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2. Changements de bases
Avant d'aborder la reprsentation des diffrents types de donnes (caractres, nombres
naturels, nombres rels), il convient de se familiariser avec la reprsentation d'un nombre dans une
base quelconque (par la suite, nous utiliserons souvent les bases 2, 8, 10 et 16 ).
Habituellement, on utilise la base 10 pour reprsenter les nombres, c'est dire que l'on crit
l'aide de 10 symboles distincts, les chiffres dcimaux.
En base b, on utilise n chiffres. Notons ai la suite des chiffres utiliss pour crire un nombre x =
an-1 an-2... a2 al ao.
ao est le chiffre des units.
En dcimal, b = 10, ai
{0, 1 ,2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9}
En binaire, b = 2, ai
{0, 1} : 2 chiffres binaires, ou bits;
En hexadcimal, b = 16, ai
{O, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F}
(on utilise les 6 premires lettres de lalphabet comme des chiffres).
n -1
ai.bi
i= 0
+0
+0
+1
+1
+0
+1
a0 = 0
a1 = 0
a2 = 1
a3 = 1
a4 = 0
a5 = 1
n2
i . 2i , avec i
{0, 1}
i =0
et soit
y=
n2
(1 - i ). 2i +1
i =0
La cellule de poids fort est toujours 1 : on utilise donc n - 1 bits pour coder la
valeur. Le plus petit entier ngatif reprsentable sur n bits en relatif est donc 2n-1.
On constate facilement que x + y = 2n-1 , i
Or sur n bits, 2n-1 est reprsent par n - 1 zros, donc on a x + y = 0 modulo 2n-1 , ou
encore y = -x.
y peut tre considr comme l'oppos de x.
La reprsentation de -x est obtenue par complmentation 2n- 1 de x. On dit
complment deux.
Pour obtenir le codage d'un nombre x ngatif, on code en binaire sa valeur absolue sur
n - 1 bits, puis on complmente (ou inverse) tous les bits et on ajoute 1.
Exemple: soit coder la valeur -2 sur 8 bits.
On exprime 2 en binaire, soit 0000 0010.
Le complment 1(ou complment restreint) est 1111,1101.
On ajoute 1 et on obtient le rsultat : 1111 1110.
Annexe :
Ce petit programme en langage C peut tre utilis pour afficher le codage d'un nombre flottant
quelconque :
/* Affichage hexadcimal des 4 octets d'un nombre flottant IEEE*/
#include <stdio.h>
main( )
{
float x;
unsigned char *p = (unsigned char *)&x
printf(" Entrer un nombre flottant : \n ");
scanf("%f", &x);
printf(" %f -> %x %x %x %x \n", x, *p, *(p+1), *(p+2), *(p+3));
}
1. PRESENTATION
Une mmoire est un dispositif capable d'emmagasiner puis de restituer une
information. Son fonctionnement apparat alors sous trois aspects
Cette information, quelle que soit sa nature - nombre, texte, image, signal - doit tre
dcompose en une suite ordonne d'lments binaires ou bits. Le bit reprsente l'unit d'information
lmentaire. Le dispositif de stockage associ s'appelle point mmoire ou cellule . Le
problme consiste alors exploiter des phnomnes physiques bistables tels que l'tat d'interrupteur
(ouvert ou ferm), le niveau logique de sortie de bascules, le sens de l'aimantation rmanente d'un
matriau ferromagntique, le changement de phase dans un cristal, etc.
Nous prsenterons dans ce chapitre les caractristiques gnrales des mmoires, et une
classification de celles-ci en fonction du phnomne physique utilis. Par la suite, seules les
mmoires semi-conducteur sont tudies.
Kilo
Mga
1K = 210 = 1024
1M = 220 = 1048576
Les quelques exemples qui suivent permettront au lecteur d'avoir des notions
d'ordre de grandeur de capacit.
Un caractre alphanumrique (chiffre, lettre, symbole) cod en ASCII (American
Standard Code for Information Interchange) est reprsent par 7 bits. Dans la plupart
des systmes il occupe en fait 1 octet.
Un terminal classique d'ordinateur affiche gnralement 25 lignes de 80 colonnes, soit
un maximum de 2 000 caractres, soit environ 2 Koctets d'informations.
Une page dactylographie contient, selon la densit du texte, entre 2000 et 4000
caractres.
Un livre de 200 pages de texte contient 800 000 caractres environ soit 0.8 Motets.
2.5. LA RAPIDITE
Un paramtre trs important dans l'valuation des performances d'une mmoire est le temps
daccs, c'est dire le temps qui s'coule entre une demande d'information et le moment o elle est
effectivement disponible.
L'organisation de la mmoire joue ici un grand rle.
Dans un systme accs Squentiel, le temps d'accs est du principalement au dfilement de
la suite d'informations jusqu' l'lment. Le temps d'accs dpend alors de la position mme de cet
lment.(On est amen parler de temps d'accs moyen ou maximum lorsqu'on parle de mmoire
bande ou disque. Leurs temps d'accs s'chelonnent alors de quelques millisecondes plusieurs
secondes).
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2.6. LA PERMANENCE
Certaines mmoires doivent tre alimentes pour conserver l'information , c'est le cas des
mmoires vives statiques semi-conducteurs (voir 4). On parle alors de mmoire volatile.
A l'oppos, les mmoires qui assurent le stockage de l'information en l'absence de source
d'nergie sont des mmoires permanentes ; c'est le cas des supports magntiques.
Remarque : Il est possible d'assurer la permanence d'une mmoire volatile notamment l'aide de piles
fournissant une nergie de maintien en cas de coupure de l'alimentation. Quelques constructeurs vont
mme jusqu' intgrer ces piles dans le botier mme de certaines mmoires semi-conducteur.
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Mmoires semi-conducteurs
Mmoires magntiques
Mmoires mortes
ROM
PROM
EPROM
Mmoires vives
EEPROM
EAROM
Statique
Non
Volatile
Dynamique
FIFO
LIFO
Volatile
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L'volution conjointe des mmoires vives non volatiles et des mmoires mortes
modifiables lectriquement rend de plus en plus difficiles les distinctions entre ROM et RAM.
4.2.1. Principe
Du point de vue de l'utilisateur, une mmoire accs alatoire se prsente comme un tableau
gnralement compos de 2m lignes de n colonnes ou chaque ligne forme un mot accessible
directement par un numro ou adresse. Le tableau ainsi form est constitu de cellules mmoires dont
la structure dpend du type de mmoire utilis: ROM, EPROM, RAM statique, etc.
Un circuit mmoire accs alatoire apparat donc fonctionnellement comme un ensemble de quatre
blocs :
1.) Plan mmoire ou ensemble des points mmoires organis en 2m mots de n bits.
2.) Dcodeur : C'est un circuit combinatoire dont les entres sont constitues par les Fils d'adresses et
les sorties par les signaux d'activation des lignes.
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4.) Logique de contrle. Ce circuit reoit les commandes de slection de la mmoire, d'autorisation
de sortie, de demande ventuelle d'criture. Il active en consquence le dcodage et le circuit
d'entr/sortie.
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Signalons enfin la possibilit de fournir l'adresse d'un mot mmoire en deux temps, adresse
ligne, puis adresse colonne. Sont alors associes deux entres appeles CAS et RAS (Column
Address Select et Row Address Select).
Les prsentations suivantes d'un mme botier mmoire sont quivalentes.
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Il est possible de grouper quatre circuits pour raliser les combinaisons suivantes :
1 024 x 16 bits - 2 048 x 8 bits - 4 096 x 4 bits.
Dans le premier cas l'association est trs simple :
ou encore
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Dans le troisime cas - 4 096 x 4 bits - l'ensemble des 2m mots rend ncessaire l'adressage sur
12 bits Ao A11, ; seul Ao A9 sont dcods par les botiers mmoires. On utilisera alors un dcodeur
externe (ici un 74 139) pour slectionner un des quatre botiers.
Le premier botier
Le second botier
Le troisime botier
Le quatrime botier
On rend compte de cette rpartition l'aide d'un schma reprsentant la cartographie mmoire
o la partition de l'espace mmoire est prcise par les adresses (en hexadcimal) des zones
dcodes.
Cette reprsentation est trs utilise dans les systmes base de microprocesseur.
Elle est appele cartographie mmoire.
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Dans l'exemple choisi (MK4118/150 ns) TAA < 150 ns : le constructeur garantit un temps
d'accs par rapport au positionnement des adresses d'au maximum 150 ns : c'est le temps qui apparat
dans la nomenclature du composant.
TACE : temps d'accs par rapport la slection (CE) du botier. C'est le
temps maximum qui s'coule entre le positionnement de CE 0 et le
moment o les donnes sont disponibles, condition de respecter le
temps de positionnement par rapport aux adresses.
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Lorsque la ligne de slection est au potentiel haut (1 logique positive) la ligne de bit 0 reste au
niveau bas (0 logique) ; par contre la ligne de bit 1 est porte au potentiel haut car la diode est
passante. La combinaison D0 D1 = 0 1 est donc prsente en sortie.
m0 = 1 0 1 0
m1 = 1 1 0 0
m2 = 0 0 0 0
m3 = 0 1 0 0
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En l'absence de diode, le niveau de la ligne est tir vers le haut par la rsistance relie
au +Vcc. La prsence d'une diode programme un 0. Le contenu de la mmoire est identique
celui de l'exemple prcdent.
Un niveau haut sur la ligne de slection impose la conduction du transistor. La ligne de bit est
alors au niveau haut (1 logique). La jonction base-metteur du transistor joue le rle de la diode. En
l'absence de transistor le potentiel de ligne reste bas cause de la rsistance de rappel la masse.
Les ROM MOS : Celles-ci utilisent des transistors effet de champ MOS intgrs
intensivement dans les circuits VLSI. Ils correspondent la technologie employe dans
la fabrication de la plupart des microprocesseurs.
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Une cellule mmoire est constitue d'un transistor Tij. La rsistance de rappel de la ligne bit est
remplace par un transistor MOS (Tc) fonctionnant en charge active.
Un niveau haut (1 logique) sur la ligne de slection provoque la conduction du transistor Tij
quivalant en premire approximation un interrupteur command :
La tension de la ligne de bit tombe alors zro (0 logique). En consquence, la prsence d'un
transistor programme un 0 et son absence, inversement, programme un 1. La structure classique d'une
ROM transistor MOS est reprsente sur l'exemple ci-aprs.
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Dans les mmoires ROM l'information est intgre au niveau de la conception mme
du circuit : fabrication de masques spcifiques. C'est une mthode lourde et trs
coteuse, qui n'est justifie que pour les trs grandes sries (> 100 000 pices).
Technologie bipolaire
fusible intact
1 logique
fusible claqu 0 logique
Technologie MOS
fusible intact
0 logique
fusible claqu 1 logique
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A la livraison tous les fusibles sont intacts, l'utilisateur doit alors appliquer un courant donn
pendant une dure minimale travers les cellules programmer.
Des appareils spcialiss appels programmateurs construits cet effet rendent le processus
automatique. L'utilisateur ne se soucie que du contenu et du type de mmoire. Les fusibles, raliss en
silicium poly cristallin, en alliage nickel-chrome ou en titanium-tungstne, ncessitent pour leur fusion
des courants de plusieurs dizaines de milliampres appliqus pendant 10 100 millisecondes. Par
exemple, pour les fusibles en poly silicium I = 50 mA ,
t = 500 s.
Dans le cas de PROM jonction, le point mmoire est ralis partir de deux jonctions en
sries et opposes. La programmation s'effectue par claquage, c'est--dire mise en court-circuit
d'une des jonctions. Pour ce faire, on applique une tension de quelques dizaines de volts pendant
quelques millisecondes.
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En l'absence de polarisation, la grille tant isole, le transistor FAMOS reste l'tat bloqu : il
se comporte comme un circuit ouvert.
Cependant, si on applique une tension assez importante (entre 12 et 25 V) entre source et drain
(drain ngatif), la jonction PN constitue par le drain et le substrat part en avalanche, et les lectrons
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Effet tunnel : possibilit pour une particule possdant une certaine nergie de passer au travers d'un obstacle (barrire de
potentiel) si celui-ci est suffisamment mince. Cette proprit, purement quantique, n'a pas d'quivalent classique.
Cependant, on peut essayer d'en donner une image concrte : en transposant le monde quantique notre chelle, nous
aurions une petite chance de traverser une porte ferme en la laissant intacte (n'essayez pas !).
*
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Comme les charges stockes dans la grille flottante s'opposent la polarisation externe (si Vs >
0), les courbes ci-dessus traduisant la loi d'volution du courant drain en fonction de la tension VGS
sont diffrentes.
