DE UNA FUENTE DE

ELABORACION
VOLTAJE DE LABORATORIO Y MEDIDA
DE LOS
DEL PUNTO DE OPERACION
TRANSISTORES BJT Y JFET
Leon Pichen Kevin Esleiter(a) , Medina Chanduvi Hugo(b)
(a,b)Alumnos de la escuela de fsica (VII ciclo) de la universidad nacional de Trujillo
Laboratorio de Electronica, Escuela Academico Profesional de Fsica
Facultad de Ciencias Fsicas y Matematicas, Universidad Nacional de Trujillo
Av. Juan Pablo II s/n, La Libertad, Trujillo, Per
u.
Realizado: 03/09/15
Entregado: 10/09/15

1.

3.

Resumen

En el presente informe de laboratorio se

se elaboro una Fuente de Voltaje orientado a
la alimentacion de peque
nos circuitos de bajo
consumo con salida fija y variable. Ademas se
realizo un estudio emprico de la polarizacion
de circuitos con transistores BJT y JFET, con
lo cual se determino el punto de trabajo de estos dos tipos de transistores. Para el caso del
JFET fue necesario encontrar su corriente IDSS
para cuando la compuerta estaba en corto circuito con la fuente, y su voltaje Vp para cuando
la compuerta y la fuente estaban conectadas a
una fuente de tension variable.
Para este practica de laboratorio se conto con dos reguladores monolticos (7812 y el
LM317), y los transistores BJFET(2N3904) y
JFET(K373).

2.

Fundamento Te
orico:

Muchas veces es deseado contar con una

fuente de voltaje de baja potencia en el laboratorio con el fin de alimentar peque
nos circuitos de bajo consumo, tales como amplificadores de peque
na se
nal o realizar estudios sobre
las posibles configuraciones de polarizacion de
estos. El algunos casos se utilizan transformadores que poseen un devanado cuya salida es de
6.3 o 12.6 Vac . Con el cual podemos con algunos componentes que podamos encontrar con
relativa facilidad en el mercado local y construir o implementar fuentes de voltaje de baja
potencia para el Laboratorio.
Para ello solo necesitamos realizar la rectificacion de la salida AC del transformador y
luego filtrado, necesitando para ello un puente
de diodos o su equivalente de 4 diodos y un
condensador de unos 1000F y una tension de
25V . Contando hoy en da con los reguladores monolticos de tres terminales de las series
78XX o LM 340, donde XX expresa el voltaje
fijo de trabajo o el LM 317 cuyo voltaje a obtener lo podemos determinar haciendo uso de un
par de resistencias, as que podemos escoger el
voltaje para trabajar entre unos pocos Voltios
(1,26) a aproximadamente 12Vdc .
Para que el transistor este en condiciones de
trabajo este ha de ser polarizado con su punto
Q cerca del centro de la linea de carga de DC,
con el objeto de que luego se puede acoplar una
peque
na se
nal AC en la base.

Objetivos:
Implementar fuentes de tension regulada
de salida Fija y variable para uso en el
Laboratorio.
Usar lo CI de tres terminales y un transformador con salida de calentamiento de
valvulas de 12,6 Vac .
Determinar el punto de operacion de las
configuraciones de polarizacion con BJT
y JFET.
1

De las variadas configuraciones de polarizacion tomaremos la polarizacion por divisor de

voltaje para el BJT y la configuracion de autopolarizacion para el JFET, a fin de realizar
su estudio.

