1

Sumrio
1. INTRODUO...............................................................................................1
2. DESENVOLVIMENTO:..................................................................................2
2.1.

Transformador.........................................................................................2

2.2.

Multmetro................................................................................................3

2.3.

PROTOBOARD.......................................................................................4

2.4.

Resistores:...............................................................................................6

2.5.

Transistores bipolares...........................................................................10

2.6.

Transistor funcionando como chave.....................................................20

3. OBJETIVOS.................................................................................................22
4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL...........................................................23
4.1

Instrumentos utilizados e materiais.......................................................23

4.2

Primeira montagem...............................................................................23

4.3

Segunda montagem..............................................................................24

5. RESULTADO E DISCUSSES....................................................................24
5.1.

Primeira montagem...............................................................................24

5.2.

Segunda montagem..............................................................................29

6. CONCLUSO..............................................................................................31
7. REFERNCIAS............................................................................................33
Anexo A Datasheet: Transistor BC548............................................................36

1. INTRODUO
Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi
crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais
complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de
pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por
trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um
dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de transistor. [11]
O impacto do transistor, na eletrnica, foi grande, j que a sua
capacidade de amplificar sinais eltricos permitiu que em pouco tempo este
dispositivo, muito menor e consumindo muito menos energia, substitusse as
vlvulas na maioria das aplicaes eletrnicas. O transistor contribuiu para
todas as invenes relacionadas, como os circuitos integrados, componentes
opto - eletrnicos e microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos
eletrnicos projetados hoje em dia usam componentes semicondutores. [11]
Os transistores fazem parte de inmeros circuitos sejam analgicos ou
digitais, desempenhando importante papel. Representa um avano importante
na eletrnica de potncia, gerando sistemas com dimenses reduzidas e muito
mais eficientes na transferncia de corrente, pois so baseados em diodos
(componentes que possuem condues unilateral e facilmente polarizveis). [8]
O transistor bipolar de juno um dispositivo de trs terminais ligados a
uma regio interna formada por um cristal de material semicondutor extrnseco,
dividido em trs partes, com caractersticas construtivas e eltricas distintas,
sendo duas de mesma polaridade P ou N e a outra de polaridade contrria, isto
, o transistor bipolar pode ser do tipo PNP ou NPN. Os trs terminais de um
transistor bipolar recebem o nome de emissor, base e coletor. [10]
O transistor funcionando como chave o modo mais simples de
utilizao deste dispositivo semicondutor, comparado com todas as outras
aplicaes. Neste modo ele opera nas regies de Corte e Saturao. Quando
cortado, o transistor funciona como um contato aberto entre os terminais de
coletor e emissor, quando saturado funciona como um contato fechado. [9]

2. DESENVOLVIMENTO:
2.1. Transformador
Transformadores

(Figura

1)

so

equipamentos

utilizados

na

transformao de valores de tenso e corrente, alm e serem usados na

modificao de impedncias em circuitos eltricos so utilizados em vrios
equipamentos do nosso cotidiano, como, por exemplo, nas instalaes eltricas
e tambm em equipamentos que utilizam como princpio de funcionamento a
eletricidade. [2].

Figura 1: Transformadores encontrados no mercado.

O transformador um dispositivo que no tem partes mveis, utiliza a lei

de induo de Faraday e no funciona com corrente contnua [1]. O
transformador (Figura 2) formado basicamente por duas bobinas com
diferentes nmeros de espiras, enroladas em um mesmo ncleo de ferro.
O enrolamento primrio est ligado a um gerador de corrente alternada e
o enrolamento secundrio est ligado a uma resistncia. [1]

Figura 2: Funcionamento de um transformador pelo seu enrolamento primrio e

enrolamento secundrio.

O principio de funcionamento de um transformador baseado nas leis

de Faraday e Lenz, as leis do eletromagnetismo e da induo eletromagntica,
respectivamente. Estes equipamentos possuem mais de um enrolamento,
sendo que estas partes so chamadas de primrio e secundrio em casos de
transformadores com dois enrolamentos, e em transformadores que possuem
trs enrolamentos, alm dos dois nomes j citados, o terceiro. [2]
Portanto quando ligamos uma corrente alternada no enrolamento
primrio produzido um campo magntico que proporcional ao nmero de
voltas do fio em torno do metal e a intensidade da corrente aplicada. O fluxo
magntico que produzido chega ao ncleo do brao metlico e sem encontrar
resistncia chega ao enrolamento secundrio. [1]
Aps chegar ao enrolamento secundrio, por induo eletromagntica,
cria-se uma corrente eltrica que tem variao de acordo com corrente do
enrolamento primrio e tambm com o nmero de espiras dos dois
enrolamentos [2]
Existem diversos tipos de transformadores: os monofsicos, que operam
no mximo em duas fases (127V -220V ); os trifsicos (ou de potncia), que
funcionam em trs fases (220V-380V-440V) e so aplicados na transformao
de tenso e corrente, em que eleva-se a tenso e diminui-se a corrente, assim
diminuindo a perda por Efeito Joule (perdas por sobreaquecimento nos
enrolamentos); os autotransformadores, que tem o seu enrolamento secundrio
ligado eletricamente ao enrolamento primrio e os de baixa potncia, que so
utilizados unicamente para diminuir impedncias de circuitos eletrnicos e para
casar impedncias, a utilizao deste tipo de transformador se d a partir da
acoplagem deste entrada do primrio de outro transformador.[2]
Alm de serem classificados de acordo com o fim a ser usado, ainda
existe a classificao de acordo com o ncleo. Os tipos de transformadores de
acordo com o ncleo so: os de ncleo de ar, cujos enrolamentos ficam em
contato com a prpria atmosfera e os de ncleo ferromagntico, onde so
usadas chapas de ao laminadas (no geral usam-se chapas de ao-silcio, por
diminurem a perda por Corrente de Foucault ou correntes parasitas).[2]
3

