Professional Documents
Culture Documents
wykonani
a: Grupa: IV ćw
Michał Lech
1. Program ćwiczenia:
a. Wyznaczanie charakterystyk wejściowych tranzystora IB=f(UBE)
b. Wyznaczanie charakterystyk wyjściowych IC=f(UCE)
c. Wyznaczanie charakterystyk przejściowych IC=f(IB)
d. Wyznaczanie prądów zerowych ICE0,ICB0
2. Schematy pomiarowe:
1
Rys.2. Schemat do pomiarowego wyznaczania charakterystyk przejściowych i
wyjściowych
3. Wyniki pomiarów:
2
UBE[V] 0,5 0,613 0,633 0,658 0,672 0,682 0,691 0,698 0,704 0,708
IB[mA] 0 0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
UBE[V] 0,713 0,717 0,732 0,741 0,751 0,757 0,763 0,769 0,772 0,777
IB=10μA(mA) 0 0,07 0,4 1,05 1,3 1,33 1,33 1,32 1,32 1,37 1,43 1,5
IB=10μA(mA) 0 0,43 1,1 3,1 3,6 3,8 4 4,1 4,12 4,13 4,13 4,13
b. Charakterystyki wyjściowe(tabela 2)
(μA) 0 1 2 3 4 5 10 15 20 25 30
B
UCE=5V(mA) 0 0,13 0,27 0,44 0,54 0,66 1,39 2,1 2,8 3,48 4,1
UCE=15V(mA) 0 0,16 0,29 0,43 0,56 0,7 1,4 2,2 3,05 3,6 4,2
1. Przykładowe obliczenia
• Wyznaczenie wzmocnienia prądowego h21E
Na podstawie charakterystyki wyjściowej IC=f(UCE), korzystając z tabeli 2
obliczamy wzmocnienie prądowe h21E ze wzoru:
14 13
h21E 0 18 35 102,5 115 123,5 133,5 139 0 8 135 131,5
3
• Zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego β0
Na podstawie pomiarów z tabeli 3 obliczamy współczynnik β0 ze wzoru:
[μA] 0 1 2 3 4 5 10 15 20 25 30
IC=f(UCE)
IB=30[μA]
IB[mA]
IC[mA]
IB=10[μA]
UBE[V]