Fundamentos da Eletrnica

Introduo.
1-Os princpios fundamentais da Eletrnica esto baseados na eletricidade, cujo
fundamento radica na estrutura da matria.Os tomos de todos o materiais constam de um
ncleo e de um envoltrio.No ncleo se encontram os prtons que so particulas com carga
eltrica positiva e os neutres . No envoltrio, girando em rbitas a grande velocidade,
esto os eltrons, que so particulas de carga negativa.Como h as mesmas cargas positivas
e negativas, o tomo neutro. Os eltrons das rbitas afastadas do ncleo , os qais podem
escapar-se da rbita , se houver uma fora de atrao externa maior que a do ncleo. Se um
tomo perder eltrons ficar carregado positivamente. A quantidade de eltrons que se
translata de tomo a tomo pela unidade de tempo, o que se chama intensidade eltrica. A
unidade de medida da intensidade o Ampre{A} e significa que passam 6,23 trilhes de
eltrons(1 coulomb) em um segundo.

Diferena de tenso ou diferena de potencial.

2- A tenso de um corpo a carga eltrica positiva ou negativa que ele possui por unidade
de volume.Mede-se em volts(V).A diferena de tenso ou de potencial a diferena de
tenso que existe entre dois corpos e a magnitude que tem verdadeiro interesse, porque,
quando dois corpos se pem em contato entre si, a passagem de eltrons para o corpo mais
positivo que o atrai depende exclusivamente da diferena de potencial entre eles.

A lei de Ohm.
3 -Quando dois corpos com diferente tenso se comunicam entre si mediante a um fio
condutor,produz-se uma corrente de eltrons para o corpo mais positivo que o atrai.A lei de
Ohm quantifica o valor da intensidade eltrica (A) que se cria ao se conectarem dois corpos
com diferena de potencial(V), atravs de um fio condutor que apresenta uma determinada
resistncia passagem dos eltrons. A oposio que oferecem os corpos passagem da
corrente eltrica chama-se "resistncia"e mede-se em ohms(R). A formula da lei de Ohm :
I (Amperes)=V(volts) / R(Ohms)

Componentes passivos e ativos.

4-Nas montagens eletrnicas se utilizam estes dois tipos de componentes . Os passivos so
basicamente trs: resistores, capacitores, e bobinas. Os ativos mais usados so os diodos e
os transistores. Os componentes passivos esto fabricados com meteriais condutores e
isoladores, enquanto os ativos se fazem com materiais semicondutores, com silicio eo

germnio. O comportamento destes dois tipos de componentes perante a passagem da

corrente eltrica completamente diferente.

Resistncias:
5 -So componentes passivos fabricados com materiais isoladores que oferecem uma
resistncia determinada passagem da corrente eltrica, que vem definida pela lei de ohm.
Se lhes aplicarmos o dobro de tenso, circular o dobro de corrente. A funo entre estes
dois parmetros fundamentais linear.

As resistncias podem se associar em srie, colocando uma detrs das outras, oferecendo
uma resistncia equivalente, igual a soma das resistncias que se conectam em srie.
Quando se associam em paralelo, a resistncia equivalente mais baixa que a menor e seu
valor calculado conforme a frmula:
Exemplo:

Capacitores:

6-Um capacitor est formado por duas placas metlicas separadas por um diletrico. Ao se
aplicar uma diferena de tenso entre as duas placas ou armaduras, passam eltrons de uma
armadura outra, originandoa carga do capacitor. A relao entre a carga que adquirem as
armaduras e a diferena de tenso aplicada chama-se "capacidade"e mede-se em Farads,
sendo definida pela frmula:

Exemplo:
C=Q / V
C: Farads; V: volts e Q: Coulomb (6,23 trilhes de eltrons)
Quando se aplica uma diferena de tenso de corrente contnua a um capacitor, carregam-se
suas armadura atalcanar a mesma tenso que lhes aplicada. Nesse ponto deixam de
passar eltrons de uma armadura outra, por isso se diz que se bloqueia, ou ento, que no
deixa passar a corrente continua. Na realidade, deixa-a passar num primeiro instante, atque
a carga do capacitorcompense a diferena de tenso. O tempo que um capacitor demora
para carregar-se ao ser-lhe conectad a uma tenso de corrente continua proporcional ao
produto de sua capacidade pela resistncia do circuito. Ao aplicar uma tenso de corrente
alternada, a continua mudana de polaridade nas armaduras faz com que se carregue e de
descarregue em cada semiperiodo, ou seja, ao ritimo de trequncia da corrente alternada.
Essa circulao nos dois sentidos da corrente eltrica parece que deixa passar a corrente
alternada, comportando-se como uma resistncia que se chama reactncia de capacidade
Xc, cujo o valor em ohms vem dado pela seguinte formula.
Exemplo:
Xc=1 / 2.r.f.c
Xc se mede em ohms, f a freqncia da corrente alternada em Hertz e C so os farads.
Perante as correntes altenadas o capacitor oferece uma resistncia muito pequena as altas
freqncias. Os capacitores, assim como as resistncias, podem-se associar em srie e em
paralelo, mas as frmulas para calcular a capacidade equivalente so as inversas s usadas