Alguns transformadores so sensveis a acoplamento esttico nos

enrolamentos, por isso eles recebem uma proteo chamada de Blindagem
Eletrosttica. [2]
2.2. Multmetro
O multmetro (Figura 3) um aparelho de medida eltrica, capaz de
realizar a medio eltrica de trs tipos diferentes: Voltmetro, Ohmmetro e
Ampermetro. Os multmetros podem ser analgicos ou digitais. Estes
instrumentos podem permitir a medida de tenses, correntes, resistncias
eltricas, temperatura, capacitncia, freqncia, entre outras grandezas. A
medida de cada uma dessas grandezas escolhida por meio de uma chave
rotativa seletora. [3]

Figura 3: Multmetro

Os multmetros analgicos so construdos com um galvanmetro de

dArsonval e a chave seleciona diferentes resistores ligados em srie ou em
paralelo com o galvanmetro segundo as convenincias. A chave tem ainda a
funo de acionar a pilha, ou bateria, no caso de medidas de resistncias. O
multmetro analgico reinou absoluto durante muito tempo. Foi um dos
primeiros sistemas de leitura para bancada. Com o tempo, vem perdendo
espao para os equipamentos digitais, mas no se engane devido a
caractersticas prprias, ainda til. [3]
Nos

multmetros

digitais,

os

mostradores

analgicos

e,

conseqentemente, o galvanmetro de dArsonval, foram superados por

4

instrumentos eletrnicos com mostradores digitais. Nestes instrumentos, a

corrente eltrica convertida em sinais digitais por meio de circuitos
denominados conversores analgico-digitais. [3]

2.3. PROTOBOARD
Uma protoboard, tambm conhecida como matriz de contatos utilizada
para fazer montagens provisrias, teste de projetos, alm de inmeras outras
aplicaes (ver Fig.5).
constituda por uma base plstica, contendo inmeros orifcios
destinados insero de terminais de componentes eletrnicos. Internamente
existem ligaes determinadas que interconectam os orifcios, permitindo a
montagem de circuitos eletrnicos sem a utilizao de solda.
A grande vantagem que os componentes podem ser facilmente
retirados para serem utilizados posteriormente em novas montagens.
A figura 4 ilustra uma protoboard de 830 furos, bastante comum no meio
eletrnico:

Figura 4: Protoboard de 830 furos

Uma protoboard possui orifcios dispostos em colunas e linhas. As linhas

encontram-se nas extremidades da protoboard e as colunas ao centro. [4]

As colunas so formadas exatamente por cinco furos cada uma.

Observando a figura anterior, observa-se que uma protoboard possui um grupo
de colunas dispostas acima da cavidade central e outro grupo abaixo dessa
cavidade. Essa cavidade divide a protoboard em duas partes iguais. [4]
Todos os cinco orifcios de uma mesma coluna esto internamente
conectados. Os orifcios de uma coluna no possuem conexes internas com
os de outras colunas. [4]
As linhas, geralmente, so utilizadas para a alimentao do circuito,
tanto que possuem os smbolos + e -. Todavia, isso constitui apenas uma
sugesto e no uma regra. [4]
Os orifcios das linhas esto conectados entre si (em uma mesma linha).
As linhas so eletricamente independentes, isto , no h conexo eltrica
entre os furos de uma linha e de outra. [4]
As protoboards (Figura 5) so projetadas para a realizao de
montagens experimentais e possuem limitaes de ordem prtica: baixa
capacidade de corrente (cerca de 1A), capacitncia e resistncia dos contatos
internos considerveis, susceptibilidade captao de rudos e interferncias,
dentre outros fatores. [4]
Desta forma, uma vez comprovado o funcionamento de um circuito, o
mesmo dever ser montado em uma placa de circuito impresso, caso deseje
utiliz-lo em definitivo. [4]

Figura 5: Exemplo de matriz de contatos (Protoboard)

2.4. Resistores:
Resistor (Figura 6) um dispositivo eltrico vastamente usado como
elemento de circuito, principalmente de circuitos eltricos e eletrnicos.

unidade de medida de resistncia no SI chamada Ohm, seu valor dado por

Volt por Ampre.

Figura 6: Resistor

Nos circuitos eletrnicos em geral, os resistores so encontrados

associados em srie ou em paralelo, e muitas vezes em associaes mistas,
que so compostos por conjuntos de associaes em srie e em paralelo. [5]
No caso da associao em srie (Figura 7) a corrente eltrica i a
mesma para todos os resistores do circuito. A somatria das quedas
de tenso no circuito igual tenso aplicada nos extremos A e B do circuito,
segundo a lei das malhas de Kirchoff. [5]

Figura 7: Associao em serie

A associao em paralelo (Figura 8) tem as seguintes caractersticas: a

corrente eltrica que passa pelo circuito todo igual soma das correntes
7

eltricas que passa por cada um dos resistores da associao e a diferena de

potencial em um dos resistores igual diferena de potencial dos outros
resistores. [5]

Figura 8: Associao em paralelo

possvel determinar o valor da resistncia de um resistor de duas

maneiras, uma utilizando equipamentos de medies de resistncia, como
multmetro, e de outro modo utilizando uma tabela de cores. Para a segunda
opo a identificao por meio da tabela de cores, se da atravs das cores
contidas no corpo do resistor. [6]
Visando uma fcil interpretao, o cdigo de cores de resistores
analisado atravs de faixas, sendo cada faixa com uma funo. Pode ser ter
cdigos para resistores de 3 faixas ,4 faixas ,5 faixas ,6 faixas .[6]
A primeira faixa sempre a que estiver mais prxima de um dos
terminais do resistor. Para resistores de 3 faixas utilizada a tabela 1 e segue
as seguintes orientaes [6]:
1 Faixa : mostra o primeiro algarismo do valor da resistncia.
2 Faixa : mostra o segundo algarismo do valor da resistncia.
3 Faixa: mostra quantos zeros devem ser adicionados a resistncia.
Observao: Para os resistores de 3 faixas a tolerncia pode ser
considerada em 20 % ,sendo definido sem cor .

Tabela 1: Para resistores de 3 faixas

Para resistores de 4 faixas ( Tabela 2 ) utilizada a tabela 2 e segue as

seguintes orientaes[6] :
1 Faixa : mostra o primeiro algarismo do valor da resistncia.
2 Faixa : mostra o segundo algarismo do valor da resistncia.
3 Faixa: mostra quantos zeros devem ser adicionados a resistncia
4 Faixa: indica a tolerncia que o componente tem

Tabela 2: Para resistores de 4 faixas

Para resistores de 5 faixas ( Tabela 3) utilizada a tabela 2 e segue as

seguintes orientaes [6] :
1 Faixa : mostra o primeiro algarismo do valor da resistncia.
2 Faixa : mostra o segundo algarismo do valor da resistncia.
3 Faixa: mostra o terceiro algarismo do valor da resistncia.
4 Faixa: mostra quantos zeros devem ser adicionados a resistncia
5 Faixa: indica a tolerncia que o componente ter.

Tabela 3: Resistores de 5 faixas

Para resistores de 6 faixas ( Tabela 4) utilizada a tabela 2 e segue as

seguintes orientaes [6] :
1 Faixa : mostra o primeiro algarismo do valor da resistncia.
2 Faixa : mostra o segundo algarismo do valor da resistncia.
3 Faixa: mostra o terceiro algarismo do valor da resistncia.
4 Faixa: mostra quantos zeros devem ser adicionados a resistncia
5 Faixa: indica a tolerncia que o componente ter .
6 Faixa: coeficiente de temperatura em PPM/C.

10

Tabela 4: Resistores de 6 faixas

Alguns exemplos de resistores utilizados no nosso cotidiano so: o

filamento de uma lmpada incandescente, o aquecedor de um chuveiro
eltrico, os filamentos que so aquecidos em uma estufa, entre outros. [7]
Em circuitos eltricos tericos costuma-se considerar toda a resistncia
encontrada proveniente de resistores, ou seja, so consideradas as ligaes
entre eles como condutores ideais (que no apresentam resistncia), e
utilizam-se as representaes (Figura 9):

Figura 9: Representaes de um resistor em um circuito

2.5. Transistores bipolares

No final de 1947, uma das maiores invenes j realizadas pelo homem,
revolucionaria completamente a eletrnica; o transistor bipolar de juno. Seus
inventores, Dr. John Bardeen, Dr. William Schocley e Dr. Walter H. Brattain
ganharam por esse trabalho, o prmio Nobel em 1956. [10]
O principio do transistor (Figura 10) poder controlar a corrente. Ele
montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas

11

camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do

tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada
uma dessas camadas recebe um nome em relao sua funo na operao
do transistor, As extremidades so chamado de emissor e coletor, e a camada
central chamada de base. [11]

Figura 10: Transistor

O transistor bipolar de juno um dispositivo de trs terminais ligados a

uma regio interna formada por um cristal de material semicondutor extrnseco,
dividido em trs partes, com caractersticas construtivas e eltricas distintas,
sendo duas de mesma polaridade P ou N e a outra de polaridade contrria, isto
, o transistor bipolar pode ser do tipo PNP ou NPN. [10]
A estrutura de camadas apresentada na Figura 11. Pode ser verificado
que este semicondutor possui trs camadas (podendo ser NPN ou PNP) e
duas junes (J1 e J2). Os trs terminais de um transistor bipolar recebem o
nome de emissor, base e coletor. [10]

