta có:

2.4.4.3 Mạch cộng trừ tổng quát:

2.4.5 Mạch vi tích phân:

Tính toán đầu ra Ur:

2.4.5.2 Mạch vi phân:

0 < t < T/2:

T/2 < t < T:

0 < t < T/2:

T/2 < t < T:

0 < t < T/2:

T/2 < t < T: