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Ejercicios.................................................................................................................. 36
Ejercicios II............................................................................................................... 44
Glosario de trminos................................................................................................ 47
Bibliografa:.............................................................................................................. 48
Michael Faraday
(Newington, Gran Bretaa, 1791-Londres, 1867) Cientfico
britnico. Uno de los fsicos ms destacados del siglo XIX,
naci en el seno de una familia humilde y recibi una
educacin bsica. A temprana edad tuvo que empezar a
trabajar, primero como repartidor de peridicos, y a los
catorce aos en una librera, donde tuvo la oportunidad de
leer algunos artculos cientficos que lo impulsaron a realizar
sus
primeros experimentos.
Tras asistir a algunas conferencias sobre qumica impartidas por sir Humphry
Davy en la Royal Institution, Faraday le pidi que lo aceptara como asistente
en su laboratorio. Cuando uno de sus ayudantes dej el puesto, Davy se lo
ofreci a Faraday. Pronto se destac en el campo de la qumica, con
descubrimientos como el benceno y las primeras reacciones de sustitucin
orgnica conocidas, en las que obtuvo compuestos clorados de cadena
carbonada a partir de etileno.
En 1831 colabor con Charles Wheatstone e investig sobre fenmenos de
induccin electromagntica. Observ que un imn en movimiento a travs
de una bobina induce en ella una corriente elctrica, lo cual le permiti
describir matemticamente la ley que rige la produccin de electricidad por
un imn.
Nikola Tesla
su
Public
dos
artculos,
clsicos
dentro
del
estudio
del
ondas
electromagnticas
en
el
laboratorio,
hecho
que
fuerza
externos.
Justific
las
hiptesis
de Avogadro y
de Ampre;
8
Proyecto Radioastron
Tierra.
RadioAstron, un telescopio orbital Ruso de 10 metros de dimetro, se uni a
observatorios en tierra para estudiar objetos 50 veces ms pequeos de lo
que es posible con el Telescopio Espacial Hubble. Debido a
que RadioAstronmide solo 10 metros de dimetro, la participacin del radio
telescopio ms grande del mundo, el Observatorio de Arecibo The William E.
Gordon telescope es particularmente importante.
La Dra. Tapasi Ghosh, astrnoma en el Observatorio de Arecibo, explic,
Arecibo es crucial para que este proyecto internacional sea exitoso. Con
nuestro telescopio de 305-metros aportamos la superficie colectora
necesaria para compensar por el tamao pequeo de RadioAstron,
asegurando as que suficiente seal de radio frecuencia sea capturada para
lograr que el experimento funcione.
11
13
La luna y la Tierra ejercen una fuerza que atrae a los cuerpos hacia
ellas: esta fuerza de gravedad hace que la Luna y la Tierra se
atraigan mutuamente y permanezcan unidas. Como la fuerza de
gravedad es mayor cuanto ms cerca se encuentren las masas, la
fuerza de atraccin que ejerce la Luna sobre la Tierra es ms fuerte
en las zonas ms cercanas que en las que estn ms lejos.
14
Nanotubos de carbono
Grafeno
El grafeno es una sustancia formada por carbono puro, con tomos
dispuestos en un patrn regular hexagonal similar al grafito, pero en una
hoja de un tomo de espesor. Es muy ligero, una lmina de 1 metro
cuadrado pesa tan slo 0,77 miligramos.
Diamante en la microelectrnica
La mayora de los dispositivos prototipos fabricados hasta hoy han sido
transistores,
en
particular
aquello
conocidos
como
metal-xido-
prototipos
de
laboratorio,
porque
ellos
han
usado
han
concentrado
justo
en
explorar
que
puede
encontrarse
an
de
este,
relativamente,
material
semiconductor
pobre,
El sonar
18
19
SALINIDAD
PRESIN
El grado de influencia de los mismos en el valor de la celeridad ha sido
objeto de investigacin durante muchos aos y se ha acometido en sentido
terico, mediante formulacin matemtica y en sentido experimental, lo que
ha permitido obtener frmulas empricas a partir de las observaciones
realizadas.
El transistor
Los transistores amplifican corriente, por ejemplo pueden ser usados para
amplificar la pequea corriente de salida de un circuito integrado (IC) lgico
de tal forma que pueda manejar una bombilla, un rel u otro dispositivo de
mucha corriente.
Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la mxima
corriente, o encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y como
amplificador (siempre conduciendo corriente).
