Professional Documents
Culture Documents
Principes
par
Jean-Claude MULLER
Membre du Programme interdisciplinaire nergie du CNRS
Institut dlectronique du solide et des systmes InESS (UMR 7163, CNRS-ULP)
1.
1.1
1.2
BE 8 578 2
2.
2.1
2.2
2.3
3
3
4
5
3.
3.1
3.2
7
7
8
4.
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
8
8
9
10
10
10
10
11
5.
Conclusion .................................................................................................
12
12
e secteur des composants opto-lectroniques qui se dveloppe le plus rapidement est, sans conteste, celui du photovoltaque (PV), pour une production dlectricit base sur la conversion de la lumire du soleil.
Le but de ce premier dossier est de donner au lecteur un minimum de connaissance des principes de la conversion photovoltaque. Dans le premier paragraphe, quelques notions relatives lnergie transmise par le soleil hors
atmosphre (considr comme un corps noir) et au niveau du sol sont donnes.
Dans le deuxime paragraphe, on prsente en termes simples quelques lments de physique des semi-conducteurs incluant les modles de schma de
bandes, les formules de base qui rgissent la rpartition des lectrons lquilibre thermodynamique et les mcanismes de la conduction lectrique. Les
paragraphes 3 et 4 dcrivent les caractristiques lectriques fondamentales (tension, courant et rendement de conversion) du dispositif photovoltaque et son
usage en tant que gnrateur de courant (convertisseur lumire-lectricit).
Ce dossier se termine par une application pratique : on valuera rapidement le
dimensionnement dune installation photovoltaque partir des donnes
densoleillement de la rgion pour une habitation individuelle afin de satisfaire
les besoins en nergie lectrique dune famille de quatre personnes.
BE 8 578 1
(0)
Abrviations
c-Si
Silicium microcristallin
a-Si
Silicium amorphe
CIS
Chalcognures
1 700 K
E()
1 600 K
Cz
Tirage Czochralski
EMC
Croissance lectromagntique
FZ
HIT
Htrostructure
mc-Si
Silicium multicristallin
pc-Si
Silicium polycristallin
p-i-n
pm-Si
Silicium polymorphe
p-n
RCC
Sc-Si
Silicium monocristallin
1 500 K
1 400 K
1 300 K
1 200 K
1 100 K
1 000 K
3
1. Physique du rayonnement
solaire
Visible Infra-rouge
O3
1,5
1,0
H2O
0,5
H2O CO2
O3
0
0
H2O CO2
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
2,4
H2O CO2
2,8
3,2
Ainsi, plus le corps noir met une temprature leve, plus son
rayonnement est nergtique, et la longueur donde du maximum
nergtique diminue : cest la loi de dplacement de Wien. Le rayonnement devient visible par lil humain pour des couleurs allant du
rouge au violet.
En intgrant la densit moyenne dnergie totale par unit de
volume des photons sur toutes les frquences (ou longueurs donde
), nous obtenons la clbre loi de Stefan-Boltzmann :
(2)
BE 8 578 2
avec
(m)
E(T) = T4
2,0
E(, T) d = (8kT/4) d
__________________________________________________________________________________________________________
LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE
pour les gouttelettes deau des nuages, dont la taille est nettement
suprieure la longueur donde, la diffusion est sans variation de
spectre. Elle provient de lensemble des phnomnes de rflexion,
rfraction et de diffraction.
Le rayonnement diffus des jours forte nbulosit peut reprsenter 10 15 % du rayonnement solaire arrivant au sol en provenance
de toute la vote cleste. Il est sans orientation particulire, et il est
donc impossible de le concentrer au moyen de lentilles optiques.
h
Albedo
Figure 3 Les trois composantes du rayonnement solaire global
nergie (ev)
Diffus
Direct
Ge
Si
AsGa
3
lectrons de
conduction
2
E = 0,36 = V
1
Eg
0
Trous
lgers
Lourds
Valle
infrieure
Eg
Eg
-1
-2
2. Physique du composant
photovoltaque
[111]
[100]
[111]
[100]
[111]
[100]
Figure 4 Exemple de structures de bandes dnergie de semiconducteurs gap indirects (Ge et Si) et direct (AsGa)
Lobjectif de cette section est de prsenter en termes simples quelques lments du modle physique du schma de bandes dans les
semi-conducteurs cristallins et de donner les formules de base qui
rgissent la rpartition des lectrons lquilibre thermodynamique
et les mcanismes de la conduction lectrique. Pour plus de dtails
sur cette partie, qui relve de la physique quantique des solides, on
se rfrera louvrage dAlain Ricaud [3] sur les Photopiles solaires,
ainsi que louvrage de Physique de ltat solide de Kittel [4].