3.1.

analizar un circuito divisor de voltaje en el cual

IB es peque
na comparada con I2 , en primer lugar se calcula el voltaje en la base por medio
de la regla del divisor de voltaje sin carga:


R
2
VCC
(1)
VB
=
R1 + R2

Polarizaci
on por Divisor de
Una vez que se conoce el voltaje en la base
Voltaje - Transistor BJT
se pueden calcular los voltajes y corrientes en

Un voltaje de polarizacion en cd en la ba- el circuito, de la siguiente manera:

se del transistor puede ser desarrollado por un
VE = VB VBE
divisor de voltaje resistivo compuesto de R1 y
R2 , como muestra la figura 3.1. VCC es el voltaVE
IC
= IE =
je de alimentacion de cd en el colector. Existen
RE
dos trayectorias para la corriente entre el punEntonces:
to A y tierra:una a traves de R2 y la otra a
traves de la union base-emisor del transistor y
VC = VCC IC RC
RE .[1]
Con VC y VE conocidos, se determina
VCE = VC VB

3.2.

(2)
(3)

(4)
VCE
(5)

Transistor JFET

El FET1 es un dispositivo activo que opera

como una fuente de corriente controlada por
voltaje. Los mas comunes son los transistores
de compuerta aislada llamados MOSFET y los
de compuerta de union llamados JFET[2]. El
JFET tiene tres terminales: Fuente (Source),
Drenador (Drain) y Compuerta (Gate).[2]

Figura 3.1. Polarizacion con divisor de

voltaje.
En general, los circuitos de polarizacion con
divisor de voltaje se dise
nan de modo que la
corriente en la base sea mucho menor que la
corriente (I2 ) que pasa a traves de R2 en la
figura 3.1. En este caso, es muy facil analizar
el circuito divisor de voltaje porque el efecto
de carga de la corriente en la base puede ser
ignorado. Se dice que un divisor de voltaje en
el que la corriente en la base es peque
na, comparada con la corriente en R2 , es un divisor
de voltaje rgido porque el voltaje en la base
es relativamente independiente de los diferentes transistores y efectos de temperatura. Para
1

Figura 3.2. Esquema interno del transistor

JFET canal P.
Fsicamente, un JFET de los denominados
canal P.esta formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sit
uan
dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N
en las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta).

Transistor de Efecto de Campo ( Field Efect Transistor)

Al aplicar una tension positiva VGS entre

puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID ) queda cortado, llamadas
zonas de exclusion. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusion se extienden hasta tal punto que el paso
de electrones ID entre fuente y drenador queda
completamente cortado. A ese valor de VGS se
le denomina Vp .
Para un JFET canal N las zonas p y n
se invierten, y las VGS y Vp son negativas,
cortandose la corriente para tensiones menores
que Vp .[3]

Para el analisis de cd, el resistor RG por

un equivalente de cortocircuito, puesto que
IG = 0. El resultado se muestra en la red de la
figura 3.4(b).
Para la malla de compuerta tenemos los siguiente:
VGS VRS = 0
Donde: VRS = ID RS
VGS = VRS
VGS = ID RS

(6)

La ecuacion (6) define la configuracion de la

red (llamada ecuacion de red), mientras que la
ecuacion de Shockley, que relaciona las cantidades de entrada y salida, es la siguiente[4]:
2

VGS
ID = IDSS 1
VP

(7)

Se puede determinar graficamente el punto

de operacion del transistor JFET, dibujando
las respectivas graficas de la ecuacion de red
y la ecuacion de Shockley. El punto quiescente2 se obtiene en la interseccion de la grafica
de la lnea recta y la curva caracterstica del
dispositivo. Este punto, llamado punto Q, es
el punto de trabajo del transistor que es lo que
nos interesa obtener.
El nivel de VDS se determina aplicando la
ley de voltajes de Kirchhoff al circuito de salida, con el resultado de que:

Figura 3.3. Grafica de entrada y de salida de

un transistor JFET canal n.
Configuraci
on de Autopolarizaci
on
El voltaje de control de la compuerta a la
fuente es determinado por el voltaje a traves
de un resistor RS introducido en la rama de la
fuente de la configuracion como se muestra en
la figura 3.4(a).