com as resistencias . Assim , a capacidade total de varios capacitores aclopados em paralelo

igual soma de suas capacidades.

Bobinas:
7-A bobina consiste em um fio de cobre enrolado em forma de espiral sobre um suporte
cilndrico.Sua propriedade mais importante a de comportar-se como um im quando por
ela circula uma intensidade eltrica. Perante a corrente continua a bobina se comporta como
um fio condutor de muito baixa resistncia , porque ao ser constante a corrnte, no se
produz efeitos de auto-induo.A bobina funciona, ao contrrio que o capacitor, com
corrente contnua, pois deixa-a passar em vez de bloque-la. Se se aplicar uma corrente
alternada a uma bobina, variar o magnetismo que ela gera e o que corta mesma bobina,
aparecendo o fenmeno da auto-induo, que apresenta uma certa resistncia ao passar a
corrente alternada, indutiva, cujo valor vem dado por:
Exemplo:
XL=2.r.f.L
Sendo XL a reactncia indutiva medida em ohms, f a freqncia e L o coeficiente de autoinduo da bobina medido em Hertz. Perante a corrente alternada, quando maior for a
freqncia, maior ser a resistncia da bobina, diferentimente do que acontece com o
capacitor.

O DIODO SEMICONDUTOR.
Semicondutores P e N.
8-Os componentes eletrnicos ativos, diodos e transistores, so construidos com materiais
semicondutores e no apresentam em comportamento linear quando a corrente eltrica os
atravessa. Os materiais semicondutores puros que mais se usam so o silcio e o germnio,
que se caracterizam por dispor, em sua ltima rbita atmica, de quatro eltrons na rbita
de valncia, estes materiais tm a propiedade de compartilhar outros quatro eltrons com
quatro tomos circundantes, conseguindo uma estrutura estvel com que se comportem
como materiais isoladores. Se a um semicondutor puro, de estrutura muito estvel,
agregam-hle tomos de impurezas que tenham em sua ltima rbita trs ou cinco eltrons,
estes passam a ocupar os postos de outros tomos semicondutores, que teriam quatro
eltrons perifricos. Quando chega a vez de um tomo de semicondutor puro compartilhar
letrons com um de impurezas, se este tiver trs eltrons na rbita de valncia, ser
necessrio um para tornar-se estvel. A ausncia de um eltron chama-se "oco". Se o tomo
de impurezas tiver cinco eltrons, um eltron ficar livre. Os semicondutores de tipo P
procedem da incluso de tomos de impurezas trivalentes na estrutura atmica do
semicondutor puro. Por cada tomo de impureza cria-se um oco. Se os tomos de
impurezas so pentavalentes, o semicondutor ao que se agrega chama-se de tipo N , e nele ,
por cada tomo de impureza, cria-se um eltron livre. Resumindo: os semicondutores de

tipo P tm ocos, o que a mesma coisa dizer que lhes faltam eltrons. Aos semicondutores
de tipo N lhes sobram eltrons livres em sua estrutura atmica.

A unio N-P.
No semicondutor de tipo P h muitos ocos livre. Tambm h alguns eltrons livres,
minoritrios, originados pela energia trmica. Pelo contrrio, no semicondutor de tipo N,
existem muitos eltrons livres majortrios e muito poucos ocos minoritrios. Se se unirem
os dois tipos de semicondutores, a lei da difuso tenta equilibrar as concentraes de
portadores e, consequentemente, origina-se uma corrente de eltrons majoritrios na zona
N, que se dirige zona P e uma corrente de ocos da zona P N. Ao se juntarem na zona de
unio os eltrons livres com os eltrons ocos, produz-se uma zona neutra estavl neste
espao, ao mesmo tempo que a zona N ao ficar sem eltrons e ser neutra, inicialmente,
acumula carga positiva e a zona P ao perder ocos acumula carga negativa.