La cantidad amplificada de corriente es llamada ganancia de corriente, o
hFE. Para informacin adicional por favor mira la pgina Circuitos con
Transistores (en ingls)
Tipos de transistores
20
Hay dos tipos de transistores estndar, NPN y PNP, con diferentes smbolos
de circuito. Las letras hacen referencia a las capas de material
semiconductor usado para construir el transistor. La mayora de los
transistores usados hoy son NPN porque este es el tipo ms fcil de construir
usando silicio. Si t eres novato en la electrnica es mejor que te inicies
aprendiendo cmo usar un transistor NPN.
Los terminales son rotulados como base (B), colector (C) y emisor (E). Estos
trminos se refieren al funcionamiento interno del transistor pero no ayuda
mucho a entender cmo se usa, as que los trataremos como rtulos.
Un par Darlington consiste en un par de transistores, o bien NPN o PNP,
conectados juntos dentro de un mismo encapsulado, para dar una ganancia
de corriente muy alta. Adems de los transistores estndar (juntura bipolar),
existen los transistores de efecto de campo los que son conocidos como FET
(field efect transistor). Tienen un smbolo de circuito distinto y su
funcionamiento y propiedades respecto del transistor estndar tambin es
bastante diferente.
Computador cuntico
22
23
24
25
28
ejemplo 23.5). El dipolo elctrico est constituido por dos cargas de igual
magnitud y de signo opuesto separadas por una distancia 2.
Las fuerzas elctricas que actan sobre las dos cargas son de igual magnitud
(F qE) y de direccin opuesta, como se muestra en la figura 26.19. Por lo
tanto, la fuerza neta sobre el dipolo es igual a cero. Sin embargo, las dos
fuerzas producen un momento de torsin neto en el dipolo; como resultado,
esta ltima gira en la direccin que lleve el vector del momento del dipolo a
una mejor alineacin con el campo. El momento de torsin debido a la fuerza
sobre la carga positiva en relacin con un eje a travs de O de la figura 26.19
tiene una magnitud Fa sen u, donde a sen u es el brazo del momento de F en
O. Esta fuerza tiende a producir una rotacin en el sentido de las manecillas
del reloj. El momento de torsin en relacin con O sobre la carga negativa
tambin tiene como magnitud Fa sen u; una vez ms en este caso la fuerza
tiende a producir el mismo tipo de rotacin, por lo que la magnitud del
momento de torsin neto alrededor de O.
Descripcin atmica de los materiales dielctricos
Considere primero un dielctrico compuesto de molculas polares colocadas
en el campo elctrico entre las placas de un capacitor. Los dipolos (es decir,
las molculas pola- res que constituyen el dielctrico) tienen una orientacin
al azar en ausencia de un campo elctrico, como se puede ver en la fi gura
26.22a. Cuando se aplica un campo elctrico E S
0 debido a las cargas sobre las placas del capacitor, se ejerce un momento
de torsin sobre los dipolos, lo que provoca que se alineen parcialmente con
el campo, como se observa en la fi gura 26.22b. Ahora el dielctrico es un
material polarizado. El grado de alineacin de las molculas en relacin con
el campo elctrico depende de la temperatura y de la magnitud del mismo.
En general, la alineacin aumentar al reducirse la temperatura e
incrementarse el campo elctrico. Si las molculas del material dielctrico no
son polares, el campo elctrico debido a las placas produce una polarizacin
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Corriente elctrica
En esta seccin ver cmo se da el flujo de las cargas elctricas a travs de
un material. La cantidad de flujo depende del material a travs del cual
pasan las cargas y de la diferencia de potencial que existe de un extremo al
otro del material. Siempre que hay un flujo neto de carga a travs de alguna
regin, se dice que existe una corriente elctrica. Resulta instructivo hacer
una analoga entre el flujo de agua y la corriente: en muchos sitios se
instalan salidas de regadera de bajo flujo para ahorrar agua y se cuantifica el
flujo de agua de ste y otros dispositivos al especifi car la cantidad de agua
que sale durante un cierto intervalo de tiempo, y con frecuencia se mide en
litros por minuto.
En una escala mayor, es posible defi nir la corriente de un ro al dar la
cantidad a la cual pasa el agua por una determinada ubicacin; por ejemplo,
el flujo sobre el borde en las cataratas del Nigara se mantiene entre 1400 y
2800 m3/s.