(3)
(4)
BE 8 578 3
1,5
1,25
1,15
0,01
106
CuInSe2
104
AsGa
104
0,1
2,5
106
CdTe
600
800
c-Si
CuInSe2
1 000
1 000
1 200
Longueur d'onde (nm)
probabilit dabsorption plus faible et le front dabsorption plus progressif, comme cest le cas pour le silicium.
Exemple : il faut une paisseur de silicium de 200 300 m pour
absorber le rayonnement solaire alors que quelques micromtres de
matire suffisent pour absorber le rayonnement pour les matriaux dits
nergie de bande interdite directe.
Aprs cette analyse du caractre optique du rayonnement, passons au caractre nergtique du photon associ. Selon la loi de la
mcanique quantique dquivalence, lnergie minimale ncessaire
au photon pour franchir la bande dnergie interdite est gale
lnergie de propagation lectromagntique de londe associe :
E = mc2 = hc/
avec
n i2 = n c p v = N c N v exp Eg/kT
100
AsGa
a-Si:H
CdTe
10
400
o Nc et Nv sont des densits effectives dtats. Ils dsignent, respectivement, un nombre de places disponibles en bas ou en haut
des bandes de conduction et de valence.
c-Si
102
10
a-Si:H
(5)
nergie de la particule.
Pour le silicium, ces lments sont du groupe V du tableau priodique (P, AS, Sb). Sur les cinq lectrons de valence dun atome de
phosphore incorpor au rseau de silicium, quatre servent tablir
les liaisons chimiques covalentes et le cinquime se libre, sous
leffet de la temprature, dans la bande de conduction. Latome donneur est alors ionis positivement (figure 6 b).
Sachant qu temprature ambiante toutes les impurets sont
dj ionises et que Nd est le nombre datomes donneurs, le nombre dlectrons n dans la bande de conduction est presque gal
Nd+. Comme ces lectrons sont beaucoup plus nombreux que les
lectrons librs par la temprature, le niveau de Fermi se dplace
vers la bande de conduction.
Pour le silicium, o le nombre datomes est de 5 1022 cm3, une
concentration dimpurets introduite dune part par million (ppm)
reprsente une concentration dlectrons dans la bande de conduction de 5 1016 cm3. Cette dernire est trois millions de fois plus
importante que celle des porteurs intrinsques. On dit alors que le
matriau est dop de type n, ou plus simplement quil est de type n
(figure 6 b).
Un semi-conducteur de type p du groupe IV est dop par une impuret qui sest substitue lun des atomes du rseau cristallin mais
cette fois-ci, limpuret est du groupe III (B, Al, Ga), et elle comporte
trois lectrons de valence (un de moins que latome quil remplace).
Les liaisons manquantes (on parle de dfauts dlectrons de valence)
sont dcrites comme des trous positifs p, dont la concentration est
gale celle des accepteurs Na, en ngligeant les trous librs par la
temprature. Limpuret sionise ngativement. Le niveau de Fermi se
dplace alors vers la bande de valence (figure 6 c).
BE 8 578 4
__________________________________________________________________________________________________________
Si
Si
Si
Si
Ec
Ec
Eg
Ev
Si
nc = ni
Ev
+
Ef
Ef
pv = ni
Bande de
valence
Si
Si
intrinsque
Si
Bande de
conduction
Si
LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE
Si
Si
qe
P+
Si
Si
type n
Si
Si
Si
Ec
Ed
Ev
Ef
Nd+
n e Nd+
Ec
Ef
n p = ni2
Ev
+
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
+qe
type p
Si
Ec
Ec
Ea
Ev
Ne
Ef
Ef
Ev
+ + + +
n p = ni2
p e Na
Si
Densit d'tats
N (E)
0,5
1
F (B)
Densit de porteurs
n et p
BE 8 578 5
Nd (2 1015 cm 3)
Nd Na
Concentration
des impurets
Ec
n0
0 N
Na(1015 cm 3)
Zone de transition
Rpartition
idalise
qNd
+
qVB
Eg = 1,12 eV
Ev
P0
rpartition relle
Charge
d'espace
qNa
E
nergie
des lectrons
Ec
+ xa
Ei
qVb
n
Barrire
de potentiel x
Vb ~ 0,7 V
xp
xn
(micron)
106
2 1015
n et p
Concentrations
des trous et
des lectrons
par cm3
(chelle
logarthmique)
pop
n0
p0
nop
f
pon
x
Figure 7 Formation dune jonction p-n entre deux semiconducteurs dops
Motif cristallin
du Si
avec
i = g ( x, ph ) r ( x. , ph )
(6)
i = iph id
(7)
ph
iph
id
lectron
photoexcit
Trou
photognr
Figure 8 Gnration des paires lectron-trou dans le rseau
cristallin du silicium
une paire lectron-trou (figure 8), si son nergie est suffisante pour
provoquer la monte dlectrons supplmentaires aux lectrons
dorigine thermique de la bande de valence vers la bande de
conduction.