Les tensions de seuil sont galement diffrentes. De ce fait, si l'on choisit alors une tension de
commande Vc intermdiaire (VT, < VC < VT,) on constate que le transistor non programm est passant
(point a) alors qu'un transistor programm reste bloqu (point b).
L'criture d'une cellule mmoire consiste, comme pour le transistor FAMOS, injecter des
lectrons dans la grille flottante. On applique alors conjointement une tension positive sur la grille et sur
le drain, les lectrons du canal, ayant une nergie cintique suffisante, peuvent alors franchir, par effet
tunnel, l'isolant qui les spare de la grille flottante. Les lectrons restent ensuite pigs dans la grille
flottante, o ils provoquent une augmentation de la tension de conduction (VT) du transistor.
Comme pour le transistor FAMOS, l'effacement est effectu de manire globale (ensemble des
cellules) par exposition du circuit aux rayonnements ultra-violets.
Les botiers sont munis cet effet d'une fentre de quartz (transparent aux U.V.) que l'on
masque en utilisation normale. La rtention de l'information est encore dans ce cas de plusieurs
dizaines d'annes.
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Si maintenant on applique une tension ngative du mme ordre de grandeur (20 25 V) entre
la grille et le substrat, on inverse le signe des charges accumules l'interface. Cette fois le potentiel
de seuil est diminu et devient ngatif. Le comportement du transistor est alors le suivant :
Le transfert de charge sur la grille flottante se fait ici simplement par application d'une tension
entre la grille de commande et le drain. Les lectrons traversent alors l'oxyde mince par effet tunnel.
L'opration est ici rversible lectriquement. Le comportement de ce transistor est alors identique
celui du FAMOS.
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Si l'on relie deux inverseurs tte-bche, on constate que deux tats lectriques de mme
stabilit sont possibles : A = 0, B = 1 ou A = 1, B = 0.
Energtiquement ces tats reprsentent des minimums. Pour passer d'un tat lautre, il faut passer
un col nergtique : c'est l'nergie de basculement.
Une valeur peut tre crite dans la cellule ainsi constitue si on dispose d'un lment extrieur
capable d'imposer une valeur A ou B, c'est--dire capable de franchir le col nergtique.
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Lorsque le potentiel de la ligne de slection est bas (< 0,3 V), la cellule n'est pas slectionne,
et aucun courant ne passe par les metteurs E1 ou E'1 suivant l'tat de la bascule (en fait le courant est
driv par E2). Par contre, si le potentiel de la ligne de slection est au niveau haut (VDD), les jonctions
BE2, et B'E'2 sont bloques et le courant est driv vers les metteurs E1 ou E'1, ; le courant passe
alors dans une rsistance r ce qui permet la lecture de l'tat de la bascule grce un amplificateur
diffrentiel. L'criture est galement possible en imposant alors les potentiels des lignes de bit.
Cas des mmoires MOS:
Le point mmoire en technologie MOS devient :
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Cette structure, ralise l'aide d'un transistor NMOS, a tendance de plus en plus tre
remplace par une cellule CMOS, qui a l'avantage de consommer trs peu en rgime statique. En effet,
si un transistor est passant, le transistor complmentaire qui lui est associ est bloqu. Il n'y a donc
pas de courant statique. Les deux tats possibles sont :
L'organisation d'une mmoire vive statique en technologie MOS apparat dans le schma cidessous :
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Cette structure est simple et trs compacte, elle permet de grandes densits d'intgration.
D'autant plus qu'on exploite la capacit interne du transistor entre la source et le substrat. (En 1986 des
mmoires vives dynamiques de IM bit sont produites en grande srie.)
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dtection de l'information
mise en forme (0 ou 1) ;
rgnration, c'est--dire rcriture.
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Les mmoires contiennent une logique de rgnration par colonne, il est donc inutile
d'adresser individuellement chaque cellule pour rafrachir son contenu ; un seul accs par ligne suffira.
Remarque : Afin d'amliorer la sensibilit de dtection, les concepteurs intgrent un
amplificateur diffrentiel l'aide duquel on effectue une comparaison du potentiel d'une cellule
slectionne et d'une cellule de rfrence.
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Etant donn que la mmoire comporte un circuit de rafrachissement par colonne, un seul
accs ligne suffit.
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