Figura 11: Estrutura e smbolos de um transistor bipolar

12

Do emissor so emitidos os portadores de corrente, eltrons ou lacunas,

dependendo da polaridade do transistor, com o sentido de atingirem o coletor
onde sero coletados, passando atravs da regio de base, que tem a funo
de controlar o fluxo.[10]
Cada terminal possui uma caracterstica prpria que so: [10]
Emissor - regio maior nvel de dopagem do transistor. do emissor de
onde partem os portadores de carga, em outras palavras, o emissor quem
define o sentido da corrente, por isto ele possui uma flecha no seu terminal no
smbolo do transistor.
Base - regio mais estreita e com nvel mdio de dopagem. Comparada
as outras regies, a base se parece como uma pelcula muito fina. Serve para
fazer com que o transistor comece a funcionar.
Coletor - regio de maior rea e menos dopada do transistor. O coletor
tem a maior rea, pois nessa regio onde h maior dissipao de energia por
efeito Joule. Para transistores de maior potncia a regio de coletor est ligada
a cpsula do transistor.
Podemos fazer uma analogia do transistor bipolar de juno com dois
diodos, para entendermos alguns aspectos de seu funcionamento, porm no
podemos construir nenhum transistor dessa maneira. [11]
A analogia baseada na estrutura do diodo de juno PN. Do terminal
de base para os terminais de emissor ou coletor vemos um diodo PN. Essa
analogia utilizada para os testes e identificao dos terminais do transistor
bipolar de juno. [11]
Fazendo-se uma analogia com diodos, podemos testar um transistor
bipolar e identificar seus terminais. Primeiramente identificamos a polaridade
do transistor e o terminal de base e depois os terminais de coletor e emissor. A
regio de emissor do transistor mais dopada do que a regio de coletor. Essa
caracterstica utilizada para a identificao do emissor e do coletor, pois a
tenso de conduo do emissor levemente superior a tenso de conduo do
coletor. No exemplo a seguir o transistor(Figura 12) BD135 testado com um
multmetro digital. [11]

13

Figura 12: Teste de um transistor usando a analogia de um diodo

importante apontar que nem todos os transistores podem ser testados

desta forma. Os transistores Darlington podem indicar valores errneos. [11]
Para um transistor bipolar operar num circuito necessrio que seja
convenientemente polarizado. A polarizao consiste na fixao de tenses e
correntes nos terminais do dispositivo, dentro de seus limites de operao e
modo de funcionamento desejado. Existem quatro combinaes possveis de
polarizao do transistor bipolar de juno, porm somente trs so utilizadas.
Vamos considerar na anlise um transistor NPN, porem o mesmo procedimento
poderia ser aplicado a um transistor com polaridade complementar.
Na Primeira situao de polarizao (Figura 13) :temos que os diodos
equivalentes das junes emissor (BE) e base coletor(BC) so diretamente
polarizados.

Figura 13: Primeira aproximao de polarizao

Como os dois diodos BE e BC esto diretamente polarizados, ento

conduziro muito bem. Considerando os diodos equivalentes como ideais, o
circuito equivalente para essa situao apresentado na Figura 14.[11]
14

Figura 14: O circuito equivalente fazendo-se analogia com diodos para essa situao de
polarizao

Em polarizao reversa, os diodos equivalentes no conduzem. A

situao de polarizao equivalente aos diodos cortados, como mostra a
Figura 15.

Figura 15: Polarizao reversa equivalente aos diodos cortados

A essa situao de polarizao chamamos corte e dizemos que o

transistor est cortado quando a polarizao entre base e emissor e entre base
e coletor reversa. [11]
A primeira e a segunda forma de polarizao so utilizadas em circuitos
em que o transistor deva funcionar como uma chave. So chamados de
circuitos de chaveamento. Podemos utilizar esta topologia para acionar
motores, lmpadas, vlvulas, cilindros e etc. As fontes chaveadas tambm
possuem transistores, ou componentes similares, funcionando no regime de
corte e saturao. [11]
Terceira situao (Figura 16) de polarizao: o diodo BE diretamente
polarizado e o diodo BC reversamente polarizado. [11]

15

.
Figura 16: Terceira aproximao

O circuito equivalente fazendo-se analogia com diodo e fonte de corrente

para essa situao de polarizao mostrado na Figura 17. [11]

Figura 17:

circuito equivalente da
terceira aproximao

Uma vez que a polarizao do diodo BE direta ento, conduzir muito

bem. Como a base uma regio estreita, as cargas emitidas no emissor, tero
condies de chegar prxima a juno BC reversamente polarizada, sendo
atradas pela barreira de potencial formado junto a juno, sendo coletadas no
coletor, onde h a dissipao de energia por efeito Joule. Essa situao de
operao conhecida como operao ativa do transistor bipolar de juno,
pois o transistor funciona como uma fonte de corrente na malha de coletor
onde a corrente passa a ser igual a Ic = . Ie.O efeito de transferncia da
corrente entre as duas malhas, base emissor e base coletor chamado efeito
transistor. A Figura 18 a seguir mostra a analogia com diodos do transistor NPN
e o circuito equivalente com o transistor polarizado na regio ativa ou linear de
operao. [11]

16

Figura 18: Analogia com diodos do transistor NPN e o circuito equivalente com o
transistor polarizado na regio ativa ou linear de operao.