BE 8 578 6
non
1015
E
Champ
lectrique
interne
(en V/m)
Ei
= q
EF Niveau de Fermi
Ev
Potentiel
lectrique
interne
(en volts)
uw
__________________________________________________________________________________________________________
LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE
id = i0 [exp(qV/kT) 1]
02
(8)
B
01
(9)
EG silicium (T = 300 K)
0,5
1,5
(m)
lordre de 0,9 V pour le silicium, les meilleures tensions en circuitouvert (Voc) sont de 600 mV et au maximum de 700 mV pour les cellules trs haut rendement.
Le facteur de forme de la courbe de la diode (dfini au
paragraphe 3.1) est aussi un facteur important de pertes, ainsi que
les recombinaisons des porteurs en surface ou en volume de la cellule (la diode nest pas une diode parfaite) avec une rsistance srie
et shunt des contacts. La grille mtallique de collecte des charges
sur la face frontale couvre 5 7 % de la surface totale.
Le silicium rflchit 30 % de la lumire, les pertes optiques peuvent tre rduites par le dpt dune couche anti-reflet. Au dbut de
lindustrialisation, le dpt tait base de TiO2. Maintenant, un
dpt de nitrure de silicium hydrogn SiN (H) est prfr pour ses
bonnes proprits anti-reflet (avec un taux rsiduel de rflexion de
3 4 %) et surtout pour sa passivation de surface et de volume.
Dautres procds permettent damliorer le rendement :
la structuration de la surface en pyramides inverses ou en nid
dabeilles augmente le pigeage de la lumire ;
le dpt de couches de passivation sur les surfaces et lintroduction dun sur-dopage n+ sous les doigts de la grille de collecte
rduisent les pertes par rsistance srie des contacts ;
lapplication dun champ lectrique p+ sur la face arrire diminue la recombinaison des porteurs gnrs trop prs de cette face.
FF = ImVm/(iccVco)
(12)
(13)
puissance incidente.
Pincid
Par convention, le rendement de conversion dune cellule est toujours mesur pour une puissance incidente de 100 mW/cm2 et un
spectre solaire correspondant un soleil sous AM1,5.
Exemple : la cellule reprsente sur le graphique de la figure 11 a
une densit de courant icc gale 33 mA/cm2, une tension Vco de
0,56 V et un FF gal 0,81, elle a un rendement de conversion (C) de
15 %.
Rayonnement solaire
Contact avant
Couche de type n
(conductivit des lectrons)
Tension lectrique
Couche de type p
(conductivit des trous)
icc(mA/cm2) et P(mW/cm2)
Contact arrire
(11)
3. Caractristiques I-V
et rponse spectrale
(10)
Jonction n p
(champ lectrique)
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
V (volt)
BE 8 578 7
(14)
D = (kT/q)
(m2/V s)
Exemple : pour
p = 600 cm2/ V s.
le
silicium,
n = 1 500
cm2/ V
et
(15)
Ln
i ph
1
Total
80
Base
60
40
metteur
20
0
400
Contribution des
photons rflchis
sur la face arrire
zone de charge
500
600
700
800
900 1 000
Longeur d'onde (nm)
longueur de diffusion ;
vitesses de recombinaison des trous et des lectrons respectivement sur la face avant (Sp) et arrire (Sn). Il est noter que la
recombinaison en surface est dautant plus importante que le
dopage est lev.
Exemple :
les valeurs typiques pour un metteur n+ dop avec des atomes
de phosphore Nd = 5 1019 cm3 sont : Dp = 1 cm2/s, Lp = 1 m,
p = 108 s, Sp = 103 cm/s ;
les valeurs typiques pour une base p dope avec des atomes de
bore Na = 1,5 1016 cm3 sont : Dn = 20 cm2/s, Ln = 140 m,
n = 105 s, Sn = 102 cm/s.
4. Convertisseur
photovoltaque
4.1 La cellule, un lment gnrateur
de courant
(16)
Il est souvent trs utile pour les utilisateurs et installateurs de systmes photovoltaques de considrer la cellule en tant quun lment gnrateur de courant.
