DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (portadores calientes)

Existe un dispositivo de dos terminales conocido como diodo Schottky, de

barrera de superficie o de portadores calientes. Sus reas de aplicacin del
dispositivo son sistemas de radar, lgica TTL Schottkly (lgica de transistor a
transistor) para computadoras, mezcladores y detectores en equipo de
comunicacin, instrumentacin y convertidores analgico y digital.
Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del
orden de 0.3v o menos.
Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida o de portadores
calientes.
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas
frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta tensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de Silicio, que tienen una tensin
umbral de 0.7v, los diodos Schottky tiene una tensin umbral de
aproximadamente 0.2 a 0.4v.
En esta imagen podemos observar una grfica de Corriente vs Tensin en esta
imagen se muestra que el diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin
de corriente indirecta esta caracterstica no permite que actu como diodo
rectificador. Como se ve en la imagen el diodo Schottky no acepta grandes
voltajes que lo polarice inversamente.

Diodo Zener

El diodo zener es un tipo especial de diodo semiconductor.

El sentido permitido lo llamaremos polarizacin directa y al que bloquea la corriente polarizacin
inversa.
En directa el diodo conduce una vez que la tensin supera unos 0,7 voltios.
En inversa el diodo no conduce hasta que se alcanza la tensin mxima de trabajo , una vez
alcanzada el diodo conduce.
Un diodo diseado para trabaja hasta 50 volt , puede conducir en inversa si le aplicamos una
tensin de 60 volt.
En el diodo zener se aplica rigurosos controles para que la tensin de ruptura se mantenga dentro
de una estrechsima franja de tolerancia.
Vemos que este dispositivo presenta una curva especifIca.
En sentido directa no condue hasta los 0,7 volt .
En sentido inversa no conduce hasta que se alcanza la tension zener.

Diodos varactores (VARICAP)

Tambin conocidos como varicap, VVC (capacitancia variable dependiente del
voltaje) o de sintonizacin son capacitores semiconductores dependientes del
voltaje. Su modo de operacin depende de la capacitancia que haya en la
unin p-n cuando el elemento se polariza en inversa. En condiciones de
polarizacin en inversa, hay una regin de carga no recuperada a ambos lados
de la unin que juntos conforman la regin de empobrecimiento y definen el
ancho de empobrecimiento

W d . La capacitancia de transicin

CT

establecida por las cargas no recuperadas aisladas es:

CT =

Donde

A
Wd

es la permisividad de los materiales semiconductores, A es el rea

de la unin p-n y

W d es el ancho del empobrecimiento.

A medida que se incrementa el potencial de polarizacin en inversa, el ancho

de la regin de empobrecimiento se incrementa, lo cual a su vez reduce la
capacitancia de transicin. Se puede apreciar una abrupta declinacin inicial
en

VR

CT

con el incremento de la polarizacin en inversa. El intervalo normal de

para diodos VVC est limitado a aproximadamente 20 V. es funcin de la

polarizacin en inversa aplicada, la capacitancia de transicin est dada de

manera aproximada por:

T=

K
(V T +V )n
R

Donde K es la constante determinada por el material semiconductor y la

tcnica de construccin;

VT

es el potencial de rodilla;

del potencial de polarizacin en inversa aplicado; y n es

aleacin y

1
3

VR
1
2

es la magnitud
para uniones de

para uniones difundidas.

En funcin de la capacitancia en la condicin de polarizacin cero C(0), la

capacitancia como una funcin de

VR

esta dada por

V R /V T |
1+|

C (0)
CT (V T )=

Puesto que nos encontramos en la regin de polarizacin en inversa, la

resistencia en el circuito equivalente es de magnitud muy grande mientras que

la resistencia geomtrica del diodo es muy pequea. La magnitud de

CT

vara desde alrededor de 2 pF hasta 100pF segn el variacap considerado. Para

asegurarse de que

RR

sea lo ms grande posible, en diodos varicap normal

mente se utiliza silicio. El hecho de que el dispositivo se empleara a

frecuencias muy altas requiere que incluyamos la inductancia

Ls

aun cuando

esta medida en nanohenries. Por consiguiente, hay un lmite de frecuencia

asociado con el uso de cada diodo varicap. Suponiendo el intervalo de
frecuencia apropiado y un bajo valor de

Rs

X LS

comparado con el de

los dems elementos en serie podremos reemplazar el circuito equivalente

para el varicap por el capacitor variable solo

DIODOS DE POTENCIA
Hay muchos diodos especficamente diseados para manejar demandas de alta
potencia y alta temperatura de algunas aplicaciones. El uso ms frecuente de
los diodos de potencia ocurre en el proceso de rectificacin, en el cual las
seales de CA se convierten en seales de valor promedio o de nivel de cd.
La mayora de los diodos de potencia se construyen con silicio por sus altos
valores nominales de corriente, temperatura y PIV. Las altas demandas de
corriente requieren que el rea de la unin sea ms grande para asegurarse de
que haya una baja resistencia en directa en el diodo. Si la resistencia en directa
fuera demasiado grande, las perdidas

I2 R

serian excesivas. La capacidad de

corriente de los diodos de potencia se puede incrementar colocando dos o ms

en paralelo y el valor nominal de PIV se puede incrementar conectndolos en
serie.
Las altas temperaturas producidas por la intensa corriente requieren, en
muchos casos, que se utilicen disipadores de calor para abatir el calor del
elemento. Si no se emplean disipadores de calor, se insertan diodos de clavija
directamente en el chasis, los que a su vez actan como disipadores de calor.

DIODOS TNEL
Sus caractersticas son diferentes de las de cualquier diodo hasta ahora
analizando en que tiene una regin de resistencia negativa. En esta regin, un
incremento de voltaje terminal reduce la corriente en el diodo.

El diodo de tnel se fabrica dopando los materiales semiconductores que

formaran la unin p-na un nivel de 100 a varios miles de veces el de un diodo
semiconductor tpico. Esto reduce en gran medida la regin de
empobrecimiento,
aproximadamente

una

1
100

magnitud

de

106

cm,

por

lo

general

del ancho de esta regin en el caso de un diodo

semiconductor. Esta delgada regin de empobrecimiento, a travs de la cual

muchos portadores pueden penetrar en lugar de que intenten superarla, a
bajos potenciales de polarizacin en directa es la responsable del pico que
aparece en la curva.
Esta regin de empobrecimiento reducida hace que los portadores la penetren
a velocidades que exceden por mucho las disponibilidades con diodos
convencionales. El diodo tnel se puede utilizar para consiguiente en
aplicaciones de alta velocidad, como en computadoras, donde se desean
tiempos de conmutacin de nanosegundos a picosegundos.
La corriente pico

Ip

de un diodo tnel puede variar desde algunos micro

amperes hasta varios cientos. El voltaje

unos 600 mV .

pico, sin embargo, est limitado a

Aunque el uso de los diodos tnel en sistemas de alta frecuencia actuales se ha

detenido dramticamente debido a la disponibilidad de tcnicas de fabricacin

de dispositivos alternativos, se sencillez, linealidad, bajo consumo de pontencia

y confiabilidad.