Os circuitos que utilizam transistores operando na regio ativa so

chamados de circuitos lineares. Um exemplo destes circuitos so os
amplificadores de udio, fontes de alimentao do laboratrio de eletrnica e a
fonte desenvolvida nesta disciplina. O transistor utilizado para controlar uma
determinada tenso ou corrente de um circuito. O transistor poder estar ligado
em srie ou em paralelo, depende apenas da topologia do circuito. [11]
Para uma melhor compreenso das situaes de polarizao de um
transistor importante analisar a curva caracterstica do transistor. Esta curva
indica a tenso entre coletor e emissor versus a corrente que circula pelo
emissor. Abaixo apresentada a curva caracterstica de um transistor qualquer
(Figura 19). [11]

Figura 19: Curva caracterstica de um transistor

Caractersticas dos pontos importantes da curva caracterstica de um

transistor so: [11]

17

Vce = Vcmximo

(Equao 1)

Corte: Ic = 0
Ptransistor = 0 W(P = Vce.Ic)

(Equao 2)

Vce = 0
Saturao: Ic = Icmximo

(Equao 3)

Ptransistor = 0 W (P = Vce.Ic)

(Equao 4)

Vce 0
Linear: Ic 0
Ptransistor 0 W (P = Vce.Ic) (Equao 5)
Transistor como amplificador de corrente
A corrente de base uma pequena parcela da corrente de emissor,
enquanto a corrente de coletor consiste na sua maior parcela. A Figura 20
apresenta a representao das correntes eltricas em um transistor. [11]
A corrente de base controla a corrente de coletor, temos que pequenas
variaes na corrente de base provocam grandes variaes na corrente de
coletor. [11]

Figura 20: Correntes eltricas de um transistor

Isso significa que o transistor na regio ativa essencialmente

um amplificador de corrente. Por isso, o transistor substituiu as vlvulas do
18

incio do sculo XX, tornando mais compacto e confivel os equipamentos

eletrnicos que necessitam de um amplificador. Os equipamentos que utilizam
transistores operando como amplificadores so chamados de circuitos lineares,
devido a relao linear entre corrente de base e corrente de coletor. Existe uma
gama muito grande de dispositivos e equipamentos que utilizam o transistor
operando na regio ativa, por exemplo: fontes lineares e amplificadores. [11]
Anlise do transistor em corrente contnua
Ganho de corrente entre coletor e base-
No transistor, a relao entre I C e IB denominada ganho de corrente CC
(Equao 6), sendo representado por . Portanto: [11]

(Equao 6)

O valor de varia conforme cada tipo de transistor e de suas condies

de operao (correte, tenso e temperatura). Existem transistores com desde
10 at 1000. [11]
Ganho de corrente entre coletor e emissor -
A corrente entre coletor e emissor (Equao 7) praticamente igual,
diferindo apenas pela diferena da corrente de base, a qual muito pequena.
Dizemos que a relao entre corrente de coletor e a corrente de emissor igual
a (ganho de corrente entre coletor e emissor). [11]

(Equao 7)

Considerando as seguintes expresses:

(Equao 8)

19

(Equao 9)

Utilizando a Equao 8 para obter uma relao de I E por IC na segunda

equao, teremos:

(Equao 10)

Utilizando a Equao 8 para obter uma relao de I E por IB na segunda

equao, teremos:

(Equao 11)
Estas relaes so importantes para determinao das relaes entre as
correntes e ganhos de um transistor, dados importantes para determinao do
ponto de operao e desenvolvimento de projetos transistorizados. [11]
20

As fontes de corrente transistorizadas so utilizadas para obter-se uma

corrente estabilizada (fixa), mesmo quando alteramos Vcc, ou, ainda, as
caractersticas da carga. Por exemplo, suponhamos que seja utilizado um
transistor operando como chave para controlar a luminosidade de um LED. Seu
brilho estaria sujeito as variaes de Vcc. A curva caracterstica de operao do
transistor, bem como a topologia apresentada na Figura 21 a seguir: [11]
Podemos verificar que se o valor de Vcc alterar, a corrente Ic tambm ir
alterar, de forma similar a Vcc. Este tipo de operao, considerando circuitos
mais importantes, ao invs do que o simples brilho de um LED pode ocasionar
falhas ou funcionamento inadequado, portanto, no devem ser utilizados, a
menos que desejados como simples chaves. [11]
Ao

contrrio,

apresentado

na

podemos

utilizar

uma

outra

topologia,

conforme

figura 22 abaixo:[11]

Figura 21: Operao do transistor e a topologia

21

Figura 22: Outra

topologia

Extraindo a equao da malha da base, teremos:[11]

(Equao 12)

Isolando a corrente de coletor, teremos: [11]

(Equao 13)

Extraindo a equao da malha do coletor, teremos: [11]

(Equao 14)