Polarizao direta e inversa.

Se externamente aplicarmos ao diodo uma tenso que vena a barreira de potencial,
eleminar-se- a causa que impede seguir unindo eltrons da zona N com ocos da zona P, e
produz-se uma corrente de portadores mojoritrios em ambos os sentidos. Esta forma de
polarizar o diodo chama-se "direta" e , zona N, que se chama ctodo, aplica-se o plo
negativo e zona P, nodo e positivo. Como a barreira de potencia costuma valer uns 0,7V,
ser necessrio que se aplique, externamente, uma tenso igual ou maior para que os
portadores se unam e a unio N-P se comporte como condutora. Na polarizao
nversa"trocam-se os polos de tenso externa:negativo ao nodo e positivo ao ctodo. Desta
forma , refora-se a berreira de potencia e torna-se ainda mais dificil que se unam os
portadores majoritrios das duas zonas. S circula uma corrente de pouca importancia,
produzida pelos poucos portadores minoritrios que h em cada zona . O diodo se comporta
como um dieltrico.

Curva caracteristica.
Se se aplicarmos ao diodo uma tenso cujo o plo positivo se aplique ao nodo e o negativo
ao ctodo, aquele se comportar como um condutor,de maneira que quando mais tenso
direta se aplique mais corrente circular. Se se trocar a polaridade comportar-se- como um
dieltrico e s circularuma intencidade desprezivel, devido aos portadores minoritarios
que sempre existem nos semi-condutores devido agitao trmica.

Aplicao do diodo : A retificao.

Aproveitando o comportamento do diodo semi-condutor, que muda radicalmente quando se
inverte a polaridade externa , a aplicao principal que se destina retificar a corrente
alternada, isto , deixar que dos dois semiciclos desta corrente s passe um deles, que ser
o que corresponda com polaridade direta. A eleminao de um dos semiciclos da corrente
alternada se chama retificao e o primeiro passo qeu se realiza para transformar a
corrente alternada em contnua.

DIODOS RETIFICADORES.
9-A principal aplicao dos diodos semicondutores a retificao da corrente alternada. As
companhias distribuidoras de energia eltrica fornecem-na, por sua convenincia, em
alternada e na Europa, especificamente, a 220V e 50 Hz. Os aparelhos eletrnicos, como
televisores, os computadores,funcionam com corrente continua e , portanto, estes aparelhos
devem dispor de um circuito que transforme a corrente alternada em continua. Este circuito
chama-se "fonte de alimentao". Para levar a cabo este trabalho de transformao
imprescindivel a atuao do diodo semicondutor, o qual elimina um dos semicicos da
corrente alternada. Com um s diodo retifica-se um semiciclo; este circuito chama-se
retificador de meia onda. Com os diodos e um transformador, cujo secundrio tenha uma
toma mdia, obtm-se o retificador de onda completa, que aproveita os dois semiciclos da
c.a.

A ponte de Graetz.
Uma conexo especial de quatro diodos semicondutores, chamada"ponte de
Graetz",permite contruir um retificador de onda completa, mas sem necessidade de usar um
transformador especial que disponha de um secundrio com toma mdia . Estas pontes se
utilizam muito na prtica e se comercializam em cpsulas com os quatro diodos j
interconectados.

Diodos LED electroluminescentes.

10-Embora exista uma ampla variedade de diodos semicondutores que se caracterizam e se
empregam por suas diversas propriedades, os mais interessantes, depois dos retificadores,
so os que emitem luz quando so atravessados por uma corrente eltrica. Geralmente so
fabricados com Arseniuro de Galio e quando uma corrente entre 1 e 10 mA circula por eles,
emitem uma luz proporcional a esta corente. Para que emitam luz deve circular por eles
uma corrente e estarem polarizados diretamente. Em srie, deve-se colocar-lhes uma
resistencia de absoro, pois o LED absorve entre seus extremos uma tenso de 1,2 a 2 V
para vencer a barreira de potencia, deixando o resto para a mencionada resistncia, cujo o
valor determinar o valor da corrente. Na cpsula que contm o LED, existe uma parte
plana que se usa para identificar o ctodo.

