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M. Chaibi , N. A. Touhami
Facultad de Ciencias
Universidad de Tetun
INTRODUCCIN
A. Modo conmutado
Pdisipada
I ds Vds
(1)
A. Dispositivo conmutador
v s (0) 0
(2)
T
vs s 0
2
(3)
wv s Ts
0
wt 2
(4)
Z net1 #
0.28015 j 49.0524
e
ZsCs
(5)
Z net N
, (N=2,3)
(6)
f max #
I max
56.5C sVds
1.967 # 2GHz
(7)
W1=0.15mm
L1=9.20mm
W2=2.52mm
L2=10.19mm
W3=0.62mm
L3=5.67mm
W4=3.42mm
L4=10.45mm
W5=3.27mm
L5=9.73mm
W6=0.25mm
L6=25.56mm
C. Red de entrada
Teniendo en cuenta que el circuito equivalente del
transistor utilizado presenta una impedancia de entrada de
marcado carcter capacitivo, existe una importante
desadaptacin entre este dispositivo y la impedancia de
referencia de 50.
La misin de la red de entrada es la de adaptar estas
impedancias en la medida de lo posible para evitar la
reflexin de la seal a la entrada del circuito.
En nuestro caso se obtiene una solucin sencilla y
prctica colocando a la entrada una inductancia en serie de
10nH, que proporciona una adaptacin en esta puerta mejor
que -10dB.
IV. CARACTERIZACIN DEL AMPLIFICADOR
DISEADO
A. Simulacin
Los resultados obtenidos en la simulacin final del
amplificador completo son bastante interesantes. Se
consigue obtener una eficiencia de potencia aadida (PAE)
que supera el 74%, alcanzando una ganancia de 11 dB y una
potencia de salida de 14 dBm, como se puede observar en la
Fig. 5.
B. Medidas experimentales
Una vez realizada la implementacin del amplificador se
procede a caracterizarlo experimentalmente mediante
numerosas series de medidas tomadas sobre el circuito
fsicamente construido (Ver Fig. 6).
AGRADECIMIENTOS
Este trabajo est parcialmente subvencionado por el
Ministerio de Ciencia y Tecnologa (MCyT) a travs de TIC
2002-04084-C03-03 y HP2002-0074. Tambin es fruto de la
colaboracin entre instituciones europeas en el marco de la
NoE TARGET. Adems, J. A. Garca transmite su
agradecimiento al programa Ramn y Cajal del MCyT.
REFERENCIAS
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