Considerando que IcIe, teremos:

(Equao 15)

2.6. Transistor funcionando como chave

O transistor funcionando como chave o modo mais simples de
utilizao deste dispositivo semicondutor, comparado com todas as outras
aplicaes. Neste modo ele opera nas regies de Corte e Saturao. Quando
cortado, o transistor funciona como um contato aberto entre os terminais de
coletor e emissor, quando saturado funciona como um contato fechado. Para
22

garantir que o transistor funcione corretamente como chave para qualquer DC

(hFE), devese usar uma saturao forte, isto , o circuito deve estar projetado
para que a corrente de base seja de pelo menos 10% da corrente de coletor. O
transistor como fonte de corrente outra forma bsica de uso deste
componente. Neste modo de operao, a resistncia de base omitida e ao
terminal de base conectada diretamente uma fonte de tenso. Para ajustar a
corrente de coletor colocada uma resistncia no emissor. Esta resistncia
amarra o emissor base com a queda de tenso VBE fixa, fixando o valor da
corrente atravs da carga colocada entre o terminal de coletor e a fonte de
alimentao. [12]
Um transistor pode operar como chave eletrnica (Figura 23), bastando para
tal polariz-lo de forma conveniente: corte ou saturao. [12]
Quando um transistor est saturado opera como um curto (chave fechada)
entre o coletor e o emissor de forma que V CE

0V e quando est no corte,

opera como um circuito aberto (chave aberta) entre o coletor e o emissor, de

forma que VCE

VCC.[12]

No ponto de saturao (chave fechada) a corrente de base alta (I B SAT) e no

ponto de corte (chave aberta) a corrente de base zero.[12]

Figura 23: um transistor operando como chave eletrnica e sua respectiva reta de carga.

Para obter o extremo superior da reta de carga (corrente I C) devemos

supor um curto entre coletor e emissor (V CE = 0), de forma que toda a tenso de
alimentao se fixe no resistor de coletor.[12]
23

Teremos ento: IC = VCC / RC (Equao 14)

Para obter o extremo inferior da reta de carga, devemos supor os
terminais de coletor e emissor abertos. [12]
Teremos ento: VCE = VCC
Fica ento caracterizado que o transistor opera apenas em um dos
extremos da reta de carga: corte ou saturao. [12]
No chaveamento eletrnico com transistores, devemos levar em conta
dois tipos de saturao: fraca e forte. [12]
Na saturao fraca, a corrente de base suficiente para levar o
transistor saturao. Tal procedimento porm no aconselhvel visto que
pode haver uma variao de CCe na prpria corrente de base de saturao (I B
).[12]

SAT

Utiliza-se normalmente a saturao forte, que assegura a condio de

saturao para todos os valores de CC. Uma regra prtica considerar a
corrente de base como 1/10 da corrente de saturao de coletor. [12]

3. OBJETIVOS
Conhecer os transistores bipolares; capacitar o aluno de eletrnica bsica a
identificar os terminais de um transistor, bem como suas principais caractersticas;
conhecer as principais informaes contidas em um datasheet de trasistores; montar
um circuito eletrnico contendo transistor, levantando sua curva caracterstica de
operao; utilizar um diodo como chave.

24

4.

PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

O experimento consistiu em montar dois circuitos: o primeiro era um

circuito contendo um transistor polarizado pela base; o segundo utilizava um
transistor funcionando como uma chave (elemento de controle liga-desliga).

4.1 Instrumentos utilizados e materiais

Para a realizao desse experimento foram utilizados os seguintes
instrumentos e componentes:
- Multmetro;
- Protoboard;
- Transistor NPN BC548 (datasheet disponvel no Anexo A desse
relatrio);
- Resistores de 2,2 m, 1 m, 560 k, 10 k, 4,7 k, 3,3 k, 2,2 k,
1,2 k e 1 k;

4.2

Primeira montagem
A primeira montagem no protoboard foi a de um transistor bipolar
polarizado pela base, conforme Figura 24 .

Figura 24 :Circuito da primeira montagem.

25

Como o objetivo era levantar a curva caracterstica de operao do

transistor, foi utilizado diferentes resistores no circuito de entrada (malha
esquerda da Figura 24) e de sada (malha direita da Figura 24). Verificou-se o
formato da queda de potencial no resistor R b, a diferena de potencial V be e Vce,
obtendo de forma indireta, atravs da lei de Ohm, o valor da corrente de base I b
e da corrente do coletor Ic. Os resistores utilizados no circuito de entrada foram
de 2,2 M, 1,0 M e 560 k; no circuito de sada foram utilizados os resistores
de 10 k, 4,7 k, 2,2 k, 1,2 k e 1,0 k.
De posse dos valores da corrente do coletor e da tenso coletor-emissor,
foi plotado o grfico Ic x Vce, obtendo-se, assim, a curva caracterstica do
transistor. Os dados foram comparados com os valores mximos disponveis
no datasheet do transistor BC548 (disponvel no Anexo A desse relatrio).

4.3

Segunda montagem
A segunda montagem no Protoboard foi a de um circuito com transistor
funcionando como chave liga-desliga, conforme Figura 25. Esse circuito
chamado de chaveamento de nvel TTL para nvel CMOS, e muito utilizado
em eletrnica digital.