O TRANSISTOR.
11-O revolucionrio descobrimento que deu passo eletrnica sucedeu em 1947, quando os
investigadores Barden e Brattain apresentaram ao mundo o transistor. At ento tinham-se
usado as vlvulas para amplificar os sinais eltricos. As vlvulas eram ampolas de vidro,

hermeticamente fechadas e das quais se extraia o ar para deixar circular mais livremente os
eltrons. Os eltrons se produziam aquecendo a vrias centenas de graus um metal de alto
poder emisor, ao qual se dava o nome de ctodo. Perante o ctodo, outro metal em forma
cilindrica, o nodo, se polarizava positivamente e atraa a corrente de eltrons que o ctodo
aquecido emitia. A vlvula formada por ctodo e nodo se comportava igual um diodo
semicondutor. Para conseguir a amplificao entre o ctodo e o nodo se enrolava entre
uma espiral metlica qual se aplicava o sinal a amplificar e que recebia o nome de grade.
A vvula amplificadora com ctodo, nodo e grade se chamava triodo. As vlvulas eram
muito custosas de construir, trabalhavam com altas temperaturas que afetavam todos os
elementos contguos, e para a emiso do ctodo consumiam muita energia e tinham uma
vida limitada , pois os metais emissores de eltrons tinham uma durao de uma 20.000
horas. O transistor um minusculo pedao de material semicondutor ou chip que realiza as
mesmas funes que o trodo , mas que tem uma durao limitada, quase no consome
potncia , trabalha com baixas temperaturas e muito barato. um grozinho de areia
encapsulado com trs pernas.

A ESTRUTURA INTERNA.
. Um transistor construido com trs capas alternadas de semi-condutores do tipo E e P,
por isso existem dois tipos de transistores: o NPN e o PNP. Cada pedao de um
semicondutor um eletrodo e cada um deles recebe o nome de emissor, base, e coletor,
respectivamente, estando conectado, cada um por sua conta, a uma das pernas da cpsula.
Embora o comportamento dos dois tipos de transistoers seja o mesmo, o sentido das
correntes que os atravessa, assim com a polaridade das tenses que os alimentam so
contrarias nos NPN e nos PNP. Os smbolos que representam os dois tipos de transistores
s se diferenciam no sentido da seta que identifica o emisor, que nos NPN no
penetra",enquando nos PNP sim"penetra".Uma propriedde que sempre se cumpre em
ambos os tipos de transistores que a intensidade do emisor igual soma da do coletor
mais a base. As cpsulas dos transistores adotam diferentes formas e contm referncias

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para distinguir claramente os trs eletrdos. N exemplo mostra-se a distribuio do emisor,

a base eo coletor na cpsula de alguns transistores muito comuns.
Exemplo:
I____C
B----I
___>E
NPN

Tipos de transistores e sua fabricao.

12-O uso generalizado dos transistoes motivou a melhoria contnua ds mtodos de
fabricao, assim como de suas coracteristicas. As investigaes e os diferentes processos
que ele gerou permitem que na atualidade existam numerosos fabricantes com amplas
gamas de modelos que cobrem todas as aplicaes. Os processos de construo mais
empregados so:
1-Transistores de pontas de contato.
Num pedao de semicondutor do tipo P, incidem a presso, duas pontas metlicas
separadas a uma pequena distncia.
2-Transistores de ligamento difuso.
Sobre um pedao de semicondutor do tipo N, por exemplo, colocam-se dois pedaos de
impurezas trivalentes,que se difudem ao se aqueser a elevadas temperaturas.
3 Transistores de ligamento.
Sobre uma placa de semicondutor do tipo P, que funcionar como Coletor, deposita-se im
pedao de material N, que funcionar como base e outro do tipo P que funcionar como
Emisor, procedendo liga alta temperatura.
4 Transistores de tcnica epitaxial.
Baseia-se no controle da contaminao das impurezas sobre o vidro.
5 Transistores de tcnica planar.
Baseia-se na oxidao de todas as superfcies para conseguir um isolamento perfeito.
O transistor em funcionamento.
Se se polarizarmos a unio base/emisor de um transistor,produz-se uma corrente eletrnica
no emissor que se distribui enter a base eo coletor.Se o coletor estiver polarizado
fortemente ira atrair a corrente do emissor, a maior parte desta corrente passar ao coletor,
ficando muito pouca na base ,que se encontra debilmente polarizada.
O efeito amplificador.
Alterando levemente a polarizao da base, VBE, modifica-se o valor das trs correntes do
transistor. A base muda muito pouco, dada q pequena polarizao de sua unio N_P com o
emissor, mas com a do coletor sucede o contrrio, devido elevada voltagem que se aplica
a este eletrodo. As grandes variaes da corrente do coletor provocam grandes mudanas de
tenso que absorve a resistncia de carga, o que faz com que se dem importandes
variaes de tenso e VCE. Concluindo, pequenas transformaes da tenso de
entrada(base) originam grandes variaes de tenso na saida(coletor).
Clculo da amplificao.
Encontra-se a amplificao de tenso de um transistor, dividindo-se o incremento da tenso

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de saida entre o correspondente entrada.