30
32
34
35
36
Medidores elctricos
El galvanmetro es el componente principal en los medidores analgicos
para medir la corriente y el voltaje. (Muchos medidores analgicos siguen en
uso a pesar de que en la actualidad los medidores digitales, que funcionan
segn un principio diferente, son los que tienen un amplio uso.) Un tipo
comn, el galvanmetro DArsonval, est constituido por una bobina de
alambre montada de tal manera que puede girar libremente alrededor de un
pivote en un campo magntico producido por un imn permanente. En
consecuencia, la deflexin de una aguja unida a la bobina es proporcional a
la corriente en el galvanmetro. Una vez que el instrumento est calibrado
apropiadamente, puede utilizarse junto con otros elementos del circuito para
medir ya sea corrientes o diferencias de potencial.
Se trata de un aparato que mide la corriente. Las cargas que constituyen la
corriente a medir deben pasar directamente a travs del ampermetro, por lo
que ste debe estar co- nectado en serie con los otros elementos del
circuito, como se muestra en la fi gura 28.19. Cuando se utiliza un
ampermetro para medir corrientes directas, debe conectarse de tal manera
que las cargas entren al instrumento por la terminal positiva y salgan por la
negativa.
Al aparato que mide la diferencia de potencial se le llama voltmetro. La
diferencia de potencial entre dos puntos cualesquiera en un circuito se mide
al unir las terminales del voltmetro entre estos puntos sin abrir el circuito,
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38
Ejercicios
26.23 Determine la capacitancia equivalente entre los puntos a y b
para el grupo de capacitores conectados como se muestra en la
figura. Utilice los valores C1 =5.00 F, C2 = 10.00 F y C3 =2.00 F.
1
( 5.001 + 10.00
)=3.33 F
C s=
C p 2 =2 ( 10.0 ) =20.0 F
39
C eq=
de
circuito
Ponemos la carga Q en el punto A. Entonces,
Q=( 4.00 F ) V AB =( 10.00 F ) V AC =(40.0 F ) V CD
V AC =4 V AB=4 V CD
1
V AB = V CD = ( V AC ) =3.75 V
4
40
C eq=
( 2C1 + 41C )= 43 C
elctrica
en
potencia
mecnica.
a)
Encuentre
la
a)
I=
eficiciencia=
1860 J / s 2070 J /s
=
=17.3 A
0.9(120 V ) 120 J /C
b) Entrada de energa =
Pent t= 2070
J
3 ( 3600 s )=2.24 x 107 J
s
41
$ 0.16
k J
h
=$ 0.995
( 1kW
h )( 10 Ws 3600 s )
3
V 0 2 / R
P
=
P0
PP0
P
( 100 ) =
1 ( 100 )=( 1.3611 )=36.1
P0
P0
Cul
es
la
eficiencia
de
la
batera
como
dispositivo
de
almacenamiento de energa?
b) Cunta energa interna se produce en el interior de la batera
durante un ciclo de carga-descarga?
42
a)
b)
eficiencia=
SalidaUtil
249 J
=
=0.530
Entrada Total 469 J
469 J=248 J + E
=221 J
E
c)
Q=mc T
T=
Q
221 J kgC
=
=15.1 C
mc 0.015 kg 975 J
Cul
es
la
potencia
total
entregada?
Dado que toda la corriente en el circuito debe pasar a travs de la
serie de 100 resistencia, P= I2R
a
2
P max=R I I mas =
R
25.0W
=
=0.500 A
P
100
43
Req =100 +
b)
P1=25.0 W
0.250 A 2=37.5 W
P2 P2=R I 2=( 100 )
I 1 =I 2 + I 3
1
4 1
I 1 =3.00 I 3 , I 2= + I 3 y I 3 =909 mA
2
3 3
b)
V bV a=1,82V
44
5.00 A
P 225 W
Rs =x+ y = 21 =
I
2
5.00 A
P 50.0
xy
R p=
= 2p =
x+ y I
x (9.00 x )
=2.00 x 29.00+18.0=0
x +(9.00 x)
( x6.00 ) (x3.00 )
y=9.00 x x=6.00 o x=3.00
y=3.00 o y =6.00
Las dos resistencias son
6.00 y 3.00
24.34) A cierta distancia de una partcula con carga, la magnitud del campo elctrico es de 500
V/m y el potencial elctrico es de -3.00 kV. a) Cul es la distancia a la partcula? b) Cul es la
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magnitud de la carga?
(a)
4 0 r 2
E=
V=
Q
4 0 r
E=
3000 V
=6.00 m
500 v /m
V
r=
Q
(b) V= -3000 V = 4 0( 6.00 m)
Q=
3000 V
m
8.99 x 10 V .