Figura 25:Circuito com transistor funcionando como chave.

O ponto esquerda do resistor R1 foi ligado em nvel lgico alto (5 V),

depois em nvel lgico baixo (0 V). Foi medido a diferena de potencial V ce e a
corrente de coletor Ic, observando a diferena em cada caso.

26

5. RESULTADO E DISCUSSES
5.1. Primeira montagem
Os resultados obtidos para o circuito contendo o transistor polarizado
pela base mostrado na Tabela 5. A primeira coluna lista os valores da
resistncia de base Rb, a segunda coluna lista os valores da queda de tenso
provocada pela resistncia Rb, a terceira coluna lista os valores da corrente de
base Ib, calculada de acordo com a lei de Ohm (

I b=V b / Rb

), a quarta coluna

lista os valores obtidos para a queda de tenso provocada pelo transistor, a

quinta coluna lista os valores da resistncia R c, a sexta coluna lista os valores
da ddp Vce, a penltima coluna lista o valor de I c, calculado usando a lei de

Kirchhoff
cc

I c=

V ccV ce
Rc

e a ltima coluna lista o valor do ganho de corrente

, calculado atravs da relao

I c = cc I b

Tabela 5: Dados experimentais do circuito 1 (transistor BC548 polarizado pela base). V bb

5 Volts e Vcc 15 Volts.

Circuito de entrada

Circuito de sada

Gan
ho

de

corrente
Rb
(M)

V
b

(V)

Ib
(A)

V
be

(V)

Rc
(k)

V
ce

(V)

,60
2

4
,45

2
,02

0
,62

4,
7

2,
2

0,
74

1,43

366,
3

0,
76

1
3,31

cc

(mA)

10
2,

Ic

376,
2

0,
77

381,
2

27

4,
7
1,
0

4
,54

4
,54

0
,63

2,
2

560

,42

7
,89

0
,63

381,
5

3,

1,30

08
1

390,
4

3,

1,96

Utilizando a definio de ganho de corrente

01
1

1,

381,

3,

,38

73
8

1,

376,

1,

2,92

71
1

2,

365,

1,

1,24

66

,20

1,

0,

1,

04

cc=

385,
3

Ic
Ib

, foi possvel

estimar o ganho em cada situao. A Tabela 5 mostra que o ganho mdio do

transistor BC548 de 378,25.
O valor de ganho obtido foi ento comparado com o valor terico
estimado no circuito com as mesmas caractersticas. A Tabela 7 mostra os
valores calculados teoricamente utilizando simulao via software ISIS
Proteus. A Figura 2 mostra o circuito montado no software.

28

Figura 26: Simulao do circuito com transistor construda no software ISIS Proteus.
Tabela 6: Valores de ddp e corrente teoricamente calculados para o circuito 1 (transistor
polarizado pela base). Vbb 5 Volts e Vcc 15 Volts.

Ganho
Circuito de entrada

Circuito de sada

de
corrente

Rb
(M)

Ib
(A)

Vbe
(V)

Rc
(k)

Vce
(V)

7
2,0
2

0,66

6
4,3
7

0,68
4
2,2

302,0

0,6

311,9

1,2

286,0

1,3

302,1

5
12,

0,6

3
9,1

4,7

287,1

1
13,

2,2
1,0

0,5

12,

4,7

cc

(mA)
9,1

10

2,2

Ic

2
29

13,

1,2
4

1
0,5
60

7,7
4

0,69

285,5

2,2

295,6

2,3

298,4

9
12,

1,0

2,2
1

12,

1,2

306,6

4
10,

2,2

1,3

A Tabela 6 mostra que o ganho mdio do transistor BC548 de 298.

Comparando os valores experimentalmente obtidos com os valores
obtidos na simulao, possvel observar que houve uma diferena entre os
ganhos (298 terico e 378 experimental). A diferena entre os valores pode ter
sido em funo da caracterstica de que o ganho fortemente influenciado pela
temperatura. Tambm se nota que o ganho experimental obtido maior que o
previsto pela simulao.
O datasheet do transistor BC548 apresenta o valor mximo de ganho de
corrente igual a 800, conforme mostrado na Tabela 7. Em ambos os casos,
simulao e experimento, o ganho menor que o mximo.

Tabela 7: Alguns valores caractersticos do transistor BC548, obtidos no datasheet

disponvel no Anexo A desse relatrio.

Mxima tenso coletor-emissor

Mxima corrente de coletor
Mxima dissipao de potncia
Corrente de fuga do coletor (Tj=125 C)
Mxima tenso base-emissor
Mxima tenso de saturao coletor-emissor
Mximo ganho de corrente

30 V
100 mA
500 mW
4 A
5V
30 V
800

A curva de coletor caracterstica do transistor apresentada BC548

apresentada nas Figura 6 e 7. A Figura 27 apresenta a curva obtida usando os
dados experimentais, j a Figura 28 apresenta a curva obtida usando os dados
30

simulados. As curvas possuem comportamento parecido, mostrando que para

uma mesma corrente de base, a corrente Ic permanece aproximadamente
constante na regio mostrada de operao do transistor. A tenso do coletar
quase no afeta a corrente do coletor. Essa caracterstica descreve a regio
ativa do coletor (parte horizontal da curva de coletor).