Exemplo:
Amplificao de tenso.
(VCE) / (VBE)=(5-6) / (0,7-0,6)= -10
O valor da amplificao de tenso de -10, o que significa que o circuito exemplo acima,
aplifica 10 vezes as variaes de tenso que se produzem em sua entrada, mas em sentido
inverso. O simbolo "-" significa que, quando a tenso de entrada subir, a de saida descer ,
isto , ambos os sinais esto invertidos.
Se a entrada do circuito estudado se aplicar um sinal de corrente alterna de 0,1V de valor
mximo admitido, e se supe que a tenso VBE est polarizada com um valor fixo de 0,6V,
a corrente do coletor passa de 3 a 5 mA nos dois picos da tenso alterna.
O que um circuito integrado?
uma pastilha de plstico, material cermico ou metlico, em cujo interior existe um pequeno
pedao de silcio, chamado "chip", sobre o qual foram montados transistores,diodos,resistnciase
outros componentes eletrnicos,conectados entre si,formando um circuito funcional completo.
As pernas do circuito integrado servem para conectar as entradas e sadas do circuito interno com
o exterior.
Diagrama de conexo.
Cada perna do circuito integrado tem designada uma entrada ou sada do circuito interno que
serve para conect-la com o exterior. Diferenciam-se entre si porque cada uma recebe um nmero
concreto. o diagrama de conexes permite ao usurio conhecer a misso de cada perna, de modo
que possa conect-la corretamente.
Fabricao.
Um circuito integrado moderno contm vrios milhes de transistores e cada ano aumenta este
valor.O circuito integrado chamado Pentium um micro processador que configura o crebro de
nosso computador pessoal ou PC.A primeira verso do pentium de 1997 e continha 3,1milhes de
transistores,e foi fabricado com tecnologia de 0,8 mcra.Os atuais se fabricam com tecnologia de
um dcimo de mcron e contm quatro vezes mais transistores.
Para fabricar um circuito integrado parte-se de um lingote cilndrico de cristal de silcio, que se
corta em rodelas,que se podem denominar bolachas.Essa bolacha polida e inspecionada com
microscpio eletrnico,pois requer uma pureza total para o correto funcionamento de todos os
chips que se obtenham dela.Sobre essa bolacha vo se criando as regies N e P,mediante a
difuso de um material gasoso pentavalente ou trivalente em um forno a elevada temperatura.Os
tomos do gs penetram na estrutura do semicondutor de silcio e formam as zonas N e
P.Ordenando adequadamente a criao das capas alternadas de semi-condutores vo se
construindo resistncias,diodos e transistores.
Da fabricao a arte.
Para conseguir nos situar no momento presente, isto ,no comeo do sculo XXI, no estado atual
da tecnologia de fabricao de circuitos integrados, vamos nos referir evoluo histrica da
familia de microprocessadores mais usadas no mundo.Trata-se da familia x86 da INTEL.

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O pai desta familia pode ser considerado o micro 386 que apareceu em 1985,que constava de
275.000 transistores e se fabricava com uma tecnologia que superava o mcron.
Alimentava-se com uma tenso de 5VCC e consumia 2,5 W.
Quatro anos mais tarde,apresentou-se o 486 que j continha mais de um milho de
transistores,exatamente 1.200,000,e utilizava tecnologia de 2 micra.Outros quatro anos mais
tarde,em 1993,apresentou-se no mercado mundial o Pentium clsico,continua produzindo
inumerveis modelos at o dia de hoje.Apresentamos os dados relevantes desta saga de
microprocessadores,que no terminou e que cada ano apresenta cada vez mais modelos
diferentes,melhorando seu rendimento e seu preo.s vezes,esta vertiginosa carreira tecnolgica
confudem os usurios que tm a impresso de que no mesmo momento em que saem da
loja,depois de terem comprado um computador,entra um novo modelo muito mais rpido e mais
barato.

Modelo e
Ano
microprocessador

Milhes de
transistores

Tecnologia(Micra)

Pentium

1993 3,1

Pentium-Pro

1995 5,5+15,5(Cach) 0,6

Pentium MMX

1997 4,5

0,35

Pentium II

1997 7,5

0,25

Pentium III

1999 9,5

0,18

Pentium 4

2000

42

0,8

0,18

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