VRS + VDS + VRD VDD = 0

VDS = VDD VRS VRD = VDD IS RS ID RD
Pero:
ID = IS
VDS = VDD ID (RS + RD )

(8)

Ademas:

Figura 3.4. (a)Configuracion de

autopolarizacion de JFET., (b)Analisis de cd
de la configuracion de autopolarizacion.
2

Que est
a quieto pudiendo tener movimiento propio.

VS = ID RS

(9)

VD = VDS + VS = VDD VRD

(10)

4.

Metodologa de
Trabajo:

4.1.

Instrumentos y Materiales:

Para la elaboracion de la fuente de voltaje

Un transformador de 12.6Vac . 2A
(Transf. De fuente HAETH KIT IP-17).

Circuito 4.1. Fuente no regulada.

Se uso el puente de diodos y, como condensador CI, el condensador de 1000 F .
Medir que la tension de salida VS sea de
aproximadamente 16.5V.

Un puente de Diodos o 4 diodos de silicio

(1N4001 o similar).
Condensador de 0,1F , 470 o 1000F a
25V .

2. Usando el regulador 7812,se procedio a

realizar el armado del circuito 4.2 con lo
que se obtuvo la fuente de voltaje fijo.

Un regulador IC del voltaje deseado

(7805, 7806,7809 o 7812) para un voltaje
fijo o un IC LM317 para obtener voltaje
variable o un valor no estandar.
Una resistencia de 4,7K para los reguladores fijos.
Dos resistencias a determinar seg
un los
calculos de la expresion del LM317 al voltaje deseado.

Circuito 4.2. Regulador para la fuente.

Un VOM (Multmetro.)

3. Posteriormente, se dio energa al circuito

y se midieron las tensiones de trabajo en
los diferentes puntos del circuito.

Para la polarizacion del BJT y JFET

Un transistor BJT 2N3904 (o equivalente).

4. Una vez obtenida la fuente se realizo un

analisis teorico del circuito 4.3. Anotando los datos que nos pide la tabla 4.1

Un transistor JFET K373.

Resistencias de 1 /2 W de: 470; 1,5 K;
2,2K; 4,7K y 10K, 330K.
Fuente de voltaje DC de 12V .
Fuente de voltaje variable de 0 a 10V .
Un VOM (Multmetro).

4.2.

M
etodo Experimental:

Circuito 4.3. Circuito para BJT.

1. En uno de los extremos del protoboard,

se realizo el armado de la fuente deseada.
Empezamos implementando la seccion de
rectificacion y filtrado de acuerdo al siguiente diagrama:

Tabla 4.1.
4

5. Luego, se conecto la fuente de 12V y pro- 5.

Resultados:
cedio a medir los mismos datos que nos
pide la tabla 4.1 a fin de comprobar su
-Tensiones de trabajo correspondienfuncionamiento.
te a la fuente de voltaje de laboratorio
6. Seguidamente, antes de armar el circuito
4.4, se realizo la medicion de los parametros del JFET. Para ello, sobre la base
del circuito 4.4, se realizaron los siguientes cambios:
Tabla 5.1.Voltaje de salida de los cirrcuitos
4.1 y 4.2
-Circuito experimental BJT
Aplicando las ecuaciones (2),(3),(4) y (5)
de la teora.

Circuito 4.4. Circuito Experimental para

JFET.
Tabla 5.2.Datos para el Transistor BJT

En el circuito 4.4, se cambio RD por 470

y 1.5K y RE junto con RG , se reemplazaron por cortocircuitos, y se procedio a
la medicion de IDSS .

-Circuito experimental JFET

Al circuito que tenemos en este momento , se reemplazo el cortocircuito de la

Compuerta-Fuente (G-S) con una fuente
de voltaje variable con la polaridad positiva en S y la negativa en G, ademas
para medir VGS se coloco en paralelo un
voltmetro y un ampermetro para ID ,
variando la tension de la fuente hasta reducir ID a cero, con lo cual se determino
Vp .