(17)
BE 8 578 8
__________________________________________________________________________________________________________
Vi
R's
A
Id (Vj)
Vj
Iph
LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE
Rsh
R
Ns
R
NsVi
R'
D
Figure 13 Schma quivalent dune cellule
Vi
NsVi
Courant (A)
I
3,5
1 000W/m2
3,0
NpIi
2,5
1/R''
750 W/m2
2,0
b
2
1,5 450 W/m
2
1,0 300 W/m
0
0,1
Ii
+
V
0,2
0,3
0,4
0,5
R''
Ii
0,6
Tension (V)
Np
Figure 14 Courant dbit et tension aux bornes dune cellule
5 625 cm2. Le rapport entre ces deux surfaces (Tf ) est appel taux de
foisonnement. Cest le taux doccupation en cellules du module.
Exemple : pour le modle de module de la figure 16, le taux Tf est
gal :
Tf = 81 %
Pour assurer, par exemple une recharge dune batterie de 12 V, un
systme de diode anti-retour et un systme de contrle de la charge
complte linstallation.
BE 8 578 9
Courant (A)
8
BE 8 578 10
0
0
10
15
20
25
Tension (V)
__________________________________________________________________________________________________________
Rayonnement
solaire
LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE
Valeur annuelle
Partie opaque
(cellule PV)
Isolant
Partie transparente
(Vitrage)
Couverture
Absorbeur
Figure 18 Schma de principe dun module hybride (capteur
photovoltaque et capteur air)
de 1 490 1 620
de 1 220 1 350
de 1 620 1 760
de 1 350 1 490
ments bien clairs. Elle doit alors dissiper une nergie thermique
qui peut dpasser largement la capacit de sa structure. Si lnergie
nest pas vacue correctement, les dgradations sont redoutables
et peuvent aller jusqu lincendie. La protection la plus simple consiste mettre des diodes de contournement, by-pass , pour viter
les points chauds, hot-spot .
Une autre faon daugmenter le courant dbit, autrement que
par une mise en parallle des cellules, consiste focaliser le rayonnement solaire laide de lentilles sur une cellule refroidie place au
foyer (voir figure 19).
Des facteurs de concentration (nc) de 10 500 sont possibles. Le
courant photognr est en thorie multipli par le mme facteur, si
les pertes rsistives et thermiques sont matrises. La tension augmente, un peu, selon la relation :
Vco = kTln(nc iph /i0 + 1)/q
(18)
Les cellules, installes dans les systmes concentration, reoivent une puissance lumineuse quivalente celle de 10
500 soleils. Elles doivent donc tre imprativement refroidies avec
des radiateurs efficaces afin dvacuer lnergie dissipe. Cette dernire rsulte dune part des pertes ohmiques : i2 Rs due au courant dbit dans la rsistance srie Rs , et dautre part par lnergie
perdue par thermalisation et qui est la diffrence entre lnergie
absorbe et celle photo-gnre.
BE 8 578 11
On en dduit lnergie lectrique annuelle (Ee) pouvant tre produite par mtre carr, compte tenu du rendement de conversion de
13,5 % :
I
Icc
Im
FF = ImVm / IccVco
Pm
Vm Vco
Comme les besoins sont de 5,56 MWh/an (en tenant compte des
pertes dans londuleur), le nombre minimum de mtres carrs est
de 27,46 m2, soit 2 746 cellules de 100 cm2 ou 77 modules entiers de
36 cellules. Si le taux de foisonnement Tf est de 81 %, la surface du
champ Sch de module est de :
5. Conclusion
Dans ce premier dossier, consacr la production dlectricit par
conversion de la lumire du soleil laide de cellules solaires, le but
tait de donner au lecteur un minimum de connaissances des principes de la conversion photovoltaque, incluant des notions relatives lnergie transmise par le soleil, ainsi que quelques lments
de physique des semi-conducteurs et des principaux mcanismes
de transport des charges lectriques. Les caractristiques lectriques fondamentales (tension, courant et rendement de conversion)
du dispositif photovoltaque et son usage en tant que gnrateur de
courant (convertisseur lumire-lectricit) ont t donnes ainsi
quune valuation rapide du dimensionnement dune installation
photovoltaque.
Dans le dossier [BE 8 579], les diffrentes filires dlaboration du
dispositif photovoltaque de la cellule classique ( base de silicium
massif) aux couches minces sont abordes ainsi que les potentialits dautres matriaux semi-conducteurs binaires ou ternaires et
organiques. Des exemples dapplication du photovoltaque en site
isols ou connects des rseaux seront donns, ainsi que lvolution du march et des prix du kilowattheure photovoltaque
lhorizon 2040.
Rfrences bibliographiques
[1]
[2]
BE 8 578 12
[3]
[5]
[4]
[6]