Figura 27:Curva caracterstica do transistor BC548, obtida a partir do experimento.

Figura 28:Curva caracterstica do transistor BC548, obtida a partir de simulao.

31

5.2. Segunda montagem

A Tabela 8 apresenta os resultados obtidos no circuito com transistor
funcionando como chave.

Tabela 8: Valores de diferena de potencial V ce e corrente de coletor Ic para o circuito

com transistor funcionando como chave.

Vb (V)
0
5

Vce (V)
14,99
0,05

Ic (mA)
0
15

A corrente Ic foi obtida usando a lei de Ohm:

I c=

15V ce
1000

(Equao 16)

A reta de carga do transistor apresentada na Figura 29. O transistor

opera nas regies de corte e de saturao. Na regio de corte, o transistor faz
a funo de uma chave aberta, no h corrente circulando na malha. No ponto
de saturao, o transistor funciona idealmente como um fio, onde a queda de
tenso mnima e o fluxo de corrente mximo.

Figura 29: Circuito com transistor funcionando como chave.

Utilizando o software ISIS Proteus, foi realizado a simulao desse

circuito. Os resultados obtidos esto apresentados na Tabela

32

Tabela 9: Simulao de um circuito com transistor operando como chave.

Vb (V)
0
5

Vce (V)
15,0
0,4

Ic (mA)
0
15

Os resultados obtidos so muito prximos, mostrando a validade do

experimento. Um detalhe interessante que a converso de tecnologia TTL
para CMOS inversa, ou seja, quando a entrada 5 V, a sada ser 0 V e
quando a entrada for 0 V, a sada ser 15 V.

33

6. CONCLUSO
O experimento mostrou que um transistor bipolar possui uma queda de
tenso Vbe que pode ser aproximada como um valor constante. A curva
caracterstica de um transistor aproximadamente uma reta horizontal na
regio ativa de operao. Para o transistor polarizado pela base, a corrente de
base e o ganho so majoritrios na determinao da corrente do coletor.
O ganho de corrente de um transistor polarizado pela base no
constante. A temperatura possui forte influncia no ganho de corrente [13]
O transistor um dos principais componentes na eletrnica digital, pois
pode funcionar como um elemento de controle liga-desliga, conduzindo
corrente ou no. Essa caracterstica possibilitou o desenvolvimento do sistema
binrio utilizado em todos os computadores atuais. Por fim, o chaveamento de
nvel TTL para nvel CMOS possui caracterstica inversa, ou seja, quando a
entrada 5 V, a sada ser 0 V e quando a entrada for 0 V, a sada ser 15 V.

34

6. REFERNCIAS
:
[1]http://brasilescola.uol.com.br/fisica/transformadores.htm, acessado em
07 de Maio de 2016.
[2]

http://www.infoescola.com/eletricidade/transformadores/,

acessado

em 07 de Maio de 2016.
[3]

http://mundoeducacao.bol.uol.com.br/fisica/o-multimetro.htm,

acessado em 07 de Maio de 2016.

[4] http://www.eletronicadidatica.com.br/protoboard.html, acessado em
07 de Maio de 2016.
Abril de 2016
[5] HALLIDAY, David, Resnik Robert, Krane, Denneth S. Fsica 3,
volume 2, 5 Ed. Rio de Janeiro: LTC, 2004. 384 p.,acessado em 07 de Maio
de 2016.
[6]

http://www.mundodaeletrica.com.br/codigo-de-cores-de-resistores/,

acessado em 07 de Maio de 2016.

[7]http://www.sofisica.com.br/conteudos/Eletromagnetismo/Eletrodinamic
a/resistores.php, acessado em 07 de Maio de 2016.
[8]

http://www.portaleletricista.com.br/transistor-funcionamento-e-

aplicacoes/, acessado em 08 de Maio.

[9]
http://www2.feg.unesp.br/Home/PaginasPessoais/ProfMarceloWendling/1--transistores-ii---v1.0.pdf , acessado em 08 de Maio de 2016 .
[10]

http://www.ebah.com.br/content/ABAAAem1sAK/transistores-

bipolares, acessado em 08 de Maio de 2016.

[11]

http://www.ebah.com.br/content/ABAAAAmksAF/transistores-

bipolares?part=3, acessado em 08 de Maio de 2016.

[12]

https://pt.scribd.com/doc/72478135/TRANSISTOR-COMO-CHAVE-

ELETRONICA , acessado em 09 de Maio

35

[13] MALVINO, A. P. Eletrnica: Volume 1. 4. ed. So Paulo: Makron

Books,
1995.
[14]

SENAI. Eletrnica Bsica I: Introduo. 1. ed. [S.I.], 2005.

Disponvel em <http://www.portaldaindustria.com.br/senai/> Acesso em: 10 abr.

2016.

36

ANEXO

37

Anexo A Datasheet: Transistor BC548.

38

39