Tabla 5.3.Obtencion de IDSS promedio del

Transistor JFET

7. Habiendo determinado Vp e ID , procederemos a armar el circuito 4.4 y mediremos los datos que nos pide la tabla 4.2.
Tabla 5.4.Obtencion de VP aproximado del
Transistor JFET
Tabla 4.2.
8. Con el uso de los datos de la tabla 4.2
obtener el punto de trabajo u operacion
del transistor JFET

Tabla 5.5.Datos de interes del Transistor

JFET
5

6.

Discusi
on

Dando valores a la ecuacion (6):

De acuerdo a los datos obtenidos para el

transistor BJT, se deduce que su punto de trabajo viene dado por la corriente:
Tabla 6.2.

ICQ
=1

Ahora en el transistor JFET, de la tabla

Superponiendo la grafica de la tabla 6.2 con
5.4 se deduce el valor de VP :
la grafica 6.1, se obtuvo lo siguiente.
VP
= 1,5V
mientras que de la tabla 5.3 se deduce el
valor deIDSS :
4,34mA
IDSS =
Para determinar el punto de operacion del
transistor se graficaron la recta de red y la
ecuacion de Shockley En la tabla 6.1 se muestran los valores considerados para realizar la
grafica de IDSS vs VGS que son las variables
que relaciona la ecuacion de Shockley.

Tabla 6.1.

Grafica 6.2.

Obteniendose as la siguiente grafica.

Graficamente se obtiene que el punto de
operacion es:
VGS Q = 0,6V

(11)

IDQ = 1, 6mA

(12)

Analticamente, partiendo de la ecuacion

de Shockley:

2
VGS
ID = IDSS 1
VP
Reemplazando VGS = ID RS y desarrollando,
obtenemos la siguiente expresion:

2
ID

Grafica 6.1.
6

IDSS RS2
VP2


+ ID


2IDSS RS
1 + IDSS = 0
VP
(13)

Que viene a ser una ecuacion cuadratica, y reemplazando los datos obtenidos del JFET :
2
426,09ID
3,72ID + 4,34 = 0

El comportamiento practico y teorico de

los circuitos estudiados estuvieron aproximadamente en correspondencia, puesto que todos los resultados obtenidos experimentalmente coincidan aproximadamente con los obtenidos teoricamente.

(14)

Aplicando la formula general a la ecuacion (14)

para obtener sus races:

b b2 4ac
ID =
2a
ID = 7,34mA

Nuestra peque
na fuente de voltaje de laboratorio funciono seg
un lo previsto en
la teora, permitiendonos as el correcto
estudio de los circuitos mostrados en el
presente informe.

ID = 1,38mA

Como se observa, es preferible tomar el valor de IDQ = 1,38mA que es el valor que mas
se acerca al obtenido graficamente.
Error porcentual de ID : Error = 15,9 %

Referencias

Ahora reemplazando ID y RS en VGS

[1] Thomas
L.Floyd,
Dispositivos
Electronicos, Octava Edicion, PEAR
SON EDUCACION,
Mexico, 2008,
Paginas: 1008

VGS = ID RS = 1,38mAx470
VGSQ = 0,65V
Error porcentual de ID : Error = 7,6 %

[2] J.I.Huircan, R.A. Carrillo , El

Transistor de Efecto de Campo (FET)

7.

Conclusiones
R
[3] W ikipedia ,
JFET , [CONSULTADO EL 06/09/2015], Disponible en
https://es.wikipedia.org/wiki/JFET

Como se pudo observar, el punto de operacion de un Transistor BJT y JFET no

difieren mucho siendo aproximadamente
similares.

VGSQ = 0,65V

[4] Boylestad, Robert L. y Nashelsky,

Louis, Electronica: Teora de Circuitos
y Dispositivos Electronicos, PEARSON
Mexico, 2009, Paginas: 912
EDUCACION,

IDQ = 1,38mA