C
9
( 6.00 m )=2.00 C
25. 52). Dadas dos cargas de 2.00 mC, como se muestra en la fi gura P25.10, y una carga de
prueba positiva q = 1.28 X 10-18 C colocada en el origen,
a) cul es la fuerza neta ejercida por las dos cargas de 2.00 mC sobre la carga de prueba q?;
b) cul es el campo elctrico en el origen debido a las dos cargas de 2.00m C?,
c) cul es el potencial elctrico en el origen debido a las dos cargas de 2.00 mC?
a) Dado que las cargas son iguales y se coloca simtricamente,
F=0
q
2.00 X 1 06 C
V =2 k e =2(8.99 X 1 09 N . m2 / C2 )
r
0.800 m
)
46
V =4.50 X 10 V =45.0 kV
24 64). En la fi gura P25.4, un campo elctrico uniforme de magnitud 325 V/m est dirigido
hacia el lado negativo de las y. Las coordenadas del punto A son (_0.200, _0.300) m, y las del
punto B son (0.400, 0.500) m. Calcule, utilizando la trayectoria azul, la diferencia de potencial
VB -VA.
B
E . d s = E .d s E . d s
A
BB A =
V
0.500
V B V A =(ECos 180 )
0.400
dy ( Ecos 90.0 )
0.300
dx
0.200
24.65). La diferencia de potencial entre las placas aceleradoras del can de electrones de un
cinescopio de televisin es de aproximadamente 25 000 V. Si la distancia entre estas placas es de
1.50 cm, cul es la magnitud del campo elctrico uniforme en esta regin?
E=
| V| 25.0 X 103 J /C
d
1.50 X 10
=1.67 X 10
N
=1.67 MN /C
C
47
C3 =
1
1
+
5.00 10.0
=3.33uF
1
1
C eq=
+
8.66 20.0
=6.04 uF
25.4) Un alambre con una densidad de carga lineal uniforme l se dobla como se muestra en la fi
gura P25.38. Determine el potencial elctrico en el punto O.
R
V= k e
todacarga
V=- k e
V=
3R
dq
dx
ds
dx
=k e
+ ke
+k e
r
x
R
x
3 R
semicirculo
R
ke
3R
ln(-x) 3 R + R R+k e ln x R
3
+2 ln
3=k e
3R
+k e + k e ln
R
k e ln
25.33) Las tres cargas q1, q2 y q3 son positivas. De ah que la energa potencial elctrica total U
sea positiva. Esto significa que se requerira trabajo positivo para llevar las tres cargas del
infinito a las posiciones que se indican en la figura 21.14, y trabajo negativo para llevarlas de
regreso de esas posiciones al infinito.
Ra=0.150 m
rb=
rb= 0.3536 m
W a b=U aU b
48
6
6
1 q1q2
9
2
2 (+2.40 x 10 C)(4.30 x 10 C)
U a=
=(8.988 x 10 N . m /C )
4 0 ra
0.150 m
U a=0.6184 J
25.16) Si V=0 en cierto punto, no tiene que ser igual a cero en ese punto. Un ejemplo de esto es
el punto cen las figuras 21.23 y 23.14.
W a b=U aU b
U a=+5.4 x 108 J
(-5.4 x
11
C. A qu distancia de la carga
11
Kb (8.99 X 1 0 N . m / c )(2.50 X 1 0
a) r= V =
90.0 V
C)
=2.50 X 10 m=2.50 mm
V1
90.0 m
Vr=kq=V
r
=V
r
.
r
=r
=( 2.50 mm )
=7.50 mm
1
1
2
2
2
1
b)
V2
30.0 m
( )
1
V AB= V cd = ( V BC )=3.75 V
4
49
1
1
C eq=
+
2c 4 c
8
4
= C= C
6
3
Ejercicios II
A) Los condensadores 1, 2 y 3 tienen el mismo valor de capacitancia C. Los
condensadores 1 y 2 estn en serie y su combinacin est en paralelo con el
3. Cul ser su capacitancia efectiva total?
1) C
4) C/3.
2) 1.5
3) 3C
2) 9.6 C
3) 2.74 C
4) 2.4 C
3) 4
4) 1/2
5) 1/4 veces la
3) igual
6) imposible de
3) cae a la mitad
4) se hace 4
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Glosario de trminos
Qubits: Es un sistema cuntico con dos estados propios y que puede ser
manipulado arbitrariamente.
Equiparticin: Es una frmula general que relaciona la temperatura de un
sistema con su energa media.
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Bibliografa:
Biblioteca Virtual Apec: Ficha 27103
Teoria Electromagnetica/ Willian H. Hayt
WebSite:
http://www.biografiasyvidas.com/
53
http://www.naic.edu/
http://Grafeno.com
http://web.ing.puc.cl/
http://www.nanotubosdecarbono.com/
http://www.aulaclic.es/
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